JP2003007806A - Wafer supporting method and mechanism for mounting wafer and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Wafer supporting method and mechanism for mounting wafer and semiconductor manufacturing apparatus

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JP2003007806A
JP2003007806A JP2001188268A JP2001188268A JP2003007806A JP 2003007806 A JP2003007806 A JP 2003007806A JP 2001188268 A JP2001188268 A JP 2001188268A JP 2001188268 A JP2001188268 A JP 2001188268A JP 2003007806 A JP2003007806 A JP 2003007806A
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JP
Japan
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wafer
supporting
notch
semiconductor
semiconductor wafer
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JP2001188268A
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Inventor
Makoto Okabe
誠 岡部
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the possibility of generating cracks on a wafer due to a notch. SOLUTION: The position of the wafer 2 is determined in order that the notch 2a forms the predetermined angle against a supporting point 4 for supporting the wafer 2. The predetermined angel is set to one fourths of the angle at the adjoining supporting point 4. In the case of four-point suspension, the angle is 22.5 degrees against the supporting point 4, and in the case of three-point suspension, the angle is 30 degrees against the supporting point 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造に用い
るウェハの支持方法に係り、特に位置決め用のノッチが
設けられたウェハの支持方法及びそのようなウェハの載
置機構に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of supporting a wafer used in semiconductor manufacturing, and more particularly to a method of supporting a wafer provided with a positioning notch and a mounting mechanism for such a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造用の基板として用いられるシ
リコンウェハは、一枚当たりに形成する半導体チップの
数を増やすために、そのサイズ(直径)が増大する傾向
にある。現在では直径が12インチ(約300mm)の
ウェハが用いられるようになっている。
2. Description of the Related Art The size (diameter) of a silicon wafer used as a substrate for semiconductor manufacturing tends to increase in order to increase the number of semiconductor chips formed per sheet. Currently, a wafer having a diameter of 12 inches (about 300 mm) is used.

【0003】従来、直径が8インチ(約200mm)の
シリコンウェハには、結晶の方位を認識するための目印
として通常オリフラ(オリジナルフラット)と称される
平坦部分が外周の一部に設けられる。近年は、ウェハの
面積を有効利用するために、オリフラではなくノッチ
(切り欠き)を設けることが行われている。ノッチの形
状は標準的な形状に規定されており、約90度の角度の
切り込み角度で、ウェハの外周から約1mmの切り込み
深さであり、先端部分には応力が集中しないようにR
(丸み)が付けられる。
Conventionally, a silicon wafer having a diameter of 8 inches (about 200 mm) is provided with a flat portion, which is usually referred to as an original flat, as a mark for recognizing the crystal orientation on a part of the outer circumference. In recent years, notches (notches) are provided instead of orientation flats in order to effectively use the area of the wafer. The notch shape is defined as a standard shape, with a cutting angle of about 90 degrees and a cutting depth of about 1 mm from the outer circumference of the wafer.
(Rounded) is attached.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ウェハを搬送する際、
あるいは処理装置内に載置する際には、ウェハは支持機
構により支持される。例えば、処理装置内のウェハ載置
台にウェハを載置する際には、まず載置台の載置面から
突出したリフタピン上にウェハを載置し、次にリフタピ
ンを下降させてウェハを載置面に載置する。
When carrying a wafer,
Alternatively, when the wafer is placed in the processing apparatus, the wafer is supported by the support mechanism. For example, when mounting a wafer on the wafer mounting table in the processing apparatus, first mount the wafer on the lifter pins protruding from the mounting surface of the mounting table, and then lower the lifter pins to place the wafer on the mounting surface. Place on.

【0005】通常、リフタピンはウェハの外周より所定
距離内側の円周上に等間隔に配置された3本又は4本の
ピンにより構成される。したがって、リフタピン上のウ
ェハは3点又は4点支持で支えられる。
Usually, the lifter pins are composed of three or four pins which are arranged at equal intervals on the circumference of the inner circumference of the wafer by a predetermined distance. Therefore, the wafer on the lifter pins is supported by three-point or four-point support.

【0006】上述のように、近年ではウェハは大口径化
し、且つウェハの厚みも非常に薄くなってきている。こ
のようなウェハを3点又は4点支持で支えた場合、支持
点の間の部分に撓みが生じる。撓みが生じるとウェハ内
にせん断応力が発生するが、ウェハの外周に上述のよう
なノッチが設けられている場合、ノッチ付近に応力が集
中することとなる。これにより、ノッチを起点としてウ
ェハにスリップが生じるおそれがあるといった問題があ
る。
As described above, in recent years, the diameter of the wafer has increased and the thickness of the wafer has also become extremely thin. When such a wafer is supported by three-point or four-point support, the portion between the support points is bent. When the bending occurs, shear stress is generated in the wafer, but when the notch as described above is provided on the outer periphery of the wafer, the stress is concentrated near the notch. As a result, there is a problem that the wafer may slip starting from the notch.

【0007】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ノッチに起因してウェハにスリップが生じる可能
性を低減することのできるウェハ支持方法及びウェハ載
置機構、並びに半導体製造装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above points, and provides a wafer supporting method, a wafer mounting mechanism, and a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing the possibility that a wafer will slip due to a notch. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
In order to solve the above problems, the present invention is characterized by taking the following means.

【0009】請求項1記載の発明は、半導体ウェハを複
数の支持点により支持するウェハ支持方法であって、前
記半導体ウェハの外周に設けられたノッチが前記支持点
に対して所定の位置となるように、前記半導体ウェハを
前記支持点に対して位置決めすることを特徴とするもの
である。
The invention according to claim 1 is a wafer supporting method for supporting a semiconductor wafer by a plurality of supporting points, wherein a notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer is at a predetermined position with respect to the supporting point. Thus, the semiconductor wafer is positioned with respect to the support point.

【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のウ
ェハ支持方法であって、前記支持点は所定の円周に沿っ
て等間隔で配置されており、前記半導体ウェハのノッチ
を前記支持点の一つから所定の角度で配置することを特
徴とするものである。
The invention according to claim 2 is the method for supporting a wafer according to claim 1, wherein the supporting points are arranged at equal intervals along a predetermined circumference, and the notches of the semiconductor wafer are supported by the supporting points. It is characterized by being arranged at a predetermined angle from one of the points.

【0011】請求項3記載の発明は、請求項2記載のウ
ェハ支持方法であって、前記所定の角度を、前記半導体
ウェハを前記支持機構により支持した際に前記ノッチ部
分において前記ウェハ内に発生するせん断応力が実質的
に最小となるような角度に設定することを特徴とするも
のである。
The invention according to claim 3 is the method for supporting a wafer according to claim 2, wherein the predetermined angle is generated in the wafer at the notch portion when the semiconductor wafer is supported by the supporting mechanism. It is characterized in that the angle is set so that the shear stress to be applied is substantially minimized.

【0012】請求項4記載の発明は、請求項3記載のウ
ェハ支持方法であって、前記所定の角度は、前記支持点
の隣り合う2つにより形成される角度の1/4であるこ
とを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the wafer supporting method according to the third aspect, the predetermined angle is 1/4 of an angle formed by two adjacent support points. It is a feature.

【0013】請求項5記載の発明は、請求項1記載のウ
ェハ支持方法であって、前記支持点に対する前記ノッチ
の位置決めは、前記半導体ウェハを前記支持点上に移載
するための移載機構において行うことを特徴とするもの
である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the wafer supporting method according to the first aspect, the notch is positioned with respect to the support point by a transfer mechanism for transferring the semiconductor wafer onto the support point. It is characterized by performing in.

【0014】請求項6記載の発明は、請求項6記載のウ
ェハ支持方法であって、前記移載機構は回転アームを有
するフォーク機構であり、フォークにより半導体ウェハ
を保持し、回転アームの回転中心にフォークを移動し、
回転中心に設けられたウェハ載置部を上昇させて前記半
導体ウェハを持ち上げ、前記ノッチが前記フォークに対
して所定の位置となるように、前記フォークを回転し、
前記ウェハ載置部を下降して前記半導体ウェハを前記フ
ォークで保持し、前記フォークを前記支持点上に移動し
て前記半導体ウェハを前記支持点で支持することを特徴
とするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the wafer supporting method according to the sixth aspect, wherein the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotating arm, and the semiconductor wafer is held by the fork, and a rotation center of the rotating arm. Move the fork to
The wafer mounting portion provided at the center of rotation is lifted to lift the semiconductor wafer, and the notch is located at a predetermined position with respect to the fork, and the fork is rotated,
It is characterized in that the wafer mounting portion is lowered to hold the semiconductor wafer by the fork, and the fork is moved onto the support point to support the semiconductor wafer at the support point.

【0015】請求項7記載の発明は、半導体ウェハを載
置するウェハ載置機構であって、前記半導体ウェハを複
数の支持点により支持するウェハ支持機構と、前記半導
体ウェハを保持部により保持しながら前記ウェハ支持機
構に移載する移載機構と、前記半導体ウェハの外周に設
けられたノッチの位置が前記移載機構の保持部に対して
所定の位置となるように、前記半導体ウェハの角度位置
を調整する回転位置決め機構とを有することを特徴とす
るものである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a wafer mounting mechanism for mounting a semiconductor wafer, wherein the wafer supporting mechanism supports the semiconductor wafer at a plurality of supporting points, and the semiconductor wafer is held by a holding section. While the transfer mechanism for transferring to the wafer support mechanism and the position of the notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer are at a predetermined position with respect to the holding portion of the transfer mechanism, the angle of the semiconductor wafer is adjusted. And a rotary positioning mechanism for adjusting the position.

【0016】請求項8記載の発明は、請求項7記載のウ
ェハ載置機構であって、前記移載機構は回転アームを有
するフォーク機構であり、前記回転位置決め機構は、前
記回転アームの回転中心に設けられた昇降可能なウェハ
載置部と、前記回転アームの回転機構とにより構成され
ることを特徴とするものである。
The invention according to claim 8 is the wafer mounting mechanism according to claim 7, wherein the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotary arm, and the rotary positioning mechanism is a rotation center of the rotary arm. It is characterized in that it is constituted by a vertically movable wafer mounting portion provided on the above and a rotating mechanism of the rotating arm.

【0017】請求項9記載の発明は、請求項7又は8記
載のウェハ載置機構であって、前記保持部に対する前記
ノッチの所定の位置は、前記半導体ウェハが前記ウェハ
支持機構に移載された際の前記ノッチの位置に基づいて
予め決定されることを特徴とするものである。
The invention according to claim 9 is the wafer mounting mechanism according to claim 7 or 8, wherein the semiconductor wafer is transferred to the wafer supporting mechanism at a predetermined position of the notch with respect to the holding portion. It is characterized in that it is determined in advance based on the position of the notch when it is opened.

【0018】請求項10記載の発明は、請求項9記載の
ウェハ載置機構であって、前記半導体ウェハが前記ウェ
ハ支持機構により支持された際の前記ノッチの位置は、
前記ノッチ部分において前記ウェハ内に発生するせん断
応力が実質的に最小となるような角度位置であることを
特徴とするものである。
According to a tenth aspect of the present invention, in the wafer mounting mechanism according to the ninth aspect, the position of the notch when the semiconductor wafer is supported by the wafer supporting mechanism is:
It is characterized in that the angular position is such that the shear stress generated in the wafer is substantially minimized in the notch portion.

【0019】請求項11記載の発明は、請求項10記載
のウェハ載置機構であって、前記複数の支持点は円周上
に等間隔で配置されており、前記半導体ウェハのノッチ
が前記支持点の一つから所定の角度で配置されるように
前記半導体ウェハを前記支持点上に載置することを特徴
とするものである。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the wafer mounting mechanism according to the tenth aspect, the plurality of supporting points are arranged at equal intervals on the circumference, and the notches of the semiconductor wafer are the supporting points. It is characterized in that the semiconductor wafer is placed on the support points so that they are arranged at a predetermined angle from one of the points.

【0020】請求項12記載の発明は、請求項11記載
のウェハ載置機構であって、前記所定の角度は、前記支
持点の隣り合う2つにより形成される角度の1/4であ
ることを特徴とするものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the wafer mounting mechanism according to the eleventh aspect, the predetermined angle is 1/4 of an angle formed by two adjacent support points. It is characterized by.

【0021】請求項13記載の発明は、半導体ウェハを
処理する半導体製造装置であって、該半導体ウェハを複
数の支持点により支持するウェハ支持機構と、前記半導
体ウェハを保持部により保持しながら前記ウェハ支持機
構に移載する移載機構と、前記半導体ウェハの外周に設
けられたノッチの位置が前記移載機構の保持部に対して
所定の位置となるように、前記半導体ウェハの角度位置
を調整する回転位置決め機構とを有することを特徴とす
るものである。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for processing a semiconductor wafer, wherein the wafer supporting mechanism supports the semiconductor wafer by a plurality of supporting points, and the semiconductor wafer is held by a holding section. The angular position of the semiconductor wafer is adjusted so that the transfer mechanism to be transferred to the wafer support mechanism and the position of the notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer are at a predetermined position with respect to the holding portion of the transfer mechanism. And a rotary positioning mechanism for adjusting.

【0022】請求項14記載の発明は、請求項13記載
の半導体製造装置であって、前記移載機構は回転アーム
を有するフォーク機構であり、前記回転位置決め機構
は、前記回転アームの回転中心に設けられた昇降可能な
ウェハ載置部と、前記回転アームの回転機構とにより構
成されることを特徴とするものである。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the thirteenth aspect, the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotary arm, and the rotary positioning mechanism is provided at a center of rotation of the rotary arm. It is characterized in that it is configured by a wafer mounting part which can be raised and lowered and a rotating mechanism of the rotating arm.

【0023】請求項15記載の発明は、請求項13又は
14記載の半導体製造装置であって、前記保持部に対す
る前記ノッチの所定の位置は、前記半導体ウェハが前記
ウェハ支持機構に移載された際の前記ノッチの位置に基
づいて予め決定されることを特徴とするものである。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the thirteenth or fourteenth aspect, the semiconductor wafer is transferred to the wafer support mechanism at a predetermined position of the notch with respect to the holding portion. It is characterized in that it is predetermined based on the position of the notch at that time.

【0024】請求項16記載の発明は、請求項15記載
の半導体製造装置であって、前記半導体ウェハが前記ウ
ェハ支持機構により支持された際の前記ノッチの位置
は、前記ノッチ部分において前記ウェハ内に発生するせ
ん断応力が実質的に最小となるような角度位置であるこ
とを特徴とするものである。
The invention according to claim 16 is the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 15, wherein the position of the notch when the semiconductor wafer is supported by the wafer supporting mechanism is within the wafer at the notch portion. It is characterized in that it is at an angular position such that the shear stress generated in the is substantially minimized.

【0025】請求項17記載の発明は、請求項16記載
の半導体製造装置であって、前記複数の支持点は円周上
に等間隔で配置されており、前記半導体ウェハのノッチ
が前記支持点の一つから所定の角度で配置されるように
前記半導体ウェハを前記支持点上に載置することを特徴
とするものである。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the sixteenth aspect, the plurality of support points are arranged at equal intervals on the circumference, and the notches of the semiconductor wafer are the support points. The semiconductor wafer is mounted on the support point so that the semiconductor wafer is arranged at a predetermined angle from one of the above.

【0026】請求項18記載の発明は、請求項17記載
の半導体製造装置であって、前記所定の角度は、前記支
持点の隣り合う2つにより形成される角度の1/4であ
ることを特徴とするものである。
According to an eighteenth aspect of the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the seventeenth aspect, the predetermined angle is 1/4 of an angle formed by two adjacent support points. It is a feature.

【0027】上述の発明によれば、半導体ウェハがウェ
ハ支持機構により支持された状態において、複数の支持
点により支持された半導体ウェハのノッチ付近に発生す
るせん断応力を極力小さくすることができる。これによ
り、ノッチへの応力集中に起因した半導体ウェハのスリ
ップの発生を防止することができる。
According to the above-mentioned invention, when the semiconductor wafer is supported by the wafer support mechanism, the shear stress generated near the notches of the semiconductor wafer supported by the plurality of support points can be minimized. As a result, it is possible to prevent the semiconductor wafer from slipping due to the stress concentration on the notch.

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0028】本発明者は、半導体ウェハを複数の支持点
で支持した場合のウェハの変位及びウェハ中に生じるせ
ん断応力についてシミュレーションを行った。その結
果、半導体ウェハを複数の支持点で支えた場合に、せん
断応力の強さに一定の分布が生じることを見い出した。
The present inventor simulated the displacement of the semiconductor wafer and the shear stress generated in the wafer when the semiconductor wafer was supported by a plurality of supporting points. As a result, it was found that when the semiconductor wafer was supported by a plurality of supporting points, a constant distribution of the shear stress intensity was generated.

【0029】シミュレーションにおいて、12インチ
(約300mm)のウェハの外周に上述のようなノッチ
が設けられた場合を想定した。そして、このようなウェ
ハを3点支持及び4点支持により支持した場合につい
て、ウェハ全体の変位(撓み量)及びせん断応力の分布
を求めた。支持点を配置するピッチ円直径は212mm
とし、ピッチ円上に等間隔(すなわち等角度)で4つの
支持点を配置する場合を想定した。
In the simulation, 12 inches
It is assumed that the above notch is provided on the outer periphery of the wafer (about 300 mm). Then, when such a wafer was supported by three-point support and four-point support, the displacement (deflection amount) and shear stress distribution of the entire wafer were obtained. The diameter of the pitch circle where the supporting points are arranged is 212 mm.
Then, it is assumed that four support points are arranged at equal intervals (that is, at equal angles) on the pitch circle.

【0030】ウェハは極めて薄い材料であり、支持点の
間では重力により撓みが生じる。そこで、ウェハ全体の
撓み量(変位)をシミュレーションにより求めた。この
場合、撓み量とはウェハが平面状態からどのくらい下方
又は上方へ変位したかをミクロン(μm)の単位で求め
た値とした。ウェハの外周上における重力方向すなわち
下方への撓みは、支持点と支持点との間の中央位置にお
いてもっとも大きくなる。
The wafer is an extremely thin material and gravity causes deflection between the support points. Therefore, the amount of deflection (displacement) of the entire wafer was obtained by simulation. In this case, the amount of deflection is a value obtained by determining how much the wafer is displaced downward or upward from the planar state in units of microns (μm). Deflection on the outer circumference of the wafer in the direction of gravity, that is, downward deflection is greatest at the center position between the support points.

【0031】4点支持の場合、支持点の角度間隔は90
度となるが、例えば支持点を0度、90度、180度、
270度の位置に配置した場合、0度と90度の中間で
ある45度の位置、90度と180度の中間である13
5度の位置、180度と270度の中間である225度
の位置、及び270度と360度(0度)の間の315
度の位置における外周部において下方への変位は最も大
きい。0度と90度の間でみると、45度の位置で撓み
量が最大となる。
In the case of four-point support, the angular interval between the support points is 90.
The support points are 0 degrees, 90 degrees, 180 degrees,
When it is arranged at a position of 270 degrees, it is a position of 45 degrees which is between 0 degrees and 90 degrees, and a position which is between 90 degrees and 180 degrees 13
5 degree position, 225 degree position which is between 180 degree and 270 degree, and 315 between 270 degree and 360 degree (0 degree)
The downward displacement is greatest in the outer peripheral portion at the position of degree. When viewed between 0 and 90 degrees, the amount of deflection becomes maximum at the position of 45 degrees.

【0032】このような変位のデータに基づいてせん断
応力分布を求めた。図1は上述の条件においてウェハの
外周部におけるせん断応力を示すグラフである。せん断
応力は各支持点に対して対称な分布となるため、図1で
は0度から45度までの範囲だけを示している。
The shear stress distribution was obtained based on the above displacement data. FIG. 1 is a graph showing the shear stress in the outer peripheral portion of the wafer under the above conditions. Since the shear stress has a symmetrical distribution with respect to each support point, FIG. 1 shows only the range from 0 to 45 degrees.

【0033】図1に示すように、0度においてはせん断
応力は最大となる。これは、支持点の位置においては両
側が撓むためである。せん断応力は角度が増すにつれて
減少し、22.5度付近で最小となる。この22.5度
付近は撓み増加率の曲線が上に凸の曲線から下に凸の曲
線へと変化する変極点である。すなわち、せん断応力は
変位の増加率の変極点において小さくなることがわかっ
た。
As shown in FIG. 1, the shear stress becomes maximum at 0 degree. This is because both sides bend at the position of the support point. The shear stress decreases as the angle increases, and becomes the minimum near 22.5 degrees. The vicinity of 22.5 degrees is an inflection point at which the curve of the bending increase rate changes from the upward convex curve to the downward convex curve. That is, it was found that the shear stress decreases at the inflection point of the rate of increase in displacement.

【0034】以上は支持点を4つとした場合の例である
が、同じピッチ円上に3つの支持点を配置した場合につ
いても同様なシミュレーションを行い、図2に示すよう
な結果を得た。
The above is an example of the case where the number of supporting points is four, but the same simulation was performed when three supporting points were arranged on the same pitch circle, and the results shown in FIG. 2 were obtained.

【0035】支持点が3つの場合、支持点間の角度は1
20度となるので、図2においては、半分に相当する0
度から60度までの範囲を示している。すなわち、3つ
の支持点の場合、支持点の中間の60度の位置で下方へ
の変位は最大となる。この場合の撓み増加率の変極点
は、60度の半分である30度付近となる。したがっ
て、30度付近においてウェハの外周部のせん断応力は
最も小さくなる。
When there are three support points, the angle between the support points is 1
Since it is 20 degrees, in FIG.
The range from 60 degrees to 60 degrees is shown. That is, in the case of three support points, the downward displacement is maximum at a position of 60 degrees in the middle of the support points. In this case, the inflection point of the bending increase rate is around 30 degrees, which is half of 60 degrees. Therefore, the shear stress at the outer peripheral portion of the wafer becomes the smallest near 30 degrees.

【0036】以上のせん断応力の検討結果をまとめる
と、ウェハの外周部におけるせん断応力は、支持点間の
角度の1/4の角度において最小となることがわかる。
また、支持点の数を増やしても同様の結果となることが
推測される。
Summarizing the results of the above-mentioned examination of the shear stress, it can be seen that the shear stress in the outer peripheral portion of the wafer becomes the minimum at an angle ¼ of the angle between the support points.
Moreover, it is estimated that the same result will be obtained even if the number of support points is increased.

【0037】図3は、上述の4点支持において、ノッチ
2aが0度の位置及び22.5度の位置になるようにウ
ェハ2を支持点4上に位置決めした場合を示す図であ
る。なお、図3に示すノッチ2aは実際よりも大きく示
してある。
FIG. 3 is a diagram showing a case where the wafer 2 is positioned on the support point 4 so that the notches 2a are at the 0-degree position and the 22.5-degree position in the above-mentioned four-point support. The notch 2a shown in FIG. 3 is shown larger than it actually is.

【0038】図3(a)に示すようにノッチ2aを0度
の位置に配置した場合、せん断応力が最大となる部分に
ノッチ2aが位置することとなる。したがって、ノッチ
2aに集中するせん断応力(0.0273kgf/mm
)も大きくなり、ノッチ2aを起点としてスリップが
生じるおそれがある。
When the notch 2a is arranged at a position of 0 degree as shown in FIG. 3 (a), the notch 2a is located at the portion where the shear stress is maximum. Therefore, the shear stress concentrated in the notch 2a (0.0273 kgf / mm
2 ) also becomes large, and slip may occur from the notch 2a as a starting point.

【0039】一方、図3(b)に示すようにノッチ2a
を22.5度の位置に配置した場合、せん断応力が最小
となる部分にノッチ2aが位置することとなる。この場
合のせん断応力(0.0097kgf/mm)は、図
3(a)に示す場合より64.5%も低い値であり、し
たがって、ノッチ2aに集中するせん断応力も小さく、
ノッチ2aを起点としてスリップが生じる可能性は非常
に小さくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 3B, the notch 2a
Is located at a position of 22.5 degrees, the notch 2a is located at the portion where the shear stress is minimum. The shear stress (0.0097 kgf / mm 2 ) in this case is 64.5% lower than that shown in FIG. 3A, and therefore the shear stress concentrated in the notch 2a is small.
The possibility of slipping starting from the notch 2a is extremely small.

【0040】同様に、図4は、上述の3点支持におい
て、ノッチ2aが0度の位置及び30度の位置になるよ
うにウェハ2を支持点4上に位置決めした場合を示す図
である。なお、図4に示すノッチ2aは実際よりも大き
く示してある。
Similarly, FIG. 4 is a diagram showing a case where the wafer 2 is positioned on the supporting point 4 so that the notches 2a are at the 0-degree position and the 30-degree position in the above-described three-point support. The notch 2a shown in FIG. 4 is shown larger than it actually is.

【0041】図4(a)に示すようにノッチ2aを0度
の位置に配置した場合、せん断応力が最大となる部分に
ノッチ2aが位置することとなる。したがって、ノッチ
2aに集中するせん断応力(0.0531kgf/mm
)も大きくなり、ノッチ2aを起点としてスリップが
生じるおそれがある。
When the notch 2a is arranged at a position of 0 degree as shown in FIG. 4 (a), the notch 2a is located at a portion where the shear stress is maximum. Therefore, the shear stress concentrated on the notch 2a (0.0531 kgf / mm
2 ) also becomes large, and slip may occur from the notch 2a as a starting point.

【0042】一方、図4(b)に示すようにノッチ2a
を30度の位置に配置した場合、せん断応力が最小とな
る部分にノッチ2aが位置することとなる。この場合の
せん断応力(0.0219kgf/mm)は、図4
(a)に示す場合より58.0%も低い値であり、した
がって、ノッチ2aに集中するせん断応力も小さく、ノ
ッチ2aを起点としてスリップが生じる可能性は非常に
小さくなる。
On the other hand, as shown in FIG. 4B, the notch 2a
When is placed at a position of 30 degrees, the notch 2a is located at the portion where the shear stress is minimum. The shear stress (0.0219 kgf / mm 2 ) in this case is as shown in FIG.
The value is 58.0% lower than that in the case shown in (a). Therefore, the shear stress concentrated in the notch 2a is also small, and the possibility of slipping starting from the notch 2a is extremely small.

【0043】このように、ウェハのノッチが支持点間角
度の1/4の角度の位置になるようにウェハを支持機構
により支持することとすれば、ノッチでの応力集中によ
るスリップの発生を防止することができる。
As described above, if the wafer is supported by the supporting mechanism so that the notch of the wafer is positioned at an angle ¼ of the angle between the support points, the occurrence of slip due to stress concentration at the notch is prevented. can do.

【0044】例えば、ウェハを処理するための処理チャ
ンバが一つだけの場合、処理チャンバにウェハを供給す
るための搬送系に供給するにウェハのノッチが一定の位
置となるように予め設定しておく。例えば、搬送系のカ
セットにウェハを収容する際にノッチが所定の位置にな
るように予め設定しておく。搬送系でのウェハの搬送動
作及び移載動作は、一定の動作であるため、最終的に処
理チャンバの載置台に載置される際のウェハのノッチの
位置は、カセットに収容された状態でのノッチの位置
(すなわち上述の所定の位置)により一義的に決まる。
したがって、載置台におけるリフタピン(支持点を構成
する)とウェハのノッチとの角度位置が、上述のように
支持点間角度の1/4の角度位置関係となるように、カ
セットに収容する際のウェハのノッチの位置を設定して
おけばよい。
For example, when there is only one processing chamber for processing a wafer, it is preset so that the notch of the wafer is at a fixed position in order to supply it to the transfer system for supplying the wafer to the processing chamber. deep. For example, the notch is set in advance so that the notch is located at a predetermined position when the wafer is stored in the cassette of the transfer system. Since the transfer operation and the transfer operation of the wafer in the transfer system are constant operations, the position of the notch of the wafer when finally placed on the mounting table of the processing chamber is in the state of being accommodated in the cassette. Is uniquely determined by the position of the notch (that is, the predetermined position described above).
Therefore, when the lifter pins (constituting the support points) on the mounting table and the notches of the wafer are housed in the cassette so that the angular positions have the angular positional relationship of 1/4 of the angle between the support points as described above. The position of the notch of the wafer may be set in advance.

【0045】また、一つのウェハを連続して複数の処理
チャンバにより処理するようなマルチチャンバ構成の場
合でも、同様な方法によりノッチとリフタピントの位置
を決めることができる。ただし、2番目以降の処理チャ
ンバにおけるリフタピンの位置は、直前の処理チャンバ
におけるウェハのノッチの位置を考慮して、設計段階に
おいて予め設定しておく必要がある。
Further, even in the case of a multi-chamber structure in which one wafer is continuously processed by a plurality of processing chambers, the positions of the notch and the lifter focus can be determined by the same method. However, the positions of the lifter pins in the second and subsequent processing chambers need to be set in advance at the design stage in consideration of the position of the notch of the wafer in the immediately preceding processing chamber.

【0046】ただし、マルチチャンバ構成において設計
段階でリフタピンの位置を考慮できない場合、あるいは
既存のシステムで変更できないような場合は、ウェハを
回転してノッチの位置を調整する回転位置決め機構を設
けることで対応する。
However, in the case where the position of the lifter pin cannot be taken into consideration in the design stage in the multi-chamber configuration, or the position cannot be changed by the existing system, a rotary positioning mechanism for rotating the wafer to adjust the position of the notch can be provided. Correspond.

【0047】図5は回転位置決め機構の一例を説明する
ための図である。図5に示すフォーク機構6は、処理チ
ャンバ内の載置台にウェハを移載するためのロボットア
ームで構成されたフォーク機構(移載機構)である。
FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the rotary positioning mechanism. The fork mechanism 6 shown in FIG. 5 is a fork mechanism (transfer mechanism) including a robot arm for transferring a wafer to a mounting table in the processing chamber.

【0048】ノッチの位置を変更するときは、まずアー
ム8の先端に設けられたフォーク10によりウェハ2を
保持し(図5(a))、ウェハ2をアーム8の回転軸1
2の頂部に設けられた載置台14の真上まで移動する
(図5(b))。次に、載置台14を上方に移動し、フ
ォーク10で支持されていたウェハ2を持ち上げる(図
5(c))。この状態では、ウェハ2はフォーク10か
ら離れているため、アーム8を駆動してフォーク10の
みを所定の角度だけ回転する(図5(d))。個の所定
の角度は、図5(a)においてフォーク10に保持する
ときのノッチの位置と、ウェハを供給する処理チャンバ
内のウェハ支持機構における支持点の位置とに基づいて
予め求めておく。
When changing the position of the notch, first, the wafer 2 is held by the fork 10 provided at the tip of the arm 8 (FIG. 5A), and the wafer 2 is rotated by the rotating shaft 1 of the arm 8.
It moves to a position right above the mounting table 14 provided on the top of 2 (FIG. 5 (b)). Next, the mounting table 14 is moved upward, and the wafer 2 supported by the fork 10 is lifted (FIG. 5C). In this state, since the wafer 2 is separated from the fork 10, the arm 8 is driven to rotate only the fork 10 by a predetermined angle (FIG. 5 (d)). The predetermined angle of each piece is obtained in advance based on the position of the notch when held on the fork 10 in FIG. 5A and the position of the supporting point in the wafer supporting mechanism in the processing chamber for supplying the wafer.

【0049】フォークを所定の角度だけ回転した後、載
置台14を下方に移動し、ウェハ2を再びフォーク10
により保持する(図5(e))。そして、フォーク10
を図5(b)に示す位置に戻す(図5(f))。図5
(b)と図5(f)におけるノッチ2aの位置を比較す
ることにより、ノッチの位置が移動したことがわかる。
After rotating the fork by a predetermined angle, the mounting table 14 is moved downward, and the wafer 2 is again moved to the fork 10.
Hold (FIG. 5 (e)). And fork 10
To the position shown in FIG. 5 (b) (FIG. 5 (f)). Figure 5
By comparing the positions of the notches 2a in (b) and FIG. 5 (f), it can be seen that the positions of the notches have moved.

【0050】その後、フォーク10を処理チャンバ内に
挿入してウェハ2を処理チャンバ内のウェハ支持機構に
供給することにより、支持点に対して所望の位置にノッ
チを配置することができる。なお、図5(f)に示すフ
ォーク10の回転動作は必ずしも必要ではなく、図5
(e)の状態から処理チャンバへの動作を開始してもよ
い。
Thereafter, by inserting the fork 10 into the processing chamber and supplying the wafer 2 to the wafer supporting mechanism in the processing chamber, the notch can be arranged at a desired position with respect to the supporting point. The rotation operation of the fork 10 shown in FIG. 5 (f) is not always necessary.
The operation to the processing chamber may be started from the state of (e).

【0051】以上のように、図5に示す回転位置決め機
構はフォーク機構よりなる移載機構とアーム8の回転軸
12上に設けられた載置台14とにより構成される。こ
のため、複雑な回転機構や位置決め機構を用いずに、容
易にウェハの回転を行うことができる。
As described above, the rotary positioning mechanism shown in FIG. 5 is composed of the transfer mechanism including the fork mechanism and the mounting table 14 provided on the rotary shaft 12 of the arm 8. Therefore, the wafer can be easily rotated without using a complicated rotation mechanism or positioning mechanism.

【0052】図6は本発明による移載機構が設けられた
半導体製造装置20の構成を示す概略平面図である。図
5に示すフォーク機構(移載機構)は、移載室22に配
置される。移載室22には、ロードロック室(L/L)
24と半導体処理装置26,28が接続されている。移
載室22に設けられたフォーク機構により、半導体処理
装置26又は28内に載置され、所定の処理が施され
る。この際に、フォーク機構は、半導体処理装置26又
は28内のウェハ支持機構に対して載置する半導体ウェ
ハのノッチが所定の位置関係となるように、半導体ウェ
ハを回転して調節する。
FIG. 6 is a schematic plan view showing the structure of a semiconductor manufacturing apparatus 20 provided with a transfer mechanism according to the present invention. The fork mechanism (transfer mechanism) shown in FIG. 5 is arranged in the transfer chamber 22. The transfer chamber 22 has a load lock chamber (L / L)
24 and the semiconductor processing devices 26 and 28 are connected. A fork mechanism provided in the transfer chamber 22 places the semiconductor processing apparatus 26 or 28 in the semiconductor processing apparatus 26 and performs predetermined processing. At this time, the fork mechanism rotates and adjusts the semiconductor wafer so that the notch of the semiconductor wafer mounted on the wafer support mechanism in the semiconductor processing apparatus 26 or 28 has a predetermined positional relationship.

【0053】図7は図6に示す半導体処理装置26の断
面図である。半導体処理装置26は、処理チャンバ30
を有し、処理チャンバ30内に載置された半導体ウェハ
Wに対して所定の処理を施す。処理チャンバ30内には
載置台32が配置され、載置台32の上方には処理ガス
を供給するシャワーヘッド34が設けられる。
FIG. 7 is a sectional view of the semiconductor processing apparatus 26 shown in FIG. The semiconductor processing apparatus 26 includes a processing chamber 30.
And performs a predetermined process on the semiconductor wafer W placed in the process chamber 30. A mounting table 32 is arranged in the processing chamber 30, and a shower head 34 for supplying a processing gas is provided above the mounting table 32.

【0054】処理チャンバ30の側面にはゲートバルブ
36が設けられており、半導体ウェハWはゲートバルブ
36を通じて移載室から処理チャンバ30内の載置台3
2上に載置される。この際、載置台32を貫通して延在
する3本又は4本のリフタピン38が上昇して、半導体
ウェハWはまずリフタピン34の上に支持される。半導
体ウェハWは、上述の方法によりノッチがリフタピン3
4に対して所定の位置となるように、フォーク機構によ
り回転された後にリフタピン34上に配置される。
A gate valve 36 is provided on the side surface of the processing chamber 30, and the semiconductor wafer W is transferred from the transfer chamber through the gate valve 36 to the mounting table 3 in the processing chamber 30.
2 is placed on. At this time, the three or four lifter pins 38 extending through the mounting table 32 ascend and the semiconductor wafer W is first supported on the lifter pins 34. The notch of the semiconductor wafer W has the lifter pin 3 by the above method.
4 is placed on the lifter pin 34 after being rotated by the fork mechanism so as to be in a predetermined position with respect to 4.

【0055】したがって、半導体ウェハWのノッチが最
もせん断応力の低い位置となるように半導体ウェハを載
置することができ、ノッチへの応力集中に起因して半導
体ウェハWに生じるスリップを防止することができる。
Therefore, the semiconductor wafer can be placed so that the notch of the semiconductor wafer W is at the position where the shear stress is the lowest, and the slip generated in the semiconductor wafer W due to the stress concentration on the notch can be prevented. You can

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、半導体ウェ
ハがウェハ支持機構により支持された状態において、複
数の支持点により支持された半導体ウェハのノッチ付近
に発生するせん断応力を極力小さくすることができる。
これにより、ノッチへの応力集中に起因した半導体ウェ
ハのスリップの発生を防止することができる。
As described above, according to the present invention, when the semiconductor wafer is supported by the wafer support mechanism, the shear stress generated near the notches of the semiconductor wafer supported by the plurality of support points is minimized. You can
As a result, it is possible to prevent the semiconductor wafer from slipping due to the stress concentration on the notch.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】4点支持によるウェハの外周部におけるせん断
応力を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing shear stress in a peripheral portion of a wafer supported by four points.

【図2】3点支持によるウェハの外周部におけるせん断
応力を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing shear stress in a peripheral portion of a wafer supported by three points.

【図3】4点支持において、ノッチが0度の位置及び2
2.5度の位置になるように位置決めした場合を示す図
である。
FIG. 3 shows a four-point support in which the notch has a position of 0 degree and 2
It is a figure which shows the case where it positions so that it may become a position of 2.5 degrees.

【図4】3点支持において、ノッチが0度の位置及び3
0度の位置になるように位置決めした場合を示す図であ
る。
FIG. 4 shows a three-point support in which a notch has a position of 0 degree and
It is a figure which shows the case where it positions so that it may become a position of 0 degree.

【図5】回転位置決め機構の一例を説明するための図で
ある。
FIG. 5 is a diagram for explaining an example of a rotary positioning mechanism.

【図6】本発明による移載機構が設けられた半導体製造
装置の構成を示す概略平面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus provided with a transfer mechanism according to the present invention.

【図7】図6に示す処理装置の断面図である。7 is a sectional view of the processing apparatus shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 半導体ウェハ 2a ノッチ 4 支持点 6 フォーク機構 8 アーム 10 フォーク 12 回転軸 14 載置台 20 半導体製造装置 22 移載室 24 ロードロック室 26,28 半導体処理装置 30 処理チャンバ 32 載置台 34 シャワーヘッド 36 ゲートバルブ 38 リフタピン 2 Semiconductor wafer 2a notch 4 Support points 6 Fork mechanism 8 arms 10 forks 12 rotation axes 14 Mounting table 20 Semiconductor manufacturing equipment 22 Transfer room 24 Road lock room 26,28 Semiconductor processing equipment 30 processing chamber 32 table 34 shower head 36 gate valve 38 Lifter Pin

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハを複数の支持点により支持
するウェハ支持方法であって、 前記半導体ウェハの外周に設けられたノッチが前記支持
点に対して所定の位置となるように、前記半導体ウェハ
を前記支持点に対して位置決めすることを特徴とするウ
ェハ支持方法。
1. A wafer supporting method for supporting a semiconductor wafer by a plurality of supporting points, wherein the notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer is at a predetermined position with respect to the supporting point. A method for supporting a wafer, wherein the wafer is positioned with respect to the support point.
【請求項2】 請求項1記載のウェハ支持方法であっ
て、 前記支持点は所定の円周に沿って等間隔で配置されてお
り、前記半導体ウェハのノッチを前記支持点の一つから
所定の角度で配置することを特徴とするウェハ支持方
法。
2. The wafer supporting method according to claim 1, wherein the support points are arranged at equal intervals along a predetermined circumference, and the notches of the semiconductor wafer are provided from one of the support points by a predetermined distance. A method for supporting a wafer, characterized in that the wafers are arranged at an angle.
【請求項3】 請求項2記載のウェハ支持方法であっ
て、 前記所定の角度を、前記半導体ウェハを前記支持機構に
より支持した際に前記ノッチ部分において前記ウェハ内
に発生するせん断応力が実質的に最小となるような角度
に設定することを特徴とするウェハ支持方法。
3. The wafer supporting method according to claim 2, wherein a shear stress generated in the wafer at the notch portion when the semiconductor wafer is supported by the supporting mechanism at the predetermined angle is substantially the same. A method for supporting a wafer, characterized in that the angle is set so as to be minimum.
【請求項4】 請求項3記載のウェハ支持方法であっ
て、 前記所定の角度は、前記支持点の隣り合う2つにより形
成される角度の1/4であることを特徴とするウェハ支
持方法。
4. The wafer supporting method according to claim 3, wherein the predetermined angle is ¼ of an angle formed by two adjacent support points. .
【請求項5】 請求項1記載のウェハ支持方法であっ
て、 前記支持点に対する前記ノッチの位置決めは、前記半導
体ウェハを前記支持点上に移載するための移載機構にお
いて行うことを特徴とするウェハ支持方法。
5. The wafer supporting method according to claim 1, wherein the positioning of the notch with respect to the support point is performed by a transfer mechanism for transferring the semiconductor wafer onto the support point. Wafer supporting method.
【請求項6】 請求項6記載のウェハ支持方法であっ
て、 前記移載機構は回転アームを有するフォーク機構であ
り、 フォークにより半導体ウェハを保持し、 回転アームの回転中心にフォークを移動し、 回転中心に設けられたウェハ載置部を上昇させて前記半
導体ウェハを持ち上げ、 前記ノッチが前記フォークに対して所定の位置となるよ
うに、前記フォークを回転し、 前記ウェハ載置部を下降して前記半導体ウェハを前記フ
ォークで保持し、 前記フォークを前記支持点上に移動して前記半導体ウェ
ハを前記支持点で支持することを特徴とするウェハ支持
方法。
6. The wafer supporting method according to claim 6, wherein the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotating arm, the semiconductor wafer is held by the fork, and the fork is moved to a rotation center of the rotating arm, The wafer mounting part provided at the center of rotation is raised to lift the semiconductor wafer, and the fork is rotated so that the notch is at a predetermined position with respect to the fork, and the wafer mounting part is lowered. Holding the semiconductor wafer with the fork, and moving the fork onto the support point to support the semiconductor wafer with the support point.
【請求項7】 半導体ウェハを載置するウェハ載置機構
であって、 前記半導体ウェハを複数の支持点により支持するウェハ
支持機構と、 前記半導体ウェハを保持部により保持しながら前記ウェ
ハ支持機構に移載する移載機構と、 前記半導体ウェハの外周に設けられたノッチの位置が前
記移載機構の保持部に対して所定の位置となるように、
前記半導体ウェハの角度位置を調整する回転位置決め機
構とを有することを特徴とするウェハ載置機構。
7. A wafer mounting mechanism for mounting a semiconductor wafer, comprising: a wafer supporting mechanism for supporting the semiconductor wafer at a plurality of supporting points; and a wafer supporting mechanism for holding the semiconductor wafer by a holding section. A transfer mechanism for transferring and a position of a notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer is a predetermined position with respect to a holding portion of the transfer mechanism,
And a rotary positioning mechanism for adjusting the angular position of the semiconductor wafer.
【請求項8】 請求項7記載のウェハ載置機構であっ
て、 前記移載機構は回転アームを有するフォーク機構であ
り、 前記回転位置決め機構は、前記回転アームの回転中心に
設けられた昇降可能なウェハ載置部と、前記回転アーム
の回転機構とにより構成されることを特徴とするウェハ
載置機構。
8. The wafer mounting mechanism according to claim 7, wherein the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotary arm, and the rotary positioning mechanism is vertically movable provided at a rotation center of the rotary arm. A wafer mounting mechanism comprising a simple wafer mounting part and a rotating mechanism of the rotating arm.
【請求項9】 請求項7又は8記載のウェハ載置機構で
あって、 前記保持部に対する前記ノッチの所定の位置は、前記半
導体ウェハが前記ウェハ支持機構に移載された際の前記
ノッチの位置に基づいて予め決定されることを特徴とす
るウェハ載置持機構。
9. The wafer mounting mechanism according to claim 7, wherein the predetermined position of the notch with respect to the holding portion is the notch when the semiconductor wafer is transferred to the wafer supporting mechanism. A wafer mounting mechanism, which is predetermined based on a position.
【請求項10】 請求項9記載のウェハ載置機構であっ
て、 前記半導体ウェハが前記ウェハ支持機構により支持され
た際の前記ノッチの位置は、前記ノッチ部分において前
記ウェハ内に発生するせん断応力が実質的に最小となる
ような角度位置であることを特徴とするウェハ載置機
構。
10. The wafer mounting mechanism according to claim 9, wherein a position of the notch when the semiconductor wafer is supported by the wafer supporting mechanism is a shear stress generated in the wafer at the notch portion. The wafer mounting mechanism is characterized in that the angular position is such that is substantially minimum.
【請求項11】 請求項10記載のウェハ載置機構であ
って、 前記複数の支持点は円周上に等間隔で配置されており、
前記半導体ウェハのノッチが前記支持点の一つから所定
の角度で配置されるように前記半導体ウェハを前記支持
点上に載置することを特徴とするウェハ載置機構。
11. The wafer mounting mechanism according to claim 10, wherein the plurality of support points are arranged at equal intervals on a circumference,
A wafer mounting mechanism for mounting the semiconductor wafer on the support point such that a notch of the semiconductor wafer is arranged at a predetermined angle from one of the support points.
【請求項12】 請求項11記載のウェハ載置機構であ
って、 前記所定の角度は、前記支持点の隣り合う2つにより形
成される角度の1/4であることを特徴とするウェハ載
置機構。
12. The wafer mounting mechanism according to claim 11, wherein the predetermined angle is ¼ of an angle formed by two adjacent support points. Placement mechanism.
【請求項13】 半導体ウェハを処理する半導体製造装
置であって、 該半導体ウェハを複数の支持点により支持するウェハ支
持機構と、 前記半導体ウェハを保持部により保持しながら前記ウェ
ハ支持機構に移載する移載機構と、 前記半導体ウェハの外周に設けられたノッチの位置が前
記移載機構の保持部に対して所定の位置となるように、
前記半導体ウェハの角度位置を調整する回転位置決め機
構とを有することを特徴とする半導体製造装置。
13. A semiconductor manufacturing apparatus for processing a semiconductor wafer, the wafer supporting mechanism supporting the semiconductor wafer at a plurality of supporting points, and the semiconductor wafer being transferred to the wafer supporting mechanism while being held by a holding section. So that the transfer mechanism and the position of the notch provided on the outer periphery of the semiconductor wafer are at a predetermined position with respect to the holding portion of the transfer mechanism,
A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a rotary positioning mechanism for adjusting an angular position of the semiconductor wafer.
【請求項14】 請求項13記載の半導体製造装置であ
って、 前記移載機構は回転アームを有するフォーク機構であ
り、 前記回転位置決め機構は、前記回転アームの回転中心に
設けられた昇降可能なウェハ載置部と、前記回転アーム
の回転機構とにより構成されることを特徴とする半導体
製造装置。
14. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 13, wherein the transfer mechanism is a fork mechanism having a rotation arm, and the rotation positioning mechanism is capable of moving up and down provided at a rotation center of the rotation arm. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a wafer mounting part and a rotating mechanism of the rotating arm.
【請求項15】 請求項13又は14記載の半導体製造
装置であって、 前記保持部に対する前記ノッチの所定の位置は、前記半
導体ウェハが前記ウェハ支持機構に移載された際の前記
ノッチの位置に基づいて予め決定されることを特徴とす
る半導体製造装置。
15. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 13, wherein the predetermined position of the notch with respect to the holding portion is the position of the notch when the semiconductor wafer is transferred to the wafer support mechanism. A semiconductor manufacturing apparatus, which is determined in advance based on the above.
【請求項16】 請求項15記載の半導体製造装置であ
って、 前記半導体ウェハが前記ウェハ支持機構により支持され
た際の前記ノッチの位置は、前記ノッチ部分において前
記ウェハ内に発生するせん断応力が実質的に最小となる
ような角度位置であることを特徴とする半導体製造装
置。
16. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 15, wherein at the position of the notch when the semiconductor wafer is supported by the wafer support mechanism, shear stress generated in the wafer at the notch portion is A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that the angular position is substantially minimized.
【請求項17】 請求項16記載の半導体製造装置であ
って、 前記複数の支持点は円周上に等間隔で配置されており、
前記半導体ウェハのノッチが前記支持点の一つから所定
の角度で配置されるように前記半導体ウェハを前記支持
点上に載置することを特徴とする半導体製造装置。
17. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 16, wherein the plurality of support points are arranged at equal intervals on a circumference,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the semiconductor wafer is placed on the support point such that a notch of the semiconductor wafer is arranged at a predetermined angle from one of the support points.
【請求項18】 請求項17記載の半導体製造装置であ
って、 前記所定の角度は、前記支持点の隣り合う2つにより形
成される角度の1/4であることを特徴とする半導体製
造装置。
18. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 17, wherein the predetermined angle is ¼ of an angle formed by two adjacent support points. .
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