JP2002541044A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の硫化水素含有可燃性ガス流の処理方法であって、
(a)第1の熱クラウス(Claus)ステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス(Claus)ステージ及びその下流側の第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を含む第1クラウス(Claus)プラントを、第1の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するように作動させる工程と、
(b)少なくとも1のさらなる熱クラウス(Claus)ステージにおいて、第2の硫化水素含有可燃性ガス流の硫化水素含有量の一部を燃焼させる工程と、
(c)前記さらなる熱クラウスステージに、硫化水素の燃焼を補助する少なくとも0.25の酸素モル分率を有し且つ純酸素又は空気から分離された不純物含有酸素流から形成されているか又は空気流と純酸素又は不純物含有酸素流との混合物から形成されている燃焼補助ガスを供給する工程と、
(d)前記さらなる熱クラウスステージからの硫化水素、二酸化硫黄、水蒸気及び硫黄蒸気を含む流出ガス流を抜き出し、硫黄欠乏流出ガス流(sulphur-depleted effluent gas stream)を形成するように、さらなる硫黄コンデンサー内で前記流出ガス流から硫黄蒸気を除去する工程と、
(e)前記硫黄欠乏流出ガス流の少なくとも一部を、前記第1クラウスプラント内の前記第1の熱クラウスステージの下流側で且つ前記サブステージ列内の触媒クラウス反応の開始部の上流側の領域において、処理されている第1の可燃性ガスと混合させる工程と、
(f)前記さらなる熱クラウスステージへの前記第2可燃性ガスの流速又は前記第2可燃性ガスの少なくとも1の可燃性成分の流速の関数である第1の制御信号を発生させる工程と、
(g)前記硫黄欠乏流出ガス流中の硫化水素/二酸化硫黄モル比の関数である第2の制御信号を発生させる工程と、
(h)前記第1及び第2の制御信号を用いて、前記燃焼補助ガスが前記さらなる熱クラウスステージに供給される速度を設定する工程と、
を含む方法。
【請求項2】
請求項1に記載の方法であって、前記燃焼補助ガスは、約0.7の酸素モル分率を有することを特徴とする方法。
【請求項3】
請求項1又は請求項2に記載の方法であって、単一のさらなる熱クラウスステージがあることを特徴とする方法。
【請求項4】
請求項3に記載の方法であって、液体水、液体二酸化炭素、二酸化硫黄及び前記さらなる硫黄コンデンサーの下流から採取される再循環流から選択される温度緩和流体を、前記単一のさらなる熱クラウスステージに供給することを特徴とする方法。
【請求項5】
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の方法であって、前記硫黄欠乏ガス流を、前記第1クラウスプラント内の前記さらなる硫黄コンデンサーの下流側の領域で、処理されている前記第1可燃性ガスに、導入することを特徴とする方法。
【請求項6】
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の方法であって、さらに、第1の熱クラウスステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス反応ステージ及び第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を有する第2クラウスプラントを、第3の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するように操作する工程を含み、前記硫黄欠乏流出ガス流の一部だけを前記第1可燃性ガス流と混合させ、前記硫黄欠乏流出ガス流の残りを前記第2クラウスプラント内の前記第1熱クラウスステージの下流側で且つ前記触媒クラウス反応の開始部の上流側の領域で、処理されている第3可燃性ガス流と混合させることを特徴とする方法。
【請求項7】
複数の硫化水素含有可燃性ガス流を処理するプラントであって、
(a)第1の熱クラウスステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス反応ステージ及び第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を有し、第1の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するための第1クラウスプラントと、
(b)第2の硫化水素含有可燃性ガス流の硫化水素含有量の一部を燃焼させるための少なくとも1のさらなる熱クラウスステージと、
(c)純酸素流又は空気から分離された不純物含有酸素流又は空気流と純酸素流又は不純物含有酸素流との混合物から形成されていて且つ少なくとも0.25の酸素モル分率を有する燃焼補助ガス用の前記さらなる熱クラウスステージへの少なくとも1の入口と、
(d)硫化水素、二酸化硫黄、水蒸気及び硫黄蒸気を含む流出ガス流用の前記さらなる熱クラウスステージからの出口と、
(e)前記さらなる熱クラウスステージからの出口と連通する入口を有し、硫黄欠乏流出ガス流を形成するように前記流出ガス流から硫黄蒸気を抽出するためのさらなるコンデンサーと、
(f)前記第1クラウスプラント内の前記第1熱クラウスステージの下流側の領域で且つ該領域の上流側では前記触媒クラウス反応が開始する前記領域と連通する前記硫黄欠乏流出ガス流用の出口と、
(g)前記さらなる熱クラウスステージへの前記第2可燃性ガス流の流速又は前記第2可燃性ガス流の少なくとも1の可燃性成分の流速の関数である第1の制御信号を発生させる手段と、
(h)前記硫黄欠乏流出ガスを通る二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比の関数である第2の制御信号を発生させる手段と、
(i)前記燃焼補助ガスを前記さらなる熱クラウス反応ステージに供給する流速を設定するために、前記第1及び第2の制御信号に反応する手段と、
を含むプラント。
【請求項8】
請求項7に記載のプラントであって、前記第1の制御信号を発生させる手段は、第1のバルブコントローラと作動的に連関し且つ前記さらなるクラウスステージへの前記燃焼補助ガスの流速を測定するためのフローメーターを含むことを特徴とするプラント。
【請求項9】
請求項7に記載のプラントであって、前記第2の制御信号を発生させる手段は、前記硫黄欠乏流出ガス中の硫化水素及び二酸化硫黄の濃度を測定するための分析装置と、測定された硫化水素及び二酸化硫黄の濃度から二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比をコンピュータで計算する手段と、コンピュータで計算された二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比を所定モル比と比較する手段と、を含むことを特徴とするプラント。
【請求項10】
請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載のプラントであって、さらに、前記燃焼補助ガス流の大部分が流通可能な少なくとも1のメインフローコントロールバルブと、前記燃焼補助ガス流の少量が流通可能なトリムフローコントロールバルブと、を含み、前記メインフローコントロールバルブは、前記第1の制御信号を発生させる手段と作動的に連関しており、前記トリムフローコントロールバルブは、前記第2の制御信号を発生させる手段と作動的に連関していることを特徴とするプラント。
【請求項1】
複数の硫化水素含有可燃性ガス流の処理方法であって、
(a)第1の熱クラウス(Claus)ステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス(Claus)ステージ及びその下流側の第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を含む第1クラウス(Claus)プラントを、第1の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するように作動させる工程と、
(b)少なくとも1のさらなる熱クラウス(Claus)ステージにおいて、第2の硫化水素含有可燃性ガス流の硫化水素含有量の一部を燃焼させる工程と、
(c)前記さらなる熱クラウスステージに、硫化水素の燃焼を補助する少なくとも0.25の酸素モル分率を有し且つ純酸素又は空気から分離された不純物含有酸素流から形成されているか又は空気流と純酸素又は不純物含有酸素流との混合物から形成されている燃焼補助ガスを供給する工程と、
(d)前記さらなる熱クラウスステージからの硫化水素、二酸化硫黄、水蒸気及び硫黄蒸気を含む流出ガス流を抜き出し、硫黄欠乏流出ガス流(sulphur-depleted effluent gas stream)を形成するように、さらなる硫黄コンデンサー内で前記流出ガス流から硫黄蒸気を除去する工程と、
(e)前記硫黄欠乏流出ガス流の少なくとも一部を、前記第1クラウスプラント内の前記第1の熱クラウスステージの下流側で且つ前記サブステージ列内の触媒クラウス反応の開始部の上流側の領域において、処理されている第1の可燃性ガスと混合させる工程と、
(f)前記さらなる熱クラウスステージへの前記第2可燃性ガスの流速又は前記第2可燃性ガスの少なくとも1の可燃性成分の流速の関数である第1の制御信号を発生させる工程と、
(g)前記硫黄欠乏流出ガス流中の硫化水素/二酸化硫黄モル比の関数である第2の制御信号を発生させる工程と、
(h)前記第1及び第2の制御信号を用いて、前記燃焼補助ガスが前記さらなる熱クラウスステージに供給される速度を設定する工程と、
を含む方法。
【請求項2】
請求項1に記載の方法であって、前記燃焼補助ガスは、約0.7の酸素モル分率を有することを特徴とする方法。
【請求項3】
請求項1又は請求項2に記載の方法であって、単一のさらなる熱クラウスステージがあることを特徴とする方法。
【請求項4】
請求項3に記載の方法であって、液体水、液体二酸化炭素、二酸化硫黄及び前記さらなる硫黄コンデンサーの下流から採取される再循環流から選択される温度緩和流体を、前記単一のさらなる熱クラウスステージに供給することを特徴とする方法。
【請求項5】
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の方法であって、前記硫黄欠乏ガス流を、前記第1クラウスプラント内の前記さらなる硫黄コンデンサーの下流側の領域で、処理されている前記第1可燃性ガスに、導入することを特徴とする方法。
【請求項6】
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の方法であって、さらに、第1の熱クラウスステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス反応ステージ及び第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を有する第2クラウスプラントを、第3の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するように操作する工程を含み、前記硫黄欠乏流出ガス流の一部だけを前記第1可燃性ガス流と混合させ、前記硫黄欠乏流出ガス流の残りを前記第2クラウスプラント内の前記第1熱クラウスステージの下流側で且つ前記触媒クラウス反応の開始部の上流側の領域で、処理されている第3可燃性ガス流と混合させることを特徴とする方法。
【請求項7】
複数の硫化水素含有可燃性ガス流を処理するプラントであって、
(a)第1の熱クラウスステージと、第1の硫黄コンデンサーと、触媒クラウス反応ステージ及び第2の硫黄コンデンサーを含む少なくとも1のサブステージ列と、を順番に含む一連のステージ列を有し、第1の硫化水素含有可燃性ガス流から硫黄を回収するための第1クラウスプラントと、
(b)第2の硫化水素含有可燃性ガス流の硫化水素含有量の一部を燃焼させるための少なくとも1のさらなる熱クラウスステージと、
(c)純酸素流又は空気から分離された不純物含有酸素流又は空気流と純酸素流又は不純物含有酸素流との混合物から形成されていて且つ少なくとも0.25の酸素モル分率を有する燃焼補助ガス用の前記さらなる熱クラウスステージへの少なくとも1の入口と、
(d)硫化水素、二酸化硫黄、水蒸気及び硫黄蒸気を含む流出ガス流用の前記さらなる熱クラウスステージからの出口と、
(e)前記さらなる熱クラウスステージからの出口と連通する入口を有し、硫黄欠乏流出ガス流を形成するように前記流出ガス流から硫黄蒸気を抽出するためのさらなるコンデンサーと、
(f)前記第1クラウスプラント内の前記第1熱クラウスステージの下流側の領域で且つ該領域の上流側では前記触媒クラウス反応が開始する前記領域と連通する前記硫黄欠乏流出ガス流用の出口と、
(g)前記さらなる熱クラウスステージへの前記第2可燃性ガス流の流速又は前記第2可燃性ガス流の少なくとも1の可燃性成分の流速の関数である第1の制御信号を発生させる手段と、
(h)前記硫黄欠乏流出ガスを通る二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比の関数である第2の制御信号を発生させる手段と、
(i)前記燃焼補助ガスを前記さらなる熱クラウス反応ステージに供給する流速を設定するために、前記第1及び第2の制御信号に反応する手段と、
を含むプラント。
【請求項8】
請求項7に記載のプラントであって、前記第1の制御信号を発生させる手段は、第1のバルブコントローラと作動的に連関し且つ前記さらなるクラウスステージへの前記燃焼補助ガスの流速を測定するためのフローメーターを含むことを特徴とするプラント。
【請求項9】
請求項7に記載のプラントであって、前記第2の制御信号を発生させる手段は、前記硫黄欠乏流出ガス中の硫化水素及び二酸化硫黄の濃度を測定するための分析装置と、測定された硫化水素及び二酸化硫黄の濃度から二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比をコンピュータで計算する手段と、コンピュータで計算された二酸化硫黄に対する硫化水素のモル比を所定モル比と比較する手段と、を含むことを特徴とするプラント。
【請求項10】
請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載のプラントであって、さらに、前記燃焼補助ガス流の大部分が流通可能な少なくとも1のメインフローコントロールバルブと、前記燃焼補助ガス流の少量が流通可能なトリムフローコントロールバルブと、を含み、前記メインフローコントロールバルブは、前記第1の制御信号を発生させる手段と作動的に連関しており、前記トリムフローコントロールバルブは、前記第2の制御信号を発生させる手段と作動的に連関していることを特徴とするプラント。
第3の硫化水素含有可燃性ガス流は、パイプライン60を介して、第2クラウスプラント4に通過する。空気又は酸素リッチ空気が、パイプライン62を介して第2クラウスプラント4に通過する。第2クラウスプラント4は、熱クラウスステージを構成する炉66に向けて燃焼するバーナー64を含む。炉66を出る流出ガスは、廃熱ボイラー68内で冷却される。硫黄は、冷却流出ガス流から、硫黄コンデンサー70内で凝縮され、得られる凝縮物は硫黄シールピット(図示せず)に通過する。コンデンサー70を出た硫黄欠乏ガス混合物は、触媒クラウスステージの一連の2個のサブステージ列72及び74に流れる。上流側の列72は、順番に、再熱器76、第1触媒クラウス反応器78、及び硫黄コンデンサー80を含む。第2のサブステージ列74も同様に、再熱器82、触媒クラウス反応器84及び硫黄コンデンサー86を含む。第2クラウスプラント4の作動は、第1クラウスプラント2に近似するので、さらに詳細には記載せず、さらなる設備6の硫黄コンデンサー54からの硫黄欠乏流出ガスの他の部分が、コンデンサー70の下流側であるが再熱器76の上流側でクラウスプラント4を通過するガス混合物に導入されることを述べるにとどめる。
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