JP2002535852A - ファネル結合ポンプソースを備えたダイオードポンプレーザ - Google Patents

ファネル結合ポンプソースを備えたダイオードポンプレーザ

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JP2002535852A JP2000595407A JP2000595407A JP2002535852A JP 2002535852 A JP2002535852 A JP 2002535852A JP 2000595407 A JP2000595407 A JP 2000595407A JP 2000595407 A JP2000595407 A JP 2000595407A JP 2002535852 A JP2002535852 A JP 2002535852A
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ジェイソン ディー ヘンリー
ウィリアム エル ジュニア ニガーン
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スペクトラ−フィジックス レイザーズ インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】 光ポンプレーザは、光学共鳴キャビティ(120)内に位置決めされ、共鳴器の光軸(150)を中心として周りに配置された利得媒質を有する。光ポンプソース(100)は、光学共鳴キャビティの外側に配置される。カプラボディと、その中を通過する内部ボリュームとを備えた反射カプラ(110)は、光ポンプソースの近位に位置決めされる。ポンプソースからの光は、光ポンプソースの遠位に位置決めされた反射カプラの出口アパーチャに対して、反射カプラのエントランス・アパーチャ内を通過する。反射カプラの内部ボリュームは、反射表面と、エントランス・アパーチャと、出口アパーチャとによって境界が仕切られ、光ポンプソースからの放射に対しては実質的に透明である。反射表面は、光ポンプソースからの放射に適合した高い反射率を有する。反射カプラは、放射を光ポンプソースから光学共鳴キャビティ及び利得媒質内に差し向け、出口アパーチャにわたる空間強度分布及び開口数を調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
（関連出願・クロスリファレンス） この出願の特許請求の範囲は、ファネル結合ポンプソースを備えたダイオード
ポンプレーザ（Diode-Pumped Laser With Funnel-Coupled Pump Source）と名付
けられ１９９９年１月１９日に出願された前の出願の利益を受ける。 （本発明の技術分野） 本発明は、固体レーザに関し、特にダイオードポンプ固体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
新世代のダイオードポンプ固体レーザは、ポンプビームを生成するためにダイ
オードレーザバーのスタックに利用される。単一のダイオード又は単一のダイオ
ードバーと比較して、ダイオードバーのかかるアレンジメントによって達成され
た増加したパワーにより、ポンプ放射を受けるレーザにおいて新しいレベルのパ
フォーマンスを達成することが出来る。しかしながら、ダイオードバーのスタッ
クが、数センチメートルから数十センチメートルにわたって延びるので、ポンプ
レーザの利得媒質を備えた、かかるダイオードスタックからのポンプエネルギの
結合の効率において更なる困難がある。これらの困難は、高い発散及び単一ダイ
オードレーザの非等方性出力に関して良く知られた困難性とは別の困難である。
【０００３】 別のレーザキャビティと効率的に接続するために、空間的な広がり及びダイオ
ードバーのスタックからの高い発散ポンプビームが、その物理的な寸法及び制御
された発散角度を有する。更に、ポンプビームの空間的な強度プロファイルはま
た、活性化された利得媒質のボリュームとポンプエネルギを受けるレーザキャビ
ティにおける共振器モードとの良好な適合性を容易にするために制御される。か
かるデバイスはまた、ダイオードスタック出力パワーの結合における部分的な損
失が伴う相当のパワーの分だけ負わされる熱交換要求を有する。
【０００４】 従来技術は、光学素子との結合に関して過度に複雑であり、若しくは、レーザ
キャビティに対して延びたエミッタの効率的な結合に関する複合的な要求を満た
すことができず、若しくは、経済的でなく又は商業的利用に関して十分に安全で
はない方法で上記の困難性に対処していた。例えば、Beach及びBairdのそれぞれ
の米国特許第5,307,430号及第5,323,414号では、レンズダクトを記載する。これ
らの特許の技術では、レンズダクトは、スタックから利得媒質に対してポンプ光
を案内するための全内部反射（Total Internal Reflection；TIR）を当てにして
いる。TIRは、ダクトとダクトの外部環境との間の界面の屈折率においてほぼ不
連続な変化と正確な構成とを要求する。ヒートシンク又は他の構造体に対してレ
ンズダクトを取り付けることによりTIRに関する要求に反するので、TIRに対する
この依存は、かかるデバイスを冷却させるのが非常に困難となる。従来技術では
、かかるダクトの損失は典型的には２０％よりも大きく、結果的に、全体の効率
が低減し、熱管理状況の問題が潜在的にあるかもしれない。更に、米国特許第5,
307,430号及び第5,323,414号は、ポンプビームの強度プロファイル、機械的事項
、又は結合デバイスの冷却方法の調整に関して何らの教示又は示唆もない。
【０００５】 Groveによる米国特許第5,743,901号は、２次元ダイオードアレイからの光を収
集し、かかる光を「ミックス」するように作用する中空デバイス中で多くの内部
反射の後に、収集した光をスキンに導くための中空非イメージング光収集デバイ
スを教示する。しかしながら、米国特許第5,743,901号は、デバイスの出力強度
プロファイル又は開口数（ＮＡ）の調整に関して何らの教示又は示唆がなく、利
得媒質をポンピングするための最適化された仕方についても何らの教示又は示唆
がない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、この分野において、高パワーでレーザキャビティに空間的に広がった
エミッタを結合するための簡単で、経済的で、頑丈でかつ効率的な方法及び装置
が必要である。特に、高パワーで空間的に広がったダイオードデバイスの出力を
、固体レーザのポンピングの目的のための固体レーザに結合させる結合デバイス
が必要である。利得媒質においてポンプ光強度プロファイル及び開口数（ＮＡ）
を制御するために構成された結合デバイスを組み入れた固体レーザがまた必要で
ある。かかる制御された出力カプラは、ダイオードポンプ固体レーザの性能を高
める。更に、レーザヘッドを再調整する必要がない高パワーで空間的に広がった
ダイオードデバイスのフィールド置換性を許容する結合デバイスを備えたダイオ
ードポンプ固体レーザシステムが必要である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、高い発散性及び空間的に広がったポンプソースをレーザ共鳴
器に結合させる方法及び装置を提供することである。
【０００８】 本発明の他の目的は、ダイオードバーのスタックからの高い発散出力をレーザ
共鳴器に結合させる方法及び装置を提供することである。
【０００９】 本発明の更なる目的は、ポンプソースの空間強度分布を調整する方法及び装置
を提供することである。
【００１０】 本発明の更に別の目的は、ポンプソースの開口数を調整する方法及び装置を提
供することである。
【００１１】 本発明の更に別の目的は、ポンプソースのフルエンスを調整する方法及び装置
を提供することである。
【００１２】 本発明の更に別の目的は、レーザシステムのためのポンプソースの改良された
容易な置換性を備えたレーザシステムを提供することである。
【００１３】 本発明のこれら及び他の目的は、光学ポンプレーザにおいて達成される。利得
媒質が、光学レーザキャビティ内に配置され、共鳴器の光軸の周りに配置される
。光ポンプソースは、光学共鳴キャビティの外側に配置される。カプラボディを
備えた反射カプラと、その中を通過する内部ボリュームとが、光ポンプソースの
近位に位置決めされる。ポンプソースからの光は、光ポンプソースの遠位に位置
決めされた反射カプラの出口アパーチャに対して、反射カプラのエントランス・
アパーチャ内を通過する。反射カプラの内部ボリュームは、反射表面と、エント
ランス・アパーチャと、出口アパーチャとによって境界が仕切られ、光ポンプソ
ースからの放射に対しては実質的に透明である。反射表面は、光ポンプソースか
らの放射に適合した高い反射率を有する。反射カプラは、放射を光ポンプソース
から光学共鳴キャビティ及び利得媒質内に差し向け、出口アパーチャにわたる空
間強度分布及び開口数を調整する。
【００１４】 他の実施形態では、ポンプソース、レーザ共鳴器、及び反射カプラは、ポンプ
ソースから入力を受け、出力をレーザ共鳴器に導くように反射カプラが位置決め
される。ポンプソースを取り替える際に、反射カプラは、レーザ共鳴器の出力が
ほぼ一定になるようにポンプソースの出力の空間強度分布及び発散角度を調整す
る。
【００１５】 本発明の他の実施形態では、利得媒質を光学的にポンピングする方法は、光ポ
ンプソースで利得媒質を照射する前に、光ポンプソースビームのフルエンスを反
射カプラで調整することを含む。光ポンプソースビームの開口数又は発散角度は
、利得媒質を光ポンプソースビームで照射する前に、反射カプラで調整される。
更に、反射カプラによる光ポンプソースビームの空間強度分布は、利得媒質を光
ポンプソースビームで照射する前に、調整される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
ダイオードレーザバーのスタックのような、空間的に広がった光学的ポンプ光
が、数センチメートル又は数十センチメートルにわたって延びる。ポンプレーザ
の利得媒質を備えた、かかるダイオードスタックからポンプエネルギを効率的に
結合するにあたり、高い発散性及び単一のダイオードレーザの非等方性出力に関
する周知の困難性とは別の困難がある。
【００１７】 従来技術に教示されているように、ダイオードレーザバーのスタックのような
、空間的に広がった光学的ポンプソースからの空間的に広がった高発散性ポンプ
ビームは、別の光学キャビティと効率的に結合するための、そのフルエンス及び
開口数の調整を有する。しかしながら、従来技術のカプラは、反射ではなく、ポ
ンプビームを案内するための屈折に頼っていた。ＴＩＲに関して要求される屈折
率の正確な制御は、かかる従来技術のデバイスをヒートシンク又は他の冷却機構
に容易に取り付けることができない。本発明に関する反射カプラは、かかる欠点
を克服する。更に、本発明によれば、ポンプビームのフルエンス及びＮＡ条件だ
けでなく、ポンプビームの空間的な強度プロファイルもまた、活性化された利得
媒質のボリュームと、ポンプパワーを抽出するレーザキャビティにおける共鳴器
モードとの良好な適合を容易にするように調整される。
【００１８】 本発明の態様によれば、反射カプラは、空間的に広がった光学的ポンプソース
とレーザの光学キャビティとを効率的に結合させることが出来る。反射カプラ装
置が光学的ポンプソースから受けた放射のフルエンス及び開口数を調整するだけ
でなく、入力放射の空間的強度プロファイルをも調整する。従って、本発明の態
様によれば、反射カプラの効果は、単なる収集器又は集光装置又は屈折エレメン
ト及び従来の光学素子で周知の他のデバイスのようなものではない。本発明はま
た、積分球と似たような特徴をも有し、複数の反射が強度分布を変更する。しか
しながら、本発明の反射カプラの作用は、積分球のものからのもとのは異なり、
出力空間強度分布が均一である必要はない。更に、本発明は、非常に経済的であ
り、実用的であり、コンパクトであり、簡単、頑丈及び光学ポンプソース及びレ
ーザキャビティに対する敏感でないアレンジメントを与える。敏感でないアレン
ジメントは、レーザヘッドの再調整の必要がないダイオードポンプソースのフィ
ールド置換性を簡便化する。
【００１９】 図１は、本発明の特定の実施形態に関する概略的なシステムを示す。図１には
、光学ポンプソース１００，制限された光線１０５，反射カプラ１１０、光学共
鳴器１２０、反射器１３０、利得媒質１４０、光軸１５０，カプラボディ１６０
，内部ボリューム１６５、反射表面１７０，エントランスアパーチャ１８０，出
口アパーチャ１９０，及びクーラ１９５を示す。
【００２０】 図１では、制限された光線１０５を含む光学ポンプソース１００からの光線は
、エントランスアパーチャ１８０で反射カプラ１１０によって捕捉される。反射
表面１７０での複数の反射を受けた後、カプラボディ１６０の内部ボリューム１
６５を横切り、放射は出口アパーチャ１９０を通過し、利得媒質１４０に入る。
次いで、放射は、反射器１３０の一つを介して光学共鳴器１２０に通る。ポンプ
放射は、利得媒質１４０に増幅を生成する。反射器１３０及び、利得媒質１４０
のエントランス面１４２の反射コーティングは、光学共鳴器にレーザ発振を維持
するように光学的フィードバックを提供する。光軸１５０に対して長手方向のポ
ンピングを図１に示すけれども、光軸を横切る方向のポンピングもまた他の実施
形態において可能である。クーラ１９５は、カプラボディ内の熱を交換し、小さ
いが有限の反射面の吸収を備えたポンプ放射の相互作用により生成された熱を除
去するように作用する。
【００２１】 上述の通り、反射カプラを介することにより、光学ポンプソースからの出力を
、光学キャビティ及び利得媒質の特徴に適当に適合させる仕方で光学ポンプソー
スビームの調整、フルエンス、開口数及び空間強度分布を変更する。所定の実施
形態では、これは、出口アパーチャでの開口数の最小化を含む。これは、出口ア
パーチャでの滑らかな強度プロファイを提供するのに十分な長さであるが、出口
アパーチャでの開口数が過度に増大するのを阻止するには十分短いカプラを設計
することにより本発明の所定の実施形態において達成される。更に、カプラ設計
は、高いスループットを保証するように十分短い。
【００２２】 図１では、反射カプラ１１０は、多くのタイプの材料から製造されうる。典型
的な実施形態では、銅、アルミニウム、又は、好ましくは良好な熱伝導性を備え
た他の材料から作られるカプラボディ１６０を備えたカプラを含む。従って、反
射表面１７０は、所定の実施形態では実質的には金属である。これらの場合では
、１６と同じ高さの表面仕上げ粗さが、適当である。機械技術分野の当業者は、
マイクロインチの単位での平方自乗平均（ＲＭＳ）測定としてこの測定を認識し
ている。この表面仕上げに対する適合が、通常の機械工場の能力の範囲内である
ことが注目すべき点である。他の実施形態では、反射器として使用される実質的
にはガラス又は他の非金属材料であるカプラボディを備えたカプラを含む。
【００２３】 典型的には、カプラボディ１６０の一部は、反射表面１７０を形成する被覆層
でコーティングされる。典型的な被覆層は、絶縁コーティング、金又は銀又はア
ルミニウム又はニッケル又はクロム又は他の高反射材料の多層から形成される。
金又は銀又はニッケル又はクロムのような金属コーティングは典型的には、電気
めっきプロセスによって適用される。他のプロセスを使用することも可能である
。好ましい実施形態では金を使用し、好ましいダイオードポンプの波長８０８ｎ
ｍで少なくとも９６％の反射率を有する。
【００２４】 所定の実施形態では、カプラ１６０は、クーラ１９５で熱交換をする。クーラ
は、小さいが有限の反射表面１７０の吸収でポンプ放射の相互作用により生成さ
れた熱を除去するように作用する。クーラの特定の実施形態は、伝導クーラ又は
対流クーラである。伝導クーラは、熱拡散機構によって主に熱としてエネルギを
伝導する。対流クーラは、流体運動機構によって主に熱としてエネルギを伝導す
る。従来技術のＴＩＲ設計を越えたこの設計の更なる利点は、高い熱伝導性を備
えた材料を使用することが出来ることである。更に、非常に高いスループットが
、本発明の中空反射設計で達成することができる；従来技術の〜７５％と比較し
て＞９０％である。これは、効率及び熱管理において著しいインパクトを有する
。
【００２５】 図１のような好ましい実施形態では、光学ポンプソース１００は、約２００Ｗ
の出力パワーと、この場合８０８ｎｍである利得媒質の吸収波長に適合した出力
波長とを備えた垂直アレイに６つのダイオードバーを有するダイオードスタック
である。この好ましい実施形態のダイオードスタック・エミッティング領域の全
長は、約１０ｍｍ×１０ｍｍ平方である。この実施形態では、スタックの各ダイ
オードバーの出力ビームの速い軸線方向の発散は、小さな円筒レンズを使用する
という前提条件である。スタックにおける個々のレーザバーの速い軸線において
放射された光は、ダイオードレーザビームの最大値の１０％（ＦＷ１０％Ｍ）で
の全幅を測定すると、４度の発散角を有する。遅い軸線における個々のレーザバ
ーの発散角は、おおよそ１０度ＦＷ１０％Ｍである。
【００２６】 図１に図示したように、反射カプラ１１０は、好ましい実施形態では、利得媒
質１４０の近位端の近くに配置される。かかる実施形態では、レーザは、サイド
・ポンプの反対として、エンド・ポンプである。エンド・ポンプは一般的には、
より高い効率と、ポンプ・スキームよりも良好な空間モード制御を提供する。本
発明の好ましい実施形態における利得媒質は、おおよそ直径４ｍｍ、長さ２５ｍ
ｍのＮｄ：ＹＡＧ結晶である。利得媒質におけるＮｄ：ＹＡＧのドーパントレベ
ルは、約０．１から１．１原子パーセントまで変化し、好ましいドーパントレベ
ルは、０．２ないし０．４原子パーセントである。利得媒質の入力面１４１（図
１参照）は、ダイオードポンプ波長、即ち８０８ｎｍで高い透過性を有し、利得
媒質のレーザエミッション波長、即ち１０６４ｎｍで高い反射率を有する２色性
コーティングを有する。レーザエミッション波長での高い反射率を備えるため、
利得媒質の入力面は、共鳴器１２０を構成するミラーの一つとして作用する。利
得媒質の出力面１４２は、利得媒質のレーザエミッション波長、即ち１０６４ｎ
ｍで高い透過性を有する２色性コーティングを有する。利得媒質エミッション波
長で部分透過するミラーは、出力カプラ１３０として使用され、共鳴器を構成す
る第２のミラーである。エミッション波長のエミッション波長での典型的な透過
率は１と４０％の間である。
【００２７】 好ましい実施形態では、利得媒質１４０の熱管理に対して周到な注意を払う必
要がある。エンド・ポンプの結果として、ポンプ光及び対応する消費熱の大部分
は、利得媒質のポンプ・エンドにデポジットされる。従って、利得媒質のポンプ
・エンドは、著しい冷却を要する。利得媒質１４０は、直接又は間接的に水によ
って冷却される。ある好ましい実施形態では、利得媒質１４０は、アンドープの
ＹＡＧ又はサファイアのような熱伝導性材料からなる透明ポンプ窓と光学的に接
している。これにより、利得媒質のポンプ・エンドの周りに直接冷却水を流すこ
とができ、レーザ結晶からの熱フローは、水及びウィンドウの長手方向に放射さ
れる。リファレンスとしてここに組み入れるD. C. Brown, R. Nelson及びL. Bil
lingsの「Efficient cw end-pumped, end-cooled Nd:YVO4 diode-pumped laser
」（Applied Optics, Vol.36, No.33, pp.8611-8613, 1997年11月）、及び、R.
Weber, B. Neuenschwander, M. MacDonald, M.B.Roos及びH.P. Weberの「Coolin
g Schemes for Longitudinally Diode Laser Pumped Nd:YAG Rods」（IEEE Jour
nal of Quantum Electronics, Vol.34, No.6, pp.1046-1053, 1998年６月）は、
かかる構成の例を提供する。他の好ましい実施形態では、利得媒質は、水冷式熱
伝導ヒートシンクに半田付けされる。好ましい実施形態では、同様の結果がいず
れかの冷却構成で達成されうる。
【００２８】 図２に示したように、反射カプラ１１０（図１参照）は、種々のエレメントか
らなる組立体である。図２では、反射カプラアセンブリ２００、反射表面２１０
、アセンブリエレメント２２０，２３０，２４０，２５０、エントランス・アパ
ーチャ１８０、及び出口アパーチャ１９０を示す。典型的な実施形態では、反射
カプラアセンブリは、約１１ｍｍ×１１ｍｍ平方のエントランスアパーチャと、
おおよそ７５ｍｍの反射カプラアセンブリを備えた約２．５ｍｍ×２．５ｍｍ平
方の出口アパーチャとを有する。特定の実施形態では、反射カプラアセンブリ２
００のエレメントは、アルミニウム及び金めっきからなる。反射表面は典型的に
は、機械技術分野において理解されている性能指数１の表面粗さを有している。
典型的な実施形態では、反射カプラアセンブリは、クーラ１９５に取り付けられ
（図１参照）、該クーラは熱管理のために水冷式銅製ヒートシンクである。
【００２９】 図３ａ及び図３ｂは、本発明の他の実施形態を示す。図３ａの実施形態は、反
射カプラ１１０と利得媒質１４０との間に配置された屈折エレメント３１０を更
に有する。この実施形態では、１つの屈折エレメント又は複数の屈折エレメント
は、光が反射カプラの出口アパーチャ１９０からいくらか離れた距離で利得媒質
に入射するように、反射カプラの出力ビームを調整する。例えば、屈折エレメン
トは、反射カプラの出力を部分的又は完全に平行化させる。次いで、第２の屈折
エレメントは、利得媒質中で平行化されたポンプ光を焦点合わせする。屈折エレ
メントは、限定するものではないが、簡単な平凸レンズ又は屈折率分布型レンズ
のようなレンズであってよい。
【００３０】 図３ｂは、別の実施形態を示す。この実施形態は更に、反射ファネルに光ポン
プソースの出力を案内する少なくとも１つの光ファイバー３１５を有する。多く
の変形実施形態が容易に思いつく。
【００３１】 内部ボリューム１６５の構造（図１参照）は、光線又はウェーブ・オプティク
ス・モデルを用いて相互作用計算によって設計することができる。これらのオプ
ティクス・モデルを組み入れた計算ツールは、市販されており容易に入手可能で
ある。計算では、入力は、光ポンプソース１００及び特定の構造の既知の特性と
、内部ボリュームの反射特性である。計算の結果は、反射カプラ出力であり、次
いで、対象となるレーザに関する所望の出力と比較する。たとえ好ましくないと
しても、設計経験を最適化することはでき得る。
【００３２】 特定の設計では、内部ボリューム１６５の構造は、少なくとも２つの要求によ
って強要されている。第１は、反射表面１７０は、内部ボリューム内に著しい量
の逆反射をさせてはならないということである。第２は、光が、光ポンプソース
１００の空間的な強度分布を変更するために反射表面で反射を経ながら、多数の
反射が、所望のレーザ入力と一致する必要があるということである。典型的な実
施形態では、内部ボリュームを横断する間に、約１０又は約７又は約５回の反射
よりも少ない経験を経た制限された光線１０５を有する。過剰な数の反射は、反
射カプラに関する実質的なスループット損失を導き、効率及びレーザ性能を低下
させる。反射の増加した数はまた、反射カプラから出るビームの開口数を増加さ
せる。従って、レーザ設計全体は、反射カプラ、光ポンプソース、及び光学系の
他のエレメントの光学素子を考慮することにより、ポンプ放射入射に対して光学
共鳴器の利得媒質の特性を注意深く適合させる必要がある。
【００３３】 内部ボリューム１６５の典型的な実施形態は、Ｎｄ：ＹＡＧのようなレーザ結
晶をポンピングする際に、ダイオードソースの強度又はフルエンスを増大させる
ようにしばしば望まれるので、出口アパーチャ１９０よりも大きな面積を有する
エントランス・アパーチャ１８０を有する。特定の実施形態では、エントランス
アパーチャ面積と出口アパーチャ面積との比は、約５より大きく、又は、約５と
約５０との間である。内部ボリューム構造の典型的な実施形態は、円、楕円、又
は、多角形の断面積を有する。典型的な実施形態では、環境大気又はパージガス
で満たされた内部ボリュームを有する。特定の実施形態では、液体で満たされた
内部ボリュームを有する。
【００３４】 図４ａ乃至４ｄは、内部ボリューム１６５の構造の種々の実施形態に関して、
出口アパーチャ１９０（図１参照）にわたる空間強度分布を示す。図４ａ乃至４
ｄでは、反射カプラ１１０、出口アパーチャ１９０、出口アパーチャ４１０にわ
たる強度分布、最大値４２０及び、局所極大４３０を示す。図４ａ乃至４ｄから
、本発明の異なる実施形態では、実質的に均一、又は１つの最大値を有する、又
は、少なくとも１つの局所極大を有する出口アパーチャにわたる空間的強度分布
を作り出す。図４ａ乃至４ｄから、入力分布の調整の変数は、異なる実施形態で
得られる。従って、本発明の態様によれば、反射カプラから出るポンプ光の強度
プロファイル及びＮＡは、カプラ自体の構造により制御され、調整され得る。
【００３５】 ポンプレーザ系では、反射カプラの特定の実施形態は、光学共鳴器１２０の特
性及び利得媒質１４０（図１参照）と適合される。かかる系の好ましい実施形態
では、図４ｂにしめした反射カプラが、利得媒質に対して最小の開口数及び滑ら
かな強度プロファイルを提供する。この好ましい実施形態では、ポンプ光の滑ら
かな強度プロファイル及び最小化された開口数が、レーザ効率を最大化させる。
【００３６】 図４ａ乃至４ｄに図示したように、本発明による反射カプラ出力の実施形態で
は、光ポンプソースからの入力の位置において、小さな摂動に対して敏感ではな
い。従って、典型的なレーザシステムの実施形態では、光ポンプソースに対して
、レーザキャビティ又は結合機構の再調整の必要なく、容易に取り外し、及び交
換ができ得る。これは、フィールドで作動するレーザシステムに関しては非常に
実用的な利点である。
【００３７】 図５は、種々の異なるポンプソースに関するポンプパワーに対するレーザ共鳴
器の出力パワーの関係を示す。図５に示したカーブでは、ポンプソースが変化し
ているだけであることが注目される。共鳴器及び反射カプラは、調整又は再調整
されない。図５の曲線の近似的な一致によって示されているように、本発明では
、フィールドでの使用に関して必要又は望まれているようなレーザヘッドの再調
整の必要がなく、交換又はサービスをすることができる。
【００３８】 図６は、本発明の特定の実施形態による、レーザ共鳴器に関する入力パワーに
対する出力パワーの関係を示す。レーザキャビティの連続波（ＣＷ）出力パワー
は、２００Ｗ、Ｍ2＜１９のダイオードポンプパワーで６０Ｗである。１０ｋＨ
ｚでＱスイッチするときのレーザキャビティの出力パワーは、１７０ｎｓ、Ｍ2
＜１２のパルス幅を備えて４８Ｗである。音響光学デバイスは、当業者に周知で
あるようなＱスイッチ・キャビティを使用することができる。かかるデバイスは
、米国フロリダ州MelbourneのNeos Technologyを含む多数のベンダから入手可能
である。
【００３９】 本発明の種々の実施形態の上の記述は、例示の目的のために表したものである
。開示した正確な態様に本発明を限定すべきではない。多くの修正及び均等な変
更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ダイオードスタックからレーザ共振器内に配置された利得媒質にポンプレーザ
を結合するための反射カプラの使用を図示する。この実施形態では、反射カプラ
の出口アパーチャは、レーザロッドの端に直接付き合わせられる。
【図２】 反射カプラアセンブリの分解図を示す。
【図３ａ】 レーザ共振器内に配置された利得媒質に対して反射カプラによって収集された
光を結合させるためのイメージング光学素子の使用を図示する。いくつかの作動
距離が、反射カプラと利得媒質との間に要求されたとき、この構成は望ましい。
【図３ｂ】 反射カプラを使用して利得媒質に結合された１つのファイバー結合ポンプソー
ス又は複数のファイバー結合ポンプソースの使用を図示する。
【図４ａ】 長さ、エントランス、及び、出口アパーチャサイズ及び配置のような設計パラ
メータの影響を図示した可能な反射カプラ出力ビーム強度プロファイルを示す。
【図４ｂ】 長さ、エントランス、及び、出口アパーチャサイズ及び配置のような設計パラ
メータの影響を図示した可能な反射カプラ出力ビーム強度プロファイルを示す。
【図４ｃ】 長さ、エントランス、及び、出口アパーチャサイズ及び配置のような設計パラ
メータの影響を図示した可能な反射カプラ出力ビーム強度プロファイルを示す。
【図４ｄ】 長さ、エントランス、及び、出口アパーチャサイズ及び配置のような設計パラ
メータの影響を図示した可能な反射カプラ出力ビーム強度プロファイルを示す。
【図５】 種々の異なるポンプソースを使用したレーザキャビティに関する、出力パワー
対ポンプパワーの関係を示す。反射カプラによって可能になったポンプソースの
フィールド置換性の比を図示することにより、データを収集するとき、ポンプソ
ースだけが変化する。キャビティ及び反射カプラは調整されない。
【図６】 反射カプラの好ましい実施形態を利用したレーザシステムの出力パワー対入力
パワーの関係を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ (72)発明者 ニガーン ウィリアム エル ジュニア アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94025 メンロ パーク エイティーンス アヴェニュー 803 Ｆターム(参考） 5F072 AB02 AK01 JJ02 JJ04 KK06 KK30 PP07 TT01 TT05

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光学共鳴キャビティ及び光軸を構成する少なくとも２つの反射器と、 前記光軸を中心に配置された、光学共鳴キャビティの内部に位置決めされた利
    得媒質と、 前記光学共鳴キャビティの外側に位置決めされた光ポンプソースと、 カプラボディと、その中を通る内部ボリュームとを備えた反射カプラとを有し
    、 内部ボリュームが、反射表面と、エントランス・アパーチャと、出口アパーチ
    ャとによって境界が仕切られ、内部ボリュームが、光ポンプソースからの放射に
    対して実質的に透明であり、反射表面が、光ポンプソースからの放射に適合した
    高反射率を備え、エントランス・アパーチャが光ポンプソースの近位に位置決め
    され、出口アパーチャが光ポンプソースの遠位に位置決めされ、反射カプラが、
    制御可能な開口数及び出口アパーチャにわたる空間強度分布を備えた利得媒質と
    光学共鳴キャビティ内に光ポンプソースを差し向けることを特徴とする光学的ポ
    ンプレーザ装置。
  2. 【請求項２】 反射表面が、カプラボディに堆積された被覆層によって形成されていることを
    特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 被覆層が、複数の絶縁コーティングからなることを特徴とする請求項２に記載
    の装置。
  4. 【請求項４】 反射表面が、実質的に金属であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】 被覆層が、金、銀、ニッケル及びクロムをふくむコーティング材料の少なくと
    も１つのセットから形成されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
  6. 【請求項６】 エントランス・アパーチャの面積が、出口アパーチャの面積よりも大きいこと
    を特徴とする請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 出口アパーチャの面積に対するエントランス・アパーチャの面積の比が、約５
    と約５０の間であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 出口アパーチャの面積に対するエントランス・アパーチャの面積の比が、約１
    ０と約３０の間であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
  9. 【請求項９】 内部ボリュームの断面が多角形であることを特徴とする請求項１に記載の装置
    。
  10. 【請求項１０】 内部ボリュームの断面が円であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 内部ボリュームの断面が楕円であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 内部ボリュームを横断する光ポンプソースからの光線を制限することにより経
    験された反射の数が、約１０よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載の装
    置。
  13. 【請求項１３】 出口アパーチャにわたる空間強度分布が実質的に均一であることを特徴とする
    請求項１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 出口アパーチャでの開口数が最小化されたことを特徴とする請求項１に記載の
    装置。
  15. 【請求項１５】 出口アパーチャにわたる空間強度分布の勾配が、一つの最大値を有することを
    特徴とする請求項１に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 出口アパーチャにわたる空間強度分布の勾配が、少なくとも一つの局所最大値
    を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 光ポンプソースが少なくとも１つのダイオードレーザを有することを特徴とす
    る請求項１に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 光ポンプソースが更に、少なくとも１つのダイオードレーザの出力を平行化す
    るように位置決めされた少なくとも１つの屈折エレメントを有することを特徴と
    する請求項１７に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 光ポンプソースが更に、少なくとも１つのダイオードレーザの出力を案内する
    ための少なくとも１つの光ファイバを有することを特徴とする請求項１７に記載
    の装置。
  20. 【請求項２０】 カプラボディと熱交換可能なクーラを更に有することを特徴とする請求項１に
    記載の装置。
  21. 【請求項２１】 クーラが、実質的に伝導クーラであることを特徴とする請求項２０に記載の装
    置。
  22. 【請求項２２】 クーラが、実質的に対流クーラであることを特徴とする請求項２０に記載の装
    置。
  23. 【請求項２３】 内部ボリュームが液体で満たされたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  24. 【請求項２４】 ポンプソースをレーザ共鳴器と光学的に結合するための方法であって、 ポンプソースと、置換ポンプソースと、レーザ共鳴器と、反射カプラとを提供
    し、反射カプラが、ポンプソースからの入力を受け、レーザ共鳴器への出力を導
    くように位置決めされ、 ポンプソースが置換ポンプソースによって置換されたとき、ほぼ一定のレーザ
    共鳴器の出力になるように反射カプラを備えたポンプソースの出力の空間強度分
    布及び発散角度を調整する、 ステップを有することを特徴とする方法。
  25. 【請求項２５】 反射カプラが、請求項１に記載の反射カプラであることを特徴とする請求項２
    ４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 利得媒質を光学的にポンピングさせる方法であって、 光ポンプソースビームで利得媒質を照射する前に、光ポンプソースビームのフ
    ルエンスを反射カプラで調整し、 光ポンプソースビームで利得媒質を照射する前に、光ポンプソースビームの開
    口数及び発散角度を反射カプラで調整し、 光ポンプソースビームで利得媒質を照射する前に、光ポンプソースビームの空
    間強度分布を反射カプラで調整する、 ステップを有する方法。
  27. 【請求項２７】 内部ボリュームの断面が円又はほぼ円であることを特徴とする請求項１に記載
    の装置。
  28. 【請求項２８】 内部ボリュームを横断する光ポンプソースからの光線を制限することにより経
    験された反射の数が、約５であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  29. 【請求項２９】 光学的ポンプレーザ装置であって、 光学共鳴キャビティ及び光軸を構成する少なくとも２つの反射器と、 光軸の周りに配置され、前記光学共鳴キャビティの内部に位置決めされた利得
    媒質と、 光学共鳴キャビティの外側に位置決めされた光ポンプソースと、 内部ボリュームが、反射表面と、エントランス・アパーチャと、出口アパーチ
    ャとによって境界が仕切られ、内部ボリュームが、光ポンプソースからの放射に
    対して実質的に透明であり、反射表面が、光ポンプソースからの放射に適合した
    高反射率を備え、エントランス・アパーチャが光ポンプソースの近位に位置決め
    され、出口アパーチャが光ポンプソースの遠位に位置決めされ、反射カプラが、
    制御可能な開口数及び出口アパーチャにわたる空間強度分布を備えた利得媒質と
    光学共鳴キャビティ内に光ポンプソースを差し向け、反射カプラの長さが、最小
    化された開口数と高い透過性の滑らかな強度分布を提供するように最適化された
    ことを特徴とする光学的ポンプレーザ装置。
  30. 【請求項３０】 高い透過性が、少なくとも７５％の透過率であることを特徴とする請求項２９
    に記載の装置。
  31. 【請求項３１】 開口数が約５よりも小さいことを特徴とする、請求項２９に記載の装置。
  32. 【請求項３２】 出口アパーチャのサイズと出口アパーチャの開口数との積が、入力アパーチャ
    のサイズと入力ポンプソースの開口数との積とほぼ等しいことを特徴とする請求
    項２９に記載の装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014229813A (ja) * 2013-05-24 2014-12-08 三菱電機株式会社 レーザ増幅器及びレーザ発振器

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6665328B1 (en) * 1999-01-19 2003-12-16 Spectra Physics, Inc. Diode-pumped laser with funnel-coupled pump source
GB0031463D0 (en) * 2000-12-21 2001-02-07 Univ Southampton Fibre laser
US6865213B2 (en) 2001-03-07 2005-03-08 General Atomics Diode-pumped solid-state laser in a polyhedronal geometry
EP1454386B1 (en) * 2001-11-21 2007-02-14 General Atomics Laser containing a distributed gain medium
DE10204246B4 (de) * 2002-02-02 2012-12-06 Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg Festkörper-Laserverstärkersystem
US7058100B2 (en) * 2002-04-18 2006-06-06 The Boeing Company Systems and methods for thermal management of diode-pumped solid-state lasers
US6973106B1 (en) * 2002-10-11 2005-12-06 Corvis Corporation Optical package and optical systems apparatuses, and methods of use therein
US7260133B2 (en) * 2004-08-23 2007-08-21 Jds Uniphase Corporation Diode-pumped laser
US20060285571A1 (en) * 2005-06-20 2006-12-21 Yunlong Sun Diode-pumped, solid-state laser with chip-shaped laser medium and heat sink
JP2007322493A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Miyachi Technos Corp 光ファイバ保持装置及びファイバレーザ加工装置
DE102006039074B4 (de) * 2006-08-09 2009-04-02 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Optische Anordnung zum Pumpen von Festkörperlasern
TW200942803A (en) * 2008-04-07 2009-10-16 Delta Electronics Inc Biosensor
CA2811980A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-22 Biolase Technology, Inc. High power source of electromagnetic radiation
US8483255B2 (en) 2010-11-05 2013-07-09 Lawrence Livermore National Security, Llc Transverse pumped laser amplifier architecture
US9231363B1 (en) * 2015-02-12 2016-01-05 Coherent, Inc. Optical pumping apparatus for slab lasers and amplifiers
US11881676B2 (en) * 2019-01-31 2024-01-23 L3Harris Technologies, Inc. End-pumped Q-switched laser

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4820010A (en) 1987-04-28 1989-04-11 Spectra Diode Laboratories, Inc. Bright output optical system with tapered bundle
US5163059A (en) * 1991-05-09 1992-11-10 Coherent, Inc. Mode-locked laser using non-linear self-focusing element
US5097471A (en) * 1990-12-21 1992-03-17 Coherent, Inc. Mode-locked laser using non-linear self-focusing element
US5323442A (en) * 1992-02-28 1994-06-21 Ruxam, Inc. Microwave X-ray source and methods of use
US5323414A (en) 1992-04-24 1994-06-21 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method employing a nonimaging concentrator
US5307430A (en) 1992-11-30 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Lensing duct
US6373868B1 (en) * 1993-05-28 2002-04-16 Tong Zhang Single-mode operation and frequency conversions for diode-pumped solid-state lasers
US5627847A (en) * 1995-05-04 1997-05-06 Regents Of The University Of Minnesota Distortion-compensated phase grating and mode-selecting mirror for a laser
US5572542A (en) * 1995-04-13 1996-11-05 Amoco Corporation Technique for locking an external cavity large-area laser diode to a passive optical cavity
US5619522A (en) 1995-09-07 1997-04-08 Dube; George Laser pump cavity
JP2988354B2 (ja) 1996-01-22 1999-12-13 日本電気株式会社 レーザダイオード励起固体レーザ装置
US5743901A (en) 1996-05-15 1998-04-28 Star Medical Technologies, Inc. High fluence diode laser device and method for the fabrication and use thereof
US5867329A (en) * 1996-05-31 1999-02-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multiple-pass reflection filter
US6101201A (en) * 1996-10-21 2000-08-08 Melles Griot, Inc. Solid state laser with longitudinal cooling
JPH1117252A (ja) 1997-06-26 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体励起固体レーザ装置
US6097741A (en) * 1998-02-17 2000-08-01 Calmar Optcom, Inc. Passively mode-locked fiber lasers
US6347101B1 (en) * 1998-04-16 2002-02-12 3D Systems, Inc. Laser with absorption optimized pumping of a gain medium
US6381256B1 (en) * 1999-02-10 2002-04-30 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6160934A (en) * 1998-10-29 2000-12-12 The Regents Of The University Of California Hollow lensing duct
US6370178B1 (en) * 1998-12-21 2002-04-09 Imed Lasers Wide area laser and multi-pass laser optical cavity for use therein
US6665328B1 (en) * 1999-01-19 2003-12-16 Spectra Physics, Inc. Diode-pumped laser with funnel-coupled pump source
US6370174B1 (en) * 1999-10-20 2002-04-09 Cymer, Inc. Injection seeded F2 lithography laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014229813A (ja) * 2013-05-24 2014-12-08 三菱電機株式会社 レーザ増幅器及びレーザ発振器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000044073A1 (en) 2000-07-27
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EP1149441A1 (en) 2001-10-31
US6970493B2 (en) 2005-11-29
US6665328B1 (en) 2003-12-16

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