JP2002531914A5 - - Google Patents
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- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 26
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 10
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 真空チャンバー内にプラズマを形成する方法であって、
前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカプス領域（第１の尖頭部領域）および第２のカプス領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
さらに、前記プラズマの大部分は、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている
ことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記プラズマは真空チャンバーの上面に横たわるように配置された単一または複数のコイルにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記第１のカスプ領域はプラズマ源の近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記チャンバー内にワークを置き、前記第２のカスプ領域はプラズマ処理されるワークの近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】 前記チャンバー内にワークを置き、前記プラズマとワークとの間にバイアス電圧かけて、プラズマ放電中の粒子をワークの表面内に導入する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】 前記真空チャンバーは複数の電磁気源を備えており、直流電源からの直流を第１の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】 直流電源からの直流を第２の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】 前記第１の電磁気源は、第１の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】 前記第２の電磁気源は、前記第１の方向とは逆方向の第２の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】 水素ガスを真空チャンバー内に供給して、水素含有粒子を有するプラズマを形成する請求項１記載の方法。
【請求項１１】 前記プラズマは、実質的に、Ｈ１ ＋粒子の水素含有プラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】 チャンバーと、
該チャンバーの内部領域内に配置されたサセプタと、サセプタは、この上にワークを固定するように構成されており、
チャンバー内のサセプタ上方に、横たわるように配置されたプラズマ源と、
誘導源とからなり、
前記誘導源は、誘導結合構造が第１のカプス領域と第２のカプス領域とを有するように誘導結合構造を形成するように構成されている誘導源である
ことを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項１３】 前記プラズマ源は、チャンバーの上面上に横たわるように配置される単一または複数のコイルであることを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】 前記プラズマは、プラズマ源方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１５】 前記プラズマは、サセプタ方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】 前記誘導源は、第１の電磁気源と第２の電磁気源を有し、前記第１及び第２の電磁気源は、大部分のプラズマがチャンバーの壁に直接隣接する領域を占めることを防止することを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１７】 前記誘導源は、チャンバー内の上部の周囲に配置された第１の電磁気源を有し、該第１の電磁気源はサセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成し、
チャンバー内のサセプタの周囲に配置された第２の電磁気源を更に有し、該第２の電磁気源は、サセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１８】 前記第１の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】 前記第２の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向とは逆の第２の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】 前記チャンバーは、０．１〜１．０ミリトールの圧力に維持された真空チャンバーであることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項２１】 真空チャンバーと、
該チャンバーの内部領域に配置されたサセプタと、
該サセプタは、この上にワークを固定することができ、
チャンバー内のサセプタの上方に横たわるように、配置されたｒｆ源と、
該ｒｆ源は誘導放電を供給してチャンバー内のガスからプラズマを形成し、
チャンバーの上部の周囲に配置された第１の電磁気源と、
該第１の電磁気源はｒｆ源に近いプラズマの第１のカプス領域を形成し、
チャンバーの下部の周囲に配置された第２の電磁気源と
を有し、該第２の電磁気源はサセプタに近いプラズマの第２のカプス領域を形成し、
さらに、前記第１の電磁気源が直流電流に接続されているプラズマを使用した処理装置。
【請求項１】 真空チャンバー内にプラズマを形成する方法であって、
前記形成されたプラズマは、誘導結合構造を有しており、前記誘導結合構造は第１のカプス領域（第１の尖頭部領域）および第２のカプス領域（第２の尖頭部領域）を有しており、
さらに、前記プラズマの大部分は、前記誘導結合構造が形成されている前記真空チャンバーの壁から離れた領域に閉じ込められている
ことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記プラズマは真空チャンバーの上面に横たわるように配置された単一または複数のコイルにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記第１のカスプ領域はプラズマ源の近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記チャンバー内にワークを置き、前記第２のカスプ領域はプラズマ処理されるワークの近くにあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】 前記チャンバー内にワークを置き、前記プラズマとワークとの間にバイアス電圧かけて、プラズマ放電中の粒子をワークの表面内に導入する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】 前記真空チャンバーは複数の電磁気源を備えており、直流電源からの直流を第１の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】 直流電源からの直流を第２の電磁気源に供給する段階を更に有することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】 前記第１の電磁気源は、第１の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】 前記第２の電磁気源は、前記第１の方向とは逆方向の第２の方向に流れる電流を供給する直流電源に接続されることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１０】 水素ガスを真空チャンバー内に供給して、水素含有粒子を有するプラズマを形成する請求項１記載の方法。
【請求項１１】 前記プラズマは、実質的に、Ｈ１ ＋粒子の水素含有プラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】 チャンバーと、
該チャンバーの内部領域内に配置されたサセプタと、サセプタは、この上にワークを固定するように構成されており、
チャンバー内のサセプタ上方に、横たわるように配置されたプラズマ源と、
誘導源とからなり、
前記誘導源は、誘導結合構造が第１のカプス領域と第２のカプス領域とを有するように誘導結合構造を形成するように構成されている誘導源である
ことを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項１３】 前記プラズマ源は、チャンバーの上面上に横たわるように配置される単一または複数のコイルであることを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】 前記プラズマは、プラズマ源方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１５】 前記プラズマは、サセプタ方向の第１のカプス領域と、チャンバー側部の近くの第２のカプス領域とを有することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】 前記誘導源は、第１の電磁気源と第２の電磁気源を有し、前記第１及び第２の電磁気源は、大部分のプラズマがチャンバーの壁に直接隣接する領域を占めることを防止することを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１７】 前記誘導源は、チャンバー内の上部の周囲に配置された第１の電磁気源を有し、該第１の電磁気源はサセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成し、
チャンバー内のサセプタの周囲に配置された第２の電磁気源を更に有し、該第２の電磁気源は、サセプタの方向を向いた合焦磁力線を形成することを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理システム。
【請求項１８】 前記第１の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】 前記第２の電磁気源は直流電源に接続され、該直流電源は第１の方向とは逆の第２の方向を流れる電流を供給することを特徴とする請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】 前記チャンバーは、０．１〜１．０ミリトールの圧力に維持された真空チャンバーであることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項２１】 真空チャンバーと、
該チャンバーの内部領域に配置されたサセプタと、
該サセプタは、この上にワークを固定することができ、
チャンバー内のサセプタの上方に横たわるように、配置されたｒｆ源と、
該ｒｆ源は誘導放電を供給してチャンバー内のガスからプラズマを形成し、
チャンバーの上部の周囲に配置された第１の電磁気源と、
該第１の電磁気源はｒｆ源に近いプラズマの第１のカプス領域を形成し、
チャンバーの下部の周囲に配置された第２の電磁気源と
を有し、該第２の電磁気源はサセプタに近いプラズマの第２のカプス領域を形成し、
さらに、前記第１の電磁気源が直流電流に接続されているプラズマを使用した処理装置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/203,025 US6300227B1 (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation |
| US09/203,025 | 1998-12-01 | ||
| US09/201,946 US20010002584A1 (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation |
| US09/201,946 | 1998-12-01 | ||
| PCT/US1999/028112 WO2000032839A1 (en) | 1998-12-01 | 1999-11-23 | Enhanced plasma mode, method, and system for plasma immersion ion implantation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002531914A JP2002531914A (ja) | 2002-09-24 |
| JP2002531914A5 true JP2002531914A5 (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=26897230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000585468A Pending JP2002531914A (ja) | 1998-12-01 | 1999-11-23 | プラズマ浸漬イオン注入用増強プラズマモード、方法およびシステム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1144717A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002531914A (ja) |
| AU (1) | AU1745700A (ja) |
| WO (1) | WO2000032839A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788866B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-09-07 | Nanogram Corporation | Layer materials and planar optical devices |
| DE10051831A1 (de) * | 1999-07-20 | 2002-05-02 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas |
| JP2003506890A (ja) * | 1999-08-06 | 2003-02-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 基板の表面間に均一な注入ドーズ量を与えるためのシステム及び方法 |
| US6305316B1 (en) * | 2000-07-20 | 2001-10-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system |
| WO2002025694A2 (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for controlling sputtering and deposition effects in a plasma immersion implantation device |
| US7273533B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling |
| FR2998707B1 (fr) * | 2012-11-27 | 2016-01-01 | Ion Beam Services | Implanteur ionique pourvu d'une pluralite de corps de source plasma |
| JP6214906B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2017-10-18 | 株式会社東芝 | レーザイオン源、イオン加速器及び重粒子線治療装置 |
| CN106231769B (zh) * | 2016-07-28 | 2018-08-03 | 北京航空航天大学 | 一种用于调节离子推力器放电室等离子体诊断探针测点的装置 |
| JP7499142B2 (ja) | 2020-10-23 | 2024-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム及び処理方法 |
| CN115821200A (zh) * | 2022-12-05 | 2023-03-21 | 哈尔滨工业大学 | 一种细长不锈钢管内表面高密度等离子体渗氮的方法及装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3118785A1 (de) * | 1981-05-12 | 1982-12-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum dotieren von halbleitermaterial |
| FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
| JPS62272443A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオンド−プ装置 |
| JPS642322A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Toshiba Corp | Plasma etching device |
| US5032205A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Plasma etching apparatus with surface magnetic fields |
| US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
| EP0552491B1 (en) * | 1992-01-24 | 1998-07-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process and plasma processing reactor |
| WO1993018201A1 (en) * | 1992-03-02 | 1993-09-16 | Varian Associates, Inc. | Plasma implantation process and equipment |
| JP2684942B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法 |
| JP3254069B2 (ja) * | 1993-01-12 | 2002-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置 |
| JP3338182B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2002-10-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5693376A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method for plasma source ion implantation and deposition for cylindrical surfaces |
| US5653811A (en) * | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
| JP3234490B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2001-12-04 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| US5767628A (en) * | 1995-12-20 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel |
| US6054013A (en) * | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
| JP4001649B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2007-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5669975A (en) * | 1996-03-27 | 1997-09-23 | Sony Corporation | Plasma producing method and apparatus including an inductively-coupled plasma source |
| JP2000068254A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Matsushita Electronics Industry Corp | プラズマ処理方法とプラズマ処理装置 |
-
1999
- 1999-11-23 EP EP99960595A patent/EP1144717A4/en not_active Withdrawn
- 1999-11-23 JP JP2000585468A patent/JP2002531914A/ja active Pending
- 1999-11-23 WO PCT/US1999/028112 patent/WO2000032839A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-11-23 AU AU17457/00A patent/AU1745700A/en not_active Abandoned
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