JP2002531645A - ポリテトラフルオロエチレン（ｐｔｆｅ）の連続的照射方法 - Google Patents
ポリテトラフルオロエチレン（ｐｔｆｅ）の連続的照射方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線照射および粉砕により、ＰＴＦＥを連続的に処理するためのシステムを提供する。
【解決手段】 処理容器を具備し、この処理容器が横断水平方向に隣接する第１、第２の容器部分を具備し、これら容器部分が、水平方向に隣接する第１、第２の撹拌機をそれぞれ備え、前記容器の底の第１、第２の容器部分間に段部が設けられ、これを介して加熱空気がＰＴＦＥの撹拌、粉砕のため噴射されるようになっていることを特徴とする。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明は、Polytetrafuloroethylene（ＰＴＦＥ）の分子量を減少させ、微粉
に粉砕して塗料、インクの乾燥潤滑剤として使用可能にするためのＰＴＦＥの照
射、粉砕方法に関する。
に粉砕して塗料、インクの乾燥潤滑剤として使用可能にするためのＰＴＦＥの照
射、粉砕方法に関する。
【０００２】 （背景技術） ＰＴＦＥの照射についての初期の文献として米国特許Ｎｏ．３，７６６，０３
１（Ｄｉｌｌｏｎ）がある。この特許によれば、材料をトレーに載せ、照射を行
うようにしている。 本出願人に係わる米国特許Ｎｏ．４，７４８，００５およびＮｏ．４，７７７
，１９２にはＰＴＦＥの工業的バッチ式処理方法が記載され、それによれば、材
料をリボンブレンダーに収容し、材料の撹拌下で、このブレンダーの一部に電子
線を照射することが記載されている。このブレンダーには水ジャケット又は容器
内への水の直接注入による冷却手段が設けられている。このリボンブレンダーは
照射域の内外に材料を連続的に移動させ、それにより均一な照射が行われるよう
にしている。
１（Ｄｉｌｌｏｎ）がある。この特許によれば、材料をトレーに載せ、照射を行
うようにしている。 本出願人に係わる米国特許Ｎｏ．４，７４８，００５およびＮｏ．４，７７７
，１９２にはＰＴＦＥの工業的バッチ式処理方法が記載され、それによれば、材
料をリボンブレンダーに収容し、材料の撹拌下で、このブレンダーの一部に電子
線を照射することが記載されている。このブレンダーには水ジャケット又は容器
内への水の直接注入による冷却手段が設けられている。このリボンブレンダーは
照射域の内外に材料を連続的に移動させ、それにより均一な照射が行われるよう
にしている。
【０００３】 更に、米国特許Ｎｏ．５，１４９，７２７には、それぞれかい形撹拌機を備え
た２個の容器部分を含む処理容器が開示されている。この場合、処理材料に対し
空気が注入され冷却を促進し、同時に照射と粉砕を行うようにしている。空気分
級機が用いられ、空気中に浮遊させたＰＴＦＥ微粉を引寄せ、容器から回収する
ようにしている。米国特許Ｎｏ．５，２９６，１１３にも同様のシステムが開示
され、この場合の撹拌には噴射高圧空気が用いられ、材料は処理容器に対し連続
的に供給され、更に空気分級機により抽出されることにより連続方式が達成され
ている。
た２個の容器部分を含む処理容器が開示されている。この場合、処理材料に対し
空気が注入され冷却を促進し、同時に照射と粉砕を行うようにしている。空気分
級機が用いられ、空気中に浮遊させたＰＴＦＥ微粉を引寄せ、容器から回収する
ようにしている。米国特許Ｎｏ．５，２９６，１１３にも同様のシステムが開示
され、この場合の撹拌には噴射高圧空気が用いられ、材料は処理容器に対し連続
的に供給され、更に空気分級機により抽出されることにより連続方式が達成され
ている。
【０００４】 本発明の目的は、ＰＴＦＥの処理のための改良された方法および装置を提供す
ることである。
ることである。
【０００５】 （発明の概要） 本発明によれば、照射および粉砕によるＰＴＦＥの処理のための処理容器を具
備する装置の改良がなされている。本発明によれば、この容器は横断水平方向に
隣接する第１、第２の容器部分を具備し、これら第１、第２の容器部分は、長手
軸の周りを回転する第１、第２の撹拌機を備えている。この容器の内部床部は、
第１、第２の容器部分間に段部が設けられ、従って、第１の容器部分の内部床面
は第２の容器部分の内部床面よりも低くなっている。複数のエアノズルが第１の
容器部分に向けて空気を噴射するために設けられている。なお、これらのエアノ
ズルは上記段部のほぼ垂直な部分に装着されている。
備する装置の改良がなされている。本発明によれば、この容器は横断水平方向に
隣接する第１、第２の容器部分を具備し、これら第１、第２の容器部分は、長手
軸の周りを回転する第１、第２の撹拌機を備えている。この容器の内部床部は、
第１、第２の容器部分間に段部が設けられ、従って、第１の容器部分の内部床面
は第２の容器部分の内部床面よりも低くなっている。複数のエアノズルが第１の
容器部分に向けて空気を噴射するために設けられている。なお、これらのエアノ
ズルは上記段部のほぼ垂直な部分に装着されている。
【０００６】 好ましい態様では、第１の容器部分の下部においてエアノズルからの空気の方
向に対し対向する方向に第１の撹拌機が回転する。第２の撹拌機は好ましくは、
その長手軸の周りを第１の撹拌機と同一の回転方向に回転するように配置されて
いる。従って、これらの撹拌機は容器の中央部において互いに反対の方向に動作
することになる。第２の容器部分の横方向外壁面は円筒状であってもよく、その
側壁内側は第２の撹拌機の周囲から１インチ未満の間隙を以て離間している。電
子線源は第２の容器部分の頂部でＰＴＦＥ材料を照射するよう配置させることが
できる。
向に対し対向する方向に第１の撹拌機が回転する。第２の撹拌機は好ましくは、
その長手軸の周りを第１の撹拌機と同一の回転方向に回転するように配置されて
いる。従って、これらの撹拌機は容器の中央部において互いに反対の方向に動作
することになる。第２の容器部分の横方向外壁面は円筒状であってもよく、その
側壁内側は第２の撹拌機の周囲から１インチ未満の間隙を以て離間している。電
子線源は第２の容器部分の頂部でＰＴＦＥ材料を照射するよう配置させることが
できる。
【０００７】 本発明によれば、処理容器にＰＴＦＥを供給、処理するため、ＰＴＦＥスクラ
ップを製造するための装置が提供される。この装置は、ＰＴＦＥスクラップを粒
状チップに裁断するためのチョッパーと、このチョッパーから上記チップを受理
し、これを撹拌し流れを促進するためのブレンダーと、このブレンダーの出口か
ら上記チップを受理し、処理容器に向けて上記チップを移送するためのコンベヤ
ーとを具備してなる。
ップを製造するための装置が提供される。この装置は、ＰＴＦＥスクラップを粒
状チップに裁断するためのチョッパーと、このチョッパーから上記チップを受理
し、これを撹拌し流れを促進するためのブレンダーと、このブレンダーの出口か
ら上記チップを受理し、処理容器に向けて上記チップを移送するためのコンベヤ
ーとを具備してなる。
【０００８】 更に、本発明によれば、処理容器内において、ＰＴＦＥを照射、粉砕するため
の改良された方法が提供される。この改良された方法によれば、加圧空気が華氏
４００度ないし７００度の温度で処理容器に向けて噴射され、それによりＰＴＦ
Ｅを粉砕する。この処理容器は、この加圧空気の２ないし５容積倍の量の周囲空
気を容器内に導入させるよう開口している。
の改良された方法が提供される。この改良された方法によれば、加圧空気が華氏
４００度ないし７００度の温度で処理容器に向けて噴射され、それによりＰＴＦ
Ｅを粉砕する。この処理容器は、この加圧空気の２ないし５容積倍の量の周囲空
気を容器内に導入させるよう開口している。
【０００９】 （実施例） 以下、本発明並びに他の目的についての一層の理解のため、図面を参照して説
明する。なお、本発明の範囲は特許請求の範囲に指摘されている。 図１は、照射および粉砕によるＰＴＦＥの連続的処理のためのシステム１０の
平面図を示している。このシステム１０はＰＴＦＥを製造し、このＰＴＦＥの処
理のため、特にＰＴＦＥスクラップ、例えばスクラップテープ、チューブ、切れ
端、円錐状物の最初の製造のための装置１２を具備している。このシステム１０
は更に、照射処理を行うための処理装置１４を具備し、この処理装置１４はドア
１８を有する照射用外囲器１６により囲まれている。処理されたＰＴＦＥのダス
トはダスト収集装置２０に集められる。
明する。なお、本発明の範囲は特許請求の範囲に指摘されている。 図１は、照射および粉砕によるＰＴＦＥの連続的処理のためのシステム１０の
平面図を示している。このシステム１０はＰＴＦＥを製造し、このＰＴＦＥの処
理のため、特にＰＴＦＥスクラップ、例えばスクラップテープ、チューブ、切れ
端、円錐状物の最初の製造のための装置１２を具備している。このシステム１０
は更に、照射処理を行うための処理装置１４を具備し、この処理装置１４はドア
１８を有する照射用外囲器１６により囲まれている。処理されたＰＴＦＥのダス
トはダスト収集装置２０に集められる。
【００１０】 スクラップテープ、チューブ、切れ端、円錐状物などの材料を照射処理容器に
導入する前に、この材料を粒状にすることが望ましく、かつ、必要である。本発
明によれば、図１に平面図が示され、図３に側面図が示された製造装置１２は、
処理すべき固形材料を受理し、好ましくは数分の１インチの範囲の長さ、幅、厚
みの粒状チップに材料を裁断するためのチョッパー２２を具備している。好まし
いチョッパーの例はグラニュレータ（粗砕機）である。好ましい実施例において
、このチョッパー２２は電気的負荷を測定するための配置、例えば電流計を具備
し、従って、オペレータは電流計を観察することによりスクラップ材料の嵩ばっ
た片でチョッパーが過負荷になることを回避することができる。更に、チョッパ
ー２２は、延出した高さを有する高いリボンブレンダー２４の壁面に配置されて
いて、粒状チップがチョッパー２２からブレンダー２４の内部に落下し、そこで
リボン撹拌機５２により撹拌されるようになっている。チップをこのように撹拌
することにより、ブレンダー２４の底部のゲート付き開口部５４から容易に流出
させ、機械的コンベヤー２６の供給路５６に流入させることができる。この機械
的コンベヤー２６は材料を放射線シールド１６又は放射線シールドドア１８より
上のレベルまで上昇させる。コンベヤー２６のシュート５８は粒状材料を、螺旋
状コンベヤー６２を有するスクリューコンベヤー２８の受理ファンネル６０内に
排出させる。この材料は更にスクリューコンベヤー２８により運ばれ、必要に応
じ、処理容器１４へ排出される。ブレンダー２４の延出した高さは、必要に応じ
、前記処理容器へ供給するための粒状又はチップ状のＰＴＦＥの貯蔵を可能にす
る。チョッパー２２の位置を作業者による操作に適した高さにするため、ブレン
ダー２４の下端を床面より下げてもよく、例えば、穴内に配置させてもよい。
導入する前に、この材料を粒状にすることが望ましく、かつ、必要である。本発
明によれば、図１に平面図が示され、図３に側面図が示された製造装置１２は、
処理すべき固形材料を受理し、好ましくは数分の１インチの範囲の長さ、幅、厚
みの粒状チップに材料を裁断するためのチョッパー２２を具備している。好まし
いチョッパーの例はグラニュレータ（粗砕機）である。好ましい実施例において
、このチョッパー２２は電気的負荷を測定するための配置、例えば電流計を具備
し、従って、オペレータは電流計を観察することによりスクラップ材料の嵩ばっ
た片でチョッパーが過負荷になることを回避することができる。更に、チョッパ
ー２２は、延出した高さを有する高いリボンブレンダー２４の壁面に配置されて
いて、粒状チップがチョッパー２２からブレンダー２４の内部に落下し、そこで
リボン撹拌機５２により撹拌されるようになっている。チップをこのように撹拌
することにより、ブレンダー２４の底部のゲート付き開口部５４から容易に流出
させ、機械的コンベヤー２６の供給路５６に流入させることができる。この機械
的コンベヤー２６は材料を放射線シールド１６又は放射線シールドドア１８より
上のレベルまで上昇させる。コンベヤー２６のシュート５８は粒状材料を、螺旋
状コンベヤー６２を有するスクリューコンベヤー２８の受理ファンネル６０内に
排出させる。この材料は更にスクリューコンベヤー２８により運ばれ、必要に応
じ、処理容器１４へ排出される。ブレンダー２４の延出した高さは、必要に応じ
、前記処理容器へ供給するための粒状又はチップ状のＰＴＦＥの貯蔵を可能にす
る。チョッパー２２の位置を作業者による操作に適した高さにするため、ブレン
ダー２４の下端を床面より下げてもよく、例えば、穴内に配置させてもよい。
【００１１】 処理装置１４は、好ましくは厚みが３フィート以上のコンクリート壁からなる
放射線シールド１６の内部に配置される。同様の材料、同様の厚みのドア１８が
放射線チャンバー１６の開口部を閉じるべく配置されている。このドア１８は開
き位置と閉じ位置の間のトラック又は架空レール上に載せるようにしてもよい。
好ましい例において、放射線チャンバー１６の上方にはアクセス可能な構造物が
ないので、上方向にシールドを設ける必要はない。この処理装置１４は容器３０
と電子線源３２とが備えられている。処理すべき材料はスクリューコンベヤー２
８を介して容器３０に供給される。この場合、必要に応じて容器３０のこの処理
材料のレベルを検出することが行われる。浮揚ＰＴＦＥ粉、好ましくは粒径が約
１０ミクロン以下の粉体からなる処理済み材料は分級機３４Ａ、３４Ｂおよび３
４Ｃにより容器３０から抽出される。これに対応してブロアー３８Ａ、３８Ｂお
よび３８Ｃが設けられ、導管３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｃを介してこの粉体を空
気と共に取り出し、この浮揚ＰＴＦＥ粉を導管３７Ａ、３７Ｂおよび３７Ｃを介
してサイクロン分離器４０Ａ、４０Ｂおよび４０Ｃに導入させる。この分離器４
０の夫々には対応する空気出口４２が設けられ、これを介して空気が抽出され、
浮揚ＰＴＦＥ粉を取除いた後に大気中に排出される。図２に示すように、回収さ
れた粉体は分離器４０の下方ファンネル４６を介して収集バッグ５０内に排出さ
れ、販売又は更なる処理に供される。
放射線シールド１６の内部に配置される。同様の材料、同様の厚みのドア１８が
放射線チャンバー１６の開口部を閉じるべく配置されている。このドア１８は開
き位置と閉じ位置の間のトラック又は架空レール上に載せるようにしてもよい。
好ましい例において、放射線チャンバー１６の上方にはアクセス可能な構造物が
ないので、上方向にシールドを設ける必要はない。この処理装置１４は容器３０
と電子線源３２とが備えられている。処理すべき材料はスクリューコンベヤー２
８を介して容器３０に供給される。この場合、必要に応じて容器３０のこの処理
材料のレベルを検出することが行われる。浮揚ＰＴＦＥ粉、好ましくは粒径が約
１０ミクロン以下の粉体からなる処理済み材料は分級機３４Ａ、３４Ｂおよび３
４Ｃにより容器３０から抽出される。これに対応してブロアー３８Ａ、３８Ｂお
よび３８Ｃが設けられ、導管３６Ａ、３６Ｂおよび３６Ｃを介してこの粉体を空
気と共に取り出し、この浮揚ＰＴＦＥ粉を導管３７Ａ、３７Ｂおよび３７Ｃを介
してサイクロン分離器４０Ａ、４０Ｂおよび４０Ｃに導入させる。この分離器４
０の夫々には対応する空気出口４２が設けられ、これを介して空気が抽出され、
浮揚ＰＴＦＥ粉を取除いた後に大気中に排出される。図２に示すように、回収さ
れた粉体は分離器４０の下方ファンネル４６を介して収集バッグ５０内に排出さ
れ、販売又は更なる処理に供される。
【００１２】 処理装置１４は、その横断面が図４に、側面が図５、６に示されている。この
処理装置１４は第１、第２の容器部分７８、８０を有する容器３０を備え、第１
、第２の容器部分７８、８０の夫々には対応する撹拌機、例えばリボン撹拌機８
８、９０が備えられている。第１の容器部分７８の頂部には、空気分級機３４Ａ
、３４Ｂおよび３４Ｃ（図５）を備えた上方延出部７９が設けられ、これら分級
機３４Ａ、３４Ｂおよび３４Ｃの各ロータ３５がこの上方延出部７９内に設けら
れている。垂直シュート１００はスクリューコンベヤー２８をこの上方延出部７
９と接続させ、未処理材料を供給するようにしている。図４の断面図に示すよう
に、第１の容器部分７８の内部床面は第２の容器部分８０の内部床面よりも低く
なっていて、約３．５インチの高さの垂直段部８２を形成している。又、マニホ
ールド８４が備えられ、これにより華氏４００ないし７００度の加熱圧縮空気を
ノズル８６を用い、この垂直段部８２を介して第１の容器部分７８の下方に噴射
させるようにしている。図６に示すように、約２０個のノズルが長さが約１０フ
ィートの容器３０に対し設けられている。空気は約５０−１００ｐｓｉの圧力、
４００−１０００ｃｆｍの流量、好ましくは華氏４５０度の温度で供給されるよ
うになっている。撹拌機８８は好ましくは反時計方向に回転するようになってい
て、容器中の粉砕可能な材料が、ノズル８６から噴射される加熱空気の方向に対
向する方向に第１の容器部分７８の下部を横切って移送されるようになっていて
、これにより粒体の粉砕が促進されるようになっている。この粉砕は更に第２の
容器部分８０の横断側壁８１と撹拌機９０との間の閉塞空間によっても促進され
るようになっている。つまり、撹拌機９０の周面と横断側壁８１の内側との間隙
は１インチ未満、好ましくは約２分の１インチとなっていて、この撹拌機９０と
横断側壁８１との間の狭い領域で粒体の粉砕が促進されるようになっている。他
方、第１の容器部分７８の側壁と撹拌機８８との間には約４インチの広い間隙が
設けられている。
処理装置１４は第１、第２の容器部分７８、８０を有する容器３０を備え、第１
、第２の容器部分７８、８０の夫々には対応する撹拌機、例えばリボン撹拌機８
８、９０が備えられている。第１の容器部分７８の頂部には、空気分級機３４Ａ
、３４Ｂおよび３４Ｃ（図５）を備えた上方延出部７９が設けられ、これら分級
機３４Ａ、３４Ｂおよび３４Ｃの各ロータ３５がこの上方延出部７９内に設けら
れている。垂直シュート１００はスクリューコンベヤー２８をこの上方延出部７
９と接続させ、未処理材料を供給するようにしている。図４の断面図に示すよう
に、第１の容器部分７８の内部床面は第２の容器部分８０の内部床面よりも低く
なっていて、約３．５インチの高さの垂直段部８２を形成している。又、マニホ
ールド８４が備えられ、これにより華氏４００ないし７００度の加熱圧縮空気を
ノズル８６を用い、この垂直段部８２を介して第１の容器部分７８の下方に噴射
させるようにしている。図６に示すように、約２０個のノズルが長さが約１０フ
ィートの容器３０に対し設けられている。空気は約５０−１００ｐｓｉの圧力、
４００−１０００ｃｆｍの流量、好ましくは華氏４５０度の温度で供給されるよ
うになっている。撹拌機８８は好ましくは反時計方向に回転するようになってい
て、容器中の粉砕可能な材料が、ノズル８６から噴射される加熱空気の方向に対
向する方向に第１の容器部分７８の下部を横切って移送されるようになっていて
、これにより粒体の粉砕が促進されるようになっている。この粉砕は更に第２の
容器部分８０の横断側壁８１と撹拌機９０との間の閉塞空間によっても促進され
るようになっている。つまり、撹拌機９０の周面と横断側壁８１の内側との間隙
は１インチ未満、好ましくは約２分の１インチとなっていて、この撹拌機９０と
横断側壁８１との間の狭い領域で粒体の粉砕が促進されるようになっている。他
方、第１の容器部分７８の側壁と撹拌機８８との間には約４インチの広い間隙が
設けられている。
【００１３】 この粉砕は更に撹拌機８８および９０の作用によっても促進される。即ち、こ
れら両者は反時計方向に回転するようになっているから、容器３０の横断中心部
でこれら撹拌機間の間隙にて粉砕が更に促進されることになる。なお、これら撹
拌機８８および９０の周面間の間隙は約１インチとする。
れら両者は反時計方向に回転するようになっているから、容器３０の横断中心部
でこれら撹拌機間の間隙にて粉砕が更に促進されることになる。なお、これら撹
拌機８８および９０の周面間の間隙は約１インチとする。
【００１４】 処理容器内での材料の照射は扇状ホーン３２を有する電子線源６４により提供
され、この扇状ホーン３２により処理容器３０内の第２の容器部分８０の頂部に
走査電子線が向けられるようになっている。長さが約１０フィート、幅が約４フ
ィート、深さ（延出部を除く）が約２．５フィートの処理容器の場合、放射線源
として約１．０ＭｅＶのエネルギーレベル、約１００ｍＡの放射線電流を与える
ものが適当である。このような電子線源しては、絶縁コアトランスフォーマー又
は高圧加速器を用いることができる。扇状ホーン３２の窓部６６は二重チタンウ
インドウ構造をなし、入力フランジ６８と出力フランジ７０とを備え、冷却空気
流を導管７２から、扇状ホーン３２の窓部６６間を通って、導管７４から排出さ
せる。
され、この扇状ホーン３２により処理容器３０内の第２の容器部分８０の頂部に
走査電子線が向けられるようになっている。長さが約１０フィート、幅が約４フ
ィート、深さ（延出部を除く）が約２．５フィートの処理容器の場合、放射線源
として約１．０ＭｅＶのエネルギーレベル、約１００ｍＡの放射線電流を与える
ものが適当である。このような電子線源しては、絶縁コアトランスフォーマー又
は高圧加速器を用いることができる。扇状ホーン３２の窓部６６は二重チタンウ
インドウ構造をなし、入力フランジ６８と出力フランジ７０とを備え、冷却空気
流を導管７２から、扇状ホーン３２の窓部６６間を通って、導管７４から排出さ
せる。
【００１５】 扇状ホーン３２からの照射電子線は第２の容器部分８０の上方壁面の開口部７
５を通過し、撹拌機９０の作用によりこの領域を通過するＰＴＦＥ材料を照射す
る。この扇状ホーン３２内で電子線を走査することにより、放射線は容器３０の
長手方向に沿って投射される。周囲露点より高い温度に維持された水を通過させ
る冷却用パイプ７６は容器３０のこの領域を冷却させる。この冷却水の温度は水
の凝縮を防止するため露点より高い温度に維持される。水が凝縮した場合、容器
内で反応により発生する弗素と反応する虞れがあり、その場合、腐食性の弗酸を
生じさせる。
５を通過し、撹拌機９０の作用によりこの領域を通過するＰＴＦＥ材料を照射す
る。この扇状ホーン３２内で電子線を走査することにより、放射線は容器３０の
長手方向に沿って投射される。周囲露点より高い温度に維持された水を通過させ
る冷却用パイプ７６は容器３０のこの領域を冷却させる。この冷却水の温度は水
の凝縮を防止するため露点より高い温度に維持される。水が凝縮した場合、容器
内で反応により発生する弗素と反応する虞れがあり、その場合、腐食性の弗酸を
生じさせる。
【００１６】 容器３０内でのＰＴＦＥ材料の正しいレベルを維持するため、その量を測定す
るための目盛りをこの容器に設けてもよい。しかし、チップが粉体に変換される
に従い、材料の密度が増大するから、材料高さはレベルセンサー９２、９４、９
６および９８により判定される。これらのセンサーはチューブを備え、これに比
較的低い圧力、例えば１ＰＳＩで、空気が通過し容器内に送られるようになって
いる。又、Ｔ形接続が設けられ、分岐線が圧力センサーに接続されている。モニ
ターされた圧力は、粒状又は粉状ＰＴＦＥが容器内のチューブ末端に存在すると
き、より高いレベルとなる。従って、これらチューブ内の圧力を感知することに
より、容器内の材料がセンサーのレベルより上か下かを判定することができる。
空気の流通はセンサーチューブの詰りを防止させる。
るための目盛りをこの容器に設けてもよい。しかし、チップが粉体に変換される
に従い、材料の密度が増大するから、材料高さはレベルセンサー９２、９４、９
６および９８により判定される。これらのセンサーはチューブを備え、これに比
較的低い圧力、例えば１ＰＳＩで、空気が通過し容器内に送られるようになって
いる。又、Ｔ形接続が設けられ、分岐線が圧力センサーに接続されている。モニ
ターされた圧力は、粒状又は粉状ＰＴＦＥが容器内のチューブ末端に存在すると
き、より高いレベルとなる。従って、これらチューブ内の圧力を感知することに
より、容器内の材料がセンサーのレベルより上か下かを判定することができる。
空気の流通はセンサーチューブの詰りを防止させる。
【００１７】 本発明のシステムを用いてＰＴＦＥを処理するため、未処理材料（未使用又は
焼成したもの）がブレンダー２４内へ装填される。必要に応じ、チョッパー２２
を使用して固形ＰＴＦＥを粒状チップに破砕させる。この材料は更に、ブレンダ
ー２４から、コンベヤー２６およびスクリューコンベヤー２８を通り、シュート
１００を介して容器３０へ供給される。最初の充填の間、撹拌機８８、９０を材
料の分配のために操作させてもよい。
焼成したもの）がブレンダー２４内へ装填される。必要に応じ、チョッパー２２
を使用して固形ＰＴＦＥを粒状チップに破砕させる。この材料は更に、ブレンダ
ー２４から、コンベヤー２６およびスクリューコンベヤー２８を通り、シュート
１００を介して容器３０へ供給される。最初の充填の間、撹拌機８８、９０を材
料の分配のために操作させてもよい。
【００１８】 レベルセンサー９２、９４、９６および９８により示された正しいレベルまで
材料を充填したのち、容器に対し放射線が供給されるが、その間、空気はノズル
８６へ供給され、撹拌機８８、９０は回転され、これらにより粉砕作用が与えら
れる。約華氏１５０度の冷却空気が導管７２、７４を介して窓部６６に適用され
、冷却水が冷却チューブ７６に供給される。 分級器３４およびブロアー３８が駆動され、それにより空気が容器３０から除
かれて容器を外囲気より若干低くさせる。空気は容器から約２５００ＣＦＭの総
流量で引き抜かれ、他方、空気はノズル８６に対し大気圧で約４００−１０００
ＣＦＭに相当する割合で供給される。従って、噴射加圧空気の量の２ないし５倍
の空気が、例えば窓部６６と冷却パイプ７６との間の間隙を介して容器内に引き
入れられる。この付加的空気によりＰＴＦＥ材料が華氏約２５０ないし３００度
の温度に維持される。
材料を充填したのち、容器に対し放射線が供給されるが、その間、空気はノズル
８６へ供給され、撹拌機８８、９０は回転され、これらにより粉砕作用が与えら
れる。約華氏１５０度の冷却空気が導管７２、７４を介して窓部６６に適用され
、冷却水が冷却チューブ７６に供給される。 分級器３４およびブロアー３８が駆動され、それにより空気が容器３０から除
かれて容器を外囲気より若干低くさせる。空気は容器から約２５００ＣＦＭの総
流量で引き抜かれ、他方、空気はノズル８６に対し大気圧で約４００−１０００
ＣＦＭに相当する割合で供給される。従って、噴射加圧空気の量の２ないし５倍
の空気が、例えば窓部６６と冷却パイプ７６との間の間隙を介して容器内に引き
入れられる。この付加的空気によりＰＴＦＥ材料が華氏約２５０ないし３００度
の温度に維持される。
【００１９】 この放射線および粉砕によりＰＴＦＥの粒径および分子量が減少し、約１０ミ
クロン以下の粒子とすることができるため、より小さな粒子は空気に取込まれ分
級器３４のロータ３５を通過して容器３０から引出されることになる。この分級
器３４は容器内に残る大きいサイズの粒子を拒絶するようになっている。この分
離された粒子は分離器４０により回収され、その間、プロセス用空気は排出され
る。材料がこの処理の間に密度が大きくなったり、および／あるいは、材料が容
器３０から除去されるとき、センサー９２、９４、９６および９８が未処理材料
を更にブレンダー２４から供給すべきか否かの指示を与える。 なお、この回収された材料は、必要とする粒径の製品粒子にするため、例えば
エアミルなどにより更に粉砕することができる。
クロン以下の粒子とすることができるため、より小さな粒子は空気に取込まれ分
級器３４のロータ３５を通過して容器３０から引出されることになる。この分級
器３４は容器内に残る大きいサイズの粒子を拒絶するようになっている。この分
離された粒子は分離器４０により回収され、その間、プロセス用空気は排出され
る。材料がこの処理の間に密度が大きくなったり、および／あるいは、材料が容
器３０から除去されるとき、センサー９２、９４、９６および９８が未処理材料
を更にブレンダー２４から供給すべきか否かの指示を与える。 なお、この回収された材料は、必要とする粒径の製品粒子にするため、例えば
エアミルなどにより更に粉砕することができる。
【００２０】 以上、本発明の好ましい具体例について説明したが、本発明の趣旨を逸脱する
ことなく、更に変更を加え得ることは当業者に自明のことであり、そのような変
更、改良も本発明の範囲に包含されるものである。
ことなく、更に変更を加え得ることは当業者に自明のことであり、そのような変
更、改良も本発明の範囲に包含されるものである。
【図１】 本発明に係わるＰＴＦＥ処理システムの平面図。
【図２】 図１のシステムに使用されるダスト収集器の正面図。
【図３】 処理のためＰＴＦＥスクラップを製造するための図１のシステムの装置の正面
図。
図。
【図４】 図１の処理容器の断面図。
【図５】 図４の処理容器の第１の側面図。
【図６】 図４の処理容器の第２の側面図。
１０ システム １４ 処理装置 ２２ チョッパー ２４ ブレンダー ２６ コンベヤー ３０ 処理容器 ６４ 電子線発生器 ７８ 第１の容器部分 ８０ 第２の容器部分 ８１ 横方向外壁面 ８２ 段部 ８６ エアノズル ８８ 第１の撹拌機 ９０ 第２の撹拌機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ニユーバーグ，ウイリアム，ビー． アメリカ合衆国 08535 ニュージャージ ー州 ペリンビル，ピー．オー．ボックス 369 Ｆターム(参考） 4F070 AA24 DA06 DA41 DA55 DC13 HA03 HB14
Claims (7)
- 【請求項１】 放射線照射および粉砕によるＰＴＦＥの処理のための処理容
器を具備する装置であって、 前記容器は、横断水平方向に隣接する第１、第２の容器部分を具備し、これら
第１、第２の容器部分は長手軸の周りを回転する第１、第２の撹拌機を備え、前
記容器の内部床部は前記第１、第２の容器部分間に段部が設けられ、前記第１の
容器部分の内部床面は前記第２の容器部分の内部床面よりも低くなっていて、複
数のエアノズルが前記第１の容器部分に向けて空気を噴射するために設けられ、
これらのエアノズルは上記段部のほぼ垂直な部分に装着されていることを特徴と
する装置。 - 【請求項２】 前記第１の容器部分の前記第１の撹拌機は、前記第１の容器
部分の下部において、その長手軸の周りを、前記エアノズルからの空気の噴射方
向に対し対向する方向に回転することを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記第２の容器部分の前記第２の撹拌機は、その長手軸の周
りを、前記第１の撹拌機と同一の回転方向に回転するように配置され、それによ
り前記容器の中央部において互いに反対の方向に回転することを特徴とする請求
項２記載の装置。 - 【請求項４】 前記第２の容器部分の横方向外壁面は円筒状であり、その側
壁内側は、前記第２の撹拌機の周面から１インチ未満の間隙を以て離間している
ことを特徴とする請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記第２の容器部分の頂部に電子線を照射させるため、電子
線発生器を備えていることを特徴とする請求項４記載の装置。 - 【請求項６】 処理容器にＰＴＦＥを供給、処理するため、ＰＴＦＥスクラ
ップを製造するための装置であって、 前記ＰＴＦＥスクラップを粒状チップに裁断するためのチョッパーと、 該チョッパーから上記チップを受理し、これを撹拌し流れを促進するためのブ
レンダーと、 このブレンダーの出口から上記チップを受理し、前記処理容器に向けて上記チ
ップを移送するためのコンベヤーと、 を具備してなる装置。 - 【請求項７】 ＰＴＦＥを照射、粉砕するための連続的処理方法であって、
ＰＴＦＥを処理容器に供給し、そこで前記ＰＴＦＥに対し放射線照射と粉砕を行
い、空気に浮揚させた処理済みＰＴＦＥ粒子を収集のため前記容器から取出こと
からなり、その場合、華氏４００度ないし７００度の温度の加圧空気を前記処理
容器に向けて噴射させ、それによりＰＴＦＥを粉砕し、前記処理容器は、上記加
圧空気の容積の２ないし５倍の量の周囲空気を前記容器内に導入させるよう開口
していることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/208,117 US5968997A (en) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | Continuous process for irradiating of polytetrafluorineethylene (PTFE) |
| US09/208,117 | 1998-12-09 | ||
| PCT/US1999/028431 WO2000034300A1 (en) | 1998-12-09 | 1999-12-01 | Continuous process for irradiating of polytetrafluoroethylene (ptfe) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002531645A true JP2002531645A (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=22773250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000586743A Pending JP2002531645A (ja) | 1998-12-09 | 1999-12-01 | ポリテトラフルオロエチレン（ｐｔｆｅ）の連続的照射方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5968997A (ja) |
| EP (1) | EP1137657B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002531645A (ja) |
| AT (1) | ATE252597T1 (ja) |
| AU (1) | AU1928900A (ja) |
| BR (1) | BR9916082B1 (ja) |
| CA (1) | CA2353091C (ja) |
| DE (1) | DE69912309T2 (ja) |
| WO (1) | WO2000034300A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US10538605B2 (en) | 2016-08-04 | 2020-01-21 | Daikin Industries, Ltd. | Method for producing low molecular weight polytetrafluoroethylene, low molecular weight polytetrafluoroethylene, and powder |
| US10870735B2 (en) | 2016-08-04 | 2020-12-22 | Daikin Industries, Ltd. | Method for producing low molecular weight polytetrafluoroethylene, low molecular weight polytetrafluoroethylene, and powder |
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