JP2002529233A - 分離装置 - Google Patents

分離装置

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JP2002529233A
JP2002529233A JP2000581117A JP2000581117A JP2002529233A JP 2002529233 A JP2002529233 A JP 2002529233A JP 2000581117 A JP2000581117 A JP 2000581117A JP 2000581117 A JP2000581117 A JP 2000581117A JP 2002529233 A JP2002529233 A JP 2002529233A
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ルイス・エドワード・スタイン
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    • C10G11/00Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils
    • C10G11/14Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils with preheated moving solid catalysts
    • C10G11/18Catalytic cracking, in the absence of hydrogen, of hydrocarbon oils with preheated moving solid catalysts according to the "fluidised-bed" technique
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/005Separating solid material from the gas/liquid stream
    • B01J8/0055Separating solid material from the gas/liquid stream using cyclones
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B04CENTRIFUGAL APPARATUS OR MACHINES FOR CARRYING-OUT PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES
    • B04CAPPARATUS USING FREE VORTEX FLOW, e.g. CYCLONES
    • B04C5/00Apparatus in which the axial direction of the vortex is reversed
    • B04C5/14Construction of the underflow ducting; Apex constructions; Discharge arrangements ; discharge through sidewall provided with a few slits or perforations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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  • Combined Means For Separation Of Solids (AREA)

Abstract

(57)【要約】 ガス−固体含有原料から固体を分離してガスが豊富な流れにする分離装置であって、直立中空円形ハウジングであって、該ハウジングの下に位置する固体放出用のディップレグに流動自在に連結された前記直立中空円形ハウジング、前記円形ハウジングから前記ガスが豊富な流れを放出するためのガス出口管であって、前記ハウジングの頂部から実質的に同軸状に突出する前記ガス出口管、使用中に前記円形ハウジング内に渦流を作るよう構成されたガス−固体原料用入口手段、及び前記円形ハウジングの下部とディップレグの上部の間に位置する篩であって、前記ディップレグの直径の0.75倍より大きい直径の粒子が該篩を通過してディップレグに入ることを許容しない目を有し、篩における目の総面積がディップレグの断面積の2倍より大きい前記篩、を含む上記分離装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】発明の背景 本発明は、ガス−固体含有原料から固体を分離してガスが豊富な流れにする分
離装置に関し、この分離装置は、 直立中空円形ハウジングであって、該ハウジングの下に位置する固体放出用の
ディップレグに流動自在に連結された前記直立中空円形ハウジング、 前記円形ハウジングから前記ガスが豊富な流れを放出するためのガス出口管で
あって、前記ハウジングの頂部から実質的に同軸状に突出する前記ガス出口管、 使用中に前記円形ハウジング内に渦流を作るよう構成されたガス−固体原料用
入口手段を含む。
【0002】 このような装置は、US−A−5391289に記載されている。この特許公
報は、二番目の分離ステップとして使用されて流動接触分解(FFC)反応器の
反応器流出物から固体の触媒粒子を分離するサイクロン分離器を記載する。FC
Cプロセスでは、固体の触媒の存在下において高温で炭化水素を分解してより望
ましい成分、例えばガソリンや低級オレフィンとする。FCCの分野では、これ
らのサイクロン分離器は、副サイクロンとも称される。FCCプロセスにおける
これらの副サイクロンを記載する他の刊行物としては、例えばUS−A−505
5177、US−A−5376339、EP−A−299650、EP−A−4
88549及びEP−A−309244がある。 これらの副サイクロンの欠点は、これらの装置の壁にコークスが堆積すること
である。コークスの形成は、サイクロンへの原料中に存在する炭化水素とサイク
ロンへ供給される相対的に高い温度のガスとを原因とする。大きい塊のコークス
は壁からディップレグに落ちてディップレグを詰まらせる場合もある。ディップ
レグが詰まると、サイクロンは固体−ガス分離器として最適に機能しなくなり、
コークスをディップレグから除去するために流動接触分解プロセスを中断しなけ
ればならない。FCCプロセスは計画された操業停止の間において多月間ときに
は数年間も稼働することが期待されるので、予期せぬ操業停止はかなりの経済的
な損失をもたらす。
【0003】 本発明の目的は、分離装置のディップレグが詰まることに関連した問題を回避
することである。
【0004】発明の概要 上記目的は以下の装置により達せられる。ガス−固体含有原料から固体を分離
してガスが豊富な流れにする分離装置であって、 直立中空円形ハウジングであって、該ハウジングの下に位置する固体放出用の
ディップレグに流動自在に連結された前記直立中空円形ハウジング、前記円形ハ
ウジングから前記ガスが豊富な流れを放出するためのガス出口管であって、前記
ハウジングの頂部から実質的に同軸状に突出する前記ガス出口管、使用中に前記
円形ハウジング内に渦流を作るよう構成されたガス−固体原料用入口手段、及び
前記円形ハウジングの下部とディップレグの上部の間に位置する篩であって、該
ディップレグの直径の0.75倍より大きい直径の粒子が該篩を通過してディッ
プレグに入ることを許容しない目を有し、篩における目の総面積がディップレグ
の断面積の2倍より大きい前記篩、を含む上記分離装置。 このような篩を使用すると、ディップレグが詰まることによる問題は起こりに
くいことが分かった。篩により、ディップレグ中での通常の渦巻き運動が減少す
るのが観測される。その結果、ディップレグの単位長さ当たりの圧力差が増加し
てより短いディップレグを使用することが可能となる。このことは、特にこれら
のサイクロンが容器、例えばFCCプロセスのストリッピング容器内にある場合
に非常に有利である。しばしば、ディップレグの長さは、容器の大きさを決める
ファクターとなる。したがって、より短いディップレグにより、より小さい容器
を使用できるようになる。
【0005】発明の詳細な説明 好ましくは、篩の目は、ディップレグの直径(D0)の0.5倍より大きな粒
子が篩を通過することを許容しない。 好ましくは、篩の目の総面積(A0)は、ディップレグの断面積(A1)の5
倍より大きい。 適切には、分離器の円形ハウジングは、直径(D3)の管状上部、下端部でよ
り小さい直径(D2)を有する中間部として形成された円錐状ハウジングを備え
、適宜、円錐状ハウジングの下部の直径(D2)より大きな直径(D1)を有す
る下部を備える。ディップレグの直径(D0)は、分離器の円形ハウジングの上
部の直径(D3)より小さいのが適切である。篩が位置するレベルでの円形ハウ
ジングの容積は、コークス粒子を蓄積できるべく十分に大きいのが好ましい。篩
の大きさは、コークス粒子がハウジングの下部に蓄積する一方で分離された粒子
がディップレグに入ることができるよう相当多数の目が詰まらないように選択さ
れる。穴の形態はさほど重要ではない。円形、矩形の穴やスロットが、篩の目と
して可能な形態である。
【0006】 篩は、ディップレグの入口開口のちょうど頂部にて軸を中心として対称的に位
置するのが好ましい。本発明の一つの実施態様では、篩はディップレグの頂部に
配置された管であり、この管は下から円形ハウジングに突出する。この管は、ほ
ぼディップレグの直径を有し、開放した下端と閉鎖した上端を備える。管の垂直
壁には複数の穴がある。 篩は、円形ハウジング内を移動するガス−固体による浸食で損傷しないよう十
分に強いのが好ましい。保護ライニングを施して篩の上部を防護することができ
る。篩を防護する更に好ましい方法は、ガス出口管の開口より下で篩より上に渦
スタビライザを配置することである。使用中に存在する渦は渦スタビライザの頂
部にて終息し、それにより篩の浸食が抑えられる。さらに加えて、渦スタビライ
ザはディップレグ中のどんな渦運動も減少させ、よってディップレグの単位長さ
当たりの圧力変化を増加させ、このことは上記述べた理由により有利である。 適切には、渦スタビライザは、相対的に大きな直径の帽子部とこの帽子部の頂
部に設けられた垂直方向の渦スタビライザロッドとから成り、このロッドの大き
さは帽子部に比べて相当小さい。帽子部は、例えば円形プレート又は円錐とする
ことができる。円錐が使用される場合には、円錐の頂部は渦スタビライザロッド
として機能し得る。渦スタビライザは、例えばUS−A−4692311、EP
−A−360360及びEP−A−220768にも記載されている。
【0007】 好ましい実施態様では、渦スタビライザは篩の頂部に配置される。 渦スタビライザは、渦スタビライザロッドとして中空管を備えることができ、
その際、渦スタビライザの頂部と渦スタビライザの下でディップレグの入口の上
の位置との間は、中空管を介して流動自在である。 ガス−固体原料用の入口手段は、円形ハウジングの管状上部にて軸方向又は接
線方向に配置できる。 好ましくは、この装置は第二の分離ステップ(副サイクロンともいう。)とし
て使用され、少なくとも2つの連続した分離ステップを行う流動接触分解プロセ
スにおけるガス状の反応器流出物から触媒粒子を分離する。 流動接触分解プロセスは、触媒粒子とガス状炭化水素を接触させる反応器を含
む。一般にこの反応器は、垂直に位置した管状反応器であり、しばしばライザー
反応器と称され、それを通って触媒と反応物質が上方に共に流れる。ライザーの
終端で、触媒が反応器の流出物から分離される。通常、この分離は1又はそれよ
り多いサイクロンにより行われる。このように分離された触媒は、ストリッピン
グ容器に収集される。この容器内で、ガス含有水を用いて触媒をストリップし、
触媒から炭化水素を分離する。ストリップされた触媒は次に再生器容器に送られ
、そこで燃焼により触媒からコークスが除去される。ストリップされ再生された
触媒は、このプロセスで再使用する。
【0008】 適切には、反応器の流出物からの触媒の分離は、触媒のバルクを分離する主分
離器により行い、次に、残りの触媒粒子の大半を分離する副サイクロンにより行
う。特定のレイアウトに依存して、互いに並列及び/又は直列に動作する1より
多い副サイクロンを設けることもできる。これらの分離器手段は、ストリッピン
グ容器の内側又はストリッピング容器の外側に配置することができる。これら2
つの組合せも可能であり、その際には、主分離手段をストリッピング容器の内側
に配置し、副サイクロンをストリッピング容器の外側に配置する。本発明の利点
は、副サイクロンをストリッピング容器の内側に配置する場合に特に明白である
。というは、これらのサイクロンはFCCプロセスの動作中には容易に検査でき
ないからである。これらのFCC構成の例は、上記引用した特許公報US−A−
5055177、US−A−5391289、EP−A−309244及びEP
−A−299650に記載されている。副サイクロンがストリッピング容器の内
側に配置されるならば、ガス−固体原料用入口を接線方向に配置するのが好まし
い。
【0009】 主分離手段、適切にはラフカットサイクロン(rough cut cyclone)とも称され
るサイクロンと、副サイクロンとを共にストリッピング容器の内側に配置するの
が好ましい。ラフカットサイクロンのガス出口を副サイクロンの入口に流動自在
に連結するのがさらに好ましい。このことは、分解された炭化水素が反応器ライ
ザーを出て異なる分離手段に入った後の滞留時間が短縮されて非制御分解(後分
解ともいう)が避けられるから有利である。ストリッピング容器内にストリッピ
ングガス用の出口手段を設けるために、ラフカットサイクロンと副サイクロンの
間の導管に開口が存在する。この開口はスリットとするのが好ましい。
【0010】 図1には本発明による分離装置が示され、軸(Ax)を中心として対称的でデ
ィップレグ(8)に流動自在に連結された中空円形ハウジング(1)、ガス出口
管(4)、使用中に円形ハウジング(1)に渦流を作るように接線方向に配置さ
れたガス−固体原料用の入口手段(3)を備える。入口手段(3)は、入口導管
(2)に流動自在に連結される。円形ハウジング(1)は、直径(D3)の管状
上部(5)、下端で最小の直径(D2)を有する中間部(6)としてのフラスト
−コニカル・エンベロープ(frusto-conical envelope)、及び直径(D1)の下
部(7)を備える。円形の目(10)を持つ管状の篩(9)が、ディップレグ(
8)の入口を覆う。帽子部(12)上に位置する渦スタビライザ(11)も示さ
れる。 図2における番号は図1と同じ意味を有する。図2に開示した実施態様は、ハ
ウジングにおける広がった下部が存在しない点において、図1に開示したものと
異なる。 図3に示された管状の篩(9)は、矩形の目(10)を有し、ハウジングの下
部(7)に配置されたディップレグ(8)の入口を覆っている。篩の頂部には渦
スタビライザ(11)が位置する。渦スタビライザの帽子部(12)は、管状の
篩(9)の頂部を形成する。
【0011】 図4は、FCCプロセスの好ましいストリッピング容器(16)を表し、本発
明による副サイクロンを備える。ストリッピング容器の上部が示され、そこで反
応器ライザー(17)がラフカットサイクロン(18)と流動自在に連結され、
このラフカットサイクロンはガス出口導管(19)と流動自在に連結される。こ
の導管(19)の水平部には、スリット(21)が存在する。導管(23)は、
副サイクロン(24)における接線方向に配置された入口と流動自在に連結され
る。副サイクロン(24)は、ディップレグ(26)の入口を覆う管状の篩(2
5)を有する。触媒粒子中のわずかなガス状生成物が、導管(27)を介して副
サイクロンとストリッピング容器から出る。ストリッピング容器の下部は、触媒
粒子の流動床(28)を含み、この流動床にストリッピングガスが入口手段(2
9)を介して供給される。副サイクロンのディップレグ(26)の端は、ほぼ流
動床(28)の上方レベルにあり、ラフカットサイクロンのディップレグ(30
)の端は、流動床(28)内にある。スリット(21)を通して、ストリッピン
グガスが、導管(23)の入口に入り、副サイクロン(24)を介してストリッ
ピング容器(16)から出ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による分離装置の垂直断面図を示す。
【図2】 ハウジングの下部が存在しない本発明の別の実施態様を示す。
【図3】 渦スタビライザと組み合わされた篩の可能な実施態様を示す。
【図4】 FCCプロセスのストリッピング容器の上部を示す。
【符号の説明】
1 ハウジング 2 ガス−固体原料の入口導管 3 入口 4 ガス出口管 5 ハウジングの上部 6 ハウジングの中間部 7 ハウジングの下部 8 ディップレグ 9 篩 10 篩の目 11 渦スタビライザ 12 帽子部 17 反応器ライザー 18 ラフカットサイクロン 19 ガス出口導管 21 スリット 23 導管 24 副サイクロン 25 篩 26 ディップレグ 27 導管 28 流動床 29 ストリッピングガスの入口手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B07B 1/46 B07B 1/46 A B C10G 11/18 C10G 11/18 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C R,CU,CZ,DE,DK,DM,EE,ES,FI ,GB,GD,GE,GH,GM,HR,HU,ID, IL,IN,IS,JP,KE,KG,KP,KR,K Z,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MA ,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ, PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,S K,SL,TJ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG ,US,UZ,VN,YU,ZA,ZW (72)発明者 ヒューベルタス・ウィルヘルムス・アルベ ルタス・ドリース オランダ国 エヌエル−1031 シーエム アムステルダム バトホイスウエヒ 3 (72)発明者 ルイス・エドワード・スタイン アメリカ合衆国 テキサス州 77092 ヒ ューストン オータム フォレスト 5818 Fターム(参考) 4D021 AA13 AB01 CA01 DA01 DA13 DC02 EA10 4D053 AA03 AB01 BA01 BB02 BC01 BD04 CB11 CD01 CD22 CD25 4G070 AA01 BB32 CA26 DA02 4H029 BD08 BD19 BE13

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガス−固体含有原料から固体を分離してガスが豊富な流れに
    する分離装置であって、 直立中空円形ハウジングであって、該ハウジングの下に位置する固体放出用の
    ディップレグに流動自在に連結された前記直立中空円形ハウジング、 前記円形ハウジングから前記ガスが豊富な流れを放出するためのガス出口管で
    あって、前記ハウジングの頂部から実質的に同軸状に突出する前記ガス出口管、 使用中に前記円形ハウジング内に渦流を作るよう構成されたガス−固体原料用
    入口手段、及び 前記円形ハウジングの下部とディップレグの上部の間に位置する篩であって、
    該ディップレグの直径の0.75倍より大きい直径の粒子が該篩を通過してディ
    ップレグに入ることを許容しない目を有し、篩における目の総面積がディップレ
    グの断面積の2倍より大きい前記篩、 を含む上記分離装置。
  2. 【請求項2】 前記篩の目は、前記ディップレグの直径の0.5倍より大き
    い粒子が該篩を通過するのを許容しない、請求項1記載の分離装置。
  3. 【請求項3】 前記篩の目の総面積が前記ディップレグの断面積の5倍より
    大きい、請求項1又は2に記載の分離装置。
  4. 【請求項4】 渦スタビライザが、ガス出口の開口より下で前記篩より上に
    て中心軸に対して同軸状に位置する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の分離
    装置。
  5. 【請求項5】 前記渦スタビライザが前記篩の頂部に配置される、請求項4
    記載の分離装置。
  6. 【請求項6】 前記ガス−固体原料用入口手段が、前記円形ハウジングの上
    部にて接線方向に配置される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の分離装置。
  7. 【請求項7】 前記篩が前記ディップレグの頂部に配置された管であり、該
    管は、下から前記円形ハウジングに突出し、ほぼディップレグの直径を有し、開
    放した下端と閉鎖した上端を有し、該管の垂直壁には複数の穴が存在する、請求
    項1〜6のいずれか一項に記載の分離装置。
  8. 【請求項8】 少なくとも2つの連続した分離ステップで触媒粒子を反応器
    のガス状放出物から分離する流動接触分解法であって、2番目のステップでは請
    求項1〜7のいずれか一項に記載の分離装置を使用する前記流動接触分解法。
JP2000581117A 1998-11-06 1999-11-05 分離装置 Ceased JP2002529233A (ja)

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US60/107,420 1998-11-06
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