JP2002528938A - Incorrect polarity protection circuit for a power output stage having at least one high side semiconductor switch - Google Patents
Incorrect polarity protection circuit for a power output stage having at least one high side semiconductor switchInfo
- Publication number
- JP2002528938A JP2002528938A JP2000577753A JP2000577753A JP2002528938A JP 2002528938 A JP2002528938 A JP 2002528938A JP 2000577753 A JP2000577753 A JP 2000577753A JP 2000577753 A JP2000577753 A JP 2000577753A JP 2002528938 A JP2002528938 A JP 2002528938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- polarity protection
- side semiconductor
- channel power
- output stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
Abstract
(57)【要約】 本発明は、少なくとも１つのハイサイド半導体スイッチを有する電力出力段のための誤極性保護回路であって、前記ハイサイド半導体スイッチは供給電圧のプラス電位よりも大きな制御電圧を必要とし、該制御電圧は前置された電子回路により形成され、該電子回路ではプラス電位の線路に誤極性保護としてＮチャネル電力ＦＥＴが挿入接続されており、該Ｎチャネル電力ＦＥＴは電力出力段が制御されるときに導通制御される形式の誤極性保護回路に関するものである。このような回路おいて部分コストが次のようにして格段に低減される。すなわち、電子回路（Ｅ）からハイサイド半導体スイッチ（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）に供給される制御電圧が誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴ（Ｔ）の制御のために供給されるようにするのである。 (57) The present invention is a mispolarity protection circuit for a power output stage having at least one high-side semiconductor switch, wherein the high-side semiconductor switch applies a control voltage greater than a positive potential of a supply voltage. Required, the control voltage is formed by a preceding electronic circuit, in which an N-channel power FET is inserted and connected to a positive potential line as a wrong polarity protection, and the N-channel power FET is connected to a power output stage. And an erroneous polarity protection circuit in which conduction is controlled when is controlled. The partial cost in such a circuit is significantly reduced as follows. That is, the control voltage supplied from the electronic circuit (E) to the high-side semiconductor switches (T1, T2, T3, T4) is supplied for controlling the wrong polarity protection N-channel power FET (T). is there.
Description
【０００１】 従来の技術 本発明は、少なくとも１つのハイサイド半導体スイッチを有する電力出力段の
ための誤極性保護回路に関する。このハイサイド半導体スイッチは、供給電圧の
プラス電位よりも大きな制御電圧を必要とし、この制御電圧は前置された電子回
路により形成される。この電子回路ではプラス電位の線路に誤極性保護としてＮ
チャネル電力ＦＥＴが挿入されており、このＦＥＴは電力出力段が制御されると
き導通制御される。The present invention relates to a wrong polarity protection circuit for a power output stage having at least one high-side semiconductor switch. This high-side semiconductor switch requires a control voltage which is greater than the positive potential of the supply voltage, which control voltage is formed by the preceding electronic circuit. In this electronic circuit, a line having a positive potential is provided with N polarity as an erroneous polarity protection.
A channel power FET is inserted, which is controlled to conduct when the power output stage is controlled.
【０００２】 この形式の公知の誤極性保護回路では、電子回路がＮチャネル電力ＦＥＴのリ
バースダイオードを介してプラス電位の線路へ、これがスイッチオンオフされる
ように、すなわち制御されるように設けられている。この電子回路は電荷ポンプ
を、Ｎチャネル電力ＦＥＴのゲート端子を制御するためにアクティブにする。そ
してこのＦＥＴは導通し、低抵抗となる。プラス電位はこれに基づき相応に低抵
抗で電子回路と電力出力段に供給される。ここで電荷ポンプは発振器またはマイ
クロコントローラによりクロッキングされる。このＮチャネル電力ＦＥＴの制御
は、供給電圧の極性が間違っているとき行われない。Ｎチャネル電力ＦＥＴの阻
止は供給電圧の極性が間違っているとき、供給電圧のマイナス極に接続されたＮ
チャネルＦＥＴに対する固有の制御回路の代わりをする。In known mispolarity protection circuits of this type, an electronic circuit is provided via a reverse diode of an N-channel power FET to a line of positive potential, so that it is switched on and off, ie controlled. I have. This electronic circuit activates the charge pump to control the gate terminal of the N-channel power FET. Then, this FET becomes conductive and has low resistance. The positive potential is accordingly supplied to the electronic circuit and the power output stage with a correspondingly low resistance. Here, the charge pump is clocked by an oscillator or microcontroller. The control of the N-channel power FET is not performed when the polarity of the supply voltage is wrong. The blocking of the N-channel power FET is such that when the polarity of the supply voltage is wrong, the N connected to the negative pole of the supply voltage
Substitutes a unique control circuit for the channel FET.
【０００３】 供給電圧が正しく極性付けられている場合のＮチャネル電力ＦＥＴの制御に対
しては、電荷ポンプと発振器を有する公知の誤極性保護回路ではかなりの部分コ
ストが必要である。For the control of an N-channel power FET when the supply voltage is correctly polarized, a known partial polarity protection circuit with a charge pump and an oscillator has a considerable partial cost.
【０００４】 本発明の課題は、冒頭に述べた形式の誤極性保護回路において部分コストを格
段に低減し、これにより必要な導体基板面積と回路の故障率を低く押さえること
である。An object of the present invention is to reduce the partial cost in a mispolarity protection circuit of the type mentioned at the beginning, thereby reducing the required conductor board area and the failure rate of the circuit.
【０００５】 この課題は本発明により、電子回路からハイサイド半導体スイッチに供給され
る制御電圧を、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴの制御のためにフィードバック
することによって解決される。According to the present invention, this problem is solved by feeding back a control voltage supplied from an electronic circuit to a high-side semiconductor switch for controlling an incorrect polarity protection N-channel power FET.
【０００６】 電力出力段に対する電子回路の制御電圧を、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴ
の制御のためにも使用することにより、電荷ポンプと発振器が省略される。すな
わちＮチャネル電力ＦＥＴを導通切り替えするために付加的な構成素子が必要な
く、このことは導体基板構造を格段に簡素化し、回路の故障確実性を高める。A control voltage of an electronic circuit for a power output stage is provided by an incorrect polarity protection N-channel power FET.
Also eliminates the need for charge pumps and oscillators. That is, no additional components are required to switch the conduction of the N-channel power FET, which greatly simplifies the structure of the conductive substrate and increases the reliability of circuit failure.
【０００７】 改善実施形態によれば、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴのゲート・ソース区
間の電力出力段がクロック動作される際、ＲＣ素子が並列回路に並列に接続され
る。このＲＣ素子は、Ｎチャネル電力ＦＥＴに対する制御電圧を平滑化するため
に必要であり、これによりＦＥＴはクロック動作時に持続的に導通状態に留まる
。According to the improved embodiment, when the power output stage in the gate-source section of the wrong polarity protection N-channel power FET is clocked, the RC element is connected in parallel to the parallel circuit. This RC element is needed to smooth the control voltage for the N-channel power FET, so that the FET remains permanently on during clocking.
【０００８】 誤極性保護回路の改善形態では、ハーフブリッジ回路またはフルブリッジ回路
として構成された電力出力段において、供給電圧のプラス極に接続されたハイサ
イド半導体スイッチに電子回路から供給される制御電圧だけが供給される。この
ハイサイド半導体スイッチの正の制御電圧は、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴ
を制御するのに十分である。In an improvement of the wrong polarity protection circuit, a control voltage supplied from an electronic circuit to a high-side semiconductor switch connected to the positive pole of the supply voltage in a power output stage configured as a half-bridge circuit or a full-bridge circuit Only supplied. The positive control voltage of this high-side semiconductor switch is an incorrect polarity protection N-channel power FET.
Is enough to control.
【０００９】 Ｎチャネル電力ＦＥＴにフィードバックされる電子回路の制御電圧が影響を受
けないようにするため、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴにフィードバックされ
る制御電圧をダイオードによって相互に減結合しなければならない。In order to keep the control voltage of the electronic circuit fed back to the N-channel power FET unaffected, the control voltage fed back to the wrong polarity protection N-channel power FET must be mutually decoupled by diodes. .
【００１０】 さらに公知のように、電子回路はスタート信号によりスイッチオン・オフする
ことが可能である。これにより誤極性保護の制御の開始と終了が簡単に設定され
る。As is further known, electronic circuits can be switched on and off by a start signal. Thus, the start and the end of the control of the protection of the wrong polarity can be easily set.
【００１１】 供給電圧が誤極性付けされた場合にＮチャネル電力ＦＥＴを阻止するため、公
知のように、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴは、供給電圧のマイナス極に接続
された制御回路を介して阻止される。[0011] To prevent the N-channel power FET when the supply voltage is mis-polarized, as is known, the mis-polarity protected N-channel power FET is connected via a control circuit connected to the negative pole of the supply voltage. Will be blocked.
【００１２】 本発明を、図面に示された２つの実施例に基づいて詳細に説明する。The present invention will be described in detail based on two embodiments shown in the drawings.
【００１３】 図１は、ハイサイド半導体スイッチと負荷との直列回路からなる電力出力段と接
続された誤極性保護回路である。FIG. 1 shows an incorrect polarity protection circuit connected to a power output stage composed of a series circuit of a high-side semiconductor switch and a load.
【００１４】 図２は、４つのハイサイド半導体スイッチと負荷からなるフルブリッジ回路とし
て構成された電力出力段を有する誤極性保護回路である。FIG. 2 shows an incorrect polarity protection circuit having a power output stage configured as a full bridge circuit including four high-side semiconductor switches and a load.
【００１５】 図１が示すように、誤極性保護部としてＮチャネル電力ＦＥＴのソース・ドレ
イン区間Ｓ−Ｄが供給電圧Ｕのプラス電位の線路に挿入接続されている。供給電
圧Ｕの極性を誤った際に、供給電圧Ｕのマイナス極（アース）と接続されたＮチ
ャネル電力ＦＥＴを阻止するための制御回路は公知のように構成することができ
、従って本発明の枠内では省略する。これに対しては電力出力段の制御の際に誤
極性保護を低抵抗に導通接続することについてだけ説明する。As shown in FIG. 1, a source / drain section SD of an N-channel power FET is inserted and connected to a line of a positive potential of the supply voltage U as an erroneous polarity protection section. The control circuit for blocking the N-channel power FET connected to the negative pole (ground) of the supply voltage U when the polarity of the supply voltage U is wrong can be configured in a known manner, and therefore the present invention Omitted within the frame. In contrast, only the connection of the erroneous polarity protection to a low resistance during the control of the power output stage will be described.
【００１６】 供給電圧Ｕが正しく接続されないと、プラス電位＋が制御されないＮチャネル
電力ＦＥＴのリバースダイオードＲＤを介して電子回路Ｅ、およびハイサイド半
導体スイッチＴ１と負荷Ｖを有する電力出力段に流れ込む。電子回路Ｅの入力側
に供給されたスタート信号ｓｔを介して電子回路Ｅをスイッチオン・オフするこ
とができる。電子回路Ｅがスイッチオンされると、電子回路は出力側にハイサイ
ド半導体Ｔ１に対する制御信号を出力する。この制御信号は供給電圧Ｕのプラス
電位よりも正である。If the supply voltage U is not connected correctly, the positive potential + flows into the electronic circuit E and the power output stage with the high-side semiconductor switch T1 and the load V via the reverse diode RD of the uncontrolled N-channel power FET. The electronic circuit E can be switched on and off via a start signal st supplied to the input side of the electronic circuit E. When the electronic circuit E is switched on, the electronic circuit outputs a control signal for the high-side semiconductor T1 on the output side. This control signal is more positive than the positive potential of the supply voltage U.
【００１７】 ハイサイドトランジスタとして構成されたハイサイド半導体スイッチＴ１はこ
の比較的に高い制御電圧を必要とする。これによりこのスイッチは低抵抗の回路
状態となり、負荷Ｖを投入接続する。すなわち負荷を低抵抗に供給電圧Ｕのプラ
ス極と接続する。しかしこのためには、誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴを導通
させなければならない。すなわち低抵抗状態にもたらさなければならない。この
ことは最も簡単には、電子回路Ｅの制御電圧をＮチャネル電力ＦＥＴのゲート端
子Ｇにも供給することにより達成される。Ｎチャネル電力ＦＥＴはさらに導通状
態にもたらされるから、負荷Ｖに全電流を供給することができる。The high-side semiconductor switch T1 configured as a high-side transistor requires this relatively high control voltage. As a result, this switch is in a low-resistance circuit state, and the load V is connected. That is, the load is connected to the positive pole of the supply voltage U with low resistance. However, this requires turning on the wrong polarity protection N-channel power FET. That is, it must be brought to a low resistance state. This is most simply achieved by supplying the control voltage of the electronic circuit E also to the gate terminal G of the N-channel power FET. Since the N-channel power FET is further brought into conduction, it can supply the full current to the load V.
【００１８】 負荷に対してクロックモードが選択される場合には、電子回路Ｅの出力側の制
御信号は相応のパルスシーケンスである。Ｎチャネル電力ＦＥＴ Ｔのゲート・
ソース区間Ｇ−Ｓは、抵抗ＲとコンデンサＣの並列回路に並列に接続されており
、これによりＮチャネル電力ＦＥＴ Ｔをパルスシーケンスのパルス休止期間中
にも導通状態に保持する。If the clock mode is selected for the load, the control signal at the output of the electronic circuit E is a corresponding pulse sequence. Gate of N-channel power FET T
The source section G-S is connected in parallel with a parallel circuit of a resistor R and a capacitor C, thereby keeping the N-channel power FET T conductive during the pulse pause of the pulse sequence.
【００１９】 図２に示すように、負荷Ｖは４つのハイサイド半導体スイッチＴ１〜Ｔ４から
なるフルブリッジ回路を介してもスイッチオン・オフすることができる。これら
はペアで、例えばＴ１とＴ４、ないしＴ２とＴ３が制御される。負荷Ｖが例えば
モータである場合、ペアＴ１とＴ４並びにＴ２とＴ３の制御によってモータの回
転方向を変化することができる。ここで電子回路Ｅはそれぞれ出力端子１と４な
いし２と３に、高さの異なる２つの正の電位の制御信号を出力する。この電位は
それぞれ、配属されたハイサイド半導体スイッチＴ１とＴ４、ないしＴ２とＴ３
のドレイン端子の電位よりも大きい。しかしＮチャネル電力ＦＥＴによる誤極性
保護を制御するためには、比較的に高い正の電位の制御信号、すなわち電子回路
Ｅの出力側１ないし２の制御信号を供給するだけでよい。ゲート端子とソース端
子との間に作用するハイサイド半導体スイッチＴ１とＴ２に対する制御電圧は出
力側１と５，ないし２と６から取り出される。電子回路Ｅの出力側１および２か
ら取り出された制御信号はダイオードＤ１とＤ２を介して減結合され、誤極性保
護Ｎチャネル電力ＦＥＴのゲート端子に供給される。これにより電力出力段の制
御がハイサイド半導体スイッチＴ１〜Ｔ４のフルブリッジ回路により影響を受け
なくなる。As shown in FIG. 2, the load V can be switched on / off via a full bridge circuit including four high-side semiconductor switches T1 to T4. These are pairs, for example, T1 and T4 or T2 and T3 are controlled. When the load V is, for example, a motor, the rotation direction of the motor can be changed by controlling the pairs T1 and T4 and T2 and T3. Here, the electronic circuit E outputs two positive potential control signals having different heights to the output terminals 1 and 4 or 2 and 3 respectively. These potentials respectively correspond to the assigned high-side semiconductor switches T1 and T4 or T2 and T3.
Is larger than the potential of the drain terminal. However, in order to control the erroneous polarity protection by the N-channel power FET, it is only necessary to supply a control signal having a relatively high positive potential, that is, a control signal at the output 1 or 2 of the electronic circuit E. The control voltages for the high-side semiconductor switches T1 and T2 acting between the gate terminal and the source terminal are taken from the outputs 1 and 5, or 2 and 6. The control signals derived from the outputs 1 and 2 of the electronic circuit E are decoupled via the diodes D1 and D2 and supplied to the gate terminal of the wrong polarity protection N-channel power FET. Thus, the control of the power output stage is not affected by the full bridge circuit of the high-side semiconductor switches T1 to T4.
【００２０】 ハーフブリッジ回路として構成された電力出力段の場合でも、Ｎチャネル電力
ＦＥＴを導通切り替えするための制御電圧を、供給電圧Ｕのプラス電位＋と接続
されたハイサイド半導体に対する電子回路の制御信号から取り出すことができる
。ここで抵抗ＲとコンデンサＣからなるＲＣ素子はクロック動作でのみ必要であ
り、誤極性保護回路へフィードバックされるただ１つの制御線路にダイオードは
必要ない。Even in the case of the power output stage configured as a half-bridge circuit, the control voltage for switching the conduction of the N-channel power FET is controlled by the electronic circuit for the high-side semiconductor connected to the plus potential + of the supply voltage U. Can be extracted from the signal. Here, the RC element including the resistor R and the capacitor C is necessary only for the clock operation, and the diode is not necessary for only one control line fed back to the wrong polarity protection circuit.
【図１】 図１は、ハイサイド半導体スイッチと負荷との直列回路からなる電力出力段と
接続された誤極性保護回路である。FIG. 1 is an erroneous polarity protection circuit connected to a power output stage composed of a series circuit of a high-side semiconductor switch and a load.
【図２】 図２は、４つのハイサイド半導体スイッチと負荷からなるフルブリッジ回路と
して構成された電力出力段を有する誤極性保護回路である。FIG. 2 is an incorrect polarity protection circuit having a power output stage configured as a full bridge circuit including four high-side semiconductor switches and a load.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H730 AA20 BB21 DD04 DD16 XX02 XX13 XX22 XX33 XX41 5H740 BA12 BB01 BB05 HH01 JA01 KK01 MM01 5J055 AX31 AX32 AX44 AX64 BX16 CX20 DX13 DX59 DX60 DX84 EY01 EY10 EY12 FX05 GX01──────────────────────────────────────────────────続 き Continued from the front page F term (reference)
Claims (6)
力段のための誤極性保護回路であって、 前記ハイサイド半導体スイッチは供給電圧のプラス電位よりも大きな制御電圧
を必要とし、 該制御電圧は前置された電子回路により形成され、 該電子回路ではプラス電位の線路に誤極性保護としてＮチャネル電力ＦＥＴが
挿入接続されており、 該Ｎチャネル電力ＦＥＴは電力出力段が制御されるときに導通制御される形式
の誤極性保護回路において、 電子回路（Ｅ）からハイサイド半導体スイッチ（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）に
供給される制御電圧が誤極性保護Ｎチャネル電力ＦＥＴ（Ｔ）の制御のために供
給される、 ことを特徴とする誤極性保護回路。1. A mispolarity protection circuit for a power output stage having at least one high-side semiconductor switch, said high-side semiconductor switch requiring a control voltage greater than a plus potential of a supply voltage, The voltage is formed by a preceding electronic circuit, in which an N-channel power FET is inserted and connected to the positive potential line as an incorrect polarity protection, and the N-channel power FET is controlled when the power output stage is controlled. The control voltage supplied from the electronic circuit (E) to the high-side semiconductor switches (T1, T2, T3, T4) is the same as that of the erroneous polarity protection N-channel power FET (T). An incorrect polarity protection circuit provided for control.
間（Ｇ−Ｓ）の電力出力段がクロック動作される際、ＲＣ素子（Ｒ、Ｃ）が並列
回路に並列に接続される、請求項１記載の誤極性保護回路。2. The RC element (R, C) is connected in parallel to a parallel circuit when the power output stage of the gate-source section (GS) of the wrong polarity protection N-channel power FET (T) is clocked. The incorrect polarity protection circuit according to claim 1, wherein:
た電力出力段において、供給電圧（Ｕ）のプラス電位（＋）に接続されたハイサ
イド半導体スイッチ（Ｔ１，Ｔ２）に電子回路（Ｅ）から供給される制御電圧（
１，２）が供給される、請求項１または２記載の誤極性保護回路。3. In a power output stage configured as a half-bridge circuit or a full-bridge circuit, an electronic circuit (E) is connected to a high-side semiconductor switch (T1, T2) connected to the positive potential (+) of the supply voltage (U). ) Supplied from the control voltage (
3. An incorrect polarity protection circuit according to claim 1 or 2, wherein (1, 2) is supplied.
圧はダイオード（Ｄ１，Ｄ２）によって相互に減結合される、請求項３記載の誤
極性保護回路。4. The circuit of claim 3, wherein the control voltages supplied to the N-channel power FETs (T) are decoupled from one another by diodes (D1, D2).
ン・オフされる、請求項１から４までのいずれか１項記載の誤極性保護回路。5. The circuit of claim 1, wherein the electronic circuit is switched on and off by a start signal.
のマイナス極（アース）に接続された制御回路を介して供給電圧（Ｕ）の誤極性
付けの際に阻止される、請求項１から５までのいずれか１項記載の誤極性保護回
路。6. An incorrect polarity protection N-channel power FET (T) comprising a supply voltage (U)
6. A circuit according to claim 1, wherein the supply voltage is blocked by a control circuit connected to the negative pole of the power supply.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19848159.4 | 1998-10-20 | ||
| DE1998148159 DE19848159A1 (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Polarity inversion protection circuit for electronic final power stage has n-channel power FET that receives fed back drive voltage(s) from electronics to high side semiconducting switch(es) |
| PCT/DE1999/003290 WO2000024107A1 (en) | 1998-10-20 | 1999-10-13 | Reverse polarity protection circuit for power output stage with at least one highside semiconductor switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002528938A true JP2002528938A (en) | 2002-09-03 |
Family
ID=7884954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000577753A Pending JP2002528938A (en) | 1998-10-20 | 1999-10-13 | Incorrect polarity protection circuit for a power output stage having at least one high side semiconductor switch |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1123575A1 (en) |
| JP (1) | JP2002528938A (en) |
| DE (1) | DE19848159A1 (en) |
| WO (1) | WO2000024107A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015165745A (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-17 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | power supply circuit |
| WO2017175578A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Power supply control device |
| WO2017175584A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Power supply control device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10048184A1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-11 | Delphi Tech Inc | Reverse voltage protection circuit |
| DE10349629B4 (en) * | 2003-10-24 | 2015-09-03 | Robert Bosch Gmbh | Electronic circuit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4134495A1 (en) * | 1991-10-18 | 1993-04-22 | Bosch Gmbh Robert | CONTROL DEVICE FOR ELECTRIC MOTORS IN VEHICLES |
| US5519557A (en) * | 1993-11-19 | 1996-05-21 | Chrysler Corporation | Power supply polarity reversal protection circuit |
| EP0806827B1 (en) * | 1996-05-09 | 1998-04-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Reverse battery protection circuit |
| DE19717527A1 (en) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Bosch Gmbh Robert | Electronic circuit with reverse polarity protection |
-
1998
- 1998-10-20 DE DE1998148159 patent/DE19848159A1/en not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-10-13 EP EP99957897A patent/EP1123575A1/en not_active Ceased
- 1999-10-13 WO PCT/DE1999/003290 patent/WO2000024107A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-10-13 JP JP2000577753A patent/JP2002528938A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015165745A (en) * | 2014-03-03 | 2015-09-17 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | power supply circuit |
| WO2017175578A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Power supply control device |
| WO2017175584A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Power supply control device |
| JP2017188772A (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Power feed control device |
| CN108781078A (en) * | 2016-04-05 | 2018-11-09 | 株式会社自动网络技术研究所 | Power supply control apparatus |
| CN108781077A (en) * | 2016-04-05 | 2018-11-09 | 株式会社自动网络技术研究所 | Power supply control apparatus |
| US10411696B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-09-10 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Power supply control device |
| US10411699B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-09-10 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Power supply control device |
| CN108781077B (en) * | 2016-04-05 | 2021-11-16 | 株式会社自动网络技术研究所 | Power supply control device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1123575A1 (en) | 2001-08-16 |
| DE19848159A1 (en) | 2000-04-27 |
| WO2000024107A1 (en) | 2000-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7692474B2 (en) | Control circuit for a high-side semiconductor switch for switching a supply voltage | |
| JP3607033B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6304422B1 (en) | Polarity reversal protection circuit | |
| US7592831B2 (en) | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator | |
| EP2071726B1 (en) | Load driving device | |
| US6963498B2 (en) | Bootstrap capacitor refresh circuit | |
| US7456658B2 (en) | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator | |
| JP2006086507A (en) | Semiconductor device | |
| JP4336941B2 (en) | Load drive circuit | |
| JP2002528938A (en) | Incorrect polarity protection circuit for a power output stage having at least one high side semiconductor switch | |
| US7724047B2 (en) | Semiconductor integrated circuit driving external FET and power supply incorporating the same | |
| JP4727360B2 (en) | Gate circuit of insulated gate semiconductor device | |
| US6426857B1 (en) | Protective circuit for a power field-effect transistor | |
| JP2006129595A (en) | Switching circuit | |
| US7173350B2 (en) | Load drive control apparatus having minimized power consumption when functioning in waiting status | |
| JP3977332B2 (en) | Power control integrated circuit with active impedance to prevent sense of spurious information | |
| US6400192B2 (en) | Electronic circuit provided with a digital driver for driving a capacitive load | |
| JP3963198B2 (en) | Lighting device for discharge lamp | |
| JP3688163B2 (en) | Control circuit | |
| JP2001156606A (en) | Controller for switch | |
| JP4007698B2 (en) | Display panel drive circuit | |
| JP4163877B2 (en) | Totem pole push-pull amplifier | |
| US20030030424A1 (en) | Supply voltage reference circuit | |
| JP3036556B2 (en) | N channel FET drive control circuit | |
| KR100320174B1 (en) | Initial charging circuit for power element drive ic of bootstrap type |