JP2002523252A - マイクロメカニカルな構成エレメント、並びに、該構成エレメントの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 マイクロメカニカルな構成エレメントが基板の表面に設けられている。中空室（Ｈ）の下側にセルのコンデンサの対向電極が配置されていて、該対向電極は例えば下側の伝導性の層の第１の部分である。中空室（Ｈ）に亘って、コンデンサの電極として作用する例えば円形の薄膜（＝ダイヤフラム）が配置されている。薄膜は均質でありほぼ均一な厚さを有しており、例えば、有利には下側の伝導性の層の第２の部分に支持される上側の伝導性の層の部分である。中空室（Ｈ）に側方でエッチング通路（Ａ）が接続されていて、該エッチング通路を介して、中空室（Ｈ）を形成するために犠牲層が除去される。エッチング通路（Ａ）が中空室（Ｈ）の垂直方向寸法に等しい垂直方向寸法を有している。閉鎖体が上方からエッチング通路（Ａ）に隣接していてかつ薄膜の外部に配置されている。構成エレメントは圧力センサとして用いられる。構成エレメントはセルを有していて、この場合、１個のセルが６個の密接するセルに隣接している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、マイクロメカニカルな構成エレメント、並びに、該構成エレメント
の製法に関する。

【０００２】 より高速で小型の切換え装置に関し、電子的な回路をマイクロメカニカルな構
成エレメント、例えばセンサ又はアクチュエータと共に単一のチップ内に組み込
むことが所望されている。

【０００３】 第１１回、固体トランスデューサに関するヨーロッパ会議（ポーランド ワル
シャワ（１９９７）１５９５ T.Scheiter 他著 “Full integration of press
ure sensor system into a standard BiCMCOS-Process”Eurosensors XI におい
て開示された圧力センサは、シリコン基板の表面に標準 BiCMOS・プロセスで形
成される。圧力センサを形成するために基板の表面には、コンデンサの第１のコ
ンデンサ電極として作用するドーピングされた区分が形成される。ドーピング区
分に亘って、犠牲層として用いられる６００ｎｍ厚さのフィールド酸化物が形成
される。犠牲層に亘って、ポリシリコンから成る４００ｎｍ厚さの層が析出され
る。ポリシリコンから成る層内には開口が形成され、次いで、該開口を介して犠
牲層の一部がエッチングによって除去され、これによって、ポリシリコンから成
る層の下側に中空室が形成される。前記開口は、別の析出された層によって閉鎖
される。次いで別の層が、中空室に亘って配置されたポリシリコンから成る層部
分が露出するように、構造化される。それぞれ中空室に亘って配置されたポリシ
リコンから成る層部分及び別の層部分によって薄膜（＝ダイヤフラム）が形成さ
れる。該薄膜は、開口の領域に肉厚部を有していて、該肉厚部において薄膜はイ
ンフレキシブルに形成されている。薄膜部分を成すポリシリコンから成る層部分
は、コンデンサの第２のコンデンサ電極として作用する。圧力に基づく薄膜の変
位によって、第１のコンデンサ電極と第２のコンデンサ電極との間の間隔が変化
し、これにより、圧力に関する尺度を成すコンデンサのキャパシタンスが変化す
る。ポリシリコンから成る層の露出部分の面サイズは、即ち、薄膜の変形可能な
領域は、薄膜の剛性を規定する。測定すべき圧力領域が高くなるほど、変形可能
領域は小さくなる。この場合、変位によって惹起される機械的な負荷がほぼ薄膜
の変形可能部分にのみ分配されるという欠点が生ずる。ほぼ２０バール以上の圧
力のためにはこの種の圧力センサは不適である。それというのも、変形可能な薄
膜領域の機械的な負荷が破壊限界の近くにあるからである。更に、例えばリソグ
ラフィエラーのようなプロセス変動によって、変形可能領域が小さいため薄膜の
剛性に対する制御不能な著しい影響が生ぜしめられる。

【０００４】 G.Ehrler 著、センサマガジン（Sensormagazin）１／９２ １０ “Piezores
istive Silizium-Elementardrucksensoren”で開示された圧力センサの場合には
、ピエゾ抵抗効果によって圧力が測定される。シリコン基板の表面には、ホイー
トストンブリッジに結線される４つの拡散区分が形成される。拡散区分に亘って
は不動態層が配置される。基板の背面側では、拡散区分にまで達する開口が形成
される。凹部は圧力チャンバを形成し、該圧力チャンバは、絶対圧力センサのた
めに真空をかけられかつ下方から閉鎖されている。拡散区分を内設しかつ圧力チ
ャンバに亘って配置されている基板の層は、圧力センサの薄膜として作用する。
不動態層に作用する圧力は薄膜を変位させ、これにより薄膜内で応力が生ずる。
該応力は、ピエゾ効果に基づき基板の層の導電性を変化せしめひいては圧力に関
する尺度を成す拡散区分の抵抗の大きさを変化せしめる。この種のセンサは高圧
センサとして役立つ。しかしながら、特に前面側並びに背面側におけるシリコン
基板の加工に基づき、この種のセンサを形成するためのプロセス費用は極めて高
額である。

【０００５】 H.Dudaicevc 他著“A fully integrated surface micromachined pressure se
nsor with low temperature dependence”Transducers ’９５ Eurosensors IX
（１９９５）６１６において開示された圧力センサの場合には、コンデンサの第
１の電極が、シリコン基板の表面にドーピング区分として形成されるセルを有し
ている。表面には窒化シリコンから成る絶縁層が塗布され、該絶縁層に亘って酸
化物から成る犠牲層が析出されて、ほぼ１００μｍ直径の形成される中空室を充
填するように、構造化される。次いで、薄い酸化層が析出されて、犠牲層の側方
に酸化物から成る流出部が接続されるように、構造化される。次いで、ポリシリ
コンから成る層が析出されて、犠牲層及び流出部部分が覆われるように、構造化
される。ポリシリコン及び窒化シリコンに対して選択的に酸化物をエッチングす
ることによって、薄い酸化層及び犠牲層が除去され、この場合、流出部がエッチ
ング通路として作用する。ポリシリコンから成る層の下側には中空室が形成され
る。ポリシリコンから成る層は、窒化シリコンから成る層に支持される。中空室
をシールするために、エッチング通路を側方で閉鎖する酸化物が析出される。エ
ッチング通路が完全に覆われるようにするために、薄い酸化層を過度に厚くしな
いことが重要である。しかしながらこれによって、エッチングプロセスが遅延さ
れかつ場合によっては完全に実施されない。更に、使用されるエッチング媒体の
洗流しは極めて困難である。多数の同じセルは、ｘ−ｙ・パターンで配置されか
つ互いに平行に結線されている。

【０００６】 本発明の課題は、高圧センサとして構成できかつ従来技術に比して僅かなプロ
セス費用で製作できるか又は高いプロセス安全性をもって製作できるマイクロメ
カニカルな構成エレメントを提供することにある。更に本発明の課題は、このよ
うなマイクロメカニカルな構成エレメントの製法を提供することにある。

【０００７】 前記課題は本発明によるマイクロメカニカルな構成エレメントによれば、該構
成エレメントが、薄膜を備えた少なくとも１つのセルを有しており、前記薄膜が
、セルのコンデンサの電極として作用しかつほぼ均一な厚さでセルの中空室に亘
って配置されていることによって、解決された。中空室の下側にはコンデンサの
対向電極が配置されている。中空室の側方には少なくとも１つのエッチング通路
が接続されている。エッチング通路は、中空室の垂直方向寸法に等しい垂直方向
寸法を有している。閉鎖体は上方からエッチング通路に隣接している。

【０００８】 更に前記課題は、マイクロメカニカルな構成エレメントの製法によれば、構成
エレメントのセルのコンデンサの対向電極に亘って犠牲層を形成し、該犠牲層を
、セルの形成される中空室領域及び該中空室に接続されるエッチング通路領域を
犠牲層が充填するように、構造化することによって、解決された。犠牲層に亘っ
て伝導性の層が適合して塗布され、かつ、エッチング通路に亘って、犠牲層にま
で達する開口が形成される。犠牲層はエッチングプロセスで除去され、これによ
り中空室が形成され、かつ、中空室に亘って配置された、セルの薄膜及びコンデ
ンサの電極として作用する伝導性材料部分が変位可能である。エッチング通路は
、開口の領域で上方から閉鎖体によって閉鎖される。

【０００９】 方法は、CMOS・プロセス技術と互換可能である。

【００１０】 マイクロメカニカルな構成エレメントは容量式の測定原理を基礎としている。
中空室の少なくとも一部は、コンデンサの、空隙として構成されたコンデンサ誘
電体の部分であり、コンデンサのキャパシタンスは薄膜に対する圧力に関する尺
度を成す。従ってマイクロメカニカルな構成エレメントを、例えば圧力センサ又
はマイクロホンとして使用できる。

【００１１】 犠牲層（該犠牲層の除去により中空室が形成される）が設けられているので、
マイクロメカニカルな構成エレメントは基板の表面に配置することができる。従
って、基板背面のプロセス加工が不要であるため、G.Ehrler （上述参照）によ
る圧力センサに比してプロセス費用が僅かである。T.Scheiter 他著の上記引用
文献による圧力センサとは異なって、薄膜は、圧力により容易に裂断され得る特
に薄い部分は有していない。更に薄膜は肉厚部も有しておらず、該肉厚部の縁部
においては圧力により、薄膜破損を招く局部的な負荷ピークが生ぜしめられる虞
れがある。薄膜はほぼ均一な厚さを有しているので、圧力は均一に薄膜に分配さ
れ、それ故、薄膜は T.Scheiter 他著の上記引用文献による薄膜よりも安定的で
ある。犠牲層のエッチングのために使用されるエッチング媒体を除去する場合に
は、薄膜に大きな毛管力が作用する。薄膜は T.Scheiter 他著の上記引用文献に
よる圧力センサの場合のように特に薄い、即ち、軟質の薄膜部分を有しているの
で、該薄膜部分は中空室の底部に付着状態で維持できる。それ故、均一な厚さの
薄膜の別の利点は、薄膜が製作プロセス中にも機械的に極めて安定的であるとい
うことにある。

【００１２】 閉鎖体は上方からエッチング通路に隣接しているので、H.Dudaicevc 他著（上
記参照）による圧力センサとは異なって、エッチング通路の大きな垂直方向寸法
は中空室のシールのために妨げにはならない。エッチングプロセスは迅速に行わ
れかつエッチング媒体は容易に洗い流すことができる。H.Dudaicevc 他著（上記
参照）による圧力センサに比して、マイクロメカニカルな構成エレメントを高い
プロセス安全性をもって形成できる。

【００１３】 側方で犠牲層に接続されるエッチング通路が設けられるため、薄膜内に開口を
形成せずに犠牲層を除去できる。従って、薄膜は均質にしかもほぼ同じ厚さで形
成できる。閉鎖体は薄膜の外部に位置する。

【００１４】 薄膜は、中空室に上方からしかも側方で隣接する上側の伝導性の層部分であっ
てよい。このために、犠牲層が全面で塗布され、次いで、マスキングされたエッ
チングによって構造化される。次いで、上側の伝導性の層が析出されるので、該
層は犠牲層を覆いかつ側方で取り囲む。エッチング通路が中空室に隣接する所定
の領域を除いて、中空室は上側の伝導性の層によって取り囲まれる。

【００１５】 選択的に中空室は側方で別の材料によって取り囲まれる。犠牲層を例えば別の
材料の凹部内に形成することができる。選択的に犠牲層は、マスキングされたエ
ッチングによって構造化されかつ次いで別の層が析出されて平坦化される。犠牲
層に亘って上側の伝導性の層が塗布される。

【００１６】 対向電極は基板内のドーピング区分として実現できる。

【００１７】 ｐ−ｎ・接合及びこれに関連した遮断層キャパシタンス及び電圧制限を回避す
るために、対向電極が、第１の絶縁層上に配置されている構造化された下側の伝
導性の層の第１の部分であると有利であり、第１の絶縁層は矢張り基板の表面に
配置されている。第１の絶縁層は有利には、対向電極及び基板によって形成され
るキャパシタンスを僅かに維持するような厚さを有している。

【００１８】 有利には、上側の伝導性の層は構造化された下側の伝導性の層の第２の部分に
支持されている。構造化された下側の伝導性の層の第２の部分は、犠牲層を構造
化する際にエッチングストップとして作用する。構造化された下側の伝導性の層
の第２の部分は、電極として作用する薄膜を対向電極に電気的に接続しないよう
にするために、対向電極から分離されている。対向電極はエッチング通路の下側
で拡張できるが、他の場合には中空室よりも小さな面積を占める、即ち、対向電
極の水平方向横断面はセル領域で中空室の水平方向横断面よりも小さい。セルの
コンデンサのキャパシタンスをできるだけ大きくするために、対向電極はできる
だけ多くの面積を占める、即ち、対向電極によって占められる面積は中空室の面
積と同じ形状を有しかつほぼ中空室の縁部にまで達している。

【００１９】 更に、第１の絶縁層及び犠牲層が同じ材料、例えば SiO_２から形成されると、
有利である。

【００２０】 第１の絶縁層及び犠牲層が同じ材料から形成される場合には、構造化された下
側の伝導性の層の第２の部分と対向電極との間の領域で犠牲層が第１の絶縁構造
に直接隣接していないと、有利である。それというのも、このような構成でない
と、前記第１の絶縁構造が同様に作用を受けるからである。更に、構造化された
第１の伝導性の層に亘って第２の絶縁層が形成されると有利であり、該第２の絶
縁層は、犠牲層に対して選択的に及び第１の絶縁層に対して選択的にエッチング
可能でありかつ前記第２の絶縁層に亘って犠牲層が形成される。第２の絶縁層は
犠牲層に類似して構造化される。構造化された下側の伝導性の層の第２の部分と
対向電極との間の領域では、第２の絶縁層が直接第１の絶縁層に隣接しかつ犠牲
層を除去する際に第１の絶縁層を防護する。

【００２１】 薄膜の電気的な接続は、セルの外部で構造化された下側の伝導性の層の第２の
部分を介して行われる。

【００２２】 更に、薄膜がほぼ円形横断面を有していると有利である。角形横断面とは異な
って、圧力が均一に薄膜に分配されるので、薄膜は安定的である。

【００２３】 大きな面に外圧を及ぼすことができるようにするために、マイクロメカニカル
な構成エレメントが多数の同じセルを有していると有利である。セルの中空室は
有利にはエッチング通路を介して互いに接続されているので、中空室内の空気圧
力はほぼ一致する。このことは、薄膜損傷の診断を容易にする。

【００２４】 閉鎖体が互いに密接して位置すればするほど、犠牲層の除去が容易になる。従
って、薄膜の直径が小さくしかも例えば１０μｍ乃至３０μｍであると有利であ
る。このことは、薄膜の特に高い安定性を生ぜしめる。直径が小さいと薄膜は変
位し難くなるので、マイクロメカニカルな構成エレメントは高圧センサとして役
立つ。

【００２５】 セルが互いにできるだけ密接して配置されると有利である。それというのも、
マイクロメカニカルな構成エレメントの面積が同じであればマイクロメカニカル
な構成エレメントの感度が高められるからである。薄膜が円形横断面を有する場
合には、セルは有利には六角形のパターンで配置される。それぞれ３つのセルが
互いに隣接し、この場合、セルの中心点は等辺三角形のコーナに位置する。従っ
て、１つのセルが、セルの周りに環状に配置された６個のセルに隣接する。セル
は互いに等間隔を有する３つのエッチング通路を有している。種々のセルのそれ
ぞれ３つのエッチング通路が所定の領域で互いに合流し、該領域に亘って閉鎖体
が配置されかつ該領域はセルの間に位置する。

【００２６】 セルを互いに隣接して配置する代わりに、互いに間隔を置いて配置することも
できる。

【００２７】 セルは３つとは異なる数のエッチング通路を有することもできる。

【００２８】 セルの対向電極は、エッチング通路内で延びる伝導性のウエブを介して連結さ
れていてかつウエブと共に構造化された第１の伝導性の層の第１の部分を形成し
ている。この場合、構造化された下側の層の第１の部分はセルの共通の対向電極
として作用する。

【００２９】 圧力センサの圧力範囲は、薄膜の厚さの選択及び薄膜の水平方向横断面の大き
さの選択により規定される。４０バール乃至２００バールの圧力範囲のために、
薄膜の半径は有利には１３μｍ乃至７μｍである。

【００３０】 犠牲層が薄くなるほど、圧力が変化した場合のキャパシタンスの変化が大きく
なる。犠牲層の厚さは、有利には２００ｎｍ乃至５００ｎｍである。

【００３１】 閉鎖体は、例えばＢＰＳＧ（ホウ素リンケイ酸塩ガラス＝Borphosphorsilikat
glas）の析出及び流動化によって形成される。

【００３２】 更に、閉鎖体又は上側の伝導性の層を形成するために、種々の材料の多数の層
を析出することもできる。

【００３３】 下側の伝導性の層は、マイクロメカニカルな構成エレメントの周囲のコンデン
サ又は基板の別の部分のコンデンサの上側のコンデンサ電極と同時に製作できる
。

【００３４】 第１の絶縁層及び犠牲層は例えば SiO_２を有している。しかしながら別の絶縁
材料を使用も同様に本発明の範囲に属する。第２の絶縁層は例えば窒化シリコン
を含有している。しかしながら別の絶縁材料の使用も同様に本発明の範囲に属す
る。上側の伝導性の層及び下側の伝導性の層は、例えばドーピングされたポリシ
リコン又は例えば金属を含有する別の伝導性の材料を有している。S_ｉO_２は、熱
的に成長するか又は析出される。有利には、薄膜を周囲環境から防護するために
、薄膜に亘って窒化シリコン又は窒化チタンから成るコーティング層が塗布され
る。

【００３５】 次に図示の実施例に基づき本発明を説明する。

【００３６】 シリコンから成る基板１の表面には、ほぼ６００ｎｍ厚さのSiO_２の析出によ
って、第１の絶縁層Ｉ１が形成される（第３図参照）。

【００３７】 次いで、伝導性の層Ｌを形成するために、ほぼ２００ｎｍ厚さのポリシリコン
が析出されかつインプラントされる。

【００３８】 プラズマエッチングによって、伝導性の層Ｌが構造化される。この場合、コン
デンサの円形の対向電極２及びウエブ３を有する伝導性の層Ｌの第１の部分が形
成される。対向電極２は、ほぼ１０μｍの直径を有しかつそれぞれ６個の直接隣
接する対向電極２を有している。各対向電極２には、互いに等間隔を有する３つ
のウエブ３が接している。それぞれ３つのウエブ３は互いに合流する。

【００３９】 伝導性の層Ｌの第１の部分の外部には、伝導性の層Ｌの第１の部分から分離さ
れている、伝導性の層Ｌの第２の部分４が配置されている（第１図参照）。

【００４０】 第２の絶縁層Ｉ２を形成するために、ほぼ３０ｎｍ厚さの窒化シリコンが析出
される。第２の絶縁層Ｉ２に亘って、犠牲層を形成するためにほぼ３００ｎｍ厚
さの SiO_２が析出される（第３図参照）。

【００４１】 ドライエッチングによって、犠牲層及び第２の絶縁層Ｉ２が構造化される。構
造化は伝導性の層Ｌを構造化するのと類似の形式で行われるが、次のような寸法
が選択されることが異なっている、つまり、伝導性の層又は構造Ｌの第１の部分
に形状合致するが、該第１の部分よりも大きく形成されしかも該第１の部分を覆
うような犠牲層部分が形成されるように、寸法が選択されることが異なっている
。従って、犠牲層の第１の部分は同様に円形の区分及びウエブを有している。犠
牲層部分の円形の区分の半径は、ほぼ８μｍである（第２図参照）。犠牲層及び
第２の絶縁層Ｉ２の構造化によって、下側の伝導性の層の第２の部分が露出され
る。

【００４２】 次いで、ドーピング材料濃度がほぼ１０^１８ ｃｍ^-３になるまで、ほぼ１μ
ｍ厚さのポリシリコンから成る上側の伝導性の層Ｆが析出されて、インプラント
される。

【００４３】 犠牲層部分のウエブが互いに合流する領域では、マスキングされたエッチング
によって層Ｆ内に、犠牲層が露出するまで開口が形成される。

【００４４】 例えばエッチング媒体として緩衝されたフッ化水素酸を用いて、犠牲層部分が
除去される。この場合、犠牲層部分のウエブがエッチング通路Ａとして作用する
。犠牲層部分の円形の区分内には中空室Ｈが形成される（第２図第３図及び第４
図参照）。第２の絶縁層Ｉ２は、犠牲層が下側の伝導性の層Ｌに隣接しない個所
で（第３図参照）、犠牲層を除去する際に第１の絶縁層Ｉ１を防護する。上側の
伝導性の層Ｆは、下側の伝導性の層Ｌの第２の部分４に支持される。

【００４５】 ほぼ８００ｎｍ厚さのＢＰＳＧの析出及び流動化によって、中空室Ｈ及びエッ
チング通路Ａがシールされる。開口内には、上方からエッチング通路Ａに隣接す
る閉鎖体Ｖが形成される（第２図及び第４図参照）。次いで、ほぼ４０ｎｍ厚さ
のコーティング層（図示せず）が析出される。

【００４６】 上側の伝導性の層Ｆの、中空室Ｈに亘って配置された部分は、圧力センサの円
形の薄膜（＝ダイヤフラム）として作用する。薄膜はコンデンサの電極として作
用する。

【００４７】 同様に本発明の範囲に属する多くの変化実施例が可能である。従って、区分、
層、ウエブ及び閉鎖体の寸法をその都度の要求に適合できる。

【００４８】 ポリシリコンは、インプラント又は拡散による代わりにドーピング源からドー
ピングすることもできる。

【００４９】 コーティング層の代わりに、例えば１μｍ厚さの不動態層を析出することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 基板の平面図であって、該基板内には、構造化された下側の伝導性の層が図示
されている。

【図２】 基板の平面図であって、該基板内には、中空室及び閉鎖体が図示されている。

【図３】 圧力センサ形成後の基板の横断面図。

【図４】 第３図横断面図に対して垂直方向の、圧力センサ形成後の基板の横断面図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウス−ギュンター オッパーマン ドイツ連邦共和国 ホルツキルヒェン シ ュッツェンシュトラーセ 27 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB16 CC02 DD05 EE25 FF43 GG11

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロメカニカルな構成エレメントにおいて、 少なくとも１つのセルが設けられており、 該セルが、セルのコンデンサの電極として作用する薄膜を有していて、該薄膜
   が、均質でありかつほぼ均一な厚さでセルの中空室（Ｈ）に亘って配置されてお
   り、 該中空室（Ｈ）の下側にコンデンサの対向電極（２）が配置されており、 前記中空室の側方に少なくとも１つのエッチング通路（Ａ）が接続されており
   、 該エッチング通路（Ａ）が、中空室の垂直方向寸法に等しい垂直方向寸法を有
   しており、 閉鎖体（Ｖ）が、上方からエッチング通路に隣接していてかつ薄膜の外部に配
   置されていることを特徴とするマイクロメカニカルな構成エレメント。
2. 【請求項２】 薄膜が、上側の伝導性の層（Ｆ）の部分であり、 上側の伝導性の層（Ｆ）が、上方から及び側方で中空室（Ｈ）に隣接している
   、請求項１記載のマイクロメカニカルな構成エレメント。
3. 【請求項３】 第１の絶縁層（Ｉ１）が基板の表面に配置されており、 構造化された下側の伝導性の層（Ｌ）が第１の絶縁層（Ｉ１）上に配置されて
   おり、 構造化された下側の伝導性の層（Ｌ）の第１の部分が対向電極（２）であり、 上側の伝導性の層（Ｆ）が構造化された下側の伝導性の層（Ｌ）の第２の部分
   （４）に支持されていて、該部分が構造化された下側の伝導性の層（Ｌ）の第１
   の部分から絶縁されている、請求項２記載のマイクロメカニカルな構成エレメン
   ト。
4. 【請求項４】 第２の絶縁層（Ｉ２）が構造化された下側の伝導性の層（Ｌ
   ）上に配置されており、 中空室（Ｈ）が下方から第２の絶縁層（Ｉ２）によって制限されている、請求
   項３記載のマイクロメカニカルな構成エレメント。
5. 【請求項５】 薄膜がほぼ円形横断面を有しており、 セルが、互いに等間隔を有する少なくとも３つのエッチング通路（Ａ）を有し
   ており、 多数の同一のセルが設けられていて、 該セルのそれぞれ３つが互いに隣接していてかつセルの中心点が等辺三角形の
   コーナに位置しており、 種々のセルのそれぞれ３つのエッチング通路（Ａ）が所定の領域で互いに合流
   していて、該領域に亘って閉鎖体（Ｖ）が配置されていてかつ該領域が前記セル
   の間に位置している、請求項１から４までのいずれか１項記載のマイクロメカニ
   カルな構成エレメント。
6. 【請求項６】 セルの対向電極（２）が、エッチング通路（Ａ）内に延びる
   伝導性のウエブ（３）を介して互いに連結されていてかつウエブ（３）と共に構
   造化された下側の伝導性の層（Ｌ）の第１の部分を形成している、請求項１から
   ５までのいずれか１項記載のマイクロメカニカルな構成エレメント。
7. 【請求項７】 ４０バール以上の圧力を測定する高圧センサとして３０μｍ
   よりも小さな薄膜直径を有するマイクロメカニカルな構成エレメントが使用され
   る、請求項１から６までのいずれか１項記載のマイクロメカニカルな構成エレメ
   ント。
8. 【請求項８】 マイクロメカニカルな構成エレメントの製法において、 セルのコンデンサの対向電極（２）に亘って犠牲層を形成して、該犠牲層を、
   セルの形成すべき中空室（Ｈ）領域及び側方で該中空室に接続されるエッチング
   通路（Ａ）領域を犠牲層が充填するように、構造化し、 犠牲層に亘って上側の伝導性の層（Ｆ）を適合して塗布し、 エッチング通路（Ａ）に亘って上側の伝導性の層（Ｆ）内に、犠牲層にまで達
   するまで開口を形成し、 犠牲層をエッチングによって除去して、中空室（Ｈ）を形成し、かつ、中空室
   （Ｈ）に亘って配置された上側の伝導性の層（Ｆ）の部分を変位可能にししかも
   コンデンサの電極及びセルの薄膜として作用させ、 エッチング通路（Ａ）を開口の領域で上方から閉鎖体（Ｖ）によって閉鎖する
   ことを特徴とする、マイクロメカニカルな構成エレメントの製法。
9. 【請求項９】 基板（１）に第１の絶縁層（Ｉ１）を形成し、 第１の絶縁層（Ｉ１）に亘って下側の伝導性の層（Ｌ）を析出及び構造化して
   、対向電極（２）を形成する下側の伝導性の層（Ｌ）の第１の部分と該部分から
   分離された、下側の伝導性の層（Ｌ）の第２の部分（４）とを形成し、 下側の伝導性の層（Ｌ）に亘って第２の絶縁層（Ｉ２）を形成し、 第２の絶縁層（Ｉ２）に亘って、第２の絶縁層（Ｉ２）に対して選択的にエッ
   チング可能な犠牲層を形成し、 第２の絶縁層（Ｉ２）及び犠牲層を互いに類似してしかも、第２の絶縁層（Ｉ
   ２）が下側の伝導性の層（Ｌ）の第１の部分を完全に覆いかつ下側の伝導性の層
   （Ｌ）の第２の部分（４）がエッチングストップとして作用するように、構造化
   し、 犠牲層に亘って上側の伝導性の層（Ｆ）を形成し、これにより該伝導性の層を
   部分的に側方で犠牲層に隣接させる、請求項８記載の製法。