JP2002522877A - 絶縁体 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01B19/04—Treating the surfaces, e.g. applying coatings
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
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- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Insulators (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
セラミック（Ｋ）からなる成形体（２）と、この成形体の表面に形成された疎水性被膜を備えた絶縁体（１）において、この疎水性被膜がプラズマポリマー（Ｐ）からなり、直接セラミックの表面に設けられている。従来セラミックの表面に設けられた釉薬は、このプラズマポリマーによって置き換えられている。このような絶縁体は電気的絶縁耐力に関して長期安定性を備えている。セラミックの表面における漏洩距離を上げるために成形体を複雑な形状に形成したり釉薬をかけたりする必要がないので、大幅なコストの削減ができる。
Description
【０００１】 この発明は、セラミックからなる成形体と、この成形体の表面に形成された疎
水性の被膜とを備えた絶縁体に関する。
水性の被膜とを備えた絶縁体に関する。
【０００２】 セラミックからなる成形体を備える絶縁体は、電気絶縁技術において多方面に
わたり使用されている。このような絶縁体は、例えばマイクロエレクトロニクス
分野の部品素子として、パワーエレクトロニクスの部品素子の絶縁ケースとして
、しかしまた強電技術において送電架線を引き回したり、それらの間隔を保持し
たりするための高圧絶縁体としても使用される。
わたり使用されている。このような絶縁体は、例えばマイクロエレクトロニクス
分野の部品素子として、パワーエレクトロニクスの部品素子の絶縁ケースとして
、しかしまた強電技術において送電架線を引き回したり、それらの間隔を保持し
たりするための高圧絶縁体としても使用される。
【０００３】 セラミックとは陶土セラミック、磁器又はステアタイトと理解される。セラミ
ックはカオリン、石英、陶土、アルミナ及び／又は長石等の原材料に、色々な種
類の添加剤を加えて混合し、次いで焼成或いは焼結する工程で得られる。
ックはカオリン、石英、陶土、アルミナ及び／又は長石等の原材料に、色々な種
類の添加剤を加えて混合し、次いで焼成或いは焼結する工程で得られる。
【０００４】 セラミックからなる成形体を備えた絶縁体を電気絶縁技術において多方面で使
用するのは、他の材料では達成することのできないセラミック或いはセラミック
物質の特有な性質があるためである。セラミックは、例えば形状保持力が大きく
、硬度及び機械的強度が大きく、電気絶縁性能が高く、誘電特性がよく、化学的
侵食に対する耐性が高いことから耐食性が大きくかつ耐熱性及び耐候性が大きい
という特徴を備えている。
用するのは、他の材料では達成することのできないセラミック或いはセラミック
物質の特有な性質があるためである。セラミックは、例えば形状保持力が大きく
、硬度及び機械的強度が大きく、電気絶縁性能が高く、誘電特性がよく、化学的
侵食に対する耐性が高いことから耐食性が大きくかつ耐熱性及び耐候性が大きい
という特徴を備えている。
【０００５】 絶縁体は長期的には、その使用場所により多かれ少なかれ表面汚染を受け、こ
れにより清浄な絶縁体の元々の絶縁特性が悪化することがある。このような汚染
は、例えば工場塵埃や塩の堆積により或いは表面に結露していた湿気が蒸発する
際に、それに溶けていた粒子が析出することにより発生する。以下においてはこ
れを異物層付着と呼ぶ。
れにより清浄な絶縁体の元々の絶縁特性が悪化することがある。このような汚染
は、例えば工場塵埃や塩の堆積により或いは表面に結露していた湿気が蒸発する
際に、それに溶けていた粒子が析出することにより発生する。以下においてはこ
れを異物層付着と呼ぶ。
【０００６】 焼成されたセラミックは表面粗さが比較的大きいことを特徴とする。粗い表面
は滑らかな表面より遥かに速く汚染するから、絶縁体であるセラミック成形体の
表面に表面釉薬をガラス状の溶融物の形で設けることが公知である。このように
して、ある種の自己洗浄を行い、絶縁体の汚染傾向を大きく減少させようとして
いる。しかしながら、この場合、製造コストが釉薬を形成することにより著しく
増大する。釉薬の原材料、顔料、製造法、それにセラミック成形体の部分的に複
雑な形状に釉薬を被着することが大きなコスト要因である。また付加的な工程と
しての釉薬の被着は製造不良品率を上げる。
は滑らかな表面より遥かに速く汚染するから、絶縁体であるセラミック成形体の
表面に表面釉薬をガラス状の溶融物の形で設けることが公知である。このように
して、ある種の自己洗浄を行い、絶縁体の汚染傾向を大きく減少させようとして
いる。しかしながら、この場合、製造コストが釉薬を形成することにより著しく
増大する。釉薬の原材料、顔料、製造法、それにセラミック成形体の部分的に複
雑な形状に釉薬を被着することが大きなコスト要因である。また付加的な工程と
しての釉薬の被着は製造不良品率を上げる。
【０００７】 セラミック成形体の表面に滑らかな釉薬を被着するだけでは、多くの場合、絶
縁体の電気的特性を長期にわたり保証するのに不充分である。滑らかな釉薬でも
塵の堆積を長い間にわたり阻止することができず、さらにセラミック成形体の形
状を、成形体の表面に沿って流れる洩れ電流のための漏洩距離ができるだけ長く
なるように形成せねばならない。そのため高圧絶縁体は、例えば円筒状の胴体に
沿って多数の皿状のリブ或いは笠を備えている。異なる使用場所に応じ笠の数を
変えたり、笠の傾斜を変えたりすることにより及び／又は笠の張出しを変えるこ
とによりこれに対処している。このような形状構成により、絶縁すべき２極間の
漏洩距離は単なる円筒状の絶縁体に対し著しく増大する。この笠状構成に滑らか
な釉薬を組み合わせることにより、成形体表面の汚れを雨により洗い流すことが
できるので、成形体表面のある種の自己洗浄を達成することができる。
縁体の電気的特性を長期にわたり保証するのに不充分である。滑らかな釉薬でも
塵の堆積を長い間にわたり阻止することができず、さらにセラミック成形体の形
状を、成形体の表面に沿って流れる洩れ電流のための漏洩距離ができるだけ長く
なるように形成せねばならない。そのため高圧絶縁体は、例えば円筒状の胴体に
沿って多数の皿状のリブ或いは笠を備えている。異なる使用場所に応じ笠の数を
変えたり、笠の傾斜を変えたりすることにより及び／又は笠の張出しを変えるこ
とによりこれに対処している。このような形状構成により、絶縁すべき２極間の
漏洩距離は単なる円筒状の絶縁体に対し著しく増大する。この笠状構成に滑らか
な釉薬を組み合わせることにより、成形体表面の汚れを雨により洗い流すことが
できるので、成形体表面のある種の自己洗浄を達成することができる。
【０００８】 しかしながら、絶縁体の簡単な形状に比較して、漏洩距離を増大するような成
形体の形状変更は、どのようなものであっても、材料及び製造時間の増大、従っ
て製造コストの高騰を意味する。
形体の形状変更は、どのようなものであっても、材料及び製造時間の増大、従っ
て製造コストの高騰を意味する。
【０００９】 さらに、釉薬を備えたセラミック成形体からなる絶縁体の大きな漏洩距離でさ
えも、特別な使用条件では所望の電気絶縁特性を長期間にわたり保証するのに充
分でないことが判っている。それに、絶縁体が、異物層が付着した状態で使用さ
れるときは、絶縁体の釉薬をかけたセラミック成形体が、その機能適性を失わな
いようにするために、規則的な時間間隔で堆積物を手作業で取り除かねばならな
い。さらに、ガラス状の溶融体からなる公知の釉薬は、その表面が好ましくない
親水性を示す。汚物粒子を表面に含む水膜が形成され、絶縁体表面は導電性にな
る。その結果、湿気をおびかつ汚染された表面に所謂洩れ電流が流れ、これが閃
絡にまで成長し、かくして絶縁体の電気的な機能喪失を起こさせる。
えも、特別な使用条件では所望の電気絶縁特性を長期間にわたり保証するのに充
分でないことが判っている。それに、絶縁体が、異物層が付着した状態で使用さ
れるときは、絶縁体の釉薬をかけたセラミック成形体が、その機能適性を失わな
いようにするために、規則的な時間間隔で堆積物を手作業で取り除かねばならな
い。さらに、ガラス状の溶融体からなる公知の釉薬は、その表面が好ましくない
親水性を示す。汚物粒子を表面に含む水膜が形成され、絶縁体表面は導電性にな
る。その結果、湿気をおびかつ汚染された表面に所謂洩れ電流が流れ、これが閃
絡にまで成長し、かくして絶縁体の電気的な機能喪失を起こさせる。
【００１０】 この問題を解決するため、"ETZ-A(Elektrotechnische Zeitschrift-A)"第96巻
(1995)、第126〜128頁から、セラミック成形体の釉薬上に付加的にケイ素からな
る被膜を被着することが公知である。この被膜は、シリコン・ペースト或いはシ
リコン・エラストマを塗着することで作られる。ケイ素は疎水性なので、この場
合、釉薬の表面構造は水をはじくように変わる。汚れた絶縁体の使用期間はこれ
により長くなる。しかしシリコン・ペーストからなる被膜は、好ましくないこと
に持続性がなく、従って、時々、例えば設備の停止時に更新せねばならない。さ
らに、必要なシリコン・ペーストも、またシリコン・エラストマも高価である。
(1995)、第126〜128頁から、セラミック成形体の釉薬上に付加的にケイ素からな
る被膜を被着することが公知である。この被膜は、シリコン・ペースト或いはシ
リコン・エラストマを塗着することで作られる。ケイ素は疎水性なので、この場
合、釉薬の表面構造は水をはじくように変わる。汚れた絶縁体の使用期間はこれ
により長くなる。しかしシリコン・ペーストからなる被膜は、好ましくないこと
に持続性がなく、従って、時々、例えば設備の停止時に更新せねばならない。さ
らに、必要なシリコン・ペーストも、またシリコン・エラストマも高価である。
【００１１】 さらに、「高圧エンジニアリングに関する第9回国際シンポジウム」、（Graz
において、1995年８月28日から９月１日開催）において発表された刊行物「プラ
ズマ・プロセスにより作成された絶縁体釉薬」、（Tyman,A;Pospieszna,I; Inch
niewicz, I;発表）において、セラミックからなる成形体と、このセラミックの
上に形成された釉薬とを備え、この釉薬を外部の影響から保護するためにさらに
疎水性のプラズマポリマー被膜を被着した絶縁体が記載されている。しかし、こ
の絶縁体の欠点は、上述のプラズマポリマー被膜の疎水性及び持続性が著しく釉
薬の種類に関係することである。
において、1995年８月28日から９月１日開催）において発表された刊行物「プラ
ズマ・プロセスにより作成された絶縁体釉薬」、（Tyman,A;Pospieszna,I; Inch
niewicz, I;発表）において、セラミックからなる成形体と、このセラミックの
上に形成された釉薬とを備え、この釉薬を外部の影響から保護するためにさらに
疎水性のプラズマポリマー被膜を被着した絶縁体が記載されている。しかし、こ
の絶縁体の欠点は、上述のプラズマポリマー被膜の疎水性及び持続性が著しく釉
薬の種類に関係することである。
【００１２】 この発明の課題は、セラミックからなる成形体を備え、特に高湿の及び／又は
塵埃を含む環境で使用しても、その電気的絶縁特性が高い長時間安定性を示す絶
縁体を提供することにある。
塵埃を含む環境で使用しても、その電気的絶縁特性が高い長時間安定性を示す絶
縁体を提供することにある。
【００１３】 この課題は、この発明によれば、セラミックからなる成形体と、このセラミッ
クの表面上に形成された疎水性の被膜とを備え、疎水性の被膜としてプラズマポ
リマーが直接セラミックの上に形成されている絶縁体によって解決される。
クの表面上に形成された疎水性の被膜とを備え、疎水性の被膜としてプラズマポ
リマーが直接セラミックの上に形成されている絶縁体によって解決される。
【００１４】 換言すれば、この発明による絶縁体は、親水性の釉薬に代わって、疎水性のプ
ラズマポリマーを直接成形体のセラミックの上に形成したことを特徴とする。こ
の場合、セラミック成形体の表面の釉薬は省略される。
ラズマポリマーを直接成形体のセラミックの上に形成したことを特徴とする。こ
の場合、セラミック成形体の表面の釉薬は省略される。
【００１５】 セラミックからなる成形体を備えた絶縁体の電気的絶縁特性を改善するための
従来の考えは、既に耐水性のセラミック表面を滑らかな釉薬で被膜することを目
指すものであった。このようなものとしての釉薬は、それにより狙っている自己
清浄作用の故に、セラミック成形体或いは絶縁体の絶対不可欠の構成要素である
。さらに改善するために、釉薬の親水性の性質を釉薬に形成された疎水性被膜に
よって相殺することも試みられた。
従来の考えは、既に耐水性のセラミック表面を滑らかな釉薬で被膜することを目
指すものであった。このようなものとしての釉薬は、それにより狙っている自己
清浄作用の故に、セラミック成形体或いは絶縁体の絶対不可欠の構成要素である
。さらに改善するために、釉薬の親水性の性質を釉薬に形成された疎水性被膜に
よって相殺することも試みられた。
【００１６】 当業者にとって驚くべきことに、この発明では、セラミック成形体の釉薬を全
く使用せず、それに代わって、疎水性被膜としてプラズマポリマーを直接成形体
のセラミックの上に形成する。
く使用せず、それに代わって、疎水性被膜としてプラズマポリマーを直接成形体
のセラミックの上に形成する。
【００１７】 この発明は、第一のステップにおいて、粗面の減少だけではなく、成形体表面
の疎水性の向上が絶縁体の汚染傾向を大きく減少させるのに役立っている、とい
う考えを前提にしている。確かに、滑らかな表面は粗い表面より著しく汚れにく
いことは当っているが、表面の疎水性を上げることにより粗い表面の汚染傾向を
相殺することができる。正に、湿気のある環境或いは屋外において使用する場合
にこそ、表面における大概の汚れの堆積は、即ち、結露していた水が蒸発する際
にそれに溶解していた粒子から生ずるのである。セラミック成形体の表面が高い
疎水性を備えている場合には、水は表面に付着してとどまることが全くなく、溶
解していた粒子と一緒に玉になり、堆積物が集まるのを妨げるのである。
の疎水性の向上が絶縁体の汚染傾向を大きく減少させるのに役立っている、とい
う考えを前提にしている。確かに、滑らかな表面は粗い表面より著しく汚れにく
いことは当っているが、表面の疎水性を上げることにより粗い表面の汚染傾向を
相殺することができる。正に、湿気のある環境或いは屋外において使用する場合
にこそ、表面における大概の汚れの堆積は、即ち、結露していた水が蒸発する際
にそれに溶解していた粒子から生ずるのである。セラミック成形体の表面が高い
疎水性を備えている場合には、水は表面に付着してとどまることが全くなく、溶
解していた粒子と一緒に玉になり、堆積物が集まるのを妨げるのである。
【００１８】 さらに、屋外において使用する場合、疎水性表面上の塵埃を含む堆積物は、そ
の表面が粗面であっても、雨によって容易に洗い流される。汚染傾向については
絶縁体を湿気のある条件において或いは屋外で使用する場合、従って、セラミッ
ク成形体の表面の疎水性により粗面性を補償することができる。このことは、勿
論、汚染した絶縁体から、それでなくても手作業により、例えば水、アセトン等
で異物層の堆積を除去せねばならない場合でもそうである。また、非常に塩分を
含む大気、例えば海岸近くにおいて使用する場合においても、この発明のような
釉薬をかけていない成形体の疎水性表面は、釉薬をかけた親水性表面より良い電
気的長期特性を絶縁体に与えることになる。
の表面が粗面であっても、雨によって容易に洗い流される。汚染傾向については
絶縁体を湿気のある条件において或いは屋外で使用する場合、従って、セラミッ
ク成形体の表面の疎水性により粗面性を補償することができる。このことは、勿
論、汚染した絶縁体から、それでなくても手作業により、例えば水、アセトン等
で異物層の堆積を除去せねばならない場合でもそうである。また、非常に塩分を
含む大気、例えば海岸近くにおいて使用する場合においても、この発明のような
釉薬をかけていない成形体の疎水性表面は、釉薬をかけた親水性表面より良い電
気的長期特性を絶縁体に与えることになる。
【００１９】 次のステップにおいて、正にプラズマポリマーは疎水性被膜として非常に適し
、釉薬をかけていないセラミックの比較的粗い表面に直接かつよく付着するよう
に形成されることが認められた。なお、ここで「プラズマポリマー」なる表現は
、プラズマ析出によって作られたポリマーを意味し、これは、従来の化学的方法
で作られたポリマーとは異なり、個々の分子群相互の著しく高度の網状結合を備
え、方向性がなく、無定形であり、その上著しく高い密度を持っている。プラズ
マポリマーは、例えば従来のポリマーに較べて、ＩＲ分光器で測定した赤外振動
幅が広がることに特徴がある。
、釉薬をかけていないセラミックの比較的粗い表面に直接かつよく付着するよう
に形成されることが認められた。なお、ここで「プラズマポリマー」なる表現は
、プラズマ析出によって作られたポリマーを意味し、これは、従来の化学的方法
で作られたポリマーとは異なり、個々の分子群相互の著しく高度の網状結合を備
え、方向性がなく、無定形であり、その上著しく高い密度を持っている。プラズ
マポリマーは、例えば従来のポリマーに較べて、ＩＲ分光器で測定した赤外振動
幅が広がることに特徴がある。
【００２０】 プラズマポリマーを製造するには、適当な炉内で作業ガスに電界を印加し或い
はマイクロ波を照射することでイオン化した分子からプラズマを発生させる。極
めて種々の化学反応により、プラズマ内で適当な条件下で被覆される基板の表面
にプラズマポリマーが形成される。なお、プラズマポリマーの製造については、
論文「マイクロ波プラズマ重合の基本的及び応用面における進歩」、M.R.Wert−
heimer他、「固体薄膜（Thin Solid Film）」115号、第109〜124頁を参照された
い。電気絶縁体への疎水性プラズマポリマー被膜の形成に関しては、特に同時に
ドイツ特許庁に提出したドイツ特許出願「電気絶縁体の製造方法」、（社内整理
記号GR 98 E 8511）を指摘しておく。その内容は本出願明細書の構成成分でもあ
る。
はマイクロ波を照射することでイオン化した分子からプラズマを発生させる。極
めて種々の化学反応により、プラズマ内で適当な条件下で被覆される基板の表面
にプラズマポリマーが形成される。なお、プラズマポリマーの製造については、
論文「マイクロ波プラズマ重合の基本的及び応用面における進歩」、M.R.Wert−
heimer他、「固体薄膜（Thin Solid Film）」115号、第109〜124頁を参照された
い。電気絶縁体への疎水性プラズマポリマー被膜の形成に関しては、特に同時に
ドイツ特許庁に提出したドイツ特許出願「電気絶縁体の製造方法」、（社内整理
記号GR 98 E 8511）を指摘しておく。その内容は本出願明細書の構成成分でもあ
る。
【００２１】 プラズマポリマーを、作業用ガス中のプラズマから析出させる正確な化学反応
は、今日のところ詳細に判っていない。また、プラズマポリマーを、正確な化学
組成を挙げて説明することもできない。プラズマポリマーは、まさに、多数の極
めて種々の、相互に網状化した分子を特徴とするからである。従って、その専門
分野においてはプラズマポリマーを表示するために、プラズマが発生する作業ガ
スをもって表す。例えば、作業ガスとしてヘキサメチルジシロキサンが使用され
る場合、これから生じたプラズマポリマーをプラズマ重合ヘキサメチルジシロキ
サンと呼ぶ。専門分野においてよく行われているこの呼び方をこの明細書におい
ても採用することとする。この発明にとっては、プラズマポリマーが化学結合の
結果セラミックの表面に固定結合しているかどうか、或いはその個々の分子群相
互の非常に強い網状結合によって、セラミックとの化学的結合が最早生じないよ
うに安定しているかどうかは重要ではない。
は、今日のところ詳細に判っていない。また、プラズマポリマーを、正確な化学
組成を挙げて説明することもできない。プラズマポリマーは、まさに、多数の極
めて種々の、相互に網状化した分子を特徴とするからである。従って、その専門
分野においてはプラズマポリマーを表示するために、プラズマが発生する作業ガ
スをもって表す。例えば、作業ガスとしてヘキサメチルジシロキサンが使用され
る場合、これから生じたプラズマポリマーをプラズマ重合ヘキサメチルジシロキ
サンと呼ぶ。専門分野においてよく行われているこの呼び方をこの明細書におい
ても採用することとする。この発明にとっては、プラズマポリマーが化学結合の
結果セラミックの表面に固定結合しているかどうか、或いはその個々の分子群相
互の非常に強い網状結合によって、セラミックとの化学的結合が最早生じないよ
うに安定しているかどうかは重要ではない。
【００２２】 疎水性のプラズマポリマーを作るためには、プラズマポリマーを無極性の作業
ガス或いは無極性群を備えた作業ガスからプラズマ析出によって作るのがよい。
無極性の作業ガス或いは無極性群を備えた作業ガスからのプラズマ析出により、
反応性の少ない、即ちエネルギーの少ない表面を持つプラズマポリマーが生ずる
ことが判った。このような表面は高度に疎水性、即ち撥水性である。
ガス或いは無極性群を備えた作業ガスからプラズマ析出によって作るのがよい。
無極性の作業ガス或いは無極性群を備えた作業ガスからのプラズマ析出により、
反応性の少ない、即ちエネルギーの少ない表面を持つプラズマポリマーが生ずる
ことが判った。このような表面は高度に疎水性、即ち撥水性である。
【００２３】 好ましい作業ガスは例えば炭化水素である。例えばメタン或いはアセチレンが
適している。
適している。
【００２４】 特によい疎水性並びに個々の分子群の高度の網状結合の点では、プラズマ重合
ケイ素或いはフッ素有機化合物の形のプロセスポリマーが際立っている。この高
度の網状結合により、このようなプラズマポリマーは極めて安定しており、異物
の作用から保護されている。このようなプラズマポリマーは高い硬度を示す。こ
の理由からこのようなプラズマポリマーは絶縁体のセラミック成形体表面の疎水
性被膜として大きな利点がある。
ケイ素或いはフッ素有機化合物の形のプロセスポリマーが際立っている。この高
度の網状結合により、このようなプラズマポリマーは極めて安定しており、異物
の作用から保護されている。このようなプラズマポリマーは高い硬度を示す。こ
の理由からこのようなプラズマポリマーは絶縁体のセラミック成形体表面の疎水
性被膜として大きな利点がある。
【００２５】 疎水性、硬度及び質が特に優れるプラズマポリマーは、プラズマ重合ヘキサメ
チルジシロキサン、プラズマ重合テトラエチルオルトケイ酸塩、プラズマ重合ビ
ニルトリメチルシラン、プラズマ重合オクトフルオロシクロブタン或いはこれら
の混合物を含むものである。
チルジシロキサン、プラズマ重合テトラエチルオルトケイ酸塩、プラズマ重合ビ
ニルトリメチルシラン、プラズマ重合オクトフルオロシクロブタン或いはこれら
の混合物を含むものである。
【００２６】 この発明の有利な構成例において、被膜は50 nm から10μmの間の厚さを持つ
。このようにしてセラミック成形体の表面の硬いかつ永続的な被膜が保証される
。プラズマポリマーの個々の分子群相互の高い網状結合度によりこのような厚さ
で湿気がプラズマポリマーが貫通するのを確実に回避できる。酸素、水素或いは
二酸化炭素のような小さい分子でさえも、プラズマポリマーの分子結合を最早通
ることができない。
。このようにしてセラミック成形体の表面の硬いかつ永続的な被膜が保証される
。プラズマポリマーの個々の分子群相互の高い網状結合度によりこのような厚さ
で湿気がプラズマポリマーが貫通するのを確実に回避できる。酸素、水素或いは
二酸化炭素のような小さい分子でさえも、プラズマポリマーの分子結合を最早通
ることができない。
【００２７】 この発明のさらに有利な構成例において、絶縁体の成形体のセラミックは、磁
器、即ちケイ酸塩セラミックスである。このようなセラミックスは圧縮力に対し
てもまた引っ張り力に対しても機械的強度が高く、電気的絶縁性能が高いことで
優れている。このようなセラミックスは、従って、特に、高い機械的荷重を受け
る絶縁体に対して使用される。例えばこのようなセラミックスは、送電用の架線
や鉄道用の架線を引き回し及び／又は間隔を保つために使用される高圧絶縁体の
成形体として使用される。セラミック成形体の表面に形成されたプラズマポリマ
ーによりこの絶縁体の動作特性は環境の影響がある場合においても改善される。
異物層付着のある地方においても、疎水性に被覆された絶縁体は、釉薬はかかっ
ているが、被膜で覆われていない親水性の絶縁体に対し明らかに勝っている。
器、即ちケイ酸塩セラミックスである。このようなセラミックスは圧縮力に対し
てもまた引っ張り力に対しても機械的強度が高く、電気的絶縁性能が高いことで
優れている。このようなセラミックスは、従って、特に、高い機械的荷重を受け
る絶縁体に対して使用される。例えばこのようなセラミックスは、送電用の架線
や鉄道用の架線を引き回し及び／又は間隔を保つために使用される高圧絶縁体の
成形体として使用される。セラミック成形体の表面に形成されたプラズマポリマ
ーによりこの絶縁体の動作特性は環境の影響がある場合においても改善される。
異物層付着のある地方においても、疎水性に被覆された絶縁体は、釉薬はかかっ
ているが、被膜で覆われていない親水性の絶縁体に対し明らかに勝っている。
【００２８】 特に、アルミニウム酸化物を混合した磁器からなる成形体を備え、この成形体
の表面に疎水性プラズマポリマー被膜を備えた高圧絶縁体は、異物層付着及び湿
気のある天候条件において、できるだけ長い耐用年数が保証されねばならないと
ろでは、どこにでも使用される。極端な環境影響の下で、例えば大気に高濃度で
塩分を含む海岸地方において、或いは大気に産業塵埃や侵食性ガスを含む工場地
帯の近所において使用しても、このような高圧絶縁体は、従来の高圧絶縁体に対
して、その絶縁性能に関してずっと長く、保守の必要のない寿命の点で優れてい
る。プラズマポリマーにより、一つには、結露している水は蒸発する前に玉にな
るので、この水から溶けている粒子が析出するのを阻止できる。他方、プラズマ
ポリマーにより、絶縁特性の本来の担い手であるセラミック絶縁体が環境の影響
に耐えることができる。正に屋外で使用される場合においても、疎水性により付
加的に、異物層が長期にわたって沈着することが少ない。沈着した塵埃が雨の度
に雨水によって洗い落とされるからである。しかし、最大の効果は、絶縁体が既
に汚染していた場合でも、疎水性により、危険な漏れ電流が流れる導電性の異物
層が形成されないので、その動作安全性がなお継続することにある。
の表面に疎水性プラズマポリマー被膜を備えた高圧絶縁体は、異物層付着及び湿
気のある天候条件において、できるだけ長い耐用年数が保証されねばならないと
ろでは、どこにでも使用される。極端な環境影響の下で、例えば大気に高濃度で
塩分を含む海岸地方において、或いは大気に産業塵埃や侵食性ガスを含む工場地
帯の近所において使用しても、このような高圧絶縁体は、従来の高圧絶縁体に対
して、その絶縁性能に関してずっと長く、保守の必要のない寿命の点で優れてい
る。プラズマポリマーにより、一つには、結露している水は蒸発する前に玉にな
るので、この水から溶けている粒子が析出するのを阻止できる。他方、プラズマ
ポリマーにより、絶縁特性の本来の担い手であるセラミック絶縁体が環境の影響
に耐えることができる。正に屋外で使用される場合においても、疎水性により付
加的に、異物層が長期にわたって沈着することが少ない。沈着した塵埃が雨の度
に雨水によって洗い落とされるからである。しかし、最大の効果は、絶縁体が既
に汚染していた場合でも、疎水性により、危険な漏れ電流が流れる導電性の異物
層が形成されないので、その動作安全性がなお継続することにある。
【００２９】 この発明は、セラミックからなる成形体を備えた絶縁体において、表面処理の
ために従来必要であった釉薬を完全に不要にできる利点がある。これにより、釉
薬のための及びこれを形成するためのコストを省略できる。基板の表面、特にセ
ラミックの表面にプラズマポリマーを作る方法はそれ自体公知である。必要なそ
の他の構造部品を備えたプラズマ炉を一回購入することを除いてプラズマポリマ
ーの形成方法は容易である。セラミックからなる成形体と、このセラミックに直
接形成されたプラズマポリマーを備えた絶縁体は安価に或いは、セラミックから
なる成形体と、このセラミックに形成された釉薬とを備えた従来の絶縁体と、同
等のコストで作ることができる。釉薬に代わって疎水性のプラズマポリマーを使
用することにより、臨界洩れ電流の発生に伴う危険性は大きく減退する。塵埃が
堆積した場合でも、正に屋外において絶縁体を使用する場合にはプラズマポリマ
ーの疎水性によりセラミック成形体の表面の比較的大きな粗面性が補償されるこ
とが示されている。セラミックからなる成形体と、このセラミックに直接形成さ
れたプラズマポリマーを備えた絶縁体はその電気的絶縁特性に関して極めて好ま
しい長期寿命を持つことで優れている。異物層が堆積して危険のおそれがある設
備の清掃及び保守サイクルを著しく長くすることができる。
ために従来必要であった釉薬を完全に不要にできる利点がある。これにより、釉
薬のための及びこれを形成するためのコストを省略できる。基板の表面、特にセ
ラミックの表面にプラズマポリマーを作る方法はそれ自体公知である。必要なそ
の他の構造部品を備えたプラズマ炉を一回購入することを除いてプラズマポリマ
ーの形成方法は容易である。セラミックからなる成形体と、このセラミックに直
接形成されたプラズマポリマーを備えた絶縁体は安価に或いは、セラミックから
なる成形体と、このセラミックに形成された釉薬とを備えた従来の絶縁体と、同
等のコストで作ることができる。釉薬に代わって疎水性のプラズマポリマーを使
用することにより、臨界洩れ電流の発生に伴う危険性は大きく減退する。塵埃が
堆積した場合でも、正に屋外において絶縁体を使用する場合にはプラズマポリマ
ーの疎水性によりセラミック成形体の表面の比較的大きな粗面性が補償されるこ
とが示されている。セラミックからなる成形体と、このセラミックに直接形成さ
れたプラズマポリマーを備えた絶縁体はその電気的絶縁特性に関して極めて好ま
しい長期寿命を持つことで優れている。異物層が堆積して危険のおそれがある設
備の清掃及び保守サイクルを著しく長くすることができる。
【００３０】 この発明は、さらに漏洩距離を上げるために成形体の形状を特別かつ複雑に形
成する必要がないという利点も持っている。親水性の釉薬は疎水性のプラズマポ
リマーにより置換されているので、セラミック絶縁体が環境の影響を受ける場合
でも安全である。結露した水が蒸発する際に粒子が堆積するのも回避できる。
成する必要がないという利点も持っている。親水性の釉薬は疎水性のプラズマポ
リマーにより置換されているので、セラミック絶縁体が環境の影響を受ける場合
でも安全である。結露した水が蒸発する際に粒子が堆積するのも回避できる。
【００３１】 この発明は、セラミック成形体の必要な形状に関する種類の多様性を明らかに
減少させることを可能にする。理想的な場合には、この発明は、高圧絶縁体の場
合に、これをほぼ円筒状に或いは棒状にすることをも可能とする。このようにし
て、最早塵埃が堆積しないようにすることすら可能である。
減少させることを可能にする。理想的な場合には、この発明は、高圧絶縁体の場
合に、これをほぼ円筒状に或いは棒状にすることをも可能とする。このようにし
て、最早塵埃が堆積しないようにすることすら可能である。
【００３２】 この発明は、また、比較的簡単な形状のセラミック成形体を備え、同時に電気
的絶縁耐力に関して良好な長期特性を持つ絶縁体を可能にする。このようにして
、複雑な形状を持つ従来の絶縁体に対して、製造業者における材料費を大幅に削
減する。使用者においては今日なお必要な清掃及び保守作業を省略可能にする、
或いは完全には省略可能でないとしても、遥かに長い時間間隔でこれを行うよう
にすることができる。
的絶縁耐力に関して良好な長期特性を持つ絶縁体を可能にする。このようにして
、複雑な形状を持つ従来の絶縁体に対して、製造業者における材料費を大幅に削
減する。使用者においては今日なお必要な清掃及び保守作業を省略可能にする、
或いは完全には省略可能でないとしても、遥かに長い時間間隔でこれを行うよう
にすることができる。
【００３３】 この発明の実施例を３つの実験並びに図面を参照して詳しく説明する。
【００３４】 実験１ 釉薬をかけたセラミックからなる成形体を備えた絶縁体と、成形体のセラミッ
クの釉薬をかけていない表面に直接疎水性のプラズマポリマーを施した同じ形の
絶縁体とを比較した。プラズマポリマーは、ヘキサメチルジシロキサン内でプラ
ズマを発生することにより作った。従って、これはプラズマ重合ヘキサメチルジ
シロキサンである。形成されたプラズマポリマーの層厚は1000 nmであった。
クの釉薬をかけていない表面に直接疎水性のプラズマポリマーを施した同じ形の
絶縁体とを比較した。プラズマポリマーは、ヘキサメチルジシロキサン内でプラ
ズマを発生することにより作った。従って、これはプラズマ重合ヘキサメチルジ
シロキサンである。形成されたプラズマポリマーの層厚は1000 nmであった。
【００３５】 比較した絶縁体のセラミックはDIN-EN 60672による型C120のアルミナ磁器であ
る。磁器或いはセラミックの組成は、この場合何らの差異も生じない。このプラ
ズマポリマーの疎水性は、蒸留水の濡れ角度で131°である。濡れ角度はDIN-EN
828に従って決定した。
る。磁器或いはセラミックの組成は、この場合何らの差異も生じない。このプラ
ズマポリマーの疎水性は、蒸留水の濡れ角度で131°である。濡れ角度はDIN-EN
828に従って決定した。
【００３６】 絶縁体の電気的絶縁耐力を、IEC 60/1 (1989),規定IEC 383-1=VDE 0446, 第１
部（1997年５月）による雨天試験に従って試験した。この場合、絶縁体をそれぞ
れそれに応じて適した部屋に懸垂し、所定の強さと所定の角度の雨に曝した。閃
絡電圧はオシログラムにより求めた。それぞれ５つの閃絡実験を実施した。
部（1997年５月）による雨天試験に従って試験した。この場合、絶縁体をそれぞ
れそれに応じて適した部屋に懸垂し、所定の強さと所定の角度の雨に曝した。閃
絡電圧はオシログラムにより求めた。それぞれ５つの閃絡実験を実施した。
【００３７】 実験１Ａ） 50 cmの長さをもつ高圧絶縁体を比較した。成形体はそれぞれ75 mmのほぼ直径
の円筒状の胴部と、皿状の笠とを備え、これらの笠はそれぞれ45 mmの笠間隔で
互いに隔離している。笠直径はそれぞれ223 mmであった。
の円筒状の胴部と、皿状の笠とを備え、これらの笠はそれぞれ45 mmの笠間隔で
互いに隔離している。笠直径はそれぞれ223 mmであった。
【００３８】 実験１Ｂ） DIN 48006によるL50/5の60 mmの胴部直径と５つの等距離に隔てられた笠部を
持つ高圧絶縁体を試験した。端子キャップの形状はこの場合重要でない。この型
はしばしば鉄道用の絶縁体として使用される。
持つ高圧絶縁体を試験した。端子キャップの形状はこの場合重要でない。この型
はしばしば鉄道用の絶縁体として使用される。
【００３９】 結果 釉薬を備えた絶縁体の絶縁体耐力は、釉薬を備えず、セラミックに直接形成さ
れたプラズマポリマーを備えた絶縁体の絶縁体耐力と変わらない。このことは、
疎水性プラズマポリマー被膜を備え、釉薬をかけていない絶縁体が、その性質に
おいて、従来の技術により作られた、釉薬を備えた絶縁体に何ら劣るものでない
ことを意味する。測定値の中ではバラツキは非常に小さい。
れたプラズマポリマーを備えた絶縁体の絶縁体耐力と変わらない。このことは、
疎水性プラズマポリマー被膜を備え、釉薬をかけていない絶縁体が、その性質に
おいて、従来の技術により作られた、釉薬を備えた絶縁体に何ら劣るものでない
ことを意味する。測定値の中ではバラツキは非常に小さい。
【００４０】 実験２ 異物層耐性を判断するために、実験１Ａにより形成された成形体のセラミック
に直接形成されたプラズマポリマーの被膜を備えた高圧絶縁体に、プラスチック
絶縁体或いはプラスッチク被覆絶縁体のためのIEC-1109に依拠して1000時間の塩
分散布テストを行った。
に直接形成されたプラズマポリマーの被膜を備えた高圧絶縁体に、プラスチック
絶縁体或いはプラスッチク被覆絶縁体のためのIEC-1109に依拠して1000時間の塩
分散布テストを行った。
【００４１】 結果 塩霧において1000時間使用した後でも釉薬を備えていない高圧絶縁体はなお実
験の始めと同一の特性を持っていた。これはプラズマポリマーの疎水性の耐久性
と持続性を証明している。
験の始めと同一の特性を持っていた。これはプラズマポリマーの疎水性の耐久性
と持続性を証明している。
【００４２】 実験３ 実験１Ｂで形成された、釉薬を備えた高圧絶縁体（絶縁体Ｇ）と、実験１Ｂで
形成された、釉薬を備えず、成形体のセラミックに直接形成された疎水性プラズ
マポリマーを備えた高圧絶縁体（絶縁体Ｐ）にIEC 507（1991）及びVDE 0448,
第１部、1994に依拠して塩霧テストを行い、その結果を比較した。
形成された、釉薬を備えず、成形体のセラミックに直接形成された疎水性プラズ
マポリマーを備えた高圧絶縁体（絶縁体Ｐ）にIEC 507（1991）及びVDE 0448,
第１部、1994に依拠して塩霧テストを行い、その結果を比較した。
【００４３】 準備のため高圧絶縁体をトリナトリウムリン酸塩で洗浄した。次いで高圧絶縁
体をIEC 507(1991)に従って予備テストした。この予備テストしたそれぞれ所定
の塩分濃度で耐久試験を行った。各試験は少なくとも１時間、但し、その前に閃
絡が起きなかったことを前提として行った。15 kV（交流電圧）の試験電圧にお
いてそれぞれIEC 507(1991)、19頁による最大塩分濃度、即ち検討した高圧絶縁
体が１時間の試験期間内に最大で１回の閃絡を起こす最大塩分濃度を求めた。
体をIEC 507(1991)に従って予備テストした。この予備テストしたそれぞれ所定
の塩分濃度で耐久試験を行った。各試験は少なくとも１時間、但し、その前に閃
絡が起きなかったことを前提として行った。15 kV（交流電圧）の試験電圧にお
いてそれぞれIEC 507(1991)、19頁による最大塩分濃度、即ち検討した高圧絶縁
体が１時間の試験期間内に最大で１回の閃絡を起こす最大塩分濃度を求めた。
【００４４】 結果 塩霧テストの結果を表１に纏めて示す。
【表１】
【００４５】 釉薬をかけず、プラズマポリマー被膜を備えた高圧絶縁体（絶縁体Ｐ）には40
kg/m3そして釉薬をかけた高圧絶縁体（絶縁体Ｇ）には28kg/m3 の定常塩分濃度
が対応している。塩分濃度40kg/m3（絶縁体Ｐ）もしくは塩分濃度28kg/m3（絶縁
体Ｇ）での３つの連続実験において、それぞれ１時間のその都度の実験期間にお
いてただ１回の閃絡が生じた。それぞれそれより高い塩分濃度56kg/m3（絶縁体
Ｐ）もしくは塩分濃度40kg/m3（絶縁体Ｇ）においては２つの連続した実験にお
いてそれぞれ１時間の試験期間内に閃絡が起った。
kg/m3そして釉薬をかけた高圧絶縁体（絶縁体Ｇ）には28kg/m3 の定常塩分濃度
が対応している。塩分濃度40kg/m3（絶縁体Ｐ）もしくは塩分濃度28kg/m3（絶縁
体Ｇ）での３つの連続実験において、それぞれ１時間のその都度の実験期間にお
いてただ１回の閃絡が生じた。それぞれそれより高い塩分濃度56kg/m3（絶縁体
Ｐ）もしくは塩分濃度40kg/m3（絶縁体Ｇ）においては２つの連続した実験にお
いてそれぞれ１時間の試験期間内に閃絡が起った。
【００４６】 求めた定常塩分濃度は、従って、釉薬をかけず、プラズマポリマーで被膜した
高圧絶縁体において、釉薬をかけた従来の技術によるものに対するより高い。
高圧絶縁体において、釉薬をかけた従来の技術によるものに対するより高い。
【００４７】 IEC 507(1991)、表Ｂ１によれば、検討された絶縁体の型に対し、28kg/m3の定
常塩分濃度及び40kg/m3の定常塩分濃度は個々の塩分段階の許容範囲内であるの
で、個々の結果は少なくとも等価と見ることができる。釉薬をかけず、疎水性プ
ラズマポリマーで被膜された高圧絶縁体は、それ故、その電気的特性において釉
薬をかけた高圧絶縁体に何ら劣るものでない。
常塩分濃度及び40kg/m3の定常塩分濃度は個々の塩分段階の許容範囲内であるの
で、個々の結果は少なくとも等価と見ることができる。釉薬をかけず、疎水性プ
ラズマポリマーで被膜された高圧絶縁体は、それ故、その電気的特性において釉
薬をかけた高圧絶縁体に何ら劣るものでない。
【００４８】 釉薬を省略して代わりに疎水性プラズマポリマーを使用しても、セラミック成
形体を備えた高圧絶縁体に対しては、同じ型の釉薬をかけた高圧絶縁体に比較し
て何らの異なる結果をもたらさない。釉薬をかけない高圧絶縁体の疎水性プラズ
マポリマー表面は、釉薬をかけた高圧絶縁体の表面と同一の異物層耐性を示す。
形体を備えた高圧絶縁体に対しては、同じ型の釉薬をかけた高圧絶縁体に比較し
て何らの異なる結果をもたらさない。釉薬をかけない高圧絶縁体の疎水性プラズ
マポリマー表面は、釉薬をかけた高圧絶縁体の表面と同一の異物層耐性を示す。
【００４９】 以下に、図面を参照する。 図１は、高圧絶縁体として形成された絶縁体１を一部破断砕して示す。絶縁体
１はセラミックＫからなる成形体２並びに電流導体を接続し及び／又は引き回す
ための端子キャップ４を備える。成形体２は、多数の皿状リブを備えたほぼ円筒
状の胴部５として形成されている。成形体２のセラミックＫの表面に、通常の釉
薬に代えてプラズマポリマーＰを形成している。このプラズマポリマーＰは無極
性ガス或いは無極性群を備えたガスからプラズマ析出により作られ、著しく疎水
性である。ガスとして、特にケイ素或いはフッ素無機化合物、特にヘキサメチル
ジシロキサンが適する。脱イオン化した水の濡れ角度は90〜140°ある。
１はセラミックＫからなる成形体２並びに電流導体を接続し及び／又は引き回す
ための端子キャップ４を備える。成形体２は、多数の皿状リブを備えたほぼ円筒
状の胴部５として形成されている。成形体２のセラミックＫの表面に、通常の釉
薬に代えてプラズマポリマーＰを形成している。このプラズマポリマーＰは無極
性ガス或いは無極性群を備えたガスからプラズマ析出により作られ、著しく疎水
性である。ガスとして、特にケイ素或いはフッ素無機化合物、特にヘキサメチル
ジシロキサンが適する。脱イオン化した水の濡れ角度は90〜140°ある。
【００５０】 図2は、高圧絶縁体として形成した絶縁体７を同様に部分的に破断して示す。
図１の絶縁体１に較べてセラミックＫからなる成形体２のリブ６の数は少なくさ
れている。絶縁体１の長さはこの場合同じである。しかしながら、ただ２つのリ
ブ６しか設けられていない。
図１の絶縁体１に較べてセラミックＫからなる成形体２のリブ６の数は少なくさ
れている。絶縁体１の長さはこの場合同じである。しかしながら、ただ２つのリ
ブ６しか設けられていない。
【００５１】 図３では、図１及び２の絶縁体１と異なりセラミックＫからなる成形体２を胴
部５まで削った絶縁体10が高圧絶縁体として形成されている。両端子キャップ４
の間の洩れ電流の漏洩距離を上げるための笠状のリブは設けられていない。水平
な面がないので、この絶縁体10は付加的に塵埃の堆積に対しても保護されている
。絶縁体１及び２に較べて、この絶縁体10は、セラミック成形体Ｋにはリブ６が
ないので、遥かに容易に製造することができる。その上、この絶縁体10の製造コ
ストは、絶縁体１及び２に対するものより遥かに低い。リブ６のための複雑な形
状を形成する必要がないからである。即ち、未焼成の柔らかい成形体２からリブ
６を削り出す高価な工程を省略できる。
部５まで削った絶縁体10が高圧絶縁体として形成されている。両端子キャップ４
の間の洩れ電流の漏洩距離を上げるための笠状のリブは設けられていない。水平
な面がないので、この絶縁体10は付加的に塵埃の堆積に対しても保護されている
。絶縁体１及び２に較べて、この絶縁体10は、セラミック成形体Ｋにはリブ６が
ないので、遥かに容易に製造することができる。その上、この絶縁体10の製造コ
ストは、絶縁体１及び２に対するものより遥かに低い。リブ６のための複雑な形
状を形成する必要がないからである。即ち、未焼成の柔らかい成形体２からリブ
６を削り出す高価な工程を省略できる。
【００５２】 図４は図１の切取り部IVを拡大して示す。成形体のセラミックＫの表面に直接
プラズマポリマーＰが形成されている。このプラズマポリマーＰはプラズマ重合
ヘキサメチルジシロキサンである。個々の分子群相互の網状結合度は高い。網状
結合はこのプラズマポリマーＰにおいては主として酸素の橋を介して行われる。
プラズマポリマーＰのセラミックＫへの結合は水酸結合により行われる。ヘキサ
メチルジシロキサンの無極性CH3群によるプラズマ重合ヘキサメチルジシロキサ
ンの表面は低いエネルギーを持ち、従って高度に疎水性である。個々のケイ素原
子の酸素結合によりプラズマポリマーは高度の硬さを持っている。高い網状結合
によりプラズマポリマーＰは、さらに、高い構造密度を備え、従って、酸素、水
素或いは二酸化炭素のような分子が通り抜けることが阻止される。セラミックＫ
はプラズマポリマーPによって周囲の影響から保護されている。従来のポリマー
のように方向性のある構造は認められない。むしろ、無定形である。
プラズマポリマーＰが形成されている。このプラズマポリマーＰはプラズマ重合
ヘキサメチルジシロキサンである。個々の分子群相互の網状結合度は高い。網状
結合はこのプラズマポリマーＰにおいては主として酸素の橋を介して行われる。
プラズマポリマーＰのセラミックＫへの結合は水酸結合により行われる。ヘキサ
メチルジシロキサンの無極性CH3群によるプラズマ重合ヘキサメチルジシロキサ
ンの表面は低いエネルギーを持ち、従って高度に疎水性である。個々のケイ素原
子の酸素結合によりプラズマポリマーは高度の硬さを持っている。高い網状結合
によりプラズマポリマーＰは、さらに、高い構造密度を備え、従って、酸素、水
素或いは二酸化炭素のような分子が通り抜けることが阻止される。セラミックＫ
はプラズマポリマーPによって周囲の影響から保護されている。従来のポリマー
のように方向性のある構造は認められない。むしろ、無定形である。
【図１】 この発明による絶縁体の１つの実施の形態を一部破砕して示す。
【図２】 この発明による絶縁体の別の実施の形態を一部破砕して示す。
【図３】 この発明による絶縁体のさらに別の実施の形態を一部破砕して示す。
【図４】 図１の絶縁体の一部（切取り部IV）を拡大して示す。
１、10 絶縁体 ２ 成形体 ４ 端子キャップ ５ 成形体の胴部 ６ 笠状のリブ Ｋ セラミック Ｐ プラズマポリマー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リーバーマン、ヨハネス ドイツ連邦共和国 デー‐96215 リヒテ ンフェルス ヒューナーベルク 16 (72)発明者 バールマン、アルフレート ドイツ連邦共和国 デー‐27711 オスタ ーホルツ‐シャルムベック ヘルマン‐レ ンス‐ヴェーク 34 (72)発明者 フィッシング、クラウス ディーター ドイツ連邦共和国 デー‐27321 モルズ ム アルテ ドルフシュトラーセ 10 (72)発明者 ヘンネマン、オットー‐ディードリッヒ ドイツ連邦共和国 デー‐27711 オスタ ーホルツ‐シャルムベック アム ヴァル トベルク ８ Ｆターム(参考） 5G331 AA03 BA05 BB29 BC04 CA01 CA04 CC01 DA00 DA01 EA07 5G333 AA11 AB00 BA06 CA01 CB15 CB16 CC04 DA01 DA03 FA01
Claims (7)
- 【請求項１】セラミック（Ｋ）からなる成形体（２）と、この成形体（２）
の表面に形成された疎水性の被膜（３）とを備え、この被膜（３）としてプラズ
マポリマー（Ｐ）が直接セラミック（Ｋ）の上に形成されたことを特徴とする絶
縁体。 - 【請求項２】プラズマポリマー（Ｐ）が、無極性ガス又は無極性群を有する
ガスからプラズマ析出により作られたことを特徴とする請求項１記載の絶縁体。 - 【請求項３】プラズマポリマー（Ｐ）が、プラズマ重合ケイ素及び／又はフ
ッ素有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の絶縁体。 - 【請求項４】プラズマポリマー（Ｐ）が、プラズマ重合ヘキサメチルジシロ
キサン、プラズマ重合テトラエチルオルトケイ酸塩、プラズマ重合ビニルトリメ
チルシラン、プラズマ重合オクトフルオロシクロブタン或いはこれらの混合物を
含むことを特徴とする請求項３記載の絶縁体。 - 【請求項５】被膜が50 nmから10μmの間の厚さを持つことを特徴とする請求
項１から４の１つに記載の絶縁体。 - 【請求項６】セラミックが磁器であることを特徴とする請求項１から５の１
つに記載の絶縁体。 - 【請求項７】高圧絶縁体として形成されたことを特徴とする請求項１から６
の１つに記載の絶縁体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1998135916 DE19835916A1 (de) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | Isolator |
| DE19835916.0 | 1998-08-07 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1110226A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002522877A (ja) |
| CN (1) | CN1322363A (ja) |
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| WO (1) | WO2000008659A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US7722951B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-05-25 | Georgia Tech Research Corporation | Insulator coating and method for forming same |
| EP1748449A1 (de) * | 2005-07-25 | 2007-01-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Isolator mit erhöhter Isolationsfähigkeit |
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