JP2002507747A - サンプル内の成分の三次元分布を分析する方法および装置 - Google Patents
サンプル内の成分の三次元分布を分析する方法および装置Info
- Publication number
- JP2002507747A JP2002507747A JP2000538231A JP2000538231A JP2002507747A JP 2002507747 A JP2002507747 A JP 2002507747A JP 2000538231 A JP2000538231 A JP 2000538231A JP 2000538231 A JP2000538231 A JP 2000538231A JP 2002507747 A JP2002507747 A JP 2002507747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- sample
- detector
- unit
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 318
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003703 image analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000000546 pharmaceutical excipient Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/359—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using near infrared light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/15—Medicinal preparations ; Physical properties thereof, e.g. dissolubility
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
サンプルを分析する装置および方法は、サンプル（３）を位置決めするためのサンプル位置決めユニット（１）と、サンプル（３）の第１、第２の表面の各々に少なくとも１つの電磁放射線ビームを与えるための放射線発生ユニット（１６）と、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送された放射線から少なくとも１つのイメージを得る像形成ユニット（２３）と、この像形成ユニット（２３）によって得られたイメージを捕捉し、それに対応する信号を生成するための検知器ユニット（２５）と、検知器ユニット（２５）から受信した信号を操作し、サンプル（３）内の少なくとも１つの成分の三次元分布を表す信号を生成する分析ユニット（６１）とを包含する。
Description
【０００１】 本発明は、サンプル、特に錠剤、カプセルまたはバルク散剤を分析する装置お
よび方法に関する。 EP-A-0767369が、近赤外放射線を使用して伝送測定を行うサンプル分析装置を
開示している。しかしながら、この装置は、サンプルの中味、代表的にはサンプ
ル内の或る特定の成分の量に関してほんの限られた情報しか提供できない。そし
て、たとえば、サンプル内の１つまたはそれ以上の成分の三次元分布に関しては
、詳細な情報を提供することができない。
よび方法に関する。 EP-A-0767369が、近赤外放射線を使用して伝送測定を行うサンプル分析装置を
開示している。しかしながら、この装置は、サンプルの中味、代表的にはサンプ
ル内の或る特定の成分の量に関してほんの限られた情報しか提供できない。そし
て、たとえば、サンプル内の１つまたはそれ以上の成分の三次元分布に関しては
、詳細な情報を提供することができない。
【０００２】 本発明の目的は、サンプル、特に錠剤、カプセルまたはバルク散剤、そして、
特にマルチプルユニット・ペレット系錠剤またはカプセルを分析する装置および
方法であって、サンプル内の１つまたはそれ以上の成分の三次元分布に関して情
報を得ることのできる装置および方法を提供することにある。
特にマルチプルユニット・ペレット系錠剤またはカプセルを分析する装置および
方法であって、サンプル内の１つまたはそれ以上の成分の三次元分布に関して情
報を得ることのできる装置および方法を提供することにある。
【０００３】 したがって、本発明は、サンプルを分析するための装置であって、サンプルを
位置決めするためのサンプル位置決めユニットと、サンプルの第１、第２の表面
の各々に少なくとも１つの電磁放射線ビームを与えるための放射線発生ユニット
と、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送された放射線から少なくと
も１つのイメージを得るための像形成ユニットと、像形成ユニットによって得ら
れたイメージを捕捉し、それに対応する信号を生成するための検知器ユニットと
、検知器ユニットから受信した信号に作用し、サンプル内の少なくとも１つの成
分の三次元分布を表す信号を生成するための分析ユニットとを包含することを特
徴とする装置を提供する。
位置決めするためのサンプル位置決めユニットと、サンプルの第１、第２の表面
の各々に少なくとも１つの電磁放射線ビームを与えるための放射線発生ユニット
と、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送された放射線から少なくと
も１つのイメージを得るための像形成ユニットと、像形成ユニットによって得ら
れたイメージを捕捉し、それに対応する信号を生成するための検知器ユニットと
、検知器ユニットから受信した信号に作用し、サンプル内の少なくとも１つの成
分の三次元分布を表す信号を生成するための分析ユニットとを包含することを特
徴とする装置を提供する。
【０００４】 好ましくは、サンプル位置決めユニットは、使用時にサンプルが通るトラック
を包含する。 或る実施態様において、サンプル位置決めユニットは、トラックを通してサン
プルを段階的に移動させるように構成される。 別の実施態様において、サンプル位置決めユニットは、トラックを通してサン
プルを連続的に移動させるように構成される。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つが平行化処理され
る。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは収斂している。 さらに別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは発散している
。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つ放射線ビームの光
学軸は、サンプルのそれぞれの表面に対して実質的に垂直である。 別の実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面にたいして角をなしている。 或る実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に照射するように寸法決めしてある。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてある。
を包含する。 或る実施態様において、サンプル位置決めユニットは、トラックを通してサン
プルを段階的に移動させるように構成される。 別の実施態様において、サンプル位置決めユニットは、トラックを通してサン
プルを連続的に移動させるように構成される。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つが平行化処理され
る。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは収斂している。 さらに別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは発散している
。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つ放射線ビームの光
学軸は、サンプルのそれぞれの表面に対して実質的に垂直である。 別の実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面にたいして角をなしている。 或る実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に照射するように寸法決めしてある。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてある。
【０００５】 １つの好ましい実施態様において、放射線発生ユニットは、使用時に、少なく
とも１つの方向に放射線ビームの少なくとも１つを移動させ、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に放射線ビームの少なくとも１つで走査するように構成
される。 好ましくは、サンプルの第１、第２の表面は、互いに反対方向に向いた面であ
る。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは可視光である。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは赤外放射線である。 より好ましくは、赤外放射線は、近赤外領域にある。 またさらに好ましくは、赤外放射線は、７００〜１７００ナノメーター、特に
７００〜１３００ナノメーターの波長に対応する範囲の周波数を有する。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つはＸ線放射線である。 好ましくは、放射線発生ユニットは、少なくとも１つの放射線源と、少なくと
も１つの光学要素とを包含する。 好ましくは、放射線発生ユニットは、さらに、各放射線源の下流側に位置する
可動拡散器を包含する。 好ましくは、放射線発生ユニットは、さらに、各放射線源の下流側に位置する
偏光器を包含する。
とも１つの方向に放射線ビームの少なくとも１つを移動させ、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に放射線ビームの少なくとも１つで走査するように構成
される。 好ましくは、サンプルの第１、第２の表面は、互いに反対方向に向いた面であ
る。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは可視光である。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは赤外放射線である。 より好ましくは、赤外放射線は、近赤外領域にある。 またさらに好ましくは、赤外放射線は、７００〜１７００ナノメーター、特に
７００〜１３００ナノメーターの波長に対応する範囲の周波数を有する。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つはＸ線放射線である。 好ましくは、放射線発生ユニットは、少なくとも１つの放射線源と、少なくと
も１つの光学要素とを包含する。 好ましくは、放射線発生ユニットは、さらに、各放射線源の下流側に位置する
可動拡散器を包含する。 好ましくは、放射線発生ユニットは、さらに、各放射線源の下流側に位置する
偏光器を包含する。
【０００６】 好ましい実施態様において、放射線発生ユニットは、第１、第２放射線源およ
びそれに付随した光学要素を包含し、放射線源の各々が、それぞれ、サンプルの
第１、第２の表面を照射する少なくとも１つの放射線ビームを与える。 或る実施態様において、放射線源の任意のものまたは各々は、レーザー、好ま
しくはダイオード・レーザーを包含する。
びそれに付随した光学要素を包含し、放射線源の各々が、それぞれ、サンプルの
第１、第２の表面を照射する少なくとも１つの放射線ビームを与える。 或る実施態様において、放射線源の任意のものまたは各々は、レーザー、好ま
しくはダイオード・レーザーを包含する。
【０００７】 別の実施態様において、放射線源の任意のものまたは各々は、発光ダイオード
を包含する。 好ましくは、像形成ユニットは、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して
伝送される少なくとも１つの放射線イメージを提供する少なくとも１つの光学要
素を包含する。 より好ましくは、像形成ユニットは、さらに、サンプルの第１、第２の表面の
各々を通して伝送される放射線を偏光させる少なくとも１つの偏光器を包含する
。 より好ましくは、像形成ユニットは、さらに、サンプルの第１、第２の表面の
各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数
のイメージを得る少なくとも１つのビーム・スプリッタを包含する。
を包含する。 好ましくは、像形成ユニットは、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して
伝送される少なくとも１つの放射線イメージを提供する少なくとも１つの光学要
素を包含する。 より好ましくは、像形成ユニットは、さらに、サンプルの第１、第２の表面の
各々を通して伝送される放射線を偏光させる少なくとも１つの偏光器を包含する
。 より好ましくは、像形成ユニットは、さらに、サンプルの第１、第２の表面の
各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数
のイメージを得る少なくとも１つのビーム・スプリッタを包含する。
【０００８】 或る実施態様において、ビーム・スプリッタは、周波数依存型ビーム・スプリ
ッタを包含し、このビーム・スプリッタは、少なくとも１つの光学要素と共に、
サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送される放射線から、異なった単
一周波数または周波数帯の複数のイメージを得る。 別の実施態様において、ビーム・スプリッタは、サンプルの第１、第２の表面
の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離する非周波数依存型ビーム
・スプリッタと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周
波数帯の放射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらのビーム・スプリッタ
、フィルタは、少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面
の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複
数のイメージを得る。
ッタを包含し、このビーム・スプリッタは、少なくとも１つの光学要素と共に、
サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送される放射線から、異なった単
一周波数または周波数帯の複数のイメージを得る。 別の実施態様において、ビーム・スプリッタは、サンプルの第１、第２の表面
の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離する非周波数依存型ビーム
・スプリッタと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周
波数帯の放射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらのビーム・スプリッタ
、フィルタは、少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面
の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複
数のイメージを得る。
【０００９】 さらに別の実施態様において、ビーム・スプリッタは、透過型回折格子を包含
し、この透過型回折格子は、少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１
、第２の表面の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または
周波数帯の複数のイメージを得る。 さらに他の実施態様において、ビーム・スプリッタは、サンプルの第１、第２
の表面の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離するプリズム・アレ
イと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周波数帯の放
射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらプリズム・アレイ、フィルタは、
少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して
伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージを
得る。
し、この透過型回折格子は、少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１
、第２の表面の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または
周波数帯の複数のイメージを得る。 さらに他の実施態様において、ビーム・スプリッタは、サンプルの第１、第２
の表面の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離するプリズム・アレ
イと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周波数帯の放
射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらプリズム・アレイ、フィルタは、
少なくとも１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して
伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージを
得る。
【００１０】 なおさらに別の実施態様において、ビーム・スプリッタは、サンプルの第１、
第２の表面の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離する複数のレン
ズと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周波数帯の放
射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらレンズ、フィルタは、少なくとも
１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送される
放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージを得る。
第２の表面の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離する複数のレン
ズと、それぞれの成分の各々を濾波して異なった単一周波数または周波数帯の放
射線を得る複数のフィルタとを包含し、これらレンズ、フィルタは、少なくとも
１つの光学要素と共に、サンプルの第１、第２の表面の各々を通して伝送される
放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージを得る。
【００１１】 好ましくは、検知器ユニットは、少なくとも１つの検知器を包含する。 或る実施態様において、検知器ユニットは、単一の検知器を包含する。 別の実施態様において、検知器ユニットは、複数の検知器を包含する。 １つの好ましい実施態様において、前記または少なくとも１つの検知器は、二
次元アレイ検知器である。 他の好ましい実施態様において、各検知器は、アレイ検知器のサブアレイであ
る。 さらに好ましい実施態様において、前記または少なくとも１つの検知器は、一
次元アレイ検知器である。 或る実施態様において、検知器ユニットは、使用時に、少なくとも１つの検知
器を移動させて像形成ユニットによって得られたイメージを捕捉するように構成
される。 好ましくは、少なくとも１つの検知器は、ＣＭＯＳチップ、ＣＣＤチップまた
は焦点面アレイのうちいずれかを包含する。
次元アレイ検知器である。 他の好ましい実施態様において、各検知器は、アレイ検知器のサブアレイであ
る。 さらに好ましい実施態様において、前記または少なくとも１つの検知器は、一
次元アレイ検知器である。 或る実施態様において、検知器ユニットは、使用時に、少なくとも１つの検知
器を移動させて像形成ユニットによって得られたイメージを捕捉するように構成
される。 好ましくは、少なくとも１つの検知器は、ＣＭＯＳチップ、ＣＣＤチップまた
は焦点面アレイのうちいずれかを包含する。
【００１２】 本発明は、また、サンプルを分析する方法であって、サンプルを用意する段階
と、サンプルの第１、第２の表面をそれぞれ少なくとも１つの電磁放射線ビーム
で照射する段階と、サンプルの第１、第２の表面を通して伝送された放射線を像
形成する段階と、像形成された放射線を捕捉し、それに対応する信号を生成する
段階と、像形成された放射線に対応する信号に作用し、サンプル内の少なくとも
１つの成分の三次元分布を表す信号を生成する段階とを包含することを特徴とす
る方法も提供する。
と、サンプルの第１、第２の表面をそれぞれ少なくとも１つの電磁放射線ビーム
で照射する段階と、サンプルの第１、第２の表面を通して伝送された放射線を像
形成する段階と、像形成された放射線を捕捉し、それに対応する信号を生成する
段階と、像形成された放射線に対応する信号に作用し、サンプル内の少なくとも
１つの成分の三次元分布を表す信号を生成する段階とを包含することを特徴とす
る方法も提供する。
【００１３】 或る実施態様において、サンプルは、照射中、静止している。 別の実施態様において、サンプルは、照射中、動いている。 或る実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、平行化処理される
。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは収斂している。 さらに別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは発散している
。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面に対して実質的に垂直である。
。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは収斂している。 さらに別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは発散している
。 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面に対して実質的に垂直である。
【００１４】 別の実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面にたいして角をなしている。 或る実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に照射するように寸法決めしてある。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてあり、そして、
サンプルのそれぞれの表面は、この少なくとも１つの放射線ビームで走査するこ
とによってほぼ完全に照射される。
光学軸は、サンプルのそれぞれの表面にたいして角をなしている。 或る実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面を実質的に完全に照射するように寸法決めしてある。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルのそれぞ
れの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてあり、そして、
サンプルのそれぞれの表面は、この少なくとも１つの放射線ビームで走査するこ
とによってほぼ完全に照射される。
【００１５】 さらに別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つは、サンプルの
それぞれの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてあり、サ
ンプルのそれぞれの表面は、サンプルを移動させて前記少なくとも１つの放射線
ビームで走査することによってほぼ完全に照射される。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つのは、線形である。 好ましくは、サンプルの第１、第２の表面は、互いに反対方向に向いた面であ
る。 好ましくは、放射線は、単一周波数、単一周波数帯、複数の単一周波数または
複数の周波数帯を包含する。
それぞれの表面の面積よりも小さい面積を照射するように寸法決めしてあり、サ
ンプルのそれぞれの表面は、サンプルを移動させて前記少なくとも１つの放射線
ビームで走査することによってほぼ完全に照射される。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つのは、線形である。 好ましくは、サンプルの第１、第２の表面は、互いに反対方向に向いた面であ
る。 好ましくは、放射線は、単一周波数、単一周波数帯、複数の単一周波数または
複数の周波数帯を包含する。
【００１６】 或る実施態様において、放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線は連続的
である。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つはパルス化される。 好ましくは、各パルスにおける放射線の周波数または周波数帯は異なっている
。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは可視光である。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは赤外放射線である。 好ましくは、赤外放射線は、近赤外領域にある。
である。 別の実施態様において、放射線ビームの少なくとも１つはパルス化される。 好ましくは、各パルスにおける放射線の周波数または周波数帯は異なっている
。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは可視光である。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つは赤外放射線である。 好ましくは、赤外放射線は、近赤外領域にある。
【００１７】 またさらに好ましくは、赤外放射線は、７００〜１７００ナノメーター、特に
、７００〜１３００ナノメーターの波長に対応する範囲の周波数を有する。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つはＸ線放射線である。 好ましくは、放射線を像形成する段階は、サンプルの第１、第２の表面の各々
を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイ
メージを得る段階を包含する。
、７００〜１３００ナノメーターの波長に対応する範囲の周波数を有する。 好ましくは、放射線ビームの少なくとも１つはＸ線放射線である。 好ましくは、放射線を像形成する段階は、サンプルの第１、第２の表面の各々
を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイ
メージを得る段階を包含する。
【００１８】 以下、添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施態様を説明する。 本発明の装置は、サンプル３（本実施態様においては、錠剤またはカプセル）
を案内するためのサンプル位置決めユニット１を包含し、このサンプルの第１、
第２のほぼ互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを位置決めするようになって
いる。このサンプル位置決めユニット１は、ベース５とトラック７（本実施態様
では、電磁放射線に対して透明である材料から形成した管状部分）とを包含し、
このトラックを通してサンプル３が、各サンプル３が分析中に移動している場合
には連続的に、各サンプルが分析中に静止している場合には段階的に送られる。
サンプル位置決めユニット１は、さらに、第１、第２のシールド・プレート１２
、１３を包含し、これらのシールド・プレートは、それぞれ、サンプル３の第１
、第２の表面３ａ、３ｂに隣接して配置されている。シールド・プレート１２、
１３は、各々、放射線が通過できる窓を構成する開口１４、１５を包含する。実
際には、シールド・プレート１２、１３における開口１４、１５は、サンプル３
の第１、第２の表面３ａ、３ｂよりわずかに小さい寸法となるように寸法付けて
ある。こうして、像形成ユニット２３を通過するすべての放射線は、シールド・
プレート１２、１３の開口１４、１５を通過し、サンプル３の中を通り抜けざる
を得ない。したがって、シールド・プレート１２、１３は、開口１４、１５の外
のいかなる放射線をも阻止するように作用する。
を案内するためのサンプル位置決めユニット１を包含し、このサンプルの第１、
第２のほぼ互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを位置決めするようになって
いる。このサンプル位置決めユニット１は、ベース５とトラック７（本実施態様
では、電磁放射線に対して透明である材料から形成した管状部分）とを包含し、
このトラックを通してサンプル３が、各サンプル３が分析中に移動している場合
には連続的に、各サンプルが分析中に静止している場合には段階的に送られる。
サンプル位置決めユニット１は、さらに、第１、第２のシールド・プレート１２
、１３を包含し、これらのシールド・プレートは、それぞれ、サンプル３の第１
、第２の表面３ａ、３ｂに隣接して配置されている。シールド・プレート１２、
１３は、各々、放射線が通過できる窓を構成する開口１４、１５を包含する。実
際には、シールド・プレート１２、１３における開口１４、１５は、サンプル３
の第１、第２の表面３ａ、３ｂよりわずかに小さい寸法となるように寸法付けて
ある。こうして、像形成ユニット２３を通過するすべての放射線は、シールド・
プレート１２、１３の開口１４、１５を通過し、サンプル３の中を通り抜けざる
を得ない。したがって、シールド・プレート１２、１３は、開口１４、１５の外
のいかなる放射線をも阻止するように作用する。
【００１９】 本装置は、さらに、サンプル３に照射する電磁放射線を生成するための放射線
発生ユニット１６を包含する。本実施態様において、放射線発生ユニット１６は
、所定周波数帯を有する放射線を提供するように構成されている。特に好ましい
実施態様において、放射線発生ユニット１６は、狭い周波数帯、好ましくは近赤
外領域の周波数帯を有する放射線を提供するように構成されている。別の実施態
様において、放射線発生ユニット１６は、単一周波数、複数の単一周波数または
複数の周波数帯（各々好ましくは狭い帯域）を包含する放射線を提供するように
構成され得る。それに加えて、放射線は連続的あるいはパルス状であってもよい
。
発生ユニット１６を包含する。本実施態様において、放射線発生ユニット１６は
、所定周波数帯を有する放射線を提供するように構成されている。特に好ましい
実施態様において、放射線発生ユニット１６は、狭い周波数帯、好ましくは近赤
外領域の周波数帯を有する放射線を提供するように構成されている。別の実施態
様において、放射線発生ユニット１６は、単一周波数、複数の単一周波数または
複数の周波数帯（各々好ましくは狭い帯域）を包含する放射線を提供するように
構成され得る。それに加えて、放射線は連続的あるいはパルス状であってもよい
。
【００２０】 放射線発生ユニット１６は、少なくとも１つの放射線源１７と、複数の光学要
素１８、１９、２０、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３
ｂ、２３ｃ、２３ｄとを包含する。これらの光学要素としては、偏光器１８、拡
散器１９、ビーム・スプリッタ２０、第１〜第３のミラー２１ａ、２１ｂ、２１
ｃ、第１、第２のレンズ２２ａ、２２ｂ、第１〜第４のシールド・プレート２３
ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄがある。これらの光学要素により、サンプル３を通
して両方向の、すなわち、第１表面３ａから第２表面３ｂならびにその逆への伝
送測定を行えると共に、サンプル３の両面からの、すなわち、第１、第２の表面
３ａ、３ｂからの反射測定を行うことができる。本実施態様においては、偏光器
１８は少なくとも１つの放射線源１７の下流側に設けられ、完全に偏光させた放
射線を得られるようにしている。本実施態様においては、拡散器１９（代表的に
は回転または振動する要素）は、少なくとも１つの放射線源１７の下流側に配置
してあり、この少なくとも１つの放射線源１７が、たとえば、レーザーである場
合に生じる可能性のあるスペックルを防ぐことができる。特に好ましい実施態様
において、放射線発生ユニット１６は、さらに、放射線を像形成ユニット２３に
送るための繊維束（図示せず）を包含する。特に好ましい実施態様において、少
なくとも１つの放射線源１７は、アーク・ランプ、Ｘ線源、レーザー（ダイオー
ド・レーザー）または発光ダイオード（ＬＥＤ）のような可視光源のいずれから
なるものであってもよい。特に好ましい実施態様において、放射線発生ユニット
１６は、複数の放射線源１７、代表的には、発光ダイオードまたはダイオード・
レーザーのスタックを包含し、それにより、サンプル３を選択的に照射すること
ができる。この実施態様では、放射線発生ユニット１６は、それぞれ、サンプル
３の第１、第２の表面の全領域に対して或る角度で送られ、この全領域をほぼ均
一に照射する平行放射線ビームを与えるように構成されている。この構成は、よ
り大きい入射角で、サンプル３が存在しないときに、放射線が像形成ユニット２
３へ、次いで、検出器ユニット２５へ通ってそれを破壊するのを防ぐという利点
を与える。特に好ましい実施態様において、本装置は、さらに、サンプル３が存
在しないときに、放射線を向ける非反射型要素（図示せず）を包含する。別の実
施態様において、放射線発生ユニット１６は、サンプル３の第１、第２の表面３
ａ、３ｂに対して実質的に直角の方向の平行放射線ビームを提供するように構成
することができる。さらに別の実施態様において、放射線発生ユニット１６は、
収斂する放射線ビームを提供するように構成し、収斂点を、サンプル３の第１、
第２の表面３ａ、３ｂのうち、放射線を与える表面と別の表面を越えたところに
設置する。さらに別の実施態様において、放射線発生ユニット１６は、発散する
放射線ビームを提供するように構成することができる。
素１８、１９、２０、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３
ｂ、２３ｃ、２３ｄとを包含する。これらの光学要素としては、偏光器１８、拡
散器１９、ビーム・スプリッタ２０、第１〜第３のミラー２１ａ、２１ｂ、２１
ｃ、第１、第２のレンズ２２ａ、２２ｂ、第１〜第４のシールド・プレート２３
ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄがある。これらの光学要素により、サンプル３を通
して両方向の、すなわち、第１表面３ａから第２表面３ｂならびにその逆への伝
送測定を行えると共に、サンプル３の両面からの、すなわち、第１、第２の表面
３ａ、３ｂからの反射測定を行うことができる。本実施態様においては、偏光器
１８は少なくとも１つの放射線源１７の下流側に設けられ、完全に偏光させた放
射線を得られるようにしている。本実施態様においては、拡散器１９（代表的に
は回転または振動する要素）は、少なくとも１つの放射線源１７の下流側に配置
してあり、この少なくとも１つの放射線源１７が、たとえば、レーザーである場
合に生じる可能性のあるスペックルを防ぐことができる。特に好ましい実施態様
において、放射線発生ユニット１６は、さらに、放射線を像形成ユニット２３に
送るための繊維束（図示せず）を包含する。特に好ましい実施態様において、少
なくとも１つの放射線源１７は、アーク・ランプ、Ｘ線源、レーザー（ダイオー
ド・レーザー）または発光ダイオード（ＬＥＤ）のような可視光源のいずれから
なるものであってもよい。特に好ましい実施態様において、放射線発生ユニット
１６は、複数の放射線源１７、代表的には、発光ダイオードまたはダイオード・
レーザーのスタックを包含し、それにより、サンプル３を選択的に照射すること
ができる。この実施態様では、放射線発生ユニット１６は、それぞれ、サンプル
３の第１、第２の表面の全領域に対して或る角度で送られ、この全領域をほぼ均
一に照射する平行放射線ビームを与えるように構成されている。この構成は、よ
り大きい入射角で、サンプル３が存在しないときに、放射線が像形成ユニット２
３へ、次いで、検出器ユニット２５へ通ってそれを破壊するのを防ぐという利点
を与える。特に好ましい実施態様において、本装置は、さらに、サンプル３が存
在しないときに、放射線を向ける非反射型要素（図示せず）を包含する。別の実
施態様において、放射線発生ユニット１６は、サンプル３の第１、第２の表面３
ａ、３ｂに対して実質的に直角の方向の平行放射線ビームを提供するように構成
することができる。さらに別の実施態様において、放射線発生ユニット１６は、
収斂する放射線ビームを提供するように構成し、収斂点を、サンプル３の第１、
第２の表面３ａ、３ｂのうち、放射線を与える表面と別の表面を越えたところに
設置する。さらに別の実施態様において、放射線発生ユニット１６は、発散する
放射線ビームを提供するように構成することができる。
【００２１】 以下に説明するように、少なくとも１つの放射線源１７、ビーム・スプリッタ
２０、ミラー２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよびシールド・プレート２３ａ、２３ｂ
、２３ｃ、２３ｄは、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送イメージ、反射イメ
ージを捕捉するように作動可能に構成される。第１の構成において、少なくとも
１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０および第１のミラー２１ａを通
してサンプル３の第１表面３ａだけに放射線を与える。放射線は、第２のシール
ド・プレート２３ｂによってサンプル３の第２表面３ｂに通るのを阻止され、サ
ンプル３の第１表面３ａから反射してきた放射線は、第３のシールド・プレート
２３ｃによって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１表面３ａか
ら第２表面３ｂへの方向にサンプル３を通して伝送される放射線のイメージを得
る。第２の構成において、少なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッ
タ２０および第１のミラー２１ａを通してサンプル３の第１表面３ａだけに放射
線を与える。放射線は、サンプル３の第２表面３ｂに通るのを阻止され、サンプ
ル３の第１表面３ａから第２表面３ｂへの方向にサンプル３を通して伝送される
放射線は、第４シールド・プレート２３ｂによって阻止される。こうして、検知
器ユニット２５は、第２、第３のミラー２１ｂ、２１ｃを経て、サンプル３の第
１表面３ａから反射してきた放射線のイメージを得る。第３の構成において、少
なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０を経て、サンプル３の
第２表面３ｂにのみ放射線を与える。放射線は、第１のシールド・プレート２３
ａによってサンプル３の第１表面３ａに通るのを阻止され、サンプル３の第２表
面３ｂから反射してきた放射線は、第４シールド・プレート２３ｄによって阻止
される。こうして、検知器ユニット２５は、第２、第３のミラー２１ｂ、２１ｃ
を経て、第２表面３ｂから第１表面３ａへの方向にサンプル３を通して伝送され
る放射線のイメージを得る。第４の構成において、少なくとも１つの放射線源１
７は、ビーム・スプリッタ２０を経て、サンプル３の第２表面３ｂだけに放射線
を与える。放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによってサンプル３の第
１表面３ａに通るのを阻止され、そして、第２表面３ｂから第１表面３ａへの方
向にサンプル３を通して伝送される放射線は、第３のシールド・プレート２３ｃ
によって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、サンプル３の第２表面
３ｂから反射してきた放射線イメージを得る。使用にあたって、放射線は、選択
的に、同時あるいは交互のうち好ましい方で、サンプル３の第１、第２の表面３
ａ、３ｂに与えられ、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送、反射イメージを捕
捉することができる。
２０、ミラー２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよびシールド・プレート２３ａ、２３ｂ
、２３ｃ、２３ｄは、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送イメージ、反射イメ
ージを捕捉するように作動可能に構成される。第１の構成において、少なくとも
１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０および第１のミラー２１ａを通
してサンプル３の第１表面３ａだけに放射線を与える。放射線は、第２のシール
ド・プレート２３ｂによってサンプル３の第２表面３ｂに通るのを阻止され、サ
ンプル３の第１表面３ａから反射してきた放射線は、第３のシールド・プレート
２３ｃによって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１表面３ａか
ら第２表面３ｂへの方向にサンプル３を通して伝送される放射線のイメージを得
る。第２の構成において、少なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッ
タ２０および第１のミラー２１ａを通してサンプル３の第１表面３ａだけに放射
線を与える。放射線は、サンプル３の第２表面３ｂに通るのを阻止され、サンプ
ル３の第１表面３ａから第２表面３ｂへの方向にサンプル３を通して伝送される
放射線は、第４シールド・プレート２３ｂによって阻止される。こうして、検知
器ユニット２５は、第２、第３のミラー２１ｂ、２１ｃを経て、サンプル３の第
１表面３ａから反射してきた放射線のイメージを得る。第３の構成において、少
なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０を経て、サンプル３の
第２表面３ｂにのみ放射線を与える。放射線は、第１のシールド・プレート２３
ａによってサンプル３の第１表面３ａに通るのを阻止され、サンプル３の第２表
面３ｂから反射してきた放射線は、第４シールド・プレート２３ｄによって阻止
される。こうして、検知器ユニット２５は、第２、第３のミラー２１ｂ、２１ｃ
を経て、第２表面３ｂから第１表面３ａへの方向にサンプル３を通して伝送され
る放射線のイメージを得る。第４の構成において、少なくとも１つの放射線源１
７は、ビーム・スプリッタ２０を経て、サンプル３の第２表面３ｂだけに放射線
を与える。放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによってサンプル３の第
１表面３ａに通るのを阻止され、そして、第２表面３ｂから第１表面３ａへの方
向にサンプル３を通して伝送される放射線は、第３のシールド・プレート２３ｃ
によって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、サンプル３の第２表面
３ｂから反射してきた放射線イメージを得る。使用にあたって、放射線は、選択
的に、同時あるいは交互のうち好ましい方で、サンプル３の第１、第２の表面３
ａ、３ｂに与えられ、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送、反射イメージを捕
捉することができる。
【００２２】 本装置は、さらに、像形成ユニット２３および検知器ユニット２５を包含する
。像形成ユニット２４は、サンプル３から受け取った放射線イメージを検知器ユ
ニット２５に与える。図４に示すように、像形成ユニット２３は、受信した放射
線を完全に偏光させる少なく１つの偏光器２６と、少なくとも１つの光学要素２
７（本実施態様では、少なくとも１つのレンズ）とを包含し、検知器ユニット２
５は、像形成された放射線を捕捉する少なくとも１つの検知器２９を包含する。
本実施態様において、少なくとも１つの検知器２９は、二次元アレイ検知器、特
にＣＭＯＳチップ、ＣＣＤチップまたは焦点面アレイを包含する。特に好ましい
実施態様において、少なくとも１つの検知器２９は、InGaAsカメラを包含する。
特に好ましい実施態様において、像形成ユニット２３は、さらに、像形成された
放射線を少なくとも１つの検知器２９に与える繊維束（図示せず）を包含する。
最も好適な実施態様において、繊維束内の各個々の繊維あるいは繊維群は別体の
検知器２９に接続される。
。像形成ユニット２４は、サンプル３から受け取った放射線イメージを検知器ユ
ニット２５に与える。図４に示すように、像形成ユニット２３は、受信した放射
線を完全に偏光させる少なく１つの偏光器２６と、少なくとも１つの光学要素２
７（本実施態様では、少なくとも１つのレンズ）とを包含し、検知器ユニット２
５は、像形成された放射線を捕捉する少なくとも１つの検知器２９を包含する。
本実施態様において、少なくとも１つの検知器２９は、二次元アレイ検知器、特
にＣＭＯＳチップ、ＣＣＤチップまたは焦点面アレイを包含する。特に好ましい
実施態様において、少なくとも１つの検知器２９は、InGaAsカメラを包含する。
特に好ましい実施態様において、像形成ユニット２３は、さらに、像形成された
放射線を少なくとも１つの検知器２９に与える繊維束（図示せず）を包含する。
最も好適な実施態様において、繊維束内の各個々の繊維あるいは繊維群は別体の
検知器２９に接続される。
【００２３】 特に好ましい実施態様において、サンプル３内の１つまたはそれ以上の成分の
三次元分布に関するさらなる情報を得るために、本装置は、複数の異なった単一
周波数または周波数帯（各々、好ましくは、狭い帯域）の放射線を使用してサン
プル３を分析するように構成される。
三次元分布に関するさらなる情報を得るために、本装置は、複数の異なった単一
周波数または周波数帯（各々、好ましくは、狭い帯域）の放射線を使用してサン
プル３を分析するように構成される。
【００２４】 或る実施態様において、放射線発生ユニット１６は、サンプル３を照射する異
なった単一周波数または周波数帯の放射線を選択的に与えるように構成され得る
。実際に、これは、放射線のパルス（各々、異なった単一周波数または周波数帯
）を提供し、検出器ユニット２５を各パルスでトリガするように放射線発生ユニ
ット１６を構成することによって達成され得る。各それぞれの単一周波数または
周波数帯の放射線でサンプル３を照射するに際して、検知器ユニット２５は、後
述するように、複数の個別のイメージを受信し、これらのイメージを分析ユニッ
ト６１によって操作する。
なった単一周波数または周波数帯の放射線を選択的に与えるように構成され得る
。実際に、これは、放射線のパルス（各々、異なった単一周波数または周波数帯
）を提供し、検出器ユニット２５を各パルスでトリガするように放射線発生ユニ
ット１６を構成することによって達成され得る。各それぞれの単一周波数または
周波数帯の放射線でサンプル３を照射するに際して、検知器ユニット２５は、後
述するように、複数の個別のイメージを受信し、これらのイメージを分析ユニッ
ト６１によって操作する。
【００２５】 別の実施態様では、図５に示すように、像形成ユニット２３は、さらに、検知
器ユニット２５に異なった単一周波数または周波数帯の２つ以上のイメージを与
えるビーム・スプリッタ３１を包含し得る。２つ以上のイメージが検知器ユニッ
ト２５に与えられる場合、検知器ユニット２５は、各イメージを与える対応する
数の検知器２９または単一の検知器２９を包含する。複数の検知器２９を使用す
る実施態様においては、これらの検知器２９は、各々１つの検知器２９を構成す
る複数のサブアレイを有する単一のチップ上に設けられる。ビーム・スプリッタ
３１は多くの形態を採り得る。１つの形態において、図６に示すように、ビーム
・スプリッタ３１は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを
、第１の周波数または周波数帯の第１のイメージＩ1と、第２の周波数または周 波数帯の第２のイメージＩ2とに分離する周波数依存型ビーム・スプリッタ３３ を包含する。別の形態においては、図７に示すように、ビーム・スプリッタ３１
は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１の周波数また
は周波数帯の第１のイメージＩ1を２つの均等な成分に分離する非周波数依存型 ビーム・スプリッタ３５と、これらの成分の１つを濾波して第１の周波数または
周波数帯の第１イメージＩ1を得る第１のフィルタ３７と、他の成分を濾波して 第２の周波数または周波数帯の第２のイメージＩ2を得る第２のフィルタ３９と を包含する。さらに別の形態においては、図８に示すように、ビーム・スプリッ
タ３１は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１の周波
数または周波数帯の第１のイメージＩ1と第２の周波数または周波数帯の第２の イメージＩ2とに分離する透過型回折格子４１を包含する。さらに別の形態にお いては、図９に示すように、ビーム・スプリッタ３１は、少なくとも１つのレン
ズ２７から受け取ったイメージＩを２つの均等な成分に分離するプリズム・アレ
イ４３と、成分の一方を濾波して第１の周波数または周波数帯の第１のイメージ
Ｉ1を得る第１のフィルタ４５と、他の成分を濾波して第２の周波数または周波 数帯の第２のイメージＩ2を得る第２のフィルタ４７とを包含する。またさらに 別の形態において、図１０に示すように、ビーム・スプリッタ３１は、それぞれ
、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１、第２、第３の
均等な成分に分離する第１、第２、第３のレンズ４９、５１、５３と、第１成分
を濾波して第１の周波数または周波数帯の第１のイメージＩ1を得る第１のフィ ルタ５５と、第２成分を濾波して第２の周波数または周波数帯の第２のイメージ
Ｉ2を得る第２のフィルタ５７と、第３成分を濾波して第３の周波数または周波 数帯の第３のイメージＩ3を得る第３のフィルタ５９とを包含する。
器ユニット２５に異なった単一周波数または周波数帯の２つ以上のイメージを与
えるビーム・スプリッタ３１を包含し得る。２つ以上のイメージが検知器ユニッ
ト２５に与えられる場合、検知器ユニット２５は、各イメージを与える対応する
数の検知器２９または単一の検知器２９を包含する。複数の検知器２９を使用す
る実施態様においては、これらの検知器２９は、各々１つの検知器２９を構成す
る複数のサブアレイを有する単一のチップ上に設けられる。ビーム・スプリッタ
３１は多くの形態を採り得る。１つの形態において、図６に示すように、ビーム
・スプリッタ３１は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを
、第１の周波数または周波数帯の第１のイメージＩ1と、第２の周波数または周 波数帯の第２のイメージＩ2とに分離する周波数依存型ビーム・スプリッタ３３ を包含する。別の形態においては、図７に示すように、ビーム・スプリッタ３１
は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１の周波数また
は周波数帯の第１のイメージＩ1を２つの均等な成分に分離する非周波数依存型 ビーム・スプリッタ３５と、これらの成分の１つを濾波して第１の周波数または
周波数帯の第１イメージＩ1を得る第１のフィルタ３７と、他の成分を濾波して 第２の周波数または周波数帯の第２のイメージＩ2を得る第２のフィルタ３９と を包含する。さらに別の形態においては、図８に示すように、ビーム・スプリッ
タ３１は、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１の周波
数または周波数帯の第１のイメージＩ1と第２の周波数または周波数帯の第２の イメージＩ2とに分離する透過型回折格子４１を包含する。さらに別の形態にお いては、図９に示すように、ビーム・スプリッタ３１は、少なくとも１つのレン
ズ２７から受け取ったイメージＩを２つの均等な成分に分離するプリズム・アレ
イ４３と、成分の一方を濾波して第１の周波数または周波数帯の第１のイメージ
Ｉ1を得る第１のフィルタ４５と、他の成分を濾波して第２の周波数または周波 数帯の第２のイメージＩ2を得る第２のフィルタ４７とを包含する。またさらに 別の形態において、図１０に示すように、ビーム・スプリッタ３１は、それぞれ
、少なくとも１つのレンズ２７から受け取ったイメージＩを第１、第２、第３の
均等な成分に分離する第１、第２、第３のレンズ４９、５１、５３と、第１成分
を濾波して第１の周波数または周波数帯の第１のイメージＩ1を得る第１のフィ ルタ５５と、第２成分を濾波して第２の周波数または周波数帯の第２のイメージ
Ｉ2を得る第２のフィルタ５７と、第３成分を濾波して第３の周波数または周波 数帯の第３のイメージＩ3を得る第３のフィルタ５９とを包含する。
【００２６】 本装置は、さらに、分析ユニット６１を包含し、この分析ユニット６１は、１
つまたはそれ以上の検知器２９から受信した信号に作用して関連した情報を信号
として抽出する処理手段（図示せず）を包含する。抽出された信号は、部分的に
、サンプル３内の１つまたはそれ以上の成分、たとえば、医薬サンプル内の活性
成分または賦形剤の三次元分布を代表する１つまたはそれ以上の二次元イメージ
を表示するためのディスプレイ（図示せず）に送ることができる。たとえば、図
１１、１２が、それぞれ、キャリヤ・マトリックス内に均一に分布した成分を包
含する第１サンプル３の第１、第２の互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを
通して伝送される放射線から生成したイメージを示している。そして、図１３、
１４が、それぞれ、キャリヤ・マトリックス内に均一に分布した成分（この成分
は、サンプル３の第１表面３ａに隣接して或る厚さに限定されている）を包含す
る第２サンプル３の第１、第２の互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを通し
て伝送された放射線から生成したイメージを示している。これらのイメージにお
いて、より明るい、すなわち、より強い領域が成分を表している。肉眼で明らか
なように、図１４におけるイメージ（第２サンプル３の第２表面３ｂを通して伝
送された放射線からのもの）は、個々の明るい領域を含んでおらず、サンプル３
の表面３ｂに隣接して存在している成分をなんら表していない。実際、図１３、
１４は、サンプル内の成分の三次元分布を決定するのに、サンプルを通って単一
の方向に伝送される放射線を像形成するだけでは不充分であることを明白に立証
している。抽出された信号は、次に、それぞれのグレイスケール・ベクトルに変
換される。これらのベクトルは、抽出された信号を数学的に表しており、たとえ
ば、グレイの関数としての強度を表す棒グラフの生成に用いられる。図１１〜１
４のイメージにおいて、各イメージは、８ビットのイメージであるが、解像度を
高めた場合に、各イメージが、たとえば、２４ビット・イメージになることがあ
ることは了解されたい。たとえば、図１５、１６は、それぞれ、図１３、１４に
示すような第２のサンプル３からの伝送イメージに対応する棒グラフを表してい
る。サンプル３の均質性の計測手段として、一変量型または多変量型のイメージ
解析技術を棒グラフに適用してもよい。主成分分析、部分最小二乗法分析または
ニューラル・ネットワーク分析が、多変量型イメージ解析法である。このような
計測手段は、較正時に、サンプル３内の成分の三次元分布と相関させることがで
きる。これらの変換された信号は、次いで、プロセス制御のために、たとえば、
混合システムの制御やサンプル分類時に制御のために、サンプル３の製造装置に
送ることができる。この好ましい実施態様において、個々の棒グラフは、サンプ
ル３のそれぞれの表面３ａ、３ｂを通して伝送される放射線から生成した単一イ
メージから生成される。別の代替実施態様において、各伝送測定値から生成した
イメージは、実際に単一の棒グラフとして統合し、操作することができる。別の
代替実施態様においては、棒グラフは、各伝送測定値から生成した複数のイメー
ジから生成することができる。これらの棒グラフは、個別に操作したり、あるい
は、操作する前に統合したりすることができる。
つまたはそれ以上の検知器２９から受信した信号に作用して関連した情報を信号
として抽出する処理手段（図示せず）を包含する。抽出された信号は、部分的に
、サンプル３内の１つまたはそれ以上の成分、たとえば、医薬サンプル内の活性
成分または賦形剤の三次元分布を代表する１つまたはそれ以上の二次元イメージ
を表示するためのディスプレイ（図示せず）に送ることができる。たとえば、図
１１、１２が、それぞれ、キャリヤ・マトリックス内に均一に分布した成分を包
含する第１サンプル３の第１、第２の互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを
通して伝送される放射線から生成したイメージを示している。そして、図１３、
１４が、それぞれ、キャリヤ・マトリックス内に均一に分布した成分（この成分
は、サンプル３の第１表面３ａに隣接して或る厚さに限定されている）を包含す
る第２サンプル３の第１、第２の互いに反対方向に向いた表面３ａ、３ｂを通し
て伝送された放射線から生成したイメージを示している。これらのイメージにお
いて、より明るい、すなわち、より強い領域が成分を表している。肉眼で明らか
なように、図１４におけるイメージ（第２サンプル３の第２表面３ｂを通して伝
送された放射線からのもの）は、個々の明るい領域を含んでおらず、サンプル３
の表面３ｂに隣接して存在している成分をなんら表していない。実際、図１３、
１４は、サンプル内の成分の三次元分布を決定するのに、サンプルを通って単一
の方向に伝送される放射線を像形成するだけでは不充分であることを明白に立証
している。抽出された信号は、次に、それぞれのグレイスケール・ベクトルに変
換される。これらのベクトルは、抽出された信号を数学的に表しており、たとえ
ば、グレイの関数としての強度を表す棒グラフの生成に用いられる。図１１〜１
４のイメージにおいて、各イメージは、８ビットのイメージであるが、解像度を
高めた場合に、各イメージが、たとえば、２４ビット・イメージになることがあ
ることは了解されたい。たとえば、図１５、１６は、それぞれ、図１３、１４に
示すような第２のサンプル３からの伝送イメージに対応する棒グラフを表してい
る。サンプル３の均質性の計測手段として、一変量型または多変量型のイメージ
解析技術を棒グラフに適用してもよい。主成分分析、部分最小二乗法分析または
ニューラル・ネットワーク分析が、多変量型イメージ解析法である。このような
計測手段は、較正時に、サンプル３内の成分の三次元分布と相関させることがで
きる。これらの変換された信号は、次いで、プロセス制御のために、たとえば、
混合システムの制御やサンプル分類時に制御のために、サンプル３の製造装置に
送ることができる。この好ましい実施態様において、個々の棒グラフは、サンプ
ル３のそれぞれの表面３ａ、３ｂを通して伝送される放射線から生成した単一イ
メージから生成される。別の代替実施態様において、各伝送測定値から生成した
イメージは、実際に単一の棒グラフとして統合し、操作することができる。別の
代替実施態様においては、棒グラフは、各伝送測定値から生成した複数のイメー
ジから生成することができる。これらの棒グラフは、個別に操作したり、あるい
は、操作する前に統合したりすることができる。
【００２７】 第１使用モード（サンプル３がサンプル位置決めユニット１のトラック７を通
して連続的に移動している）において、放射線発生ユニット１６が起動して、サ
ンプル３がその前方の所定位置にあるときに各サンプル３を単一周波数または周
波数帯の放射線あるいは複数の単一周波数または周波数帯を包含する放射線で照
射する。特に好ましい実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、センサ
（図示せず）から信号を受信してそれぞれのサンプル３の所定位置を確かめてか
ら起動される。同時に、検知器ユニット２５は、サンプル３から受信した放射線
のイメージを検出し、分析ユニット６１が、サンプル３内の１つまたはそれ以上
の成分の三次元分布を表す関連情報を信号として抽出する。次に、これらの抽出
された信号が変換され、さらに利用される。
して連続的に移動している）において、放射線発生ユニット１６が起動して、サ
ンプル３がその前方の所定位置にあるときに各サンプル３を単一周波数または周
波数帯の放射線あるいは複数の単一周波数または周波数帯を包含する放射線で照
射する。特に好ましい実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、センサ
（図示せず）から信号を受信してそれぞれのサンプル３の所定位置を確かめてか
ら起動される。同時に、検知器ユニット２５は、サンプル３から受信した放射線
のイメージを検出し、分析ユニット６１が、サンプル３内の１つまたはそれ以上
の成分の三次元分布を表す関連情報を信号として抽出する。次に、これらの抽出
された信号が変換され、さらに利用される。
【００２８】 サンプル３がサンプル位置決めユニット１のトラック７を通して段階的に移動
する第２使用モードにおいては、放射線発生ユニット１６は、それぞれのサンプ
ル３がその前方の所定位置に静止しているときに、単一周波数または周波数帯の
放射線あるいは複数の単一周波数または周波数帯を含む放射線でサンプルを書写
するように起動される。さもなければ、装置は、上記の第１モードで作動する。
する第２使用モードにおいては、放射線発生ユニット１６は、それぞれのサンプ
ル３がその前方の所定位置に静止しているときに、単一周波数または周波数帯の
放射線あるいは複数の単一周波数または周波数帯を含む放射線でサンプルを書写
するように起動される。さもなければ、装置は、上記の第１モードで作動する。
【００２９】 上記の好ましい実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、サンプル３
の第１、第２の表面３ａ、３ｂの各々のほぼ全面積を照射するように構成してあ
り、そして、二次元アレイ検知器である検知器ユニット２５における少なくとも
１つの検知器２９が、同じ瞬間にサンプル・イメージ全体を捕捉する。しかしな
がら、他の構成も可能であることは了解されたい。
の第１、第２の表面３ａ、３ｂの各々のほぼ全面積を照射するように構成してあ
り、そして、二次元アレイ検知器である検知器ユニット２５における少なくとも
１つの検知器２９が、同じ瞬間にサンプル・イメージ全体を捕捉する。しかしな
がら、他の構成も可能であることは了解されたい。
【００３０】 或る変更態様においては、図１７に示すように、装置は、上記の好ましい実施
態様と同じ放射線発生ユニット１６を包含するが、少なくとも１つの検知器２９
は、二次元アレイ検知器ではなくて、一次元アレイ検知器、特にＣＭＯＳチップ
、ＣＣＤチップまたは焦点面アレイである。この検知器は、一方向においてサン
プル・イメージを捕捉するに充分な長さのものであり、時間分解基準に基づいて
サンプル・イメージ全体を捕捉するように直交方向に動かされる。本実施態様に
おいては、検知器ユニット２５は、使用時に放射線が通過する、前記一方向に延
びる狭いスリット６５を包含するプレート６３を包含する。このプレートの背後
に、少なくとも１つの検知器２９が配置される。これら少なくとも１つの検知器
２９、プレート６３は、直交方向に一体となって動かされ、時間分解基準に基づ
いてサンプル・イメージ全体を捕捉する。
態様と同じ放射線発生ユニット１６を包含するが、少なくとも１つの検知器２９
は、二次元アレイ検知器ではなくて、一次元アレイ検知器、特にＣＭＯＳチップ
、ＣＣＤチップまたは焦点面アレイである。この検知器は、一方向においてサン
プル・イメージを捕捉するに充分な長さのものであり、時間分解基準に基づいて
サンプル・イメージ全体を捕捉するように直交方向に動かされる。本実施態様に
おいては、検知器ユニット２５は、使用時に放射線が通過する、前記一方向に延
びる狭いスリット６５を包含するプレート６３を包含する。このプレートの背後
に、少なくとも１つの検知器２９が配置される。これら少なくとも１つの検知器
２９、プレート６３は、直交方向に一体となって動かされ、時間分解基準に基づ
いてサンプル・イメージ全体を捕捉する。
【００３１】 別の変更態様においては、図１８に示すように、本装置は、上記の好ましい実
施態様と同じ検知器ユニット２５を包含するが、サンプル３の第１、第２の表面
３ａ、３ｂを実質的に完全に均一に照射するように構成した放射線発生ユニット
１６の代わりに、放射線発生ユニット１６は、使用時にサンプル３のそれぞれの
表面３ａ、３ｂを通して直交方向に走査される、一方向の放射線ラインを生成す
るように構成されている。本実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、
ビーム・スプリッタ２０の上流側に、プレート６７を包含する。このプレートは
、使用時にそこを通して放射線を送るように一方向に延びている狭いスリット６
９を包含する。このプレート６７は、使用時に、直交方向に動かされ、サンプル
３のそれぞれの表面３ａ、３ｂのほぼ全面積を放射線ラインで照射する。本実施
態様においては、検知器ユニット２５における少なくとも１つの検知器２９は、
一次元アレイ検知器、二次元アレイ検知器のいずれを包含してもよい。少なくと
も１つの検知器２９が一次元アレイ検知器である場合、検知器ユニット２５は上
記の第１変更態様として同じ構成を有し、検知器ユニット２５におけるプレート
６３は、使用時、放射線発生ユニット１６におけるプレート６７と一体に直交方
向に動かされ、時間分解基準に基づいてサンプル・イメージ全体を捕捉する。
施態様と同じ検知器ユニット２５を包含するが、サンプル３の第１、第２の表面
３ａ、３ｂを実質的に完全に均一に照射するように構成した放射線発生ユニット
１６の代わりに、放射線発生ユニット１６は、使用時にサンプル３のそれぞれの
表面３ａ、３ｂを通して直交方向に走査される、一方向の放射線ラインを生成す
るように構成されている。本実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、
ビーム・スプリッタ２０の上流側に、プレート６７を包含する。このプレートは
、使用時にそこを通して放射線を送るように一方向に延びている狭いスリット６
９を包含する。このプレート６７は、使用時に、直交方向に動かされ、サンプル
３のそれぞれの表面３ａ、３ｂのほぼ全面積を放射線ラインで照射する。本実施
態様においては、検知器ユニット２５における少なくとも１つの検知器２９は、
一次元アレイ検知器、二次元アレイ検知器のいずれを包含してもよい。少なくと
も１つの検知器２９が一次元アレイ検知器である場合、検知器ユニット２５は上
記の第１変更態様として同じ構成を有し、検知器ユニット２５におけるプレート
６３は、使用時、放射線発生ユニット１６におけるプレート６７と一体に直交方
向に動かされ、時間分解基準に基づいてサンプル・イメージ全体を捕捉する。
【００３２】 さらに別の変更態様においては、図１９に示すように、本装置は、上記の好ま
しい実施態様と同じ検知器ユニット２５を包含するが、放射線発生ユニット１６
がサンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂを実質的に完全に均一に照射するよ
うに構成してあるのではなく、一方向において放射線ラインを生成するように構
成してある。本実施態様においては、サンプル位置決めユニット１のトラック７
は、各サンプル３がこのトラックを通して放射線ラインに相対的に移動するよう
に構成されている。このようにして、サンプル３のそれぞれの表面３ａ、３ｂの
全面積が、実質的に、放射線ラインで走査される。本実施態様においては、放射
線発生ユニット１６は、使用時に放射線がそれを通って送られる、一方向に延び
る狭いスリット７３を包含する、ビーム・スプリッタ２０の上流側に配置したプ
レート７１を包含する。こうして、サンプル３がサンプル位置決めユニット１の
トラック７を通って、プレート７１のスリット７３を通過する放射線ラインに相
対的に移動させられるときに、時間分解基準に基づいてサンプル・イメージ全体
が捕捉される。本実施態様においては、検知器ユニット２５における少なくとも
１つの検知器２９は、一次元アレイ検知器または二次元アレイ検知器のいずれを
包含してもよい。少なくとも１つの検知器２９が一次元アレイ検知器である場合
、検知器ユニット２５は、上記の第１変更態様と同じ構成を有するが、プレート
６３および検知器ユニット２５の少なくとも１つの検知器２９は、所定位置に固
定され、プレート６３のスリット６５および検知器ユニット２５における少なく
とも１つの検知器２９が放射線発生ユニット１６のプレート７１におけるスリッ
ト７３と整合するようにしてある。
しい実施態様と同じ検知器ユニット２５を包含するが、放射線発生ユニット１６
がサンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂを実質的に完全に均一に照射するよ
うに構成してあるのではなく、一方向において放射線ラインを生成するように構
成してある。本実施態様においては、サンプル位置決めユニット１のトラック７
は、各サンプル３がこのトラックを通して放射線ラインに相対的に移動するよう
に構成されている。このようにして、サンプル３のそれぞれの表面３ａ、３ｂの
全面積が、実質的に、放射線ラインで走査される。本実施態様においては、放射
線発生ユニット１６は、使用時に放射線がそれを通って送られる、一方向に延び
る狭いスリット７３を包含する、ビーム・スプリッタ２０の上流側に配置したプ
レート７１を包含する。こうして、サンプル３がサンプル位置決めユニット１の
トラック７を通って、プレート７１のスリット７３を通過する放射線ラインに相
対的に移動させられるときに、時間分解基準に基づいてサンプル・イメージ全体
が捕捉される。本実施態様においては、検知器ユニット２５における少なくとも
１つの検知器２９は、一次元アレイ検知器または二次元アレイ検知器のいずれを
包含してもよい。少なくとも１つの検知器２９が一次元アレイ検知器である場合
、検知器ユニット２５は、上記の第１変更態様と同じ構成を有するが、プレート
６３および検知器ユニット２５の少なくとも１つの検知器２９は、所定位置に固
定され、プレート６３のスリット６５および検知器ユニット２５における少なく
とも１つの検知器２９が放射線発生ユニット１６のプレート７１におけるスリッ
ト７３と整合するようにしてある。
【００３３】 上記の好ましい実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、像形成ユニ
ット２３に共通にサンプル３から放射線を与えるように構成されている。図２０
に示すように、或る変更態様においては、放射線発生ユニット１６は、第２、第
３のミラー２１ｂ、２１ｃおよび第３、第４のシールド・プレート２３ｃ、２３
ｄを省略することよって、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサ
ンプル３を通って伝送された放射線およびサンプル３の第１表面３ａから反射し
てきた放射線の両方と、第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向においてサン
プル３を通って伝送されてきた放射線およびサンプル３の第２表面３ｂから反射
してきた放射線の両方を別々に与えるように構成してある。それに相応して、像
形成ユニット２３は、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプ
ル３を通して伝送された放射線およびサンプル３の第１表面３ａから反射してき
た放射線を受ける第１の偏光器２６ａおよび少なくとも１つの第１の光学要素２
７ａ（本実施態様においては、少なくとも１つのレンズ）と、第１表面３ａから
第２表面３ｂまでの方向においてサンプル３を通して伝送された放射線およびサ
ンプル３の第２表面３ｂから反射してきた放射線を受ける第２の偏光器２６ｂお
よび少なくとも１つの第２の光学要素２７ｂ（再び、本実施態様においては、少
なくとも１つのレンズ）とを包含する。検知器ユニット２５は、少なくとも１つ
の第１のレンズ２７ａによって像形成された放射線を受ける少なくとも１つの第
１の検知器２９ａと、少なくとも１つの第２のレンズ２７ｂによって像形成され
た放射線を受ける少なくとも１つの第２の検知器２９ｂとを包含する。第１の構
成において、少なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０および
第１のミラー２１ａを経て、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与えるが、こ
の放射線は、第２のシールド・プレート２３ｂによってサンプル３の第２表面３
ｂに通るのを阻止される。こうして、検知器ユニット２５における少なくとも１
つの第１の検知器２９ａは、サンプル３の第１表面３ａから反射してきた放射線
のイメージを得、検知器ユニット２５における少なくとも１つの第２の検知器２
９ｂは、第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向においてサンプル３を通して
伝送された放射線のイメージを得る。第２の構成において、少なくとも１つの放
射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０を経てサンプル３の第２表面３ｂに放射
線を与えるが、この放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによってサンプ
ル３の第１表面３ａに通るのを阻止される。こうして、検知器ユニット２５にお
ける少なくとも１つの第１の検知器２９ａは、第２表面３ｂから第１表面３ａま
での方向においてサンプル３を通して伝送された放射線のイメージを得、そして
、検知器ユニット２５における少なくとも１つの第２の検知器２９ｂは、サンプ
ル３の第２表面３ｂから反射してきた放射線のイメージを得る。使用時、放射線
は、選択的に、好ましくは同時あるいは交互に、サンプル３の第１、第２の表面
３ａ、３ｂへ送られ、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送イメージ、反射イメ
ージを捕捉する。
ット２３に共通にサンプル３から放射線を与えるように構成されている。図２０
に示すように、或る変更態様においては、放射線発生ユニット１６は、第２、第
３のミラー２１ｂ、２１ｃおよび第３、第４のシールド・プレート２３ｃ、２３
ｄを省略することよって、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサ
ンプル３を通って伝送された放射線およびサンプル３の第１表面３ａから反射し
てきた放射線の両方と、第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向においてサン
プル３を通って伝送されてきた放射線およびサンプル３の第２表面３ｂから反射
してきた放射線の両方を別々に与えるように構成してある。それに相応して、像
形成ユニット２３は、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプ
ル３を通して伝送された放射線およびサンプル３の第１表面３ａから反射してき
た放射線を受ける第１の偏光器２６ａおよび少なくとも１つの第１の光学要素２
７ａ（本実施態様においては、少なくとも１つのレンズ）と、第１表面３ａから
第２表面３ｂまでの方向においてサンプル３を通して伝送された放射線およびサ
ンプル３の第２表面３ｂから反射してきた放射線を受ける第２の偏光器２６ｂお
よび少なくとも１つの第２の光学要素２７ｂ（再び、本実施態様においては、少
なくとも１つのレンズ）とを包含する。検知器ユニット２５は、少なくとも１つ
の第１のレンズ２７ａによって像形成された放射線を受ける少なくとも１つの第
１の検知器２９ａと、少なくとも１つの第２のレンズ２７ｂによって像形成され
た放射線を受ける少なくとも１つの第２の検知器２９ｂとを包含する。第１の構
成において、少なくとも１つの放射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０および
第１のミラー２１ａを経て、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与えるが、こ
の放射線は、第２のシールド・プレート２３ｂによってサンプル３の第２表面３
ｂに通るのを阻止される。こうして、検知器ユニット２５における少なくとも１
つの第１の検知器２９ａは、サンプル３の第１表面３ａから反射してきた放射線
のイメージを得、検知器ユニット２５における少なくとも１つの第２の検知器２
９ｂは、第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向においてサンプル３を通して
伝送された放射線のイメージを得る。第２の構成において、少なくとも１つの放
射線源１７は、ビーム・スプリッタ２０を経てサンプル３の第２表面３ｂに放射
線を与えるが、この放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによってサンプ
ル３の第１表面３ａに通るのを阻止される。こうして、検知器ユニット２５にお
ける少なくとも１つの第１の検知器２９ａは、第２表面３ｂから第１表面３ａま
での方向においてサンプル３を通して伝送された放射線のイメージを得、そして
、検知器ユニット２５における少なくとも１つの第２の検知器２９ｂは、サンプ
ル３の第２表面３ｂから反射してきた放射線のイメージを得る。使用時、放射線
は、選択的に、好ましくは同時あるいは交互に、サンプル３の第１、第２の表面
３ａ、３ｂへ送られ、検知器ユニット２５がそれぞれの伝送イメージ、反射イメ
ージを捕捉する。
【００３４】 上記の好ましい実施態様においては、放射線発生ユニット１６は、少なくとも
１つの放射線源１７がサンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂの両方に放射線
を与えるように構成されている。或る変更態様においては、図２１に示すように
、放射線発生ユニット１６は、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、サン
プル３の第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向におけるサンプル３からの伝
送測定値およびサンプルの第１表面３ａからの反射測定値を獲得するように構成
した少なくとも１つの第１放射線源１７ａと、サンプル３の第２表面３ｂに放射
線を与え、サンプル３の第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向におけるサン
プル３からの伝送測定値およびサンプルの第２表面３ｂからの反射測定値を獲得
するように構成した少なくとも１つの第２放射線源１７ｂとを包含する。放射線
発生ユニット１６は、さらに、複数の光学要素１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ
、２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂを包含する。これらの光学
要素の内訳は、第１、第２の偏光器１８ａ、１８ｂ、第１、第２の拡散器１９ａ
、１９ｂ、第１、第２のミラー２１ａ、２１ｂ、第１、第２のレンズ２２ａ、２
２ｂ、第１、第２のシールド・プレート２３ａ、２３ｂであり、これにより、サ
ンプル３を通る両方向において伝送測定を獲得し、サンプル３の両表面３ａ、３
ｂから反射測定値を獲得することができる。以下に後述するように、少なくとも
１つの第１放射線源１７ａ、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂ、第１、第２
のミラー２１ａ、２１ｂ、第１、第２のシールド・プレート２３ａ、２３ｂは、
検知器ユニット２５が伝送イメージ、反射イメージのそれそれを捕捉できるよう
に構成してある。第１の構成において、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは
、サンプル３の第２表面３ｂに放射線を与えず、そして、少なくとも１つの第１
放射線源１７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、サンプル３の第
１表面３ａによって反射した放射線は第１のシールド・プレート２３ａによって
阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１表面３ａから第２表面３ｂ
までの方向においてサンプル３を通して伝送された放射線のイメージを得る。第
２の構成において、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは、サンプル３の第２
表面３ｂに放射線を与えず、そして、少なくとも１つの第１放射線源１７ａが、
サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、第１表面３ａから第２表面３ｂまで
の方向においてサンプル３を通して伝送された放射線は、第２のシールド・プレ
ート２３ｂによって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１、第２
のミラー２１ａ、２１ｂを経て、サンプル３の第１表面３ａから反射してきた放
射線のイメージを得る。第３の構成において、少なくとも１つの第１放射線源１
７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与えず、そして、少なくとも１つ
の第２放射線源１７ｂが、サンプル３の第２表面３ｂに放射線を与え、サンプル
３の第２表面３ｂから反射してきた放射線は、第２のシールド・プレート２３ｂ
によって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１、第２のミラー２
１ａ、２１ｂを経て、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプ
ル３を通して伝送された放射線のイメージを得る。第４の構成において、少なく
とも１つの第１放射線源１７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線をああ得
ず、そして、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは、サンプル３の第２表面３
ｂに放射線を与え、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプル
３を通して伝送された放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによって阻止
される。こうして、検知器ユニット２５は、サンプル３の第２表面３ｂから反射
してきた放射線のイメージを得る。使用時、放射線は、選択的に、好ましくは同
時にまたは交互に、サンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂに与えられ、検知
器ユニット２５がそれぞれ伝送、反射イメージを捕捉することができる。
１つの放射線源１７がサンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂの両方に放射線
を与えるように構成されている。或る変更態様においては、図２１に示すように
、放射線発生ユニット１６は、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、サン
プル３の第１表面３ａから第２表面３ｂまでの方向におけるサンプル３からの伝
送測定値およびサンプルの第１表面３ａからの反射測定値を獲得するように構成
した少なくとも１つの第１放射線源１７ａと、サンプル３の第２表面３ｂに放射
線を与え、サンプル３の第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向におけるサン
プル３からの伝送測定値およびサンプルの第２表面３ｂからの反射測定値を獲得
するように構成した少なくとも１つの第２放射線源１７ｂとを包含する。放射線
発生ユニット１６は、さらに、複数の光学要素１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ
、２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂを包含する。これらの光学
要素の内訳は、第１、第２の偏光器１８ａ、１８ｂ、第１、第２の拡散器１９ａ
、１９ｂ、第１、第２のミラー２１ａ、２１ｂ、第１、第２のレンズ２２ａ、２
２ｂ、第１、第２のシールド・プレート２３ａ、２３ｂであり、これにより、サ
ンプル３を通る両方向において伝送測定を獲得し、サンプル３の両表面３ａ、３
ｂから反射測定値を獲得することができる。以下に後述するように、少なくとも
１つの第１放射線源１７ａ、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂ、第１、第２
のミラー２１ａ、２１ｂ、第１、第２のシールド・プレート２３ａ、２３ｂは、
検知器ユニット２５が伝送イメージ、反射イメージのそれそれを捕捉できるよう
に構成してある。第１の構成において、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは
、サンプル３の第２表面３ｂに放射線を与えず、そして、少なくとも１つの第１
放射線源１７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、サンプル３の第
１表面３ａによって反射した放射線は第１のシールド・プレート２３ａによって
阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１表面３ａから第２表面３ｂ
までの方向においてサンプル３を通して伝送された放射線のイメージを得る。第
２の構成において、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは、サンプル３の第２
表面３ｂに放射線を与えず、そして、少なくとも１つの第１放射線源１７ａが、
サンプル３の第１表面３ａに放射線を与え、第１表面３ａから第２表面３ｂまで
の方向においてサンプル３を通して伝送された放射線は、第２のシールド・プレ
ート２３ｂによって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１、第２
のミラー２１ａ、２１ｂを経て、サンプル３の第１表面３ａから反射してきた放
射線のイメージを得る。第３の構成において、少なくとも１つの第１放射線源１
７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線を与えず、そして、少なくとも１つ
の第２放射線源１７ｂが、サンプル３の第２表面３ｂに放射線を与え、サンプル
３の第２表面３ｂから反射してきた放射線は、第２のシールド・プレート２３ｂ
によって阻止される。こうして、検知器ユニット２５は、第１、第２のミラー２
１ａ、２１ｂを経て、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプ
ル３を通して伝送された放射線のイメージを得る。第４の構成において、少なく
とも１つの第１放射線源１７ａは、サンプル３の第１表面３ａに放射線をああ得
ず、そして、少なくとも１つの第２放射線源１７ｂは、サンプル３の第２表面３
ｂに放射線を与え、第２表面３ｂから第１表面３ａまでの方向においてサンプル
３を通して伝送された放射線は、第１のシールド・プレート２３ａによって阻止
される。こうして、検知器ユニット２５は、サンプル３の第２表面３ｂから反射
してきた放射線のイメージを得る。使用時、放射線は、選択的に、好ましくは同
時にまたは交互に、サンプル３の第１、第２の表面３ａ、３ｂに与えられ、検知
器ユニット２５がそれぞれ伝送、反射イメージを捕捉することができる。
【００３５】 最後に、本発明をその好ましい実施態様について説明してきたが、これらの実
施態様が、特許請求の範囲に定義しているような発明の範囲から逸脱することな
く多くの異なった方法で変更できることは了解されたい。
施態様が、特許請求の範囲に定義しているような発明の範囲から逸脱することな
く多くの異なった方法で変更できることは了解されたい。
【図１】 本発明の好ましい実施態様による分析装置の要素を概略的に示している。
【図２】 図１の装置のサンプル位置決めユニットを概略的に示している。
【図３】 図１の装置の放射線発生ユニットを概略的に示している。
【図４】 図１の装置の像形成ユニットおよび検知器ユニットを概略的に示している。
【図５】 図１の装置の別の像形成ユニットを概略的に示している。
【図６】 図５の像形成ユニット用の第１形態のビーム・スプリッタを概略的に示してい
る。
る。
【図７】 図５の像形成ユニット用の第２形態のビーム・スプリッタを概略的に示してい
る。
る。
【図８】 図５の像形成ユニット用の第３形態のビーム・スプリッタを概略的に示してい
る。
る。
【図９】 図５の像形成ユニット用の第４形態のビーム・スプリッタを概略的に示してい
る。
る。
【図１０】 図５の像形成ユニット用の第５形態のビーム・スプリッタを概略的に示してい
る。
る。
【図１１】 第１サンプルの第１表面を通して伝送される放射線の分析ユニットによって生
成されたイメージを示している。
成されたイメージを示している。
【図１２】 第１サンプルの第２表面を通して伝送される放射線の分析ユニットによって生
成されたイメージを示している。
成されたイメージを示している。
【図１３】 第２サンプルの第１表面を通して伝送される放射線の分析ユニットによって生
成されたイメージを示している。
成されたイメージを示している。
【図１４】 第２サンプルの第２表面を通して伝送される放射線の分析ユニットによって生
成されたイメージを示している。
成されたイメージを示している。
【図１５】 図１３のイメージに対応するグレイ・シェード関数としての強度の棒グラフを
示している。
示している。
【図１６】 図１４のイメージに対応するグレイ・シェード関数としての強度の棒グラフを
示している。
示している。
【図１７】 図１の装置の別の検知器ユニットを概略的に示している。
【図１８】 図１の装置の別の放射線発生ユニットを概略的に示している。
【図１９】 図１の装置のまた別の放射線発生ユニットを概略的に示している。
【図２０】 図１の装置の別の放射線発生ユニット、別の像形成ユニットおよび別の検知器
ユニットを概略的に示している。
ユニットを概略的に示している。
【図２１】 図１の装置のまたさらに別の放射線発生ユニットを概略的に示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ａ，ＺＷ Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA14 CA01 DA08 GA04 HA03 HA07 HA13 KA01 LA01 MA04 QA01 QA04 2G059 AA01 BB20 DD12 DD13 FF02 GG01 GG02 HH01 HH02 HH06 JJ02 JJ05 JJ06 JJ11 JJ13 JJ22 KK04
Claims (63)
- 【請求項１】 サンプル（３）を位置決めするためのサンプル位置決めユニ
ット（１）と、サンプル（３）の第１、第２の表面の各々に少なくとも１つの電
磁放射線ビームを与えるための放射線発生ユニット（１６）と、サンプル（３）
の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送された放射線から少なく
とも１つのイメージを得るための像形成ユニット（２３）と、像形成ユニット（
２３）によって得られたイメージを捕捉し、それに対応する信号を生成するため
の検知器ユニット（２５）と、検知器ユニット（２５）から受信した信号に作用
し、サンプル（３）内の少なくとも１つの成分の三次元分布を表す信号を生成す
るための分析ユニット（６１）とを包含することを特徴とする、サンプルを分析
するための装置。 - 【請求項２】 サンプル位置決めユニット（１）が、サンプル（３）が使用
時に通過するトラック（７）を包含することを特徴とする、請求項１による装置
。 - 【請求項３】 サンプル位置決めユニット（１）が、サンプル（３）をトラ
ック（７）を通して段階的に移動させるように構成してあることを特徴とする、
請求項２による装置。 - 【請求項４】 サンプル位置決めユニット（１）が、サンプル（３）をトラ
ック（７）を通して連続的に移動させるように構成してあることを特徴とする、
請求項２による装置。 - 【請求項５】 放射線ビームの少なくとも１つを平行化処理することを特徴
とする、請求項１〜４のいずれか一項による装置。 - 【請求項６】 放射線ビームの少なくとも１つが収斂していることを特徴と
する、請求項１〜４のいずれか一項による装置。 - 【請求項７】 放射線ビームの少なくとも１つが発散していることを特徴と
する、請求項１〜４のいずれか一項による装置。 - 【請求項８】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの光学軸
が、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）に対して実質的に垂直であ
ることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項による装置。 - 【請求項９】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの光学軸
が、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）に対して角をなしているこ
とを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項による装置。 - 【請求項１０】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームが、サ
ンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）を実質的に完全に照射するように
寸法決めしてあることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項による装置。 - 【請求項１１】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームが、サ
ンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）の面積よりも小さい面積を照射す
るように寸法決めしてあることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項によ
る装置。 - 【請求項１２】 放射線発生ユニット（１６）が、使用時に少なくとも１つ
の方向に放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームを移動させ、サンプ
ル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）を実質的に完全に走査させるように構
成してあることを特徴とする、請求項１１による装置。 - 【請求項１３】 サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）が互い
に反対方向に向いた表面であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一
項による装置。 - 【請求項１４】 放射線ビームの少なくとも１つが可視光であることを特徴
とする、請求項１〜１３のいずれか一項による装置。 - 【請求項１５】 放射線ビームの少なくとも１つが赤外放射線であることを
特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項による装置。 - 【請求項１６】 赤外放射線が近赤外線の領域にあることを特徴とする、請
求項１５による装置。 - 【請求項１７】 赤外放射線が、７００〜１７００ナノメーターの波長に対
応する範囲の周波数を有することを特徴とする、請求項１６による装置。 - 【請求項１８】 放射線ビームの少なくとも１つがＸ線放射線であることを
特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項による装置。 - 【請求項１９】 放射線発生ユニット（１６）が、少なくとも１つの放射線
源（１７、１７ａ、１７ｂ）と、少なくとも１つの光学要素（１８、１８ａ、１
８ｂ、１９、１９ａ、１９ｂ、２０、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２２ａ、２２ｂ
、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ）とを包含することを特徴とする、請求項１
〜１８のいずれか一項による装置。 - 【請求項２０】 放射線発生ユニット（１６）が、さらに、各放射線源（１
７、１７ａ、１７ｂ）の下流に設置した可動拡散器（１９、１９ａ、１９ｂ）を
包含することを特徴とする、請求項１９による装置。 - 【請求項２１】 放射線発生ユニット（１６）が、さらに、各放射線源（１
７、１７ａ、１７ｂ）の下流に設置した少なくとも１つの偏光器（１８、１８ａ
、１８ｂ）を包含することを特徴とする、請求項１９または２０による装置。 - 【請求項２２】 放射線発生ユニット（１６）が、第１放射線源（１７ａ）
と、第２放射線源（１７ｂ）と、それらに付随する光学要素（１８ａ、１８ｂ、
１９ａ、１９ｂ、２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ）とを包含
し、各放射線源（１７ａ、１７ｂ）が、サンプル（３）の第１、第２の表面（３
ａ、３ｂ）をそれぞれ照射する少なくとも１つの放射線ビームを与えることを特
徴とする、請求項１９〜２１のいずれか一項による装置。 - 【請求項２３】 放射線源（１７、１７ａ、１７ｂ）の任意のものあるいは
各々がレーザーからなることを特徴とする、請求項１９〜２２のいずれか一項に
よる装置。 - 【請求項２４】 放射線源（１７、１７ａ、１７ｂ）の任意のものまたは各
々が、発光ダイオードからなることを特徴とする、請求項１９〜２２のいずれか
一項による装置。 - 【請求項２５】 像形成ユニット（２３）が、サンプル（３）の第１、第２
の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される少なくとも１つの放射線イメー
ジを与える少なくとも１つの光学要素（２７、２７ａ、２７ｂ）を包含すること
を特徴とする、請求項１〜２４のいずれか一項による装置。 - 【請求項２６】 像形成ユニット（２３）が、さらに、サンプル（３）の第
１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線を偏光させる少
なくとも１つの偏光器（２６、２６ａ、２６ｂ）を包含することを特徴とする、
請求項２５による装置。 - 【請求項２７】 像形成ユニット（２３）が、さらに、サンプル（３）の第
１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線から、異なった
単一周波数または周波数帯の複数のイメージを得るための少なくとも１つのビー
ム・スプリッタ（３１）を包含することを特徴とする、請求項２５または２６に
よる装置。 - 【請求項２８】 ビーム・スプリッタ（３１）が、周波数依存型ビーム・ス
プリッタ（３３）を包含し、この周波数依存型ビーム・スプリッタ（３３）が、
少なくとも１つの光学要素（２７）と共に、サンプル（３）の第１、第２の表面
（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数また
は周波数帯の複数のイメージ（Ｉ1、Ｉ2）を得ることを特徴とする、請求項２７
による装置。 - 【請求項２９】 ビーム・スプリッタ（３１）が、非周波数依存型ビーム・
スプリッタ（３５）を包含し、この非周波数依存型ビーム・スプリッタ（３５）
が、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送され
る放射線を複数の成分に分離し、さらに、それぞれの成分の各々を濾波して異な
った単一周波数または周波数帯の放射線を得る複数のフィルタ（３７、３９）を
包含し、ビーム・スプリッタ（３５）およびフィルタ（３７、３９）が、少なく
とも１つの光学要素（２７）と共に、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ
、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波
数帯の複数のイメージ（Ｉ1、Ｉ2）を得ることを特徴とする、請求項２７による
装置。 - 【請求項３０】 ビーム・スプリッタ（３１）が、透過型回折格子（４１）
を包含し、この透過型回折格子（４１）が、少なくとも１つの光学要素（２７）
と共に、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送
される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージ（Ｉ1 、Ｉ2）を得ることを特徴とする、請求項２７による装置。 - 【請求項３１】 ビーム・スプリッタ（３１）が、プリズム・アレイ（４３
）を包含し、このプリズム・アレイ（４３）が、サンプル（３）の第１、第２の
表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線を複数の成分に分離し、さ
らに、それぞれの成分を濾波して異なった単一周波数または周波数帯の放射線を
得る複数のフィルタ（４５、４７）を包含し、プリズム・アレイ（４３）および
フィルタ（４５、４７）が、少なくとも１つの光学要素（２７）と共に、サンプ
ル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線か
ら、異なった単一周波数または周波数帯の複数のイメージ（Ｉ1、Ｉ2）を得るこ
とを特徴とする、請求項２７による装置。 - 【請求項３２】 ビーム・スプリッタ（３１）が、複数のレンズ（４９、５
１、５３）を包含し、これらのレンズ（４９、５１、５３）が、サンプル（３）
の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通して伝送される放射線を複数の成
分に分離し、さらに、それぞれの成分を濾波して異なった単一周波数または周波
数帯の放射線を得る複数のフィルタ（５５、５７、５９）を包含し、レンズ（４
９、５１、５３）およびフィルタ（５５、５７、５９）が、少なくとも１つの光
学要素（２７）と共に、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）の各
々を通して伝送される放射線から、異なった単一周波数または周波数帯の複数の
イメージ（Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3）を得ることを特徴とする、請求項２７による装置。 - 【請求項３３】 検知器ユニット（２５）が、少なくとも１つの検知器（２
９、２９ａ、２９ｂ）を包含することを特徴とする、請求項１〜３２のいずれか
一項による装置。 - 【請求項３４】 単一の検知器（２９）を包含することを特徴とする、請求
項３３による装置。 - 【請求項３５】 複数の検知器（２９ａ、２９ｂ）を包含することを特徴と
する、請求項３３による装置。 - 【請求項３６】 前記検知器または少なくとも１つの検知器（２９、２９ａ
、２９ｂ）が、二次元アレイ検知器であることを特徴とする、請求項３４または
３５による装置。 - 【請求項３７】 各検知器（２９、２９ａ、２９ｂ）が、アレイ検知器のサ
ブアレイであることを特徴とする、請求項３５による装置。 - 【請求項３８】 前記検知器または少なくとも１つの検知器（２９、２９ａ
、２９ｂ）が、一次元アレイ検知器であることを特徴とする、請求項３４または
３５による装置。 - 【請求項３９】 検知器ユニット（２５）が、使用時に、少なくとも１つの
検知器（２９、２９ａ、２９ｂ）を移動させて像形成ユニット（２３）によって
与えられるイメージを捕捉するように構成してあることを特徴とする、請求項３
３〜３８のいずれか一項による装置。 - 【請求項４０】 少なくとも１つの検知器（２９、２９ａ、２９ｂ）が、Ｃ
ＭＯＳチップ、ＣＣＤチップまたは焦点面アレイのうちいずれかを包含すること
を特徴とする、請求項３３〜３９のいずれか一項による装置。 - 【請求項４１】 サンプル（３）を用意する段階と、サンプル（３）の第１
、第２の表面（３ａ、３ｂ）をそれぞれ少なくとも１つの電磁放射線ビームで照
射する段階と、サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）を通して伝送
された放射線を像形成する段階と、像形成された放射線を捕捉し、それに対応す
る信号を生成する段階と、像形成された放射線に対応する信号に作用し、サンプ
ル（３）内の少なくとも１つの成分の三次元分布を表す信号を生成する段階とを
包含することを特徴とする、サンプルを分析する方法。 - 【請求項４２】 サンプル（３）が、照射中静止していることを特徴とする
、請求項４１による方法。 - 【請求項４３】 サンプル（３）が、照射中動いていることを特徴とする請
求項４１による方法。 - 【請求項４４】 放射線ビームの少なくとも１つを平行化処理することを特
徴とする、請求項４１〜４３のいずれか一項による方法。 - 【請求項４５】 放射線ビームの少なくとも１つが収斂していることを特徴
とする、請求項４１〜４３のいずれか一項による方法。 - 【請求項４６】 放射線ビームの少なくとも１つが発散していることを特徴
とする、請求項４１〜４３のいずれか一項による方法。 - 【請求項４７】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの光学
軸が、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）に対して実質的に垂直で
あることを特徴とする、請求項４１〜４６のいずれか一項による方法。 - 【請求項４８】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線ビームの光学
軸が、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）に対して角をなしている
ことを特徴とする、請求項４１〜４６のいずれか一項による方法。 - 【請求項４９】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線が、サンプル
（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）を実質的に完全に照射するように寸法決
めしてあることを特徴とする、請求項４１〜４８のいずれか一項による方法。 - 【請求項５０】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線が、サンプル
（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）の面積よりも小さい面積を照射するよう
に寸法決めしてあり、そして、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）
が、前記少なくとも１つの放射線で走査することによって、実質的に完全に照射
されることを特徴とする、請求項４１〜４８のいずれか一項による方法。 - 【請求項５１】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線が、サンプル
（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）の面積より小さい面積を照射するように
寸法決めしてあり、そして、サンプル（３）のそれぞれの表面（３ａ、３ｂ）が
、サンプル（３）を移動させて前記少なくとも１つの放射線ビームで走査するこ
とによって実質的に完全に照射されることを特徴とする、請求項４１〜４８のい
ずれか一項による方法。 - 【請求項５２】 前記少なくとも１つの放射線ビームが線形であることを特
徴とする、請求項５０または５１による方法。 - 【請求項５３】 サンプル（３）の第１、第２の表面（３ａ、３ｂ）が、互
いに反対方向に向いた表面であることを特徴とする、請求項４１〜５２のいずれ
か一項による方法。 - 【請求項５４】 放射線が、単一の周波数、単一の周波数帯、複数の単一周
波数または複数の周波数帯を包含することを特徴とする、請求項４１〜５３のい
ずれか一項による方法。 - 【請求項５５】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線が連続的であ
ることを特徴とする、請求項４１〜５４のいずれか一項による方法。 - 【請求項５６】 放射線ビームのうち少なくとも１つの放射線が、パルス化
してあることを特徴とする、請求項４１〜５４のいずれか一項による方法。 - 【請求項５７】 各パルスにおける放射線の周波数または周波数帯が異なっ
ていることを特徴とする、請求項５６による方法。 - 【請求項５８】 放射線ビームの少なくとも１つが可視光であることを特徴
とする、請求項４１〜５７のいずれか一項による方法。 - 【請求項５９】 放射線ビームの少なくとも１つが赤外放射線であることを
特徴とする、請求項４１〜５７のいずれか一項による方法。 - 【請求項６０】 赤外放射線が、近赤外線領域にあることを特徴とする請求
項５９による方法。 - 【請求項６１】 赤外放射線が、７００〜１７００ナノメーターの波長に対
応する範囲の周波数を有することを特徴とする、請求項６０による方法。 - 【請求項６２】 放射線ビームの少なくとも１つがＸ線放射線であることを
特徴とする、請求項４１〜５７のいずれか一項による方法。 - 【請求項６３】 放射線を像形成する段階が、サンプル（３）の第１、第２
の表面（３ａ、３ｂ）の各々を通って伝送される放射線から、異なった単一周波
数または周波数帯の複数のイメージを得る段階を包含することを特徴とする、請
求項４１〜６２のいずれか一項による方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9800965-7 | 1998-03-23 | ||
| SE9800965A SE9800965D0 (sv) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | Analysing Device |
| PCT/SE1999/000463 WO1999049312A1 (en) | 1998-03-23 | 1999-03-23 | Method and device for analysing the three-dimensional distribution of a component in a sample |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002507747A true JP2002507747A (ja) | 2002-03-12 |
Family
ID=20410652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000538231A Pending JP2002507747A (ja) | 1998-03-23 | 1999-03-23 | サンプル内の成分の三次元分布を分析する方法および装置 |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6275294B1 (ja) |
| EP (1) | EP1066514B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002507747A (ja) |
| KR (1) | KR100573641B1 (ja) |
| CN (1) | CN1218178C (ja) |
| AT (1) | ATE473429T1 (ja) |
| AU (1) | AU764535B2 (ja) |
| BR (1) | BR9909005A (ja) |
| CA (1) | CA2324955C (ja) |
| DE (1) | DE69942560D1 (ja) |
| ES (1) | ES2346727T3 (ja) |
| IL (1) | IL138392A (ja) |
| NO (1) | NO20004759L (ja) |
| NZ (1) | NZ506812A (ja) |
| SE (1) | SE9800965D0 (ja) |
| WO (1) | WO1999049312A1 (ja) |
| ZA (1) | ZA200004515B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7328059B2 (en) | 1996-08-23 | 2008-02-05 | The Texas A & M University System | Imaging of light scattering tissues with fluorescent contrast agents |
| US7865230B1 (en) | 1997-02-07 | 2011-01-04 | Texas A&M University System | Method and system for detecting sentinel lymph nodes |
| US7054002B1 (en) | 1999-10-08 | 2006-05-30 | The Texas A&M University System | Characterization of luminescence in a scattering medium |
| SE0000314D0 (sv) * | 2000-01-31 | 2000-01-31 | Astrazeneca Ab | Apparatus and method for analysing |
| US6625181B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-09-23 | U.C. Laser Ltd. | Method and apparatus for multi-beam laser machining |
| SE0101004D0 (sv) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | Astrazeneca Ab | New measuring technique |
| US6771370B2 (en) | 2001-10-22 | 2004-08-03 | The Texas A&M University System | Characterizing powders using frequency-domain photon migration |
| JP2003250047A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Konica Corp | 画像処理方法、記憶媒体、画像処理装置、及び画像記録装置 |
| US7706583B2 (en) * | 2002-11-11 | 2010-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus and method |
| US20040156539A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-12 | Asm Assembly Automation Ltd | Inspecting an array of electronic components |
| US7599732B2 (en) | 2003-06-20 | 2009-10-06 | The Texas A&M University System | Method and system for near-infrared fluorescence contrast-enhanced imaging with area illumination and area detection |
| EP1812079A4 (en) | 2004-10-15 | 2012-07-25 | Spectral Dimensions Inc | EVALUATION OF PHARMACEUTICAL MIXTURES |
| GB2475635B (en) * | 2007-01-29 | 2011-08-31 | Teraview Ltd | A pharmaceutical analysis method and apparatus |
| KR100988471B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2010-10-18 | 전자부품연구원 | 실시간 세포 분석 장치 및 이를 이용한 세포의 대사 측정방법 |
| EP2841926B1 (en) | 2012-04-23 | 2017-07-26 | Siemens Healthcare Diagnostics Inc. | Biological assay sample analyzer |
| CN105067511A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-11-18 | 浙江大学城市学院 | 一种透明土模型桩试验测试装置及其使用方法 |
| CN107449736A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-08 | 南京科兴新材料科技有限公司 | 一种用于治疗肿瘤的药物分析仪 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2950780A1 (de) * | 1979-12-17 | 1981-06-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schichtgeraet zur herstellung von transversalschichtbildern |
| GB2194962A (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-23 | Tian Der Mao | Cathodic protection of metal surfaces |
| US5126569A (en) | 1989-03-10 | 1992-06-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus for measuring optical properties of materials |
| GB9313036D0 (en) * | 1993-06-24 | 1993-08-11 | Pfizer Ltd | Spectrophotometric analysis |
| DE4340072C2 (de) * | 1993-11-24 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Untersuchung von Gewebe mit Licht |
| US5760399A (en) | 1995-10-02 | 1998-06-02 | Foss Nirsystems, Inc. | Measurement of transmission spectra of pharmaceutical tablets |
| GB2328016B (en) * | 1997-08-08 | 2001-04-25 | Pfizer Ltd | Spectrophotometric analysis |
-
1998
- 1998-03-23 SE SE9800965A patent/SE9800965D0/xx unknown
-
1999
- 1999-03-23 DE DE69942560T patent/DE69942560D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-23 BR BR9909005-8A patent/BR9909005A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-03-23 ES ES99913801T patent/ES2346727T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-23 US US09/308,146 patent/US6275294B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-23 KR KR1020007010523A patent/KR100573641B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-23 AT AT99913801T patent/ATE473429T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-23 WO PCT/SE1999/000463 patent/WO1999049312A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-03-23 JP JP2000538231A patent/JP2002507747A/ja active Pending
- 1999-03-23 IL IL13839299A patent/IL138392A/en not_active IP Right Cessation
- 1999-03-23 NZ NZ506812A patent/NZ506812A/xx unknown
- 1999-03-23 EP EP99913801A patent/EP1066514B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-23 CN CN998065420A patent/CN1218178C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-23 CA CA2324955A patent/CA2324955C/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-23 AU AU31792/99A patent/AU764535B2/en not_active Ceased
-
2000
- 2000-08-30 ZA ZA200004515A patent/ZA200004515B/xx unknown
- 2000-09-22 NO NO20004759A patent/NO20004759L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2324955A1 (en) | 1999-09-30 |
| AU764535B2 (en) | 2003-08-21 |
| ZA200004515B (en) | 2001-05-30 |
| CN1302377A (zh) | 2001-07-04 |
| EP1066514B1 (en) | 2010-07-07 |
| KR20010074457A (ko) | 2001-08-04 |
| CN1218178C (zh) | 2005-09-07 |
| BR9909005A (pt) | 2000-11-28 |
| AU3179299A (en) | 1999-10-18 |
| CA2324955C (en) | 2011-10-18 |
| KR100573641B1 (ko) | 2006-04-25 |
| NO20004759D0 (no) | 2000-09-22 |
| NO20004759L (no) | 2000-11-21 |
| WO1999049312A1 (en) | 1999-09-30 |
| DE69942560D1 (de) | 2010-08-19 |
| IL138392A (en) | 2004-01-04 |
| NZ506812A (en) | 2002-09-27 |
| ES2346727T3 (es) | 2010-10-19 |
| SE9800965D0 (sv) | 1998-03-23 |
| ATE473429T1 (de) | 2010-07-15 |
| IL138392A0 (en) | 2001-10-31 |
| US6275294B1 (en) | 2001-08-14 |
| EP1066514A1 (en) | 2001-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002507747A (ja) | サンプル内の成分の三次元分布を分析する方法および装置 | |
| JP4067826B2 (ja) | 撮像システム及びその撮像方法 | |
| US7339661B2 (en) | Dark field inspection system | |
| US7859656B2 (en) | Defect inspection method and system | |
| US7554572B2 (en) | Image pickup apparatus for capturing spectral images of an object and observation system including the same | |
| JP6302084B2 (ja) | 仕分け装置および方法 | |
| US7189984B2 (en) | Object data input apparatus and object reconstruction apparatus | |
| US7826049B2 (en) | Inspection tools supporting multiple operating states for multiple detector arrangements | |
| US7843558B2 (en) | Optical inspection tools featuring light shaping diffusers | |
| US20160116411A1 (en) | Optical metrology system for spectral imaging of a sample | |
| US20060140462A1 (en) | Random access high-speed confocal microscope | |
| US6208750B1 (en) | Method for detecting particles using illumination with several wavelengths | |
| JP2558864B2 (ja) | 分光解析装置 | |
| US9553034B1 (en) | Combined semiconductor metrology system | |
| US7864316B2 (en) | Spectrometric characterization of pharmaceutical heterogeneity | |
| US8135207B2 (en) | Optical inspection tools featuring parallel post-inspection analysis | |
| US7092094B2 (en) | Coordinated polarization for shiny surface measurement | |
| JPH0820309B2 (ja) | 分光演算装置 | |
| JPH05506923A (ja) | ビデオ検査照明配列装置 | |
| US12035057B1 (en) | Snapshot polarization imaging with a micro-camera array microscope | |
| MXPA00009167A (en) | Method and device for analysing the three-dimensional distribution of a component in a sample | |
| JP2000131235A (ja) | 分光計測システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060303 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100202 |