JP2002373793A - Exposure device and image forming device - Google Patents

Exposure device and image forming device

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JP2002373793A
JP2002373793A JP2001179723A JP2001179723A JP2002373793A JP 2002373793 A JP2002373793 A JP 2002373793A JP 2001179723 A JP2001179723 A JP 2001179723A JP 2001179723 A JP2001179723 A JP 2001179723A JP 2002373793 A JP2002373793 A JP 2002373793A
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light
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layer
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Takashi Hamano
敬史 濱野
Takahiro Komatsu
隆宏 小松
Akira Gyotoku
明 行徳
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device on which an organic EL element array capable of easily forming a luminous dot in an optical size is mounted. SOLUTION: The organic EL element array is composed of a conductive material 8 formed on a translucent anode 7 and having an opening part from which the translucent anode 7 is exposed; a hole transport layer 9 for injecting holes in the translucent anode 7; a luminescent layer formed so as to cover the opening part and lighting the position of the opening part; a cathode formed on the luminescent layer and in which electrons are injected. The exposure device has an organic EL element array substrate 3 equipped with the organic EL element array, and a driver IC for driving the organic EL element array, and the luminous dot 15 is constituted with the opening part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機やプリンタ
等の電子写真装置に用いられる露光装置および画像形成
装置に関し、特に光プリンタヘッドに適用して有効な技
術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an image forming apparatus used in an electrophotographic apparatus such as a copying machine and a printer, and more particularly to a technique effective when applied to an optical printer head.

【0002】[0002]

【従来の技術】感光体上に潜像を書き込むための露光方
式として、高速化、小型化、高信頼性などの観点からL
EDアレイ方式が中心的になっている。
2. Description of the Related Art Exposure methods for writing a latent image on a photoreceptor are known from the viewpoints of speed, miniaturization, and high reliability.
The ED array method is dominant.

【0003】ここで、LEDプリンタヘッドを用いた印
字プロセスは概ね以下のような順序で進行する。
Here, the printing process using the LED printer head generally proceeds in the following order.

【0004】まず、帯電器を用いて感光体を一様に帯電
し、帯電面にLEDアレイからの光線をレンズなどを介
して結像させ(露光)、潜像を形成する。次に、現像器
によりこの潜像を可視像とした後、記録紙に転写して定
着させる。これと併せて、残留トナーのクリーニングお
よび残留電位の除電を行って、印字プロセスは完了す
る。
First, a photoreceptor is uniformly charged using a charger, and a light beam from an LED array is imaged on a charged surface via a lens or the like (exposure) to form a latent image. Next, this latent image is made visible by a developing device, and then transferred and fixed on a recording sheet. At the same time, the residual toner is cleaned and the residual potential is removed, and the printing process is completed.

【0005】さて、LED素子アレイには無機LEDア
レイと有機EL素子アレイとがあるが、無機LEDアレ
イ方式の場合、LEDアレイ基板が高価なことに加え
て、1枚の基板ではアレイをつくれないために切り出し
たチップを直線的に整列させる必要がある。このときチ
ップ間での発光特性が一致しないため、アレイ1ライン
全体での発光光量ばらつきが必ず発生する。
[0005] There are an inorganic LED array and an organic EL element array in the LED element array. In the case of the inorganic LED array system, an LED array substrate is expensive and an array cannot be formed with one substrate. Therefore, it is necessary to linearly align the cut chips. At this time, since the light emission characteristics between the chips do not match, a variation in the light emission amount in one line of the array always occurs.

【0006】そして、アレイ1ライン全体での発光光量
ばらつきを修正するため、たとえば初期のアレイ全体の
全素子の発光光量分布を測定して各発光素子に対応した
光量補正データを作成しておいて、それに基づき駆動回
路の光量補正回路(たとえば電流/パルス幅補正など)
により光量補正が行うという技術がある。しかし、これ
によれば、駆動回路が複雑になる、コストアップするな
どの問題があった。
[0006] In order to correct the variation in the amount of emitted light in one line of the array, for example, the distribution of the emitted light amount of all elements in the entire array in the initial stage is measured, and the light amount correction data corresponding to each light emitting element is created. And a light amount correction circuit of the drive circuit based on the correction (for example, current / pulse width correction, etc.)
There is a technique in which light amount correction is performed by using However, according to this, there are problems such as a complicated driving circuit and an increase in cost.

【0007】また、チップを切り出したり、直線的に整
列させたりするのには高精度の切断技術および実装技術
が必要であるが、プリンタとしての高解像度化に必要な
発光ドットの高密度化が困難になっていたり、コストア
ップの要因となっていたりしていた。
[0007] In order to cut out or align the chips in a straight line, a high-precision cutting technology and a mounting technology are required. It has become difficult and has been a factor in increasing costs.

【0008】一方、有機EL素子アレイは、アレイを安
価なガラス基板上などに形成することができ、しかもア
レイを一枚の基板から得ることができる。したがって、
無機LEDアレイのようなチップ間での発光光量ばらつ
きはなく、発光ばらつき光量補正回路も必要ない。した
がって、アレイを低コストで作成できるので、このよう
な利点から開発が進められている。
On the other hand, the organic EL element array can be formed on an inexpensive glass substrate or the like, and the array can be obtained from a single substrate. Therefore,
There is no variation in the amount of emitted light between chips as in an inorganic LED array, and a circuit for correcting the amount of emitted light is not required. Therefore, since the array can be manufactured at low cost, development is proceeding from such an advantage.

【0009】表示素子としての有機EL素子の基本的構
成例を示す斜視図を図12に示す。なお、図12はドッ
トマトリックス表示素子とした例である。
FIG. 12 is a perspective view showing a basic configuration example of an organic EL element as a display element. FIG. 12 shows an example in which a dot matrix display element is used.

【0010】図12において、ガラス基板61上にIT
O(Indium Tin Oxide)などの透光性
陽極62をストライプ状に設け、その上に正孔輸送層6
3、発光層64を形成した後に、ストライプ状に開口し
た真空蒸着用マスクを用いてカソード65を形成する。
このとき、カソード65のストライプ方向が透光性陽極
62と交差する方向に合わせる。そして、透光性陽極6
2とカソード65との間にはさまれた発光層64に電流
を注入することにより、ドットマトリクス状の発光が得
られて表示素子として機能する。
[0010] In FIG. 12, an IT
A light-transmitting anode 62 such as O (Indium Tin Oxide) is provided in a stripe shape, and a hole transport layer 6 is formed thereon.
3. After forming the light emitting layer 64, the cathode 65 is formed using a vacuum deposition mask having a stripe-shaped opening.
At this time, the stripe direction of the cathode 65 is aligned with the direction crossing the translucent anode 62. And the translucent anode 6
By injecting a current into the light emitting layer 64 sandwiched between the cathode 2 and the cathode 65, light emission in a dot matrix is obtained and functions as a display element.

【0011】しかし、この有機EL素子アレイをプリン
タヘッドとして用いるためには、発光ドットとなるエリ
アの寸法を決定しなくてはならない。例えば200dp
iの解像度だけで考慮した場合、発光ドットのピッチは
約130μmとなる。そして、600dpiなら約40
μm、1200dpiなら約20μmというように、解
像度が上がるに比例して発光ドットのピッチは微細化さ
れていく。
However, in order to use this organic EL element array as a printer head, it is necessary to determine the size of an area to be a light emitting dot. For example, 200dp
When only the resolution of i is considered, the pitch of the light emitting dots is about 130 μm. And about 600 dpi is about 40
The pitch of the light emitting dots is reduced in proportion to the increase in resolution, for example, about 20 μm for μm and 1200 dpi.

【0012】ここで、図12の例で説明すると、発光ド
ットの寸法は、平面的には陽極62とカソード65が交
差している面積で決定される。陽極62側の平面上の面
積は、半導体技術であるホトリソ技術を使って高精度に
決定できるので1200dpiの発光ドットピッチにも
十分対応できるが、有機物層はホトリソ技術で使用する
有機溶媒、純水、現像液に触れると発光特性が劣化して
しまうので、有機物層被着後に成膜するカソード材料を
ホトリソ技術で加工することができない。そうすると、
カソード65側の平面上の面積は、真空蒸着する際の専
用パターンマスクの設けた開口部の大きさで決定される
ことになるが、専用パターンマスクに設ける開口部の大
きさは、特にアレイ化した場合を考えると200dpi
にも対応するのはかなり難しいものがある。
Referring to FIG. 12, the size of a light emitting dot is determined by the area where the anode 62 and the cathode 65 intersect in a plan view. The area on the plane on the side of the anode 62 can be determined with high accuracy using the photolitho technology which is a semiconductor technology, so that it can sufficiently cope with a light emitting dot pitch of 1200 dpi. In addition, since the light emission characteristics deteriorate when exposed to a developing solution, the cathode material formed after the organic layer is deposited cannot be processed by photolithography. Then,
The area of the flat surface on the side of the cathode 65 is determined by the size of the opening provided in the dedicated pattern mask at the time of vacuum vapor deposition. 200 dpi
Some things are quite difficult to deal with.

【0013】有機EL素子アレイにおいて、この発光ド
ットピッチを簡単な構造で微細化する技術が特開200
0−133461に開示されている。これによれば、透
光性基板上に形成した透光性を有する第1電極の表面上
に、開口部を設けた導電性の遮光層を形成して発光ドッ
トエリアを構成し、この遮光層を外部駆動回路との電気
的な接続層として用いていることにより、微細な発光ド
ットでも簡単な構造により作成でき、外部駆動回路との
接続も容易な有機EL発光源が得られる。
In an organic EL element array, a technology for miniaturizing the light emitting dot pitch with a simple structure is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 200-200.
0-133461. According to this, a conductive light-shielding layer having an opening is formed on the surface of the light-transmitting first electrode formed on the light-transmitting substrate to form a light-emitting dot area. Is used as an electrical connection layer with an external drive circuit, so that even fine light-emitting dots can be created with a simple structure, and an organic EL light-emitting source that can be easily connected to an external drive circuit can be obtained.

【0014】図10は従来における有機EL素子アレイ
基板と外部回路端子を示す斜視図で、図11(a)は図
10の要部を拡大して示す断面図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a conventional organic EL element array substrate and external circuit terminals, and FIG. 11A is a cross-sectional view showing an enlarged main part of FIG.

【0015】これらの図面において、透光性基板51上
に第1電極であるITO電極層52を形成し、その上に
光出射孔56となる開口部を設けてある遮光層である金
電極層53を形成する。そして有機化合物層54、陰極
層55を順次形成して有機EL素子アレイ50が作成さ
れる。
In these drawings, an ITO electrode layer 52 serving as a first electrode is formed on a light-transmitting substrate 51, and a gold electrode layer serving as a light shielding layer having an opening serving as a light emitting hole 56 provided thereon. 53 is formed. Then, an organic compound layer 54 and a cathode layer 55 are sequentially formed to form an organic EL element array 50.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開2000
−133461では、遮光層の材料に、外部回路端子5
7とワイヤ58でワイヤボンディングするのに好適な例
えばAu(金)電極を用いているが、Auは有機化合物
層54、陰極層55に比べると仕事関数が高いので有機
EL素子アレイ50の陽極として作用する。
However, Japanese Patent Laid-Open Publication
In the case of −133461, the external circuit terminal 5
For example, an Au (gold) electrode suitable for wire bonding with the wire 7 and the wire 58 is used. However, Au has a higher work function than the organic compound layer 54 and the cathode layer 55, and thus is used as an anode of the organic EL element array 50. Works.

【0017】そのとき、図11(a)のS部を拡大して
示す断面図として図11(b)に示すように、発光点B
から出た光はかなりの量が光出射孔56を通過してIT
O透明電極層52、透光性基板51を経由して基板外部
に出光されるが、発光点Aからの光の殆どは遮光層であ
る金電極層53に遮断されて反射する。また、金電極層
53、陰極層55で何度も反射を繰り返すと減衰してし
まうので、発光点Bに比べると発光点Aから出た光の光
出射孔56を通過できる光量は少ない。
At this time, as shown in FIG. 11B as an enlarged sectional view of a portion S in FIG.
A considerable amount of light emitted from the device passes through the light exit hole 56 and passes through the IT.
Light is emitted to the outside of the substrate via the O transparent electrode layer 52 and the translucent substrate 51, but most of the light from the light emitting point A is blocked and reflected by the gold electrode layer 53 which is a light shielding layer. Further, since the light is repeatedly attenuated by the gold electrode layer 53 and the cathode layer 55 many times, the light is attenuated, so that the amount of light emitted from the light emitting point A through the light emitting hole 56 is smaller than that of the light emitting point B.

【0018】解像度が600dpi,1200dpiと
いうように高くなると、ITO透明電極層52上の金電
極層53の重なり部分の面積が発光ドットエリアとなる
光出射孔56の面積に比べてあまり無視できないような
大きさになる。したがって、金電極層53がないときに
比べると、投入電流に対して外部への光取り出し効率が
落ちることになるので、発光ドットとしての所定の輝度
を得るには消費電力が増大する方向になるという問題が
ある。
When the resolution is increased to 600 dpi or 1200 dpi, the area of the overlapping portion of the gold electrode layer 53 on the ITO transparent electrode layer 52 is not so negligible as compared with the area of the light emitting hole 56 which becomes the light emitting dot area. Size. Therefore, as compared with the case where the gold electrode layer 53 is not provided, the efficiency of extracting light to the outside with respect to the applied current is reduced, so that the power consumption increases in order to obtain a predetermined luminance as the light emitting dot. There is a problem.

【0019】そこで、本発明は、発光ドットを容易に任
意の大きさに形成可能な有機EL素子アレイが搭載され
た露光装置および画像形成装置を提供することを目的と
する。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an image forming apparatus equipped with an organic EL element array capable of easily forming a light emitting dot into an arbitrary size.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の露光装置は、透光性陽極上に形成されて透
光性陽極を露出させる開口部が形成された導電性材料、
透光性陽極に正孔を注入する正孔輸送層、開口部を覆う
ように形成されて開口部の位置が発光する発光層、およ
び発光層上に形成されて電子を注入するカソードからな
る有機EL素子アレイを備えた有機EL素子アレイ基板
と、有機EL素子アレイを駆動するドライバICとを有
し、開口部により発光ドットが構成されているものであ
る。
In order to solve this problem, an exposure apparatus according to the present invention comprises: a conductive material formed on a light-transmitting anode and having an opening for exposing the light-transmitting anode;
An organic layer comprising a hole transport layer for injecting holes into the translucent anode, a light emitting layer formed to cover the opening and emitting light at the position of the opening, and a cathode formed on the light emitting layer and injecting electrons. It has an organic EL element array substrate provided with an EL element array, and a driver IC for driving the organic EL element array, and a light emitting dot is constituted by an opening.

【0021】また、本発明の露光装置は、透光性陽極に
正孔を注入する正孔輸送層、正孔の注入された透光性陽
極により発光する発光層、および発光層上に形成されて
電子を注入するカソードからなる有機EL素子アレイを
備えた有機EL素子アレイ基板と、有機EL素子アレイ
を駆動するドライバICとを有し、有機EL素子アレイ
基板と透光性陽極との間には、有機EL素子アレイ基板
に向かう光を反射する光反射層が設けられているもので
ある。
Further, the exposure apparatus of the present invention comprises a hole transport layer for injecting holes into the light-transmissive anode, a light-emitting layer emitting light by the light-transmissive anode into which holes are injected, and a light-emitting layer formed on the light-emitting layer. An organic EL element array substrate having an organic EL element array composed of a cathode for injecting electrons through the substrate, and a driver IC for driving the organic EL element array. Is provided with a light reflection layer that reflects light traveling toward the organic EL element array substrate.

【0022】さらに、本発明の画像形成装置は、このよ
うな露光装置が用いられているものである。
Further, the image forming apparatus of the present invention uses such an exposure apparatus.

【0023】これにより、発光ドットを容易に任意の大
きさに形成することが可能になるとともに、発光効率が
良好で低消費電力の有機EL素子アレイが得られる。
As a result, it is possible to easily form the luminescent dots into an arbitrary size, and it is possible to obtain an organic EL element array having good luminous efficiency and low power consumption.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、透光性陽極上に形成されて透光性陽極を露出させる
開口部が形成された導電性材料、透光性陽極に正孔を注
入する正孔輸送層、開口部を覆うように形成されて開口
部の位置が発光する発光層、および発光層上に形成され
て電子を注入するカソードからなる有機EL素子アレイ
を備えた有機EL素子アレイ基板と、有機EL素子アレ
イを駆動するドライバICとを有し、開口部により発光
ドットが構成されている露光装置であり、導電性材料に
形成された開口部の形状で発光ドットが規定され、ここ
から効率良く光が出射されるので、発光ドットを容易に
任意の大きさに形成することが可能になるとともに、発
光効率が良好で低消費電力の有機EL素子アレイが搭載
された露光装置が得られるという作用を有する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present invention relates to a light-transmitting anode formed on a light-transmitting anode, the conductive material having an opening for exposing the light-transmitting anode. An organic EL element array including a hole transport layer for injecting holes, a light emitting layer formed to cover the opening and emitting light at the position of the opening, and a cathode formed on the light emitting layer and injecting electrons. An exposure device having an organic EL element array substrate and a driver IC for driving the organic EL element array, wherein light-emitting dots are formed by openings, and light is emitted in the shape of the openings formed in the conductive material. Since the dots are defined and light is efficiently emitted from the dots, the light emitting dots can be easily formed into an arbitrary size, and an organic EL element array with good light emitting efficiency and low power consumption is mounted. Exposure equipment It has the effect that is.

【0025】本発明の請求項2に記載の発明は、透光性
陽極に正孔を注入する正孔輸送層、正孔の注入された透
光性陽極により発光する発光層、および発光層上に形成
されて電子を注入するカソードからなる有機EL素子ア
レイを備えた有機EL素子アレイ基板と、有機EL素子
アレイを駆動するドライバICとを有し、有機EL素子
アレイ基板と透光性陽極との間には、有機EL素子アレ
イ基板に向かう光を反射する光反射層が設けられている
露光装置であり、カソードの方向に発光するとともに、
発光ドットがカソードの面積で規定されるので、発光ド
ットを容易に任意の大きさに形成することが可能になる
とともに、光は有機EL素子アレイ基板内を通過しない
ので有機EL素子アレイと有機EL素子アレイ基板との
界面での光の反射による光量の劣化がなく、発光効率が
より良好で低消費電力の有機EL素子アレイが搭載され
た露光装置が得られるという作用を有する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a hole transport layer for injecting holes into the light-transmitting anode, a light-emitting layer emitting light by the light-transmissive anode into which holes are injected, and a light-emitting layer on the light-emitting layer. An organic EL element array substrate including an organic EL element array formed of a cathode for injecting electrons and having an organic EL element array, and a driver IC for driving the organic EL element array; In between, there is an exposure apparatus provided with a light reflection layer that reflects light directed toward the organic EL element array substrate, and emits light in the direction of the cathode.
Since the light emitting dots are defined by the area of the cathode, the light emitting dots can be easily formed in an arbitrary size, and the light does not pass through the organic EL element array substrate. There is an effect that an exposure apparatus equipped with an organic EL element array having better luminous efficiency and low power consumption is obtained without deterioration of light amount due to reflection of light at an interface with the element array substrate.

【0026】本発明の請求項3に記載の発明は、請求項
1〜3の何れか一項に記載の露光装置が用いられている
画像形成装置であり、発光ドットを容易に任意の大きさ
に形成することが可能になるとともに、発光効率が良好
で低消費電力の有機EL素子アレイが搭載された露光装
置を用いた画像形成装置が得られるという作用を有す
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an image forming apparatus in which the exposure apparatus according to any one of the first to third aspects is used. And an image forming apparatus using an exposure apparatus equipped with an organic EL element array having good luminous efficiency and low power consumption can be obtained.

【0027】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図9を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. In these drawings, the same members are denoted by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.

【0028】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1における露光装置を示す斜視図、図2は図1の露光
装置における有機ELアレイ基板を示す平面図、図3は
図2のA−A’線に沿った断面図、図4は図2のB−
B’線に沿った断面図、図5は図1の露光装置の用いら
れた画像形成装置を示す概略図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view showing an exposure apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an organic EL array substrate in the exposure apparatus of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 5 is a schematic view showing an image forming apparatus using the exposure apparatus shown in FIG.

【0029】まず最初に、有機EL素子アレイについて
詳細に説明する。なお、有機EL素子アレイの説明は、
次の実施の形態2においても共通のものである。
First, the organic EL element array will be described in detail. The description of the organic EL element array is as follows.
The same applies to the second embodiment.

【0030】有機EL素子アレイとは、1個の有機EL
素子の発光部がアレイ状(直線的)に整列している素ア
レイ素子である。
An organic EL element array is one organic EL element.
This is an elementary array element in which the light emitting portions of the element are arranged in an array (linear).

【0031】また、有機EL素子アレイ基板とは、有機
EL素子アレイが形成される基板のことである。ここ
で、基板材料としては、透明または半透明のソーダ石灰
ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラ
ス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウ
ムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の無機酸化物ガラ
ス、無機フッ化物ガラス、等の無機ガラス、あるいは透
明または半透明のポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル
スルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリ
エチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、
フッ素系樹脂等の高分子フィルム、あるいは不透明のS
i(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)、GaAs(ガ
リウム砒素)、InAs(インジウム砒素)、GaSb
(ガリウムアンチモン)、InSb(インジウムアンチ
モン)等の無機半導体基板、あるいは不透明のFe
(鉄)、Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Ag
(銀)等の金属または合金、金属化合物基板等、あるい
は不透明のプラスチック、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂
等の高分子基板等が用いられる。なお、基板の表面ある
いは基板の内部には、有機エレクトロルミネッセンス素
子を駆動するための抵抗、コイル、インダクタ等からな
る回路を形成していてもよい。
The organic EL element array substrate is a substrate on which an organic EL element array is formed. Here, as a substrate material, inorganic oxide glass such as transparent or translucent soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz glass, etc. Inorganic glass such as fluoride glass, or transparent or translucent polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyether sulfone, polyvinyl fluoride, polypropylene, polyethylene, polyacrylate, amorphous polyolefin,
Polymer film such as fluororesin or opaque S
i (silicon), Ge (germanium), GaAs (gallium arsenide), InAs (indium arsenide), GaSb
(Gallium antimony), InSb (indium antimony) or other inorganic semiconductor substrate, or opaque Fe
(Iron), Al (aluminum), Cu (copper), Ag
A metal or alloy such as (silver), a metal compound substrate, or a polymer substrate such as an opaque plastic, a thermosetting resin, or a photocurable resin is used. Note that a circuit including a resistor, a coil, an inductor and the like for driving the organic electroluminescence element may be formed on the surface of the substrate or inside the substrate.

【0032】陽極としては、一般的には透明電極が用い
られる。透明電極とは透光性の導電膜であり、インジウ
ムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO2)、酸化
亜鉛(ZnO)等の金属酸化物、あるいは、SnO:S
b(アンチモン)、ZnO:Al(アルミニウム)とい
った混合物からなる透明導電膜や、あるいは透明度を損
なわない程度の厚さのAl(アルミニウム)、Cu
(銅)、Ti(チタン)、Ag(銀)といった金属薄膜
や、これら金属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜
や、あるいはポリピロール等の導電性高分子等を用いる
ことができる。また、複数の前述した透明電極材料を積
層することで透明電極とすることも可能であり、抵抗加
熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法または電界重合
法、化学重合法等により形成する。透明電極は十分な導
電性を持たせるため、あるいは基板表面の凹凸による不
均一発光を防ぐために、1nm以上の厚さにすることが
望ましい。また、十分な透明性を持たせるために500
nm以下の厚さにすることがさらに望ましい。なお、本
発明において透明または半透明または透光性なる定義
は、有機EL素子または有機EL素子アレイによる発光
の視認を妨げない程度をいう。
As the anode, a transparent electrode is generally used. The transparent electrode is a light-transmitting conductive film, and is a metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or SnO: S
b (antimony), a transparent conductive film made of a mixture such as ZnO: Al (aluminum), or Al (aluminum) or Cu having a thickness that does not impair the transparency.
A metal thin film such as (copper), Ti (titanium), or Ag (silver), a metal thin film such as a mixed thin film or a laminated thin film of these metals, or a conductive polymer such as polypyrrole can be used. Further, a transparent electrode can be formed by laminating a plurality of the above-mentioned transparent electrode materials, and is formed by resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, electric field polymerization, chemical polymerization, or the like. It is preferable that the transparent electrode has a thickness of 1 nm or more in order to have sufficient conductivity or prevent uneven light emission due to unevenness of the substrate surface. Also, in order to have sufficient transparency, 500
More desirably, the thickness is not more than nm. In the present invention, the definition of “transparent”, “translucent” or “translucent” refers to a degree that does not hinder the visual recognition of light emission by the organic EL element or the organic EL element array.

【0033】陽極には、その他にも、Cr(クロム)、
Ni(ニッケル)、Cu(銅)、Sn(錫)、W(タン
グステン)、Au(金)等の仕事関数の大きな金属、あ
るいはその合金、酸化物等を用いることができ、これら
陽極材料を用いた複数の材料による積層構造も用いるこ
とができる。ただし、陽極を透明電極として用いない場
合、光の角度変換手段の効果を最大限に利用するために
は、陽極は光を反射する材料で形成することが好まし
い。
In addition to Cr (chromium),
A metal having a large work function, such as Ni (nickel), Cu (copper), Sn (tin), W (tungsten), Au (gold), or an alloy thereof, an oxide, or the like can be used. A stacked structure of a plurality of materials may be used. However, when the anode is not used as a transparent electrode, it is preferable that the anode be formed of a material that reflects light in order to maximize the effect of the light angle conversion means.

【0034】また、陽極に非晶質炭素膜を設けてもよ
い。この場合には、共に正孔注入電極としての機能を有
する。すなわち、陽極から非晶質炭素膜を介して発光層
あるいは正孔輸送層に正孔が注入される。また、非晶質
炭素膜は、陽極と発光層あるいは正孔輸送層との間にス
パッタ法により形成される。スパッタリングによるカー
ボンターゲットとしては、等方性グラファイト、異方性
グラファイト、ガラス状カーボン等があり、特に限定す
るものではないが、純度の高い等方性グラファイトが適
している。
Also, an amorphous carbon film may be provided on the anode. In this case, both have a function as a hole injection electrode. That is, holes are injected from the anode into the light emitting layer or the hole transport layer via the amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer by a sputtering method. As the carbon target by sputtering, there are isotropic graphite, anisotropic graphite, glassy carbon, and the like. Although not particularly limited, isotropic graphite having high purity is suitable.

【0035】非晶質炭素膜が優れている点を具体的に示
す。理研計器製の表面分析装置AC−1を使って非晶質
炭素膜の仕事関数を測定すると、非晶質炭素膜の仕事関
数はWc=5.40eVである。ここで、一般に陽極と
してよく用いられているITOの仕事関数は、Wf(I
TO)=5.05eVであるので、非晶質炭素膜を用い
た方が発光層あるいは正孔輸送層に効率よく正孔を注入
できる。また、非晶質炭素膜をスパッタリング法にて形
成する際、非晶質炭素膜の電気抵抗値を制御するため
に、窒素あるいは水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で
反応性スパッタリングする。さらに、スパッタリング法
などによる薄膜形成技術では、膜厚を5nm以下にする
と膜が島状構造となり均質な膜が得られない。そのた
め、非晶質炭素膜の膜厚が5nm以下では電気抵抗が高
くなり過ぎて電流が流れず、効率の良い発光が得られな
い。また、非晶質炭素膜の膜厚を100nm以上とする
と、膜の色が黒味を帯び、有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光が十分に透過しなくなる。
The fact that the amorphous carbon film is excellent will be specifically described. When the work function of the amorphous carbon film is measured using a surface analyzer AC-1 manufactured by Riken Keiki, the work function of the amorphous carbon film is Wc = 5.40 eV. Here, the work function of ITO generally used as an anode is Wf (I
Since TO) = 5.05 eV, holes can be more efficiently injected into the light emitting layer or the hole transport layer by using the amorphous carbon film. When an amorphous carbon film is formed by a sputtering method, reactive sputtering is performed in a mixed gas atmosphere of nitrogen or hydrogen and argon in order to control an electric resistance value of the amorphous carbon film. Furthermore, in a thin film forming technique by a sputtering method or the like, if the film thickness is set to 5 nm or less, the film becomes an island structure, and a uniform film cannot be obtained. Therefore, when the thickness of the amorphous carbon film is 5 nm or less, the electric resistance becomes too high, and no current flows, and efficient light emission cannot be obtained. Further, when the thickness of the amorphous carbon film is 100 nm or more, the color of the film becomes blackish, and the light emission of the organic electroluminescence element is not sufficiently transmitted.

【0036】また、発光層材料は、可視領域で蛍光特性
を有し、かつ成膜性の良い蛍光体からなるものが好まし
く、Alq3やBe−ベンゾキノリノール(BeBq2
の他に、2、5−ビス(5、7−ジ−t−ペンチル−2
−ベンゾオキサゾリル)−1、3、4−チアジアゾー
ル、4、4’−ビス(5、7−ベンチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)スチルベン、4、4’−ビス〔5、7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル〕スチルベン、2、5−ビス(5、7−ジ−t−ベン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフィン、2、5−
ビス(〔5−α、α−ジメチルベンジル〕−2−ベンゾ
オキサゾリル)チオフェン、2、5−ビス〔5、7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル〕−3、4−ジフェニルチオフェン、2、5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4、4’−ビス(2−ベンゾオキサイゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−〔2−〔4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサイゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンゾオキ
サイゾリル、2−〔2−(4−クロロフェニル)ビニ
ル〕ナフト〔1、2−d〕オキサゾール等のベンゾオキ
サゾール系、2、2’−(p−フェニレンジビニレン)
−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、2−
〔2−〔4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビ
ニル〕ベンゾイミダゾール、2−〔2−(4−カルボキ
シフェニル)ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイ
ミダゾール系等の蛍光増白剤や、ビス(8−キノリノー
ル)マグネシウム、ビス(ベンゾ−8−キノリノール)
亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラート)アルミ
ニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)インジウ
ム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニ
ウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−クロロ
−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5−クロロ−8
−キノリノール)カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス(8−
ヒドロキシ−5−キノリノニル)メタン〕等の8−ヒド
ロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオ
ン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、1、4−
ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−(3−
メチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(4−メチル
スチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1、4−ビ
ス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(3
−エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(2−メチ
ルスチリル)2−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン
系化合物や、2、5−ビス(4−メチルスチリル)ピラ
ジン、2、5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、
2、5−ビス〔2−(1−ナフチル)ビニル〕ピラジ
ン、2、5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、
2、5−ビス〔2−(4−ビフェニル)ビニル〕ピラジ
ン、2、5−ビス〔2−(1−ピレニル)ビニル〕ピラ
ジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘
導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体
や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体
や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳
香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さらに、ア
ントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等も用い
られる。
The light emitting layer material preferably has a fluorescent property in the visible region and is preferably made of a phosphor having good film-forming properties, such as Alq 3 or Be-benzoquinolinol (BeBq 2 ).
And 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2)
-Benzoxazolyl) -1,3,4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-bentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-ventyl-2-benzooxazolyl) thiofin, 2,5-
Bis ([5-α, α-dimethylbenzyl] -2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzoxazolyl) thiophene,
4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-
Benzoxazoles such as benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazolyl and 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho [1,2-d] oxazole, and 2,2 ′-(p-phenyl Range vinylene)
Benzothiazoles such as bisbenzothiazole, 2-
Fluorescent whitening agents such as [2- [4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, etc .; Quinolinol) magnesium, bis (benzo-8-quinolinol)
Zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, lithium 8-quinolinol, tris (5-chloro-8-quinolinol) Gallium, bis (5-chloro-8
-Quinolinol) calcium, poly [zinc-bis (8-
8-hydroxyquinoline-based metal complexes such as hydroxy-5-quinolinonyl) methane and metal-chelated oxinoid compounds such as dilithium epindridione;
Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4- (3-
Methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3
-Ethylstyryl) benzene, styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) 2-methylbenzene, and 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4- Ethylstyryl) pyrazine,
2,5-bis [2- (1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine,
Distilpyrazine derivatives such as 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine, naphthalimide derivatives, perylene derivatives, Oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, cyclopentadiene derivatives, styrylamine derivatives, coumarin derivatives, aromatic dimethylidin derivatives, and the like are used. Further, anthracene, salicylate, pyrene, coronene and the like are also used.

【0037】また、発光層のみの単層構造の他に、正孔
輸送層と発光層または発光層と電子輸送層の2層構造
や、正孔輸送層と発光層と電子輸送層の3層構造の何れ
の構造でもよい。但し、このような2層構造または3層
構造の場合には、正孔輸送層と陽極が、または電子輸送
層と陰極が接するように積層して形成される。
In addition to the single-layer structure of only the light-emitting layer, a two-layer structure of a hole transport layer and a light-emitting layer or a light-emitting layer and an electron transport layer, or a three-layer structure of a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer Any structure may be used. However, in the case of such a two-layer structure or a three-layer structure, the hole transport layer and the anode or the electron transport layer and the cathode are stacked so as to be in contact with each other.

【0038】そして、正孔輸送層としては、正孔移動度
が高く、透明で成膜性の良いものが好ましい。TPDの
他に、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシア
ニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、1、1−ビ
ス{4−(ジ−P−トリルアミノ)フェニル}シクロヘ
キサン、4、4’、4’’−トリメチルトリフェニルア
ミン、N、N、N’、N’−テトラキス(P−トリル)
−P−フェニレンジアミン、1−(N、N−ジ−P−ト
リルアミノ)ナフタレン、4、4’−ビス(ジメチルア
ミノ)−2−2’−ジメチルトリフェニルメタン、N、
N、N’、N’−テトラフェニル−4、4’−ジアミノ
ビフェニル、N、N’−ジフェニル−N、N’−ジ−m
−トリル−4、N、N−ジフェニル−N、N’−ビス
(3−メチルフェニル)−1、1’−4、4’−ジアミ
ン、4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾ
−ル等の芳香族第三級アミンや、4−ジ−P−トリルア
ミノスチルベン、4−(ジ−P−トリルアミノ)−4’
−〔4−(ジ−P−トリルアミノ)スチリル〕スチルベ
ン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オ
キサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリ
アリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラ
ゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニー
ルアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキ
サゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フ
ルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘
導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オ
リゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリ
ディン系化合物や、ポリ3−メチルチオフェン等の有機
材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子
中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高
分子分散系の正孔輸送層も用いられる。
As the hole transport layer, a layer having high hole mobility, being transparent and having good film-forming properties is preferable. In addition to TPD, porphyrin compounds such as porphine, tetraphenylporphine copper, phthalocyanine, copper phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, and 1,1-bis {4- (di-P-tolylamino) phenyl} cyclohexane, 4, 4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (P-tolyl)
-P-phenylenediamine, 1- (N, N-di-P-tolylamino) naphthalene, 4,4'-bis (dimethylamino) -2-2-2'-dimethyltriphenylmethane, N,
N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di-m
-Tolyl-4, N, N-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1, 1'-4, 4'-diamine, 4'-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, etc. Aromatic tertiary amines, 4-di-P-tolylaminostilbene, 4- (di-P-tolylamino) -4 ′
Stilbene compounds such as-[4- (di-P-tolylamino) styryl] stilbene, triazole derivatives, oxazizole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, , Annealed amine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, silazane derivatives, polysilane aniline copolymers, high molecular oligomers, styrylamine compounds Organic materials such as aromatic dimethylidin compounds and poly-3-methylthiophene are used. Further, a polymer-dispersed hole transport layer in which a low molecular weight organic material for a hole transport layer is dispersed in a polymer such as polycarbonate is also used.

【0039】また、電子輸送層としては、1、3−ビス
(4−tert−ブチルフェニル−1、3、4−オキサ
ジアゾリル)フェニレン(OXD−7)等のオキサジア
ゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体等が用いられる。
As the electron transporting layer, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7) and anthraquinodimethane derivatives And diphenylquinone derivatives.

【0040】陰極は電子が注入される電極であり、電子
を効率良く発光層あるいは電子輸送層に注入することが
必要であり、仕事関数の小さいAl(アルミニウム)、
In(インジウム)、Mg(マグネシウム)、Ti(チ
タン)、Ag(銀)、Ca(カルシウム)、Sr(スト
ロンチウム)等の金属、あるいは、これらの金属の酸化
物やフッ化物およびその合金、積層体等が一般に用いら
れる。また、発光層あるいは電子輸送層と接する界面
に、仕事関数の小さい金属を用いた光透過性の高い超薄
膜を形成し、その上部に透明電極を積層することで、透
明陰極を形成することも可能である。特に仕事関数の小
さなMg、Mg−Ag合金、特開平5−121172号
公報記載のAl−Li合金やSr−Mg合金あるいはA
l−Sr合金、Al−Ba合金等あるいはLiO2/A
lやLiF/Al等の積層構造は陰極材料として好適で
ある。成膜方法としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタ法が用いられる。ただし、陰極を透明電極
として用いない場合、光の角度変換手段の効果を最大限
に利用するためには、陰極は光を反射する材料で形成す
ることが好ましい。
The cathode is an electrode into which electrons are injected, and it is necessary to efficiently inject electrons into the light emitting layer or the electron transporting layer.
Metals such as In (indium), Mg (magnesium), Ti (titanium), Ag (silver), Ca (calcium), and Sr (strontium), or oxides and fluorides of these metals and their alloys and laminates Are generally used. In addition, a transparent cathode may be formed by forming an ultrathin film having high light transmittance using a metal having a small work function at an interface in contact with the light emitting layer or the electron transport layer, and laminating a transparent electrode thereon. It is possible. Particularly, Mg, Mg-Ag alloy having a small work function, Al-Li alloy or Sr-Mg alloy described in JP-A-5-121172 or A
l-Sr alloy, Al-Ba alloy, etc. or LiO 2 / A
A laminated structure such as 1 or LiF / Al is suitable as a cathode material. As a film forming method, resistance heating evaporation, electron beam evaporation, and sputtering are used. However, when the cathode is not used as a transparent electrode, it is preferable that the cathode is formed of a material that reflects light in order to maximize the effect of the light angle conversion means.

【0041】さて、図1に示すように、本実施の形態の
露光装置では、有機EL素子アレイ基板3上に有機EL
素子アレイ2が配設されている。また、有機EL素子ア
レイ基板3は、複数個のドライバIC4が搭載された駆
動回路基板1上に配設されている。そして、有機EL素
子アレイ2と駆動回路基板1上のドライバIC4とは、
ワイヤボンディングにより相互に電気的に接続されてい
る。
As shown in FIG. 1, in the exposure apparatus of the present embodiment, an organic EL element array substrate 3 is provided with an organic EL element.
An element array 2 is provided. Further, the organic EL element array substrate 3 is provided on the drive circuit substrate 1 on which a plurality of driver ICs 4 are mounted. The organic EL element array 2 and the driver IC 4 on the drive circuit board 1
They are electrically connected to each other by wire bonding.

【0042】駆動回路基板1の下部には集束型ロッドレ
ンズアレイ5が配設されており、有機EL素子アレイ2
の発光ドット15(図2)からの光は有機EL素子アレ
イ基板3と駆動回路基板1を通過し、集束型ロッドレン
ズアレイ5を経由して感光体6上に結像する。
A focusing rod lens array 5 is provided below the drive circuit board 1, and an organic EL element array 2 is provided.
The light from the light emitting dot 15 (FIG. 2) passes through the organic EL element array substrate 3 and the drive circuit substrate 1 and forms an image on the photoreceptor 6 via the converging rod lens array 5.

【0043】有機EL素子アレイ2上の発光ドット15
毎にON/OFFのスイッチングが必要であるので、ド
ライバIC4は、1ヘッド当たりのドット総数をドライ
バIC4の1チップ当たりのドット総数で除した個数だ
け必要になる。
Light emitting dots 15 on organic EL element array 2
Since ON / OFF switching is required every time, the number of driver ICs 4 is required by dividing the total number of dots per head by the total number of dots per driver IC 4.

【0044】有機EL素子アレイ2は、ドライ法または
ウエット法により薄膜形成できて、しかも一部に半導体
製造プロセスで用いられるホトリソ技術も使えるので、
発光ドット15を一括形成でき、高精度に高密度パター
ン化することが可能である。つまり無機LED素子のチ
ップを複数個並べるような手間が省けて、アレイライン
を一括形成でき、無機LED素子よりも寿命が長くでき
るため、大幅な低コスト化が図れる。
The organic EL element array 2 can be formed into a thin film by a dry method or a wet method, and a photolithography technique used in a semiconductor manufacturing process can be partially used.
The light emitting dots 15 can be collectively formed, and high-density patterning can be performed with high accuracy. In other words, the labor of arranging a plurality of chips of the inorganic LED elements can be omitted, the array lines can be formed collectively, and the life can be longer than that of the inorganic LED elements, so that the cost can be significantly reduced.

【0045】図2に示すように、有機EL素子アレイ2
のラインには、解像度に対応して発光ドット15が作成
されている。これらの発光ドット15は透光性陽極7と
分離層12によりパターニングされている。また、これ
らの発光ドット15は、各々が透光性陽極7と接続用電
極14によりドライバIC4にワイヤボンディングで電
気的に接続されている。また、陰極側として共通のカソ
ード11(図3、図4)があり、駆動回路基板1にワイ
ヤボンディングで電気的に接続されている。
As shown in FIG. 2, the organic EL element array 2
The light emitting dots 15 are created on the line corresponding to the resolution. These luminescent dots 15 are patterned by the translucent anode 7 and the separation layer 12. Each of the light emitting dots 15 is electrically connected to the driver IC 4 by wire bonding through the translucent anode 7 and the connection electrode 14. There is a common cathode 11 (FIGS. 3 and 4) on the cathode side, which is electrically connected to the drive circuit board 1 by wire bonding.

【0046】このような有機EL素子アレイ2は、次の
ようにして形成される。
Such an organic EL element array 2 is formed as follows.

【0047】すなわち、図3および図4において、先
ず、有機アレイ素子基板3に正孔が注入される透光性陽
極7をパターン形成し、その上に導電性材料8をパター
ン形成する。このとき、図3に示すように、導電性材料
8には発光ドット15を形成するための開口部aを設
け、開口部aから透光性陽極7を露出させる。
That is, in FIGS. 3 and 4, first, a light-transmissive anode 7 into which holes are injected is formed in a pattern on the organic array element substrate 3, and a conductive material 8 is formed thereon. At this time, as shown in FIG. 3, an opening a for forming the light emitting dot 15 is provided in the conductive material 8, and the light-transmitting anode 7 is exposed from the opening a.

【0048】次に、開口部aを避けるようにして透光性
陽極7と交差する分離層12をパターン形成する。その
後、専用パターンマスクにより開口部aを覆うようにし
て正孔輸送層9、発光層10を順次パターン形成し、さ
らに、他の専用パターンマスクを用いてカソード11を
形成する。そして、接続用電極14をパターン形成して
透光性陽極7と導電性材料8と接続用電極14を電気的
に接続した後、封止材13を用いて発光部が周辺環境
(特に水分)により劣化しないように気密封止する。
Next, a separation layer 12 that intersects with the translucent anode 7 is formed by patterning so as to avoid the opening a. Thereafter, the hole transport layer 9 and the light emitting layer 10 are sequentially patterned so as to cover the opening a with a dedicated pattern mask, and the cathode 11 is formed using another dedicated pattern mask. Then, after the connection electrode 14 is formed in a pattern to electrically connect the translucent anode 7, the conductive material 8 and the connection electrode 14, the light-emitting portion is exposed to the surrounding environment (particularly moisture) by using the sealing material 13. Airtight sealing to prevent deterioration.

【0049】これにより、発光ドット15は開口部aの
設けられた導電性材料8により規定される。しかも、開
口部aに位置する発光層10は発光するがそれ以外の場
所の発光層10は発光しないので、発光ドット15であ
る開口部aから効率良く出射される光を得ることができ
る。
Thus, the light emitting dots 15 are defined by the conductive material 8 provided with the openings a. In addition, since the light emitting layer 10 located in the opening a emits light but the light emitting layer 10 in other places does not emit light, light emitted from the opening a as the light emitting dot 15 can be obtained efficiently.

【0050】したがって、発光ドット15を容易に任意
の大きさに形成することが可能になるとともに、発光効
率が良好で低消費電力の有機EL素子アレイ2が搭載さ
れた露光装置が得られる。
Accordingly, it is possible to easily form the light emitting dots 15 in an arbitrary size, and it is possible to obtain an exposure apparatus in which the organic EL element array 2 having good luminous efficiency and low power consumption is mounted.

【0051】次に、このような露光装置が用いられた画
像形成装置による印字プロセスについて図5を用いて説
明する。
Next, a printing process by an image forming apparatus using such an exposure apparatus will be described with reference to FIG.

【0052】先ず、感光体6の表面を帯電器19を用い
て一様に帯電する。
First, the surface of the photoreceptor 6 is uniformly charged using the charger 19.

【0053】次に、帯電された感光体6の表面に、前述
の有機EL素子アレイが搭載された露光装置20からの
露光光線21がセルフォックレンズ、集束性ロッドレン
ズなどを介して結像され(露光)、潜像が形成される。
すなわち、帯電面に対しては目的の画像情報の時系列的
デジタル信号に対応した露光がなされ、それら画像情報
に対応した静電潜像が形成される。
Next, an exposure light beam 21 from an exposure device 20 equipped with the above-mentioned organic EL element array is formed on the surface of the charged photoreceptor 6 through a selfoc lens, a converging rod lens and the like. (Exposure), a latent image is formed.
That is, exposure corresponding to a time-series digital signal of target image information is performed on the charged surface, and an electrostatic latent image corresponding to the image information is formed.

【0054】そして、絶縁トナーを用いた現像器22に
より静電潜像がトナー像として現像される。一方、感光
体6とこれに所定の押圧力で当接された転写器23の転
写部に、記録紙24が所定のタイミングで導入され、所
定の転写バイアス電圧を印加して転写が行われる。これ
により、トナー画像の転写を受けた記録紙24は感光体
6の表面から分離されて熱定着方式等の定着器25に導
入され、ここでトナー画像が定着され、プリントされる
ことになる。
Then, the electrostatic latent image is developed as a toner image by the developing device 22 using the insulating toner. On the other hand, the recording paper 24 is introduced at a predetermined timing to the transfer portion of the transfer device 23 which is brought into contact with the photoreceptor 6 with a predetermined pressing force, and transfer is performed by applying a predetermined transfer bias voltage. As a result, the recording paper 24 to which the toner image has been transferred is separated from the surface of the photoreceptor 6 and introduced into a fixing device 25 such as a heat fixing system, where the toner image is fixed and printed.

【0055】これと併せて、クリーナ26により残留ト
ナーのクリーニング、除電器27により残留電位の除電
が行われて、1回の印字プロセスを完了する。
At the same time, the residual toner is cleaned by the cleaner 26 and the residual potential is removed by the charge remover 27, thereby completing one printing process.

【0056】以上のようにして、有機EL素子アレイを
搭載した露光装置20を用いて、簡単な構造で高解像
度、低消費電力に対応できる画像形成装置が構成され
る。
As described above, an image forming apparatus capable of coping with high resolution and low power consumption with a simple structure is constructed using the exposure apparatus 20 equipped with the organic EL element array.

【0057】(実施の形態2)図6は本発明の実施の形
態2における露光装置を示す斜視図、図7は図6の露光
装置における有機ELアレイ基板を示す平面図、図8は
図7のC−C’線に沿った断面図、図9は図7のD−
D’線に沿った断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 6 is a perspective view showing an exposure apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 7 is a plan view showing an organic EL array substrate in the exposure apparatus of FIG. 6, and FIG. FIG. 9 is a sectional view taken along line CC ′ of FIG.
It is sectional drawing along the D 'line.

【0058】図6に示すように、本実施の形態の露光装
置では、有機EL素子アレイ基板3上に有機EL素子ア
レイ2aが配設されている。また、有機EL素子アレイ
基板3は、複数個のドライバIC4が搭載された駆動回
路基板1上に配設されている。そして、有機EL素子ア
レイ2と駆動回路基板1上のドライバIC4とは、ワイ
ヤボンディングにより相互に電気的に接続されている。
As shown in FIG. 6, in the exposure apparatus of the present embodiment, an organic EL element array 2a is provided on an organic EL element array substrate 3. Further, the organic EL element array substrate 3 is provided on the drive circuit substrate 1 on which a plurality of driver ICs 4 are mounted. The organic EL element array 2 and the driver IC 4 on the drive circuit board 1 are electrically connected to each other by wire bonding.

【0059】有機EL素子アレイ基板3の上部には集束
型ロッドレンズアレイ6が配設されており、有機EL素
子アレイ2aの発光ドット16(図7)からの光は集束
型ロッドレンズアレイ5を経由して、感光体6上に結像
する。
A focusing rod lens array 6 is provided above the organic EL element array substrate 3, and light from the light emitting dots 16 (FIG. 7) of the organic EL element array 2a passes through the focusing rod lens array 5. The light forms an image on the photoreceptor 6 via the

【0060】図7に示すように、有機EL素子アレイ基
板3と透光性陽極7との間には光反射層17が設けられ
ている。これにより、有機EL素子アレイ2aの光線の
取り出し方向が有機EL素子アレイ基板3とは反対方向
になるので、有機EL素子アレイ基板3の上部に配設さ
れた集束型ロッドレンズアレイ5を介して感光体6に露
光を行うことができる。
As shown in FIG. 7, a light reflecting layer 17 is provided between the organic EL element array substrate 3 and the translucent anode 7. As a result, the light is extracted from the organic EL element array 2a in a direction opposite to that of the organic EL element array substrate 3, so that the light passes through the converging rod lens array 5 disposed on the organic EL element array substrate 3. The photoreceptor 6 can be exposed.

【0061】そして、この取り出し方向であれば光は有
機EL素子アレイ基板3内を通過しないので、有機EL
素子アレイ2aと有機EL素子アレイ基板3との界面で
の光の反射による光量の劣化がなく、より多くの光量を
取り出すことができる。これにより、駆動電流を減らす
ことができて、低消費電力の有機EL素子アレイ2aに
よる露光装置が得られる。
In this extraction direction, light does not pass through the organic EL element array substrate 3, so that the organic EL element
There is no deterioration in light quantity due to reflection of light at the interface between the element array 2a and the organic EL element array substrate 3, and more light quantity can be extracted. As a result, the drive current can be reduced, and an exposure apparatus using the organic EL element array 2a with low power consumption can be obtained.

【0062】このような有機EL素子アレイ2aは、次
のようにして形成される。
[0062] Such an organic EL element array 2a is formed as follows.

【0063】すなわち、図8および図9において、先
ず、有機EL素子アレイ基板3上に光反射層17を形成
し、その上に透光性陽極7をパターン形成した後、透光
性陽極7と交差する分離層12をパターン形成する。
8 and 9, a light reflection layer 17 is first formed on the organic EL element array substrate 3, and a light-transmissive anode 7 is formed thereon. Intersecting separation layers 12 are patterned.

【0064】次に、専用パターンマスクを用いて正孔輸
送層9、発光層10を順次積層して所望の位置にパター
ン形成し、さらに透光性を有する透光性カソード11a
を形成する。
Next, the hole transport layer 9 and the light emitting layer 10 are sequentially laminated by using a dedicated pattern mask to form a pattern at a desired position.
To form

【0065】このとき、出光方向となる透光性カソード
11aは、膜厚を薄く形成することで透光性をもたせた
仕事関数が低い金属材料のカソードに、透光性電極を積
層した積層膜からなる。
At this time, the light-transmissive cathode 11a in the light-emitting direction is a laminated film in which a light-transmissive electrode is laminated on a cathode made of a metal material having a low work function and having a light-transmitting property by forming a thin film. Consists of

【0066】また、図9に示すように、配線として引き
出した光反射層17上に接続用電極14をパターン形成
して光反射層17、透光性陽極7と接続用電極14を電
気的に接続した後、封止材13を用いて発光部が周辺環
境(特に水分)により劣化しないように封止する。
As shown in FIG. 9, a connection electrode 14 is patterned on the light reflection layer 17 drawn as a wiring to electrically connect the light reflection layer 17, the translucent anode 7 and the connection electrode 14 to each other. After the connection, the light emitting section is sealed using a sealing material 13 so as not to be deteriorated by the surrounding environment (particularly, moisture).

【0067】これにより、発光ドット16として透光性
陽極7と分離層12と透光性カソード11aにより発光
エリアが規定されるので、低消費電力の有機EL素子ア
レイ2aを用いた露光装置が得られる。
As a result, a light emitting area is defined as the light emitting dots 16 by the translucent anode 7, the separation layer 12, and the translucent cathode 11a, so that an exposure apparatus using the low power consumption organic EL element array 2a is obtained. Can be

【0068】[0068]

【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。Next, specific examples of the present invention will be described.

【0069】本実施例は、有機EL発光素子アレイを発
光源として備えた露光装置および画像形成装置を示すも
のである。
The present embodiment shows an exposure apparatus and an image forming apparatus provided with an organic EL light emitting element array as a light emitting source.

【0070】(実施例1)有機EL素子アレイ基板3と
してガラス基板を用い、この基板全面にスパッタリング
にて透光性陽極7となる膜厚160nmのITO膜を形
成した後、同じく全面に導電性材料8となるAl(アル
ミニウム)を膜厚150nm蒸着した。そして、このA
l膜上にレジスト材(東京応化社製、OFPR−80
0)をスピンコート法により塗布して厚さ10μmのレ
ジスト膜を形成し、マスク、露光、現像してレジスト膜
を所定の形状にパターニングした。このとき発光ドット
15の開口部aとなるパターンを形成した。
(Example 1) A glass substrate was used as the organic EL element array substrate 3. An ITO film having a thickness of 160 nm to be the light-transmitting anode 7 was formed on the entire surface of the substrate by sputtering, and then a conductive film was formed on the entire surface. Al (aluminum) as the material 8 was deposited to a thickness of 150 nm. And this A
l Resist material (Tokyo Oka Co., OFPR-80)
0) was applied by spin coating to form a resist film having a thickness of 10 μm, and the resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing, and developing. At this time, a pattern to be the opening a of the light emitting dot 15 was formed.

【0071】次に、この基板を常温で硝酸とリン酸の混
合液中に浸漬して、Al膜だけエッチングし、パターン
形成した。レジスト膜を除去し再度レジスト材(東京応
化社製、OFPR−800)をスピンコート法により塗
布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、マスク、露
光、現像してレジスト膜を所定の形状にパターニングし
た。このパターンには開口部はなく、パターニングされ
たAl膜全部を覆うようにパターン形成されている。
Next, the substrate was immersed in a mixed solution of nitric acid and phosphoric acid at room temperature, and only the Al film was etched to form a pattern. The resist film is removed, and a resist material (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied again by spin coating to form a 10 μm-thick resist film, and the resist film is formed into a predetermined shape by masking, exposing and developing. Patterned. This pattern has no opening, and is patterned so as to cover the entire patterned Al film.

【0072】そして基板を60℃で50%の塩酸中に浸
漬して、レジスト膜が形成されていない部分のITO膜
をエッチングした後、レジスト膜も除去し、所定のパタ
ーンのITO膜からなる透光性陽極7上に開口部aを設
けたAl膜からなる導電性材料8が形成されたパターニ
ング基板を得た。
Then, the substrate is immersed in 50% hydrochloric acid at 60 ° C. to etch the portion of the ITO film where the resist film is not formed. Then, the resist film is also removed, and the transparent film made of the ITO film having a predetermined pattern is removed. A patterned substrate on which a conductive material 8 made of an Al film having an opening a formed on a light anode 7 was obtained.

【0073】導電性材料8としてはAl膜以外にも、正
孔輸送層9との界面に十分電子の流入を阻止できるよう
な仕事関数、膜厚を持ったAl/Ti膜、Al/W膜、
Ti/Au/Ti膜、などの導電性材料の積層膜でもよ
いし、またはAl/AlN膜、Al/Al23膜、Al
/TiO2膜、Al/SiO2膜、Ti/Au/TiO 2
膜などの導電性材料と絶縁性材料の積層膜や、その他に
も導電性材料と絶縁性有機物材料の積層膜でもよい。
As the conductive material 8, besides the Al film, a positive
In order to sufficiently prevent the flow of electrons into the interface with the hole transport layer 9
Al / Ti film, Al / W film with high work function and film thickness,
A laminated film of a conductive material such as a Ti / Au / Ti film may be used.
Chair or Al / AlN film, Al / AlTwoOThreeFilm, Al
/ TiOTwoFilm, Al / SiOTwoFilm, Ti / Au / TiO Two
Laminated films of conductive and insulating materials such as films
Alternatively, a stacked film of a conductive material and an insulating organic material may be used.

【0074】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
で基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。
Next, this patterning substrate was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes with a detergent (Semico Clean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.), ultrasonic cleaning for 10 minutes with pure water, and over 1% by volume of aqueous ammonia. After performing a cleaning process in the order of ultrasonic cleaning for 5 minutes using a mixed solution of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning for 5 minutes using pure water at 70 ° C., moisture attached to the substrate is removed with a nitrogen blower. It was further heated and dried.

【0075】次に、このパターニング基板上に、分離層
12となるCr23(酸化クロム)をスパッタリングに
より膜厚1〜2μm成膜し、レジスト材をスピンコート
法により塗布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、
マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパタ
ーニングした。次に、この基板を過硫酸アンモンを主と
するエッチャントに浸漬して、レジスト膜が形成されて
いない部分のCr23膜をエッチングした後、レジスト
膜も除去し、所定のパターンのCr23膜からなるパタ
ーニング基板を得た。
Next, a Cr 2 O 3 (chromium oxide) film serving as the separation layer 12 is formed to a thickness of 1 to 2 μm on the patterning substrate by sputtering, and a resist material is applied by a spin coating method to a thickness of 10 μm. Forming a resist film of
The resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing, and developing. Next, by immersing the substrate in an etchant to the ammonium persulfate as a main, after a Cr 2 O 3 film in a portion where the resist film is not formed is etched, the resist film is also removed, the predetermined pattern Cr 2 A patterned substrate made of an O 3 film was obtained.

【0076】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
で基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。
Next, this patterning substrate was subjected to ultrasonic cleaning with a detergent (Semico Clean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 5 minutes, ultrasonic cleaning with pure water for 10 minutes, and 1 part of ammonia water (by volume). After performing a cleaning process in the order of ultrasonic cleaning for 5 minutes using a mixed solution of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning for 5 minutes using pure water at 70 ° C., moisture attached to the substrate is removed with a nitrogen blower. It was further heated and dried.

【0077】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着素子内にて、専用パターンマスクを用いて正孔
輸送層9としてTPDを約50nmの膜厚で形成した。
また、連続して抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層9
上に発光層10としてAlq3を約60nmの膜厚で形
成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共に
0.2nm/sであった。
Next, TPD was deposited on the anode-side surface of the patterning substrate as a hole transport layer 9 using a dedicated pattern mask in a resistance heating vapor deposition element reduced to a vacuum of 2 × 10 −6 Torr or less. It was formed with a thickness of about 50 nm.
Further, the hole transport layer 9 is continuously formed in the resistance heating evaporation apparatus.
Alq 3 was formed as a light emitting layer 10 on the upper surface with a thickness of about 60 nm. The deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s.

【0078】次に、連続して抵抗加熱蒸着装置内にて、
発光層10上に15at%のLiを含むAl−Li合金
を蒸着源として、カソード11を300nmの膜厚で成
膜した。
Next, continuously in a resistance heating evaporation apparatus,
The cathode 11 was formed to a thickness of 300 nm on the light-emitting layer 10 using an Al-Li alloy containing 15 at% Li as an evaporation source.

【0079】次に、専用パターンマスクを用いて、接続
用電極14としてAlを800nm〜1μm成膜した。
これにより透光性陽極7、導電性材料8とドライバIC
4をワイヤディボンディングにより接続できる。
Next, Al was formed to a thickness of 800 nm to 1 μm as the connection electrode 14 using a dedicated pattern mask.
Thereby, the translucent anode 7, the conductive material 8, and the driver IC
4 can be connected by wire debonding.

【0080】その後、封止材13として別途作成された
封止用ガラス基板を、UV硬化樹脂を接着剤として用い
て、作成してきた有機EL素子アレイ2上に接着固定し
た。ここでは、正孔輸送層9、発光層10の有機物層が
周辺環境(特に水分)により劣化しないように封止し
た。
Thereafter, a sealing glass substrate separately prepared as the sealing material 13 was bonded and fixed on the organic EL element array 2 thus prepared by using a UV curable resin as an adhesive. Here, the organic layers of the hole transport layer 9 and the light emitting layer 10 were sealed so as not to be deteriorated by the surrounding environment (particularly moisture).

【0081】このようにして、図2に示すような有機E
L素子アレイ2を作成した。
In this manner, the organic E as shown in FIG.
An L element array 2 was created.

【0082】その後、作成した有機EL素子アレイ基板
3をドライバIC4を搭載した駆動回路基板1上に配置
し、位置決めピンや接着剤を用いて固定した。そして、
ドライバIC4と有機EL素子アレイの接続用電極1
4、カソード11をそれぞれワイヤボンディングにて接
続した。
Thereafter, the prepared organic EL element array substrate 3 was placed on the drive circuit substrate 1 on which the driver IC 4 was mounted, and fixed using positioning pins and an adhesive. And
Connection electrode 1 between driver IC 4 and organic EL element array
4. The cathode 11 was connected by wire bonding.

【0083】以上のようにして、実施の形態1に示す露
光装置を製作することができた。
As described above, the exposure apparatus shown in the first embodiment was manufactured.

【0084】次に、本露光装置について動作を説明す
る。
Next, the operation of the present exposure apparatus will be described.

【0085】図1に示すように、ドライバIC4の各端
子はそれぞれ有機EL素子アレイの発光ドット15に電
気的に接続されている。ドライバIC4の端子が印字デ
ータとしてON信号を出力すると、ボンディングワイヤ
を介して対応する発光ドット15が点灯する。ON信号
が出力されていない端子はOFF信号が出力されている
ということであるから、対応する発光ドット15は点灯
しない。このようにして発光ドットのON/OFFを制
御できることになる。
As shown in FIG. 1, each terminal of the driver IC 4 is electrically connected to the light emitting dot 15 of the organic EL element array. When the terminal of the driver IC 4 outputs an ON signal as print data, the corresponding light emitting dot 15 is turned on via the bonding wire. Since the terminal to which the ON signal is not output indicates that the OFF signal is output, the corresponding light emitting dot 15 is not turned on. In this way, ON / OFF of the light emitting dot can be controlled.

【0086】発光ドット15は、各々が透光性陽極7と
接続用電極14によりドライバIC4にワイヤボンディ
ングされている。また陰極側として共通のカソード11
があり、このカソード11は駆動回路基板にワイヤボン
ディングされている。
Each of the light emitting dots 15 is wire-bonded to the driver IC 4 by the translucent anode 7 and the connection electrode 14. Also, a common cathode 11 as the cathode side
The cathode 11 is wire-bonded to the drive circuit board.

【0087】仕事関数が低いAl膜からなる導電性材料
8で発光ドットエリアを規定したので、正孔輸送層9に
対して仕事関数差によるポテンシャルバリアができて電
子が流入しない。つまり、このAl膜上に位置する発光
層10からは発光しない。したがって、発光した光が効
率良く開口部aを通ることができ、光取り出し効率の向
上が見込める。
Since the light emitting dot area is defined by the conductive material 8 made of an Al film having a low work function, a potential barrier due to a work function difference is formed in the hole transport layer 9 so that electrons do not flow. That is, no light is emitted from the light emitting layer 10 located on the Al film. Therefore, the emitted light can efficiently pass through the opening a, and an improvement in light extraction efficiency can be expected.

【0088】また、導電性材料8によって接続用電極1
4と電気的に低抵抗で接続できるので、解像度が高くな
って、ドライバIC4から透光性陽極7への信号伝達方
向の線幅が細くなることによって、抵抗値が高くなって
も導電性材料8が低抵抗の金属であるためアレイ全体で
のドライバIC4との接続抵抗を大幅に減らすことがで
きる。
The connection electrode 1 is made of a conductive material 8.
4 can be electrically connected with low resistance, so that the resolution is increased and the line width in the signal transmission direction from the driver IC 4 to the light-transmitting anode 7 is reduced. Since 8 is a low-resistance metal, the connection resistance of the entire array to the driver IC 4 can be greatly reduced.

【0089】以上のようにして、低消費電力で駆動でき
る有機EL素子アレイを搭載した露光装置を製作するこ
とができた。
As described above, an exposure apparatus equipped with an organic EL element array which can be driven with low power consumption was manufactured.

【0090】(実施例2)有機EL素子アレイ基板3と
してガラス基板を用い、この基板全面に電子ビーム蒸着
法にて光反射層17となるAu(金)を被着した後、基
板全面にスパッタリングにて透光性陽極7となる膜厚1
60nmのITO膜を形成した。ITO膜上にレジスト
材(東京応化社製、OFPR−800)をスピンコート
法により塗布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、
マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパタ
ーニングした。
(Example 2) A glass substrate was used as the organic EL element array substrate 3, Au (gold) serving as the light reflection layer 17 was applied to the entire surface of the substrate by electron beam evaporation, and then the entire surface of the substrate was sputtered. Film thickness 1 to become translucent anode 7
A 60 nm ITO film was formed. A resist material (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied on the ITO film by spin coating to form a resist film having a thickness of 10 μm.
The resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing, and developing.

【0091】次に、この基板を60℃で50%の塩酸中
に浸漬して、レジスト膜が形成されていない部分のIT
O膜をまずエッチングし、次に常温で5%のヨウ化カリ
ウム溶液中に浸漬して、Au膜をエッチングした。そし
て、レジスト膜を除去して、再度レジスト材塗布、マス
ク、露光、現像してレジスト膜をさらに所定の形状にパ
ターニングし、60℃で50%の塩酸中に浸漬して、レ
ジスト膜が形成されていない部分のITO膜レジスト膜
も除去し、所定のパターンのITO膜とAu膜からなる
陽極が形成されたパターニング基板を得た。
Next, this substrate was immersed in 50% hydrochloric acid at 60 ° C. to remove the IT film where the resist film was not formed.
The O film was etched first, and then immersed in a 5% potassium iodide solution at room temperature to etch the Au film. Then, the resist film is removed, the resist material is applied again, masked, exposed, and developed again to pattern the resist film into a predetermined shape, and immersed in 50% hydrochloric acid at 60 ° C. to form the resist film. The unexposed portion of the ITO film resist film was also removed to obtain a patterned substrate on which an anode composed of an ITO film and an Au film having a predetermined pattern was formed.

【0092】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
で基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。
Next, this patterned substrate was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes with a detergent (Semico Clean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.), ultrasonic cleaning for 10 minutes with pure water, and over 1% aqueous ammonia (by volume). After performing a cleaning process in the order of ultrasonic cleaning for 5 minutes using a mixed solution of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning for 5 minutes using pure water at 70 ° C., moisture attached to the substrate is removed with a nitrogen blower. It was further heated and dried.

【0093】次に、このパターニング基板上に、分離層
12となるCr23(酸化クロム)をスパッタリングに
より膜厚1〜2μm成膜し、レジスト材をスピンコート
法により塗布して厚さ10μmのレジスト膜を形成し、
マスク、露光、現像してレジスト膜を所定の形状にパタ
ーニングした。
Next, a Cr 2 O 3 (chromium oxide) film serving as the separation layer 12 is formed to a thickness of 1 to 2 μm on the patterning substrate by sputtering, and a resist material is applied by a spin coating method to a thickness of 10 μm. Forming a resist film of
The resist film was patterned into a predetermined shape by masking, exposing, and developing.

【0094】次に、この基板を過硫酸アンモンを主とす
るエッチャントに浸漬して、レジスト膜が形成されてい
ない部分のCr23膜をエッチングした後、レジスト膜
も除去し、所定のパターンのCr23膜からなるパター
ニング基板を得た。
Next, this substrate was immersed in an etchant mainly composed of ammonium persulfate to etch the Cr 2 O 3 film where the resist film was not formed, and then the resist film was also removed. A patterned substrate made of a Cr 2 O 3 film was obtained.

【0095】次に、このパターニング基板を、洗剤(フ
ルウチ化学社製、セミコクリーン)による5分間の超音
波洗浄、純水による10分間の超音波洗浄、アンモニア
水1(体積比)に対して過酸化水素水1と水5を混合し
た溶液による5分間の超音波洗浄、70℃の純水による
5分間の超音波洗浄の順に洗浄処理した後、窒素ブロア
で基板に付着した水分を除去し、さらに加熱して乾燥し
た。
Next, this patterning substrate was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes with a detergent (Semico Clean, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.), ultrasonic cleaning for 10 minutes with pure water, and excess with respect to 1 aqueous ammonia (volume ratio). After performing a cleaning process in the order of ultrasonic cleaning for 5 minutes using a mixed solution of hydrogen oxide water 1 and water 5 and ultrasonic cleaning for 5 minutes using pure water at 70 ° C., moisture attached to the substrate is removed with a nitrogen blower. It was further heated and dried.

【0096】次に、パターニング基板の陽極側の表面
に、2×10-6Torr以下の真空度まで減圧した抵抗
加熱蒸着素子内にて、専用パターンマスクを用いて正孔
輸送層9としてTPDを約50nmの膜厚で形成した。
また、連続して抵抗加熱蒸着装置内にて、正孔輸送層9
上に発光層10としてAlq3を約60nmの膜厚で形
成した。なお、TPDとAlq3の蒸着速度は、共に
0.2nm/sであった。次に、連続して抵抗加熱蒸着
装置内にて、発光層10上に15at%のLiを含むA
l−Li合金を蒸着源として、透光性カソード11aを
2〜10nmの膜厚で成膜し、さらにITO膜を100
〜500nm積層して透光性を有する透光性カソード1
1aを形成した。
Next, TPD was deposited on the anode-side surface of the patterning substrate as a hole transport layer 9 using a dedicated pattern mask in a resistance heating evaporation element in which the degree of vacuum was reduced to 2 × 10 −6 Torr or less. It was formed with a thickness of about 50 nm.
Further, the hole transport layer 9 is continuously formed in the resistance heating evaporation apparatus.
Alq 3 was formed as a light emitting layer 10 on the upper surface with a thickness of about 60 nm. The deposition rates of TPD and Alq 3 were both 0.2 nm / s. Next, in a resistance heating vapor deposition apparatus, A containing 15 at% of Li was formed on the light emitting layer 10.
A light-transmissive cathode 11a is formed to a thickness of 2 to 10 nm using an l-Li alloy as an evaporation source, and an ITO film is
Transparent cathode 1 having a thickness of 500 nm and having translucency
1a was formed.

【0097】透光性陽極7の下部に光反射層17を設
け、カソードとして膜厚を薄く形成することで透光性を
もたせた仕事関数が低い金属材料に、透光性電極を積層
した積層膜を透光性カソード11aに用いることによ
り、透光性カソード11a方向に出光できる。
A light-reflecting layer 17 is provided below the light-transmitting anode 7, and a light-transmitting electrode is stacked on a metal material having a low work function and having a light-transmitting property by forming a thin film as a cathode. By using the film for the translucent cathode 11a, light can be emitted in the direction of the translucent cathode 11a.

【0098】また、光反射層17は基板3上、または透
光性陽極7内部、または透光性陽極7上に設けてもよ
い。そして、この取り出し方向であれば光は有機EL素
子アレイ基板3内を通過しないので、有機EL素子アレ
イ2aと有機EL素子アレイ基板3との界面での光の反
射による光量の劣化がなく、発光光量をより多く取り出
すことができる。
The light reflecting layer 17 may be provided on the substrate 3, inside the translucent anode 7, or on the translucent anode 7. Since light does not pass through the inside of the organic EL element array substrate 3 in this extraction direction, there is no deterioration in light quantity due to reflection of light at the interface between the organic EL element array 2a and the organic EL element array substrate 3, and light emission More light can be taken out.

【0099】次に、別チャンバで2×10-6Torr以
下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、専用
パターンマスクを用いて、接続用電極14としてAuを
800nm〜1μm、所定の位置に成膜した。
Next, in a separate chamber, in a resistance heating evaporation apparatus reduced to a degree of vacuum of 2 × 10 −6 Torr or less, using a special pattern mask, Au as the connection electrode 14 was set to a predetermined thickness of 800 nm to 1 μm. A film was formed at the position.

【0100】そして、図9に示すように、配線として引
き出した光反射層17上に接続用電極14をパターン形
成して光反射層17、透光性陽極7と接続用電極14を
電気的に接続した後、封止材13として別途作成された
封止用ガラス基板を、UV硬化樹脂を接着剤として用い
て、作成してきた有機EL素子アレイ基板3上に接着固
定した。ここでは、正孔輸送層9、発光層10の有機物
層が周辺環境(特に水分)により劣化しないように封止
した。
Then, as shown in FIG. 9, a connection electrode 14 is formed in a pattern on the light reflection layer 17 drawn out as a wiring to electrically connect the light reflection layer 17, the translucent anode 7 and the connection electrode 14 to each other. After the connection, a sealing glass substrate separately prepared as the sealing material 13 was bonded and fixed onto the organic EL element array substrate 3 thus prepared using a UV curable resin as an adhesive. Here, the organic layers of the hole transport layer 9 and the light emitting layer 10 were sealed so as not to be deteriorated by the surrounding environment (particularly moisture).

【0101】このようにして、図8と図9にC−C’方
向、D−D’方向のような断面を持つ有機EL素子アレ
イを作成した。
In this manner, an organic EL element array having a cross section along the line CC ′ and the line DD ′ in FIGS. 8 and 9 was prepared.

【0102】その後、図6に示すように、作成した有機
EL素子アレイ基板3をドライバIC4を搭載した駆動
回路基板1上に配置し、位置決めピンや接着剤を用いて
固定した。そして、ドライバIC4と有機EL素子アレ
イ2の接続用電極14、カソード11をそれぞれワイヤ
ボンディングにて接続した。
Thereafter, as shown in FIG. 6, the prepared organic EL element array substrate 3 was placed on the drive circuit substrate 1 on which the driver IC 4 was mounted, and fixed using positioning pins and an adhesive. Then, the driver IC 4 and the connection electrode 14 and the cathode 11 of the organic EL element array 2 were connected by wire bonding.

【0103】以上のようにして、発光ドット16が透光
性陽極7と分離層12と透光性カソード11aにより発
光エリアが規定された有機EL素子アレイ2aを製作で
きた。
As described above, the organic EL element array 2a in which the light emitting dots 16 were defined by the light-transmitting anode 7, the separation layer 12, and the light-transmitting cathode 11a, could be manufactured.

【0104】そして、前述のように、このような有機E
L素子アレイ2aにより、駆動電流を減らすことができ
て、低消費電力の有機EL素子アレイを搭載した露光装
置を製作することができた。
As described above, such organic E
The drive current can be reduced by the L element array 2a, and an exposure apparatus equipped with a low power consumption organic EL element array can be manufactured.

【0105】(実施例3)以上実施例1、2の露光装置
を用いた画像形成装置の一例を図5に示す。
Embodiment 3 FIG. 5 shows an example of an image forming apparatus using the exposure apparatuses of Embodiments 1 and 2.

【0106】像担持体としての回転ドラム型の感光体6
の周辺には、帯電器19、露光装置20、現像器22、
転写器23、クリーナ26、除電器27が配置されてい
る。
Rotary drum type photosensitive member 6 as image carrier
Around the charger 19, the exposure device 20, the developing device 22,
A transfer unit 23, a cleaner 26, and a static eliminator 27 are arranged.

【0107】露光装置20は有機EL素子アレイ2,2
aが作成された有機EL素子アレイ基板3とそれを駆動
する駆動回路1で構成されており、陽極側にプラスのD
C電圧を印加すると、通電された発光ドット15,16
が緑色に発光し、セルフォックレンズなどの集束型ロッ
ドレンズアレイ6を通して感光体6に結像される。
The exposure apparatus 20 is provided with the organic EL element arrays 2 and 2
a, and a driving circuit 1 for driving the organic EL element array substrate 3, and a positive D
When the C voltage is applied, the energized light emitting dots 15, 16
Emits green light, and is imaged on the photoreceptor 6 through a focusing rod lens array 6 such as a selfoc lens.

【0108】なお、画像形成装置には、記録紙24にト
ナー像を転写する転写器23と、転写されたトナー像を
記録紙24に定着させる定着器25とを備えている。
The image forming apparatus includes a transfer unit 23 for transferring a toner image to a recording sheet 24 and a fixing unit 25 for fixing the transferred toner image to the recording sheet 24.

【0109】このような画像形成装置では、感光体6の
表面が帯電器19を用いて一様に帯電される。
In such an image forming apparatus, the surface of the photoreceptor 6 is uniformly charged using the charger 19.

【0110】そして、この感光体6上の帯電面に、有機
EL素子アレイ2,2aを搭載した露光装置20からの
露光光線21をセルフォックレンズなどを介して結像さ
せ(露光)、潜像が形成される。すなわち、帯電面に対
しては目的の画像情報の時系列的デジタル信号に対応し
た露光がなされ、それら画像情報に対応した静電潜像が
形成される。
Then, an exposure light beam 21 from an exposure device 20 having the organic EL element arrays 2 and 2a is formed on a charged surface of the photoreceptor 6 through a selfoc lens or the like (exposure) to form a latent image. Is formed. That is, exposure corresponding to a time-series digital signal of target image information is performed on the charged surface, and an electrostatic latent image corresponding to the image information is formed.

【0111】そして、絶縁トナーを用いた現像器22に
より静電潜像がトナー像として現像される。一方、感光
体6とこれに所定の押圧力で当接させた転写器23の転
写部に、記録紙24が所定のタイミングで導入され、所
定の転写バイアス電圧を印加して転写が行われる。これ
により、トナー画像の転写を受けた記録紙24は感光体
6の表面から分離されて熱定着方式等の定着器25に導
入され、ここでトナー画像が定着され、プリントされる
ことになる。
Then, the electrostatic latent image is developed as a toner image by the developing device 22 using the insulating toner. On the other hand, the recording paper 24 is introduced at a predetermined timing into the transfer portion of the transfer device 23 which is brought into contact with the photoreceptor 6 with a predetermined pressing force, and the transfer is performed by applying a predetermined transfer bias voltage. As a result, the recording paper 24 to which the toner image has been transferred is separated from the surface of the photoreceptor 6 and introduced into a fixing device 25 such as a heat fixing system, where the toner image is fixed and printed.

【0112】これと併せて、クリーナ26により残留ト
ナーのクリーニング、除電器27により残留電位の除電
が行われて、1回の印字プロセスを完了する。
At the same time, the residual toner is cleaned by the cleaner 26 and the residual potential is removed by the charge remover 27, thereby completing one printing process.

【0113】[0113]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、発光ド
ットを容易に任意の大きさに形成することが可能になる
とともに、発光効率が良好で低消費電力の有機EL素子
アレイが搭載された露光装置およびこれを用いた画像形
成装置が得られるという有効な効果が得られる。
As described above, according to the present invention, a light emitting dot can be easily formed in an arbitrary size, and an organic EL element array with good light emitting efficiency and low power consumption is mounted. And an image forming apparatus using the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1における露光装置を示す
斜視図
FIG. 1 is a perspective view showing an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の露光装置における有機ELアレイ基板を
示す平面図
FIG. 2 is a plan view showing an organic EL array substrate in the exposure apparatus of FIG.

【図3】図2のA−A’線に沿った断面図FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 2;

【図4】図2のB−B’線に沿った断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line B-B ′ of FIG. 2;

【図5】図1の露光装置の用いられた画像形成装置を示
す概略図
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an image forming apparatus using the exposure apparatus of FIG. 1;

【図6】本発明の実施の形態2における露光装置を示す
斜視図
FIG. 6 is a perspective view showing an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】図6の露光装置における有機ELアレイ基板を
示す平面図
FIG. 7 is a plan view showing an organic EL array substrate in the exposure apparatus of FIG. 6;

【図8】図7のC−C’線に沿った断面図8 is a sectional view taken along the line C-C 'of FIG.

【図9】図7のD−D’線に沿った断面図9 is a sectional view taken along line D-D 'of FIG.

【図10】従来における有機EL素子アレイ基板と外部
回路端子を示す斜視図
FIG. 10 is a perspective view showing a conventional organic EL element array substrate and external circuit terminals.

【図11】(a)図10の要部を拡大して示す断面図 (b)図11(a)のS部を拡大して示す断面図11A is a cross-sectional view showing an enlarged main part of FIG. 10; FIG. 11B is a cross-sectional view showing an enlarged S portion of FIG. 11A;

【図12】有機EL素子の基本的構成例を示す斜視図FIG. 12 is a perspective view showing a basic configuration example of an organic EL element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 駆動回路基板 2,2a,50 有機EL素子アレイ 3 有機EL素子アレイ基板 4 ドライバIC 5 集束型ロッドレンズアレイ 6 感光体 7,62 透光性陽極 8 導電性材料 9,63 正孔輸送層 10,64 発光層 11,65 カソード 11a 透光性カソード 12 分離層 13 封止材 14 接続用電極 15,16 発光ドット 17 光反射層 19 帯電器 20 露光装置 21 露光光線 22 現像器 23 転写器 24 記録紙 25 定着器 26 クリーナ 27 除電器 51 透光性基板 52 ITO透明電極層 53 金電極層 54 有機化合物層 55 陰極層 56 光出射孔 57 外部回路端子 58 ワイヤ 61 ガラス基板 a 開口部 A,B 発光点 Reference Signs List 1 drive circuit board 2, 2a, 50 organic EL element array 3 organic EL element array substrate 4 driver IC 5 focusing rod lens array 6 photoreceptor 7, 62 translucent anode 8 conductive material 9, 63 hole transport layer 10 , 64 Light-emitting layer 11, 65 Cathode 11a Translucent cathode 12 Separation layer 13 Sealing material 14 Connection electrode 15, 16 Light-emitting dot 17 Light reflection layer 19 Charger 20 Exposure device 21 Exposure light beam 22 Developing device 23 Transfer device 24 Recording Paper 25 Fixing device 26 Cleaner 27 Static eliminator 51 Translucent substrate 52 ITO transparent electrode layer 53 Gold electrode layer 54 Organic compound layer 55 Cathode layer 56 Light emission hole 57 External circuit terminal 58 Wire 61 Glass substrate a Opening A, B Light emission point

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/12 B41J 3/21 L 33/14 33/24 (72)発明者 小松 隆宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 行徳 明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2C162 AE28 AE47 FA04 FA16 FA23 2H097 CA06 LA10 3K007 AB02 BA02 BB01 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/12 B41J 3/21 L 33/14 33/24 (72) Inventor Takahiro Komatsu Kadoma, Osaka Pref. 1006 Kadoma, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. DA01 DB03 EB00

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透光性陽極上に形成されて前記透光性陽極
を露出させる開口部が形成された導電性材料、前記透光
性陽極に正孔を注入する正孔輸送層、前記開口部を覆う
ように形成されて前記開口部の位置が発光する発光層、
および前記発光層上に形成されて電子を注入するカソー
ドからなる有機EL素子アレイを備えた有機EL素子ア
レイ基板と、 前記有機EL素子アレイを駆動するドライバICとを有
し、 前記開口部により発光ドットが構成されていることを特
徴とする露光装置。
1. A conductive material formed on a translucent anode and having an opening for exposing the translucent anode, a hole transport layer for injecting holes into the translucent anode, and the opening A light-emitting layer formed so as to cover the portion and emitting light at the position of the opening;
And an organic EL element array substrate having an organic EL element array formed on the light emitting layer and including a cathode for injecting electrons, and a driver IC for driving the organic EL element array; An exposure apparatus comprising dots.
【請求項2】透光性陽極に正孔を注入する正孔輸送層、
正孔の注入された前記透光性陽極により発光する発光
層、および前記発光層上に形成されて電子を注入するカ
ソードからなる有機EL素子アレイを備えた有機EL素
子アレイ基板と、 前記有機EL素子アレイを駆動するドライバICとを有
し、 前記有機EL素子アレイ基板と前記透光性陽極との間に
は、前記有機EL素子アレイ基板に向かう光を反射する
光反射層が設けられていることを特徴とする露光装置。
2. A hole transport layer for injecting holes into a translucent anode,
An organic EL element array substrate including an organic EL element array including a light emitting layer that emits light by the translucent anode into which holes are injected, and a cathode formed on the light emitting layer and injecting electrons; A driver IC for driving an element array; and a light reflection layer for reflecting light toward the organic EL element array substrate is provided between the organic EL element array substrate and the translucent anode. An exposure apparatus comprising:
【請求項3】請求項1〜3の何れか一項に記載の露光装
置が用いられていることを特徴とする画像形成装置。
3. An image forming apparatus using the exposure apparatus according to claim 1.
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