JP2002368251A

JP2002368251A - 光的に制御されるスイッチとして動作するように構成されることを特徴とする装置

Info

Publication number: JP2002368251A
Application number: JP2002145929A
Authority: JP
Inventors: Zhenan Bao; バオーゼナン; David John Bishop; ジョンビショップデーヴィット; Robert Albert Boie; アルバートボイエロバート; Dustin W Carr; ダブリューカールダスティン; Edwin Arthur Chandross; アーサーチャンダロスエドウィン; Peter Kian-Hoon Ho; キヤン・ホーンホーピーター
Original assignee: Lucent Technologies Inc
Current assignee: Nokia of America Corp
Priority date: 2001-05-23
Filing date: 2002-05-21
Publication date: 2002-12-20
Also published as: US20020176649A1; US6743988B2; CA2380824C; CA2380824A1

Abstract

(57)【要約】【課題】光的に制御されるスイッチのように動作する
フォトセンシティブ電気デバイスを提供すること。【解決手段】光的に制御されるスイッチ（１０）は、
第１および第２の電極（１８，２０）、電極間に延びる
チャネル（２６）、およびチャネルをイルミネートする
ように配置された光源（１４）を含む。光源は、材料の
導電率を変化させることができる波長を生成する。チャ
ネルは、フォトセンシティブ有機材料を含み、光制御さ
れるスイッチとして動作するように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトセンシティ
ブ(photosensitive)電気デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】多くの複雑なシステム(complex syste
m）は、他のデバイスを動作させるための電気的制御回
路を使用する。いくつかのそのような電気的制御回路
は、その中の電流または電圧を制御するためにフォトセ
ンシティブ材料を使用する。フォトセンシティブ材料
は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）のような半導体を含む。

【０００３】半導体において、適切な波長の光が、移動
キャリア（mobile carriers）を光的に励起する。移動
キャリアの光的生成(optical generation)は、半導体か
らなるチャネルの抵抗値を減少させる。チャネル抵抗値
に光的に誘導された変化は、そのような電気的制御回路
に対するトリガとして使用されてきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体がイルミ
ネートされないとき、材料は、依然として大きな導電率
を有する。従来の半導体からなるチャネルは、典型的に
は、イルミネートされないとき、大きな漏れ電流をサポ
ートする。大きな漏れ電流のために、従来の半導体チャ
ネルは、光的に制御されるスイッチのように機能しな
い。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の原理による様々
な実施形態は、フォトセンシティブスイッチを提供数す
る。フォトセンシティブスイッチは、スイッチが実質的
な電流をサポートする導通状態、およびスイッチがせい
ぜい小さな漏れ電流をサポートする絶縁状態を有する。
フォトセンシティブスイッチは、適切な波長の光により
イルミネートされるとき、絶縁状態から導通状態に素早
く移る。フォトセンシティブスイッチは、スイッチが、
イルミネートされないときせいぜい小さい漏れ電流を通
すので、高電圧源に対するレギュレータとして好都合で
ある。

【０００６】本発明の原理による１つの光的に制御され
たスイッチは、第１および第２の電極、これら電極間に
延びるチャネル、および光源を含む。チャネルは、フォ
トセンシティブ有機材料を含む。光源は、チャネルの長
さ全体をイルミネートし、絶縁状態から導通状態にチャ
ネルを変化させることができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は、光的に制御されるスイッ
チ１０を示す。スイッチ１０は、フォトセンシティブス
イッチ１２および光源１４を含む。フォトセンシティブ
スイッチ１２は、プレーナ構造に基づく。プレーナ構造
は、絶縁基板１６、基板１６上に配置された２つの電極
１８，２０および電極１８，２０および基板１６の両方
を覆うフォトセンシティブレイヤ２２を含む。光源１４
は、フォトセンシティブレイヤ２２中の材料の抵抗率を
変化させるように適合された波長の光を生成する。

【０００８】プレーナトポロジーにおいて、フォトセン
シティブレイヤ２２の厚さは、チャネル領域２６の長さ
より小さい。また、光源１４は、チャネル領域２６中の
導電方向Ｌを横切る方向に光を伝達する。したがって、
光は、チャネル領域２６が長い場合であっても、チャネ
ル領域２６の長さ全体を貫通することができる。

【０００９】スイッチのような振る舞いについて、イル
ミネートされていないとき、即ちダーク状態（dark sta
te）のチャネル領域２６の抵抗値に対するイルミネート
されたとき、即ちブライト状態（bright state）のチャ
ネル領域２６の抵抗値の比は、少なくとも１０^４でなけ
ればならず、好ましくは、少なくとも１０^６であり、よ
り好ましくは１０^８以上である。そのような高い抵抗値
の比を得るために、チャネル領域２６の長さ全体が、ブ
ライト状態において光源１４によりイルミネートされな
ければならない。チャネル領域２６に沿う小さな横断面
が、ブライトステートにおいてイルミネートされたまま
である場合、その部分の抵抗値は、チャネル抵抗値全体
を支配することになる。これは、チャネル材料の抵抗率
は、導電状態（conducting state）よりも絶縁状態にお
いて数オーダー大きいからである。したがって、チャネ
ル領域２６の長さに沿う小さなセクションが、イルミネ
ートされないままである場合、ブライト状態抵抗値に対
するダーク状態抵抗値の比は、スイッチの振る舞いのよ
り大きな値の特性を有することにならない。

【００１０】これは、図示されていない太陽電池（sola
r cells）に共通なスタック（stacked）トポロジーと対
比されるべきである。スタックトポロジーにおいて、チ
ャネル領域における電流の流れの方向に沿って、入射光
が伝播する。チャネル領域の長さは、光がチャネル領域
の長さ全体を貫通する場合、短くなければならない。

【００１１】プレーナトポロジーにおいて、チャネル領
域２６は、チャネル領域２６全体をイルミネートするた
めに、光源１４の能力と干渉することのない望ましい程
度長い可能性がある。スタックトポロジーとの対比にお
いて、プレーナトポロジーは、チャネル長が、チャネル
領域２６全体がブライト状態において導通する必要性と
干渉することなしに、高いチャネルブレークダウン（br
eakdown）電圧を提供するのに十分長くすることが可能
である。チャネル領域２６に対する例示的なブレークダ
ウン電圧は、少なくとも５０ボルトであり、好ましくは
少なくとも１００ボルトであり、より好ましくは少なく
とも３００ボルトである。

【００１２】また、プレーナトポロジーは、チャネル領
域２６が、長いチャネル長のために、スイッチの振る舞
いのダーク状態電気的抵抗値特性を有することを可能に
する。例示的なチャネル領域２６は、少なくとも１０^７
オーム、好ましくは少なくとも１０^８オーム、およびよ
り好ましくは１０^９オーム以上のダーク状態抵抗値を有
する。これらの大きな抵抗値は、フォトセンシティブス
イッチ１２が、ダーク状態において非常に小さい漏れ電
流を有することを保証する。

【００１３】図１において、電極１８，２０は、金（Ａ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム錫酸化物（in
dium-tin-oxide）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ヘービード
ープされたシリコン、または他の導体からなる。好まし
い実施形態において、電極１８，２０の両方は、イルミ
ネーションが、チャネル領域２６における電圧を光電的
に生じることがないように、同じ導体からなる。

【００１４】フォトセンシティブレイヤ２２の材料は、
所定の波長範囲にある光に応答する抵抗率を有する。イ
ルミネートされないとき、フォトセンシティブレイヤ２
２は、良好な絶縁体であり、イルミネートされるとき、
フォトセンシティブレイヤ２２は、かなり良好な導体で
ある。チャネル領域２６について、ライト状態における
抵抗値に対するダーク状態における抵抗値の比は、無機
（inorganic）半導体よりもかなり大きい。

【００１５】フォトセンシティブレイヤ２２は、適切に
イルミネートされたときに、導通する材料を生成するた
めに、適切な電子ドナー（electron donor）またはアク
セプター（acceptor）でドープされた有機マトリクス
（organic matrix）を含む。

【００１６】フォトセンシィティブレイヤ２２のための
例示的な有機材料は、複合有機オリゴマー（conjugated
organic oligomers）およびオリゴマーの誘導体（deri
vatives）のようなポリマー、およびフェニレンビニレ
ン（phenylenevinylenes）、フルオレン（fluorene
s）、チオヘン（thiophenes）およびピオール（pyrrole
s）のような芳香族ユニット（aromatic units）を含む
ポリマーを含む。例示的なオリゴマーおよびフェニレン
ビニレンのポリマーは、メインチェーンから離れたアル
コキル基またはシアノ基の置換（substitutions of alk
oxyl or cyano groups off the main chains）を有す
る。いくつかのマトリクスは、コポリマーおよび上述し
た複合有機オリゴマーおよびポリマーの１つ以上のブレ
ンドを含む。

【００１７】好ましい有機材料は、適切にイルミネート
されたとき、電極１８，２０間の導電率を増大させるよ
うに分子的に整列された（aligned）完全に複合された
（fully conjugated）オリゴマーおよび／またはポリマ
ーである。好ましい整列は、適切にイルミネートされた
とき、より高いチャージ移動度、例えば約１０^−６ｃｍ
^２／ボルト秒以上の移動度を提供するために、分子間オ
ーバラップ（inter-molecular overlaps）を増大させ
る。マトリクス分子（matrix molecules）は、体積に先
だってマトリクスフィルムをストレッチし、マトリクス
を液状（liquid state）から液晶状（liquid crystal s
tate）へ急冷（quenching）し、またはアライメント層
上にマトリクスを堆積することにより整列されうる。

【００１８】有機マトリクスに対する例示的なドーパン
トは、有機オリゴマーおよびポリマー、無機ナノクリス
タルズ（inorganic nanocrystals）、および有機金属複
合体（organo-metallic complexes）を含む。ドーパン
トは、有機マトリクス中で混和性（miscible）またはマ
トリクス分子に化学的に結合されているかのいずれかで
ある。イルミネーションにより、ドーパントは、マトリ
クスに対する電子ドナーまたは電子アクセプタのいずれ
かとして機能し、そうでない場合、絶縁体となる。

【００１９】ドーパントおよびマトリクス分子のシステ
ムは、２つのクラスのうちの一方に属する。第１のクラ
スにおいて、ドーパントは、有機マトリクスからの光励
起電子（photo-excited electrons）のアクセプタ、ま
たはマトリクスへの光励起正孔（photo-excited hole
s）のドナーである。第２のクラスにおいて、ドーパン
トは、有機マトリクスへの電子の光励起ドナーまたはマ
トリクスからの光励起正孔のアクセプタである。光励起
（photo-excitations）は、マトリクス分子またはドー
パントのいずれかによる光の吸収から生じ得る。各クラ
スは、ドーパントおよびマトリクス分子のＨＯＭＯ（hi
ghest occupied molecular orbitals）とＬＵＭＯ（low
est unoccupied molecular orbitals）との間の特定の
整列に関係する。

【００２０】第１のクラスにおいて、マトリクス分子の
ＨＯＭＯは、ドーパントのＨＯＭＯより高いエネルギを
有し、マトリクス分子のＬＵＭＯはドーパントのＬＵＭ
Ｏより高いエネルギを有する。このエネルギレベルの整
列に対して、ドーパントは、マトリクス分子よりも、よ
り高い電子親和性（affinities）およびより高いイオン
化ポテンシャル（ionization potentials）を有する。
このクラスの例は、マトリクスがpoly（dialkoxyphenyl
enevinylene）を含み、ドーパントがＣ_６０，metal-pht
halocyanines, thia-pyrylium, squarylium, azo-compo
unds, perylene, anthanthrone,およびnanocrystalline
CdSeから選択される系(system)である。

【００２１】第２のクラスにおいて、マトリクス分子の
ＨＯＭＯは、ドーパントのＨＯＭＯより低いエネルギを
有し、マトリクス分子のＬＵＭＯはドーパントのＬＵＭ
Ｏより低いエネルギを有する。この軌道整列（orbital
alignment）に対して、ドーパントは、マトリクス分子
より低い電子親和性および低いイオン化ポテンシャルを
有する。このクラスの例は、マトリクスがpoly（α，
α′−dicyanophenylenevinylene）を含み、ドーパント
がpoly（dialkoxyphenylenevinylene）である系(syste
m)である。

【００２２】フォトセンシティブレイヤ２２において、
ドーパントノードは、光源１４により適切にイルミネー
トされるとき、所望の導電率を生じるように固定され
る。好ましい導電率は、適切にイルミネートされたと
き、約１０^１９ないし約１０^２１の立方センチメートル
あたり移動電荷キャリア（mobile charge carriers per
centimeter cubed）から生じる。そのような電荷キャ
リア（charge carrier）濃度を得るために、有機材料
は、かなり大きな体積割合のドーパントを含む。ドーパ
ントにより占められる体積割合は、典型的には、０．１
パーセントより大きく、好ましくは少なくとも１．０パ
ーセント、しばしば１０パーセント以上である。

【００２３】光源１４は、ドーパントサイトからマトリ
クスへまたはマトリクスからドーパントサイトへ電子を
励起し、フォトセンシティブレイヤ２２を絶縁状態から
導電状態に変換する。したがって、フォトセンシティブ
レイヤ２２の導電率は、ドーパント密度および光源１４
からのイルミネーション強度の両方に依存する。導電率
のドーパント密度およびイルミネーション強度への依存
性は、しばしば、ほぼ線形的である。

【００２４】チャネル領域２６の導電率は、チャネル幅
およびチャネル長の逆数の両方で線形的に変化する。予
め選択されたダーク状態抵抗値は、チャネル領域２６の
長さに対する幅の比を固定する。ダーク状態抵抗値は、
フォトセンシティブスイッチ１２を通る漏れ電流を決定
する。所望の最小ブレークダウン電圧は、フォトセンシ
ティブスイッチ１２のチャネル領域２６に対する最小長
さを決定する。

【００２５】当業者は、ダーク状態およびライト状態の
チャネル抵抗値、光源１４の強度、チャネルブレークダ
ウン電圧の予め選択された値に基づいて、適切なチャネ
ル寸法およびドーパント割合を決定することができる。

【００２６】図２は、図１の光的に制御されるスイッチ
１０に基づく制御回路３４を示す。制御回路３４は、直
流（ＤＣ）電圧源３６および分圧器３８を含む。分圧器
３８において、光的に制御されるスイッチ１０および固
定抵抗器４０が直列に接続される。固定抵抗器４０は、
負荷エレメント４２、例えばキャパシタまたはインダク
タに対する電圧源である。光的に制御されるスイッチ１
０の抵抗値は、固定抵抗器４０を通る電流を制御し、し
たがって、負荷エレメント４２における電圧降下を制御
する。

【００２７】光的に制御されるスイッチ１０は、図１の
光源１４およびフォトセンシティブスイッチ１２を含
む。例示的な光源１４は、ＬＥＤ（light emitting dio
des）およびダイオードレーザを含む。光源１４は、遠
隔の光源からフォトセンシティブスイッチ１２に光を分
配する光導波路、例えば光ファイバを含み得る。光源１
４を調節するために使用される電圧Ｖは、フォトセンシ
ティブスイッチ１２の抵抗値を制御する。

【００２８】図３は、光的に制御される可変スイッチ、
例えば図３のスイッチ１２により回路を制御する方法４
４のフローチャートである。方法４４は、回路中に配置
されたフォトセンシティブスイッチに外部電圧を変える
ステップ（ステップ４６）を含む。方法４４は、外部電
圧がフォトセンシティブ有機スイッチに加えられている
間に、フォトセンシティブ有機抵抗器をイルミネートす
る光源、例えば図２の光源１４の強度を調節するステッ
プ（ステップ４８）も含む。調節された光強度は、フォ
トセンシティブスイッチの抵抗値を変化させ、したがっ
て、回路中に外部電圧が生じる電流を変化させる。変化
された電流は、負荷エレメント、例えば図２中の負荷エ
レメント４２における電圧降下を変化させる。

【００２９】フォトセンシティブスイッチにおける電圧
降下において誘導された変化は、フォトセンシティブス
イッチにおいて誘導されるいかなる光電的（photovolta
ic）電圧より大きい。好ましくは、電圧降下の変化は、
いかなる生成される光電的電圧の少なくとも１０倍であ
る。

【００３０】図２において、例示的な制御回路３４は、
負荷エレメント４２に対するデジタル変調された（Ｄ
Ｍ）電圧源として機能する。ＤＭ電圧源において、光源
１４は、ブライト機関およびダーク機関の反復するシー
ケンス、例えばダイオードレーザまたはＬＥＤのオンお
よびオフ機関を生じる光モジュレータとして機能する。
ブライトおよびダーク機関の相対的長さは、固定抵抗器
４０および負荷エレメント４２に異なる平均電圧を与え
るために、変化される。

【００３１】図４は、図３の制御回路３４により制御さ
れるＭＥＭ（micro-electromechanical）デバイス５０
を示す。ＭＥＭデバイス５０は、フレキシブルスターク
（flexible stalk）５２およびトップピース（top piec
e）５４を含む。スターク５２は、トップピース５４を
基板１６に接続する。トップピース５４は、キャパシタ
およびリフレクタ５８の第１のプレート５６を含む。キ
ャパシタの第２のプレート６０は、基板１６上に配置さ
れている。キャパシタは図３に示された制御回路３４の
負荷エレメント４２である。制御回路３４は、キャパシ
タの充電状態を決定し、これにより、ＭＥＭデバイス５
０におけるリフレクタ５８の方向を制御する。

【００３２】制御回路３４は、ＭＥＭデバイス５０の向
きを制御するキャパシタを充電するためのＤＭ電圧源と
して機能する。ＤＭ電圧源において、光源１４は、調節
された強度の光ビームをフォトセンシティブ抵抗器１２
上に照射する（shines）。光強度は、ＭＥＭデバイス５
０における機械的共振に対する時定数よりも高い周波
数、例えば機械的共振周波数の少なくとも５ないし１０
倍で調節される。そのような高い周波数において、プレ
ート５６，６０上の平均電荷（charge）は、駆動電圧に
対するＭＥＭデバイス５０の機械的反応を決定する。プ
レート５６，６０上の平均電荷は、イルミネーションサ
イクルのブライトおよびダーク部分の相対的長さに依存
する。

【００３３】光源１４のデジタル変調（digital modula
tion）は、高周波数の電圧源Ｖを必要とする。電圧源Ｖ
は、デジタル電源でありうるが、電圧源Ｖは、典型的に
は、ＭＥＭデバイス５０のキャパシタの充電および放電
を調節する電圧よりも遙かに小さい最大振幅を有する。
キャパシタに加えられる電圧は、典型的には、０ないし
１，０００ボルトの範囲にあり、好ましくは、約１００
ないし３００ボルトの範囲にある。そのような高電圧に
対して、電気的に制御されるＤＭ電圧源が、しばしば、
図３の制御回路３４およびＤＣ電圧源３６から形成され
る光的に制御されるＤＭ電圧源よりも高価である。

【００３４】例示的なＤＣ源３６は、約１００ないし３
００ボルトの電圧を有する。そのような電源に対して、
約１０^１０オームのダーク状態抵抗値が、ダーク状態に
おける実質的な電力浪費を防止するために好ましい。そ
のような抵抗値に対して、チャネル領域２６は、典型的
に、少なくとも０．５ミクロンの長さ、好ましくは１な
いし１００ミクロンの長さ、および約１，０００ミクロ
ンの幅を有する。チャネル領域２６は、領域２６（図
４）の横方向範囲（transverse extend）全体を減少さ
せるために、高度にインターデジテイトされている（hi
ghly inter-digitated）。そのようなチャネル寸法は、
１５０ボルトの余分のブレークダウン電圧を提供する。

【００３５】システム５０の他の実施形態において、フ
ォトセンシティブスイッチ１２は、フォトセンシティブ
抵抗器（図示しない）により置き換えられる。フォトセ
ンシティブ抵抗器は、有機または無機材料のいずれかを
含むフォトセンシティブチャネル領域２６を有する。例
示的無機材料は、アモルファスＳｅ（selenium）、Ｓｉ
（silicon）、ＣｄＳ（cadmium sulfide）、およびＣｄ
Ｓｅ（cadmium selenide）を含む。これらの無機材料
は、周知の電子アクセプタまたはドナーと共にドープさ
れうる。

【００３６】本発明の他の実施形態は、本願の明細書、
図面および特許請求の範囲から、当業者にとって明らか
となるであろう。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光的に制御されるスイッチのように動作するフォトセン
シティブ電気デバイスを提供することができる。

【００３８】特許請求の範囲の発明の要件の後に括弧で
記載した番号がある場合は、本発明の一実施例の対応関
係を示すものであって、本発明の範囲を限定するものと
解釈すべきではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】光的に制御されるスイッチの断面図。

【図２】図１の光的に制御されるスイッチに基づく制御
回路を示す図。

【図３】図２の光的制御回路を動作させる方法を示すフ
ローチャート。

【図４】図２の光的制御回路を使用するＭＥＭ（micro-
electromechanical）デバイスの斜角図。

【符号の説明】

１０スイッチ１２フォトセンシティブスイッチ１４光源１６基板１８，２０電極２２フォトセンシティブレイヤ２６チャネル領域３４制御回路３６ＤＣ電圧源３８分圧器４０固定抵抗器４２負荷エレメント５０ＭＥＭデバイス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 ＭｏｕｎｔａｉｎＡｖｅｎｕｅ, ＭｕｒｒａｙＨｉｌｌ，ＮｅｗＪｅｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者ゼナンバオーアメリカ合衆国、07041 ニュージャージー州、ミルバーン、クリントンプレース６ (72)発明者デーヴィットジョンビショップアメリカ合衆国、07901 ニュージャージー州、サミット、オークノールロード７ (72)発明者ロバートアルバートボイエアメリカ合衆国、05734 バーモント州、ブリッドポート、ミドルロード 1627 (72)発明者ダスティンダブリューカールアメリカ合衆国、08867 ニュージャージー州、ピッツタウン、サンシャインドライブ４ (72)発明者エドウィンアーサーチャンダロスアメリカ合衆国、07974 ニュージャージー州、マレーヒル、ハンタードンブールバード 14 (72)発明者ピーターキヤン・ホーンホーアメリカ合衆国、07060 ニュージャージー州、ノースフレインフィールド、アパートメントエフエフ12、ロックアベニュー 1275 Ｆターム(参考） 5F088 AA11 AB11 BB10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１および第２の電極と、フォトセンシティブ有機材料を有し、前記電極間に延び
るチャネルと、その中の電流の流れの方向を横切るチャネルをイルミネ
ートするように配置され、前記材料の導電率を変化させ
ることができる波長の光を生成するように構成された光
源とを有し、前記チャネルは、光的に制御されるスイッ
チとして動作するように構成されることを特徴とする装
置。
【請求項２】前記チャネルは、前記光源によりイルミ
ネートされることに応答して、少なくとも１０^４減少す
る抵抗値を有することを特徴とする請求項１記載の装
置。
【請求項３】前記光源は、デジタル的に変調された電
源であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】前記第１および第２の電極は、同じ導電
性材料で構成されることを特徴とする請求項１記載の装
置。
【請求項５】ＭＥＭ（micro-electromechanical）デ
バイスと、前記ＭＥＭデバイスを制御するように接続された回路と
を有し、前記回路は、光的に制御されるスイッチとして
動作するように構成された有機チャネルを含むことを特
徴とするシステム。
【請求項６】前記回路は、その中の電流の流れの方向
を横切るチャネルをイルミネートするように配置され、
前記材料の導電率を変化させることができる波長の光を
生成するように構成された光源をさらに含み、前記チャ
ネルは、光的に制御されるスイッチとして動作するよう
に構成されることを特徴とする請求項５記載のシステ
ム。
【請求項７】前記チャネルは、前記光源によりイルミ
ネートされることに応答して、少なくとも１０^４減少す
る抵抗値を有することを特徴とする請求項６記載のシス
テム。
【請求項８】前記チャネルは、前記光源からのイルミ
ネーションにその導電率が応答するドープされた有機材
料を有することを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項９】有機フォトセンシティブスイッチに電圧
を加えるステップと、前記電圧を加える一方で、前記有機フォトセンシティブ
スイッチに光強度を加えるステップとを有し、前記加えられる電圧は、前記光強度により生成されるい
かなる光電的電圧より大きいことを特徴とする駆動電圧
を生じるための方法。
【請求項１０】前記光強度を加えるステップは、前記
光強度が、一連の第１および第２の期間の間に、それぞ
れ第１および第２の値を有するように変調するステップ
を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。