JP2002367208A

JP2002367208A - 半導体レーザー駆動回路

Info

Publication number: JP2002367208A
Application number: JP2001173887A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Yuwaki; 武志湯脇; Katsunori Sato; 勝則佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2002-12-20
Anticipated expiration: 2021-06-08
Also published as: JP4479128B2

Abstract

(57)【要約】【課題】情報記録時の高速化と再生時の低ノイズ化を
同時に実現する。【解決手段】情報再生時には再生制御回路２４が動作
し、高周波信号が重畳した電流Ｉｒ２が流れて、カレン
トミラー回路１２によりレーザーダイオード１０が電流
駆動され、電流Ｉｒ２に対応する駆動電流ＩＬＤ３がレ
ーザーダイオード１０に供給される。カレントミラー回
路１２は抵抗を含まないため抵抗の熱雑音の問題がな
い。情報記録時には記録制御回路２６が交流変調電圧Ｖ
ｗ１を出力し、対応する電圧がエミッターフォロワー回
路１６を通じ低出力インピーダンスでレーザーダイオー
ド１０に供給される。よって寄生容量を急速に充電でき
る。また、再生時の駆動電流は小さいためトランジスタ
ーＰ４は小型でよく寄生容量Ｃｊｓ２が小さいことから
寄生容量の放電も速やかであり、高速駆動を実現でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクにおけ
る情報記録再生のために光ディスクにレーザー光を照射
する半導体レーザーを駆動する回路に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザーはきわめて小型で、かつ
応答速度が速いため、光ディスク装置、光通信装置、レ
ーザープリンタなどの光源として広く使用されている。
光ディスク装置では半導体レーザーは光ディスクからの
情報再生に用いられ、さらに相変化型光ディスクや光磁
気ディスクなどの書き換え可能な光ディスクの場合には
光ディスクに対する情報の記録にも用いられる。レーザ
ー光の出力レベルは、情報を記録するか、あるいは再生
するか、さらには消去するかによって切り換えられ、た
とえば再生時には記録時より弱いレーザー光を光ディス
クに照射することで、記録ピットを破壊することなく情
報の読み出しが行われる。

【０００３】ところで、光ディスクから情報を再生すべ
く光ディスクに照射したレーザー光は、光ディスクから
反射して光電変換素子に導かれるが、反射光は同時に光
源である半導体レーザー側にも一部が入射する。その結
果、この戻り光と照射光とが干渉してスクープノイズ、
モードホッピングノイズが発生し、再生信号のＣ／Ｎ劣
化の原因となっている。そこで従来より、半導体レーザ
ーの駆動電流に２００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの高周波電
流を重畳させる高周波重畳法が用いられ、上記ノイズの
低減が図られている。

【０００４】一方、光ディスクに情報を記録する際に
は、情報の記録密度を高め、かつ情報の転送速度を高め
るため、半導体レーザーの出力に対してパルス幅変調を
行い、さらに強度変調を行う方式が採られるようになっ
ている。この方式では、レーザー光の強度は複数のレベ
ルに切り換える必要があり、また最短パルス幅も数ｎｓ
程度にまで短くなってきている。このような情報の記録
密度および転送速度の向上を図った光ディスク装置で
は、記録再生時のエラーレートを充分に低い水準に抑え
るために、半導体レーザー駆動回路の高速化と低ノイズ
化がきわめて重要である。

【０００５】一般に半導体レーザーとして用いられてい
るレーザーダイオードの寿命は、レーザーダイオード動
作時の温度が高くなるほど短くなる。したがって、レー
ザーダイオードのカソードをレーザーダイオードのパッ
ケージに接続し、パッケージを回路基板などのグランド
に接続して放熱効果を高め、動作時の温度を抑えること
が長寿命化に有利となる。そして、高記録密度化を図る
場合、高出力のレーザーダイオードを用いる必要があ
り、したがって、レーザーダイオードの発熱量も必然的
に大きくなるので、レーザーダイオードとしては上述の
ようなカソード側を接地するカソードコモン型のレーザ
ーダイオードを採用することになる。

【０００６】しかし、このカソードコモン型のレーザー
ダイオードを駆動する場合、従来の駆動回路では低ノイ
ズ化と高速化とを両立させることが困難であった。以
下、この点について詳しく説明する。図３は従来の半導
体レーザー駆動回路の一例を示す回路図、図４は図３の
半導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャー
トである。なお、図４において（Ｅ）は記録動作により
光ディスク上に形成される記録マークを模式的に示して
いる。

【０００７】図３に示した半導体レーザー駆動回路１０
２は、トランジスターＰ１、Ｐ２によるカレントミラー
回路１０４によりレーザーダイオード１０６に駆動電流
を供給する構成となっており、そして再生制御回路１０
８および記録制御回路１１０により再生および記録のた
めの駆動電流が切り替えてレーザーダイオード１０６に
供給される。再生制御回路１０８および記録制御回路１
１０にはモード選択信号１１２が入力されており、図４
に示したように、モード選択信号１１２がハイレベルの
ときは再生制御回路１０８が動作し、一方、モード選択
信号１１２がローレベルのときは記録制御回路１１０が
動作する。

【０００８】詳しく説明すると、図４に示したように、
モード選択信号１１２（図４の（Ａ））がハイレベルの
期間では、再生制御回路１０８は、一定レベルのバイア
ス電流に高周波電流を重畳させた電流Ｉｒ（図４の
（Ｂ））を、カレントミラー回路１０４の入力端子１１
４を通じて流す。これにより、カレントミラー回路１０
４は電流Ｉｒに対応する電流ＩＬＤ１（図４の（Ｄ））
を出力端子１１６を通じてレーザーダイオード１０６に
供給し、その結果、レーザーダイオード１０６から、電
流ＩＬＤ１に対応する強度のレーザー光が不図示の光デ
ィスクに照射される。この間、記録制御回路１１０は動
作を停止しており、記録制御回路１１０に入力端子１１
４から流入する電流Ｉｗはゼロである。

【０００９】一方、モード選択信号１１２がローレベル
の期間では、記録制御回路１１０は、一定レベルのバイ
アス電流を交流電流で変調した電流Ｉｗ（図４の
（Ｃ））を、カレントミラー回路１０４の入力端子１１
４を通じて流す。これにより、カレントミラー回路１０
４は電流Ｉｗに対応する電流ＩＬＤ１を出力端子１１６
を通じてレーザーダイオード１０６に供給し、その結
果、レーザーダイオード１０６から、電流ＩＬＤ１に対
応する強度のレーザー光が光ディスクに照射され、光デ
ィスクに記録マーク（図４の（Ｅ））が形成される。こ
の間、再生制御回路１０８は動作を停止しており、再生
制御回路１０８に入力端子１１４から流入する電流Ｉｒ
はゼロである。なお、電流ＩＤＬ１の最小値１１８は、
再生時および記録時とも、レーザーダイオード１０６の
駆動に必要な最低電流（しきい値電流）以上の値となっ
ている。

【００１０】ところで、レーザーダイオード１０６は図
５の回路図に示したように、抵抗ＲとコンデンサーＣと
の並列回路にコイルＬを直列に接続した回路により等価
的に表すことができる。ここで、コイルＬはレーザーダ
イオード１０６のパッケージのリードや半導体チップと
リードを接続する金ワイヤーのインダクタンスであり、
コンデンサーＣはサブマウントやリード引き出し絶縁部
の寄生容量、抵抗Ｒはレーザーダイオード１０６のしき
い値電流以上の領域におけるレーザーダイオード１０６
の電流−電圧特性曲線の傾斜により決まる微分抵抗であ
る。

【００１１】上記カレントミラー回路１０４を構成する
トランジスターＰ２は、記録時にはピークで２００ｍＡ
程度の大きな電流を流す必要があるため、トランジスタ
ーのサイズが大きく、その結果、コレクターに係わる寄
生容量Ｃｊｓ１も数ｐＦの大きさになる。よって、レー
ザーダイオード１０６の抵抗Ｒ、トランジスターＰ２の
寄生容量Ｃｊｓ１、ならびにレーザーダイオード１０６
のコンデンサーＣにより、半導体レーザー駆動回路１０
２の周波数特性が制限されてしまい、この点で従来の半
導体レーザー駆動回路１０２は高速化に不利であった。

【００１２】図６は従来の半導体レーザー駆動回路の他
の例を示す回路図、図７は図６の半導体レーザー駆動回
路の動作を示すタイミングチャートである。なお、図７
において（Ｅ）は記録動作により光ディスク上に形成さ
れる記録マークを模式的に示している。

【００１３】図６に示した半導体レーザー駆動回路１２
０は、トランジスターＱ１によるエミッターフォロワー
回路１２２によりレーザーダイオード１０６に駆動電流
を供給する構成となっており、そして再生記録制御回路
１２４により再生および記録のための駆動電圧が切り替
えてレーザーダイオード１０６に供給される。再生記録
制御回路１２４にはモード選択信号１１２が入力されて
おり、図７に示したように、モード選択信号１１２がハ
イレベルのときは再生動作、モード選択信号１１２がロ
ーレベルのときは記録動作が行われる。

【００１４】なお、再生記録制御回路１２４とエミッタ
ーフォロワー回路１２２との間には、トランジスターＱ
３による反転増幅回路１２６と、トランジスターＱ２に
よるエミッターフォロワー回路１２８とが介在し、再生
記録制御回路１２４の出力電圧は、これらの回路を通じ
てエミッターフォロワー回路１２２に供給される。

【００１５】このような構成において、図７に示したよ
うに、モード選択信号１１２（図７の（Ａ））がハイレ
ベルの期間では、再生記録制御回路１２４は、一定レベ
ルのバイアス電圧に高周波電圧を重畳させた電圧Ｖｒｗ
１（図７の（Ｂ））を、トランジスターＱ３のベースに
供給する。これにより、Ｑ３による反転増幅回路１２６
は電圧Ｖｒｗ１を増幅し、また極性を反転させ、出力電
圧Ｖｒｗ２（図７の（Ｃ））としてトランジスターＱ２
のベースに出力する。その結果、電圧Ｖｒｗ２はトラン
ジスターＱ２によるエミッターフォロワー回路１２８お
よびエミッターフォロワー回路１２２を通じて低出力イ
ンピーダンスでレーザーダイオード１０６のアノードに
印加される。これによりレーザーダイオード１０６には
電圧Ｖｒｗ２に対応した大きさの電流ＩＬＤ２（図７の
（Ｄ））が流れ、レーザーダイオード１０６は同電流Ｉ
ＬＤ１に応じた強度のレーザー光を不図示の光ディスク
に照射する。

【００１６】一方、モード選択信号１１２がローレベル
の期間では、再生記録制御回路１２４は、一定レベルの
バイアス電圧を交流電圧で変調した電圧Ｖｒｗ１を出力
し、この電圧は再生の場合と同様に反転増幅されて電圧
Ｖｒｗ２となり、トランジスターＱ２によるエミッター
フォロワー回路１２２およびエミッターフォロワー回路
１２２を通じて低出力インピーダンスでレーザーダイオ
ード１０６のアノードに印加される。これによりレーザ
ーダイオード１０６には電圧Ｖｒｗ２に対応した大きさ
の電流ＩＬＤ２が流れ、レーザーダイオード１０６は同
電流ＩＬＤ２に応じた強度のレーザー光を光ディスクに
照射する結果、光ディスクに記録マーク（図７の
（Ｅ））が形成される。なお、この場合にも、電流ＩＤ
Ｌ２の最小値１３０は、再生時および記録時とも、レー
ザーダイオード１０６の駆動に必要な最低電流（しきい
値電流）以上の値となっている。

【００１７】この半導体レーザー駆動回路１２０は、エ
ミッターフォロワー回路１２２によりレーザーダイオー
ド１０６を低出力インピーダンスで駆動できるため、寄
生容量などによる周波数特性の劣化がなく、レーザーダ
イオード１０６の高速駆動に適している。しかし、半導
体レーザー駆動回路１２０では、反転回路が必要であ
り、抵抗Ｒ１、Ｒ２を用いることから、それらの熱雑音
の影響によりノイズが増大し再生時には問題となる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたもので、その目的は、光デ
ィスク装置における情報記録時の高速化と情報再生時の
低ノイズ化を同時に実現した半導体レーザー駆動回路を
提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、光ディスクにレーザー光を照射して前記光デ
ィスクに対する情報の記録、および前記光ディスクから
の情報の再生を行う光ディスク装置に組み込まれて、前
記レーザー光を発生する半導体レーザーを駆動する回路
であって、前記半導体レーザーを発光させるべく前記半
導体レーザーを電流駆動する電流駆動回路と、前記半導
体レーザーを発光させるべく前記半導体レーザーを電圧
駆動する電圧駆動回路と、情報の再生時には前記電流駆
動回路に前記半導体レーザーを駆動させ、情報の記録時
には前記電圧駆動回路に前記半導体レーザーを駆動させ
る制御回路とを備えたことを特徴とする。

【００２０】本発明の半導体レーザー駆動回路では、制
御回路による制御のもとで、情報再生時には電流駆動回
路により半導体レーザーが電流駆動され、一方、情報記
録時は電圧駆動回路により半導体レーザーが電圧駆動さ
れる。したがって、電流駆動回路をたとえばカレントミ
ラー回路により構成すれば、抵抗は不要であるから熱雑
音の問題がなく、低ノイズで情報再生を行うことができ
る。そして、情報記録時には、電圧駆動回路により低出
力インピーダンスで半導体レーザーを駆動するので充分
な電流を供給することができ、寄生容量の影響を受け難
い。しかも、情報再生時には半導体レーザーに流すべき
電流は小さくてよいため、カレントミラー回路を構成す
るトランジスターとして小型のものを使用でき、同トラ
ンジスターに係わる寄生容量が小さくなる。したがっ
て、半導体レーザーを高速駆動することが可能となる。
よって、本発明の半導体レーザー駆動回路では、光ディ
スク装置における情報記録時の高速化と再生時の低ノイ
ズ化とを同時に実現することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明による半導体
レーザー駆動回路の一例を示す回路図、図２は図１の半
導体レーザー駆動回路の動作を示すタイミングチャート
である。なお、図２において（Ｆ）は記録動作により光
ディスク上に形成される記録マークを模式的に示してい
る。

【００２２】本実施の形態例の半導体レーザー駆動回路
２は、光ディスク装置に組み込まれ、レーザーダイオー
ドを駆動して光ディスクにレーザー光を照射し、光ディ
スクに対する情報の記録、および光ディスクからの情報
の再生を行うためのものである。そして、図１に示した
ように、電流駆動回路４、電圧駆動回路６、ならびに制
御回路８を含み、電流駆動回路４は、レーザーダイオー
ド１０を発光させるべくレーザーダイオード１０を電流
駆動し、電圧駆動回路６は、レーザーダイオード１０を
発光させるべくレーザーダイオード１０を電圧駆動す
る。制御回路８は、情報の再生時には電流駆動回路４に
レーザーダイオード１０を駆動させ、情報の記録時には
電圧駆動回路６にレーザーダイオード１０を駆動させ
る。

【００２３】レーザーダイオード１０は、本実施の形態
例では、コモンカソード型のレーザーダイオードであ
り、そのカソードはグランドに接続されている。電流駆
動回路４は、具体的にはカレントミラー回路１２により
構成され、カレントミラー回路１２はＰＮＰ型のトラン
ジスターＰ３、Ｐ４から成り、その出力端子１４、すな
わちトランジスターＰ４のコレクターはレーザーダイオ
ード１０のアノードに接続されている。トランジスター
Ｐ３、Ｐ４のベースは共通に接続されるとともにトラン
ジスターＰ３のコレクターに接続され、トランジスター
Ｐ３、Ｐ４のエミッターは正の電源に接続されている。

【００２４】電圧駆動回路６は、ＮＰＮ型のトランジス
ターＱ４によるエミッターフォロワー回路１６を含み、
その出力端子であるトランジスターＱ４のエミッターは
レーザーダイオード１０のアノードに接続され、トラン
ジスターＱ４のコレクターは正の電源に接続されてい
る。電圧駆動回路６はさらに、エミッターフォロワー回
路１８および反転増幅回路２０を含んでいる。エミッタ
ーフォロワー回路１８はＮＰＮ型のトランジスターＱ５
と抵抗Ｒ６とから成り、トランジスターＱ５のコレクタ
ーは正の電源に、エミッターはトランジスターＱ４のベ
ースに接続され、また抵抗Ｒ６を通じてグランドに接続
されている。

【００２５】反転増幅回路２０はＮＰＮ型のトランジス
ターＱ６と抵抗Ｒ４、Ｒ５とから成り、トランジスター
Ｑ６のコレクターはトランジスターＱ５のベースに接続
され、また抵抗Ｒ５を通じて正の電源に接続されてい
る。一方、トランジスターＱ６のエミッターは抵抗Ｒ４
を通じてグランドに接続されている。

【００２６】制御回路８は、モード選択信号２２にもと
づいて動作する再生制御回路２４と記録制御回路２６に
より構成されている。再生制御回路２４は、カレントミ
ラー回路１２の入力端子２８、すなわちトランジスター
Ｐ３のコレクターを通じ電流を流してカレントミラー回
路１２にレーザーダイオード１０を駆動させる。その
際、再生制御回路２４は、入力端子２８を通じて流す電
流Ｉｒ２に２００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの高周波電流を
重畳させる。

【００２７】一方、記録制御回路２６は、エミッターフ
ォロワー回路１６に供給する電圧Ｖｗ１を出力してエミ
ッターフォロワー回路１６にレーザーダイオード１０を
駆動させる。その際、記録制御回路２６は電圧Ｖｗ１に
交流電圧を重畳させる。

【００２８】次に、このように構成された半導体レーザ
ー駆動回路２の動作について図２をも参照しつつ説明す
る。図２に示したように、モード選択信号２２（図２の
（Ａ））がハイレベルの期間では、再生制御回路２４が
動作して、一定レベルのバイアス電流に高周波電流を重
畳させた電流Ｉｒ２（図２の（Ｂ））を、カレントミラ
ー回路１２の入力端子２８を通じて流す。これにより、
カレントミラー回路１２は電流Ｉｒ２に対応する電流Ｉ
ＬＤ３（図２の（Ｅ））を出力端子１４を通じてレーザ
ーダイオード１０に供給する。その結果、レーザーダイ
オード１０は電流駆動されレーザーダイオード１０から
電流ＩＬＤ３に対応する強度のレーザー光が不図示の光
ディスクに照射され、その反射光により情報が再生され
る。

【００２９】この間、記録制御回路２６は、モード選択
信号２２がハイレベルであることから、動作を停止して
おり、充分に高レベルの一定の電圧を出力している。し
たがって、トランジスターＱ４はオフ状態となり、レー
ザーダイオード１０はカレントミラー回路１２からの電
流のみにより駆動される。

【００３０】一方、モード選択信号２２がローレベルの
期間では、記録制御回路２６は、一定レベルのバイアス
電圧に交流電圧を重畳した電圧、より具体的にはパルス
変調を行った電圧Ｖｗ１（図２の（Ｃ））を出力し、こ
の電圧は反転増幅回路２０により反転増幅されて電圧Ｖ
ｗ２（図２の（Ｄ））となり、エミッターフォロワー回
路１８およびエミッターフォロワー回路１６を通じて低
出力インピーダンスでレーザーダイオード１０のアノー
ドに印加される。

【００３１】これによりレーザーダイオード１０は電圧
駆動され、レーザーダイオード１０には電圧Ｖｗ２に対
応した大きさの電流ＩＬＤ３が流れ、レーザーダイオー
ド１０は同電流ＩＬＤ３に応じた強度のレーザー光を光
ディスクに照射し、光ディスクに記録マーク（図２の
（Ｆ））が形成される。

【００３２】この間、再生制御回路２４は、モード選択
信号２２がローレベルであることから、動作を停止して
おり、カレントミラー回路１２の入力端子２８から再生
制御回路２４には電流は流入しない。したがって、カレ
ントミラー回路１２からはレーザーダイオード１０に電
流は供給されず、レーザーダイオード１０はエミッター
フォロワー回路１６からの電圧のみにより駆動される。
なお、電流ＩＤＬ３の最小値３０は、再生時および記録
時とも、レーザーダイオード１０の駆動に必要な最低電
流（しきい値電流）以上の値となっている。

【００３３】このように、本実施の形態例の半導体レー
ザー駆動回路２では、情報再生時には、レーザーダイオ
ード１０はカレントミラー回路１２によって電流駆動さ
れ、カレントミラー回路１２には抵抗が含まれていない
ので熱雑音の問題がなく、したがって、低ノイズで情報
再生を行うことができる。

【００３４】一方、情報記録時には、エミッターフォロ
ワー回路１６により低出力インピーダンスでレーザーダ
イオード１０を駆動するので、トランジスターＰ４のコ
レクターおよびレーザーダイオード１０の寄生容量を急
速に充電して電圧を素早く立ち上げるだけの電流を供給
でき、したがって、レーザーダイオード１０の駆動電流
パルスは立ち上がり時に速やかに上昇する。

【００３５】また、パルスの立ち下りの速度は、レーザ
ーダイオード１０の微分抵抗Ｒ（図５参照）とトランジ
スターＱ２のコレクターの寄生容量Ｃｊｓ２およびレー
ザーダイオード１０の寄生容量Ｃとによる時定数τ＝Ｒ
（Ｃｊｓ２＋Ｃ）により決まる。ここで、情報再生時に
はレーザーダイオード１０に流すべき電流は小さくてよ
く、カレントミラー回路１２を構成するトランジスター
Ｐ４としては小型のものを使用できる。よって、寄生容
量Ｃｊｓ２は小さく、時定数τが小さくなるので、パル
スの立ち下り速度も従来より向上する。したがって、情
報記録時の駆動電流パルスは、立ち上がり、立ち下りが
ともに急峻であり、したがってレーザーダイオード１０
の高速駆動が可能である。

【００３６】よって、本実施の形態例の半導体レーザー
駆動回路２では、光ディスク装置における情報記録時の
高速化と情報再生時の低ノイズ化とを同時に実現するこ
とができる。これにより、記録再生時のエラーレートを
充分に低い水準に抑えることが可能となり、情報記録密
度および転送速度のさらなる向上を実現できる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザー駆動回路では、制御回路による制御のもとで、情報
再生時には電流駆動回路により半導体レーザーが電流駆
動され、一方、情報記録時は電圧駆動回路により半導体
レーザーが電圧駆動される。したがって、電流駆動回路
をたとえばカレントミラー回路により構成すれば、抵抗
は不要であるから熱雑音の問題がなく、低ノイズで情報
再生を行うことができる。そして、情報記録時には、電
圧駆動回路により低出力インピーダンスで半導体レーザ
ーを駆動するので充分な電流を供給することができ、寄
生容量の影響を受け難い。しかも、情報再生時には半導
体レーザーに流すべき電流は小さくてよいため、カレン
トミラー回路を構成するトランジスターとして小型のも
のを使用でき、同トランジスターに係わる寄生容量が小
さくなる。したがって、半導体レーザーを高速駆動する
ことが可能となる。よって、本発明の半導体レーザー駆
動回路では、光ディスク装置における情報記録時の高速
化と再生時の低ノイズ化とを同時に実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体レーザー駆動回路の一例を
示す回路図である。

【図２】図１の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタ
イミングチャートである。

【図３】従来の半導体レーザー駆動回路の一例を示す回
路図である。

【図４】図３の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタ
イミングチャートである。

【図５】レーザーダイオードの等価回路を示す回路図で
ある。

【図６】従来の半導体レーザー駆動回路の他の例を示す
回路図である。

【図７】図６の半導体レーザー駆動回路の動作を示すタ
イミングチャートである。

【符号の説明】

２……半導体レーザー駆動回路、４……電流駆動回路、
６……電圧駆動回路、８……制御回路、１０……レーザ
ーダイオード、１２……カレントミラー回路、１４……
出力端子、１６……エミッターフォロワー回路、１８…
…エミッターフォロワー回路、２０……反転増幅回路、
２２……モード選択信号、２４……再生制御回路、２６
……記録制御回路、２８……入力端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D090 AA01 CC06 EE12 EE20 LL01 5D119 AA12 AA24 BA01 DA09 FA05 HA37 HA41 HA68 5F073 BA06 GA16 GA24 GA38

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光ディスクにレーザー光を照射して前記
光ディスクに対する情報の記録、および前記光ディスク
からの情報の再生を行う光ディスク装置に組み込まれ
て、前記レーザー光を発生する半導体レーザーを駆動す
る回路であって、前記半導体レーザーを発光させるべく前記半導体レーザ
ーを電流駆動する電流駆動回路と、前記半導体レーザーを発光させるべく前記半導体レーザ
ーを電圧駆動する電圧駆動回路と、情報の再生時には前記電流駆動回路に前記半導体レーザ
ーを駆動させ、情報の記録時には前記電圧駆動回路に前
記半導体レーザーを駆動させる制御回路とを備えたこと
を特徴とする半導体レーザー駆動回路。
【請求項２】前記電流駆動回路はカレントミラー回路
により構成されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザー駆動回路。
【請求項３】前記半導体レーザーはレーザーダイオー
ドであり、前記レーザーダイオードのカソードはグラン
ドに接続され、前記カレントミラー回路の出力電流は前
記レーザーダイオードのアノードに供給されることを特
徴とする請求項２記載の半導体レーザー駆動回路。
【請求項４】前記制御回路は、前記カレントミラー回
路の入力端子を通じ電流を流して前記カレントミラー回
路に前記半導体レーザーを駆動させる再生制御回路を含
むことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザー駆動
回路。
【請求項５】前記再生制御回路は、前記カレントミラ
ー回路の入力端子を通じて流す前記電流に高周波電流を
重畳させることを特徴とする請求項４記載の半導体レー
ザー駆動回路。
【請求項６】前記電圧駆動回路は出力部にエミッター
フォロワー回路を含んでいることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザー駆動回路。
【請求項７】前記半導体レーザーはレーザーダイオー
ドであり、前記レーザーダイオードのカソードはグラン
ドに接続され、前記エミッターフォロワー回路の出力電
圧は前記レーザーダイオードのアノードに印加されるこ
とを特徴とする請求項６記載の半導体レーザー駆動回
路。
【請求項８】前記制御回路は、前記エミッターフォロ
ワー回路に供給する電圧を出力して前記エミッターフォ
ロワー回路に前記半導体レーザーを駆動させる記録制御
回路を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体レー
ザー駆動回路。
【請求項９】前記記録制御回路は、前記エミッターフ
ォロワー回路に供給する前記電圧に交流電圧を重畳させ
ることを特徴とする請求項８記載の半導体レーザー駆動
回路。
【請求項１０】前記再生制御回路は、モード選択信号
の信号レベルにもとづき、情報再生時にのみ動作するこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体レーザー駆動回
路。
【請求項１１】前記記録制御回路は、モード選択信号
の信号レベルにもとづき、情報記録時にのみ動作するこ
とを特徴とする請求項８記載の半導体レーザー駆動回
路。
【請求項１２】前記レーザーダイオードはコモンカソ
ード型であることを特徴とする請求項３または７に記載
の半導体レーザー駆動回路。