JP2002358607A - Magnetic head element, manufacturing method of the same and magnetic head - Google Patents

Magnetic head element, manufacturing method of the same and magnetic head

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JP2002358607A
JP2002358607A JP2001164678A JP2001164678A JP2002358607A JP 2002358607 A JP2002358607 A JP 2002358607A JP 2001164678 A JP2001164678 A JP 2001164678A JP 2001164678 A JP2001164678 A JP 2001164678A JP 2002358607 A JP2002358607 A JP 2002358607A
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亨 宮武
Katsuya Kikuiri
勝也 菊入
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic head element wherein the dimensional precision in the direction of a track width on the writing magnetic gap side of an upper core is improved. SOLUTION: An upper core part 3 is made to have a multi-layer structure where a plurality of core layers 3d and 3e are deposited in film thickness direction, and the sectional shapes the core layers 3d and 3e in a film thickness direction are structured to be roughly trapezoidal. Etching is executed by the angle of a low etching rate in a track width direction of the upper core part 3 with respect to an etching surface 3f formed by being raised on the lower core layer 3e in the film thickness direction. Thus, the size of the upper core part 3 in the track width direction of the base side is made to match with the track width Tw of a recording medium.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【技術分野】本発明は、磁気ヘッド素子特に書込み用の
磁気ヘッド素子及びその製造方法、その磁気ヘッド素子
を用いた磁気ヘッドに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head element, particularly a magnetic head element for writing and a method of manufacturing the same, and a magnetic head using the magnetic head element.

【0002】[0002]

【従来技術及びその問題点】従来例に係る磁気ヘッド素
子特に書込み用の磁気ヘッド素子の製造方法を図4に基
いて説明する。先ず図4(a)に示すように、基板或い
は読込み用磁気ヘッド上に成膜形成した下部コア1上に
書込み用磁気ギャップ2を所定膜厚に成膜形成する。
2. Description of the Related Art A method of manufacturing a conventional magnetic head element, particularly a magnetic head element for writing, will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 4A, a write magnetic gap 2 is formed to a predetermined thickness on a substrate or on a lower core 1 formed on a read magnetic head.

【0003】次に図4(b)に示すように、前記書込み
用磁気ギャップ2上に上部コア3を4〜5μmの膜厚に
成膜形成する。
Next, as shown in FIG. 4B, an upper core 3 is formed on the write magnetic gap 2 to a thickness of 4 to 5 μm.

【0004】次いで図4(c)に示すように、前記上部
コア3上にレジスト膜4をパターニングして形成し、こ
のパターニングしたレジスト膜4をマスクとして上部コ
ア3にイオン照射を行ってミリング加工を行い、余分な
上部コア3及び磁気ギャップ2をエッチングして、上部
コア3及び磁気ギャップ2を略台形形状に形成する(図
4(d))。
Then, as shown in FIG. 4C, a resist film 4 is formed on the upper core 3 by patterning, and the upper core 3 is irradiated with ions by using the patterned resist film 4 as a mask to perform milling. Then, the excess upper core 3 and magnetic gap 2 are etched to form the upper core 3 and magnetic gap 2 into a substantially trapezoidal shape (FIG. 4D).

【0005】図4(d)のA部を拡大した図4(e)を
用いて、上部コア3及び磁気ギャップ2をミリング加工
する工程を詳細に説明する。
The step of milling the upper core 3 and the magnetic gap 2 will be described in detail with reference to FIG.

【0006】図4(c)に示すように、ミリング加工を
行う場合、まずレジスト膜4をマスクとしてイオンが上
部コア3に対して斜め方向に照射するように設定し、イ
オン照射を行ってマスク(レジスト膜4)から露出した
余分な上部コア3をエッチングする。このエッチングの
結果、上部コア3の側壁3aが点線5aで示すように斜
めにミリング加工される。
As shown in FIG. 4C, when performing the milling process, first, ions are irradiated to the upper core 3 in an oblique direction using the resist film 4 as a mask. Excess upper core 3 exposed from (resist film 4) is etched. As a result of this etching, the side wall 3a of the upper core 3 is milled diagonally as shown by a dotted line 5a.

【0007】次にイオンの照射方向を低い角度方向に変
更し、エッチングで露出した上部コア3の側壁3aを内
方にエッチングを進めて、図4(d)に示すように上部
コア3の側壁基部3a、3a間の寸法Sがトラック幅に
近似させていた。
Next, the ion irradiation direction is changed to a lower angle direction, and the side wall 3a of the upper core 3 exposed by the etching is etched inward to form the side wall of the upper core 3 as shown in FIG. The dimension S between the bases 3a, 3a was approximated to the track width.

【0008】次に図4(e)に示すように、上部コア3
の書込み用磁気ギャップ2側のトラック幅方向の寸法S
が図示しない記録媒体のトラック幅の寸法に一致するよ
うに、書込み用磁気ギャップ2側の上部コア3を更にミ
リング加工によりエッチングしていた。
Next, as shown in FIG.
In the track width direction on the side of the write magnetic gap 2
The upper core 3 on the side of the magnetic gap 2 for writing is further etched by milling so as to match the track width dimension of a recording medium (not shown).

【0009】このミリング加工について詳細に説明す
る。図4(e)に示すように、上部コア3の傾斜した側
面3bに対して略垂直方向(図の斜め方向)からイオン
照射を行なうと、傾斜側面3bに対するエッチングレー
トが大きくなり、上部コア3の傾斜側面3bに対して平
行方向(図の上下方向)からイオン照射を行なうと、傾
斜側面3bに対するエッチングレートが小さくなり、エ
ッチング量は理想的には零となる。
The milling process will be described in detail. As shown in FIG. 4E, when ion irradiation is performed on the inclined side surface 3b of the upper core 3 from a direction substantially perpendicular to the inclined side surface 3b, the etching rate on the inclined side surface 3b increases. When the ion irradiation is performed on the inclined side surface 3b from the parallel direction (up and down direction in the figure), the etching rate on the inclined side surface 3b decreases, and the etching amount becomes ideally zero.

【0010】そこで、従来では、上部コア3の傾斜側面
3bに対するイオン粒子の照射角度を変更している。具
体的には、エッチング初期段階では高エッチングレート
の角度(例えば基板に対して45°)でエッチングを行
なってエッチング時間を短縮し、エッチング終盤ではト
ラック幅寸法(Tw)の精度を出すため、低エッチング
レートの角度(例えば基板に対して5°)に変更して上
部コア3をミリング加工していた。この結果、上部コア
3は略台形形状にミリング加工される。なお、エッチン
グレートを決定するイオン照射の角度は基板に対して垂
直方向を基準にして決められる。
Therefore, conventionally, the irradiation angle of the ion particles on the inclined side surface 3b of the upper core 3 is changed. More specifically, in the early stage of etching, etching is performed at a high etching rate angle (for example, 45 ° with respect to the substrate) to shorten the etching time, and in the final stage of etching, the accuracy of the track width (Tw) is increased. The upper core 3 was milled by changing the etching rate to an angle (for example, 5 ° with respect to the substrate). As a result, the upper core 3 is milled into a substantially trapezoidal shape. The angle of ion irradiation for determining the etching rate is determined based on the direction perpendicular to the substrate.

【0011】しかしながら、従来例の方法ではミリング
加工中に上部コア3の側面3bの傾斜度合を計測するこ
とは事実上不可能であり、上部コア3の側面3bが膜厚
方向に立上がる形状3cに形成した時点でミリング加工
を停止させることは困難を伴い、上部コア3の傾斜面を
オーバエッチングして設計値S1より短い寸法S2(S
1>S2)まで余分にミリング加工をしてしまったり、
或いはエッチングが不足してしまう(S1<S2)こと
があった。
However, it is practically impossible to measure the degree of inclination of the side surface 3b of the upper core 3 during the milling process by the method of the prior art, and the shape 3c in which the side surface 3b of the upper core 3 rises in the film thickness direction is obtained. It is difficult to stop the milling process at the time when the upper core 3 is formed, and the inclined surface of the upper core 3 is over-etched to obtain a dimension S2 (S
1> S2) milling extra until
Alternatively, etching may be insufficient (S1 <S2).

【0012】そのため、上部コア3の書込み用磁気ギャ
ップ2側のトラック幅方向の寸法Sが記録媒体のトラッ
ク幅に一致する磁気コアの製造歩留まりが悪いという問
題があった。
Therefore, there is a problem that the manufacturing yield of the magnetic core whose dimension S in the track width direction on the side of the write magnetic gap 2 of the upper core 3 matches the track width of the recording medium is low.

【0013】さらに、上部コア3の書込み用磁気ギャッ
プ2側のトラック幅方向の寸法Sの精度を人為的に制御
して向上させることが困難であるという問題があった。
Further, there is a problem that it is difficult to artificially control and improve the accuracy of the dimension S of the upper core 3 on the side of the write magnetic gap 2 in the track width direction.

【0014】[0014]

【発明の目的】本発明の目的は、上部コアの書込み用磁
気ギャップ側のトラック幅方向の寸法の精度を向上させ
た磁気ヘッド素子及びその製造方法、さらには前記磁気
ヘッド素子を用いた磁気ヘッドを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetic head element having improved accuracy in the dimension in the track width direction on the write magnetic gap side of an upper core, a method of manufacturing the same, and a magnetic head using the magnetic head element. Is to provide.

【0015】[0015]

【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
磁気ヘッドは、下部コアと、前記下部コア上に形成され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップ上に形成された上
部コアとを有する磁気ヘッド素子において、前記上部コ
アは、複数のコア層を膜厚方向に積層した多層構造とし
て形成されたことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION To achieve the above object, a magnetic head according to the present invention includes a magnetic head having a lower core, a magnetic gap formed on the lower core, and an upper core formed on the magnetic gap. In the head element, the upper core is formed as a multilayer structure in which a plurality of core layers are stacked in a thickness direction.

【0016】また前記多層構造のコア層は、膜厚方向の
断面形状が前記磁気ギャップ側を底辺とする略台形形状
をなす構造に形成される。また前記コア層のトラック幅
方向の底辺寸法は、前記磁気ギャップのトラック幅寸法
に対応して設定される。
Further, the core layer of the multilayer structure is formed in a structure having a substantially trapezoidal cross section in the thickness direction with the magnetic gap side as the base. The bottom dimension of the core layer in the track width direction is set according to the track width of the magnetic gap.

【0017】また前記コア層のトラック幅方向の底辺
に、前記磁気ギャップの突部が接合していることが望ま
しい。また前記磁気ギャップの突部は、周囲がエッチン
グされて中高状に立ち上がって形成されることが望まし
い。
It is preferable that a protrusion of the magnetic gap be joined to a bottom side of the core layer in a track width direction. Further, it is preferable that the protrusion of the magnetic gap is formed so that its periphery is etched and rises to a middle height.

【0018】また前記磁気ギャップの突部は、前記コア
層との接合部の寸法がトラック幅の寸法に設定されるこ
とが望ましい。また前記上部コアをなすコア層は、前記
磁気ギャップの突部の側縁に連続するエッチング側面を
有することが望ましい。
It is preferable that the protrusion of the magnetic gap has a junction with the core layer set to have a track width. Preferably, the core layer forming the upper core has an etched side surface that is continuous with a side edge of the protrusion of the magnetic gap.

【0019】また前記エッチング側面は、膜厚方向に立
上がって形成されたことが望ましい。また前記エッチン
グ側面は、ミリング加工によるエッチングレートが少な
い膜厚方向に立上がる側面を含むことが望ましい。また
前記多層構造の各コア層は、同一材質から構成されるこ
とが望ましい。また前記複数のコア層のうち少なくとも
1層のコア層は、メッキ膜で形成されていることが望ま
しい。
Preferably, the etching side surface is formed to rise in the thickness direction. Further, it is preferable that the etching side surface includes a side surface rising in a film thickness direction where an etching rate by milling is small. Further, it is desirable that each core layer of the multilayer structure is made of the same material. It is preferable that at least one of the plurality of core layers is formed of a plating film.

【0020】また本発明に係る磁気ヘッド素子の製造方
法は、下部コアと、磁気ギャップと、上下に堆積した下
層のコア層及び上層のコア層からなる上部コアとを有す
る磁気ヘッド素子の製造方法において、前記下部コア上
に前記磁気ギャップを形成する工程と、前記磁気ギャッ
プ上に下層のコア層を形成する工程と、前記下層のコア
層上に第1のレジスト膜をパターニングして所定の形状
に形成する工程と、前記パターニングされた第1のレジ
スト膜をマスクとして前記下層のコア層をミリングする
工程と、前記下層のコア層を含む前記磁気ギャップ上に
上層のコア層を形成する工程と、前記上層のコア層上に
第2のレジスト膜をパターニングして所定の形状に形成
する工程と、前記パターニングされた第2のレジスト膜
をマスクとして前記上層及び下層のコア層をミリング加
工して前記上部コアを形成する工程とを有することを特
徴とする。
Further, the method of manufacturing a magnetic head element according to the present invention is directed to a method of manufacturing a magnetic head element having a lower core, a magnetic gap, and an upper core composed of a lower core layer and an upper core layer deposited vertically. Forming the magnetic gap on the lower core, forming a lower core layer on the magnetic gap, patterning a first resist film on the lower core layer to obtain a predetermined shape. Forming the first core layer, using the patterned first resist film as a mask, milling the lower core layer, and forming an upper core layer on the magnetic gap including the lower core layer. Patterning a second resist film on the upper core layer into a predetermined shape, and using the patterned second resist film as a mask. The upper and lower core layers and milling and having a step of forming the upper core.

【0021】また前記ミリング工程は、イオン粒子を前
記第1のレジスト膜に対して斜め方向から照射し、前記
第1のレジスト膜をマスクとして前記下層のコア層をミ
リング加工して実行されることが望ましい。また前記ミ
リング加工は、前記下層のコア層の膜厚を、上下に堆積
した下層と上層のコア層の合計膜厚の1/4〜1/5の
範囲に設定し、かつ前記マスク用第1のレジスト膜の膜
厚を、前記マスク用第2のレジスト膜の膜厚の1/4〜
1/5の範囲に設定してミリング加工することにより、
前記下層のコア層のトラック幅方向の両側に、膜厚方向
に立上がるエッチング面を形成して実行されることが望
ましい。
The milling step may be performed by irradiating the first resist film with ion particles in an oblique direction and milling the lower core layer using the first resist film as a mask. Is desirable. Further, in the milling process, the thickness of the lower core layer is set in a range of 1 / to の of the total thickness of the lower and upper core layers deposited vertically, and the first layer for the mask is formed. The thickness of the resist film of to 1 / of the thickness of the second resist film for the mask.
By milling with setting to 1/5 range,
It is preferable that the etching is performed by forming etching surfaces that rise in the film thickness direction on both sides of the lower core layer in the track width direction.

【0022】また前記ミリング加工は、イオン粒子の前
記上層のコア層に対する照射角度を固定してイオン照射
を行い、前記第2のレジスト膜をマスクとして前記上層
及び下層のコア層を、膜厚方向の断面形状が前記磁気ギ
ャップ側を底辺とする略台形形状をなす構造にミリング
加工して実行されることが望ましい。
In the milling process, ion irradiation is performed by fixing the irradiation angle of the ion particles with respect to the upper core layer, and the upper and lower core layers are formed in a film thickness direction using the second resist film as a mask. Is desirably milled into a structure having a substantially trapezoidal shape with the bottom side being the magnetic gap side.

【0023】またイオン粒子の前記上層のコア層に対す
る照射方向を膜厚方向に対して約5°傾斜させた角度に
固定することが好ましい。また前記下層のコア層の膜厚
方向に立上がるエッチング面に対する前記下層のコア層
のトラック幅方向へのエッチングレートが低いミリング
角度で前記磁気ギャップのトラック幅寸法を確保するこ
とが望ましい。
It is preferable that the irradiation direction of the ion particles to the upper core layer is fixed at an angle of about 5 ° with respect to the film thickness direction. It is preferable that the track width dimension of the magnetic gap is secured at a milling angle at which the etching rate of the lower core layer in the track width direction with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the lower core layer is low.

【0024】また前記下層のコア層の膜厚方向に立上が
るエッチング面に対する前記下層のコア層のトラック幅
方向へのエッチングレートが低いミリング角度で前記磁
気ギャップを膜厚下向き方向にオーバーエッチングする
ことが好ましい。また前記下層のコア層の膜厚方向に立
上がるエッチング面で前記下層のコア層のトラック幅方
向へのエッチングレートが低いミリング角度で前記磁気
ギャップを膜厚下向き方向にオーバーエッチングし、前
記下層のコア層の底辺に接合する前記磁気ギャップのト
ラック幅を確保するようにしてもよい。なお、前記下層
のコア層と前記上層のコア層とを同一材質で成膜するこ
とが好ましい。
Further, the magnetic gap is over-etched downward in the film thickness direction at a milling angle at which the etching rate in the track width direction of the lower core layer is lower than the etching surface rising in the film thickness direction of the lower core layer. Is preferred. Further, the magnetic gap is over-etched downward in the thickness direction at a low milling angle at an etching rate in the track width direction of the lower core layer on the etching surface rising in the thickness direction of the lower core layer, and The track width of the magnetic gap joined to the bottom of the core layer may be ensured. Preferably, the lower core layer and the upper core layer are formed of the same material.

【0025】また本発明に係る磁気ヘッド素子は、下部
コアと、前記下部コア上に形成された磁気ギャップと、
前記磁気ギャップ上に形成された上部コアとを有する磁
気ヘッド素子において、前記上部コアは、膜厚方向の断
面形状が前記磁気ギャップを底辺とする略矩形形状をな
す構造に形成され、かつ底辺から膜厚方向に立上がる、
ミリング加工によるエッチング面を有することを特徴と
する。
The magnetic head element according to the present invention includes a lower core, a magnetic gap formed on the lower core,
A magnetic head element having an upper core formed on the magnetic gap, wherein the upper core is formed in a structure having a substantially rectangular cross-section in a thickness direction with the magnetic gap as a base, and from the base. Rise in the film thickness direction,
It has an etching surface by milling.

【0026】また前記上部コアのトラック幅方向の底辺
寸法は、前記磁気ギャップのトラック幅寸法に対応して
設定される。また前記上部コアのトラック幅方向の底辺
に、前記磁気ギャップの突部が接合することが望まし
い。
The bottom dimension of the upper core in the track width direction is set according to the track width of the magnetic gap. It is preferable that a protrusion of the magnetic gap be joined to a bottom side of the upper core in a track width direction.

【0027】また前記磁気ギャップの突部は、周囲がエ
ッチングされて中高状に立ち上がって形成されたことが
好ましい。また前記磁気ギャップの突部は、前記上部コ
アとの接合部の寸法がトラック幅の寸法に設定される。
It is preferable that the protrusion of the magnetic gap is formed so that its periphery is etched and rises to a middle height. The protrusion of the magnetic gap has a joint portion with the upper core set to have a track width.

【0028】また前記上部コアのエッチング面は、前記
磁気ギャップの突部の側縁に連続することが好ましい。
また前記エッチング側面は、膜厚方向に立上がって形成
されたことが好ましい。また前記エッチング側面は、ミ
リング加工によるエッチングレートが少ない膜厚方向に
立上がる側面であることが望ましい。
Preferably, the etching surface of the upper core is continuous with a side edge of the protrusion of the magnetic gap.
Further, it is preferable that the etching side surface is formed so as to rise in the film thickness direction. It is preferable that the etching side surface is a side surface rising in the film thickness direction where the etching rate by the milling process is small.

【0029】また本発明に係る磁気ヘッドは、上述した
いずれかの前記磁気ヘッド素子を有して構成される。
A magnetic head according to the present invention includes any one of the above-described magnetic head elements.

【0030】また本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、下部コアと、磁気ギャップと、上部コアとを有する
磁気ヘッド素子の製造方法において、前記下部コア上に
前記磁気ギャップを形成する工程と、前記磁気ギャップ
上に上部コアを形成する工程と、前記上部コア上に第1
のレジスト膜をパターニングして所定の形状に形成する
工程と、前記パターニングした第1のレジスト膜をマス
クとして前記上部コアの表層をミリング加工して中高状
の突部を形成する工程と、前記中高状の突部上に第2の
レジスト膜をパターニングして所定の形状に形成する工
程と、前記第2のレジスト膜をマスクとして前記上部コ
アをミリング加工する工程とを有することを特徴とす
る。
The method of manufacturing a magnetic head according to the present invention is a method of manufacturing a magnetic head element having a lower core, a magnetic gap, and an upper core, wherein the step of forming the magnetic gap on the lower core includes the steps of: Forming an upper core on the magnetic gap;
Patterning the resist film to form a predetermined shape; milling a surface layer of the upper core using the patterned first resist film as a mask to form a middle-high protrusion; A step of patterning a second resist film on the protruding portion to form a predetermined shape, and a step of milling the upper core using the second resist film as a mask.

【0031】また前記第1のレジスト膜の膜厚を前記第
2のレジスト膜の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定
し、前記パターニングした第1のレジスト膜をマスクと
して前記上部コアの表層をミリングして中高状の突部を
形成することが望ましい。
The thickness of the first resist film is set in a range of 1/4 to 1/5 of the thickness of the second resist film, and the upper portion of the upper resist is formed using the patterned first resist film as a mask. It is desirable to mill the surface layer of the core to form a mid-height projection.

【0032】また前記中高状突部の側面は、ミリング加
工によるエッチングレートが少ない膜厚方向に立上がる
側面をなすことが好ましい。また前記第2のレジスト膜
のトラック幅方向の寸法を、前記第2のレジスト膜のト
ラック幅方向の寸法の1.5倍〜2倍の範囲に設定する
ことが好ましい。
It is preferable that the side surface of the middle and high elevations be a side surface which rises in the film thickness direction where the etching rate by milling is small. Further, it is preferable that the dimension of the second resist film in the track width direction is set to be 1.5 to 2 times the dimension of the second resist film in the track width direction.

【0033】またイオン粒子の前記上部コアに対する照
射方向を固定してイオン照射を行い、前記第2のレジス
ト膜をマスクとして前記上部コアを、膜厚方向の断面形
状が前記磁気ギャップ側を底辺とする略矩形形状をなす
構造にミリング加工することが望ましい。
In addition, ion irradiation is performed by fixing the irradiation direction of the ion particles to the upper core, and the upper core is formed by using the second resist film as a mask, and the sectional shape in the film thickness direction is defined such that the magnetic gap side is the base. It is desirable to perform a milling process into a substantially rectangular structure.

【0034】またイオン粒子の前記上部コアに対する照
射方向を膜厚方向に対して約5°傾斜させた方向に固定
することが好ましい。また前記上部コアの膜厚方向に立
上がるエッチング面に対する前記上部コアのトラック幅
方向へのエッチングレートが低いミリング角度で前記磁
気ギャップのトラック幅寸法を確保することが好まし
い。
Preferably, the direction of irradiation of the ion core with respect to the upper core is fixed at a direction inclined by about 5 ° with respect to the film thickness direction. Preferably, the track width dimension of the magnetic gap is secured at a milling angle at which an etching rate of the upper core in a track width direction with respect to an etching surface rising in a film thickness direction of the upper core is low.

【0035】また前記上部コアの膜厚方向に立上がるエ
ッチング面に対する前記上部コアのトラック幅方向への
エッチングレートが低いミリング角度で前記磁気ギャッ
プを膜厚下向き方向にオーバーエッチングすることが好
ましい。
It is preferable that the magnetic gap is over-etched downward in the film thickness direction at a milling angle at which the etching rate in the track width direction of the upper core with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the upper core is low.

【0036】また前記上部コアの膜厚方向に立上がるエ
ッチング面に対する前記上部コアのトラック幅方向への
エッチングレートが低いミリング角度で前記磁気ギャッ
プを膜厚下向き方向にオーバーエッチングし、前記上部
コアの底辺に接合する前記磁気ギャップのトラック幅を
確保することが好ましい。また前記第1のレジスト膜の
膜厚を、前記第2のレジスト膜の膜厚の1/4〜1/5
の範囲に設定することが好ましい。
Further, the magnetic gap is over-etched downward in the film thickness direction at a milling angle at which the etching rate in the track width direction of the upper core with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the upper core is reduced. It is preferable to secure a track width of the magnetic gap joined to the bottom side. Further, the thickness of the first resist film is set to 1 / to 1 / of the thickness of the second resist film.
Is preferably set in the range.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
例と共に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0038】図1は本発明の実施形態1に係る磁気ヘッ
ド素子の製造方法を工程順に示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a method of manufacturing a magnetic head element according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps.

【0039】図1(g)及び図3に示すように本発明の
実施形態1に係る磁気ヘッド素子は、下部コア1と、前
記下部コア1上に形成された磁気ギャップ2と、前記磁
気ギャップ2上に絶縁層Zを介して形成された上部コア
3とを有しており、下部コア1と上部コア3との間に絶
縁して配置したコイルCに書込み用電流を通電し、その
電流の通電により下部コア1と上部コア3を磁化して磁
気ギャップ2の部分で記録媒体に磁気記録を行う書込み
用の磁気ヘッド素子を対象としている。
As shown in FIGS. 1G and 3, the magnetic head element according to the first embodiment of the present invention includes a lower core 1, a magnetic gap 2 formed on the lower core 1, 2 has an upper core 3 formed thereon with an insulating layer Z interposed therebetween, and supplies a write current to a coil C disposed insulated between the lower core 1 and the upper core 3 so that the current flows through the coil C. This is intended for a magnetic head element for writing which magnetizes the lower core 1 and the upper core 3 by energizing to perform magnetic recording on the recording medium at the magnetic gap 2.

【0040】図1(g)に示すように本発明の実施形態
1に係る磁気ヘッド素子は、前記上部コア3を、複数の
コア層を膜厚方向に堆積した多層構造として形成したこ
とを特徴とするものである。実施形態1では、前記コア
層を2層堆積した場合の例であり、多層構造のコア層3
d、3eは、膜厚方向の断面形状が前記磁気ギャップ2
側を底辺とする略台形形状をなす構造に形成したことを
特徴とするものである。
As shown in FIG. 1G, the magnetic head element according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the upper core 3 is formed as a multilayer structure in which a plurality of core layers are deposited in the thickness direction. It is assumed that. The first embodiment is an example in which two core layers are deposited, and the core layer 3 has a multilayer structure.
d, 3e, the sectional shape in the film thickness direction is the magnetic gap 2;
It is characterized in that it is formed in a structure having a substantially trapezoidal shape whose side is the base.

【0041】また実施形態1では、前記コア層3eのト
ラック幅方向の底辺寸法は、前記磁気ギャップ2のトラ
ック幅寸法Twに対応して設定しており、コア層3eの
トラック幅方向の底辺に、前記磁気ギャップ2の突部2
aを接合している。前記磁気ギャップ2の突部2aは、
周囲がエッチングされて中高状に立ち上がって形成され
ており、前記磁気ギャップ2の突部2aは、前記コア層
3eとのトラック幅方向の接合部の寸法がトラック幅T
wの寸法に設定されている。
In the first embodiment, the bottom dimension of the core layer 3e in the track width direction is set corresponding to the track width dimension Tw of the magnetic gap 2, and the bottom dimension of the core layer 3e in the track width direction is set. The protrusion 2 of the magnetic gap 2
a. The protrusion 2a of the magnetic gap 2
The periphery of the magnetic gap 2 is formed by being raised to a middle height by etching, and the dimension of the joint in the track width direction with the core layer 3e is equal to the track width T.
It is set to the dimension of w.

【0042】また前記上部コア3をなすコア層3eは、
前記磁気ギャップ2の突部2aの側縁に連続するエッチ
ング側面3fを有している。前記エッチング側面3f
は、ミリング加工により膜厚方向に立上がって形成され
ている。後述するように第1層としてのコア層3dに対
するミリング加工と第1層のコア層及び第2層のコア層
に対するミリング加工がなされるため、前記エッチング
側面3fの上部側の傾斜部分がエッチングされ、前記エ
ッチンング側面3fの下部側に、ミリング加工によるエ
ッチングレートが少ない膜厚方向に立上がる側面3gを
含むことになる。また前記多層構造の各コア層3d,3
eは、同一材質から構成しているが、コア層のいずれか
一層をメッキ層で形成するようにしてもよい。図1の実
施形態では、下層のコア層3eをメッキ層で形成し、ト
ラック幅寸法を確保するようにしている。また下部コア
1には、CoZrTa、CoZrNb、NiFe等の材
料が用いられる。また磁気ギャップ2には、Al23
SiO2等の材料が用いられる。上部コア3には、Co
ZrTa、CoZrNb、NiFe等の材料が用いられ
る。
The core layer 3e constituting the upper core 3 is
The magnetic gap 2 has an etched side surface 3f that is continuous with the side edge of the protrusion 2a. The etched side surface 3f
Are formed in the film thickness direction by milling. As described later, since the milling process is performed on the core layer 3d as the first layer and the milling process is performed on the first core layer and the second core layer, the upper inclined portion of the etching side surface 3f is etched. On the lower side of the etching side surface 3f, a side surface 3g rising in the film thickness direction where the etching rate by the milling process is small is included. Each of the core layers 3d, 3
Although e is made of the same material, any one of the core layers may be formed of a plating layer. In the embodiment of FIG. 1, the lower core layer 3e is formed of a plating layer so as to secure a track width dimension. The lower core 1 is made of a material such as CoZrTa, CoZrNb, and NiFe. Al 2 O 3 ,
A material such as SiO 2 is used. The upper core 3 has Co
Materials such as ZrTa, CoZrNb, and NiFe are used.

【0043】以上のように本発明の実施形態1によれ
ば、上部コア3を、コア層3d、3eを膜厚方向に堆積
した多層構造として形成したため、多層構造のコア層3
d、3eの膜厚方向の断面形状を磁気ギャップ2側を底
辺とする略台形形状をなす構造に形成することができる
ばかりでなく、コア層3eにエッチング側面3fをミリ
ング加工により膜厚方向に立上がって形成することがで
き、この膜厚方向に立上がったエッチング側面3fを使
って上部コア3がトラック幅方向にオーバーエッチング
されるのを阻止して上部コア3の底辺側でのトラック幅
方向での寸法Sを図示しない記録媒体のトラック幅Tw
に一致させることができ、上部コア3の底辺側でのトラ
ック幅方向での寸法Sの寸法精度を向上させることがで
きる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the upper core 3 is formed as a multilayer structure in which the core layers 3d and 3e are deposited in the film thickness direction.
Not only can the cross-sectional shape in the film thickness direction of d and 3e be formed to have a substantially trapezoidal shape with the bottom being the magnetic gap 2 side, but also the etched side surface 3f is formed in the core layer 3e in the film thickness direction by milling. The upper core 3 is prevented from being over-etched in the track width direction by using the etched side surface 3f which rises in the film thickness direction, and the track width on the bottom side of the upper core 3 is formed. The dimension S in the direction is a track width Tw of a recording medium (not shown).
, And the dimensional accuracy of the dimension S in the track width direction on the bottom side of the upper core 3 can be improved.

【0044】さらに、膜厚方向に立上がったエッチング
側面3fに対するコア層のトラック幅方向へのエッチン
グレートが低いミリング角度でエッチングを行なうこと
により、上部コア3がトラック幅方向にオーバーエッチ
ングされるのを人為的に阻止することができ、結果とし
て磁気ヘッド素子の製造歩留まりを上げることができ
る。
Further, the upper core 3 is over-etched in the track width direction by etching at a milling angle at which the etching rate of the core layer in the track width direction with respect to the etching side surface 3f rising in the film thickness direction is low. Can be prevented artificially, and as a result, the production yield of the magnetic head element can be increased.

【0045】さらに実施形態1では、前記コア層3eの
トラック幅方向の底辺寸法は、前記磁気ギャップ2のト
ラック幅寸法Twに対応して設定しており、コア層3e
のトラック幅方向の底辺に、前記磁気ギャップ2の突部
2aを接合しているため、磁気ギャップ2からギャップ
対向面以外への磁気漏れを確実に阻止することができ、
書込み効率を向上させることができる。
Further, in the first embodiment, the bottom dimension of the core layer 3e in the track width direction is set in accordance with the track width dimension Tw of the magnetic gap 2, and the core layer 3e
Since the protrusion 2a of the magnetic gap 2 is joined to the bottom in the track width direction, magnetic leakage from the magnetic gap 2 to other than the gap opposing surface can be reliably prevented,
Writing efficiency can be improved.

【0046】また上下コア層3e、3dは同一材料から
構成された場合には、上下コア層3e、3d間に研磨時
の段差が生じ難くくなる。上下コア層3e、3dに異な
る材料を使用した場合には、標準電極電位差による腐食
等の問題が生じる可能性があるが、上下コア層3e、3
dは同一材料から構成された場合には、この問題を解決
することができる。またコア層3e、3dのいずれか一
層を、フレームメッキ法を用いてメッキ層で形成した場
合には、図1(h)に示すエッチング側面3fを垂直な
形状に制御し易くなるという効果がある。
When the upper and lower core layers 3e and 3d are made of the same material, a step during polishing is less likely to occur between the upper and lower core layers 3e and 3d. If different materials are used for the upper and lower core layers 3e and 3d, problems such as corrosion due to the standard electrode potential difference may occur.
When d is made of the same material, this problem can be solved. When any one of the core layers 3e and 3d is formed by a plating layer using a frame plating method, there is an effect that the etching side surface 3f shown in FIG. .

【0047】また図1の状態では、基板上に磁気ヘッド
素子がマトリックス状に形成されるが、下部コア1、磁
気ギャップ2、上部コア3を1ユニットとして基板から
個々に切り出して製品としての磁気ヘッドが形成され
る。この磁気ヘッドは、図示しない例えばハードディス
ク装置等の磁気記録装置に設けられた浮上式スライダの
トレーリング側端部に取付けられ、図示しない記録媒体
に記録磁気データを書き込む。
In the state shown in FIG. 1, the magnetic head elements are formed in a matrix on the substrate, and the lower core 1, the magnetic gap 2, and the upper core 3 are cut into individual units from the substrate to form a magnetic product. A head is formed. This magnetic head is attached to the trailing end of a floating slider provided in a magnetic recording device such as a hard disk device (not shown), and writes recording magnetic data on a recording medium (not shown).

【0048】次に本発明に実施形態1に係る磁気ヘッド
素子の製造方法を工程順に説明する。
Next, a method of manufacturing the magnetic head element according to the first embodiment of the present invention will be described in the order of steps.

【0049】先ず図1(a)に示すように、基板或いは
読込み用磁気ヘッド上に成膜形成した下部コア1上に書
込み用磁気ギャップ2を0.5〜1.5μmの膜厚に成
膜形成する。書込み用磁気ギャップ2は、例えばスパッ
タリング法等を用いて成膜形成する。
First, as shown in FIG. 1A, a write magnetic gap 2 is formed to a thickness of 0.5 to 1.5 μm on a substrate or a lower core 1 formed on a read magnetic head. Form. The write magnetic gap 2 is formed as a film using, for example, a sputtering method.

【0050】次に図1(b)に示すように、書込み用磁
気ギャップ2上に上部コア3のコア層3eを1μmの膜
厚に成膜形成する。コア層3eは多層構造の下層をなす
層であり、このコア層3e上に後述するコア層3dが積
層堆積されて上部コアが多層構造として構成される。コ
ア層3eは、例えばスパッタリング法、フレームメッキ
によるメッキ法で磁性膜を形成する方法等を用いて成膜
形成する。
Next, as shown in FIG. 1B, a core layer 3e of the upper core 3 is formed to a thickness of 1 μm on the write magnetic gap 2. The core layer 3e is a lower layer of a multilayer structure, and a core layer 3d described later is stacked and deposited on the core layer 3e to form an upper core having a multilayer structure. The core layer 3e is formed by, for example, a method of forming a magnetic film by a sputtering method, a plating method by frame plating, or the like.

【0051】またコア層3eの膜厚はコア層3d、3e
の合計膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定することが望
ましいものであり、実施形態1ではコア層3d、3eの
合計膜厚を4μmに設定しているため、コア層3eの膜
厚は1μmに設定している。実施形態1では、コア層3
eの膜厚を1μmのように薄膜として設定し、後述する
ようにコア層3eのトラック幅方向の側面に膜厚方向に
立上がるエッチング側面3fが形成される状態を得るよ
うにしている。
The thickness of the core layer 3e is not limited to the core layers 3d and 3e.
It is desirable to set the total thickness of the core layers 3d and 3e to 4 μm in the first embodiment, so that the total thickness of the core layers 3d and 3e is set to 4 μm. The film thickness is set to 1 μm. In the first embodiment, the core layer 3
The thickness of e is set as a thin film such as 1 μm, and a state is obtained in which an etching side surface 3f rising in the film thickness direction is formed on the side surface in the track width direction of the core layer 3e as described later.

【0052】次に図1(b)に示すように、薄膜として
のコア層3e上にレジスト膜4を3〜5μmの膜厚に堆
積形成し、その後レジスト膜4を所定の形状にパターニ
ングする。このレジスト膜4はコア層3eに対するミリ
ング加工の際にマスクとして用いる。またパターニング
処理が終わったレジスト膜4に対してはベーク処理等を
行う。またレジスト膜4の膜厚は、コア層3eをミリン
グ加工する過程でパターニング形状を保つ膜厚に設定す
る必要がある。前記レジスト膜4にはノボラック樹脂等
を用い、スピンコータを用いて成膜形成する。
Next, as shown in FIG. 1B, a resist film 4 is formed in a thickness of 3 to 5 μm on the core layer 3 e as a thin film, and then the resist film 4 is patterned into a predetermined shape. The resist film 4 is used as a mask when milling the core layer 3e. Further, a baking process or the like is performed on the resist film 4 after the patterning process. Further, the thickness of the resist film 4 needs to be set to a thickness that maintains a patterned shape in the process of milling the core layer 3e. The resist film 4 is formed by using a novolak resin or the like and using a spin coater.

【0053】次に図1(c)に示すように、前記パター
ニングされたレジスト膜4をマスクとして前記下層のコ
ア層3eをミリングする。すなわち、イオン粒子をレジ
スト膜4に対して斜め方向からイオン照射を行ない、レ
ジスト膜4をマスクとして前記下層のコア層3eをミリ
ング加工する。具体的には、前記下層のコア層3eの膜
厚を、上下に堆積した下層と上層のコア層3d、3eの
合計膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定し、かつマスク
用レジスト膜4の膜厚を、後述するマスク用レジスト膜
5の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定してミリング加
工することにより、下層のコア層3eのトラック幅方向
の両側に、膜厚方向に立上がるエッチング側面3fを形
成する(図1(d))。
Next, as shown in FIG. 1C, the lower core layer 3e is milled using the patterned resist film 4 as a mask. That is, ion irradiation is performed on the resist film 4 from the oblique direction with respect to the ion particles, and the lower core layer 3e is milled using the resist film 4 as a mask. Specifically, the thickness of the lower core layer 3e is set to a range of 1/4 to 1/5 of the total thickness of the upper and lower core layers 3d and 3e, and The thickness of the resist film 4 is set in the range of 1 / to の of the thickness of the mask resist film 5 described later, and milling is performed, thereby forming the lower core layer 3 e on both sides in the track width direction. Then, an etching side surface 3f rising in the film thickness direction is formed (FIG. 1D).

【0054】ここで、従来の技術の欄で説明したように
イオン粒子がコア層3eに斜めに照射されると、エッチ
ング量が大きくなることを説明した。この説明によれ
ば、図1(c)の工程でも、レジスト膜4の側面が傾斜
してエッチングされることとなる。この現象はミリング
加工の対象となるコア層3eの膜厚が厚膜の場合に生じ
るものであり、ミリング加工の対象となるコア層3eの
膜厚が薄膜である場合には、レジスト膜4の端縁に接す
るコア層3eが膜厚方向にミリング加工されるという実
験結果を得た。
Here, as described in the section of the prior art, it has been described that the amount of etching increases when the core layer 3e is obliquely irradiated with ion particles as described above. According to this description, even in the step of FIG. 1C, the side surface of the resist film 4 is etched while being inclined. This phenomenon occurs when the thickness of the core layer 3e to be milled is thick, and when the thickness of the core layer 3e to be milled is thin, the resist film 4 An experimental result was obtained in which the core layer 3e in contact with the edge was milled in the film thickness direction.

【0055】この実証に基いて前記下層のコア層3eの
膜厚を、上下に堆積した下層と上層のコア層3d、3e
の合計膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定し、かつマス
ク用レジスト膜4の膜厚を、後述するマスク用レジスト
膜5の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定してミリング
加工することにより、下層のコア層3eのトラック幅方
向の両側に、膜厚方向に立上がるエッチング側面3fを
形成している。下層のコア層3eのトラック幅方向の両
側に形成されるエッチング面が、膜厚方向に立上がるエ
ッチング側面3fであるということは、イオン粒子の照
射方向を人為的に変更することはできるものであるか
ら、エッチング側面3fに対するエッチング量が最小と
なる方向に人為的に設定できることを意味するものであ
り、その結果、前記下層のコア層3eの膜厚方向に立上
がるエッチング側面3fに対する前記下層のコア層3f
のトラック幅方向へのエッチングレートが低いミリング
角度で前記磁気ギャップ2のトラック幅寸法Twを確保
することが可能となる。
Based on this demonstration, the thickness of the lower core layer 3e was set to be equal to the lower and upper core layers 3d, 3e deposited vertically.
Is set in the range of 1/4 to 1/5 of the total film thickness of the mask resist film 4 and the film thickness of the mask resist film 4 is set in the range of 1/4 to 1/5 of the film thickness of the mask resist film 5 described later. By setting and milling, etching side surfaces 3f which rise in the film thickness direction are formed on both sides of the lower core layer 3e in the track width direction. The fact that the etching surfaces formed on both sides of the lower core layer 3e in the track width direction are the etching side surfaces 3f rising in the film thickness direction means that the irradiation direction of the ion particles can be artificially changed. This means that the amount of etching on the etching side surface 3f can be artificially set in a direction in which the etching amount on the etching side surface 3f is minimized. Core layer 3f
It is possible to secure the track width dimension Tw of the magnetic gap 2 at a milling angle at which the etching rate in the track width direction is low.

【0056】次に図1(e)に示すように、レジスト膜
4を除去した後、トラック幅方向の側面に膜厚方向に立
上がるエッチング側面3fが形成された下層のコア層3
eを含む前記磁気ギャップ2上に上層のコア層3dを形
成する。この場合、上下にコア層3d、3eを堆積する
ことにより、コア層3d、3eの合計膜厚が上部コア3
として必要な膜厚となる。実施形態1では、コア層3
d、3eの合計膜厚は4〜5μmの範囲に設定してい
る。また上層のコア層3dには、下層のコア層3eのエ
ッチング側面3f(段差)の影響で面3f′を含む段差
が生じている。なお、レジスト膜4は、O2アッシング
法、レジスト剥離法等を適宜選択して除去する。
Next, as shown in FIG. 1E, after the resist film 4 is removed, the lower core layer 3 having an etched side surface 3f rising in the film thickness direction on the side surface in the track width direction.
An upper core layer 3d is formed on the magnetic gap 2 containing e. In this case, by depositing the core layers 3d and 3e on the upper and lower sides, the total film thickness of the core layers 3d and 3e is reduced.
Required film thickness. In the first embodiment, the core layer 3
The total film thickness of d and 3e is set in the range of 4 to 5 μm. The upper core layer 3d has a step including the surface 3f 'due to the etching side surface 3f (step) of the lower core layer 3e. The resist film 4 is removed by appropriately selecting an O 2 ashing method, a resist peeling method, or the like.

【0057】次に図1(f)に示すように、厚膜として
のコア層3d、3e上にレジスト膜5を12〜20μm
の膜厚に堆積形成し、その後レジスト膜5をパターニン
グして所定の形状に成形する。このレジスト膜5はコア
層3d、3eに対するミリング加工の際にマスクとして
用いる。またパターニング処理が終わったレジスト膜5
に対してはベーク処理等を行う。またレジスト膜5の膜
厚は、厚膜のコア層3d、3eをミリング加工する過程
でパターニング形状を保つ膜厚に設定する必要がある。
なお、レジスト膜5にはノボラック樹脂等の材料を用
い、スピンコータ等を用いて成膜形成する。また、第1
のレジスト膜4のトラック幅方向の寸法は、第2のレジ
スト膜5のトラック幅寸法の1.5倍〜2倍の範囲に設
定することにより、ミリング加工による下層のコア層3
dのトラック幅寸法(Tw)を確保することができる。
Next, as shown in FIG. 1F, a resist film 5 is formed on the core layers 3d and 3e as a thick film by 12 to 20 μm.
Then, the resist film 5 is patterned and formed into a predetermined shape. The resist film 5 is used as a mask when milling the core layers 3d and 3e. The resist film 5 after the patterning process has been completed.
Is subjected to a baking process or the like. In addition, the thickness of the resist film 5 needs to be set to a thickness that maintains a patterned shape in the process of milling the thick core layers 3d and 3e.
The resist film 5 is formed of a material such as a novolak resin, and is formed using a spin coater or the like. Also, the first
By setting the dimension of the resist film 4 in the track width direction to 1.5 to 2 times the track width dimension of the second resist film 5, the lower core layer 3 formed by milling is formed.
The track width dimension (Tw) of d can be secured.

【0058】そして、前記パターニングされたレジスト
膜5をマスクとして前記上層及び下層のコア層3d、3
eをミリング加工して前記上部コア3を形成する。すな
わち、イオン粒子の前記上層のコア層3dに対する照射
角度を固定してイオン照射を行い、レジスト膜5をマス
クとして前記上層及び下層のコア層3d、3eを、膜厚
方向の断面形状が前記磁気ギャップ2側を底辺とする略
台形形状をなす構造にミリング加工する。具体的には、
イオン粒子の前記上層のコア層3dに対する照射角度を
膜厚方向に対して約5°傾斜させた方向に固定し、イオ
ン照射によるミリング加工を行う。これにより、前記下
層のコア層3eの膜厚方向に立上がるエッチング側面3
f′でトラック幅方向へのエッチングを抑えて前記磁気
ギャップ2のトラック幅Twを確保する。前記エッチン
グ側面3f′は、エッチングが進み、最終的には下層の
コア層3eのエッチング側面3fとなる。
Then, using the patterned resist film 5 as a mask, the upper and lower core layers 3d, 3d
The upper core 3 is formed by milling e. That is, ion irradiation is performed while the irradiation angle of the ion particles with respect to the upper core layer 3d is fixed, and the upper and lower core layers 3d and 3e are formed by using the resist film 5 as a mask so that the cross-sectional shape in the film thickness direction is the same as that of the magnetic layer. Milling is performed to form a substantially trapezoidal structure with the gap 2 side as the base. In particular,
The irradiation angle of the ion particles with respect to the upper core layer 3d is fixed to a direction inclined by about 5 ° with respect to the film thickness direction, and milling by ion irradiation is performed. Thereby, the etching side surface 3 rising in the thickness direction of the lower core layer 3e.
At f ′, the track width Tw of the magnetic gap 2 is secured by suppressing the etching in the track width direction. The etching proceeds on the etching side surface 3f ', and eventually becomes the etching side surface 3f of the lower core layer 3e.

【0059】これと共に前記下層のコア層3eの膜厚方
向に立上がるエッチング側面3f(3f′)で前記下層
のコア層3eのトラック幅方向へのエッチングを抑えて
前記磁気ギャップ2を膜厚下向き方向にオーバーエッチ
ングする。この前記下層のコア層3eの膜厚方向に立上
がるエッチング側面3f(3f′)に対する前記下層の
コア層3eのトラック幅方向へのエッチングレートが低
いミリング角度で前記磁気ギャップ2を膜厚下向き方向
にオーバーエッチングすることにより、前記下層のコア
層3eの底辺に接合する前記磁気ギャップのトラック幅
Twを確保する。このミリング加工により、前記磁気ギ
ャップ2が下層のコア層3eと接合する部分の周囲がオ
ーバーミリングされて中高状に立上がる突部2aとして
形成される。この状態では、前記上部コア3をなすコア
層3eのエッチング側面3fは、前記磁気ギャップ2の
突部2aの側縁に連続して膜厚方向に立上がった状態で
上部コア3内に残存することとなる。ここで、図1
(h)に示すように第1層としてのコア層3dに対する
ミリング加工と第1層のコア層及び第2層のコア層に対
するミリング加工がされるため、前記エッチング側面3
fの上部側の傾斜部分3gがエッチングされる。そして
前記エッチンング側面3fの下部側に、ミリング加工に
よるエッチングレートが少ない膜厚方向に立上がる側面
3fを含むことになるため、このエッチング側面3fに
より、前記下層のコア層3eの底辺のトラック幅方向で
の寸法Sを記録媒体のトラック幅Twに一致させること
ができる。さらに前記下層のコア層3eの底辺に接合す
る前記磁気ギャップ2の突部2aのトラック幅方向での
寸法を記録媒体のトラック幅Twに一致させることがで
き、精度の向上を図ることができる。
At the same time, the etching of the lower core layer 3e in the track width direction is suppressed at the etching side surface 3f (3f ') rising in the film thickness direction of the lower core layer 3e so that the magnetic gap 2 faces downward. Over-etch in the direction. The magnetic gap 2 is formed in a downward direction with a milling angle at which the etching rate in the track width direction of the lower core layer 3e with respect to the etching side surface 3f (3f ') rising in the film thickness direction of the lower core layer 3e. By over-etching, the track width Tw of the magnetic gap joined to the bottom of the lower core layer 3e is secured. By this milling process, the periphery of the portion where the magnetic gap 2 is joined to the lower core layer 3e is overmilled to form a protrusion 2a that rises to a middle height. In this state, the etched side surface 3f of the core layer 3e forming the upper core 3 remains in the upper core 3 in a state of rising in the film thickness direction continuously to the side edge of the protrusion 2a of the magnetic gap 2. It will be. Here, FIG.
As shown in (h), the milling process for the core layer 3d as the first layer and the milling process for the first and second core layers are performed.
The inclined portion 3g on the upper side of f is etched. Since the lower side of the etching side surface 3f includes the side surface 3f rising in the film thickness direction where the etching rate by the milling process is small, the etched side surface 3f causes the bottom side of the lower core layer 3e to have a track width direction. Can be made to match the track width Tw of the recording medium. Furthermore, the dimension in the track width direction of the protrusion 2a of the magnetic gap 2 joined to the bottom side of the lower core layer 3e can be made to match the track width Tw of the recording medium, and the accuracy can be improved.

【0060】以上のように本発明の実施形態1の製造方
法によれば、上部コア3を、コア層3d、3eを膜厚方
向に堆積して多層構造として形成するため、多層構造の
コア層3d、3eの膜厚方向の断面形状を磁気ギャップ
2側を底辺とする略台形形状をなす構造に形成すること
ができるばかりでなく、コア層3eにエッチング側面3
fをミリング加工により膜厚方向に立上がって形成する
ことができ、この膜厚方向に立上がったエッチング側面
3fを使って上部コア3がトラック幅方向にオーバーエ
ッチングされるのを阻止して上部コア3の底辺側でのト
ラック幅方向での寸法Sを図示しない記録媒体のトラッ
ク幅Twに一致させることができ、上部コア3の底辺側
でのトラック幅方向での寸法Sの寸法精度を向上させる
ことができる。
As described above, according to the manufacturing method of Embodiment 1 of the present invention, the upper core 3 is formed as a multilayer structure by depositing the core layers 3d and 3e in the film thickness direction. Not only can the cross-sectional shape in the film thickness direction of 3d and 3e be formed in a substantially trapezoidal shape with the magnetic gap 2 side as the base, but also the etching side surface 3 can be formed on the core layer 3e.
f can be formed by milling to rise in the film thickness direction. The upper side core 3 is prevented from being over-etched in the track width direction by using the etched side surface 3f rising in the film thickness direction. The dimension S in the track width direction on the bottom side of the core 3 can be matched with the track width Tw of the recording medium (not shown), and the dimensional accuracy of the dimension S in the track width direction on the bottom side of the upper core 3 is improved. Can be done.

【0061】さらに、前記ミリング工程は、イオン粒子
を第1のレジスト膜4に対して斜め方向から照射し、第
1のレジスト膜4をマスクとして下層のコア層3dをミ
リング加工し、下層のコア層3dの膜厚を、上下に堆積
した下層と上層のコア層3d、3eの合計膜厚の1/4
〜1/5の範囲に設定し、かつマスク用第1のレジスト
膜4の膜厚を、マスク用第2のレジスト膜5の膜厚の1
/4〜1/5の範囲に設定してミリング加工することに
より、下層のコア層3dのトラック幅方向の両側に、膜
厚方向に立上がるエッチング側面3fを形成することが
できる。
Further, in the milling step, the first resist film 4 is irradiated with ion particles in an oblique direction, the lower core layer 3d is milled using the first resist film 4 as a mask, and the lower core layer 3d is milled. The thickness of the layer 3d is set to 1 / of the total thickness of the upper and lower core layers 3d and 3e.
1/1/5, and the thickness of the first resist film 4 for the mask is set to 1 of the thickness of the second resist film 5 for the mask.
By performing milling while setting the range of to 1 /, etching side surfaces 3 f rising in the film thickness direction can be formed on both sides of the lower core layer 3 d in the track width direction.

【0062】また前記ミリング加工は、イオン粒子の上
層のコア層3eに対する照射角度を固定する、具体的に
は、イオン粒子の前記上層のコア層3dに対する照射角
度を膜厚方向に対して約5°傾斜させた方向に固定し、
イオン照射によるミリング加工を行うため、前記下層の
コア層3eの膜厚方向に立上がるエッチング側面3f′
でトラック幅方向へのエッチングを抑えて前記磁気ギャ
ップ2のトラック幅Twを確保することができ、さらに
前記エッチング側面3f′に対するエッチングを進行さ
せて、最終的に下層のコア層3eのエッチング側面3f
とすることができる。
In the milling process, the irradiation angle of the ion particles on the upper core layer 3e is fixed. Specifically, the irradiation angle of the ion particles on the upper core layer 3d is set to about 5 to the film thickness direction. ° Fix in the inclined direction,
In order to perform the milling process by ion irradiation, the etching side surface 3f ′ rising in the thickness direction of the lower core layer 3e.
Thus, the etching in the track width direction can be suppressed to secure the track width Tw of the magnetic gap 2, and the etching on the etching side surface 3 f ′ is further advanced, so that the etching side surface 3 f of the lower core layer 3 e is finally formed.
It can be.

【0063】また下層のコア層3eの膜厚方向に立上が
るエッチング面に対する下層のコア層3eのトラック幅
方向へのエッチングレートが低いミリング角度に設定す
ることにより、磁気ギャップ2のトラック幅(Tw)寸
法を確保することができる。
By setting the etching rate in the track width direction of the lower core layer 3e to the etching surface rising in the film thickness direction of the lower core layer 3e at a low milling angle, the track width (Tw) of the magnetic gap 2 is set. ) Dimensions can be secured.

【0064】また下層のコア層3eの膜厚方向に立上が
るエッチング面に対する下層のコア層3eのトラック幅
方向へのエッチングレートが低いミリング角度に設定す
ることにより、磁気ギャップ3を膜厚下向き方向に向け
て確実にオーバーエッチングすることができる。
Further, by setting the milling angle at which the etching rate in the track width direction of the lower core layer 3e with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the lower core layer 3e is set to a low milling angle, the magnetic gap 3 is moved downward in the film thickness direction. Over-etching can be surely performed.

【0065】また層コア層3eの膜厚方向に立上がるエ
ッチング面に対する下層のコア層3eのトラック幅方向
へのエッチングレートが低いミリング角度に設定して磁
気ギャップ2を膜厚下向き方向にオーバーエッチングす
ることにより、下層のコア層3eの底辺に接合する磁気
ギャップ2のトラック幅を確保することができる。
Further, the etching rate of the lower core layer 3e in the track width direction with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the layer core layer 3e is set to a low milling angle to overetch the magnetic gap 2 in the film thickness downward direction. By doing so, the track width of the magnetic gap 2 joined to the bottom of the lower core layer 3e can be ensured.

【0066】図2は、本発明に実施形態2に係る磁気ヘ
ッド素子の製造方法を工程順に示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a method of manufacturing a magnetic head element according to Embodiment 2 of the present invention in the order of steps.

【0067】図2(e)及び図3に示すように本発明の
実施形態2に係る磁気ヘッド素子は実施形態1と同様
に、下部コア1と、前記下部コア1上に形成された磁気
ギャップ2と、前記磁気ギャップ2上に形成された上部
コア3とを有しており、下部コア1と上部コア3との間
に絶縁して配置したコイルCに書込み用電流を通電し、
その電流の通電により下部コア1と上部コア3を磁化し
て磁気ギャップ2の部分で記録媒体に磁気記録を行う書
込み用の磁気ヘッドを対象としている。
As shown in FIGS. 2E and 3, the magnetic head element according to the second embodiment of the present invention has a lower core 1 and a magnetic gap formed on the lower core 1 as in the first embodiment. 2 and an upper core 3 formed on the magnetic gap 2, and a write current is supplied to a coil C insulated between the lower core 1 and the upper core 3.
It is intended for a write magnetic head that magnetizes the lower core 1 and the upper core 3 by the application of the current and performs magnetic recording on the recording medium at the magnetic gap 2.

【0068】図2(e)に示すように本発明の実施形態
2に係る磁気ヘッド素子は、前記上部コア3を、膜厚方
向の断面形状が磁気ギャップ2を底辺とする略矩形形状
をなす構造に形成し、かつ底辺から膜厚方向に立上が
る、ミリング加工によるエッチング側面3fを有するこ
とを特徴とするものである。
As shown in FIG. 2E, in the magnetic head element according to the second embodiment of the present invention, the upper core 3 has a substantially rectangular cross section in the thickness direction with the magnetic gap 2 as the base. It has an etched side surface 3f formed by a milling process and formed in a structure and rising from the bottom in the film thickness direction.

【0069】また前記上部コア3のトラック幅方向の底
辺寸法は、前記磁気ギャップ2のトラック幅Twの寸法
に対応して設定しており、前記上部コア3のトラック幅
方向の底辺に、前記磁気ギャップ2の突部2aが接合し
ている。前記磁気ギャップ2の突部2aは、周囲がエッ
チングされて中高状に立ち上がって形成されており、前
記磁気ギャップ2の突部2aは、前記上部コア3との接
合部の寸法がトラック幅Twの寸法に設定されている。
The bottom dimension of the upper core 3 in the track width direction is set in accordance with the dimension of the track width Tw of the magnetic gap 2. The protrusion 2a of the gap 2 is joined. The protrusion 2a of the magnetic gap 2 is formed so that the periphery thereof is etched and rises to a middle height, and the protrusion 2a of the magnetic gap 2 is formed so that the dimension of the joint with the upper core 3 is equal to the track width Tw. Dimensions are set.

【0070】また前記上部コア3のエッチング側面3f
は、前記磁気ギャップ2の突部2aの側縁に連続してお
り、前記エッチング側面3fは、膜厚方向に立上がって
形成されており、前記エッチング側面3fは、ミリング
加工によるエッチングレートが少ない膜厚方向に立上が
る側面として機能する。
The etching side surface 3f of the upper core 3
Is continuous with the side edge of the protrusion 2a of the magnetic gap 2, the etching side surface 3f is formed to rise in the film thickness direction, and the etching side surface 3f has a low etching rate by milling. It functions as a side surface rising in the film thickness direction.

【0071】以上のように本発明の実施形態2によれ
ば、上部コア3の膜厚方向の断面形状を磁気ギャップ2
側を底辺とする略矩形形状をなす構造に形成し、その膜
厚方向に立上がる端面に、ミリング加工による膜厚方向
に立上がって形成されるエッチング側面3fを有するた
め、このエッチング側面3fを使って上部コア3がトラ
ック幅方向にオーバーエッチングされるのを阻止して上
部コア3の底辺側でのトラック幅方向での寸法Sを図示
しない記録媒体のトラック幅Twに一致させることがで
き、上部コア3の底辺側でのトラック幅方向での寸法S
の寸法精度を向上させることができる。
As described above, according to Embodiment 2 of the present invention, the sectional shape of the upper core 3 in the thickness direction is
It is formed in a structure having a substantially rectangular shape with its side as the bottom side, and has an etching side surface 3f formed by milling on the end surface rising in the film thickness direction. This prevents the upper core 3 from being over-etched in the track width direction, and allows the dimension S in the track width direction on the bottom side of the upper core 3 to match the track width Tw of the recording medium (not shown), Dimension S in the track width direction on the bottom side of upper core 3
Dimensional accuracy can be improved.

【0072】さらに、膜厚方向に立上がったエッチング
側面3fを使って上部コア3がトラック幅方向にオーバ
ーエッチングされるのを人為的に阻止することができ、
結果として磁気ヘッドの製造歩留まりを上げることがで
きる。
Further, it is possible to artificially prevent the upper core 3 from being over-etched in the track width direction by using the etching side surface 3f rising in the film thickness direction.
As a result, the production yield of the magnetic head can be increased.

【0073】さらに実施形態2では、前記コア層3eの
トラック幅方向の底辺寸法は、前記磁気ギャップ2のト
ラック幅Twの寸法に対応して設定しており、コア層3
eのトラック幅方向の底辺に、前記磁気ギャップ2の突
部2aを接合しているため、磁気ギャップ2からギャッ
プ対向面以外への磁気漏れを確実に阻止することがで
き、書込み効率を向上させることができる。
Further, in the second embodiment, the bottom dimension of the core layer 3e in the track width direction is set corresponding to the dimension of the track width Tw of the magnetic gap 2;
Since the protrusion 2a of the magnetic gap 2 is joined to the bottom in the track width direction of e, magnetic leakage from the magnetic gap 2 to a portion other than the gap facing surface can be reliably prevented, and the write efficiency is improved. be able to.

【0074】また上下コア層3e、3dは同一材料から
構成された場合には、上下コア層3e、3d間に研磨時
の段差が生じ難くくなる。また上下コア層3e、3dに
異なる材料を使用した場合には、標準電極電位差による
腐食等の問題が生じる可能性があるが、上下コア層3
e、3dは同一材料から構成された場合には、この問題
を解決することができる。またコア層3e、3dのいず
れか一層を、フレームメッキ法を用いてメッキ層で形成
した場合には、図1(h)に示すエッチング側面3fを
垂直な形状に制御し易くなると、すなわち上部コア3の
トラック幅寸法(Tw)を確保することができる。
When the upper and lower core layers 3e and 3d are made of the same material, a step during polishing is less likely to occur between the upper and lower core layers 3e and 3d. When different materials are used for the upper and lower core layers 3e and 3d, a problem such as corrosion due to a standard electrode potential difference may occur.
This problem can be solved if e and 3d are made of the same material. When any one of the core layers 3e and 3d is formed of a plating layer using a frame plating method, it is easy to control the etched side surface 3f shown in FIG. 3, a track width dimension (Tw) of 3 can be secured.

【0075】次に本発明に実施形態2に係る磁気ヘッド
素子の製造方法を工程順に示す断面図である。
Next, a method of manufacturing a magnetic head element according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0076】先ず図2(a)に示すように、基板或いは
読込み用磁気ヘッド上に成膜形成した下部コア1上に書
込み用磁気ギャップ2を0.5〜1.5μmの膜厚に成
膜形成する。書込み用磁気ギャップ2は、例えばスパッ
タリング法、フレームメッキによるメッキ法で非磁性膜
を形成する方法等により形成する。引続いて図2(a)
に示すように、書込み用磁気ギャップ2上に上部コア3
を4〜5μmの膜厚に成膜形成する。上部コア3は、例
えばスパッタリング法により形成する。
First, as shown in FIG. 2A, a write magnetic gap 2 is formed to a thickness of 0.5 to 1.5 μm on a substrate or a lower core 1 formed on a read magnetic head. Form. The write magnetic gap 2 is formed by, for example, a method of forming a non-magnetic film by a plating method such as a sputtering method or a frame plating method. Subsequently, FIG. 2 (a)
As shown in FIG.
Is formed into a film having a thickness of 4 to 5 μm. The upper core 3 is formed by, for example, a sputtering method.

【0077】次に図2(b)に示すように、上部コア3
上に、上部コア3と同一材質の表層3hを堆積形成す
る。また表層3hの膜厚は上部コア3の膜厚の1/4〜
1/5の範囲に設定することが望ましいものであり、実
施形態2では上部コア3の膜厚を4μmに設定している
ため、表層3hの膜厚は1μmに設定している。また実
施形態2では、表層3hの膜厚を1μmのように可及的
速やかに薄膜のように設定して、後述するように上部コ
ア3の表面上のトラック幅方向に膜厚方向に立上がるエ
ッチング側面3fが形成される状態を得るようにしてい
る。
Next, as shown in FIG.
On the upper surface, a surface layer 3h made of the same material as the upper core 3 is deposited and formed. The thickness of the surface layer 3h is 1/4 to 1/4 of the thickness of the upper core 3.
It is desirable to set the thickness in the range of 1/5. In the second embodiment, the thickness of the upper core 3 is set to 4 μm, so that the thickness of the surface layer 3h is set to 1 μm. Further, in the second embodiment, the thickness of the surface layer 3h is set as thin as possible as 1 μm as quickly as possible, and rises in the thickness direction in the track width direction on the surface of the upper core 3 as described later. A state in which the etching side surface 3f is formed is obtained.

【0078】引続いて図2(b)に示すように、薄膜と
しての表層3h上にレジスト膜6を3〜5μmの膜厚で
トラック幅Twに対応する寸法にパターニングして形成
する。このレジスト膜6は表層3に対するミリング加工
の際にマスクとして用いる。またパターニング処理が終
わったレジスト膜6に対してはベーク処理等を行う。ま
たレジスト膜6の膜厚は、表層3hをミリング加工する
過程でパターニング形状を保つ膜厚に設定する必要があ
る。またレジスト膜6には例えばノボラック樹脂を用
い、スピンコータを用いて形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 2B, a resist film 6 having a thickness of 3 to 5 μm is formed on the surface layer 3h as a thin film by patterning to a size corresponding to the track width Tw. This resist film 6 is used as a mask when the surface layer 3 is milled. Further, a baking process or the like is performed on the resist film 6 after the patterning process. Further, the thickness of the resist film 6 needs to be set to a value that maintains a patterned shape in the process of milling the surface layer 3h. The resist film 6 is formed using, for example, a novolak resin and using a spin coater.

【0079】次に図2(c)に示すように、前記パター
ニングされたレジスト膜6をマスクとして表層3hをミ
リングする。すなわち、イオン粒子をレジスト膜6に対
して斜め方向から照射し、レジスト膜6をマスクとして
表層3hをミリング加工する。具体的には、表層3hの
膜厚を上部コア3の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定
し、かつマスク用レジスト膜6の膜厚を、後述するマス
ク用レジスト膜7の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定
してミリング加工することにより、上部コア3の表面の
トラック幅方向に、トラック幅Twを有し膜厚方向に立
上がるエッチング側面3fを形成する(図2(c))。
Next, as shown in FIG. 2C, the surface layer 3h is milled using the patterned resist film 6 as a mask. That is, the resist film 6 is irradiated with the ion particles in an oblique direction, and the surface layer 3h is milled using the resist film 6 as a mask. Specifically, the film thickness of the surface layer 3h is set in the range of 1/4 to 1/5 of the film thickness of the upper core 3, and the film thickness of the mask resist film 6 is set to By performing milling while setting the thickness in the range of 4 to 1 / of the film thickness, an etching side surface 3 f having a track width Tw and rising in the film thickness direction is formed in the track width direction on the surface of the upper core 3. (FIG. 2C).

【0080】ここで、従来の技術の欄で説明したように
イオン粒子が表層3hに斜めに照射されると、エッチン
グ量が大きくなることを説明した。この説明によれば、
図2(b)の工程でも、レジスト膜6の側面が傾斜して
エッチングされることとなる。この現象はミリング加工
の対象となる表層3hの膜厚が厚膜の場合に生じるもの
であり、ミリング加工の対象となる表層3hの膜厚が薄
膜である場合には、レジスト膜6の端縁に接する表層3
hが膜厚方向にミリング加工されるという実験結果を得
た。
Here, as described in the section of the prior art, it has been described that the etching amount increases when the surface layer 3h is obliquely irradiated with the ion particles as described above. According to this description,
Also in the step of FIG. 2B, the side surface of the resist film 6 is etched while being inclined. This phenomenon occurs when the thickness of the surface layer 3h to be milled is a thick film, and when the thickness of the surface layer 3h to be milled is a thin film, the edge of the resist film 6 is removed. Surface layer 3 in contact with
Experimental results were obtained in which h was milled in the film thickness direction.

【0081】この実証に基いて表層3hの膜厚を上部コ
ア3の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定し、かつマス
ク用レジスト膜6の膜厚を、後述するマスク用レジスト
膜7の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定してミリング
加工することにより、上部コア3の表面上に、トラック
幅方向にトラック幅Twを有し膜厚方向に立上がるエッ
チング側面3fを形成している。上部コア3に形成され
るトラック幅Twをもつエッチング側面3fが、膜厚方
向に立上がるエッチング側面3fであるということは、
イオン粒子の照射方向を人為的に変更することはできる
ものであるから、エッチング側面3fに対するエッチン
グ量が最小となる方向に人為的に設定できることを意味
するものであり、その結果、上部コア3の膜厚方向に立
上がるエッチング側面3fで上部コア3のトラック幅方
向へのエッチングを抑えて前記磁気ギャップ2のトラッ
ク幅寸法Twを確保することが可能となる。
Based on this demonstration, the thickness of the surface layer 3h was set to be in a range of 1/4 to 1/5 of the thickness of the upper core 3, and the thickness of the mask resist film 6 was changed to a mask resist described later. Milling is performed with the film thickness set in the range of 1 / to 5 of the film thickness of the film 7, so that the surface of the upper core 3 has a track width Tw in the track width direction and rises in the film thickness direction. The side surface 3f is formed. The fact that the etched side surface 3f formed on the upper core 3 and having the track width Tw is the etched side surface 3f rising in the film thickness direction means that:
Since the irradiation direction of the ion particles can be artificially changed, it means that the irradiation amount can be artificially set in a direction in which the etching amount on the etching side surface 3 f is minimized. It is possible to secure the track width dimension Tw of the magnetic gap 2 by suppressing the etching of the upper core 3 in the track width direction by the etching side surface 3f rising in the film thickness direction.

【0082】次に図2(d)に示すように、レジスト膜
6を除去した後、トラック幅方向の側面に膜厚方向に立
上がるエッチング側面3f、3f間にレジスト膜7を1
2〜20μmの膜厚に堆積形成し、その後レジスト膜7
をパターニングする。このレジスト膜7は上部コア3に
対するミリング加工の際にマスクとして用いる。またパ
ターニング処理が終わったレジスト膜7に対してはベー
ク処理等を行う。またレジスト膜7の膜厚は、厚膜の上
部コア3をミリング加工する過程でパターニング形状を
保つ膜厚に設定する必要がある。またレジスト膜7には
例えばノボラック樹脂を用い、スピンコータを用いて形
成する。
Next, as shown in FIG. 2D, after removing the resist film 6, a resist film 7 is formed between the etched side surfaces 3f, 3f rising in the film thickness direction on the side surfaces in the track width direction.
The resist film 7 is deposited and formed to a thickness of 2 to 20 μm.
Is patterned. The resist film 7 is used as a mask when milling the upper core 3. Further, a baking process or the like is performed on the resist film 7 after the patterning process. Further, the thickness of the resist film 7 needs to be set to a thickness that maintains the patterning shape in the process of milling the thick upper core 3. The resist film 7 is formed using, for example, a novolak resin and using a spin coater.

【0083】そして、前記パターニングされたレジスト
膜7をマスクとして上部コア3をミリング加工して上部
コア3を整形する。すなわち、イオン粒子の上部コア3
に対する照射方向6aを固定してイオン照射を行い、レ
ジスト膜5をマスクとして上部コア3を、膜厚方向の断
面形状が前記磁気ギャップ2側を底辺とする略矩形形状
をなす構造にミリング加工する。具体的には、イオン粒
子の上部コア3に対する照射方向6aを膜厚方向に対し
て約5°傾斜させた方向に固定し、イオン照射によるミ
リング加工を行い、上部コア3の表面に膜厚方向に立上
がって形成されたエッチング側面3fで上部コア3のト
ラック幅方向へのエッチングを抑えて前記磁気ギャップ
2のトラック幅Twを確保する。
Then, the upper core 3 is shaped by milling the upper core 3 using the patterned resist film 7 as a mask. That is, the upper core 3 of the ion particles
Irradiation is performed with the irradiation direction 6a fixed to the upper core 3 using the resist film 5 as a mask, and the upper core 3 is milled into a structure having a substantially rectangular cross section in the thickness direction with the magnetic gap 2 side as the base. . More specifically, the irradiation direction 6a of the ion particles with respect to the upper core 3 is fixed in a direction inclined by about 5 ° with respect to the film thickness direction, and milling by ion irradiation is performed. The etching in the track width direction of the upper core 3 is suppressed by the etching side surface 3f formed so as to secure the track width Tw of the magnetic gap 2.

【0084】これと共に上部コア3の膜厚方向に立上が
るエッチング側面3fで上部コア3のトラック幅方向へ
のエッチングを抑えて前記磁気ギャップ2を膜厚下向き
方向にオーバーエッチングする。この上部コア3の膜厚
方向に立上がるエッチング側面3fで上部コア3のトラ
ック幅方向へのエッチングを抑えて前記磁気ギャップ2
を膜厚下向き方向にオーバーエッチングすることによ
り、前記上部コア3の底辺に接合する前記磁気ギャップ
のトラック幅Twを確保する。このミリング加工によ
り、前記磁気ギャップ2が上部コア3と接合する部分の
周囲がオーバーミリングされて中高状に立上がる突部2
aとして形成される。この状態では、前記上部コア3の
エッチング側面3fは、前記磁気ギャップ2の突部2a
の側縁に連続して膜厚方向に立上がった状態で上部コア
3に残存することとなる。このエッチング側面3fによ
り、前記上部コア3の底辺のトラック幅方向での寸法S
を記録媒体のトラック幅Twに一致させることができ、
かつ前記上部コア3の底辺に接合する前記磁気ギャップ
2の突部2aのトラック幅方向での寸法を記録媒体のト
ラック幅Twに一致させることができ、精度の向上を図
ることができる。
At the same time, the magnetic gap 2 is over-etched downward in the film thickness direction while suppressing the etching of the upper core 3 in the track width direction on the etching side surface 3f rising in the film thickness direction of the upper core 3. The etching of the upper core 3 in the track width direction is suppressed by the etching side surface 3 f rising in the thickness direction of the upper core 3, and the magnetic gap 2 is formed.
The track width Tw of the magnetic gap joined to the bottom of the upper core 3 is secured by overetching the magnetic core in the downward direction. By this milling process, the periphery of the portion where the magnetic gap 2 is joined to the upper core 3 is over-milled, and the protrusion 2 rises to a middle height.
a is formed. In this state, the etching side surface 3f of the upper core 3 is in contact with the protrusion 2a of the magnetic gap 2.
Is left in the upper core 3 in a state of rising in the film thickness direction continuously to the side edge of the upper core 3. Due to the etched side surface 3f, the dimension S in the track width direction of the bottom of the upper core 3 is obtained.
To the track width Tw of the recording medium,
In addition, the dimension in the track width direction of the protrusion 2a of the magnetic gap 2 joined to the bottom side of the upper core 3 can be matched with the track width Tw of the recording medium, and the accuracy can be improved.

【0085】さらに、この実施形態の製造方法によれ
ば、上部コアを形成する複数のコア層を多段階に渡って
積層形成する必要がなく、上部コアを一工程で必要な膜
厚に形成することができ、製造工程を短縮することがで
きる。さらに図1に示す製造方法と同様な効果を得るこ
とができる。また図2に示す磁気ヘッド素子は図1で示
したように書込み用の磁気ヘッドとして用いることがで
きる。
Further, according to the manufacturing method of this embodiment, it is not necessary to form a plurality of core layers for forming the upper core in a multi-stage manner, and the upper core is formed in a required thickness in one step. And the manufacturing process can be shortened. Further, the same effect as in the manufacturing method shown in FIG. 1 can be obtained. The magnetic head element shown in FIG. 2 can be used as a magnetic head for writing as shown in FIG.

【0086】[0086]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、上
部コアの書込み用磁気ギャップ側のトラック幅方向の寸
法の精度を向上させた磁気ヘッド及び、上部コアの書込
み用磁気ギャップ側のトラック幅方向の寸法の精度を向
上させる磁気ヘッドの製造方法を得ることができる。
As described above, according to the present invention, a magnetic head having improved accuracy of the dimension in the track width direction on the write magnetic gap side of the upper core and the track on the write magnetic gap side of the upper core are provided. It is possible to obtain a method of manufacturing a magnetic head that improves the accuracy of the dimension in the width direction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a magnetic head element according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps.

【図2】本発明の実施形態2に係る磁気ヘッド素子の製
造方法を工程順に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a magnetic head element according to Embodiment 2 of the present invention in the order of steps.

【図3】本発明の実施形態に係る磁気ヘッド素子を示す
分解斜視図である。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing the magnetic head element according to the embodiment of the present invention.

【図4】従来例に係る磁気ヘッド素子の製造方法を工程
順に示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a magnetic head element according to a conventional example in the order of steps.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 下部コア 2 書込み用磁気ギャップ 3 上部コア 3d、3e コア層 4、5、6、7 レジスト膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lower core 2 Magnetic gap for writing 3 Upper core 3d, 3e Core layer 4, 5, 6, 7 Resist film

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下部コアと、前記下部コア上に形成された
磁気ギャップと、前記磁気ギャップ上に形成された上部
コアとを有する磁気ヘッド素子において、 前記上部コアは、複数のコア層を膜厚方向に積層した多
層構造として形成されたことを特徴とする磁気ヘッド素
子。
1. A magnetic head element having a lower core, a magnetic gap formed on the lower core, and an upper core formed on the magnetic gap, wherein the upper core is formed by forming a plurality of core layers. A magnetic head element formed as a multilayer structure laminated in a thickness direction.
【請求項2】請求項1記載の磁気ヘッド素子において、 前記多層構造のコア層は、膜厚方向の断面形状が前記磁
気ギャップ側を底辺とする略台形形状をなす構造に形成
されたことを特徴とする磁気ヘッド素子。
2. The magnetic head element according to claim 1, wherein the core layer of the multilayer structure is formed to have a substantially trapezoidal cross section in a thickness direction with the magnetic gap side as a base. Characteristic magnetic head element.
【請求項3】請求項2記載の磁気ヘッド素子において、 前記コア層のトラック幅方向の底辺寸法は、前記磁気ギ
ャップのトラック幅寸法に対応して設定されたことを特
徴とする磁気ヘッド素子。
3. The magnetic head element according to claim 2, wherein a bottom dimension of the core layer in a track width direction is set corresponding to a track width dimension of the magnetic gap.
【請求項4】請求項3記載の磁気ヘッド素子において、 前記コア層のトラック幅方向の底辺に、前記磁気ギャッ
プの突部が接合したことを特徴とする磁気ヘッド素子。
4. The magnetic head element according to claim 3, wherein a protrusion of the magnetic gap is joined to a bottom side of the core layer in a track width direction.
【請求項5】請求項4記載の磁気ヘッド素子において、 前記磁気ギャップの突部は、周囲がエッチングされて中
高状に立ち上がって形成されたことを特徴とする磁気ヘ
ッド素子。
5. The magnetic head element according to claim 4, wherein the protrusion of the magnetic gap is formed so that its periphery is etched and rises to an intermediate height.
【請求項6】請求項4又は5記載の磁気ヘッド素子にお
いて、 前記磁気ギャップの突部は、前記コア層との接合部の寸
法がトラック幅の寸法に設定されたことを特徴とする磁
気ヘッド素子。
6. The magnetic head element according to claim 4, wherein the protrusion of the magnetic gap has a junction with the core layer set to a track width. element.
【請求項7】請求項1、2、3、4、5又は6記載の磁
気ヘッド素子において、 前記上部コアをなすコア層は、前記磁気ギャップの突部
の側縁に連続するエッチング側面を有することを特徴と
する磁気ヘッド素子。
7. The magnetic head element according to claim 1, wherein the core layer forming the upper core has an etched side surface continuous with a side edge of the protrusion of the magnetic gap. A magnetic head element comprising:
【請求項8】請求項7記載の磁気ヘッド素子において、 前記エッチング側面は、膜厚方向に立上がって形成され
たことを特徴とする磁気ヘッド素子。
8. The magnetic head element according to claim 7, wherein the etched side surface is formed to rise in a film thickness direction.
【請求項9】請求項7又は8記載の磁気ヘッド素子にお
いて、 前記エッチング側面は、ミリング加工によるエッチング
レートが少ない膜厚方向に立上がる側面を含むことを特
徴とする磁気ヘッド素子。
9. The magnetic head element according to claim 7, wherein the etched side surface includes a side surface rising in a film thickness direction at which an etching rate by milling is small.
【請求項10】請求項1記載の磁気ヘッド素子におい
て、 前記多層構造の各コア層は、同一材質から構成されたこ
とを特徴とする磁気ヘッド素子。
10. The magnetic head element according to claim 1, wherein each core layer of the multilayer structure is made of the same material.
【請求項11】請求項1記載の磁気ヘッド素子におい
て、 前記複数のコア層のうち少なくとも1層のコア層は、メ
ッキ膜で形成されたことを特徴とする磁気ヘッド素子。
11. The magnetic head element according to claim 1, wherein at least one of the plurality of core layers is formed of a plating film.
【請求項12】下部コアと、磁気ギャップと、上下に堆
積した下層のコア層及び上層のコア層からなる上部コア
とを有する磁気ヘッド素子の製造方法において、 前記下部コア上に前記磁気ギャップを形成する工程と、 前記磁気ギャップ上に下層のコア層を形成する工程と、 前記下層のコア層上に第1のレジスト膜をパターニング
して所定の形状に形成する工程と、 前記パターニングされた第1のレジスト膜をマスクとし
て前記下層のコア層をミリングする工程と、 前記下層のコア層を含む前記磁気ギャップ上に上層のコ
ア層を形成する工程と、 前記上層のコア層上に第2のレジスト膜をパターニング
して所定の形状に形成する工程と、 前記パターニングされた第2のレジスト膜をマスクとし
て前記上層及び下層のコア層をミリング加工して前記上
部コアを形成する工程とを有することを特徴とする磁気
ヘッド素子の製造方法。
12. A method of manufacturing a magnetic head element having a lower core, a magnetic gap, and an upper core composed of a lower core layer and an upper core layer deposited vertically, wherein the magnetic gap is formed on the lower core. Forming; forming a lower core layer on the magnetic gap; patterning a first resist film on the lower core layer to form a first resist film into a predetermined shape; Milling the lower core layer using the first resist film as a mask, forming an upper core layer on the magnetic gap including the lower core layer, forming a second core layer on the upper core layer. Patterning a resist film to form a predetermined shape; and milling the upper and lower core layers using the patterned second resist film as a mask. Forming the upper core by using the above method.
【請求項13】請求項12記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記ミリング工程は、イオン粒子を前記第1のレジスト
膜に対して斜め方向から照射し、前記第1のレジスト膜
をマスクとして前記下層のコア層をミリング加工して実
行されることを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
13. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 12, wherein, in the milling step, the first resist film is irradiated with ion particles in an oblique direction, and the first resist film is used as a mask. A method for manufacturing a magnetic head element, wherein the method is performed by milling the lower core layer.
【請求項14】請求項12記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記ミリング加工は、前記下層のコア層の膜厚を、上下
に堆積した下層と上層のコア層の合計膜厚の1/4〜1
/5の範囲に設定し、かつ前記マスク用第1のレジスト
膜の膜厚を、前記マスク用第2のレジスト膜の膜厚の1
/4〜1/5の範囲に設定してミリング加工することに
より、前記下層のコア層のトラック幅方向の両側に、膜
厚方向に立上がるエッチング面を形成して実行されるこ
とを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
14. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 12, wherein in the milling process, the thickness of the lower core layer is set to 1 / (the total thickness of the lower and upper core layers deposited vertically). 4-1
/ 5, and the thickness of the first resist film for the mask is set to one of the thickness of the second resist film for the mask.
The milling process is performed in a range of 4 to 1 / to form an etching surface that rises in the film thickness direction on both sides of the lower core layer in the track width direction. Of manufacturing a magnetic head element.
【請求項15】請求項12記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記ミリング加工は、イオン粒子の前記上層のコア層に
対する照射角度を固定してイオン照射を行い、前記第2
のレジスト膜をマスクとして前記上層及び下層のコア層
を、膜厚方向の断面形状が前記磁気ギャップ側を底辺と
する略台形形状をなす構造にミリング加工して実行され
ることを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
15. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 12, wherein the milling is performed by irradiating ions while fixing an irradiation angle of ion particles to the upper core layer.
Characterized in that the magnetic layer is formed by milling the upper and lower core layers into a substantially trapezoidal structure in which the cross-sectional shape in the film thickness direction has the bottom side as the bottom side, using the resist film as a mask. Manufacturing method of head element.
【請求項16】請求項15記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 イオン粒子の前記上層のコア層に対する照射方向を膜厚
方向に対して約5°傾斜させた角度に固定することを特
徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
16. A method for manufacturing a magnetic head element according to claim 15, wherein the direction of irradiation of the ion particles to the upper core layer is fixed at an angle of about 5 ° with respect to the film thickness direction. Of manufacturing a magnetic head element.
【請求項17】請求項15又は16記載の磁気ヘッド素
子の製造方法において、 前記下層のコア層の膜厚方向に立上がるエッチング面に
対する前記下層のコア層のトラック幅方向へのエッチン
グレートが低いミリング角度で前記磁気ギャップのトラ
ック幅を確保することを特徴とする磁気ヘッド素子の製
造方法。
17. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 15, wherein an etching rate in a track width direction of the lower core layer is lower than an etching surface rising in a film thickness direction of the lower core layer. A method of manufacturing a magnetic head element, wherein a track width of the magnetic gap is secured by a milling angle.
【請求項18】請求項14、15又は16記載の磁気ヘ
ッド素子の製造方法において、 前記下層のコア層の膜厚方向に立上がるエッチング面に
対する前記下層のコア層のトラック幅方向へのエッチン
グレートが低いミリング角度で前記磁気ギャップを膜厚
方向の下向き方向にオーバーエッチングすることを特徴
とする磁気ヘッド素子の製造方法。
18. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 14, 15, or 16, wherein an etching rate in a track width direction of the lower core layer with respect to an etching surface rising in a film thickness direction of the lower core layer. Wherein the magnetic gap is over-etched downward at a low milling angle in the film thickness direction.
【請求項19】請求項14、15又は16記載の磁気ヘ
ッド素子の製造方法において、 前記下層のコア層の膜厚方向に立上がるエッチング面に
対する前記下層のコア層のトラック幅方向へのエッチン
グレートが低いミリング角度で前記磁気ギャップを膜厚
方向の下向き方向にオーバーエッチングし、 前記下層のコア層の底辺に接合する前記磁気ギャップの
トラック幅を確保することを特徴とする磁気ヘッド素子
の製造方法。
19. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 14, 15, or 16, wherein an etching rate in a track width direction of the lower core layer with respect to an etching surface rising in a film thickness direction of the lower core layer. Characterized in that the magnetic gap is over-etched downward at a low milling angle in the thickness direction to secure a track width of the magnetic gap joined to the bottom of the lower core layer. .
【請求項20】請求項12記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記下層のコア層と前記上層のコア層とを同一材質で成
膜することを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
20. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 12, wherein the lower core layer and the upper core layer are formed of the same material.
【請求項21】下部コアと、前記下部コア上に形成され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップ上に形成された上
部コアとを有する磁気ヘッド素子において、 前記上部コアは、膜厚方向の断面形状が前記磁気ギャッ
プを底辺とする略矩形形状をなす構造に形成され、かつ
底辺から膜厚方向に立上がる、ミリング加工によるエッ
チング面を有することを特徴とする磁気ヘッド素子。
21. A magnetic head element having a lower core, a magnetic gap formed on the lower core, and an upper core formed on the magnetic gap, wherein the upper core has a sectional shape in a film thickness direction. Is formed in a substantially rectangular structure having the magnetic gap as a base, and has an etched surface formed by milling and rising from the base in a film thickness direction.
【請求項22】請求項21記載の磁気ヘッド素子におい
て、 前記上部コアのトラック幅方向の底辺寸法は、前記磁気
ギャップのトラック幅寸法に対応して設定されたことを
特徴とする磁気ヘッド素子。
22. The magnetic head element according to claim 21, wherein a bottom dimension of the upper core in a track width direction is set corresponding to a track width dimension of the magnetic gap.
【請求項23】請求項21記載の磁気ヘッド素子におい
て、 前記上部コアのトラック幅方向の底辺に、前記磁気ギャ
ップの突部が接合したことを特徴とする磁気ヘッド素
子。
23. The magnetic head element according to claim 21, wherein a protrusion of the magnetic gap is joined to a bottom of the upper core in a track width direction.
【請求項24】請求項21記載の磁気ヘッド素子におい
て、 前記磁気ギャップの突部は、周囲がエッチングされて中
高状に立ち上がって形成されたことを特徴とする磁気ヘ
ッド素子。
24. The magnetic head element according to claim 21, wherein the protrusion of the magnetic gap is formed so that its periphery is etched and rises to a middle height.
【請求項25】請求項21又は22記載の磁気ヘッド素
子において、 前記磁気ギャップの突部は、前記上部コアとの接合部の
寸法がトラック幅の寸法に設定されたことを特徴とする
磁気ヘッド素子。
25. The magnetic head element according to claim 21, wherein the protrusion of the magnetic gap has a junction with the upper core set to a track width. element.
【請求項26】請求項21、22、23、24又は25
記載の磁気ヘッド素子において、 前記上部コアのエッチング面は、前記磁気ギャップの突
部の側縁に連続することを特徴とする磁気ヘッド素子。
26. The method of claim 21, 22, 23, 24 or 25.
The magnetic head element according to claim 1, wherein the etched surface of the upper core is continuous with a side edge of the protrusion of the magnetic gap.
【請求項27】請求項21又は26記載の磁気ヘッド素
子において、 前記エッチング側面は、膜厚方向に立上がって形成され
たことを特徴とする磁気ヘッド素子。
27. A magnetic head element according to claim 21, wherein said etched side surface is formed to rise in a film thickness direction.
【請求項28】請求項21、26又は27記載の磁気ヘ
ッド素子において、 前記エッチング側面は、ミリング加工によるエッチング
レートが少ない膜厚方向に立上がる側面であることを特
徴とする磁気ヘッド素子。
28. The magnetic head element according to claim 21, wherein the etching side surface is a side surface rising in a film thickness direction at which an etching rate by milling is small.
【請求項29】請求項1〜10又は21〜28のいずれ
か1項記載された磁気ヘッド素子を有することを特徴と
する磁気ヘッド。
29. A magnetic head comprising the magnetic head element according to any one of claims 1 to 10 or 21 to 28.
【請求項30】下部コアと、磁気ギャップと、上部コア
とを有する磁気ヘッド素子の製造方法において、 前記下部コア上に前記磁気ギャップを形成する工程と、 前記磁気ギャップ上に上部コアを形成する工程と、 前記上部コア上に第1のレジスト膜をパターニングして
所定の形状に形成する工程と、 前記パターニングした第1のレジスト膜をマスクとして
前記上部コアの表層をミリング加工して中高状の突部を
形成する工程と、 前記中高状の突部上に第2のレジスト膜をパターニング
して所定の形状に形成する工程と、 前記第2のレジスト膜をマスクとして前記上部コアをミ
リング加工する工程とを有することを特徴とする磁気ヘ
ッド素子の製造方法。
30. A method of manufacturing a magnetic head element having a lower core, a magnetic gap, and an upper core, wherein: forming the magnetic gap on the lower core; and forming an upper core on the magnetic gap. Patterning a first resist film on the upper core to form a predetermined shape; milling a surface layer of the upper core using the patterned first resist film as a mask; A step of forming a protrusion; a step of patterning a second resist film on the intermediate-height protrusion to form a predetermined shape; and milling the upper core using the second resist film as a mask. And a method for manufacturing a magnetic head element.
【請求項31】請求項30記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記第1のレジスト膜の膜厚を前記第2のレジスト膜の
膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定し、前記パターニン
グした第1のレジスト膜をマスクとして前記上部コアの
表層をミリングして中高状の突部を形成することを特徴
とする磁気ヘッド素子の製造方法。
31. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 30, wherein the thickness of the first resist film is set in a range of 1 / to の of the thickness of the second resist film. And manufacturing a magnetic head element by milling the surface layer of the upper core using the patterned first resist film as a mask.
【請求項32】請求項30又は31記載の磁気ヘッド素
子の製造方法において、 前記中高状突部の側面を、ミリング加工によるエッチン
グレートが少ない膜厚方向に立上がる側面に形成するこ
とを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
32. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 30, wherein the side surface of the middle-height protrusion is formed on a side surface rising in a film thickness direction where an etching rate by milling is small. Of manufacturing a magnetic head element.
【請求項33】請求項30記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 前記第2のレジスト膜のトラック幅方向の寸法を、前記
第2のレジスト膜のトラック幅方向の寸法の1.5倍〜
2倍の範囲に設定することを特徴とする磁気ヘッド素子
の製造方法。
33. The method according to claim 30, wherein the dimension of the second resist film in the track width direction is 1.5 times or more the dimension of the second resist film in the track width direction.
A method for manufacturing a magnetic head element, wherein the magnetic head element is set to a range twice as large.
【請求項34】請求項30又は31記載の磁気ヘッド素
子の製造方法において、 イオン粒子の前記上部コアに対する照射方向を固定して
イオン照射を行い、前記第2のレジスト膜をマスクとし
て前記上部コアを、膜厚方向の断面形状が前記磁気ギャ
ップ側を底辺とする略矩形形状をなす構造にミリング加
工することを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
34. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 30, wherein the ion irradiation is performed while fixing the irradiation direction of the ion particles to the upper core, and the upper core is formed using the second resist film as a mask. Is milled into a structure having a substantially rectangular shape whose cross-sectional shape in the film thickness direction has the bottom side as the magnetic gap side.
【請求項35】請求項34記載の磁気ヘッド素子の製造
方法において、 イオン粒子の前記上部コアに対する照射方向を膜厚方向
に対して約5°傾斜させた方向に固定することを特徴と
する磁気ヘッド素子の製造方法。
35. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 34, wherein the irradiation direction of the ion particles to the upper core is fixed in a direction inclined by about 5 ° with respect to the film thickness direction. Manufacturing method of head element.
【請求項36】請求項34又は35記載の磁気ヘッド素
子の製造方法において、 前記上部コアの膜厚方向に立上がるエッチング面に対す
る前記上部コアのトラック幅方向へのエッチングレート
が低いミリング角度で前記磁気ギャップのトラック幅を
確保することを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
36. The method for manufacturing a magnetic head element according to claim 34, wherein an etching rate in a track width direction of the upper core with respect to an etching surface rising in a film thickness direction of the upper core is at a low milling angle. A method for manufacturing a magnetic head element, wherein a track width of a magnetic gap is secured.
【請求項37】請求項34、35又は36記載の磁気ヘ
ッド素子の製造方法において、 前記上部コアの膜厚方向に立上がるエッチング面に対す
る前記上部コアのトラック幅方向へのエッチングレート
が低いミリング角度で前記磁気ギャップを膜厚下向き方
向にオーバーエッチングすることを特徴とする磁気ヘッ
ド素子の製造方法。
37. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 34, 35 or 36, wherein a milling angle of an etching rate in a track width direction of the upper core with respect to an etching surface rising in a film thickness direction of the upper core is low. Wherein the magnetic gap is over-etched in a film thickness downward direction.
【請求項38】請求項34、35又は36記載の磁気ヘ
ッド素子の製造方法において、 前記上部コアの膜厚方向に立上がるエッチング面に対す
る前記上部コアのトラック幅方向へのエッチングレート
が低いミリング角度で前記磁気ギャップを膜厚下向き方
向にオーバーエッチングし、 前記上部コアの底辺に接合する前記磁気ギャップのトラ
ック幅を確保することを特徴とする磁気ヘッド素子の製
造方法。
38. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 34, 35 or 36, wherein the etching rate in the track width direction of the upper core with respect to the etching surface rising in the film thickness direction of the upper core is low. And over-etching the magnetic gap in a film thickness downward direction to secure a track width of the magnetic gap joined to a bottom side of the upper core.
【請求項39】請求項30、31、32又は34記載の
磁気ヘッド素子の製造方法において、 前記第1のレジスト膜の膜厚を、前記第2のレジスト膜
の膜厚の1/4〜1/5の範囲に設定することを特徴と
する磁気ヘッド素子の製造方法。
39. The method of manufacturing a magnetic head element according to claim 30, 31, 32, or 34, wherein the thickness of the first resist film is set to 1 / to 1 of the thickness of the second resist film. A method of manufacturing a magnetic head element, wherein the magnetic head element is set in a range of / 5.
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