JP2002352709A - Coating liquid for black stripe forming, the black stripe using the liquid and manufacturing method of the black stripe using the coating liquid - Google Patents
Coating liquid for black stripe forming, the black stripe using the liquid and manufacturing method of the black stripe using the coating liquidInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はブラックストライプ
形成用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びそ
の製造方法に関し、更に詳しくは、基板上にパターン化
されたブラックストライプを形成することができるブラ
ックストライプ形成用塗布液、パターン化されたブラッ
クストライプ、および該ブラックストライプの製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating liquid for forming a black stripe, a black stripe using the same, and a method for producing the same, and more particularly, to a black stripe capable of forming a patterned black stripe on a substrate. The present invention relates to a coating liquid for formation, a patterned black stripe, and a method for producing the black stripe.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、ハイビジョン用の大画面、高画質
の画像表示装置として、応答性、色再現性が良いプラズ
マディスプレイパネル(PDP)が注目されている。こ
のPDPの画質を向上させる方法の一つとして明室コン
トラストのアップがあり、そのために、このPDPの前
面側の基板の放電セル間にギャップを設けるために、こ
れら放電セル間にブラックストライプを形成する方法が
採られている。このギヤツプは誤放電を防ぐためのもの
であるから、基本的には発光に寄与しない。このため、
放電セル間を黒く塗りつぶすことによって外光反射を抑
えようというものである。このように、ブラックストラ
イプを設けることにより、一般的に明室コントラストが
20%向上するといわれている。2. Description of the Related Art At present, a plasma display panel (PDP) having good responsiveness and color reproducibility has attracted attention as a large-screen, high-quality image display device for high vision. One of the methods for improving the image quality of this PDP is to increase the bright room contrast. Therefore, in order to provide a gap between the discharge cells of the substrate on the front side of the PDP, a black stripe is formed between these discharge cells. The method is adopted. Since this gap is for preventing erroneous discharge, it basically does not contribute to light emission. For this reason,
This is to suppress the reflection of external light by filling the space between the discharge cells with black. It is generally said that the provision of the black stripe improves the bright room contrast by 20%.
【0003】このブラックストライプを形成するための
材料に要求されている特性としては、 ガラスとの密着性が高い。 反射率が低い。 透過率が低い。 絶縁性が高い。 耐溶剤性に優れる。 透明電極やバス電極との反応性が低い。 等が挙げられる。As a characteristic required for a material for forming the black stripe, adhesion to glass is high. Low reflectivity. Low transmittance. High insulation. Excellent solvent resistance. Low reactivity with transparent electrodes and bath electrodes. And the like.
【0004】そこで、これらの特性を満足するため、従
来では、PbO−B2O3−SiO2系ガラス粉末と黒色
顔料を混合したタイプの黒色ガラスペーストが使用され
ている。この黒色ガラスペーストには、印刷タイプ(解
像度;70〜100μm程度)と感光性タイプ(解像
度;30〜50μm程度)があり、デザインルールを考
慮して使い分けられている。印刷タイプはスクリーン印
刷により、感光性タイプはフォトリソグラフィによりそ
れぞれパターニングされ、最終的に550〜600℃で
焼成されて膜厚が3〜7μmのブラックストライプとな
る。Therefore, in order to satisfy these characteristics, a black glass paste of a type in which a PbO—B 2 O 3 —SiO 2 -based glass powder and a black pigment are mixed has conventionally been used. This black glass paste is classified into a printing type (resolution: about 70 to 100 μm) and a photosensitive type (resolution: about 30 to 50 μm), which are properly used in consideration of design rules. The printing type is patterned by screen printing, and the photosensitive type is patterned by photolithography, and finally fired at 550 to 600 ° C. to form black stripes having a film thickness of 3 to 7 μm.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、現状におい
ては、上述した従来の黒色ガラスペーストでは、単位膜
厚当たりの光学濃度(OD)値が低く、所定のOD値を
得るためにはブラックストライプの膜厚を厚くせざるを
得ない。また、ブラックストライプが所定の絶縁性を得
るためには、このブラックストライプの上に透明誘電体
膜を形成しなければならないが、ブラックストライプの
膜厚が厚くなると基板表面の凹凸が大きくなるために、
その上に透明誘電体膜を均一な膜厚で形成することが困
難になるという問題点があった。However, at present, the conventional black glass paste described above has a low optical density (OD) value per unit film thickness, and a black stripe is required to obtain a predetermined OD value. The film thickness must be increased. Also, in order for the black stripe to obtain a predetermined insulating property, a transparent dielectric film must be formed on the black stripe. However, when the thickness of the black stripe increases, the unevenness of the substrate surface increases. ,
There is a problem that it is difficult to form a transparent dielectric film with a uniform film thickness thereon.
【0006】さらに、ブラックストライプの膜厚が厚く
なると、透明誘電体膜まで含んだ総膜厚が厚くなるため
に、パネルの透過率が低下してしまうという問題点があ
った。そこで、従来よりも吸光度が高く、薄膜形成時に
おいては従来よりも薄い膜厚で所定のOD値を得ること
ができるブラックストライプ形成材料に対する要望が高
まっている。Further, when the thickness of the black stripe is increased, the total film thickness including the transparent dielectric film is increased, so that the transmittance of the panel is reduced. Therefore, there is an increasing demand for a black stripe forming material that has a higher absorbance than before and can obtain a predetermined OD value with a thinner film thickness than before when forming a thin film.
【0007】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、単位膜厚当たりの光学濃度(O
D)値が高く、従来よりも薄い膜厚で所定のOD値を得
ることができると共に、低反射性をも兼ね備えた光学特
性に優れたブラックストライプを安価に形成することの
できるブラックストライプ形成用塗布液、このブラック
ストライプ形成用塗布液を用いて形成されたパターン化
されたブラックストライプ、パターン化されたブラック
ストライプを非常に簡易な工程で、しかも安全かつ低コ
ストで作製することができるブラックストライプの製造
方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and has been made in view of the above circumstances.
D) For forming a black stripe which has a high value, a predetermined OD value can be obtained with a thinner film thickness than the conventional one, and a black stripe excellent in optical characteristics having low reflectivity can be formed at low cost. Coating solution, patterned black stripes formed using this coating solution for forming black stripes, black stripes that can be manufactured in a very simple process, at a safe and low cost It is to provide a manufacturing method of.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なブラックストライプ形成用塗布液
とそれを用いたブラックストライプ及びその製造方法を
採用した。すなわち、本発明の請求項1記載のブラック
ストライプ形成用塗布液は、Mn化合物、Cu化合物、
Fe化合物、SiO2および有機溶剤を少なくとも含有
することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following coating liquid for forming a black stripe, a black stripe using the same, and a method for producing the same. That is, the coating liquid for forming a black stripe according to claim 1 of the present invention comprises a Mn compound, a Cu compound,
It is characterized by containing at least an Fe compound, SiO 2 and an organic solvent.
【0009】請求項2記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項1記載のブラックストライプ形成用塗
布液において、前記Mn化合物を、Mnの有機酸塩、M
nの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合
物、のいずれか1種とし、前記Cu化合物を、Cuの有
機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無機酸
塩の混合物、のいずれか1種とし、前記Fe化合物を、
Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩およ
び無機酸塩の混合物、のいずれか1種としたことを特徴
とする。A black stripe forming coating solution according to a second aspect of the present invention is the black stripe forming coating solution according to the first aspect, wherein the Mn compound is an organic acid salt of Mn.
n, an organic acid salt of Mn, and a mixture of inorganic acid salts of Mn. The Cu compound is an organic acid salt of Cu, an inorganic acid salt of Cu, an organic acid salt of Cu, and an inorganic acid. A mixture of salts, wherein the Fe compound is
It is characterized by being one of an organic acid salt of Fe, an inorganic acid salt of Fe, and a mixture of an organic acid salt of Fe and an inorganic acid salt.
【0010】請求項3記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項1または2記載のブラックストライプ
形成用塗布液において、前記SiO2は、Siのアルコ
キシドを加水分解して得られたことを特徴とする。A third aspect of the present invention is the coating solution for forming a black stripe according to the first or second aspect, wherein the SiO 2 is obtained by hydrolyzing an alkoxide of Si. And
【0011】請求項4記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項1、2または3記載のブラックストラ
イプ形成用塗布液において、前記有機溶剤は、少なくと
も1種の非プロトン性極性溶剤を含有することを特徴と
する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the coating liquid for forming a black stripe, wherein the organic solvent contains at least one kind of aprotic polar solvent. It is characterized by the following.
【0012】請求項5記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項1ないし4のいずれか1項記載のブラ
ックストライプ形成用塗布液において、前記Mn、C
u、Fe及びSiの含有量の合計を、前記塗布液全重量
に対し、酸化物に換算して1〜20重量%としたことを
特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the coating solution for forming a black stripe according to any one of the first to fourth aspects, the Mn, C
The sum of the contents of u, Fe and Si is 1 to 20% by weight in terms of oxide based on the total weight of the coating solution.
【0013】請求項6記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項1ないし5のいずれか1項記載のブラ
ックストライプ形成用塗布液において、前記SiO2の
含有量を、前記塗布液全重量に対し0.2〜5重量%と
したことを特徴とする。[0013] The coating liquid for forming a black stripe according to claim 6 is the coating liquid for forming a black stripe according to any one of claims 1 to 5, wherein the content of the SiO 2 is added to the total weight of the coating liquid. On the other hand, the content is 0.2 to 5% by weight.
【0014】請求項7記載のブラックストライプ形成用
塗布液は、請求項4、5または6記載のブラックストラ
イプ形成用塗布液において、前記非プロトン性極性溶剤
の含有量を、前記塗布液全重量に対し1〜20重量%と
したことを特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, in the coating solution for forming a black stripe according to the fourth or fifth or sixth aspect, the content of the aprotic polar solvent is added to the total weight of the coating solution. It is characterized in that the content is 1 to 20% by weight.
【0015】請求項8記載のブラックストライプは、あ
らかじめネガレジストパタ−ンが形成された基板上に、
請求項1ないし7のいずれか1項記載のブラックストラ
イプ形成用塗布液を用いてパターン化されたブラックス
トライプが形成されていることを特徴とする。The black stripe according to claim 8 is formed on a substrate on which a negative resist pattern has been formed in advance.
A patterned black stripe is formed by using the coating liquid for forming a black stripe according to any one of claims 1 to 7.
【0016】請求項9記載のブラックストライプの製造
方法は、感光性樹脂を用いて基板上にネガレジストパタ
ーンを形成し、次いで、請求項1〜7のいずれか1項記
載のブラックストライプ形成用塗布液を塗布・乾燥し、
次いで、400℃以上の温度で焼成することを特徴とす
る。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a black stripe, the method comprising forming a negative resist pattern on a substrate using a photosensitive resin, and then forming the negative resist pattern on the substrate. Apply and dry the liquid,
Then, it is characterized by firing at a temperature of 400 ° C. or more.
【0017】請求項10記載のブラックストライプの製
造方法は、請求項9記載のブラックストライプの製造方
法において、前記感光性樹脂は、請求項1〜7のいずれ
か1項記載のブラックストライプ形成用塗布液に対して
相溶性、反応性が無く、かつ撥液性を有することを特徴
とする。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a black stripe manufacturing method according to the ninth aspect, wherein the photosensitive resin is coated with the black stripe forming coating according to any one of the first to seventh aspects. It is characterized by having no compatibility or reactivity with a liquid and having liquid repellency.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】本発明のブラックストライプ形成
用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びその製
造方法の一実施の形態について説明する。なお、本実施
の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体
的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明
を限定するものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the coating liquid for forming a black stripe of the present invention, a black stripe using the same, and a method of manufacturing the same will be described. The present embodiment is specifically described for better understanding of the spirit of the present invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified.
【0019】[ブラックストライプ形成用塗布液]本実
施形態のブラックストライプ形成用塗布液は、マンガン
(Mn)化合物、銅(Cu)化合物、鉄(Fe)化合
物、酸化ケイ素(SiO2)および有機溶剤を少なくと
も含有する。SiO2としては、Siのアルコキシドを
加水分解して生成したものが好適に用いられる。[Coating Liquid for Black Stripe Formation] The coating liquid for black stripe formation of the present embodiment comprises a manganese (Mn) compound, a copper (Cu) compound, an iron (Fe) compound, silicon oxide (SiO 2 ) and an organic solvent. At least. As SiO 2 , those formed by hydrolyzing alkoxides of Si are preferably used.
【0020】ここで、マンガン(Mn)化合物、銅(C
u)化合物及び鉄(Fe)化合物は、特に限定されるも
のではなく、例えば、蟻酸塩、酢酸塩、クエン酸塩等の
有機酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機酸塩等を使用するこ
とができる。特に硝酸塩は、有機溶媒に対する溶解性、
及び低温熱分解性に優れる等の理由から、好適に使用さ
れる。また、SiO2の原料となるSiのアルコキシド
としては、一般的なSiアルコキシド、例えば、テトラ
メトキシシラン((CH3O)4Si)、テトラエトキシ
シラン((C2H5O)4Si)、テトライソプロボキシ
シラン((i−C3H7O)4Si)等が好適に使用され
る。Here, a manganese (Mn) compound, copper (C
The u) compound and the iron (Fe) compound are not particularly limited. For example, organic acid salts such as formate, acetate and citrate, and inorganic acid salts such as nitrate and chloride may be used. Can be. In particular, nitrates are soluble in organic solvents,
It is preferably used because of its excellent low-temperature thermal decomposability and the like. Examples of the Si alkoxide used as a raw material of SiO 2 include general Si alkoxides, for example, tetramethoxysilane ((CH 3 O) 4 Si), tetraethoxysilane ((C 2 H 5 O) 4 Si), tetra isopropoxide Bo silane ((i-C 3 H 7 O) 4 Si) or the like is preferably used.
【0021】また、有機溶蝶は、特に限定されるもので
はないが、非プロトン性極性溶媒を含むことが好まし
い。非プロトン性極性溶媒としては、例えば、1−メチ
ル−2−ピロリドン(C4H6NOCH3)、ジメチルホ
ルムアミド(HCON(CH3) 2)等が好適に使用され
る。The organic butterfly is particularly limited.
But preferably contains an aprotic polar solvent
No. Examples of the aprotic polar solvent include, for example, 1-methyl
Ru-2-pyrrolidone (CFourH6NOCHThree), Dimethylpho
Lumamide (HCON (CHThree) Two) Etc. are preferably used
You.
【0022】ここで、マンガン(Mn)化合物、銅(C
u)化合物、鉄(Fe)化合物をそれぞれ所定量秤量
し、溶媒中で完全に溶解するまで混合攪拌する。次い
で、Siのアルコキシドを添加し、60℃で1時間加熱
攪拌する。この加熱攪拌過程においては、混合溶液中で
Siのアルコキシドを加水分解させてSiO2を複合化
することにより、所望のブラックストライプ形成用塗布
液が得られる。この加水分解時に使用される水の供給源
としては、マンガン(Mn)化合物、銅(Cu)化合
物、鉄(Fe)化合物中に水和水が含まれる場合には、
この水和水を用いればよく、また、水和水が含まれない
場合には、必要に応じて水を添加すればよい。Here, a manganese (Mn) compound, copper (C
u) A compound and an iron (Fe) compound are each weighed to a predetermined amount, and mixed and stirred until completely dissolved in a solvent. Next, an alkoxide of Si is added, and the mixture is heated and stirred at 60 ° C. for 1 hour. In this heating and stirring process, a desired coating liquid for forming a black stripe is obtained by hydrolyzing the alkoxide of Si in the mixed solution to form a composite of SiO 2 . As a supply source of water used at the time of this hydrolysis, when hydration water is contained in a manganese (Mn) compound, a copper (Cu) compound, and an iron (Fe) compound,
This water of hydration may be used, and when water of hydration is not contained, water may be added as needed.
【0023】上記のブラックストライプ形成用塗布液に
おいては、Mn、Cu、Fe及びSiの含有量の合計
は、前記塗布液全重量に対し、酸化物に換算して1〜2
0重量%、より好ましくは9〜13重量%である。ここ
で、これらの含有量の合計を上記の様に限定した理由
は、これらの含有量の合計が1重量%よりも少ないと、
得られる膜厚が薄くなり過ぎ、所定のOD値を得ること
ができず、逆に、これらの含有量の合計が20重量%よ
りも多いと、膜厚が厚くなり過ぎ、クラックが発生し易
くなり、良好な膜が得られないからである。In the above coating liquid for forming a black stripe, the total content of Mn, Cu, Fe and Si is 1 to 2 in terms of oxide with respect to the total weight of the coating liquid.
0% by weight, more preferably 9 to 13% by weight. Here, the reason for limiting the total of these contents as described above is that if the total of these contents is less than 1% by weight,
The obtained film thickness is too thin, and a predetermined OD value cannot be obtained. Conversely, if the total of these contents is more than 20% by weight, the film thickness becomes too thick, and cracks are easily generated. This is because a good film cannot be obtained.
【0024】塗布液中にSiO2を添加するのは、成膜
性を向上させ、かつ焼成後の膜強度を向上させるためで
ある。添加するSiのアルコキシドの含有量は、SiO
2換算で、塗布液重量に対し、0.2〜5重量%、より
好ましくは1〜3重量%である。含有量が0.2重量%
よりも少ないと、焼成後の膜強度が弱くなり、逆に、5
重量%よりも多いと、膜厚が厚くなり過ぎ、クラックが
発生し易くなり、良好な膜が得られないからである。The reason for adding SiO 2 to the coating solution is to improve the film forming property and the film strength after firing. The content of the Si alkoxide to be added is SiO 2
In terms of 2 , it is 0.2 to 5% by weight, more preferably 1 to 3% by weight, based on the weight of the coating solution. Content is 0.2% by weight
If less, the film strength after firing becomes weak, and conversely, 5
If the content is more than 10% by weight, the film thickness becomes too large, cracks are easily generated, and a good film cannot be obtained.
【0025】塗布液に使用する有機溶媒としては、各金
属塩、及びSiのアルコキシドを溶解できるものであれ
ば特に限定されないが、塗工性を考慮し、1−プロパノ
ール、2−プロパノール等のアルコール類が好適に使用
される。また有機溶媒中には、少なくとも一種の非プロ
トン性極性溶媒を添加するが、これは金属塩の溶媒に対
する溶解度を高くし、成膜時に生じるおそれのある膜の
白濁等を防止するためである。The organic solvent used in the coating solution is not particularly limited as long as it can dissolve each metal salt and the alkoxide of Si. In consideration of coating properties, an alcohol such as 1-propanol or 2-propanol is used. Are preferably used. At least one kind of aprotic polar solvent is added to the organic solvent in order to increase the solubility of the metal salt in the solvent and prevent the film from becoming cloudy or the like which may occur during film formation.
【0026】非プロトン性極性溶媒としては、1−メチ
ル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド等が好適に
使用される。中でも1−メチル−2−ピロリドンが特に
好ましい。非プロトン性極性溶蝶の含有量は、塗布液重
量に対し、1〜20重量%、より好ましくは8〜14重
量%である。含有量が1重量%よりも少ないと、成膜時
の白濁防止効果が小さく、逆に、含有量が20重量%よ
りも多いと、成膜時にハジキ斑が発生し、良好な塗膜が
得られないからである。As the aprotic polar solvent, 1-methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide and the like are preferably used. Among them, 1-methyl-2-pyrrolidone is particularly preferred. The content of the aprotic polar butterfly is 1 to 20% by weight, more preferably 8 to 14% by weight, based on the weight of the coating solution. If the content is less than 1% by weight, the effect of preventing white turbidity during film formation is small. Conversely, if the content is more than 20% by weight, repelling spots occur during film formation and a good coating film is obtained. It is not possible.
【0027】[パターン化されたブラックストライプお
よびその製造方法]パターン化されたブラックストライ
プは、感光性樹脂を用いることで予めネガレジストパタ
ーが形成された基板上に、上記により得られたブラック
ストライプ形成用塗布液を塗布、乾燥した後、焼成する
ことによって作製される。この方法はリフトオフ法を応
用した方法であり、レジストパターン部以外の箇所にブ
ラックストライプ形成用塗布液を埋め込み、乾燥後、焼
成すると、レジストパターン部は分解消失し、そこには
ブラックストライプは形成されず、塗布液が埋め込まれ
た非レジストパターン部のみにブラックストライプが形
成される。[Patterned Black Stripe and Manufacturing Method Thereof] The patterned black stripe is formed on a substrate on which a negative resist pattern has been previously formed by using a photosensitive resin. It is produced by applying and drying a coating liquid for use and baking. This method is an application of the lift-off method, in which a coating solution for forming a black stripe is embedded in a portion other than the resist pattern portion, dried, and baked, the resist pattern portion is decomposed and disappears, and a black stripe is formed there. Instead, a black stripe is formed only in the non-resist pattern portion in which the coating liquid is embedded.
【0028】ここで使用される感光性樹脂としては、光
重合性アクリル系樹脂、光崩壊性ノボラック系樹脂、光
架橋性水溶性高分子等が使用できるが、上記のブラック
ストライプ形成用塗布液と相溶性、反応性が無く、かつ
撥液性を示す感光性樹脂であることが必要である。これ
らの特性を満足しないと、ブラックストライプ形成用塗
布液がレジストパターン上に残存し、焼成によるレジス
ト消失後もその部にブラックストライプが残留形成さ
れ、良好なパターンが得られないからである。As the photosensitive resin used here, a photopolymerizable acrylic resin, a photodegradable novolak resin, a photocrosslinkable water-soluble polymer, and the like can be used. It is necessary that the photosensitive resin has no compatibility or reactivity and exhibits liquid repellency. If these characteristics are not satisfied, the coating liquid for forming a black stripe remains on the resist pattern, and even after the resist disappears due to baking, a black stripe remains in that portion, and a good pattern cannot be obtained.
【0029】この感光性樹脂を基板上に塗布するには、
公知の方法を採用することができ、例えば、ディップコ
ート法、スピンコート法、ロールコート法等が好適に用
いられる。また、レジストパターンの膜厚は、1.0〜
5.0μm、好ましくは2,0〜3,0μmとなるよう
にする。その理由は、レジストパターンの膜厚が1.0
μmよりも薄いと、得られるブラックストライプの膜厚
が薄くなり過ぎ、必要なOD値が得られず、逆に、5.
0μmよりも厚いと、得られるブラックストライプの膜
厚が厚くなり過ぎ、焼成後、膜中にクラックが発生する
からである。To apply this photosensitive resin on a substrate,
A known method can be adopted, and for example, a dip coating method, a spin coating method, a roll coating method and the like are suitably used. The resist pattern has a thickness of 1.0 to 1.0.
The thickness is set to 5.0 μm, preferably 2,0 to 3,0 μm. The reason is that the thickness of the resist pattern is 1.0
If the thickness is smaller than μm, the thickness of the obtained black stripe is too thin, and a required OD value cannot be obtained.
If the thickness is larger than 0 μm, the thickness of the obtained black stripe becomes too large, and cracks occur in the film after firing.
【0030】このネガレジストパターンが形成された基
板上にブラックストライプ形成用塗布液を塗布する場合
も、公知の方法を採用することができ、例えば、ディッ
プコート法、スピンコート法、ロールコート法等が好適
に用いられる。この塗布液を塗布後、必要に応じて12
0℃で10分程度乾燥しても良い。その後、大気中で4
00℃以上、好ましくは500℃以上の温度で、30〜
60分程度焼成することにより、この塗布液が埋め込ま
れた非レジストパターン部のみにブラックストライプが
形成される。In the case of applying a coating liquid for forming a black stripe on the substrate on which the negative resist pattern is formed, a known method can be adopted, for example, a dip coating method, a spin coating method, a roll coating method and the like. Is preferably used. After applying this coating solution, 12
It may be dried at 0 ° C. for about 10 minutes. Then, in the atmosphere 4
At a temperature of at least 00 ° C, preferably at least 500 ° C,
By baking for about 60 minutes, a black stripe is formed only in the non-resist pattern portion in which the coating liquid is embedded.
【0031】上記の方法によれば、非常に簡易な工程
で、安全かつ低コストでパターン化されたブラックスト
ライプを作製することができる。従来のブラックストラ
イプの膜厚は、4〜7μmであるが、本発明により、膜
厚が0.5〜1.0μmと薄膜であっても必要な光学濃
度(OD)値を有するブラックストライプを形成するこ
とができる。したがって、透明誘電体を形成し易く、か
つ全体の膜厚を薄くすることができ、パネルの透過率を
向上させることができ、PDPの画質向上に好適であ
る。According to the above-described method, a patterned black stripe can be produced safely and at low cost with very simple steps. Conventional black stripes have a thickness of 4 to 7 μm, but according to the present invention, black stripes having a required optical density (OD) value are formed even when the thickness is as thin as 0.5 to 1.0 μm. can do. Therefore, a transparent dielectric can be easily formed, the entire film thickness can be reduced, and the transmittance of the panel can be improved, which is suitable for improving the image quality of a PDP.
【0032】[0032]
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定
されるものではない。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0033】(実施例1) [ブラックストライプ形成用塗布液]Mn(NO3)2・
6H2Oを18.0g、Cu(NO3)2・3H2Oを8.
2g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.1g、それぞれ
秤量し、これらを1−プロパノール50.9g中に溶解
させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドンを11.0
g添加し、30分間良く攪拌した。攪拌後、テトラエト
キシシランを5.8g添加し、60℃で1時間加熱攪拌
して前記テトラエトキシシランの加水分解を行なうこと
によりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例1
のブラックストライプ形成用塗布液を得た。このブラッ
クストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿
物等は生成せず、粘度変化も無く、安定であった。Example 1 [Coating Solution for Black Stripe Formation] Mn (NO 3 ) 2.
6H 2 O and 18.0g, Cu (NO 3) 2 · 3H 2 O 8.
2 g and 6.1 g of Fe (NO 3 ) 3 .9H 2 O were weighed, respectively, dissolved in 50.9 g of 1-propanol, and then 1-methyl-2-pyrrolidone was added to 11.0 g of 11.0 g.
g was added and stirred well for 30 minutes. After the stirring, 5.8 g of tetraethoxysilane was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 1 hour to hydrolyze the tetraethoxysilane to form SiO 2 , and then cooled to obtain a mixture of Example 1.
Was obtained. This coating liquid for forming a black stripe did not produce a precipitate or the like even after being left for one month, had no change in viscosity, and was stable.
【0034】[パターンの形成]スチルバソール変性ポ
リビニルアルコール(PVA)(LS400:東洋合成
社製)50g、ブチルセロソルブ20g、テトラヒドロ
フルフリルアルコール3g、1−プロパノール2g、イ
オン交換水25gをそれぞれ秤量した後に混合し、1時
間良く攪拌した。得られた光架橋型水溶性高分子溶液を
スピンコーター(400rpm、20sec)を用いて
ソーダライムガラス基板上に塗布し、その後、70℃で
15分間乾燥した。次いで、この乾燥膜上にL/S=3
0/30μmのフォトマスクを配置し、紫外線を照射
(i線露光量40mJ/cm2)し、水で1分間現像し
た。現像後、200℃で熱処理を行い、高分子の架橋を
さらに進行させた。[Formation of Pattern] 50 g of stilbasol-modified polyvinyl alcohol (PVA) (LS400: manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.), 20 g of butyl cellosolve, 3 g of tetrahydrofurfuryl alcohol, 2 g of 1-propanol and 25 g of ion-exchanged water were weighed and mixed. Stir well for 1 hour. The obtained photocrosslinkable water-soluble polymer solution was applied on a soda lime glass substrate using a spin coater (400 rpm, 20 sec), and then dried at 70 ° C. for 15 minutes. Then, L / S = 3 on this dried film
A 0/30 μm photomask was placed, ultraviolet light was applied (i-line exposure amount: 40 mJ / cm 2 ), and development was performed with water for 1 minute. After the development, a heat treatment was performed at 200 ° C. to further advance the crosslinking of the polymer.
【0035】[ブラックストライプ形成用塗布液の塗
布]このネガレジストパターンが形成された基板上に、
上記のブラックストライプ形成用塗布液をスピンコータ
ー(1500rpm、20sec)を用いて塗布し、そ
の後、120℃で10分乾燥した。このネガレジストパ
ターン膜は、ブラックストライプ形成用塗布液に対して
撥液性を有しているため、選択的にスペース部分のガラ
ス基板上のみ(ポジパターン形成)にブラックストライ
プ形成用塗布液が塗布されていた。[Application of Black Stripe Forming Coating Solution] On the substrate on which this negative resist pattern is formed,
The above-mentioned coating liquid for forming a black stripe was applied using a spin coater (1500 rpm, 20 sec), and then dried at 120 ° C. for 10 minutes. Since this negative resist pattern film has liquid repellency to the coating liquid for forming a black stripe, the coating liquid for forming a black stripe is selectively applied only on the glass substrate in a space portion (positive pattern formation). It had been.
【0036】その後、電気炉中(大気雰囲気中)におい
て500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmに
パターン化されたブラックストライプを得た。このブラ
ックストライプについて、膜厚を触針式膜厚測定装置
(DIKTAK3030)を用いて、また、光学濃度
(OD)値、反射率、及び単位膜厚当たりの吸光度を分
光光度計(日本分光(株)製V−570)を用いて、そ
れぞれ評価したところ、膜厚は0.7μm、OD値は
2.6、反射率は5.8%、単位膜厚当たりの吸光度は
3.7/μmであった。Thereafter, it was baked at 500 ° C. for 1 hour in an electric furnace (atmosphere) to obtain a black stripe patterned to L / S = 30/30 μm. The film thickness of this black stripe was measured using a stylus-type film thickness measuring device (DIKTAK3030), and the optical density (OD) value, reflectance, and absorbance per unit film thickness were measured with a spectrophotometer (JASCO Corporation) )), The film thickness was 0.7 μm, the OD value was 2.6, the reflectance was 5.8%, and the absorbance per unit film thickness was 3.7 / μm. there were.
【0037】(実施例2) [ブラックストライプ形成用塗布液]Mn(CH3CO
O)2・4H2Oを15.3g、Cu(CH3COO)2・
H2Oを6.7g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.0
g、それぞれ秤量し、これらを1−プロパノール55.
2g中に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリド
ン11.0gを添加し、30分間良く撹絆した。撹絆
後、テトラエトキシシランを5.8g添加し、60℃で
1時間加熱攪拌して前記テトラエトキシシランの加水分
解を行なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却
して、実施例2のブラックストライプ形成用塗布液を得
た。このブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間
放置しても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く安定で
あった。Example 2 [Coating Liquid for Black Stripe Formation] Mn (CH 3 CO)
O) 2 · 4H 2 O and 15.3g, Cu (CH 3 COO) 2 ·
H 2 O and 6.7 g, Fe a (NO 3) 3 · 9H 2 O 6.0
g, each of which was weighed and weighed 1-propanol.
After dissolving in 2 g, 11.0 g of 1-methyl-2-pyrrolidone was added and stirred well for 30 minutes. After stirring, 5.8 g of tetraethoxysilane was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 1 hour to hydrolyze the tetraethoxysilane to produce SiO 2 , and then cooled to obtain the black of Example 2. A coating liquid for forming a stripe was obtained. This coating liquid for forming a black stripe did not produce a precipitate or the like even after being left for one month, and was stable with no change in viscosity.
【0038】[パターンの形成]実施例1と同様にレジ
ストパターンを形成した。 [ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]ネガレジス
トパターンが形成された基板上に、上記のブラックスト
ライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rp
m、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で
10分乾燥した。[Formation of Pattern] A resist pattern was formed in the same manner as in Example 1. [Application of Black Stripe Forming Coating Solution] On the substrate on which the negative resist pattern was formed, the above black stripe forming coating solution was applied by a spin coater (1500 rpm).
m, 20 sec), and then dried at 120 ° C. for 10 minutes.
【0039】その後、電気炉中(大気雰囲気中)におい
て500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmに
パターン化されたブラックストライプを得た。このブラ
ックストライプについて、実施例1と同様の方法により
評価したところ、膜厚は0.9μm、OD値は3.2、
反射率は5.2%、単位膜厚当たりの吸光度は3.6/
μmであった。Thereafter, it was baked at 500 ° C. for 1 hour in an electric furnace (in the air atmosphere) to obtain a black stripe patterned to L / S = 30/30 μm. When this black stripe was evaluated by the same method as in Example 1, the film thickness was 0.9 μm, and the OD value was 3.2.
The reflectance is 5.2%, and the absorbance per unit film thickness is 3.6 /
μm.
【0040】(実施例3) [ブラックストライプ形成用塗布液]Mn(COOH)
2・2H2Oを11.3g、Cu(COOH)2・4H2O
を7.6g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.0g、そ
れぞれ秤量し、これらを1−プロパノール58.3g中
に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドン1
1.0gを添加し、30分間良く攪拌した。攪拌後、テ
トラエトキシシランを5.8g添加し、60℃で1時間
加熱攪拌して前記テトラエトキシシランの加水分解を行
なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却して、
実施例3のブラックストライプ形成用塗布液を得た。こ
のブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置し
ても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く安定であっ
た。(Example 3) [Coating solution for forming black stripe] Mn (COOH)
2 · 2H 2 O and 11.3g, Cu (COOH) 2 · 4H 2 O
And 7.6 g of Fe (NO 3 ) 3 .9H 2 O were weighed, and these were dissolved in 58.3 g of 1-propanol, and then 1-methyl-2-pyrrolidone 1
1.0 g was added and stirred well for 30 minutes. After the stirring, 5.8 g of tetraethoxysilane was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 1 hour to hydrolyze the tetraethoxysilane to form SiO 2 , and then cooled,
A coating liquid for forming a black stripe of Example 3 was obtained. This coating liquid for forming a black stripe did not produce a precipitate or the like even after being left for one month, and was stable with no change in viscosity.
【0041】[パターンの形成]実施例1と同様にレジ
ストパターンを形成した。 [ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]ネガレジス
トパターンが形成された基板上に、上記のブラックスト
ライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rp
m、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で
10分乾燥した。[Formation of Pattern] A resist pattern was formed in the same manner as in Example 1. [Application of Black Stripe Forming Coating Solution] On the substrate on which the negative resist pattern was formed, the above black stripe forming coating solution was applied by a spin coater (1500 rpm).
m, 20 sec), and then dried at 120 ° C. for 10 minutes.
【0042】その後、電気炉中(大気雰囲気中)におい
て500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmに
パターン化されたブラックストライプを得た。このブラ
ックストライプについて、実施例1と同様の方法により
評価したところ、膜厚は0.8μm、OD値は2.9、
反射率は5.5%、単位膜厚当たりの吸光度は3.6/
μmであった。Thereafter, it was baked at 500 ° C. for 1 hour in an electric furnace (in the atmosphere) to obtain a black stripe patterned to L / S = 30/30 μm. When this black stripe was evaluated by the same method as in Example 1, the film thickness was 0.8 μm, and the OD value was 2.9.
The reflectance is 5.5%, and the absorbance per unit film thickness is 3.6 /
μm.
【0043】(実施例4) [ブラックストライプ形成用塗布液]Mn(NO3)2・
6H2Oを18.0g、Cu(NO3)2・3H2Oを8.
2g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.1g、それぞれ
秤量し、これらを1−プロパノール52.4g中に溶解
させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドンを11.0
g添加し、30分間良く攪拌した。攪拌後、テトラメト
キシシランを4.3g添加し、60℃で1時間加熱攪拌
して前記テトラメトキシシランの加水分解を行なうこと
によりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例4
のブラックストライプ形成用塗布液を得た。このブラッ
クストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿
物等は生成せず、粘度変化も無く、安定であった。Example 4 [Coating Liquid for Black Stripe Formation] Mn (NO 3 ) 2.
6H 2 O and 18.0g, Cu (NO 3) 2 · 3H 2 O 8.
2 g and 6.1 g of Fe (NO 3 ) 3 .9H 2 O were weighed and dissolved in 52.4 g of 1-propanol, and then 1-methyl-2-pyrrolidone was dissolved in 11.0 g.
g was added and stirred well for 30 minutes. After stirring, 4.3 g of tetramethoxysilane was added, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 1 hour to hydrolyze the tetramethoxysilane to form SiO 2 , and then cooled, to thereby obtain Example 4.
Was obtained. This coating liquid for forming a black stripe did not produce a precipitate or the like even after being left for one month, had no change in viscosity, and was stable.
【0044】[パターンの形成]実施例1と同様にレジ
ストパターンを形成した。 [ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]ネガレジス
トパターンが形成された基板上に、上記のブラックスト
ライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rp
m、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で
10分乾燥した。[Formation of Pattern] A resist pattern was formed in the same manner as in Example 1. [Application of Black Stripe Forming Coating Solution] On the substrate on which the negative resist pattern was formed, the above black stripe forming coating solution was applied by a spin coater (1500 rpm).
m, 20 sec), and then dried at 120 ° C. for 10 minutes.
【0045】その後、電気炉中(大気雰囲気中)におい
て500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmに
パターン化されたブラックストライプを得た。このブラ
ックストライプについて、実施例1と同様の方法により
評価したところ、膜厚は0.7μm、OD値は2.6、
反射率は5.8%、単位膜厚当たりの吸光度は3.7/
μmであった。Thereafter, it was baked at 500 ° C. for 1 hour in an electric furnace (in an air atmosphere) to obtain a black stripe patterned to L / S = 30/30 μm. When the black stripe was evaluated by the same method as in Example 1, the film thickness was 0.7 μm, and the OD value was 2.6.
The reflectance is 5.8%, and the absorbance per unit film thickness is 3.7 /
μm.
【0046】(比較例1)黒色顔料とガラス粉末および
感光性樹脂よりなる感光性タイプのブラックストライプ
形成用ぺ一スト(デュポン社製)をスクリーン印刷(ス
クリーンメッシュ:250、印圧:2kg/cm2、ク
リアランス:3mm、スキージスピード:50mm/s
ec.)により、ガラス基板上に塗布した。次いで、5
分間レベリングを行った後、80℃で20分間乾燥し
た。その後、この上にL/S=30/30μmのフォト
マスクを配置し、高圧水銀灯を用いて紫外線を照射し
た。この時の紫外線の露光量は300mJ/cm2であ
った。(Comparative Example 1) Screen printing (a screen mesh: 250, printing pressure: 2 kg / cm) of a photosensitive type black stripe forming paste (manufactured by DuPont) comprising a black pigment, a glass powder and a photosensitive resin. 2 , clearance: 3mm, squeegee speed: 50mm / s
ec. ) Was applied on a glass substrate. Then 5
After performing leveling for 20 minutes, it was dried at 80 ° C. for 20 minutes. Thereafter, a photomask of L / S = 30/30 μm was disposed thereon, and ultraviolet rays were irradiated using a high-pressure mercury lamp. At this time, the exposure amount of the ultraviolet light was 300 mJ / cm 2 .
【0047】次いで、Na2CO3の2wt%水溶液を用
いてスプレー現像(スプレー圧:2kg/cm2、30
℃、60sec.)を行い、ネガパターンを形成した。
その後、550℃で30分間、大気中で焼成した。得ら
れたブラックストライプの解像度はL/S=30/30
μmであった。また、実施例1と同様の方法により膜
厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評価
したところ、膜厚は4μm、OD値は1.4、反射率は
7.0%、単位膜厚当たりの吸光度は0.35/μmで
あった。なお、このブラックストライプの膜厚を4μm
よりも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られ
なかった。Next, using a 2 wt% aqueous solution of Na 2 CO 3 for spray development (spray pressure: 2 kg / cm 2 , 30
° C, 60 sec. ) To form a negative pattern.
Then, it baked at 550 degreeC for 30 minutes in air | atmosphere. The resolution of the obtained black stripe is L / S = 30/30.
μm. When the film thickness, the OD value, the reflectance, and the absorbance per unit film thickness were evaluated in the same manner as in Example 1, the film thickness was 4 μm, the OD value was 1.4, the reflectance was 7.0%, The absorbance per unit film thickness was 0.35 / μm. The thickness of the black stripe was 4 μm.
When it was thinner, a predetermined optical density (OD) value could not be obtained.
【0048】(比較例2)黒色顔料および感光性樹脂よ
りなる感光性タイプのブラックストライプ形成用黒色レ
ジスト(東京応化社製)をスピンコート法により、ガラ
ス基板上に塗布し、100℃で10分間乾燥した。その
後、この上にL/S=30/30μmのフォトマスクを
配置し、高圧水銀灯を用いて紫外線を照射した。この時
の露光量は300mJ/cm2であった。(Comparative Example 2) A black resist for forming a black stripe of a photosensitive type comprising a black pigment and a photosensitive resin (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied on a glass substrate by a spin coating method, and was then applied at 100 ° C. for 10 minutes. Dried. Thereafter, a photomask of L / S = 30/30 μm was disposed thereon, and ultraviolet rays were irradiated using a high-pressure mercury lamp. The exposure amount at this time was 300 mJ / cm 2 .
【0049】次いで、Na2CO3の2wt%水溶液を用
いてスプレー現像(スプレー圧:2kg/cm2、25
℃、60sec.)を行い、ネガパターンを形成した。
その後、600℃で30分間、大気中で焼成した。得ら
れたブラックストライプの解像度はL/S=30/60
μmであった。また、実施例1と同様の方法により膜
厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評価
したところ、膜厚は3μm、OD値は3.2、反射率は
6.0%、単位膜厚当たりの吸光度は1.1/μmであ
った。なお、このブラックストライプの膜厚を3μmよ
りも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られな
かった。Next, spray development (spray pressure: 2 kg / cm 2 , 25%) using a 2 wt% aqueous solution of Na 2 CO 3
° C, 60 sec. ) To form a negative pattern.
Then, it baked at 600 degreeC for 30 minutes in air | atmosphere. The resolution of the obtained black stripe is L / S = 30/60.
μm. When the film thickness, OD value, reflectance and absorbance per unit film thickness were evaluated by the same method as in Example 1, the film thickness was 3 μm, the OD value was 3.2, and the reflectance was 6.0%. The absorbance per unit film thickness was 1.1 / μm. When the thickness of the black stripe was smaller than 3 μm, a predetermined optical density (OD) value could not be obtained.
【0050】(比較例3)黒色顔料とガラス粉末および
樹脂よりなる印刷タイプのブラックストライプ形成用ぺ
一スト(ノリタケカンパニーリミテッド社製)を、スク
リーン印刷(スクリーンメッシュ:250、マスクパタ
ーン:L/S=100/100μm、印圧:2kg/c
m2、クリアランス:3mm、スキージスピード:30
mm/sec.)により、ガラス基板上に塗布した。次
いで、150℃で10分間乾燥し、その後580℃で3
0分間、大気中で焼成した。(Comparative Example 3) A printing type black stripe forming paste (manufactured by Noritake Company Limited) comprising a black pigment, glass powder and resin was screen-printed (screen mesh: 250, mask pattern: L / S). = 100/100 μm, printing pressure: 2 kg / c
m 2 , clearance: 3mm, squeegee speed: 30
mm / sec. ) Was applied on a glass substrate. Then, it is dried at 150 ° C. for 10 minutes, and then dried at 580 ° C. for 3 minutes.
Firing was performed in the air for 0 minutes.
【0051】得られた膜の解像度はL/S=100/1
00μmであった。また、実施例1と同様の方法により
膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評
価したところ、膜厚は7μm、OD値は3.0、反射率
は7.0%、単位膜厚当たりの吸光度は0.4/μmで
あった。なお、このブラックストライプの膜厚を7μm
よりも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られ
なかった。The resolution of the obtained film is L / S = 100/1
It was 00 μm. When the film thickness, OD value, reflectance and absorbance per unit film thickness were evaluated by the same method as in Example 1, the film thickness was 7 μm, the OD value was 3.0, and the reflectance was 7.0%. The absorbance per unit film thickness was 0.4 / μm. The thickness of this black stripe was 7 μm.
When it was thinner, a predetermined optical density (OD) value could not be obtained.
【0052】[ブラックストライプの評価]表1は、以
上の実施例1〜4、比較例1〜3で得られたブラックス
トライプの膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの
吸光度それぞれの評価結果をまとめたものである。[Evaluation of Black Stripe] Table 1 shows the film thickness, OD value, reflectance and absorbance per unit film thickness of the black stripes obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 above. It is a summary of the evaluation results.
【表1】 [Table 1]
【0053】表1の結果によれば、実施例1〜4では、
膜厚を1μm以下に容易に薄膜化できることが分かっ
た。この場合、OD値、反射率、単位膜厚当たりの吸光
度共に、良好な特性値を示しており、膜厚を1μm以下
に薄膜化した場合においても、必要かつ安定した特性を
容易に得ることができることが分かった。一方、比較例
1〜3では、膜厚を1μm以下に薄膜化することは非常
に困難であった。また、OD値は用いるペースト等の種
類により大きく変動しており、反射率及び単位膜厚当た
りの吸光度においても実施例1〜4と比較して劣ってい
た。According to the results shown in Table 1, in Examples 1 to 4,
It was found that the film thickness could be easily reduced to 1 μm or less. In this case, the OD value, the reflectance, and the absorbance per unit film thickness show good characteristic values, and even when the film thickness is reduced to 1 μm or less, it is possible to easily obtain necessary and stable characteristics. I knew I could do it. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, it was very difficult to reduce the film thickness to 1 μm or less. In addition, the OD value fluctuated greatly depending on the type of paste or the like used, and the reflectance and the absorbance per unit film thickness were inferior to those of Examples 1 to 4.
【0054】以上説明したように、本実施形態のブラッ
クストライプ形成用塗布液によれば、従来の顔料混合タ
イプと異なり、熱分解して酸化物となる前駆体をべ一ス
にしているため、膜の薄膜化が非常に容易である。通
常、ブラックストライプのOD値としては、1.4〜
3.2が必要とされているが、本実施形態によれば、従
来品と比べて約5分の1から10分の1の膜厚の薄膜に
おいて必要なOD値を得ることが可能であり、また反射
率においても従来品以上の低反射性が得られている。As described above, according to the coating liquid for forming a black stripe of the present embodiment, unlike the conventional pigment-mixed type, the precursor which is thermally decomposed into an oxide is based on the base. It is very easy to make the film thinner. Usually, the OD value of the black stripe is 1.4 to
Although 3.2 is required, according to the present embodiment, it is possible to obtain a necessary OD value in a thin film having a thickness of about 1/5 to 1/10 as compared with the conventional product. Also, the reflectance is lower than that of the conventional product.
【0055】特に、本実施形態で得られたブラックスト
ライプをPDPに適用した場合、ブラックストライプを
薄膜化することで、その上に透明誘電体を容易に形成す
ることができる。また、透明誘電体を薄厚化することが
でき、パネルの透過率を向上させることができ、PDP
の画質向上に寄与することができる。In particular, when the black stripe obtained in the present embodiment is applied to a PDP, the transparent dielectric can be easily formed thereon by thinning the black stripe. Further, the thickness of the transparent dielectric can be reduced, and the transmittance of the panel can be improved.
Image quality can be improved.
【0056】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のブラック
ストライプ形成用塗布液によれば、Mn化合物、Cu化
合物、Fe化合物、SiO2および有機溶剤を少なくと
も含有するので、膜厚を薄膜化することが非常に容易に
なる。また、単位膜厚当たりのOD値が高くなるので、
従来よりも薄い膜厚で必要なOD値を得ることができ
る。また、従来のものと比べて反射率及び単位膜厚当た
りの吸光度共に良好なものとなるので、従来のもの以上
の低反射性を実現することができる。As described above, according to the coating liquid for forming a black stripe of the present invention, since it contains at least a Mn compound, a Cu compound, a Fe compound, SiO 2 and an organic solvent, the film thickness can be reduced. It becomes very easy. Also, since the OD value per unit film thickness increases,
The required OD value can be obtained with a thinner film thickness than before. Further, since both the reflectance and the absorbance per unit film thickness are better than the conventional one, it is possible to realize a lower reflectivity than the conventional one.
【0057】また、前記Mn化合物を、Mnの有機酸
塩、Mnの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の
混合物、のいずれか1種とし、前記Cu化合物を、Cu
の有機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無
機酸塩の混合物、のいずれか1種とし、前記Fe化合物
を、Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩
および無機酸塩の混合物、のいずれか1種とすれば、こ
れら熱分解して酸化物となる前駆体を用いることによ
り、膜厚を1μm以下に薄膜化することが非常に容易に
なる。したがって、単位膜厚当たりのOD値をより高く
することができ、従来の約5分の1から10分の1の膜
厚で必要なOD値を得ることができる。The Mn compound may be any one of an organic acid salt of Mn, an inorganic acid salt of Mn, and a mixture of an organic acid salt of Mn and an inorganic acid salt.
, An inorganic acid salt of Cu, or a mixture of an organic acid salt of Cu and an inorganic acid salt of Cu, wherein the Fe compound is an organic acid salt of Fe, an inorganic acid salt of Fe, or an organic acid of Fe. When any one of a mixture of an acid salt and an inorganic acid salt is used, it is very easy to reduce the film thickness to 1 μm or less by using a precursor which is thermally decomposed to be an oxide. . Therefore, the OD value per unit film thickness can be made higher, and the required OD value can be obtained with a film thickness of about 1/5 to 1/10 of the conventional film thickness.
【0058】また、前記SiO2を、Siのアルコキシ
ドを加水分解して得られたものとすれば、成膜性及び焼
成後の膜強度を向上させることができる。Further, when the SiO 2 is obtained by hydrolyzing the alkoxide of Si, the film formability and the film strength after firing can be improved.
【0059】また、前記有機溶剤が、少なくとも1種の
非プロトン性極性溶剤を含有することとすれば、金属塩
の溶媒に対する溶解度を高めることができ、成膜時の膜
の白濁等の不具合を防止することができる。Further, when the organic solvent contains at least one kind of aprotic polar solvent, the solubility of the metal salt in the solvent can be increased, and problems such as cloudiness of the film during film formation can be prevented. Can be prevented.
【0060】本発明のブラックストライプによれば、あ
らかじめネガレジストパタ−ンが形成された基板上に、
本発明のブラックストライプ形成用塗布液を用いてパタ
ーン化されたブラックストライプが形成されているの
で、従来よりも薄い膜厚で必要なOD値を得ることがで
き、しかも反射率及び単位膜厚当たりの吸光度共に優れ
たものとなる。したがって、このパターン化されたブラ
ックストライプをPDPに適用すれば、ブラックストラ
イプを薄膜化することで、その上に透明誘電体を容易に
形成することができる。また、この透明誘電体を薄厚化
することができるため、パネルの透過率を向上させるこ
とができ、PDPの画質向上に寄与することができる。According to the black stripe of the present invention, on a substrate on which a negative resist pattern has been formed in advance,
Since the patterned black stripe is formed by using the coating liquid for forming a black stripe of the present invention, a required OD value can be obtained with a smaller film thickness than before, and the reflectance and the unit thickness per unit film thickness can be obtained. Both have excellent absorbance. Therefore, if this patterned black stripe is applied to a PDP, a transparent dielectric can be easily formed thereon by thinning the black stripe. Further, since the thickness of the transparent dielectric can be reduced, the transmittance of the panel can be improved, which can contribute to the improvement of the image quality of the PDP.
【0061】本発明のブラックストライプの製造方法に
よれば、感光性樹脂を用いて基板上にネガレジストパタ
ーンを形成し、次いで、本発明のブラックストライプ形
成用塗布液を塗布・乾燥し、次いで、400℃以上の温
度で焼成するので、パターン化されたブラックストライ
プを非常に簡易な工程で、しかも安全かつ低コストで作
製することができる。According to the method for producing a black stripe of the present invention, a negative resist pattern is formed on a substrate using a photosensitive resin, then the coating liquid for forming a black stripe of the present invention is applied and dried, Since the baking is performed at a temperature of 400 ° C. or more, a patterned black stripe can be manufactured in a very simple process at a safe and low cost.
【0062】また、前記感光性樹脂を、本発明のブラッ
クストライプ形成用塗布液に対して相溶性、反応性が無
く、かつ撥液性を有することとすれば、レジストパター
ン上に上記のブラックストライプ形成用塗布液が残存す
るおそれが無くなり、良好なパターンのブラックストラ
イプを得ることができる。If the photosensitive resin has no compatibility or reactivity with the coating liquid for forming a black stripe of the present invention and has liquid repellency, the above-mentioned black stripe can be formed on a resist pattern. There is no possibility that the coating liquid for formation remains, and a black stripe having a good pattern can be obtained.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 11/02 G02B 1/10 Z 5C040 Fターム(参考) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BA45 BA47 BA48 BB01 2K009 CC03 CC42 DD02 EE01 4G059 AA08 AB01 AB05 AC08 EA01 EA05 EB05 5C028 FF11 FF12 FF16 5C040 FA01 FA02 GH02 GH03 JA15 KA16 KA17 MA04 MA23 MA24 MA26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 11/02 G02B 1/10 Z 5C040 F-term (Reference) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BA45 BA47 BA48 BB01 2K009 CC03 CC42 DD02 EE01 4G059 AA08 AB01 AB05 AC08 EA01 EA05 EB05 5C028 FF11 FF12 FF16 5C040 FA01 FA02 GH02 GH03 JA15 KA16 KA17 MA04 MA23 MA24 MA26
Claims (10)
SiO2および有機溶剤を少なくとも含有することを特
徴とするブラックストライプ形成用塗布液。1. A Mn compound, a Cu compound, an Fe compound,
A coating liquid for forming a black stripe, comprising at least SiO 2 and an organic solvent.
nの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合
物、のいずれか1種であり、 前記Cu化合物は、Cuの有機酸塩、Cuの無機酸塩、
Cuの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1
種であり、 前記Fe化合物は、Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、
Feの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1
種であることを特徴とする請求項1記載のブラックスト
ライプ形成用塗布液。2. The Mn compound is an organic acid salt of Mn, M
an inorganic acid salt of n, an organic acid salt of Mn and a mixture of inorganic acid salts, wherein the Cu compound is an organic acid salt of Cu, an inorganic acid salt of Cu,
Any one of a mixture of an organic acid salt and an inorganic acid salt of Cu;
A seed, wherein the Fe compound is an organic acid salt of Fe, an inorganic acid salt of Fe,
Any one of a mixture of an organic acid salt and an inorganic acid salt of Fe;
The coating liquid for forming a black stripe according to claim 1, which is a seed.
加水分解されてなることを特徴とする請求項1または2
記載のブラックストライプ形成用塗布液。3. The SiO 2 is obtained by hydrolyzing an alkoxide of Si.
The coating solution for forming a black stripe according to the above.
ロトン性極性溶剤を含有することを特徴とする請求項
1、2または3記載のブラックストライプ形成用塗布
液。4. The coating liquid for forming a black stripe according to claim 1, wherein the organic solvent contains at least one kind of aprotic polar solvent.
の合計は、前記塗布液全重量に対し、酸化物に換算して
1〜20重量%であることを特徴とする請求項1ないし
4のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布
液。5. The method according to claim 1, wherein the total content of said Mn, Cu, Fe and Si is 1 to 20% by weight in terms of oxide based on the total weight of said coating solution. 5. The coating liquid for forming a black stripe according to any one of 4.
重量に対し、0.2〜5重量%であることを特徴とする
請求項1ないし5のいずれか1項記載のブラックストラ
イプ形成用塗布液。6. The black stripe formation according to claim 1, wherein the content of the SiO 2 is 0.2 to 5% by weight based on the total weight of the coating solution. Coating solution.
前記塗布液全重量に対し、1〜20重量%であることを
特徴とする請求項4、5または6記載のブラックストラ
イプ形成用塗布液。7. The content of the aprotic polar solvent is as follows:
The coating liquid for forming a black stripe according to claim 4, wherein the coating liquid is 1 to 20% by weight based on the total weight of the coating liquid.
された基板上に、請求項1ないし7のいずれか1項記載
のブラックストライプ形成用塗布液を用いてパターン化
されたブラックストライプが形成されてなることを特徴
とするブラックストライプ。8. A black stripe patterned using the coating liquid for forming a black stripe according to claim 1 is formed on a substrate on which a negative resist pattern has been previously formed. Black stripe characterized by becoming.
トパターンを形成し、次いで、請求項1〜7のいずれか
1項記載のブラックストライプ形成用塗布液を塗布・乾
燥し、次いで、400℃以上の温度で焼成することを特
徴とするブラックストライプの製造方法。9. A negative resist pattern is formed on a substrate using a photosensitive resin, and then the coating liquid for forming a black stripe according to claim 1 is applied and dried. A method for producing a black stripe, characterized by firing at a temperature of at least ℃.
ずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液と相
溶性、反応性が無く、かつ撥液性を有することを特徴と
する請求項9記載のブラックストライプの製造方法。10. The photosensitive resin according to claim 1, wherein the photosensitive resin has no compatibility or reactivity with the coating liquid for forming a black stripe, and has liquid repellency. Item 10. The method for producing a black stripe according to Item 9.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004334182A (en) * | 2003-04-18 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light shielding film for display device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5546410A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Hitachi Ltd | Constructing method of fluorescent screen for color picture tube |
JPH07172870A (en) * | 1993-12-15 | 1995-07-11 | Tsuchiya:Kk | Coating solution for forming antistatic coating film and glass with antistatic film using the same |
JPH09237570A (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | Colored composition for black matrix, manufacture of black matrix, luminescence flat panel display panel with shading black matrix |
JPH09245699A (en) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Futaba Corp | Black matrix for display device and its manufacture |
JP2000239044A (en) * | 1999-02-17 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of electronic rube with black membrane |
JP2001126627A (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | Thin panel display and method of fabricating it |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001152906A patent/JP3889244B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5546410A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Hitachi Ltd | Constructing method of fluorescent screen for color picture tube |
JPH07172870A (en) * | 1993-12-15 | 1995-07-11 | Tsuchiya:Kk | Coating solution for forming antistatic coating film and glass with antistatic film using the same |
JPH09237570A (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Dainichiseika Color & Chem Mfg Co Ltd | Colored composition for black matrix, manufacture of black matrix, luminescence flat panel display panel with shading black matrix |
JPH09245699A (en) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Futaba Corp | Black matrix for display device and its manufacture |
JP2000239044A (en) * | 1999-02-17 | 2000-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of electronic rube with black membrane |
JP2001126627A (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | Thin panel display and method of fabricating it |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004334182A (en) * | 2003-04-18 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light shielding film for display device |
JP4528548B2 (en) * | 2003-04-18 | 2010-08-18 | 富士フイルム株式会社 | Light shielding film for display device |
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