JP2002351056A - Method for producing photomask blank, photomask blank and method for producing photomask - Google Patents

Method for producing photomask blank, photomask blank and method for producing photomask

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JP2002351056A
JP2002351056A JP2001161768A JP2001161768A JP2002351056A JP 2002351056 A JP2002351056 A JP 2002351056A JP 2001161768 A JP2001161768 A JP 2001161768A JP 2001161768 A JP2001161768 A JP 2001161768A JP 2002351056 A JP2002351056 A JP 2002351056A
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JP
Japan
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photomask
photomask blank
glass substrate
substrate
conductive light
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Application number
JP2001161768A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Kuroda
昭雄 黒田
Yukio Nakashiba
行雄 中柴
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a photomask blank capable of producing a photomask having high accuracy of position, to provide such a photomask blank and to provide a method for producing such a photomask having high accuracy of position. SOLUTION: In the method for producing a photomask blank, an electrically conductive light shielding film is formed on the surface of one side of a glass substrate through a step for forming a light shielding material into a film while fixing the material on one side of the glass substrate by first substrate support parts and a step for forming a light shielding material into a film while fixing the material on the one side by second substrate support parts which do not overlap the first substrate support parts. In the method for producing a photomask, a photosensitive resin is disposed on the resulting photomask blank comprising the glass substrate and the electrically conductive light shielding film formed on the whole surface of one side of the substrate and exposure with an electron beam exposure system, development and etching are carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICその他の微細
なパターン露光に用いられるフォトマスクの製造に必要
な、パターン化前の材料であるフォトマスクブランクの
製造方法、及びフォトマスクブランク、それにフォトマ
スクの製造方法に関する技術に係る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a photomask blank, which is a material before patterning, necessary for manufacturing a photomask used for IC and other fine pattern exposure, a photomask blank, and a photomask. The present invention relates to a technique relating to a method for manufacturing a mask.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のフォトマスクブランクの製造方法
は、図12に示す様なホルダー21が用いられていた。
このホルダー21は、枠22にガラス基板12と同様な
形状の開口部24が設けられているが、開口部のみでは
ガラス基板が固定できないので、基板支持部23が四隅
に設けられていた。
2. Description of the Related Art A conventional photomask blank manufacturing method uses a holder 21 as shown in FIG.
In the holder 21, an opening 24 having a shape similar to that of the glass substrate 12 is provided in the frame 22, but since the glass substrate cannot be fixed only by the opening, the substrate supporting portions 23 are provided at the four corners.

【0003】この様なフォトマスクブランクを製造する
場合は、この開口部24にガラス基板12を填め込んだ
状態で成膜装置に入れ、物理的成膜法により導電性遮光
材料を飛ばしてガラス基板12の片面に導電性遮光膜1
3を成膜してフォトマスクブランク11を製造してい
た。その製造の結果、できあがったフォトマスクブラン
ク11は、片面の四隅を除いて導電性遮光膜13が成膜
されていた。
In order to manufacture such a photomask blank, the glass substrate 12 is inserted into the opening 24 and put into a film forming apparatus, and the conductive light-shielding material is removed by a physical film forming method. 12 has a conductive light shielding film 1 on one side.
3 was formed to produce the photomask blank 11. As a result of the manufacturing, the completed photomask blank 11 had the conductive light-shielding film 13 formed thereon except for four corners on one side.

【0004】さらに、その出来上がったフォトマスクブ
ランクの表面に感光性樹脂層を設ける。そこで、電子ビ
ーム照射装置によりパターン露光することにより照射部
分の感光性樹脂を感光させる。
Further, a photosensitive resin layer is provided on the surface of the completed photomask blank. Then, the photosensitive resin at the irradiated portion is exposed by pattern exposure using an electron beam irradiation device.

【0005】次に、感光した部分以外の感光性樹脂層の
みを取り除く露光を行う事によりパターン露光部分以外
のみを露出させる。そして、パターン露光部分以外のみ
を露出したフォトマスクブランクに導電性遮光膜をエッ
チッグする事により、パターン露光部分以外の導電性遮
光膜を除去する。
Next, by exposing only the photosensitive resin layer other than the exposed portions, only the portions other than the pattern exposed portions are exposed. Then, the conductive light-shielding film other than the pattern-exposed portion is removed by etching the conductive light-shielding film on the photomask blank exposing only the portion other than the pattern-exposed portion.

【0006】最後に、感光性樹脂を取り除くことによ
り、パターン露光した部分のみ導電性遮光膜が残ってい
るフォトマスクが製造されていた。
Finally, by removing the photosensitive resin, a photomask in which a conductive light-shielding film remains only in a portion exposed to a pattern has been manufactured.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクブ
ランク11は、図の如く四隅には導電性遮光膜13が成
膜されていない部分が設けられている。この様な導電性
遮光膜が成膜されていない部分はガラス基板12が直接
露出している。
The conventional photomask blank 11 has four corners on which no conductive light shielding film 13 is formed, as shown in the figure. The glass substrate 12 is directly exposed in a portion where such a conductive light shielding film is not formed.

【0008】ところで、電荷が電子ビーム照射その他の
原因により電荷がガラス基板12表面に発生する場合が
ある。しかし、ガラス基板12表面の導電性が低いた
め、発生した電荷が移動できず、いつまでも滞留する場
合がある。
In some cases, electric charges are generated on the surface of the glass substrate 12 due to electron beam irradiation or other causes. However, since the conductivity of the surface of the glass substrate 12 is low, the generated charges cannot move and may stay forever.

【0009】この様なガラス基板12表面の滞留電荷
は、電子ビーム露光のときに照射される電子に引力また
は斥力が働き、電子ビームの照射位置がずれる事とな
る。特に、高加速電圧での電子ビーム照射には、電荷の
影響は大きい。ところが、高加速電圧での電子ビーム照
射は位置精度を高める場合に多く用いられてきたため
に、問題が大きかった。
[0009] Such accumulated charges on the surface of the glass substrate 12 cause an attractive or repulsive force to act on the electrons irradiated at the time of electron beam exposure, so that the irradiation position of the electron beam shifts. Particularly, electron beam irradiation at a high accelerating voltage is greatly affected by electric charges. However, electron beam irradiation at a high accelerating voltage has been frequently used to improve positional accuracy, and thus has a serious problem.

【0010】この様な状況であるため、この様な位置精
度の高いフォトマスクが製造できるフォトマスクブラン
クの製造方法、およびその様なフォトマスクブランク、
ならびに、この様な位置精度の高いフォトマスクの製造
方法が求められていた。
Under such circumstances, a method of manufacturing a photomask blank capable of manufacturing a photomask having such high positional accuracy, and a method of manufacturing such a photomask blank,
In addition, there has been a demand for a method of manufacturing a photomask having such high positional accuracy.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、請求項1の発明においては、ガラス基板
片面に第一の基板支持部により固定した状態で遮光材料
を製膜する工程と、前記片面に前記第一の基板支持部と
重ならない第二の基板支持部により固定した状態で遮光
材料を製膜する工程により片面の表面に導電性遮光膜を
製膜するフォトマスクブランクの製造方法を提供するも
のである。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, according to the first aspect of the present invention, a light-shielding material is formed while being fixed to one surface of a glass substrate by a first substrate supporting portion. A photomask blank for forming a conductive light-shielding film on one surface by a process and a step of forming a light-shielding material in a state where the light-shielding material is fixed on the one surface by a second substrate support that does not overlap with the first substrate support. Is provided.

【0012】請求項2の発明においては、第一の基板支
持部と第二の基板支持部が相補的パターンである事を特
徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの製造方
法を提供するものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a photomask blank according to the first aspect, wherein the first substrate supporting portion and the second substrate supporting portion have complementary patterns. It is.

【0013】請求項3の発明においては、ガラス基板と
その片面の表面全面に導電性遮光膜が設けられているフ
ォトマスクブランクを提供するものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a photomask blank in which a conductive light-shielding film is provided on the entire surface of one surface of a glass substrate.

【0014】請求項4の発明においては、ガラス基板と
その片面の表面全面に導電性遮光膜が設けられているフ
ォトマスクブランクの上に感光性樹脂を載せ、電子ビー
ム露光装置により露光、現像、エッチングする事を特徴
とするフォトマスクの製造方法を提供するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, a photosensitive resin is placed on a glass substrate and a photomask blank in which a conductive light-shielding film is provided on the entire surface of one side of the glass substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photomask characterized by etching.

【0015】請求項1のフォトマスクブランクの製造方
法を用いることにより、電子ビーム照射時に正確な描画
が可能なフォトマスクの製造を可能とするフォトマスク
ブランクの製造方法が可能になるものである。
By using the method for manufacturing a photomask blank according to the first aspect, a method for manufacturing a photomask blank capable of manufacturing a photomask capable of accurately drawing upon irradiation with an electron beam becomes possible.

【0016】請求項2のフォトマスクブランクの製造方
法を用いることにより、請求項1記載の効果に加え、材
料に無駄がなく、また、精度良いパターン化が可能なフ
ォトマスクの製造を可能とするフォトマスクブランクの
製造方法が可能になるものである。
By using the method for manufacturing a photomask blank according to the second aspect, in addition to the effects described in the first aspect, it is possible to manufacture a photomask capable of forming a pattern with high accuracy without waste of material. This enables a method for manufacturing a photomask blank.

【0017】請求項3のフォトマスクブランクを用いる
ことにより、電子ビーム照射時に正確な描画が可能なフ
ォトマスクの製造を可能とするフォトマスクブランクの
提供が可能になるものである。
By using the photomask blank of the third aspect, it is possible to provide a photomask blank capable of manufacturing a photomask capable of accurately drawing upon irradiation with an electron beam.

【0018】請求項4のフォトマスクの製造方法を用い
ることにより、正確なパターンとなっているフォトマス
クを製造する事が可能になるものである。
By using the method for manufacturing a photomask according to the fourth aspect, it is possible to manufacture a photomask having an accurate pattern.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明のフォトマスクブランクの
製造方法は、まず、図3に示す様なホルダー23を用い
て第1の導電性遮光膜14の製造がなされていた。この
ホルダー21は、枠22にガラス基板12と同様な形状
の開口部24が設けられているが、開口部のみではガラ
ス基板が固定できないので、基板支持部23が四隅に設
けられていた。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a method of manufacturing a photomask blank according to the present invention, first, a first conductive light-shielding film 14 is manufactured using a holder 23 as shown in FIG. In the holder 21, an opening 24 having a shape similar to that of the glass substrate 12 is provided in the frame 22, but since the glass substrate cannot be fixed only by the opening, the substrate supporting portions 23 are provided at the four corners.

【0020】この場合は、この開口部24にガラス基板
12を填め込んだ状態で成膜装置に入れ、物理的成膜
法、本実施例ではスパッタリングにより導電性遮光材料
を飛ばして、図2の様なガラス基板12の片面に第1の
導電性遮光膜14を成膜したガラス基板16を製造して
いた。
In this case, the glass substrate 12 is inserted into the opening 24 and put into a film forming apparatus, and the conductive light-shielding material is removed by a physical film forming method, in this embodiment, sputtering. A glass substrate 16 having a first conductive light-shielding film 14 formed on one surface of such a glass substrate 12 has been manufactured.

【0021】次に、図4に示す様なホルダー25を用い
て第2の導電性遮光膜14の製造がなされていた。この
ホルダー25は、枠26にガラス基板12と同様な形状
の開口部29が設けられているが、開口部のみではガラ
ス基板が固定できないので、基板支持部27が四隅以外
に設けられていた。
Next, the second conductive light-shielding film 14 was manufactured using the holder 25 as shown in FIG. In the holder 25, an opening 29 having a shape similar to that of the glass substrate 12 is provided in the frame 26. However, the glass substrate cannot be fixed only by the opening, and therefore, the substrate supporting portions 27 are provided at positions other than the four corners.

【0022】なお、実際の支持には面積が大きすぎるの
で、実際に接触させるのは突起部28によって支持して
いる。この場合は、この開口部29に第1の導電性遮光
膜14を成膜したガラス基板16を填め込んだ状態で成
膜装置に入れ、物理的成膜法により導電性遮光材料を飛
ばして、図1の様なガラス基板12の片面に第2の導電
性遮光膜15を成膜し、導電性遮光膜13を製造してい
た。
Since the area is too large for the actual support, the actual contact is supported by the projections 28. In this case, the glass substrate 16 on which the first conductive light-shielding film 14 is formed is inserted into the opening 29 and the film is placed in a film forming apparatus, and the conductive light-shielding material is skipped by a physical film forming method. A second conductive light-shielding film 15 is formed on one surface of a glass substrate 12 as shown in FIG.

【0023】結果、できあがったフォトマスクブランク
11は、片面の四隅は第2の導電性遮光膜15、四隅を
除いては第1の導電性遮光膜14が成膜されているため
に、両方併せて全面に導電性遮光膜13が設けられてい
た。
As a result, the completed photomask blank 11 has the second conductive light-shielding film 15 at four corners on one side, and the first conductive light-shielding film 14 except for the four corners. Thus, the conductive light-shielding film 13 was provided on the entire surface.

【0024】次に、この様なフォトマスクブランクを用
いたフォトマスクの製造方法につき以下説明する。
Next, a method of manufacturing a photomask using such a photomask blank will be described below.

【0025】フォトマスクブランクは、図5に示される
様に、ガラス基板31上に導電性遮光膜32が成膜され
ている。さらに、そのフォトマスクブランクの表面にあ
る導電性遮光膜32上に、図6に示す様に、感光性樹脂
層33を設ける。そこで、電子ビーム照射装置によりパ
ターン露光することにより図7に示す様に、感光性樹脂
層33が、露光済み感光性樹脂層34と未露光感光性樹
脂層35に分かれる。
The photomask blank has a conductive light shielding film 32 formed on a glass substrate 31 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 6, a photosensitive resin layer 33 is provided on the conductive light shielding film 32 on the surface of the photomask blank. Then, the photosensitive resin layer 33 is divided into an exposed photosensitive resin layer 34 and an unexposed photosensitive resin layer 35 as shown in FIG. 7 by pattern exposure using an electron beam irradiation device.

【0026】次に、図8に示す様に、未露光感光性樹脂
層35のみを取り除く露光を行う事により、露光済み感
光性樹脂層34がない部分の導電性遮光膜32を露出さ
せる。そして、図9に示す様に、エッチングを行う事に
より露光済み感光性樹脂層34がない部分の導電性遮光
膜32を除去し、導電性遮光膜32をパターン的に除去
する。
Next, as shown in FIG. 8, exposure is performed to remove only the unexposed photosensitive resin layer 35, thereby exposing the conductive light-shielding film 32 where there is no exposed photosensitive resin layer 34. Then, as shown in FIG. 9, the portion of the conductive light-shielding film 32 where there is no exposed photosensitive resin layer 34 is removed by etching, and the conductive light-shielding film 32 is removed in a pattern.

【0027】最後に、図10に示す様に露光済み感光性
樹脂層34を取り除くことにより、パターン露光した部
分のみ導電性遮光膜32が残っているフォトマスクが製
造される。
Finally, as shown in FIG. 10, by removing the exposed photosensitive resin layer 34, a photomask in which the conductive light-shielding film 32 remains only in the pattern-exposed portion is manufactured.

【0028】なお、本発明におけるガラス基板は、ソー
ダライムガラス、石英ガラスなど露光に用いられる光を
通す各種のガラス基板が使用可能であり、その種類を問
うものではない。また、導電性遮光膜は、露光光を通さ
ないとともに、少なくとも電荷の滞留が問題にならない
程度以上の導電性を有するもので有ればよい。
As the glass substrate in the present invention, various glass substrates such as soda lime glass and quartz glass that transmit light used for exposure can be used, and the type is not limited. Further, the conductive light-shielding film only needs to be one that does not allow exposure light to pass through and has at least conductivity that does not cause a problem of stagnation of charges.

【0029】従って、クロム、酸化クロムなどに限ら
ず、各種の金属や金属酸化物が用いられる。また、遮光
材料は、その遮光材料自体が導電性または遮光性を有す
る必要はなく、膜形成した状態で導電遮光性を有する材
料であれば良い。
Therefore, not only chromium and chromium oxide, but also various metals and metal oxides are used. Further, the light-shielding material does not need to have conductivity or light-shielding property itself, and may be a material having conductive light-shielding property in a film-formed state.

【0030】さらに、本発明による製膜方法は、ガラス
基板を基板支持部により固定する必要がある製膜方法に
係るものであれば、物理的気相製膜法(PVD)、化学
的的気相製膜法(CVD)など種類を問うものではな
い。また、PVDでも、真空蒸着、スパッタリングなど
各種の方法が使用可能である。
Furthermore, the film forming method according to the present invention may be a physical vapor deposition method (PVD), a chemical vapor deposition method, or the like, if it relates to a film forming method in which a glass substrate needs to be fixed by a substrate support. It does not matter what kind such as the phase film forming method (CVD). Also, various methods such as vacuum deposition and sputtering can be used for PVD.

【0031】さらに、スパッタリングでも、単なるスパ
ッタリングだけではなく、イオンアシスト、各種の気体
アシスト、プラズマアシストなどの各種スパッタリング
を用いるのが可能である。しかし、その製膜精度、製造
価格などの点で、スパッタリングを用いるのが一般的で
ある。
Further, in sputtering, not only simple sputtering but also various sputtering such as ion assist, various gas assists, and plasma assist can be used. However, it is common to use sputtering in terms of film forming accuracy, manufacturing cost, and the like.

【0032】さらに、基板支持は、ホルダー、トレイ、
直接支持など、各種の支持方法があるが、基板支持部が
必要な各種方法が用いられる。なお、基板支持は、基板
の大きさが変わってもホルダーの変更のみで対応できる
ホルダー支持方式が一般的である。
Further, the substrate is supported by a holder, a tray,
Although there are various support methods such as direct support, various methods requiring a substrate support portion are used. Note that the substrate support is generally of a holder support type that can be used only by changing the holder even if the size of the substrate changes.

【0033】また、第一の支持基板部と第二の支持基板
部が重ならないものであれば、第一の支持基板部と第二
の支持基板部どちらにも含まれない部分があっても良
い。しかし、その両方に含まれない部分は導電遮光膜が
他の部分の導電遮光膜より厚くなる。
If the first support substrate and the second support substrate do not overlap each other, even if there is a part that is not included in either the first support substrate or the second support substrate. good. However, the conductive light-shielding film in a portion not included in both of them is thicker than the conductive light-shielding film in the other portion.

【0034】従って、その部分の導電遮光膜のエッチン
グに時間がかかるとともに、材料費が高くなるととも
に、サイドエッチ量が多くなるためにパターン精度の低
下の原因となる。そこで、その両方に含まれない部分は
最小限にとどめるのが好ましい。
Therefore, it takes time to etch the conductive light-shielding film in that portion, the material cost increases, and the amount of side etching increases, which causes a decrease in pattern accuracy. Therefore, it is preferable to minimize the portions not included in both.

【0035】また、このため、第一の支持基板部と第二
の支持基板部が、重なりや、どちらにも含まれない部分
がない、相補的パターンである事で容易に実現できる。
なお、第一の支持基板部と第二の支持基板部の境界は原
理的にはどこでも良い。
In addition, the first and second support substrate portions can be easily realized by a complementary pattern in which there is no overlap or a portion not included in either of them.
The boundary between the first support substrate and the second support substrate may be anywhere in principle.

【0036】しかし、なるべく実際のフォトマスクでパ
ターン化に用いられる領域にはかからない方が好まし
い。なぜなら、境界領域における導電遮光膜の厚さを他
の部分と同じにするのは容易ではないためである。
However, it is preferable not to cover an area used for patterning with an actual photomask as much as possible. This is because it is not easy to make the thickness of the conductive light-shielding film in the boundary region the same as the other portions.

【0037】また、本実施の形態では、第一の支持基板
部として四隅に設け、第二の支持基板部として四隅以外
としたが、逆でもよく、また、第一の支持基板部として
四辺等を利用するものでも良いが、ガラス基板の支持が
可能な形態である必要がある。
In this embodiment, the first support substrate is provided at the four corners, and the second support substrate is provided at a position other than the four corners. May be used, but it must be in a form capable of supporting a glass substrate.

【0038】なお、支持基板部としては、すべての部分
がガラス基板の支持に必要である必要はなく、本実施例
の第二の支持基板部の様に、実際の支持に役立つのはそ
の突起部のみであり、他の部分は単に遮蔽機能のみを果
たす構造のものでも構わない。
It is not necessary that all portions of the support substrate are necessary for supporting the glass substrate. Like the second support substrate of the present embodiment, the projections are useful for the actual support. Only the part may be used, and the other part may have a structure that merely performs the shielding function.

【0039】さらに、本実施の形態では、感光性樹脂は
実は電子線に対して反応する樹脂であり、感電子線樹脂
とでもいうべきものであるが、このような場合を含めて
感光性樹脂という用語を用いるので本発明でも感光性樹
脂という用語で説明した。同様に、電子線の描画の場合
も露光という用語を慣例に従い用いたが、当然この電子
をもって光とみなした用語であり、他の用語もそれに準
じた表現となっている。
Further, in the present embodiment, the photosensitive resin is a resin which actually reacts to an electron beam and should be referred to as an electron beam resin. In the present invention, the term "photosensitive resin" is used. Similarly, in the case of drawing an electron beam, the term “exposure” is used in accordance with a custom, but it is natural that the electron is regarded as light, and the other terms are expressed in accordance with it.

【0040】従って、本発明の感光性樹脂としては、電
子線感応性があれば、光や紫外線、その他熱などの感応
性の有無は問わない。
Therefore, as long as the photosensitive resin of the present invention has electron beam sensitivity, it does not matter whether it is sensitive to light, ultraviolet rays, heat or the like.

【0041】また、感光部分が電子線により感光し、露
光し現像によりパターン化する感光性樹脂で説明した
が、露光部分が現像により溶解し、露光しない部分がパ
ターン化する形式の感光性樹脂でも良い。しかし、露光
部分が現像により溶解し、露光しない部分がパターン化
する形式の感光性樹脂では描画部分がおおくなり、一般
的に実用的ではない。
Although the photosensitive resin exposed to an electron beam and exposed to light and patterned by development has been described, a photosensitive resin in which the exposed part is dissolved by development and the unexposed part is patterned may be used. good. However, in the case of a photosensitive resin in which an exposed portion is dissolved by development and a non-exposed portion is patterned, the drawing portion is often large and is not generally practical.

【0042】さらに、感光した部分の現像は、確実にパ
ターン化するために定着処理などの各種処理を行った上
で行う場合も少なくない。
Further, in many cases, the development of the exposed portion is performed after various processes such as a fixing process are performed in order to surely perform patterning.

【0043】エッチング処理も、各種のエッチング液、
温度や濃度等のエッチング条件を用いることが可能だ
が、一般的にサイドエッチが少ない、エッチング形状が
良好、エッチング速度が高いなどの各種の要件により、
導電性遮光膜の材質に応じて各種選択される。また、プ
ラズマを用いたドライエッチングも行われている。
The etching process is also performed with various etching solutions,
Although it is possible to use etching conditions such as temperature and concentration, generally, due to various requirements such as a small side etch, a good etching shape, and a high etching rate,
Various types are selected according to the material of the conductive light-shielding film. Dry etching using plasma is also performed.

【0044】[0044]

【実施例】正方形(一辺15.2cm、厚さ6.35m
m)の石英ガラス基板を、スパッタリング装置内の製膜
場所に、図3のホルダーを用いて固定し、Crからなる
ターゲットをセットし、スパッタリングを行い、第一の
基板支持部以外のガラス基板表面に100nmのクロム
膜を形成した。
[Example] Square (15.2 cm on a side, 6.35 m in thickness)
m) The quartz glass substrate is fixed to the film forming place in the sputtering apparatus using the holder shown in FIG. 3, a target made of Cr is set, sputtering is performed, and the surface of the glass substrate other than the first substrate supporting portion is set. A chromium film having a thickness of 100 nm was formed.

【0045】さらに、同様の条件にてホルダーのみを図
4のものに替えて、第二の基板支持部以外のガラス基板
表面に100nmのクロム膜を形成した。
Further, a chromium film of 100 nm was formed on the surface of the glass substrate other than the second substrate supporting portion, except that only the holder was replaced with that shown in FIG. 4 under the same conditions.

【0046】結果、ガラス基板全面にほぼ均一に100
nmのクロム膜を形成することが出来、この様なフォト
マスクブランクが得られた。
As a result, almost 100
A chromium film having a thickness of nm could be formed, and such a photomask blank was obtained.

【0047】次に、このフォトマスクブランクの上に、
電子線感光性樹脂(日本ゼオン株式会社製ZEP700
0)を厚さ500nmスピンコーターで塗ったあとで、
乾燥工程により感光性樹脂をフォトマスクブランク全面
に形成した。
Next, on this photomask blank,
Electron beam photosensitive resin (ZEP700 manufactured by Zeon Corporation)
0) with a 500 nm thick spin coater,
A photosensitive resin was formed on the entire surface of the photomask blank by a drying process.

【0048】さらに、電子ビーム露光装置にセットし、
加速電圧50kVにて描画した。その後で定着液にて定
着したあと、現像液にて未露光部分の電子線感光性樹脂
を除去して、パターン化した。
Further, it is set in an electron beam exposure apparatus,
Drawing was performed at an acceleration voltage of 50 kV. Then, after fixing with a fixing solution, the unexposed portion of the electron beam photosensitive resin was removed with a developing solution to form a pattern.

【0049】この様なフォトマスクブランクをエッチン
グし、Cr上にパターン化した。最後に、未露光部分の
電子線感光性樹脂を除去液にて除去したあとで、乾燥工
程によりパターン化済みのフォトマスを得た。
Such a photomask blank was etched and patterned on Cr. Finally, after removing the unexposed portions of the electron beam photosensitive resin with a removing liquid, a patterned photomass was obtained by a drying step.

【0050】このようなフォトマスクは、描画位置精度
が最大ずれ量にして0.025μmであった。従来例の
フォトマスクは、描画位置精度が最大ずれ量にして0.
122μmであったから、相当程度描画位置精度が向上
したといえる。
In such a photomask, the writing position accuracy was 0.025 μm as the maximum deviation amount. In the conventional photomask, the writing position accuracy is set to 0.
Since it was 122 μm, it can be said that the drawing position accuracy was considerably improved.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビーム照射時に正確な描画が可能になるものであ
り、これによってさらに精度の良い半導体装置を得られ
る可能性が高くなったものであるとともに、これにより
描画が容易となる可能性がある。
As described above, according to the present invention,
This enables accurate drawing at the time of electron beam irradiation, thereby increasing the possibility that a more accurate semiconductor device can be obtained, and may also facilitate drawing.

【0052】従って、それにより描画価格の低下、収率
の改善、描画技術の熟練度の低いものでも作業が可能に
なる。従来描画が困難であったフォトマスクの製造を可
能とする可能性があるなど、多くのフォトマスの製造方
法が可能になるものである。
Accordingly, it becomes possible to lower the drawing price, improve the yield, and work even with a low level of skill in the drawing technique. Many photomass manufacturing methods are possible, such as the possibility of manufacturing a photomask that has been difficult to draw conventionally.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明における実施例のフォトマスクブラン
クの正面図である。
FIG. 1 is a front view of a photomask blank according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1のフォトマスクブランクの製造途中の正
面図である。
FIG. 2 is a front view of the photomask blank of FIG. 1 in the process of being manufactured.

【図3】 図1のフォトマスクブランクの製造に用いら
れるホルダーの正面図である。
FIG. 3 is a front view of a holder used for manufacturing the photomask blank of FIG.

【図4】 図1のフォトマスクブランクの製造に用いら
れる図3とは別のホルダーの正面図である。
FIG. 4 is a front view of another holder different from FIG. 3 used for manufacturing the photomask blank of FIG. 1;

【図5】 本発明における実施例のフォトマスクブラン
クの概念断面図である。
FIG. 5 is a conceptual sectional view of a photomask blank according to an example of the present invention.

【図6】 図5のフォトマスクブランクを用いたフォト
マスクの製造方法の概念断面図である。
6 is a conceptual cross-sectional view of a method for manufacturing a photomask using the photomask blank of FIG.

【図7】 図5のフォトマスクブランクを用いたフォト
マスクの製造方法の概念断面図である。
7 is a conceptual cross-sectional view of a method for manufacturing a photomask using the photomask blank of FIG.

【図8】 図5のフォトマスクブランクを用いたフォト
マスクの製造方法の概念断面図である。
8 is a conceptual sectional view of a method for manufacturing a photomask using the photomask blank of FIG.

【図9】 図5のフォトマスクブランクを用いたフォト
マスクの製造方法の概念断面図である。
9 is a conceptual cross-sectional view of a method for manufacturing a photomask using the photomask blank of FIG.

【図10】 図5のフォトマスクブランクを用いたフォ
トマスクの製造方法の概念断面図である。
10 is a conceptual cross-sectional view of a method for manufacturing a photomask using the photomask blank of FIG.

【図11】 本発明と対比されるべき従来例のフォトマ
スクブランクの正面図である。
FIG. 11 is a front view of a conventional photomask blank to be compared with the present invention.

【図12】 図11のフォトマスクブランクの製造に用
いられるホルダーの正面図である。
12 is a front view of a holder used for manufacturing the photomask blank of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11……フォトマスクブランク 12……ガラス基板 13……導電性遮光膜 21……ホルダー 22……枠 23……基板支持部 24……開口部 31……ガラス基板 32……導電性遮光膜 33……感光性樹脂層 34……露光済み感光性樹脂層 35……未露光感光性樹脂層 11 Photomask blank 12 Glass substrate 13 Conductive light-shielding film 21 Holder 22 Frame 23 Substrate support 24 Opening 31 Glass substrate 32 Conductive light-shielding film 33 ...... photosensitive resin layer 34 exposed photosensitive resin layer 35 unexposed photosensitive resin layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ガラス基板片面に第一の基板支持部により
固定した状態で遮光材料を製膜する工程と、前記片面に
前記第一の基板支持部と重ならない第二の基板支持部に
より固定した状態で遮光材料を製膜する工程により片面
の表面に導電性遮光膜を製膜するフォトマスクブランク
の製造方法。
A step of forming a light-shielding material while fixing the glass substrate to one surface of the glass substrate by a first substrate support; and fixing the film to the one surface of the glass substrate by a second substrate support that does not overlap the first substrate support. A method for producing a photomask blank in which a conductive light-shielding film is formed on one surface by a step of forming a light-shielding material in a state of being formed.
【請求項2】第一の基板支持部と第二の基板支持部が相
補的パターンである事を特徴とする請求項1記載のフォ
トマスクブランクの製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the first substrate support and the second substrate support have complementary patterns.
【請求項3】ガラス基板とその片面の表面全面に導電性
遮光膜が設けられているフォトマスクブランク。
3. A photomask blank comprising a glass substrate and a conductive light-shielding film provided on one entire surface of the glass substrate.
【請求項4】ガラス基板とその片面の表面全面に導電性
遮光膜が設けられているフォトマスクブランクの上に感
光性樹脂を載せ、電子ビーム露光装置により露光、現
像、エッチングする事を特徴とするフォトマスクの製造
方法。
4. A photosensitive resin is placed on a glass substrate and a photomask blank provided with a conductive light-shielding film on the entire surface of one surface thereof, and is exposed, developed, and etched by an electron beam exposure apparatus. Manufacturing method of a photomask.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028631A (en) * 2010-07-26 2012-02-09 Asahi Glass Co Ltd Method of manufacturing reflective mask blank for euv lithography

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