JP2002333412A - 電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料、および該標準試料の製造方法 - Google Patents
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料、および該標準試料の製造方法Info
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- JP2002333412A JP2002333412A JP2001139709A JP2001139709A JP2002333412A JP 2002333412 A JP2002333412 A JP 2002333412A JP 2001139709 A JP2001139709 A JP 2001139709A JP 2001139709 A JP2001139709 A JP 2001139709A JP 2002333412 A JP2002333412 A JP 2002333412A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】所望の材料や分析条件によって分析領域を高精
度に実測することができ、分析精度や信頼性の向上を図
ることが可能となる電子プローブマイクロアナライザー
（ＥＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試
料の製造方法を提供する。 【解決手段】電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検
出して分析領域を測定する電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料において、前記試料は、基板上に被
分析薄膜が形成され、該被分析薄膜の膜厚または膜の幅
が一様な割合で漸次変化している構成を有し、または被
分析元素からなるバルク試料の一部の試料厚みまたは試
料幅が、漸次変化しており、または被分析元素からなる
試料全体が、その試料厚みまたは試料幅が漸次変化する
ように構成する。
度に実測することができ、分析精度や信頼性の向上を図
ることが可能となる電子プローブマイクロアナライザー
（ＥＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試
料の製造方法を提供する。 【解決手段】電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検
出して分析領域を測定する電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料において、前記試料は、基板上に被
分析薄膜が形成され、該被分析薄膜の膜厚または膜の幅
が一様な割合で漸次変化している構成を有し、または被
分析元素からなるバルク試料の一部の試料厚みまたは試
料幅が、漸次変化しており、または被分析元素からなる
試料全体が、その試料厚みまたは試料幅が漸次変化する
ように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いて行
う電子プローブマイクロアナライザー（以下、これをＥ
ＰＭＡと記す。）用の標準試料および該ＥＰＭＡ用標準
試料の製造方法に関し、特に分析領域（分析深さ、分析
幅）を実測するためのＥＰＭＡ用の標準試料の改善を目
指すものである。
う電子プローブマイクロアナライザー（以下、これをＥ
ＰＭＡと記す。）用の標準試料および該ＥＰＭＡ用標準
試料の製造方法に関し、特に分析領域（分析深さ、分析
幅）を実測するためのＥＰＭＡ用の標準試料の改善を目
指すものである。
【０００２】
【従来の技術】電子線を試料に照射し、試料内で発生す
る特性Ｘ線を分光し、元素分析を行うＥＰＭＡは、サブ
ミクロンからミクロンオーダーの平均組成分析を行う手
段として、金属・半導体・各種絶縁材料などに広く利用
されている。分析としては、点分析による組成分析が最
も基本的なものとなるが、電子プローブを線状に移動さ
せたり、面内を走査しながらの元素分析を行ったりする
ことができる。また、電子線の加速電圧を変化させるこ
とにより、分析深さを調整できるため、各種デバイスな
どを非破壊で深さ方向に分析するなども可能である。こ
のような線・面分析や深さ方向分析を精度よく行う際
に、分析領域（深さ、幅）を把握しておくことは極めて
重要である。
る特性Ｘ線を分光し、元素分析を行うＥＰＭＡは、サブ
ミクロンからミクロンオーダーの平均組成分析を行う手
段として、金属・半導体・各種絶縁材料などに広く利用
されている。分析としては、点分析による組成分析が最
も基本的なものとなるが、電子プローブを線状に移動さ
せたり、面内を走査しながらの元素分析を行ったりする
ことができる。また、電子線の加速電圧を変化させるこ
とにより、分析深さを調整できるため、各種デバイスな
どを非破壊で深さ方向に分析するなども可能である。こ
のような線・面分析や深さ方向分析を精度よく行う際
に、分析領域（深さ、幅）を把握しておくことは極めて
重要である。
【０００３】これまで、分析領域を把握する方法として
は、いわゆる、図８に示すようなモンテカルロシミュレ
ーション法によるものがある。この方法は、原子番号、
加速電圧などの情報から入射電子の浸入領域を算出し、
市販装置にも搭載されている。また、Ｘ線の最大深さを
求める計算式としては、Ｃａｓｔａｉｎｇの式と呼ばれ
る計算式により表されることが知られている。これは次
式のように表される。 Ｒ＝０．０３３Ａ（Ｖ0 1.7−ＶK 1.7）／ρＺ （１） ここで、ＲはＸ線発生の最大深さ（μｍ）、Ａは原子
量、Ｚは原子番号、ρは密度、Ｖ0は加速電圧（ｋ
Ｖ）、ＶKは特性Ｘ線の最小励起電圧（ｋＶ）である。
は、いわゆる、図８に示すようなモンテカルロシミュレ
ーション法によるものがある。この方法は、原子番号、
加速電圧などの情報から入射電子の浸入領域を算出し、
市販装置にも搭載されている。また、Ｘ線の最大深さを
求める計算式としては、Ｃａｓｔａｉｎｇの式と呼ばれ
る計算式により表されることが知られている。これは次
式のように表される。 Ｒ＝０．０３３Ａ（Ｖ0 1.7−ＶK 1.7）／ρＺ （１） ここで、ＲはＸ線発生の最大深さ（μｍ）、Ａは原子
量、Ｚは原子番号、ρは密度、Ｖ0は加速電圧（ｋ
Ｖ）、ＶKは特性Ｘ線の最小励起電圧（ｋＶ）である。
【０００４】さらに、式（１）から次式（２）を求め、 Ｖ0＝（ρＺＲ／０．０３３Ａ＋ＶK 1.7）1/1.7 （２） 分析元素ごとの加速電圧を設定することにより、同一の
発生深さＲから各元素の特性Ｘ線を検出することを可能
にし、深さ方向の分析精度を向上させている手法も開示
されている（特開平０６−３２５７２０号公報参照）。
発生深さＲから各元素の特性Ｘ線を検出することを可能
にし、深さ方向の分析精度を向上させている手法も開示
されている（特開平０６−３２５７２０号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記計
算による分析領域の把握は、大まかな分析領域の情報は
与えるものの、実際の分析領域は、試料の組成や密度に
大きく依存し、これをシミュレーションによって把握す
るには限界があった。また、薄膜などの分析を行う場合
には、下地基板による反射電子の影響によって、分析領
域は影響を受け、特に薄膜よりも原子番号の大きな材料
から基板が構成されていると、基板からの反射電子の影
響により、特に横方向の分析領域はやや大きなものとな
ることが考えられる。このような影響は、上記シミュレ
ーションでは、考慮されていない。
算による分析領域の把握は、大まかな分析領域の情報は
与えるものの、実際の分析領域は、試料の組成や密度に
大きく依存し、これをシミュレーションによって把握す
るには限界があった。また、薄膜などの分析を行う場合
には、下地基板による反射電子の影響によって、分析領
域は影響を受け、特に薄膜よりも原子番号の大きな材料
から基板が構成されていると、基板からの反射電子の影
響により、特に横方向の分析領域はやや大きなものとな
ることが考えられる。このような影響は、上記シミュレ
ーションでは、考慮されていない。
【０００６】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、所望の材料や分析条件によって分析領
域を高精度に実測することができ、分析精度や信頼性の
向上を図ることが可能となる電子プローブマイクロアナ
ライザー（ＥＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ
用標準試料の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
る課題を解決し、所望の材料や分析条件によって分析領
域を高精度に実測することができ、分析精度や信頼性の
向上を図ることが可能となる電子プローブマイクロアナ
ライザー（ＥＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ
用標準試料の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、つぎの（１）〜（１８）のように構成し
た電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）用の
標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試料の製造方法を提
供するものである。 （１）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出して
分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザー
用の標準試料において、前記試料は、基板上に被分析薄
膜が形成され、該被分析薄膜の膜厚または膜の幅が一様
な割合で漸次変化している構成を有することを特徴とす
る電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 （２）前記膜厚または前記膜の幅が、連続的に変化して
いることを特徴とする上記（１）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （３）前記膜厚または前記膜の幅が、段階的に変化して
いることを特徴とする上記（１）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （４）前記膜厚または前記膜の幅が、少なくとも０．０
１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とする
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の電子プローブマ
イクロアナライザー用の標準試料。 （５）前記基板は、表面の平坦性の高い材料で構成され
ていることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか
に記載の電子プローブマイクロアナライザー用の標準試
料。 （６）前記基板が、前記被分析薄膜を構成する材料と近
い原子番号の材料で構成されていることを特徴とする上
記（１）〜（５）のいずれかに記載の電子プローブマイ
クロアナライザー用の標準試料。 （７）前記試料が、種々の被分析薄膜と基板との組合せ
によって標準試料群として構成されていることを特徴と
する上記（１）〜（５）のいずれかに記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （８）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出して
分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザー
用の標準試料において、前記試料は、被分析元素からな
るバルク試料の一部の試料厚みまたは試料幅が、漸次変
化していることを特徴とする電子プローブマイクロアナ
ライザー用の標準試料。 （９）前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に変化して
いることを特徴とする上記（８）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （１０）前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に変化し
ていることを特徴とする上記（８）に記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１１）前記試料厚みまたは試料幅が、少なくとも０．
０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とす
る上記（８）〜（１０）のいずれかに記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１２）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出し
て分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザ
ー用の標準試料において、前記試料は、被分析元素から
なる試料全体が、その試料厚みまたは試料幅が漸次変化
していることを特徴とする電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料。 （１３）前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に変化し
ていることを特徴とする上記（１２）に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１４）前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に変化し
ていることを特徴とする上記（１２）に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１５）前記試料厚みまたは試料幅が、少なくとも０．
０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とす
る上記（１２）〜（１４）のいずれかに記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１６）前記試料は、試料サイズが３００μｍ以下で、
軽元素からなる支持膜上に固定されていることを特徴と
する上記（１２）〜（１５）のいずれかに記載の電子プ
ローブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１７）上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集束イ
オンビームを用いて作製することを特徴とする電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方法。 （１８）上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集束イ
オンビームとマイクロサンプリングあるいはリフトアウ
ト法を用いて作製することを特徴とする電子プローブマ
イクロアナライザー用の標準試料の製造方法。
決するために、つぎの（１）〜（１８）のように構成し
た電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）用の
標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試料の製造方法を提
供するものである。 （１）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出して
分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザー
用の標準試料において、前記試料は、基板上に被分析薄
膜が形成され、該被分析薄膜の膜厚または膜の幅が一様
な割合で漸次変化している構成を有することを特徴とす
る電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 （２）前記膜厚または前記膜の幅が、連続的に変化して
いることを特徴とする上記（１）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （３）前記膜厚または前記膜の幅が、段階的に変化して
いることを特徴とする上記（１）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （４）前記膜厚または前記膜の幅が、少なくとも０．０
１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とする
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の電子プローブマ
イクロアナライザー用の標準試料。 （５）前記基板は、表面の平坦性の高い材料で構成され
ていることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか
に記載の電子プローブマイクロアナライザー用の標準試
料。 （６）前記基板が、前記被分析薄膜を構成する材料と近
い原子番号の材料で構成されていることを特徴とする上
記（１）〜（５）のいずれかに記載の電子プローブマイ
クロアナライザー用の標準試料。 （７）前記試料が、種々の被分析薄膜と基板との組合せ
によって標準試料群として構成されていることを特徴と
する上記（１）〜（５）のいずれかに記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （８）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出して
分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザー
用の標準試料において、前記試料は、被分析元素からな
るバルク試料の一部の試料厚みまたは試料幅が、漸次変
化していることを特徴とする電子プローブマイクロアナ
ライザー用の標準試料。 （９）前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に変化して
いることを特徴とする上記（８）に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 （１０）前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に変化し
ていることを特徴とする上記（８）に記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１１）前記試料厚みまたは試料幅が、少なくとも０．
０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とす
る上記（８）〜（１０）のいずれかに記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１２）電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検出し
て分析領域を測定する電子プローブマイクロアナライザ
ー用の標準試料において、前記試料は、被分析元素から
なる試料全体が、その試料厚みまたは試料幅が漸次変化
していることを特徴とする電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料。 （１３）前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に変化し
ていることを特徴とする上記（１２）に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１４）前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に変化し
ていることを特徴とする上記（１２）に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１５）前記試料厚みまたは試料幅が、少なくとも０．
０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴とす
る上記（１２）〜（１４）のいずれかに記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１６）前記試料は、試料サイズが３００μｍ以下で、
軽元素からなる支持膜上に固定されていることを特徴と
する上記（１２）〜（１５）のいずれかに記載の電子プ
ローブマイクロアナライザー用の標準試料。 （１７）上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集束イ
オンビームを用いて作製することを特徴とする電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方法。 （１８）上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集束イ
オンビームとマイクロサンプリングあるいはリフトアウ
ト法を用いて作製することを特徴とする電子プローブマ
イクロアナライザー用の標準試料の製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
上記構成を適用することによって、所望の材料や分析条
件により分析領域（深さ、幅）を高精度に実測すること
ができ、深さ方向分析の精度の向上、あるいは線分析や
面分析の信頼性を高めることが可能となる。具体的に
は、深さ方向分析領域を実測用には、Ｘ線発生領域オー
ダーで厚みを変化させた試料を構成し、また、空間分解
能を実測用には、同オーダーで幅を変化させた試料を構
成する。
上記構成を適用することによって、所望の材料や分析条
件により分析領域（深さ、幅）を高精度に実測すること
ができ、深さ方向分析の精度の向上、あるいは線分析や
面分析の信頼性を高めることが可能となる。具体的に
は、深さ方向分析領域を実測用には、Ｘ線発生領域オー
ダーで厚みを変化させた試料を構成し、また、空間分解
能を実測用には、同オーダーで幅を変化させた試料を構
成する。
【０００９】これらの試料は、大別して３種の構造を採
ることができる。第一の構造は、膜厚を連続的に変化さ
せた薄膜を基板上に形成した構造で、該薄膜からの信号
の検出、あるいは、基板信号を検出することで薄膜を構
成する材料における分析深さを実測する。また、この構
造の試料を用い、基板材料を変えれば、基板材料の影響
による分析深さを実測できる。第二の構造は、バルク試
料の一部の膜厚を漸次連続的に変化させたもので、そこ
を分析したときの信号強度で分析深さを実測する。同様
に幅が漸次変化させた構造とすれば、信号強度から分析
領域の幅を実測できる。第三の構造は、試料全体が数十
ミクロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚方向、あ
るいは試料幅が連続的に漸次変化している構造である。
この構造の場合、照射する電子線の散乱電子による影響
が極力低減された信号が得られるため、高精度に分析領
域を把握することができる。
ることができる。第一の構造は、膜厚を連続的に変化さ
せた薄膜を基板上に形成した構造で、該薄膜からの信号
の検出、あるいは、基板信号を検出することで薄膜を構
成する材料における分析深さを実測する。また、この構
造の試料を用い、基板材料を変えれば、基板材料の影響
による分析深さを実測できる。第二の構造は、バルク試
料の一部の膜厚を漸次連続的に変化させたもので、そこ
を分析したときの信号強度で分析深さを実測する。同様
に幅が漸次変化させた構造とすれば、信号強度から分析
領域の幅を実測できる。第三の構造は、試料全体が数十
ミクロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚方向、あ
るいは試料幅が連続的に漸次変化している構造である。
この構造の場合、照射する電子線の散乱電子による影響
が極力低減された信号が得られるため、高精度に分析領
域を把握することができる。
【００１０】以上に述べたような構造の試料は、集束イ
オンビーム（以下、ＦＩＢと記す。）等を用いて作製す
ることができる。さらには、第三の構造の作製方法とし
ては、試料から微小薄片試料をＦＩＢで切り出し、これ
を試料ホルダに固着させてさらに所望の形状に加工を施
す、いわゆるマイクロサンプリング法（特開２０００−
１４６７８１号公報）や、これと同様に微小薄片試料を
ＦＩＢで切り出し、大気中に試料全体を出してから、微
小薄片試料をキャピラリに静電気で吸いつけ、試料ホル
ダに微小薄片試料を固定させるリフトアウト法などを用
いて作製することができる。
オンビーム（以下、ＦＩＢと記す。）等を用いて作製す
ることができる。さらには、第三の構造の作製方法とし
ては、試料から微小薄片試料をＦＩＢで切り出し、これ
を試料ホルダに固着させてさらに所望の形状に加工を施
す、いわゆるマイクロサンプリング法（特開２０００−
１４６７８１号公報）や、これと同様に微小薄片試料を
ＦＩＢで切り出し、大気中に試料全体を出してから、微
小薄片試料をキャピラリに静電気で吸いつけ、試料ホル
ダに微小薄片試料を固定させるリフトアウト法などを用
いて作製することができる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。 ［実施例１］図１に、本発明の実施例１における深さ方
向の分析領域を測定するための標準試料の構造を示す。
図１において、１は被分析層である薄膜、２は基板であ
り、被分析層である薄膜１は、所望の薄膜材料からな
り、基板２は表面の平坦性の高いものであれば何でもよ
い。ただし、薄膜１を構成する薄膜材料に近い原子番号
の材料で基板２を構成した方が、所望の材料のバルクに
おける分析領域を実測できる。ここでは、薄膜材料をＡ
ｌで、基板材料をＳｉ（１００）ウエハーで構成した。
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。 ［実施例１］図１に、本発明の実施例１における深さ方
向の分析領域を測定するための標準試料の構造を示す。
図１において、１は被分析層である薄膜、２は基板であ
り、被分析層である薄膜１は、所望の薄膜材料からな
り、基板２は表面の平坦性の高いものであれば何でもよ
い。ただし、薄膜１を構成する薄膜材料に近い原子番号
の材料で基板２を構成した方が、所望の材料のバルクに
おける分析領域を実測できる。ここでは、薄膜材料をＡ
ｌで、基板材料をＳｉ（１００）ウエハーで構成した。
【００１２】つぎに、図２を用いて、標準試料における
試料部分の各サイズ、該試料の作製方法、および分析領
域の測定方法等について説明する。図２において、３は
被分析膜であるＡｌ薄膜の最も厚い部分、７は最も薄い
部分、また５は最も厚い部分と最も薄い部分の距離であ
る。３の最も厚い部分は１０μｍ程度、７の最も薄い部
分は薄いほどよいが、多くとも５０ｎｍ以下が望まし
い。最も厚い部分と薄い部分の距離５は、ここでは、５
００μｍとした。この距離は長いほどよいが、現実的に
は１００μｍ〜１ｍｍ程度が望ましい。
試料部分の各サイズ、該試料の作製方法、および分析領
域の測定方法等について説明する。図２において、３は
被分析膜であるＡｌ薄膜の最も厚い部分、７は最も薄い
部分、また５は最も厚い部分と最も薄い部分の距離であ
る。３の最も厚い部分は１０μｍ程度、７の最も薄い部
分は薄いほどよいが、多くとも５０ｎｍ以下が望まし
い。最も厚い部分と薄い部分の距離５は、ここでは、５
００μｍとした。この距離は長いほどよいが、現実的に
は１００μｍ〜１ｍｍ程度が望ましい。
【００１３】該試料の作製は以下のようにして行った
（不図示）。まず、Ｓｉウエハー上にスパッタ法にてＡ
ｌを約１０μｍ形成し、次に、これをオリフラに対して
直角方向に斜め研磨することで作製した。研磨角度は、
約１．１度である。研磨後、オリフラに対して垂直な方
向に劈開することで短冊状に切り出し、その断面をＳＥ
Ｍ観察し、Ａｌ膜厚３とＡｌの研磨開始点６と研磨終了
点（Ａｌ薄膜とＳｉ基板の界面７）を測定し、この間の
距離５と、研磨角度θ８を測定した。実測した値は、Ａ
ｌ膜厚１０．５μｍ、研磨領域の水平方向の距離５１０
μｍ、θ〜１．１８度であった。
（不図示）。まず、Ｓｉウエハー上にスパッタ法にてＡ
ｌを約１０μｍ形成し、次に、これをオリフラに対して
直角方向に斜め研磨することで作製した。研磨角度は、
約１．１度である。研磨後、オリフラに対して垂直な方
向に劈開することで短冊状に切り出し、その断面をＳＥ
Ｍ観察し、Ａｌ膜厚３とＡｌの研磨開始点６と研磨終了
点（Ａｌ薄膜とＳｉ基板の界面７）を測定し、この間の
距離５と、研磨角度θ８を測定した。実測した値は、Ａ
ｌ膜厚１０．５μｍ、研磨領域の水平方向の距離５１０
μｍ、θ〜１．１８度であった。
【００１４】分析深さの実測は、次のようにして行っ
た。まず、Ａｌ薄膜と基板との界面７側から電子線９を
移動させ、同時に所望の特性Ｘ線の強度を検出する（こ
こでは、Ａｌ−ｋα）。あるところで、信号強度が一定
になるポイント１１があるので、その点１１と研磨終了
点７との距離を求める。この距離をＳとすれば、分析深
さＤは、Ｄ＝Ｓｔａｎθ、で求められる。なお、基板の
Ｓｉからの信号を同様に検出し、検出できなくなった位
置におけるＡｌ薄膜の膜厚からＡｌにおける分析深さを
求めることもできる。
た。まず、Ａｌ薄膜と基板との界面７側から電子線９を
移動させ、同時に所望の特性Ｘ線の強度を検出する（こ
こでは、Ａｌ−ｋα）。あるところで、信号強度が一定
になるポイント１１があるので、その点１１と研磨終了
点７との距離を求める。この距離をＳとすれば、分析深
さＤは、Ｄ＝Ｓｔａｎθ、で求められる。なお、基板の
Ｓｉからの信号を同様に検出し、検出できなくなった位
置におけるＡｌ薄膜の膜厚からＡｌにおける分析深さを
求めることもできる。
【００１５】このようにして、加速電圧１０ｋＶと３０
ｋＶの場合のＡｌにおける分析深さを求めたところ、そ
れぞれ、約１μｍ、約６μｍであった。なお、ここで
は、膜厚を連続的に変化させているが、階段状のように
段階的に変化させてもよい。また、基板材料を薄膜の材
料よりも大きい原子番号の材料を用いれば、基板からの
反射電子の影響がある場合における、薄膜の分析領域を
実測できる。また、このような試料を様々な薄膜と基板
の組み合わせで作製し、ひとつの試料ホルダーに標準試
料群として用意しておくなどの利用法もある。
ｋＶの場合のＡｌにおける分析深さを求めたところ、そ
れぞれ、約１μｍ、約６μｍであった。なお、ここで
は、膜厚を連続的に変化させているが、階段状のように
段階的に変化させてもよい。また、基板材料を薄膜の材
料よりも大きい原子番号の材料を用いれば、基板からの
反射電子の影響がある場合における、薄膜の分析領域を
実測できる。また、このような試料を様々な薄膜と基板
の組み合わせで作製し、ひとつの試料ホルダーに標準試
料群として用意しておくなどの利用法もある。
【００１６】［実施例２］図３に、本発明の実施例２に
おける幅方向の分析領域を実測するための試料の構造を
示す。図３において、１は被分析層である薄膜、２は基
板であり、薄膜１と基板２は実施例１と同様の材料で構
成され、ここでのＡｌ薄膜の厚み３は、１０μｍで膜厚
は一定である。本実施例の場合、これ以上膜厚が厚くて
も問題ない。
おける幅方向の分析領域を実測するための試料の構造を
示す。図３において、１は被分析層である薄膜、２は基
板であり、薄膜１と基板２は実施例１と同様の材料で構
成され、ここでのＡｌ薄膜の厚み３は、１０μｍで膜厚
は一定である。本実施例の場合、これ以上膜厚が厚くて
も問題ない。
【００１７】つぎに、図４を用いて、標準試料における
試料部分の各サイズ、および分析領域の測定方法等につ
いて説明する。図４に示されるように、本実施例では、
薄膜の幅を連続的に変化させたパターンが採られ、１２
は幅の最も広い部分、１３は最も幅の狭い部分である。
ここで、幅の最も広い部分１２は、少なくとも１５μｍ
以上、最も幅の狭い部分１３は、狭いほどよいが広くて
も１００ｎｍ以下が望ましく、５０ｎｍ程度がさらに望
ましい。幅方向の分析領域の実測は、幅の狭いほうから
電子線を照射し、次第に幅の広い方向に向かって移動さ
せる。同時にＸ線強度を測定し、その強度が一定値にな
ったところ１５の幅が、その時の幅方向の分析領域とな
る。
試料部分の各サイズ、および分析領域の測定方法等につ
いて説明する。図４に示されるように、本実施例では、
薄膜の幅を連続的に変化させたパターンが採られ、１２
は幅の最も広い部分、１３は最も幅の狭い部分である。
ここで、幅の最も広い部分１２は、少なくとも１５μｍ
以上、最も幅の狭い部分１３は、狭いほどよいが広くて
も１００ｎｍ以下が望ましく、５０ｎｍ程度がさらに望
ましい。幅方向の分析領域の実測は、幅の狭いほうから
電子線を照射し、次第に幅の広い方向に向かって移動さ
せる。同時にＸ線強度を測定し、その強度が一定値にな
ったところ１５の幅が、その時の幅方向の分析領域とな
る。
【００１８】このようにして、加速電圧１０ｋＶと３０
ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向の分析領域を求めたと
ころ、それぞれ、約１μｍ、約８μｍであった。また、
実施例１の結果と合わせることで、３次元の分析領域を
把握することができる。さらに、同様な構成で、幅変化
の仕方は同じで、厚みを何水準かに振れば、幅方向の分
析領域に対する深さ方向依存が実測でき、同様に３次元
の分析領域を実測することもできる。
ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向の分析領域を求めたと
ころ、それぞれ、約１μｍ、約８μｍであった。また、
実施例１の結果と合わせることで、３次元の分析領域を
把握することができる。さらに、同様な構成で、幅変化
の仕方は同じで、厚みを何水準かに振れば、幅方向の分
析領域に対する深さ方向依存が実測でき、同様に３次元
の分析領域を実測することもできる。
【００１９】［実施例３］本発明の実施例３は、対象元
素からなるバルク試料の一部の試料厚み、あるいは試料
幅が漸次変化する試料を構成するものであり、例えば、
図５のように、通常のＴＥＭで作製するＦＩＢ試料と同
様な形状で、厚みを漸次変化させた構造の標準試料１６
を作製する。
素からなるバルク試料の一部の試料厚み、あるいは試料
幅が漸次変化する試料を構成するものであり、例えば、
図５のように、通常のＴＥＭで作製するＦＩＢ試料と同
様な形状で、厚みを漸次変化させた構造の標準試料１６
を作製する。
【００２０】つぎに、図５を用いて、標準試料における
試料部分の各サイズ、該試料の作製方法、および分析領
域の測定方法等について説明する。図５において、１７
は最も厚い部分の厚み、１８は最も薄い部分の厚み、１
９は膜厚が変化している領域の長さ、また２０は膜厚が
変化している領域の幅である。最も厚い部分の厚み１７
は、少なくとも１０μｍ以上、最も薄い部分の厚み１８
は、１００ｎｍ以下が望ましい。ここでは、最も薄い部
分の厚み１８は、８０ｎｍとし、また、膜厚が変化して
いる領域の長さ１９は、２００μｍとした。また、膜厚
が変化している領域の幅２０は、１０μｍ以上が望まし
く、ここでは１０μｍとした。
試料部分の各サイズ、該試料の作製方法、および分析領
域の測定方法等について説明する。図５において、１７
は最も厚い部分の厚み、１８は最も薄い部分の厚み、１
９は膜厚が変化している領域の長さ、また２０は膜厚が
変化している領域の幅である。最も厚い部分の厚み１７
は、少なくとも１０μｍ以上、最も薄い部分の厚み１８
は、１００ｎｍ以下が望ましい。ここでは、最も薄い部
分の厚み１８は、８０ｎｍとし、また、膜厚が変化して
いる領域の長さ１９は、２００μｍとした。また、膜厚
が変化している領域の幅２０は、１０μｍ以上が望まし
く、ここでは１０μｍとした。
【００２１】作製方法は、通常ＴＥＭ用に行うコンベシ
ョナルなＦＩＢ加工と同様な方法で行った。なお、ＦＩ
Ｂで薄片化加工する際に、試料表面には、保護膜として
Ｃｒを成膜したが、加工終了後、このＣｒを（ＮＨ4）
Ｃｅ（ＮＯ3）6＋ＨＣｌＯ4＋Ｈ2Ｏにてエッチングし、
除去した。
ョナルなＦＩＢ加工と同様な方法で行った。なお、ＦＩ
Ｂで薄片化加工する際に、試料表面には、保護膜として
Ｃｒを成膜したが、加工終了後、このＣｒを（ＮＨ4）
Ｃｅ（ＮＯ3）6＋ＨＣｌＯ4＋Ｈ2Ｏにてエッチングし、
除去した。
【００２２】分析深さの実測方法は、実施例１に準ず
る。すなわち、厚みの薄いほうから厚いほうへ電子線９
を移動させ、Ｘ線強度が飽和したときの試料厚みを分析
深さとした。加速電圧１０ｋＶと３０ｋＶの場合のＡｌ
における分析深さを求めたところ、それぞれ、約１μ
ｍ、約６μｍであり、実施例１と同様な結果が得られ
た。なお、ここでは、試料全体が対象元素のみからなる
場合について述べたが、第一の構造と組み合わせ、薄膜
と基板がある状態で、薄膜部分のみをＦＩＢで薄片化
し、膜厚を変化させた試料でも良い。
る。すなわち、厚みの薄いほうから厚いほうへ電子線９
を移動させ、Ｘ線強度が飽和したときの試料厚みを分析
深さとした。加速電圧１０ｋＶと３０ｋＶの場合のＡｌ
における分析深さを求めたところ、それぞれ、約１μ
ｍ、約６μｍであり、実施例１と同様な結果が得られ
た。なお、ここでは、試料全体が対象元素のみからなる
場合について述べたが、第一の構造と組み合わせ、薄膜
と基板がある状態で、薄膜部分のみをＦＩＢで薄片化
し、膜厚を変化させた試料でも良い。
【００２３】［実施例４］本発明の実施例４において
は、図６に示すように、実施例３で作製した標準試料
を、９０度回転させ、厚みの変化を幅の変化となるよう
にして、幅方向の分析領域を実測できる試料とした。加
速電圧１０ｋＶと３０ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向
の分析領域を求めたところ、それぞれ、約１μｍ、約８
μｍであった。
は、図６に示すように、実施例３で作製した標準試料
を、９０度回転させ、厚みの変化を幅の変化となるよう
にして、幅方向の分析領域を実測できる試料とした。加
速電圧１０ｋＶと３０ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向
の分析領域を求めたところ、それぞれ、約１μｍ、約８
μｍであった。
【００２４】［実施例５］本発明の実施例５は、試料全
体が数十ミクロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚
方向、あるいは試料幅が連続的に漸次変化している試料
を構成するものである。照射する電子線は、通常、電磁
的なレンズや機械的なしぼりなどによって、細く絞られ
たビームとなり、試料に照射される。ほとんどの電子ビ
ームは、レンズによって収束するが、しぼりによって電
子が散乱され、収束しない電子として試料に照射される
成分が発生する。そうすると、電子ビームを照射してい
るところ以外からもＸ線が発生し、これがバックグラウ
ンドとなり、膜厚や幅の違いによるＸ線強度の変化に重
畳し、その分Ｘ線強度の正味の変化量がやや識別しにく
くなる。
体が数十ミクロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚
方向、あるいは試料幅が連続的に漸次変化している試料
を構成するものである。照射する電子線は、通常、電磁
的なレンズや機械的なしぼりなどによって、細く絞られ
たビームとなり、試料に照射される。ほとんどの電子ビ
ームは、レンズによって収束するが、しぼりによって電
子が散乱され、収束しない電子として試料に照射される
成分が発生する。そうすると、電子ビームを照射してい
るところ以外からもＸ線が発生し、これがバックグラウ
ンドとなり、膜厚や幅の違いによるＸ線強度の変化に重
畳し、その分Ｘ線強度の正味の変化量がやや識別しにく
くなる。
【００２５】このようなバックグラウンドを回避するた
めには、試料全体のサイズを小さくし、その試料全体の
膜厚や幅を変化させればよい。図７に、このような観点
から作製された本実施例の構造を示した。試料２１は深
さ方向の分析領域を分析する試料で、試料２２は分析領
域の幅方向を調べる試料である。どちらの試料も最も厚
い部分および最も幅の広い部分は、少なくとも１５μｍ
以上であり、最も薄い部分および最も狭い部分は、１０
０ｎｍ以下であることが望ましい。厚みや幅が変化する
距離は、長いほど良いが、ここでは２００μｍとした。
そして、これらを軽元素からなる支持膜上２３に置い
た。ここでは、ＴＥＭ用のカーボン支持膜を用いた。
めには、試料全体のサイズを小さくし、その試料全体の
膜厚や幅を変化させればよい。図７に、このような観点
から作製された本実施例の構造を示した。試料２１は深
さ方向の分析領域を分析する試料で、試料２２は分析領
域の幅方向を調べる試料である。どちらの試料も最も厚
い部分および最も幅の広い部分は、少なくとも１５μｍ
以上であり、最も薄い部分および最も狭い部分は、１０
０ｎｍ以下であることが望ましい。厚みや幅が変化する
距離は、長いほど良いが、ここでは２００μｍとした。
そして、これらを軽元素からなる支持膜上２３に置い
た。ここでは、ＴＥＭ用のカーボン支持膜を用いた。
【００２６】上記試料の作製は、試料から微小薄片試料
をＦＩＢで切り出し、真空中にてこの微小薄片試料の一
部に試料取りだし用のプローブを固着させ微小薄片試料
を取り出し、これを試料ホルダに固着させてさらに所望
の形状に加工を施す、いわゆるマイクロサンプリング法
（特開２０００−１４６７８１号公報）や、これと同様
に微小薄片試料をＦＩＢで切り出し、大気中に試料全体
を出してから、微小薄片試料をキャピラリに静電気で吸
いつけ、試料ホルダに微小薄片試料を固定させるリフト
アウト法などを用いて作製することができる。ここで
は、前者の方法にて作製した。加速電圧１０ｋＶと３０
ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向の分析領域を求めたと
ころ、それぞれ、約１μｍ、約８μｍであった。
をＦＩＢで切り出し、真空中にてこの微小薄片試料の一
部に試料取りだし用のプローブを固着させ微小薄片試料
を取り出し、これを試料ホルダに固着させてさらに所望
の形状に加工を施す、いわゆるマイクロサンプリング法
（特開２０００−１４６７８１号公報）や、これと同様
に微小薄片試料をＦＩＢで切り出し、大気中に試料全体
を出してから、微小薄片試料をキャピラリに静電気で吸
いつけ、試料ホルダに微小薄片試料を固定させるリフト
アウト法などを用いて作製することができる。ここで
は、前者の方法にて作製した。加速電圧１０ｋＶと３０
ｋＶの場合のＡｌにおける幅方向の分析領域を求めたと
ころ、それぞれ、約１μｍ、約８μｍであった。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、所望の材料や分析条件によって分析領域を高精度に
実測することができ、分析精度や信頼性の向上を図るこ
とが可能となる電子プローブマイクロアナライザー（Ｅ
ＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試料の
製造方法を実現することができる。
ば、所望の材料や分析条件によって分析領域を高精度に
実測することができ、分析精度や信頼性の向上を図るこ
とが可能となる電子プローブマイクロアナライザー（Ｅ
ＰＭＡ）用の標準試料、および該ＥＰＭＡ用標準試料の
製造方法を実現することができる。
【図１】本発明の実施例１における深さ方向の分析領域
を測定するためのＥＰＭＡ用標準試料の構造を示す図で
ある。
を測定するためのＥＰＭＡ用標準試料の構造を示す図で
ある。
【図２】本発明の実施例１におけるＥＰＭＡ用標準試料
を用いて、深さ方向の分析領域を測定する方法を説明す
る図である。
を用いて、深さ方向の分析領域を測定する方法を説明す
る図である。
【図３】本発明の実施例２における横方向の分析領域を
測定するためのＥＰＭＡ用標準試料の構造を示す図であ
る。
測定するためのＥＰＭＡ用標準試料の構造を示す図であ
る。
【図４】本発明の実施例２におけるＥＰＭＡ用標準試料
を用いて、横方向の分析領域を測定する方法を説明する
図である。
を用いて、横方向の分析領域を測定する方法を説明する
図である。
【図５】本発明の実施例３において、対象元素からなる
バルク試料の一部の試料厚みが漸次変化する構造の試料
を用い、深さ方向の分析領域を測定する方法を説明する
図である。
バルク試料の一部の試料厚みが漸次変化する構造の試料
を用い、深さ方向の分析領域を測定する方法を説明する
図である。
【図６】本発明の実施例４において、対象元素からなる
バルク試料の一部の試料幅が漸次変化する構造の試料を
用い、横方向の分析領域を測定する方法を説明する図で
ある。
バルク試料の一部の試料幅が漸次変化する構造の試料を
用い、横方向の分析領域を測定する方法を説明する図で
ある。
【図７】本発明の実施例５において、試料全体が数十ミ
クロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚方向、ある
いは試料幅が連続的に漸次変化している試料を用い、深
さ方向、あるいは横方向の分析領域を測定する方法を説
明する図である。
クロン程度の微小サイズで、試料全体が膜厚方向、ある
いは試料幅が連続的に漸次変化している試料を用い、深
さ方向、あるいは横方向の分析領域を測定する方法を説
明する図である。
【図８】ＥＰＭＡの分析領域を求める従来例で、シミュ
レーションによって分析領域を表示している様子を示す
図である。
レーションによって分析領域を表示している様子を示す
図である。
１：標準試料の対象材料からなる被分析膜 ２：基板 ３：被分析膜の最大膜厚 ４：被分析膜の最小膜厚 ５：膜厚が変化する領域の長さ ６：膜厚が変化し始める個所 ７：被分析膜がなくなるところ ８：基板表面に対する被分析膜表面のなす角度 ９：照射電子線 １０：被分析膜中の入射電子の浸入領域（深さ方向） １１：被分析材料のＸ線強度が最大になる個所（深さ方
向依存） １２：被分析膜の最大幅 １３：被分析膜の最小幅 １４：被分析膜中の入射電子の浸入領域（横方向） １５：被分析材料のＸ線強度が最大になる個所（横方向
依存） １６：対象元素のみからなる実施例３の標準試料 １７：膜厚が変化している領域での最大膜厚（最大幅） １８：膜厚が変化している領域での最小膜厚（最小幅） １９：膜厚が変化している領域の長さ ２０：膜厚が変化している領域の幅（幅が変化している
領域の高さ） ２１：対象元素のみからなる実施例５の標準試料のう
ち、 深さ方向の分析領域を測定するための標準試料 ２２：対象元素のみからなる実施例５の標準試料のう
ち、横方向の分析領域を測定するための標準試料 ２３：ＴＥＭ用のカーボン支持膜
向依存） １２：被分析膜の最大幅 １３：被分析膜の最小幅 １４：被分析膜中の入射電子の浸入領域（横方向） １５：被分析材料のＸ線強度が最大になる個所（横方向
依存） １６：対象元素のみからなる実施例３の標準試料 １７：膜厚が変化している領域での最大膜厚（最大幅） １８：膜厚が変化している領域での最小膜厚（最小幅） １９：膜厚が変化している領域の長さ ２０：膜厚が変化している領域の幅（幅が変化している
領域の高さ） ２１：対象元素のみからなる実施例５の標準試料のう
ち、 深さ方向の分析領域を測定するための標準試料 ２２：対象元素のみからなる実施例５の標準試料のう
ち、横方向の分析領域を測定するための標準試料 ２３：ＴＥＭ用のカーボン支持膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年６月６日（２００１．６．６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１８】請求項１〜１６のいずれか１項に記載の
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集
束イオンビームとマイクロサンプリングあるいはリフト
アウト法を用いて作製することを特徴とする電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方法。
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集
束イオンビームとマイクロサンプリングあるいはリフト
アウト法を用いて作製することを特徴とする電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検
出して分析領域を測定する電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料において、 前記試料は、基板上に被分析薄膜が形成され、該被分析
薄膜の膜厚または膜の幅が一様な割合で漸次変化してい
る構成を有することを特徴とする電子プローブマイクロ
アナライザー用の標準試料。 【請求項２】前記膜厚または前記膜の幅が、連続的に変
化していることを特徴とする請求項１に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項３】前記膜厚または前記膜の幅が、段階的に変
化していることを特徴とする請求項１に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項４】前記膜厚または前記膜の幅が、少なくとも
０．０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特徴
とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項５】前記基板は、表面の平坦性の高い材料で構
成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項に記載の電子プローブマイクロアナライザー用の標
準試料。 【請求項６】前記基板が、前記被分析薄膜を構成する材
料と近い原子番号の材料で構成されていることを特徴と
する請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子プローブ
マイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項７】前記試料が、種々の被分析薄膜と基板との
組合せによって標準試料群として構成されていることを
特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子プ
ローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項８】電子線を照射し、内部で発生するＸ線を検
出して分析領域を測定する電子プローブマイクロアナラ
イザー用の標準試料において、 前記試料は、被分析元素からなるバルク試料の一部の試
料厚みまたは試料幅が、漸次変化していることを特徴と
する電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項９】前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に変
化していることを特徴とする請求項８に記載の電子プロ
ーブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１０】前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に
変化していることを特徴とする請求項８に記載の電子プ
ローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１１】前記試料厚みまたは試料幅が、少なくと
も０．０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特
徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の電子プ
ローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１２】電子線を照射し、内部で発生するＸ線を
検出して分析領域を測定する電子プローブマイクロアナ
ライザー用の標準試料において、 前記試料は、被分析元素からなる試料全体が、その試料
厚みまたは試料幅が漸次変化していることを特徴とする
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１３】前記試料厚みまたは試料幅が、連続的に
変化していることを特徴とする請求項１２に記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１４】前記試料厚みまたは試料幅が、段階的に
変化していることを特徴とする請求項１２に記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１５】前記試料厚みまたは試料幅が、少なくと
も０．０１μｍ〜１５μｍの間で変化していることを特
徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１６】前記試料は、試料サイズが３００μｍ以
下で、軽元素からなる支持膜上に固定されていることを
特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の電
子プローブマイクロアナライザー用の標準試料。 【請求項１７】請求項１〜１６のいずれか１項に記載の
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集
束イオンビームを用いて作製することを特徴とする電子
プローブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方
法。 【請求項１９】請求項１〜１６のいずれか１項に記載の
電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料を、集
束イオンビームとマイクロサンプリングあるいはリフト
アウト法を用いて作製することを特徴とする電子プロー
ブマイクロアナライザー用の標準試料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139709A JP2002333412A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料、および該標準試料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139709A JP2002333412A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料、および該標準試料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002333412A true JP2002333412A (ja) | 2002-11-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001139709A Pending JP2002333412A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 電子プローブマイクロアナライザー用の標準試料、および該標準試料の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002333412A (ja) |
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| JP2014092426A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Ube Scientific Analysis Laboratory Inc | 表面分析用有機物試料の製造方法及びそれを用いた表面分析方法 |
| WO2016002341A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定方法、及びパターン測定装置 |
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| US10054557B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-08-21 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Method for measuring the mass thickness of a target sample for electron microscopy |
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| CN112063805A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-11 | 广东韶钢松山股份有限公司 | 电子探针分析标准样的制备方法及电子探针分析标准样在电子探针分析中的应用 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001139709A patent/JP2002333412A/ja active Pending
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