JP2002325354A - Rush current inhibiting device - Google Patents

Rush current inhibiting device

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JP2002325354A
JP2002325354A JP2001126624A JP2001126624A JP2002325354A JP 2002325354 A JP2002325354 A JP 2002325354A JP 2001126624 A JP2001126624 A JP 2001126624A JP 2001126624 A JP2001126624 A JP 2001126624A JP 2002325354 A JP2002325354 A JP 2002325354A
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JP
Japan
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ssr
current
latching relay
relay
inrush current
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JP2001126624A
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Susumu Fujiwara
享 藤原
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Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain, using a simple configuration, consumption electric current at a steady state, while securing sufficient electric current capacity, in a device 31 that inhibits rush current at supplying of power. SOLUTION: A latching relay 36 is employed as a mechanical relay, which is connected mutually in parallel with an SSR 35, that is capable of inhibiting rush electric current, while the latching relay 36 is brought into conduction and driven by the output current of SSR 35. This results in the rush current to be subsided at the time of the latching relay 36 being brought into conduction, through the use of operation time of both SSR 35 and the latching relay SSR 36, thereby eliminating the risk of fusing of contact points, thus realizing a highly reliable operation, and further eliminating the problems of heat generation and heat loss in steady state, and enabling securing of sufficient electric current capacity. This is realized further by a simple configuration which does not employ special structures, such as loaded electric current detectors, thermal sensors, or control circuits for the latching relay 36, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電源投入後に発生
する突入電流を抑制するための装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for suppressing an inrush current generated after power is turned on.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は、典型的な従来技術の突入電流
抑制装置1の概略的構成を示すブロック図である。この
突入電流抑制装置1は、交流電源2から負荷3への電源
ライン4に直列に介在される。この突入電流抑制装置1
は、相互に直列に接続された電源投入用のスイッチ5お
よびソリッドステートリレー(以下、SSRと記す)6
が前記電源ライン4に直列に介在されるとともに、前記
SSR6と並列に設けられる制限抵抗7とを備えて構成
される。この突入電流抑制装置1では、スイッチ5およ
びSSR6は、図示しない個別の制御回路によってそれ
ぞれ制御され、スイッチ5の投入時には、発生した突入
電流を制限抵抗7で制御し、定常時の負荷電流はSSR
6で制御している。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of a typical prior art inrush current suppressing device 1. As shown in FIG. The inrush current suppression device 1 is interposed in series on a power supply line 4 from an AC power supply 2 to a load 3. This inrush current suppressing device 1
Is a power-on switch 5 and a solid-state relay (hereinafter referred to as SSR) 6 connected in series with each other.
Are provided in series with the power supply line 4 and include a limiting resistor 7 provided in parallel with the SSR 6. In the inrush current suppressing device 1, the switch 5 and the SSR 6 are controlled by individual control circuits (not shown). When the switch 5 is turned on, the generated inrush current is controlled by the limiting resistor 7, and the steady-state load current is SSR.
6 is controlled.

【0003】また、図11は、他の従来技術の突入電流
抑制装置11の概略的構成を示すブロック図である。こ
の突入電流抑制装置11は、前記電源ライン4に、ゼロ
クロス動作を行うSSRまたはポジスタ12を設け(図
11ではポジスタとしている)、前記電源投入時だけで
なく、定常時の負荷電流もこれらで制御している。
FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of another inrush current suppression device 11 according to the prior art. The inrush current suppression device 11 is provided with an SSR or a posistor 12 for performing a zero-cross operation on the power supply line 4 (in FIG. 11, it is a posistor). are doing.

【0004】また、図12は、さらに他の従来技術の突
入電流抑制装置21の概略的構成を示すブロック図であ
る。この突入電流抑制装置21は、たとえば特開平8−
256908号公報や特開平11−98683号公報で
示されるものと同様であり、前記電源ライン4に、制限
抵抗7とSSR6との直列回路を介在するとともに、そ
れらの直列回路を短絡する機械式リレー22が設けられ
る。電源投入時は、図示しないSSRの制御回路によっ
て、制限抵抗7とSSRまたはトライアック6(図12
ではSSRとしている)とで突入電流を制御し、定常時
は、制御回路23が、機械式リレー22で負荷電流を制
御する。前記特開平11−98683号では、この図1
2では図示していないけれども、負荷電流検出器が設け
られ、その検出結果が前記制御回路23に入力される。
また、前記特開平8−256908号では、温度センサ
や操作ユニットなどのこの図12で示すような負荷3か
らの情報が前記制御回路23に入力される。
FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration of still another inrush current suppressing device 21 according to the prior art. The inrush current suppressing device 21 is disclosed in, for example,
The mechanical relay is similar to that disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 256908 and Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-98683, in which a series circuit of a limiting resistor 7 and an SSR 6 is interposed in the power supply line 4 and the series circuit is short-circuited. 22 are provided. When the power is turned on, the limiting resistor 7 and the SSR or triac 6 (FIG. 12) are controlled by an SSR control circuit (not shown).
In the steady state, the control circuit 23 controls the load current with the mechanical relay 22. In JP-A-11-98683, FIG.
Although not shown in FIG. 2, a load current detector is provided, and the detection result is input to the control circuit 23.
Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-256908, information from a load 3 such as a temperature sensor or an operation unit as shown in FIG.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来技術
の突入電流抑制装置1,11では、共に定常負荷電流も
SSRで制御するので、それらの素子の発熱のため、た
とえば周囲温度が40℃以上で2A以上の電流を制御す
る場合には外部に放熱板が必要になるなど、必要に応じ
て相当の大きさの放熱板を取付けなければならないとい
う問題がある。また、損失が大きいという問題がある。
さらにまた、突入電流抑制装置11では、ポジスタ12
で制御を行う場合は、ポジスタ12の容量的に制御可能
な負荷電流に限度があるという問題がある。
In the inrush current suppressing devices 1 and 11 of the prior art as described above, since the steady load current is controlled by the SSR, the ambient temperature is, for example, 40.degree. As described above, when controlling a current of 2 A or more, there is a problem that a heat sink of a considerable size must be attached as necessary, such as an external heat sink. There is also a problem that the loss is large.
Furthermore, in the inrush current suppression device 11, the posistor 12
In the case where the control is performed by the above-mentioned method, there is a problem that the load current of the posistor 12 that can be controlled capacitively is limited.

【0006】一方、前記突入電流抑制装置21では、電
源投入時にだけ制限抵抗7およびSSRまたはトライア
ック6を使用するので、前記の発熱や損失および電流容
量の問題はないけれども、特開平11−98683号で
は、前記負荷電流検出器等が必要になるとともに、前記
制御回路23は電源投入時に負荷電流が規定値を超えて
いるか否かを判定する複雑な構成になるという問題があ
り、また特開平8−256908号でも、前記制御回路
23は温度センサや操作ユニットなどからの情報を処理
する複雑な構成になるという問題がある。
On the other hand, the inrush current suppressing device 21 uses the limiting resistor 7 and the SSR or the triac 6 only when the power is turned on. In this case, the load current detector and the like are required, and the control circuit 23 has a complicated structure for determining whether or not the load current exceeds a specified value when the power is turned on. Also, the control circuit 23 has a problem in that the control circuit 23 has a complicated configuration for processing information from a temperature sensor, an operation unit, and the like.

【0007】本発明の目的は、簡単な構成で、定常時の
消費電流を抑えることができるとともに、充分な電流容
量を得ることができる突入電流抑制装置を提供すること
である。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inrush current suppressing device which can suppress current consumption in a steady state with a simple configuration and can obtain a sufficient current capacity.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の突入電流抑制装
置は、突入電流を抑制することができる半導体装置と機
械式リレーとが相互に並列に接続されて成る突入電流抑
制装置であって、前記機械式リレーはラッチングリレー
から成り、前記半導体装置の出力電流によって前記ラッ
チングリレーを導通駆動することを特徴とする。
A rush current suppressing device according to the present invention is a rush current suppressing device comprising a semiconductor device capable of suppressing an inrush current and a mechanical relay connected in parallel with each other, The mechanical relay includes a latching relay, and the latching relay is conductively driven by an output current of the semiconductor device.

【0009】上記の構成によれば、負荷への出力電流は
半導体装置の動作で立上がり、その出力電流によってラ
ッチングリレーを導通駆動し、該ラッチングリレーは、
一旦導通すると、その導通状態をラッチする。したがっ
て、半導体装置の動作時間およびラッチングリレーの動
作時間を利用し、電源投入から、たとえば50μsec
程度の半導体装置の動作時間経過後に該半導体装置が導
通し、さらにたとえば10msec程度のラッチングリ
レーの動作時間経過後に該ラッチングリレーが導通する
と、その時点では前記突入電流は収束している。
According to the above configuration, the output current to the load rises by the operation of the semiconductor device, and the output current drives the latching relay to be conductive.
Once conductive, the conductive state is latched. Therefore, by utilizing the operation time of the semiconductor device and the operation time of the latching relay, for example, 50 μsec
When the semiconductor device is turned on after the operation time of the semiconductor device has reached about 10 msec, and the latching relay is turned on after the operation time of the latching relay has been about 10 msec, the rush current has converged at that time.

【0010】したがって、半導体装置とラッチングリレ
ーとを相互に並列に設けても、ラッチングリレーを突入
電流の厳しいサイクルを避けて動作させることができ、
接点の溶着の虞がなく、信頼性の高い動作を実現するこ
とができるとともに、定常時は、負荷電流を機械式リレ
ーである該ラッチングリレーで制御し、半導体装置の入
出力端子間には電流が流れないので、たとえば2A以上
の比較的大きな負荷電流に対しても、発熱や損失の問題
がなく、また充分な電流容量を確保することができる。
そして、負荷電流検出器や温度センサ、さらにはラッチ
ングリレーを駆動する制御回路などの特別な構成を用い
ることのない簡易な構成で実現することができる。
Therefore, even if the semiconductor device and the latching relay are provided in parallel with each other, the latching relay can be operated while avoiding a severe cycle of an inrush current,
There is no risk of contact welding, and highly reliable operation can be realized. In the steady state, the load current is controlled by the mechanical type latching relay, and a current flows between the input and output terminals of the semiconductor device. Does not flow, for example, even for a relatively large load current of 2 A or more, there is no problem of heat generation and loss, and a sufficient current capacity can be secured.
Further, the present invention can be realized with a simple configuration without using a special configuration such as a load current detector, a temperature sensor, and a control circuit for driving a latching relay.

【0011】また、本発明の突入電流抑制装置は、突入
電流を抑制することができる半導体装置と機械式リレー
とが相互に並列に接続されて成る突入電流抑制装置であ
って、前記半導体装置の動作出力に応答し、予め定める
時間経過後から、前記機械式リレーを導通駆動する制御
回路を備えることを特徴とする。
Further, the inrush current suppressing device according to the present invention is an inrush current suppressing device in which a semiconductor device capable of suppressing an inrush current and a mechanical relay are connected in parallel with each other. A control circuit responsive to the operation output and for conducting the mechanical relay after a predetermined time has elapsed is provided.

【0012】上記の構成によれば、電源投入による突入
電流は半導体装置で抑制され、その半導体装置の動作
後、突入電流が収束する一定時間が経過した時点で、制
御回路によって機械式リレーが導通駆動され、その状態
が保持される。したがって、通常の機械式リレーを用い
ても、前記信頼性の高い動作を実現することができると
ともに、発熱や損失の問題がなく、また充分な電流容量
を確保することができる。そして、負荷電流検出器や温
度センサなどの特別な構成を用いることのない簡易な構
成で実現することができる。
According to the above configuration, the inrush current due to power-on is suppressed by the semiconductor device, and after the operation of the semiconductor device, the mechanical relay is turned on by the control circuit at a point in time when the inrush current converges. It is driven and its state is maintained. Therefore, even if a normal mechanical relay is used, the operation with high reliability can be realized, and there is no problem of heat generation and loss, and a sufficient current capacity can be secured. And it can be realized with a simple configuration without using a special configuration such as a load current detector or a temperature sensor.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図1〜図7に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described.
The following is a description based on FIGS. 1 to 7.

【0014】図1は、本発明の実施の一形態の突入電流
抑制装置31の概略的構成を示すブロック図である。こ
の突入電流抑制装置31は、交流電源32から負荷33
への電源ライン34に直列に介在される。本発明で注目
すべきは、突入電流抑制装置31は、突入電流を抑制す
ることができる半導体装置であるSSR35と、機械式
リレーであるラッチングリレー36とが相互に並列に接
続されて構成され、SSR35の出力電流でラッチング
リレー36が導通駆動されることである。なお、前記S
SR35には、図2の突入電流抑制装置31aで示すよ
うに、制限抵抗37が直列に接続されてもよい。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an inrush current suppressing device 31 according to one embodiment of the present invention. The inrush current suppression device 31 is provided by an AC power supply 32 and a load 33.
To the power supply line 34 in series. It should be noted in the present invention that the inrush current suppression device 31 is configured by connecting an SSR 35, which is a semiconductor device capable of suppressing inrush current, and a latching relay 36, which is a mechanical relay, in parallel with each other, That is, the latching relay 36 is conductively driven by the output current of the SSR 35. Note that the S
A limiting resistor 37 may be connected in series to the SR 35 as shown by the rush current suppressing device 31a in FIG.

【0015】図3は、前記負荷33として100V/1
00Wのランプ負荷を用い、それを突入電流抑制装置を
介在することなく、直接、100V/60Hzの交流電
源32に接続した場合の負荷電流の変化を示す波形図で
ある。この図3から、突入電流は、半サイクル〜1サイ
クルで略収束することが理解される。
FIG. 3 shows that the load 33 is 100 V / 1
FIG. 7 is a waveform diagram showing a change in load current when a 00 W lamp load is connected directly to a 100 V / 60 Hz AC power supply 32 without using an inrush current suppressing device. It is understood from FIG. 3 that the inrush current substantially converges in a half cycle to one cycle.

【0016】一方、SSR35の動作時間は、たとえば
50μsec程度であり、またラッチングリレー36の
動作時間は、たとえば10msec程度である。したが
って、SSR35が導通し、その出力電流でラッチング
リレー36を導通駆動すると、その時点では突入電流は
略収束している。そして、ラッチングリレー36は、一
旦導通すると、その導通状態をラッチする。
On the other hand, the operation time of SSR 35 is, for example, about 50 μsec, and the operation time of latching relay 36 is, for example, about 10 msec. Therefore, when the SSR 35 is turned on and the latching relay 36 is turned on with the output current, the rush current has substantially converged at that point. Then, once conducting, the latching relay 36 latches the conduction state.

【0017】したがって、SSR35とラッチングリレ
ー36とを相互に並列に設けても、ラッチングリレー3
6を突入電流の厳しいサイクルを避けて動作させること
ができ、接点の溶着の虞がなく、信頼性の高い動作を実
現することができる。また、定常時は、負荷電流を機械
式リレーであるラッチングリレー36で制御し、SSR
35の入出力端子間には電流が流れないので、たとえば
2A以上の比較的大きな負荷電流に対しても、発熱や損
失の問題がなく、また充分な電流容量を確保することが
できる。そして、負荷電流検出器や温度センサ、さらに
ラッチングリレー36のための制御回路などの特別な構
成を用いることのない簡易な構成で実現することができ
る。
Therefore, even if the SSR 35 and the latching relay 36 are provided in parallel with each other, the latching relay 3
6 can be operated while avoiding a severe cycle of inrush current, and there is no fear of welding of contacts, and highly reliable operation can be realized. In a steady state, the load current is controlled by a latching relay 36 which is a mechanical relay.
Since no current flows between the input / output terminals 35, there is no problem of heat generation or loss even for a relatively large load current of, for example, 2 A or more, and a sufficient current capacity can be secured. Then, it can be realized with a simple configuration without using a special configuration such as a load current detector, a temperature sensor, and a control circuit for the latching relay 36.

【0018】図4は、前記SSR35の一構成例を説明
するための図である。この図4の例は、トライアック4
1と、フォトトライアック42と、赤外発光ダイオード
43とを備えて構成される非ゼロクロス内蔵型のSSR
であり、この場合は、トライアック41が任意の位相で
オンするので、前記制限抵抗37と組合わせることが望
ましい。端子P1,P2間には、トライアック41が介
在されており、負荷電流を制御する。トライアック41
のゲート端子にはフォトトライアック42が接続されて
おり、端子P3,P4間に、図1では図示していないけ
れども、SSR35のための制御回路からの入力信号が
インプットされると、赤外発光ダイオード43が点灯し
てフォトトライアック42がオンし、トライアック41
がオンすることができる。
FIG. 4 is a diagram for explaining an example of the configuration of the SSR 35. As shown in FIG. In the example of FIG.
1, a photo triac 42, and an infrared light emitting diode 43, a non-zero cross built-in type SSR
In this case, since the triac 41 is turned on at an arbitrary phase, it is desirable to combine the triac 41 with the limiting resistor 37. A triac 41 is interposed between the terminals P1 and P2 to control the load current. Triac 41
A phototriac 42 is connected to the gate terminal of the SSR 35. When an input signal from the control circuit for the SSR 35 is input between the terminals P3 and P4, not shown in FIG. 43 lights up, the photo triac 42 turns on, and the triac 41
Can be turned on.

【0019】図5は、前記フォトトライアック42の等
価回路図である。端子P11,P12間には、P型のト
ランジスタQ1と、ゲート抵抗R1との直列回路が接続
され、そのトランジスタQ1のベースはN型のフォトト
ランジスタQ2のコレクタに接続され、コレクタはトラ
ンジスタQ2のベースおよびゲート抵抗R1に接続され
る。同様に、端子P12,P11間にも、P型のトラン
ジスタQ3と、ゲート抵抗R2との直列回路が接続さ
れ、そのトランジスタQ3のベースはN型のフォトトラ
ンジスタQ4のコレクタに接続され、コレクタはトラン
ジスタQ4のベースおよびゲート抵抗R2に接続され
る。したがって、前述のように、端子P3,P4間に入
力信号がインプットされると、赤外発光ダイオード43
が点灯してフォトトライアック42がオンし、トライア
ック41がオンして、端子P11,P12間がオンす
る。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the phototriac 42. A series circuit of a P-type transistor Q1 and a gate resistor R1 is connected between the terminals P11 and P12, the base of the transistor Q1 is connected to the collector of an N-type phototransistor Q2, and the collector is the base of the transistor Q2. And the gate resistor R1. Similarly, a series circuit of a P-type transistor Q3 and a gate resistor R2 is connected between the terminals P12 and P11. The base of the transistor Q3 is connected to the collector of an N-type phototransistor Q4. Connected to the base of Q4 and gate resistor R2. Therefore, as described above, when an input signal is input between the terminals P3 and P4, the infrared light emitting diode 43
Lights up, the photo triac 42 is turned on, the triac 41 is turned on, and the portion between the terminals P11 and P12 is turned on.

【0020】図6は、前記SSR35の他の構成例を説
明するための図である。前述の図4の構成に類似する部
分には、同一の参照符号を付して、その説明を省略す
る。この例は、ゼロクロス内蔵型のSSRであり、トラ
イアック41のゲート端子に、ゼロクロス回路44が設
けられている。図7は、前記フォトトライアック42お
よびゼロクロス回路44の等価回路図である。トランジ
スタQ2,Q4のベース−エミッタ間には、それぞれF
ETQ5,Q6が設けられており、それらのFETQ
5,Q6のゲートは、相互に接続されるとともに、前記
トランジスタQ1,Q3のベースとも接続されている。
FIG. 6 is a diagram for explaining another example of the configuration of the SSR 35. As shown in FIG. Parts similar to those in the configuration of FIG. 4 described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. This example is an SSR with a built-in zero cross, and a zero cross circuit 44 is provided at the gate terminal of the triac 41. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the phototriac 42 and the zero-cross circuit 44. F is connected between the base and the emitter of each of the transistors Q2 and Q4.
ETQ5, Q6 are provided, and their FET Q
The gates of Q5 and Q6 are connected to each other and to the bases of the transistors Q1 and Q3.

【0021】これによって、前記入力信号がインプット
され、赤外発光ダイオード43が点灯している状態で、
電源電圧のゼロ位相近辺では、トランジスタQ2(Q
4)がオンし、トランジスタQ1(Q3)がオンして、
SSRがオンする。前記ゼロ位相近辺以外の前記電源電
圧が一定電圧以上では、トランジスタQ2(Q4)がオ
ンしようとしても、FETQ5(Q6)がオンすること
によって、SSRはオンしない。こうして、ゼロクロス
動作を行うことができる。
Thus, in a state where the input signal is input and the infrared light emitting diode 43 is lit,
Near the zero phase of the power supply voltage, the transistor Q2 (Q
4) turns on, the transistor Q1 (Q3) turns on,
SSR turns on. When the power supply voltage other than the vicinity of the zero phase is equal to or higher than a certain voltage, even if the transistor Q2 (Q4) attempts to turn on, the SSR does not turn on because the FET Q5 (Q6) turns on. Thus, a zero-cross operation can be performed.

【0022】本発明の実施の他の形態について、図8に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0023】図8は、本発明の実施の他の形態の突入電
流抑制装置51の概略的構成を示すブロック図である。
この突入電流抑制装置51は、前述の突入電流抑制装置
31に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付し
て示し、その説明を省略する。前述の突入電流抑制装置
31では、ラッチングリレー36は、AC駆動のリレー
であったけれども、この突入電流抑制装置51では、D
C駆動のラッチングリレー56が用いられている。この
ため、SSR35にはダイオード52が直列に設けられ
ている。
FIG. 8 is a block diagram showing a schematic configuration of an inrush current suppressing device 51 according to another embodiment of the present invention.
The inrush current suppression device 51 is similar to the inrush current suppression device 31 described above, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the above-described inrush current suppression device 31, the latching relay 36 is an AC-driven relay.
A C-driven latching relay 56 is used. Therefore, the diode 52 is provided in series with the SSR 35.

【0024】本発明の実施のさらに他の形態について、
図9に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
In still another embodiment of the present invention,
This will be described below with reference to FIG.

【0025】図9は、本発明の実施のさらに他の形態の
突入電流抑制装置61の概略的構成を示すブロック図で
ある。注目すべきは、この突入電流抑制装置61では、
前記交流電源32から負荷33への電源ライン34に介
在されるリレー66はラッチング機能を有していないも
のであり、このためSSR35と該リレー66との間に
は、制御回路62が設けられている。この制御回路62
によって、SSR35の動作後、一定時間が経過した時
点でリレー66が導通駆動され、その状態が保持され
る。したがって、SSR35およびリレー66の前記の
遅れ時間を考慮して、ゼロクロスのタイミングでリレー
66を導通駆動することもできる。
FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of an inrush current suppressing device 61 according to still another embodiment of the present invention. It should be noted that in this rush current suppressing device 61,
The relay 66 interposed in the power supply line 34 from the AC power supply 32 to the load 33 does not have a latching function. Therefore, a control circuit 62 is provided between the SSR 35 and the relay 66. I have. This control circuit 62
Accordingly, the relay 66 is driven to conduct when a certain time has elapsed after the operation of the SSR 35, and that state is maintained. Therefore, the relay 66 can be conductively driven at the zero-cross timing in consideration of the delay time of the SSR 35 and the relay 66.

【0026】なお、この制御回路62は、従来技術の項
で述べた制御回路23のように、比較判定や信号処理な
どの複雑な処理を行う必要はなく、電源オフでリセット
され、SSR35の動作出力から前記一定時間が経過後
に出力を導出し、以降維持するようなタイマなどの簡単
な構成で実現することができる。
The control circuit 62 does not need to perform complicated processing such as comparison judgment and signal processing, unlike the control circuit 23 described in the section of the prior art, and is reset when the power is turned off. The output can be derived with a simple configuration such as a timer that derives the output after the predetermined time elapses from the output and maintains the output thereafter.

【0027】上記の突入電流抑制装置51,61に関し
ても、前記突入電流抑制装置31aと同様に、制限抵抗
37が設けられてもよいことは、言うまでもない。
It goes without saying that the inrush current suppressing devices 51 and 61 may be provided with the limiting resistor 37 as in the inrush current suppressing device 31a.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の突入電流抑制装置は、以上のよ
うに、突入電流を抑制することができる半導体装置と機
械式リレーであるラッチングリレーとを相互に並列に接
続し、電源投入直後は半導体装置によって負荷への出力
電流を立上げ、かつその出力電流によってラッチングリ
レーを導通駆動する。
As described above, the inrush current suppressing device of the present invention connects a semiconductor device capable of suppressing an inrush current and a latching relay, which is a mechanical relay, in parallel with each other. The output current to the load is raised by the semiconductor device, and the latching relay is conductively driven by the output current.

【0029】それゆえ、半導体装置およびラッチングリ
レーの応答遅れによって、ラッチングリレーの導通時点
では突入電流は略収束しており、半導体装置とラッチン
グリレーとを相互に並列に設けても、ラッチングリレー
を突入電流の厳しいサイクルを避けて動作させることが
でき、接点の溶着の虞がなく、信頼性の高い動作を実現
することができるとともに、定常時は、負荷電流を機械
式リレーである該ラッチングリレーで制御し、半導体装
置の入出力端子間には電流が流れないので、比較的大き
な負荷電流に対しても発熱や損失の問題がなく、また充
分な電流容量を確保することができる。さらにまた、負
荷電流検出器や温度センサ、さらにはラッチングリレー
を駆動する制御回路などの特別な構成を用いることのな
い簡易な構成で実現することができる。
Therefore, due to the response delay of the semiconductor device and the latching relay, the rush current substantially converges at the time of the conduction of the latching relay. It is possible to operate while avoiding severe cycles of current, there is no risk of welding of contacts, and it is possible to realize highly reliable operation, and at the time of steady state, load current is supplied by the latching relay which is a mechanical relay. Since no current flows between the input and output terminals of the semiconductor device, there is no problem of heat generation or loss even for a relatively large load current, and a sufficient current capacity can be secured. Furthermore, the present invention can be realized with a simple configuration without using a special configuration such as a load current detector, a temperature sensor, and a control circuit for driving a latching relay.

【0030】また、本発明の突入電流抑制装置は、以上
のように、突入電流を抑制することができる半導体装置
と機械式リレーとを相互に並列に接続し、電源投入直後
は半導体装置によって負荷への出力電流を立上げ、かつ
その半導体装置の動作出力から予め定める時間経過後
に、制御回路は前記機械式リレーを導通駆動し、その状
態を保持する。
Further, as described above, the inrush current suppressing device of the present invention connects a semiconductor device capable of suppressing an inrush current and a mechanical relay in parallel with each other, and immediately after the power is turned on, the load is controlled by the semiconductor device. After a predetermined time has elapsed from the operation output of the semiconductor device, the control circuit conducts and drives the mechanical relay to maintain the state.

【0031】それゆえ、通常の機械式リレーを用いて
も、前記信頼性の高い動作を実現することができるとと
もに、発熱や損失の問題がなく、また充分な電流容量を
確保することができる。さらにまた、負荷電流検出器や
温度センサなどの特別な構成を用いることのない簡易な
構成で実現することができる。
Therefore, even if a normal mechanical relay is used, the highly reliable operation can be realized, and there is no problem of heat generation or loss, and a sufficient current capacity can be secured. Furthermore, it can be realized with a simple configuration without using a special configuration such as a load current detector or a temperature sensor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態の突入電流抑制装置の概
略的構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an inrush current suppression device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の一形態の突入電流抑制装置の他
の構成例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing another configuration example of the rush current suppressing device according to the embodiment of the present invention.

【図3】ランプ負荷を、直接交流電源に接続した場合の
負荷電流の変化を示す波形図である。
FIG. 3 is a waveform diagram showing a change in load current when a lamp load is directly connected to an AC power supply.

【図4】図1および図2で示す突入電流抑制装置におけ
るSSRの一構成例を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of an SSR in the inrush current suppression device shown in FIGS. 1 and 2;

【図5】図4で示すSSRにおけるフォトトライアック
の等価回路図である。
5 is an equivalent circuit diagram of a phototriac in the SSR shown in FIG.

【図6】図1および図2で示す突入電流抑制装置におけ
るSSRの他の構成例を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining another configuration example of the SSR in the inrush current suppression device shown in FIGS. 1 and 2;

【図7】図6で示すSSRにおけるフォトトライアック
およびゼロクロス回路の等価回路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of a phototriac and a zero-cross circuit in the SSR shown in FIG. 6;

【図8】本発明の実施の他の形態の突入電流抑制装置の
概略的構成を示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an inrush current suppression device according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施のさらに他の形態の突入電流抑制
装置の概略的構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of an inrush current suppression device according to still another embodiment of the present invention.

【図10】典型的な従来技術の突入電流抑制装置の概略
的構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of a typical conventional inrush current suppression device.

【図11】他の従来技術の突入電流抑制装置の概略的構
成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of another conventional inrush current suppression device.

【図12】さらに他の従来技術の突入電流抑制装置の概
略的構成を示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration of another inrush current suppression device according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31,31a,51,61 突入電流抑制装置 32 交流電源 33 負荷 35 SSR(半導体装置) 36,56 ラッチングリレー(機械式リレー) 37 制限抵抗 41 トライアック 42 フォトトライアック 43 フォトダイオード 44 ゼロクロス回路 52 ダイオード 62 制御回路 66 リレー(機械式リレー) 31, 31a, 51, 61 Inrush current suppressor 32 AC power supply 33 Load 35 SSR (semiconductor device) 36, 56 Latching relay (mechanical relay) 37 Limiting resistor 41 Triac 42 Phototriac 43 Photodiode 44 Zero cross circuit 52 Diode 62 Control Circuit 66 relay (mechanical relay)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】突入電流を抑制することができる半導体装
置と機械式リレーとが相互に並列に接続されて成る突入
電流抑制装置であって、 前記機械式リレーはラッチングリレーから成り、 前記半導体装置の出力電流によって前記ラッチングリレ
ーを導通駆動することを特徴とする突入電流抑制装置。
1. A rush current suppression device comprising a semiconductor device capable of suppressing rush current and a mechanical relay connected in parallel with each other, wherein said mechanical relay comprises a latching relay, Wherein the latching relay is conductively driven by the output current.
【請求項2】突入電流を抑制することができる半導体装
置と機械式リレーとが相互に並列に接続されて成る突入
電流抑制装置であって、 前記半導体装置の動作出力に応答し、予め定める時間経
過後から、前記機械式リレーを導通駆動する制御回路を
備えることを特徴とする突入電流抑制装置。
2. An inrush current suppressing device comprising a semiconductor device capable of suppressing an inrush current and a mechanical relay connected in parallel with each other, wherein a predetermined time is provided in response to an operation output of the semiconductor device. An inrush current suppression device comprising: a control circuit that drives the mechanical relay to conduct after a lapse of time.
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