JP2002324738A

JP2002324738A - プロセスフロー診断方法

Info

Publication number: JP2002324738A
Application number: JP2001128628A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Ishizuka; 裕晶石塚
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-04-26
Filing date: 2001-04-26
Publication date: 2002-11-08

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、診断もれなく、正確に、半
導体製造装置の汚染を判定できるプロセスフロー診断方
法を提供することである。【解決手段】プロセスフローを構成するウエハ毎に、
診断対象の処理工程での処理前の汚染状態を、診断対象
の処理工程より前の全ての処理工程の処理内容に基づい
て求める。この汚染状態と診断対象の処理工程で用いる
半導体製造装置での処理可能な汚染状態とを比較して、
半導体製造装置が汚染される可能性があるか否かを判断
する。ウエハ毎に診断対象の処理工程での処理前の汚染
状態を求めるため、ある特定のウエハのみを処理する処
理工程を含む半導体のプロセスフローに対しても半導体
製造装置が汚染されるか否かを正確に判断できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を試作
或いは製造するための処理の流れ（プロセスフロー）に
よって、半導体製造装置が汚染されるか否かを診断する
プロセスフロー診断方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体製造装置のプロセスフロー
の診断方法は、特定の処理工程に関し、その直前直後の
１工程或いは数工程に存在してはならない禁止工程を予
め持たせ、それを用いてプロセスフロー内に禁止工程が
存在するか否か判定していた（特開平７−１８２４２２
号公報、特開平５−８２４０６号公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプロセ
スフロー診断方法では、以下のような問題があった。（１）直前数工程の禁止工程の存在を判定する方法で
は、それより前に半導体製造装置を汚染させてしまう処
理工程が存在していた場合、汚染する可能性を見出せ
ず、診断もれが発生する。（２）禁止工程の判定では、各処理工程の禁止工程を予
め登録しておく必要があり、登録していない禁止工程に
ついては診断されない。（３）処理工程単位の診断であるため、ある特定のウエ
ハのみを処理する処理工程を含むプロセスフローの診断
を行うことができない。

【０００４】上記従来の問題に鑑み、本発明の目的は、
診断もれなく、正確に、半導体製造装置の汚染を判定で
きるプロセスフロー診断方法を提供することである。

【０００５】さらには、ある特定のウエハのみを処理す
る処理工程を含む半導体のプロセスフローに対しても半
導体製造装置の汚染を正確に判定できるプロセスフロー
診断方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるプロセスフロー診断方法は、各処理
工程において、ロットの汚染状態或いはロットを構成す
る各々のウエハの汚染状態を、プロセスフローの最初の
処理工程から順にシミュレーションして求め、その汚染
状態のロット或いはウエハを処理することで半導体製造
装置が汚染されるか否かを診断するものである。

【０００７】請求項１記載のプロセスフロー診断方法
は、複数の処理工程によって構成される半導体のプロセ
スフローによる半導体製造装置の汚染を診断するプロセ
スフロー診断方法であって、診断対象の処理工程におけ
る処理前のロットの汚染状態を、診断対象の処理工程よ
り前の全ての処理工程の処理内容に基づいて求め、処理
前のロットの汚染状態が診断対象の処理工程で用いる半
導体製造装置での処理が許されない汚染状態である場合
に、診断対象の処理工程において半導体製造装置が汚染
される可能性があると判断し、診断対象の処理工程で用
いる半導体製造装置での処理が許される汚染状態である
場合に、診断対象の処理工程において半導体製造装置が
汚染される可能性がないと判断することを特徴とするも
のである。

【０００８】請求項２記載のプロセスフロー診断方法
は、診断対象の処理工程における処理前のロットの汚染
状態は、請求項１記載のプロセスフロー診断方法におい
て、診断対象の処理工程およびそれより前の処理工程の
任意の一処理工程の直前の処理工程における処理前のロ
ットの汚染状態が、一処理工程の直前の処理工程で用い
る半導体製造装置の汚染状態より悪い場合には、一処理
工程の処理前のロットの汚染状態を一処理工程の直前の
処理工程における処理前のロットの汚染状態に設定し、
一処理工程の直前の処理工程で用いる半導体製造装置の
汚染状態より良い場合には、一処理工程の処理前のロッ
トの汚染状態を一処理工程の直前の処理工程で用いる半
導体製造装置の汚染状態に設定することにより、求める
ことを特徴とするものである。

【０００９】請求項３記載のプロセスフロー診断方法
は、請求項２記載のプロセスフロー診断方法において、
診断対象の処理工程における処理前のロットの汚染状態
を求める際、診断対象の処理工程より前の処理工程に特
定の処理工程を含む場合、特定の処理工程の直後の処理
工程における処理前のロットの汚染状態を、特定の処理
工程で用いる半導体製造装置の汚染状態に設定すること
を特徴とするものである。

【００１０】請求項４記載のプロセスフロー診断方法
は、請求項２または請求項３記載のプロセスフロー診断
方法において、診断対象とするプロセスフローの最初の
処理工程におけるロットの処理前の汚染状態を任意に設
定することを特徴とするものである。

【００１１】上記の本発明によれば、診断対象の処理工
程より前の全ての処理工程の処理内容に基づいて、診断
対象の処理工程における処理前のロットの汚染状態を求
め、その汚染状態を用いて診断しているため、直前数工
程しか見ていない従来のプロセスフロー診断方法で問題
となっている診断もれが発生することがなく、正確に半
導体製造装置が汚染されるか否かを診断することができ
る。

【００１２】請求項５記載のプロセスフロー診断方法
は、複数の処理工程によって構成される半導体のプロセ
スフローによる半導体製造装置の汚染を診断するプロセ
スフロー診断方法であって、診断対象の処理工程におけ
る処理前の各ウエハの汚染状態を、診断対象の処理工程
より前の全ての処理工程の処理内容に基づいて求め、処
理前のウエハのうち少なくとも１枚のウエハの汚染状態
が診断対象の処理工程で用いる半導体製造装置での処理
が許されない汚染状態である場合に、診断対象の処理工
程において半導体製造装置が汚染される可能性があると
判断し、診断対象の処理工程で用いる半導体製造装置で
の処理が許される汚染状態である場合に、診断対象の処
理工程において半導体製造装置が汚染される可能性がな
いと判断することを特徴とするものである。

【００１３】請求項６記載のプロセスフロー診断方法
は、請求項５記載のプロセスフロー診断方法において、
診断対象の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状
態は、診断対象の処理工程およびそれより前の処理工程
の任意の一処理工程の直前の処理工程における処理前の
各ウエハの汚染状態が、一処理工程の直前の処理工程で
用いる半導体製造装置の汚染状態より悪い場合には、一
処理工程の処理前の各ウエハの汚染状態を一処理工程の
直前の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状態に
設定し、一処理工程の直前の処理工程で用いる半導体製
造装置の汚染状態より良い場合には、一処理工程の処理
前の各ウエハの汚染状態を一処理工程の直前の処理工程
で用いる半導体製造装置の汚染状態に設定することによ
り、求めることを特徴とするものである。

【００１４】請求項７記載のプロセスフロー診断方法
は、請求項６記載のプロセスフロー診断方法において、
診断対象の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状
態を求める際、診断対象の処理工程より前の処理工程に
特定の処理工程を含む場合、特定の処理工程の直後の処
理工程における処理前の各ウエハの汚染状態を、特定の
処理工程で用いる半導体製造装置の汚染状態に設定する
ことを特徴とするものである。

【００１５】請求項８記載のプロセスフロー診断方法
は、請求項６または請求項７記載のプロセスフロー診断
方法において、診断対象とするプロセスフローの最初の
処理工程における各ウエハの処理前の汚染状態を任意に
設定することを特徴とするものである。

【００１６】上記の本発明によれば、診断対象の処理工
程より前の全ての処理工程の処理内容に基づいて、診断
対象の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状態を
求め、その汚染状態を用いて診断しているため、従来の
ような診断もれが発生することがなく、正確に半導体製
造装置が汚染されるか否かを診断することができること
に加え、半導体の量産ラインだけでなく、特定のウエハ
のみを処理する処理工程を含む試作ラインや開発ライン
等のプロセスフローに対しても正確に半導体製造装置の
汚染を診断できる。

【００１７】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本発明の第
１の実施の形態に係るプロセスフロー診断方法は、複数
の処理工程で構成される半導体のプロセスフローの診断
方法である。

【００１８】先ず、ロットの汚染状態と半導体製造装置
（以下、単に「製造装置」という）の汚染状態の関係に
ついて説明する。以下、汚染状態は、一例としてレジス
ト汚染に絞って説明する。レジストの汚染レベルの一例
を表１に示す。

【００１９】

【表１】

【００２０】表１に示すように、本実施の形態では、
「レジストなし」、「レジスト付き（アッシング必要な
し）」、「レジスト付き（アッシング必要）」、「レジ
スト付き（高ドーズ用アッシング必要）」の４段階に分
類する。「レジストなし」が最も汚染されておらず、
「レジスト付き（高ドーズ用アッシング必要）」が最も
汚染されていることを示している。

【００２１】表２は、製造装置別の汚染状態と、各製造
装置において処理可能なロットの汚染状態の一例を示し
ている。

【００２２】

【表２】

【００２３】表２では、２つの洗浄装置Ａ，Ｂ、アッシ
ング装置、２つのドライエッチ装置（ドライエッチング
装置）Ａ，Ｂを製造装置の例として示しており、例え
ば、ドライエッチ装置Ａでは、処理可能なロットの汚染
状態が「レジスト付き（アッシング必要）」となってい
るが、これは、「レジスト付き（アッシング必要）」の
レベル以下の汚染度、すなわち、汚染状態が「レジスト
付き（アッシング必要）」、「レジスト付き（アッシン
グ必要なし）」、「レジストなし」のロットであれば処
理が許されることを示す。他の製造装置についても同様
に示してある。

【００２４】洗浄工程やアッシング工程を除く殆どの処
理工程の製造装置で処理された後のロットの汚染状態
は、処理前のロットの汚染状態が製造装置の汚染状態よ
り良い状態である場合は、製造装置により汚染され、製
造装置の汚染状態と同じになる。一方、処理前のロット
の汚染状態が製造装置の汚染状態より悪い場合は、処理
後のロットの汚染状態は処理前と変わらないが、製造装
置は汚染される。

【００２５】例えば、表２のドライエッチ装置Ｂでは、
処理可能なロットの汚染状態は「レジスト付き（アッシ
ング必要なし）」レベル以下、すなわち「レジスト付き
（アッシング必要なし）」と「レジストなし」であり、
また、ドライエッチ装置Ｂの汚染状態は、ロットの処理
によって汚染されていない場合は、「レジスト付き（ア
ッシング必要なし）」である。

【００２６】この時、ドライエッチ装置Ｂで、汚染状態
が「レジスト付き（アッシング必要なし）」より良い汚
染状態（汚染度が小さい）のロットを処理した場合、処
理後のドライエッチ装置Ｂの汚染状態は変わらないが、
処理後のロットの汚染状態は「レジスト付き（アッシン
グ必要なし）」になる。反対に、ドライエッチ装置Ｂの
汚染状態の「レジスト付き（アッシング必要なし）」よ
りも悪い汚染状態（汚染度が大きい）のロットを処理し
た場合には、ロットの汚染状態は処理前と変わらない
が、ドライエッチ装置Ｂは、ロットの汚染状態と同じ汚
染状態になってしまう。

【００２７】一方、洗浄工程やアッシング工程を処理す
る製造装置（洗浄装置Ａ，Ｂ、アッシング装置）の場合
は、処理後のロットの汚染状態は、処理前のロットの汚
染状態に係わらず、各々の製造装置において決まった汚
染状態になる。表３は、このように処理後のロットがあ
る決まった汚染状態になる製造装置と、その汚染状態を
示している。

【００２８】

【表３】

【００２９】次に、本発明の第１の実施の形態に係るプ
ロセスフロー診断方法を説明する。この第１の実施の形
態に係るプロセスフロー診断方法は、各処理工程におい
て、ロットの汚染状態を、第１処理工程（プロセスフロ
ーの最初の処理工程）から順にシミュレーションして求
め、その汚染状態のロットを処理することで製造装置が
汚染されるか否かを診断するものである。以下、図面を
参照しながら詳しく説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態に係るプロセスフロー診断方法のフローチャ
ートである。

【００３０】図１に示すように、先ずステップＳ１１
で、診断対象の処理工程の処理前のロットの汚染状態を
求める。この汚染状態を求める方法を図２に示すフロー
チャートを用いて説明する。ここでは、半導体のプロセ
スフローを構成する複数の処理工程をはじめから順に第
１処理工程，第２処理工程，第３処理工程，・・・と
し、図２は、第ｉ処理工程（ｉは１以上の整数）におけ
る処理前のロットの汚染状態を求める方法である。

【００３１】図２に示すように、先ずステップＳ２１
で、第１処理工程（ｉ＝１）の処理前のロットの汚染状
態を、汚染レベルの最も低い「汚染なし」、ここでは
「レジストなし」に設定する。

【００３２】次にステップＳ２２で、第ｉ処理工程が診
断する処理工程（診断対象の処理工程）であるかどうか
を判断し、診断する処理工程である場合には図２の処理
を終了し、第ｉ処理工程が診断する処理工程と異なる場
合には、ステップＳ２３に進む。

【００３３】ステップＳ２３で、第ｉ処理工程の製造装
置での処理後にロットが一定の汚染状態になるか否かを
判断し、第ｉ処理工程での処理後にロットが一定の汚染
状態になる場合（第ｉ処理工程の製造装置が表３に存在
する場合）には、ステップＳ２４へ進み、ロットの汚染
状態を、一定の汚染状態（表３の該当する処理後のロッ
トの汚染状態）に変更し、その後ステップＳ２７へ進
む。

【００３４】第ｉ処理工程の処理後にロットが一定の汚
染状態にならない場合（第ｉ処理工程の製造装置が表３
に存在しない場合）は、ステップＳ２５へ進み、処理前
のロットの汚染状態が第ｉ処理工程の製造装置の汚染状
態（表２の該当する製造装置の汚染状態）より良いか否
かを判断する。

【００３５】処理前のロットの汚染状態が製造装置の汚
染状態より良ければ、ステップＳ２６へ進み、ロットの
汚染状態を、表２の該当する製造装置の汚染状態にセッ
トし、ステップＳ２７へ進む。反対に、処理前のロット
の汚染状態が製造装置の汚染状態より良いと言えない場
合（汚染状態が同じか悪い場合）には、ロットの汚染状
態を変更せず、ステップＳ２７へ進む。

【００３６】ステップＳ２７で、ｉをｉ＋１に代えるこ
とにより、上記の処理を、診断する処理工程まで繰り返
し行い、ステップＳ２２で第ｉ処理工程が診断する処理
工程になったときのロットの汚染状態が、診断する処理
工程の処理前のロットの汚染状態として求まる。

【００３７】次に、図１のステップＳ１２で、図２の処
理で求めた処理前のロットの汚染状態が製造装置での処
理可能な汚染状態（処理が許される汚染状態）であるか
否かを判断する。すなわち、処理前のロットの汚染状態
と、診断する処理工程に該当する製造装置における処理
可能なロットの汚染状態（表２）とを比較し、求めたロ
ットの汚染状態の方が処理可能なロットの汚染状態より
悪い場合に、製造装置が汚染される可能性があると判断
し（ステップＳ１３）、求めたロットの汚染状態が処理
可能なロットの汚染状態より良いか同じである場合は製
造装置が汚染される可能性がないと判断する（ステップ
Ｓ１４）。

【００３８】診断結果は、コンピュータディスプレイ上
に表示したり、紙に印刷することで、知ることができ
る。

【００３９】尚、第１処理工程の処理前のロットの汚染
状態を汚染レベルの最も低い「レジストなし」に設定し
たが、他の汚染レベルに設定してもよい。

【００４０】例えば、他工場（工場Ａ）で処理していた
ロットを途中の処理工程から別の工場（工場Ｂ）で処理
することになった場合、工場Ａで使用していたそのロッ
トのプロセスフローを、工場Ｂの製造装置に合ったプロ
セスフローに作り直す必要がある。この時、新たに作り
直すプロセスフローの第１処理工程は、工場Ｂで処理す
る最初の処理工程であるため、第１処理工程の処理前の
ロットの汚染状態は汚染レベルの最も低い「レジストな
し」とは限らない。この場合、第１処理工程の処理前の
汚染状態を工場Ａで処理される最後の処理工程での処理
後の汚染レベルに設定することで、プロセスフローの診
断を正確に行えるようになる。

【００４１】また、本実施の形態では、全てのウエハを
処理する複数の処理工程によって構成される半導体のプ
ロセスフローの診断方法を説明したが、プロセスフロー
に、ロットの汚染状態及び製造装置の汚染状態が処理の
前後で変わらない処理工程に限っては、処理するウエハ
と処理しないウエハが混在していても良い。

【００４２】本実施の形態のプロセスフロー診断方法で
は、任意の処理工程の汚染度を診断する時に、それ以前
の全ての処理工程の処理内容から処理直前の汚染状態を
求め、その汚染状態を用いて診断しているため、直前数
工程しか見ていない従来のプロセスフロー診断方法で問
題となっている診断もれが発生することがなく、正確に
製造装置が汚染されるか否かを診断することができる。

【００４３】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態に係るプロセスフロー診断方法は、ある特定のウ
エハのみを処理する処理工程を含む半導体のプロセスフ
ローの不備を診断する方法である。

【００４４】半導体の量産ラインでは、プロセスフロー
を構成する各々の処理工程において、全てのウエハが処
理される。しかし、試作ラインや開発ラインでは、プロ
セスの条件分けのため、ある特定のウエハだけが処理さ
れる処理工程を含むプロセスフローを用いたロットが流
れる。このようなロットの場合、各々の処理工程におい
て、ウエハ毎に汚染状態が異なるため、ウエハ単位でプ
ロセスフローの診断を行う必要がある。

【００４５】そこで、本実施の形態では、各処理工程に
おいて、ロットを構成する各々のウエハの汚染状態を、
第１処理工程（プロセスフローの最初の処理工程）から
順にシミュレーションして求め、その汚染状態のウエハ
を処理することで製造装置が汚染されるか否かを診断す
るようにしている。以下、図面を参照しながら詳しく説
明する。この第２の実施の形態でも、第１の実施の形態
同様、汚染状態は、一例としてレジスト汚染に絞って説
明する。

【００４６】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る
プロセスフロー診断方法のフローチャートである。な
お、第１の実施の形態の説明で用いた表１，表２，表３
の関係は同様とする。

【００４７】図３に示すように、ステップＳ３１〜Ｓ３
４で、プロセスフローを構成するウエハ毎に、診断対象
の処理工程での処理前の汚染状態を求める。ステップＳ
３２における各ウエハの汚染状態を求める方法を図４に
示すフローチャートを用いて説明する。ここでは、半導
体のプロセスフローを構成する複数の処理工程をはじめ
から順に第１処理工程，第２処理工程，第３処理工程，
・・・とし、図４は、第ｉ処理工程（ｉは１以上の整
数）における処理前のウエハの汚染状態を求める方法で
ある。

【００４８】図４に示すように、先ずステップＳ４１
で、第１処理工程（ｉ＝１）の処理前のウエハの汚染状
態を、汚染レベルの最も低い「汚染なし」、ここでは
「レジストなし」に設定する。

【００４９】次にステップＳ４２で、第ｉ処理工程が診
断する処理工程（診断対象の処理工程）であるかどうか
を判断し、診断する処理工程である場合には図２の処理
を終了し、第ｉ処理工程が診断する処理工程と異なる場
合には、ステップＳ４３に進む。

【００５０】ステップＳ４３で、第ｉ処理工程の製造装
置での処理後にウエハが一定の汚染状態になるか否かを
判断し、第ｉ処理工程での処理後にウエハが一定の汚染
状態になる場合（第ｉ処理工程の製造装置が表３に存在
する場合）には、ステップＳ４４へ進み、ウエハの汚染
状態を、一定の汚染状態（表３の該当する処理後のロッ
トの汚染状態）に変更し、その後ステップＳ４７へ進
む。

【００５１】第ｉ処理工程の処理後にウエハが一定の汚
染状態にならない場合（第ｉ処理工程の製造装置が表３
に存在しない場合）は、ステップＳ４５へ進み、処理前
のウエハの汚染状態が第ｉ処理工程の製造装置の汚染状
態（表２の該当する製造装置の汚染状態）より良いか否
かを判断する。

【００５２】処理前のウエハの汚染状態が製造装置の汚
染状態より良ければ、ステップＳ４６へ進み、ウエハの
汚染状態を、表２の該当する製造装置の汚染状態にセッ
トし、ステップＳ４７へ進む。反対に、処理前のウエハ
の汚染状態が製造装置の汚染状態より良いと言えない場
合（汚染状態が同じか悪い場合）には、ウエハの汚染状
態を変更せず、ステップＳ４７へ進む。

【００５３】ステップＳ４７で、ｉをｉ＋１に代えるこ
とにより、上記の処理を、診断する処理工程まで繰り返
し行い、ステップＳ４２で第ｉ処理工程が診断する処理
工程になったときのウエハの汚染状態が、診断する処理
工程の処理前のウエハの汚染状態として求まる。

【００５４】図４の処理を、診断対象の処理工程での処
理前のロットを構成する全てのウエハについて行い、こ
れらの汚染状態を求める。

【００５５】次に、図３のステップＳ３６で、図４の処
理で求めた処理前の各ウエハの汚染状態が製造装置での
処理可能な汚染状態（処理が許される汚染状態）である
か否かを判断する。すなわち、処理前のウエハの汚染状
態と、診断する処理工程に該当する製造装置における処
理可能なロットの汚染状態（表２）とを比較し、求めた
ウエハの汚染状態の方が処理可能なロットの汚染状態よ
り悪い場合に、製造装置が汚染される可能性があると判
断し（ステップＳ３７）、求めたウエハの汚染状態が処
理可能なロットの汚染状態より良いか同じである場合は
製造装置が汚染される可能性がないと判断する（ステッ
プＳ３８）。

【００５６】ステップＳ３５〜Ｓ４０により、ロットを
構成する全てのウエハについて汚染状態が、製造装置で
の処理可能な汚染状態（処理が許される汚染状態）であ
るか否かを判断される。そして、少なくとも１枚のウエ
ハの汚染状態が、処理可能なロットの汚染状態より悪い
場合に、製造装置が汚染されると判断する。ここでは、
全てのウエハの汚染状態について、製造装置が汚染され
るか否かを判断しているため、製造装置を汚染する全て
のウエハをみつけることができる。なお、製造装置が汚
染されるか否かを判断するだけであれば、処理可能なロ
ットの汚染状態より汚染状態の悪いウエハを１枚みつけ
た時点で診断を終了するようにしてもよい。

【００５７】診断結果は、コンピュータディスプレイ上
に表示したり、紙に印刷することで、知ることができ
る。

【００５８】尚、第１処理工程の処理前のウエハの汚染
状態を汚染レベルの最も低い「レジストなし」に設定し
たが、他の汚染レベルに設定してもよい。

【００５９】例えば、他工場（工場Ａ）で処理していた
ロットを途中の処理工程から別の工場（工場Ｂ）で処理
することになった場合、工場Ａで使用していたそのロッ
トのプロセスフローを、工場Ｂの製造装置に合ったプロ
セスフローに作り直す必要がある。この時、新たに作り
直すプロセスフローの第１処理工程は、工場Ｂで処理す
る最初の処理工程であるため、第１処理工程の処理前の
全てのウエハの汚染状態が汚染レベルの最も低い「レジ
ストなし」とは限らない。この場合、第１処理工程の各
ウエハの処理前の汚染状態を工場Ａで処理される最後の
処理工程での処理後の汚染レベルに設定することで、プ
ロセスフローの診断を正確に行えるようになる。

【００６０】本実施の形態のプロセスフロー診断方法に
よれば、第１の実施の形態で述べた効果に加えて、ある
特定のウエハのみを処理する処理工程を含む半導体のプ
ロセスフローによる製造装置の汚染を正確に診断できる
ことである。したがって、半導体の量産ライン、試作ラ
イン、開発ラインの全てのプロセスフローに対して、診
断もれなく、正確に半導体製造装置の汚染を判定でき
る。

【００６１】なお、上記の第１および第２の実施の形態
では、診断の対象となる処理工程の処理前のロットある
いはウエハの汚染状態をシミュレーションによって求め
るが、そのシミュレーションを行う装置に予め表１，表
２，表３の内容を入力し、設定しておくものとする。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、診断対象の処理工程よ
り前の全ての処理工程の処理内容に基づいて、診断対象
の処理工程における処理前のロットの汚染状態を求め、
その汚染状態と半導体製造装置で処理可能な汚染状態と
を比較することによってプロセスフローの診断を行って
いるため、直前数工程しか見ていない従来のプロセスフ
ロー診断方法で問題となっている診断もれが発生するこ
とがなく、正確に半導体製造装置が汚染されるか否かを
診断することができる。

【００６３】また、本発明によれば、診断対象の処理工
程より前の全ての処理工程の処理内容に基づいて、診断
対象の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状態を
求め、その汚染状態と半導体製造装置で処理可能な汚染
状態とを比較することによってプロセスフローの診断を
行っているため、従来のような診断もれが発生すること
がなく、正確に半導体製造装置が汚染されるか否かを診
断することができることに加え、半導体の量産ラインだ
けでなく、特定のウエハのみを処理する処理工程を含む
試作ラインや開発ライン等のプロセスフローに対しても
正確に半導体製造装置の汚染を診断できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプロセスフロ
ー診断方法を示すフローチャート。

【図２】本発明の第１の実施の形態において診断対象の
処理工程における処理前のロットの汚染状態を求める方
法を示すフローチャート。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプロセスフロ
ー診断方法を説明するフローチャート。

【図４】本発明の第２の実施の形態において診断対象の
処理工程における処理前のウエハの汚染状態を求める方
法を示すフローチャート。

【符号の説明】

Ｓ１１〜Ｓ１４第１の実施の形態におけるステップＳ３１〜Ｓ３９第２の実施の形態におけるステップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の処理工程によって構成される半導
体のプロセスフローによる半導体製造装置の汚染を診断
するプロセスフロー診断方法であって、診断対象の処理工程における処理前のロットの汚染状態
を、前記診断対象の処理工程より前の全ての処理工程の
処理内容に基づいて求め、前記処理前のロットの汚染状態が前記診断対象の処理工
程で用いる半導体製造装置での処理が許されない汚染状
態である場合に、前記診断対象の処理工程において前記
半導体製造装置が汚染される可能性があると判断し、前
記診断対象の処理工程で用いる半導体製造装置での処理
が許される汚染状態である場合に、前記診断対象の処理
工程において前記半導体製造装置が汚染される可能性が
ないと判断することを特徴とするプロセスフロー診断方
法。
【請求項２】診断対象の処理工程における処理前のロ
ットの汚染状態は、前記診断対象の処理工程およびそれより前の処理工程の
任意の一処理工程の直前の処理工程における処理前のロ
ットの汚染状態が、前記一処理工程の直前の処理工程で
用いる半導体製造装置の汚染状態より悪い場合には、前
記一処理工程の処理前のロットの汚染状態を前記一処理
工程の直前の処理工程における処理前のロットの汚染状
態に設定し、前記一処理工程の直前の処理工程で用いる
半導体製造装置の汚染状態より良い場合には、前記一処
理工程の処理前のロットの汚染状態を前記一処理工程の
直前の処理工程で用いる半導体製造装置の汚染状態に設
定することにより、求めることを特徴とする請求項１記
載のプロセスフロー診断方法。
【請求項３】診断対象の処理工程における処理前のロ
ットの汚染状態を求める際、前記診断対象の処理工程よ
り前の処理工程に特定の処理工程を含む場合、前記特定
の処理工程の直後の処理工程における処理前のロットの
汚染状態を、前記特定の処理工程で用いる半導体製造装
置の汚染状態に設定することを特徴とする請求項２記載
のプロセスフロー診断方法。
【請求項４】診断対象とするプロセスフローの最初の
処理工程におけるロットの処理前の汚染状態を任意に設
定することを特徴とする請求項２または請求項３記載の
プロセスフロー診断方法。
【請求項５】複数の処理工程によって構成される半導
体のプロセスフローによる半導体製造装置の汚染を診断
するプロセスフロー診断方法であって、診断対象の処理工程における処理前の各ウエハの汚染状
態を、前記診断対象の処理工程より前の全ての処理工程
の処理内容に基づいて求め、前記処理前のウエハのうち少なくとも１枚のウエハの汚
染状態が前記診断対象の処理工程で用いる半導体製造装
置での処理が許されない汚染状態である場合に、前記診
断対象の処理工程において前記半導体製造装置が汚染さ
れる可能性があると判断し、前記診断対象の処理工程で
用いる半導体製造装置での処理が許される汚染状態であ
る場合に、前記診断対象の処理工程において前記半導体
製造装置が汚染される可能性がないと判断することを特
徴とするプロセスフロー診断方法。
【請求項６】診断対象の処理工程における処理前の各
ウエハの汚染状態は、前記診断対象の処理工程およびそれより前の処理工程の
任意の一処理工程の直前の処理工程における処理前の各
ウエハの汚染状態が、前記一処理工程の直前の処理工程
で用いる半導体製造装置の汚染状態より悪い場合には、
前記一処理工程の処理前の各ウエハの汚染状態を前記一
処理工程の直前の処理工程における処理前の各ウエハの
汚染状態に設定し、前記一処理工程の直前の処理工程で
用いる半導体製造装置の汚染状態より良い場合には、前
記一処理工程の処理前の各ウエハの汚染状態を前記一処
理工程の直前の処理工程で用いる半導体製造装置の汚染
状態に設定することにより、求めることを特徴とする請
求項５記載のプロセスフロー診断方法。
【請求項７】診断対象の処理工程における処理前の各
ウエハの汚染状態を求める際、前記診断対象の処理工程
より前の処理工程に特定の処理工程を含む場合、前記特
定の処理工程の直後の処理工程における処理前の各ウエ
ハの汚染状態を、前記特定の処理工程で用いる半導体製
造装置の汚染状態に設定することを特徴とする請求項６
記載のプロセスフロー診断方法。
【請求項８】診断対象とするプロセスフローの最初の
処理工程における各ウエハの処理前の汚染状態を任意に
設定することを特徴とする請求項６または請求項７記載
のプロセスフロー診断方法。