JP2002323373A - 赤外線吸収体を有する電子部品及びその製造方法 - Google Patents

赤外線吸収体を有する電子部品及びその製造方法

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JP2002323373A
JP2002323373A JP2001132166A JP2001132166A JP2002323373A JP 2002323373 A JP2002323373 A JP 2002323373A JP 2001132166 A JP2001132166 A JP 2001132166A JP 2001132166 A JP2001132166 A JP 2001132166A JP 2002323373 A JP2002323373 A JP 2002323373A
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diaphragm
substrate
infrared
paint
infrared absorber
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JP2001132166A
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Hiroko Ogawa
浩子 小川
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Tama Electric Co Ltd
Original Assignee
Tama Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイアフラム状に形成加工した基板の上の電
子回路に対して、厚さが均一な塗膜を形成しようとして
も、薄いダイアフラム破損させてしまう心配があり、赤
外線センサー、ガスセンサーといった、ダイアフラム構
造が必要である電子部品の製造過程において問題となっ
ていた。 【手段】 ダイアフラム状に形成加工した基板の上の電
子回路に対して、フォトレジストをマスクとして、例え
ば、スプレー缶などに封入された塗料を吹き付けて、均
一な厚みの塗膜を得ることを可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラム状に
形成加工した基板上の電子部品に塗料を吹き付け、その
塗膜をパターン形成して、赤外線吸収体として利用する
ことを特徴とした電子部品及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品を作製する際、基板上に均一な
塗膜を形成するには、浸積、筆塗り、印刷などがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、ダイ
アフラム状に形成加工した基板上の電子部品に対して、
厚さが均一な塗膜を形成しようとしても、薄いダイアフ
ラムは破損しやすいため、赤外線センサー、ガスセンサ
ーといった、ダイアフラム構造が必要である電子部品の
製造過程において問題となっていた。
【0004】浸漬法では、顔料等の固形成分の比重が大
きい塗料の場合、塗布する液体の粘性が大きく、基板を
浸潰している最中に、ダイアフラムが破損する。
【0005】筆塗りの場合は、先端が針状の毛筆の刺激
や、筆圧などの物理力でダイアフラムが破損し易く、膜
形成が困難である。更に、塗料の付着量を一定に保つこ
とが困難であり、膜厚ばらつきの原因となる。
【0006】更に、印刷の場合は、スキージがマスクで
ある版を移動する時に発生する印圧でダイアフラムが破
損し、この場合も膜形成が困難である。
【0007】しかし、少なくともスピンコート法による
回転塗布は、基板の固定方法を工夫することにより、ダ
イアフラムを破損せずに加工が可能である。
【0008】ダイアフラム構造を持つ電子部品の応用と
して赤外線センサーがあるが、前記赤外線センサーは、
赤外線のエネルギーにより赤外線センサーの検出部が温
度変化を生じることにより、赤外線を検出している。前
記赤外線センサーの特性を向上させるための手段として
は、一つは前記ダイアフラム構造によって熱容量を小さ
く抑えることであり、また一つは赤外線を効率良く吸収
する構造を持つことである。
【0009】前記赤外線を効率よく吸収する構造として
は、赤外線検出部に赤外線吸収体を設けることが効果的
である。赤外線を効率よく吸収するためには、金属光沢
など赤外線の放射率が低い材料では効率が劣るので、赤
外線の放射率が高い材料が好ましく用いられている。
【0010】上記のような、赤外線のエネルギー測定に
使われている赤外線吸収体には、赤外線の放射率が最大
の1に近い、色の黒い物体が望ましく、金黒がよく知ら
れている。
【0011】金黒は、金を数パスカル程度の低い真空度
で蒸着することによって得られ、すす状の黒い物体であ
るのだが、それ単体で基板に対する密着力が無く、基板
のダイアフラム上に保持するのが難しい。
【0012】また、スパッ夕法にて窒化チタンを形成す
ることによる赤外線吸収膜製造法(特開平10−130
831)も知られているが、それを可能にする特別な装
置が必要になり、かつ、成膜前に真空排気を実施しなけ
ればならず、手間と時間がかかる。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ダイアフラ
ム状に形成加工した基板に対して、薄いダイアフラム状
に形成加工した基板を破損することなく、均一な厚さの
塗膜の形成方法を提供するものである。
【0014】エナメルなどの樹脂を主成分とした塗料
は、着色が容易であり、低温で焼付けを行っても十分に
硬化することが知られている。赤外線吸収体として利用
する場合においても、例えば着色エナメル塗料の顔料と
して、赤外線吸収に有効な成分を含ませることが出来
る。塗料に用いる樹脂としては、エナメルの他アクリル
などを用いても良い。
【0015】本発明では、ダイアフラム状に形成加工し
た基板上の電子回路に対して、フォトレジストをマスク
として、上記着色塗料を吹き付けて、マスクのみを除去
することで、吹き付け膜の形状加工を可能にした。吹き
付ける塗布法により、薄く均一な膜形成を容易に行うこ
とが出来る。
【0016】フォトレジストをコーティングするときに
は、ダイアフラム状に形成加工した基板の裏側に、例え
ば、ダイシングテープ等の剥離可能な粘着テープを貼り
付け、基板の底面を平らにすることで、ダイアフラムを
損なわずに基板をチャックする面を一時的に設けること
ができる。
【0017】前記のように前処理を施した基板は、静電
チャック、真空チャック等で基板を固定することが可能
になり、スピンコート等の方法でフォトレジストを基板
全体に回転できる。
【0018】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を、図面を参照
して説明する。
【0019】ダイアフラム状に形成加工した基板1の裏
側に、剥離可能なダイシングテープ3を貼り付け、基板
の底面を平らにすることで真空吸着を可能にした図2に
示す基板は、図3に示すようにスピンコート法による回
転塗布でポジ型フォトレジスト4を赤外線吸収体形成面
の基板全体に回転塗布した。
【0020】ポジ型フォトレジスト4を乾燥させたあ
と、マスク画像を焼き付けるが、このとき回転塗布した
フォトレジスト4と、あらかじめマスクしたい部分が描
いてあるガラス等でできたフィルターとを、図4のよう
に1から5マイクロメートル程度離した位置に設置して
から露光した。前記露光手段を用いることにより、ガラ
ス等でできたフィルターが、ダイアフラムを破損するこ
となく実施できる。
【0021】また、焼き付けた画像を現像した後に、現
像で水洗を施したが、水分の乾燥のため、回転式のスピ
ンドライヤーを用いて水分の乾燥を行ったので、ダイア
フラムを破損することなく実施できた。
【0022】前記画像を現像した基板に、スプレー缶な
どに封入された合成樹脂エナメル塗料(日本ペイント製
の耐熱用スプレーやアサヒペン製の耐熱塗料など)を用
いて赤外線吸収体形成面へ吹き付け、赤外線吸収体とな
る塗膜を形成させるが、セロファンテープ等粘着テープ
を用いて、板状のジグへダイアフラム状に形成加工した
基板を仮固定し、先に形成したフォトレジストをマスク
として、15から30センチメートル程度離れた位置か
ら塗料を吹き付けた。
【0023】以上のようにして図5に示す塗料を吹き付
けた基板は、熱処理によって塗膜に含有する溶剤を加熱
除去するが、そのときの温度は、80℃からフォトレジ
ストの硬化温度より10℃程度低い範囲が好ましく、本
実施例では60℃で硬化させた。
【0024】熱処理した基板は、ダイアフラム上に形成
したい前記吹き付けた塗膜と、マスクとして利用し本来
部品にとって不用なポジ型フォトレジストとの、有機溶
剤に対する溶解の選択性を持つので、マスクのポジ型フ
ォトレジストのみが有機溶剤に可溶であり、図1に示す
ように目的の塗膜のパターンのみがダイアフラム上に残
り、赤外線吸収体をダイアフラム上に形成できた。
【0025】熱電対を形成したダイアフラム上に、以上
の方法によって黒色塗料を吹き付け形状加工し赤外線吸
収体を設けた後、赤外光を照射したところ、図6に示す
ように赤外線吸収体形成前と比較して、起電力に大きな
差が認められた。
【0026】
【発明の効果】本発明による赤外線吸収体および塗膜
は、以下に記載されているような効果を発揮する。
【0027】熱電対を形成したダイアフラム上に、本発
明により黒色塗料を吹き付け形状加工した後、赤外光を
照射して黒色塗料が得た光学エネルギーを、熱電対の起
電力として測定すると、より大きい起電力を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】吹き付けた塗膜のパターンが形成された、ダイ
アフラム状に形成加工した基板の断面図である。
【図2】ダイアフラム状に形成加工した基板に剥離可能
な粘着テープを貼り付けた後の断面図である。
【図3】真空吸着可能に準備したダイアフラム状に形成
加工した基板に、ポジ型フォトレジストのスピンコート
を実施した後の断面図である。
【図4】回転塗布したポジ型フォトレジストを露光する
ときの、マスクしたい部分が描いてあるガラス等ででき
たフィルターと、ダイアフラム状に形成加工した基板の
断面図である。
【図5】ダイアフラム状に形成加工した基板に、塗膜の
吹き付け実施したあとの断面図である。
【図6】ダイアフラム上に形成した熱電対の起電力の、
本発明を実施前後の比較結果ある。
【符号の説明】
1 厚さが部分的に薄いダイアフラム状に形成加工し
た基板 2 ダイアフラム 3 剥離可能なダイシングテープ 4 ポジ型フォトレジスト 5 マスクしたい部分が描いてあるガラス等でできた
フィルター 6 高圧水銀灯による露光をしているときの紫外線の
透過 7 吹き付けた塗膜 8 本発明による赤外線吸収体を形成した熱電対の起
電力測定結果 9 本発明による赤外線吸収体を形成する前の熱電対
の起電力測定結果
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01J 5/02 G01J 5/02 B 5/12 5/12 H01L 27/14 H01L 27/14 K D Fターム(参考) 2G065 AA04 AB02 BA11 BB24 CA13 DA20 2G066 BA08 BA60 BB09 4D075 AD02 AD03 BB20Z BB65Z BB69Z CA48 CB07 CB11 DA23 DC21 EA07 EA45 EB22 EC01 EC11 4M118 AA01 AB10 BA30 EA01 GA10 GD20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイアフラム状に形成加工した基板の上
    に、フォトレジストをマスクとして、塗料を吹き付けた
    後、前記フォトレジストによるマスクのみを除去して得
    られる赤外線吸収体を有する電子部品。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の赤外線吸収体を有する電
    子部品の製造方法。
JP2001132166A 2001-04-27 2001-04-27 赤外線吸収体を有する電子部品及びその製造方法 Pending JP2002323373A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007229851A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Institute Of Physical & Chemical Research マイクロパターン形成装置、マイクロパターン構造体、および、その製造方法

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JP2000340848A (ja) * 1999-03-24 2000-12-08 Ishizuka Electronics Corp サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法

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