JP2002322221A - Photosetting high molecular insulating material, method of producing the same, electronics-related substrate and electronic parts - Google Patents

Photosetting high molecular insulating material, method of producing the same, electronics-related substrate and electronic parts

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JP2002322221A
JP2002322221A JP2001130871A JP2001130871A JP2002322221A JP 2002322221 A JP2002322221 A JP 2002322221A JP 2001130871 A JP2001130871 A JP 2001130871A JP 2001130871 A JP2001130871 A JP 2001130871A JP 2002322221 A JP2002322221 A JP 2002322221A
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insulating material
fumarate
group
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Mieko Tamura
美枝子 田村
Toshiaki Takaoka
利明 高岡
Naoyuki Amaya
直之 天谷
Masami Okuo
雅巳 奥尾
Yukihiro Kato
行浩 加藤
Shiro Mio
史朗 実生
Hiroaki Hasegawa
浩昭 長谷川
Toshiaki Yamada
俊昭 山田
Shigeru Asami
茂 浅見
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosetting high molecular insulating material having excellent electric properties, for example, dielectric constant, dielectric loss tangent, electric insulation and the like, solvent resistance, heat resistance, heat shock resistance, a method of producing the same, electronics-related substrates and electronic parts. SOLUTION: The objective photosetting high molecular insulating substance is produced by photosetting a monomer composition including fumaric diester, two or more carbon-carbon double bonds-bearing cross-linkable monomers and photodecomposition type polymerization initiator. In the preferred embodiment, the fumaric diester is used as the major component. The photodecomposable polymerization initiator preferably includes no metal. The electronics-relating substrates, for example, printed circuit substrates or electronic parts, for example, an insulation film or undercoat material and the like is prepared by forming the constitution material including the high molecular insulating material is formed to a prescribed shape and photoset by irradiating the formed material with light, for example, ultraviolet rays.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、架橋型のフマル酸
ジエステル系重合体よりなる光硬化系高分子絶縁材料及
びその製造方法並びに電子関連基板及び電子部材に関す
るものである。さらに詳しくは、誘電特性や耐熱性に優
れた光硬化系高分子絶縁材料及びその製造方法に関する
ものである。加えて、そのような高分子絶縁材料から形
成されるプリント配線基板、ビルドアップ基板等の電子
関連基板及び積層体、接着剤、異方導電膜、ソルダーレ
ジスト、半導体用層間絶縁膜、モールド材等の電子部材
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photo-curable polymer insulating material comprising a crosslinked type fumaric acid diester polymer, a method for producing the same, and an electronic-related substrate and an electronic member. More specifically, the present invention relates to a photocurable polymer insulating material having excellent dielectric properties and heat resistance and a method for producing the same. In addition, electronic-related substrates and laminates such as printed wiring boards and build-up boards formed from such polymer insulating materials, adhesives, anisotropic conductive films, solder resists, interlayer insulating films for semiconductors, molding materials, etc. Electronic members.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の携帯情報通信機器の急増をきっか
けに、情報通信量の増大に伴う情報処理機器の高性能化
への要求が高まっている。すなわち、小型の携帯機器を
用いて大量のデジタル又はアナログ情報を短時間に処理
するために、情報処理機器を構成する各電子部品の高周
波数化への対応が進められている。しかしながら、従来
の絶縁材料では電気信号の伝送速度と伝送損失に限界が
あり、その結果機器の寸法とその情報処理能力に限界が
あった。
2. Description of the Related Art With the recent rapid increase of portable information communication devices, there has been an increasing demand for higher performance of information processing devices as the amount of information communication increases. That is, in order to process a large amount of digital or analog information in a short period of time using a small portable device, a response to a higher frequency of each electronic component constituting the information processing device is being promoted. However, conventional insulating materials have limitations on the transmission speed and transmission loss of electric signals, and as a result, the dimensions of devices and their information processing capabilities have been limited.

【0003】そこで、伝送速度を高めるために低誘電率
材料が提案され、伝送損失を低下させるために低誘電損
失の材料が提案されている。本発明者らはこれらの要求
を満たすために、特開平9−208627号公報におい
て、特定構造のフマル酸ジエステル重合体からなる低誘
電性高分子材料を提案した。この低誘電性高分子材料
は、導体及びガラス織布との密着性ないし接着性が良好
で、かつ薄膜形成能を兼ね備え、しかも高周波領域にお
いて電気特性に優れ(誘電率及び誘電正接が低く)、さ
らには加工性に優れたものである。
[0003] Therefore, a material having a low dielectric constant has been proposed to increase the transmission speed, and a material having a low dielectric loss has been proposed to reduce the transmission loss. In order to satisfy these requirements, the present inventors have proposed a low dielectric polymer material comprising a fumaric acid diester polymer having a specific structure in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-208627. This low dielectric polymer material has good adhesion or adhesion to a conductor and a glass woven cloth, has a thin film forming ability, and has excellent electric characteristics in a high frequency range (low dielectric constant and dielectric loss tangent). Furthermore, it is excellent in workability.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平9−
208627号公報に開示された電気特性の良い低誘電
性高分子材料は、架橋構造を有していないために、ワニ
スとしての加工性に優れるものの耐熱性が低いという問
題があった。また、例えば電気絶縁用材料として用いた
場合、各種有機溶剤やコーティング材に接触した部分が
膨潤するおそれがあるという問題があった。
SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application Laid-Open No.
The low-dielectric polymer material having good electric properties disclosed in Japanese Patent No. 208627 has a problem that it has a low heat resistance although it has excellent workability as a varnish because it does not have a crosslinked structure. Further, for example, when used as a material for electric insulation, there is a problem that a portion in contact with various organic solvents or a coating material may swell.

【0005】さらに、前記低誘電性高分子材料は、加工
する際に一旦有機溶剤に溶解した後にこれを所望の形状
に成形して使用するが、このときに有機溶剤が必要とな
るため以下のような問題を生じることがあった。例え
ば、プリント配線基板等の積層体や基板用の接着剤とし
て用いた場合、積層時や接着時に用いた有機溶剤が残存
しやすいため、半田リフロー時に積層体や基板が膨れる
という問題や、耐溶剤性が低いという問題があった。
Further, the low-dielectric polymer material is used after being dissolved in an organic solvent and then molded into a desired shape at the time of processing. However, at this time, the following organic solvent is required. Such a problem may occur. For example, when used as an adhesive for a laminate or a substrate such as a printed wiring board, the organic solvent used at the time of lamination or bonding is apt to remain, so that the laminate or the substrate swells at the time of solder reflow, or the solvent resistance. There was a problem that the property is low.

【0006】また、電子部品と基板との間に用いられる
異方性導電膜又は半導体用層間絶縁膜として用いた場
合、半田リフロー時に線膨張係数が大きく変化して絶縁
不良や導通不良が生じるという問題があった。さらに、
厚い物を形成するためには塗布と乾燥の回数を増やさな
ければならず、その結果内部応力が残存しやすいため強
度や耐熱衝撃性が低下し、しかも塗布回数が増えること
による表面平滑性や均一性に限界があった。
Further, when used as an anisotropic conductive film or an interlayer insulating film for semiconductors used between an electronic component and a substrate, the coefficient of linear expansion changes significantly during solder reflow, and insulation failure and conduction failure occur. There was a problem. further,
In order to form a thick material, the number of times of application and drying must be increased. As a result, internal stress tends to remain, resulting in a decrease in strength and thermal shock resistance. There was a limit on gender.

【0007】加えて、フマル酸ジエステルからなる単量
体組成物で架橋性単量体を含まない場合、これを重合開
始剤により重合しても単量体が残存する可能性が高い。
例えば、半導体用封止材料として用いた場合、単量体が
残存する可能性が高く、これが電子素子や回路基板の電
気絶縁性等の特性に影響する原因の一つとして考えられ
ている。
[0007] In addition, when a monomer composition comprising a fumaric acid diester does not contain a crosslinkable monomer, there is a high possibility that the monomer will remain even if it is polymerized with a polymerization initiator.
For example, when used as an encapsulating material for semiconductors, there is a high possibility that monomers will remain, and this is considered as one of the causes affecting characteristics such as electrical insulation of electronic elements and circuit boards.

【0008】さらにまた、回路基板のソルダーレジスト
材として用いた場合にも同様に単量体が残存する可能性
が高く、これが電子素子や回路基板の電気絶縁性等の特
性に影響する原因の一つとして考えられている。
Further, when used as a solder resist material for a circuit board, there is a high possibility that the monomer remains in the same manner, and this is one of the causes that affect the characteristics such as the electrical insulation of the electronic element and the circuit board. Is considered as one.

【0009】本発明は以上のような従来技術に存在する
問題点に鑑みてなされたものである。その目的とすると
ころは、誘電率、誘電正接、電気絶縁性等の電気特性、
耐溶剤性、耐熱性及び耐熱衝撃性に優れた光硬化系高分
子絶縁材料及びその製造方法並びに電子関連基板及び電
子部材を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems existing in the prior art. Its purpose is to provide electrical characteristics such as permittivity, dielectric loss tangent, and electrical insulation,
An object of the present invention is to provide a photocurable polymer insulating material having excellent solvent resistance, heat resistance and thermal shock resistance, a method for producing the same, and an electronic-related substrate and an electronic member.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的は下記に
示す本発明により達成される。すなわち、第1の発明の
光硬化系高分子絶縁材料は、フマル酸ジエステル、炭素
間二重結合を一分子内に二個以上有する単量体及び光分
解型重合開始剤を含有する単量体組成物を光硬化して得
られるものである。
This and other objects are achieved by the present invention described below. That is, the photocurable polymer insulating material of the first invention is a monomer containing a fumaric acid diester, a monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule, and a monomer containing a photolytic polymerization initiator. It is obtained by photo-curing the composition.

【0011】第2の発明の光硬化系高分子絶縁材料の製
造方法は、フマル酸ジエステル、炭素間二重結合を一分
子内に二個以上有する単量体及び光分解型重合開始剤を
混合して単量体組成物を調製し、これを所定形状に賦形
した後光硬化させることを特徴とするものである。
In a second aspect of the present invention, there is provided a method for producing a photocurable polymer insulating material, comprising mixing a fumaric acid diester, a monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule, and a photodecomposition type polymerization initiator. Then, a monomer composition is prepared, formed into a predetermined shape, and then light-cured.

【0012】第3の発明の電子関連基板は、第1の発明
の光硬化系高分子絶縁材料を含む構成材料より形成され
るものである。第4の発明の電子部材は、第1の発明の
光硬化系高分子絶縁材料を含む構成材料より形成される
ものである。
A third aspect of the present invention provides an electronic-related substrate formed of a constituent material including the photocurable polymer insulating material of the first aspect. An electronic member according to a fourth aspect of the present invention is formed of a constituent material including the photocurable polymer insulating material of the first aspect.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の光硬化系高分子絶縁材料
(以下、高分子絶縁材料と略記する)は、フマル酸ジエ
ステル、炭素二重結合を一分子内に二個以上有する単量
体(以下、架橋性単量体と略記する)及び光分解型重合
開始剤(以下、重合開始剤と略記する)を必須成分とし
て含有する単量体組成物(以下、単量体組成物と略記す
る)に紫外線などの光を照射することにより硬化して得
られるものである。
Embodiments of the present invention will be described below in detail. The photocurable polymer insulating material of the present invention (hereinafter abbreviated as polymer insulating material) includes a fumaric acid diester, a monomer having two or more carbon double bonds in one molecule (hereinafter referred to as a crosslinkable monomer). A monomer composition (hereinafter abbreviated as a monomer composition) containing, as essential components, a photodecomposition type polymerization initiator (hereinafter abbreviated as a polymerization initiator) and a photodecomposable polymerization initiator (hereinafter abbreviated as a monomer). And is obtained by curing by irradiation.

【0014】フマル酸ジエステルはその分子内に二つの
エステル基を有しており、下記一般式(1)によって表
される。
The fumaric acid diester has two ester groups in the molecule and is represented by the following general formula (1).

【0015】[0015]

【化1】 一般式(1)におけるR1及びR2はエステル残基であ
り、低誘電性、耐熱性等の要求される性質に応じて種々
選択することが可能である。具体的には、R1はアルキ
ル基又はシクロアルキル基であり、R2はアルキル基、
シクロアルキル基又はアリール基であることが好まし
い。なお、R1、R2は同一であっても異なるエステル基
であってもよい。
Embedded image R 1 and R 2 in the general formula (1) are ester residues, and can be variously selected according to required properties such as low dielectric property and heat resistance. Specifically, R 1 is an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 is an alkyl group,
It is preferably a cycloalkyl group or an aryl group. R 1 and R 2 may be the same or different ester groups.

【0016】R1又はR2におけるアルキル基としては、
総炭素数2〜12のものが好ましく、直鎖状であっても
分岐を有するものであってもよく、さらには置換基を有
していてもよい。置換基を有する場合の置換基として
は、ハロゲン原子(F、Cl)、アルコキシ基(メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、ア
リール基(フェニル基等)などが挙げられる。
As the alkyl group for R 1 or R 2 ,
Those having a total carbon number of 2 to 12 are preferable, and may be linear or branched, and may further have a substituent. Examples of the substituent having a substituent include a halogen atom (F, Cl), an alkoxy group (such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group), and an aryl group (such as a phenyl group).

【0017】アルキル基の具体例としては、エチル基、
n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec
−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基(n−ア
ミル基)、sec−アミル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基、tert−ペンチル基、n−ヘキシル基、4
−メチル−2−ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリ
フルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、パ
ーフルオロイソプピル基、パーフルオロブチルエチル
基、パーフルオロオクチルエチル基、2−クロロエチル
基、1−ブトキシ−2−プロピル基、メトキシエチル
基、ベンジル基などが挙げられる。
Specific examples of the alkyl group include an ethyl group,
n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec
-Butyl group, tert-butyl group, pentyl group (n-amyl group), sec-amyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 4
-Methyl-2-pentyl group, heptyl group, octyl group,
Nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, trifluoroethyl group, hexafluoroisopropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutylethyl group, perfluorooctylethyl group, 2-chloroethyl group, 1-butoxy-2 -Propyl group, methoxyethyl group, benzyl group and the like.

【0018】R1又はR2におけるシクロアルキル基とし
ては、総炭素数3〜14のものが好ましく、単環であっ
ても橋かけ環を有するものであってもよい。シクロアル
キル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、アダマンチル基、ジメチルアダマンチル基な
どが挙げられる。
The cycloalkyl group represented by R 1 or R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 14 carbon atoms in total, and may be a single ring or a bridged ring. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, and a dimethyladamantyl group.

【0019】R2におけるアリール基としては、総炭素
数6〜18のものが好ましく、重合性の点で単環が好ま
しいが多環(縮合環ないし環集合)であってもよく、置
換基を有していてもよい。この場合の置換基は、アルキ
ル基、シクロアルキル基のところで例示したものと同様
のものが挙げられる。アリール基の具体例としては、フ
ェニル基等が挙げられる。
The aryl group in R 2 preferably has 6 to 18 carbon atoms, and is preferably a single ring from the viewpoint of polymerizability, but may be a polycyclic (condensed ring or ring assembly). You may have. In this case, the substituents are the same as those exemplified for the alkyl group and the cycloalkyl group. Specific examples of the aryl group include a phenyl group.

【0020】フマル酸ジエステルの好適例として、具体
的にはジエチルフマレート、ジ−n−プロピルフマレー
ト、ジ−n−ヘキシルフマレート、イソプロピル−n−
ヘキシルフマレート、ジイソプロピルフマレート、ジ−
n−ブチルフマレート、ジ−sec−ブチルフマレー
ト、ジ−tert−ブチルフマレート、ジ−sec−ア
ミルフマレート、n−ブチル−イソプロピルフマレー
ト、イソプロピル−sec−ブチルフマレート、ter
t−ブチル−4−メチル−2−ペンチルフマレート、イ
ソプロピル−tert−ブチルフマレート、イソプロピ
ル−sec−アミルフマレート、ジ−4−メチル−2−
ペンチルフマレート、ジ−イソアミルフマレート、ジ−
4−メチル−2−ヘキシルフマレート、tert−ブチ
ル−イソアミルフマレート等のジアルキルフマレート
類;ジシクロペンチルフマレート、ジシクロヘキシルフ
マレート、ジシクロヘプチルフマレート、シクロペンチ
ル−シクロヘキシルフマレート、ビス(ジメチルアダマ
ンチル)フマレート、ビス(アダマンチル)フマレート
等のジシクロアルキルフマレート類;イソプロピル−シ
クロヘキシルフマレート、イソプロピル−ジメチルアダ
マンチルフマレート、イソプロピル−アダマンチルフマ
レート、tert−ブチル−シクロヘキシルフマレート
等のアルキル、シクロアルキルフマレート類;イソプロ
ピル−フェニルフマレート等のアルキルアリールフマレ
ート類;tert−ブチルベンジルフマレート、イソプ
ロピル−ベンジルフマレート等のアルキルアラルキルフ
マレート類;ジトリフルオロエチルフマレート、ジヘキ
サフルオロイソプロピルフマレート、ビスパーフルオロ
イソプロピルフマレート、ビスパーフルオロブチルエチ
ルフマレート等のビス−フルオロアルキルフマレート
類;イソプロピル−パーフルオロオクチルエチルフマレ
ート、イソプロピル−ヘキサフルオロイソプロピルフマ
レート等のアルキルフルオロアルキルフマレート類;1
−ブトキシ−2−プロピル−tert−ブチルフマレー
ト、メトキシエチルイソプロピルフマレート、2−クロ
ロエチル−イソプロピルフマレート等のその他の置換ア
ルキルアルキルフマレート類などが挙げられる。
Preferred examples of the fumaric acid diester include diethyl fumarate, di-n-propyl fumarate, di-n-hexyl fumarate and isopropyl-n-fumarate.
Hexyl fumarate, diisopropyl fumarate, di-
n-butyl fumarate, di-sec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, di-sec-amyl fumarate, n-butyl-isopropyl fumarate, isopropyl-sec-butyl fumarate, ter
t-butyl-4-methyl-2-pentyl fumarate, isopropyl-tert-butyl fumarate, isopropyl-sec-amyl fumarate, di-4-methyl-2-
Pentyl fumarate, di-isoamyl fumarate, di-
Dialkyl fumarate such as 4-methyl-2-hexyl fumarate, tert-butyl-isoamyl fumarate; dicyclopentyl fumarate, dicyclohexyl fumarate, dicycloheptyl fumarate, cyclopentyl-cyclohexyl fumarate, bis (dimethyladamantyl) Dicycloalkyl fumarate such as fumarate and bis (adamantyl) fumarate; alkyl such as isopropyl-cyclohexyl fumarate, isopropyl-dimethyl adamantyl fumarate, isopropyl-adamantyl fumarate, tert-butyl-cyclohexyl fumarate and cycloalkyl fumarate Alkylaryl fumarate such as isopropyl-phenyl fumarate; tert-butylbenzyl fumarate, isopropyl-benzyl fumarate Alkyl aralkyl fumarate such as difluoroethyl fumarate, dihexafluoroisopropyl fumarate, bisperfluoroisopropyl fumarate, bisperfluorobutyl ethyl fumarate, etc .; isopropyl-perfluoro Alkylfluoroalkyl fumarate such as octylethyl fumarate and isopropyl-hexafluoroisopropyl fumarate; 1
And other substituted alkylalkyl fumarate such as -butoxy-2-propyl-tert-butyl fumarate, methoxyethyl isopropyl fumarate and 2-chloroethyl-isopropyl fumarate.

【0021】これらの中では重合性の点からジイソプロ
ピルフマレート、ジシクロヘキシルフマレート、ジ−s
ec−ブチルフマレート、ジ−tert−ブチルフマレ
ート、イソプロピル−シクロヘキシルフマレート、te
rt−アミル−イソプロピルフマレート、n−ヘキシル
−イソプロピルフマレートなどが特に好ましい。
Among these, diisopropyl fumarate, dicyclohexyl fumarate, di-s
ec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, isopropyl-cyclohexyl fumarate, te
Particularly preferred are rt-amyl-isopropyl fumarate, n-hexyl-isopropyl fumarate and the like.

【0022】本発明の高分子絶縁材料を得るに際し、上
記のフマル酸ジエステルは1種のみを用いてもよく、2
種以上を併用してもよい。また、これらのフマル酸ジエ
ステル類は、通常のエステル化技術及び異性化技術を組
み合わせることにより合成することができる。
In obtaining the polymer insulating material of the present invention, only one kind of the above fumaric acid diester may be used.
More than one species may be used in combination. Further, these fumaric acid diesters can be synthesized by combining ordinary esterification techniques and isomerization techniques.

【0023】単量体組成物中におけるフマル酸ジエステ
ルの含有量は、通常20〜95重量%の範囲であり、さ
らには主成分であることが好ましく、特に50〜90重
量%の範囲が好ましい。フマル酸ジエステルの含有量が
20重量%未満になると、高分子絶縁材料の誘電率及び
誘電正接の上昇並びに耐熱性の低下が生じ、95重量%
より多くなると高分子絶縁材料の耐溶剤性が低下する。
The content of the fumaric acid diester in the monomer composition is usually in the range of 20 to 95% by weight, preferably the main component, more preferably 50 to 90% by weight. When the content of the fumaric acid diester is less than 20% by weight, the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the polymer insulating material increase, and the heat resistance decreases.
If the amount is larger, the solvent resistance of the polymer insulating material decreases.

【0024】次に、架橋性単量体は、フマル酸ジエステ
ルと共重合させることによって、高分子絶縁材料の耐溶
剤性と機械的強度を向上させるものである。単量体組成
物中に占める架橋性単量体の含有量は、好ましくは5〜
80重量%、さらに好ましくは10〜60重量%であ
る。この含有量が5重量%未満の場合には、高分子絶縁
材料の耐溶剤性が低下し、80重量%より多くなると誘
電率と誘電正接が上昇する傾向にある。
Next, the crosslinkable monomer is used to improve the solvent resistance and mechanical strength of the polymer insulating material by copolymerizing with the fumaric acid diester. The content of the crosslinkable monomer in the monomer composition is preferably 5 to
It is 80% by weight, more preferably 10 to 60% by weight. When the content is less than 5% by weight, the solvent resistance of the polymer insulating material decreases, and when it exceeds 80% by weight, the dielectric constant and the dielectric loss tangent tend to increase.

【0025】本発明に用いられる架橋性単量体は炭素間
二重結合を一分子内に二個以上有する架橋性の単量体で
ある。そのような架橋性単量体としては、ビニル基、ア
クリロイル基、メタクリロイル基、マレイミド基、ビニ
ルエーテル基、ビニルエステル基、アリルエーテル基、
アリルエステル基等の官能基を有する単量体が挙げられ
る。これらの官能基のうちビニル基、マレイミド基又は
アリルエステル基が共重合性に優れていることから好ま
しい。
The crosslinkable monomer used in the present invention is a crosslinkable monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule. Examples of such a crosslinkable monomer include a vinyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a maleimide group, a vinyl ether group, a vinyl ester group, an allyl ether group,
Examples include monomers having a functional group such as an allyl ester group. Among these functional groups, a vinyl group, a maleimide group or an allyl ester group is preferable because of its excellent copolymerizability.

【0026】架橋性単量体として具体的にはブタジエ
ン、イソプレン等の多官能オレフィン、ジエチレングリ
コールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジアク
リレート、ビスフェノールA型のジアクリレート、ウレ
タンジアクリレート、エポキシジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、フェノールノボラック型エポ
キシアクリレート等の多官能アクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、1,3―ブタンジオール
ジメタクリレート、ビスフェノールA型のジメタクリレ
ート、ウレタンジメタクリレート、エポキシジメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、フェノー
ルノボラック型エポキシメタクリレート等の多官能メタ
クリレート、ジビニルベンゼン、ビスフェノールA型の
ビニルベンジルエーテル等の多官能ビニル単量体と、
1,3−フェニレンビスマレイミド、4,4’−ジフェ
ニルメタンビスマレイミド等の多官能マレイミド、1,
4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、
2,2−ジメチルヘキサンジオールジビニルエーテル、
ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロー
ルプロパントリビニルエーテル等の多官能ビニルエーテ
ル、アジピン酸ジビニル、1,4−シクロヘキサンジカ
ルボン酸ジビニル、フタル酸ジビニル、イソフタル酸ジ
ビニル等の多官能ビニルエステル、シクロヘキサンジメ
タノールジアリルエーテル、2,2−ジメチルヘキサン
ジオールジアリルエーテル、ジエチレングリコールジア
リルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエー
テル、ビスフェノールA型のジアリルエーテル、トリア
リルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、ジア
リルフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルテ
レフタレート、フタル酸ポリエステルのジアリルエステ
ル等の多官能アリル単量体が挙げられる。これらの架橋
性単量体は1種のみを用いても2種以上を併用してもよ
い。
Specific examples of the crosslinkable monomer include polyfunctional olefins such as butadiene and isoprene, diethylene glycol diacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, bisphenol A type diacrylate, urethane diacrylate, epoxy diacrylate, and the like. Polyfunctional acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, phenol novolak type epoxy acrylate, diethylene glycol dimethacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, bisphenol A type dimethacrylate, urethane dimethacrylate, epoxy dimethacrylate, Trimethylolpropane trimethacrylate,
Pentaerythritol tetramethacrylate, polyfunctional methacrylate such as phenol novolak type epoxy methacrylate, divinylbenzene, polyfunctional vinyl monomer such as bisphenol A type vinylbenzyl ether,
Polyfunctional maleimides such as 1,3-phenylene bismaleimide and 4,4′-diphenylmethane bismaleimide;
4-cyclohexanedimethanol divinyl ether,
2,2-dimethylhexanediol divinyl ether,
Multifunctional vinyl ethers such as diethylene glycol divinyl ether and trimethylolpropane trivinyl ether; polyfunctional vinyl esters such as divinyl adipate, divinyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, divinyl phthalate and divinyl isophthalate; cyclohexane dimethanol diallyl ether; 2-dimethylhexanediol diallyl ether, diethylene glycol diallyl ether, trimethylolpropane triallyl ether, diallyl ether of bisphenol A type, triallyl isocyanurate, triallyl cyanurate, diallyl phthalate, diallyl isophthalate, diallyl terephthalate, phthalic polyester And polyfunctional allyl monomers such as diallyl ester. These crosslinking monomers may be used alone or in combination of two or more.

【0027】次に、本発明に用いられる重合開始剤とし
ては金属を含まないことが望ましく、そのような重合開
始剤としては、ジエチルチオキサントン、2−メチル−
1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリ
ノプロパン−1−オン、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾフェノン、ベン
ゾフェノンメチルエーテル、2−エチルアントラキノ
ン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,2−ジメト
キシ−2−フェニルアセトフェノン、p−tert−ブ
チルトリクロロアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−フェニルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキ
シ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、3,3’,
4,4’−テトラ(tert−ブチルペルオキシカルボ
ニル)ベンゾフェノン、ビス(2,4,6−トリメチル
ベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド、2,4,
6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシ
ド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,
4−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、2−ベン
ジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフ
ェニル)ブタノン−1等が挙げられる。
Next, it is desirable that the polymerization initiator used in the present invention does not contain a metal. Examples of such a polymerization initiator include diethylthioxanthone and 2-methyl-
1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, benzoin isopropyl ether, benzoin ethyl ether, benzophenone, benzophenone methyl ether, 2-ethylanthraquinone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,2 -Dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-tert-butyltrichloroacetophenone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2- Diphenylethan-1-one, 3,3 ′,
4,4′-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4
6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4
4-trimethylpentylphosphine oxide, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1, and the like.

【0028】これらの重合開始剤のうち、2−ヒドロキ
シ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、
2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−
オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−
モルフォリノフェニル)ブタノン−1、2−メチル−1
−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ
プロパン−1−オン、及びビス(2,4,6−トリメチ
ルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシドが重合開
始能の面から好ましい。
Among these polymerization initiators, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one,
2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-
On, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-
Morpholinophenyl) butanone-1,2-methyl-1
-[4- (Methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide are preferred from the viewpoint of polymerization initiation ability.

【0029】また、重合開始剤の使用量は、単量体組成
物に対して通常0.1〜20重量%、好ましくは1〜1
5重量%、さらに好ましくは1〜10重量%である。こ
の使用量が0.1重量%未満の場合には重合開始機能が
十分に発揮されず、20重量%を越えると重合後の高分
子絶縁材料中に重合開始剤断片が残存して高分子絶縁材
料の物性が低下する場合がある。
The amount of the polymerization initiator used is usually 0.1 to 20% by weight, preferably 1 to 1% by weight, based on the monomer composition.
It is 5% by weight, more preferably 1 to 10% by weight. When the amount is less than 0.1% by weight, the polymerization initiation function is not sufficiently exhibited. When the amount is more than 20% by weight, the polymerization initiator fragments remain in the polymerized insulating material after polymerization and the polymerized insulating material remains. The physical properties of the material may decrease.

【0030】本発明においては、フマル酸ジエステル、
架橋性単量体及び重合開始剤に加えて、その他のビニル
系単量体ないしはその他の重合体を単量体組成物中に加
えることができる。これらの添加物は単量体組成物の粘
度、成形した高分子絶縁材料の機械的強度、平滑性及び
塗膜と基材との密着性を調整する目的で加えることがで
きる。
In the present invention, fumaric acid diester,
In addition to the crosslinking monomer and the polymerization initiator, other vinyl monomers or other polymers can be added to the monomer composition. These additives can be added for the purpose of adjusting the viscosity of the monomer composition, the mechanical strength and smoothness of the formed polymer insulating material, and the adhesion between the coating film and the substrate.

【0031】前記その他のビニル系単量体の具体例とし
ては、酢酸ビニル、ピバル酸ビニル、p−tert−ブ
チル安息香酸ビニル、安息香酸ビニル等のビニルエステ
ル類;スチレン、o−,m−,p−クロロメチルスチレ
ン、α−メチルスチレン、o−,m−,p−メチルスチ
レン、p−クロロスチレン、α−ビニルナフタレン等の
芳香族ビニル類;tert−ブチルビニルエーテル、イ
ソブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテ
ル等のビニルエーテル類;メチルビニルケトン、イソブ
チルビニルケトン等のアルキルビニルケトン類;イソブ
チレン、1−ブテン等のオレフィン類;メチル(メタ)
アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル
(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)ア
クリレート、フェニル(メタ)アクリレート等の(メ
タ)アクリル酸又はそのエステル類;アクリロニトリル
等のビニルシアン類;N−ビニルピロリドン、N−ビニ
ルカプロラクタム等のビニル型モノマー;無水マレイン
酸、マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、イタコ
ン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチ
ル、イタコン酸ジシクロヘキシル等の不飽和二塩基酸又
はそのエステル類等、公知のラジカル重合性単量体を好
ましく挙げることができる。
Specific examples of the other vinyl monomers include vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl pivalate, p-tert-butyl vinyl benzoate and vinyl benzoate; styrene, o-, m-, and vinyl esters. aromatic vinyls such as p-chloromethylstyrene, α-methylstyrene, o-, m-, p-methylstyrene, p-chlorostyrene and α-vinylnaphthalene; tert-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether and the like Vinyl ethers; alkyl vinyl ketones such as methyl vinyl ketone and isobutyl vinyl ketone; olefins such as isobutylene and 1-butene; methyl (meth)
(Meth) acrylic acid or esters thereof such as acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate and phenyl (meth) acrylate; vinyl cyanides such as acrylonitrile; N-vinylpyrrolidone , Vinyl-type monomers such as N-vinylcaprolactam; unsaturated dibasic acids such as maleic anhydride, maleic acid, itaconic acid, itaconic anhydride, dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate, dicyclohexyl itaconate and esters thereof A known radical polymerizable monomer such as a group can be preferably exemplified.

【0032】また、前記その他の重合体としては、その
他のビニル系単量体の単独重合物又は共重合物や、ポリ
エステルアクリレート、エポキシアクリレート、ウレタ
ンアクリレート、ポリブタジエンアクリレート、ポリス
チリルメタクリレート、ポリエーテルメタクリレート等
の光重合性オリゴマー、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル、シ
アネートエステル樹脂等の樹脂前駆体や、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテン等
のポリオレフィン、ポリイミド樹脂前駆体、ブチラール
樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフ
ィド、ポリエステル、ポリカーボネート、スチレン−ブ
タジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体、水添スチレン−ブタジエンブロック共重
合体、水添スチレン−イソプレンブロック共重合体等の
熱可塑性エラストマーのような熱可塑性樹脂等を挙げる
ことができる。その他の添加物を添加する際には、その
他の重合体を溶解させる有機溶剤を用いて単量体組成物
に添加してもよい。このようなその他のビニル系単量体
ないしその他の重合体は、1種のみを用いても2種以上
を併用してもよい。
Examples of the other polymer include homopolymers or copolymers of other vinyl monomers, polyester acrylate, epoxy acrylate, urethane acrylate, polybutadiene acrylate, polystyryl methacrylate, polyether methacrylate and the like. Photopolymerizable oligomers, phenolic resins, epoxy resins, diallyl phthalate resins, unsaturated polyesters, resin precursors such as cyanate ester resins, polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polyolefins such as polybutene, polyimide resin precursors, butyral resins, Polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polyester, polycarbonate, styrene-butadiene block copolymer, styrene-isoprene block copolymer, hydrogenated Len - butadiene block copolymer, hydrogenated styrene - can be exemplified thermoplastic resins such as a thermoplastic elastomer such as isoprene block copolymer. When adding other additives, they may be added to the monomer composition using an organic solvent that dissolves other polymers. Such other vinyl monomers or other polymers may be used alone or in combination of two or more.

【0033】その他のビニル系単量体又はその他の重合
体の添加量は、単量体組成物に対し30重量%以下が好
ましく、10重量%以下がさらに好ましい。この添加量
が30重量%より多くなると、ビニル系単量体を用いた
場合に誘電率と誘電正接の上昇とさらに耐熱性の低下を
招き、重合体を用いた場合には粘度の上昇による塗布
性、塗膜の基材との密着性、フィルムの機械的強度の低
下を招くので好ましくない。
The amount of the other vinyl monomer or other polymer to be added is preferably 30% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, based on the monomer composition. When the addition amount is more than 30% by weight, the dielectric constant and the dielectric loss tangent increase when a vinyl monomer is used, and further, the heat resistance decreases, and when a polymer is used, the viscosity increases. It is not preferable because it causes a decrease in the properties, adhesion of the coating film to the substrate, and mechanical strength of the film.

【0034】また、塗布性を改良するために、必要に応
じ混合物に対して硬化に影響のない程度にシリコーンオ
イル等のレベリング剤を添加したり、有機溶媒に溶解分
散又は水に乳化分散させたものを使用したりしてもよ
い。
Further, in order to improve the coating property, a leveling agent such as silicone oil is added to the mixture as needed so as not to affect the curing, or the mixture is dissolved and dispersed in an organic solvent or emulsified and dispersed in water. You may use a thing.

【0035】さらに、電気絶縁性に影響のない程度に添
加剤として染料、顔料、チクソトロピー付与剤、可塑
剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、難燃剤、
カップリング剤などを単量体組成物に含ませてもよい。
Further, dyes, pigments, thixotropy-imparting agents, plasticizers, surfactants, ultraviolet absorbers, antioxidants, flame retardants, and the like are added to such an extent that they do not affect the electrical insulation.
A coupling agent or the like may be included in the monomer composition.

【0036】また、線膨張係数、耐熱性、導体との密着
性や加工性を調整するために充填材を添加してもよく、
その充填材としてはシリカ、硫酸バリウム、炭酸カルシ
ウム等の無機化合物や、フェノール樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂粉末、ポリオレフィ
ン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ナイロン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリカーボネート、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体、水添スチレン−ブタジエンブ
ロック共重合体、水添スチレン−イソプレンブロック共
重合体などの熱可塑性樹脂粉末を用いることができる。
A filler may be added to adjust the coefficient of linear expansion, heat resistance, adhesion to a conductor, and workability.
Examples of the filler include inorganic compounds such as silica, barium sulfate, and calcium carbonate, phenol resins, melamine resins, thermosetting resin powders such as polyimide, polyolefin resins, polystyrene resins, nylon, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and styrene. Thermoplastic resin powders such as butadiene block copolymer, hydrogenated styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated styrene-isoprene block copolymer can be used.

【0037】以下、本発明における単量体組成物から形
成される高分子絶縁材料の製造方法とその用途、さらに
その用途の詳細について説明する。 <高分子絶縁材料の製造方法>本発明において、前記の
高分子絶縁材料を製造するには、通常の光硬化法を用い
ることができる。具体的には、フマル酸ジエステル、架
橋性単量体及び重合開始剤を含む単量体組成物に、必要
に応じてその他の添加剤、充填材等を添加しこれらをポ
ット等で混合する。これを所定形状に賦形した後、室温
〜100℃で0.1〜10J/cm2のエネルギー量を
付与するように紫外線などの光線を照射して光重合反応
させることによって、所定形状の高分子絶縁材料を得る
ことができる。この場合、電子線、X線、γ線などの活
性エネルギー線を照射して重合反応させてもよい。
Hereinafter, a method for producing a polymer insulating material formed from the monomer composition according to the present invention, its use, and details of its use will be described. <Production Method of Polymer Insulating Material> In the present invention, in order to produce the above-mentioned polymer insulating material, a usual photo-curing method can be used. Specifically, if necessary, other additives, fillers, and the like are added to a monomer composition containing a fumaric acid diester, a crosslinkable monomer, and a polymerization initiator, and these are mixed in a pot or the like. After shaping this into a predetermined shape, a photopolymerization reaction is performed by irradiating a light beam such as an ultraviolet ray at room temperature to 100 ° C. so as to give an energy amount of 0.1 to 10 J / cm 2. A molecular insulating material can be obtained. In this case, the polymerization reaction may be performed by irradiation with an active energy ray such as an electron beam, X-ray, or γ-ray.

【0038】温度が室温以下又は光線の照射量が0.1
J/cm2未満の場合、重合反応が十分に進行しないこ
とがある。また、加熱温度が100℃を超える場合、単
量体組成物の一部が揮発したり急激な硬化反応により発
泡したりすることがある。光線の照射量が10J/cm
2以上の場合には、重合体が分解したり、重合効率が低
下したりすることがある。この場合、予め一定形状のプ
リプレグを成形した後、そのプリプレグを積層し、所定
の成形型により加圧、加熱して硬化を完結させることに
よって高分子絶縁材料を得ることができる。さらに硬化
を十分なものとするため、100〜200℃で1〜5時
間加熱(ポストキュア)を行うことが好ましい。
When the temperature is equal to or lower than room temperature or the light irradiation amount is 0.1
If it is less than J / cm 2 , the polymerization reaction may not proceed sufficiently. When the heating temperature exceeds 100 ° C., a part of the monomer composition may volatilize or foam due to a rapid curing reaction. Light dose of 10 J / cm
In the case of two or more, the polymer may be decomposed or the polymerization efficiency may be reduced. In this case, after a prepreg having a predetermined shape is formed in advance, the prepregs are laminated, and pressure and heat are applied by a predetermined mold to complete the curing, whereby a polymer insulating material can be obtained. Further, in order to sufficiently cure, it is preferable to perform heating (post-curing) at 100 to 200 ° C. for 1 to 5 hours.

【0039】フマル酸ジエステルとして固体のものを用
いるときには一旦架橋性単量体に溶解した後、重合開始
剤と混合して単量体組成物を作製し、上記と同様の条件
で硬化させればよい。また、有機溶剤を用いてフマル酸
ジエステルを溶解させてから単量体組成物を作製しても
良いが、その場合は所望の形状にした後有機溶剤を除去
させ、上記と同様の条件で硬化させればよい。このよう
に有機溶剤を用いた場合でも重合反応を開始する前に有
機溶剤を除去してしまうため、重合反応時の有機溶剤や
反応後の残存有機溶剤による影響をなくすことが可能で
ある。
When a solid fumaric acid diester is used, it is once dissolved in a crosslinkable monomer, mixed with a polymerization initiator to prepare a monomer composition, and cured under the same conditions as described above. Good. Alternatively, the monomer composition may be prepared after dissolving the fumaric acid diester using an organic solvent.In such a case, the organic solvent is removed after forming the desired shape and cured under the same conditions as above. It should be done. As described above, even when an organic solvent is used, the organic solvent is removed before the polymerization reaction is started, so that it is possible to eliminate the influence of the organic solvent during the polymerization reaction and the residual organic solvent after the reaction.

【0040】又は、ハンドリングを良くするために単量
体組成物を0.1〜1J/cm2、室温〜100℃の範
囲にて一旦予備硬化させ、所定形状に賦形した後上記条
件にて再度硬化させてもよい。なお、ここで予備硬化と
は、重合反応をある程度進めて形状保持できる状態まで
光硬化することをいい、前記プリプレグが含まれる。
Alternatively, in order to improve the handling, the monomer composition is preliminarily cured in the range of 0.1 to 1 J / cm 2 and room temperature to 100 ° C., and is shaped into a predetermined shape. It may be cured again. Here, the term "pre-curing" refers to photo-curing to a state in which the polymerization reaction can proceed to some extent to maintain the shape, and includes the prepreg.

【0041】光硬化条件は、反応の状態に応じて変化さ
せてもよい。さらに、プレス等により加圧しながら加熱
し硬化を十分なものとしてもよい。反応が進むにつれて
硬度が増していくため、プレス圧や、反応温度、反応時
間を変えながら硬化させることによって、より均一な硬
化物を得ることができる。
The photocuring conditions may be changed according to the state of the reaction. Further, the resin may be heated and pressurized by a press or the like so as to be sufficiently cured. Since the hardness increases as the reaction proceeds, a more uniform cured product can be obtained by curing while changing the pressing pressure, the reaction temperature, and the reaction time.

【0042】従来の方法では、一旦高分子材料を製造し
て有機溶剤等に溶解させた後、所望の形状に成形し有機
溶剤を蒸散させる工程によって成形体を得ていた。これ
に対し、本発明によれば反応前の単量体組成物を用い
て、通常有機溶剤無しに直接所望の形状に成形するた
め、従来のような残存有機溶剤に起因する問題が生じな
い。 <高分子絶縁材料の用途>本発明の高分子絶縁材料は、
絶縁フィルムとして、或いはガラス織布等に含浸させた
フィルムとしたり、さらにはバルク状の成形体や積層体
など種々の形態で用いたりすることができる。
In the conventional method, a molded product is obtained by a process of once producing a polymer material and dissolving it in an organic solvent or the like, then molding it into a desired shape and evaporating the organic solvent. On the other hand, according to the present invention, since the monomer composition before the reaction is directly molded into a desired shape without using an organic solvent, the conventional problems caused by the residual organic solvent do not occur. <Use of polymer insulating material> The polymer insulating material of the present invention is:
It can be used as an insulating film, a film impregnated in a glass woven fabric or the like, or in various forms such as a bulk molded body or a laminated body.

【0043】そしてその用途は、例えば高周波用の共振
器、フィルタ、コンデンサ、インダクタ、アンテナ等の
電子部品、その電子部品のハウジング、ケーシング、コ
ーティング、絶縁フィルム、半導体等の電子部材用層間
絶縁膜や、積層体、封止材などの電子部材である。ま
た、電子部品搭載用のプリント配線基板、ビルドアップ
基板、オンボード基板、基板用の銅張積層体、回路内蔵
基板、アンテナ基板や、CPU用オンボード基板等の電
子関連基板(以下、単に基板と略称する)である。
Applications include, for example, electronic components such as high-frequency resonators, filters, capacitors, inductors, and antennas, and housings, casings, coatings, insulating films, and interlayer insulating films for electronic members such as semiconductors. , A laminate, an electronic member such as a sealing material. In addition, printed wiring boards for mounting electronic components, build-up boards, on-board boards, copper-clad laminates for boards, circuit-embedded boards, antenna boards, and electronic-related boards such as CPU on-board boards (hereinafter simply referred to as boards). ).

【0044】さらに、基板を構成する材料(電子部材)
として、例えばビルドアップ材、ソルダーレジスト材、
アンダーコート材、バックコート材、トップコート材、
層間接着剤、IC基板表面に形成されるパシベーション
材、ハイブリッドIC基板の防湿材等に用いることがで
きる。また、コーティング材のマトリックス、異方導電
膜材料、導体形成印刷材料とすることもできる。加え
て、電子部材のモールド材として用いることができる。 <それぞれの用途への利用の態様> (絶縁フィルム、積層体、基板)前記の単量体組成物を
樹脂フィルム、ガラス板、シリコーンゴム板、金属板等
の基材上に塗布し、光硬化させることによって絶縁フィ
ルム又は絶縁板を形成することができる。塗布法として
はスピンコート法、ディップコート法、カーテンコート
法、ロールコート法、スクリーン印刷コート法等を適用
することができる。
Further, the material constituting the substrate (electronic member)
As, for example, build-up material, solder resist material,
Undercoat material, backcoat material, topcoat material,
It can be used as an interlayer adhesive, a passivation material formed on the surface of an IC substrate, a moisture-proof material for a hybrid IC substrate, and the like. Further, a matrix of a coating material, an anisotropic conductive film material, and a conductor forming printing material can also be used. In addition, it can be used as a mold material for electronic members. <Usage of each application> (Insulating film, laminate, substrate) The above monomer composition is applied on a substrate such as a resin film, a glass plate, a silicone rubber plate, and a metal plate, and is photocured. By doing so, an insulating film or an insulating plate can be formed. As a coating method, a spin coating method, a dip coating method, a curtain coating method, a roll coating method, a screen printing coating method, or the like can be applied.

【0045】また、単量体組成物を無機繊維、無機充填
材、有機繊維や不織布に含浸させた後に光硬化し、繊維
と複合したフィルム又は板材を得ることもできる。無機
繊維としてはEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラ
ス、Dガラス、Qガラス等の各種ガラス繊維、無機充填
材としては溶融シリカ、炭酸カルシウム等、有機繊維と
してはアラミド繊維、カーボン繊維、ポリエステル繊維
等、さらには不織布としてはアラミド、芳香族ポリエス
テル等からなるものを用いることができる。
Further, a film or plate composited with fibers may be obtained by impregnating the monomer composition with inorganic fibers, inorganic fillers, organic fibers or non-woven fabric and then photo-curing. Various glass fibers such as E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, and Q glass as inorganic fibers, fused silica and calcium carbonate as inorganic fillers, and aramid fibers, carbon fibers, and polyester as organic fibers. Fibers and the like and nonwoven fabrics made of aramid, aromatic polyester and the like can be used.

【0046】積層体は、上記フィルム又は板材を所定の
厚みとなるよう積層する。具体的には、光硬化させた上
記フィルム又は板材と前記の単量体組成物を層間接着剤
として用いて交互に積層した後、或いは予備光硬化した
上記フィルム又は板材(プリプレグ)を積層した後、プ
レスやロール等を用いて熱圧着することにより得られ
る。
The laminate is formed by laminating the above-mentioned film or plate material to a predetermined thickness. Specifically, after the photocured film or plate material and the monomer composition are alternately laminated using the interlayer composition as an interlayer adhesive, or after the preliminary photocured film or plate material (prepreg) is laminated. And by thermocompression bonding using a press or a roll.

【0047】基板は前記積層体の表面に金属導体層を形
成することによって得ることができる。金属導体層に用
いられる金属は導電性を有する金属であれば特に制限さ
れないが、銅、ニッケル、銀、金等の導体が好ましい。
その形成方法としては導体箔接着法、無電解メッキ法、
電解メッキ法、真空蒸着法、導電性ペースト塗布法等が
用いられ、金属導体層の厚みは1〜100μmが好まし
い。
The substrate can be obtained by forming a metal conductor layer on the surface of the laminate. The metal used for the metal conductor layer is not particularly limited as long as it is a metal having conductivity, but a conductor such as copper, nickel, silver, and gold is preferable.
As a forming method, a conductive foil bonding method, an electroless plating method,
An electrolytic plating method, a vacuum evaporation method, a conductive paste coating method, or the like is used, and the thickness of the metal conductor layer is preferably 1 to 100 μm.

【0048】また、単層のプリント配線板を作製する場
合、作業性及び製造コストの点で金属導体層として導体
箔が好ましい。フィルム及び導体箔の積層方法は前記基
板の作製方法と同様の手法を用いることができ、具体的
には硬化フィルムと層間接着剤の交互積層体の片面又は
両面に層間接着剤を用いて導体箔を張り合わせるか、プ
リプレグの積層体の片面又は両面に導体箔を張り合わせ
るかして作製することができる。
When a single-layer printed wiring board is manufactured, a conductor foil is preferred as the metal conductor layer in terms of workability and production cost. The method for laminating the film and the conductor foil can be the same method as the method for producing the substrate. Specifically, the conductor foil is formed by using an interlayer adhesive on one or both sides of an alternate laminate of a cured film and an interlayer adhesive. Or a conductor foil is laminated on one or both sides of the prepreg laminate.

【0049】さらに、多層のプリント配線板は、回路形
成、スルーホール形成及びメッキ形成した単層のプリン
ト配線板を積層することによって作製することができ
る。金属導体層を回路に形成するときには、金属導体層
を表面に有するフィルム又は基板を所定の形状にエッチ
ングしてパターン化するか、或いは金属導体層を表面に
有するプリプレグフィルムをエッチングしてパターン化
を行ってから積層、プレス成形する。また、積層体上に
シルクスリーン印刷機等のパターン印刷機を用いて、エ
ッチングレジストを回路パターンに従って印刷した後、
メッキを形成させ、エッチングレジストを剥がして回路
パターンを形成する方法も可能である。 (ビルドアップ材)ビルドアップ材とは、表面に回路パ
ターンを有する回路基板(単層プリント配線板又は多層
プリント配線板)の少なくとも一方の面上に絶縁層と導
体層の組み合わせからなる層が一層以上あり、かつ導体
層間が接続されているプリント配線板に用いられる絶縁
材料のことである。基板の上下部に樹脂のみの絶縁層を
設ける際に、従来の材料では導体である銅箔を接着させ
る方法として、ある程度の有機溶剤を残した状態で銅箔
を張り合わせてから有機溶剤を除去する。しかしこの方
法によれば、有機溶剤を除去するのが困難であり、耐熱
性の低下等の問題が生じる可能性がある。一方、本発明
の高分子絶縁材料は塗布後有機溶剤を除去しても粘着性
が得られるため銅箔を張り合わせることが容易である。
また、銅箔に予めこの材料を塗布しておけば基材に張り
合わせるだけで済む利点がある。 (アンダーコート材)アンダーコート材とは、基板を作
製するため基材に金属導体層、例えば銅箔を張り合わせ
た際に生じる段差(十数μm程度)を吸収し、平滑性を
出すための液状又はフィルム状の絶縁材料のことであ
る。段差をなくすことを前提としているために低収縮性
材料が好ましい。ところが、従来の材料では有機溶剤の
揮発量を考慮する必要があるために膜厚等のコントロー
ルが困難である。これに対し、本発明の高分子絶縁材料
は有機溶剤を用いない無有機溶剤化が可能であることか
ら、硬化反応に伴う収縮のみを考慮すれば良く、さらに
従来の材料に比べて作業性の点からも好ましい。 (層間接着剤)層間接着剤とは基材同士又は基板と導体
箔とを張り合わせるのに用いられる接着剤のことであ
り、完全硬化させて基板同士又は基板と金属導体フィル
ムとを強固に張り合わせる目的に使用される。基板は本
発明の絶縁材料より形成されたものに限らず、他の誘電
性樹脂であってもセラミックであってもよい。 (異方導電膜)異方導電膜とは、導電性粉末又は導電物
質でメッキされた無機微粒子、高分子微粒子を絶縁材料
中に分散させた状態で予備硬化させたプリプレグを、基
板上に搭載した各種部品とその基板間の隙間に挿入する
ことにより、部品と基板間の導通と密着性等の安定性を
確保するモールド材のことである。導電性粉末又は導電
物質としては、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、金、
カーボンブラック等が挙げられる。その際、絶縁材料と
して本発明の高分子絶縁材料を用いることによって目的
の異方導電膜とすることができ、成形後の導電部以外に
は優れた電気絶縁性を持たせることができる。 (半導体用層間絶縁膜)半導体用層間絶縁膜とは、集積
回路素子、液晶表示素子、固体撮像素子等の電子部品に
おいて層状に配置された配線の間を絶縁するための膜で
ある。この半導体用層間絶縁膜は、前記の単量体組成物
の硬化皮膜形成後、銅、アルミニウム等の導体を真空蒸
着法等によって設けることができる。得られる半導体用
層間絶縁膜は電気絶縁性と耐熱性に優れている。 (半導体用封止材)半導体用封止材とは前記電子部品を
化学的、物理的環境から保護するために用いられる絶縁
材料である。この場合、前記の単量体組成物に前記シリ
カ等の充填材、エポキシ樹脂前駆体等を含ませたものを
使用することが好ましく、成形方法としてトランスファ
ーモールド方式等を採用することができる。
Further, a multilayer printed wiring board can be manufactured by laminating a single-layer printed wiring board formed with a circuit, a through hole, and a plating. When a metal conductor layer is formed in a circuit, a film or substrate having the metal conductor layer on the surface is etched and patterned into a predetermined shape, or a prepreg film having the metal conductor layer on the surface is etched and patterned. After performing the lamination and press molding. Also, after printing the etching resist according to the circuit pattern using a pattern printer such as a silk screen printer on the laminate,
It is also possible to form a circuit pattern by forming plating and removing the etching resist. (Build-up material) A build-up material is a layer composed of a combination of an insulating layer and a conductor layer on at least one surface of a circuit board (single-layer printed wiring board or multilayer printed wiring board) having a circuit pattern on the surface. The above is an insulating material used for a printed wiring board in which conductive layers are connected. When providing an insulating layer of resin only on the upper and lower parts of the substrate, as a method of bonding a copper foil which is a conductor with a conventional material, the organic solvent is removed after bonding the copper foil while leaving a certain amount of the organic solvent . However, according to this method, it is difficult to remove the organic solvent, and problems such as a decrease in heat resistance may occur. On the other hand, the polymer insulating material of the present invention can be adhered even if the organic solvent is removed after the application, so that it is easy to attach the copper foil.
Further, if this material is applied to a copper foil in advance, there is an advantage that it is only necessary to bond the material to the base material. (Undercoat material) An undercoat material is a liquid for absorbing a step (about several tens of μm) generated when a metal conductor layer, for example, a copper foil is laminated to a base material to produce a substrate, and for obtaining smoothness. Or a film-like insulating material. A low-shrinkage material is preferable because it is assumed that the step is eliminated. However, in conventional materials, it is difficult to control the film thickness and the like because it is necessary to consider the volatilization amount of the organic solvent. On the other hand, since the polymer insulating material of the present invention can be made organic solvent-free without using an organic solvent, it is only necessary to consider only the shrinkage accompanying the curing reaction. It is also preferable from the viewpoint. (Interlayer adhesive) The interlayer adhesive is an adhesive used for bonding the base material or the substrate and the conductive foil, and is completely cured to firmly bond the substrates or the substrate and the metal conductive film. Used for the purpose of The substrate is not limited to the one formed of the insulating material of the present invention, and may be another dielectric resin or ceramic. (Anisotropic conductive film) An anisotropic conductive film is a pre-preg prepared by pre-curing a state in which inorganic fine particles or polymer fine particles plated with a conductive powder or a conductive substance are dispersed in an insulating material. It is a mold material that ensures stability such as conduction and adhesion between the component and the substrate by being inserted into the gap between the various components and the substrate. As the conductive powder or conductive material, copper, nickel, aluminum, silver, gold,
And carbon black. At that time, the intended anisotropic conductive film can be obtained by using the polymer insulating material of the present invention as the insulating material, and excellent electrical insulation can be provided to the portions other than the conductive portion after molding. (Interlayer insulating film for semiconductor) The interlayer insulating film for semiconductor is a film for insulating between wirings arranged in layers in electronic components such as an integrated circuit device, a liquid crystal display device, and a solid-state imaging device. After forming the cured film of the monomer composition, a conductor such as copper or aluminum can be provided on the interlayer insulating film for semiconductor by a vacuum deposition method or the like. The obtained interlayer insulating film for semiconductors has excellent electrical insulation properties and heat resistance. (Semiconductor encapsulant) The semiconductor encapsulant is an insulating material used to protect the electronic component from a chemical and physical environment. In this case, it is preferable to use a mixture of the above-mentioned monomer composition and the filler such as the above-mentioned silica, an epoxy resin precursor or the like, and a transfer molding method or the like can be adopted as a molding method.

【0050】また、単量体組成物又はそのプリプレグを
モールディング法、押し出し法等により所定形状に賦形
し、硬化させることによってバルク体を得ることができ
る。このバルク体には硬化後優れた耐環境性を持たせる
ことができる。 (ソルダーレジスト材)ソルダーレジストとは、回路基
板表面において半田付けの際に半田が不必要な部分に付
着するのを防止する保護膜及び回路が空気に直接曝され
て酸化や腐食を受けるのを防止する保護膜として機能す
る永久レジストである。このソルダーレジストの調製に
際し、前記の単量体組成物にシリカ等の充填材、エポキ
シ樹脂前駆体等を含ませたものを使用することができ
る。塗布方法としては、スクリーン印刷法等の方法を用
いることができ、硬化後優れた耐環境性を持たせること
ができる。
Further, a bulk body can be obtained by shaping the monomer composition or its prepreg into a predetermined shape by a molding method, an extrusion method or the like and curing the same. This bulk body can have excellent environmental resistance after curing. (Solder resist material) Solder resist is a protective film that prevents solder from adhering to unnecessary parts when soldering on the surface of a circuit board, and protects the circuit from oxidation and corrosion due to direct exposure to air. It is a permanent resist that functions as a protective film to prevent it. In preparing the solder resist, the above-mentioned monomer composition containing a filler such as silica, an epoxy resin precursor or the like can be used. As an application method, a method such as a screen printing method can be used, and excellent environmental resistance can be imparted after curing.

【0051】以上説明した実施形態により発揮される効
果を以下にまとめて記載する。 ・ 実施形態で説明した高分子絶縁材料は、主としてフ
マル酸ジエステルの性質に基づき、誘電率、誘電正接、
電気絶縁性等の優れた電気特性を発揮することができ
る。
The effects exerted by the above-described embodiment will be summarized below. The polymer insulating material described in the embodiment mainly has a dielectric constant, a dielectric tangent,
Excellent electrical properties such as electrical insulation can be exhibited.

【0052】・ また、この高分子絶縁材料は炭素間二
重結合を一分子内に二個以上有する架橋性単量体により
架橋構造を有しているため、誘電特性と耐熱性に優れて
いる。さらにまた、硬化後に単量体が残存しにくいた
め、電気絶縁性、耐溶剤性、寸法安定性及び耐久性に優
れ、また強度、耐熱衝撃性及び密着性に優れている。
Also, since this polymer insulating material has a crosslinked structure by a crosslinkable monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule, it has excellent dielectric properties and heat resistance. . Furthermore, since the monomer hardly remains after curing, it is excellent in electric insulation, solvent resistance, dimensional stability and durability, and also excellent in strength, thermal shock resistance and adhesion.

【0053】・ 高分子絶縁材料は、その成形加工時
に、重合体を一旦有機溶剤に溶かしてから加工するとい
う工程を有さずに、原料である単量体組成物をそのまま
所定形状に賦形して光硬化させることから、成形性ない
し加工性に優れ、所定形状の高分子絶縁材料を効率良く
製造することができる。
The polymer insulating material does not have a process of once dissolving the polymer in an organic solvent at the time of molding and processing, and the raw material monomer composition is formed into a predetermined shape as it is. The photo-curing is performed, and the polymer insulating material having excellent moldability or workability and having a predetermined shape can be efficiently produced.

【0054】・ 加えて、重合開始剤として金属を含ま
ない化合物を用いることにより、電気絶縁フィルム及び
それを積層した基板等として使用した場合、電気的性能
に有害な金属系化合物が重合体中に含まれることがない
ため、電気特性を良好に維持することができる。
In addition, by using a compound containing no metal as a polymerization initiator, when used as an electric insulating film and a substrate on which the film is laminated, a metal compound harmful to electric performance is contained in the polymer. Since it is not included, it is possible to maintain good electric characteristics.

【0055】・ 以上のような高分子絶縁材料は、プリ
ント配線基板、ビルドアップ基板などの電子関連基板、
及び絶縁フィルム、積層体、ビルドアップ材、アンダー
コート材、層間接着剤、異方導電膜、半導体用層間絶縁
膜、半導体用封止材、ソルダーレジスト材などの電子部
材に適しているため工業的に有用である。
The above-mentioned polymer insulating materials are used for electronic-related substrates such as printed wiring boards and build-up boards,
Suitable for electronic components such as insulating films, laminates, build-up materials, undercoat materials, interlayer adhesives, anisotropic conductive films, interlayer insulating films for semiconductors, sealing materials for semiconductors, solder resist materials, etc. Useful for

【0056】[0056]

【実施例】以下、実施例により前記実施形態をさらに具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。なお、実施例及び比較例に示すフマル
酸ジエステル、架橋性単量体、その他のビニル系単量
体、その他の重合体、重合開始剤の略号と化合物名称を
下記に示す。下記の化合物中のφはフェニル基を表す。 <フマル酸ジエステル> DiPF:ジイソプロピルフマレート DcHF:ジシクロヘキシルフマレート DcPF:ジシクロペンチルフマレート DsBF:ジsec−ブチルフマレート iPcHF:イソプロピルシクロヘキシルフマレート <架橋性単量体> DVB:ジビニルベンゼン DVAd:アジピン酸ジビニル CHDVE:1,4−シクロヘキサンジメタノールジビ
ニルエーテル HDVE:n−ヘキサンジオールジビニルエーテル MHDVE:2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオ
ールジビニルエーテル BDA:1,4−ブタンジオールジアクリレート BPDA:CH2=CHCOOCH2CH2OφC(CH3)
2φOCH2CH2OCOCH=CH2 TMPTM:トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト PhBMI:4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミ
ド TMPTE:トリメチロールプロパントリアリルエーテ
ル DATP:ジアリルテレフタレート PDAP: CH2=CHCH2OCOφCOO[CH(CH3)CH2
COφCOO]mCH2CH=CH2(m=0〜5の混合
物) <その他のビニル系単量体> St:スチレン VtBB:tert−ブチルビニルベンゾエート VAc:酢酸ビニル CHVE:シクロヘキシルビニルエーテル TAVE:tert−アミルビニルエーテル 2EHVE:2−エチルヘキシルビニルエーテル <その他の重合体> PDcHF:DcHF重合体 PCHIP:DcHF,DiPF共重合体 SIS#5125:クラレ株式会社製スチレン−イソプ
レンブロック共重合体(商品名:ハイブラー5125) SIS#2002:クラレ株式会社製スチレン−イソプ
レンブロック共重合体(商品名:セプトン2002) <重合開始剤> HMP:2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプ
ロパン−1−オン(商品名:Darocur#117
3) MPE:2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタ
ン−1−オン(商品名:Irgacure#651) BMAMPB:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1
−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1(商品
名:Irgacure♯369) MMTPMP:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)
フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン(商
品名:Irgacure♯907) MBPPO:ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイ
ル)−フェニルホスフィンオキシド(Irgacure
819) BPO:ベンゾイルペルオキシド DCP:ジクミルペルオキシド 高分子絶縁材料の評価 (実施例1)DcHF9.0g、HDVE1.0g及び
HMP0.5gを配合して単量体組成物を得た。次に、
これをシリコーンゴム製のスペーサーで仕切った二枚の
ガラス板の間に注入して賦形し、20mW/cmの超高
圧水銀灯を用いて6J/cm 2の照射エネルギーで光照
射して硬化させた。これを更に150℃で1時間加熱し
て、長さ12cm、幅10cm及び厚さ0.8mmのシ
ートを得た。
[Examples] The above embodiment will be further described below with reference to examples.
Although described concretely, the present invention is limited to these examples.
Not something. It should be noted that the fumar shown in Examples and Comparative Examples
Acid diesters, crosslinkable monomers, and other vinyl monomers
Abbreviation and compound name of polymer, other polymer, polymerization initiator
Shown below. Φ in the following compounds represents a phenyl group. <Fumaric acid diester> DiPF: diisopropyl fumarate DcHF: dicyclohexyl fumarate DcPF: dicyclopentyl fumarate DsBF: disec-butyl fumarate iPcHF: isopropylcyclohexyl fumarate <Crosslinking monomer> DVB: divinylbenzene DVAd: adipic acid Divinyl CHDVE: 1,4-cyclohexane dimethanol dibi
Nyl ether HDVE: n-hexanediol divinyl ether MHDVE: 2,5-dimethyl-2,5-hexanedioxide
Divinyl ether BDA: 1,4-butanediol diacrylate BPDA: CHTwo= CHCOOCHTwoCHTwoOφC (CHThree)
TwoφOCHTwoCHTwoOCOCH = CHTwo TMPTM: Trimethylolpropane trimethacrylate
G PhBMI: 4,4'-diphenylmethanebismaleimi
De TMPTE: Trimethylolpropane triallylate
DATP: diallyl terephthalate PDAP: CHTwo= CHCHTwoOCOφCOO [CH (CHThree) CHTwoO
COφCOO] mCHTwoCH = CHTwo(Mixing of m = 0 to 5
St) Styrene VtBB: tert-Butylvinylbenzoate VAc: Vinyl acetate CHVE: Cyclohexyl vinyl ether TAVE: tert-Amyl vinyl ether 2EHVE: 2-Ethylhexyl vinyl ether <Other polymers> PDcHF: DcHF Polymer PCHIP: DcHF, DiPF copolymer SIS # 5125: Styrene-isop manufactured by Kuraray Co., Ltd.
Renblock copolymer (trade name: Hibler 5125) SIS # 2002: Styrene-isop manufactured by Kuraray Co., Ltd.
Len block copolymer (trade name: Septon 2002) <Polymerization initiator> HMP: 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylp
Lopan-1-one (trade name: Darocur # 117)
3) MPE: 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl eta
N-1-one (trade name: Irgacure # 651) BMAMPB: 2-benzyl-2-dimethylamino-1
-(4-morpholinophenyl) butanone-1 (product
Name: Irgacure @ 369) MMTPMP: 2-methyl-1- [4- (methylthio)
Phenyl] -2-morpholinopropan-1-one (quote
Product name: Irgacure @ 907) MBPPO: Bis (2,4,6-trimethylbenzoyi)
) -Phenylphosphine oxide (Irgacure)
819) BPO: benzoyl peroxide DCP: dicumyl peroxide Evaluation of polymer insulating material (Example 1) 9.0 g of DcHF, 1.0 g of HDVE and
A monomer composition was obtained by blending 0.5 g of HMP. next,
This is divided into two pieces by a silicone rubber spacer
Injected and shaped between glass plates, super high of 20mW / cm
6 J / cm using a mercury pressure lamp TwoIllumination with the irradiation energy of
And cured. This is further heated at 150 ° C for 1 hour
12 cm long, 10 cm wide and 0.8 mm thick
I got it.

【0057】一方、スピンコーター(ミカサ(株)製M
IKASA SPINCOATER1H−D3)を用い
てシリコンウェハー((株)協同インターナショナル
製)上に上記単量体組成物を塗布し、窒素置換したガラ
スセル内にて上記と同様の条件にて硬化させ、厚さ10
0μmの絶縁フィルムを得た。 <電気絶縁抵抗(以下、絶縁抵抗という)の評価>JI
SK6911に従い、前記シートを切断して40mm×
20mm×0.8mmの短冊を作製した。直径5mmの
穴2個をそれぞれの中心間距離が15mmとなるように
あけ、その穴にテーパピンを押し込み一対の電極とし
た。直流500Vを測定電圧として用いて1分間の充電
後絶縁抵抗を測定した。 <誘電特性の評価>前記シートを切断して10cm×
1.0mm×0.8mmのスティックを作製した。これ
を空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置((有)関東電子
応用開発製)を用いて、測定周波数が2GHzの時の比
誘電率及び誘電正接を測定した。 <半田耐熱性の評価>前記絶縁フィルムを切断して50
mm×3mm×100μmの短冊を作製した。これを2
60℃の半田浴((株)太陽電気工業所製POT−20
0C)に120秒間浸漬し、外観を評価した。色、形状
の変化がなければ○とし、それ以外は×とした。 <吸水性の評価>前記絶縁フィルムを切断して50mm
×50mm×100μmの絶縁フィルムを作製し、JI
SC6481に従い吸水率(%)を測定した。 <耐溶剤性の評価>前記絶縁フィルムを切断して25m
m×25mm×100μmの絶縁フィルムを作製し、J
ISC6481に従いトルエン及び塩化メチレンに浸漬
し、その外観を評価した。膨潤、荒れ等の形状の変化が
なければ○とし、それ以外は×とした。配合を表1にま
とめ、評価結果を表2にまとめた。 (実施例2〜20)フマル酸ジエステル、架橋性単量
体、重合開始剤、他のビニル系単量体の種類及び配合量
を変えた以外は実施例1と同様に試料を作製し、各特性
を評価した。配合を表1及び評価結果を表2にまとめ
た。 (比較例1〜4)撹拌機付き20リットルのステンレス
鋼製反応容器に、ポリビニルアルコール(KH−17、
日本合成化学工業(株)製)100重量部を溶解させたイ
オン交換水10,000重量部を入れ、さらにBPO6
0重量部を溶解させたDcHF2,000重量部を入
れ、70℃で10時間懸濁重合させた。得られたPDc
HFを10,000重量部のメタノールに浸漬し、室温
で2日間撹拌した。濾過の後70℃のオーブン中で2日
間乾燥させた。このときの収量は1850重量部であっ
た。
On the other hand, a spin coater (Mikasa Corporation M
The above monomer composition was applied to a silicon wafer (manufactured by Kyokyo International Co., Ltd.) using IKASA SPINCOATER1H-D3) and cured in a nitrogen-substituted glass cell under the same conditions as above. 10
An insulating film of 0 μm was obtained. <Evaluation of electrical insulation resistance (hereinafter referred to as insulation resistance)> JI
According to SK6911, the sheet was cut into 40 mm ×
A 20 mm x 0.8 mm strip was prepared. Two holes each having a diameter of 5 mm were formed so that the center-to-center distance became 15 mm, and a taper pin was pushed into the holes to form a pair of electrodes. The insulation resistance was measured after charging for 1 minute using 500 V DC as the measurement voltage. <Evaluation of dielectric properties> 10 cm ×
A 1.0 mm × 0.8 mm stick was prepared. The relative permittivity and the dielectric loss tangent at a measurement frequency of 2 GHz were measured using a complex dielectric constant evaluation device (manufactured by Kanto Electronics Application Development Co., Ltd.) with a cavity resonator perturbation method. <Evaluation of solder heat resistance>
A strip of mm × 3 mm × 100 μm was prepared. This is 2
60 ° C solder bath (POT-20 manufactured by Taiyo Denki Kogyosho)
0C) for 120 seconds to evaluate the appearance. If there was no change in color or shape, it was evaluated as ○, and otherwise, it was evaluated as ×. <Evaluation of water absorption> The insulating film was cut to 50 mm
× 50mm × 100μm insulating film was prepared and JI
The water absorption (%) was measured according to SC6481. <Evaluation of solvent resistance> 25 m
An insulating film of mx 25 mm x 100 μm was prepared and J
It was immersed in toluene and methylene chloride according to ISC6481, and its appearance was evaluated. If there was no change in shape such as swelling and roughness, it was evaluated as ○, and otherwise, it was evaluated as ×. The formulations are summarized in Table 1, and the evaluation results are summarized in Table 2. (Examples 2 to 20) Samples were prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of fumaric acid diester, crosslinkable monomer, polymerization initiator, and other vinyl monomers were changed. The properties were evaluated. The formulations are summarized in Table 1 and the evaluation results are summarized in Table 2. (Comparative Examples 1-4) In a 20-liter stainless steel reaction vessel equipped with a stirrer, polyvinyl alcohol (KH-17,
10,000 parts by weight of ion-exchanged water in which 100 parts by weight of NPO was dissolved, and BPO6
2,000 parts by weight of DcHF in which 0 parts by weight were dissolved were added, and suspension polymerization was performed at 70 ° C. for 10 hours. Obtained PDc
HF was immersed in 10,000 parts by weight of methanol and stirred at room temperature for 2 days. After filtration, it was dried in an oven at 70 ° C. for 2 days. The yield at this time was 1850 parts by weight.

【0058】このPDcHF10重量部をベンゼン10
0mlに溶解させ、底が平滑な直径12cm程度のフラ
ットシャーレ状に注ぎ、ベンゼンを蒸発させて透明で均
一な直径12cm、厚さ0.8mmのシートを作製し
た。
10 parts by weight of this PDcHF was added to benzene 10
It was dissolved in 0 ml, poured into a flat petri dish having a smooth bottom with a diameter of about 12 cm, and benzene was evaporated to produce a transparent and uniform sheet having a diameter of 12 cm and a thickness of 0.8 mm.

【0059】一方、PDcHF1重量部をトルエン10
mlに溶解させ、底が平滑な直径12cm程度のフラッ
トシャーレ上に注ぎ、トルエンを蒸発させて透明で均一
な直径12cm、厚さ100μmのフィルムを作製し
た。また、原料のフマル酸ジエステルを変えて同様に重
合体を作製し、以下同様にシート及びフィルムを作製し
た。これらを実施例1と同様に評価し、配合を表1及び
評価結果を表2にまとめた。
On the other hand, 1 part by weight of PDcHF was
The mixture was poured into a flat petri dish having a smooth bottom and about 12 cm in diameter, and toluene was evaporated to produce a transparent and uniform film having a diameter of 12 cm and a thickness of 100 μm. Further, a polymer was prepared in the same manner as above except that the raw material fumaric acid diester was changed, and sheets and films were prepared in the same manner. These were evaluated in the same manner as in Example 1, and the formulations were summarized in Table 1 and the evaluation results were summarized in Table 2.

【0060】[0060]

【表1】 [Table 1]

【0061】[0061]

【表2】 表2に示したように、実施例1〜20の高分子絶縁材料
は絶縁抵抗、誘電特性(比誘電率、誘電正接)、半田耐
熱性、吸水率及び耐溶剤性のいずれも良好である。これ
に対し、架橋性単量体を含んでいない比較例1〜4では
硬化時間が長いことに加えて耐溶剤性が悪く、しかも半
田耐熱性と吸水率が低下する場合がある。 <積層体の評価> (実施例21)DcHF900重量部、PDAP(昭和
電工(株)製、商品名BA901)100重量部、MPE
50重量部、DCP10重量部を配合して単量体組成物
を得、これをガラス織布(20cm角、厚さ60±2μ
m、旭シュエーベル(株)製Eガラス)12枚に含浸さ
せた。このシートそれぞれを窒素ガス雰囲気下にて実施
例1に記載の超高圧水銀灯を用いて1J/cm2の照射エ
ネルギーで光照射して予備硬化し、これを12枚重ねさ
らにその上下両側に厚さ18μmの銅箔(福田金属箔粉
工業(株)製)を重ね、150℃、5時間、19.6×1
-3MPa(0.2kg/cm2)の条件、次いで17
0℃、2時間、49×10-3MPa(0.5kg/cm
2)の条件でプレス成形した。その結果、厚さ0.8m
mの積層体を得た。 <絶縁抵抗の評価>両面の銅箔をエッチングによって除
き、JISC6481に従い40mm×20mmのシー
トにカットし、直径5mmの穴2個を15mmの間隔に
あけテーパピンを押し込み電極とした。直流500Vを
測定電圧として用いて1分間の充電後絶縁抵抗を測定し
た。 <誘電特性の評価>両面の銅箔をエッチングによって除
き、10cm×1.0mmのスティックにカットし、こ
れについて空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置を用
い、測定周波数が2GHzのときの比誘電率及び誘電正
接を測定した。 <半田耐熱性の評価>50mm×3mmのシートにカッ
トし、これを260℃の半田浴に120秒間浸漬し、外
観を評価した。色、形状の変化がなければ○とし、それ
以外を×とした。 <吸水性の評価>両面の銅箔をエッチングによって除
き、JISC6481に準拠して50mm×50mmの
シートにカットして吸水率(%)を測定した。 <耐溶剤性の評価>両面の銅箔をエッチングによって除
き、JISC6481に準拠して25mm×25mmの
シートにカットし、トルエン及び塩化メチレンに浸漬し
てその外観を評価した。膨潤、荒れ等の形状の変化がな
ければ○とし、それ以外を×とした。
[Table 2] As shown in Table 2, the polymer insulating materials of Examples 1 to 20 have good insulation resistance, dielectric properties (relative permittivity, dielectric loss tangent), solder heat resistance, water absorption, and solvent resistance. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4 containing no crosslinkable monomer, the solvent resistance is poor in addition to the long curing time, and the solder heat resistance and the water absorption may decrease. <Evaluation of laminate> (Example 21) 900 parts by weight of DcHF, 100 parts by weight of PDAP (trade name BA901, manufactured by Showa Denko KK), MPE
50 parts by weight and 10 parts by weight of DCP were blended to obtain a monomer composition, which was woven with a glass woven cloth (20 cm square, thickness 60 ± 2 μm).
m, 12 pieces of E glass manufactured by Asahi Schwebel Co., Ltd.). Each of the sheets was preliminarily cured by irradiating it with an irradiation energy of 1 J / cm 2 using the ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 in a nitrogen gas atmosphere, and 12 sheets were stacked, and the thicknesses were formed on the upper and lower sides. Laminate 18 μm copper foil (manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd.), 150 ° C., 5 hours, 19.6 × 1
0 -3 MPa (0.2 kg / cm 2 ), then 17
0 ° C., 2 hours, 49 × 10 −3 MPa (0.5 kg / cm
Press molding was performed under the conditions of 2 ). As a result, thickness 0.8m
m was obtained. <Evaluation of Insulation Resistance> The copper foil on both sides was removed by etching, cut into a sheet of 40 mm × 20 mm according to JIS C6481, two holes having a diameter of 5 mm were formed at an interval of 15 mm, and a tapered pin was used as a pushing electrode. The insulation resistance was measured after charging for 1 minute using 500 V DC as the measurement voltage. <Evaluation of dielectric properties> The copper foil on both sides was removed by etching, cut into sticks of 10 cm x 1.0 mm, and the relative dielectric constant was measured using a cavity resonator perturbation complex permittivity evaluator at a measurement frequency of 2 GHz. The modulus and the dielectric loss tangent were measured. <Evaluation of Solder Heat Resistance> A sheet of 50 mm × 3 mm was cut, immersed in a solder bath at 260 ° C. for 120 seconds, and the appearance was evaluated. If there was no change in color or shape, it was evaluated as ○, and otherwise, as ×. <Evaluation of Water Absorption> The copper foil on both surfaces was removed by etching, and cut into a 50 mm × 50 mm sheet in accordance with JIS C6481 to measure the water absorption (%). <Evaluation of Solvent Resistance> The copper foil on both surfaces was removed by etching, cut into 25 mm × 25 mm sheets according to JIS C6481, and immersed in toluene and methylene chloride to evaluate the appearance. If there was no change in shape such as swelling or roughness, it was evaluated as ○, and the others were evaluated as ×.

【0062】以上の配合を表3、評価結果を表4にまと
めた。 (実施例22〜25)フマル酸ジエステル、架橋性単量
体、重合開始剤、他のビニル系単量体の種類及び配合量
を変えた以外は実施例21と同様に試料を作製し、各特
性を評価した。それらの配合を表3、評価結果を表4に
まとめた。 (比較例5)DcHF1000重量部、MPE50重量
部、DCP10重量部を配合し、実施例21と同様に試
料を作製し、各特性を評価した。その結果を表4にまと
めた。 (比較例6)比較例2で調製した重合体PCHIP15
0重量部をトルエン850重量部に溶解し、加圧濾過に
よってワニスを調製した。このワニスをガラス織布(2
0cm角、厚さ60±2μm、旭シュエーベル(株)製
Eガラス)12枚に含浸させた。
The above formulations are summarized in Table 3 and the evaluation results are summarized in Table 4. (Examples 22 to 25) Samples were prepared in the same manner as in Example 21 except that the types and amounts of fumaric acid diester, crosslinkable monomer, polymerization initiator, and other vinyl monomers were changed. The properties were evaluated. Table 3 shows the blends, and Table 4 shows the evaluation results. (Comparative Example 5) 1000 parts by weight of DcHF, 50 parts by weight of MPE, and 10 parts by weight of DCP were blended, a sample was prepared in the same manner as in Example 21, and each characteristic was evaluated. Table 4 summarizes the results. (Comparative Example 6) Polymer PCHIP15 prepared in Comparative Example 2
0 parts by weight was dissolved in 850 parts by weight of toluene, and a varnish was prepared by filtration under pressure. Apply this varnish to a glass woven cloth (2
Twelve sheets of 0 cm square, 60 ± 2 μm thick, E-glass manufactured by Asahi Schwebel Co., Ltd.) were impregnated.

【0063】各シートを40℃の乾燥機中にてトルエン
残存量が10〜30重量%になるまで乾燥し、シート1
2枚を重ね、さらにその両側に厚さ18μmの銅箔を重
ね、150℃、2時間、0.294MPa(3kg/c
2)の条件でプレス成形した。その結果、厚さ0.8
mmの積層体を得た。この積層体を用いて実施例21と
同様に試料を作製し、各特性を評価した。その配合を表
3、評価結果を表4にまとめた。
Each sheet was dried in a dryer at 40 ° C. until the residual amount of toluene became 10 to 30% by weight.
Two sheets were superposed, and a copper foil having a thickness of 18 μm was further superposed on both sides thereof, and was heated at 150 ° C. for 2 hours at 0.294 MPa (3 kg / c).
m 2 ). As a result, the thickness 0.8
mm was obtained. Using this laminated body, a sample was prepared in the same manner as in Example 21, and each characteristic was evaluated. The composition is summarized in Table 3 and the evaluation results are summarized in Table 4.

【0064】[0064]

【表3】 [Table 3]

【0065】[0065]

【表4】 表4に示したように、実施例21〜25の積層板は絶縁
抵抗、誘電特性(比誘電率、誘電正接)、半田耐熱性、
吸水率及び耐溶剤性のいずれも良好である。これに対
し、架橋性単量体を含んでいない比較例5では半田耐熱
性及び耐溶剤性が悪く、また有機溶剤を含む比較例6で
は耐溶剤性に劣る。 <ビルドアップ材の評価> (実施例26)DcHF 60重量部、DiPF 25
重量部、PDAP 15重量部、TBPZ 2重量部及
びシリカゲル(平均粒径10μm)10重量部を配合し
て単量体組成物を得、前処理を施した両面銅張りのガラ
スエポキシ基板(FR−4住友ベークライト(株)製)
上にバーコーターを用いて単量体組成物を塗布した。窒
素ガス雰囲気下において実施例1に記載の超高圧水銀灯
を用いて6J/cm2の照射エネルギーで光硬化し、更
に150℃で1時間加熱して有機樹脂絶縁層を形成し
た。
[Table 4] As shown in Table 4, the laminates of Examples 21 to 25 had insulation resistance, dielectric properties (relative permittivity, dielectric loss tangent), solder heat resistance,
Both water absorption and solvent resistance are good. On the other hand, Comparative Example 5 containing no crosslinking monomer has poor solder heat resistance and solvent resistance, and Comparative Example 6 containing an organic solvent has poor solvent resistance. <Evaluation of Build-up Material> (Example 26) DcHF 60 parts by weight, DiPF 25
Parts by weight, 15 parts by weight of PDAP, 2 parts by weight of TBPZ, and 10 parts by weight of silica gel (average particle size: 10 μm) to obtain a monomer composition, and a pre-treated glass-epoxy substrate coated on both sides with copper (FR- 4 Sumitomo Bakelite Co., Ltd.)
The monomer composition was applied thereon using a bar coater. Using the ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 under an atmosphere of nitrogen gas, photocuring was performed at an irradiation energy of 6 J / cm 2 and further heated at 150 ° C. for 1 hour to form an organic resin insulating layer.

【0066】そして、90℃に保たれた8規定のKOH
水溶液に60分間浸漬することにより、有機樹脂絶縁層
の表面にあるシリカゲルを除去して表面に微細な凹凸を
形成した後、表面をSEMにより観察した。このとき、
表面に凹凸がみられたものを○、みられなかったものを
×とした。その結果を表5にまとめた。
Then, 8N KOH kept at 90 ° C.
After immersion in an aqueous solution for 60 minutes, the silica gel on the surface of the organic resin insulating layer was removed to form fine irregularities on the surface, and the surface was observed by SEM. At this time,
A sample having irregularities on the surface was evaluated as ○, and a sample without irregularities was evaluated as ×. Table 5 summarizes the results.

【0067】(実施例27)シリカゲルに代えて炭酸カ
ルシウムを使用した以外は実施例26と同様に配合、塗
布、硬化し、有機樹脂絶縁層を形成した。室温下に10
%硫酸に10分間浸漬することにより、有機樹脂絶縁層
の表面にある炭酸カルシウムを除去して絶縁層の表面に
微細な凹凸を形成した後、表面をSEMにより観察し
た。その結果を表5にまとめた。
Example 27 An organic resin insulating layer was formed in the same manner as in Example 26 except that calcium carbonate was used instead of silica gel. 10 at room temperature
% Of sulfuric acid for 10 minutes to remove calcium carbonate on the surface of the organic resin insulating layer to form fine irregularities on the surface of the insulating layer. Then, the surface was observed by SEM. Table 5 summarizes the results.

【0068】(実施例28)DcHF 50重量部、D
iPF 35重量部、PDAP 15重量部、TBPZ
2重量部、ポリスチレン(エー・アンド・エム・スチ
レン(株)製 ダイヤレックスHF77)10重量部を
配合して単量体組成物を得、これを実施例26と同様に
塗布、硬化し、絶縁層を形成した。75℃に保たれたク
ロム酸混合液(クロム酸 200g/L、濃硫酸 55
0g/L)に10分間、90℃に保たれた8規定のKO
H水溶液に60分間、再び75℃クロム酸混合液10分
間浸漬することにより、絶縁層の表面にあるポリスチレ
ンを除去して絶縁層の表面に微細な凹凸を形成した後、
表面をSEMにより観察した。その結果を表5にまとめ
た。
(Example 28) 50 parts by weight of DcHF, D
35 parts by weight of iPF, 15 parts by weight of PDAP, TBPZ
2 parts by weight and 10 parts by weight of polystyrene (A & M Styrene Co., Ltd., Dialex HF77) were blended to obtain a monomer composition, which was applied and cured in the same manner as in Example 26 to obtain an insulating material. A layer was formed. Chromic acid mixture maintained at 75 ° C. (chromic acid 200 g / L, concentrated sulfuric acid 55
0 g / L) for 10 minutes at 8 ° C.
After immersion in an H aqueous solution for 60 minutes and again at 75 ° C. for 10 minutes in chromic acid mixed solution, polystyrene on the surface of the insulating layer was removed to form fine irregularities on the surface of the insulating layer.
The surface was observed by SEM. Table 5 summarizes the results.

【0069】(実施例29)実施例28の組成にさらに
シリカゲル(粒径3μm)を添加した以外は実施例26
と同様に配合、塗布、硬化し、絶縁層を形成した。実施
例28と同様にクロム酸混合液および8規定のKOH水
溶液に浸漬することにより、絶縁層の表面にあるフィラ
ーを除去して絶縁層の表面に微細な凹凸を形成した後、
表面をSEMにより観察した。その結果を表5にまとめ
た。
Example 29 Example 26 was repeated except that silica gel (particle size: 3 μm) was further added to the composition of Example 28.
In the same manner as in the above, the mixture was applied, coated and cured to form an insulating layer. By immersing in a chromic acid mixed solution and 8N KOH aqueous solution in the same manner as in Example 28 to remove the filler on the surface of the insulating layer and form fine irregularities on the surface of the insulating layer,
The surface was observed by SEM. Table 5 summarizes the results.

【0070】[0070]

【表5】 表5に示したように、実施例26〜29の絶縁層は表面
に凹凸が形成されており、メッキの密着性を向上させる
ことができる。
[Table 5] As shown in Table 5, the insulating layers of Examples 26 to 29 have irregularities on the surface, and can improve the adhesion of plating.

【0071】さらに、実施例29の絶縁層上にメルテッ
クス(株)のメッキプロセスに従い厚さ50μmの銅メ
ッキを施し、JIS C 6481に基づいて剥離試験
を行った。その結果を表6にまとめた。
Further, a copper plating having a thickness of 50 μm was applied to the insulating layer of Example 29 according to a plating process of Meltex Co., Ltd., and a peeling test was performed based on JIS C6481. Table 6 summarizes the results.

【0072】[0072]

【表6】 表6に示したように、実施例29ではメッキの剥離強度
は良好である。 <接着剤の評価> (実施例30)DcHF70重量部、PDAP10重量
部、St10重量部、SIS#5125 10重量部、
HMP5重量部及びDCP2重量部を配合して単量体組
成物を得、これを表面銅箔をエッチングによって除いた
ガラスエポキシ基板(FR−4住友ベークライト(株)
製)上にバーコーターを用いて塗布した。さらに、窒素
ガス雰囲気下において実施例1に記載の超高圧水銀灯を
用いて1J/cm2の照射エネルギーで照射して予備硬
化し、次に厚さ18μmの銅箔をゴムローラーで気泡を
取り除きながら圧着し、150℃、5時間、19.6×
10-3MPa(0.2kg/cm2)の条件、次いで1
70℃、2時間、49×10-3MPa(0.5kg/c
2)の条件でプレス成形した。
[Table 6] As shown in Table 6, in Example 29, the peel strength of the plating was good. <Evaluation of Adhesive> (Example 30) 70 parts by weight of DcHF, 10 parts by weight of PDAP, 10 parts by weight of St, 10 parts by weight of SIS # 5125,
A glass epoxy substrate (FR-4 Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) obtained by mixing 5 parts by weight of HMP and 2 parts by weight of DCP to obtain a monomer composition and removing the surface copper foil by etching.
Co., Ltd.) using a bar coater. Further, it was pre-cured by irradiating it with an irradiation energy of 1 J / cm 2 using the ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 under a nitrogen gas atmosphere, and then removing the air bubbles of a 18 μm thick copper foil with a rubber roller. Crimping, 150 ° C, 5 hours, 19.6x
10 −3 MPa (0.2 kg / cm 2 ), then 1
70 ° C., 2 hours, 49 × 10 −3 MPa (0.5 kg / c
m 2 ).

【0073】そして、実施例1と同様に、エッチングに
よって導体を除去した後、絶縁抵抗、半田耐熱性、吸水
性及び耐溶剤性を評価した。さらに、JISC5012
に従い、セロハンテープによる基盤目試験により銅箔の
密着性を評価した。このとき、基板表面から銅箔が剥離
しなかったものを○、剥離したものを×とした。その結
果を表7にまとめた。 (比較例7)DcHF90重量部、SIS#5125
10重量部、MPE5重量部及びDCP2重量部を配合
して単量体組成物を得、これを表面銅箔をエッチングに
よって除いたガラスエポキシ基板(FR−4住友ベーク
ライト(株)製)上にバーコーターを用いて塗布した。
さらに、窒素ガス雰囲気下において実施例1に記載の超
高圧水銀灯を用いて1J/cm2の照射エネルギーで光
照射して予備硬化した。次に、厚さ18μmの銅箔をゴ
ムローラーで気泡を取り除きながら圧着し、150℃、
5時間、19.6×10-3MPa(0.2kg/c
2)の条件、次いで170℃、2時間、49×10-3
MPa(0.5kg/cm2)の条件でプレス成形し
た。これを実施例30と同様に評価し、その結果を表7
にまとめた。
After the conductor was removed by etching in the same manner as in Example 1, insulation resistance, solder heat resistance, water absorption and solvent resistance were evaluated. Furthermore, JISC5012
The adhesiveness of the copper foil was evaluated by a base test using a cellophane tape. At this time, the case where the copper foil did not peel off from the substrate surface was evaluated as ○, and the case where the copper foil peeled was evaluated as ×. Table 7 summarizes the results. (Comparative Example 7) 90 parts by weight of DcHF, SIS # 5125
10 parts by weight, 5 parts by weight of MPE and 2 parts by weight of DCP were blended to obtain a monomer composition, which was bar-coated on a glass epoxy substrate (FR-4 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) from which the surface copper foil was removed by etching. It was applied using a coater.
Further, it was pre-cured by irradiating it with irradiation energy of 1 J / cm 2 using the ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 in a nitrogen gas atmosphere. Next, a copper foil having a thickness of 18 μm was pressure-bonded with a rubber roller while removing air bubbles, and was heated at 150 ° C.
5 hours, 19.6 × 10 −3 MPa (0.2 kg / c
m 2 ), then 170 ° C., 2 hours, 49 × 10 −3
Press molding was performed under the conditions of MPa (0.5 kg / cm 2 ). This was evaluated in the same manner as in Example 30.
Summarized in

【0074】[0074]

【表7】 表7に示したように、実施例30の接着剤は絶縁抵抗、
半田耐熱性、吸水率、耐溶剤性及び密着性のいずれも良
好であり、耐久性に優れている。これに対し、架橋性単
量体を含んでいない比較例7では耐溶剤性及び密着性に
劣る。 <異方導電膜の評価> (実施例31)DcHF65重量部、PDAP20重量
部、SIS#5125 10重量部、導電性粉末として
カーボンブラック(平均粒径0.1μm)5重量部、粘
度調整剤としてトルエン100重量部、及びHMP3重
量部、DCP1重量部を配合して単量体組成物を得た。
そして、接続テスト用基板として、1.6mm厚のガラス
エポキシ材ベースで35μm厚の銅箔を有する基板を使
用し、線間・線幅各125μmピッチのラインパターン
を形成した。この基板上に上記単量体組成物をスクリー
ン印刷により塗布し、60℃、3分間窒素ガス中で乾燥
させた。
[Table 7] As shown in Table 7, the adhesive of Example 30 had insulation resistance,
The solder heat resistance, water absorption, solvent resistance, and adhesion are all good, and the durability is excellent. On the other hand, Comparative Example 7 containing no crosslinkable monomer is inferior in solvent resistance and adhesion. <Evaluation of Anisotropic Conductive Film> (Example 31) 65 parts by weight of DcHF, 20 parts by weight of PDAP, 10 parts by weight of SIS # 5125, 5 parts by weight of carbon black (average particle size: 0.1 μm) as a conductive powder, and as a viscosity modifier 100 parts by weight of toluene, 3 parts by weight of HMP, and 1 part by weight of DCP were blended to obtain a monomer composition.
As a connection test substrate, a substrate having a glass epoxy material base having a thickness of 1.6 mm and a copper foil having a thickness of 35 μm was used, and a line pattern having a line pitch and a line width of 125 μm was formed. The monomer composition was applied on the substrate by screen printing, and dried in a nitrogen gas at 60 ° C. for 3 minutes.

【0075】次に、窒素ガス雰囲気下において実施例1
に記載の超高圧水銀灯を用いて1J/cm2の照射エネ
ルギーで光照射して予備硬化し、厚さ20μmのタック
フリーのフィルムを得た。このフィルム上に上記と同じ
接続テスト用基板を、両基板上の対応する電極間の位置
整合を行って張り合わせ、0.98MPa(10kg/
cm2)、180℃、1分間加熱圧着した。 <接触抵抗の評価>接触面積0.15×3.0mmで測定
した。 <熱衝撃性試験>前記半導体チップを実装した基板を−
55℃、30分、続いて室温、5分、さらに150℃、
30分、次いで室温、5分の温度サイクルを500回繰
り返すことによって、半導体チップ−基板間の密着性及
びクラックの有無を調べた。その際、外観に異常が認め
られないものを○、チップの脱落及び/又は層間でクラ
ックが発生したものを×とした。 <PCT(プレッシャークッカーテスト)>前記半導体
チップを実装した基板を湿度100%、温度105℃、
2atmの条件で30分間放置し、半導体チップ−基板
間の密着性及びクラックの有無を調べた。その際、外観
に異常が認められないものを○、チップの脱落及び/又
は層間でクラックが発生したものを×とした。その結果
を表8にまとめた。 (実施例32)DiPF65重量部、CHDVE20重
量部、SIS#5125 10重量部、カーボンブラッ
ク5重量部、トルエン100重量部、HMP3重量部及
びDCP1重量部を配合して単量体組成物を得た。以
下、実施例31と同様に調製、評価し、その結果を表8
にまとめた。 (比較例8)DcHF75重量部、SIS#5125
10重量部、カーボンブラック5重量部、トルエン10
0重量部、HMP3重量部及びDCP1重量部を配合し
て単量体組成物を得た。これを実施例30と同様に調
製、評価し、その結果を表8にまとめた。 (比較例9)PCHIP20重量部、SIS#5125
2重量部、カーボンブラック1重量部、トルエン70
重量部及びtert−ブチルベンゼン10重量部を配合
して単量体組成物を得た。これを実施例27と同様に調
製、評価し、その結果を表8にまとめた。
Next, Example 1 was performed under a nitrogen gas atmosphere.
The film was pre-cured by irradiating light with an irradiation energy of 1 J / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp described in (1) to obtain a tack-free film having a thickness of 20 μm. The same connection test substrate as described above was bonded on this film by performing positional alignment between the corresponding electrodes on both substrates, and was bonded at 0.98 MPa (10 kg /
cm 2 ) at 180 ° C. for 1 minute. <Evaluation of Contact Resistance> The contact area was measured at 0.15 × 3.0 mm. <Thermal shock test>
55 ° C., 30 minutes, then room temperature, 5 minutes, further 150 ° C.,
By repeating a temperature cycle for 30 minutes and then at room temperature for 5 minutes 500 times, the adhesion between the semiconductor chip and the substrate and the presence or absence of cracks were examined. At that time, those in which no abnormality was observed in appearance were evaluated as ○, and those in which chips fell off and / or cracks occurred between layers were evaluated as ×. <PCT (Pressure Cooker Test)> The substrate on which the semiconductor chip was mounted was subjected to a humidity of 100%, a temperature of 105 ° C.
It was left for 30 minutes under the condition of 2 atm, and the adhesion between the semiconductor chip and the substrate and the presence or absence of cracks were examined. At that time, those in which no abnormality was observed in appearance were evaluated as ○, and those in which chips fell off and / or cracks occurred between layers were evaluated as ×. Table 8 summarizes the results. (Example 32) A monomer composition was obtained by mixing 65 parts by weight of DiPF, 20 parts by weight of CHDVE, 10 parts by weight of SIS # 5125, 5 parts by weight of carbon black, 100 parts by weight of toluene, 3 parts by weight of HMP, and 1 part by weight of DCP. . Hereinafter, preparation and evaluation were performed in the same manner as in Example 31, and the results were shown in Table 8.
Summarized in (Comparative Example 8) 75 parts by weight of DcHF, SIS # 5125
10 parts by weight, carbon black 5 parts by weight, toluene 10
0 parts by weight, 3 parts by weight of HMP and 1 part by weight of DCP were blended to obtain a monomer composition. This was prepared and evaluated in the same manner as in Example 30, and the results are summarized in Table 8. (Comparative Example 9) 20 parts by weight of PCHIP, SIS # 5125
2 parts by weight, 1 part by weight of carbon black, toluene 70
By weight, 10 parts by weight of tert-butylbenzene was mixed to obtain a monomer composition. This was prepared and evaluated in the same manner as in Example 27, and the results are shown in Table 8.

【0076】[0076]

【表8】 表8に示したように、実施例31及び32の異方導電膜
は接触抵抗、熱衝撃性及びPCTのいずれも良好であ
り、耐久性に優れるものである。これに対し、架橋性単
量体を含んでおらず、有機溶剤を含む比較例8及び9で
は接触抵抗が低く、熱衝撃性及びPCTに劣る。 <半導体用層間絶縁膜の評価> (実施例33)DcHF8.5重量部、HDVE1.5
重量部、トルエン200重量部、MPE1重量部を配合
して単量体組成物を得、スピンコーターを用いてシリコ
ンウェハー上に上記単量体組成物を塗布し、60℃、3
0秒間乾燥させたところ膜厚は200nmであった。こ
の操作を10回繰り返し、2μmの膜を作製した。マイ
クロカッターを用いてカットし、断面を電子顕微鏡で観
察したところ、厚み変化は3%以下であり、平滑性に問
題がなかった。窒素ガス雰囲気下において実施例1に記
載の超高圧水銀灯を用いて6J/cm2の照射エネルギ
ーで光照射して硬化し、次に、真空蒸着装置(真空機工
(株)製、VPC−260)を用いてアルミニウムを蒸
着させ、上部及び下部に電極を形成した。 <比誘電率の測定>誘電体測定電極HP16451B及
びプレシジョンLCRメータHP4285A(日本ヒュ
ーレットパッカード(株)製)を用い、周波数1MHz
における上記フィルムの比誘電率を測定した。 <耐熱性の評価>上記フィルムをシリコンウェハー上か
ら剥がして熱重量分析を行った。そして、350℃にお
いて熱分解による重量減少が認められなかった場合を
○、他のものを×とした。 <密着性の評価>実施例31に記載のPCT条件下にて
試験した後、JISC5012に従い、セロハンテープ
による基盤目試験によって密着性を評価した。そして、
ウェハー上から剥離しなかったものを○、剥離したもの
を×とした。その結果を表9にまとめた。 (実施例34)DiPF8.5重量部、CHDVE1.
5重量部、トルエン200重量部及びBPO 0.2重
量部を配合して単量体組成物を得た。そして、実施例3
3と同様に調製して評価し、その結果を表9にまとめ
た。 (比較例10)DcHF10重量部、トルエン200重
量部、BPO 0.2重量部を配合して単量体組成物を
得た。そして、実施例33と同様に調製して評価し、そ
の結果を表9にまとめた。 (比較例11)PDcHF10重量部及びトルエン20
0重量部からなるワニスを配合し、スピンコーターを用
いてシリコンウェハー上に塗布し、200℃、30秒間
乾燥させたところ膜厚は200nmであった。この操作
を10回繰り返して2μmの膜を作製した。ところが、
マイクロカッターを用いてカットし、断面を電子顕微鏡
で観察したところ、厚み変化は10%で、波打っている
ことが観察された。次に、真空蒸着装置を用いてアルミ
ニウムを蒸着させ、上部及び下部に電極を形成した。こ
れを用いて実施例33と同様に評価し、その結果を表9
にまとめた。
[Table 8] As shown in Table 8, the anisotropic conductive films of Examples 31 and 32 had good contact resistance, thermal shock resistance and PCT, and were excellent in durability. On the other hand, Comparative Examples 8 and 9, which do not contain a crosslinkable monomer and contain an organic solvent, have low contact resistance and are inferior in thermal shock resistance and PCT. <Evaluation of Interlayer Insulating Film for Semiconductor> (Example 33) 8.5 parts by weight of DcHF, HDVE1.5
Parts by weight, 200 parts by weight of toluene, and 1 part by weight of MPE were blended to obtain a monomer composition, and the monomer composition was applied on a silicon wafer using a spin coater.
After drying for 0 seconds, the film thickness was 200 nm. This operation was repeated 10 times to produce a 2 μm film. When cut using a microcutter and the cross section was observed with an electron microscope, the change in thickness was 3% or less, and there was no problem in smoothness. Using an ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 and irradiating with light at an irradiation energy of 6 J / cm 2 in a nitrogen gas atmosphere, the composition is cured, and then a vacuum vapor deposition apparatus (VPC-260, manufactured by Vacuum Kiko Co., Ltd.) Was used to deposit aluminum, and electrodes were formed on the upper and lower portions. <Measurement of relative permittivity> Using a dielectric measurement electrode HP16451B and a precision LCR meter HP4285A (manufactured by Hewlett-Packard Japan, Inc.), a frequency of 1 MHz was used.
Was measured for the relative dielectric constant of the film. <Evaluation of heat resistance> The film was peeled off from the silicon wafer and subjected to thermogravimetric analysis. Then, a case where no weight loss due to thermal decomposition was observed at 350 ° C. was evaluated as ○, and the others were evaluated as ×. <Evaluation of Adhesion> After the test under the PCT conditions described in Example 31, the adhesion was evaluated by a basement test using a cellophane tape in accordance with JISC5012. And
The sample that was not peeled off from the wafer was rated as ○, and the one that was peeled was rated as ×. Table 9 summarizes the results. (Example 34) 8.5 parts by weight of DiPF, CHDVE1.
5 parts by weight, 200 parts by weight of toluene and 0.2 parts by weight of BPO were blended to obtain a monomer composition. And the third embodiment
Preparation and evaluation were performed in the same manner as in Example 3, and the results were summarized in Table 9. Comparative Example 10 A monomer composition was obtained by mixing 10 parts by weight of DcHF, 200 parts by weight of toluene, and 0.2 parts by weight of BPO. And it prepared and evaluated like Example 33, and the result was put together in Table 9. (Comparative Example 11) 10 parts by weight of PDcHF and toluene 20
A varnish consisting of 0 parts by weight was blended, applied to a silicon wafer using a spin coater, and dried at 200 ° C. for 30 seconds. As a result, the film thickness was 200 nm. This operation was repeated 10 times to produce a 2 μm film. However,
The film was cut with a microcutter, and the cross section was observed with an electron microscope. As a result, it was observed that the thickness was changed by 10% and the surface was wavy. Next, aluminum was deposited using a vacuum deposition apparatus, and electrodes were formed on the upper and lower portions. Using this, evaluation was made in the same manner as in Example 33, and the results were shown in Table 9.
Summarized in

【0077】[0077]

【表9】 表9に示したように、実施例33及び34の半導体用層
間絶縁膜は比誘電率、耐熱性及び密着性のいずれも良好
であり、耐久性に優れている。これに対し、架橋性単量
体を含んでおらず、有機溶剤を含む比較例10及び11
では耐熱性及び密着性に劣る。 <半導体用封止材の評価> (実施例35)DcHF60重量部、DATP30重量
部、SIS#5125 10重量部、溶融シリカ(平均
粒径5μm)150重量部、HMP5重量部及びDCP
1重量部を配合し、3本ロールを用い80℃で分散混合
及び真空脱泡した。
[Table 9] As shown in Table 9, the interlayer insulating films for semiconductors of Examples 33 and 34 have good relative dielectric constant, heat resistance and adhesion, and are excellent in durability. On the other hand, Comparative Examples 10 and 11 which did not contain a crosslinkable monomer and contained an organic solvent
Is inferior in heat resistance and adhesion. <Evaluation of encapsulant for semiconductor> (Example 35) 60 parts by weight of DcHF, 30 parts by weight of DATP, 10 parts by weight of SIS # 5125, 150 parts by weight of fused silica (average particle diameter 5 μm), 5 parts by weight of HMP, and DCP
One part by weight was mixed, dispersed and mixed at 80 ° C. using a three-roll mill, and vacuum defoamed.

【0078】次に、この組成物を用いてピングリッドア
レーをトランスファーモールド方式によって封止した。
窒素ガス雰囲気下において実施例1に記載の超高圧水銀
灯を用いて1J/cm2の照射エネルギーで光照射して
予備硬化し、150℃までを30分で昇温し、さらに1
50℃で2時間加熱硬化することによってパッケージを
成形した。 <耐熱性の評価>上記パッケージを粉砕し、樹脂部分の
熱重量分析を行った。その結果、350℃において熱分
解による重量減少は認められなかった。 <PCT>実施例31に記載のPCT条件下にて試験し
た後、光学顕微鏡(倍率:30倍)で観察した。その結
果、剥離、クラック等の外観の劣化は認められなかっ
た。 (実施例36)DiPF70重量部、TMPTE25重
量部、SIS#5125 5重量部、溶融シリカ(平均
粒径5μm)150重量部、HMP5重量部及びDCP
1重量部を配合し、3本ロールを用いて80℃で分散混
合及び真空脱泡した。以下、実施例35と同様に調製し
て評価した。その結果、熱分解による重量減少や外観の
劣化は認められなかった。 (比較例12)DcHF95重量部、SIS♯5125
5重量部、溶融シリカ(平均粒径5μm)150重量
部、HMP5重量部及びDCP1重量部を配合し、3本
ロールを用い80℃で分散混合及び真空脱泡した。以
下、実施例35と同様にパッケージを成形し、同様の物
性を評価した。その結果、熱分解による重量減少が認め
られた。また、PCTによってパッケージのクラックが
認められた。 <ソルダーレジスト材の評価> (実施例37)DcHF60重量部、DVAd30重量
部、SIS#2002 10重量部、溶融シリカ(平均
粒径5μm)20重量部、トルエン100重量部、HM
P5重量部及びDCP1重量部を配合し、スクリーン印
刷機(マイクロ−テック(株)製:MT-150RT
V)を用いて、40μmのライン&スペースが描かれた
シルクスクリーン(NBC工業(株)製:V60)に
て、ガラスエポキシ樹脂表面にスクリーン印刷を行っ
た。
Next, a pin grid array was sealed using this composition by a transfer molding method.
Using the ultrahigh pressure mercury lamp described in Example 1 under a nitrogen gas atmosphere, light irradiation was performed at an irradiation energy of 1 J / cm 2 to perform pre-curing, and the temperature was raised to 150 ° C. in 30 minutes.
The package was molded by heating and curing at 50 ° C. for 2 hours. <Evaluation of Heat Resistance> The package was pulverized, and a thermogravimetric analysis of the resin portion was performed. As a result, no weight loss due to thermal decomposition was observed at 350 ° C. <PCT> After the test under the PCT conditions described in Example 31, observation was performed with an optical microscope (magnification: 30 times). As a result, appearance deterioration such as peeling and cracking was not observed. (Example 36) 70 parts by weight of DiPF, 25 parts by weight of TMPTE, 5 parts by weight of SIS # 5125, 150 parts by weight of fused silica (average particle size: 5 μm), 5 parts by weight of HMP, and DCP
One part by weight was mixed, dispersed and mixed at 80 ° C. using a three-roll mill, and vacuum defoamed. Hereinafter, it was prepared and evaluated in the same manner as in Example 35. As a result, no weight loss or deterioration in appearance due to thermal decomposition was observed. (Comparative Example 12) 95 parts by weight of DcHF, SIS # 5125
5 parts by weight, 150 parts by weight of fused silica (average particle size: 5 μm), 5 parts by weight of HMP and 1 part by weight of DCP were blended, dispersed and mixed at 80 ° C. using a three-roll mill, and vacuum defoamed. Thereafter, a package was molded in the same manner as in Example 35, and the same physical properties were evaluated. As a result, weight loss due to thermal decomposition was observed. Further, cracks of the package were recognized by PCT. <Evaluation of Solder Resist Material> (Example 37) 60 parts by weight of DcHF, 30 parts by weight of DVAd, 10 parts by weight of SIS # 2002, 20 parts by weight of fused silica (average particle diameter 5 μm), 100 parts by weight of toluene, HM
P5 parts by weight and DCP1 part by weight are blended, and a screen printing machine (manufactured by Micro-Tech Co., Ltd .: MT-150RT)
Using V), screen printing was performed on the surface of the glass epoxy resin using a silk screen (V60 manufactured by NBC Industries, Ltd.) on which a line and space of 40 μm was drawn.

【0079】次に、窒素ガス雰囲気下において実施例1
に記載の超高圧水銀灯を用いて1J/cm2の照射エネ
ルギーで光照射して予備硬化し、引き続いて150℃で
1時間の硬化を行った。得られたソルダーレジストを顕
微鏡にて観察したところ、50μmの膜厚と40μmの
ライン&スペースが忠実に再現されていた。 <耐溶剤性の評価>JISC6481に準拠して25m
m×25mmのシートにカットし、トルエン及び塩化メ
チレンに浸漬し、その外観を評価した。その結果、膨
潤、荒れ等の形状の変化は認められなかった。 <密着性の評価>実施例31に記載のPCT条件下にて
試験した後、JISC5012に従い、セロハンテープ
による碁盤目試験によって密着性を評価した。その結
果、皮膜は基板上から剥離しなかった。 (比較例13)DcHF90重量部、SIS#2002
10重量部、溶融シリカ(平均粒径5μm)20重量
部、トルエン100重量部、HMP5重量部、DCP1
重量部を配合し、以下実施例37と同様にガラスエポキ
シ樹脂表面にレジスト膜を形成した。その結果、厚み、
ライン&スペースは実施例37と同様に忠実に再現され
た。さらに、耐溶剤性と密着性を評価した結果、トルエ
ン、塩化メチレン共に被膜の膨潤が認められ、さらに密
着性試験では剥離が認められた。
Next, Example 1 was performed under a nitrogen gas atmosphere.
The composition was pre-cured by irradiation with light at an irradiation energy of 1 J / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp described in 1 above, followed by curing at 150 ° C. for 1 hour. Observation of the obtained solder resist with a microscope revealed that a film thickness of 50 μm and a line & space of 40 μm were faithfully reproduced. <Evaluation of solvent resistance> 25 m according to JIS C6481
The sheet was cut into a sheet of mx 25 mm, immersed in toluene and methylene chloride, and its appearance was evaluated. As a result, no change in shape such as swelling and roughness was observed. <Evaluation of Adhesion> After the test under the PCT conditions described in Example 31, the adhesion was evaluated by a grid test using a cellophane tape in accordance with JISC5012. As a result, the film did not peel off from the substrate. (Comparative Example 13) 90 parts by weight of DcHF, SIS # 2002
10 parts by weight, 20 parts by weight of fused silica (average particle size: 5 μm), 100 parts by weight of toluene, 5 parts by weight of HMP, DCP1
By weight, a resist film was formed on the surface of the glass epoxy resin in the same manner as in Example 37. As a result, the thickness,
Lines and spaces were faithfully reproduced as in Example 37. Further, as a result of evaluating the solvent resistance and the adhesion, swelling of the coating was observed in both toluene and methylene chloride, and peeling was observed in the adhesion test.

【0080】なお、前記実施形態より把握される技術的
思想について以下に記載する。 ・ 前記フマル酸ジエステルは単量体組成物中の主成分
である請求項1に記載の光硬化系高分子絶縁材料。この
ように構成した場合、高分子絶縁材料の電気特性を良好
に維持することができる。
The technical ideas grasped from the above embodiment will be described below. The photocurable polymer insulating material according to claim 1, wherein the fumaric diester is a main component in the monomer composition. With such a configuration, it is possible to maintain good electrical characteristics of the polymer insulating material.

【0081】・ 前記単量体組成物は、さらに重合体又
は前記単量体以外のその他のビニル系単量体を含有する
ものである請求項1に記載の光硬化系高分子絶縁材料。
このように構成した場合、高分子絶縁材料の機械的強
度、平滑性、塗膜と基材との密着性などの特性を調整す
ることができる。
The photocurable polymer insulating material according to claim 1, wherein the monomer composition further contains a polymer or another vinyl monomer other than the monomer.
With such a configuration, characteristics such as mechanical strength and smoothness of the polymer insulating material and adhesion between the coating film and the base material can be adjusted.

【0082】・ 前記光硬化は、有機溶剤の実質的な非
存在下で行われる請求項2に記載の光硬化系高分子絶縁
材料の製造方法。この製造方法によれば、成形性ないし
加工性を向上させることができる。
The method for producing a photocurable polymer insulating material according to claim 2, wherein the photocuring is performed in the substantial absence of an organic solvent. According to this manufacturing method, moldability or workability can be improved.

【0083】[0083]

【発明の効果】本発明によれば、次のような効果を発揮
することができる。第1の発明の光硬化系高分子絶縁材
料によれば、誘電率、誘電正接、電気絶縁性等の電気特
性、耐溶剤性、耐熱性及び耐熱衝撃性に優れている。
According to the present invention, the following effects can be obtained. The photocurable polymer insulating material according to the first aspect of the invention is excellent in electrical properties such as dielectric constant, dielectric loss tangent, and electrical insulation, solvent resistance, heat resistance, and thermal shock resistance.

【0084】第2の発明の光硬化系高分子絶縁材料の製
造方法によれば、第1の発明の効果を発揮できる光硬化
系高分子絶縁材料を効率良く製造することができる。第
3の発明の電子関連基板によれば、第1の発明の光硬化
系高分子絶縁材料の効果をプリント配線基板、ビルドア
ップ基板などに発揮させることができる。
According to the method for producing a photocurable polymer insulating material of the second invention, a photocurable polymer insulating material capable of exhibiting the effects of the first invention can be produced efficiently. According to the electronic-related substrate of the third aspect, the effect of the photocurable polymer insulating material of the first aspect can be exerted on a printed wiring board, a build-up board, and the like.

【0085】第4の発明の電子部材によれば、第1の発
明の光硬化系高分子絶縁材料の効果を絶縁フィルム、積
層体、アンダーコート材などに発揮させることができ
る。
According to the electronic member of the fourth aspect, the effect of the photocurable polymer insulating material of the first aspect can be exerted on an insulating film, a laminate, an undercoat material, and the like.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C08L 35:02 H01L 23/14 R (72)発明者 天谷 直之 埼玉県戸田市下前2丁目1番地5 (72)発明者 奥尾 雅巳 愛知県知多郡美浜町大字布土字梅之木48− 18 (72)発明者 加藤 行浩 愛知県知多郡武豊町字西門8番地 (72)発明者 実生 史朗 愛知県知多郡武豊町字西門8番地 (72)発明者 長谷川 浩昭 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ 株式会社内 (72)発明者 山田 俊昭 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ 株式会社内 (72)発明者 浅見 茂 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ 株式会社内 Fターム(参考) 4F071 AA12 AA22 AA30 AA33 AA35 AA36 AA37 AA39 AC07 AC15 BA02 BB01 BB02 BC01 BC02 BC07 4J011 AC04 QA08 QA12 QA13 QA18 QA19 QA20 QA23 QA24 QA26 QA27 QB22 SA01 SA21 SA31 SA64 SA78 SA84 UA01 VA01 VA04 WA06 4J100 AB16Q AE76Q AE77Q AL34P AL39P AL62Q AL63Q AL66Q AL67Q AM55Q AN13Q AQ21Q AS02Q AS03Q BA02Q BA03Q BA04P BA05P BA06P BA42Q BB01P BB07P BC04Q BC43P BC44Q BC45Q CA04 FA03──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // C08L 35:02 H01L 23/14 R (72) Inventor Naoyuki Amaya 2-1-1 Shimozen, Toda City, Saitama Prefecture No. 5 (72) Inventor Masami Okoo 48-18 Umenogi, Mito-cho, Chita-gun, Aichi Prefecture, Japan 18-72 (72) Inventor Yukihiro Kato 8 West Gate, Taketoyo-cho, Chita-gun, Aichi Prefecture, Japan (72) Inventor Hiroaki Hasegawa 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDC Corporation (72) Inventor Toshiaki Yamada 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (72) Inventor Shigeru Asami 1-1-13 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo FTD term (reference) 4F071 AA12 A A22 AA30 AA33 AA35 AA36 AA37 AA39 AC07 AC15 BA02 BB01 BB02 BC01 BC02 BC07 4J011 AC04 QA08 QA12 QA13 QA18 QA19 QA20 QA23 QA24 QA26 QA27 QB22 SA01 SA21 SA31 SA64 SA78 SA84 UA01 VA01Q01 AU01 VA01Q01 AQ21Q AS02Q AS03Q BA02Q BA03Q BA04P BA05P BA06P BA42Q BB01P BB07P BC04Q BC43P BC44Q BC45Q CA04 FA03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フマル酸ジエステル、炭素間二重結合を
一分子内に二個以上有する単量体及び光分解型重合開始
剤を含有する単量体組成物を光硬化して得られる光硬化
系高分子絶縁材料。
1. Photocuring obtained by photocuring a monomer composition containing a fumaric acid diester, a monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule, and a photodecomposition type polymerization initiator. Polymer insulating material.
【請求項2】 フマル酸ジエステル、炭素間二重結合を
一分子内に二個以上有する単量体及び光分解型重合開始
剤を混合して単量体組成物を調製し、これを所定形状に
賦形した後光硬化させることを特徴とする光硬化系高分
子絶縁材料の製造方法。
2. A monomer composition is prepared by mixing a fumaric acid diester, a monomer having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule, and a photodecomposable polymerization initiator, and then preparing a monomer composition. A method for producing a photo-curable polymer insulating material, wherein the photo-curable polymer insulating material is shaped and then light-cured.
【請求項3】 請求項1に記載の光硬化系高分子絶縁材
料を含む構成材料より形成される電子関連基板。
3. An electron-related substrate formed from a constituent material containing the photocurable polymer insulating material according to claim 1.
【請求項4】 請求項1に記載の光硬化系高分子絶縁材
料を含む構成材料より形成される電子部材。
4. An electronic member formed from a constituent material containing the photocurable polymer insulating material according to claim 1.
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