JP2002318390A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】表示画質が良好で、精細度が高いアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を得る。 【構成】マトリクス状の画素を構成する電極群，アクテ
ィブ素子からなる液晶駆動手段を備え、該電極群は液晶
層に対して基板界面に平行な電界を印加するように対を
なす短冊状の形状であって、その短辺の長さが電極間隔
より短い。さらに、液晶層の比抵抗は１０10Ωcm以上、
誘電率は少なくとも一つの非導電性部材の誘電率より大
きい。
トリクス型液晶表示装置を得る。 【構成】マトリクス状の画素を構成する電極群，アクテ
ィブ素子からなる液晶駆動手段を備え、該電極群は液晶
層に対して基板界面に平行な電界を印加するように対を
なす短冊状の形状であって、その短辺の長さが電極間隔
より短い。さらに、液晶層の比抵抗は１０10Ωcm以上、
誘電率は少なくとも一つの非導電性部材の誘電率より大
きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量産性が良好で低コス
トかつ高画質のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関する。
トかつ高画質のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置では、液晶組成物層を駆動する電極として２枚の基
板界面上に形成し相対向させた透明電極を用いていた。
これは、液晶組成物層に印加する電界の方向を基板界面
にほぼ垂直な方向とすることで動作する、ツイステッド
ネマチック（ＴＮ）表示方式に代表される表示方式を採
用していることによる。以下、この液晶組成物層に印加
する主たる電界方向が基板界面にほぼ垂直な方向である
表示方式を縦電界方式と称する。
装置では、液晶組成物層を駆動する電極として２枚の基
板界面上に形成し相対向させた透明電極を用いていた。
これは、液晶組成物層に印加する電界の方向を基板界面
にほぼ垂直な方向とすることで動作する、ツイステッド
ネマチック（ＴＮ）表示方式に代表される表示方式を採
用していることによる。以下、この液晶組成物層に印加
する主たる電界方向が基板界面にほぼ垂直な方向である
表示方式を縦電界方式と称する。
【０００３】また、一方の基板上に形成した櫛歯状電極
対を用いて液晶組成物層に電界を印加する方式が、例え
ば特公昭63−21907 号により提案されている。ここで言
う櫛歯状電極対は、図５中の１，２で示すような櫛の歯
のような形状を有する２つの電極を互いの歯の部分が重
ならずに噛み合うように配置したものである。この場
合、液晶組成物層を駆動する電極は透明である必要はな
く、導電性が高く不透明な金属電極を用いることができ
る。また、液晶組成物分子の配向は、電極間に電圧を印
加しない状態において、ホモジニアス配向，９０°ツイ
スト配向あるいはホメオトロピック配向を取ることがで
き、ＴＮモード，ゲストホスト（ＧＨ）モードあるいは
電界制御複屈折（ＥＣＢ）モードなどの電圧効果型表示
方式や、電流効果型の動的散乱（ＤＳ）モード表示方式
を用いることができる。以下、この液晶組成物層に印加
する主たる電界方向が基板界面にほぼ平行な方向である
表示方式を横電界方式と称する。
対を用いて液晶組成物層に電界を印加する方式が、例え
ば特公昭63−21907 号により提案されている。ここで言
う櫛歯状電極対は、図５中の１，２で示すような櫛の歯
のような形状を有する２つの電極を互いの歯の部分が重
ならずに噛み合うように配置したものである。この場
合、液晶組成物層を駆動する電極は透明である必要はな
く、導電性が高く不透明な金属電極を用いることができ
る。また、液晶組成物分子の配向は、電極間に電圧を印
加しない状態において、ホモジニアス配向，９０°ツイ
スト配向あるいはホメオトロピック配向を取ることがで
き、ＴＮモード，ゲストホスト（ＧＨ）モードあるいは
電界制御複屈折（ＥＣＢ）モードなどの電圧効果型表示
方式や、電流効果型の動的散乱（ＤＳ）モード表示方式
を用いることができる。以下、この液晶組成物層に印加
する主たる電界方向が基板界面にほぼ平行な方向である
表示方式を横電界方式と称する。
【０００４】横電界方式の動作原理を図２および図３を
用いて説明する。
用いて説明する。
【０００５】図２（ａ),（ｂ）は液晶表示装置内での液
晶の動作を示す断面図を、図２（ｃ），（ｄ）はその平
面図を表す。図２ではアクティブ素子を省略し、また、
画素内での櫛歯状電極対の一部分を示した。
晶の動作を示す断面図を、図２（ｃ），（ｄ）はその平
面図を表す。図２ではアクティブ素子を省略し、また、
画素内での櫛歯状電極対の一部分を示した。
【０００６】電圧無印加時の断面図を図２（ａ）に、そ
の時の平面図を図２（ｃ）に示す。少なくとも一方が透
明な一対の基板３の向き合った表面に櫛歯状の形状をし
た対をなす画素電極１，２が形成され、その上に配向膜
４が塗布および配向処理されている。間には液晶組成物
が挟持されている。棒状の液晶分子５は、画素電極１，
２間に電圧が印加されない時には櫛歯状画素電極対１，
２の長辺方向に対して若干の角度を持つように配向され
ている。上下界面上での液晶分子５の配向方向はここで
は平行である場合を例に説明する。また、液晶組成物の
誘電率異方性は正を想定している。
の時の平面図を図２（ｃ）に示す。少なくとも一方が透
明な一対の基板３の向き合った表面に櫛歯状の形状をし
た対をなす画素電極１，２が形成され、その上に配向膜
４が塗布および配向処理されている。間には液晶組成物
が挟持されている。棒状の液晶分子５は、画素電極１，
２間に電圧が印加されない時には櫛歯状画素電極対１，
２の長辺方向に対して若干の角度を持つように配向され
ている。上下界面上での液晶分子５の配向方向はここで
は平行である場合を例に説明する。また、液晶組成物の
誘電率異方性は正を想定している。
【０００７】次に、櫛歯状画素電極対１，２間に電圧を
与えて液晶組成物層に電界７を印加すると図２（ｃ),
（ｄ）に示したように電界７の方向に液晶分子５がその
向きを変える。偏光板６を所定の角度に配置することで
電界印加によって光透過率を変えることが可能になる。
図３に示すように、印加電圧の実効値を増大させると相
対的な光透過率が変化する。このように、横電界方式に
よれば透明電極を使用せずにコントラストを与える表示
が可能になる。
与えて液晶組成物層に電界７を印加すると図２（ｃ),
（ｄ）に示したように電界７の方向に液晶分子５がその
向きを変える。偏光板６を所定の角度に配置することで
電界印加によって光透過率を変えることが可能になる。
図３に示すように、印加電圧の実効値を増大させると相
対的な光透過率が変化する。このように、横電界方式に
よれば透明電極を使用せずにコントラストを与える表示
が可能になる。
【０００８】なお、図２では櫛歯状画素電極対１，２を
一方の基板表面に形成したが、一対の基板両方に分けて
も何ら効果は変わるものではない。ただし、配線を微細
化する場合や熱，外力等による種々の変形などを鑑みる
と、一方の基板に備えたほうがより高精度なアライメン
トが可能になり、望ましい。また、液晶組成物の誘電率
異方性は正を想定したが、負であっても構わない。その
場合には初期配向状態を画素電極の長辺方向に垂直な方
向から若干の角度を持つように配向させる。さらに、偏
光板６を配置する角度を変えれば、図３とは逆の傾きを
有する特性を得ることもできる。
一方の基板表面に形成したが、一対の基板両方に分けて
も何ら効果は変わるものではない。ただし、配線を微細
化する場合や熱，外力等による種々の変形などを鑑みる
と、一方の基板に備えたほうがより高精度なアライメン
トが可能になり、望ましい。また、液晶組成物の誘電率
異方性は正を想定したが、負であっても構わない。その
場合には初期配向状態を画素電極の長辺方向に垂直な方
向から若干の角度を持つように配向させる。さらに、偏
光板６を配置する角度を変えれば、図３とは逆の傾きを
有する特性を得ることもできる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の縦電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置では、透明電極の電
圧変動を防止するために、透明電極に電荷蓄積用の容量
素子を接続していた。しかしながら、前記の縦電界方式
では、可能な限り光の利用効率を向上させるために容量
素子の大きさを縮小すると、前記の透明電極に蓄積され
た電荷を保持するためには約１０12Ωcm以上の極めて高
い比抵抗の液晶組成物を使用する必要が生じる。このた
め、低い光学しきい値電圧や適切な大きさの複屈折等を
有し、かつ不純物によって汚染されにくい液晶組成物の
選択の自由度が大幅に限定されていた。さらに、液晶組
成物層の比抵抗は基板界面上の液晶組成物分子を所定方
向に配向制御する配向膜材料にも依存するため、液晶組
成物層の比抵抗を高く保つ配向膜材料を用いる必要があ
る。このため、適切なプレチルト角（基板界面上の液晶
組成物分子の傾き角）を発現し、かつ直流電荷の残留し
にくい配向膜として実用可能な材料は限定されていた。
これらのため、表示むらや残像などの画質劣化が発生し
やすかった。
クティブマトリクス型液晶表示装置では、透明電極の電
圧変動を防止するために、透明電極に電荷蓄積用の容量
素子を接続していた。しかしながら、前記の縦電界方式
では、可能な限り光の利用効率を向上させるために容量
素子の大きさを縮小すると、前記の透明電極に蓄積され
た電荷を保持するためには約１０12Ωcm以上の極めて高
い比抵抗の液晶組成物を使用する必要が生じる。このた
め、低い光学しきい値電圧や適切な大きさの複屈折等を
有し、かつ不純物によって汚染されにくい液晶組成物の
選択の自由度が大幅に限定されていた。さらに、液晶組
成物層の比抵抗は基板界面上の液晶組成物分子を所定方
向に配向制御する配向膜材料にも依存するため、液晶組
成物層の比抵抗を高く保つ配向膜材料を用いる必要があ
る。このため、適切なプレチルト角（基板界面上の液晶
組成物分子の傾き角）を発現し、かつ直流電荷の残留し
にくい配向膜として実用可能な材料は限定されていた。
これらのため、表示むらや残像などの画質劣化が発生し
やすかった。
【００１０】また、前記の従来の横電界方式では、電荷
蓄積用の容量素子を接続していなかったため櫛歯状電極
対の電圧変動を抑えることが不可能であり、表示むらが
発生しやすかった。さらに、櫛歯状電極対を用いるため
光の利用効率は著しく低下し、液晶表示装置の明るさを
向上させることが困難になっていた。
蓄積用の容量素子を接続していなかったため櫛歯状電極
対の電圧変動を抑えることが不可能であり、表示むらが
発生しやすかった。さらに、櫛歯状電極対を用いるため
光の利用効率は著しく低下し、液晶表示装置の明るさを
向上させることが困難になっていた。
【００１１】さらに、前記の従来の横電界方式において
も画素電極近傍では基板界面に垂直な方向の電界成分が
発生し、この部分における光漏れによって斜め方向から
見たコントラスト比が低下するという問題があった。
も画素電極近傍では基板界面に垂直な方向の電界成分が
発生し、この部分における光漏れによって斜め方向から
見たコントラスト比が低下するという問題があった。
【００１２】本発明はこれらの課題を同時に解決するも
ので、その第１の目的は、使用可能な液晶組成物および
配向膜材料の選択の自由度を広げ、画質劣化を防止する
ことにある。
ので、その第１の目的は、使用可能な液晶組成物および
配向膜材料の選択の自由度を広げ、画質劣化を防止する
ことにある。
【００１３】第２の目的は、液晶表示装置の明るさを向
上させることにある。
上させることにある。
【００１４】第３の目的は、斜め方向から見たコントラ
スト比が高い横電界方式を実現する方法を提供すること
にある。
スト比が高い横電界方式を実現する方法を提供すること
にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに以下の手段を用いる。
めに以下の手段を用いる。
【００１６】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段１］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有する。
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段１］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有する。
【００１７】手段１によれば、前記第１と第２の画素電
極のいずれか一方は、前記信号配線延在方向に延在しか
つ前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共有される
電極を有することにより、各画素に独立に設けて共有し
ない場合より電極の数を減らすことができ、画素内の電
極の占める領域が低減できる為、開口率を向上すること
が出来る。 ［手段２］前記カラーフィルタは前記走査配線延在方向
に隣接する画素間に境界を有し、かつ前記走査配線延在
方向に隣接する画素間で共有される電極上に該境界が位
置づけられている。
極のいずれか一方は、前記信号配線延在方向に延在しか
つ前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共有される
電極を有することにより、各画素に独立に設けて共有し
ない場合より電極の数を減らすことができ、画素内の電
極の占める領域が低減できる為、開口率を向上すること
が出来る。 ［手段２］前記カラーフィルタは前記走査配線延在方向
に隣接する画素間に境界を有し、かつ前記走査配線延在
方向に隣接する画素間で共有される電極上に該境界が位
置づけられている。
【００１８】手段２によれば、カラーフィルタの境界も
隣接画素の境界となる画素電極上とすることで、さらに
開口率が向上する。 ［手段３］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極が共通電極である。
隣接画素の境界となる画素電極上とすることで、さらに
開口率が向上する。 ［手段３］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極が共通電極である。
【００１９】手段３によれば、前記走査配線延在方向に
隣接する画素間で共有される電極が共通電極であること
により、隣接画素間で同一の電位の印加が可能となり、
かつ隣接画素間での共通電位が一致することで輝度むら
が防止できる。 ［手段４］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画素間
で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ素子
と接続されている。
隣接する画素間で共有される電極が共通電極であること
により、隣接画素間で同一の電位の印加が可能となり、
かつ隣接画素間での共通電位が一致することで輝度むら
が防止できる。 ［手段４］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画素間
で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ素子
と接続されている。
【００２０】手段４によれば、共有される電極が、該電
極を中心に縦方向、横方向の画素で共有されるため、上
下左右の画素間で電位が安定し、輝度むらが低減するな
どの画質の向上が図れる。 ［手段５］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成す
る。
極を中心に縦方向、横方向の画素で共有されるため、上
下左右の画素間で電位が安定し、輝度むらが低減するな
どの画質の向上が図れる。 ［手段５］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成す
る。
【００２１】手段５によれば、第１の電極に加わる信号
と第２の電極に加わる信号の双方は、一方が複数の走査
信号線を交差して走査信号線の影響を受けた信号配線か
らの信号、他方は複数の走査信号線を交差して走査信号
線の影響を受けた共通電極となり、この間で容量を構成
することにより走査信号からの影響を互いに相殺する方
向に働く容量を形成でき、画質をさらに改善することが
出来る。 ［手段６］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の上側
と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他方の
電極と前記アクティブ素子により接続されていない側の
走査信号線との間に容量素子を構成する。
と第２の電極に加わる信号の双方は、一方が複数の走査
信号線を交差して走査信号線の影響を受けた信号配線か
らの信号、他方は複数の走査信号線を交差して走査信号
線の影響を受けた共通電極となり、この間で容量を構成
することにより走査信号からの影響を互いに相殺する方
向に働く容量を形成でき、画質をさらに改善することが
出来る。 ［手段６］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共
有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいずれ
か一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の上側
と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他方の
電極と前記アクティブ素子により接続されていない側の
走査信号線との間に容量素子を構成する。
【００２２】手段６によれば、容量を増加することがで
き、電圧変動を抑えて表示むらを解消できる。 ［手段７］前記第１の画素電極と第２の画素電極が同層
に配置されている。
き、電圧変動を抑えて表示むらを解消できる。 ［手段７］前記第１の画素電極と第２の画素電極が同層
に配置されている。
【００２３】手段７によれば、電極のアライメントずれ
が小さく抑制され、電極間の静電容量のばらつきが抑え
られ、表示むらを解消できる。 ［手段８］前記カラーフィルタ上に保護膜が形成されて
いる。
が小さく抑制され、電極間の静電容量のばらつきが抑え
られ、表示むらを解消できる。 ［手段８］前記カラーフィルタ上に保護膜が形成されて
いる。
【００２４】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段９］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有し、該電
極は該電極が形成された基板上の前記カラーフィルタと
配向膜の間に形成されている。
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段９］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有し、該電
極は該電極が形成された基板上の前記カラーフィルタと
配向膜の間に形成されている。
【００２５】手段９によれば、信号配線延在方向に延在
しかつ前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共有さ
れる電極の領域内にカラーフィルタの境界を位置づける
際に、該電極とカラーフィルタを同一基板上とすること
でアライメント精度が向上し、位置合わせが容易なる。
これにより、該電極の幅をアライメントずれが低減する
分補足でき、さらに開口率が向上する。
しかつ前記走査配線延在方向に隣接する画素間で共有さ
れる電極の領域内にカラーフィルタの境界を位置づける
際に、該電極とカラーフィルタを同一基板上とすること
でアライメント精度が向上し、位置合わせが容易なる。
これにより、該電極の幅をアライメントずれが低減する
分補足でき、さらに開口率が向上する。
【００２６】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段１０］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有し、該電
極は該電極が形成された基板上の保護膜と配向膜の間に
形成されている。
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 ［手段１０］前記第１と第２の画素電極のいずれか一方
は、前記信号配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極を有し、該電
極は該電極が形成された基板上の保護膜と配向膜の間に
形成されている。
【００２７】手段１０によれば、該電極を保護膜と配向
膜の間に位置づけることにより、該電極を平坦化した下
地層上に形成でき、断線などの不良を低減できる。さら
に、液晶組成物層に対する該電極の距離が近いものとな
るため、該電極からの電気力線が強いものとなり、目的
の電界強度を実現するのに要する駆動電圧を低減するこ
とができる。 ［手段１１］前記保護膜は有機膜である。
膜の間に位置づけることにより、該電極を平坦化した下
地層上に形成でき、断線などの不良を低減できる。さら
に、液晶組成物層に対する該電極の距離が近いものとな
るため、該電極からの電気力線が強いものとなり、目的
の電界強度を実現するのに要する駆動電圧を低減するこ
とができる。 ［手段１１］前記保護膜は有機膜である。
【００２８】手段１１によれば、下地層の平坦化効果を
高いものとすることができ、さらに電極の断線が低減す
る。 ［手段１２］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極が共通電極である。
高いものとすることができ、さらに電極の断線が低減す
る。 ［手段１２］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極が共通電極である。
【００２９】手段１２によれば、前記走査配線延在方向
に隣接する画素間で共有される電極が共通電極であるこ
とにより、隣接画素間で同一の電位の印加が可能とな
り、かつ隣接画素間での共通電位が一致することで輝度
むらが防止できる。 ［手段１３］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画素
間で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ素
子と接続されている。
に隣接する画素間で共有される電極が共通電極であるこ
とにより、隣接画素間で同一の電位の印加が可能とな
り、かつ隣接画素間での共通電位が一致することで輝度
むらが防止できる。 ［手段１３］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画素
間で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ素
子と接続されている。
【００３０】手段１３によれば、共有される電極が、該
電極を中心に縦方向、横方向の画素で共有されるため、
上下左右の画素間で電位が安定し、輝度むらが低減する
などの画質の向上が図れる。 ［手段１４］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成す
る。
電極を中心に縦方向、横方向の画素で共有されるため、
上下左右の画素間で電位が安定し、輝度むらが低減する
などの画質の向上が図れる。 ［手段１４］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成す
る。
【００３１】手段１４によれば、第１の電極に加わる信
号と第２の電極に加わる信号の双方は、一方が複数の走
査信号線を交差して走査信号線の影響を受けた信号配線
からの信号、他方は複数の走査信号線を交差して走査信
号線の影響を受けた共通電極となり、この間で容量を構
成することにより走査信号からの影響を互いに相殺する
方向に働く容量を形成でき、画質をさらに改善すること
が出来る。 ［手段１５］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の上
側と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他方
の電極と前記アクティブ素子により接続されていない側
の走査信号線との間に容量素子を構成する。
号と第２の電極に加わる信号の双方は、一方が複数の走
査信号線を交差して走査信号線の影響を受けた信号配線
からの信号、他方は複数の走査信号線を交差して走査信
号線の影響を受けた共通電極となり、この間で容量を構
成することにより走査信号からの影響を互いに相殺する
方向に働く容量を形成でき、画質をさらに改善すること
が出来る。 ［手段１５］前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の上
側と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他方
の電極と前記アクティブ素子により接続されていない側
の走査信号線との間に容量素子を構成する。
【００３２】手段１５によれば、容量を増加することが
でき、電圧変動を抑えて表示むらを解消できる。 ［手段１６］前記アクティブマトリクス型エッチング表
示装置が横電界方式である。
でき、電圧変動を抑えて表示むらを解消できる。 ［手段１６］前記アクティブマトリクス型エッチング表
示装置が横電界方式である。
【００３３】手段１６によれば、横電界方式であるから
こそ、必ずしも従来のＴＮ方式のような全面に形成され
た共通電極、あるいはＳＴＮ方式のような各画素毎に必
ず分離されていなければならないストライプ状の共通電
極のいずれもが不要となり、隣接画素間で共有され、か
つパターニングされている電極が形成できる。 ［手段１７］前記アクティブ素子のチャネル層が多結晶
シリコンである。
こそ、必ずしも従来のＴＮ方式のような全面に形成され
た共通電極、あるいはＳＴＮ方式のような各画素毎に必
ず分離されていなければならないストライプ状の共通電
極のいずれもが不要となり、隣接画素間で共有され、か
つパターニングされている電極が形成できる。 ［手段１７］前記アクティブ素子のチャネル層が多結晶
シリコンである。
【００３４】手段１７によれば、チャネル層の移動度が
アモルファスシリコンより向上するため、さらに画質の
改善が実現する。
アモルファスシリコンより向上するため、さらに画質の
改善が実現する。
【００３５】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層と、前記基板のいず
れか一方の基板の向き合った表面にマトリクス状に配置
された複数の走査配線および信号配線と、対をなす画素
電極と、前記画素電極および前記走査配線および信号配
線に接続されたアクティブ素子と、前記各走査配線に接
続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に接続さ
れた信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置におい
て、 ［手段１８］前記対をなす画素電極を短冊状の形状と
し、その一方の電極の長辺方向を他方の電極の長辺方向
とほぼ平行とし、さらに、対をなす画素電極のうちの少
なくとも一方の電極と、前記走査配線との間に絶縁物を
介して容量素子を形成する。あるいは、対をなす画素電
極のうちの一方の電極を、隣接する画素における対をな
す画素電極のうちの一方の電極と接続し、対をなす画素
電極のうちの他方の電極との間に絶縁物を介して容量素
子を形成する。特に、前記容量素子を比抵抗が１０10Ω
cm以上の絶縁物を介して形成する。 ［手段１９］前記液晶組成物の比抵抗を１０10Ωcm以上
とする。望ましくは、前記容量素子を構成する絶縁物の
比抵抗と誘電率の積が、液晶組成物の比抵抗と誘電率の
積の値以上である部材を用いる。さらに、前記走査配線
駆動手段から出力される駆動信号における１垂直走査期
間を、前記容量素子を構成する絶縁物の比抵抗と誘電率
の積で表わされる時定数よりも小さく設定することが望
ましい。 ［手段２０］前記対をなす画素電極の短辺の長さを、対
をなす画素電極間の距離より短くする。また、二つ以上
の非導電性構成部材を有し、かつそれらのうちの少なく
とも一つの部材の誘電率が前記液晶組成物の誘電率より
も小さい部材を用いる。望ましくは、前記液晶組成物層
に接する部材として、その誘電率が前記液晶組成物の誘
電率よりも小さい部材を用いる。
記基板間に挟持された液晶組成物層と、前記基板のいず
れか一方の基板の向き合った表面にマトリクス状に配置
された複数の走査配線および信号配線と、対をなす画素
電極と、前記画素電極および前記走査配線および信号配
線に接続されたアクティブ素子と、前記各走査配線に接
続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に接続さ
れた信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置におい
て、 ［手段１８］前記対をなす画素電極を短冊状の形状と
し、その一方の電極の長辺方向を他方の電極の長辺方向
とほぼ平行とし、さらに、対をなす画素電極のうちの少
なくとも一方の電極と、前記走査配線との間に絶縁物を
介して容量素子を形成する。あるいは、対をなす画素電
極のうちの一方の電極を、隣接する画素における対をな
す画素電極のうちの一方の電極と接続し、対をなす画素
電極のうちの他方の電極との間に絶縁物を介して容量素
子を形成する。特に、前記容量素子を比抵抗が１０10Ω
cm以上の絶縁物を介して形成する。 ［手段１９］前記液晶組成物の比抵抗を１０10Ωcm以上
とする。望ましくは、前記容量素子を構成する絶縁物の
比抵抗と誘電率の積が、液晶組成物の比抵抗と誘電率の
積の値以上である部材を用いる。さらに、前記走査配線
駆動手段から出力される駆動信号における１垂直走査期
間を、前記容量素子を構成する絶縁物の比抵抗と誘電率
の積で表わされる時定数よりも小さく設定することが望
ましい。 ［手段２０］前記対をなす画素電極の短辺の長さを、対
をなす画素電極間の距離より短くする。また、二つ以上
の非導電性構成部材を有し、かつそれらのうちの少なく
とも一つの部材の誘電率が前記液晶組成物の誘電率より
も小さい部材を用いる。望ましくは、前記液晶組成物層
に接する部材として、その誘電率が前記液晶組成物の誘
電率よりも小さい部材を用いる。
【００３６】前記手段１９によれば、対をなす画素電極
は液晶組成物層に対して主として基板界面に平行な電界
を印加する構造を有しており、電極間の距離は従来の縦
電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
る相対向させた透明電極間の距離に比べて大きくとるこ
とができる。また、等価的な断面積は従来のものより小
さく抑えることができる。したがって、本発明による対
をなす画素電極間の電気抵抗は従来のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における相対向させた透明電極間の
電気抵抗は桁違いに大きくすることができる。さらに、
本発明による対をなす画素電極間の静電容量は容量素子
と並列接続になり、電気抵抗も十分高い容量素子を実現
できる。これにより、画素電極に蓄積された電荷を保持
することが容易になり、従来より低い比抵抗の液晶組成
物を用いることが可能になる。また、画素電極は櫛歯状
電極対に比べて単純な形状であるため、光の利用効率を
向上させる。さらに、画素電極近傍において発生する基
板界面に垂直な方向の電界成分を横電界成分に比べて小
さく抑えることが可能になる。また、対をなす画素電極
のうちの一方の電極を、隣接する画素における対をなす
画素電極のうちの一方の電極と接続した場合には、従来
のアクティブマトリクス型液晶表示装置における共通電
極とほぼ同等の作用をする。
は液晶組成物層に対して主として基板界面に平行な電界
を印加する構造を有しており、電極間の距離は従来の縦
電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
る相対向させた透明電極間の距離に比べて大きくとるこ
とができる。また、等価的な断面積は従来のものより小
さく抑えることができる。したがって、本発明による対
をなす画素電極間の電気抵抗は従来のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における相対向させた透明電極間の
電気抵抗は桁違いに大きくすることができる。さらに、
本発明による対をなす画素電極間の静電容量は容量素子
と並列接続になり、電気抵抗も十分高い容量素子を実現
できる。これにより、画素電極に蓄積された電荷を保持
することが容易になり、従来より低い比抵抗の液晶組成
物を用いることが可能になる。また、画素電極は櫛歯状
電極対に比べて単純な形状であるため、光の利用効率を
向上させる。さらに、画素電極近傍において発生する基
板界面に垂直な方向の電界成分を横電界成分に比べて小
さく抑えることが可能になる。また、対をなす画素電極
のうちの一方の電極を、隣接する画素における対をなす
画素電極のうちの一方の電極と接続した場合には、従来
のアクティブマトリクス型液晶表示装置における共通電
極とほぼ同等の作用をする。
【００３７】また、前記手段２０によれば、従来より低
い比抵抗の液晶組成物を用いても画素電極に蓄積された
電荷を保持するのに十分な電気抵抗を有する液晶組成物
層を構成することが可能になり、さらに、１垂直走査期
間内に画素電極に蓄積された電荷が漏れていくのを抑制
することが可能になるため、画素電極の電圧変動を十分
小さく抑えることが容易になる。
い比抵抗の液晶組成物を用いても画素電極に蓄積された
電荷を保持するのに十分な電気抵抗を有する液晶組成物
層を構成することが可能になり、さらに、１垂直走査期
間内に画素電極に蓄積された電荷が漏れていくのを抑制
することが可能になるため、画素電極の電圧変動を十分
小さく抑えることが容易になる。
【００３８】また、液晶組成物層に電界が集中しやすく
なるため、液晶組成物層に横電界を効率良く印加でき、
画素電極近傍において発生する基板界面に垂直な方向の
電界成分を横電界成分に比べて小さく抑えることが可能
になる。
なるため、液晶組成物層に横電界を効率良く印加でき、
画素電極近傍において発生する基板界面に垂直な方向の
電界成分を横電界成分に比べて小さく抑えることが可能
になる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。 ［実施例１］図１（ａ）は本実施例におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
基板として表面を研磨したガラス基板を２枚用いた。図
１（ａ）に示すように、一方の基板３１上に走査配線１
０を互いに平行に配置し、膜厚約３００ｎｍの窒化シリ
コンからなるゲート絶縁膜１３，アモルファスシリコン
からなるチャネル層１６を形成し、短冊状の第１の画素
電極１および信号配線１１をいずれも走査配線１０と交
差するような方向に配置した。これにより、走査配線１
０と信号配線１１の各交点付近にアクティブ素子である
薄膜トランジスタが形成される。第１の画素電極１と対
をなすべき他方の画素電極は隣接する画素どうしで接続
し、ストライプ状の第２の画素電極２として図１（ｂ）
に示すように他方の基板３２上に形成した。この第２の
画素電極は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
における共通電極とほぼ同等の作用をする。これによ
り、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間で液晶組
成物層５０に対して電界７が印加され、かつその方向が
基板界面にほぼ平行な横電界方式が実現できる。対をな
す画素電極１，２は従来の櫛歯状電極対に比べて単純な
形状であるため、光の利用効率は以下のようになる。画
素ピッチは水平方向（すなわち共通電極２の間隔）が８
０μｍ、垂直方向（すなわち走査配線１０の間隔）が２
４０μｍである場合、各部の寸法を、第１の画素電極１
の幅（短辺の長さ）は４μｍ、共通電極２の幅（短辺の
長さ）は１２μｍ、第１の画素電極１と第２の画素電極
２の間の距離は２３μｍとして、第１の画素電極１およ
び第２の画素電極２の短辺の長さをそれらの間の距離よ
りも短くすることができた。この時、光の利用効率を画
素面積に占める有効表示面積と定義すると、５０．３％
になる。したがって、本実施例によるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の透過率は８.４％になった。容量
素子１２は、図１（ｃ）に示すように、第１の画素電極
１を走査配線１０の上に２７μｍだけ伸ばしてゲート絶
縁膜１３を挟む構造として形成した。よって、この容量
素子１２の静電容量は約21.4ｆＦになった。
説明する。 ［実施例１］図１（ａ）は本実施例におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図１
（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
基板として表面を研磨したガラス基板を２枚用いた。図
１（ａ）に示すように、一方の基板３１上に走査配線１
０を互いに平行に配置し、膜厚約３００ｎｍの窒化シリ
コンからなるゲート絶縁膜１３，アモルファスシリコン
からなるチャネル層１６を形成し、短冊状の第１の画素
電極１および信号配線１１をいずれも走査配線１０と交
差するような方向に配置した。これにより、走査配線１
０と信号配線１１の各交点付近にアクティブ素子である
薄膜トランジスタが形成される。第１の画素電極１と対
をなすべき他方の画素電極は隣接する画素どうしで接続
し、ストライプ状の第２の画素電極２として図１（ｂ）
に示すように他方の基板３２上に形成した。この第２の
画素電極は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
における共通電極とほぼ同等の作用をする。これによ
り、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間で液晶組
成物層５０に対して電界７が印加され、かつその方向が
基板界面にほぼ平行な横電界方式が実現できる。対をな
す画素電極１，２は従来の櫛歯状電極対に比べて単純な
形状であるため、光の利用効率は以下のようになる。画
素ピッチは水平方向（すなわち共通電極２の間隔）が８
０μｍ、垂直方向（すなわち走査配線１０の間隔）が２
４０μｍである場合、各部の寸法を、第１の画素電極１
の幅（短辺の長さ）は４μｍ、共通電極２の幅（短辺の
長さ）は１２μｍ、第１の画素電極１と第２の画素電極
２の間の距離は２３μｍとして、第１の画素電極１およ
び第２の画素電極２の短辺の長さをそれらの間の距離よ
りも短くすることができた。この時、光の利用効率を画
素面積に占める有効表示面積と定義すると、５０．３％
になる。したがって、本実施例によるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の透過率は８.４％になった。容量
素子１２は、図１（ｃ）に示すように、第１の画素電極
１を走査配線１０の上に２７μｍだけ伸ばしてゲート絶
縁膜１３を挟む構造として形成した。よって、この容量
素子１２の静電容量は約21.4ｆＦになった。
【００４０】さらに、この表面に保護膜としてエポキシ
系の樹脂からなる透明な有機ポリマ１４，１５を積層
し、ポリイミド系の樹脂からなる配向膜４を積層した。
各基板上の配向膜４を、プレチルト角が約０.５度、両
基板界面上のラビング方向８が互いにほぼ反平行で、か
つ印加電界方向７とのなす角度が８５度になるようにラ
ビング処理を施した。両基板間に誘電率異方性が正でそ
の値が４.５であり、複屈折が０.０７２(５８９ｎｍ，
２０℃）のネマチック液晶組成物５０を挟んだ。ギャッ
プは液晶封入状態で４.５μｍとした。これにより、第
１の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量は約
２.１４ｆＦになった。一方の基板の外側には偏光板６
をその偏光透過軸がラビング方向８にほぼ平行になるよ
うに配置し、他方の基板の外側には偏光板６をそれに直
交するように配置した。これによりノーマリクローズ特
性を得る。各走査配線１０および各信号配線１１にはそ
れぞれ走査配線駆動用ＬＳＩおよび信号配線駆動用ＬＳ
Ｉ（図示せず）を接続した。
系の樹脂からなる透明な有機ポリマ１４，１５を積層
し、ポリイミド系の樹脂からなる配向膜４を積層した。
各基板上の配向膜４を、プレチルト角が約０.５度、両
基板界面上のラビング方向８が互いにほぼ反平行で、か
つ印加電界方向７とのなす角度が８５度になるようにラ
ビング処理を施した。両基板間に誘電率異方性が正でそ
の値が４.５であり、複屈折が０.０７２(５８９ｎｍ，
２０℃）のネマチック液晶組成物５０を挟んだ。ギャッ
プは液晶封入状態で４.５μｍとした。これにより、第
１の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量は約
２.１４ｆＦになった。一方の基板の外側には偏光板６
をその偏光透過軸がラビング方向８にほぼ平行になるよ
うに配置し、他方の基板の外側には偏光板６をそれに直
交するように配置した。これによりノーマリクローズ特
性を得る。各走査配線１０および各信号配線１１にはそ
れぞれ走査配線駆動用ＬＳＩおよび信号配線駆動用ＬＳ
Ｉ（図示せず）を接続した。
【００４１】第１の画素電極１に蓄積された電荷は、第
１の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量と容
量素子１２を並列接続した容量である約２３.５ｆＦに
蓄積されることになり、液晶組成物５０の比抵抗が５×
１０10Ωcmであっても第１の画素電極１の電圧変動を抑
制することができる。このため、画質劣化を防止するこ
とができた。
１の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量と容
量素子１２を並列接続した容量である約２３.５ｆＦに
蓄積されることになり、液晶組成物５０の比抵抗が５×
１０10Ωcmであっても第１の画素電極１の電圧変動を抑
制することができる。このため、画質劣化を防止するこ
とができた。
【００４２】本実施例で用いた液晶組成物５０は比誘電
率６．７，比抵抗５×１０10Ωcmなる値を有し、また、
容量素子１２を構成する絶縁物として用いた窒化シリコ
ンは比誘電率６．７，比抵抗５×１０16Ωcmなる値を有
する。すなわち、液晶組成物５０，容量素子１２を構成
する絶縁物ともその比抵抗は１０10Ωcm以上であり、窒
化シリコンの誘電率と比抵抗の積は約３×１０4 秒と液
晶組成物５０の誘電率と比抵抗の積約０．０３秒より大
きい。また、走査配線駆動用ＬＳＩから出力される駆動
信号における１垂直走査期間は通常の液晶表示装置にお
いては約16.6msであって、約３×１０4 秒よりはるかに
小さいことを満たしている。このため、第１の画素電極
１に蓄積された電荷が漏れていく時定数を十分大きくと
ることが可能になり、第１の画素電極１の電圧変動を十
分小さく抑えることが容易になる。本実施例で用いた液
晶組成物５０は不純物によって汚染されにくい特性を有
し、また、本実施例で用いた配向膜４は直流電荷が全く
残留しない特性を有する。したがって、表示むらや残像
などの画質劣化を防止することができた。
率６．７，比抵抗５×１０10Ωcmなる値を有し、また、
容量素子１２を構成する絶縁物として用いた窒化シリコ
ンは比誘電率６．７，比抵抗５×１０16Ωcmなる値を有
する。すなわち、液晶組成物５０，容量素子１２を構成
する絶縁物ともその比抵抗は１０10Ωcm以上であり、窒
化シリコンの誘電率と比抵抗の積は約３×１０4 秒と液
晶組成物５０の誘電率と比抵抗の積約０．０３秒より大
きい。また、走査配線駆動用ＬＳＩから出力される駆動
信号における１垂直走査期間は通常の液晶表示装置にお
いては約16.6msであって、約３×１０4 秒よりはるかに
小さいことを満たしている。このため、第１の画素電極
１に蓄積された電荷が漏れていく時定数を十分大きくと
ることが可能になり、第１の画素電極１の電圧変動を十
分小さく抑えることが容易になる。本実施例で用いた液
晶組成物５０は不純物によって汚染されにくい特性を有
し、また、本実施例で用いた配向膜４は直流電荷が全く
残留しない特性を有する。したがって、表示むらや残像
などの画質劣化を防止することができた。
【００４３】さらに、本実施例で用いた配向膜４は比誘
電率３．４なる値を有する。すなわち、液晶組成物層５
０と接する非導電性部材である配向膜４は液晶組成物層
５０の比誘電率６．７より小さい比誘電率を有する。電
磁気学の理論によれば電界は誘電率の高い部分に集中し
やすい性質を有するため、配向膜４よりも液晶組成物層
５０に電界が集中しやすくなる。また、電界は電極表面
に対して垂直な方向に出入りする性質を有するため、第
１の画素電極１および第２の画素電極２の表面近傍では
基板界面に垂直な方向の縦電界成分が発生する。しか
し、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間では電界
はその連続性を保つように曲がって横電界を形成する。
本実施例では、第１の画素電極１および第２の画素電極
２の短辺の長さを第１の画素電極１と第２の画素電極２
の間の距離よりも短くしたことにより、縦電界成分の領
域よりも横電界成分の領域を大きくとることができる。
これらのため、液晶組成物層５０に電界が集中しやすく
なって、液晶組成物層５０に横電界を効率良く印加で
き、第１の画素電極１および第２の画素電極２の近傍に
おいて発生する基板界面に垂直な方向の電界成分を横電
界成分７に比べて小さく抑えることが可能になる。した
がって、第１の画素電極１および第２の画素電極２の近
傍において液晶分子が立ち上がることが抑えられるた
め、これによる光漏れを防止することができ、斜め方向
から見たコントラスト比は１００以上になった。
電率３．４なる値を有する。すなわち、液晶組成物層５
０と接する非導電性部材である配向膜４は液晶組成物層
５０の比誘電率６．７より小さい比誘電率を有する。電
磁気学の理論によれば電界は誘電率の高い部分に集中し
やすい性質を有するため、配向膜４よりも液晶組成物層
５０に電界が集中しやすくなる。また、電界は電極表面
に対して垂直な方向に出入りする性質を有するため、第
１の画素電極１および第２の画素電極２の表面近傍では
基板界面に垂直な方向の縦電界成分が発生する。しか
し、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間では電界
はその連続性を保つように曲がって横電界を形成する。
本実施例では、第１の画素電極１および第２の画素電極
２の短辺の長さを第１の画素電極１と第２の画素電極２
の間の距離よりも短くしたことにより、縦電界成分の領
域よりも横電界成分の領域を大きくとることができる。
これらのため、液晶組成物層５０に電界が集中しやすく
なって、液晶組成物層５０に横電界を効率良く印加で
き、第１の画素電極１および第２の画素電極２の近傍に
おいて発生する基板界面に垂直な方向の電界成分を横電
界成分７に比べて小さく抑えることが可能になる。した
がって、第１の画素電極１および第２の画素電極２の近
傍において液晶分子が立ち上がることが抑えられるた
め、これによる光漏れを防止することができ、斜め方向
から見たコントラスト比は１００以上になった。
【００４４】なお、本実施例ではガラス基板を用いた
が、透明なプラスチック基板のようなものでもよく、ま
た、どちらか一方の基板はシリコン基板のような不透明
なものでも構わない。また、各配線の形状は図２に示す
形状に限られる訳ではない。また、ゲート絶縁膜として
は窒化シリコンだけでなく、酸化シリコンや酸化アル
ミ，酸化タンタル，酸化チタンなどの絶縁物を用いても
よく、それらの積層物でも構わない。さらにその場合、
使用した部材の誘電率や比抵抗は本実施例記載の数値で
なくても本発明の要件を満たしていればよい。また、チ
ャネル層としてはアモルファスシリコンだけでなく、多
結晶シリコンやセレン化カドミウムなどの半導体を用い
てもよく、アクティブ素子である薄膜トランジスタの個
数は複数であっても構わない。また、各電極の寸法や距
離は必ずしも本実施例の値を採用する必要はなく、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置の画素ピッチや画面サ
イズに応じて寸法や距離を変えても構わない。また、保
護膜は必ずしもエポキシ系の樹脂からなる透明な有機ポ
リマである必要はなく、配向膜も必ずしもポリイミド系
の樹脂である必要はなく、これらの部材の誘電率や特性
が本発明の要件を満たしていればよい。また、配向膜の
プレチルト角やラビング角度も本実施例記載の数値でな
くてもよく、部材によっては保護膜が配向膜を兼ねるこ
とも可能である。また、液晶組成物は本実施例記載の誘
電率異方性や複屈折，比抵抗，比誘電率を有していなく
ても、比抵抗や誘電率が本発明の要件を満たしていれば
よい。さらに、液晶組成物分子の配向は、ホモジニアス
配向，９０°ツイスト配向あるいはホメオトロピック配
向であってもよく、ＴＮモード，ＧＨモード，ＥＣＢモ
ードなどの方式であっても構わない。また、ギャップも
所望の特性が得られるように変えてよい。また、偏光板
を配置する角度もラビング角度や液晶組成物分子の配向
に応じて変えることができる。また、１垂直走査期間は
約１６．６ｍｓに限らず、本発明の要件を満たす範囲で
変えても構わない。このように、本実施例は本発明を完
全に制限するものではない。 ［比較例１］従来の縦電界方式であるツイステッドネマ
チック（ＴＮ）方式を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置を第１の比較例とする。図４に示すように、
この方式では、アクティブ素子を形成した基板３１側に
透明な画素電極１をマトリクス状に配置し、これに対向
する基板３２の表面に表示領域全面にわたる共通電極
２′を形成している。ネマチック液晶組成物５０および
配向膜４の材料としては実施例１と同一の部材を用い、
ギャップは７.３μｍ、液晶分子のツイスト角は９０度
とした。
が、透明なプラスチック基板のようなものでもよく、ま
た、どちらか一方の基板はシリコン基板のような不透明
なものでも構わない。また、各配線の形状は図２に示す
形状に限られる訳ではない。また、ゲート絶縁膜として
は窒化シリコンだけでなく、酸化シリコンや酸化アル
ミ，酸化タンタル，酸化チタンなどの絶縁物を用いても
よく、それらの積層物でも構わない。さらにその場合、
使用した部材の誘電率や比抵抗は本実施例記載の数値で
なくても本発明の要件を満たしていればよい。また、チ
ャネル層としてはアモルファスシリコンだけでなく、多
結晶シリコンやセレン化カドミウムなどの半導体を用い
てもよく、アクティブ素子である薄膜トランジスタの個
数は複数であっても構わない。また、各電極の寸法や距
離は必ずしも本実施例の値を採用する必要はなく、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置の画素ピッチや画面サ
イズに応じて寸法や距離を変えても構わない。また、保
護膜は必ずしもエポキシ系の樹脂からなる透明な有機ポ
リマである必要はなく、配向膜も必ずしもポリイミド系
の樹脂である必要はなく、これらの部材の誘電率や特性
が本発明の要件を満たしていればよい。また、配向膜の
プレチルト角やラビング角度も本実施例記載の数値でな
くてもよく、部材によっては保護膜が配向膜を兼ねるこ
とも可能である。また、液晶組成物は本実施例記載の誘
電率異方性や複屈折，比抵抗，比誘電率を有していなく
ても、比抵抗や誘電率が本発明の要件を満たしていれば
よい。さらに、液晶組成物分子の配向は、ホモジニアス
配向，９０°ツイスト配向あるいはホメオトロピック配
向であってもよく、ＴＮモード，ＧＨモード，ＥＣＢモ
ードなどの方式であっても構わない。また、ギャップも
所望の特性が得られるように変えてよい。また、偏光板
を配置する角度もラビング角度や液晶組成物分子の配向
に応じて変えることができる。また、１垂直走査期間は
約１６．６ｍｓに限らず、本発明の要件を満たす範囲で
変えても構わない。このように、本実施例は本発明を完
全に制限するものではない。 ［比較例１］従来の縦電界方式であるツイステッドネマ
チック（ＴＮ）方式を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置を第１の比較例とする。図４に示すように、
この方式では、アクティブ素子を形成した基板３１側に
透明な画素電極１をマトリクス状に配置し、これに対向
する基板３２の表面に表示領域全面にわたる共通電極
２′を形成している。ネマチック液晶組成物５０および
配向膜４の材料としては実施例１と同一の部材を用い、
ギャップは７.３μｍ、液晶分子のツイスト角は９０度
とした。
【００４５】本比較例で用いた液晶組成物５０の比抵抗
は５×１０10Ωcmであるため、縦電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置に用いるには比抵抗が低い。
このため、画素電極１に蓄積された電荷が漏れやすくな
り、画素電極１の電圧変動を小さく抑えることが不可能
になって、画質劣化が発生した。また、本比較例で用い
た配向膜４のプレチルト角は約０.５度であるため、基
板３１および３２の表面の断差構造のある部分で液晶分
子の逆チルトや逆ツイストなどの配向不良ドメインが発
生した。これによる光漏れによって斜め方向だけでなく
正面から見たコントラスト比も１０以下に低下した。
は５×１０10Ωcmであるため、縦電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置に用いるには比抵抗が低い。
このため、画素電極１に蓄積された電荷が漏れやすくな
り、画素電極１の電圧変動を小さく抑えることが不可能
になって、画質劣化が発生した。また、本比較例で用い
た配向膜４のプレチルト角は約０.５度であるため、基
板３１および３２の表面の断差構造のある部分で液晶分
子の逆チルトや逆ツイストなどの配向不良ドメインが発
生した。これによる光漏れによって斜め方向だけでなく
正面から見たコントラスト比も１０以下に低下した。
【００４６】以上のように、従来のＴＮ方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置では使用不可能な液晶組成
物や配向膜材料も、本発明による実施例１では十分使用
可能であり、液晶組成物や配向膜材料の選択の自由度が
拡大する。 ［比較例２］図５に示すような、従来の櫛歯状電極対を
用いた横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を第２の比較例とする。本比較例は、画素電極が櫛歯
状電極対であることおよび容量素子を形成していないこ
とを除いて実施例１と同一である。本方式では、電極の
加工精度の点から最小寸法を４μｍ以下にすることが不
可能であった。このため櫛歯状画素電極１，２の櫛歯に
相当する部分の幅（短辺の長さ）を櫛歯どうしが噛み合
う間隔（対をなす電極間の距離）と等しくとると、光の
利用効率は１５.２％と低下してしまい、本比較例のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の透過率は２.５％
になった。また、櫛歯状画素電極１，２の近傍において
発生する基板界面に垂直な方向の電界成分を横電界成分
に比べて小さく抑えることが不可能になった。このた
め、斜め方向から見たコントラスト比が１０以下に低下
した。また、櫛歯状画素電極１，２に並列に容量素子を
有しないため、櫛歯状画素電極１，２の電圧変動を抑え
ることが不可能であり、表示むらが発生した。
ブマトリクス型液晶表示装置では使用不可能な液晶組成
物や配向膜材料も、本発明による実施例１では十分使用
可能であり、液晶組成物や配向膜材料の選択の自由度が
拡大する。 ［比較例２］図５に示すような、従来の櫛歯状電極対を
用いた横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を第２の比較例とする。本比較例は、画素電極が櫛歯
状電極対であることおよび容量素子を形成していないこ
とを除いて実施例１と同一である。本方式では、電極の
加工精度の点から最小寸法を４μｍ以下にすることが不
可能であった。このため櫛歯状画素電極１，２の櫛歯に
相当する部分の幅（短辺の長さ）を櫛歯どうしが噛み合
う間隔（対をなす電極間の距離）と等しくとると、光の
利用効率は１５.２％と低下してしまい、本比較例のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の透過率は２.５％
になった。また、櫛歯状画素電極１，２の近傍において
発生する基板界面に垂直な方向の電界成分を横電界成分
に比べて小さく抑えることが不可能になった。このた
め、斜め方向から見たコントラスト比が１０以下に低下
した。また、櫛歯状画素電極１，２に並列に容量素子を
有しないため、櫛歯状画素電極１，２の電圧変動を抑え
ることが不可能であり、表示むらが発生した。
【００４７】以上のように、従来の櫛歯状電極対を用い
た場合には、本発明による実施例１に比べて、光の利用
効率が低下して明るさが低下し、画素電極の電圧変動に
よって表示むらが発生し、斜め方向から見たコントラス
ト比が低下した。 ［比較例３］本比較例は容量素子を構成する絶縁物の比
抵抗が５×１０9Ωcmと低いこと以外は実施例１と同一
である。この場合、容量素子１２を構成する絶縁物の比
抵抗と誘電率の積は約０．００３秒(＝３ｍｓ）であ
り、液晶組成物層５０の比抵抗と誘電率の積０．０３秒
より小さい。通常の液晶表示装置においては走査配線駆
動用ＬＳＩから出力される駆動信号における１垂直走査
期間は約１６．６ｍｓであって、この１垂直走査期間を
約３ｍｓより小さく設定すると走査配線駆動用LSIおよ
び信号配線駆動用ＬＳＩを通常の５倍以上の高速で動作
するようにする必要があり、非常に高価なＬＳＩを用い
なければならないという問題が生じる。逆に、走査配線
駆動用ＬＳＩから出力される駆動信号における１垂直走
査期間を約１６.６ｍｓのままに設定すると、本比較例
では、第１の画素電極１に並列に容量素子１２を有して
いても、第１の画素電極１に蓄積された電荷が漏れてい
く時定数を十分大きくとることが不可能になる。このた
め、第１の画素電極１の電圧変動を十分小さく抑えるこ
とが不可能であり、表示むらが発生した。 ［比較例４］本比較例は液晶組成物層の比抵抗が５×１
０9Ωcmと低いこと以外は実施例１と同一である。この
場合、第１の画素電極１に並列に容量素子１２を有して
いても、液晶層の抵抗が小さいため、第１の画素電極１
に蓄積された電荷が漏れていく時定数を十分大きくとる
ことが不可能になる。このため、第１の画素電極１の電
圧変動を十分小さく抑えることが不可能であり、表示む
らが発生した。 ［実施例２］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例１と同一である。
た場合には、本発明による実施例１に比べて、光の利用
効率が低下して明るさが低下し、画素電極の電圧変動に
よって表示むらが発生し、斜め方向から見たコントラス
ト比が低下した。 ［比較例３］本比較例は容量素子を構成する絶縁物の比
抵抗が５×１０9Ωcmと低いこと以外は実施例１と同一
である。この場合、容量素子１２を構成する絶縁物の比
抵抗と誘電率の積は約０．００３秒(＝３ｍｓ）であ
り、液晶組成物層５０の比抵抗と誘電率の積０．０３秒
より小さい。通常の液晶表示装置においては走査配線駆
動用ＬＳＩから出力される駆動信号における１垂直走査
期間は約１６．６ｍｓであって、この１垂直走査期間を
約３ｍｓより小さく設定すると走査配線駆動用LSIおよ
び信号配線駆動用ＬＳＩを通常の５倍以上の高速で動作
するようにする必要があり、非常に高価なＬＳＩを用い
なければならないという問題が生じる。逆に、走査配線
駆動用ＬＳＩから出力される駆動信号における１垂直走
査期間を約１６.６ｍｓのままに設定すると、本比較例
では、第１の画素電極１に並列に容量素子１２を有して
いても、第１の画素電極１に蓄積された電荷が漏れてい
く時定数を十分大きくとることが不可能になる。このた
め、第１の画素電極１の電圧変動を十分小さく抑えるこ
とが不可能であり、表示むらが発生した。 ［比較例４］本比較例は液晶組成物層の比抵抗が５×１
０9Ωcmと低いこと以外は実施例１と同一である。この
場合、第１の画素電極１に並列に容量素子１２を有して
いても、液晶層の抵抗が小さいため、第１の画素電極１
に蓄積された電荷が漏れていく時定数を十分大きくとる
ことが不可能になる。このため、第１の画素電極１の電
圧変動を十分小さく抑えることが不可能であり、表示む
らが発生した。 ［実施例２］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例１と同一である。
【００４８】図６（ａ）は本実施例におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図６
（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図６
（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
実施例１において画素電極１と走査配線１０で窒化シリ
コンからなるゲート絶縁膜１３を挟む構造であった容量
素子１２を、図６（ｃ）に示すように、第１の画素電極
１と第２の画素電極２で液晶組成物層５０を挟む構造に
変えた。本実施例では、容量素子１２の静電容量を第１
の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量と完全
に並列接続することが可能になるため、信号配線１０の
電圧変動の影響は第１の画素電極１に及ばなくなる。こ
のため、第１の画素電極１の電圧変動をさらに抑えるこ
とができ、表示むらは発生しなかった。
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図６
（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図６
（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
実施例１において画素電極１と走査配線１０で窒化シリ
コンからなるゲート絶縁膜１３を挟む構造であった容量
素子１２を、図６（ｃ）に示すように、第１の画素電極
１と第２の画素電極２で液晶組成物層５０を挟む構造に
変えた。本実施例では、容量素子１２の静電容量を第１
の画素電極１と第２の画素電極２の間の静電容量と完全
に並列接続することが可能になるため、信号配線１０の
電圧変動の影響は第１の画素電極１に及ばなくなる。こ
のため、第１の画素電極１の電圧変動をさらに抑えるこ
とができ、表示むらは発生しなかった。
【００４９】本実施例におけるアクティブマトリクス型
液晶表示装置でも画質劣化は発生せず、実施例１と同様
の効果が得られた。 ［実施例３］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例１と同一である。
液晶表示装置でも画質劣化は発生せず、実施例１と同様
の効果が得られた。 ［実施例３］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例１と同一である。
【００５０】一対の基板両方にそれぞれ配置していた電
極群をすべて一方の基板上に形成した。図７（ａ）は本
実施例におけるアクティブマトリクス型液晶表示装置の
平面図の一部である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−
Ａ′における断面図、図７(ｃ)は図７（ａ）のＢ−Ｂ′
における断面図である。アクティブ素子を形成した基板
３１上に第２の画素電極２を形成した。一般にホトマス
クのアライメント精度は相対向する２枚の基板間のアラ
イメント精度に比べて著しく高い。本実施例では４種の
電極群のいずれをも一方の基板３１上に形成することか
ら、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間のアライ
メントがホトマスクのみで行われるため、実施例１，２
の場合に比べて両電極間のアライメントずれが小さく抑
制される。これにより本実施例では、１枚のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置内における第１の画素電極１
と第２の画素電極２の間の静電容量のバラツキを抑える
ことができ、表示むらは全く発生しなかったまた、対向
する基板３２上には一切導電性部材は設けていない。し
たがって、本実施例の構成においては仮にアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造工程中に導電性の異物が
混入したとしてもー方の基板上の電極と他方の基板上の
電極の間の短絡の可能性がなく、これによる不良が発生
しなかった。
極群をすべて一方の基板上に形成した。図７（ａ）は本
実施例におけるアクティブマトリクス型液晶表示装置の
平面図の一部である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−
Ａ′における断面図、図７(ｃ)は図７（ａ）のＢ−Ｂ′
における断面図である。アクティブ素子を形成した基板
３１上に第２の画素電極２を形成した。一般にホトマス
クのアライメント精度は相対向する２枚の基板間のアラ
イメント精度に比べて著しく高い。本実施例では４種の
電極群のいずれをも一方の基板３１上に形成することか
ら、第１の画素電極１と第２の画素電極２の間のアライ
メントがホトマスクのみで行われるため、実施例１，２
の場合に比べて両電極間のアライメントずれが小さく抑
制される。これにより本実施例では、１枚のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置内における第１の画素電極１
と第２の画素電極２の間の静電容量のバラツキを抑える
ことができ、表示むらは全く発生しなかったまた、対向
する基板３２上には一切導電性部材は設けていない。し
たがって、本実施例の構成においては仮にアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造工程中に導電性の異物が
混入したとしてもー方の基板上の電極と他方の基板上の
電極の間の短絡の可能性がなく、これによる不良が発生
しなかった。
【００５１】本実施例においても画質劣化は発生せず、
実施例１と同様の効果が得られた。 ［実施例４］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例３と同一である。
実施例１と同様の効果が得られた。 ［実施例４］本実施例の構成は下記の要件を除けば実施
例３と同一である。
【００５２】図８（ａ）は本実施例におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図８
（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図８
（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
実施例３における第２の画素電極に、アモルファスシリ
コンからなるチャネル層１６および共通配線２２を設け
てアクティブ素子を形成して接続し、第１の画素電極１
と第２の画素電極２との間で電界７が印加される構成と
した。すなわち、本実施例においては従来のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置における共通電極に相当する
電極は設けていない。対をなす画素電極１，２はそれぞ
れアクティブ素子に接続しているが、共通の走査配線１
０によって駆動されるため、第１の画素電極１と信号配
線１１間および第２の画素電極２と共通配線２２間はそ
れぞれ同じにオン−オフのスイチング動作をする。した
がって、実質的に第１の画素電極１と第２の画素電極
２，信号配線１１と共通配線２２はそれぞれ等価であ
り、画像信号は信号配線１１を通しても、共通配線２２
を通しても、あるいは信号配線１１と共通配線２２に振
り分けても供給することができる。
マトリクス型液晶表示装置の平面図の一部である。図８
（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′における断面図、図８
（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ′における断面図である。
実施例３における第２の画素電極に、アモルファスシリ
コンからなるチャネル層１６および共通配線２２を設け
てアクティブ素子を形成して接続し、第１の画素電極１
と第２の画素電極２との間で電界７が印加される構成と
した。すなわち、本実施例においては従来のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置における共通電極に相当する
電極は設けていない。対をなす画素電極１，２はそれぞ
れアクティブ素子に接続しているが、共通の走査配線１
０によって駆動されるため、第１の画素電極１と信号配
線１１間および第２の画素電極２と共通配線２２間はそ
れぞれ同じにオン−オフのスイチング動作をする。した
がって、実質的に第１の画素電極１と第２の画素電極
２，信号配線１１と共通配線２２はそれぞれ等価であ
り、画像信号は信号配線１１を通しても、共通配線２２
を通しても、あるいは信号配線１１と共通配線２２に振
り分けても供給することができる。
【００５３】本実施例では、液晶組成物層から見て第１
の画素電極１と第２の画素電極２は全く等価であるた
め、図８（ｃ）に示すように、第２の画素電極２につい
ても走査配線１０でゲート絶縁膜１３を挟む構造として
容量素子１２を並列接続になるように形成した。このた
め容量素子１２のサイズは実施例１，３に比べて１／２
にすることができた。したがって、光の利用効率は５
５.１％と実施例３に比べてさらに向上することがで
き、本実施例によるアクティブマトリクス型液晶表示装
置の透過率は９．２％になった。
の画素電極１と第２の画素電極２は全く等価であるた
め、図８（ｃ）に示すように、第２の画素電極２につい
ても走査配線１０でゲート絶縁膜１３を挟む構造として
容量素子１２を並列接続になるように形成した。このた
め容量素子１２のサイズは実施例１，３に比べて１／２
にすることができた。したがって、光の利用効率は５
５.１％と実施例３に比べてさらに向上することがで
き、本実施例によるアクティブマトリクス型液晶表示装
置の透過率は９．２％になった。
【００５４】本実施例においても画質劣化は発生せず、
実施例３と同様の効果が得られた。
実施例３と同様の効果が得られた。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来よりも液晶組成物の比抵抗が低くてもよいため、液
晶組成物や配向膜材料の選択の自由度が広がる。よっ
て、画素電極に蓄積された電荷を保持するのに十分な比
抵抗を有していれば、低い光学しきい値電圧や適切な大
きさの複屈折等を有し、かつ不純物によって汚染されに
くい液晶組成物が使用可能になる。また、液晶組成物層
の比抵抗を低下させやすい配向膜材料でも、適切なプレ
チルト角を発現し、かつ直流電荷の残留しにくい配向膜
が使用可能になる。このため、表示むらや残像などの画
質劣化を防止することができる。
従来よりも液晶組成物の比抵抗が低くてもよいため、液
晶組成物や配向膜材料の選択の自由度が広がる。よっ
て、画素電極に蓄積された電荷を保持するのに十分な比
抵抗を有していれば、低い光学しきい値電圧や適切な大
きさの複屈折等を有し、かつ不純物によって汚染されに
くい液晶組成物が使用可能になる。また、液晶組成物層
の比抵抗を低下させやすい配向膜材料でも、適切なプレ
チルト角を発現し、かつ直流電荷の残留しにくい配向膜
が使用可能になる。このため、表示むらや残像などの画
質劣化を防止することができる。
【００５６】また、電極間の距離が大きい短冊状の画素
電極は櫛歯状電極対に比べて単純な形状であるため、光
の利用効率を向上することが可能になる。このため、液
晶表示装置の明るさを向上することができる。
電極は櫛歯状電極対に比べて単純な形状であるため、光
の利用効率を向上することが可能になる。このため、液
晶表示装置の明るさを向上することができる。
【００５７】さらに、液晶組成物層に横電界を効率良く
印加できるため、画素電極近傍において発生する基板界
面に垂直な方向の電界成分を横電界成分に比べて小さく
抑えることが可能になる。このため、この部分での液晶
分子の立上りによる光漏れが減少し、斜め方向から見た
コントラスト比を向上することができる。
印加できるため、画素電極近傍において発生する基板界
面に垂直な方向の電界成分を横電界成分に比べて小さく
抑えることが可能になる。このため、この部分での液晶
分子の立上りによる光漏れが減少し、斜め方向から見た
コントラスト比を向上することができる。
【図１】本発明の実施例１のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の説明図。
晶表示装置の説明図。
【図２】横電界方式の液晶表示装置における液晶分子の
動作を示す図。
動作を示す図。
【図３】横電界方式の液晶表示装置における電気光学特
性を示す図。
性を示す図。
【図４】比較例１のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の説明図。
置の説明図。
【図５】比較例２のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の説明図。
置の説明図。
【図６】本発明の実施例２のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の説明図。
晶表示装置の説明図。
【図７】本発明の実施例３のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の説明図。
晶表示装置の説明図。
【図８】本発明の実施例４のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の説明図。
晶表示装置の説明図。
１…第１の画素電極、２…第２の画素電極、２′…共通
電極、３…基板、４…配向膜、５…液晶分子、６…偏光
板、７…印加電界の方向、８…界面上の液晶分子長軸配
向方向（ラビング方向）、１０…走査配線、１１…信号
配線、１２…容量素子、１３…ゲート絶縁膜、１４，１
５…保護膜となる有機ポリマ、１６…チャネル層、１７
…カラーフィルタ、１８…遮光層、２２…共通配線、３
１，３２…基板、５０…液晶組成物層。
電極、３…基板、４…配向膜、５…液晶分子、６…偏光
板、７…印加電界の方向、８…界面上の液晶分子長軸配
向方向（ラビング方向）、１０…走査配線、１１…信号
配線、１２…容量素子、１３…ゲート絶縁膜、１４，１
５…保護膜となる有機ポリマ、１６…チャネル層、１７
…カラーフィルタ、１８…遮光層、２２…共通配線、３
１，３２…基板、５０…液晶組成物層。
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Claims (17)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 前記第１と第２の画素電極のいずれか一方は、前記信号
配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延在方向に隣接
する画素間で共有される電極を有することを特徴とする
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】前記カラーフィルタは前記走査配線延在方
向に隣接する画素間に境界を有し、かつ前記走査配線延
在方向に隣接する画素間で共有される電極上に該境界が
位置づけられていることを特徴とする請求項１に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極が共通電極であることを特徴とする請求
項１又は２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画素
間で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ素
子と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項５】前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成す
ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】前記走査配線延在方向に隣接する画素間で
共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のいず
れか一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の上
側と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他方
の電極と前記アクティブ素子により接続されていない側
の走査信号線との間に容量素子を構成することを特徴と
する請求項１乃至５のいずれかに記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】前記第１の画素電極と第２の画素電極が同
層に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項８】前記カラーフィルタ上に保護膜が形成され
ていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項９】少なくとも一方が透明な一対の基板と、前
記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィル
タと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面
にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信号
配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１と
第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記信
号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査配
線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線に
接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置に
おいて、 前記第１と第２の画素電極のいずれか一方は、前記信号
配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延在方向に隣接
する画素間で共有される電極を有し、該電極は該電極が
形成された基板上の前記カラーフィルタと配向膜の間に
形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項１０】少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記基板間に挟持された液晶組成物層およびカラーフィ
ルタと、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表
面にマトリクス状に配置された複数の走査配線および信
号配線と、対をなす第１と第２の画素電極と、前記第１
と第２の画素電極のいずれか一方と前記走査配線と前記
信号配線とに接続されたアクティブ素子と、前記各走査
配線に接続された走査配線駆動手段と、前記各信号配線
に接続された信号配線駆動手段とを備えた液晶表示装置
において、 前記第１と第２の画素電極のいずれか一方は、前記信号
配線延在方向に延在しかつ前記走査配線延在方向に隣接
する画素間で共有される電極を有し、該電極は該電極が
形成された基板上の保護膜と配向膜の間に形成されてい
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１１】前記保護膜は有機膜であることを特徴と
する請求項１０に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置。 - 【請求項１２】前記走査配線延在方向に隣接する画素間
で共有される電極が共通電極であることを特徴とする請
求項９乃至１１の何れかに記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項１３】前記走査配線延在方向に隣接する画素間
で共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のい
ずれか一方の電極は前記信号配線延在方向に隣接する画
素間で共有され、他方の電極は各画素で前記アクティブ
素子と接続されていることを特徴とする請求項９乃至１
２の何れかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項１４】前記走査配線延在方向に隣接する画素間
で共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のい
ずれか一方の電極と、他方の電極の間に容量素子を構成
することを特徴とする請求項９乃至１３の何れかに記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１５】前記走査配線延在方向に隣接する画素間
で共有される電極となる前記第１と第２の画素電極のい
ずれか一方の電極とは異なる他方の電極と、前記画素の
上側と下側に配置される２本の走査信号線のうちの該他
方の電極と前記アクティブ素子により接続されていない
側の走査信号線との間に容量素子を構成することを特徴
とする請求項９乃至１３のいずれかに記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１６】前記アクティブマトリクス型エッチング
表示装置が横電界方式であることを特徴とする請求項１
乃至１５のいずれかに記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項１７】前記アクティブ素子のチャネル層が多結
晶シリコンであることを特徴とする請求項１乃至１６の
いずれかに記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002025053A JP3915529B2 (ja) | 1993-01-20 | 2002-02-01 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-7355 | 1993-01-20 | ||
| JP735593 | 1993-01-20 | ||
| JP2002025053A JP3915529B2 (ja) | 1993-01-20 | 2002-02-01 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP437894A Division JP3296913B2 (ja) | 1993-01-20 | 1994-01-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004076283A Division JP3735107B2 (ja) | 1993-01-20 | 2004-03-17 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002318390A true JP2002318390A (ja) | 2002-10-31 |
| JP3915529B2 JP3915529B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=26341631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002025053A Expired - Lifetime JP3915529B2 (ja) | 1993-01-20 | 2002-02-01 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3915529B2 (ja) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5557882A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Fujitsu Ltd | Display unit |
| JPS60218624A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Toyota Motor Corp | カラ−液晶表示装置 |
| JPS6321907B2 (ja) * | 1979-12-25 | 1988-05-10 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS6463928A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
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| JPH0274925A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Shiojiri Kogyo Kk | 多電極型高速液晶光スイッチング素子 |
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| JPH03194516A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hosiden Corp | 液晶表示素子 |
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| JPH0511281A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写型テレビ |
-
2002
- 2002-02-01 JP JP2002025053A patent/JP3915529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0511281A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写型テレビ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3915529B2 (ja) | 2007-05-16 |
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