JP2002305378A - Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, and semiconductor device - Google Patents

Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, and semiconductor device

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JP2002305378A
JP2002305378A JP2001205275A JP2001205275A JP2002305378A JP 2002305378 A JP2002305378 A JP 2002305378A JP 2001205275 A JP2001205275 A JP 2001205275A JP 2001205275 A JP2001205275 A JP 2001205275A JP 2002305378 A JP2002305378 A JP 2002305378A
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metal
wiring board
multilayer wiring
resin
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Kensuke Nakamura
謙介 中村
Yoshitaka Okugawa
良隆 奥川
Hitoshi Aoki
仁 青木
Takeshi Hozumi
猛 八月朔日
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board of high reliability, together with its manufacturing method and a semiconductor device, for sure interlayer connection. SOLUTION: The multilayer interconnection board comprises a conductor post 104 for interlayer connection, a wiring pattern 107 comprising a pad 106 for connection to the conductor post 104, a jointing metal material layer 105 for jointing the conductor post 104 to the pad 106, and an insulating layer 101 present between layers. The insulating layer 101 has a two-layer structure; a metal joint adhesive (I) layer 108 and an interlayer insulating material (II) layer 101. The interlayer connection means metal jointing with the jointing metal material layer 105.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを搭
載する多層配線板に関し、層間の電気的接続と接着を同
時に行う多層配線板およびその製造方法ならびに半導体
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted, and more particularly to a multilayer wiring board for simultaneously performing electrical connection and adhesion between layers, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなる、ガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔を
パターニングした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリル
で貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビ
アを形成し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が
主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が
進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の
搭載に問題が生じるようになってきている。
[0003] A conventional circuit board is called a printed wiring board, which is formed by laminating a glass fiber woven fabric with an epoxy resin. The mainstream is to use a wiring board in which a through hole is formed by drilling, a through hole is drilled, and a wall of the hole is plated with copper to form a via, and an electrical connection is made between layers. However, the mounting components have been reduced in size and density, and the wiring density of the above-mentioned wiring board has become insufficient, and problems have arisen in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と、導体とを積み重
ねながら成形される。ビア形成方法としては、従来のド
リル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法、フォト法
等多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置するこ
とで、高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア(Blind Via)やバリード
ビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した
構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能な、バリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっき
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ
法)、電解銅めっきによる方法(アディティブ法)等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が、特に注目され始めている。
[0004] Against this background, recently, build-up multilayer wiring boards have been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed while stacking an insulating layer made of only a resin and a conductor. As the via forming method, a variety of methods such as a laser method, a plasma method, and a photo method are used instead of the conventional drilling, and a high-density is achieved by freely arranging small-diameter via holes. Examples of the interlayer connection portion include a blind via (Blind Via) and a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor). A buried via hole, in which a stacked via in which a via is formed on a via, is possible, is particularly noted. Have been. The buried via hole is classified into a method of filling the via hole with plating and a method of filling the via hole with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), and the like. It is starting to attract attention.

【0005】特開平10−84186号公報では、「配
線層のパターンに対応した位置に設けた孔に、導電体を
埋め込んだ接着性絶縁体の表面に、離型性支持板の表面
に形成された導電性配線パターンを転写して、前記接着
性絶縁体の表面に配線層を形成すると同時に、バイア接
続を行う。かかる構成により、極めて微細な配線ピッチ
を有するファインパターンを安価に、かつ容易に形成す
ることができる。」と記載されている。この製造方法に
よると、ビア内を導電体(導電性ペースト)で充填する
(バリードビア)ため、ビアの上にビアを形成するスタ
ックドビアが可能なうえ、配線パターンを電解めっきな
どで形成する(アディティブ法)ため、微細な配線パタ
ーンを形成することができ、高密度化はもちろんのこと
配線設計も非常に簡易化することができる。しかしなが
ら、この方法では、層間の電気的接続を導電性ペースト
で行っているため、信頼性が十分ではない。また、微細
なビアに導電性ペーストを埋め込む高度な技術や、離型
性支持板の表面に形成された配線パターンと、接着性絶
縁体に形成されたビアと、もう一方の配線パターンとを
同時に位置合せ積層する高度な技術も必要となり、さら
なる微細化に対応することが困難である。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-84186 discloses that "a hole formed at a position corresponding to the pattern of a wiring layer is formed on the surface of an adhesive insulator in which a conductor is embedded, and on the surface of a releasable support plate. By transferring the conductive wiring pattern thus formed, a wiring layer is formed on the surface of the adhesive insulator, and via connection is performed at the same time. Can be formed. " According to this manufacturing method, since the inside of the via is filled with a conductor (conductive paste) (buried via), a stacked via in which a via is formed on the via is possible, and a wiring pattern is formed by electrolytic plating or the like (additive method). Therefore, a fine wiring pattern can be formed, and not only the density can be increased, but also the wiring design can be greatly simplified. However, in this method, the electrical connection between the layers is performed using a conductive paste, and thus the reliability is not sufficient. In addition, advanced technology for embedding conductive paste in fine vias, wiring patterns formed on the surface of the release support plate, vias formed on the adhesive insulator, and the other wiring pattern at the same time Advanced technology for alignment and lamination is also required, and it is difficult to cope with further miniaturization.

【0006】特開平11−251703号公報では、
「導電性組成物によって充填されたビアを有する絶縁体
層と、導電組成物の一方または両方の面の上に形成され
た導電性のバッファー層と、導電性のバッファー層上に
形成された配線パターンとを備え、導電性のバッファー
層は、導電性組成物、配線パターンのいずれか一方、ま
たは両方と合金または金属間化合物を形成している回路
基板」が記載されいる。この方法は、導電性ペーストと
配線パターンの接続信頼性向上を狙ったものである。し
かしながら、この方法においても、金属間化合物を形成
する導電性バッファー層、導電性組成物、配線パターン
の表面が、十分に清浄化されていないと、導電性バッフ
ァー層が濡れ拡がることができず、金属接合が不十分に
なり、信頼性の高い電気的接続が得られない。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-251703,
"An insulator layer having a via filled with a conductive composition, a conductive buffer layer formed on one or both surfaces of the conductive composition, and a wiring formed on the conductive buffer layer A circuit board having an alloy or an intermetallic compound with one or both of the conductive composition and the wiring pattern. This method aims at improving the connection reliability between the conductive paste and the wiring pattern. However, even in this method, the conductive buffer layer that forms the intermetallic compound, the conductive composition, and the surface of the wiring pattern are not sufficiently cleaned, and the conductive buffer layer cannot wet and spread, Metal bonding becomes insufficient, and reliable electrical connection cannot be obtained.

【0007】特開平11−204939号公報では、
「絶縁シートの少なくとも片面に配線パターンを有し、
絶縁シートの表裏面を貫通して導電性のビアホールを有
し、そのビアホールと電気的に接続された表裏面の任意
の場所に、接続用電極を設けた回路基板どうしを、絶縁
層を介して複数枚積層した構造の多層回路基板であっ
て、前記複数の互いに隣接する回路基板どうしを結合す
る絶縁層を、100〜300℃の温度に加熱すると粘度
が1000ポアズ以下に低下し、前記温度域に10分放
置すると少なくとも70〜80%が硬化する、熱硬化性
接着剤の硬化層で構成してなる多層回路基板」が記載さ
れている。この多層回路基板によると、ビア内を導電体
(電解めっき銅)で充填する(バリードビア)ため、ビ
アの上にビアを形成するスタックドビアが可能で、層間
接続部の高密度化を図ることができる。しかしながら、
この方法においても、接続用電極として導電性接着剤を
用いたり、接続用電極表面にAuやSn等を形成し、A
u−Sn合金などで接続を試みたりしているが、導電性
接着剤では前述したように信頼性が低く、Au−Sn合
金での接続では、Sn表面を清浄化していないため、金
属間の濡れ性が悪く、接合が十分に形成されない。
In Japanese Patent Laid-Open No. 11-204939,
`` Having a wiring pattern on at least one side of the insulating sheet,
A conductive via hole penetrates the front and back surfaces of the insulating sheet, and a circuit board provided with connection electrodes is provided at an arbitrary position on the front and back surfaces electrically connected to the via hole via an insulating layer. A multilayer circuit board having a structure in which a plurality of stacked circuit boards are stacked, wherein when an insulating layer that couples the plurality of adjacent circuit boards is heated to a temperature of 100 to 300 ° C., the viscosity decreases to 1000 poise or less, A multilayer circuit board composed of a cured layer of a thermosetting adhesive which cures at least 70 to 80% when left for 10 minutes. According to this multi-layer circuit board, the via is filled with a conductor (electroplated copper) (buried via), so that a stacked via in which the via is formed on the via is possible, and the density of the interlayer connection can be increased. . However,
Also in this method, a conductive adhesive is used as the connection electrode, or Au, Sn, or the like is formed on the connection electrode surface.
Attempts have been made to connect with a u-Sn alloy, etc., but as described above, the reliability of the conductive adhesive is low, and the connection with the Au-Sn alloy does not clean the Sn surface. Poor wettability and insufficient bonding.

【0008】実際に、「テープ状フィルムの一括積層方
式による多層配線板の開発」、エレクトロニクス実装学
会誌,vol.1,No.2(1998)の文献で示され
ているように、Au−Sn合金が全面にぬれ拡がらない
ため、Au−Snの間に熱硬化性接着剤を挟んだ部分的
な接合となり、信頼性が十分ではない。ここで、熱硬化
性接着剤の硬化層をエポキシ系接着剤で設けられている
が、具体的には、エポキシ樹脂としてビスフェノールA
型もしくはクレゾールノボラック型であり、硬化剤とし
て、フェノールノボラック樹脂とあるが、その機能は層
間接着のみであり、金属表面の酸化膜の除去や、還元と
いった金属表面の清浄化機能に関する記載はない。
[0008] Actually, as shown in the literature of "Development of multilayer wiring board by batch lamination method of tape-like film", Journal of Japan Institute of Electronics Packaging, Vol. 1, No. 2 (1998), Au-Sn Since the alloy does not spread over the entire surface, the bonding becomes partial with the thermosetting adhesive sandwiched between Au and Sn, and the reliability is not sufficient. Here, a cured layer of a thermosetting adhesive is provided with an epoxy-based adhesive. Specifically, bisphenol A is used as an epoxy resin.
Type or cresol novolak type, and there is a phenol novolak resin as a curing agent, but its function is only interlayer adhesion, and there is no description about a metal surface cleaning function such as removal of an oxide film on a metal surface or reduction.

【0009】また、特開平11−204939号公報で
は、「接続用電極として、Sn−Pbはんだ等、Snを
主成分とする合金を用いて300℃以下の温度で、電気
的な接続を行う方法」が記載されているが、接合表面を
清浄化しないと、半田接合することは不可能である。一
方、配線パターンは、銅箔をエッチングにより形成する
サブトラクティブ法であるため、さらなる配線パターン
の微細化に対応することが困難である。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-204939 discloses a method of performing electrical connection at a temperature of 300 ° C. or less by using an alloy containing Sn as a main component such as Sn—Pb solder as a connection electrode. However, it is impossible to perform solder joining unless the joining surface is cleaned. On the other hand, since the wiring pattern is a subtractive method of forming a copper foil by etching, it is difficult to cope with further miniaturization of the wiring pattern.

【0010】特開平8−195560号公報では、「両
面又は片面に導電体回路層を有する絶縁体層と導電体回
路層を有しない絶縁体層とを所定数積み重ねた積層体と
を、加圧・成形し、同時に所定の少なくとも上下二つの
導電体回路層を電気的に接続させるプリント回路基板の
製造方法において、絶縁体層をいずれもガラス繊維を含
まないシート状の絶縁体樹脂層で形成し、導電体回路層
の所定場所上に導電体回路層間の電気的接続用の導電体
からなる突起(金属塊)を設けておき、積層体をプレス
治具板を用いて、プレスを行うものであり、プレス圧力
によって絶縁体樹脂層を突起が突き破り、対向する導電
体回路層に当接・圧着させる製造方法」が記載されてい
る。また、「さらに突起の先端部に、絶縁体樹脂層の樹
脂硬化温度より高い溶融温度を有する半田層を設けてお
き、熱及び圧力で絶縁体樹脂層を突起で突き破り半田層
を導電体回路層に接続させた後、この状態で温度を半田
の溶融温度まで上昇させ、半田層を溶融させて突起を導
電体回路層に接続させた後、冷却して半田層を固化させ
る製造方法」が記載されている。この製造方法による
と、導電体からなる突起(金属塊)により層間接続を行
うため、ビア(突起)の上にビア(突起)を形成するス
タックドビアが可能となり、層間接続部の高密度化を図
ることができる。また、絶縁体樹脂層にビアを形成して
おく必要がないため、生産性が向上するという利点もあ
る。しかしながら、上記の前者の方法では、電気的接続
が物理的接触だけであり、信頼性が低いことが予想され
る。後者の方法では、突起先端の半田層と導電体回路層
の表面が十分に清浄化、すなわち、表面酸化膜の除去や
還元がされていないと、半田が濡れ拡がることができな
いため、半田接合することは不可能である。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-195560 discloses that “a laminate obtained by stacking a predetermined number of insulator layers having conductor circuit layers on both sides or one side and insulator layers not having conductor circuit layers is pressurized. In a method of manufacturing a printed circuit board in which at least two predetermined upper and lower conductor circuit layers are electrically connected at the same time by molding, the insulator layer is formed of a sheet-like insulator resin layer containing no glass fiber. A protrusion (metal block) made of a conductor for electrical connection between the conductor circuit layers is provided on a predetermined location of the conductor circuit layer, and the laminate is pressed using a pressing jig plate. And a manufacturing method in which a protrusion breaks through the insulating resin layer by pressing pressure and abuts and presses against the opposing conductive circuit layer. In addition, a solder layer having a melting temperature higher than the resin curing temperature of the insulating resin layer is provided at the tip of the protrusion, and the insulating resin layer is broken by the protrusion by heat and pressure, and the solder layer is formed by the conductor circuit layer. After that, in this state, the temperature is raised to the melting temperature of the solder, the solder layer is melted, the projections are connected to the conductor circuit layer, and then the solder layer is cooled and solidified to produce a manufacturing method. Have been. According to this manufacturing method, since the interlayer connection is performed by the projection (metal block) made of a conductor, a stacked via in which a via (projection) is formed on the via (projection) can be formed, and the density of the interlayer connection portion can be increased. be able to. Further, since it is not necessary to form a via in the insulating resin layer, there is an advantage that productivity is improved. However, in the former method, the electrical connection is only physical contact, and it is expected that reliability is low. In the latter method, since the surfaces of the solder layer and the conductor circuit layer at the tip of the protrusion are sufficiently cleaned, that is, if the surface oxide film is not removed or reduced, the solder cannot be spread because it cannot be spread. It is impossible.

【0011】特開平9−23064号公報では、”従来
の技術”として、「下層導体回路と上層導体回路との電
気的接続をポスト(金属柱)により行なう構造のプリン
ト回路基板を製造する場合、一般には以下に説明する手
順がとられる。まず下層導体回路形成用の金属膜として
の銅薄膜が、下層導体回路の形状にパターニングされ
る。ここでこの銅薄膜は、絶縁性基板上に形成されたも
のである場合や、また3層以上のプリント回路基板の2
層目以上の場合なら層間絶縁膜上に形成されたものとな
る。次にこの銅薄膜上に、後にポスト形成のためなされ
る電解めっき時に用いる給電膜が、無電解めっきにより
形成される。次にこの給電膜上に、該給電膜のポスト形
成予定部分以外の部分を覆うマスクが、形成される。次
にポスト形成のための電解めっきが行なわれて目的のポ
ストが形成される。次に上記マスクが除去され、その
後、給電膜の、ポストで覆われていない部分が除去され
る。次にこの試料全面に層間絶縁膜形成用の樹脂が塗布
され、さらに硬化される。硬化された樹脂はポスト表面
が露出されるまで研磨され層間絶縁膜となる。この層間
絶縁膜上に上層導体回路形成用の金属膜(これは、さら
に多層にする場合は下層導体回路形成用の金属膜にも相
当する。)が形成され、次いで、この金属膜が所望の形
状にパターニングされて上層導体回路が得られる。」と
記載されている。この製造方法によると、ポストにより
層間接続を行うため、ビア(ポスト)の上にビア(ポス
ト)を形成するスタックドビアが可能となり、層間接続
部の高密度化を図ることができる。また、層間接続部に
導電性ペースト等が不要となるため、接続信頼性が高い
ことが予想される。しかしながら、配線パターン(導体
回路)は、金属膜をエッチングすることにより形成する
サブトラクティブ法であるため、さらなる配線パターン
の微細化に対応することが困難である。また、硬化され
た樹脂を研磨してポスト表面を露出させるため、層間絶
縁膜の厚みが各層によりばらつきやすく、近年注目され
ているインピーダンス整合に精度良く対応することが困
難である。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-23064, "Prior art" is described as "a printed circuit board having a structure in which electrical connection between a lower conductor circuit and an upper conductor circuit is performed by a post (metal column). In general, the following procedure is performed: First, a copper thin film as a metal film for forming a lower conductive circuit is patterned into a shape of a lower conductive circuit, where the copper thin film is formed on an insulating substrate. Or a printed circuit board with three or more layers.
If the number of layers is equal to or greater than the first layer, the layer is formed on the interlayer insulating film. Next, on this copper thin film, a power supply film to be used at the time of electrolytic plating performed later for forming a post is formed by electroless plating. Next, a mask is formed on the power supply film to cover a portion of the power supply film other than the portion where the post is to be formed. Next, electrolytic plating for forming a post is performed to form a target post. Next, the mask is removed, and thereafter, a portion of the power supply film that is not covered with the posts is removed. Next, a resin for forming an interlayer insulating film is applied to the entire surface of the sample and further cured. The cured resin is polished until the post surface is exposed to form an interlayer insulating film. On the interlayer insulating film, a metal film for forming an upper-layer conductor circuit (which corresponds to a metal film for forming a lower-layer conductor circuit when further multi-layered) is formed, and then the metal film is formed as desired. It is patterned into a shape to obtain an upper conductor circuit. It is described. According to this manufacturing method, since the interlayer connection is performed by the post, a stacked via in which the via (post) is formed on the via (post) can be formed, and the density of the interlayer connection can be increased. In addition, since a conductive paste or the like is not required for the interlayer connection portion, high connection reliability is expected. However, since the wiring pattern (conductor circuit) is a subtractive method formed by etching a metal film, it is difficult to cope with further miniaturization of the wiring pattern. In addition, since the cured resin is polished to expose the post surface, the thickness of the interlayer insulating film tends to vary from layer to layer, and it is difficult to accurately cope with impedance matching that has recently attracted attention.

【0012】また、特開平9−23064号公報で
は、”課題を解決するための手段”として、「下層導体
回路と上層導体回路との電気的接続をポストにより行な
う構造のプリント回路基板を製造するに当たり、下層導
体回路形成用の金属膜上に、該金属膜を下層導体回路の
形状にパターニングする前に、ポストを形成する。そし
て、該ポストの形成が済んだ前記金属膜上に、前記金属
膜の下層導体回路として残存させたい部分表面および該
ポストを覆うためのマスクであって、前記金属膜をエッ
チングするための手段に対し耐性を有する材料から成る
マスクを形成し、その後、前記金属膜の前記マスクで覆
われていない部分をエッチングして、下層導体回路を形
成する。」と記載されているが、これは”従来の技術”
における「電解めっき時に用いる給電膜が、無電解めっ
きにより形成される」という課題を解決するための手段
である。したがって、金属膜をエッチングすることによ
り配線パターン(導体回路)を形成するサブトラクティ
ブ法であるため、さらなる配線パターンの微細化に対応
できないといった課題や、硬化された樹脂を研磨してポ
スト表面を露出させるため、層間絶縁膜の厚みが各層に
より、ばらつきやすいといった課題を解決するためのも
のではない。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-23064, a "means for solving the problem" is to manufacture a printed circuit board having a structure in which electrical connection between a lower conductor circuit and an upper conductor circuit is made by a post. Forming a post on the metal film for forming the lower conductor circuit before patterning the metal film into the shape of the lower conductor circuit, and forming the metal on the metal film on which the post has been formed. Forming a mask made of a material resistant to a means for etching the metal film, the mask being a mask for covering a partial surface to be left as a lower conductor circuit of the film and the post; The portion not covered by the mask is etched to form a lower conductive circuit. "
This is a means for solving the problem that the "feeding film used at the time of electrolytic plating is formed by electroless plating". Therefore, since this is a subtractive method in which a wiring pattern (conductor circuit) is formed by etching a metal film, it is not possible to cope with further miniaturization of the wiring pattern, or the post surface is exposed by polishing a cured resin. This is not for solving the problem that the thickness of the interlayer insulating film is likely to vary depending on each layer.

【0013】特開昭62−222696号公報では、
「基板上に導体層と絶縁層とを交互に積層して多層配線
基板の導体配線を形成する多層配線基板の製造方法にお
いて、前記導体配線を形成する面に所望の配線パターン
形状と略同形状にパターニングされた下地金属層を形成
する工程と、少なくとも前記下地金属層以外に絶縁層を
形成する工程と、前記絶縁層をめっきレジストとして前
記下地金属層上に無電解めっきを行って前記導体配線を
形成する工程とからなる」と記載されている。この発明
の最大の特徴は、無電解めっきにより配線パターンを形
成するところにあり、これにより導体配線を均一な厚み
で形成することができるだけでなく、アディティブ法で
あるため、微細な導体配線を形成することができる。し
かしながら、無電解めっきによる導体配線形成では、導
体配線を所望の厚みに形成するまでに時間を要するた
め、生産性の向上が図れないという重大な課題がある。
さらに、下地金属層を所望の配線パターン形状と略同形
状にパターニングするが、絶縁層と導体配線との間に隙
間が形成されないようにするには下地金属層の寸法
(幅)を配線パターン形状よりも大きくする必要がある
ため、隣接する導体配線のスペースを狭くすることがで
きず、回路密度の向上に障害が生じるという重大な課題
もある。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-222696,
In a method for manufacturing a multilayer wiring board in which conductor layers and insulating layers are alternately laminated on a substrate to form a conductor wiring of the multilayer wiring board, the surface on which the conductor wiring is formed has substantially the same shape as a desired wiring pattern shape. Forming an underlying metal layer patterned on the substrate, forming an insulating layer at least other than the underlying metal layer, performing electroless plating on the underlying metal layer using the insulating layer as a plating resist, and forming the conductive wiring And the step of forming The greatest feature of the present invention is that a wiring pattern is formed by electroless plating. This not only enables the conductor wiring to be formed with a uniform thickness, but also forms a fine conductor wiring because of the additive method. can do. However, in the formation of the conductor wiring by electroless plating, it takes time to form the conductor wiring to a desired thickness, and thus there is a serious problem that productivity cannot be improved.
Further, the underlying metal layer is patterned into a substantially same shape as the desired wiring pattern shape. To prevent a gap from being formed between the insulating layer and the conductor wiring, the dimension (width) of the underlying metal layer is set to Therefore, there is also a serious problem that the space between the adjacent conductor wirings cannot be reduced, and there is a problem in improving the circuit density.

【0014】一般に、半田接合のためには、半田表面と
相対する電極の、金属表面の酸化物などの汚れを除去す
ると共に、半田接合時の金属表面の再酸化を防止して、
半田の表面張力を低下させ、金属表面に溶融半田が濡れ
易くする、半田付け用フラックスが使用される。このフ
ラックスとしては、ロジンなどの熱可塑性樹脂系フラッ
クスに、酸化膜を除去、還元する活性剤等を加えたフラ
ックスが用いられている。しかしながら、このフラック
スが残存していると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂が溶
融し、活性剤中の活性イオンも遊離するなど、電気絶縁
性の低下やプリント配線の腐食などの問題が生じる。そ
のため現在は、半田接合後の残存フラックスを洗浄除去
しなければならない。よって、前述の特開平8−195
560号公報、特開平11−251703号公報、特開
平11−204939号公報で記載された多層プリント
基板、回路基板、多層回路基板の金属接合のために、こ
の様な半田付け用のフラックスを用いても、確実に金属
接合はできるが、絶縁信頼性を得ることができない。
In general, for solder bonding, the electrodes facing the solder surface are cleaned of dirt such as oxides on the metal surface, and the reoxidation of the metal surface at the time of solder bonding is prevented.
A soldering flux is used, which lowers the surface tension of the solder and makes the molten solder more likely to wet the metal surface. As the flux, a flux obtained by adding an activator or the like for removing and reducing an oxide film to a thermoplastic resin flux such as rosin is used. However, if this flux remains, the thermoplastic resin melts at high temperature and high humidity, and the active ions in the activator are also released, which causes problems such as a decrease in electrical insulation and corrosion of printed wiring. Therefore, at present, it is necessary to wash and remove the residual flux after soldering. Therefore, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-195
Such a soldering flux is used for metal bonding of a multilayer printed circuit board, a circuit board, and a multilayer circuit board described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 560, JP-A-11-251703, and JP-A-11-204939. Even though metal bonding can be performed reliably, insulation reliability cannot be obtained.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プを搭載する多層配線板における、層間接続、配線パタ
ーン形成および信頼性のこのような現状の問題点に鑑
み、確実に層間接続でき、また、微細な配線パターンを
形成でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned current problems of interlayer connection, wiring pattern formation and reliability in a multilayer wiring board on which a semiconductor chip is mounted. It is an object of the present invention to provide a highly reliable multilayer wiring board capable of forming a fine wiring pattern.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、層間接
続用の導体ポストと、該導体ポストと接続するためのパ
ッドを有する配線パターンと、該導体ポストと該パッド
とを接合するための接合用金属材料層と、層間に存在す
る絶縁層とを具備した多層配線板であって、該絶縁層が
金属接合接着剤(I)層と、層間絶縁材(II)層とからな
る2層構造であり、かつ、層間接続が接合用金属材料層
による金属接合であることを特徴とする多層配線板であ
る。
That is, the present invention relates to a wiring pattern having a conductor post for interlayer connection, a pad for connecting to the conductor post, and a connection pattern for joining the conductor post and the pad. A multilayer wiring board comprising a bonding metal material layer and an insulating layer existing between the layers, wherein the insulating layer comprises a metal bonding adhesive (I) layer and an interlayer insulating material (II) layer A multilayer wiring board having a structure, and wherein the interlayer connection is metal bonding by a bonding metal material layer.

【0017】また、該絶縁層が金属接合接着剤(I)層
と、半硬化状態の層間絶縁材(II)層とを一体硬化させ
た2層構造であることを特徴とする多層配線板である。
Further, the multilayer wiring board is characterized in that the insulating layer has a two-layer structure in which a metal bonding adhesive (I) layer and a semi-cured interlayer insulating material (II) layer are integrally cured. is there.

【0018】本発明の多層配線板において、好ましい接
合用金属材料層としては、半田または電解めっきにより
形成された半田からなり、導体ポストは、銅からなるこ
とが好ましい。さらに、導体ポストは、接合用金属材料
層と同じ材料からなることが好ましい。
In the multilayer wiring board of the present invention, a preferable joining metal material layer is made of solder or solder formed by electrolytic plating, and the conductor posts are preferably made of copper. Further, it is preferable that the conductor post is made of the same material as the joining metal material layer.

【0019】本発明の多層配線板において、好ましい金
属接合接着剤(I)としては、少なくとも1つ以上のフ
ェノール性水酸基を有する樹脂(A)と、その硬化剤と
して作用する樹脂(B)とを必須成分としてなり、さら
には、フェノール性水酸基を有する樹脂(A)が、フェ
ノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック
樹脂、レゾール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、及
び、ポリビニルフェノール樹脂の群から選ばれる、少な
くとも1種であることが好ましく、フェノール性水酸基
を有する樹脂(A)が金属接合接着剤(I)中に、20
wt%以上80wt%以下でまれることが好ましい。
In the multilayer wiring board of the present invention, the preferred metal bonding adhesive (I) is a resin (A) having at least one or more phenolic hydroxyl groups and a resin (B) acting as a curing agent thereof. The resin (A) having an essential component and further having a phenolic hydroxyl group is at least one selected from the group consisting of a phenol novolak resin, an alkylphenol novolak resin, a resole resin, a cresol novolak resin, and a polyvinyl phenol resin. Preferably, the resin (A) having a phenolic hydroxyl group is contained in the metal bonding adhesive (I) in an amount of 20%.
It is preferable that the content is not less than wt% and not more than 80 wt%.

【0020】本発明の多層配線板において、もう一つの
好ましい金属接合接着剤(I)としては、エポキシ樹脂
(C)と、エポキシ樹脂(C)の硬化剤として作用する
イミダゾール環を有する化合物(D)とを、必須成分と
してなり、さらには、硬化剤として作用するイミダゾー
ル環を有する化合物(D)が、金属接合接着剤(I)中
に、1wt%以上10wt%以下で含まれることが好ま
しい。
In the multilayer wiring board of the present invention, another preferred metal bonding adhesive (I) is an epoxy resin (C) and a compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent for the epoxy resin (C). ) Is an essential component, and the compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent is preferably contained in the metal bonding adhesive (I) at 1 wt% or more and 10 wt% or less.

【0021】本発明の多層配線板において、好ましい層
間絶縁材(II)としては、シアネート樹脂と熱可塑性樹
脂を必須成分としてなり、さらには、シアネート樹脂
は、60%以下の3量化率を有していることが好まし
く、更に、金属アルキルアセトネートを必須成分とする
ことが好ましく、更に、アルキルフェノールを必須成分
とすることが好ましく、熱可塑性樹脂がポリイミド樹
脂、ポリエーテルスルフォン樹脂の少なくとも一種以上
からなることが好ましい。
In the multilayer wiring board of the present invention, a preferred interlayer insulating material (II) contains a cyanate resin and a thermoplastic resin as essential components, and the cyanate resin has a trimerization ratio of 60% or less. Preferably, furthermore, it is preferable that the metal alkylacetonate is an essential component, furthermore, it is preferable that the alkylphenol is an essential component, and the thermoplastic resin is at least one kind of a polyimide resin and a polyether sulfone resin. Is preferred.

【0022】本発明の多層配線板の層間絶縁材(II)層
は、半硬化状態において、5〜80%の3量化率を有す
るシアネート樹脂を含んでなることが好ましい。
The interlayer insulating material (II) layer of the multilayer wiring board of the present invention preferably contains a cyanate resin having a trimerization ratio of 5 to 80% in a semi-cured state.

【0023】また、本発明は、導体ポストを形成する工
程と、該導体ポストと接続するためのパッドを有する配
線パターンを形成する工程と、該導体ポストと該パッド
の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工程
と、金属接合接着剤(I)層を形成する工程と、層間絶縁
材(II)層を形成する工程と、該導体ポストが、該金属
接合接着剤(I)層を介して、該接合用金属材料層によ
り該パッドと接合する工程と、加熱により金属接合接着
剤(I)層を硬化させる工程と、を含んでなることを特
徴とする多層配線板の製造方法である。
The present invention also provides a step of forming a conductor post, a step of forming a wiring pattern having a pad for connecting to the conductor post, and a step of forming a bonding metal material on at least one of the conductor post and the pad. A step of forming a layer; a step of forming a metal bonding adhesive (I) layer; a step of forming an interlayer insulating material (II) layer; A step of bonding the pad with the bonding metal material layer and a step of curing the metal bonding adhesive (I) layer by heating. .

【0024】本発明の多層配線板の製造方法は、層間絶
縁材(II)層を形成する工程において、半硬化状態の層
間絶縁材(II)層を形成し、加熱により金属接合接着剤
(I)層を硬化させる工程において、金属接合接着剤(I)
層と、半硬化状態の層間絶縁材(II)層とを一体硬化さ
せることが好ましい。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention, in the step of forming an interlayer insulating material (II) layer, a semi-cured interlayer insulating material (II) layer is formed, and the metal bonding adhesive (I) is heated. ) In the step of curing the layer, the metal bonding adhesive (I)
It is preferable that the layer and the semi-cured interlayer insulating material (II) layer are integrally cured.

【0025】また、本発明は、金属板を電解めっき用リ
ードとして、配線パターンを電解めっきにより形成する
工程と、該配線パターン上に半硬化状態の層間絶縁材
(II)層を形成する工程と、配線パターンの一部が露出
するように半硬化状態の層間絶縁材(II)層にビアを形
成する工程と、金属板を電解めっき用リードとして、導
体ポストを電解めっきにより形成する工程と、該導体ポ
ストの表面または導体ポストと対向している被接合部の
表面の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工
程と、半硬化状態の層間絶縁材(II)層の表面または被
接続層の表面の少なくとも一方に金属接合接着剤(I)
層を形成する工程と、該金属接合接着剤(I)層を介し
て対向している導体ポストと被接合部とを、接合用金属
材料層により接合し、かつ、半硬化状態の層間絶縁材
(II)層と被接続層とを金属接合接着剤(I)層により
接着する工程と、層間絶縁材(II)層と金属接合接着剤
(I)層を一体硬化する工程と、該金属板をエッチング
により除去する工程とを含んでなることを特徴とする多
層配線板の製造方法であり、該層間絶縁材(II)層の表
面または被接続層の表面の少なくとも一方に金属接合接
着剤(I)層を形成する工程において、金属接合接着剤
(I)層を部分的に形成することが好ましい。
Further, the present invention provides a step of forming a wiring pattern by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating, and a step of forming a semi-cured interlayer insulating material (II) layer on the wiring pattern. Forming a via in the interlayer insulating material (II) layer in a semi-cured state so that a part of the wiring pattern is exposed, and forming a conductor post by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating; Forming a joining metal material layer on at least one of the surface of the conductor post or the surface of the portion to be joined facing the conductor post, and the surface of the semi-cured interlayer insulating material (II) layer or the connection layer Metal bonding adhesive (I) on at least one of the surfaces
A step of forming a layer, and joining a conductor post and a portion to be joined, which are opposed to each other via the metal joining adhesive (I) layer, with a joining metal material layer, and a semi-cured interlayer insulating material. Bonding the (II) layer and the layer to be connected with the metal bonding adhesive (I) layer, the step of integrally curing the interlayer insulating material (II) layer and the metal bonding adhesive (I) layer, And a step of etching to remove at least one of the surface of the interlayer insulating material (II) layer and the surface of the layer to be connected. In the step of forming the (I) layer, it is preferable to partially form the metal bonding adhesive (I) layer.

【0026】また、本発明は、金属板を電解めっき用リ
ードとして、該金属板上に電解めっきにより配線パター
ンを形成する工程と、該配線パターン上に半硬化状態の
層間絶縁材(II)層を形成する工程と、該層間絶縁材
(II)層に配線パターンの一部が露出するようにビアを
形成する工程と、該金属板を電解めっき用リードとし
て、電解めっきにより導体ポストを形成する工程と、該
導体ポストの表面に接合用金属材料層を形成する工程
と、該接合用金属材料層を覆うように、該層間絶縁材
(II)層の表面に金属接合接着剤(I)層を形成する工
程と、該金属板をエッチングして除去し接続層を形成す
る工程と、該接続層を被接続層上に複数層重ね合せた
後、一括して加熱・加圧して、該金属接合接着剤(I)
層を介して対向している導体ポストと被接合部とを、接
合用金属材料層により接合し、かつ、半硬化状態の層間
絶縁材(II)層と被接続層とを金属接合接着剤(I)層
により接着する工程と、層間絶縁材(II)層と金属接合
接着剤(I)層を一体硬化する工程とを含んでなること
を特徴とする多層配線板の製造方法であり、該層間絶縁
材(II)層の表面に金属接合接着剤(I)層を形成する
工程において、金属接合接着剤(I)層を部分的に表面
に形成することが好ましい。
The present invention also provides a process for forming a wiring pattern on a metal plate by electrolytic plating using a metal plate as a lead for electrolytic plating, and a step of forming a semi-cured interlayer insulating material (II) layer on the wiring pattern. Forming a via, so that a part of a wiring pattern is exposed in the interlayer insulating material (II) layer, and forming a conductor post by electrolytic plating using the metal plate as a lead for electrolytic plating. Forming a bonding metal material layer on the surface of the conductor post; and forming a metal bonding adhesive (I) layer on the surface of the interlayer insulating material (II) layer so as to cover the bonding metal material layer. Forming a connection layer by etching and removing the metal plate; and laminating a plurality of the connection layers on the layer to be connected, and then heating and pressurizing all together to form the metal layer. Bonding adhesive (I)
The conductor post and the portion to be joined facing each other with the layer interposed therebetween are joined by a joining metal material layer, and the semi-cured interlayer insulating material (II) layer and the joined layer are joined with a metal joining adhesive ( I) a method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of bonding with a layer; and a step of integrally curing an interlayer insulating material (II) layer and a metal bonding adhesive (I) layer. In the step of forming the metal bonding adhesive (I) layer on the surface of the interlayer insulating material (II) layer, it is preferable to partially form the metal bonding adhesive (I) layer on the surface.

【0027】さらには、金属板を電解めっき用リードと
して、該金属板と該配線パターンとの間に、電解めっき
によりレジスト金属層を形成する工程を含んでなること
が好ましい。
Preferably, the method further comprises a step of forming a resist metal layer by electrolytic plating between the metal plate and the wiring pattern using the metal plate as a lead for electrolytic plating.

【0028】本発明の多層配線板の製造方法において、
好ましい接合用金属材料層としては、半田または電解め
っきにより形成された半田からなり、さらには、導体ポ
ストは銅からなることが好ましい。さらに、導体ポスト
は、接合用金属材料層と同じ材料からなることが好まし
い。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention,
It is preferable that the joining metal material layer be made of solder or solder formed by electrolytic plating, and that the conductor post be made of copper. Further, it is preferable that the conductor post is made of the same material as the joining metal material layer.

【0029】本発明の多層配線板の製造方法において、
好ましい金属接合接着剤(I)としては、少なくとも1
つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂(A)と、そ
の硬化剤として作用する樹脂(B)とを必須成分として
なり、さらには、フェノール性水酸基を有する樹脂
(A)が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノ
ールノボラック樹脂、レゾール樹脂、クレゾールノボラ
ック樹脂、及び、ポリビニルフェノール樹脂の群から選
ばれる、少なくとも1種であることが好ましく、フェノ
ール性水酸基を有する樹脂(A)が金属接合接着剤
(I)中に、20wt%以上80wt%以下で含まれる
ことが好ましい。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention,
Preferred metal bonding adhesives (I) include at least one
The resin (A) having two or more phenolic hydroxyl groups and the resin (B) acting as a curing agent thereof are essential components. Further, the resin (A) having a phenolic hydroxyl group is a phenol novolak resin, an alkylphenol. Novolak resin, resol resin, cresol novolak resin, and at least one selected from the group consisting of polyvinylphenol resins, the resin (A) having a phenolic hydroxyl group is contained in the metal bonding adhesive (I). Preferably, it is contained in an amount of 20 wt% or more and 80 wt% or less.

【0030】本発明の多層配線板の製造方法において、
好ましいもう一つの金属接合接着剤(I)としては、エ
ポキシ樹脂(C)と、エポキシ樹脂(C)の硬化剤とし
て作用するイミダゾール環を有する化合物(D)とを、
必須成分としてなり、さらには、硬化剤として作用する
イミダゾール環を有する化合物(D)が、金属接合接着
剤(I)中に、1wt%以上10wt%以下で含まれる
ことが好ましい。
In the method for producing a multilayer wiring board of the present invention,
As another preferable metal bonding adhesive (I), an epoxy resin (C) and a compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent for the epoxy resin (C) are used.
It is preferable that the compound (D) having an imidazole ring serving as an essential component and acting as a curing agent is contained in the metal bonding adhesive (I) at 1 wt% to 10 wt%.

【0031】本発明の多層配線板の製造方法において、
好ましい層間絶縁材(II)としては、シアネート樹脂と
熱可塑性樹脂を必須成分としてなり、さらには、シアネ
ート樹脂は、60%以下の3量化率を有していることが
好ましく、更に、金属アルキルアセトネートを必須成分
とすることが好ましく、更に、アルキルフェノールを必
須成分とすることが好ましく、熱可塑性樹脂がポリイミ
ド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂の少なくとも一種
以上からなることが好ましい。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention,
As a preferable interlayer insulating material (II), a cyanate resin and a thermoplastic resin are essential components. Further, the cyanate resin preferably has a trimerization ratio of 60% or less. It is preferable that an essential component be an acrylate, and it is further preferable that an alkyl phenol is an essential component. It is preferable that the thermoplastic resin be made of at least one of a polyimide resin and a polyethersulfone resin.

【0032】本発明の多層配線板の製造方法において、
層間絶縁材(II)は、半硬化状態において、5〜80%
の3量化率を有するシアネート樹脂を含んでなることが
好ましい。
In the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention,
The interlayer insulating material (II) is 5 to 80% in a semi-cured state.
It is preferable to include a cyanate resin having a trimerization ratio of

【0033】また、本発明は、前記いずれかの製造方法
により得られる多層配線板である。
Further, the present invention is a multilayer wiring board obtained by any one of the above manufacturing methods.

【0034】さらに、本発明は、前記いずれかの多層配
線板を用いた半導体装置である。
Further, the present invention is a semiconductor device using any one of the above-mentioned multilayer wiring boards.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

【0036】図1は、本発明の第一の実施形態である多
層配線板の製造方法の例を説明するための図で、図1
(g)は得られる多層配線板の構造を示す断面図であ
る。多層配線板112は、層間接続用の導体ポスト10
4が、金属接合接着剤(I)層108を介して、導体ポス
ト104の先端に設けられた接合用金属材料層105に
より、被接続層111のパッド106aと金属接合し、
接続層110の非接合面側(図では上側)には、配線パ
ターン107とパッド106が形成された構造となって
いる。絶縁層109は、金属接合接着剤(I) 108と、
半硬化状態の層間絶縁材(II)層101を一体硬化させ
た二層構造であっても良い。
FIG. 1 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the first embodiment of the present invention.
(G) is a sectional view showing the structure of the obtained multilayer wiring board. The multilayer wiring board 112 is provided with the conductor posts 10 for interlayer connection.
4 is metal-bonded to the pad 106a of the layer 111 to be connected by the bonding metal material layer 105 provided at the tip of the conductor post 104 via the metal bonding adhesive (I) layer 108;
On the non-joining surface side (upper side in the figure) of the connection layer 110, a wiring pattern 107 and a pad 106 are formed. The insulating layer 109 includes a metal bonding adhesive (I) 108,
A two-layer structure in which the interlayer insulating material (II) layer 101 in a semi-cured state is integrally cured may be used.

【0037】本発明の第一の多層配線板の製造方法は、
まず、導体箔102上に、層間絶縁材(II)用樹脂ワニ
スを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接
塗布したり、支持フィルム付きドライフィルムの層間絶
縁材(II)層を、該導体箔102上に、加熱加圧してラ
ミネートするなどして、半硬化状態の層間絶縁材(II)
層101付き導体箔102を用意する。支持フィルム付
きドライフィルムには、さらに保護フィルム層が形成さ
れていても良い。また、支持フィルムはラミネート後剥
離する。特に、支持フィルム付きドライフィルムを用い
る方法は、予め厚みが既知の層間絶縁材(II)層を用い
るため、厚みを確実に制御できる利点がある。層間絶縁
材(II)層101の半硬化状態は、使用する原料を予め
前硬化する、もしくは、導体箔102上に形成した層間
絶縁材(II)層を熱処理により前硬化することで制御可
能である。
The first method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention comprises:
First, a resin varnish for an interlayer insulating material (II) is directly applied to the conductive foil 102 by a method such as printing, curtain coating, bar coating, or the like, or an interlayer insulating material (II) layer of a dry film with a supporting film is formed. A semi-cured interlayer insulating material (II) by laminating the conductor foil 102 by applying heat and pressure.
A conductive foil 102 with a layer 101 is prepared. The dry film with a support film may further have a protective film layer formed thereon. The support film is peeled off after lamination. In particular, the method using a dry film with a support film has an advantage that the thickness can be reliably controlled because an interlayer insulating material (II) layer having a known thickness is used in advance. The semi-cured state of the interlayer insulating material (II) layer 101 can be controlled by pre-curing the raw material to be used or by pre-curing the interlayer insulating material (II) layer formed on the conductor foil 102 by heat treatment. is there.

【0038】層間絶縁材(II)層は半硬化状態であるた
め、図1(e)に示す金属接合接着剤(I)層108
と、一体硬化することができ、層間絶縁材(II)層10
1と金属接合接着剤(I)層108の界面の密着力と耐
熱性が著しく向上する。
Since the interlayer insulating material (II) layer is in a semi-cured state, the metal bonding adhesive (I) layer 108 shown in FIG.
And can be integrally cured, and the interlayer insulating material (II) layer 10
1 and the metal bonding adhesive (I) layer 108 have significantly improved adhesion and heat resistance at the interface.

【0039】次に、半硬化状態の層間絶縁材(II)層1
01にビア103を形成する(図1(a))。ビア10
3の形成方法は、この製造方法に適する方法であればど
のような方法でも良く、より好ましくは、レーザー法で
ある。
Next, the semi-cured interlayer insulating material (II) layer 1
First, a via 103 is formed in FIG. 1 (FIG. 1A). Via 10
The formation method of No. 3 may be any method as long as it is a method suitable for this manufacturing method, and is more preferably a laser method.

【0040】次いで、ビア103に層間接続用の導体ポ
スト104を形成する(図1(b))。導体ポストの形
成方法としては、無電解めっき及び/または電解めっき
等の方法が挙げられる。あるいは、導体箔をエッチング
により形成しても良い。導体箔をエッチングして形成す
る例としては、予め導体箔の片側をハーフエッチングし
て導体ポストを形成後、形成した導体ポストを被覆する
ように層間絶縁材(II)層を形成する方法等がある。導
体ポスト104の材質としては、この製造方法に適する
ものであればどのようなものでも良く、例えば、銅、ニ
ッケル、金、錫、銀、パラジウムが挙げられる。さらに
は、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト1
04が得られる。さらには、導体ポスト104は、接合
用金属材料層105(図1(c))と同じ材料であって
も良い。導体ポスト104を接合用金属材料層105と
同じ材質にすることで、導体ポスト104と接合用金属
材料層105を同時形成することができ、加工工程を短
縮できる利点がある。接合用金属材料の材質について
は、後述する。
Next, conductive posts 104 for interlayer connection are formed in the vias 103 (FIG. 1B). Examples of the method for forming the conductor posts include a method such as electroless plating and / or electrolytic plating. Alternatively, the conductor foil may be formed by etching. As an example of forming the conductive foil by etching, a method of half-etching one side of the conductive foil in advance to form a conductive post, and then forming an interlayer insulating material (II) layer so as to cover the formed conductive post, etc. is there. The material of the conductor post 104 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method, and examples thereof include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Furthermore, by using copper, a conductor post 1 that is stable with low resistance can be obtained.
04 is obtained. Further, the conductor post 104 may be made of the same material as the bonding metal material layer 105 (FIG. 1C). By using the same material as the joining metal material layer 105 for the conductor post 104, the conductor post 104 and the joining metal material layer 105 can be formed simultaneously, and there is an advantage that the processing steps can be shortened. The material of the joining metal material will be described later.

【0041】次に、導体ポスト104上に接合用金属材
料層105を施す(図1(c))。接合用金属材料層1
05を形成する方法としては、電解めっき、無電解めっ
き、接合用金属材料ペーストを印刷する方法等が挙げら
れる。接合用金属材料の材質としては、図1(f)に示
す被接続層111と金属接合可能な金属であればどのよ
うなものでもよく、例えば、半田が挙げられる。半田の
中でも、SnやIn、もしくはSn、Ag、Cu、Z
n、Bi、Pd、Sb、Pb、In、Auの少なくとも
二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ま
しくは、環境に優しいPbフリー半田である。図1
(c)では、導体ポスト104の表面に接合用金属材料
層105を形成する例を示したが、接合用金属材料層1
05を形成する目的は、導体ポスト104と被接続層1
11のパッド106aとを接合させることであるため、
パッド106aに接合用金属材料層105を形成しても
構わない。もちろん、導体ポスト104とパッド106
aの両表面に形成しても構わない。
Next, a bonding metal material layer 105 is applied on the conductor posts 104 (FIG. 1C). Metallic material layer 1 for joining
Examples of the method of forming 05 include electrolytic plating, electroless plating, and a method of printing a bonding metal material paste. As a material of the joining metal material, any metal can be used as long as it can be joined to the connected layer 111 shown in FIG. Among solders, Sn and In, or Sn, Ag, Cu, Z
It is preferable to use solder composed of at least two kinds of n, Bi, Pd, Sb, Pb, In, and Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder. FIG.
In (c), the example in which the bonding metal material layer 105 is formed on the surface of the conductor post 104 has been described.
The purpose of forming the conductive layer 105 is to form the conductor post 104 and the layer 1 to be connected.
11 to be bonded to the pad 106a,
The bonding metal material layer 105 may be formed on the pad 106a. Of course, the conductor post 104 and the pad 106
a may be formed on both surfaces.

【0042】次に、半硬化状態の層間絶縁材(II)層1
01上の導体箔102に、層間接続用のパッド106を
有する配線パターン107を形成する(図1(d))。
配線パターン107を形成する方法は、導体箔102を
エッチングして形成する方法、もしくは、無電解銅めっ
きまたは/および電解銅めっき等のアディテブ工法で形
成しても良い。配線パターン107の材質としては、例
えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げ
られる。さらには、銅を用いることで、低抵抗で安定し
た配線パターン107が得られる。
Next, the semi-cured interlayer insulating material (II) layer 1
A wiring pattern 107 having a pad 106 for interlayer connection is formed on the conductor foil 102 on the substrate 01 (FIG. 1D).
The wiring pattern 107 may be formed by etching the conductive foil 102 or by an additive method such as electroless copper plating and / or electrolytic copper plating. Examples of the material of the wiring pattern 107 include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Furthermore, by using copper, a low-resistance and stable wiring pattern 107 can be obtained.

【0043】さらに、接合用金属材料層105が形成さ
れた面に金属接合接着剤(I)層108を形成して接続
層110を得る(図1(e))。金属接合接着剤(I)
層108の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で
良く、金属接合接着剤(I)ワニスを、印刷、カーテン
コート、バーコート等の方法で直接塗布したり、支持フ
ィルム付きドライフィルムの金属接合接着剤(I)層を
真空ラミネート、真空プレス等で形成する方法等があ
る。金属接合接着剤(I)層108の機能は、詳細には
後述の通りであるが、金属の表面清浄化機能と接着機能
の2つの機能である。前者は半田接合を実現するために
必要な機能であり、後者は層間絶縁材(II)層101と
被接続層111を接着するために必要な機能であり、両
者とも欠く事はできない。なお、図1(e)では、層間
絶縁材(II)層101の表面に金属接合接着剤(I)層
108を形成する例を示したが、被接続層111の表面
に金属接合接着剤(I)層108を形成しても構わな
い。もちろん、層間絶縁材(II)層101と被接続層1
11の両表面に形成しても構わない。
Further, a metal bonding adhesive (I) layer 108 is formed on the surface on which the bonding metal material layer 105 is formed to obtain a connection layer 110 (FIG. 1E). Metal bonding adhesive (I)
The layer 108 may be formed by a method suitable for the resin to be used. A metal bonding adhesive (I) varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or a dry film with a supporting film may be formed. There is a method of forming the metal bonding adhesive (I) layer by vacuum laminating, vacuum pressing or the like. Although the function of the metal bonding adhesive (I) layer 108 will be described later in detail, it has two functions of a metal surface cleaning function and a bonding function. The former is a function necessary for realizing solder bonding, and the latter is a function necessary for bonding the interlayer insulating material (II) layer 101 and the connected layer 111, and both are indispensable. Although FIG. 1E shows an example in which the metal bonding adhesive (I) layer 108 is formed on the surface of the interlayer insulating material (II) layer 101, the metal bonding adhesive ( I) The layer 108 may be formed. Of course, the interlayer insulating material (II) layer 101 and the connected layer 1
11 may be formed on both surfaces.

【0044】次に、上記で得た、接続層110と被接続
層111を位置合わせをする(図1(f))。位置合わ
せは、接続層110と被接続層111に、予め形成され
ている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り
位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わ
せする方法等を用いることができる。なお、図1(f)
では、被接続層111は、上記で得た接続層110と同
様の方法で得られたものを一例として示したが、硬質板
に回路形成したものであっても構わない。
Next, the connection layer 110 and the connected layer 111 obtained above are aligned (FIG. 1F). The alignment can be performed by a method of reading a positioning mark formed in advance on the connection layer 110 and the connected layer 111 with an image recognition device, a method of positioning with a positioning pin or the like, or the like. . FIG. 1 (f)
In the above, the connection layer 111 is shown as an example obtained by the same method as the connection layer 110 obtained above, but a circuit formed on a hard plate may be used.

【0045】次に、接続層110および被接続層111
とを積層する。積層方法としては、例えば、真空プレス
を用いて、導体ポスト104が、金属接合接着剤(I)
108層を介して、接合用金属材料層105により被接
続層111のパッド106aと接合するまで加熱・加圧
し、導体ポスト104とパッド106aを金属接合させ
る。引き続き、更に加熱して層間絶縁材(II)層101
と金属接合接着剤(I)層108を一体硬化させて、接
続層110と被接続層111とを接着する(図1
(g))。なお、最終的な加熱温度は、接合用金属材料
の融点以上であることが必須である。
Next, the connecting layer 110 and the connected layer 111
Are laminated. As a laminating method, for example, using a vacuum press, the conductor post 104 is made of a metal bonding adhesive (I).
The conductor post 104 and the pad 106a are metal-bonded via the 108 layer until the bonding metal material layer 105 is bonded to the pad 106a of the connected layer 111 by the bonding metal material layer 105. Subsequently, the interlayer insulating material (II) layer 101 is further heated.
And the metal bonding adhesive (I) layer 108 are integrally cured to bond the connection layer 110 and the layer to be connected 111 (FIG. 1).
(G)). It is essential that the final heating temperature is equal to or higher than the melting point of the joining metal material.

【0046】以上の工程により、各層の配線パターンと
導体ポストを接合用金属材料にて金属接合し、各層間を
金属接合接着剤(I)108と層間絶縁材(II)層10
1にて接着するとともに、層間絶縁材(II)層101に
よって確実に絶縁した多層配線板を製造することができ
る。
Through the above steps, the wiring pattern of each layer and the conductor post are metal-bonded with the metal material for bonding, and the metal bonding adhesive (I) 108 and the interlayer insulating material (II) layer 10
1 and a multilayer wiring board insulated reliably by the interlayer insulating material (II) layer 101 can be manufactured.

【0047】次に、図面を参照して本発明の第二の実施
形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限
定されるものではない。図2〜図4は、本発明の第二の
実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説明する
ための図で、図4(n)は得られる多層配線板の構造を
示す断面図である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. 2 to 4 are views for explaining an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 (n) is a cross-sectional view showing the structure of the obtained multilayer wiring board. It is.

【0048】本発明の第二の多層配線板の製造方法のと
しては、まず、金属板201上にパターニングされため
っきレジスト202を形成する(図2(a))。このめ
っきレジスト202は、例えば、金属板201上に紫外
線感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、ネ
ガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現像する
ことにより形成できる。金属板201の材質は、この製
造方法に適するものであればどのようなものでも良い
が、特に、使用される薬液に対して耐性を有するもので
あって、最終的にエッチングにより除去可能であること
が必要である。そのような金属板201の材質として
は、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル等が挙げ
られる。
As a second method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, first, a patterned plating resist 202 is formed on a metal plate 201 (FIG. 2A). The plating resist 202 can be formed by, for example, laminating an ultraviolet-sensitive dry film resist on the metal plate 201, selectively exposing the film using a negative film or the like, and then developing it. The material of the metal plate 201 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the material has resistance to a used chemical solution and can be finally removed by etching. It is necessary. Examples of the material of such a metal plate 201 include copper, copper alloy, 42 alloy, and nickel.

【0049】次に、金属板201を電解めっき用リード
(給電用電極)として、レジスト金属203を電解めっ
きにより形成する(図2(b))。この電解めっきによ
り、金属板201上のめっきレジスト202が形成され
ていない部分に、レジスト金属203が形成される。レ
ジスト金属203の材質は、この製造方法に適するもの
であればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金
属板201をエッチングにより除去する際に使用する薬
液に対して耐性を有することが必要である。レジスト金
属203の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、
銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト
金属203を形成する目的は、金属板201をエッチン
グする際に使用する薬液により、図2(c)に示す配線
パターン204が浸食・腐食されるのを防ぐことであ
る。したがって、金属板201をエッチングする際に使
用する薬液に対して、図2(c)に示す配線パターン2
04が耐性を有している場合は、このレジスト金属20
3は不要である。また、レジスト金属203は配線パタ
ーン204と同一のパターンである必要はなく、金属板
201上にめっきレジスト202を形成する前に、金属
板201の全面にレジスト金属203を形成しても良
い。
Next, a resist metal 203 is formed by electrolytic plating using the metal plate 201 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 2B). By this electrolytic plating, a resist metal 203 is formed on a portion of the metal plate 201 where the plating resist 202 is not formed. The material of the resist metal 203 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method. In particular, the material is resistant to a chemical used when the metal plate 201 is finally removed by etching. is necessary. As a material of the resist metal 203, for example, nickel, gold, tin,
Silver, solder, palladium and the like. The purpose of forming the resist metal 203 is to prevent the wiring pattern 204 shown in FIG. 2C from being eroded or corroded by a chemical used when etching the metal plate 201. Therefore, a chemical solution used when etching the metal plate 201 is applied to the wiring pattern 2 shown in FIG.
04 is resistant, the resist metal 20
3 is unnecessary. Further, the resist metal 203 does not need to be the same pattern as the wiring pattern 204, and the resist metal 203 may be formed on the entire surface of the metal plate 201 before forming the plating resist 202 on the metal plate 201.

【0050】次に、金属板201を電解めっき用リード
(給電用電極)として、配線パターン204を電解めっ
きにより形成する(図2(c))。この電解めっきによ
り、金属板201上のめっきレジスト202が形成され
ていない部分に、配線パターン204が形成される。配
線パターン204の材質としては、この製造方法に適す
るものであればどのようなものでも良いが、特に、最終
的にレジスト金属203をエッチングにより除去する際
に使用する薬液に対して耐性を有することが必要であ
る。実際は、配線パターン204が最終的に多層配線板
213の内部に存在するため、配線パターン204を浸
食・腐食しない薬液でエッチング可能なレジスト金属2
03を選定するのが得策である。配線パターン203の
材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パ
ラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いること
で、低抵抗で安定した配線パターン204が得られる。
Next, a wiring pattern 204 is formed by electrolytic plating using the metal plate 201 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 2C). By this electrolytic plating, a wiring pattern 204 is formed on a portion of the metal plate 201 where the plating resist 202 is not formed. As the material of the wiring pattern 204, any material may be used as long as it is suitable for this manufacturing method. is necessary. Actually, since the wiring pattern 204 is finally present inside the multilayer wiring board 213, the resist metal 2 that can be etched with a chemical solution that does not corrode or corrode the wiring pattern 204 is used.
It is a good idea to select 03. Examples of the material of the wiring pattern 203 include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Furthermore, by using copper, a low-resistance and stable wiring pattern 204 can be obtained.

【0051】次に、めっきレジスト202を除去し(図
2(d))、続いて、形成した配線パターン204上に
半硬化状態の層間絶縁材(II)層205を形成する(図
2(e))。半硬化状態の層間絶縁材(II)層205の
形成は、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコー
ト等の方法で直接塗布したり、支持フィルム付きドライ
フィルムの層間絶縁材(II)層を真空ラミネート、真空
プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。支持フィ
ルム付きドライフィルムには、さらに保護フィルム層が
形成されていても良い。特に、支持フィルム付きドライ
フィルムを用いた真空ラミネート方法では、真空中で層
間絶縁材(II)層を配線パターン204上に仮圧着後、
大気中で熱処理することにより配線パターン204の凹
凸を埋め込み、且つ平坦化可能である。最後に支持フィ
ルムを剥離すれば、層間絶縁材(II)層205が、配線
パターン204の凹凸に影響されることなく非常に平滑
な表面が得られる。また、予め、厚みが既知のドライフ
ィルムを使用することで、層間絶縁材(II)層の厚みを
確実に制御できる。層間絶縁材(II)層205の半硬化
状態は、使用する原料を予め前硬化する、もしくは、配
線パターン204上に形成した層間絶縁材(II)層を熱
処理により前硬化することで制御可能である。層間絶縁
材(II)層205は、半硬化状態であるため、図3
(i)に示す金属接合接着剤(I)層209と、一体硬
化することができ、層間絶縁材(II)層205と金属接
合接着剤(I)層209の界面の密着力と耐熱性が著し
く向上する。
Next, the plating resist 202 is removed (FIG. 2D), and then a semi-cured interlayer insulating material (II) layer 205 is formed on the formed wiring pattern 204 (FIG. 2E). )). The semi-cured interlayer insulating material (II) layer 205 is formed by directly applying a resin varnish by printing, curtain coating, bar coating, or the like, or by vacuum coating the interlayer insulating material (II) layer of a dry film with a support film. A method of laminating by a method such as lamination or vacuum pressing may be used. The dry film with a support film may further have a protective film layer formed thereon. In particular, in the vacuum laminating method using a dry film with a support film, the interlayer insulating material (II) layer is temporarily pressed on the wiring pattern 204 in a vacuum,
By performing a heat treatment in the air, the unevenness of the wiring pattern 204 can be embedded and planarized. Finally, if the support film is peeled off, an extremely smooth surface of the interlayer insulating material (II) layer 205 can be obtained without being affected by the unevenness of the wiring pattern 204. Further, by using a dry film having a known thickness in advance, the thickness of the interlayer insulating material (II) layer can be reliably controlled. The semi-cured state of the interlayer insulating material (II) layer 205 can be controlled by pre-curing the raw material to be used or by pre-curing the interlayer insulating material (II) layer formed on the wiring pattern 204 by heat treatment. is there. Since the interlayer insulating material (II) layer 205 is in a semi-cured state,
The adhesive strength and heat resistance at the interface between the interlayer insulating material (II) layer 205 and the metal bonding adhesive (I) layer 209 can be integrally cured with the metal bonding adhesive (I) layer 209 shown in (i). Significantly improved.

【0052】次に、形成した半硬化状態の層間絶縁材
(II)層205にビア206を形成する(図2
(f))。ビア206の形成方法は、この製造方法に適
する方法であればどのような方法でも良く、より好まし
くは、レーザー法である。
Next, a via 206 is formed in the formed semi-cured interlayer insulating material (II) layer 205 (FIG. 2).
(F)). The method of forming the via 206 may be any method as long as it is a method suitable for this manufacturing method, and is more preferably a laser method.

【0053】次に、金属板201を電解めっき用リード
(給電用電極)として、導体ポスト207を電解めっき
により形成する(図3(g))。この電解めっきによ
り、層間絶縁材(II)層205のビア206が形成され
ている部分に、導体ポスト207が形成される。電解め
っきにより導体ポスト207を形成すれば、導体ポスト
207の先端の形状を自由に制御することができる。導
体ポスト207の材質としては、この製造方法に適する
ものであればどのようなものでも良く、例えば、銅、ニ
ッケル、金、錫、銀、パラジウムが挙げられる。さらに
は、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト2
07が得られる。さらには、導体ポスト207は、接合
用金属材料層208と同じ材料であっても良い。導体ポ
スト207を接合用金属材料層208と同じ材質にする
ことで、導体ポスト207と接合用金属材料層208を
同時形成することができ、加工工程を短縮できる利点が
ある。接合用金属材料の材質については、後述する。
Next, the conductor post 207 is formed by electrolytic plating using the metal plate 201 as a lead (electrode for power supply) for electrolytic plating (FIG. 3 (g)). By this electrolytic plating, a conductor post 207 is formed in a portion of the interlayer insulating material (II) layer 205 where the via 206 is formed. If the conductor post 207 is formed by electrolytic plating, the shape of the tip of the conductor post 207 can be freely controlled. The material of the conductor post 207 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method, and examples thereof include copper, nickel, gold, tin, silver, and palladium. Further, by using copper, the conductor posts 2 having a low resistance and stability can be obtained.
07 is obtained. Further, the conductor post 207 may be made of the same material as the bonding metal material layer 208. By making the conductor post 207 the same material as the joining metal material layer 208, the conductor post 207 and the joining metal material layer 208 can be simultaneously formed, and there is an advantage that the processing steps can be shortened. The material of the joining metal material will be described later.

【0054】次に、導体ポスト207の表面(先端)
に、接合用金属材料層208を形成する(図3
(h))。接合用金属材料層208の形成方法として
は、無電解めっきにより形成する方法、金属板201を
電解めっき用リード(給電用電極)として電解めっきに
より形成する方法、接合用金属材料を含有するペースト
を印刷する方法が挙げられる。印刷による方法では、印
刷用マスクを導体ポスト207に対して精度良く位置合
せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる
方法では、導体ポスト207の表面以外に接合用金属材
料層208が形成されることがないため、導体ポスト2
07の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解
めっきによる方法では、無電解めっきによる方法より
も、めっき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管
理も容易であるため、非常に好適である。接合用金属材
料の材質としては、図3(j)に示す被接合部212と
金属接合可能な金属であればどのようなものでもよく、
例えば、半田が挙げられる。半田の中でも、SnやI
n、もしくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Pd、S
b、Pb、In、Auの少なくとも二種からなる半田を
使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優し
いPbフリー半田である。なお、図3(h)では、導体
ポスト207の表面に接合用金属材料層208を形成す
る例を示したが、接合用金属材料層208を形成する目
的は、導体ポスト207と被接合部212とを接合させ
ることであるため、被接合部212に接合用金属材料層
208を形成しても構わない。もちろん、導体ポスト2
07と被接合部212の両表面に形成しても構わない。
Next, the surface (tip) of the conductor post 207
Then, a bonding metal material layer 208 is formed (FIG. 3).
(H)). As a method for forming the bonding metal material layer 208, a method for forming the metal plate 201 by electroless plating, a method for forming the metal plate 201 as an electrolytic plating lead (electrode for power supply) by electrolytic plating, and a method for forming a paste containing the bonding metal material are used. There is a printing method. In the method by printing, it is necessary to accurately align the printing mask with the conductor post 207. In the method by electroless plating or electrolytic plating, the bonding metal material layer 208 is formed on the surface other than the surface of the conductor post 207. Conductor post 2
It is easy to cope with miniaturization and high density of 07. In particular, the method using electroplating is very suitable because the metal that can be plated is more diverse and the management of the chemical solution is easier than the method using electroless plating. As the material of the joining metal material, any metal can be used as long as it is a metal that can be joined to the joined portion 212 shown in FIG.
An example is solder. Among solders, Sn and I
n or Sn, Ag, Cu, Zn, Bi, Pd, S
It is preferable to use at least two kinds of solders of b, Pb, In, and Au. More preferably, it is an environment-friendly Pb-free solder. Although FIG. 3H shows an example in which the joining metal material layer 208 is formed on the surface of the conductor post 207, the purpose of forming the joining metal material layer 208 is to form Therefore, the bonding metal material layer 208 may be formed on the portion 212 to be bonded. Of course, conductor post 2
07 and both surfaces of the part 212 to be joined may be formed.

【0055】次に、層間絶縁材(II)層205の表面
(先端)に、金属接合接着剤(I)層209を形成する
(図3(i))。金属接合接着剤(I)層209の形成
は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、金属接合
接着剤(I)ワニスを印刷、カーテンコート、バーコー
ト等の方法で直接塗布したり、支持フィルム付きドライ
フィルムの金属接合接着剤(I)層209を真空ラミネ
ート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられ
る。金属接合接着剤(I)層209の機能は、詳細には
後述の通りであるが、金属の表面清浄化機能と接着機能
の2つの機能である。前者は半田接合を実現するために
必要な機能であり、後者は層間絶縁材(II)層205と
被接続層211を接着するために必要な機能であり、両
者とも欠く事はできない。なお、図3(i)では、層間
絶縁材(II)層205の表面に金属接合接着剤(I)層
209を形成する例を示したが、被接続層211の表面
に金属接合接着剤(I)層209を形成しても構わな
い。もちろん、層間絶縁材(II)層205被接続層21
1の両表面に形成しても構わない。
Next, a metal bonding adhesive (I) layer 209 is formed on the surface (tip) of the interlayer insulating material (II) layer 205 (FIG. 3 (i)). The method of forming the metal bonding adhesive (I) layer 209 may be any method suitable for the resin used, and the metal bonding adhesive (I) varnish may be directly applied by printing, curtain coating, bar coating, or the like, A method of laminating the metal bonding adhesive (I) layer 209 of the dry film with the support film by a method such as vacuum lamination or vacuum press is used. Although the function of the metal bonding adhesive (I) layer 209 will be described later in detail, it has two functions of a metal surface cleaning function and an adhesion function. The former is a function necessary for realizing solder bonding, and the latter is a function necessary for bonding the interlayer insulating material (II) layer 205 and the connected layer 211, and both are indispensable. Although FIG. 3 (i) shows an example in which the metal bonding adhesive (I) layer 209 is formed on the surface of the interlayer insulating material (II) layer 205, the metal bonding adhesive ( I) The layer 209 may be formed. Of course, the interlayer insulating material (II) layer 205
1 may be formed on both surfaces.

【0056】次に、上述の工程により得られた接続層2
10と被接続層211とを位置合わせをする(図3
(j))。位置合わせは、接続層210および被接続層
211に、予め形成されている位置決めマークを、画像
認識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わ
せ用のピン等で位置合わせする方法等を用いることがで
きる。なお、図3(j)では、被接続層211として、
図4(n)に示す多層配線板213にリジッド性を持た
せるために用いるFR−4等のコア基板を使用する例を
示したが、図2(d)に示す金属板201に配線パター
ン204を形成しただけのものを使用することもでき
る。さらには、図4(m)に示す多層配線板213の製
造途中のものを使用することもできる。
Next, the connection layer 2 obtained by the above steps
10 and the connection target layer 211 are aligned (FIG.
(J)). For the alignment, a method of reading and positioning a positioning mark formed in advance on the connection layer 210 and the connected layer 211 with an image recognition device, a method of positioning with a positioning pin or the like, or the like can be used. . In FIG. 3 (j), as the connected layer 211,
Although an example is shown in which a core substrate such as FR-4 used to impart rigidity to the multilayer wiring board 213 shown in FIG. 4N is used, the wiring pattern 204 is formed on the metal plate 201 shown in FIG. Can be used. Further, a multilayer wiring board 213 shown in FIG. 4 (m) which is being manufactured may be used.

【0057】次に、接続層210および被接続層211
とを積層する(図3(k))。積層方法としては、例え
ば、真空プレスを用いて、導体ポスト207が、金属接
合接着剤(I)層209を排除して、接合用金属材料層
208により被接合部212と接合するまで加熱・加圧
し、導体ポスト207と被接合部212とを金属接合さ
せる。引き続き、更に、加熱して層間絶縁材(II)層2
05と金属接合接着剤(I)層209を一体硬化させ
て、接合層210と被接合層211とを接着する。な
お、最終的な加熱温度は、接合用金属材料の融点以上で
あることが必須である。
Next, the connection layer 210 and the connected layer 211
Are laminated (FIG. 3 (k)). As a lamination method, for example, using a vacuum press, the conductor post 207 is heated and heated until it is joined to the portion 212 to be joined by the joining metal material layer 208 excluding the metal joining adhesive (I) layer 209. Then, the conductor post 207 and the portion to be joined 212 are metal-joined. Then, further heat the interlayer insulating material (II) layer 2
05 and the metal bonding adhesive (I) layer 209 are integrally cured to bond the bonding layer 210 and the layer 211 to be bonded. It is essential that the final heating temperature is equal to or higher than the melting point of the joining metal material.

【0058】次に、金属板201をエッチングにより除
去する(図4(l))。金属板201と配線パターン2
04との間にレジスト金属203が形成されており、そ
のレジスト金属203は、金属板201をエッチングに
より除去する際に使用する薬液に対して耐性を有してい
るため、金属板201をエッチングしてもレジスト金属
203が浸食・腐食されることがなく、結果的に配線パ
ターン204が浸食・腐食されることはない。金属板2
01の材質が銅、レジスト金属の材質がニッケル、錫ま
たは半田の場合、市販のアンモニア系エッチング液を使
用することができる。金属板201の材質が銅、レジス
ト金属の材質が金の場合、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅
溶液を含め、ほとんどのエッチング液を使用することが
できる。
Next, the metal plate 201 is removed by etching (FIG. 4 (l)). Metal plate 201 and wiring pattern 2
Since the resist metal 203 is formed between the resist metal 203 and the resist metal 203, the resist metal 203 is resistant to a chemical used when the metal plate 201 is removed by etching. However, the resist metal 203 is not eroded or corroded, and as a result, the wiring pattern 204 is not eroded or corroded. Metal plate 2
When the material of No. 01 is copper and the material of the resist metal is nickel, tin or solder, a commercially available ammonia-based etchant can be used. When the material of the metal plate 201 is copper and the material of the resist metal is gold, almost any etching solution can be used, including a ferric chloride solution and a cupric chloride solution.

【0059】次に、レジスト金属203をエッチングに
より除去する(図4(m))。配線パターン204は、
レジスト金属203をエッチングにより除去する際に使
用する薬液に対して耐性を有するため、配線パターン2
04は浸食・腐食されることはない。そのため、レジス
ト金属203が除去されることにより、配線パターン2
04が露出する。レジスト金属203は、必要に応じ
て、除去せずに残しても良い。配線パターン204の材
質が銅、レジスト金属の材質がニッケル、錫または半田
の場合、市販の半田・ニッケル剥離剤(例えば、三菱ガ
ス化学製・Pewtax:商品名)を使用することがで
きる。配線パターン204の材質が銅、レジスト金属2
03の材質が金の場合、配線パターン204を浸食・腐
食させることなく、レジスト金属203をエッチングす
ることは困難である。この場合には、レジスト金属20
3をエッチングする工程を省略しても良い。
Next, the resist metal 203 is removed by etching (FIG. 4 (m)). The wiring pattern 204
Since the resist metal 203 has resistance to a chemical solution used for removing by etching, the wiring pattern 2
04 is not eroded or corroded. Therefore, by removing the resist metal 203, the wiring pattern 2 is removed.
04 is exposed. The resist metal 203 may be left without being removed if necessary. When the material of the wiring pattern 204 is copper and the material of the resist metal is nickel, tin, or solder, a commercially available solder / nickel stripping agent (for example, Pegasx, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) can be used. The material of the wiring pattern 204 is copper, resist metal 2
When the material of 03 is gold, it is difficult to etch the resist metal 203 without eroding or corroding the wiring pattern 204. In this case, the resist metal 20
The step of etching 3 may be omitted.

【0060】最後に、上述の工程、すなわち図2(a)
〜図4(m)を繰り返して行うことにより、多層配線板
213を得る(図4(n))。すなわち、図4(m)に
示す多層配線板213の製造途中のものを被接続層とし
て、図2(j)に示す積層工程を行うことによりコア基
板の両面に接続層を形成し、さらに、これにより得られ
たものを被接続層として、図2(j)に示す積層工程を
行い、さらには、これらを繰り返すことにより、多層配
線板213を得ることができる。図4(n)は、コア基
板216の両面に各2層ずつ接続層を積層した多層配線
板213を示しており、多層配線板213の両表面に
は、ソルダーレジスト215が形成されている。ソルダ
ーレジスト215は、インナーパッド214aおよびア
ウターパッド214bの部分が開口されている。
Finally, the above-mentioned process, that is, FIG.
4 (m) is repeated to obtain a multilayer wiring board 213 (FIG. 4 (n)). That is, by using the one in the process of manufacturing the multilayer wiring board 213 shown in FIG. 4 (m) as a connected layer and performing the laminating step shown in FIG. 2 (j), connection layers are formed on both sides of the core substrate. The obtained layer is used as a connected layer to perform the laminating step shown in FIG. 2 (j), and by repeating these steps, a multilayer wiring board 213 can be obtained. FIG. 4 (n) shows a multilayer wiring board 213 in which two connection layers are laminated on both sides of the core substrate 216. Solder resists 215 are formed on both surfaces of the multilayer wiring board 213. The solder resist 215 has openings at the inner pad 214a and the outer pad 214b.

【0061】以上の工程により、各層の配線パターン2
04と導体ポスト207とを接合用金属材料層208に
て金属接合し、半硬化状態の層間絶縁材(II)層205
と金属接合接着剤(I)層209を一体硬化して各層間
を接着した多層配線板を製造することができる。
By the above steps, the wiring pattern 2 of each layer
04 and the conductor post 207 are metal-bonded with a metal material layer 208 for bonding, and a semi-cured interlayer insulating material (II) layer 205 is formed.
And the metal bonding adhesive (I) layer 209 are integrally cured to produce a multilayer wiring board in which the respective layers are bonded.

【0062】次に、本発明の第三の実施形態である多層
配線板の製造方法を説明する。第三の実施形態である多
層配線板の製造方法としては、図2(a)〜図3(h)
の工程までは、第二の実施形態である多層配線板の製造
方法と同じである。次に、図3(h)の接合用金属材料
層208の表面(先端)に、金属接合接着剤(I)層2
09’を接合用金属材料層208を覆うように、部分的
に形成する(図5(i’))。金属接合接着剤(I)層
209’の形成領域は、少なくとも接合用金属材料層2
08を覆うことができれば良く、形成面積は特に制限さ
れない。なお、図5(i’)では、接合用金属材料層2
08の表面に金属接合接着剤(I)層209’を部分的
に形成する例を示したが、被接合部212の表面に金属
接合接着剤(I)層209’を部分的に形成しても構わ
ない。もちろん、接合用金属材料層208と被接合部層
212の両表面に部分的に形成しても構わない。金属接
合接着剤(I)層209’の形成は、使用する樹脂に応
じて適した方法で良く、金属接合接着剤(I)ワニスを
印刷したり、感光性の金属接合接着剤(I)を用い、イ
メージングして形成しても良い。金属接合接着剤(I)
層209’の機能は、詳細には後述の通りであるが、金
属の表面清浄化機能と接着機能の2機能である。以降の
工程は、層間絶縁材(II)層205により、接続層21
0と被接続層211を接着する以外は、第二の実施形態
である多層配線板の製造方法と同じである。第三の実施
形態である多層配線板の製造方法は、第二の実施形態で
ある多層配線板の製造方法と比較して、高い接着強度と
優れた物性を有する層間絶縁材(II)層により、接続層
210と被接続層211の接着を行うため、より信頼性
の高い多層配線板を得ることができる。
Next, a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a third embodiment of the present invention will be described. FIGS. 2A to 3H show a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the third embodiment.
The steps up to this step are the same as the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the second embodiment. Next, a metal bonding adhesive (I) layer 2 is formed on the surface (tip) of the bonding metal material layer 208 in FIG.
09 ′ is partially formed so as to cover the bonding metal material layer 208 (FIG. 5 (i ′)). The region where the metal bonding adhesive (I) layer 209 ′ is formed is at least the bonding metal material layer 2.
08 may be covered, and the formation area is not particularly limited. In FIG. 5 (i ′), the bonding metal material layer 2
Although the example in which the metal bonding adhesive (I) layer 209 ′ is partially formed on the surface of the substrate 08 is shown, the metal bonding adhesive (I) layer 209 ′ is partially formed on the surface of the portion 212 to be bonded. No problem. Of course, it may be formed partially on both surfaces of the joining metal material layer 208 and the joined layer 212. The metal bonding adhesive (I) layer 209 ′ may be formed by a method suitable for the resin used, such as printing a metal bonding adhesive (I) varnish or applying a photosensitive metal bonding adhesive (I). It may be used and formed by imaging. Metal bonding adhesive (I)
The function of the layer 209 'will be described later in detail, but it has two functions of a metal surface cleaning function and a bonding function. In the subsequent steps, the connection layer 21 is formed by the interlayer insulating material (II) layer 205.
This is the same as the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the second embodiment, except that the connection layer 211 is bonded to the connection layer 211. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the third embodiment is different from the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the second embodiment in that an interlayer insulating material (II) layer having high adhesive strength and excellent physical properties is provided. In addition, since the connection layer 210 and the connection target layer 211 are bonded, a more reliable multilayer wiring board can be obtained.

【0063】なお、上述の工程により得られた多層配線
板213のインナーパッド214a側に半導体チップ3
02を搭載し、アウターパッド214b側に半田ボール
を搭載することにより、半導体装置301を得ることが
できる(図6)。
The semiconductor chip 3 is placed on the inner pad 214a side of the multilayer wiring board 213 obtained by the above-described steps.
The semiconductor device 301 can be obtained by mounting No. 02 and mounting a solder ball on the outer pad 214b side (FIG. 6).

【0064】次に、本発明の第四の多層配線板の製造方
法について説明する。第四の多層配線板の製造方法は、
図2(a)〜図3(i)の工程までは、第二の多層配線
板の製造方法と同じである。次に、図3(i)で得られ
た接続層210の金属板201をエッチングして除去し
(図7(j))、さらに、レジスト金属層203をエッ
チングして除去する(図7(k))。配線パターン20
4の材質が銅、レジスト金属層203の材質が金の場
合、配線パターン204を浸食・腐食させることなく、
レジスト金属層203をエッチングすることは困難であ
る。この場合には、レジスト金属層203をエッチング
する工程を省略しても良い。
Next, a method for manufacturing the fourth multilayer wiring board of the present invention will be described. The method for manufacturing the fourth multilayer wiring board is as follows.
The steps from FIG. 2A to FIG. 3I are the same as the method for manufacturing the second multilayer wiring board. Next, the metal plate 201 of the connection layer 210 obtained in FIG. 3I is removed by etching (FIG. 7J), and the resist metal layer 203 is further removed by etching (FIG. 7K )). Wiring pattern 20
When the material of No. 4 is copper and the material of the resist metal layer 203 is gold, the wiring pattern 204 is not eroded or corroded,
It is difficult to etch the resist metal layer 203. In this case, the step of etching the resist metal layer 203 may be omitted.

【0065】なお、上述の製造方法では、金属接合接着
剤(I)層209を形成した後に、金属板201および
レジスト金属層203をエッチングして除去して、接続
層210aを得る例を示したが、金属板201およびレ
ジスト金属層203をエッチングして除去した後に、金
属接合接着剤(I)層209を形成しても良い。また、
図3(i)では、金属接合接着剤(I)層209を層間
絶縁材(II)層205の表面に形成する例を示したが、
金属板201およびレジスト金属層203をエッチング
して除去した後、露出した配線パターン204側に金属
接合接着剤(I)層209を形成しても構わない。
In the above-described manufacturing method, the connection layer 210a is obtained by forming the metal bonding adhesive (I) layer 209 and then removing the metal plate 201 and the resist metal layer 203 by etching. However, after the metal plate 201 and the resist metal layer 203 are removed by etching, the metal bonding adhesive (I) layer 209 may be formed. Also,
FIG. 3 (i) shows an example in which the metal bonding adhesive (I) layer 209 is formed on the surface of the interlayer insulating material (II) layer 205.
After the metal plate 201 and the resist metal layer 203 are removed by etching, a metal bonding adhesive (I) layer 209 may be formed on the exposed wiring pattern 204 side.

【0066】続いて、上述の工程により得られた接続層
210aおよび同様な工程により得られた接続層210
b〜210dと、被接続層211aとを位置合わせする
(図7(l))。位置合わせは、接続層210a〜21
0dおよび被接続層211aに予め形成されている位置
決めマークを、画像認識装置により読み取り位置合わせ
する方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法
等を用いることができる。なお、図7(l)では、被接
続層211aとして、図7(m)に示す多層配線板21
2aにリジッド性を持たせるために用いるFR−4等の
コア基板を使用する例を示したが、図1(d)に示す金
属板201に配線パターン204を形成しただけのもの
を使用して、その片側のみに接続層を積層しても構わな
い。
Subsequently, the connection layer 210a obtained by the above-described steps and the connection layer 210 obtained by the same steps
Positions b to 210d and the connected layer 211a are aligned (FIG. 7 (l)). The alignment is performed by using the connection layers 210a to 21a.
A method of reading and positioning the positioning marks formed in advance on the 0d and the connected layer 211a with an image recognition device, a method of positioning with a positioning pin or the like, or the like can be used. In FIG. 7L, the multilayer wiring board 21 shown in FIG.
Although an example is shown in which a core substrate such as FR-4 used for giving rigidity to 2a is used, a metal substrate 201 having only a wiring pattern 204 formed thereon as shown in FIG. Alternatively, a connection layer may be laminated only on one side.

【0067】最後に、接続層210a〜210dおよび
被接続層211aを一括して加熱・加圧して、全層の接
合用金属材料層208を一括して溶融させて層間接続を
行い、多層配線板212aを得る(図7(m))。加熱
・加圧する方法としては、例えば真空プレスを用いて、
導体ポスト207が金属接合接着剤(I)層209を排
除して、相対する配線パターンと接合用金属材料により
接合するまで加熱・加圧し、引き続き、更に加熱して、
層間絶縁材(II)層205と金属接合接着剤(I)層2
09を一体硬化させて、接続層210a〜210dと被
接続層211aとを接着する。なお、最終的な加熱温度
は、接合用金属材料の融点以上であることが必須であ
る。
Finally, the connection layers 210a to 210d and the connected layer 211a are collectively heated and pressurized to melt all the bonding metal material layers 208 at a time to perform interlayer connection. 212a is obtained (FIG. 7 (m)). As a method of heating and pressurizing, for example, using a vacuum press,
The conductor post 207 is heated and pressurized until the metal bonding adhesive (I) layer 209 is removed by joining the opposing wiring pattern and the bonding metal material, and then further heated.
Interlayer insulating material (II) layer 205 and metal bonding adhesive (I) layer 2
09 is integrally cured, and the connection layers 210a to 210d are bonded to the connection target layer 211a. It is essential that the final heating temperature is equal to or higher than the melting point of the joining metal material.

【0068】なお、図7(l)において、最外層に重ね
合わされた接続層210c、210dの金属板をエッチ
ングせず残しておき、加熱・加圧後に金属板をエッチン
グして除去しても構わない。最外層の金属板を残してお
くことにより、最外層の配線パターンが露出せず、加熱
・加圧の工程で配線パターンが損傷するということを回
避するすることができる。また、図3(i)において、
金属接合接着剤(I)層を接合用金属材料層を覆うよう
に部分的に形成しても良い。
In FIG. 7 (l), the metal plate of the connection layers 210c and 210d superimposed on the outermost layer may be left without being etched, and the metal plate may be etched and removed after heating and pressing. Absent. By leaving the metal plate of the outermost layer, it is possible to avoid that the wiring pattern of the outermost layer is not exposed and the wiring pattern is damaged in the heating / pressing process. In FIG. 3 (i),
The metal bonding adhesive (I) layer may be partially formed so as to cover the bonding metal material layer.

【0069】以上の工程により、各層の配線パターンと
導体ポストとを接合用金属材料にて金属接合し、各層間
を層間絶縁材(II)層と金属接合接着剤(I)層を一体
硬化させて接着した多層配線板を製造することができ
る。
According to the above steps, the wiring pattern of each layer and the conductor post are metal-bonded with the bonding metal material, and the interlayer insulating material (II) layer and the metal bonding adhesive (I) layer are integrally cured between the respective layers. Thus, a multilayer wiring board bonded by bonding can be manufactured.

【0070】本発明による第一〜第四の実施形態である
多層配線板の製造方法の最大の特徴は、次に示す5点で
ある。 (1)半硬化状態の層間絶縁材(II)層205と金属接
合接着剤(I)層209を一体硬化することによって、
層間絶縁材(II)層205と金属接合接着剤(I)層2
09の界面の密着力と耐熱性が著しく向上する。 (2)絶縁層を研磨する必要が無く、絶縁層を安定した
厚みに形成することができる。 (3)第三と第四の実施形態である多層配線板の製造方
法において、配線パターン204と導体ポストを電解め
っきにより形成することができる。 (4)第三と第四の実施形態である多層配線板の製造方
法において、最終的には除去する金属板201を電解め
っき用リードとして使用するため、配線パターン204
に特別な電解めっき用リードを設けたり、配線パターン
204を形成後に無電解めっきやスパッタリングで電解
めっき用リードを形成する必要が無い。 (5)第四の実施形態である多層配線板の製造方法にお
いて、加熱・加圧が1回だけであるため、各層毎に加熱
・加圧を行う方法と比較して、製造時間の大幅な短縮が
達成できる。
The most significant features of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the first to fourth embodiments of the present invention are the following five points. (1) By integrally curing the semi-cured interlayer insulating material (II) layer 205 and the metal bonding adhesive (I) layer 209,
Interlayer insulating material (II) layer 205 and metal bonding adhesive (I) layer 2
The adhesion and heat resistance at the interface of No. 09 are remarkably improved. (2) There is no need to polish the insulating layer, and the insulating layer can be formed to a stable thickness. (3) In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the third and fourth embodiments, the wiring pattern 204 and the conductor posts can be formed by electrolytic plating. (4) In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the third and fourth embodiments, since the metal plate 201 to be finally removed is used as a lead for electrolytic plating, the wiring pattern 204
It is not necessary to provide a special lead for electrolytic plating or to form a lead for electrolytic plating by electroless plating or sputtering after forming the wiring pattern 204. (5) In the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the fourth embodiment, since heating and pressing are performed only once, the manufacturing time is significantly longer as compared with the method of performing heating and pressing for each layer. Shortening can be achieved.

【0071】本発明に用いる金属接合接着剤(I)は、
表面清浄化機能を有し、且つ絶縁信頼性の高い接着剤で
あることが好ましい。表面清浄化機能としては、例え
ば、接合用金属材料層表面や被接続金属表面に存在する
酸化膜の除去機能や、酸化膜の還元機能である。この金
属接合接着剤(I)の表面清浄化機能により、接合用金
属材料層と接続するための表面との濡れ性が十分に高ま
る。そのため、金属接合接着剤(I)は、金属表面を清
浄化するために、接合用金属材料層と接続するための表
面とに、必ず、接触している必要がある。両表面を清浄
化することで、接合用金属材料層が、被接合表面に対し
て濡れ拡がろうとする力が働き、その接合用金属材料層
の濡れ拡がりの力により、金属接合部における金属接合
接着剤(I)が排除される。これより、金属接合接着剤
(I)を用いた金属接合には、樹脂残りが発生しにく
く、且つその電気的接続信頼性は高いものとなる。
The metal bonding adhesive (I) used in the present invention is:
It is preferable that the adhesive has a surface cleaning function and high insulation reliability. The surface cleaning function includes, for example, a function of removing an oxide film present on the surface of the bonding metal material layer and the surface of the metal to be connected, and a function of reducing the oxide film. By the surface cleaning function of the metal bonding adhesive (I), the wettability with the surface for connection with the bonding metal material layer is sufficiently increased. Therefore, in order to clean the metal surface, the metal bonding adhesive (I) must always be in contact with the surface to be connected to the bonding metal material layer. By cleaning both surfaces, the force of the joining metal material layer to wet and spread on the surface to be joined works, and the force of the wetting and spreading of the joining metal material layer causes the metal joining at the metal joining portion. Adhesive (I) is eliminated. As a result, in metal bonding using the metal bonding adhesive (I), resin residue hardly occurs, and the electrical connection reliability is high.

【0072】本発明に用いる第1の好ましい金属接合接
着剤(I)は、少なくとも1つ以上のフェノール性水酸
基を有する樹脂(A)と、その硬化剤として作用する樹
脂(B)とを必須成分としており、フェノール性水酸基
を有する樹脂(A)の、フェノール性水酸基は、その表
面清浄化機能により、接合用金属材料層および金属表面
の酸化物などの汚れの除去あるいは、酸化物を還元し、
金属接合のフラックスとして作用する。更に、その硬化
剤として作用する樹脂(B)により、良好な硬化物を得
ることができるため、金属接合後の洗浄除去が必要な
く、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強
度、信頼性の高い金属接合を可能とする。
The first preferred metal bonding adhesive (I) used in the present invention comprises a resin (A) having at least one or more phenolic hydroxyl groups and a resin (B) acting as a curing agent for the resin (A). The phenolic hydroxyl group of the resin (A) having a phenolic hydroxyl group removes dirt such as oxide on the bonding metal material layer and the metal surface or reduces the oxide by its surface cleaning function,
Acts as a flux for metal bonding. Further, since a good cured product can be obtained by the resin (B) acting as a curing agent, cleaning and removal after metal bonding is not required, and electrical insulation is maintained even in a high-temperature and high-humidity atmosphere. Enables highly reliable metal bonding.

【0073】本発明において第1の好ましい金属接合接
着剤(I)に用いる、少なくとも1つ以上のフェノール
性水酸基を有する樹脂(A)としては、フェノールノボ
ラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾ
ール樹脂、クレゾールノボラック樹脂および、ポリビニ
ルフェノール樹脂から選ばれるのが好ましく、これらの
1種以上を用いることができる。
The resin (A) having at least one phenolic hydroxyl group used in the first preferred metal bonding adhesive (I) in the present invention includes a phenol novolak resin, an alkylphenol novolak resin, a resole resin, and a cresol novolak. It is preferably selected from a resin and a polyvinylphenol resin, and one or more of these can be used.

【0074】本発明において第1の好ましい金属接着剤
に用いる、フェノール性水酸基を有する樹脂(A)の、
硬化剤として作用する樹脂(B)としては、エポキシ樹
脂やイソシアネート樹脂などが用いられる。具体的には
いずれも、ビスフェノール系、フェノールノボラック
系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール
系、ナフトール系やレソルシノール系などのフェノール
ベースのものや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族な
どの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイ
ソシアネート化合物が挙げられる。
The resin (A) having a phenolic hydroxyl group used for the first preferred metal adhesive in the present invention comprises:
As the resin (B) acting as a curing agent, an epoxy resin, an isocyanate resin, or the like is used. Specifically, all of them are based on phenols such as bisphenols, phenol novolaks, alkylphenol novolaks, biphenols, naphthols and resorcinols, and skeletons such as aliphatic, cycloaliphatic and unsaturated aliphatic. Examples thereof include modified epoxy compounds and isocyanate compounds.

【0075】本発明において第1の好ましい金属接合接
着剤(I)に用いる、フェノール性水酸基を有する樹脂
(A)は、接着剤(I)中に、好ましい下限の割合が2
0wt%で、好ましい上限の割合が80wt%で含ま
れ、更に好ましい上限値は、60wt%である。前記下
限値未満であると、金属表面を清浄化する作用が低下す
る恐れがある。また、前記上限値より多いと、十分な硬
化物が得られなくなる恐れがあり、その場合、接合強度
と信頼性が低下する。一方、硬化剤として作用する樹脂
(B)は、接着剤(I)中に、20wt%以上80wt
%以下で含まれることが好ましい。また、金属接合接着
剤(I)に用いる樹脂に、着色料や、硬化触媒、無機充
填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添加しても良
い。
The resin (A) having a phenolic hydroxyl group used in the first preferred metal bonding adhesive (I) in the present invention has a preferable lower limit of 2% in the adhesive (I).
At 0 wt%, a preferred upper limit is included at 80 wt%, and a more preferred upper limit is 60 wt%. If it is less than the lower limit, the effect of cleaning the metal surface may be reduced. On the other hand, if it is more than the upper limit, a sufficient cured product may not be obtained, in which case the bonding strength and reliability are reduced. On the other hand, the resin (B) acting as a curing agent contains 20 wt% or more and 80 wt% in the adhesive (I).
% Is preferable. Further, a colorant, a curing catalyst, an inorganic filler, various coupling agents, a solvent, and the like may be added to the resin used for the metal bonding adhesive (I).

【0076】本発明に用いる第2の好ましい金属接合接
着剤(I)は、エポキシ樹脂(C)と、イミダゾール環
を有し且つエポキシ樹脂(C)の硬化剤として作用する
化合物(D)とを、必須成分としており、化合物(D)
のイミダゾール環は、三級アミンの不対電子に起因する
表面清浄化機能により、接合用金属材料層および金属表
面の酸化物などの汚れの除去あるいは、酸化膜を還元
し、金属接合のフラックスとして作用する。更に、イミ
ダゾール環は、エポキシ樹脂(C)をアニオン重合する
際の硬化剤としても作用するため、良好な硬化物を得る
ことができ、半田接合後の洗浄除去が必要なく、高温、
多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性
の高い金属接合を可能とする。
The second preferred metal bonding adhesive (I) used in the present invention comprises an epoxy resin (C) and a compound (D) having an imidazole ring and acting as a curing agent for the epoxy resin (C). , As an essential component, compound (D)
The imidazole ring has a surface cleaning function caused by the unpaired electrons of the tertiary amine, which removes dirt such as oxide on the bonding metal material layer and the metal surface, or reduces the oxide film to form a metal bonding flux. Works. Furthermore, since the imidazole ring also acts as a curing agent when anionically polymerizing the epoxy resin (C), it is possible to obtain a good cured product, and it is not necessary to wash and remove the solder after soldering.
It maintains electrical insulation even in a humid atmosphere, and enables metal bonding with high bonding strength and high reliability.

【0077】本発明において第2の好ましい金属接合接
着剤(I)に用いる化合物(D)の添加量は、好ましい
下限の割合が1wt%で、好ましい上限の割合が10w
t%であり、より好ましい上限値としては5wt%であ
る。化合物(D)の添加量が前記下限値未満では表面清
浄化機能が低下する恐れがあるか、また、エポキシ樹脂
(C)を充分に硬化させることができなくなる恐れがあ
る。また、化合物(D)の添加量が前記上限値より多い
場合は、硬化反応が急激に進行し、金属接合時における
金属接合接着剤(I)層の流動性が低下し、金属接合を
阻害する恐れがある。さらに、得られる硬化物が脆くな
り、十分な強度の金属接合部が得られなくない場合があ
る。
In the present invention, the addition amount of the compound (D) used for the second preferable metal bonding adhesive (I) is such that the lower limit is preferably 1 wt% and the upper limit is preferably 10 w%.
t%, and a more preferable upper limit is 5 wt%. If the amount of the compound (D) is less than the lower limit, the surface cleaning function may be reduced, or the epoxy resin (C) may not be sufficiently cured. If the amount of the compound (D) is larger than the above upper limit, the curing reaction proceeds rapidly, the fluidity of the metal bonding adhesive (I) layer at the time of metal bonding is reduced, and metal bonding is inhibited. There is fear. Furthermore, the obtained cured product may become brittle, and a metal joint having sufficient strength may not be obtained.

【0078】本発明において第2の好ましい金属接合接
着剤(I)で、化合物(D)と組合わせて用いるエポキ
シ樹脂(C)としては、ビスフェノール系、フェノール
ノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフ
ェノール系、ナフトール系やレソルシノール系などの、
フェノールベースのエポキシ樹脂や、脂肪族、環状脂肪
族や不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性された
エポキシ化合物が挙げられる。
In the present invention, the epoxy resin (C) used in combination with the compound (D) in the second preferred metal bonding adhesive (I) includes bisphenol, phenol novolak, alkylphenol novolak, biphenol, and the like. Such as naphthol and resorcinol,
Examples include phenol-based epoxy resins and epoxy compounds modified based on a skeleton of an aliphatic, cycloaliphatic or unsaturated aliphatic.

【0079】本発明において第2の好ましい金属接合接
着剤(I)で用いるイミダゾール環を有し且つエポキシ
樹脂(C)の硬化剤として作用する化合物(D)として
は、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−ウン
デシルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダ
ゾール、ビス(2−エチル−4−メチル−イミダゾー
ル)、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチ
ルイミダゾール、2−フェニル−4、5−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−
4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチ
ルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミ
ダゾール、あるいはトリアジン付加型イミダゾール等が
挙げられる。また、これらをエポキシアダクト化したも
のや、マイクロカプセル化したものも使用できる。これ
らは単独で使用しても2種類以上を併用しても良い。
The compound (D) having an imidazole ring and acting as a curing agent for the epoxy resin (C) used in the second preferred metal bonding adhesive (I) in the present invention includes imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, bis (2-ethyl-4-methyl-imidazole) 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-
Examples thereof include 4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and triazine-added imidazole. In addition, epoxy adducts or microencapsulated ones of these can also be used. These may be used alone or in combination of two or more.

【0080】本発明において第2の好ましい金属接合接
着剤(I)に用いるエポキシ樹脂(C)の配合量は、金
属接合接着剤(I)全体に対して、好ましい下限の割合
が30wt%で、好ましい上限の割合が99wt%であ
り、前記下限値未満であると、十分な硬化物が得られな
くなる恐れがある。エポキシ樹脂(C)とその硬化剤と
して作用する化合物(D)以外の成分としては、金属接
合接着剤(I)に用いる樹脂に、シアネート樹脂、アク
リル酸樹脂、メタクリル酸樹脂、マレイミド樹脂等の熱
硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を配合しても良い。また、金
属接合接着剤(I)に用いる樹脂に、着色料や、硬化触
媒、無機充填材、各種のカップリング剤、溶媒などを添
加しても良い。
In the present invention, the blending amount of the epoxy resin (C) used for the second preferable metal bonding adhesive (I) is such that a preferable lower limit is 30 wt% with respect to the whole metal bonding adhesive (I). A preferable upper limit is 99 wt%, and if it is less than the lower limit, a sufficient cured product may not be obtained. Components other than the epoxy resin (C) and the compound (D) acting as a curing agent thereof include, for example, resins used for the metal bonding adhesive (I), such as a cyanate resin, an acrylic resin, a methacrylic resin, and a maleimide resin. A curable resin or a thermoplastic resin may be blended. Further, a colorant, a curing catalyst, an inorganic filler, various coupling agents, a solvent, and the like may be added to the resin used for the metal bonding adhesive (I).

【0081】金属接合接着剤(I)の調製方法は、例え
ば、固形のフェノール性水酸基を有する樹脂(A)と固
形の硬化剤として作用する樹脂(B)を溶媒に溶解して
調製する方法、固形のフェノール性水酸基を有する樹脂
(A)を液状の硬化剤として作用する樹脂(B)に溶解
して調製する方法、固形の硬化剤として作用する樹脂
(B)を液状のフェノール性水酸基を有する樹脂(A)
に溶解して調製する方法、固形のエポキシ樹脂(C)を
溶媒に溶解した溶液に、イミダゾール環を有し且つエポ
キシ樹脂(C)の硬化剤として作用する化合物(D)を
分散もしくは溶解する方法、液状のエポキシ樹脂(C)
にイミダゾール環を有し且つエポキシ樹脂(C)の硬化
剤として作用する化合物(D)を分散もしくは溶解する
方法等が挙げられる。使用する溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、トルエン、メシチレン、キシレン、ヘ
キサン、イソブタノール、n−ブタノール、1−メトキ
シ,2−プロパノールアセテート、ブチルセルソルブ、
エチルセルソルブ、メチルセルソルブ、セルソルブアセ
テート、乳酸エチル、酢酸エチル、フタル酸ジメチル、
フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、ジエチレングリ
コール、安息香酸−n−ブチル、N−メチルピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラ
ン、γ−ブチルラクトン、アニソール等が挙げられる。
好ましくは、沸点が200℃以下の溶媒である。
The method of preparing the metal bonding adhesive (I) is, for example, a method of dissolving a resin (A) having a solid phenolic hydroxyl group and a resin (B) acting as a solid curing agent in a solvent, A method in which a resin (A) having a solid phenolic hydroxyl group is dissolved and prepared in a resin (B) acting as a liquid curing agent, and the resin (B) acting as a solid curing agent has a liquid phenolic hydroxyl group. Resin (A)
And a method of dispersing or dissolving a compound (D) having an imidazole ring and acting as a curing agent for the epoxy resin (C) in a solution of the solid epoxy resin (C) dissolved in a solvent. , Liquid epoxy resin (C)
A method of dispersing or dissolving a compound (D) having an imidazole ring and acting as a curing agent for the epoxy resin (C). As a solvent to be used, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, toluene, mesitylene, xylene, hexane, isobutanol, n-butanol, 1-methoxy, 2-propanol acetate, butyl cellosolve,
Ethyl cellosolve, methyl cellosolve, cellosolve acetate, ethyl lactate, ethyl acetate, dimethyl phthalate,
Examples thereof include diethyl phthalate, dibutyl phthalate, diethylene glycol, n-butyl benzoate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, γ-butyl lactone, and anisole.
Preferably, the solvent has a boiling point of 200 ° C. or lower.

【0082】本発明に用いる層間絶縁材(II)には、熱
可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれでも使用できる。
熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサル
フィド、ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾ
オキサゾール、ポリベンゾイミダゾールなどが使用でき
る。熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ビ
スマレイミド、ビスマレイミド・トリアジン、トリアゾ
ール、シアネート、イソシアネート、ベンゾシクロブテ
ン、などが使用できる。これらの樹脂は単独で使用して
もよく、複数を混合して使用しても良い。さらに、シリ
カフィラー等の無機フィラー、レベリング剤、カップリ
ング剤、消泡剤、硬化触媒等を添加しても良い。
As the interlayer insulating material (II) used in the present invention, any of a thermoplastic resin and a thermosetting resin can be used.
As the thermoplastic resin, polyamide, polyimide, polyamide imide, polyether imide, polyester imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyquinoline, polynorbornene, polybenzoxazole, polybenzimidazole and the like can be used. Epoxy, phenol, bismaleimide, bismaleimide triazine, triazole, cyanate, isocyanate, benzocyclobutene, and the like can be used as the thermosetting resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an inorganic filler such as a silica filler, a leveling agent, a coupling agent, an antifoaming agent, a curing catalyst, and the like may be added.

【0083】また、前記層間絶縁材(II)に熱硬化性樹
脂を使用する場合、金属接合接着剤(I)層を硬化させ
る時に、層間絶縁材(II)層も同時に硬化させることに
よって、金属接合接着剤(I)層と層間絶縁材(II)層
の界面の密着力が高く、信頼性が著しく向上する。
In the case where a thermosetting resin is used for the interlayer insulating material (II), when the metal bonding adhesive (I) layer is hardened, the interlayer insulating material (II) layer is hardened at the same time. The adhesion at the interface between the bonding adhesive (I) layer and the interlayer insulating material (II) layer is high, and the reliability is significantly improved.

【0084】本発明に用いる好ましい層間絶縁材(II)
としては、前記熱硬化性樹脂の内、シアネート樹脂と、
熱可塑性樹脂とを必須成分としてなる絶縁材が挙げられ
る。シアネート樹脂は、接着性、成形性(低温加工
性)、耐熱性、高温下の信頼性、電気特性を有してお
り、熱可塑性樹脂は、靱性、可撓性、接着性に優れてお
り、両成分を必須成分とすることでバランスのとれた材
料になる。シアネート樹脂と熱可塑性樹脂との配合量と
しては、シアネート樹脂100重量部に対して、熱可塑
性樹脂が、好ましい下限が10重量部で、好ましい上限
が300重量部の範囲で有り、より好ましくは、熱可塑
性樹脂の配合量の下限が15重量部で、上限が200重
量部であり、更に好ましくは、下限が20重量部で、上
限が100重量部である。熱可塑性樹脂の配合量が前記
下限値より少ない場合は、層間絶縁材(II)の靱性、可
撓性がなくなる恐れがあり、前記上限値より多い場合、
成形性(低温加工性)が低下する恐れがある。
Preferred interlayer insulating material (II) used in the present invention
As, among the thermosetting resins, a cyanate resin,
An insulating material containing a thermoplastic resin as an essential component is exemplified. Cyanate resin has adhesiveness, moldability (low-temperature processability), heat resistance, reliability under high temperature, and electrical characteristics. Thermoplastic resin has excellent toughness, flexibility, and adhesiveness. By using both components as essential components, a balanced material is obtained. As the blending amount of the cyanate resin and the thermoplastic resin, with respect to 100 parts by weight of the cyanate resin, the thermoplastic resin has a preferred lower limit of 10 parts by weight and a preferred upper limit of 300 parts by weight, more preferably, The lower limit of the blending amount of the thermoplastic resin is 15 parts by weight, and the upper limit is 200 parts by weight. More preferably, the lower limit is 20 parts by weight and the upper limit is 100 parts by weight. When the amount of the thermoplastic resin is less than the lower limit, the toughness and flexibility of the interlayer insulating material (II) may be lost.
Moldability (low-temperature processability) may be reduced.

【0085】層間絶縁材(II)に用いるシアネート樹脂
は、シアネート基が60%以下の3量化率を有し、一般
式(1)で表される化合物、一般式(2)で表される化
合物、または、これらの化合物の郡から選択された少な
くとも一種以上であることが好ましい。シアネート基が
60%より多く3量化されたシアネート樹脂は、溶媒へ
の溶解性が悪くなる恐れがある。具体的には、ビスフェ
ノール−Aジシアネート、エチリデンビス−4,1−フ
ェニレンジシアネート、テトラオルトメチルビスフェノ
ール−Fジシアネート、フェノールノボラックポリシア
ネート、クレゾールノボラックポリシアネート、ジシク
ロペンタジエニルビスフェノールジシアネート、ヘキサ
フルオロビスフェノールAジシアネート等、及びこれら
のシアネート基を上記の範囲で3量化した樹脂である。
The cyanate resin used for the interlayer insulating material (II) has a trimerization ratio of a cyanate group of 60% or less, and is a compound represented by the general formula (1) or a compound represented by the general formula (2) Or at least one selected from the group of these compounds. A cyanate resin having more than 60% of a cyanate group and trimerization may have poor solubility in a solvent. Specifically, bisphenol-A dicyanate, ethylidenebis-4,1-phenylenediocyanate, tetraorthomethylbisphenol-F dicyanate, phenol novolak polycyanate, cresol novolac polycyanate, dicyclopentadienyl bisphenol dicyanate, hexafluoro Bisphenol A dicyanate and the like, and resins obtained by trimerizing these cyanate groups within the above range.

【0086】[0086]

【化1】 (式(1)中、R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子のいずれ
かを表す。)
Embedded image (In the formula (1), R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom,
Represents any of a methyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. )

【0087】[0087]

【化2】 (式(2)中、R1〜R3はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子を示し、
nは1〜6の整数を表す。)
Embedded image (In the formula (2), R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom,
A methyl group, a fluoroalkyl group, a halogen atom,
n represents an integer of 1 to 6. )

【0088】さらに、本発明に用いる層間絶縁材(II)
は、より好ましくは、更に、金属アルキルアセトネート
を必須成分とすることが好ましく、更に、アルキルフェ
ノールを必須成分とすることが好ましい。金属アセチル
アセトネートとアルキルフェノールは、シアネート樹脂
の硬化触媒として作用する。そのため、より低温かつ短
時間の熱処理で層間絶縁材(II)の3量化率を5〜80
%に制御できる。また、金属アセチルアセトネートとア
ルキルフェノールを添加することで、確実にシアネート
樹脂のシアネート基が反応し、トリアジン環を形成し、
良好な硬化物を得ることができる。
Further, the interlayer insulating material (II) used in the present invention
It is more preferable that metal alkylacetonate is an essential component, and it is more preferable that alkylphenol is an essential component. Metal acetylacetonates and alkylphenols act as curing catalysts for cyanate resins. Therefore, the trimerization ratio of the interlayer insulating material (II) can be reduced to 5 to 80 by heat treatment at a lower temperature and for a shorter time.
% Can be controlled. Also, by adding the metal acetylacetonate and the alkylphenol, the cyanate group of the cyanate resin surely reacts to form a triazine ring,
Good cured products can be obtained.

【0089】層間絶縁材(II)に用いる金属アセチルア
セトネートは、中心金属原子に2以上のアセチルアセト
ネート配位子が結合した金属キレートである。好まし
い、配位性金属の例は、二価状態をとる銅、マンガン、
ニッケル、コバルト、鉛、亜鉛および錫、三価状態をと
るアルミニウム、鉄、コバルトおよびマンガン、ならび
に四価状態のチタンである。この金属は、硬化させるシ
アネート樹脂の全重量に基づいて約10〜10000p
pmの範囲で添加することが、好ましく、更に好ましい
金属の範囲は、約30〜600ppmである。
The metal acetylacetonate used for the interlayer insulating material (II) is a metal chelate in which two or more acetylacetonate ligands are bonded to a central metal atom. Examples of preferred coordinating metals are copper, manganese,
Nickel, cobalt, lead, zinc and tin, aluminum, iron, cobalt and manganese in the trivalent state, and titanium in the tetravalent state. This metal can be in the range of about 10 to 10,000p based on the total weight of the cyanate resin to be cured.
It is preferred to add in the pm range, and a more preferred metal range is about 30-600 ppm.

【0090】層間絶縁材(II)に用いるアルキルフェノ
ールは、金属アセチルアセトネート粉末を溶解して安定
な溶液を形成する。このようなアルキルフェノールは、
一般にフェノール基に対して、パラもしくはオルト位に
位置するアルキル置換基を1個もしくは2個含有し、ア
ルキル置換基の炭素数の合計は、1〜22の範囲内であ
る。このようなアルキルフェノールは、疎水性且つ低揮
発性であり、比較的毒性が低い。好ましいアルキルフェ
ノールは、ノニルフェノール、ドデシルフェノール、o
−クレゾール、2−sec−ブチルフェノールおよび
2,6−ジノニルフェノールである。最も好ましいアル
キルフェノールは、ノニルフェノールである。アルキル
フェノールの配合量は、シアネート樹脂のシアネート基
1当量に対して、活性水素量が、2〜100ミリ当量が
好ましく、より好ましくは、5〜60ミリ当量である。
The alkylphenol used for the interlayer insulating material (II) dissolves metal acetylacetonate powder to form a stable solution. Such alkylphenols are
Generally, it contains one or two alkyl substituents located at the para or ortho position with respect to the phenol group, and the total number of carbon atoms of the alkyl substituent is in the range of 1 to 22. Such alkylphenols are hydrophobic and low volatile, and have relatively low toxicity. Preferred alkylphenols are nonylphenol, dodecylphenol, o
-Cresol, 2-sec-butylphenol and 2,6-dinonylphenol. The most preferred alkyl phenol is nonyl phenol. The compounding amount of the alkylphenol is preferably such that the amount of active hydrogen is 2 to 100 milliequivalents, more preferably 5 to 60 milliequivalents, per equivalent of the cyanate group of the cyanate resin.

【0091】層間絶縁材(II)に用いる熱可塑性樹脂
は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂の少
なくとも一種以上からなることが好ましい。前記ポリイ
ミド樹脂は、溶媒可溶性ポリイミド樹脂が、より好まし
い。ポリイミド樹脂は、さらに、シリコン変性されてい
ることが好ましい。シリコン変性ポリイミド樹脂は、高
耐熱、剛直性のポリイミド樹脂をシロキサン骨格で変性
した樹脂であり、靱性、可撓性、接着性に優れる。ま
た、シリコン骨格を付与したことで、シアネート樹脂と
の相溶性も極めて良好でり、得られた層間絶縁材(II)
は、優れた靱性、可撓性を有する。また、ポリエーテル
スルフォン樹脂は、靱性、可撓性、接着性に加え難燃性
も付与できるため好ましい。また、層間絶縁材(II)
に、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、マレイミド系樹
脂、フッ素系樹脂、ブロモ系樹脂、シリコーン系樹脂な
どの樹脂を、1種または、複数種配合して用いても良
い。さらに、シリカフィラー等の無機フィラー、レベリ
ング剤、カップリング剤、消泡剤、硬化触媒等を添加し
ても良い。
The thermoplastic resin used for the interlayer insulating material (II) is preferably made of at least one of polyimide resin and polyether sulfone resin. The polyimide resin is more preferably a solvent-soluble polyimide resin. It is preferable that the polyimide resin is further modified with silicon. The silicon-modified polyimide resin is a resin obtained by modifying a highly heat-resistant and rigid polyimide resin with a siloxane skeleton, and has excellent toughness, flexibility, and adhesiveness. In addition, the compatibility with the cyanate resin is extremely good due to the provision of the silicon skeleton, and the obtained interlayer insulating material (II)
Has excellent toughness and flexibility. Further, polyethersulfone resins are preferable because they can impart flame retardancy in addition to toughness, flexibility, and adhesiveness. In addition, interlayer insulation material (II)
In addition, a resin such as an epoxy resin, an acrylic resin, a maleimide resin, a fluorine resin, a bromo resin, and a silicone resin may be used alone or in combination. Further, an inorganic filler such as a silica filler, a leveling agent, a coupling agent, an antifoaming agent, a curing catalyst, and the like may be added.

【0092】本発明において、シアネート樹脂を用いる
場合、層間絶縁材(II)層は、半硬化状態において、5
〜80%が3量化したシアネート樹脂を含むことが好ま
しく、より好ましくは、シアネート樹脂の3量化率の上
限は、15%以上70%以下である。半硬化状態での3
量化率が5%より低い場合、ビア形成時に、レーザーを
用いる場合、その熱によりビア周辺の層間絶縁材(II)
層の表面が溶融し、ビア形状不良となる恐れがある。一
方、3量化率が80%より高い場合、レーザーによるビ
ア形成、電解めっきによる導体ポスト形成は問題ない
が、導体ポスト形成後の接着、および金属接合接着剤
(I)と一体硬化ができない恐れがある。
In the present invention, when a cyanate resin is used, the interlayer insulating material (II) layer is not cured in a semi-cured state.
Preferably, 80 to 80% contains a trimerized cyanate resin, and more preferably, the upper limit of the trimerization rate of the cyanate resin is 15% or more and 70% or less. 3 in semi-cured state
When the quantification ratio is lower than 5%, when a laser is used at the time of forming the via, the interlayer insulating material around the via due to the heat (II)
There is a possibility that the surface of the layer melts and the via shape becomes poor. On the other hand, when the trimerization ratio is higher than 80%, there is no problem in forming vias by laser and forming conductor posts by electrolytic plating. is there.

【0093】本発明に用いる層間絶縁材(II)の溶媒と
しては、ポリイミド樹脂を溶解可能であれば種類を選ば
ない。具体的には、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,−メチル−2−ピ
ロリドン、アニソール、1,4−ジオキサン、ガンマ−
ブチルラクトン、ジグライム、シクロヘキサノン等であ
る。また、これらの溶媒を一種類のみ用いても良いし、
2種類以上を混合して用いても良い。
The solvent for the interlayer insulating material (II) used in the present invention is not particularly limited as long as it can dissolve the polyimide resin. Specifically, N, N-dimethylformamide,
N, N-dimethylacetamide, N, -methyl-2-pyrrolidone, anisole, 1,4-dioxane, gamma-
Butyl lactone, diglyme, cyclohexanone and the like. Also, these solvents may be used alone,
Two or more types may be used as a mixture.

【0094】[0094]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0095】本発明の多層配線板のおよび多層配線板の
製造方法の有効性を確認するため、下記に示す実施例1
〜13の多層配線板を製造し、金属接合部の断面観察、
温度サイクル試験、絶縁信頼性試験を行い、評価結果を
まとめて表1に示した。
In order to confirm the effectiveness of the multilayer wiring board of the present invention and the method of manufacturing the multilayer wiring board, Example 1 shown below was used.
~ 13 multilayer wiring boards are manufactured, and the cross section of the metal joint is observed.
A temperature cycle test and an insulation reliability test were performed, and the evaluation results are summarized in Table 1.

【0096】[実施例1]m,p−クレゾールノボラック
樹脂(日本化薬(株)製PAS−1、OH基当量120)
100gと、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(日本化
薬(株)製RE−404S、エポキシ当量165)140
gを、シクロヘキサノン60gに溶解し、硬化触媒とし
てトリフェニルフォスフィン(北興化学工業(株)製)
0.2gを添加し、金属接合接着剤(I)ワニスを作製し
た。
[Example 1] m, p-cresol novolak resin (PAS-1 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., OH group equivalent: 120)
100 g and bisphenol F type epoxy resin (RE-404S, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 165) 140
g was dissolved in 60 g of cyclohexanone, and triphenylphosphine (manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.) was used as a curing catalyst.
0.2 g was added to prepare a metal bonding adhesive (I) varnish.

【0097】次いで、ビスフェノール−Aジシアネート
(旭チバ(株)製AroCyB30、3量化率30%)
100gとN−メチルピロリドン(NMP)に溶解した
ガラス転移温度Tgが250℃のシリコン変性ポリイミ
ドワニス(樹脂の割合20重量%)250gと、予めコ
バルト(III)アセチルアセトネート(和光純薬)0.
06gと4−ノニルフェノール(キシダ化学製)2gを
混合溶解した溶液を、混合撹拌し、層間絶縁材(II)ワ
ニスを作製した。
Next, bisphenol-A dicyanate (AroCyB30 manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd., trimerization ratio 30%)
100 g, 250 g of a silicon-modified polyimide varnish having a glass transition temperature Tg of 250 ° C. dissolved in N-methylpyrrolidone (NMP) (250% by weight of resin), and cobalt (III) acetylacetonate (Wako Pure Chemical Industries) in advance.
A solution obtained by mixing and dissolving 06 g and 2 g of 4-nonylphenol (manufactured by Kishida Chemical) was mixed and stirred to produce an interlayer insulating material (II) varnish.

【0098】表面を粗化処理した150μm厚の圧延銅
板(金属板201)(古川電気工業製、EFTEC−6
4T:商品名)に、ドライフィルムレジスト(旭化成
製、AQ−2058:商品名)をロールラミネートし、
所定のネガフィルムを用いて露光・現像し、配線パター
ン204の形成に必要なめっきレジスト(めっきレジス
ト202)を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用
リードとして、ニッケル(レジスト金属203)を電解
めっきにより形成し、さらに電解銅めっきすることによ
り配線パターン(配線パターン204)を形成した。配
線パターンは、線幅/線間/厚み=20μm/20μm
/10μmとした。上記で得た層間絶縁材(II)ワニス
をポリエステル(PET)フィルムに塗布後、80℃で
10分、130℃で10分乾燥し、25μm厚の層間絶
縁材(II)層を形成した。PETフィルム付き層間絶縁
材(II)層を真空ラミネートにより配線パターンの凹凸
を埋め込みながら成形し、PETフィルムを剥離して、
25μm厚の層間絶縁材(II)層(層間絶縁材(II)層
205)を形成した。層間絶縁材(II)層を形成後、熱
処理し、シアネート樹脂の3量化率を50%に制御し
た。
Rolled copper plate (metal plate 201) of 150 μm thickness with a roughened surface (EFTEC-6, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.)
4T: trade name), roll-laminated with dry film resist (AQ-2058: trade name, manufactured by Asahi Kasei Corporation)
Exposure and development were performed using a predetermined negative film to form a plating resist (plating resist 202) necessary for forming the wiring pattern 204. Next, using a rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, nickel (resist metal 203) was formed by electrolytic plating, and further, electrolytic copper plating was performed to form a wiring pattern (wiring pattern 204). Wiring pattern: line width / line space / thickness = 20 μm / 20 μm
/ 10 μm. The interlayer insulating material (II) varnish obtained above was applied to a polyester (PET) film and dried at 80 ° C. for 10 minutes and at 130 ° C. for 10 minutes to form a 25 μm thick interlayer insulating material (II) layer. The interlayer insulating material (II) layer with PET film is formed by vacuum lamination while embedding the unevenness of the wiring pattern, and the PET film is peeled off.
An interlayer insulating material (II) layer (interlayer insulating material (II) layer 205) having a thickness of 25 μm was formed. After forming the interlayer insulating material (II) layer, heat treatment was performed to control the trimerization ratio of the cyanate resin to 50%.

【0099】次に、50μm径のビア(ビア206)
を、UV−YAGレーザーにより形成した。続いて、圧
延銅板を電解めっき用リードとして、電解銅めっきする
ことによりビアを銅で充填し、銅ポスト(導体ポスト2
07)を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リー
ドとして、銅ポスト上にSn−Pb共晶半田(接合用金
属材料層208)を電解めっきにより形成した。次に、
バーコートにより、上記で得た金属接合接着剤(I)ワ
ニスを、層間絶縁材(II)層の表面、すなわちSn−P
b共晶半田が形成された面に塗布後、80℃で20分乾
燥し、10μm厚の金属接合接着剤(I)層(金属接合
接着剤(I)層209)を形成した。これまでの工程に
より、接続層(接続層210)を得ることができた。
Next, a via having a diameter of 50 μm (via 206)
Was formed with a UV-YAG laser. Subsequently, the via was filled with copper by performing electrolytic copper plating using the rolled copper plate as a lead for electrolytic plating, and the copper post (conductor post 2) was used.
07) was formed. Next, Sn-Pb eutectic solder (joining metal material layer 208) was formed on the copper post by electrolytic plating using the rolled copper plate as a lead for electrolytic plating. next,
By the bar coating, the metal bonding adhesive (I) varnish obtained above was coated on the surface of the interlayer insulating material (II) layer, that is, Sn-P.
(b) After coating on the surface on which the eutectic solder was formed, the coating was dried at 80 ° C. for 20 minutes to form a metal bonding adhesive (I) layer (metal bonding adhesive (I) layer 209) having a thickness of 10 μm. Through the steps so far, a connection layer (connection layer 210) was obtained.

【0100】一方、コア基板として、12μm厚の銅箔
が形成されたFR−5相当のガラスエポキシ樹脂銅張積
層板(住友ベークライト製)を用い、銅箔をエッチング
して配線パターンおよびパッド(被接合部212)を形
成し、被接続層(被接続層211)を得ることができ
た。次に、上述の工程により得られた接続層と、被接続
層に予め形成されている位置決めマークを、画像認識装
置により読み取り、両者を位置合わせし、100℃の温
度で仮圧着した。さらに、上述の位置合せ・仮圧着を再
度行い、被接続層の両面に接続層を仮圧着したものを得
ることができた。これを、プレスにより220℃の温度
で加熱加圧して、銅ポストが、金属接合接着剤(I)層
を貫通してパッドと半田接合し、被接続層の両面に接続
層を接着した。次に、220℃、2時間ポストキュア
し、金属接合接着剤(I)層と層間絶縁材(II)層を一
体硬化させた。次に、アンモニア系エッチング液を用い
て圧延銅板をエッチングして除去し、さらに半田・ニッ
ケル剥離剤(三菱ガス化学製・Pewtax:商品名)
を用いて、ニッケルをエッチングして除去した。最後
に、ソルダーレジスト(ソルダーレジスト215)を形
成し、多層配線板(多層配線板213)を得た。
On the other hand, an FR-5 equivalent glass epoxy resin copper-clad laminate (manufactured by Sumitomo Bakelite) on which a 12 μm thick copper foil was formed was used as a core substrate, and the copper foil was etched to form a wiring pattern and a pad (coated). The joining portion 212) was formed, and the connected layer (the connected layer 211) was obtained. Next, the connection layer obtained by the above-described steps and the positioning mark formed in advance on the connection target layer were read by an image recognition device, and the two were aligned and pre-pressed at a temperature of 100 ° C. Further, the above-described alignment and temporary compression were performed again, and a product in which the connection layers were temporarily compressed on both surfaces of the connected layer could be obtained. This was heated and pressurized at a temperature of 220 ° C. by a press, and the copper post penetrated the metal bonding adhesive (I) layer, and was solder-bonded to the pad, and the connection layer was bonded to both surfaces of the layer to be connected. Next, post-curing was performed at 220 ° C. for 2 hours to integrally cure the metal bonding adhesive (I) layer and the interlayer insulating material (II) layer. Next, the rolled copper plate is etched and removed using an ammonia-based etchant, and a solder / nickel release agent (Petax: trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical)
Was used to etch away nickel. Finally, a solder resist (solder resist 215) was formed to obtain a multilayer wiring board (multilayer wiring board 213).

【0101】得られた多層配線板は、温度サイクル試験
用に両面に各々60個の金属接合部が直列につながるよ
うに回路設計されている。また、該多層配線板には、絶
縁抵抗試験用に線幅/線間=20μm/20μmのくし
形配線パターンが同時に形成されている。
The obtained multilayer wiring board is designed to have a circuit in which 60 metal joints are connected in series on both sides for a temperature cycle test. Further, a comb-shaped wiring pattern having a line width / line interval of 20 μm / 20 μm is simultaneously formed on the multilayer wiring board for an insulation resistance test.

【0102】得られた多層配線板の金属接合部の断面
を、電子顕微鏡(SEM)により観察し、金属接合状態
を評価し、表1に示した。
The cross section of the metal bonding portion of the obtained multilayer wiring board was observed with an electron microscope (SEM), and the metal bonding state was evaluated.

【0103】得られた多層配線板の導通を確認した後、
−55℃で10分、125℃で10分を1サイクルとす
る温度サイクル試験を実施した。サンプル数は10個と
した。温度サイクル試験1000サイクル後の、断線不
良数の結果をまとめて表1に示した。
After confirming the continuity of the obtained multilayer wiring board,
A temperature cycle test was performed in which one cycle was 10 minutes at -55 ° C and 10 minutes at 125 ° C. The number of samples was 10. Table 1 summarizes the results of the number of disconnection failures after 1000 cycles of the temperature cycle test.

【0104】得られた多層配線板の初期絶縁抵抗を測定
した後、85℃/85%RHの雰囲気中で、直流電圧
5.5Vを印加し、1000時間経過後の絶縁抵抗を測
定した。測定時の印加電圧は100Vで1分とし、初期
絶縁抵抗および処理後絶縁抵抗をまとめて表1に示し
た。
After the initial insulation resistance of the obtained multilayer wiring board was measured, a DC voltage of 5.5 V was applied in an atmosphere of 85 ° C./85% RH, and the insulation resistance was measured after 1000 hours. The applied voltage at the time of measurement was 100 V for 1 minute, and the initial insulation resistance and the insulation resistance after treatment are summarized in Table 1.

【0105】[実施例2]実施例1において、層間絶縁材
(II)層形成後、熱処理して、シアネート樹脂の3量化
率を70%とした以外は、多層配線板の実施例1と同様
にして多層配線板を得、評価した。
[Example 2] In the same manner as in Example 1, except that the interlayer insulating material (II) layer was formed and then heat-treated to reduce the trimerization ratio of the cyanate resin to 70%. To obtain and evaluate a multilayer wiring board.

【0106】[実施例3]実施例1において、層間絶縁材
(II)ワニスの作製で用いた、ビスフェノール−Aジシ
アネート(旭チバ(株)製AroCyB30、3量化率
30%)100gに変えて、フェノールノボラックポリ
シアネート(ロンザ(株)製PrimasetPT1
5、3量化率0%)80gを用い、層間絶縁材(II)層
形成後にシアネート樹脂を加熱処理して3量化率を10
%とした以外は、多層配線板の実施例1と同様にして多
層配線板を得、評価した。
[Example 3] In Example 1, 100 g of bisphenol-A dicyanate (AroCyB30 manufactured by Asahi Ciba Co., trimerization ratio 30%) used in the production of the interlayer insulating material (II) varnish was used. Phenol novolac polycyanate (PrimasePT1 manufactured by Lonza Co., Ltd.)
(5, trimerization rate: 0%) 80 g, and after forming the interlayer insulating material (II) layer, heat-treat the cyanate resin to reduce the trimerization rate to 10
%, And a multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board.

【0107】[実施例4]実施例1において、金属接合接
着剤(I)ワニスの作製で用いた、m,p−クレゾール
ノボラック樹脂100gに代えて、ビスフェノールA型
ノボラック樹脂(大日本インキ化学工業(株)製LF47
81、OH当量120)100gを用いた以外は、多層
配線板の実施例1と同様にして多層配線板を得、評価し
た。
Example 4 In Example 1, a bisphenol A type novolak resin (Dainippon Ink Chemical Industry) was used in place of 100 g of the m, p-cresol novolak resin used in the production of the metal bonding adhesive (I) varnish. LF47 manufactured by
A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that 100 g of OH equivalent 120) was used.

【0108】[実施例5]実施例1において、金属接合接
着剤(I)ワニスの作製に用いた、m,p−クレゾール
ノボラック樹脂100gに代えて、ポリビニルフェノー
ル樹脂(丸善石油化学(株)製マルカリンカ−M、OH当
量120)100gを用いた以外は、多層配線板の実施
例1と同様にして多層配線板を得、評価した。
Example 5 In Example 1, a polyvinyl phenol resin (manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) was used instead of 100 g of m, p-cresol novolak resin used for preparing the metal bonding adhesive (I) varnish. A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that 100 g of Markalin-M, OH equivalent 120) was used.

【0109】[実施例6]ビスフェノールA型ノボラック
樹脂(住友デュレズ(株)製LF4871、OH当量12
0)120gと、ジアリルビスフェノールA型エポキシ
樹脂(日本化薬(株)製RE−810NM、エポキシ当量
220)35gと、ジシクロペンタジエン型ノボラック
エポキシ樹脂(日本化薬(株)製XD−1000L、エポ
キシ当量250)210gを、メチルエチルケトン10
0gに溶解し、金属接合接着剤(I)ワニスを作製した
以外は、多層配線板の実施例1と同様にして多層配線板
を得、評価した。
Example 6 Bisphenol A type novolak resin (LF4871 manufactured by Sumitomo Durez Co., Ltd., OH equivalent: 12)
0) 120 g, diallyl bisphenol A type epoxy resin (RE-810NM, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 220), and dicyclopentadiene type novolak epoxy resin (XD-1000L, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy (Equivalent 250) 210 g of methyl ethyl ketone 10
The multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that the varnish was dissolved in 0 g to prepare a metal bonding adhesive (I) varnish.

【0110】[実施例7]m,p−クレゾールノボラック
樹脂(日本化薬(株)製PAS−1、OH当量120)1
00gと、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(日本化薬
(株)製RE−404S、エポキシ当量165)140g
を、シクロヘキサノン60gに溶解し、金属接合接着剤
(I)ワニスを作製した以外は、多層配線板の実施例1
と同様にして多層配線板を得、評価した。
Example 7 m, p-cresol novolak resin (PAS-1, Nippon Kayaku Co., Ltd., OH equivalent: 120) 1
00g and bisphenol F epoxy resin (Nippon Kayaku
RE-404S, epoxy equivalent: 165) 140 g
Was dissolved in 60 g of cyclohexanone to prepare a metal bonding adhesive (I) varnish.
A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as described above.

【0111】[実施例8]フェノールノボラック樹脂(住
友デュレズ(株)製PR−HF−3、OH当量106)1
06gと、ジアリルビスフェノールA型エポキシ樹脂
(日本化薬(株)製RE−810NM、エポキシ当量22
0)35gと、ジシクロペンタジエン型ノボラックエポ
キシ樹脂(日本化薬(株)製XD−1000L、エポキシ
当量250)210gを、メチルエチルケトン100g
に溶解し、金属接合接着剤(I)ワニスを作製した以外
は、多層配線板の実施例1と同様にして多層配線板を
得、評価した。
[Example 8] Phenol novolak resin (PR-HF-3, OH equivalent 106, manufactured by Sumitomo Durez Co., Ltd.) 1
06 g, diallyl bisphenol A type epoxy resin (RE-810NM manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 22
0) 35 g and 210 g of dicyclopentadiene-type novolak epoxy resin (XD-1000L, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 250) were added to 100 g of methyl ethyl ketone.
And a multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that the varnish was prepared.

【0112】[実施例9]フェノールノボラック樹脂(住
友デュレズ(株)製PR−53647、OH当量106)
106gと、ジアリルビスフェノールA型エポキシ樹脂
(日本化薬(株)製RE−810NM、エポキシ当量22
0)35gと、ジシクロペンタジエン型ノボラックエポ
キシ樹脂(日本化薬(株)製XD−1000L、エポキシ
当量250)210gを、メチルエチルケトン100g
に溶解し、金属接合接着剤(I)ワニスを作製した以外
は、多層配線板の実施例1と同様にして多層配線板を
得、評価した。
[Example 9] Phenol novolak resin (PR-53647, manufactured by Sumitomo Durez Co., Ltd., OH equivalent: 106)
106 g and diallyl bisphenol A type epoxy resin (RE-810NM manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 22
0) 35 g and 210 g of dicyclopentadiene-type novolak epoxy resin (XD-1000L, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 250) were added to 100 g of methyl ethyl ketone.
And a multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that the varnish was prepared.

【0113】[実施例10]フェノールノボラック樹脂
(住友デュレズ(株)製PR−51470、OH当量10
5)100gと、ジアリルビスフェノールA型エポキシ
樹脂(日本化薬(株)製RE−810NM、エポキシ当量
220)210gを、シクロヘキサノン80gに溶解
し、硬化触媒として2−フェニル−4,5−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール(四国化成工業(株)製2PHZ
−PW)0.3gを添加し、金属接合接着剤ワニスを作
製した以外は、多層配線板の実施例1と同様にして多層
配線板を得、評価した。
Example 10 Phenol novolak resin (PR-51470, manufactured by Sumitomo Durez Co., Ltd., OH equivalent: 10)
5) Dissolve 100 g and 210 g of diallyl bisphenol A type epoxy resin (RE-810NM, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 220) in 80 g of cyclohexanone, and use 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole as a curing catalyst. (2PHZ manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)
-PW) was obtained in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board, except that 0.3 g of PW) was added and a metal bonding adhesive varnish was prepared, and evaluated.

【0114】[実施例11]ビスフェノールF型エポキシ
樹脂(日本化薬(株)製RE−404S、エポキシ当量1
65)30gと、クレゾールノボラックエポキシ樹脂
(EOCN−1020−65、日本化薬(株)製、エポキ
シ当量200)70gを、シクロヘキサノン60gに溶
解し、硬化剤として2−フェニル−4−メチル−5−ヒ
ドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業(株)製2
P4MHZ−PW、融点192℃〜197℃)1.5g
添加し、金属接合接着剤(I)ワニスを作製した以外
は、多層配線板の実施例1と同様にして多層配線板を
得、評価した。
Example 11 Bisphenol F type epoxy resin (RE-404S, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 1)
65) 30 g of cresol novolak epoxy resin (EOCN-1020-65, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 200) is dissolved in 60 g of cyclohexanone, and 2-phenyl-4-methyl-5- is used as a curing agent. Hydroxymethyl imidazole (Shikoku Chemical Industry Co., Ltd. 2
P4MHZ-PW, melting point 192 ° C to 197 ° C) 1.5 g
A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 of the multilayer wiring board except that the varnish was added and a metal bonding adhesive (I) varnish was prepared.

【0115】[実施例12]実施例11に用いた、2−フ
ェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル1.5gに代えて、2−フェニル−4−メチル−5−
ヒドロキシメチルイミダゾール3gを用いた以外は、多
層配線板の実施例11と同様にして多層配線板を得、評
価した。
Example 12 In place of 1.5 g of 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole used in Example 11, 2-phenyl-4-methyl-5-
A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 11 of the multilayer wiring board, except that 3 g of hydroxymethylimidazole was used.

【0116】[実施例13]実施例11に用いた、2−フ
ェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル1.5gに代えて、2−フェニル−4−メチル−5−
ヒドロキシメチルイミダゾール5gを用いた以外は、多
層配線板の実施例11と同様にして多層配線板を得、評
価した。
Example 13 In place of 1.5 g of 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole used in Example 11, 2-phenyl-4-methyl-5-
A multilayer wiring board was obtained and evaluated in the same manner as in Example 11 of the multilayer wiring board except that 5 g of hydroxymethylimidazole was used.

【0117】[0117]

【表1】 [Table 1]

【0118】表1に示した評価結果から分かるように、
本発明の多層配線板、および本発明の多層配線板の製造
方法により製造された多層配線板は、確実に金属接合で
き、温度サイクル試験では、断線不良の発生はなく、絶
縁抵抗試験でも絶縁抵抗が低下しなかった。よって、本
発明の多層配線板およびその製造方法の効果が明白であ
る。
As can be seen from the evaluation results shown in Table 1,
The multilayer wiring board of the present invention, and the multilayer wiring board manufactured by the method of manufacturing a multilayer wiring board of the present invention can be reliably metal-joined, no disconnection failure occurs in the temperature cycle test, and the insulation resistance does not change even in the insulation resistance test. Did not decrease. Therefore, the effects of the multilayer wiring board of the present invention and the manufacturing method thereof are apparent.

【0119】[0119]

【発明の効果】本発明は、層間絶縁層を、金属表面の清
浄化機能を有し、且つ絶縁信頼性の高い金属接着剤
(I)層と、樹脂物性に優れ、信頼性が高い層間絶縁材
(II)層の2層構造とすることによって、確実に層間接
続ができ、しかも接合部以外の層間絶縁信頼性が高く、
且つ層間接着強度も高い多層配線板およびその製造方法
ならびに半導体装置を提供することができる。
According to the present invention, the interlayer insulating layer is provided with a metal adhesive (I) layer having a function of cleaning a metal surface and having high insulation reliability, and an interlayer insulation layer having excellent resin properties and high reliability. By having a two-layer structure of the material (II) layer, the interlayer connection can be reliably performed, and the interlayer insulation reliability other than at the junction is high.
In addition, it is possible to provide a multilayer wiring board having a high interlayer adhesion strength, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第二の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である(図2の続き)。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention (continuation of FIG. 2).

【図4】本発明の第二の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である(図3の続き)。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the multilayer wiring board according to the second embodiment of the present invention (continuation of FIG. 3).

【図5】本発明の第三の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施形態による多層配線板を使用して
製造した、半導体装置を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor device manufactured using the multilayer wiring board according to the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第四の実施形態による多層配線板の製
造方法を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、205 層間絶縁材(II)層 102 導体箔 103、206 ビア 104、207 導体ポスト 105、208 接合用金属材料層 106,106a パッド 107、204 配線パターン 108、209、209’ 金属接合接着剤(I)層 109 絶縁層 110、210、210a、210b、210c、21
0d 接続層 111、211、211a 被接続層 112、213、212a 多層配線板 201 金属板 202 めっきレジスト 203 レジスト金属 212 被接合部 214a インナーパッド 214b アウターパッド 215 ソルダーレジスト 216 コア基板 301 半導体装置 302 半導体チップ 303 バンプ 304 アンダーフィル 305 半田ボール
101, 205 Interlayer insulating material (II) layer 102 Conductor foil 103, 206 Via 104, 207 Conductor post 105, 208 Metallic material layer 106, 106a Pad 107, 204 Wiring pattern 108, 209, 209 'Metal bonding adhesive ( I) Layer 109 Insulating layer 110, 210, 210a, 210b, 210c, 21
0d connection layer 111, 211, 211a connected layer 112, 213, 212a multilayer wiring board 201 metal plate 202 plating resist 203 resist metal 212 bonded part 214a inner pad 214b outer pad 215 solder resist 216 core substrate 301 semiconductor device 302 semiconductor chip 303 Bump 304 Underfill 305 Solder ball

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/14 H01L 23/14 R (72)発明者 八月朔日 猛 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 5E346 AA12 AA15 AA16 AA22 AA32 AA43 AA51 BB11 BB16 CC02 CC08 CC32 CC52 CC54 DD02 DD22 DD32 DD33 DD44 DD46 DD47 EE06 EE12 EE18 EE31 EE33 EE35 EE38 FF04 FF06 FF07 FF14 FF24 FF35 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG28 HH11 HH26 HH31 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/14 H01L 23/14 R (72) Inventor Takeshi August Satoshi 2-5 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. 8 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 5E346 AA12 AA15 AA16 AA22 AA32 AA43 AA51 BB11 BB16 CC02 CC08 CC32 CC52 CC54 DD02 DD22 DD32 DD33 DD44 DD46 DD47 EE06 EE12 EE18 EE31 EE33 FF18 FF18 FF18 FF18 FF04 GG19 GG22 GG25 GG28 HH11 HH26 HH31

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 層間接続用の導体ポストと、該導体ポス
トと接続するためのパッドを有する配線パターンと、該
導体ポストと該パッドとを接合するための接合用金属材
料層と、層間に存在する絶縁層とを具備した多層配線板
であって、該絶縁層が金属接合接着剤(I)層と、層間
絶縁材(II)層とからなる2層構造であり、かつ、層間
接続が接合用金属材料層による金属接合であることを特
徴とする多層配線板。
1. A conductor post for interlayer connection, a wiring pattern having a pad for connecting to the conductor post, a joining metal material layer for joining the conductor post and the pad, A multi-layer wiring board having an insulating layer having a two-layer structure comprising a metal bonding adhesive (I) layer and an interlayer insulating material (II) layer, and wherein the interlayer connection is bonded. A multilayer wiring board characterized by metal bonding by a metal material layer for use.
【請求項2】 絶縁層が金属接合接着剤(I)層と、半硬
化状態の層間絶縁材(II)層とを一体硬化させた2層構
造であることを特徴とする請求項1記載の多層配線板。
2. The insulating layer according to claim 1, wherein the insulating layer has a two-layer structure obtained by integrally curing a metal bonding adhesive (I) layer and a semi-cured interlayer insulating material (II) layer. Multilayer wiring board.
【請求項3】 接合用金属材料層が半田または電解めっ
きにより形成された半田からなることを特徴とする請求
項1または請求項2記載の多層配線板。
3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the joining metal material layer is made of solder or solder formed by electrolytic plating.
【請求項4】 導体ポストが銅からなることを特徴とす
る請求項1〜請求項3のいずれかに記載の多層配線板。
4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the conductor posts are made of copper.
【請求項5】 導体ポストが、接合用金属材料層と同じ
材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項3のい
ずれかに記載の多層配線板。
5. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the conductor posts are made of the same material as the bonding metal material layer.
【請求項6】 金属接合接着剤(I)が、少なくとも1
つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂(A)と、そ
の硬化剤として作用する樹脂(B)とを必須成分とする
ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載
の多層配線板。
6. The method according to claim 1, wherein the metal bonding adhesive (I) has at least one adhesive.
The multilayer wiring according to any one of claims 1 to 5, wherein a resin (A) having two or more phenolic hydroxyl groups and a resin (B) acting as a curing agent thereof are essential components. Board.
【請求項7】 フェノール性水酸基を有する樹脂(A)
が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノ
ボラック樹脂、レゾール樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、及び、ポリビニルフェノール樹脂の群から選ばれ
る、少なくとも1種であることを特徴とする、請求項6
記載の多層配線板。
7. A resin having a phenolic hydroxyl group (A)
Is at least one member selected from the group consisting of a phenol novolak resin, an alkylphenol novolak resin, a resole resin, a cresol novolak resin, and a polyvinyl phenol resin.
The multilayer wiring board as described.
【請求項8】 フェノール性水酸基を有する樹脂(A)
が、金属接合接着剤(I)中に、20wt%以上80w
t%以下で含むことを特徴とする、請求項6または請求
項7記載の多層配線板。
8. A resin (A) having a phenolic hydroxyl group
Is 20wt% or more and 80w in the metal bonding adhesive (I).
The multilayer wiring board according to claim 6 or 7, wherein the content is less than t%.
【請求項9】 金属接合接着剤(I)が、エポキシ樹脂
(C)と、エポキシ樹脂(C)の硬化剤として作用する
イミダゾール環を有する化合物(D)とを、必須成分と
することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに
記載の多層配線板。
9. The metal bonding adhesive (I) comprises, as essential components, an epoxy resin (C) and a compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent for the epoxy resin (C). The multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5.
【請求項10】 硬化剤として作用するイミダゾール環
を有する化合物(D)が、金属接合接着剤(I)中に、
1wt%以上10wt%以下で含むことを特徴とする、
請求項9記載の多層配線板。
10. The compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent is contained in the metal bonding adhesive (I),
Characterized in that it is contained at 1 wt% or more and 10 wt% or less,
The multilayer wiring board according to claim 9.
【請求項11】 層間絶縁材(II)が、シアネート樹脂
と熱可塑性樹脂を必須成分とすることを特徴とする、請
求項1〜請求項10のいずれかに記載の多層配線板。
11. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the interlayer insulating material (II) contains a cyanate resin and a thermoplastic resin as essential components.
【請求項12】 シアネート樹脂が、60%以下の3量
化率を有することを特徴とする請求項11記載の多層配
線板。
12. The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the cyanate resin has a trimerization ratio of 60% or less.
【請求項13】 層間絶縁材(II)が、更に、金属アル
キルアセトネートを必須成分とすることを特徴とする、
請求項11または請求項12記載の多層配線板。
13. The interlayer insulating material (II) further comprising a metal alkylacetonate as an essential component.
The multilayer wiring board according to claim 11.
【請求項14】 層間絶縁材(II)が、更に、アルキル
フェノールを必須成分とすることを特徴とする、請求項
13記載の多層配線板。
14. The multilayer wiring board according to claim 13, wherein the interlayer insulating material (II) further contains an alkylphenol as an essential component.
【請求項15】 熱可塑性樹脂が、ポリイミド樹脂、ポ
リエーテルスルフォン樹脂の少なくとも一種以上からな
る請求項11〜請求項14のいずれかに記載の多層配線
板。
15. The multilayer wiring board according to claim 11, wherein the thermoplastic resin comprises at least one of a polyimide resin and a polyether sulfone resin.
【請求項16】 層間絶縁材(II)層が、半硬化状態に
おいて、5〜80%の3量化率を有するシアネート樹脂
を含んでなる請求項11〜請求項15のいずれかに記載
の多層配線板。
16. The multilayer wiring according to claim 11, wherein the interlayer insulating material (II) layer contains a cyanate resin having a trimerization ratio of 5 to 80% in a semi-cured state. Board.
【請求項17】 導体ポストを形成する工程と、該導体
ポストと接続するためのパッドを有する配線パターンを
形成する工程と、該導体ポストと該パッドの少なくとも
一方に接合用金属材料層を形成する工程と、金属接合接
着剤(I)層を形成する工程と、層間絶縁材(II)層を形
成する工程と、該導体ポストが、該金属接合接着剤
(I)層を介して、該接合用金属材料層により該パッド
と接合する工程と、加熱により金属接合接着剤(I)層
を硬化させる工程と、を含んでなることを特徴とする多
層配線板の製造方法。
17. A step of forming a conductor post, a step of forming a wiring pattern having a pad for connecting to the conductor post, and forming a bonding metal material layer on at least one of the conductor post and the pad. A step of forming a metal bonding adhesive (I) layer, a step of forming an interlayer insulating material (II) layer, and the step of forming the conductive post through the metal bonding adhesive (I) layer. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of bonding to a pad with a metal material layer for use; and a step of curing a metal bonding adhesive (I) layer by heating.
【請求項18】 層間絶縁材(II)層を形成する工程に
おいて、半硬化状態の層間絶縁材(II)層を形成し、加
熱により金属接合接着剤(I)層を硬化させる工程にお
いて、金属接合接着剤(I)層と、半硬化状態の層間絶縁
材(II)層とを一体硬化させることを特徴とする請求項
17記載の多層配線板の製造方法。
18. A step of forming an interlayer insulating material (II) layer in a semi-cured state in the step of forming an interlayer insulating material (II) layer, and curing the metal bonding adhesive (I) layer by heating. 18. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 17, wherein the bonding adhesive (I) layer and the semi-cured interlayer insulating material (II) layer are integrally cured.
【請求項19】 金属板を電解めっき用リードとして、
配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、該配
線パターン上に半硬化状態の層間絶縁材(II)層を形成
する工程と、配線パターンの一部が露出するように半硬
化状態の層間絶縁材(II)層にビアを形成する工程と、
金属板を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解
めっきにより形成する工程と、該導体ポストの表面また
は導体ポストと対向している被接合部の表面の少なくと
も一方に接合用金属材料層を形成する工程と、半硬化状
態の層間絶縁材(II)層の表面または被接続層の表面の
少なくとも一方に金属接合接着剤(I)層を形成する工
程と、該金属接合接着剤(I)層を介して対向している
導体ポストと被接合部とを、接合用金属材料層により接
合し、かつ、半硬化状態の層間絶縁材(II)層と被接続
層とを金属接合接着剤(I)層により接着する工程と、
層間絶縁材(II)層と金属接合接着剤(I)層を一体硬
化する工程と、該金属板をエッチングにより除去する工
程と、を含んでなることを特徴とする多層配線板の製造
方法。
19. A metal plate as a lead for electrolytic plating,
A step of forming a wiring pattern by electrolytic plating, a step of forming a semi-cured interlayer insulating material (II) layer on the wiring pattern, and a semi-cured interlayer insulating material so that a part of the wiring pattern is exposed. (II) forming a via in the layer;
Forming a conductor post by electrolytic plating using the metal plate as a lead for electrolytic plating, and forming a joining metal material layer on at least one of the surface of the conductor post or the surface of a portion to be joined facing the conductor post. Forming a metal bonding adhesive (I) layer on at least one of the surface of the semi-cured interlayer insulating material (II) layer or the surface of the connected layer; and forming the metal bonding adhesive (I) layer The conductor post and the portion to be joined facing each other are joined by a joining metal material layer, and the semi-cured interlayer insulating material (II) layer and the connected layer are joined by a metal joining adhesive (I) Bonding with a layer;
A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of integrally curing an interlayer insulating material (II) layer and a metal bonding adhesive (I) layer; and a step of removing the metal plate by etching.
【請求項20】 該層間絶縁材(II)層の表面または被
接続層の表面の少なくとも一方に金属接合接着剤(I)
層を形成する工程において、金属接合接着剤(I)層を
部分的に形成することを特徴とする請求項19記載の多
層配線板の製造方法。
20. A metal bonding adhesive (I) on at least one of the surface of the interlayer insulating material (II) layer and the surface of the connected layer.
20. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 19, wherein in the step of forming the layer, the metal bonding adhesive (I) layer is partially formed.
【請求項21】 金属板を電解めっき用リードとして、
該金属板上に電解めっきにより配線パターンを形成する
工程と、該配線パターン上に半硬化状態の層間絶縁材
(II)層を形成する工程と、該層間絶縁材(II)層に配
線パターンの一部が露出するようにビアを形成する工程
と、該金属板を電解めっき用リードとして、電解めっき
により導体ポストを形成する工程と、該導体ポストの表
面に接合用金属材料層を形成する工程と、該接合用金属
材料層を覆うように、該層間絶縁材(II)層の表面に金
属接合接着剤(I)層を形成する工程と、該金属板をエ
ッチングして除去し接続層を形成する工程と、該接続層
を被接続層上に複数層重ね合せた後、一括して加熱・加
圧して、該金属接合接着剤(I)層を介して対向してい
る導体ポストと被接合部とを、接合用金属材料層により
接合し、かつ、半硬化状態の層間絶縁材(II)層と被接
続層とを金属接合接着剤(I)層により接着する工程
と、層間絶縁材(II)層と金属接合接着剤(I)層を一
体硬化する工程と、を含んでなることを特徴とする多層
配線板の製造方法。
21. A metal plate as a lead for electrolytic plating,
Forming a wiring pattern on the metal plate by electrolytic plating, forming a semi-cured interlayer insulating material (II) layer on the wiring pattern, and forming a wiring pattern on the interlayer insulating material (II) layer. A step of forming a via so that a part thereof is exposed, a step of forming a conductor post by electrolytic plating using the metal plate as a lead for electrolytic plating, and a step of forming a bonding metal material layer on the surface of the conductor post Forming a metal bonding adhesive (I) layer on the surface of the interlayer insulating material (II) layer so as to cover the bonding metal material layer; and etching and removing the metal plate to form a connection layer. Forming a plurality of the connection layers on the connection target layer, and then applying heat and pressure at a time to form the connection layer with the conductor posts facing each other via the metal bonding adhesive (I) layer. Joined to the joint with the joining metal material layer, and semi-cured Bonding the interlayer insulating material (II) layer and the layer to be connected to each other with a metal bonding adhesive (I) layer, and integrally curing the interlayer insulating material (II) layer and the metal bonding adhesive (I) layer. And a method for manufacturing a multilayer wiring board.
【請求項22】 該層間絶縁材(I)層の表面に金属接
合接着剤(I)層を形成する工程において、金属接合接
着剤(I)層を部分的に表面に形成することを特徴とす
る請求項21記載の多層配線板の製造方法。
22. A step of forming a metal bonding adhesive (I) layer on the surface of the interlayer insulating material (I) layer, wherein the metal bonding adhesive (I) layer is partially formed on the surface. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 21.
【請求項23】 金属板を電解めっき用リードとして、
該金属板と該配線パターンとの間に、電解めっきにより
レジスト金属層を形成する工程を含んでなることを特徴
とする請求項19〜請求項22のいずれかに記載の多層
配線板の製造方法。
23. A metal plate as a lead for electrolytic plating,
23. The method according to claim 19, further comprising a step of forming a resist metal layer between the metal plate and the wiring pattern by electrolytic plating. .
【請求項24】 接合用金属材料層が、半田または電解
めっきにより形成された半田からなることを特徴とする
請求項17〜請求項23のいずれかに記載の多層配線板
の製造方法。
24. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 17, wherein the bonding metal material layer is made of solder or solder formed by electrolytic plating.
【請求項25】 導体ポストが、銅からなることを特徴
とする、請求項17〜請求項24のいずれかに記載の多
層配線板の製造方法。
25. The method according to claim 17, wherein the conductor posts are made of copper.
【請求項26】 導体ポストが、接合用金属材料層と同
じ材料からなることを特徴とする請求項17〜請求項2
4のいずれかに記載の多層配線板。
26. The conductive post is made of the same material as the joining metal material layer.
5. The multilayer wiring board according to any one of 4.
【請求項27】 金属接合接着剤(I)が、少なくとも
1つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂(A)と、
その硬化剤として作用する樹脂(B)とを必須成分とす
ることを特徴とする請求項17〜請求項26のいずれか
に記載の多層配線板の製造方法。
27. A resin (A) wherein the metal bonding adhesive (I) has at least one or more phenolic hydroxyl groups,
The method for producing a multilayer wiring board according to any one of claims 17 to 26, wherein the resin (B) acting as a curing agent is used as an essential component.
【請求項28】 フェノール性水酸基を有する樹脂
(A)が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノ
ールノボラック樹脂、レゾール樹脂、クレゾールノボラ
ック樹脂、及び、ポリビニルフェノール樹脂の群から選
ばれる、少なくとも1種であることを特徴とする、請求
項27記載の多層配線板の製造方法。
28. The resin (A) having a phenolic hydroxyl group is at least one selected from the group consisting of a phenol novolak resin, an alkylphenol novolak resin, a resole resin, a cresol novolak resin, and a polyvinyl phenol resin. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 27, wherein
【請求項29】 フェノール性水酸基を有する樹脂
(A)が、金属接合接着剤(I)中に、20wt%以上
80wt%以下で含むことを特徴とする、請求項27ま
たは請求項28記載の多層配線板の製造方法。
29. The multilayer according to claim 27, wherein the resin (A) having a phenolic hydroxyl group is contained in the metal bonding adhesive (I) in an amount of 20 wt% or more and 80 wt% or less. Manufacturing method of wiring board.
【請求項30】 金属接合接着剤(I)が、エポキシ樹
脂(C)と、エポキシ樹脂(C)の硬化剤として作用す
るイミダゾール環を有する化合物(D)とを、必須成分
とすることを特徴とする請求項17〜請求項26のいず
れかに記載の多層配線板の製造方法。
30. A metal bonding adhesive (I) comprising an epoxy resin (C) and a compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent for the epoxy resin (C) as essential components. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 17 to 26.
【請求項31】 硬化剤として作用するイミダゾール環
を有する化合物(D)が、金属接合接着剤(I)中に、
1wt%以上10wt%以下で含むことを特徴とする、
請求項30記載の多層配線板の製造方法。
31. A compound (D) having an imidazole ring acting as a curing agent is contained in a metal bonding adhesive (I).
Characterized in that it is contained at 1 wt% or more and 10 wt% or less,
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 30.
【請求項32】 層間絶縁材(II)層が、シアネート樹
脂と熱可塑性樹脂を必須成分とすることを特徴とする、
請求項17〜請求項31のいずれかに記載の多層配線板
の製造方法。
32. An interlayer insulating material (II) layer comprising a cyanate resin and a thermoplastic resin as essential components,
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to any one of claims 17 to 31.
【請求項33】 シアネート樹脂が、60%以下の3量
化率を有することを特徴とする請求項32記載の多層配
線板。
33. The multilayer wiring board according to claim 32, wherein the cyanate resin has a trimerization ratio of 60% or less.
【請求項34】 層間絶縁材(II)が、更に、金属アル
キルアセトネートを必須成分とすることを特徴とする、
請求項32または請求項33記載の多層配線板の製造方
法。
34. The interlayer insulating material (II) further comprising a metal alkylacetonate as an essential component,
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 32 or 33.
【請求項35】 層間絶縁材(II)が、更に、アルキル
フェノールを必須成分とすることを特徴とする、請求項
34記載の多層配線板の製造方法。
35. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 34, wherein the interlayer insulating material (II) further comprises an alkylphenol as an essential component.
【請求項36】 熱可塑性樹脂が、ポリイミド樹脂、ポ
リエーテルスルフォン樹脂の少なくとも一種以上からな
る請求項32〜請求項35のいずれかに記載の多層配線
板の製造方法。
36. The method for producing a multilayer wiring board according to claim 32, wherein the thermoplastic resin comprises at least one of a polyimide resin and a polyether sulfone resin.
【請求項37】 層間絶縁材(II)が、半硬化状態にお
いて、5〜80%の3量化率を有するシアネート樹脂を
含んでなる請求項32〜請求項36のいずれかに記載の
多層配線板。
37. The multilayer wiring board according to claim 32, wherein the interlayer insulating material (II) contains a cyanate resin having a trimerization ratio of 5 to 80% in a semi-cured state. .
【請求項38】 請求項17〜請求項37のいずれかに
記載の製造方法により得られたことを特徴とする多層配
線板。
38. A multilayer wiring board obtained by the method according to any one of claims 17 to 37.
【請求項39】 請求項38または、請求項1〜請求項
16のいずれかに記載の多層配線板を用いたことを特徴
とする半導体装置。
39. A semiconductor device using the multilayer wiring board according to claim 38 or any one of claims 1 to 16.
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