JP2002299820A - Method of manufacturing ceramic component - Google Patents

Method of manufacturing ceramic component

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JP2002299820A
JP2002299820A JP2001095728A JP2001095728A JP2002299820A JP 2002299820 A JP2002299820 A JP 2002299820A JP 2001095728 A JP2001095728 A JP 2001095728A JP 2001095728 A JP2001095728 A JP 2001095728A JP 2002299820 A JP2002299820 A JP 2002299820A
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Japan
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powder
conductor
glass
firing
ceramic
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JP2001095728A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsukasa Wakabayashi
都加佐 若林
Hidenori Katsumura
英則 勝村
Hiroshi Kagata
博司 加賀田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass ceramic component which is highly reliable and capable of preventing defects such as cracking and the like from occurring around internal electrodes in a burned board without deteriorating its electrical properties so much in a high dimensional accuracy burning technique of burning a glass ceramic laminate sandwiched in between thermal shrinkage control sheets. SOLUTION: Conductor paste contains conductor powder which contains 95 wt.% or above Ag powder and organic vehicles, and the total quantity of glass ceramic mixed powder of glass powder and ceramic powder amounts to 0.1 to 10 wt.% of the conductor powder and is contained in the conductor paste. Or, conductor powder containing 95 wt.% or above Ag powder and organic vehicles are contained in conductor paste, and furthermore glass powder which has a softening point of 750 deg.C or above and amounts to 0.1 to 10 wt.% is contained in the conductor paste.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体LS
I、チップ部品などを搭載し、かつそれらを相互配線す
るためのセラミック多層基板に代表されるような、セラ
ミック部品の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic component, such as a ceramic multilayer substrate for mounting chip components and interconnecting them.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体LSI、チップ部品等は小
型、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も
小型、軽量化が望まれている。このような要求に対し
て、セラミック多層基板は、要求される高密度配線が得
られ、かつ薄膜化が可能なことより、今日のエレクトロ
ニクス業界において重要視されている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor LSIs, chip components, and the like have been reduced in size and weight, and it has been desired to reduce the size and weight of wiring boards on which they are mounted. In response to such demands, ceramic multilayer substrates are regarded as important in today's electronics industry because they can provide the required high-density wiring and can be made thinner.

【0003】このセラミック多層基板の従来の製造方法
について説明する。一般に、セラミック多層基板は、 (1)セラミック材料の調合、混合工程 (2)セラミックグリーンシートの成形工程 (3)導体ペーストの形成工程 (4)複合積層体の焼成工程 によって作製される。
A conventional method for manufacturing this ceramic multilayer substrate will be described. Generally, a ceramic multilayer substrate is produced by (1) a step of preparing and mixing ceramic materials, (2) a step of forming a ceramic green sheet, (3) a step of forming a conductor paste, and (4) a step of firing a composite laminate.

【0004】この焼成工程において、セラミック多層基
板は焼結に伴う収縮が生じる。この焼結に伴う収縮は、
使用する基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットな
どにより異なる。これにより多層基板の作製においてい
くつかの問題が生じている。例えば、セラミック多層基
板の作製において内層配線の焼成を行ってから最上層配
線の形成を行うため、基板材料の収縮誤差が大きいと、
最上層配線パターンと寸法誤差のため内層電極との接続
が行えない。その結果、収縮誤差を予め許容するように
最上層電極部に必要以上の大きい面積のランドを形成し
なければならず、高密度の配線を必要とする回路には使
用できない。そのため収縮誤差に合わせて最上層配線の
ためのスクリーン版をいくつか用意しておき、基板の収
縮率に応じて使用する方法が取られることもある。この
方法ではスクリーン版を数多く用意しなければならず不
経済である。また、最上層配線を内層焼成と同時に行え
ば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法によ
っても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のために必要な部分に印刷できない場合が起こ
る。
[0004] In the firing step, the ceramic multilayer substrate contracts due to sintering. The shrinkage accompanying this sintering is
It depends on the substrate material used, green sheet composition, powder lot, etc. This causes several problems in the fabrication of a multilayer substrate. For example, in order to form the uppermost layer wiring after firing the inner layer wiring in the production of the ceramic multilayer substrate, if the contraction error of the substrate material is large,
Connection with the inner layer electrode cannot be performed due to the dimensional error of the uppermost layer wiring pattern. As a result, a land having an unnecessarily large area must be formed in the uppermost electrode portion so as to allow a shrinkage error in advance, and it cannot be used for a circuit requiring high-density wiring. For this reason, a method of preparing several screen plates for the uppermost layer wiring in accordance with the contraction error and using the screen plate in accordance with the contraction ratio of the substrate may be adopted. This method is expensive because many screen versions must be prepared. Also, if the top layer wiring is performed at the same time as the inner layer firing, a large land is not required. May not be able to print on the necessary parts.

【0005】そこで特許2785544号公報におい
て、低温焼結ガラスセラミック混合粉体よりなるグリー
ンシートに電極パターンを形成したものを所望枚数積層
し、この積層体の両面、もしくは片面に前記ガラスセラ
ミック混合粉体の焼成温度では焼結しない無機組成物よ
りなる熱収縮抑制グリーンシート(以下、熱収縮抑制シ
ートと呼ぶ)で挟み込むように積層し、前記積層体を焼
成する。しかる後に熱収縮抑制層を取り除くという発明
がなされた。これにより基板材料の焼成が厚み方向に多
く起こり、平面方向の収縮は抑制される基板が作製で
き、上記のような課題が解決できる。
In Japanese Patent No. 2785544, a desired number of green sheets formed of a low-temperature sintered glass-ceramic mixed powder and having an electrode pattern formed thereon are laminated, and the glass ceramic mixed powder is coated on both sides or one side of the laminate. Are laminated so as to be sandwiched between heat shrinkage suppressing green sheets (hereinafter, referred to as heat shrinkage suppressing sheets) made of an inorganic composition that does not sinter at the firing temperature of, and the laminate is fired. Thereafter, an invention was made to remove the heat shrinkage suppressing layer. As a result, a large amount of sintering of the substrate material occurs in the thickness direction, and a substrate in which shrinkage in the planar direction is suppressed can be manufactured.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】以上のことから平面方
向の収縮が起こりにくい基板が作製されているが、ここ
には課題がある。それは基板収縮が厚み方向に多く起こ
るため、従来の製造方法では焼成後の基板において内部
電極周辺にクラック等の欠陥が発生してしまうことであ
る。
From the above, a substrate which is unlikely to contract in the plane direction has been manufactured, but there is a problem here. That is, since a large amount of substrate shrinkage occurs in the thickness direction, in the conventional manufacturing method, defects such as cracks occur around the internal electrodes in the fired substrate.

【0007】この問題が生じる原因は、焼成過程におい
て、導体ペーストとグリーンシート積層体との焼結タイ
ミングあるいは熱収縮挙動のズレに大きな原因があるも
のと考えられる。グリーンシート積層体と導体ペースト
との焼結収縮挙動に大きなズレがあるために、焼成され
た基板と電極との間に過大な応力やひずみが生じて、前
記したクラック等の欠陥の発生が生じる。従来の製造方
法であれば、焼成過程において三次元方向に収縮が起こ
り、発生したクラックは微小なものであれば焼成中に修
復するが、本発明の製造方法では、焼成過程において平
面方向に収縮が起こらないため、発生したクラック等の
欠陥が修復しにくい。このクラック等の欠陥が基板に発
生してしまうと、基板の信頼性が低下してしまい問題で
ある。
It is considered that the cause of this problem is largely due to a shift in the sintering timing or thermal shrinkage behavior between the conductor paste and the green sheet laminate during the firing process. Due to a large shift in the sintering shrinkage behavior between the green sheet laminate and the conductive paste, excessive stress and strain occur between the fired substrate and the electrode, and the above-described defects such as cracks occur. . According to the conventional manufacturing method, shrinkage occurs in the three-dimensional direction in the firing process, and the generated cracks are repaired during firing if they are minute, but in the manufacturing method of the present invention, the cracks shrink in the planar direction during the firing process. Since defects do not occur, it is difficult to repair defects such as cracks. If defects such as cracks occur in the substrate, there is a problem in that the reliability of the substrate is reduced.

【0008】本発明は上述した問題点を解決するもので
あり、その目的は、ガラスセラミック積層体を熱収縮抑
制シートで挟んで焼成する高寸法精度焼成工法におい
て、電気特性を大きく劣化させることなく、焼成後の基
板において内部電極周辺にクラック等の欠陥の発生を抑
えた高信頼性のガラスセラミック部品を提供することで
ある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a high dimensional precision firing method in which a glass ceramic laminate is sandwiched between heat shrinkage suppressing sheets and fired without greatly deteriorating electrical characteristics. Another object of the present invention is to provide a highly reliable glass-ceramic component that suppresses the occurrence of defects such as cracks around internal electrodes in a fired substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、導体ペーストにAg粉末が導体粉末全体の
95重量%以上からなる導体粉末と、有機ビヒクルとを
含み、ガラスセラミックを構成するガラス粉体とセラミ
ック粉体をあわせて導体粉末全体の0.1〜10重量%
の範囲で含まれていることを特徴としたものである。
According to the present invention, there is provided a glass ceramic comprising a conductive paste comprising a conductive paste containing 95% by weight or more of Ag powder in the conductive paste and an organic vehicle. 0.1 to 10% by weight of the total of the conductor powder
Is included in the range.

【0010】または、導体ペーストにAg粉末が導体粉
末全体の95重量%以上からなる導体粉末と、有機ビヒ
クルとを含み、軟化点が750℃以上のガラスを導体粉
末全体の0.1〜10重量%の範囲で含まれていること
を特徴としたものである。
[0010] Alternatively, glass having a softening point of 750 ° C or more containing 0.1% by weight or more of a conductive powder containing a conductive paste containing 95% by weight or more of Ag powder in the conductive paste and an organic vehicle is used. %.

【0011】導体ペースト中のAg粉末の平均粒径は
2.9μm以上であることが望ましい。
The average particle size of the Ag powder in the conductor paste is preferably 2.9 μm or more.

【0012】焼成する工程において、昇温速度は200
℃/h以上であることが望ましい。
In the firing step, the heating rate is 200
C./h or more is desirable.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
説明する。まず、ガラスセラミック混合材料の作成方法
について説明する。今回用いたガラスセラミック混合材
料は、Al23、MgO、Sm23(以下、AMSと呼
ぶ)およびガラス(SiO2−B23−CaO系ガラス
粉体、軟化点780℃)を主成分とするものである。高
純度のAl23、MgO、Sm23原料粉体をモル比で
11:1:1の割合で秤量したものを、ボールミルに投
入し20時間混合した後、乾燥する。この混合粉を13
00℃で2時間仮焼し、この仮焼粉をボールミルで20
時間粉砕したものが、AMSである。このAMSとSi
2−B23−CaO系ガラスを重量比で50:50の
割合で秤量し、ボールミルで20時間混合した後、乾燥
することにより今回用いたガラスセラミック混合材料
(以下、AMSGと呼ぶ)が得られる。このAMSGは
880℃〜950℃の温度範囲で緻密に焼成するため、
銀電極と一体同時焼成が可能である。また、比誘電率は
7.5(1MHz)である。熱収縮抑制グリーンシート
の材料には、アルミナ粉(純度99.9%、平均粒径
1.0μm)を用いた。
Embodiments of the present invention will be described below. First, a method for producing a glass ceramic mixed material will be described. The glass-ceramic mixed material used this time includes Al 2 O 3 , MgO, Sm 2 O 3 (hereinafter referred to as AMS) and glass (SiO 2 —B 2 O 3 —CaO-based glass powder, softening point 780 ° C.). It is the main component. High-purity Al 2 O 3 , MgO, and Sm 2 O 3 raw material powders weighed at a molar ratio of 11: 1: 1 are put into a ball mill, mixed for 20 hours, and dried. 13
The calcined powder is calcined at 00 ° C for 2 hours, and the calcined powder is
What was ground for a time is AMS. This AMS and Si
O 2 -B 2 O 3 were weighed -CaO based glass in a ratio of 50:50 by weight, was mixed for 20 hours by a ball mill, a glass ceramic mixed material used here by drying (hereinafter, referred to as AMSG) Is obtained. Since this AMSG is densely fired in a temperature range of 880 ° C. to 950 ° C.,
Simultaneous firing with a silver electrode is possible. The relative permittivity is 7.5 (1 MHz). Alumina powder (purity: 99.9%, average particle size: 1.0 μm) was used as a material for the heat shrinkage suppression green sheet.

【0014】上記AMSGおよびアルミナ粉に、バイン
ダとしてPVB樹脂、可塑剤としてジブチルフタレート
を添加し、酢酸ブチルを溶剤としてスラリーを作製し
て、周知のドクターブレード法により所望の厚みのAM
SGグリーンシート、熱収縮抑制(アルミナ)グリーン
シートをそれぞれ作製した。
A PVB resin as a binder and dibutyl phthalate as a plasticizer are added to the above AMSG and alumina powder, a slurry is prepared using butyl acetate as a solvent, and a slurry having a desired thickness is formed by a well-known doctor blade method.
SG green sheets and heat shrinkage-suppressed (alumina) green sheets were produced.

【0015】次に、導体ペーストの作成方法について説
明する。Ag100重量%に対して、添加物を任意の比
率で混合し、有機ビヒクル(エチルセルロースのターピ
ネオール溶解物)をペースト全体に対して20重量%加
え、これらをセラミック3本ロールにより混練し、導体
ペーストを得た。
Next, a method of preparing the conductor paste will be described. Ag is added to the paste in an optional ratio with respect to 100% by weight of Ag, and an organic vehicle (a solution of terpineol in ethyl cellulose) is added in an amount of 20% by weight based on the whole paste. Obtained.

【0016】この導体ペーストをスクリーン印刷機を使
用して、前記グリーンシート上に、電気抵抗測定用パタ
ーン(導体層)3として印刷した。図1の構成となるよ
うに、このAMSGグリーンシート2を必要枚数積層
し、両面にアルミナグリーンシート1を積層する。この
状態で熱圧着して積層体を形成した。熱圧着条件は、温
度が80℃、圧力は500kg/cm2であった。この
積層体を10×10mmの大きさに切断し、アルミナ製
のさやの上に置き、箱型炉において500℃で10時間
熱処理することにより樹脂成分を焼却した後、空気中で
焼成温度900℃、保持時間30分、昇温速度300℃
/h(但し、実施例4のみについて、昇温速度を変化さ
せた)の条件で焼成を行った。
The conductor paste was printed as a pattern (conductor layer) 3 for measuring electric resistance on the green sheet using a screen printer. The required number of the AMSG green sheets 2 are laminated so that the configuration of FIG. 1 is obtained, and the alumina green sheets 1 are laminated on both sides. In this state, the laminate was formed by thermocompression bonding. The thermocompression bonding conditions were a temperature of 80 ° C. and a pressure of 500 kg / cm 2 . This laminate is cut into a size of 10 × 10 mm, placed on an alumina sheath, and heat-treated at 500 ° C. for 10 hours in a box furnace to incinerate the resin component. , Holding time 30 minutes, heating rate 300 ° C
/ H (however, only in Example 4, the heating rate was changed).

【0017】この焼成積層体の表面には、熱収縮抑制グ
リーンシート1のアルミナが焼成することなく残存して
おり、これを酢酸ブチル中で超音波洗浄することにより
完全に除去した。
The alumina of the heat shrinkage suppressing green sheet 1 remains on the surface of the fired laminate without firing, and was completely removed by ultrasonic cleaning in butyl acetate.

【0018】[0018]

【実施例】(実施例1)ここで用いた導体ペーストは、
Ag(平均粒径4.0μm)、AMSGを構成するガラ
ス(SiO2−B23−CaO系ガラス粉体、軟化点7
80℃、平均粒径2.0μm)、およびAMS(平均粒
径1.0μm)からなり、それらの組成は(表1)に示
す通りである。
EXAMPLES (Example 1) The conductor paste used here was:
Ag (average particle size 4.0 μm), glass constituting AMSG (SiO 2 —B 2 O 3 —CaO-based glass powder, softening point 7
80 ° C., average particle size 2.0 μm) and AMS (average particle size 1.0 μm), and their compositions are as shown in (Table 1).

【0019】[0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】得られたセラミック多層基板を分析して評
価した結果を(表1)に示している。評価項目中、「ク
ラック等の欠陥のモード」は、図2に示すように、セラ
ミック多層基板11を研磨して断面を光学顕微鏡で観察
し、内部電極12近傍のセラミック多層基板11に生じ
るクラック等の欠陥13の度合いで、複数のモードに分
類して評価した。
The results obtained by analyzing and evaluating the obtained ceramic multilayer substrate are shown in Table 1. In the evaluation items, “mode of defects such as cracks” refers to cracks and the like generated in the ceramic multilayer substrate 11 near the internal electrodes 12 by polishing the ceramic multilayer substrate 11 and observing the cross section with an optical microscope as shown in FIG. The evaluation was performed by classifying into a plurality of modes according to the degree of the defect 13.

【0021】(表1)において、「モードA」は、欠陥
なし、「モードB」は、欠陥の長さが5μm未満の小さ
いもの、「モードC」は、欠陥の長さが5μm以上の大
きいものである。「抵抗値」は、内部導体層の側面に銀
電極ペーストを塗布し焼き付けて端子電極を形成し、デ
ジタルマルチメータを用いて測定した直流抵抗値から、
電極厚み10μmに換算したシート抵抗値を求めたもの
である。
In Table 1, "mode A" has no defect, "mode B" has a small defect length of less than 5 μm, and "mode C" has a large defect length of 5 μm or more. Things. `` Resistance value '' is obtained by applying a silver electrode paste to the side surface of the internal conductor layer and baking to form a terminal electrode, and measuring the DC resistance value using a digital multimeter,
The sheet resistance was calculated in terms of an electrode thickness of 10 μm.

【0022】(試料2)〜(試料7)はクラック等の欠
陥13が発生していなかった(モードA)が、(試料
1)はクラック等の欠陥13が発生(モードC)してい
た。これは、前記ガラスセラミックを構成するガラス粉
体とセラミック粉体を0.1〜10重量%の範囲で含む
ことにより、焼成時の導体ペーストの焼結を遅らせてセ
ラミック積層体の焼結挙動と合わせることができるため
である。添加量が0.1重量%未満では、導体ペースト
の焼結を遅らせることができない。また、(試料1)〜
(試料6)は抵抗値が小さいが、(試料7)は抵抗値が
増大していた。これは、ガラス粉体やセラミック粉体が
電流の抵抗となるためである。欠陥のモード、抵抗値の
両方から見たときに必要性能を満たしているものは、ガ
ラス粉体とセラミック粉体が導体粉末全体の0.1〜1
0重量%となる(試料2)〜(試料6)であった。
Samples 2 to 7 had no defects 13 such as cracks (Mode A), but Sample 1 had defects 13 such as cracks (Mode C). This is because the sintering behavior of the ceramic laminate is reduced by delaying the sintering of the conductive paste during firing by containing the glass powder and the ceramic powder constituting the glass ceramic in the range of 0.1 to 10% by weight. This is because they can be matched. If the amount is less than 0.1% by weight, the sintering of the conductor paste cannot be delayed. Also, (Sample 1)-
(Sample 6) had a small resistance value, while (Sample 7) had an increased resistance value. This is because the glass powder or the ceramic powder becomes a current resistance. The glass powder and the ceramic powder satisfy the required performance in terms of both the defect mode and the resistance value.
0% by weight (Sample 2) to (Sample 6).

【0023】(実施例2)ここで用いたペーストは、A
g(平均粒径4.0μm)と3種類のガラス(平均粒径
約2μm)からなり、それらの組成およびガラス軟化点
は(表2)に示す通りである。得られたセラミック多層
基板11を分析して評価した結果を(表2)に示してい
る。
(Example 2) The paste used here was A
g (average particle size: 4.0 μm) and three types of glass (average particle size: about 2 μm), and their compositions and glass softening points are as shown in Table 2. The results of analyzing and evaluating the obtained ceramic multilayer substrate 11 are shown in (Table 2).

【0024】[0024]

【表2】 [Table 2]

【0025】(試料9)、(試料11)、(試料1
3)、(試料14)は欠陥13が発生していなかった
が、(試料8)は欠陥13が発生していた。これは、ガ
ラス粉体を0.1〜10重量%の範囲で含むことによ
り、焼成時の導体ペーストの焼結を遅らせることができ
るためである。添加量が0.1重量%未満では、焼結を
遅らせることができない。また、(試料8)、(試料
9)、(試料11)、(試料13)は抵抗値が小さい
が、(試料14)は抵抗値が増大していた。これは、ガ
ラス粉体が電流の抵抗となるためである。欠陥のモー
ド、抵抗値の両方から見たときに必要性能を満たしてい
るものは、ガラス粉体が導体粉末全体の0.1〜10重
量%となる(試料9)、(試料11)、(試料13)で
あった。
(Sample 9), (Sample 11), (Sample 1)
3) and (Sample 14) had no defect 13, but (Sample 8) had defect 13. This is because the sintering of the conductive paste at the time of firing can be delayed by including the glass powder in the range of 0.1 to 10% by weight. If the amount is less than 0.1% by weight, sintering cannot be delayed. Further, (Sample 8), (Sample 9), (Sample 11) and (Sample 13) had small resistance values, but (Sample 14) had increased resistance values. This is because the glass powder serves as a current resistance. Glass powder satisfying the required performance when viewed from both the defect mode and the resistance value is 0.1 to 10% by weight of the whole conductor powder (Sample 9), (Sample 11), ( Sample 13).

【0026】また、(試料11)、(試料12)は欠陥
13が発生していなかったが、(試料10)は欠陥13
が発生していた。これは、ガラス軟化点750℃未満で
は、焼結を遅らせることができないためである。(試料
10)〜(試料12)はいずれも抵抗値は小さかった。
欠陥のモード、抵抗値の両方から見たときに必要性能を
満たしているものは、ガラス軟化点が750℃以上とな
る(試料11)、(試料12)であった。
Although (Sample 11) and (Sample 12) had no defect 13, (Sample 10) had no defect 13.
Had occurred. This is because sintering cannot be delayed if the glass softening point is lower than 750 ° C. (Sample 10) to (Sample 12) all had low resistance values.
Those satisfying the required performance when viewed from both the defect mode and the resistance value were (Sample 11) and (Sample 12) having a glass softening point of 750 ° C. or more.

【0027】(実施例3)ここでは、導体ペーストを構
成するAgの粒径の影響について検討した。(表3)に
示すように平均粒径が2.1〜5.2μmのAgを用
い、それぞれのAg100重量%に対しAMS(平均粒
径1.0μm)を1.0重量%、ガラス(SiO2−B2
3−CaO系ガラス粉体、軟化点780℃、平均粒径
2.0μm、)を1.0重量%添加した導体ペーストを
作製し、評価した。得られたセラミック多層基板11を
分析して評価した結果を(表3)に示している。
Example 3 Here, the influence of the particle size of Ag constituting the conductive paste was examined. As shown in (Table 3), Ag having an average particle size of 2.1 to 5.2 μm was used, AMS (average particle size 1.0 μm) was 1.0% by weight, and glass (SiO 2 -B 2
A conductor paste containing 1.0% by weight of an O 3 —CaO-based glass powder, a softening point of 780 ° C. and an average particle size of 2.0 μm) was prepared and evaluated. The results of analyzing and evaluating the obtained ceramic multilayer substrate 11 are shown in (Table 3).

【0028】[0028]

【表3】 [Table 3]

【0029】(試料16)〜(試料18)は欠陥13が
発生していなかったが、(試料15)は欠陥13がわず
かに発生(モードB)していた。これは、粒径が小さす
ぎると、焼成時に電極がグリーンシートよりも早く収縮
し、電極がグリーンシートを引っ張って電極周辺の基板
11に欠陥13が生じるためである。(試料15)〜
(試料18)はいずれも抵抗値は小さかった。欠陥のモ
ード、抵抗値の両方から見たときに望ましい性能を満た
しているものは、Ag粉末の平均粒径が2.9μm以上
である(試料16)〜(試料18)であった。
In Samples 16 to 18, no defect 13 occurred, but in Sample 15, a slight defect 13 occurred (mode B). This is because if the particle size is too small, the electrode shrinks faster than the green sheet during firing, and the electrode pulls the green sheet, causing defects 13 on the substrate 11 around the electrode. (Sample 15) ~
(Sample 18) had a small resistance value. Those satisfying the desired performance from both the defect mode and the resistance value were (Sample 16) to (Sample 18) in which the average particle diameter of the Ag powder was 2.9 μm or more.

【0030】(実施例4)ここでは、焼成処理工程にお
ける昇温速度の影響について検討した。用いたペースト
は、(表3)の(試料17)に示したものである。ま
た、今回の昇温速度は(表4)に示した通りである。得
られたセラミック多層基板11を分析して評価した結果
を(表4)に示している。
Example 4 Here, the effect of the rate of temperature increase in the firing process was studied. The used paste is shown in (Sample 17) of (Table 3). Further, the heating rate this time is as shown in (Table 4). The results of analyzing and evaluating the obtained ceramic multilayer substrate 11 are shown in (Table 4).

【0031】[0031]

【表4】 [Table 4]

【0032】(試料20)〜(試料22)は欠陥13が
発生していなかったが、(試料19)は欠陥13がわず
かに発生していた。これは、昇温速度を速くすることに
より、焼成時の電極とグリーンシートの収縮挙動の差が
小さくなるためである。(試料19)〜(試料22)は
いずれも抵抗値は小さかった。欠陥のモード、抵抗値の
両方から見たときに望ましい性能を満たしているもの
は、焼成する工程において昇温速度が200℃/h以上
である(試料20)〜(試料22)であった。
No defects 13 occurred in (Samples 20) to (Sample 22), but defects 13 occurred slightly in (Sample 19). This is because the difference in shrinkage behavior between the electrode and the green sheet during firing is reduced by increasing the heating rate. (Sample 19) to (Sample 22) all had low resistance values. Those satisfying the desired performance in terms of both the defect mode and the resistance value were (Sample 20) to (Sample 22) whose heating rate was 200 ° C./h or more in the firing step.

【0033】なお、ガラスセラミック混合粉体として
は、例えばAMSGを使用すれば良いが、本発明におい
ては特にそれだけに制限されず、その目的効果に反しな
い限り、適宜組成のものを用いることができる。
As the glass-ceramic mixed powder, for example, AMSG may be used, but it is not particularly limited in the present invention, and a powder having an appropriate composition can be used as long as the intended effect is not violated.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明のセラミック部品の製造方法によ
れば、ガラスセラミック積層体を熱収縮抑制シートで挟
んで焼成する高寸法精度焼成工法において、電気特性を
大きく劣化させることなく、焼成後の基板において内部
電極周辺にクラック等の欠陥の発生を抑えた高信頼性の
ガラスセラミック部品を提供することができる。
According to the method for manufacturing a ceramic component of the present invention, in a high dimensional accuracy firing method in which a glass ceramic laminate is sandwiched between heat shrinkage suppressing sheets and fired, the electrical characteristics after firing are not significantly deteriorated. It is possible to provide a highly reliable glass-ceramic component that suppresses the occurrence of defects such as cracks around the internal electrodes on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】セラミック積層体を熱収縮抑制シートで挟んで
焼成する、高寸法精度焼成工法を説明するための断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a high dimensional accuracy firing method in which a ceramic laminate is sandwiched between heat shrinkage suppressing sheets and fired.

【図2】セラミック部品にクラック等の欠陥が生じた状
態を説明するための図
FIG. 2 is a view for explaining a state in which a defect such as a crack has occurred in a ceramic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱収縮抑制(アルミナ)グリーンシート 2 AMSGグリーンシート 3 導体ペースト 1 Thermal shrinkage suppression (alumina) green sheet 2 AMSG green sheet 3 Conductor paste

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加賀田 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4G030 AA07 AA11 AA36 AA61 BA12 CA03 CA08 GA19 GA31 5E346 AA12 AA32 CC18 CC39 EE22 EE27 EE29 HH11  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Hiroshi Kagata 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 4G030 AA07 AA11 AA36 AA61 BA12 CA03 CA08 GA19 GA31 5E346 AA12 AA32 CC18 CC39 EE22 EE27 EE29 HH11

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラスセラミック混合粉体からなるグリ
ーンシートを複数枚積層し焼成してセラミック部品を製
造する方法であって、 少なくともAg粉末を含む導体粉末と、有機ビヒクルと
を含み、前記ガラスセラミック混合粉体を構成するガラ
ス粉体とセラミック粉体をあわせて導体粉末全体の0.
1〜10重量%の範囲で含む導体ペーストを作製する工
程と、 前記導体ペーストからなる導体層と前記グリーンシート
とを積層してなる複合積層体を形成する工程と、 前記複合積層体の両面もしくは片面に、前記ガラスセラ
ミック混合粉体の焼成温度では焼結しない無機組成物よ
りなる熱収縮抑制グリーンシートを配置して、焼成用積
層物を得る工程と、 前記焼成用積層物のグリーンシートおよび導体ペースト
を一体焼成した後、前記熱収縮抑制層を除去して、セラ
ミック部品を得る工程とを含むセラミック部品の製造方
法。
1. A method of manufacturing a ceramic component by laminating and firing a plurality of green sheets made of a glass-ceramic mixed powder, comprising: a conductive powder containing at least an Ag powder; and an organic vehicle. The glass powder and the ceramic powder constituting the mixed powder are combined to form a powder of 0.1% of the entire conductor powder.
A step of preparing a conductor paste containing 1 to 10% by weight; a step of forming a composite laminate obtained by laminating a conductor layer made of the conductor paste and the green sheet; A step of arranging a heat shrinkage suppressing green sheet made of an inorganic composition that does not sinter at the firing temperature of the glass-ceramic mixed powder on one surface to obtain a firing laminate; and a green sheet and a conductor of the firing laminate. Removing the heat shrinkage suppressing layer after integrally firing the paste to obtain a ceramic component.
【請求項2】 ガラスセラミック混合粉体からなるグリ
ーンシートを複数枚積層し焼成してセラミック部品を製
造する方法であって、 少なくともAg粉末を含む導体粉末と、有機ビヒクルと
を含み、軟化点が750℃以上のガラス粉体を導体粉末
全体の0.1〜10重量%の範囲で含む導体ペーストを
作製する工程と、 前記導体ペーストからなる導体層と前記グリーンシート
とを積層してなる複合積層体を形成する工程と、 前記複合積層体の両面もしくは片面に、熱収縮抑制グリ
ーンシートを配置して、焼成用積層物を得る工程と、 前記焼成用積層物のグリーンシートおよび導体ペースト
を一体焼成した後、前記熱収縮抑制層を除去して、セラ
ミック部品を得る工程とを含むセラミック部品の製造方
法。
2. A method for producing a ceramic part by laminating and firing a plurality of green sheets made of a glass-ceramic mixed powder, comprising a conductor powder containing at least Ag powder and an organic vehicle, and having a softening point. A step of preparing a conductor paste containing glass powder of 750 ° C. or more in a range of 0.1 to 10% by weight of the entire conductor powder; and a composite lamination in which a conductor layer made of the conductor paste and the green sheet are laminated. Forming a body, arranging a heat shrinkage-suppressing green sheet on both surfaces or one surface of the composite laminate to obtain a firing laminate, and integrally firing the green sheet and the conductive paste of the firing laminate. And then removing the heat shrinkage suppression layer to obtain a ceramic component.
【請求項3】 前記導体ペースト中のAg粉末の平均粒
径が2.9μm以上であることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載のセラミック部品の製造方法。
3. The method for manufacturing a ceramic component according to claim 1, wherein the average particle size of the Ag powder in the conductor paste is 2.9 μm or more.
【請求項4】 前記焼成する工程において、少なくとも
一部の昇温速度が200℃/h以上であることを特徴と
する請求項1または請求項2に記載のセラミック部品の
製造方法。
4. The method for producing a ceramic component according to claim 1, wherein in the firing step, at least a part of the heating rate is at least 200 ° C./h.
【請求項5】 グリーンシートに用いるガラスセラミッ
クは、Al23、LnOX(LnはLa、Ce、Nd、
Sm、Eu、Gd、Tbから選ばれる少なくとも一種
類、Xは前記Lnの価数に応じて化学量論的に定まる数
値である)、MgOおよびガラスを主成分とすることを
特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のセ
ラミック部品の製造方法。
5. The glass ceramic used for the green sheet is Al 2 O 3 , LnO x (Ln is La, Ce, Nd,
At least one selected from Sm, Eu, Gd, and Tb, and X is a stoichiometric value determined according to the valence of Ln), MgO and glass as main components. The method for producing a ceramic component according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7352116B2 (en) 2004-04-20 2008-04-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and piezoelectric resonator component

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