JP2002299313A - Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP2002299313A JP2002299313A JP2001106271A JP2001106271A JP2002299313A JP 2002299313 A JP2002299313 A JP 2002299313A JP 2001106271 A JP2001106271 A JP 2001106271A JP 2001106271 A JP2001106271 A JP 2001106271A JP 2002299313 A JP2002299313 A JP 2002299313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphoric acid
- acid solution
- wet etching
- heat exchange
- etching apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特にシリコン窒化膜（窒化膜）の除去に熱リン酸
を利用するウェットエッチング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to a wet etching apparatus utilizing hot phosphoric acid for removing a silicon nitride film (nitride film).
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン半導体ウェハ上にＬＯＣＯＳ法
による素子分離酸化膜（ＳｉＯ2 膜）を形成する際のマ
スクに窒化膜（シリコン窒化膜Ｓｉ3 Ｎ4 ）が用いられ
る。このような窒化膜の除去には、加熱したリン酸溶
液、いわゆる熱リン酸のウェットエッチングが一般に利
用されている。2. Description of the Related Art A nitride film (silicon nitride film Si 3 N 4 ) is used as a mask when an element isolation oxide film (SiO 2 film) is formed on a silicon semiconductor wafer by a LOCOS method. To remove such a nitride film, wet etching of a heated phosphoric acid solution, so-called hot phosphoric acid, is generally used.
【０００３】すなわち、洗浄槽に熱リン酸を循環させ、
洗浄槽に窒化膜と酸化膜がパターニングされているシリ
コン半導体ウェハを漬浸して窒化膜のみを溶解除去する
ウェットエッチング装置が知られている。That is, hot phosphoric acid is circulated through a washing tank,
There is known a wet etching apparatus for immersing a silicon semiconductor wafer in which a nitride film and an oxide film are patterned in a cleaning tank and dissolving and removing only the nitride film.
【０００４】図４は、従来のウェットエッチング装置の
構成を示すブロック図である。ウェットエッチング装置
４０において、洗浄槽４１中の熱リン酸（加熱したリン
酸溶液）は、ポンプ４２で吸引、送り出されてフィルタ
ー４３を経由する。その後、ヒーター４４を介して所定
の液温となった熱リン酸は再び洗浄槽４１に戻る。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional wet etching apparatus. In the wet etching apparatus 40, hot phosphoric acid (heated phosphoric acid solution) in the cleaning tank 41 is suctioned and sent out by the pump 42 and passes through the filter 43. After that, the hot phosphoric acid that has reached the predetermined liquid temperature via the heater 44 returns to the cleaning tank 41 again.
【０００５】このような循環系を有するウェットエッチ
ング装置４０の洗浄槽４１に、窒化膜が形成されている
ウェハＷＦを漬浸すると、熱リン酸による窒化膜のエッ
チングが進行する。その際、窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）中の
Ｓｉ成分が熱リン酸中に溶出する問題がある。When a wafer WF on which a nitride film is formed is immersed in a cleaning tank 41 of a wet etching apparatus 40 having such a circulation system, the etching of the nitride film by hot phosphoric acid proceeds. At this time, there is a problem that the Si component in the nitride film (Si 3 N 4 ) elutes into the hot phosphoric acid.
【０００６】上記Ｓｉ成分は、低濃度では熱リン酸中に
溶解したままであるが、多数のウェハの窒化膜除去処理
に伴って徐々に高濃度で熱リン酸中に存在するようにな
り、過飽和になると析出をみる。Ｓｉ析出による堆積が
循環系配管内壁はもとよりポンプ４２内部、フィルター
４３内部に及ぶと、循環系の機能が損なわれる。従っ
て、熱リン酸中のＳｉ濃度が飽和濃度に達する前、ある
いは達した時点のなるべく早い時期での液交換、循環系
配管に関するＨＦ（フッ酸）等の薬液洗浄やフィルター
交換などのメンテナンスが重要である。The above-mentioned Si component remains dissolved in hot phosphoric acid at a low concentration, but is gradually present at a high concentration in hot phosphoric acid with the removal of a nitride film from many wafers. When supersaturated, precipitation is observed. If the deposition due to Si deposition reaches the inside of the pump 42 and the inside of the filter 43 as well as the inner wall of the circulation system piping, the function of the circulation system is impaired. Therefore, maintenance such as liquid exchange before or after the Si concentration in the hot phosphoric acid reaches the saturation concentration, cleaning of the chemical solution such as HF (hydrofluoric acid) and the filter exchange for the circulating system piping is important. It is.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述のように熱リン酸
の液寿命による頻繁な液交換、循環系内に散在して付着
するＳｉ析出に伴う定期的なメンテナンスによって、リ
ン酸溶液を含む薬液コストの増大、エッチング処理の稼
動率低下はやむを得ない状況となっている。As described above, a chemical solution containing a phosphoric acid solution is obtained by frequent liquid exchange due to the solution life of hot phosphoric acid and periodic maintenance accompanying the deposition of Si scattered and adhering in the circulation system. Increasing costs and lowering the operating rate of the etching process are inevitable.
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテ
ナンス頻度削減を実現する半導体装置の製造方法及びウ
ェットエッチング装置を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a wet etching apparatus which can extend the life of hot phosphoric acid and reduce the frequency of maintenance of a circulation system. Is what you do.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、シリコン基板に形成される窒化膜の除去
工程に熱リン酸を利用するウェットエッチングに関し、
少なくとも前記窒化膜が加熱したリン酸溶液に漬浸され
る熱リン酸の循環系を伴い、前記循環系の途中で積極的
に前記リン酸溶液の熱交換を利用しリン酸溶液中の溶解
物を特定箇所に集中して析出させることを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention relates to wet etching using hot phosphoric acid in a step of removing a nitride film formed on a silicon substrate.
At least the circulating system of hot phosphoric acid in which the nitride film is immersed in a heated phosphoric acid solution is used. Is concentrated and deposited at a specific location.
【００１０】上記本発明に係る半導体装置の製造方法に
よれば、リン酸溶液中の溶解物を析出させるため積極的
にリン酸溶液の熱交換を利用する。これにより、リン酸
溶液中の析出物の付着を特定箇所に集中させ、リン酸溶
液中の析出物が循環系のあらゆる箇所に散在しつつ付着
するのを抑制する。なお、析出物を積極的に付着させる
部分をユニットとして交換できるようにすれば、循環系
の他の領域への影響は少なくて済む。According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, heat exchange of the phosphoric acid solution is positively used to precipitate a dissolved substance in the phosphoric acid solution. Thus, the deposits in the phosphoric acid solution are concentrated at specific locations, and the deposits in the phosphoric acid solution are prevented from being scattered and attached to all locations in the circulation system. If the portion where the precipitates are positively adhered can be replaced as a unit, the influence on other areas of the circulation system can be reduced.
【００１１】本発明に係るウェットエッチング装置は、
シリコン基板に形成される窒化膜の除去工程に熱リン酸
を利用するウェットエッチング装置であって、少なくと
も前記窒化膜が加熱したリン酸溶液に漬浸される洗浄槽
と、前記リン酸溶液の循環系とを具備し、前記循環系の
途中に前記リン酸溶液中のシリコンの析出及び付着を促
す熱交換部材が配設されていることを特徴とする。[0011] The wet etching apparatus according to the present invention comprises:
What is claimed is: 1. A wet etching apparatus using hot phosphoric acid in a step of removing a nitride film formed on a silicon substrate, comprising: a cleaning tank in which at least the nitride film is immersed in a heated phosphoric acid solution; And a heat exchange member that promotes precipitation and adhesion of silicon in the phosphoric acid solution is provided in the middle of the circulation system.
【００１２】上記本発明に係るウェットエッチング装置
によれば、熱交換部材を配設し、リン酸溶液中の析出物
の付着を集中させる。これにより、リン酸溶液中の析出
物が循環系のあらゆる箇所に散在しつつ付着するのを抑
制する。According to the wet etching apparatus of the present invention, the heat exchange member is provided to concentrate the deposits in the phosphoric acid solution. This suppresses the deposits in the phosphoric acid solution from being scattered and adhering to all parts of the circulation system.
【００１３】なお、上記循環系は、洗浄槽からのリン酸
溶液を送り出すポンプ、パーティクル除去用のフィルタ
ー、及び、リン酸溶液を所定温度に加熱するヒーターを
含み、上記熱交換部材はヒーターの前段に配備されるこ
とを特徴とする。さらに好ましくはポンプの前段である
と、析出物の影響が循環系の他の領域に極力及ばないよ
うになる。The circulating system includes a pump for sending out the phosphoric acid solution from the washing tank, a filter for removing particles, and a heater for heating the phosphoric acid solution to a predetermined temperature. It is characterized by being deployed in. More preferably, in the former stage of the pump, the influence of the precipitates does not reach other areas of the circulation system as much as possible.
【００１４】なお、好ましい上記熱交換部材は、循環す
るリン酸溶液の温度より低温の液体を循環させている導
管であることを特徴とする。これにより、導管表面は常
に析出物を付着させやすい低温にされる。また、この熱
交換部材は、ユニットとして交換可能であることを特徴
とする。さらに好ましくは、上記熱交換部材を含むユニ
ットが２経路設けられ、ユニットはそれぞれ交換可能で
あって、常にユニットのうちの一つが上記循環系に組み
入れられるように構成されていることを特徴とする。こ
れにより、ウェットエッチング装置のメンテナンスの容
易性、高効率化に寄与する。The heat exchange member is preferably a conduit for circulating a liquid having a temperature lower than the temperature of the circulating phosphoric acid solution. Thereby, the surface of the conduit is always kept at a low temperature where the precipitates are apt to adhere. The heat exchange member is exchangeable as a unit. More preferably, two units including the heat exchange member are provided, and the units are exchangeable, and one of the units is configured to be always incorporated into the circulation system. . This contributes to easy maintenance and high efficiency of the wet etching apparatus.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の半導体装置の製
造方法に係る基本的なブロック図であり、熱リン酸を利
用するウェットエッチングに関する熱リン酸（熱リン酸
溶液）の循環系を示している。FIG. 1 is a basic block diagram according to a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. The circulation system of hot phosphoric acid (hot phosphoric acid solution) related to wet etching using hot phosphoric acid. Is shown.
【００１６】窒化膜（シリコン窒化膜Ｓｉ3 Ｎ4 ）の形
成を含むウェハが漬浸される熱リン酸（加熱したリン酸
溶液）の洗浄槽１１が配備され、熱リン酸を循環させ
る。循環系Ｃ１の途中で積極的にリン酸溶液の熱交換を
利用する熱交換領域１２が設けられる。この熱交換領域
１２において熱リン酸の温度を奪い、リン酸溶液中の析
出物（Ｓｉ成分）を集中的に付着させる。この熱交換領
域１２における特定箇所は容易に交換可能なようにして
おく。ある程度Ｓｉ成分の除去されたリン酸溶液は再び
加熱され、洗浄槽１１では所定範囲の温度に保たれる。A cleaning tank 11 for hot phosphoric acid (heated phosphoric acid solution) in which a wafer including a nitride film (silicon nitride film Si 3 N 4 ) is immersed is provided to circulate hot phosphoric acid. A heat exchange area 12 is provided for positively utilizing the heat exchange of the phosphoric acid solution in the middle of the circulation system C1. In the heat exchange region 12, the temperature of the hot phosphoric acid is deprived, and the precipitate (Si component) in the phosphoric acid solution is intensively attached. The specific portion in the heat exchange area 12 is made to be easily exchangeable. The phosphoric acid solution from which the Si component has been removed to some extent is heated again, and is maintained at a predetermined temperature in the cleaning tank 11.
【００１７】上記実施形態の方法によれば、リン酸溶液
中の析出物を付着させるため積極的にリン酸溶液の熱交
換を利用する。これにより、リン酸溶液中の溶解物（Ｓ
ｉ成分）の析出を熱交換領域１２の特定箇所に集中さ
せ、リン酸溶液中の析出物が循環系Ｃ１のあらゆる箇所
に散在しつつ付着するのを抑制する。Ｓｉ析出物を積極
的に付着させる部分をユニットとして交換できるように
すれば、循環系の他の領域への影響は少なくて済む。こ
の結果、熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテナン
ス頻度削減を実現する。According to the method of the above embodiment, the heat exchange of the phosphoric acid solution is positively used to deposit the precipitates in the phosphoric acid solution. Thereby, the dissolved matter (S
Precipitation of the i-component) is concentrated at a specific portion of the heat exchange region 12, and the deposit in the phosphoric acid solution is prevented from being scattered and attached to all portions of the circulation system C1. If the portion where the Si precipitate is positively adhered can be replaced as a unit, the influence on other regions of the circulation system can be reduced. As a result, the service life of the hot phosphoric acid can be extended and the frequency of maintenance of the circulation system can be reduced.
【００１８】図２は、本発明の第１実施形態に係るウェ
ットエッチング装置の構成を示すブロック図である。ウ
ェットエッチング装置２０において、洗浄槽２１中の熱
リン酸（１５０〜１６０℃に加熱したリン酸溶液）は、
ポンプ２３の前段における熱交換部材２２を経由してポ
ンプ２３で吸引、送り出され、フィルター２４でフィル
タリングされる。その後、ヒーター２５を介して所定範
囲の液温となった熱リン酸は再び洗浄槽２１に戻る。FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the wet etching apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the wet etching apparatus 20, hot phosphoric acid (phosphoric acid solution heated to 150 to 160 ° C.) in the cleaning tank 21
The air is sucked and sent out by the pump 23 via the heat exchange member 22 at the preceding stage of the pump 23, and is filtered by the filter 24. After that, the hot phosphoric acid which has reached the liquid temperature within the predetermined range via the heater 25 returns to the cleaning tank 21 again.
【００１９】このような循環系中における熱交換部材２
２は、通過する熱リン酸の温度を奪い、溶解物（Ｓｉ成
分）を積極的に析出させるための導管２２１とする。導
管２２１はらせん形状であり、内部には熱リン酸の温度
より低い温度の液体（例えば常温またはより低温の純水
ＤＩＷ）が循環するようになっている。これにより、通
過するリン酸溶液中の溶解物（Ｓｉ成分）を導管２２１
の表面に集中的に析出させる。The heat exchange member 2 in such a circulation system
Reference numeral 2 designates a conduit 221 for depriving the temperature of hot phosphoric acid passing therethrough and positively precipitating a dissolved substance (Si component). The conduit 221 has a helical shape, and a liquid having a temperature lower than the temperature of hot phosphoric acid (for example, DIW at room temperature or lower temperature) is circulated therein. As a result, the dissolved matter (Si component) in the phosphoric acid solution passing through the conduit 221 is removed.
Concentrated on the surface of
【００２０】上記構成の循環系を有するウェットエッチ
ング装置２０の洗浄槽２１に、窒化膜が形成されている
ウェハＷＦを漬浸すると、熱リン酸による窒化膜のエッ
チングが進行する。その際、窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）中の
Ｓｉ成分が熱リン酸中に溶出する。洗浄槽２１から溢れ
出るＳｉ成分を含む熱リン酸は、熱交換部材２２として
の導管２２１を通過するとき、導管２２１表面にＳｉ成
分を析出、付着させていく。When the wafer WF on which the nitride film is formed is immersed in the cleaning tank 21 of the wet etching apparatus 20 having the above-described circulating system, the etching of the nitride film by hot phosphoric acid proceeds. At this time, the Si component in the nitride film (Si 3 N 4 ) elutes in the hot phosphoric acid. The hot phosphoric acid containing the Si component overflowing from the cleaning tank 21 precipitates and adheres to the surface of the conduit 221 when passing through the conduit 221 as the heat exchange member 22.
【００２１】上記第１実施形態の構成によれば、リン酸
溶液中のＳｉ析出の付着を特定箇所に集中させることが
でき、リン酸溶液中のＳｉが循環系のあらゆる箇所に散
在しつつ付着するのを抑制することができる。これによ
り、Ｓｉ析出による堆積がポンプ２３内部、フィルター
２４内部に及ぶことはほとんどなくなり、循環系の機能
が損なわれることはない。導管２２１を含む熱交換部材
２２の部分をユニットとして交換すれば、循環系の他の
領域への影響は少なくて済む。この結果、熱リン酸の液
寿命延長及び循環系のメンテナンス頻度削減を実現す
る。According to the configuration of the first embodiment, the deposition of Si in the phosphoric acid solution can be concentrated at a specific location, and the Si in the phosphoric acid solution adheres while being scattered at all locations in the circulation system. Can be suppressed. As a result, the deposition due to Si precipitation hardly reaches the inside of the pump 23 and the inside of the filter 24, and the function of the circulation system is not impaired. If the portion of the heat exchange member 22 including the conduit 221 is replaced as a unit, the influence on other regions of the circulation system can be reduced. As a result, the service life of the hot phosphoric acid can be extended and the frequency of maintenance of the circulation system can be reduced.
【００２２】図３は、本発明の第２実施形態に係るウェ
ットエッチング装置の構成を示すブロック図である。上
記第１実施形態の図２に比べて、導管２２１を含む熱交
換部材２２の部分をユニットＵ１，Ｕ２として２経路設
けている。ウェットエッチング装置３０におけるユニッ
トＵ１，Ｕ２はそれぞれ交換可能であって、例えばバル
ブＶ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２の制御によって常に
ユニットＵ１，Ｕ２のうちの一つが装置の循環系に組み
入れられるように構成されている。その他の構成は上記
第１実施形態と同様であるので同一の符号を付す。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a wet etching apparatus according to a second embodiment of the present invention. As compared with FIG. 2 of the first embodiment, two paths of the heat exchange member 22 including the conduit 221 are provided as units U1 and U2. The units U1 and U2 in the wet etching apparatus 30 are replaceable, and are configured such that one of the units U1 and U2 is always incorporated into the circulation system of the apparatus by, for example, controlling the valves V11, V12, V21, and V22. ing. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and thus are denoted by the same reference numerals.
【００２３】上記第２実施形態の構成によれば、前記第
１実施形態と同様の効果が得られる。さらに、バルブＶ
１１，Ｖ１２を開け、バルブＶ２１，Ｖ２２を閉めてユ
ニットＵ１の経路を使用する、バルブＶ１１，Ｖ１２を
閉め、バルブＶ２１，Ｖ２２を開けてユニットＵ２の経
路を使用するといった経路の選択ができる。選択されな
かった経路のユニットでは、Ｓｉ析出の溜まった導管２
２１の交換またはＳｉ除去洗浄などメンテナンスが可能
である。かつエッチング装置３０の循環系は常に稼動状
態が保たれる。これにより、ウェットエッチング装置の
メンテナンスの容易性、高効率化に寄与する。According to the configuration of the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Further, the valve V
11, V12 is opened, valves V21 and V22 are closed to use the path of unit U1, and valves V11 and V12 are closed and valves V21 and V22 are opened to use the path of unit U2. In the unit of the path not selected, the conduit 2 in which the Si
Maintenance such as replacement of 21 or Si removal cleaning is possible. In addition, the circulating system of the etching apparatus 30 is always kept operating. This contributes to easy maintenance and high efficiency of the wet etching apparatus.
【００２４】なお、上記各実施形態における熱交換部材
２２としての導管２２１は一例であって、様々な形状が
考えられる。また、導管２２１に流す低温の液体は純水
に限らない。他の例として図示しないが、導管２２１に
低温の不活性ガスを流すようにしてもよい。また、熱交
換部材２２として導管２２１がなくても、低温にされる
表面積の広い内壁を持つような構成も考えられる。バル
ブの配備も図示されないものが多々あり、バルブＶ１
１，１２，Ｖ２１，Ｖ２２の配置も限定されるものでは
ない。The conduit 221 as the heat exchange member 22 in each of the above embodiments is merely an example, and various shapes can be considered. The low-temperature liquid flowing through the conduit 221 is not limited to pure water. Although not shown, a low-temperature inert gas may flow through the conduit 221 as another example. Further, even without the conduit 221, the heat exchange member 22 may be configured to have an inner wall having a large surface area to be cooled. Many of the valves are not shown, and the valve V1
The arrangement of 1, 12, V21, and V22 is not limited.
【００２５】このような各実施形態に係る方法または構
成により、リン酸溶液中のＳｉ析出の付着を特定箇所に
集中させることができ、リン酸溶液中のＳｉが循環系の
あらゆる箇所に散在しつつ付着するのを抑制することが
できる。また、熱交換部材の部分をユニットとして交換
すれば、循環系の他の領域への影響は少なくて済む。こ
の結果、熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテナン
ス頻度削減が高信頼性をもって達成することができる。According to the method or the configuration according to each of the embodiments, the deposition of Si precipitation in the phosphoric acid solution can be concentrated at a specific location, and the Si in the phosphoric acid solution is scattered at all locations in the circulation system. It is possible to suppress the adhesion while being carried out. If the heat exchange member is replaced as a unit, the influence on other areas of the circulation system can be reduced. As a result, it is possible to extend the liquid lifetime of the hot phosphoric acid and reduce the maintenance frequency of the circulating system with high reliability.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ン酸溶液中の溶解物（Ｓｉ成分）の析出を集中させる特
定箇所を設ける。これにより、リン酸溶液中のＳｉが循
環系のあらゆる箇所に散在しつつ付着するのを抑制する
ことができる。そして、Ｓｉ付着を集中させる部分をユ
ニットとして交換可能とすれば、循環系の他の領域への
影響は少なくて済む。さらに、上記ユニットを２経路設
けて交互に循環系に組み入れるようにすれば、常に稼動
状態が保てる。この結果、熱リン酸の液寿命延長及び循
環系のメンテナンス頻度削減を実現する半導体装置の製
造方法及びウェットエッチング装置を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention, a specific portion is provided to concentrate the precipitation of a dissolved substance (Si component) in a phosphoric acid solution. Accordingly, it is possible to suppress the Si in the phosphoric acid solution from adhering while being scattered to all parts of the circulation system. If the portion where Si deposition is concentrated can be replaced as a unit, the influence on other regions of the circulation system can be reduced. Further, if the above units are provided in two paths and are alternately incorporated into the circulation system, the operating state can always be maintained. As a result, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device and a wet etching apparatus that can extend the life of hot phosphoric acid and reduce the frequency of maintenance of the circulation system.
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る基本的な
ブロック図であり、熱リン酸を利用するウェットエッチ
ングに関する熱リン酸（熱リン酸溶液）の循環系を示し
ている。FIG. 1 is a basic block diagram according to a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, showing a circulation system of hot phosphoric acid (hot phosphoric acid solution) related to wet etching using hot phosphoric acid.
【図２】本発明の第１実施形態に係るウェットエッチン
グ装置の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a wet etching apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施形態に係るウェットエッチン
グ装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a wet etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来のウェットエッチング装置の構成を示すブ
ロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional wet etching apparatus.
２０，３０，４０…ウェットエッチング装置 １１，２１，４１…洗浄槽 １２…熱交換領域 ２２…熱交換部材 ２２１…導管 ２３，４２…ポンプ ２４，４３…フィルター ２５，４４…ヒーター Ｃ１…循環系 Ｕ１，Ｕ２…ユニット Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２…バルブ ＷＦ…ウェハ 20, 30, 40 ... Wet etching apparatus 11, 21, 41 ... Cleaning tank 12 ... Heat exchange area 22 ... Heat exchange member 221 ... Conduit 23, 42 ... Pump 24, 43 ... Filter 25, 44 ... Heater C1 ... Circulation system U1 , U2 ... Unit V11, V12, V21, V22 ... Valve WF ... Wafer
Claims (7)
工程に熱リン酸を利用するウェットエッチングに関し、 少なくとも前記窒化膜が加熱したリン酸溶液に漬浸され
る熱リン酸の循環系を伴い、前記循環系の途中で積極的
に前記リン酸溶液の熱交換を利用しリン酸溶液中の溶解
物を特定箇所に集中して析出させることを特徴とする半
導体装置の製造方法。The present invention relates to wet etching using hot phosphoric acid in a step of removing a nitride film formed on a silicon substrate, wherein at least the nitride film has a circulation system of hot phosphoric acid immersed in a heated phosphoric acid solution. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that a heat exchange of the phosphoric acid solution is positively used in the course of the circulating system to concentrate a dissolved substance in the phosphoric acid solution at a specific location.
領域をユニットとして交換可能にすることを特徴とする
半導体装置の製造方法。2. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a region in which a dissolved substance in a phosphoric acid solution is deposited is replaceable as a unit.
工程に熱リン酸を利用するウェットエッチング装置であ
って、 少なくとも前記窒化膜が加熱したリン酸溶液に漬浸され
る洗浄槽と、 前記リン酸溶液の循環系とを具備し、 前記循環系の途中に前記リン酸溶液中のシリコンの析出
及び付着を促す熱交換部材が配設されていることを特徴
とするウェットエッチング装置。3. A wet etching apparatus using hot phosphoric acid in a step of removing a nitride film formed on a silicon substrate, wherein: a cleaning tank in which at least the nitride film is immersed in a heated phosphoric acid solution; A wet-etching apparatus, comprising: a circulating system for a phosphoric acid solution; and a heat exchange member for promoting precipitation and adhesion of silicon in the phosphoric acid solution in the middle of the circulating system.
液を送り出すポンプ、パーティクル除去用のフィルタ
ー、及び、リン酸溶液を所定温度に加熱するヒーターを
含み、前記熱交換部材は前記ヒーターの前段に配備され
ることを特徴とする請求項３記載のウェットエッチング
装置。4. The circulating system includes a pump for sending out a phosphoric acid solution from the washing tank, a filter for removing particles, and a heater for heating the phosphoric acid solution to a predetermined temperature, and the heat exchange member includes a heater for heating the phosphoric acid solution. The wet etching apparatus according to claim 3, wherein the wet etching apparatus is provided in a preceding stage.
度より低温の液体を循環させている導管であることを特
徴とする請求項３または４記載のウェットエッチング装
置。5. The wet etching apparatus according to claim 3, wherein the heat exchange member is a conduit for circulating a liquid having a temperature lower than the temperature of the phosphoric acid solution.
可能であることを特徴とする請求項３〜５いずれか一つ
に記載のウェットエッチング装置。6. The wet etching apparatus according to claim 3, wherein the heat exchange member is replaceable as a unit.
設けられ、ユニットはそれぞれ交換可能であって、常に
ユニットのうちの一つが前記循環系に組み入れられるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項３〜５いず
れか一つに記載のウェットエッチング装置。7. A unit including the heat exchange member is provided in two paths, the units are exchangeable, and one of the units is always incorporated in the circulation system. The wet etching apparatus according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106271A JP2002299313A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106271A JP2002299313A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299313A true JP2002299313A (en) | 2002-10-11 |
Family
ID=18958809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001106271A Pending JP2002299313A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299313A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100655429B1 (en) | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | System and method for regenerating the phosphoric acid solution, and apparatus for treating substrate with the system |
| US7713478B2 (en) | 2005-05-17 | 2010-05-11 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
| JP2012170955A (en) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern forming method |
| CN103506333A (en) * | 2013-09-28 | 2014-01-15 | 无锡荣能半导体材料有限公司 | Silicone wafer degumming pre-washing device |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001106271A patent/JP2002299313A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7713478B2 (en) | 2005-05-17 | 2010-05-11 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
| KR100655429B1 (en) | 2005-11-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | System and method for regenerating the phosphoric acid solution, and apparatus for treating substrate with the system |
| JP2012170955A (en) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Pattern forming method |
| CN103506333A (en) * | 2013-09-28 | 2014-01-15 | 无锡荣能半导体材料有限公司 | Silicone wafer degumming pre-washing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4944558B2 (en) | Etching solution regeneration method, etching method and etching apparatus | |
| US7479460B2 (en) | Silicon surface preparation | |
| US20070175387A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US20070017903A1 (en) | Method for Treating an Etching Solution | |
| JP4668079B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| TW200405458A (en) | Regeneration process of etching solution, etching process, and etching system | |
| JPH0684875A (en) | Method and apparatus for reduction of fine- particle concentration in working fluid | |
| JP3788985B2 (en) | Etching solution regeneration method, etching method and etching apparatus | |
| JP2002299313A (en) | Manufacturing method and wet etching apparatus for semiconductor device | |
| US11430675B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing liquid reuse method | |
| JP3842657B2 (en) | Wet etching system | |
| CN100399518C (en) | Etching system and treatment of etching agent | |
| JP3609186B2 (en) | Wet processing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the wet processing apparatus | |
| US11745213B2 (en) | Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method | |
| US20210118704A1 (en) | Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method | |
| AU6872096A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| JP2000082691A (en) | Processing system and method | |
| JP2019080049A (en) | Substrate processing device, substrate processing method and storage medium | |
| JP4112343B2 (en) | Chemical treatment apparatus, chemical treatment method, and semiconductor device manufacturing method using the same | |
| JP3595441B2 (en) | Cleaning method using hydrogen peroxide | |
| JP3123954B2 (en) | Wet etching apparatus and processing method | |
| JP3277625B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3773458B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
| JP2007288103A (en) | Etching treating device and etching treating method | |
| US20040166242A1 (en) | Substrate treating method and apparatus |