JP2002299271A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

Info

Publication number
JP2002299271A
JP2002299271A JP2001095935A JP2001095935A JP2002299271A JP 2002299271 A JP2002299271 A JP 2002299271A JP 2001095935 A JP2001095935 A JP 2001095935A JP 2001095935 A JP2001095935 A JP 2001095935A JP 2002299271 A JP2002299271 A JP 2002299271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap
heat treatment
vertical heat
treatment apparatus
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001095935A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohisa Shimazu
知久 島津
Manabu Honma
学 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001095935A priority Critical patent/JP2002299271A/ja
Publication of JP2002299271A publication Critical patent/JP2002299271A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 キャップ部と回転軸との隙間を高精度に調整
しすることにより、パージガスによる密封シール機能を
向上させて、回転機構部分等の腐食防止と、副生成物の
侵入を確実に防止すること。 【解決手段】 処理容器1内に処理ガスを導入して収納
保持した被処理体である半導体ウエハWを回転させなが
ら熱処理する縦型熱処理装置において、処理容器1を被
蓋するキャップ部6に回転導入機構部8を貫通させ、こ
の回転導入機構部8にはリング状の調整部材20を設
け、かつ処理容器1の内部側には、リング状の隙間保持
体24を設けると共に、キャップ部6と回転導入機構部
8とのパージ流路の隙間25を、調整部材20を微調整
させて隙間保持体24で所定の隙間25に調整するよう
にした縦型熱処理装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型熱処理装置に
関し、特に、回転導入機構部のシール構造に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体ウエハ等の被処理体におけ
る製造プロセスにおいては、半導体ウエハ等に対して、
酸化処理、拡散処理、減圧CVD処理である成膜処理等
の処理を施すために、各種の熱処理工程が行われる。こ
れらの熱処理工程には、多数枚の半導体ウエハに対して
処理が可能なバッチ式の縦型熱処理装置が多く用いられ
ている。この縦型熱処理装置は、縦長の処理容器(反応
管)の周囲には加熱炉が設けられ、また、この処理容器
の下端部にステンレス製のマニホールドを設け、このマ
ニホールドには、処理ガスの導入ポートや排気ポートな
どが設けられている。
【0003】また、マニホールドの下方開口部は、昇降
機構に設けたキャップ部により開閉可能に設けられ、こ
のキャップ部上にウエハを多段に収容したウエハボート
を載置し、キャップ部の昇降によって処理容器内へウエ
ハボートをロードまたはアンロードするように構成して
いる。更には、ウエハボートを支持している回転軸をキ
ャップ部に形成した貫通孔に貫通させ、この回転軸は、
昇降機構に設けられたモータによって回転駆動され、回
転軸の上方に配設したウエハボートを回転させながら熱
処理を行うことにより半導体ウエハの面内における熱処
理の均一性を向上させるようにしている。
【0004】ところで、上記キャップ部に設けた貫通孔
と回転軸との間には隙間が生じるので、通常は、この部
分にNガス等の不活性ガス(パージガス)を供給して
この部位をシールしたり、或は、キャップ部の外方に位
置している回転軸の周囲に磁気シール等のシール手段を
設けて処理ガスが外部に漏れないようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おけるキャップ部の貫通孔の内周面とこれと対向する回
転軸の内周面との隙間は、貫通孔と回転軸の加工精度の
点から、必要最小限度の隙間を設けるのが困難であっ
た。特に、キャップ部を石英で形成すると、石英の加工
性が悪いため、一層その隙間の管理は難しいものであっ
た。
【0006】この隙間の加工精度が悪いと、回転軸と貫
通孔の内周面とが接触するおそれがあるばかりでなく、
隙間が所定以上になると、隙間部でのパージガスが不均
一になり、また、パージガスの流量が多く供給される
と、熱処理領域にある処理ガスにパージガスが多量に混
入して熱処理に悪影響を与えることになる。更には、処
理容器内の処理ガスが腐食ガスであると、この隙間部か
ら腐食ガスが侵入して、この軸の回転機構部分等を腐食
させると共に、反応副生成物が生成されてこの回転機構
部に付着したり、処理容器内で生成された反応副生成物
がこの隙間より侵入し、低温度の回転機構部分に副生成
物が凝結して回転駆動に支障をきたす等の課題を有して
いた。
【0007】本発明は、従来の熱処理装置における問題
点に鑑みて開発したものであり、その目的とするところ
は、キャップ部と回転軸との隙間を高精度に調整し、管
理することにより、パージガスによる密封シール機能を
向上させて、回転機構部分等の腐食防止と、副生成物の
侵入を確実に防止し、処理容器内における処理ガスの接
ガス面を耐腐食性非金属で構成して、上記の腐食防止と
反応副生成物の侵入をより一層向上させた縦型熱処理装
置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、処理容器内に処理ガスを導
入して収納保持した被処理体を回転させながら熱処理す
る縦型熱処理装置において、処理容器を被蓋するキャッ
プ部に回転導入機構部を貫通させ、この回転導入機構部
には調整部材を設け、かつ処理容器の内部側には、隙間
保持体を設けると共に、前記キャップ部と回転導入機構
部とのパージ流路の隙間を、前記調整部材を微調整させ
て前記隙間保持体で所定の隙間に調整するようにした縦
型熱処理装置である。従って、キャップ部と回転導入機
構部とのパージ流路の隙間を高精度に調整できるので、
処理容器内の処理ガスが侵入したり、反応副生成物が侵
入するおそれがなく、隙間を構成する部材による加工精
度にも影響されない。
【0009】請求項2に係る発明は、回転導入機構部の
外周囲に、軸方向に沿って上下動自在に調整可能なリン
グ状の調整部材と前記隙間保持体を嵌合すると共に、調
整部材の上端に載置した隙間保持体とキャップ部の上面
との隙間を調整部材を介して調整する装置である。ま
た、調整部材は、軸方向に螺合した引上げネジと押圧ネ
ジで上下動可能に調整するようにしたものであり、簡単
な構造により高精度に調整可能である。
【0010】また、回転導入機構部は、被処理体を収納
保持する被処理体ボートに設けた支柱の下端部を、駆動
軸の上部に回動不能に回着した金属製の保持体に回動不
能に嵌着して構成したものである。
【0011】また、処理容器内に導入される処理ガスが
接ガスする構成部材の全てを石英で形成し、処理ガスに
よる腐食を防止する。また、処理容器内に導入される処
理ガスが接ガスする前記構成部材のうち、キャップ部を
ステンレス製とし、その他を石英で形成すると共に、前
記キャップ部の上面である接ガス面を耐腐食性材でコー
ティング処理するようにしても良い。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明における縦型熱処理装置の
各実施形態を図面に従って詳述する。図1は、縦型熱処
理装置を示した断面説明図であり、図1〜図6はその一
例を示したものである。図7及び図8は、他例を示すも
ので、図9は更に他例を示したものである。
【0013】図1及び図2において、1は酸化処理、拡
散処理或は減圧CVD処理等に用いられる円筒型状の石
英製の処理容器(反応管)であり、この処理容器1の下端
に開口2を設け、更に、ガス導入口3にL字形の石英製
インジェクタ4を装入している。また、開口2は、後述
する石英製のキャップ部6で開閉自在に被蓋し、処理容
器1の外周囲には加熱炉7を設けている。本例における
処理容器1は、単管構造であるが、いわゆる二重管構造
でも良い。また、キャップ部6の下面にヒータ6bを、
上面に保温筒6cを設け、このキャップ部6の軸装部6
aには、後述する回転導入機構部8を貫通させる貫通孔
9が設けられている。
【0014】この回転導入機構部8は、多数枚の半導体
ウエハWを多段に収納保持したウエハボート10を支受
けする石英製の支柱11の下部を縮径して断面円形状の
嵌合部12を一体に形成して構成されている。この嵌合
部12を図4及び図5にステンレス等の金属製保持筒材
(保持体)13に嵌合し、更に、嵌合部12の下面には、
垂直出し部14を一体に形成し、この垂直出し部14を
保持筒材13に形成した嵌入穴15に小径の嵌め合い嵌
合して支持軸11のガタを最小限度にしており、また、
保持筒材13の膨張の影響を最少限に抑え、更に、保持
筒材13の上下膨張を吸収するようにしている。また、
支柱11と嵌合部12の外周には3分割されてボルトで
連結された石英製テ−パクサビ32が設けられている。
更に、この嵌合部12の下端側面に係合溝16を形成
し、この係合溝16に保持筒材13に設けたボルト等の
突部17を係止させて支柱11と保持筒材13とを回動
不能に嵌着している。また、保持筒材13の下方に形成
したの軸穴13aには、駆動軸18をボルト19で回動
不能に固着している。
【0015】図3において、20は、リング状で筒形を
呈する石英製の調整部材であり、この調整部材20は、
回転導入機構部8の保持筒材13の外周囲に嵌合してい
る。この調整部材20の下部に一対のめねじ部21を形
成し、このめねじ部21には、保持筒材13の嵌合孔1
3bに嵌合したネジ22の下端を螺合して調整部材20
を引上げ調整し、一方、保持筒材13のめねじ孔13c
に螺合した一対のネジ23の下端部で調整部材20を押
圧して押し下げ調整するようにしている。
【0016】図6において、24は、リング状の隙間保
持体であり、本例においては、石英製の隙間保持リング
24を支柱11に嵌合し、前記調整部材20の上端に載
置するようにして、キャップ部6の上面と隙間保持リン
グ24の下面との隙間25を本例においては、0.2m
mの隙間に保持するように調整している。また、処理容
器1内へインジェクタ4を介して導入される処理ガスが
接ガスする処理容器1内の構成部材の全てを石英で形成
し、耐熱性と耐腐食性能を発揮させるようにしている。
更に、図1において、窒素ガス等のパージガス(不溶性
ガス)の供給路26より貫通孔9と回転導入機構部8と
の間で形成する流路27を経て隙間25よりパージされ
る。また、図7のようにキャップ部6の軸装部6aの下
端をOリング等のシール部材28を介して保持部材29
を設け、この保持部材29に前記パージ供給路26を設
けている。また、この保持部材29に軸装した駆動軸1
8を磁気シール部と軸受ベアリング等を内蔵した収納体
30に軸装し、この収納体30より突出させた駆動軸1
8にプーリ18aとモータ18bのプーリ18cとをベ
ルト18dを介して回転駆動するようにしており、この
回転駆動機構は、ウエハボート10を処理容器1内へロ
ードまたはアンロードするため昇降機構31に設けられ
ている。
【0017】また、石英製のキャップ部6を、ステンレ
ス等の金属で形成する場合もあるが、この場合は、キャ
ップ部の上面である接ガス面をセラミック系やガラス質
系等の耐腐食性材でコーティング処理を施して、処理容
器1内の処理ガスによって腐食しないようにしている。
【0018】次に、上記実施形態の作用を説明する。ま
ず、半導体ウエハWを収納保持したウエハボート10を
昇降機構31を介して処理容器1の開口2からロードさ
せて開口2をキャップ部6で密閉して図1の状態にす
る。この状態において、加熱炉7により処理容器1内を
所定の処理温度にすると共に、インジェクタ4より処理
ガスを導入しながら、図示しないガス排気口より排気す
る。
【0019】次いで、モータ18bを駆動させて駆動軸
18を回転させると、支柱11を介してウエハボート1
0が回転し、ウエハボート10内の半導体ウエハWが例
えば成膜処理または酸化処理或は拡散処理される。更
に、パージ供給路26より窒素ガス等のパージガスを供
給(本例では、毎分10cc)して、流路27を通過し
て0.2mmの隙間25より噴出させることによりこの
部位をパージシールする。この場合、例えば、成膜処理
の場合、SiHClガスやNHガス等による処理
ガスを導入するが、このとき、反応副生成物として塩化
アンモニウムが生成される。しかし、本例によると、反
応副生成物がこの隙間25より侵入することが確実に防
止されるので、回転導入機構部8に副生成物が凝結して
回転動作等に支障を与えることがない。また、例えば、
HClやHOガス等の腐食性ガスを導入して処理する
酸化処理や拡散処理の場合でも、この隙間25をパージ
ガスによって高精度に密閉シールしているので、腐食ガ
スが侵入することを回避でき、回転導入機構部8の金属
製の軸部分等が腐食することがない。
【0020】また、調整部材20を軸方向に沿って調整
する場合は、一対のネジ22を螺合すると、調整部材2
0を上方へ引上げることができ、ネジ23を螺合する
と、調整部材20の底部上面を押圧するので、調整部材
20を下方へ押し下げることができる。このように両者
のネジ22,23を適宜に微調整することによって、調
整部材20を上下動させると、調整部材20の上端に載
置されている隙間保持体24が上下に微移動して、隙間
保持体24の下面とキャップ部6の上面との隙間25を
例えば、常に0.2mmに高精度に調整維持でき、この
隙間部位をパージガスによるパージシールを確実に行う
ことができる。また、パージガスは、必要最少限度の流
量を供給するように高精度に管理することが可能となる
ので、処理ガス内にパージガスが混入して熱処理の質を
低下させるおそれもない。
【0021】次に、図7〜図9に基づいて、回転装入機
構部の他例を説明する。図7は、キャップ部6を石英で
形成し、図9はステンレス製のキャップ部である。本例
と上述の例との同一部分は、同一符号を付してその説明
を省略する。本例の回転導入機構部33と上記の例の回
転導入機構部8とは、保持筒材(保持体)34と調整部
材35との構造が異なる。図7と図8において、ステン
レス製の筒形状の保持筒材34の上方外周にフランジ部
36を設け、石英製のテーパクサビ32の外周に嵌合し
たリング状の調整部材35をフランジ部36に載置し、
この調整部材35の軸方向には、対向位置に一対のめね
じ部37と一対の嵌入孔38を形成し、このめねじ部3
7にネジ39を螺合して、ネジ39の下端をフランジ部
36に押圧して調整部材35を軸方向の上方へ調整で
き、嵌入孔38に嵌入したネジ40の下端をフランジ部
36に設けためねじ41に螺合し、ネジ40を螺合する
ことによって調整部材35を下方に調整できる。
【0022】従って、ネジ39,40を螺合することに
よって、調整部材35を上下に調整することが可能にな
り、隙間保持体24の下面とキャップ部6の上面との隙
間25を、例えば、0.2mmの隙間に高精度に調整
し、管理することができるできる。
【0023】本例における作用効果は、上記の例と同様
であって、回転導入機構部33の金属製部位の腐食を防
止できると共に、この隙間25からの反応副生成物の侵
入も防止できる。更に、図9は、キャップ部42をステ
ンレスで形成した例であり、この場合は、キャップ部4
2の上面である接ガス面をセラミック系やガラス質系等
の耐腐食性材でコーティング処理を施しており、これに
よって耐腐食性能を維持し、コストの低減化を図ること
ができる。
【0024】
【発明の効果】以上のことから明らかなように、請求項
1に係る発明によると、キャップ部と回転導入機構部と
の処理容器の内側のパージ隙間を高精度に調整維持でき
るので、処理容器内の処理ガスが侵入することを防止で
きるため、軸部分が腐食することを防ぐことができ、こ
の隙間より処理容器内の反応副生成物が侵入することも
確実に防止できる。
【0025】また、請求項2に係る発明によると、調整
部材と隙間保持体で必要最小限の隙間を調整でき、極め
て簡単な構造で達成することができ、構成部材の加工精
度にも影響を受けることなく、微調整を可能とする。
【0026】請求項3に係る発明によると、調整部材
は、引上げネジと押圧ネジで、容易にかつ高精度に調整
可能である。
【0027】請求項4に係る発明によると、回転導入機
構部は、簡単な構造によって構成され、確実に軸芯を維
持して回転操作されるので、被処理体ボートが傾いて処
理容器に接触するおそれもなく、被処理体ボートへの被
処理体の移載も確実に実施できる。
【0028】請求項5に係る発明によると、処理ガスが
接ガスする構成部材は石英製であるから、耐熱性を有
し、処理ガスによる腐食も防止でき、請求項6に係る発
明によると、同様に腐食防止が図られると共に、熱処理
装置のコストダウンを図ることが可能となる。
【0029】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における縦型熱処理装置の一例を示した
断面説明図である。
【図2】図1におけるキャップ部と回転導入機構部の部
分を示した部分拡大図である。
【図3】図1におけるリング状の調整部材を示した斜視
図である。
【図4】図1の保持部材の平面図である。
【図5】図4のA−A線断面図である。
【図6】図1の隙間保持体の斜視図である。
【図7】本発明における縦型熱処理装置の他例を示した
部分断面図である。
【図8】図7における調整部材の斜視図である。
【図9】図7の更に他例を示した部分断面図である。
【符号の説明】
1 処理容器 2 開口 6 キャップ部 8,33 回転導入機構部 9 貫通孔 11 支柱 13,34 保持体 18 駆動軸 20,35 調整部材 22 ネジ 23 ネジ 24 隙間保持体 25 隙間 26 パージ供給路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 GA06 GA13 KA04 KA10 KA46 5F045 AA06 AA20 BB20 DP19 DQ05 EB10 EK06 EM10 EN05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理容器内に処理ガスを導入して収納保
    持した被処理体を回転させながら熱処理する縦型熱処理
    装置において、処理容器を被蓋するキャップ部に回転導
    入機構部を貫通させ、この回転導入機構部には調整部材
    を設け、かつ処理容器の内部側には、隙間保持体を設け
    ると共に、前記キャップ部と回転導入機構部とのパージ
    流路の隙間を、前記調整部材を微調整させて前記隙間保
    持体で所定の隙間に調整するようにしたことを特徴とす
    る縦型熱処理装置。
  2. 【請求項2】 前記回転導入機構部の外周囲に、軸方向
    に沿って上下動自在に調整可能なリング状の調整部材と
    前記隙間保持体を嵌合すると共に、調整部材の上端に載
    置した隙間保持体とキャップ部の上面との隙間を調整部
    材を介して調整するようにした請求項1に記載の縦型熱
    処理装置。
  3. 【請求項3】 前記調整部材は、軸方向に螺合した引上
    げネジと押圧ネジで上下動可能に調整するようにした請
    求項1又は2に記載の縦型熱処理装置。
  4. 【請求項4】 前記回転導入機構部は、被処理体を収納
    保持する被処理体ボートに設けた支柱の下端部を、駆動
    軸の上部に回動不能に回着した金属製の保持体に回動不
    能に嵌着して構成した請求項1又は2に記載の縦型熱処
    理装置。
  5. 【請求項5】 前記処理容器内に導入される処理ガスが
    接ガスする構成部材の全てを石英で形成した請求項1乃
    至4の何れかに記載の縦型熱処理装置。
  6. 【請求項6】 前記処理容器内に導入される処理ガスが
    接ガスする前記構成部材のうち、キャップ部をステンレ
    ス製とし、その他の構成部材を石英で形成すると共に、
    前記キャップ部の上面である接ガス面を耐腐食性材でコ
    ーティング処理した請求項1乃至4の何れかに記載の縦
    型熱処理装置。
JP2001095935A 2001-03-29 2001-03-29 縦型熱処理装置 Pending JP2002299271A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001095935A JP2002299271A (ja) 2001-03-29 2001-03-29 縦型熱処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001095935A JP2002299271A (ja) 2001-03-29 2001-03-29 縦型熱処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002299271A true JP2002299271A (ja) 2002-10-11

Family

ID=18949923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001095935A Pending JP2002299271A (ja) 2001-03-29 2001-03-29 縦型熱処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002299271A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006144902A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Nippon Pillar Packing Co Ltd メカニカルシール
JP2007248802A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Hoya Corp パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法
JP2007258573A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Eagle Ind Co Ltd 磁性流体シール装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006144902A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Nippon Pillar Packing Co Ltd メカニカルシール
JP2007248802A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Hoya Corp パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法
JP2007258573A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Eagle Ind Co Ltd 磁性流体シール装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3579278B2 (ja) 縦型熱処理装置及びシール装置
US9748104B2 (en) Method of depositing film
US8282737B2 (en) Substrate processing apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US8070910B2 (en) Shower head structure and treating device
US7128570B2 (en) Method and apparatus for purging seals in a thermal reactor
US20230118483A1 (en) Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus
JP3556804B2 (ja) 処理装置及び処理方法
US6482753B1 (en) Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US9929008B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6894521B2 (ja) 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム
JP2000340554A (ja) バッチ式熱処理装置の運用方法
JP2000223432A (ja) 熱処理装置
KR100709801B1 (ko) 프리코트막의 형성방법, 성막장치의 아이들링 방법,재치대 구조, 성막장치 및 성막방법
US8591657B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US10053776B2 (en) Method of detoxifying exhaust pipe and film forming apparatus
US20090253269A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2002299271A (ja) 縦型熱処理装置
JP6071537B2 (ja) 成膜方法
US20220298627A1 (en) Substrate processing apparatus, furnace opening assembly, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory tangible medium
US20050272271A1 (en) Semiconductor processing method for processing substrate to be processed and its apparatus
JPH07106255A (ja) 縦型熱処理装置
US11913115B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007035775A (ja) 基板処理装置
JP3812767B2 (ja) 半導体製造方法およびそれを用いた装置
WO2024024544A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法