JP2002287047A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2002287047A5
JP2002287047A5 JP2001085749A JP2001085749A JP2002287047A5 JP 2002287047 A5 JP2002287047 A5 JP 2002287047A5 JP 2001085749 A JP2001085749 A JP 2001085749A JP 2001085749 A JP2001085749 A JP 2001085749A JP 2002287047 A5 JP2002287047 A5 JP 2002287047A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semi
optical switching
reflector
switching element
switching device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001085749A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002287047A (ja
JP3888075B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2001085749A priority Critical patent/JP3888075B2/ja
Priority claimed from JP2001085749A external-priority patent/JP3888075B2/ja
Publication of JP2002287047A publication Critical patent/JP2002287047A/ja
Publication of JP2002287047A5 publication Critical patent/JP2002287047A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3888075B2 publication Critical patent/JP3888075B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (15)

  1. 半透過体と反射体との距離を変えることにより前記半透過体に入射した光をオンオフ可能な光スイッチング素子であって、
    前記反射体が前記半透過体に密着するオン位置と、前記反射体が前記半透過体から所定の距離だけ離れるオフ位置とに移動する光スイッチング素子。
  2. 請求項1において、前記オフ位置では、前記反射体と前記半透過体との間の光路に沿った距離が100nmから150nmの範囲となる光スイッチング素子。
  3. 請求項1において、前記オフ位置では、前記反射体と前記半透過体との間の光路に沿った距離が125nmから135nmの範囲となる光スイッチング素子。
  4. 請求項1において、前記半透過体の前記反射体と接する側、または前記反射体の前記半透過体と接する側に吸着防止層が形成されている光スイッチング素子。
  5. 請求項1において、前記反射体を前記オン位置およびオフ位置に移動するアクチュエータを有する光スイッチング素子。
  6. 請求項5において、前記アクチュエータは静電型である光スイッチング素子。
  7. 請求項6において、前記アクチュエータは、第1および第2の電極を備えており、これら電極の最小間隔を設定するストッパーが形成されている光スイッチング素子。
  8. 請求項1に記載の複数の光スイッチング素子が2次元に配置されている光スイッチングデバイス。
  9. 請求項1に記載の複数の前記光スイッチング素子が、第1の前記光スイッチング素子の出射光が第2の前記光スイッチング素子の入力となるように直列に配置されている光スイッチングデバイス。
  10. 請求項8において、前記半透過体が形成された第1の基板と、前記反射体およびこの反射体を前記オン位置およびオフ位置に移動するアクチュエータとが重ねて形成された第2の基板とを有する光スイッチングデバイス。
  11. 請求項10において、前記半透過体および反射体の距離が一定の値以外にならないようにするストッパーを備えている光スイッチングデバイス。
  12. 請求項8に記載の光スイッチングデバイスと、カラーフィルタとを有する直視型の画像表示装置。
  13. 請求項8に記載の光スイッチングデバイスと、
    この光スイッチングデバイスに各色の光を順番に供給する照明機構と、
    前記光スイッチングデバイスから出力された光をスクリーン上に投影するレンズとを有する画像表示装置。
  14. 半透過体と反射体との距離を変えることにより前記半透過体に入射した光をオンオフ可能な光スイッチング素子の製造方法であって、
    第1の基板に前記半透過体を形成する第1の工程と、
    第2の基板に前記反射体と、反射体をオン位置およびオフ位置に移動する複数のアクチュエータとを重ねて形成する第2の工程と、
    前記半透過体と前記反射体とが対面し、前記オン位置では、前記反射体が前記半透過体に密着し、前記オフ位置では、前記反射体が前記半透過体から所定の距離だけ離れるように前記第1および第2の基板を組み立てる第3の工程とを有する光スイッチング素子の製造方法。
  15. 半透過体と反射体との距離を変えることにより前記半透過体に入射した光をオンオフ可能な光スイッチング素子が2次元に配置された光スイッチングデバイスの製造方法であって、
    第1の基板に複数の前記半透過体を形成する第1の工程と、
    第2の基板に複数の前記反射体と、各々の反射体をオン位置およびオフ位置に移動する複数のアクチュエータとを重ねて形成する第2の工程と、
    前記半透過体と前記反射体とが対面し、前記オン位置では、前記反射体が前記半透過体に密着し、前記オフ位置では、前記反射体が前記半透過体から所定の距離だけ離れるように前記第1および第2の基板を組み立てる第3の工程とを有する光スイッチングデバイスの製造方法。
JP2001085749A 2001-03-23 2001-03-23 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置 Expired - Fee Related JP3888075B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001085749A JP3888075B2 (ja) 2001-03-23 2001-03-23 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001085749A JP3888075B2 (ja) 2001-03-23 2001-03-23 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002287047A JP2002287047A (ja) 2002-10-03
JP2002287047A5 true JP2002287047A5 (ja) 2005-03-03
JP3888075B2 JP3888075B2 (ja) 2007-02-28

Family

ID=18941210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001085749A Expired - Fee Related JP3888075B2 (ja) 2001-03-23 2001-03-23 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3888075B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7807488B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display element having filter material diffused in a substrate of the display element
US7835093B2 (en) 2005-08-19 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for forming layers within a MEMS device using liftoff processes
US7864403B2 (en) 2009-03-27 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity
US7911428B2 (en) 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7952787B2 (en) 2006-06-30 2011-05-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US8064124B2 (en) 2006-01-18 2011-11-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8077326B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US8111445B2 (en) 2004-02-03 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US8115988B2 (en) 2004-07-29 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for micro-electromechanical operation of an interferometric modulator
US8284474B2 (en) 1994-05-05 2012-10-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for interferometric modulation in projection or peripheral devices
US8284475B2 (en) 2007-05-11 2012-10-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of fabricating MEMS with spacers between plates and devices formed by same
US8362987B2 (en) 2004-09-27 2013-01-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
KR100703140B1 (ko) 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7190434B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7855824B2 (en) 2004-03-06 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for color optimization in a display
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7630123B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for compensating for color shift as a function of angle of view
US7928928B2 (en) 2004-09-27 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing perceived color shift
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7898521B2 (en) 2004-09-27 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for wavelength filtering
US7710632B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters
US7317568B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
CN100360982C (zh) * 2005-01-13 2008-01-09 友达光电股份有限公司 微机电光学显示组件
JP4520402B2 (ja) 2005-12-07 2010-08-04 株式会社リコー 複数波長光スイッチング素子・複数波長光スイッチングデバイス・カラー光スイッチング素子・カラー光スイッチングデバイス・複数波長光スイッチング素子アレイ・カラー光スイッチング素子アレイ・複数色画像表示装置およびカラー画像表示装置
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7547568B2 (en) 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US8004743B2 (en) 2006-04-21 2011-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
JP2010510530A (ja) 2006-10-06 2010-04-02 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 照明装置に統合される光学損失構造
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
EP1946162A2 (en) 2006-10-10 2008-07-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc Display device with diffractive optics
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US9778477B2 (en) * 2007-03-02 2017-10-03 Alcatel-Lucent Usa Inc. Holographic MEMS operated optical projectors
CN101828146B (zh) 2007-10-19 2013-05-01 高通Mems科技公司 具有集成光伏装置的显示器
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
WO2009079279A2 (en) 2007-12-17 2009-06-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaics with interferometric back side masks
US7852491B2 (en) 2008-03-31 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US8711361B2 (en) 2009-11-05 2014-04-29 Qualcomm, Incorporated Methods and devices for detecting and measuring environmental conditions in high performance device packages
KR20130100232A (ko) 2010-04-09 2013-09-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
US8670171B2 (en) 2010-10-18 2014-03-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display having an embedded microlens array
US8902484B2 (en) 2010-12-15 2014-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Holographic brightness enhancement film
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
JP6264810B2 (ja) * 2013-09-27 2018-01-24 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8284474B2 (en) 1994-05-05 2012-10-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for interferometric modulation in projection or peripheral devices
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US8111445B2 (en) 2004-02-03 2012-02-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US8115988B2 (en) 2004-07-29 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for micro-electromechanical operation of an interferometric modulator
US7807488B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display element having filter material diffused in a substrate of the display element
US7911428B2 (en) 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US8362987B2 (en) 2004-09-27 2013-01-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7835093B2 (en) 2005-08-19 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for forming layers within a MEMS device using liftoff processes
US8298847B2 (en) 2005-08-19 2012-10-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having support structures with substantially vertical sidewalls and methods for fabricating the same
US8064124B2 (en) 2006-01-18 2011-11-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8102590B2 (en) 2006-06-30 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US8964280B2 (en) 2006-06-30 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7952787B2 (en) 2006-06-30 2011-05-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US8284475B2 (en) 2007-05-11 2012-10-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of fabricating MEMS with spacers between plates and devices formed by same
US8077326B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7864403B2 (en) 2009-03-27 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002287047A5 (ja)
JP2002221678A5 (ja)
JP3888075B2 (ja) 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、および画像表示装置
JP4723518B2 (ja) 一体化された光学補正構造物を有する空間光変調器
US7515327B2 (en) Method and device for corner interferometric modulation
KR101324300B1 (ko) 공간적 광 변조를 위한 방법들 및 장치들
TWI352873B (en) Spatial light modulator with off-angle electrodes
US9140900B2 (en) Displays having self-aligned apertures and methods of making the same
JP2004326077A (ja) 光学的干渉ディスプレイ装置の製造方法
WO2002071104A3 (en) Image display generator for a head-up display
WO2002033313A3 (en) Light valve and device provided with a light valve
MY146851A (en) Photonic mems and structures
US20170168223A1 (en) Display substrate, display apparatus having the same, and fabricating method thereof
US7529026B2 (en) Optical system with nanoscale projection antireflection layer/embossing
JP2012514761A (ja) フラットパネルディスプレイを切替える全反射
US5581393A (en) Mirror array and method for the manufacture thereof
JP2010210813A (ja) アクチュエーター、光制御装置、電気光学装置、及び電子機器
JP4614027B2 (ja) 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置
TWI499746B (zh) 燈具
JP2006509240A (ja) 高屈折率の被覆調光フィルム
KR20170035652A (ko) 거울 디스플레이 및 그 제조 방법
US7180573B2 (en) System and method to block unwanted light reflecting from a pattern generating portion from reaching an object
JP2007206434A (ja) 空間光変調装置及びこれを用いた表示装置
JP2006059889A5 (ja)
JP2004133280A5 (ja)