JP2002280217A - Soft magnetic film and thin-film magnetic head using the same, and method for manufacturing soft magnetic film and method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents

Soft magnetic film and thin-film magnetic head using the same, and method for manufacturing soft magnetic film and method for manufacturing thin-film magnetic head

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JP2002280217A
JP2002280217A JP2002004463A JP2002004463A JP2002280217A JP 2002280217 A JP2002280217 A JP 2002280217A JP 2002004463 A JP2002004463 A JP 2002004463A JP 2002004463 A JP2002004463 A JP 2002004463A JP 2002280217 A JP2002280217 A JP 2002280217A
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core layer
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a soft magnetic film, having a saturated magnetic flux density Bs higher than saturated magnetic flux density Bs of an Ni-Fe alloy and superior corrosion resistance by optimizing a composition ratio of a Co-Fe alloy, a thin-film magnetic head using the soft magnetic film and a method for manufacturing the soft magnetic film, and to provide a method for manufacturing the thin-film magnetic head. SOLUTION: A lower pole layer 19 and/or an upper pole layer 21 are formed of the Co-Fe alloy, containing Fe of 50 to 90 mass%. Thus, the saturated magnetic flux density can be set to 2.0 or higher. A centerline mean roughness Ra of the film surface can be set to 9 nm or smaller. An Fe amount of the Co-Fe alloy is set to 65 to 75 mass%, and thus the saturated magnetic flux density Bs can be set to 2.3 T or higher. Accordingly, recording density can be enhanced, and the thin-film magnetic head having superior corrosion resistance can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘ
ッドのコア材として使用されるCoFe合金の飽和磁束
密度BsをNiFe合金の飽和磁束密度Bsよりも大き
くできると同時に、耐侵食性に優れた軟磁性膜とこの軟
磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに前記軟磁性膜
の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention can improve the saturation magnetic flux density Bs of a CoFe alloy used as a core material of a thin-film magnetic head, for example, as compared with the saturation magnetic flux density Bs of a NiFe alloy. The present invention relates to a soft magnetic film, a thin film magnetic head using the soft magnetic film, a method for manufacturing the soft magnetic film, and a method for manufacturing the thin film magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば薄膜磁気ヘッドのコア層には、特
に今後の高記録密度化に伴い、高い飽和磁束密度Bsを
有する磁性材料を使用し、前記コア層のギャップ近傍に
磁束を集中させて、記録密度を向上させる必要がある。
2. Description of the Related Art For example, a magnetic material having a high saturation magnetic flux density Bs is used for a core layer of a thin-film magnetic head, especially in connection with a higher recording density in the future, and a magnetic flux is concentrated near a gap of the core layer. It is necessary to improve the recording density.

【0003】前記磁性材料には従来からNiFe合金が
よく使用されている。前記NiFe合金は、直流電流を
用いた電気メッキ法によりメッキ形成され、1.8T程
度の飽和磁束密度Bsを得ることが可能であった。
Conventionally, NiFe alloys have been frequently used as the magnetic material. The NiFe alloy was formed by plating using an electroplating method using a direct current, and a saturation magnetic flux density Bs of about 1.8 T could be obtained.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記NiFe合金の飽
和磁束密度Bsをさらに高めるには、例えば直流電流を
用いた電気メッキ法に代えてパルス電流による電気メッ
キ法を使用する。
In order to further increase the saturation magnetic flux density Bs of the NiFe alloy, for example, an electroplating method using a pulse current is used instead of an electroplating method using a direct current.

【0005】これにより前記NiFe合金のBsを高め
ることが可能になったが、かかる場合でも飽和磁束密度
Bsはせいぜい1.9T程度までしか上がらず、2.0
T以上の飽和磁束密度Bsを得ることは非常に困難であ
った。
This makes it possible to increase the Bs of the NiFe alloy. However, even in such a case, the saturation magnetic flux density Bs only increases to about 1.9 T at most,
It was very difficult to obtain a saturation magnetic flux density Bs higher than T.

【0006】また飽和磁束密度Bsを上げると、膜面の
面粗れがひどくなり、前記NiFe合金が薄膜磁気ヘッ
ドを製造する過程で使用される様々な溶剤に侵食される
といった問題があった。
[0006] When the saturation magnetic flux density Bs is increased, the surface roughness of the film surface becomes severe, and the NiFe alloy is eroded by various solvents used in the process of manufacturing the thin film magnetic head.

【0007】またNiFe合金以外によく使用される磁
性材料としてはCoFe合金を挙げることができるが、
従来では、CoFe合金中に占めるCo含有量を50質
量%前後としており、かかる組成比の場合、飽和磁束密
度Bsは小さく、また膜面での面粗れがひどく耐食性が
低いものとなっていた。
A magnetic material often used other than the NiFe alloy includes a CoFe alloy.
Conventionally, the Co content in the CoFe alloy is about 50% by mass, and in such a composition ratio, the saturation magnetic flux density Bs is small, and the surface roughness on the film surface is severe and the corrosion resistance is low. .

【0008】そこで本発明は上記従来の課題を解決する
ためのものであり、CoFe合金の組成比を適正化する
ことで、飽和磁束密度BsをNiFe合金の飽和磁束密
度Bsよりも高く、しかも耐食性にも優れた軟磁性膜と
この軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド、ならびに前記軟
磁性膜の製造方法と前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的としている。
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. By optimizing the composition ratio of the CoFe alloy, the saturation magnetic flux density Bs is higher than the saturation magnetic flux density Bs of the NiFe alloy, and corrosion resistance is improved. It is an object of the present invention to provide a soft magnetic film excellent in the above, a thin film magnetic head using the soft magnetic film, a method for manufacturing the soft magnetic film, and a method for manufacturing the thin film magnetic head.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明における第1の軟
磁性膜は、組成式がCo1-XFeXで示され、Feの組成
比Xは、50質量%以上で90質量%以下であり、且つ
メッキ形成されることを特徴とするものである。
The composition of the first soft magnetic film according to the present invention is represented by Co 1-x Fe X , and the composition ratio X of Fe is not less than 50% by mass and not more than 90% by mass. And are formed by plating.

【0010】上記のCoFe合金の組成範囲内であれ
ば、飽和磁束密度Bsを2.0T以上にすることができ
る。しかも結晶粒径の粗大化が抑制されて、緻密に結晶
が形成され膜面の面粗れを小さくできる。したがって本
発明では、2.0T以上の高い飽和磁束密度Bsを得る
ことができると同時に、耐食性に優れた軟磁性膜を製造
することができる。
[0010] Within the above composition range of the CoFe alloy, the saturation magnetic flux density Bs can be made 2.0T or more. In addition, coarsening of the crystal grain size is suppressed, and crystals are formed densely, and the surface roughness of the film surface can be reduced. Therefore, in the present invention, a high saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more can be obtained, and at the same time, a soft magnetic film having excellent corrosion resistance can be manufactured.

【0011】また本発明では、前記Feの組成比は、6
0質量%以上で78質量%以下であることが好ましい。
これにより飽和磁束密度Bsを2.25T以上にするこ
とができる。
In the present invention, the composition ratio of Fe is 6
It is preferable that the content be 0% by mass or more and 78% by mass or less.
Thereby, the saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.25T or more.

【0012】さらに本発明では、前記Feの組成比は、
65質量%以上で75質量%以下であることがより好ま
しい。これにより飽和磁束密度Bsを2.3T以上にす
ることができる。
Further, in the present invention, the composition ratio of Fe is as follows:
More preferably, it is 65% by mass or more and 75% by mass or less. Thereby, the saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.3T or more.

【0013】本発明では、前記軟磁性膜の膜面の中心線
平均粗さRaを、9nm以下にすることができる。また
本発明では、前記中心線平均粗さRaを5nm以下にす
ることがより好ましい。
In the present invention, the center line average roughness Ra of the film surface of the soft magnetic film can be set to 9 nm or less. In the present invention, the center line average roughness Ra is more preferably 5 nm or less.

【0014】また結晶粒径の粗大化・膜面の面粗れが抑
制されることで、保磁力Hcも小さくすることができ
る。
Further, the coercive force Hc can be reduced by suppressing the increase in the crystal grain size and the surface roughness of the film surface.

【0015】また本発明における第2の軟磁性膜は、組
成式がCo1-XFeXで示され、Feの組成比Xは、68
質量%以上で80質量%以下であり、且つメッキ形成さ
れることを特徴とするものである。
The composition of the second soft magnetic film of the present invention is represented by Co 1-x Fe x , and the composition ratio X of Fe is 68
It is not less than 80% by mass and not more than 80% by mass, and is formed by plating.

【0016】上記のCoFe合金の組成範囲内であれ
ば、飽和磁束密度Bsを2.0T以上にすることができ
る。しかも結晶粒径の粗大化が抑制されて、緻密に結晶
が形成され膜面の面粗れを小さくできる。したがって本
発明では、2.0T以上の高い飽和磁束密度Bsを得る
ことができると同時に、耐食性に優れた軟磁性膜を製造
することができる。本発明では、前記飽和磁束密度Bs
を2.25T以上にすることが好ましい。
The saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.0 T or more within the above-mentioned composition range of the CoFe alloy. In addition, coarsening of the crystal grain size is suppressed, and crystals are formed densely, and the surface roughness of the film surface can be reduced. Therefore, in the present invention, a high saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more can be obtained, and at the same time, a soft magnetic film having excellent corrosion resistance can be manufactured. In the present invention, the saturation magnetic flux density Bs
Is preferably 2.25T or more.

【0017】また本発明では、前記軟磁性膜の膜面の中
心線平均粗さRaを、9nm以下にすることができる。
In the present invention, the center line average roughness Ra of the film surface of the soft magnetic film can be set to 9 nm or less.

【0018】また本発明は、磁性材料製の下部コア層
と、前記下部コア層上に磁気ギャップを介して形成され
た上部コア層と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層
とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の
コア層は、上記に記載された軟磁性膜により形成されて
いることを特徴とするものである。
The present invention also provides a thin film having a lower core layer made of a magnetic material, an upper core layer formed on the lower core layer via a magnetic gap, and a coil layer for applying a recording magnetic field to both core layers. In the magnetic head, at least one of the core layers is formed of the soft magnetic film described above.

【0019】また本発明では、前記下部コア層上には記
録媒体との対向面で下部磁極層が隆起形成され、前記下
部磁極層が前記軟磁性膜により形成されていることが好
ましい。
In the present invention, it is preferable that a lower magnetic pole layer is formed on the lower core layer so as to protrude at a surface facing the recording medium, and the lower magnetic pole layer is formed of the soft magnetic film.

【0020】さらに本発明における薄膜磁気ヘッドは、
下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア層と上部コ
ア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅寸法が前記
下部コア層及び上部コア層よりも短く規制された磁極部
とを有し、前記磁極部は、下部コア層と連続する下部磁
極層、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下
部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで
構成され、あるいは前記磁極部は、上部コア層と連続す
る上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コア層との
間に位置するギャップ層とで構成され、前記上部磁極層
及び/または下部磁極層は、上記に記載された軟磁性膜
により形成されていることを特徴とするものである。
Further, the thin film magnetic head according to the present invention comprises:
A lower core layer and an upper core layer, and a magnetic pole portion located between the lower core layer and the upper core layer and having a width dimension in the track width direction regulated to be shorter than that of the lower core layer and the upper core layer. The magnetic pole portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer. The portion is composed of an upper magnetic pole layer continuous with an upper core layer, and a gap layer located between the upper magnetic pole layer and the lower magnetic core layer, wherein the upper magnetic pole layer and / or the lower magnetic pole layer are as described above. Characterized by being formed of a soft magnetic film formed.

【0021】また本発明では、前記コア層は、少なくと
も磁気ギャップに隣接する部分が2層以上の磁性層から
成り、あるいは前記磁極層が2層以上の磁性層から成
り、前記磁性層のうち前記磁気ギャップに接する磁性層
が、前記軟磁性膜により形成されていることが好まし
い。
In the present invention, at least a portion of the core layer adjacent to the magnetic gap is composed of two or more magnetic layers, or the pole layer is composed of two or more magnetic layers. It is preferable that a magnetic layer in contact with a magnetic gap is formed by the soft magnetic film.

【0022】さらに本発明では、前記磁気ギャップに接
する磁性層以外の他の磁性層は、CoFe合金で形成さ
れ、前記他の磁性層のFeの組成比は、前記磁気ギャッ
プ層に接する側の磁性層のFeの組成比Xよりも小さい
ことが好ましい。
Further, in the present invention, the other magnetic layer other than the magnetic layer in contact with the magnetic gap is formed of a CoFe alloy, and the composition ratio of Fe in the other magnetic layer is determined by the magnetic ratio of the magnetic layer on the side in contact with the magnetic gap layer. It is preferable that the composition ratio of Fe in the layer is smaller than X.

【0023】上記したように本発明における軟磁性膜と
してのCoFe合金は、飽和磁束密度Bsが2.0T以
上と高く、また面粗れも小さい。このような軟磁性膜を
薄膜磁気ヘッドのコア材として使用することで、ギャッ
プ近傍での磁束の集中化を図り、高記録密度化を促進さ
せることができ、また耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを
製造することが可能である。
As described above, the CoFe alloy as the soft magnetic film in the present invention has a high saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more and a small surface roughness. By using such a soft magnetic film as the core material of the thin-film magnetic head, it is possible to concentrate the magnetic flux near the gap, promote high recording density, and provide a thin-film magnetic head with excellent corrosion resistance. It is possible to manufacture.

【0024】また本発明における軟磁性膜の製造方法
は、サッカリンナトリウムを混入していないメッキ浴中
のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.0以上
で17.0以下にし、パルス電流による電気メッキ法に
より、Feの組成比Xが50質量%以上で90質量%以
下となるCo1-XFeXをメッキ形成することを特徴とす
るものである。
In the method for producing a soft magnetic film according to the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath containing no saccharin sodium is set to 1.0 or more and 17.0 or less, Co 1-X Fe X is formed by plating, wherein the composition ratio X of Fe is 50% by mass or more and 90% by mass or less by plating.

【0025】上記のように本発明では、CoFe合金を
パルス電流を用いた電気メッキ法によってメッキ形成す
る。パルス電流を用いた電気メッキ法では、例えば電流
制御素子のON/OFFを繰返し、メッキ形成時に、電
流を流す時間と、電流を流さない空白な時間を設ける。
このように電流を流さない時間を設けることで、CoF
e合金膜を、少しずつメッキ形成し、直流電流を用いた
電気メッキ法に比べメッキ形成時における電流密度の分
布の偏りを緩和することが可能になっている。パルス電
流による電気メッキ法によれば直流電流による電気メッ
キ法に比べて軟磁性膜中に含まれるFe含有量の調整が
容易になり、前記Fe含有量を膜中に多く取り込むこと
ができる。
As described above, in the present invention, a CoFe alloy is formed by plating using an electroplating method using a pulse current. In the electroplating method using a pulse current, for example, ON / OFF of a current control element is repeated, and a time for flowing a current and a blank time for not flowing a current are provided during plating.
By providing a time during which no current flows, CoF
The e-alloy film is formed by plating little by little, and it is possible to alleviate the bias of the current density distribution during plating as compared with the electroplating method using a direct current. According to the electroplating method using a pulse current, the content of Fe contained in the soft magnetic film can be easily adjusted as compared with the electroplating method using a direct current, and a large amount of the Fe content can be incorporated into the film.

【0026】次に本発明では、上記のようにメッキ浴組
成を適正化している。本発明では上記のようにメッキ浴
中でのFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.0
以上で17.0以下に規定している。これにより後述す
る実験結果に示すように、前記CoFe合金の組成比を
50質量%以上で90質量%以下に設定することがで
き、飽和磁束密度が2.0T以上と高くまた膜面の中心
線平均粗さRaが9nm以下と小さいCoFe合金をメ
ッキ形成することが可能である。
Next, in the present invention, the composition of the plating bath is optimized as described above. In the present invention, as described above, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in the plating bath is set to 1.0.
Above, it is defined as 17.0 or less. As a result, as shown in the experimental results described later, the composition ratio of the CoFe alloy can be set to 50% by mass or more and 90% by mass or less, the saturation magnetic flux density is as high as 2.0T or more, and the center line of the film surface is determined. It is possible to plate a CoFe alloy having an average roughness Ra as small as 9 nm or less.

【0027】また本発明では、前記メッキ浴中にサッカ
リンナトリウムを混入していない。前記サッカリンナト
リウム(C64CONNaSO2)は応力緩和剤として
の役割を有しており、一般的にメッキ浴中に混入され
る。
In the present invention, saccharin sodium is not mixed in the plating bath. The saccharin sodium (C 6 H 4 CONNaSO 2 ) has a role as a stress relaxing agent, and is generally mixed in a plating bath.

【0028】しかしながら本発明では、このサッカリン
ナトリウムをメッキ浴中に混入しないことにより、Co
Feからなる軟磁性膜のFe組成比が50質量%以上で
90質量%以下の非常に広い組成範囲にわたって2.0
T以上の高い飽和磁束密度Bsを得ることが可能になっ
たのである。また膜面の中心線平均粗さRaもサッカリ
ンナトリウムを混入した場合よりも広い組成範囲にわた
って9.0nm以下の低い値に抑えることができること
がわかった。
However, according to the present invention, this saccharin sodium is not mixed into the plating bath, so that
The Fe composition ratio of the soft magnetic film made of Fe is set to 2.0 over a very wide composition range of 50 mass% or more and 90 mass% or less.
This makes it possible to obtain a high saturation magnetic flux density Bs of T or more. It was also found that the center line average roughness Ra of the film surface could be suppressed to a low value of 9.0 nm or less over a wider composition range than that in the case where sodium saccharin was mixed.

【0029】このように本発明では、CoFe合金から
なる軟磁性膜を、メッキ浴中に占めるFe濃度のCoイ
オン濃度に対する比率を所定範囲内にし、且つこのメッ
キ浴中にサッカリンナトリウムを混入せず、パルス電流
を用いた電気メッキ法を用いて、CoFe合金をメッキ
形成することにより、高い飽和磁束密度Bsを有し、さ
らに耐食性に優れた軟磁性膜を製造することが可能にな
ったのである。
As described above, according to the present invention, the soft magnetic film made of a CoFe alloy is formed so that the ratio of the Fe concentration in the plating bath to the Co ion concentration is within a predetermined range, and no saccharin sodium is mixed in the plating bath. By forming a CoFe alloy by plating using an electroplating method using a pulse current, a soft magnetic film having a high saturation magnetic flux density Bs and excellent corrosion resistance can be manufactured.

【0030】また本発明における軟磁性膜の製造方法
は、サッカリンナトリウムを混入していないメッキ浴中
のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.0以上
で10.0以下にし、パルス電流による電気メッキ法に
より、Feの組成比Xが60質量%以上で78質量%以
下となるCo1-XFeXをメッキ形成することを特徴とす
るものである。
In the method for producing a soft magnetic film according to the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath containing no saccharin sodium is adjusted to 1.0 or more and 10.0 or less, The plating method is characterized in that Co 1-x Fe X whose Fe composition ratio X is 60% by mass or more and 78% by mass or less is formed by plating.

【0031】または本発明における軟磁性膜の製造方法
は、サッカリンナトリウムを混入していないメッキ浴中
のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を3.0以上
で8.0以下にし、パルス電流による電気メッキ法によ
り、Feの組成比Xが65質量%以上で75質量%以下
となるCo1-XFeXをメッキ形成することを特徴とする
ものである。
Alternatively, in the method of manufacturing a soft magnetic film according to the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath containing no saccharin sodium is adjusted to 3.0 or more and 8.0 or less, The plating method is characterized in that Co 1-x Fe X is formed by plating in which the composition ratio X of Fe is 65% by mass or more and 75% by mass or less by plating.

【0032】あるいは本発明における軟磁性膜の製造方
法は、サッカリンナトリウムを混入したメッキ浴中のF
eイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.5以上で
2.5以下にし、パルス電流による電気メッキ法によ
り、Feの組成比Xが68質量%以上で80質量%以下
となるCo1-XFeXをメッキ形成することを特徴とする
ものである。
Alternatively, the method for producing a soft magnetic film according to the present invention is characterized in that F in a plating bath mixed with saccharin sodium.
The ratio of e ion concentration / Co ion concentration is set to 1.5 or more and 2.5 or less, and Co 1-X is used in which the Fe composition ratio X becomes 68% or more and 80% or less by electroplating using a pulse current. It is characterized in that Fe X is formed by plating.

【0033】この発明ではメッキ浴中にサッカリンナト
リウムを混入している。サッカリンナトリウムを混入す
ると混入しない場合に比べて飽和磁束密度Bsが低下す
る傾向にあるが、メッキ浴中のFeイオン濃度を、上記
した比率内に収め、さらにパルス電流を用いた電気メッ
キ法を使用することで、飽和磁束密度Bsが2.0T以
上で、且つ耐食性に優れた軟磁性膜を製造することが可
能になる。
In the present invention, saccharin sodium is mixed in the plating bath. When saccharin sodium is mixed in, the saturation magnetic flux density Bs tends to decrease as compared with the case where saccharin sodium is not mixed. This makes it possible to produce a soft magnetic film having a saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more and excellent corrosion resistance.

【0034】また本発明では、前記メッキ浴中に、2−
ブチン−1、4ジオールを混入することが好ましい。こ
れによってメッキ形成されたCoFe合金の結晶粒径の
粗大化は抑制され、前記結晶粒径が小さくなることで結
晶間に空隙が生じ難くなり、膜面の面粗れが抑制され
る。面粗れを抑制できることで保磁力Hcを小さくする
ことも可能になる。
In the present invention, the plating bath contains
It is preferable to mix butyne-1,4 diol. As a result, coarsening of the crystal grain size of the plated CoFe alloy is suppressed, and since the crystal grain size is reduced, voids are less likely to be generated between the crystals, and the surface roughness of the film surface is suppressed. Since the surface roughness can be suppressed, the coercive force Hc can be reduced.

【0035】また本発明では、前記メッキ浴中に2−エ
チルヘキシル硫酸ナトリウムを混入することが好まし
い。これによってメッキ浴中に生じる水素は、界面活性
剤である2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムによって除
去され、前記水素がメッキ膜に付着することによる面粗
れを抑制できる。
In the present invention, it is preferable that sodium 2-ethylhexyl sulfate is mixed in the plating bath. As a result, hydrogen generated in the plating bath is removed by sodium 2-ethylhexyl sulfate, which is a surfactant, and surface roughness due to the adhesion of the hydrogen to the plating film can be suppressed.

【0036】また前記2−エチルヘキシル硫酸ナトリウ
ムに代えて、ラウリル硫酸ナトリウムを用いても良い
が、2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを用いた方が、
メッキ浴中に混入したときの泡立ちが少なく、したがっ
て前記2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムをメッキ浴中
に多く混入することができ、前記水素の除去をより適切
に行うことが可能になる。
Although sodium lauryl sulfate may be used in place of the sodium 2-ethylhexyl sulfate, the use of sodium 2-ethylhexyl sulfate is more preferable.
There is little bubbling when mixed into the plating bath, so that a large amount of the sodium 2-ethylhexyl sulfate can be mixed into the plating bath, and the hydrogen can be more appropriately removed.

【0037】また本発明は、磁性材料製の下部コア層
と、記録媒体との対向面で前記下部コア層と磁気ギャッ
プを介して対向する上部コア層と、両コア層に記録磁界
を誘導するコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、少なくとも一方のコア層を、上記に記載さ
れた製造方法による軟磁性膜でメッキ形成することを特
徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a lower core layer made of a magnetic material, an upper core layer facing the lower core layer via a magnetic gap on a surface facing the recording medium, and a recording magnetic field is induced in both core layers. In a method of manufacturing a thin-film magnetic head having a coil layer, at least one of the core layers is formed by plating with a soft magnetic film by the manufacturing method described above.

【0038】また本発明では、前記下部コア層上に記録
媒体との対向面で下部磁極層を隆起形成し、前記下部磁
極層を前記軟磁性膜でメッキ形成することが好ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that a lower magnetic pole layer is formed so as to protrude on the lower core layer at a surface facing the recording medium, and the lower magnetic pole layer is formed by plating with the soft magnetic film.

【0039】さらに本発明における薄膜磁気ヘッドの製
造方法は、下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア
層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅
寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く規制さ
れた磁極部とを有し、前記磁極部を、下部コア層と連続
する下部磁極層、上部コア層と連続する上部磁極層、お
よび前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャ
ップ層とで形成し、あるいは前記磁極部を、上部コア層
と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コ
ア層との間に位置するギャップ層とで形成し、このとき
前記上部磁極層及び/または下部磁極層を、上記に記載
された製造方法による軟磁性膜でメッキ形成することを
特徴とするものである。
Further, in the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, the lower core layer and the upper core layer may be located between the lower core layer and the upper core layer and have a width dimension in the track width direction. And a magnetic pole portion regulated to be shorter than the upper core layer, wherein the magnetic pole portion is a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and the lower magnetic pole layer and the upper magnetic layer. Formed with a gap layer located between the pole layers, or the magnetic pole portion is formed of an upper pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the upper pole layer and the lower core layer, At this time, the upper magnetic pole layer and / or the lower magnetic pole layer is formed by plating with a soft magnetic film by the manufacturing method described above.

【0040】また本発明では、前記コア層を、少なくと
も磁気ギャップに隣接する部分で2層以上の磁性層で形
成し、あるいは前記磁極層を2層以上の磁性層で形成
し、このとき前記磁性層のうち前記磁気ギャップに接す
る磁性層を、前記軟磁性膜によりメッキ形成することが
好ましい。
In the present invention, the core layer may be formed of two or more magnetic layers at least in a portion adjacent to the magnetic gap, or the pole layer may be formed of two or more magnetic layers. It is preferable that a magnetic layer in contact with the magnetic gap among the layers is formed by plating with the soft magnetic film.

【0041】また本発明では、前記磁気ギャップに接す
る磁性層以外の他の磁性層を、CoFe合金で形成し、
このとき前記他の磁性層のFeの組成比を、前記磁気ギ
ャップ層に接する側の磁性層のFeの組成比Xよりも小
さくすることが好ましい。
In the present invention, the magnetic layer other than the magnetic layer in contact with the magnetic gap is formed of a CoFe alloy,
At this time, it is preferable that the composition ratio of Fe in the other magnetic layer is smaller than the composition ratio X of Fe in the magnetic layer on the side in contact with the magnetic gap layer.

【0042】上記したように本発明における軟磁性膜と
してのCoFe合金を、パルス電流を用いた電気メッキ
法により、例えばサッカリンナトリウムを混入していな
いメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃の比率を
1.0以上で17.0以下としてメッキ形成すること
で、前記CoFe合金のFe組成比を50質量%以上で
90質量%以下にすることができる。
As described above, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath containing no saccharin sodium was determined by electroplating a soft magnetic film according to the present invention as a soft magnetic film using a pulse current. By performing plating by setting the value to 1.0 or more and 17.0 or less, the Fe composition ratio of the CoFe alloy can be set to 50% to 90% by mass.

【0043】そしてこのような軟磁性膜を薄膜磁気ヘッ
ドのコア材として使用することで、飽和磁束密度Bsが
2.0T以上と高く高記録密度化を図ることができ、ま
た耐食性にも優れた薄膜磁気ヘッドを歩留まり良く製造
することが可能である。
By using such a soft magnetic film as a core material of a thin-film magnetic head, the saturation magnetic flux density Bs is as high as 2.0 T or more, and a high recording density can be achieved, and the corrosion resistance is excellent. It is possible to manufacture a thin film magnetic head with good yield.

【0044】[0044]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1実施形態の
薄膜磁気ヘッドの部分正面図、図2は図1に示す薄膜磁
気ヘッドを2−2線から切断し矢印方向から見た縦断面
図である。
FIG. 1 is a partial front view of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin-film magnetic head shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view.

【0045】本発明における薄膜磁気ヘッドは、浮上式
ヘッドを構成するセラミック材のスライダ11のトレー
リング側端面11aに形成されたものであり、MRヘッ
ドh1と、書込み用のインダクティブヘッドh2とが積
層された、MR/インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド
(以下、単に薄膜磁気ヘッドという)となっている。
The thin-film magnetic head according to the present invention is formed on the trailing end face 11a of the slider 11 made of a ceramic material constituting a floating head. The MR head h1 and the inductive head h2 for writing are laminated. Thus, a combined MR / inductive thin film magnetic head (hereinafter simply referred to as a thin film magnetic head) is obtained.

【0046】MRヘッドh1は、磁気抵抗効果を利用し
てハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出
し、記録信号を読み取るものである。
The MR head h1 uses the magnetoresistance effect to detect a leakage magnetic field from a recording medium such as a hard disk and read a recording signal.

【0047】図2に示すように、前記スライダ11のト
レーリング側端面11a上にAl23膜12を介してN
iFe等からなる磁性材料製の下部シールド層13が形
成され、さらにその上に絶縁材料製の下部ギャップ層1
4が形成されている。
As shown in FIG. 2, an N 2 film is formed on the trailing side end surface 11a of the slider 11 via an Al 2 O 3 film 12.
A lower shield layer 13 made of a magnetic material made of iFe or the like is formed, and a lower gap layer 1 made of an insulating material is further formed thereon.
4 are formed.

【0048】前記下部ギャップ層14上には記録媒体と
の対向面からハイト方向(図示Y方向)に向けて、異方
性磁気抵抗効果(AMR)素子、巨大磁気抵抗効果(G
MR)素子あるいはトンネル型磁気抵抗効果(TMR)
素子などの磁気抵抗効果素子10が形成され、さらに前
記磁気抵抗効果素子10及び下部ギャップ層14上には
絶縁材料製の上部ギャップ層15が形成されている。さ
らに前記上部ギャップ層15の上にNiFe等の磁性材
料で形成された上部シールド層16が形成されている。
MRヘッドh1は、前記下部シールド層13から上部シ
ールド層16までの積層膜で構成されている。
On the lower gap layer 14, an anisotropic magnetoresistive (AMR) element and a giant magnetoresistive effect (G) are arranged in the height direction (Y direction in the figure) from the surface facing the recording medium.
MR) element or tunnel type magnetoresistive effect (TMR)
A magnetoresistive element 10 such as an element is formed, and an upper gap layer 15 made of an insulating material is formed on the magnetoresistive element 10 and the lower gap layer 14. Further, an upper shield layer 16 made of a magnetic material such as NiFe is formed on the upper gap layer 15.
The MR head h1 is composed of a laminated film from the lower shield layer 13 to the upper shield layer 16.

【0049】次に図1及び2に示す実施形態では、前記
上部シールド層16がインダクティブヘッドh2の下部
コア層としても兼用されており、前記下部コア層16上
には、Gd決め層17が形成され、記録媒体との対向面
から前記Gd決め層17の先端部までの長さ寸法でギャ
ップデプス(Gd)が規制される。前記Gd決め層17
は例えば絶縁材料などで形成される。
Next, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the upper shield layer 16 is also used as a lower core layer of the inductive head h2, and a Gd determining layer 17 is formed on the lower core layer 16. The gap depth (Gd) is regulated by the length from the surface facing the recording medium to the tip of the Gd determining layer 17. The Gd determining layer 17
Is formed of, for example, an insulating material.

【0050】また前記下部コア層16の上面16aは図
1に示すように、磁極部18の基端からトラック幅方向
(図示X方向)に離れるにしたがって下面方向に傾く傾
斜面で形成されており、これによりサイドフリンジング
の発生を抑制することが可能である。
As shown in FIG. 1, the upper surface 16a of the lower core layer 16 is formed as an inclined surface that inclines toward the lower surface as the distance from the base end of the magnetic pole portion 18 in the track width direction (X direction in the drawing) increases. Thus, it is possible to suppress the occurrence of side fringing.

【0051】また図2に示すように、記録媒体との対向
面から前記Gd決め層17上にかけて磁極部18が形成
されている。
As shown in FIG. 2, a magnetic pole portion 18 is formed from the surface facing the recording medium to the Gd determining layer 17.

【0052】前記磁極部18は下から下部磁極層19、
非磁性のギャップ層20、及び上部磁極層21が積層さ
れている。
The magnetic pole portion 18 includes a lower magnetic pole layer 19 from below.
A non-magnetic gap layer 20 and an upper magnetic pole layer 21 are stacked.

【0053】前記下部磁極層19は、下部コア層16上
に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層19
の上に形成されたギャップ層20は、メッキ形成可能な
非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体
的には、NiP、NiPd、NiW、NiMo、Au、
Pt、Rh、Pd、Ru、Crのうち1種または2種以
上から選択されたものであることが好ましい。
The lower magnetic pole layer 19 is formed by plating directly on the lower core layer 16. The lower magnetic pole layer 19
It is preferable that the gap layer 20 formed thereon is formed of a non-magnetic metal material that can be formed by plating. Specifically, NiP, NiPd, NiW, NiMo, Au,
It is preferably selected from one or more of Pt, Rh, Pd, Ru, and Cr.

【0054】なお本発明における具体的な実施形態とし
て前記ギャップ層20にはNiPが使用される。NiP
で前記ギャップ層20を形成することで前記ギャップ層
20を適切に非磁性状態にできるからである。
As a specific embodiment of the present invention, NiP is used for the gap layer 20. NiP
This is because the gap layer 20 can be appropriately brought into a non-magnetic state by forming the gap layer 20 in this manner.

【0055】さらに前記ギャップ層20の上に形成され
た上部磁極層21は、その上に形成される上部コア層2
2と磁気的に接続される。
Further, the upper magnetic pole layer 21 formed on the gap layer 20 has the upper core layer 2 formed thereon.
2 is magnetically connected.

【0056】上記のようにギャップ層20がメッキ形成
可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層1
9、ギャップ層20及び上部磁極層21を連続メッキ形
成することが可能である。
When the gap layer 20 is formed of a non-magnetic metal material which can be formed by plating as described above, the lower magnetic pole layer 1
9, the gap layer 20 and the upper magnetic pole layer 21 can be formed by continuous plating.

【0057】なお前記磁極部18は、ギャップ層20及
び上部磁極層21の2層で構成されていてもよい。
The magnetic pole portion 18 may be composed of two layers, a gap layer 20 and an upper magnetic pole layer 21.

【0058】図1に示すように、前記磁極部18はトラ
ック幅方向(図示X方向)における幅寸法がトラック幅
Twで形成されている。
As shown in FIG. 1, the magnetic pole portion 18 has a track width Tw in the track width direction (X direction in the drawing).

【0059】図1及び図2に示すように、前記磁極部1
8のトラック幅方向(図示X方向)の両側及びハイト方
向後方(図示Y方向)には絶縁層23が形成されてい
る。前記絶縁層23の上面は前記磁極部18の上面と同
一平面とされる。
As shown in FIG. 1 and FIG.
An insulating layer 23 is formed on both sides in the track width direction (X direction in the drawing) and behind the height direction (Y direction in the drawing). The upper surface of the insulating layer 23 is flush with the upper surface of the magnetic pole portion 18.

【0060】図2に示すように、前記絶縁層23上には
コイル層24が螺旋状にパターン形成されている。また
前記コイル層24上は有機絶縁製の絶縁層25によって
覆われている。
As shown in FIG. 2, a coil layer 24 is spirally patterned on the insulating layer 23. The coil layer 24 is covered with an insulating layer 25 made of organic insulation.

【0061】図2に示すように、磁極部18上から絶縁
層25上にかけて上部コア層22が例えばフレームメッ
キ法によりパターン形成されている。図1に示すよう
に、前記上部コア層22の先端部22aは、記録媒体と
の対向面でのトラック幅方向における幅寸法がT1で形
成され、かかる幅寸法T1はトラック幅Twよりも大き
く形成されている。
As shown in FIG. 2, the upper core layer 22 is patterned from the magnetic pole portion 18 to the insulating layer 25 by, for example, frame plating. As shown in FIG. 1, the leading end 22a of the upper core layer 22 has a width T1 in the track width direction on the surface facing the recording medium, and the width T1 is larger than the track width Tw. Have been.

【0062】また図2に示すように、前記上部コア層2
2の基端部22bは、下部コア層16上に形成された磁
性材料製の接続層(バックギャップ層)26上に直接接
続されている。
As shown in FIG. 2, the upper core layer 2
The second base end 22 b is directly connected to a connection layer (back gap layer) 26 made of a magnetic material and formed on the lower core layer 16.

【0063】本発明では、前記上部磁極層21及び/ま
たは下部磁極層19が以下の組成比を有する軟磁性膜で
形成されている。 (1)組成式がCo1-XFeXで示され、Feの組成比X
は、50質量%以上で90質量%以下であり、且つメッ
キ形成されることを特徴とする軟磁性膜。
In the present invention, the upper magnetic pole layer 21 and / or the lower magnetic pole layer 19 are formed of a soft magnetic film having the following composition ratio. (1) The composition formula is represented by Co 1-x Fe x , and the Fe composition ratio X
Is a soft magnetic film which is not less than 50% by mass and not more than 90% by mass and is formed by plating.

【0064】このように本発明では前記Fe含有量Xを
50質量%以上で90質量%以下に設定している。
As described above, in the present invention, the Fe content X is set to 50% by mass or more and 90% by mass or less.

【0065】前記Fe含有量Xを上記範囲内に設定した
のは、飽和磁束密度Bsを2.0T以上に設定できるか
らである。好ましくは、前記Feの組成比は、60質量
%以上で78質量%以下であり、かかる場合、飽和磁束
密度Bsを2.25T以上にできる。またより好ましく
は、前記Feの組成比は、65質量%以上で75質量%
以下であり、かかる場合、飽和磁束密度Bsを2.3T
以上にできる。
The reason why the Fe content X is set within the above range is that the saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.0 T or more. Preferably, the composition ratio of the Fe is 60% by mass or more and 78% by mass or less, and in such a case, the saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.25T or more. More preferably, the composition ratio of Fe is not less than 65% by mass and not less than 75% by mass.
In such a case, the saturation magnetic flux density Bs is set to 2.3T.
More than that.

【0066】上記した飽和磁束密度の値はNiFe合金
よりも大きく、また本発明では安定して高い飽和磁束密
度を得ることができる。
The value of the above-mentioned saturation magnetic flux density is larger than that of the NiFe alloy, and in the present invention, a high saturation magnetic flux density can be stably obtained.

【0067】ところで上記した軟磁性膜は、後で詳述す
るように、メッキ浴中に応力緩和剤となるサッカリンナ
トリウム(C64CONNaSO2)を混入せずに、メ
ッキ浴中のFeイオン濃度のCoイオン濃度に対する比
率を所定範囲内に設定し、このメッキ浴からパルス電流
を用いた電気メッキ法によってメッキ形成されたもので
ある。
Incidentally, as described later in detail, the soft magnetic film described above does not contain sodium saccharin (C 6 H 4 CONNaSO 2 ) as a stress relaxing agent in the plating bath, and the Fe ion concentration in the plating bath is reduced. Is set within a predetermined range, and the plating bath is formed by electroplating using a pulse current.

【0068】後述する実験によれば、メッキ浴中にサッ
カリンナトリウムを混入しない方が混入した場合に比べ
てCoFeの飽和磁束密度Bsを向上させることがで
き、特にFeの組成比を適正化することで、2.3T以
上の非常に高い飽和磁束密度Bsを得ることが可能にな
る。
According to the experiment described later, the saturation flux density Bs of CoFe can be improved as compared with the case where the saccharin sodium is not mixed in the plating bath, and especially by optimizing the composition ratio of Fe. It is possible to obtain a very high saturation magnetic flux density Bs of 2.3T or more.

【0069】前記サッカリンナトリウムを混入しないこ
とで飽和磁束密度Bsが向上する理由は、メッキ面に対
するFeイオンの出入りが良好になり緻密な膜を形成で
きるからであると考えられる。
It is considered that the reason why the saturation magnetic flux density Bs is improved by not mixing the saccharin sodium is that Fe ions enter and exit from the plating surface and a dense film can be formed.

【0070】メッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入
しないことで膜応力等が、混入する場合に比べて大きく
なる傾向にあるが、前記膜応力の値は図1に示す磁極層
19、21として使用できない範囲でなく、一方、今後
の高記録密度化を促進させるために必要な飽和磁束密度
BsをFeの広い組成範囲にわたって2.0T以上にで
き、あるいはFe組成によっては2.3T以上にでき
る。
When saccharin sodium is not mixed in the plating bath, the film stress and the like tend to be larger than in the case where saccharin is mixed, but the value of the film stress is in a range that cannot be used as the pole layers 19 and 21 shown in FIG. On the other hand, on the other hand, the saturation magnetic flux density Bs required to promote a higher recording density in the future can be 2.0 T or more over a wide composition range of Fe, or 2.3 T or more depending on the Fe composition.

【0071】従ってギャップ層20を介した下部磁極層
19及び/または上部磁極層21に上記組成比のCoF
e合金を使用することで、ギャップ近傍に磁束を集中さ
せることができ、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。
Accordingly, the lower magnetic pole layer 19 and / or the upper magnetic pole layer 21 with the above composition ratio of CoF
By using an e-alloy, magnetic flux can be concentrated near the gap, and a thin-film magnetic head capable of coping with high recording density can be obtained.

【0072】しかも上記組成範囲内であると結晶が緻密
に形成されることで、膜面の面粗れを抑制でき、耐食性
を向上させることができる。従って薄膜磁気ヘッドの製
造時に使用される各種溶剤に腐食するのを未然に防止す
ることが可能である。なお本発明では、CoFe合金膜
の膜面の中心線平均粗さ(Ra)を9nm以下にするこ
とができる。好ましくは、前記中心線平均粗さ(Ra)
を5nm以下にすることができる。
In addition, when the composition is within the above range, the crystals are formed densely, so that the surface roughness of the film surface can be suppressed and the corrosion resistance can be improved. Therefore, it is possible to prevent corrosion of various solvents used in manufacturing the thin-film magnetic head. In the present invention, the center line average roughness (Ra) of the film surface of the CoFe alloy film can be set to 9 nm or less. Preferably, the center line average roughness (Ra)
Can be set to 5 nm or less.

【0073】このように中心線平均粗さRaを小さく抑
えることができる理由は、メッキ浴中にサッカリンナト
リウムを混入しないことで、メッキ形成されたCoFe
内に耐食性を低下させる元素Sが入り込むことがなくな
り、また結晶粒径が小さくなり緻密な膜を形成する等で
あると考えられ、このためサッカリンナトリウムを混入
しない方が混入する場合に比べて中心線平均粗さRaを
小さくでき耐食性を適切に向上させることができる。
The reason why the center line average roughness Ra can be suppressed to a small value is that the saccharin sodium is not mixed in the plating bath, and the plated CoFe
It is considered that the element S, which lowers the corrosion resistance, does not enter the inside, and the crystal grain size becomes small and a dense film is formed. The average roughness Ra can be reduced, and the corrosion resistance can be appropriately improved.

【0074】また本発明では、前記保磁力Hcを237
0(A/m)以下にすることができる。
In the present invention, the coercive force Hc is set to 237
0 (A / m) or less.

【0075】また本発明では、比抵抗を17(μΩ・c
m)以上にすることができる。また膜応力を1200M
Pa以下、好ましくは400MPa以下にすることがで
きる。さらに異方性磁界Hkに関しては、従来から軟磁
性材料として一般的に使用されているNiFe合金と同
程度の異方性磁界Hkを得ることができる。(2)組成
式がCo1-XFeXで示され、Feの組成比Xは、68質
量%以上で80質量%以下であり、且つメッキ形成され
ることを特徴とする軟磁性膜。
In the present invention, the specific resistance is 17 (μΩ · c).
m) or more. The film stress is 1200M
Pa or less, preferably 400 MPa or less. Further, with respect to the anisotropic magnetic field Hk, an anisotropic magnetic field Hk comparable to that of a NiFe alloy conventionally generally used as a soft magnetic material can be obtained. (2) A soft magnetic film characterized in that the composition formula is represented by Co 1-x Fe x , the composition ratio X of Fe is not less than 68% by mass and not more than 80% by mass, and is formed by plating.

【0076】この軟磁性膜は、(1)の軟磁性膜とは違
ってメッキ浴中に応力緩和剤となるサッカリンナトリウ
ム(C64CONNaSO2)を混入し、メッキ浴中の
Feイオン濃度のCoイオン濃度に対する比率を所定範
囲内に設定し、このメッキ浴からパルス電流を用いた電
気メッキ法によってメッキ形成されたものである。
This soft magnetic film is different from the soft magnetic film of (1) in that saccharin sodium (C 6 H 4 CONNaSO 2 ) serving as a stress relaxing agent is mixed in the plating bath to reduce the Fe ion concentration in the plating bath. The ratio to the Co ion concentration is set within a predetermined range, and plating is performed from this plating bath by electroplating using a pulse current.

【0077】後述する実験によれば、メッキ浴中にサッ
カリンナトリウムを混入した場合でもFeの組成比を適
正化することで、2.0T以上、好ましくは2.25T
以上の高い飽和磁束密度Bsを得ることが可能になる。
According to the experiment described later, even when saccharin sodium is mixed in the plating bath, the composition ratio of Fe is adjusted to be 2.0 T or more, preferably 2.25 T.
The above high saturation magnetic flux density Bs can be obtained.

【0078】メッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入
した場合、混入しない場合に比べて2.0T以上の飽和
磁束密度Bsを得ることが可能なFe組成範囲は小さく
なるものの、従来のNiFe合金より高い飽和磁束密度
を得ることができ、本発明におけるCoFe合金を使用
すれば今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気
ヘッドを製造することができる。
When saccharin sodium is mixed in the plating bath, the Fe composition range in which a saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more can be obtained is smaller than in the case where saccharin sodium is not mixed, but the saturation magnetic flux is higher than that of the conventional NiFe alloy The use of the CoFe alloy according to the present invention makes it possible to manufacture a thin-film magnetic head that can appropriately cope with a future increase in recording density.

【0079】またメッキ浴中にサッカリンナトリウムを
混入することで混入しない場合に比べて膜応力を効果的
に小さくすることができる。
Further, by mixing saccharin sodium into the plating bath, the film stress can be effectively reduced as compared with the case where it is not mixed.

【0080】しかも上記組成範囲内であると結晶が緻密
に形成されることで、膜面の面粗れを抑制でき、耐食性
を向上させることができる。従って薄膜磁気ヘッドの製
造時に使用される各種溶剤に腐食するのを未然に防止す
ることが可能である。なお本発明では、CoFe合金膜
の膜面の中心線平均粗さ(Ra)を9nm以下にするこ
とができる。
Further, when the composition is within the above range, the crystals are formed densely, so that the surface roughness of the film surface can be suppressed and the corrosion resistance can be improved. Therefore, it is possible to prevent corrosion of various solvents used in manufacturing the thin-film magnetic head. In the present invention, the center line average roughness (Ra) of the film surface of the CoFe alloy film can be set to 9 nm or less.

【0081】また本発明では、前記保磁力Hcを158
0(A/m)以下にすることができる。
In the present invention, the coercive force Hc is set to 158
0 (A / m) or less.

【0082】また本発明では、比抵抗を25(μΩ・c
m)以上にすることができる。また膜応力を400MP
a以下にすることができる。さらに異方性磁界Hkに関
しては、従来から軟磁性材料として一般的に使用されて
いるNiFe合金と同程度の異方性磁界Hkを得ること
ができる。
In the present invention, the specific resistance is 25 (μΩ · c).
m) or more. In addition, the film stress is 400MP.
a. Further, with respect to the anisotropic magnetic field Hk, an anisotropic magnetic field Hk comparable to that of a NiFe alloy conventionally generally used as a soft magnetic material can be obtained.

【0083】上記した(1)または(2)のCoFe合
金は他の形態の薄膜磁気ヘッドにも使用することができ
る。
The CoFe alloy (1) or (2) can be used for other types of thin-film magnetic heads.

【0084】図3は、本発明における第2実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図4は図3に示
す4−4線から薄膜磁気ヘッドを切断し矢印方向から見
た縦断面図である。
FIG. 3 is a partial front view showing the structure of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a longitudinal section of the thin-film magnetic head taken along line 4-4 shown in FIG. FIG.

【0085】この実施形態では、MRヘッドh1の構造
は図1及び図2と同じである。図3に示すように下部コ
ア層16上には、絶縁層31が形成されている。前記絶
縁層31には、記録媒体との対向面からハイト方向(図
示Y方向)後方に所定の長さ寸法で形成されたトラック
幅形成溝31aが形成されている。前記トラック幅形成
溝31aは記録媒体との対向面においてトラック幅Tw
で形成されている(図3を参照のこと)。
In this embodiment, the structure of the MR head h1 is the same as in FIGS. As shown in FIG. 3, on the lower core layer 16, an insulating layer 31 is formed. In the insulating layer 31, a track width forming groove 31a having a predetermined length is formed rearward in the height direction (Y direction in the drawing) from the surface facing the recording medium. The track width forming groove 31a has a track width Tw on the surface facing the recording medium.
(See FIG. 3).

【0086】前記トラック幅形成溝31aには、下から
下部磁極層32、非磁性のギャップ層33、及び上部磁
極層34が積層された磁極部30が形成されている。
In the track width forming groove 31a, a magnetic pole portion 30 in which a lower magnetic pole layer 32, a nonmagnetic gap layer 33, and an upper magnetic pole layer 34 are laminated from below is formed.

【0087】前記下部磁極層32は、下部コア層16上
に直接メッキ形成されている。また前記下部磁極層32
の上に形成されたギャップ層33は、メッキ形成可能な
非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体
的には、NiP、NiPd、NiW、NiMo、Au、
Pt、Rh、Pd、Ru、Crのうち1種または2種以
上から選択されたものであることが好ましい。
The lower magnetic pole layer 32 is formed by plating directly on the lower core layer 16. The lower magnetic pole layer 32
The gap layer 33 formed thereon is preferably formed of a non-magnetic metal material that can be formed by plating. Specifically, NiP, NiPd, NiW, NiMo, Au,
It is preferably selected from one or more of Pt, Rh, Pd, Ru, and Cr.

【0088】なお本発明における具体的な実施形態とし
て前記ギャップ層33にはNiPが使用される。NiP
で前記ギャップ層33を形成することで前記ギャップ層
33を適切に非磁性状態にできるからである。
As a specific embodiment of the present invention, NiP is used for the gap layer 33. NiP
This is because the gap layer 33 can be appropriately brought into a non-magnetic state by forming the gap layer 33.

【0089】なお前記磁極部30は、ギャップ層33及
び上部磁極層34の2層で構成されていてもよい。
The magnetic pole portion 30 may be composed of two layers, a gap layer 33 and an upper magnetic pole layer 34.

【0090】前記ギャップ層33の上には、記録媒体と
の対向面からギャップデプス(Gd)だけ離れた位置か
ら絶縁層31上にかけてGd決め層37が形成されてい
る。
On the gap layer 33, a Gd determining layer 37 is formed from a position away from the surface facing the recording medium by a gap depth (Gd) and onto the insulating layer 31.

【0091】さらに前記ギャップ層33の上に形成され
た上部磁極層34は、その上に形成される上部コア層4
0と磁気的に接続される。
Further, the upper pole layer 34 formed on the gap layer 33 is formed on the upper core layer 4 formed thereon.
0 and magnetically connected.

【0092】上記のようにギャップ層33がメッキ形成
可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層3
2、ギャップ層33及び上部磁極層34を連続メッキ形
成することが可能である。
As described above, when the gap layer 33 is formed of a non-magnetic metal material that can be formed by plating, the lower magnetic pole layer 3
2. The gap layer 33 and the upper pole layer 34 can be formed by continuous plating.

【0093】図4に示すように前記絶縁層31の上には
コイル層38が螺旋状にパターン形成されている。前記
コイル層38は有機絶縁材料などで形成された絶縁層3
9によって覆われている。
As shown in FIG. 4, a coil layer 38 is spirally patterned on the insulating layer 31. The coil layer 38 is made of an insulating layer 3 made of an organic insulating material or the like.
9.

【0094】図3に示すように、トラック幅規制溝31
aのトラック幅方向(図示X方向)における両側端面に
は、前記上部磁極層34の上面から前記絶縁層31の上
面31bにかけて下部コア層16から離れる方向にした
がって徐々に幅寸法が広がる傾斜面31c,31cが形
成されている。
As shown in FIG. 3, the track width regulating groove 31
On both side end surfaces in the track width direction (X direction in the drawing) of FIG. , 31c are formed.

【0095】そして図3に示すように上部コア層40の
先端部40aは、前記上部磁極層34上面から前記傾斜
面31c,31c上にかけて下部コア層16から離れる
方向に形成されている。
As shown in FIG. 3, the tip portion 40a of the upper core layer 40 is formed in a direction away from the lower core layer 16 from the upper surface of the upper magnetic pole layer 34 to the inclined surfaces 31c, 31c.

【0096】図4に示すように前記上部コア層40は、
記録媒体との対向面からハイト方向(図示Y方向)にか
けて絶縁層39上に形成され、前記上部コア層40の基
端部40bは下部コア層16上に直接形成されている。
As shown in FIG. 4, the upper core layer 40
The base end portion 40b of the upper core layer 40 is formed directly on the lower core layer 16 from the surface facing the recording medium in the height direction (Y direction in the drawing).

【0097】図3及び図4に示す第2実施形態では、下
部磁極層32及び/または上部磁極層34が上記した
(1)あるいは(2)のCoFe合金で形成される。
In the second embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the lower magnetic pole layer 32 and / or the upper magnetic pole layer 34 are formed of the above-mentioned (1) or (2) CoFe alloy.

【0098】前記下部磁極層32及び上部磁極層34が
2.0T以上、好ましくは2.25T以上、より好まし
くは2.3T以上の高い飽和磁束密度Bsを有する上記
したCoFe合金で形成されることで、ギャップ近傍に
磁束を集中させることができ、記録密度を向上させるこ
とができるから、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッド
の製造が可能である。
The lower magnetic pole layer 32 and the upper magnetic pole layer 34 are formed of the above-mentioned CoFe alloy having a high saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more, preferably 2.25 T or more, more preferably 2.3 T or more. As a result, the magnetic flux can be concentrated near the gap, and the recording density can be improved. Therefore, it is possible to manufacture a thin-film magnetic head excellent in increasing the recording density.

【0099】また前記CoFe合金は、上記組成範囲内
で形成されることで結晶が緻密に形成され、膜面での面
粗れを抑制でき、耐食性を向上させることができる。本
発明では、前記膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下
にすることができる。より好ましくは5nm以下であ
る。また保磁力Hcを小さくできる。
The CoFe alloy is formed within the above composition range, so that the crystals are formed densely, the surface roughness on the film surface can be suppressed, and the corrosion resistance can be improved. In the present invention, the center line average roughness Ra of the film surface can be set to 9 nm or less. More preferably, it is 5 nm or less. Further, the coercive force Hc can be reduced.

【0100】図1ないし図4に示す実施形態では、いず
れも下部コア層16と上部コア層22、40間に磁極部
18、30を有し、前記磁極部18,30を構成する下
部磁極層19,32及び/または上部磁極層21,34
は上記(1)あるいは(2)のCoFe合金で形成され
るものであるが、本発明では、前記下部磁極層19,3
2及び/または上部磁極層21,34は2層以上の磁性
層が積層されて構成されていてもよい。かかる構成の場
合、ギャップ層20,33に接する側の磁性層が上記組
成範囲のCoFe合金で形成されることが好ましい。こ
れによってギャップ近傍に磁束をより集中させることが
でき、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッド
を製造することが可能である。
In the embodiments shown in FIGS. 1 to 4, each of the magnetic heads has the magnetic pole portions 18 and 30 between the lower core layer 16 and the upper core layers 22 and 40. 19, 32 and / or upper pole layer 21, 34
Is formed of the CoFe alloy of the above (1) or (2), but in the present invention, the lower magnetic pole layers 19, 3
The two and / or upper magnetic pole layers 21 and 34 may be configured by laminating two or more magnetic layers. In such a configuration, it is preferable that the magnetic layer in contact with the gap layers 20 and 33 be formed of a CoFe alloy having the above composition range. As a result, the magnetic flux can be more concentrated in the vicinity of the gap, and it is possible to manufacture a thin-film magnetic head capable of coping with a future increase in recording density.

【0101】また前記ギャップ層20,33に接する磁
性層以外の磁性層は、CoFe合金で形成され、前記他
の磁性層のFeの組成比は、前記ギャップ層20,33
に接する側の磁性層のFe組成比よりも小さいことが好
ましい。これによって前記ギャップ層20,33に接す
る磁性層の飽和磁束密度Bsを他の磁性層よりも高める
ことができ、ギャップ近傍に磁束をより適切に集中させ
ることが可能になる。なお前記他の磁性層はCoFe合
金で形成される必要はなく、例えばNiFe合金で形成
されてもよい。かかる場合、NiFe合金のFe量は、
ギャップ層20,33に接する側の磁性層のCoFeの
Fe量よりも多くてもかなわない。後述の実験で示され
るように、NiFe合金の場合、Fe量が73質量%程
度でも飽和磁束密度Bsはせいぜい1.9T程度であ
り、2.0Tを越えることがなく、よってギャップ層2
0,33側の磁性層のBsの方を高くすることが可能だ
からである。
The magnetic layers other than the magnetic layers in contact with the gap layers 20 and 33 are formed of a CoFe alloy.
Is preferably smaller than the Fe composition ratio of the magnetic layer in contact with the magnetic layer. As a result, the saturation magnetic flux density Bs of the magnetic layer in contact with the gap layers 20 and 33 can be higher than that of the other magnetic layers, and the magnetic flux can be more appropriately concentrated near the gap. The other magnetic layer need not be formed of a CoFe alloy, but may be formed of, for example, a NiFe alloy. In such a case, the Fe content of the NiFe alloy is
The amount of CoFe of the magnetic layer on the side in contact with the gap layers 20 and 33 may be larger than the Fe amount. As will be shown in an experiment described later, in the case of a NiFe alloy, the saturation magnetic flux density Bs is about 1.9 T at most even when the Fe content is about 73% by mass, and does not exceed 2.0 T.
This is because Bs of the magnetic layer on the 0,33 side can be made higher.

【0102】また下部磁極層19,32の飽和磁束密度
Bsは高いことが好ましいが、上部磁極層21,34の
飽和磁束密度Bsよりも低くすることにより、下部磁極
層と上部磁極層との間における洩れ磁界を磁化反転しや
すくすると、より記録媒体への信号の書込み密度を高く
できる。
It is preferable that the saturation magnetic flux density Bs of the lower magnetic pole layers 19 and 32 is high. However, by lowering the saturation magnetic flux density Bs of the upper magnetic pole layers 21 and 34, the gap between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer is reduced. If the leakage magnetic field is easily inverted, the writing density of signals on the recording medium can be further increased.

【0103】また下部コア層16及び上部コア層22,
40を上記組成範囲のCoFe合金で形成しても良い
が、かかる場合、上部磁極層21,34及び下部磁極層
19,32の飽和磁束密度Bsの方が、下部コア層16
及び上部コア層22,40よりも高くなるようにCoF
e合金のFe組成比を適切に調整することが好ましい。
The lower core layer 16 and the upper core layer 22,
40 may be formed of a CoFe alloy having the above composition range, but in such a case, the saturation magnetic flux density Bs of the upper magnetic pole layers 21 and 34 and the lower magnetic pole layers 19 and 32 is higher than that of the lower core layer 16.
And CoF so as to be higher than the upper core layers 22 and 40.
It is preferable to appropriately adjust the Fe composition ratio of the e alloy.

【0104】図5は本発明における第3実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。この実施形態ではMRヘ
ッドh1が図1と同じである。図5に示すように下部コ
ア層16にはアルミナなどによる磁気ギャップ層(非磁
性材料層)41が形成されている。さらに前記磁気ギャ
ップ層41の上にはポリイミドまたはレジスト材料製の
絶縁層43を介して平面的に螺旋状となるようにパター
ン形成されたコイル層44が設けられている。なお、前
記コイル層44はCu(銅)などの電気抵抗の小さい非
磁性導電性材料で形成されている。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the MR head h1 is the same as in FIG. As shown in FIG. 5, a magnetic gap layer (nonmagnetic material layer) 41 made of alumina or the like is formed on the lower core layer 16. Further, on the magnetic gap layer 41, there is provided a coil layer 44 patterned so as to be spiral in a plane via an insulating layer 43 made of polyimide or a resist material. The coil layer 44 is formed of a non-magnetic conductive material having a small electric resistance such as Cu (copper).

【0105】さらに、前記コイル層44はポリイミドま
たはレジスト材料で形成された絶縁層45に囲まれ、前
記絶縁層45の上に軟磁性材料製の上部コア層46が形
成されている。
Further, the coil layer 44 is surrounded by an insulating layer 45 made of polyimide or a resist material, and an upper core layer 46 made of a soft magnetic material is formed on the insulating layer 45.

【0106】図5に示すように、前記上部コア層46の
先端部46aは、記録媒体との対向面において、下部コ
ア層16の上に前記磁気ギャップ層41を介して対向
し、磁気ギャップ長Gl1の磁気ギャップが形成されて
おり、上部コア層46の基端部46bは図5に示すよう
に、下部コア層16と磁気的に接続されている。
As shown in FIG. 5, the tip 46a of the upper core layer 46 faces the lower core layer 16 via the magnetic gap layer 41 on the surface facing the recording medium. A magnetic gap of Gl1 is formed, and the base end 46b of the upper core layer 46 is magnetically connected to the lower core layer 16, as shown in FIG.

【0107】本発明では、下部コア層16及び/または
上部コア層46は、上記した(1)または(2)のCo
Fe合金で形成されている。この組成比で形成されたC
oFe合金は2.0T以上、好ましくは2.25T以
上、より好ましくは2.3T以上の飽和磁束密度Bsを
得ることができる。
In the present invention, the lower core layer 16 and / or the upper core layer 46 may be made of the above-mentioned (1) or (2) Co.
It is formed of an Fe alloy. C formed at this composition ratio
The oFe alloy can obtain a saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more, preferably 2.25 T or more, more preferably 2.3 T or more.

【0108】上部コア層46及び/または下部コア層1
6が、2.0T以上の高い飽和磁束密度Bsを有する上
記したCoFe合金で形成されることで、ギャップ近傍
に磁束を集中させることができ、記録密度を向上させる
ことができるから、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッ
ドの製造が可能である。
Upper core layer 46 and / or lower core layer 1
6 is made of the above-mentioned CoFe alloy having a high saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more, the magnetic flux can be concentrated near the gap, and the recording density can be improved. This makes it possible to manufacture a thin-film magnetic head that is excellent in structure.

【0109】また前記CoFe合金は、上記組成範囲内
で形成されることで結晶が緻密に形成され、膜面での面
粗れを抑制でき、耐食性を向上させることができる。本
発明では、前記膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下
にすることができる。好ましくは5nm以下にすること
ができる。また保磁力Hcを小さくできる。
Further, when the CoFe alloy is formed within the above composition range, crystals are formed densely, surface roughness on the film surface can be suppressed, and corrosion resistance can be improved. In the present invention, the center line average roughness Ra of the film surface can be set to 9 nm or less. Preferably, it can be set to 5 nm or less. Further, the coercive force Hc can be reduced.

【0110】またCoFe合金が上記組成範囲内である
と、17(μΩ・cm)以上、好ましくは25(μΩ・
cm)以上の比抵抗を得ることができる。また膜応力
を、1200MPa以下、好ましくは400MPa以下
にすることができる。さらに異方性磁界Hkに関して
は、従来から軟磁性材料として一般的に使用されている
NiFe合金と同程度の異方性磁界Hkを得ることがで
きる。
When the CoFe alloy is within the above composition range, it is 17 (μΩ · cm) or more, preferably 25 (μΩ · cm).
cm) or more. Further, the film stress can be made 1200 MPa or less, preferably 400 MPa or less. Further, with respect to the anisotropic magnetic field Hk, an anisotropic magnetic field Hk comparable to that of a NiFe alloy conventionally generally used as a soft magnetic material can be obtained.

【0111】図6は本発明における第4実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。図5との違いは、上部コ
ア層46が2層の磁性層で積層されて構成されているこ
とである。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention. The difference from FIG. 5 is that the upper core layer 46 is formed by laminating two magnetic layers.

【0112】前記上部コア層46は、高い飽和磁束密度
Bsを有する高Bs層47とその上に積層された上層4
8とで構成されている。
The upper core layer 46 is composed of a high Bs layer 47 having a high saturation magnetic flux density Bs and an upper layer 4 laminated thereon.
8.

【0113】前記高Bs層47は、上記した(1)また
は(2)のCoFe合金で形成されている。
The high Bs layer 47 is formed of the CoFe alloy (1) or (2).

【0114】これにより前記高Bs層47の飽和磁束密
度Bsを2.0以上、好ましくは2.25T以上、より
好ましくは2.3T以上にできる。
As a result, the saturation magnetic flux density Bs of the high Bs layer 47 can be set to 2.0 or more, preferably 2.25 T or more, and more preferably 2.3 T or more.

【0115】また上記の(1)または(2)のCoFe
合金で形成された高Bs層47は結晶が緻密に形成され
ることで、前記高Bs層47の膜面の面粗れを小さくで
き、よって耐食性を向上させることができ、しかも保磁
力Hcを小さくすることができる。具体的には、前記膜
面の中心線平均粗さRaを9nm以下にでき、好ましく
は5nm以下にでき、前記保磁力Hcを2370(A/
m)以下にでき、好ましくは1580(A/m)以下に
することができる。さらにCoFe合金を使用した場合
には比抵抗を17(μΩ・cm)以上、好ましくは25
(μΩ・cm)以上にできる。また膜応力を1200M
Pa以下にでき、好ましくは400MPa以下にでき
る。
The above (1) or (2) CoFe
In the high Bs layer 47 made of an alloy, since the crystal is formed densely, the surface roughness of the film surface of the high Bs layer 47 can be reduced, and therefore, the corrosion resistance can be improved, and the coercive force Hc can be reduced. Can be smaller. Specifically, the center line average roughness Ra of the film surface can be made 9 nm or less, preferably 5 nm or less, and the coercive force Hc becomes 2370 (A /
m) or less, and preferably 1580 (A / m) or less. Further, when a CoFe alloy is used, the specific resistance is 17 (μΩ · cm) or more, preferably 25 (μΩ · cm).
(ΜΩ · cm) or more. The film stress is 1200M
Pa or less, and preferably 400 MPa or less.

【0116】前記上部コア層46を構成する上層48
は、高Bs層47に比べて飽和磁束密度Bsが小さくな
っているものの、前記高Bs層47よりも比抵抗が高く
されている。前記上層48はCoFe合金で形成され、
この場合、前記上層48のFe含有量は、高Bs層47
のFe量よりも小さいことが好ましい。これによって前
記高Bs層47が前記上層48よりも高い飽和磁束密度
Bsを有し、ギャップ近傍に磁束を集中させて、記録分
解能を向上させることが可能になる。なお前記上層48
はCoFe合金で形成される必要はなく、例えばNiF
e合金で形成されてもよい。かかる場合、NiFe合金
のFe量は、高Bs層47のCoFeのFe量よりも多
くてもかまわない。後述の実験で示されるように、Ni
Fe合金の場合、Fe量が73質量%程度でも飽和磁束
密度Bsはせいぜい1.9T程度であり、2.0Tを越
えることがなく、よって高Bs層47側のBsの方を高
くすることが可能だからである。
An upper layer 48 constituting the upper core layer 46
Although the saturation magnetic flux density Bs is smaller than that of the high Bs layer 47, the specific resistance is higher than that of the high Bs layer 47. The upper layer 48 is formed of a CoFe alloy,
In this case, the Fe content of the upper layer 48 is
Is preferably smaller than the amount of Fe. Thereby, the high Bs layer 47 has a higher saturation magnetic flux density Bs than the upper layer 48, and the magnetic flux can be concentrated near the gap to improve the recording resolution. The upper layer 48
Need not be formed of a CoFe alloy, for example, NiF
It may be formed of an e-alloy. In such a case, the Fe amount of the NiFe alloy may be larger than the Fe amount of CoFe of the high Bs layer 47. As shown in the experiments described below, Ni
In the case of an Fe alloy, the saturation magnetic flux density Bs is about 1.9 T at most even when the Fe content is about 73% by mass, and does not exceed 2.0 T. Therefore, Bs on the high Bs layer 47 side can be made higher. Because it is possible.

【0117】また前記上部コア層46に比抵抗の高い上
層48が設けられたことで、記録周波数が上昇すること
により発生する渦電流による損失を低減させることがで
き、今後の高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。なお後述の実験結果に示すよ
うにNiFe合金の方が、CoFe合金に比べて比抵抗
を高くすることができるので、上層48にはCoFe合
金よりもNiFe合金を使用する方が好ましい。
Further, since the upper core layer 46 is provided with the upper layer 48 having a high specific resistance, it is possible to reduce the loss due to the eddy current generated by the increase in the recording frequency. A compatible thin film magnetic head can be manufactured. As shown in the experimental results described later, the NiFe alloy can have a higher specific resistance than the CoFe alloy. Therefore, it is preferable to use the NiFe alloy for the upper layer 48 rather than the CoFe alloy.

【0118】また本発明では図6に示すように、高Bs
層47が、ギャップ層41と対向する下層側に形成され
ていることが好ましい。また前記高Bs層47はギャッ
プ層41上に直接接する上部コア層46の先端部46a
のみに形成されていてもよい。
In the present invention, as shown in FIG.
It is preferable that the layer 47 is formed on the lower layer side facing the gap layer 41. Further, the high Bs layer 47 is provided at the tip end 46 a of the upper core layer 46 directly in contact with the gap layer 41.
Only it may be formed.

【0119】また下部コア層16も、高Bs層と高比抵
抗層の2層で構成されていてもよい。かかる構成の場
合、高比抵抗層の上に高Bs層が積層され、前記高Bs
層がギャップ層41を介して上部コア層46と対向す
る。
The lower core layer 16 may also be composed of two layers, a high Bs layer and a high resistivity layer. In such a configuration, a high Bs layer is laminated on the high resistivity layer, and the high Bs layer is formed.
The layer faces the upper core layer 46 via the gap layer 41.

【0120】また図6に示す実施形態では、上部コア層
46が2層の積層構造となっているが、3層以上であっ
てもよい。かかる構成の場合、高Bs層47は、磁気ギ
ャップ層41に接する側に形成されることが好ましい。
In the embodiment shown in FIG. 6, the upper core layer 46 has a two-layer structure, but may have three or more layers. In the case of such a configuration, the high Bs layer 47 is preferably formed on the side in contact with the magnetic gap layer 41.

【0121】図7は本発明における第5実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。図7の実施形態ではMR
ヘッドh1の構成は図1と同じである。図7に示すよう
に下部コア層16の上に下部磁極層50が記録媒体との
対向面から隆起形成されている。前記下部磁極層50の
ハイト方向後方(図示Y方向)には絶縁層51が形成さ
れている。前記絶縁層51の上面は、凹形状となり、コ
イル形成面51aが形成されている。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a fifth embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG.
The configuration of the head h1 is the same as that of FIG. As shown in FIG. 7, a lower magnetic pole layer 50 is formed on the lower core layer 16 so as to protrude from the surface facing the recording medium. An insulating layer 51 is formed behind the lower magnetic pole layer 50 in the height direction (Y direction in the drawing). The upper surface of the insulating layer 51 has a concave shape, and a coil forming surface 51a is formed.

【0122】前記下部磁極層50上から前記絶縁層51
上にかけてギャップ層52が形成されている。さらに前
記絶縁層51のコイル形成面51a上にはギャップ層5
2を介してコイル層53が形成されている。前記コイル
層53上は有機絶縁製の絶縁層54によって覆われてい
る。
From above the lower magnetic pole layer 50, the insulating layer 51
A gap layer 52 is formed upward. Further, a gap layer 5 is formed on the coil forming surface 51a of the insulating layer 51.
2, a coil layer 53 is formed. The coil layer 53 is covered with an insulating layer 54 made of organic insulation.

【0123】図7に示すように上部コア層55は、前記
ギャップ層52上から絶縁層54上にかけて例えばフレ
ームメッキ法によりパターン形成されている。
As shown in FIG. 7, the upper core layer 55 is patterned from the gap layer 52 to the insulating layer 54 by, for example, frame plating.

【0124】前記上部コア層55の先端部55aは前記
ギャップ層52上に下部磁極層50と対向して形成され
る。前記上部コア層55の基端部55bは、下部コア層
16上に形成された持上げ層56を介して前記下部コア
層16に磁気的に接続される。
The tip 55a of the upper core layer 55 is formed on the gap layer 52 so as to face the lower magnetic pole layer 50. A base end 55b of the upper core layer 55 is magnetically connected to the lower core layer 16 via a lifting layer 56 formed on the lower core layer 16.

【0125】この実施形態においては、上部コア層55
及び/または下部磁極層50は上記した(1)または
(2)のCoFe合金で形成されている。
In this embodiment, the upper core layer 55
And / or the lower magnetic pole layer 50 is formed of the CoFe alloy (1) or (2) described above.

【0126】図7では下部磁極層50が形成され、前記
下部磁極層50が下部コア層16よりも高い飽和磁束密
度Bsを有する前記CoFe合金で形成されると、ギャ
ップ近傍に磁束を集中させることができ記録密度の向上
を図ることが可能である。
In FIG. 7, when the lower magnetic pole layer 50 is formed and the lower magnetic pole layer 50 is formed of the CoFe alloy having a higher saturation magnetic flux density Bs than the lower core layer 16, the magnetic flux is concentrated near the gap. Thus, the recording density can be improved.

【0127】また上部コア層55は、その全体が前記C
oFe合金で形成されていてもよいが、図6と同様に前
記上部コア層55が2層以上の磁性層の積層構造であ
り、そのギャップ層52と対向する側が高Bs層として
前記CoFe合金膜で形成されていてもよい。またかか
る場合、前記上部コア層55の先端部55aのみが2層
以上の磁性層の積層構造で形成され、前記ギャップ層5
2上に接して高Bs層が形成されていることが、ギャッ
プ近傍に磁束を集中させ、記録密度を向上させる点から
して好ましい。
Further, the upper core layer 55 is entirely
The upper core layer 55 may have a laminated structure of two or more magnetic layers as in FIG. 6, and the side facing the gap layer 52 may serve as a high Bs layer as in the case of FIG. May be formed. In such a case, only the tip portion 55a of the upper core layer 55 is formed in a laminated structure of two or more magnetic layers, and the gap layer 5
It is preferable that the high Bs layer is formed in contact with the upper surface 2 in order to concentrate the magnetic flux near the gap and improve the recording density.

【0128】なお本発明では、図1ないし図7に示す各
実施形態においてCoFe合金膜はメッキ形成されてい
る。本発明では前記CoFe合金をパルス電流を用いた
電気メッキ法によりメッキ形成することができる。
In the present invention, in each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 7, the CoFe alloy film is formed by plating. In the present invention, the CoFe alloy can be formed by electroplating using a pulse current.

【0129】また前記CoFe合金をメッキ形成するこ
とで任意の膜厚で形成でき、スパッタで形成するよりも
厚い膜厚で形成することが可能になる。
Further, by forming the CoFe alloy by plating, the CoFe alloy can be formed to have an arbitrary thickness, and can be formed to have a larger thickness than that formed by sputtering.

【0130】また各実施形態において、符号16の層
は、下部コア層と上部シールド層の兼用層となっている
が、前記下部コア層と上部シールド層とが別々に形成さ
れていてもよい。かかる場合、前記下部コア層と上部シ
ールド層間には絶縁層を介在させる。
In each embodiment, the layer denoted by reference numeral 16 is a layer that is used as both a lower core layer and an upper shield layer. However, the lower core layer and the upper shield layer may be formed separately. In such a case, an insulating layer is interposed between the lower core layer and the upper shield layer.

【0131】次に図1ないし図7に示す薄膜磁気ヘッド
の一般的な製造方法について以下に説明する。
Next, a general method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 1 to 7 will be described below.

【0132】図1及び図2に示す薄膜磁気ヘッドは、下
部コア層16上にGd決め層17を形成した後、レジス
トを用いて記録媒体との対向面からハイト方向に下部磁
極層19、非磁性のギャップ層20及び上部磁極層21
から成る磁極部18を連続メッキによって形成する。次
に前記磁極部18のハイト方向後方に絶縁層23を形成
した後、例えばCMP技術を用いて前記磁極部18の上
面と前記絶縁層23の上面とを同一平面に平坦化する。
前記絶縁層23の上にコイル層24を螺旋状にパターン
形成した後、前記コイル層24の上に絶縁層25を形成
する。そして前記磁極部18上から絶縁層25上にかけ
て上部コア層22を例えばフレームメッキ法により形成
する。
In the thin-film magnetic head shown in FIGS. 1 and 2, after forming the Gd determining layer 17 on the lower core layer 16, the lower magnetic pole layer 19 and the non-magnetic layer are formed in the height direction from the surface facing the recording medium by using a resist. Magnetic gap layer 20 and upper pole layer 21
Is formed by continuous plating. Next, after the insulating layer 23 is formed behind the magnetic pole portion 18 in the height direction, the upper surface of the magnetic pole portion 18 and the upper surface of the insulating layer 23 are flattened using, for example, a CMP technique.
After spirally patterning the coil layer 24 on the insulating layer 23, an insulating layer 25 is formed on the coil layer 24. Then, the upper core layer 22 is formed, for example, by frame plating from the magnetic pole portion 18 to the insulating layer 25.

【0133】図3及び図4に示す薄膜磁気ヘッドは、下
部コア層16上に絶縁層31を形成した後、レジストを
用いて前記絶縁層31の記録媒体との対向面からハイト
方向後方に向けてトラック幅形成溝31aを形成する。
さらに前記トラック幅形成溝31aに図3に示す傾斜面
31c,31cを形成する。
In the thin-film magnetic head shown in FIGS. 3 and 4, after the insulating layer 31 is formed on the lower core layer 16, the resist is used to direct the insulating layer 31 rearward in the height direction from the surface of the insulating layer 31 facing the recording medium. Then, a track width forming groove 31a is formed.
Further, inclined surfaces 31c, 31c shown in FIG. 3 are formed in the track width forming groove 31a.

【0134】前記トラック幅形成溝31a内に、下部磁
極層32、非磁性のギャップ層33を形成する。前記ギ
ャップ層33上から絶縁層31上にGd決め層37を形
成した後、前記ギャップ層33上に上部磁極層34をメ
ッキ形成する。次に前記絶縁層31上にコイル層38を
螺旋状にパターン形成した後、前記コイル層38上に絶
縁層39を形成する。そして前記上部磁極層34上から
絶縁層39上にかけて上部コア層40を例えばフレーム
メッキ法にて形成する。
A lower magnetic pole layer 32 and a non-magnetic gap layer 33 are formed in the track width forming groove 31a. After a Gd determining layer 37 is formed on the insulating layer 31 from above the gap layer 33, an upper magnetic pole layer 34 is formed on the gap layer 33 by plating. Next, after the coil layer 38 is spirally patterned on the insulating layer 31, an insulating layer 39 is formed on the coil layer 38. Then, the upper core layer 40 is formed from the upper magnetic pole layer 34 to the insulating layer 39 by, for example, a frame plating method.

【0135】図5、図6に示す薄膜磁気ヘッドは、まず
下部コア層16上にギャップ層41を形成し、さらに絶
縁層43を形成した後、前記絶縁層43の上にコイル層
44をパターン形成する。前記コイル層44上に絶縁層
45を形成した後、ギャップ層41から前記絶縁層45
上にかけて上部コア層46をフレームメッキ法によりパ
ターン形成する。
In the thin-film magnetic head shown in FIGS. 5 and 6, first, a gap layer 41 is formed on the lower core layer 16, an insulating layer 43 is formed, and a coil layer 44 is patterned on the insulating layer 43. Form. After forming the insulating layer 45 on the coil layer 44, the insulating layer 45 is removed from the gap layer 41.
The upper core layer 46 is patterned upward by frame plating.

【0136】図7に示す薄膜磁気ヘッドは、まず下部コ
ア層16上にレジストを用いて下部磁極層50を形成
し、さらに前記下部磁極層50のハイト方向後方に絶縁
層51を形成する。前記下部磁極層50と前記絶縁層5
1の上面はCMP技術によって一旦平坦化された後、前
記絶縁層51の上面に凹形状となるコイル形成面51a
を形成する。次に前記下部磁極層50上から前記絶縁層
51上にギャップ層52を形成した後、前記ギャップ層
52上にコイル層53を螺旋状にパターン形成し、さら
に前記コイル層53上に絶縁層54を形成する。そし
て、前記ギャップ層52上から絶縁層54上にかけて上
部コア層55を例えばフレームメッキ法によりパターン
形成する。
In the thin-film magnetic head shown in FIG. 7, a lower magnetic pole layer 50 is first formed on the lower core layer 16 using a resist, and an insulating layer 51 is formed behind the lower magnetic pole layer 50 in the height direction. The lower magnetic pole layer 50 and the insulating layer 5
1 is flattened once by a CMP technique, and then the coil forming surface 51a having a concave shape is formed on the upper surface of the insulating layer 51.
To form Next, after a gap layer 52 is formed on the insulating layer 51 from above the lower magnetic pole layer 50, a coil layer 53 is spirally patterned on the gap layer 52, and an insulating layer 54 is formed on the coil layer 53. To form Then, the upper core layer 55 is patterned from the gap layer 52 to the insulating layer 54 by, for example, frame plating.

【0137】次に本発明におけるFeの組成比が50質
量%以上で90質量%以下とされたCoFe合金のメッ
キ形成法について以下に説明する。
Next, the method of plating a CoFe alloy in which the composition ratio of Fe is 50% by mass or more and 90% by mass or less in the present invention will be described below.

【0138】本発明では、前記CoFe合金をパルス電
流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成するものであ
る。
In the present invention, the CoFe alloy is formed by electroplating using a pulse current.

【0139】パルス電流を用いた電気メッキ法では、例
えば電流制御素子のON/OFFを繰返し、メッキ形成
時に、電流を流す時間と、電流を流さない空白な時間を
設ける。このように電流を流さない時間を設けること
で、CoFe合金膜を、少しずつメッキ形成し、そして
メッキ浴に占めるFeイオンの濃度を増やしても、従来
のように直流電流を用いた場合に比べメッキ形成時にお
ける電流密度の分布の偏りを緩和することが可能になっ
ている。
In the electroplating method using a pulse current, for example, ON / OFF of a current control element is repeated, and a time for flowing a current and a blank time for not flowing a current are provided at the time of plating. By providing a time period in which no current is supplied, the CoFe alloy film is formed by plating little by little, and even if the concentration of Fe ions in the plating bath is increased, compared with the case of using a direct current as in the past, It is possible to alleviate the bias of the current density distribution during plating.

【0140】なおパルス電流は、例えば数秒サイクルで
ON/OFFを繰返し、デューティ比を0.1〜0.5
程度にすることが好ましい。パルス電流の条件は、Co
Fe合金の平均結晶粒径及び膜面の中心線平均粗さRa
に影響を与える。
The pulse current is repeatedly turned ON / OFF in a cycle of several seconds, for example, so that the duty ratio is 0.1 to 0.5.
It is preferable to set the degree. The condition of the pulse current is Co
Average grain size and center line average roughness Ra of Fe alloy
Affect.

【0141】上記のようにパルス電流による電気メッキ
法では、メッキ形成時における電流密度の分布の偏りを
緩和することができるから、直流電流による電気メッキ
法に比べてCoFe合金に含まれるFe含有量を従来よ
りも増やすことが可能になる。
As described above, in the electroplating method using a pulse current, the bias of the current density distribution during plating can be reduced, and therefore, the Fe content in the CoFe alloy is smaller than that in the electroplating method using a direct current. Can be increased more than before.

【0142】しかも本発明では、CoFe合金のメッキ
形成に使用されるメッキ浴組成を以下のように設定して
いる。本発明では、Feイオン濃度/Coイオン濃度の
比率を1.0以上で17.0以下に設定する。メッキ浴
中に占めるFeイオン濃度のCoイオン濃度に対する比
率をこの程度に設定することで攪拌効果を挙げ、Fe組
成比の増大を図ることができる。
Further, in the present invention, the plating bath composition used for forming the CoFe alloy plating is set as follows. In the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 1.0 or more and 17.0 or less. By setting the ratio of the Fe ion concentration to the Co ion concentration in the plating bath to this level, a stirring effect can be obtained and the Fe composition ratio can be increased.

【0143】さらに本発明では前記メッキ浴中にサッカ
リンナトリウム(C64CONNaSO2)を混入して
いない。サッカリンナトリウムは応力緩和剤であり、一
般的にメッキ浴中に混入されている。しかしながら本発
明では、前記サッカリンナトリウムを混入せず、これに
よってメッキ面にFeイオンの出入りを良好にでき、F
e組成比の増大を図ることができると共に緻密な膜を形
成することが可能である。
Further, in the present invention, saccharin sodium (C 6 H 4 CONNaSO 2 ) is not mixed in the plating bath. Saccharin sodium is a stress relieving agent and is generally mixed in the plating bath. However, in the present invention, the above-mentioned saccharin sodium is not mixed, so that the entrance and exit of Fe ions can be improved on the plating surface.
The e composition ratio can be increased and a dense film can be formed.

【0144】後述の実験結果に示すように、上記の条件
で形成されたCoFe合金であると、Fe組成比を50
質量%以上で90質量%以下にでき、飽和磁束密度Bs
を2.0T以上にできるとともに、安定して高い飽和磁
束密度Bsを得ることができる。
As shown in the experimental results described later, in the case of a CoFe alloy formed under the above conditions, the Fe composition ratio was 50%.
Mass% or more and 90 mass% or less, and the saturation magnetic flux density Bs
Can be set to 2.0T or more, and a high saturation magnetic flux density Bs can be stably obtained.

【0145】また上記のイオン濃度の比率で形成された
CoFe合金の膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下
にでき、好ましくは5nm以下にでき耐食性に優れた軟
磁性膜を製造することが可能になっている。特に上記し
た製造方法のようにメッキ浴中にサッカリンナトリウム
を混入しないことで、CoFe合金膜中に耐食性を低下
させる元素Sが混在せず、また結晶粒径はより微細化
し、よって膜面の中心線平均粗さRaを効果的に9nm
以下、好ましくは5nm以下にすることが可能になる。
The center line average roughness Ra of the film surface of the CoFe alloy formed at the above ion concentration ratio can be reduced to 9 nm or less, preferably 5 nm or less, and a soft magnetic film having excellent corrosion resistance can be manufactured. It is possible. In particular, by not mixing saccharin sodium in the plating bath as in the above-described production method, the element S that reduces corrosion resistance is not mixed in the CoFe alloy film, and the crystal grain size is further reduced, and thus the center line of the film surface is reduced. Average roughness Ra is effectively 9 nm
Or less, preferably 5 nm or less.

【0146】一方、上記のイオン濃度の比率から外れる
と、すなわちFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を
1.0よりも小さく、あるいは17.0よりも大きくす
ると、2.0T以上の飽和磁束密度を得ることができな
い場合があり、安定して高い飽和磁束密度Bsを得るこ
とができなくなる。さらに膜面の中心線平均粗さRaは
9nmよりも大きくなり、耐食性が悪い軟磁性膜しか製
造することができない。
On the other hand, if the ratio of the ion concentration deviates from the above ratio, that is, if the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is smaller than 1.0 or larger than 17.0, the saturation magnetic flux density of 2.0 T or more is obtained. May not be obtained, and a high saturation magnetic flux density Bs cannot be obtained stably. Further, the center line average roughness Ra of the film surface is larger than 9 nm, and only a soft magnetic film having poor corrosion resistance can be manufactured.

【0147】また本発明では、Feイオン濃度は、1.
0g/l以上で7.5g/l以下で設定されることが好
ましい。本発明では前記Feイオン濃度をこの程度の範
囲内にすることで攪拌効果を上げることができ、より適
切にCoFe合金のFe含有量を大きくすることができ
る。
Further, in the present invention, the Fe ion concentration is as follows.
It is preferably set at 0 g / l or more and 7.5 g / l or less. In the present invention, by setting the Fe ion concentration within this range, the stirring effect can be improved, and the Fe content of the CoFe alloy can be more appropriately increased.

【0148】以上のように本発明では、パルス電流によ
る電気メッキ法を用い、メッキ浴中のFeイオン濃度/
Coイオン濃度の比率を1.0以上で17.0以下に
し、且つメッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入しな
いことで、従来よりも高い飽和磁束密度Bsを有するC
oFe合金を製造することができる。具体的には前記B
sを2.0T以上にできる。また上記した組成範囲内で
形成されたCoFe合金は、結晶が緻密に形成され膜面
の面粗れも少なく、したがって耐食性が高く保磁力Hc
の小さいメッキ膜を形成できる。
As described above, in the present invention, the electroplating method using a pulse current is used, and the Fe ion concentration in the plating bath /
By setting the ratio of the Co ion concentration to 1.0 or more and 17.0 or less and not mixing saccharin sodium in the plating bath, C having a higher saturation magnetic flux density Bs than before can be obtained.
An oFe alloy can be manufactured. Specifically, B
s can be set to 2.0T or more. Further, the CoFe alloy formed in the above composition range has a dense crystal and a small surface roughness of the film surface, and therefore has a high corrosion resistance and a high coercive force Hc.
A plating film having a small size can be formed.

【0149】また本発明では、サッカリンナトリウムを
混入していないメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオ
ン濃度の比率を1.0以上で10.0以下にし、パルス
電流による電気メッキ法により、Feの組成比Xが60
質量%以上で78質量%以下となるCo1-XFeXをメッ
キ形成することが好ましい。これにより飽和磁束密度を
効果的に2.25T以上得ることが可能になる。
In the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in the plating bath containing no saccharin sodium is adjusted to 1.0 or more and 10.0 or less, and the composition of Fe is determined by electroplating using a pulse current. Ratio X is 60
It is preferable to form a Co 1-x Fe x which is not less than 78% by mass but not less than 78% by mass. This makes it possible to effectively obtain a saturation magnetic flux density of 2.25 T or more.

【0150】あるいは本発明では、サッカリンナトリウ
ムを混入していないメッキ浴中のFeイオン濃度/Co
イオン濃度の比率を3.0以上で8.0以下にし、パル
ス電流による電気メッキ法により、Feの組成比Xが6
5質量%以上で75質量%以下となるCo1-XFeXをメ
ッキ形成することがより好ましい。これにより飽和磁束
密度を効果的に2.3T以上得ることが可能になる。
Alternatively, according to the present invention, the Fe ion concentration in the plating bath containing no saccharin sodium / Co
The ratio of the ion concentration is set to 3.0 or more and 8.0 or less, and the Fe composition ratio X is set to 6 by an electroplating method using a pulse current.
It is more preferable to form Co 1-X Fe X by plating at 5% by mass or more and 75% by mass or less. This makes it possible to effectively obtain a saturation magnetic flux density of 2.3 T or more.

【0151】サッカリンナトリウムを混入しないメッキ
浴を用い、パルス電流による電気メッキ法によりCoF
e合金をメッキ形成するときに、Feイオン濃度/Co
イオン濃度の比率を上記のように徐々に絞り込むこと
で、飽和磁束密度Bsを2.0Tよりも高い2.25T
以上、あるいは2.3T以上の非常に高い値にすること
が可能になる。
Using a plating bath in which saccharin sodium is not mixed, a CoF
Fe ion concentration / Co
By gradually narrowing the ion concentration ratio as described above, the saturation magnetic flux density Bs is increased to 2.25 T higher than 2.0 T.
It is possible to set the above value or a very high value of 2.3T or more.

【0152】上記のサッカリンナトリウムをメッキ浴中
に混入させないで行う軟磁性膜の製造方法によって、上
記した(1)の軟磁性膜を得ることができる。
The above-mentioned soft magnetic film (1) can be obtained by the method for producing a soft magnetic film without mixing saccharin sodium in the plating bath.

【0153】次に本発明では、サッカリンナトリウムを
混入したメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度
の比率を1.5以上で2.5以下にし、パルス電流によ
る電気メッキ法により、Feの組成比Xが68質量%以
上で80質量%以下となるCo1-XFeXをメッキ形成す
ることができる。
Next, in the present invention, the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in the plating bath mixed with sodium saccharin was set to 1.5 or more and 2.5 or less, and the Fe composition ratio was determined by electroplating using a pulse current. Co 1-X Fe X in which X is 68% by mass or more and 80% by mass or less can be formed by plating.

【0154】この製造方法によって上記した(2)の軟
磁性膜を製造することができる。この製造方法では、メ
ッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入させている。サ
ッカリンナトリウムは応力緩和剤であり、よってサッカ
リンナトリウムを混入させない場合に比べて膜応力の低
下を図ることができる。
The soft magnetic film of the above (2) can be manufactured by this manufacturing method. In this manufacturing method, saccharin sodium is mixed in the plating bath. Saccharin sodium is a stress relieving agent, so that the film stress can be reduced as compared with the case where saccharin sodium is not mixed.

【0155】ただしメッキ浴中にサッカリンナトリウム
を混入させると、混入させない場合に比べて飽和磁束密
度Bsは低下する傾向にある。しかしながら、メッキ浴
中にサッカリンナトリウムを混入した場合でも、メッキ
浴中に占めるFeイオン濃度のCoイオン濃度に対する
比率の適正化とパルス電流によるメッキ法により、飽和
磁束密度Bsが2.0T以上となるFe組成を有するC
oFe合金をメッキ形成することが可能になる。
However, when saccharin sodium is mixed in the plating bath, the saturation magnetic flux density Bs tends to be lower than when no saccharin is mixed. However, even when saccharin sodium is mixed in the plating bath, the saturation magnetic flux density Bs becomes 2.0T or more by optimizing the ratio of the Fe ion concentration to the Co ion concentration in the plating bath and the plating method using a pulse current. C having the composition
It becomes possible to form an oFe alloy by plating.

【0156】なお前記飽和磁束密度Bsは2.25T以
上であることが好ましい。また上記した組成範囲内で形
成されたCoFe合金は、結晶が緻密に形成され膜面の
面粗れも少なく、したがって耐食性が高く保磁力Hcの
小さいメッキ膜を形成できる。本発明では、CoFe合
金の膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下にでき耐食
性に優れた軟磁性膜を製造することが可能になってい
る。
The saturation magnetic flux density Bs is preferably at least 2.25T. Further, the CoFe alloy formed within the above composition range can form a plated film having high corrosion resistance and low coercive force Hc, because the crystal is formed densely and the surface roughness of the film is small. According to the present invention, the center line average roughness Ra of the film surface of the CoFe alloy can be reduced to 9 nm or less, and a soft magnetic film excellent in corrosion resistance can be manufactured.

【0157】次にサッカリンナトリウムが混入されない
メッキ浴中、およびサッカリンナトリウムが混入された
メッキ浴中の双方において、以下の材質が含まれている
ことが好ましい。
Next, it is preferable that the following materials are contained in both the plating bath in which sodium saccharin is not mixed and the plating bath in which sodium saccharin is mixed.

【0158】本発明ではCoFe合金のメッキ浴中に、
2−ブチン−1、4ジオールを混入することが好まし
い。これにより前記CoFe合金の結晶粒径の粗大化を
抑制し保磁力Hcを低減させることができる。
In the present invention, in a CoFe alloy plating bath,
It is preferable to mix 2-butyne-1,4 diol. As a result, the crystal grain size of the CoFe alloy can be prevented from becoming coarse, and the coercive force Hc can be reduced.

【0159】また本発明では、前記CoFe合金のメッ
キ浴中に2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを混入する
ことが好ましい。
In the present invention, it is preferable to mix sodium 2-ethylhexyl sulfate in the CoFe alloy plating bath.

【0160】前記2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムは
界面活性剤である。前記2−エチルヘキシル硫酸ナトリ
ウムの混入によって、CoFe合金のメッキ形成時に発
生する水素を除去でき、メッキ膜に前記水素が付着する
ことを防止することができる。前記メッキ膜に水素が付
着すると、結晶が緻密に形成されずその結果、膜面の面
粗れをひどくする原因となるため、本発明のように前記
水素を除去することで、前記メッキ膜の膜面の面粗れを
小さくでき、保磁力Hcを小さくすることが可能であ
る。
The above-mentioned sodium 2-ethylhexyl sulfate is a surfactant. By the incorporation of the sodium 2-ethylhexylsulfate, hydrogen generated at the time of plating of the CoFe alloy can be removed, and the adhesion of the hydrogen to the plating film can be prevented. When hydrogen adheres to the plating film, crystals are not formed densely, and as a result, the surface roughness of the film surface is seriously reduced.Therefore, by removing the hydrogen as in the present invention, the plating film is removed. The surface roughness of the film surface can be reduced, and the coercive force Hc can be reduced.

【0161】なお前記2−エチルヘキシル硫酸ナトリウ
ムに代えてラウリル硫酸ナトリウムを混入してもよい
が、前記ラウリル硫酸ナトリウムは、前記2−エチルヘ
キシル硫酸ナトリウムに比べてメッキ浴中に入れたとき
泡立ちやすいために、前記ラウリル硫酸ナトリウムを効
果的に水素を除去できる程度に混入することが難しい。
このため本発明では、前記ラウリル硫酸ナトリウムに比
べて泡立ちにくい2−エチルヘキシル硫酸ナトリウムを
水素を効果的に除去できる程度に混入することができて
好ましい。
Although sodium lauryl sulfate may be mixed in place of the sodium 2-ethylhexyl sulfate, the sodium lauryl sulfate is more likely to foam when placed in a plating bath than the sodium 2-ethylhexyl sulfate. It is difficult to mix the sodium lauryl sulfate to such an extent that hydrogen can be effectively removed.
Therefore, in the present invention, sodium 2-ethylhexyl sulfate, which is less liable to foam than sodium lauryl sulfate, can be mixed to the extent that hydrogen can be effectively removed, which is preferable.

【0162】また前記メッキ浴中にホウ酸を混入するこ
とが好ましい。ホウ酸は、電極表面のpH緩衝剤とな
り、またメッキ膜の光沢を出すのに効果的である。
Preferably, boric acid is mixed in the plating bath. Boric acid serves as a pH buffering agent on the electrode surface and is effective in providing a glossy plating film.

【0163】なお本発明では、上記(1)あるいは
(2)のCoFe合金の用途として図1ないし図7に示
す薄膜磁気ヘッドを提示したが、この用途に限定される
ものではない。例えば前記CoFe合金は、薄膜インダ
クタ等の平面型磁気素子等にも使用可能である。
In the present invention, the thin film magnetic head shown in FIGS. 1 to 7 has been proposed as the use of the CoFe alloy (1) or (2), but the present invention is not limited to this use. For example, the CoFe alloy can be used for a planar magnetic element such as a thin film inductor.

【0164】[0164]

【実施例】本発明では、メッキ浴からパルス電流による
電気メッキ法を用いてCoFe合金をメッキ形成し、こ
の際、メッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度の
比率を変化させながら、組成比の異なる複数のCoFe
合金をメッキ形成した。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a CoFe alloy is formed by plating from a plating bath by using an electroplating method using a pulse current, and the composition ratio is changed while changing the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in the plating bath. CoFe with different
The alloy was plated.

【0165】まずFeイオン濃度/Coイオン濃度の比
率が1.5よりも小さくなる場合(比較例1)のメッキ
浴組成は以下の表1に示されている。なおメッキ浴中に
はサッカリンナトリウムが混入されている。
First, the plating bath composition when the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is smaller than 1.5 (Comparative Example 1) is shown in Table 1 below. In addition, saccharin sodium is mixed in the plating bath.

【0166】[0166]

【表1】 [Table 1]

【0167】表1に示すようにFeイオン濃度は4g/
lである。実験ではFeイオン濃度を固定して、Coイ
オン濃度を3.0g/l、3.4g/l及び4.1g/
lと変化させて各メッキ浴組成からCoFe合金を製造
した。
As shown in Table 1, the Fe ion concentration was 4 g /
l. In the experiment, the Fe ion concentration was fixed and the Co ion concentration was 3.0 g / l, 3.4 g / l, and 4.1 g / l.
The CoFe alloy was produced from each plating bath composition while changing the composition to l.

【0168】次にFeイオン濃度/Coイオン濃度の比
率が1.5以上で2.5以下になる場合(実施例)のメ
ッキ浴組成は以下の表2に示されている。なおメッキ浴
中にはサッカリンナトリウムが混入されている。
Next, when the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is 1.5 or more and 2.5 or less (Example), the plating bath composition is shown in Table 2 below. In addition, saccharin sodium is mixed in the plating bath.

【0169】[0169]

【表2】 [Table 2]

【0170】表2に示すようにFeイオン濃度は1.2
3g/lあるいは4.0g/lである。実験ではFeイ
オン濃度を固定して、Coイオン濃度を0.57g/l
(Feイオンは1.23g/l)、0.69g/l(F
eイオンは1.23g/l)、あるいは1.6g/l
(この場合は、Feイオンは4.0g/l)と変化させ
て各メッキ浴組成からCoFe合金を製造した。
As shown in Table 2, the Fe ion concentration was 1.2
It is 3 g / l or 4.0 g / l. In the experiment, the Fe ion concentration was fixed and the Co ion concentration was 0.57 g / l.
(Fe ion is 1.23 g / l), 0.69 g / l (F
e ion is 1.23 g / l) or 1.6 g / l
(In this case, the Fe ion was changed to 4.0 g / l) to produce a CoFe alloy from each plating bath composition.

【0171】最後に、Feイオン濃度/Coイオン濃度
の比率が2.5よりも大きくなる場合(比較例2)のメ
ッキ浴組成比は以下の表3に示されている。なおメッキ
浴中にはサッカリンナトリウムが混入されている。
Finally, when the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is larger than 2.5 (Comparative Example 2), the plating bath composition ratio is shown in Table 3 below. In addition, saccharin sodium is mixed in the plating bath.

【0172】[0172]

【表3】 [Table 3]

【0173】表3に示すようにFeイオン濃度は4g/
lである。実験ではFeイオン濃度を固定して、Coイ
オン濃度を0.11g/l、0.34g/l、0.57
g/l、0.91g/l及び1.26g/lと変化させ
て各メッキ浴組成からCoFe合金を製造した。
As shown in Table 3, the Fe ion concentration was 4 g /
l. In the experiment, the Fe ion concentration was fixed and the Co ion concentration was 0.11 g / l, 0.34 g / l, 0.57 g / l.
g / l, 0.91 g / l and 1.26 g / l were used to produce CoFe alloys from each plating bath composition.

【0174】なお表1ないし表3に示すように、メッキ
浴にはFeイオン及びCoイオン以外に、サッカリンナ
トリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、2−ブチン−1,
4−ジオール、ホウ酸、および塩化ナトリウムを、各表
に記載された量だけ混入した。
As shown in Tables 1 to 3, in addition to Fe ions and Co ions, the plating baths contained sodium saccharin, sodium lauryl sulfate, 2-butyne-1,
4-diol, boric acid, and sodium chloride were incorporated in the amounts listed in each table.

【0175】また表1ないし表3のメッキ浴組成からC
oFe合金をメッキ形成するとき、以下の成膜条件を共
通にした。
Further, from the plating bath compositions shown in Tables 1 to 3, C
When the oFe alloy was formed by plating, the following film forming conditions were used in common.

【0176】まずメッキ浴温度を30℃に設定した。ま
た電極のpHを2.8に設定した。また電流密度を4
6.8mA/cm2に設定した。さらにパルス電流のデ
ィーティー比(ON/OFF)を400/1000ms
ecに設定した。またアノード側の電極にはFe電極を
用いた。
First, the plating bath temperature was set to 30 ° C. The pH of the electrode was set to 2.8. When the current density is 4
It was set to 6.8 mA / cm2. Furthermore, the duty ratio (ON / OFF) of the pulse current is set to 400/1000 ms.
ec. An Fe electrode was used as the anode electrode.

【0177】表1ないし表3の各メッキ浴組成でメッキ
形成されたCoFe合金の軟磁気特性及び膜特性につい
ては以下の通りであった。
The soft magnetic properties and film properties of the CoFe alloys formed by plating in the respective plating bath compositions shown in Tables 1 to 3 were as follows.

【0178】[0178]

【表4】 [Table 4]

【0179】表4は、表1の実験結果であり、すなわち
Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.5よりも
小さくした比較例1の実験結果である。表4に示すよう
に、Feの組成比は59質量%以上で67質量%以下と
なり、飽和磁束密度Bsは2.25T以下であった。飽
和磁束密度Bsは2.0Tを越える場合もあるが越えな
い場合もあり、飽和磁束密度Bsは不安定であった。ま
た膜面の中心線平均粗さRaは9nmよりも大きくな
り、面粗れがひどくなってしまった。
Table 4 shows the experimental results of Table 1, that is, the experimental results of Comparative Example 1 in which the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration was smaller than 1.5. As shown in Table 4, the composition ratio of Fe was 59% by mass or more and 67% by mass or less, and the saturation magnetic flux density Bs was 2.25T or less. The saturation magnetic flux density Bs may or may not exceed 2.0T, and the saturation magnetic flux density Bs was unstable. Further, the center line average roughness Ra of the film surface became larger than 9 nm, and the surface roughness became severe.

【0180】面粗れがひどくなる原因はいくつか考えら
れるが、Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率が1.
5よりも小さくなると、成膜時カソード(メッキされる
側)表面に触れるメッキ液もCoが多くなり、攪拌効果
の低下により、CoFe合金中に含まれるFe量の低下
とともに結晶粒径の粗大化が顕著になりやすく、これに
より面粗れがひどくなるものと予想される。
There are several possible causes of the surface roughness, but the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 1.
If it is smaller than 5, the amount of Co in the plating solution that touches the cathode (plated side) surface during film formation increases, and the agitation effect decreases, so that the Fe content in the CoFe alloy decreases and the crystal grain size increases. Is likely to be remarkable, and it is expected that the surface roughness will be severe.

【0181】[0181]

【表5】 [Table 5]

【0182】表5は、表2の実験結果であり、すなわち
Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.5以上で
2.5以下とした実施例の実験結果である。表5に示す
ように、Feの組成比は68質量%以上で80質量%以
下となり、飽和磁束密度Bsは2.25T以上で2.3
T以下であった。このようにFeイオン濃度/Coイオ
ン濃度の比率を1.5以上で2.5以下とすれば、飽和
磁束密度Bsを常に2Tよりも大きくすることができる
ことがわかる。このように安定して2.0T以上の飽和
磁束密度Bsを得ることができる。
Table 5 shows the experimental results of Table 2, that is, the experimental results of Examples in which the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration was 1.5 or more and 2.5 or less. As shown in Table 5, the composition ratio of Fe is not less than 68% by mass and not more than 80% by mass, and the saturation magnetic flux density Bs is 2.3% at not less than 2.25T.
T or less. As described above, when the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 1.5 or more and 2.5 or less, the saturation magnetic flux density Bs can always be made larger than 2T. Thus, a saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more can be obtained stably.

【0183】また膜面の中心線平均粗さRaは9nm以
下となり、面粗れを効果的に抑制できることがわかっ
た。
Further, the center line average roughness Ra of the film surface was 9 nm or less, and it was found that surface roughness could be effectively suppressed.

【0184】このように、Feイオン濃度/Coイオン
濃度の比率を1.5以上で2.5以下とすることによ
り、比較例1に比べて、成膜時カソード表面に触れるメ
ッキ液にFeが多く含まれ、攪拌効果が上がり、CoF
e合金中にFeが多く含まれるとともに、結晶粒径が小
さくなり緻密な膜を形成でき、飽和磁束密度Bs及び面
粗れの小さいCoFe合金をメッキ形成できるものと予
測される。
As described above, by setting the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration to 1.5 or more and 2.5 or less, Fe in the plating solution that touches the cathode surface during film formation is smaller than that in Comparative Example 1. Contains a lot, increases the stirring effect, CoF
It is expected that the e-alloy contains a large amount of Fe, the crystal grain size becomes small, a dense film can be formed, and a CoFe alloy having a small saturation magnetic flux density Bs and a small surface roughness can be formed by plating.

【0185】[0185]

【表6】 [Table 6]

【0186】表6は、表3の実験結果であり、すなわち
Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を2.5よりも
大きくした比較例2の実験結果である。表6に示すよう
に、Feの組成比は83質量%以上となり、飽和磁束密
度Bsは2.2T以下であった。飽和磁束密度Bsは
2.0Tを越える場合もあるが越えない場合もあり飽和
磁束密度Bsは不安定であった。また膜面の中心線平均
粗さRaは10nm以上になり、面粗れがひどくなって
しまった。
Table 6 shows the experimental results of Table 3, that is, the experimental results of Comparative Example 2 in which the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration was larger than 2.5. As shown in Table 6, the composition ratio of Fe was 83% by mass or more, and the saturation magnetic flux density Bs was 2.2T or less. The saturation magnetic flux density Bs may or may not exceed 2.0T, and the saturation magnetic flux density Bs was unstable. Further, the center line average roughness Ra of the film surface became 10 nm or more, and the surface roughness became severe.

【0187】Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を
2.5よりも大きくすると、FeがCoに比べて優位に
析出する異常析出となる。かかる場合、結晶粒径の粗大
化が顕著になりやすい。これによって飽和磁束密度の以
下とともに膜面の面粗れがひどくなってしまうものと予
測される。
When the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration is larger than 2.5, abnormal precipitation occurs in which Fe is deposited more predominantly than Co. In such a case, the coarsening of the crystal grain size tends to be remarkable. As a result, it is expected that the surface roughness of the film surface becomes severe as well as the saturation magnetic flux density.

【0188】また面粗れを抑制できるか否かについて
は、上記したFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率の
他にFeイオン濃度自体の大きさも大きく関与する。本
発明では前記Feイオン濃度は、1.0g/l〜1.5
g/lであることが好ましい。なお従来ではFeイオン
濃度は4.0g/l程度であった。本発明のようにFe
イオン濃度を従来よりも低濃度にすることで、攪拌効果
を上げることができ、CoFe合金中に含まれるFe量
を増やすことができると共に、結晶粒径を小さくでき緻
密な膜を形成できて、面粗れを抑制することが可能であ
る。
Whether the surface roughness can be suppressed or not depends not only on the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration but also on the magnitude of the Fe ion concentration itself. In the present invention, the Fe ion concentration is 1.0 g / l to 1.5 g / l.
g / l. Conventionally, the Fe ion concentration was about 4.0 g / l. As in the present invention, Fe
By making the ion concentration lower than before, the stirring effect can be increased, the amount of Fe contained in the CoFe alloy can be increased, the crystal grain size can be reduced, and a dense film can be formed. It is possible to suppress surface roughness.

【0189】また表2の実施例の場合には、サンプルに
よって2−ブチン−1、4ジオールを混入した。これに
よってメッキ形成されたCoFe合金の結晶粒径の粗大
化を抑制でき、前記結晶粒径が小さくなることで結晶間
に空隙が生じ難くなり、膜面の面粗れを抑制することが
できる。
In the case of the examples shown in Table 2, 2-butyne-1,4 diol was mixed in some samples. As a result, coarsening of the crystal grain size of the plated CoFe alloy can be suppressed, and since the crystal grain size is reduced, voids are less likely to be generated between crystals, and the surface roughness of the film surface can be suppressed.

【0190】次に、NiイオンとFeイオンを有するメ
ッキ浴からNiFe合金をパルス電流による電気メッキ
法によりメッキ形成し、そのNiFe合金のFe組成、
Ni組成、およびNiFe合金の軟磁気特性及び膜特性
を調べた。
Next, a NiFe alloy is formed by plating from a plating bath having Ni ions and Fe ions by an electroplating method using a pulsed current.
The Ni composition and the soft magnetic properties and film properties of the NiFe alloy were examined.

【0191】また、CoイオンとFeイオンを有し、さ
らにサッカリンナトリウムを含まないメッキ浴からパル
ス電流による電気メッキ法によりCoFe合金をメッキ
形成し、メッキ浴中に占めるFeイオン濃度、Coイオ
ン濃度、Feイオン濃度/Coイオン濃度、メッキ形成
されたCoFe合金中に占めるFe組成比、Co組成
比、およびCoFe合金の軟磁気特性及び膜特性を調べ
た。
Further, a CoFe alloy was formed by plating from a plating bath containing Co ions and Fe ions and further containing no saccharin sodium by an electroplating method using a pulse current, and the Fe ion concentration, the Co ion concentration, The ion concentration / Co ion concentration, the Fe composition ratio in the plated CoFe alloy, the Co composition ratio, and the soft magnetic properties and film properties of the CoFe alloy were examined.

【0192】なおメッキ浴には、塩化ナトリウム(5g
/l)、ホウ酸(25g/l)及びラウリル硫酸ナトリ
ウム(0.02g/l)を混入した。また成膜条件とし
てメッキ浴温度を30℃、また電極のpHを2.35に
設定した。また電流密度を430mA/cm2に設定し
た。さらにパルス電流のディーティー比(ON/OF
F)を200/800msecに設定した。またアノー
ド側の電極にはCo電極を用いた。
In the plating bath, sodium chloride (5 g) was used.
/ L), boric acid (25 g / l) and sodium lauryl sulfate (0.02 g / l). As the film forming conditions, the plating bath temperature was set at 30 ° C., and the pH of the electrode was set at 2.35. The current density was set to 430 mA / cm 2 . Furthermore, the duty ratio of pulse current (ON / OF
F) was set to 200/800 msec. In addition, a Co electrode was used for the electrode on the anode side.

【0193】さらに、既に表1ないし表6で説明したメ
ッキ浴中にサッカリンナトリウムを混入させてメッキ形
成したCoFe合金のうち、いくつかのCoFe合金を
選び出し、これらCoFe合金の軟磁気特性及び膜特性
を測定した。なお表1ないし表6にない、新たなFeイ
オン濃度、およびCoイオン濃度を有し且つサッカリン
ナトリウムが混入されたメッキ浴からCoFe合金をメ
ッキ形成し、これらCoFe合金の軟磁気特性及び膜特
性も測定した。その実験結果を表7に示す。
Further, among CoFe alloys formed by plating saccharin sodium into the plating baths already described in Tables 1 to 6, some CoFe alloys were selected, and the soft magnetic properties and film properties of these CoFe alloys were determined. It was measured. In addition, a CoFe alloy was formed by plating from a plating bath having a new Fe ion concentration and a new Co ion concentration, not shown in Tables 1 to 6, and mixed with sodium saccharin, and the soft magnetic properties and film properties of these CoFe alloys were also measured. did. Table 7 shows the experimental results.

【0194】表7に示す「CoFe」の欄は、サッカリ
ンナトリウムが混入したメッキ浴中からメッキ形成され
たCoFe合金の実験結果、「CoFe−N」欄は、サ
ッカリンナトリウムが混入していないメッキ浴中からメ
ッキ形成されたCoFe合金の実験結果である。
The "CoFe" column in Table 7 shows the experimental results of the CoFe alloy formed by plating from the plating bath containing saccharin sodium. The "CoFe-N" column shows the results from the plating bath containing no saccharin sodium. It is an experimental result of the CoFe alloy formed by plating.

【0195】[0195]

【表7】 [Table 7]

【0196】この表7を基にして各CoFe合金のFe
量と軟磁気特性及び膜特性との関係を以下にまとめた。
またNiFe合金についてもNiFe合金中に含まれる
Fe量と軟磁気特性及び膜特性との関係について調べ
た。
Based on Table 7, the Fe of each CoFe alloy was
The relationship between the quantity and the soft magnetic properties and film properties is summarized below.
Also for NiFe alloys, the relationship between the amount of Fe contained in the NiFe alloy and the soft magnetic properties and film properties was examined.

【0197】図8はCoFe合金中あるいはNiFe合
金中に含まれるFe量と飽和磁束密度Bsとの関係を示
すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the amount of Fe contained in the CoFe alloy or the NiFe alloy and the saturation magnetic flux density Bs.

【0198】図8に示すように、NiFe合金の場合
は、Fe含有量Xが最高でも約73質量%程度であり、
これ以上Feをメッキ膜中に入れることができない。そ
して飽和磁束密度Bsは高くて1.9T程度であり、
2.0T以上の飽和磁束密度Bsを得ることができな
い。
As shown in FIG. 8, in the case of the NiFe alloy, the Fe content X is about 73% by mass at the maximum,
No more Fe can be contained in the plating film. The saturation magnetic flux density Bs is as high as about 1.9T,
A saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more cannot be obtained.

【0199】一方、CoFe合金の場合には、Feをメ
ッキ膜中に73質量%以上入れることが可能である。こ
こで図8を見てわかるように、サッカリンナトリウムが
混入されたメッキ浴からメッキ形成された「CoFe」
よりも、サッカリンナトリウムが混入されていないメッ
キ浴からメッキ形成された「CoFe−N」の方が飽和
磁束密度Bsを高くできることがわかった。
On the other hand, in the case of a CoFe alloy, Fe can be contained in the plating film in an amount of 73% by mass or more. Here, as can be seen from FIG. 8, “CoFe” plated from a plating bath mixed with saccharin sodium was used.
It was found that “CoFe—N” formed by plating from a plating bath into which sodium saccharin was not mixed could increase the saturation magnetic flux density Bs.

【0200】図8及び図9(図9は、特に縦軸のレンジ
を大きくした、図8の「CoFe−N」のFe組成比と
飽和磁束密度Bsとの関係を示すグラフ)を見てわかる
ように、サッカリンナトリウムが混入されていないメッ
キ浴からメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−
N)の場合、Fe組成比を50質量%以上で90質量以
下に設定すれば、飽和磁束密度Bsを2.0T以上得ら
れることがわかった。
8 and 9 (FIG. 9 is a graph showing the relationship between the Fe composition ratio of “CoFe—N” and the saturation magnetic flux density Bs in FIG. 8 in which the range of the vertical axis is particularly enlarged). As described above, a CoFe alloy (CoFe-) plated from a plating bath into which sodium saccharin is not mixed is used.
In the case of N), it was found that the saturation magnetic flux density Bs was 2.0 T or more when the Fe composition ratio was set to 50 mass% or more and 90 mass or less.

【0201】また、サッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(C
oFe−N)の場合、Fe組成比を60質量%以上で7
8質量%以下に設定すれば、飽和磁束密度Bsを2.2
5T以上得られることがわかった。
Further, a CoFe alloy (C) formed by plating from a plating bath into which saccharin sodium was not mixed was used.
oFe-N), when the Fe composition ratio is 60% by mass or more, 7
If it is set to 8% by mass or less, the saturation magnetic flux density Bs becomes 2.2
It turned out that 5T or more can be obtained.

【0202】さらにサッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(C
oFe−N)の場合、Fe組成比を65質量%以上で7
5質量%以下に設定すれば、飽和磁束密度Bsを2.3
T以上得られることがわかった。
Further, a CoFe alloy (C) plated from a plating bath containing no saccharin sodium was used.
oFe-N), when the Fe composition ratio is 65% by mass or more, 7
If it is set to 5% by mass or less, the saturation magnetic flux density Bs becomes 2.3
It was found that T or more could be obtained.

【0203】従って、サッカリンナトリウムが混入され
ていないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金
は、Fe組成比が50質量%以上で90質量%以下であ
り、好ましくは60質量%以上で78質量%以下であ
り、より好ましくは65質量%以上で75質量%以下で
あるとした。
Therefore, the CoFe alloy formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium has an Fe composition ratio of 50% by mass or more and 90% by mass or less, preferably 60% by mass or more and 78% by mass or less. And more preferably 65% by mass or more and 75% by mass or less.

【0204】次に、サッカリンナトリウムが混入された
メッキ浴からメッキ形成したCoFe合金(図8のCo
Fe)では、Fe含有量を約60質量%以上から約90
質量%以下とすれば飽和磁束密度Bsを2.0T以上に
することができることがわかった。このようにCoFe
合金の方がNiFe合金に比べて前記Bsを高くできる
ことがわかる。
Next, a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin (Co in FIG. 8)
Fe), the Fe content is increased from about 60% by mass or more to about 90% by mass.
It has been found that the saturation magnetic flux density Bs can be set to 2.0 T or more if the content is not more than the mass%. Thus, CoFe
It can be seen that the Bs can be higher in the alloy than in the NiFe alloy.

【0205】しかしながらサッカリンナトリウムが混入
されたメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金のF
e含有量が上記範囲内であると、その一部の範囲におい
て結晶粒径の粗大化、及び主としてそれに伴う面粗れの
悪化が問題となる。
However, the F of the CoFe alloy formed by plating from the plating bath into which saccharin sodium was mixed.
When the e content is within the above range, there is a problem that in a part of the range, the crystal grain size is coarsened, and mainly the accompanying deterioration of the surface roughness is caused.

【0206】図10は、CoFe合金中に占めるFe含
有量と膜面の中心線平均粗さRaとの関係を示すグラフ
である。図9に示すようにサッカリンナトリウムが混入
されたメッキ浴からメッキ形成したCoFe合金(図9
のCoFeのグラフ)のFe量が75質量%前後のとき
に、最も中心線平均粗さRaを小さくすることができる
ことがわかる。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the Fe content in the CoFe alloy and the center line average roughness Ra of the film surface. As shown in FIG. 9, a CoFe alloy plated from a plating bath containing sodium saccharin (FIG. 9)
It can be seen that the center line average roughness Ra can be minimized when the Fe content of the graph (CoFe) is about 75% by mass.

【0207】図10に示すように、Fe量を68質量%
以上で80質量%以下にすれば、膜面の中心線平均粗さ
Raを9nm以下にできることがわかる。
As shown in FIG. 10, the Fe content was 68% by mass.
It can be seen that when the content is 80% by mass or less, the center line average roughness Ra of the film surface can be 9 nm or less.

【0208】Fe量を68質量%以上で80質量%以下
としたとき、図8の飽和磁束密度Bsのグラフと照らし
合わせると、飽和磁束密度Bsを2.25T以上にでき
ることがわかる。
When the Fe content is 68% by mass or more and 80% by mass or less, it can be seen from the graph of FIG. 8 that the saturation magnetic flux density Bs can be increased to 2.25T or more.

【0209】このように本発明では、サッカリンナトリ
ウムが混入されたメッキ浴からメッキ形成したCoFe
合金(図8のCoFeのグラフ)のFe量を68質量%
以上で80質量%以下とすると、飽和磁束密度Bsを
2.0T以上にでき、具体的には2.25T以上にで
き、また膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下にでき
ることがわかる。
As described above, according to the present invention, CoFe plated from a plating bath mixed with sodium saccharin was used.
The Fe content of the alloy (the graph of CoFe in FIG. 8) was 68% by mass.
It can be seen that when the above is 80% by mass or less, the saturation magnetic flux density Bs can be made 2.0T or more, specifically 2.25T or more, and the center line average roughness Ra of the film surface can be made 9 nm or less.

【0210】上記の表2及び表5で説明したように、F
eイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.5以上で
2.5以下にすることで、攪拌効果の向上により、Co
Fe合金中に含まれるFe量を68質量%以上で80質
量%以下にでき、また結晶粒径の粗大化を抑制できて緻
密な膜を形成することができ、飽和磁束密度を2.0T
以上にできると共に中心線平均粗さを9nm以下にでき
面粗れの少ないCoFe合金を製造することができる。
As described in Tables 2 and 5 above, F
By setting the ratio of e ion concentration / Co ion concentration to 1.5 or more and 2.5 or less, the stirring effect is improved, so that
The amount of Fe contained in the Fe alloy can be set to be not less than 68% by mass and not more than 80% by mass, the crystal grain size can be suppressed from being coarsened, a dense film can be formed, and the saturation magnetic flux density can be reduced to 2.0T.
With the above, the center line average roughness can be reduced to 9 nm or less, and a CoFe alloy with less surface roughness can be manufactured.

【0211】一方、サッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成したCoFe合金では、
図10の「CoFe−N」のグラフを見てわかるよう
に、Feの組成比を50質量%上で90質量%以下にし
ても膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下に抑えやす
く、組成比によっては前記中心線平均粗さRaを5nm
以下に抑制することが可能である。
On the other hand, in the case of a CoFe alloy plated from a plating bath containing no saccharin sodium,
As can be seen from the graph of “CoFe—N” in FIG. 10, even when the composition ratio of Fe is higher than 50% by mass and equal to or lower than 90% by mass, the center line average roughness Ra of the film surface can be easily suppressed to 9 nm or less. Depending on the composition ratio, the center line average roughness Ra is 5 nm.
The following can be suppressed.

【0212】サッカリンナトリウムが混入されていない
メッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金の膜面の中
心線平均粗さRaが小さい理由は、膜中に耐食性を低下
させる元素Sが含まれないことや結晶粒径の効果的な微
細化が考えられる。
The reason why the center line average roughness Ra of the film surface of the CoFe alloy plated from a plating bath containing no saccharin sodium is small is that the film does not contain the element S which lowers the corrosion resistance, and the crystal grain size is low. Effective miniaturization of the diameter is conceivable.

【0213】次に図11はCoFe合金及びNiFe合
金のFe含有量と保磁力Hcとの関係を示すグラフであ
る。図11に示すようにNiFe合金の保磁力Hcより
も高くなるものの、サッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴組成からメッキ形成されたCoFe合金
(図11に示す「CoFe−N」のグラフ)の場合、F
eの組成比を50質量%以上で90質量%以下にするこ
とで、保磁力Hcを2370(A/m)以下に抑えるこ
とが可能になる。またFeの組成比を70質量%以上に
すると保磁力Hcを1580(A/m)以下に小さくで
きることがわかる。
FIG. 11 is a graph showing the relationship between the Fe content of the CoFe alloy and the NiFe alloy and the coercive force Hc. As shown in FIG. 11, in the case of a CoFe alloy which is higher than the coercive force Hc of the NiFe alloy but is formed by plating from a plating bath composition in which sodium saccharin is not mixed (graph of “CoFe-N” shown in FIG. 11), F
By setting the composition ratio of e to 50% by mass or more and 90% by mass or less, it becomes possible to suppress the coercive force Hc to 2370 (A / m) or less. It is also found that the coercive force Hc can be reduced to 1580 (A / m) or less when the composition ratio of Fe is 70% by mass or more.

【0214】また図11に示すように、サッカリンナト
リウムが混入されたメッキ浴組成からメッキ形成された
CoFe合金(図11に示す「CoFe」のグラフ)の
場合、Feの組成比を68質量%以上で80質量%以下
にすれると、保磁力Hcを1580(A/m)以下に小
さくできることがわかる。
Further, as shown in FIG. 11, in the case of a CoFe alloy formed by plating from a plating bath composition containing sodium saccharin (graph “CoFe” shown in FIG. 11), the Fe composition ratio was 68% by mass or more. It is understood that the coercive force Hc can be reduced to 1580 (A / m) or less when the content is 80% by mass or less.

【0215】次に図12は、CoFe合金とNiFe合
金のFe含有量と比抵抗との関係を示すグラフである。
前記比抵抗は、今後の高記録周波数化にともなって渦電
流損失を抑制すべくある程度大きい方が好ましい。図1
2に示すように、CoFe合金はNiFe合金に比べて
比抵抗は小さくなるが、サッカリンナトリウムがメッキ
浴中に混入されていないメッキ浴からメッキ形成された
CoFe合金(図12に示す「CoFe−N」のグラ
フ)の場合、Feの組成比を50質量%以上で90質量
%以下にすることで、比抵抗を17(μΩ・cm)以上
にすることが可能になる。
FIG. 12 is a graph showing the relationship between the Fe content of the CoFe alloy and the NiFe alloy and the specific resistance.
It is preferable that the specific resistance is large to some extent in order to suppress eddy current loss with a higher recording frequency in the future. Figure 1
As shown in FIG. 2, the CoFe alloy has a lower specific resistance than the NiFe alloy, but a CoFe alloy formed by plating from a plating bath in which sodium saccharin is not mixed in the plating bath ("CoFe-N" shown in FIG. 12). In the case of graph (1), the specific resistance can be increased to 17 (μΩ · cm) or more by setting the composition ratio of Fe to 50% by mass or more and 90% by mass or less.

【0216】またサッカリンナトリウムが混入されたメ
ッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(図12に示
す「CoFe」のグラフ)の場合、Fe含有量を68質
量%以上で80質量%以下にすることで、前記CoFe
合金においても25(μΩ・cm)以上を確保できる。
In the case of a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin (the graph of “CoFe” shown in FIG. 12), the Fe content is set to be 68% by mass or more and 80% by mass or less. The CoFe
25 (μΩ · cm) or more can be secured for the alloy.

【0217】次に図13は、CoFe合金とNiFe合
金のFe含有量と膜応力との関係を示すグラフである。
膜応力は、メッキ膜の膜剥がれやひび割れを抑制すべく
ある程度小さい方が好ましい。図13に示すように、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe(図13に示す「CoFe−N」のグ
ラフ)の場合、Feの組成比を50質量%以上で90質
量%以下にすることで、膜応力を1200(MPa)以
下に抑えることが可能になる。またFe組成比を徐々に
上げていくと膜応力は小さくなっていき、Fe組成比が
約75質量%以上になると前記膜応力を400(MP
a)以下に抑えることが可能であることがわかる。
Next, FIG. 13 is a graph showing the relationship between the Fe content of the CoFe alloy and the NiFe alloy and the film stress.
It is preferable that the film stress is small to some extent in order to suppress film peeling and cracking of the plating film. As shown in FIG. 13, in the case of CoFe plated from a plating bath mixed with sodium saccharin (graph of “CoFe—N” shown in FIG. 13), the composition ratio of Fe is 50% by mass or more and 90% by mass or less. By doing so, the film stress can be suppressed to 1200 (MPa) or less. When the Fe composition ratio is gradually increased, the film stress becomes smaller. When the Fe composition ratio becomes about 75% by mass or more, the film stress becomes 400 (MP).
a) It can be seen that it can be suppressed to the following.

【0218】サッカリンナトリウムは応力緩和剤である
から、サッカリンナトリウムが混入されていないメッキ
浴からメッキ形成されたCoFe合金(図13の「Co
Fe−N」のグラフ)は、サッカリンナトリウムが混入
されたメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(図
13の「CoFe」のグラフ)に比べて膜応力が大きく
なりやすい。しかしながら膜応力を1200(MPa)
以下に抑えることができれば、前記CoFeを薄膜磁気
ヘッドの磁極やコア材として使用することができる。ま
たFeの組成比によっては、前記CoFeの膜応力を4
00(MPa)以下に抑えることができ、より効果的に
CoFeを薄膜磁気ヘッドの磁極やコア材として使用で
きる。
Since saccharin sodium is a stress relieving agent, a CoFe alloy plated from a plating bath containing no saccharin sodium (“CoFe” in FIG. 13)
In the graph of “Fe—N”, the film stress tends to be larger than that of the CoFe alloy (graph of “CoFe” in FIG. 13) formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin. However, the film stress was 1200 (MPa).
The CoFe can be used as a magnetic pole or a core material of the thin-film magnetic head if it can be suppressed below. Further, depending on the composition ratio of Fe, the film stress of the CoFe
Thus, CoFe can be more effectively used as the magnetic pole and core material of the thin-film magnetic head.

【0219】サッカリンナトリウムが混入されたメッキ
浴からメッキ形成されたCoFe合金(図13の「Co
Fe」のグラフ)では、Fe含有量を68質量%以上で
80質量%以下の範囲内すると、膜応力はNiFe合金
に比べて大きくなるものの、前記膜応力を400MPa
以下に抑制することが可能になっている。
A CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin (“CoFe” in FIG. 13)
In the graph “Fe”), when the Fe content is in the range of 68% by mass or more and 80% by mass or less, although the film stress is larger than that of the NiFe alloy, the film stress is 400 MPa.
It is possible to suppress the following.

【0220】次に図14は、CoFe合金とNiFe合
金のFe含有量と異方性磁界Hkとの関係を示すグラフ
である。図14に示すように、サッカリンナトリウムが
混入していないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe
合金(図14に示す「CoFe−N」のグラフ)では、
Feの組成比を50質量%以上で90質量%以下にする
と、NiFe合金と同程度、あるいはそれ以上の異方性
磁界Hkを得ることができるとわかる。またサッカリン
ナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形成された
CoFe合金(図14に示す「CoFe」のグラフ)で
は、Fe組成比を68質量%以上で80質量%以下にす
ると、NiFe合金と同程度の異方性磁界Hkを得るこ
とができるとわかる。
FIG. 14 is a graph showing the relationship between the Fe content of the CoFe alloy and the NiFe alloy and the anisotropic magnetic field Hk. As shown in FIG. 14, CoFe plated from a plating bath containing no saccharin sodium was used.
In the alloy ("CoFe-N" graph shown in FIG. 14),
It can be seen that when the composition ratio of Fe is set to 50% by mass or more and 90% by mass or less, an anisotropic magnetic field Hk comparable to or higher than that of the NiFe alloy can be obtained. In the case of a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with saccharin sodium (the graph of “CoFe” shown in FIG. 14), when the Fe composition ratio is 68% by mass or more and 80% by mass or less, the same as the NiFe alloy is obtained. It can be seen that an anisotropic magnetic field Hk can be obtained.

【0221】次に図15は、CoFe合金とNiFe合
金のFe含有量と結晶粒径との関係を示すグラフであ
る。図15に示すように、サッカリンナトリウムが混入
していないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金
(図15に示す「CoFe−N」のグラフ)では、Fe
の組成比を50質量%以上で90質量%以下にすると、
サッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ
形成されたCoFe合金(図15に示す「CoFe」の
グラフ)に比べて結晶粒径を小さくすることが可能であ
る。具体的には結晶粒径を250Å以下に抑えることが
できる。このようにメッキ浴中にサッカリンナトリウム
を混入させない方が、混入させた場合に比べて緻密な膜
を形成することが可能になり、このことは、図10で説
明した膜面の中心線平均粗さRaを小さくできる原因の
一つとなっている。
FIG. 15 is a graph showing the relationship between the Fe content of the CoFe alloy and the NiFe alloy and the crystal grain size. As shown in FIG. 15, a CoFe alloy formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium (graph of “CoFe—N” shown in FIG. 15)
When the composition ratio is 50% by mass or more and 90% by mass or less,
The crystal grain size can be made smaller than that of a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin (the graph of “CoFe” shown in FIG. 15). Specifically, the crystal grain size can be suppressed to 250 ° or less. As described above, when the saccharin sodium is not mixed in the plating bath, a dense film can be formed as compared with the case where the saccharin sodium is mixed. This is because the center line average roughness of the film surface described in FIG. This is one of the reasons that Ra can be reduced.

【0222】なおサッカリンナトリウムが混入されたメ
ッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(図14に示
す「CoFe」のグラフ)でも、Fe組成比を68質量
%以上で80質量%以下にすれば、結晶粒径を350Å
以下に抑えることが可能である。
In the case of a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin (the graph of “CoFe” shown in FIG. 14), if the Fe composition ratio is 68% by mass or more and 80% by mass or less, the crystal grain size is reduced. 350 mm diameter
It can be reduced to the following.

【0223】図16は、サッカリンナトリウムが混入さ
れていないメッキ浴からCoFe合金をメッキ形成した
ときのFe組成比と、メッキ浴中に占めるFeイオン濃
度(g/l)、Coイオン濃度(g/l)及びFeイオ
ン濃度/Coイオン濃度の比率との関係を示すグラフで
ある。
FIG. 16 shows the Fe composition ratio when a CoFe alloy was formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium, the Fe ion concentration (g / l) and the Co ion concentration (g / l) in the plating bath. 4) and a graph showing the relationship between the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration.

【0224】既に説明したように本発明では、サッカリ
ンナトリウムが混入されていないメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金のFe組成比を50質量%以上で
90質量%以下に設定した。このグラフ及び表7に示し
た「CoFe−N」欄の各Feイオン濃度/Coイオン
濃度の比率を考慮すると、前記Feイオン濃度/Coイ
オン濃度の比率を1.0以上で17以下にすれば、Co
Fe合金のFe組成比を50質量%以上で90質量%以
下に設定できるものと考えられる。よって本発明では、
前記Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.0以
上で17以下に設定した。またこのときCoイオン濃度
は、概ね0.2g/l以上で1.4(g/l)以下であ
ることが好ましく、またFeイオン濃度は、概ね1.0
g/l以上で7.5(g/l)以下であることが好まし
い。
As described above, in the present invention, the Fe composition ratio of the CoFe alloy formed by plating from the plating bath containing no saccharin sodium is set to be 50% by mass or more and 90% by mass or less. Considering the ratio of each Fe ion concentration / Co ion concentration in this graph and the “CoFe-N” column shown in Table 7, if the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is 1.0 or more and 17 or less, , Co
It is considered that the Fe composition ratio of the Fe alloy can be set to 50% by mass or more and 90% by mass or less. Therefore, in the present invention,
The ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration was set to 1.0 or more and 17 or less. At this time, the Co ion concentration is preferably approximately 0.2 g / l or more and 1.4 (g / l) or less, and the Fe ion concentration is approximately 1.0 g / l.
It is preferably at least g / l and at most 7.5 (g / l).

【0225】次に、サッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金の、
好ましいFe組成比を60質量%以上で78質量%以下
に設定した。図16及び表7に示した「CoFe−N」
欄の各Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を考慮す
ると、前記Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を
1.0g/l以上で10g/l以下にすれば、CoFe
合金のFe組成比を60質量%以上で78質量%以下に
設定できるものと考えられる。よって本発明では、前記
Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率の好ましい範囲
を1.0g/l以上で10g/l以下に設定した。また
このときCoイオン濃度は、概ね0.2g/l以上で
1.4(g/l)以下であることが好ましく、またFe
イオン濃度は、概ね1.0g/l以上で7.5(g/
l)以下であることが好ましい。
Next, a CoFe alloy plated from a plating bath containing no saccharin sodium was used.
A preferable Fe composition ratio is set to be not less than 60% by mass and not more than 78% by mass. “CoFe-N” shown in FIG. 16 and Table 7
Considering the ratio of each Fe ion concentration / Co ion concentration in the column, if the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 1.0 g / l or more and 10 g / l or less, CoFe
It is considered that the Fe composition ratio of the alloy can be set at not less than 60% by mass and not more than 78% by mass. Therefore, in the present invention, the preferable range of the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 1.0 g / l or more and 10 g / l or less. At this time, the Co ion concentration is preferably about 0.2 g / l or more and 1.4 (g / l) or less.
The ion concentration is approximately 1.0 g / l or more and 7.5 (g / g).
l) The following is preferred.

【0226】次に、サッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金の、
好ましいFe組成比を65質量%以上で75質量%以下
に設定した。図16及び表7に示した「CoFe−N」
欄の各Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を考慮す
ると、前記Feイオン濃度/Coイオン濃度の比率を
3.0以上で8以下にすれば、CoFe合金のFe組成
比を65質量%以上で75質量%以下に設定できるもの
と考えられる。よって本発明では、前記Feイオン濃度
/Coイオン濃度の比率の好ましい範囲を3.0以上で
8以下に設定した。またこのときCoイオン濃度は、概
ね0.2g/l以上で1.4(g/l)以下であること
が好ましく、またFeイオン濃度は、概ね1.0g/l
以上で7.5(g/l)以下であることが好ましい。
Next, the CoFe alloy formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium was used.
The preferred Fe composition ratio was set to 65% by mass or more and 75% by mass or less. “CoFe-N” shown in FIG. 16 and Table 7
Considering the ratio of each Fe ion concentration / Co ion concentration in the column, if the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 3.0 or more and 8 or less, the Fe composition ratio of the CoFe alloy is 65% by mass or more. It is considered that it can be set to 75% by mass or less. Therefore, in the present invention, the preferable range of the ratio of the Fe ion concentration / Co ion concentration is set to 3.0 or more and 8 or less. At this time, the Co ion concentration is preferably about 0.2 g / l or more and 1.4 (g / l) or less, and the Fe ion concentration is about 1.0 g / l.
It is preferably 7.5 (g / l) or less.

【0227】[0227]

【発明の効果】以上詳述した本発明では、CoFe合金
のFe量を50質量%以上で90質量%以下にすること
で、NiFe合金よりも高い2.0T以上の飽和磁束密
度Bsを安定して得ることができる。また前記Fe量を
60質量%以上で78質量%以下にすることで、2.2
5T以上の飽和磁束密度Bsを得ることができ、さらに
Fe量を65質量%以上で75質量%以下にすることで
2.3T以上の飽和磁束密度を得ることができる。
According to the present invention described in detail above, the saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or higher, which is higher than that of the NiFe alloy, can be stabilized by setting the Fe content of the CoFe alloy to 50 mass% to 90 mass%. Can be obtained. Further, by making the amount of Fe not less than 60% by mass and not more than 78% by mass, 2.2 is obtained.
A saturation magnetic flux density Bs of 5T or more can be obtained, and a saturation magnetic flux density of 2.3T or more can be obtained by setting the Fe content to 65% by mass or more and 75% by mass or less.

【0228】しかも本発明では上記の組成範囲内であれ
ば、結晶粒径の粗大化を抑制して緻密な膜を形成でき、
膜面の中心線平均粗さRaを9nm以下にすることがで
きる。このように面粗れを抑制できることで耐食性にも
優れた軟磁性膜を製造することができる。
Further, in the present invention, when the content is within the above-mentioned composition range, a coarse film can be formed by suppressing the crystal grain size from being coarsened.
The center line average roughness Ra of the film surface can be set to 9 nm or less. Since the surface roughness can be suppressed as described above, a soft magnetic film having excellent corrosion resistance can be manufactured.

【0229】また本発明では、メッキ浴中にサッカリン
ナトリウムを混入せず、メッキ浴中のFeイオン濃度の
Coイオン濃度に対する適正化、およびパルスメッキに
よって上記したFe組成比及び飽和磁束密度を得ること
が可能になる。
In the present invention, it is possible to optimize the Fe ion concentration in the plating bath with respect to the Co ion concentration and to obtain the above-described Fe composition ratio and saturation magnetic flux density by pulse plating without mixing saccharin sodium in the plating bath. Will be possible.

【0230】本発明では上記CoFe合金を例えば薄膜
磁気ヘッドのコア材として使用することができる。これ
により高記録密度化に優れまた耐食性にも優れた薄膜磁
気ヘッドを製造することが可能である。
In the present invention, the above-mentioned CoFe alloy can be used, for example, as a core material of a thin-film magnetic head. This makes it possible to manufacture a thin-film magnetic head which is excellent in high recording density and excellent in corrosion resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分
正面図、
FIG. 1 is a partial front view of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention;

【図2】図1の縦断面図、2 is a longitudinal sectional view of FIG. 1,

【図3】本発明の第2実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分
正面図、
FIG. 3 is a partial front view of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention;

【図4】図3の縦断面図、FIG. 4 is a longitudinal sectional view of FIG. 3;

【図5】本発明の第3実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention,

【図6】本発明の第4実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention,

【図7】本発明の第5実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図、
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of a thin-film magnetic head according to a fifth embodiment of the present invention;

【図8】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且つ
サッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴から
メッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サッ
カリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形成
されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金のF
e量と飽和磁束密度との関係を示すグラフ、
FIG. 8 shows a CoFe alloy (CoFe—N) plated from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current and a CoFe plated from a plating bath mixed with saccharin sodium. Alloy (CoFe) and NiFe alloy F
a graph showing the relationship between the amount of e and the saturation magnetic flux density,

【図9】図8に示すサッカリンナトリウムが混入されて
いないメッキ浴からメッキ形成されたCoFe合金(C
oFe−N)のFe量と飽和磁束密度との関係を示すグ
ラフ、
FIG. 9 shows a CoFe alloy (C) formed by plating from a plating bath not containing saccharin sodium shown in FIG. 8;
oFe-N) is a graph showing the relationship between the Fe amount and the saturation magnetic flux density.

【図10】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と膜面の中心線平均粗さRaとの関係を示すグラ
フ、
FIG. 10 shows a CoFe alloy (CoFe—N) plated from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current and CoFe plated from a plating bath mixed with sodium saccharin. A graph showing the relationship between the Fe content of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy and the center line average roughness Ra of the film surface;

【図11】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と保磁力Hcとの関係を示すグラフ、
FIG. 11 shows a CoFe alloy (CoFe—N) formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current, and a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin. A graph showing the relationship between the Fe content of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy and the coercive force Hc;

【図12】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と比抵抗との関係を示すグラフ、
FIG. 12 shows a CoFe alloy (CoFe—N) plated from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current and a CoFe plated from a plating bath mixed with sodium saccharin. A graph showing the relationship between the Fe content and the specific resistance of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy,

【図13】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と膜応力との関係を示すグラフ、
FIG. 13 shows a CoFe alloy (CoFe-N) formed by plating from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current, and a CoFe alloy formed by plating from a plating bath mixed with sodium saccharin. A graph showing the relationship between the Fe content of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy and the film stress;

【図14】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と異方性磁界Hkとの関係を示すグラフ、
FIG. 14 shows a CoFe alloy (CoFe—N) plated from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current and a CoFe alloy plated from a plating bath containing saccharin sodium. A graph showing the relationship between the Fe content of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy and the anisotropic magnetic field Hk;

【図15】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金(CoFe−N)、サ
ッカリンナトリウムが混入されたメッキ浴からメッキ形
成されたCoFe合金(CoFe)及びNiFe合金の
Fe量と結晶粒径との関係を示すグラフ、
FIG. 15 shows a CoFe alloy (CoFe—N) plated from a plating bath containing no saccharin sodium using electroplating using a pulse current and a CoFe plated from a plating bath mixed with saccharin sodium. A graph showing the relationship between the Fe content and the crystal grain size of the alloy (CoFe) and the NiFe alloy,

【図16】パルス電流を用いた電気メッキを使用し、且
つサッカリンナトリウムが混入されていないメッキ浴か
らメッキ形成されたCoFe合金のFe量と、メッキ浴
に占めるFeイオン濃度/Coイオン濃度、Feイオン
濃度(g/l)及びCoイオン濃度(g/l)との関係
を示すグラフ、
FIG. 16 shows the amount of Fe in a CoFe alloy plated from a plating bath in which electroplating using a pulse current was used and in which saccharin sodium was not mixed, and the ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in the plating bath and Fe ions. A graph showing a relationship between the concentration (g / l) and the Co ion concentration (g / l);

【符号の説明】 11 スライダ 10 磁気抵抗効果素子 16 下部コア層(上部シールド層) 18、30 磁極部 19、32、50 下部磁極層 20、33 ギャップ層 21、34 上部磁極層 22、40、46、55 上部コア層 41 磁気ギャップ層 47 高Bs層 48 上層[Description of Signs] 11 Slider 10 Magnetoresistive element 16 Lower core layer (upper shield layer) 18, 30 Magnetic pole portion 19, 32, 50 Lower magnetic pole layer 20, 33 Gap layer 21, 34 Upper magnetic pole layer 22, 40, 46 55 upper core layer 41 magnetic gap layer 47 high Bs layer 48 upper layer

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 組成式がCo1-XFeXで示され、Feの
組成比Xは、50質量%以上で90質量%以下であり、
且つメッキ形成されることを特徴とする軟磁性膜。
1. The composition formula is represented by Co 1-x Fe X , and the composition ratio X of Fe is not less than 50% by mass and not more than 90% by mass;
A soft magnetic film characterized by being formed by plating.
【請求項2】 前記Feの組成比は、60質量%以上で
78質量%以下である請求項1記載の軟磁性膜。
2. The soft magnetic film according to claim 1, wherein the composition ratio of Fe is not less than 60% by mass and not more than 78% by mass.
【請求項3】 前記Feの組成比は、65質量%以上で
75質量%以下である請求項1記載の軟磁性膜。
3. The soft magnetic film according to claim 1, wherein the composition ratio of Fe is 65% by mass or more and 75% by mass or less.
【請求項4】 前記軟磁性膜の飽和磁束密度Bsは2.
0T以上である請求項1ないし3のいずれかに記載の軟
磁性膜。
4. The soft magnetic film has a saturation magnetic flux density Bs of 2.
4. The soft magnetic film according to claim 1, which has a temperature of 0 T or more.
【請求項5】 前記飽和磁束密度Bsは2.25T以上
である請求項2または3に記載の軟磁性膜。
5. The soft magnetic film according to claim 2, wherein the saturation magnetic flux density Bs is 2.25 T or more.
【請求項6】 前記飽和磁束密度Bsは2.30T以上
である請求項3記載の軟磁性膜。
6. The soft magnetic film according to claim 3, wherein said saturation magnetic flux density Bs is 2.30 T or more.
【請求項7】 前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さR
aは、9nm以下である請求項1ないし6のいずれかに
記載の軟磁性膜。
7. A center line average roughness R of a surface of the soft magnetic film.
7. The soft magnetic film according to claim 1, wherein a is 9 nm or less.
【請求項8】 前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さR
aは、5nm以下である請求項7記載の軟磁性膜。
8. A center line average roughness R of a surface of the soft magnetic film.
The soft magnetic film according to claim 7, wherein a is 5 nm or less.
【請求項9】 組成式がCo1-XFeXで示され、Feの
組成比Xは、68質量%以上で80質量%以下であり、
且つメッキ形成されることを特徴とする軟磁性膜。
9. The composition formula is represented by Co 1-x Fe X , and the composition ratio X of Fe is 68% by mass or more and 80% by mass or less,
A soft magnetic film characterized by being formed by plating.
【請求項10】 前記軟磁性膜の飽和磁束密度Bsは
2.0T以上である請求項9記載の軟磁性膜。
10. The soft magnetic film according to claim 9, wherein the soft magnetic film has a saturation magnetic flux density Bs of 2.0 T or more.
【請求項11】 前記飽和磁束密度Bsは2.25T以
上である請求10記載の軟磁性膜。
11. The soft magnetic film according to claim 10, wherein said saturation magnetic flux density Bs is 2.25 T or more.
【請求項12】 前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ
Raは、9nm以下である請求項9ないし11のいずれ
かに記載の軟磁性膜。
12. The soft magnetic film according to claim 9, wherein a center line average roughness Ra of the film surface of the soft magnetic film is 9 nm or less.
【請求項13】 磁性材料製の下部コア層と、前記下部
コア層上に磁気ギャップを介して形成された上部コア層
と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層とを有する薄
膜磁気ヘッドにおいて、 少なくとも一方のコア層は、請求項1ないし12のいず
れかに記載された軟磁性膜により形成されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
13. A thin-film magnetic head comprising: a lower core layer made of a magnetic material; an upper core layer formed on the lower core layer via a magnetic gap; and a coil layer for applying a recording magnetic field to both core layers. A thin-film magnetic head, wherein at least one of the core layers is formed of the soft magnetic film according to any one of claims 1 to 12.
【請求項14】 前記下部コア層上には記録媒体との対
向面で下部磁極層が隆起形成され、前記下部磁極層が前
記軟磁性膜により形成されている請求項13記載の薄膜
磁気ヘッド。
14. The thin-film magnetic head according to claim 13, wherein a lower magnetic pole layer is formed on the lower core layer at a surface facing the recording medium, and the lower magnetic pole layer is formed of the soft magnetic film.
【請求項15】 下部コア層及び上部コア層と、前記下
部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方
向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く
規制された磁極部とを有し、 前記磁極部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部
コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と
前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、
あるいは前記磁極部は、上部コア層と連続する上部磁極
層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置す
るギャップ層とで構成され、 前記上部磁極層及び/または下部磁極層は、請求項1な
いし12のいずれかに記載された軟磁性膜により形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
15. A lower core layer and an upper core layer, and a width dimension between the lower core layer and the upper core layer in the track width direction is regulated to be shorter than the lower core layer and the upper core layer. A magnetic pole portion, wherein the magnetic pole portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer. And
Alternatively, the magnetic pole portion includes an upper magnetic pole layer continuous with an upper core layer, and a gap layer located between the upper magnetic pole layer and the lower core layer. The upper magnetic pole layer and / or the lower magnetic pole layer includes: A thin-film magnetic head formed of the soft magnetic film according to claim 1.
【請求項16】 前記コア層は、少なくとも磁気ギャッ
プに隣接する部分が2層以上の磁性層から成り、あるい
は前記磁極層が2層以上の磁性層から成り、前記磁性層
のうち前記磁気ギャップに接する磁性層が、前記軟磁性
膜により形成されている請求項13ないし15のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド。
16. The core layer, wherein at least a portion adjacent to the magnetic gap is formed of two or more magnetic layers, or the pole layer is formed of two or more magnetic layers. The thin-film magnetic head according to any one of claims 13 to 15, wherein the magnetic layer in contact is formed by the soft magnetic film.
【請求項17】 前記磁気ギャップに接する磁性層以外
の他の磁性層は、CoFe合金で形成され、前記他の磁
性層のFeの組成比は、前記磁気ギャップ層に接する側
の磁性層のFeの組成比Xよりも小さい請求項16記載
の薄膜磁気ヘッド。
17. The magnetic layer other than the magnetic layer in contact with the magnetic gap is formed of a CoFe alloy, and the composition ratio of Fe in the other magnetic layer is determined by adjusting the Fe composition ratio of the magnetic layer on the side in contact with the magnetic gap layer. 17. The thin-film magnetic head according to claim 16, wherein the composition ratio X is smaller than X.
【請求項18】 サッカリンナトリウムを混入していな
いメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率
を1.0以上で17.0以下にし、パルス電流による電
気メッキ法により、Feの組成比Xが50質量%以上で
90質量%以下となるCo1-XFeXをメッキ形成するこ
とを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
18. The ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath containing no saccharin sodium to 1.0 or more and 17.0 or less, and the Fe composition ratio X is determined by an electroplating method using a pulse current. A method for producing a soft magnetic film, comprising plating a Co 1-x Fe x film having a content of 50% by mass or more and 90% by mass or less.
【請求項19】 サッカリンナトリウムを混入していな
いメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率
を1.0以上で10.0以下にし、パルス電流による電
気メッキ法により、Feの組成比Xが60質量%以上で
78質量%以下となるCo1-XFeXをメッキ形成するこ
とを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
19. The ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath into which sodium saccharin is not mixed is set to 1.0 or more and 10.0 or less, and the Fe composition ratio X is determined by an electroplating method using a pulse current. A method for producing a soft magnetic film, comprising plating a Co 1-x Fe x material having a content of 60% by mass or more and 78% by mass or less.
【請求項20】 サッカリンナトリウムを混入していな
いメッキ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率
を3.0以上で8.0以下にし、パルス電流による電気
メッキ法により、Feの組成比Xが65質量%以上で7
5質量%以下となるCo1-XFeXをメッキ形成すること
を特徴とする軟磁性膜の製造方法。
20. The ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath into which sodium saccharin is not mixed is adjusted to 3.0 or more and 8.0 or less, and the Fe composition ratio X is determined by an electroplating method using a pulse current. 7 at 65% by mass or more
A method for producing a soft magnetic film, comprising forming a plating of Co 1-x Fe x of 5 mass% or less.
【請求項21】 サッカリンナトリウムを混入したメッ
キ浴中のFeイオン濃度/Coイオン濃度の比率を1.
5以上で2.5以下にし、パルス電流による電気メッキ
法により、Feの組成比Xが68質量%以上で80質量
%以下となるCo1-XFeXをメッキ形成することを特徴
とする軟磁性膜の製造方法。
21. The ratio of Fe ion concentration / Co ion concentration in a plating bath mixed with saccharin sodium is set to 1.
A soft coating characterized by forming a Co 1-x Fe X having a Fe composition ratio X of 68% by mass or more and 80% by mass or less by an electroplating method using a pulse current with a value of 5 or more and 2.5 or less. Manufacturing method of magnetic film.
【請求項22】 前記メッキ浴中に、2−ブチン−1、
4ジオールを混入する請求項18ないし20のいずれか
に記載の軟磁性膜の製造方法。
22. In the plating bath, 2-butyne-1,
21. The method for producing a soft magnetic film according to claim 18, wherein 4-diol is mixed.
【請求項23】 前記メッキ浴中に2−エチルヘキシル
硫酸ナトリウムを混入する請求項18ないし22のいず
れかに記載の軟磁性膜の製造方法。
23. The method for producing a soft magnetic film according to claim 18, wherein sodium 2-ethylhexyl sulfate is mixed into the plating bath.
【請求項24】 磁性材料製の下部コア層と、記録媒体
との対向面で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対
向する上部コア層と、両コア層に記録磁界を誘導するコ
イル層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 少なくとも一方のコア層を、請求項18ないし23のい
ずれかに記載された製造方法による軟磁性膜でメッキ形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
24. A lower core layer made of a magnetic material, an upper core layer facing the lower core layer via a magnetic gap on a surface facing the recording medium, and a coil layer for inducing a recording magnetic field in both core layers. A method for manufacturing a thin-film magnetic head comprising: forming at least one core layer by plating with a soft magnetic film according to the manufacturing method according to any one of claims 18 to 23. .
【請求項25】 前記下部コア層上に記録媒体との対向
面で下部磁極層を隆起形成し、前記下部磁極層を前記軟
磁性膜でメッキ形成する請求項24記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
25. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 24, wherein a lower magnetic pole layer is protruded on the lower core layer at a surface facing a recording medium, and the lower magnetic pole layer is formed by plating with the soft magnetic film. .
【請求項26】 下部コア層及び上部コア層と、前記下
部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方
向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く
規制された磁極部とを有し、 前記磁極部を、下部コア層と連続する下部磁極層、上部
コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と
前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで形成し、あ
るいは前記磁極部を、上部コア層と連続する上部磁極
層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置す
るギャップ層とで形成し、 このとき前記上部磁極層及び/または下部磁極層を、請
求項18ないし23のいずれかに記載された製造方法に
よる軟磁性膜でメッキ形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
26. A lower core layer and an upper core layer, and a width dimension between the lower core layer and the upper core layer in a track width direction is regulated to be shorter than the lower core layer and the upper core layer. A magnetic pole portion, wherein the magnetic pole portion is formed of a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer. Alternatively, the magnetic pole portion is formed of an upper magnetic pole layer continuous with an upper core layer, and a gap layer located between the upper magnetic pole layer and the lower core layer. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: forming a magnetic pole layer by plating with a soft magnetic film according to the manufacturing method according to claim 18.
【請求項27】 前記コア層を、少なくとも磁気ギャッ
プに隣接する部分で2層以上の磁性層で形成し、あるい
は前記磁極層を2層以上の磁性層で形成し、このとき前
記磁性層のうち前記磁気ギャップに接する磁性層を、前
記軟磁性膜によりメッキ形成する請求項24ないし26
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
27. The core layer is formed of two or more magnetic layers at least at a portion adjacent to a magnetic gap, or the magnetic pole layer is formed of two or more magnetic layers. 27. The magnetic layer in contact with the magnetic gap is formed by plating with the soft magnetic film.
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to any one of the above.
【請求項28】 前記磁気ギャップに接する磁性層以外
の他の磁性層を、CoFe合金で形成し、このとき前記
他の磁性層のFeの組成比を、前記磁気ギャップ層に接
する側の磁性層のFeの組成比Xよりも小さくする請求
項27記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
28. A magnetic layer other than the magnetic layer in contact with the magnetic gap is formed of a CoFe alloy, and the composition ratio of Fe of the other magnetic layer at this time is determined by the magnetic layer on the side in contact with the magnetic gap layer. 28. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 27, wherein the composition ratio of Fe is smaller than X.
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