JP2002272002A - 再充電可能バッテリ用の充電/放電保護回路 - Google Patents
再充電可能バッテリ用の充電/放電保護回路Info
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Abstract
ッテリ1用の充電/放電保護回路を提供する。 【解決手段】制御論理10を備え、制御論理は、バッテ
リ電圧、保護回路の充電/放電端子5、6における電位
の大きさに依存して負荷スイッチ3を開閉する。さらに
過電圧検出器14を備え、過電圧検出器は、保護回路の
電気的強度に依存する所定の電圧限界に達したときに短
絡スイッチ20を閉じ、短絡スイッチは、可溶性リンク
2を介してバッテリ端子を結合する。電気強度は実際の
バッテリ最大電圧にのみ一致する必要があり、ICチッ
プ上にほとんど場所を要求せずに最多の構成要素が集積
される。
Description
って保護された再充電可能バッテリ用の充電/放電保護
回路であって、制御論理回路を備え、制御論理回路が、
バッテリ電圧、保護回路の充電/放電端子における電
圧、および充電/放電電流の大きさに依存して負荷スイ
ッチを開閉する充電/放電保護回路に関する。
nstruments IncorporatedのU
CC3952という名称の集積回路(IC)として知ら
れている。この回路は、とりわけバッテリの充電/放電
回路電圧を監視し、充電時には負荷スイッチを経てバッ
テリから充電デバイスを切断し、放電時には負荷(例え
ば移動送信器)を切断する。さらに、保護回路は、電流
感知抵抗器を経て放電電流を監視し、制限(例えば3
A)を超えたときに負荷スイッチを開く。
スイッチの破壊電圧は、(理論的に予想される)最大印
加電圧に対し設計しなければならず、この電圧は、例え
ば欠陥充電デバイス、または実際の電圧よりも大きな電
圧を有するバッテリに対し意図された充電デバイス、あ
るいはより多数の電池に接続したときに生じる。
高い電気的強度、個々の破壊電圧を達成するために、大
きなシリコン面積、および/または特別な技術が必要で
ある。あるいは、実際のバッテリ電圧に釣り合った電気
的強度を制御論理に与えることができるが、その場合、
それに対応する高い破壊電圧を有する外部構成要素とし
て負荷スイッチを実現する必要がある。
提供する上述したタイプの充電/放電保護回路を作成す
るという要求に基づいており、ただし回路の電気的強度
は、実際の最大バッテリ電圧のみから決定され、従って
経済的であり、集積回路技術で製造されるときにICチ
ップ上に不動産をほとんど必要としない。
って、過電圧検出器を制御論理回路に提供することによ
り、上述のタイプの保護回路を用いて創作的に解決され
る。過電圧検出器は、保護回路の電気的強度に依存する
固定電圧限界に達したときに作動され、短絡スイッチを
閉じる。短絡スイッチを閉じることにより、可溶性リン
クを介してバッテリ端子を接続する。
「Aバッテリ電圧@」は、再充電可能電流源、またはそ
の電位を表し、特に唯一の電池、例えばリチウムイオン
電池を備える電圧源をまた表す。そのような電圧源は典
型的に、移動電話用に提供され、それにより特別な安全
規則を受ける。特に、大きな過充電は、それに伴って爆
発および出火の危険のために信頼性をもって防止しなけ
ればならない。これは、本発明によって提案するよう
に、最悪の場合の条件に必要な電気的強度よりもかなり
低い電気的強度を持つ回路技術を用いて達成される。さ
らに、これは、適切な所定電圧限界に達したときに短絡
スイッチを閉じることによって達成され、この結果生じ
る短絡回路が可溶性リンクの保証した破壊へと導き、そ
れにより危険な電流過充電からバッテリを保護する。
態は、低い破壊電圧を有する、標準サブマイクロ技術に
おける保護回路を経済的に実現することを可能にする。
これにより、所望ならば、保護回路の他の構成要素によ
り同じチップ上に集積されることを負荷スイッチに許容
し、ところでそれは現在、ディスクリート構成要素とし
てしばしば実現される。
流スイッチを介する電圧を供給電圧として受信する。こ
の場合、過電圧検出器が応答する電圧限界は、負荷電流
スイッチのブレークスルー電圧よりもわずかに低い電圧
と定義される。
端子における電圧とバッテリ接点における電圧との差を
供給電圧として受信することができる。このとき、電圧
限界は、少なくとも全ての機能的に重要な回路構成要素
が依然として信頼して動作する最大電位と定義される。
絡スイッチの時間遅延した閉成に続き以前開放の負荷電
流スイッチを閉じることが好ましい。本発明で考慮する
故障モードにおいて負荷電流スイッチが開放する理由
は、保護回路は、通常動作に対する最大許容可能負荷電
流が超えたことを決定し、それに従って負荷電流スイッ
チを開放するからである。電圧限界を超えたときに負荷
電流スイッチを閉じることによって、高電位が負荷電流
スイッチを経て低減される。しかしこのとき、許容でき
ないほど高い負荷電流が流れる。これは、電流が十分高
い場合に、可溶性リンクの所望の溶融をすでにもたらし
ている場合がある。電流が十分高くない場合、短絡スイ
ッチは、ミリ秒、または最大でも秒の範囲内の遅延時間
後に閉じ、それにより可溶性リンクの破壊を開始する。
第1の供給電圧を受信し、バッテリ電圧が非常に低いと
きには充電バッファ・コンデンサなど補助電圧源から少
なくとも第2の供給電圧を受ける。これは、現在企図さ
れている故障モードにおいて、保護回路は、可溶性リン
クが壊されるまでは機能するように必要な供給電圧によ
り供給されることを保証する。
プフロップを含み、それにより短絡スイッチの閉成は、
所定の電圧限界を短時間だけ超えたときでさえ開始され
る。保護回路の他の実現は請求項に列挙される。それら
は、通常動作での保護回路の機能、すなわち過負荷、深
いサイクル放電、および許容可能な最大充電または放電
電流の超過からバッテリまたは電流源からの保護、なら
びに保護回路を集積する能力に関連する。
態を、概略的に簡便化して図面に示す。図1によれば、
リチウムイオン電池1の負の供給側が、高速可溶性リン
ク2(公称トリップ電流が例えば4アンペア)、ゲート
半導体負荷スイッチ3を介して充電/放電接続の接点5
に、そして電流感知抵抗器4と直列に結合されている。
充電/放電接続の他方の接点6は、リチウムイオン電池
1の正の供給側に結合されている。接点5および6と並
列にフィルタ・コンデンサ7が結合され、急峻の電圧上
昇から保護する。
あり、参照番号10で全体を表された制御論理を備え
る。制御論理は、抵抗分圧器R1、R2、R3によって
低減され、差動増幅器D1およびD2を使用するバッテ
リ電圧Vbattを、内部発生基準電圧Vrefと比較する。
不足電圧の場合、差動増幅器D1は出力信号UVを生成
する。過電圧の場合、差動増幅器D2は出力信号OVを
生成する。さらに、制御論理は、充電および放電電流を
それぞれ所定の最大値と比較する。そのために、差動増
幅器D3またはD4は、負荷スイッチ3と電流感知抵抗
器4の間で測定される電圧Vsense、または端子5での
出力電圧Voutを、定電流源I1およびI2に直列の抵抗
R4またはR5を介してVoutまたはVsenseから導出す
ることができる対応する基準電圧と比較する。差動増幅
器D3、D4は、それぞれ最大の充電または放電電流に達
したときに、それぞれ出力信号OCC、OCDを送る。
OV、OCCおよびOCDは、ORゲート11を介して
ANDゲート12の入力の一方に結合され、ゲートの他
方の入力は、通常動作で、インバータ13の出力から信
号AH@を受信する。このとき、ANDゲート12の出
力信号VLは負荷スイッチ3の開放を制御する。
監視するために、過電圧検出器14(双安定フリップフ
ロップの特性を有する)は、それぞれバッテリ電圧V
battおよび電圧Vsenseを受信する。過電圧検出器14
は、負荷スイッチ3の破壊電圧に依存し、画定した電圧
限界に達しまたはそれを超えたときに第2の安定状態に
切り替わる。過電圧検出器14は、この第2の状態にお
ける出力信号を送出し、この信号はインバータ13を介
してANDゲート12の第2の入力をAL@にセット
し、それにより負荷スイッチ3を閉じて、過電圧を除去
する。遅延要素15は同じ出力信号を受信し、典型的に
は数百ミリ秒の遅延後にコネクタVkに制御信号を送出
し、この信号は短絡スイッチ20の閉成を制御し、短絡
スイッチ20は可溶性リンク2を介してバッテリ端子を
接続する。この時点で、すなわち時間遅延中に、外部端
子5、6に接続された電圧源(例えば欠陥充電デバイ
ス)が可溶性リンク2の破壊をまだもたらしていない場
合、可溶性リンク2は、リチウムイオン電池1によって
送出される高い短絡回路電流によって即座に壊される。
これにより、リチウムイオン電池1を外部端子5、6か
ら信頼可能に分離する。
使えなくする可能性は高い。しかしこれは、意図してい
る交換条件である。点線は、制御論理10の部品をIC
上に位置することができることを示す。同じIC上に負
荷スイッチ3、および/または短絡スイッチ20、およ
び/または可溶性リンク2を集積することもできる。
護回路の外部供給電圧が瞬時に降下する。しかし、短絡
スイッチ20および負荷スイッチ3は、少なくとも可溶
性リンク2が確実に破壊されるまでの十分長い時間、制
御信号を受信しなければならない。これは、電圧Vbatt
と保護回路の端子Vsupplとの間に配置されたバッファ
・コンデンサ16によって達成される。バッファ・コン
デンサ16は通常、半導体スイッチ17(ダイオードと
して示される)によってバッテリ電圧まで充電される。
外部供給電圧が降下してなくなった場合、スイッチ17
が開き、バッファ・コンデンサ16は十分長い時間にわ
たって、点線で示した接続を介して過電圧検出器14、
遅延要素15、インバータ13、およびANDゲート1
2に対する供給電圧を送出する。
を示す。外部端子での参照符号は図1の符号に対応して
いる。電圧VbattおよびVsenseは、抵抗器R11、R12
を介してそれぞれトリガ要素141、142に印加され
る。トリガ要素は、単にツェナー・ダイオードと逆バイ
アス・ダイオードの直列接続として象徴的に示されてい
る。正方向におけるVbattとVsenseの差が、負荷スイ
ッチ3の破壊電圧よりも低い選定しきい値に達したとき
に、トリガ要素141は導通状態になる。これによりN
MOSトランジスタT1が導通状態になる。負荷抵抗器
R13における電位はVbattに向かって上昇する。ここか
ら、後続のシュミット・トリガ143が急峻の信号を生
成し、その信号がNANDゲート145の第1の入力に
印加される。その結果、NANDゲート145の出力が
AH@に切り替わり、それにより後続のD型フリップフ
ロップ146のクロック入力に関して立上りクロック信
号Clkが生成され、D型フリッププロップのD入力は
AH@に維持され、それにより出力QもAH@に切り替
わる。出力Qは、図1における回路ブロック14の出力
に対応する。
おける所定の電圧限界に達した場合、トリガ要素14
2、NMOSトランジスタT2、およびNMOSトラン
ジスタT3によって電圧が生成され、これが次いで、第
2のシュミット・トリガ144、およびNANDゲート
145の第2の入力を介して、D型フリップフロップ1
45の出力にまた信号AH@を発生する。この場合、N
MOSトランジスタT3は単にカスコード・トランジス
タとして働き、トランジスタT1の許容可能ドレイン・
ソース電圧を超えることがないよう保証する。
圧検出器14の一実施形態の別の例を示す。図2による
実施形態とは異なり、しかし原理的には同じ構成を有し
て、トリガ要素は、VbattおよびVsenseではなくV
commonおよびVsenseによって、すなわち負荷スイッチ
3が開いているときの充電/放電端子5、6の電位によ
って供給を受ける。その他の点では、この回路は図2に
よる回路と同じ要素を使用し、したがって、やはり同じ
参照番号を有する。ただし、カスコード・トランジスタ
を必要とせず、NMOSトランジスタの代わりにPMO
Sを必要とする。
がいくつかの利点を有することがある。例えば、負の過
電圧は、図2による回路を用いて実施することができ、
正の過電圧は、図3による回路を用いて実施することが
できる。さらなる改良として、しきい値電圧が例えば温
度変化と無関係になるようにトリガ要素141、142
を修正することができる。
第1の実施形態を示す図である。
る。
Claims (13)
- 【請求項1】 可溶性リンク(2)を経て保護される再
充電可能バッテリ(1)用の充電/放電保護回路であっ
て、制御論理(10)を備え、該制御論理は、バッテリ
電圧、保護回路の充電/放電端子(5、6)における電
位の大きさに依存して負荷スイッチ(3)を開閉し、 制御論理(10)は過電圧検出器(14)を備え、該過
電圧検出器は、前記保護回路の電気的強度に依存する所
定の電圧限界に達したときに短絡スイッチ(20)を閉
じ、該短絡スイッチ(20)は、可溶性リンク(2)を
介してバッテリ端子を結合する、ことを特徴とする充電
/放電保護回路。 - 【請求項2】 過電圧検出器(14)は、開放負荷電流
スイッチ(3)を介した電位を入力電位として受け取る
ことを特徴とする、請求項1に記載の保護回路。 - 【請求項3】 過電圧検出器(14)は、充電/放電端
子(5、6)における電位とバッテリ端子における電位
との差を入力電位として受け取る、ことを特徴とする請
求項1に記載の保護回路。 - 【請求項4】 前記電圧限界が超えられたときに、制御
論理(10)は、短絡スイッチ(20)の時間遅延した
閉成に続いて以前に開放した負荷電流スイッチ(3)を
閉じることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに
記載の保護回路。 - 【請求項5】 制御論理(10)は、バッテリから第1
の供給電圧を受け取り、補助電圧源(16)、特に充電
バッファ・コンデンサから第2の供給電圧を受け取る、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の保
護回路。 - 【請求項6】 過電圧検出器は双安定フリップフロップ
(146)を備えることを特徴とする、請求項1から5
のいずれかに記載の保護回路。 - 【請求項7】 双安定フリップフロップ(146)の出
力信号は、一方では、遅延要素(15)に供給され、該
遅延要素は短絡スイッチ(20)を閉じる制御信号を与
え、他方では、インバータ(13)を介してANDゲー
ト(12)の第1の入力に供給され、該ANDゲートの
出力信号は負荷スイッチ(3)を制御することを特徴と
する、請求項6に記載の保護回路。 - 【請求項8】 充電または放電電流の大きさを決定する
ための電流センサとしての抵抗(4)を特徴とする、請
求項1から7のいずれか一項に記載の保護回路。 - 【請求項9】 負荷電流スイッチ(3)の伝送抵抗は電
流感知抵抗として使用されることを特徴とする、請求項
8に記載の保護回路。 - 【請求項10】 制御論理(10)は、バッテリ側の過
電圧または不足電圧を認識するために、それぞれ比較器
(D1、D2)を備え、および過電圧または不足電圧の
場合に比較器出力信号は負荷スイッチ(3)の開放をト
リガすることを特徴とする、請求項1から9のいずれか
に記載の保護回路。 - 【請求項11】 充電/放電端子(5、6)と並列に結
合されたフィルタ・コンデンサ(7)を特徴とする、請
求項1から10のいずれかに記載の保護回路。 - 【請求項12】 コンデンサを除いて、少なくとも低電
力損失の全ての回路要素は1チップ上に集積されること
を特徴とする、請求項1から11のいずれかに記載の保
護回路。 - 【請求項13】 コンデンサを除いて、負荷スイッチ
(3)、短絡スイッチ(20)および可溶性リンク
(2)を含む回路の全ての部品が1チップ上に集積され
ることを特徴とする、請求項12に記載の保護回路。
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