JP2002270919A - Laminated magnetic field sensor - Google Patents
Laminated magnetic field sensorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】 本発明は、磁性体の高周波
インピーダンスが外部磁界強度の変化に依存して変化す
る現象を利用して外部磁界強度を検出する素子に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an element for detecting an external magnetic field strength using a phenomenon in which a high-frequency impedance of a magnetic material changes depending on a change in the external magnetic field strength.
【０００２】[0002]
【従来の技術】 高透磁率磁性体に高周波電流を通電し
たときに観測されるインピーダンス（以下、高周波イン
ピーダンスという）が、その高透磁率磁性体が置かれて
いる位置での外部磁界の強度の変化に依存して変化する
ことから、高周波インピーダンスを測定することによっ
て外部磁界強度を検出することができる。2. Description of the Related Art The impedance (hereinafter referred to as high-frequency impedance) observed when a high-frequency current is applied to a high-permeability magnetic material is determined by the intensity of an external magnetic field at the position where the high-permeability magnetic material is placed. The external magnetic field strength can be detected by measuring the high-frequency impedance because the external magnetic field strength changes depending on the change.
【０００３】初期には、高透磁率磁性体を短冊状のアモ
ルファス磁性膜で構成し、長手方向に高周波（例えば１
００ＭＨｚ）の正弦波電流を通電しながら、高周波イン
ピーダンスを測定していた。Initially, a high-permeability magnetic material is formed of a strip-shaped amorphous magnetic film, and a high frequency (for example,
(00 MHz) while passing a sine wave current, the high-frequency impedance was measured.
【０００４】検出感度を上げる研究が活発になされ、本
出願人は、磁性体中に導電体を埋め込むことによって検
出感度を大幅に増大できることを確認した。この技術が
特開平８−３２０３６２号公報に開示されている。図１
１は特開平８−３２０３６２号公報に開示されている積
層型磁界検出素子の通電方向に直交する断面を示し、磁
性体層２２，２４中に導電体２６が埋め込まれている。
この技術によると、検出感度が大幅に上昇する他、測定
に用いる高周波の周波数を下げることができ（例えば１
００ｋＨｚ程度にまで下げることができる）、測定可能
な外部磁界強度の幅（ダイナミックレンジ）を広くとる
ことができる。[0004] Research has been actively conducted to increase the detection sensitivity, and the present applicant has confirmed that the detection sensitivity can be greatly increased by embedding a conductor in a magnetic material. This technique is disclosed in JP-A-8-320362. Figure 1
Reference numeral 1 denotes a cross section perpendicular to the direction of current flow of the stacked magnetic field detecting element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-320362, and a conductor 26 is embedded in the magnetic layers 22 and 24.
According to this technique, the detection sensitivity is greatly increased, and the frequency of a high frequency used for measurement can be reduced (for example, 1
(It can be lowered to about 00 kHz), and the width (dynamic range) of the measurable external magnetic field strength can be widened.
【０００５】磁性体層を中間絶縁体層で複数層に分離す
ることによって、検出感度を増大できることが、「積層
構造磁性体の外部磁界によるインピーダンス変化」（日
本応用磁気学会誌、Vol.24, No.4-2, 2000, 871-874
頁）に報告されている。この報告では、中間絶縁体層で
分離された複数層に同一方向の高周波電流を通電すると
きに、最も良く検出感度を増大できることを報告してい
る。The fact that the detection sensitivity can be increased by separating the magnetic layer into a plurality of layers with an intermediate insulating layer is disclosed in "Impedance Change of Multilayered Magnetic Body Due to External Magnetic Field" (Journal of the Japan Society of Applied Magnetics, Vol. No.4-2, 2000, 871-874
Page). In this report, it is reported that the detection sensitivity can be increased best when a high frequency current in the same direction is applied to a plurality of layers separated by an intermediate insulator layer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】 従来の技術で検出感
度が大幅に上昇したものの、なおも充分でなく、１mOe
以下の低磁界を検出するには不充分である。本発明は、
積層型磁界検出素子の検出感度をさらに増大させ、１mO
e以下の低磁界をも検出することができるような高感度
を実現することを目的とする。Problems to be Solved by the Invention Although the detection sensitivity has been greatly increased by the conventional technique, it is still not enough, and 1 mOe
It is not enough to detect the following low magnetic fields. The present invention
Further increase the detection sensitivity of the stacked magnetic field detection element,
The object is to realize high sensitivity such that a low magnetic field of e or less can be detected.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段と作用】 本発明の磁界検
出素子は、高周波電源に接続される導電体を磁性体層で
包囲するタイプの積層型磁界検出素子であり、その磁性
体層が中間絶縁体層で複数層に分離されていることを特
徴とする。中間絶縁体層で磁性体層を複数層に分離する
ことによって分離された各磁性体層を薄膜化することが
できる。磁性体層を薄膜化することによって外部磁界の
強度の変化に依存して高周波インピーダンスが敏感に変
化する現象を得ることができる。同時に、磁性体層中に
導電体を埋め込むことによって検出感度を大幅に増大で
きる現象が合わせて得られる。本発明の素子は、両現象
を組み合わせて利用するためにメリットが相乗して得ら
れ、検出感度を著しく増大させることができる。The magnetic field detecting element according to the present invention is a stacked magnetic field detecting element of a type in which a conductor connected to a high-frequency power supply is surrounded by a magnetic layer, and the magnetic layer is disposed in the middle. It is characterized by being separated into a plurality of layers by an insulator layer. By separating the magnetic layer into a plurality of layers at the intermediate insulator layer, each separated magnetic layer can be made thinner. By thinning the magnetic layer, a phenomenon in which the high-frequency impedance changes sensitively depending on the change in the intensity of the external magnetic field can be obtained. At the same time, a phenomenon that the detection sensitivity can be greatly increased by embedding a conductor in the magnetic layer is also obtained. The element of the present invention has a merit synergistically because both phenomena are used in combination, and can significantly increase the detection sensitivity.
【０００８】上記の素子の場合、導電体とその導電体を
包囲する磁性体層を絶縁体層で分離するとともに、導電
体と磁性体層を分離する絶縁体層よりも磁性体層を複数
層に分離する中間絶縁体層を薄層とすることが好まし
い。この場合、磁性体中に導電体を埋め込むことによっ
て検出感度を大幅に増大できる現象と、磁性体層を薄膜
化することによって外部磁界の強度の変化に依存して高
周波インピーダンスが敏感に変化する現象がともに顕著
に得られ、検出感度を一層著しく増大させることができ
る。In the case of the above element, the conductor and the magnetic layer surrounding the conductor are separated by an insulator layer, and a plurality of magnetic layers are formed more than the insulator layer separating the conductor and the magnetic layer. It is preferable that the intermediate insulator layer to be separated into thin layers is a thin layer. In this case, the detection sensitivity can be greatly increased by embedding a conductor in the magnetic material, and the high-frequency impedance changes sensitively depending on the change in the intensity of the external magnetic field by thinning the magnetic layer. Are remarkably obtained, and the detection sensitivity can be further remarkably increased.
【０００９】中間絶縁体層の厚みを、中間絶縁体層で分
離される磁性体層同士を磁気的に絶縁しない厚さ以下に
設定しておくことが好ましい。特に、中間絶縁体層の厚
みを０．２μ以下とすることが好ましい。この場合、磁
性体層を薄膜化することによって外部磁界の強度の変化
に依存して高周波インピーダンスが敏感に変化する現象
を得るとともに、磁性体層の全体が導電体の高周波イン
ピーダンスに大きな影響を得ることができ、検出感度を
一層著しく増大させることができる。[0009] The thickness of the intermediate insulating layer, it is preferable to set the magnetic layer each other are separated by an intermediate insulator layer below thickness not magnetically insulated. In particular, it is preferable that the thickness of the intermediate insulator layer be 0.2 μm or less. In this case, by thinning the magnetic layer, a phenomenon in which the high-frequency impedance changes sensitively depending on the change in the intensity of the external magnetic field is obtained, and the entire magnetic layer has a large influence on the high-frequency impedance of the conductor. And the detection sensitivity can be further remarkably increased.
【００１０】中間絶縁体層で複数層に分離されている磁
性体層の全部に、同一方向の磁気異方性を付与すること
が好ましい。この場合、磁性体層を薄膜化することによ
って外部磁界の強度の変化に依存して高周波インピーダ
ンスが敏感に変化する現象が顕著に得られる。[0010] all of the magnetic layers are separated in a plurality of layers in the intermediate insulating layer, it is preferable to impart magnetic anisotropy in the same direction. In this case, a phenomenon in which the high-frequency impedance is sensitively changed depending on the change in the intensity of the external magnetic field is remarkably obtained by thinning the magnetic layer.
【００１１】[0011]
【実施の形態】下記に説明する実施例の主要な特徴を最
初に整理する。 （形態１）中間絶縁体層で複数層に分離されている磁性
体層の全部で、磁化容易軸が通電方向に直交している。 （形態２）中間絶縁体層で複数層に分離されている磁性
体層の全部で、磁化容易軸が通電方向に平行である。 （形態３）請求項に記載の積層型磁界検出素子を、通電
方向を変えて２以上並置し、その２以上の素子を電気的
ブリッジ回路に組み込む。 （形態４）請求項に記載の積層型磁界検出素子を、磁化
容易軸の方向を変えて２以上並置し、その２以上の素子
を電気的ブリッジ回路に組み込む。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the main features of the embodiment described below will be summarized. (Embodiment 1) In all of the magnetic layers separated into a plurality of layers by the intermediate insulator layer, the axis of easy magnetization is orthogonal to the direction of current flow. (Embodiment 2) In all of the magnetic layers separated into a plurality of layers by the intermediate insulator layer, the axis of easy magnetization is parallel to the direction of current flow. (Embodiment 3) Two or more stacked magnetic field detecting elements according to the present invention are juxtaposed by changing the energizing direction, and the two or more elements are incorporated in an electric bridge circuit. (Embodiment 4) Two or more stacked magnetic field detecting elements described in the claims are juxtaposed by changing the direction of the axis of easy magnetization, and the two or more elements are incorporated in an electric bridge circuit.
【００１２】[0012]
【実施例】 図１において、参照番号１６は導電体を示
し、その上下と左右両側面は磁性体層７、９で被覆され
ている。磁性体層７は中間絶縁体層４で上層２と下層６
に分離されており、磁性体層９は中間絶縁体層１２で上
層１０と下層１４に分離されている。導電体１６の上下
と左右両側面は直接的には磁性体層６と１０で被覆され
ている。実際には図示しない基板の上面に磁性体層１４
が形成されている。図示の簡単化のために基板は省略さ
れて図示されている。In FIG. 1, reference numeral 16 denotes a conductor, and its upper, lower, left and right sides are covered with magnetic layers 7 and 9. The magnetic layer 7 comprises an intermediate insulator layer 4 and an upper layer 2 and a lower layer 6.
Are separated, the magnetic layer 9 are separated by an intermediate insulating layer 12 on the upper 10 and lower 14. The top, bottom, left and right sides of the conductor 16 are directly covered with the magnetic layers 6 and 10. Actually, the magnetic layer 14 is formed on the upper surface of a substrate (not shown).
Are formed. The substrate is omitted for simplicity of illustration.
【００１３】表面に絶縁体層が形成された金属基板、シ
リコン基板、又はガラス基板の表面にＦｅＣｏＳｉＢ、
ＣｏＳｉＢ、ＣｏＮｂＺｒ等の軟磁気特性を持つアモル
ファス強磁性体の層１４を、液体急冷法、メッキ法、真
空蒸着法あるいはスパッタリング法等の薄膜作成技術で
作成する。保磁力が１００ｅ以下で、直流磁界での比透
磁率が５００以上の材料で磁性体層を作成することが好
ましい。このとき、素子の幅方向（図１で左右方向）に
直流磁場を印加した状態で磁性体層１４を作成するため
に、磁性体層１４の磁化容易軸は素子の幅方向である。
磁性体材料は、単独で用いてもよいし、組み合わせて用
いても良い。A metal substrate, a silicon substrate, or a glass substrate having an insulator layer formed on the surface thereof has FeCoSiB,
An amorphous ferromagnetic layer 14 having a soft magnetic property such as CoSiB or CoNbZr is formed by a thin film forming technique such as a liquid quenching method, a plating method, a vacuum evaporation method, or a sputtering method. It is preferable to form the magnetic layer from a material having a coercive force of 100 e or less and a relative magnetic permeability in a DC magnetic field of 500 or more. At this time, since the magnetic layer 14 is formed in a state in which a DC magnetic field is applied in the width direction of the element (the horizontal direction in FIG. 1), the axis of easy magnetization of the magnetic layer 14 is the width direction of the element.
The magnetic material may be used alone or in combination.
【００１４】磁性体層１４の表面に、ＳｉＯ２、Ａｌ２
Ｏ３等の絶縁体の薄層１２を真空蒸着法あるいはスパッ
タリング法等の薄膜作成技術で作成する。１×１０６Ω
・ｃｍ以上の比抵抗を持つ絶縁体を利用することが好ま
しい。この絶縁体層１２は薄くて良く、０．０１μ以上
に成膜すれば、連続した絶縁体層１２が作成できる。絶
縁材料を単独で用いてもよいし、組み合わせて用いても
良い。[0014] surface of the magnetic layer 14, SiO 2, Al 2
A thin layer 12 of an insulator such as O 3 is formed by a thin film forming technique such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. 1 × 10 6 Ω
-It is preferable to use an insulator having a specific resistance of not less than cm. This insulator layer 12 may be thin, and a continuous insulator layer 12 can be formed by forming the film to a thickness of 0.01 μ or more. The insulating materials may be used alone or in combination.
【００１５】中間絶縁体層１２の表面に、磁性体層１０
を作成する。この磁性体層１０については磁性体層１４
についての説明がそのまま適用され、繰返さない。磁性
体層１４の材料と磁性体層１０の材料は、同じであって
もよいし異っていても良い。On the surface of the intermediate insulator layer 12, a magnetic layer 10
Create The magnetic material layer 10 has a magnetic material layer 14.
Is applied as it is and will not be repeated. The material of the magnetic layer 14 and the material of the magnetic layer 10 may be the same or different.
【００１６】磁性体層１０の表面に、Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ａｌ等の導電体の薄層１６を、メッキ法あるいはス
パッタリング法等の薄膜作成技術で形成する。導電体１
６の材料は、磁性体層２，６，１０，１４の比抵抗の１
／１０以下の比抵抗を持つことが好ましい。導電体材料
を単独で用いてもよいし、組み合わせて用いても良い。
導電体１６は素子の長手方向に沿って短冊状に形成され
る。On the surface of the magnetic layer 10, Cu, Ag, A
u, a thin layer 16 of conductive material such as Al, is formed in the thin-film forming technique such as plating or sputtering. Conductor 1
The material No. 6 has a specific resistance of 1 of the magnetic layers 2, 6, 10, and 14.
It preferably has a specific resistance of / 10 or less. The conductor materials may be used alone or in combination.
The conductor 16 is formed in a strip shape along the longitudinal direction of the element.
【００１７】導電体１６の上面と左右両側面と、磁性体
層１０の露出した上面に、磁性体層６を作成する。この
磁性体層６については磁性体層１４についての説明がそ
のまま適用され、繰返さない。磁性体層６、１０、１４
の材料は、同じであってもよいし異なっていても良い。The magnetic layer 6 is formed on the upper surface, the left and right side surfaces of the conductor 16, and the exposed upper surface of the magnetic layer 10. The description of magnetic layer 14 is applied to magnetic layer 6 as it is, and will not be repeated. Magnetic layer 6, 10, 14
May be the same or different.
【００１８】磁性体層６の表面に、絶縁体層４を作成す
る。この絶縁体層４については、絶縁体層１２について
の説明がそのまま適用され、繰返さない。絶縁体層４，
１２の材料は、同じであってもよいし異なっていても良
い。[0018] surface of the magnetic layer 6, to create an insulating layer 4. The description of insulator layer 12 is applied to insulator layer 4 as it is, and will not be repeated. Insulator layer 4,
The twelve materials may be the same or different.
【００１９】絶縁体層４の表面に、磁性体層２を作成す
る。この磁性体層２については磁性体層１４についての
説明がそのまま適用され、繰返さない。磁性体層２、
６、１０、１４の材料は、同じであってもよいし異なっ
ていても良い。The magnetic layer 2 is formed on the surface of the insulator layer 4. The description of magnetic layer 14 is applied to magnetic layer 2 as it is, and will not be repeated. Magnetic layer 2,
The materials 6, 10, and 14 may be the same or different.
【００２０】以上によって、導電体１６が磁性体層７、
９で包囲され、包囲している磁性体層７は中間絶縁体層
４で上層２と下層６に分離されており、磁性体層９は中
間絶縁体層１２で上層１０と下層１４に分離されている
積層型磁界検出素子が形成される。この積層型磁界検出
素子は、測定したい外部磁界の中に置かれ、導電体１６
の両端に高周波の正弦波電圧を加えながら、検出器でイ
ンピーダンスを測定し、測定されたインピーダンスから
外部磁界の大きさを検出する。高周波の正弦波電圧を印
加する代わりに、マルチバイブレータ回路やインバータ
回路で高周波の方形波を印加しても良い。高周波電圧
を、導電体１６と磁性体層７，９の両者に印加しても良
い。また、インピーダンスの絶対値を測定する代わり
に、抵抗とインダクタンスの間の位相差を測定しても良
い。As described above, the conductor 16 becomes the magnetic layer 7,
The magnetic layer 7 surrounded and surrounded by 9 is separated into an upper layer 2 and a lower layer 6 by an intermediate insulator layer 4, and the magnetic layer 9 is separated into an upper layer 10 and a lower layer 14 by an intermediate insulator layer 12. Is formed. The stacked magnetic field detecting element is placed in an external magnetic field to be measured, and is electrically conductive.
While both ends a high frequency sinusoidal voltage is applied to the, by measuring the impedance at the detector, for detecting the magnitude of the external magnetic field from the measured impedance. Instead of applying a high-frequency sine-wave voltage, in multivibrator circuit and the inverter circuit may be applied a square wave of a high frequency. A high-frequency voltage may be applied to both the conductor 16 and the magnetic layers 7 and 9. Further, instead of measuring the absolute value of the impedance, the phase difference between the resistance and the inductance may be measured.
【００２１】この積層型磁界検出素子は、導電体１６が
磁性体層７、９で包囲されているために検出感度が高
い。外部磁界が変化すると、磁性体層７、９の磁気モー
メントが変化して透磁率が変化し、磁性体層７、９の透
磁率が変化すると導電体１６の表皮効果と渦電流損失が
変化し、これがインピーダンスの大きな変化をもたら
す。それだけでインピーダンス変化率が１００〜３００
％という大きな変化率が得られる。本実施例では、その
上に、磁性体層７、９が、中間絶縁体層４、１２で複数
層に分離され、分離された各磁性体層が薄膜化されてい
るために、高周波インピーダンスが敏感に変化する。感
度を上げる現象が相乗して得られるために、非常に大き
な感度が実現される。The stacked magnetic field detecting element has high detection sensitivity because the conductor 16 is surrounded by the magnetic layers 7 and 9. When the external magnetic field changes, the magnetic moment of the magnetic layers 7 and 9 changes and the magnetic permeability changes. When the magnetic permeability of the magnetic layers 7 and 9 changes, the skin effect and the eddy current loss of the conductor 16 change. , Which results in a large change in impedance. The impedance change rate is 100 to 300 by itself
% Can be obtained. In the present embodiment, the magnetic layers 7 and 9 are further separated into a plurality of layers by the intermediate insulating layers 4 and 12, and the separated magnetic layers are thinned. Changes sensitively. Since the phenomena of increasing the sensitivity are synergistically obtained, a very large sensitivity is realized.
【００２２】図２は、素子のインピーダンス変化を示
し、横軸が外部磁界の強度を示し、縦軸が高周波インピ
ーダンスを示す。テストした素子は、７０５９ガラスの
表面にＣｏＮｂＺｒで磁性体層を形成し、ＳｉＯ２で絶
縁体層を形成し、Ｃｕで導電体を形成したものであり、
導電体の厚みは３μ、それを包囲する磁性体層の合計厚
みは２μである。カーブＣ１は、従来の素子の特性を示
し、磁性体層７、９がそれぞれ１μの１層で形成されて
いる場合の特性を示す。カーブＣ２が、本実施例の素子
特性を示し、磁性体層７が中間絶縁体層４でそれぞれが
０．５μの分離磁性体層２と６に分離され、磁性体層９
が中間絶縁体層１２でそれぞれが０．５μの分離磁性体
層１０と１４に分離された場合の特性を示している。こ
こで、磁性体層７と磁性体層９の合計厚みは従来素子の
それと同じである。中間絶縁体層で磁性体層を２層に分
離することによって、外部磁界の変化に対してインピー
ダンスが敏感に変化する特性に改良されることが確認さ
れる。カーブＣ３は、磁性体層７と９のそれぞれが、
０．２５μの４層に分離された場合の特性を示す。この
場合、磁性体層７、９とそれぞれ内に３枚の薄い絶縁体
層が形成される。カーブＣ４は、磁性体層７、９のそれ
ぞれが、０．１μの１０層に分離された場合の特性を示
す。この場合、外部磁界の変化に応じて高周波インピー
ダンスが１００〜約５００％の範囲で変化する。導電体
１６を磁性体層７、９で包囲し、その包囲する磁性体層
７、９を中間絶縁体層で複数層に分離する構造によっ
て、積層型磁界検出素子の感度が上昇することが確認さ
れる。カーブＣ１の場合、外部磁界強度を上昇させなが
らインピーダンスを測定する場合と、下降させながらイ
ンピーダンスを測定する場合とで、測定されたカーブが
若干相違していた。即ち、わずかなヒステリシスが観測
される。中間絶縁体層を利用すると、ヒステリシスの影
響が小さくなり、カーブＣ４では外部磁界強度を上昇さ
せながら測定したときのカーブと、下降させながら測定
したときのカーブがほぼ完全に一致した。中間絶縁体層
を利用すると、ヒステリシスの影響が小さくなり、外部
磁界強度を精度良く検出できることが確認された。[0022] Figure 2 shows the impedance change in the device, the horizontal axis represents the intensity of the external magnetic field, the vertical axis represents frequency impedance. The tested device has a magnetic layer formed of CoNbZr on the surface of 7059 glass, an insulator layer formed of SiO 2 , and a conductor formed of Cu.
The thickness of the conductor is 3μ, and the total thickness of the magnetic layer surrounding it is 2μ. A curve C1 shows the characteristics of the conventional element, and shows the characteristics in the case where the magnetic layers 7 and 9 are each formed of a single 1 μm layer. Curve C2 is shown a device characteristic of this embodiment, the magnetic layer 7, respectively in the intermediate insulating layer 4 is separated into separate magnetic layers 2 and 6 of 0.5 [mu], the magnetic layer 9
Indicates the characteristics in the case where the magnetic layers are separated into 0.5 μm separated magnetic layers 10 and 14 by the intermediate insulator layer 12. Here, the total thickness of the magnetic layer 7 and the magnetic layer 9 are the same as that of the conventional device. It is confirmed that by separating the magnetic layer into two layers by the intermediate insulator layer, the characteristic is improved so that the impedance changes sensitively to changes in the external magnetic field. The curve C3 indicates that each of the magnetic layers 7 and 9 has
The characteristics when separated into four layers of 0.25μ are shown. In this case, three thin insulator layers are formed in each of the magnetic layers 7 and 9. Curve C4, each magnetic layer 7 and 9, showing a characteristic of a case where it is separated into 10 layers of 0.1 [mu]. In this case, the high-frequency impedance changes in the range of 100 to about 500% according to the change of the external magnetic field. It has been confirmed that the sensitivity of the stacked magnetic field detecting element is increased by the structure in which the conductor 16 is surrounded by the magnetic layers 7 and 9 and the surrounding magnetic layers 7 and 9 are separated into a plurality of layers by an intermediate insulating layer. Is done. In the case of the curve C1, the measured curves are slightly different between the case where the impedance is measured while increasing the external magnetic field strength and the case where the impedance is measured while decreasing the external magnetic field strength. That is, slight hysteresis is observed. With the use of the intermediate insulator layer, the effect of hysteresis was reduced, and in the curve C4, the curve measured while increasing the external magnetic field intensity almost completely coincided with the curve measured while decreasing the external magnetic field strength. It was confirmed that the use of the intermediate insulator layer reduced the effect of hysteresis and enabled accurate detection of the external magnetic field strength.
【００２３】中間絶縁体層４，１２は、非常に薄くてよ
く、分離された磁性体層２と６、並びに、分離された磁
性体層１０と１４を、電気的に絶縁するには不十分な厚
さで良い。磁性体層７，９にはもともと通電する必要が
ない。磁性体層７，９に電流が流れても良いが、この場
合にも、磁性体層２と６、並びに、磁性体層１０と１４
を絶縁する必要はない。また、中間絶縁体層４，１２
は、分離する磁性体層２と６、並びに、分離する磁性体
層１０と１４を、磁気的には絶縁しない程度に薄いこと
が好ましい。中間絶縁体層４，１２の厚みが０．１μ以
下であれば、下側の磁性体層に形成された磁区が、上側
の磁性体層の磁区形成に影響し、全体として乱れの少な
い磁区構造が得られる。The intermediate insulator layers 4, 12 may be very thin and are insufficient to electrically insulate the separated magnetic layers 2 and 6, and the separated magnetic layers 10 and 14. Good thickness. It is not necessary to energize the magnetic layers 7 and 9 from the beginning. A current may flow through the magnetic layers 7 and 9, but in this case also, the magnetic layers 2 and 6 and the magnetic layers 10 and 14
Need not be insulated. Further, the intermediate insulator layers 4 and 12
It is preferable that the magnetic layers 2 and 6 to be separated from each other and the magnetic layers 10 and 14 to be separated be thin enough not to be magnetically insulated. If the thickness of the intermediate insulator layers 4 and 12 is 0.1 μm or less, the magnetic domains formed in the lower magnetic layer affect the magnetic domain formation of the upper magnetic layer, and the magnetic domain structure is less disturbed as a whole. Is obtained.
【００２４】（第２実施例） 図３は第２実施例の素子
の断面を示し、第１実施例と共通の部材には同じ番号を
付しており、重複した説明を省略する。この場合、導電
体１６とその導電体を包囲する磁性体層７，９の間に、
絶縁体層８ａ、８ｂを設けることで、導電体１６と磁性
体層７，９が電気的に絶縁されている。絶縁体層８ａ、
８ｂの厚みは２μ程度であり、導電体１６に通電される
高周波電流が磁性体層７，９に漏れでないようにする。
この素子は、磁性体層１０を作成した後で導電体１６を
形成する前に絶縁体層８ａを形成し、導電体１６を作成
した後で磁性体層６を形成する前に絶縁体層８ｂを形成
する。絶縁体層８ａ、８ｂは、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等
の絶縁材料を用いて真空蒸着法あるいはスパッタリング
法等で作成される。２μ程度と厚いためにポリイミド樹
脂等をコートして絶縁体層８ａ，８ｂを設けることもで
きる。詳細は特開平８−３２０３６２号公報に記載され
ているように、導電体１６を絶縁体層８で被覆して、導
電体１６に通電される高周波電流が磁性体層７，９に漏
れでないようにすると、磁性体層７，９に周回磁束を効
率よく発生させることができ、検出感度を上昇させて駆
動周波数を下げることができる。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a cross section of an element of the second embodiment. Members common to those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. In this case, between the conductor 16 and the magnetic layers 7 and 9 surrounding the conductor,
By providing the insulator layers 8a and 8b, the conductor 16 and the magnetic layers 7 and 9 are electrically insulated. Insulator layer 8a,
The thickness of 8b is about 2 μm so that a high-frequency current applied to the conductor 16 does not leak to the magnetic layers 7 and 9.
In this element, the insulating layer 8a is formed after forming the magnetic layer 10 and before forming the conductor 16, and the insulating layer 8b is formed after forming the conductor 16 and before forming the magnetic layer 6. To form The insulator layers 8a and 8b are formed by a vacuum deposition method or a sputtering method using an insulating material such as SiO 2 or Al 2 O 3 . The insulating layers 8a and 8b can be provided by coating with a polyimide resin or the like because they are as thick as about 2 μm. For details, as described in JP-A-8-320362, the conductor 16 is covered with the insulator layer 8 so that high-frequency current flowing through the conductor 16 does not leak to the magnetic layers 7 and 9. In this case, the circulating magnetic flux can be efficiently generated in the magnetic layers 7 and 9, and the detection sensitivity can be increased and the driving frequency can be reduced.
【００２５】上記実施例では、図４に示すように、磁化
容易軸が通電方向に直交している。この場合、図５に示
すように、外部磁界強度がゼロの場合に高周波インピー
ダンスは最低となり、外部磁界強度の上昇とともに高周
波インピーダンスは増大する。後で説明する図７に比較
すると明らかに、磁化容易軸が通電方向に直交している
と、高周波インピーダンスは敏感に変化する。外部磁界
強度のさらに上昇すると高周波インピーダンスは減少す
る。通常、高周波インピーダンスが外部磁界強度ともに
上昇する範囲が測定可能範囲（ダイナミックレンジ）で
あり、図７に比較すると明らかに、ダイナミックレンジ
は狭いといわざるを得ない。図５から明らかに、磁性体
層を中間絶縁体層で分離して各層を薄層化すると、きれ
いな左右対称性が得られ、高周波インピーダンスにヒス
テリシスが現れない。即ち、外部磁界が上昇する場合で
も下降する場合でも、外部磁界強度が同じであれば、高
周波インピーダンスも同じとなる。磁性体層が中間絶縁
体層で複数層に分離されていると、ヒステリシスの影響
は殆ど検出できない程度にまで小さく押さえられる。中
間絶縁体層の枚数を増やして分離された各磁性体層の厚
みを薄くするほど、ヒステリシスの影響を小さく押さえ
ることができる。In the above embodiment, as shown in FIG. 4, the axis of easy magnetization is perpendicular to the direction of current flow. In this case, as shown in FIG. 5, when the external magnetic field strength is zero, the high-frequency impedance becomes the lowest, and the high-frequency impedance increases as the external magnetic field strength increases. As will be apparent from a comparison with FIG. 7 described later, when the easy axis is perpendicular to the direction of current flow, the high-frequency impedance changes sensitively. As the external magnetic field strength further increases, the high-frequency impedance decreases. Usually, a range of measurable range high frequency impedance is increased in both the external magnetic field strength (dynamic range), apparently when compared to Figure 7, the dynamic range is not but said narrow. As is apparent from FIG. 5, when the magnetic material layer is separated by the intermediate insulator layer and each layer is thinned, clean left-right symmetry is obtained and no hysteresis appears in the high-frequency impedance. That is, regardless of whether the external magnetic field rises or falls, if the external magnetic field strength is the same, the high-frequency impedance becomes the same. When the magnetic layer is separated into a plurality of layers by the intermediate insulator layer, the influence of hysteresis is suppressed to a level that can hardly be detected. As the number of intermediate insulator layers is increased and the thickness of each separated magnetic layer is reduced, the influence of hysteresis can be reduced.
【００２６】磁性体層２，６，１０，１４の作成時に、
通電方向に平行な直流磁場を印加しておくことも可能で
あり、この場合には、図６に示すように、磁化容易軸が
通電方向に平行する。この場合、図７に示すように、外
部磁界強度がゼロの場合に高周波インピーダンスは最高
となり、外部磁界強度の上昇とともに高周波インピーダ
ンスは減少する。この場合にも、磁性体層を薄層化する
ことでをきれいな左右対称性が得られ、高周波インピー
ダンスにヒステリシスが現れない。即ち、外部磁界が上
昇する場合でも下降する場合でも、外部磁界強度が同じ
であれば高周波インピーダンスも同じとなる。先に説明
した図７に比較すると明らかに、ダイナミックレンジは
広い。しかしながら、図７に比較すると明らかに、高周
波インピーダンスの変化は鈍感である。When forming the magnetic layers 2, 6, 10, and 14,
It is also possible to apply a DC magnetic field parallel to the energizing direction. In this case, as shown in FIG. 6, the axis of easy magnetization is parallel to the energizing direction. In this case, as shown in FIG. 7, the high frequency impedance is highest when the external magnetic field strength is zero, the high frequency impedance decreases with increasing external magnetic field strength. In this case as well, a fine left-right symmetry can be obtained by thinning the magnetic layer, and no hysteresis appears in the high-frequency impedance. That is, whether the external magnetic field rises or falls, the high-frequency impedance becomes the same if the external magnetic field strength is the same. Obviously, the dynamic range is wide as compared with FIG. 7 described above. However, the change in the high-frequency impedance is clearly insensitive when compared to FIG.
【００２７】従来の技術では、充分な感度が得られない
ために、図５に示す敏感性を利用せざるを得ず、図７に
示す広いダイナミックレンジを活用することができなか
った。この技術によると、高感度化が可能であるため
に、図７に示す鈍感な変化でも利用可能となり、広いダ
イナミックレンジを確保することができる。In the prior art, since sufficient sensitivity cannot be obtained, the sensitivity shown in FIG. 5 must be used, and the wide dynamic range shown in FIG. 7 cannot be utilized. According to this technique, high sensitivity can be achieved, so that even the insensitive change shown in FIG. 7 can be used, and a wide dynamic range can be secured.
【００２８】図８は、４つの検出素子を、磁気容易軸の
方向を変えて並置し、４つの素子を電気的ブリッジ回路
に組み込んだ例を示す。図中の矢印は磁気容易軸を示
す。素子８２，８４の磁気容易軸と、素子８６，８８の
磁気容易軸を直交させて配置すると、外部磁界の影響
が、素子８２，８４と、素子８６，８８とでは異なって
現れる。インピーダンス検出回路では、外部磁界がゼロ
のときにゼロを検出し、外部磁界がかかると大きくなる
インピーダンス変化を検出することができる。ブリッジ
出力から温度の影響を除去することができる。FIG. 8 shows an example in which four detection elements are juxtaposed while changing the direction of the magnetic easy axis, and the four elements are incorporated in an electric bridge circuit. The arrow in the figure indicates the magnetic easy axis. When the easy magnetic axes of the elements 82 and 84 and the easy magnetic axes of the elements 86 and 88 are arranged orthogonally, the influence of the external magnetic field appears differently between the elements 82 and 84 and the elements 86 and 88. The impedance detection circuit can detect zero when the external magnetic field is zero, and can detect an impedance change that increases when an external magnetic field is applied. The effect of temperature can be removed from the bridge output.
【００２９】図９は、４つの検出素子を、通電方向を変
えて並置し、４つの素子を電気的ブリッジ回路に組み込
んだ例を示す。素子９２，９４の通電方向と、素子９
６，９８の通電方向を直交させて配置すると、外部磁界
の影響が、素子９２，９４と、素子９６，９８とでは異
なって現れる。インピーダンス検出回路では、外部磁界
がゼロのときにゼロを検出し、外部磁界がかかると大き
なるインピーダンス変化を検出することができる。FIG. 9 shows an example in which four detecting elements are juxtaposed in different energizing directions, and the four elements are incorporated in an electric bridge circuit. The direction of conduction of the elements 92 and 94 and the element 9
When the energization directions of the elements 6, 98 are orthogonal to each other, the influence of the external magnetic field appears differently between the elements 92, 94 and the elements 96, 98. The impedance detection circuit can detect zero when the external magnetic field is zero, and detect a large impedance change when the external magnetic field is applied.
【００３０】図１０は、４つの検出素子を、通電方向と
磁化容易軸を変えて並置し、４つの素子を電気的ブリッ
ジ回路に組み込んだ例を示す。素子１０２，１０４の通
電方向と磁化容易軸と、素子１０６，１０８の通電方向
と磁化容易軸を直交させて配置すると、外部磁界の影響
が、素子１０２，１０４と、素子１０６，１０８とでは
異なって現れる。インピーダンス検出回路では、外部磁
界がゼロのときにゼロを検出し、外部磁界がかかると大
きくなるインピーダンス変化を検出することができる。FIG. 10 shows an example in which four detecting elements are juxtaposed in different directions of conduction and easy axes of magnetization, and the four elements are incorporated in an electric bridge circuit. When the energizing direction and the easy axis of the elements 102 and 104 are arranged orthogonal to the energizing direction and the easy axis of the elements 106 and 108, the influence of the external magnetic field differs between the elements 102 and 104 and the elements 106 and 108. Appear. The impedance detection circuit can detect zero when the external magnetic field is zero, and can detect an impedance change that increases when an external magnetic field is applied.
【００３１】上記では４つの素子を用いてフルブリッジ
を構成しているが、２個の素子でハーフブリッジを構成
してもよい。In the above description, a full bridge is constituted by using four elements, but a half bridge may be constituted by two elements.
【００３２】[0032]
【発明の効果】 導電体を包囲する磁性体層を中間絶縁
体層で複数層に分離すると、分離された各磁性体層を薄
膜化することができ、薄膜化することによって外部磁界
の強度の変化に依存して高周波インピーダンスが敏感に
変化する現象を得ることができる。本発明では、同時
に、磁性体中に導電体を埋め込むことによって検出感度
を大幅に増大できる現象が得られ、両現象を組み合わせ
て利用するために両メリットが相乗し、積層型磁界検出
素子の検出感度を著しく増大させることができる。導電
体と磁性体層を分離する絶縁体層よりも中間絶縁体層を
薄層とすると、電流を導電体に封じ込めながら、分離さ
れた磁性体層同士が磁気的に結合して磁性体層の全体が
導電体に大きな影響を与える構造が得られ、検出感度を
一層著しく増大させることができる。中間絶縁体層で複
数層に分離されている磁性体層の全部に、同一方向の磁
気異方性が付与されていると、薄膜化された各磁性体層
の全体が外部磁界に応じて一斉に変化にして高周波イン
ピーダンスが敏感に変化する現象が顕著に得られる。こ
のために、検出感度を一層著しく増大させることができ
る。本発明によると、高感度磁界センサが実現され、各
種の物理量（例えば、変位量、回転角、トルク等）を非
接触で高精度に測定することを可能とする。When the magnetic layer surrounding the conductor is separated into a plurality of layers by an intermediate insulating layer, each of the separated magnetic layers can be reduced in thickness, and by reducing the thickness, the strength of the external magnetic field can be reduced. A phenomenon in which the high-frequency impedance changes sensitively depending on the change can be obtained. In the present invention, at the same time, the phenomenon that the detection sensitivity can be greatly increased by embedding the conductor in the magnetic material is obtained, and both advantages are synergistic because both phenomena are used in combination, and the detection of the stacked magnetic field detection element Sensitivity can be significantly increased. If the intermediate insulator layer is made thinner than the insulator layer that separates the conductor and the magnetic layer, the separated magnetic layers are magnetically coupled to each other while the current is sealed in the conductor, and As a whole, a structure that greatly affects the conductor is obtained, and the detection sensitivity can be further significantly increased. If all the magnetic layers separated into a plurality of layers by the intermediate insulator layer are provided with magnetic anisotropy in the same direction, the whole of the thinned magnetic layers is simultaneously controlled in response to an external magnetic field. And the high-frequency impedance changes remarkably. For this reason, the detection sensitivity can be further remarkably increased. According to the present invention, a high-sensitivity magnetic field sensor is realized, and various physical quantities (for example, displacement, rotation angle, torque, etc.) can be measured in a non-contact and highly accurate manner.
【図１】 第１実施例の積層型磁界検出素子の斜視図と
その用い方を示す。FIG. 1 shows a perspective view of a stacked magnetic field sensing element of a first embodiment and how to use the same.
【図２】 外部磁界に対するインピーダンス変化を各種
素子について示す。FIG. 2 shows impedance changes with respect to an external magnetic field for various elements.
【図３】 第２実施例の積層型磁界検出素子の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a stacked magnetic field detecting element according to a second embodiment.
【図４】 磁化容易軸の方位の一例を示す。FIG. 4 shows an example of the orientation of the easy axis.
【図５】 図４の磁化容易軸の場合のインピーダンス変
化を示す。5 shows an impedance change in the case of the easy axis of FIG.
【図６】 磁化容易軸の方位の他の一例を示す。FIG. 6 shows another example of the direction of the easy axis.
【図７】 図６の磁化容易軸の場合のインピーダンス変
化を示す。。FIG. 7 shows a change in impedance in the case of the easy axis of FIG. .
【図８】 ブリッジ回路の一例を示す。FIG. 8 shows an example of a bridge circuit.
【図９】 ブリッジ回路の他の一例を示す。FIG. 9 shows another example of a bridge circuit.
【図１０】 ブリッジ回路のさらに他の一例を示す。FIG. 10 shows still another example of the bridge circuit.
【図１１】 従来の積層型磁界検出素子の断面図。FIG. 11 is a sectional view of a conventional stacked magnetic field detecting element.
７：磁性体層 ２：磁性体層上層 ４：中間絶縁体層 ６：磁性体層下層 ９：磁性体層 １０：磁性体層上層 １２：中間絶縁体層 １４：磁性体層下層 １６：導電体 7: Magnetic layer 2: Upper magnetic layer 4: Intermediate insulator layer 6: Lower magnetic layer 9: Magnetic layer 10: Upper magnetic layer 12: Intermediate insulator layer 14: Lower magnetic layer 16: Conductor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 則一 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 野々村 裕 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AD51 AD69 BA03 BA09 5E049 AB01 AC01 BA12 CB02 GC01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Noriichi Ota 41-cho, Yokomichi, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi Prefecture Inside Toyota Central Research Laboratory Co., Ltd. No. 41, Chochu-ji Yokomichi 1 Toyota Central Research Laboratory Co., Ltd. F-term (reference) 2G017 AA01 AD51 AD69 BA03 BA09 5E049 AB01 AC01 BA12 CB02 GC01
Claims (5)
導電体を包囲する磁性体層を持つ積層型磁界検出素子に
おいて、その磁性体層が中間絶縁体層で複数層に分離さ
れていることを特徴とする積層型磁界検出素子。In a laminated magnetic field detecting element having a conductor connected to a high-frequency power supply and a magnetic layer surrounding the conductor, the magnetic layer is separated into a plurality of layers by an intermediate insulator layer. A stacked magnetic field detecting element, comprising:
が絶縁体層で分離されており、導電体と磁性体層を分離
する絶縁体層よりも前記中間絶縁体層が薄層であること
を特徴とする請求項１に記載の積層型磁界検出素子。2. A conductor and a magnetic layer surrounding the conductor are separated by an insulator layer, and the intermediate insulator layer is thinner than an insulator layer separating the conductor and the magnetic layer. The stacked magnetic field detecting element according to claim 1, wherein:
層で分離される磁性体層同士を磁気的に絶縁しない厚み
以下に設定されていることを特徴とする請求項１に記載
の積層型磁界検出素子。3. The method according to claim 1, wherein the thickness of the intermediate insulator layer is set to a thickness that does not magnetically insulate the magnetic layers separated by the intermediate insulator layer. Stacked magnetic field detection element.
であることを特徴とする請求項１に記載の積層型磁界検
出素子。4. The stacked magnetic field detecting element according to claim 1, wherein the thickness of the intermediate insulator layer is 0.2 μm or less.
いる磁性体層の全部に、同一方向の磁気異方性が付与さ
れていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに
記載の積層型磁界検出素子。5. A total of the magnetic layer is separated into a plurality of layers in the intermediate insulating layer, claim 1, wherein a magnetic anisotropy in the same direction is given 4 3. The stacked magnetic field detecting element according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068271A JP2002270919A (en) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | Laminated magnetic field sensor |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002374014A (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Toyota Motor Corp | Magnetic field detection element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763832A (en) * | 1993-08-25 | 1995-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic sensor and method for detecting magnetic field |
| JPH1090380A (en) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Tokin Corp | Magnetism detecting element and its manufacture |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068271A patent/JP2002270919A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0763832A (en) * | 1993-08-25 | 1995-03-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic sensor and method for detecting magnetic field |
| JPH1090380A (en) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Tokin Corp | Magnetism detecting element and its manufacture |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002374014A (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Toyota Motor Corp | Magnetic field detection element |
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