JP2002270368A - Transfer film and manufacturing method of organic electroluminescence element using it - Google Patents
Transfer film and manufacturing method of organic electroluminescence element using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、転写用フィルムお
よびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法に関する。The present invention relates to a transfer film and a method for manufacturing an organic electroluminescence device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子（以
下、「有機ＥＬ素子」と称する）は、自発光であるため
視認性が高く、また有機材料を主たる原料としているた
めに、分子設計が幅広く、多色化が容易である。また、
完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れていると共に
取り扱いが容易であるなどの優れた特長を有し、面光源
やディスプレイ、プリンターの光源への応用が進められ
ている。2. Description of the Related Art Organic electroluminescent devices (hereinafter referred to as "organic EL devices") are self-luminous and have high visibility. Since organic materials are used as main raw materials, their molecular designs are wide and multicolor. Conversion is easy. Also,
Since it is a completely solid element, it has excellent features such as excellent impact resistance and easy handling, and is being applied to surface light sources, displays, and printer light sources.
【０００３】このような有機ＥＬ素子をカラーディスプ
レイに応用するためには、ＲＧＢ各色の発光層の塗り分
けが必須であり、特に高精細なディスプレイを作成する
場合には、微細な塗り分け技術が必要となる。そのため
の方法として、発光層を含む有機層および電極となる金
属膜を、レーザー光を用いて転写する方法が提案されて
いる（特開平１１−２６０５４９号公報）。In order to apply such an organic EL element to a color display, it is necessary to separately apply the light emitting layers of the respective colors of RGB. In particular, when a high-definition display is to be produced, a fine coating technique is required. Required. As a method therefor, a method has been proposed in which an organic layer including a light emitting layer and a metal film to be an electrode are transferred using laser light (Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-260549).
【０００４】しかしながら、転写法で金属膜、特に金属
厚膜を転写すると、金属同士の結合力が強いために、転
写工程で金属膜を残して転写用フィルムを剥離するとき
に転写すべき金属膜が部分的に転写用フィルムと共に剥
がれてしまう。具体的には、図1に示すように転写した
金属膜の表面や端面に歪（凹凸）が生じたり、図２に示
すようにバリ状の剥がれが生じてしまう。図２における
１は支持基板である。このような金属膜では、電極とし
ての十分な抵抗が得られず、ディスプレイの表示品位や
信頼性を低下させるという問題があった。However, when a metal film, particularly a thick metal film, is transferred by the transfer method, the metal film to be transferred when the transfer film is peeled off while leaving the metal film in the transfer step because the bonding force between the metals is strong. Are partially peeled off together with the transfer film. Specifically, distortion (irregularity) occurs on the surface or end surface of the transferred metal film as shown in FIG. 1, or burr-like peeling occurs as shown in FIG. Reference numeral 1 in FIG. 2 is a support substrate. With such a metal film, sufficient resistance as an electrode cannot be obtained, and there is a problem that the display quality and reliability of the display are reduced.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、転写用フィ
ルムを用いて金属膜、特に金属厚膜を転写法で形成した
ときに、その表面や端面に歪やバリ状の剥がれが生じな
い転写用フィルムおよびそれを用いた有機ＥＬ素子の製
造方法を提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a transfer method in which when a metal film, particularly a thick metal film, is formed by a transfer method using a transfer film, no distortion or burr-like peeling occurs on the surface or end surface thereof. It is an object to provide a film for use and a method for manufacturing an organic EL device using the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、転写法で金属
膜を作成するに当たり、転写用フィルム上の金属膜の一
部に予め分断された部分を形成しておく（金属膜を分断
しておく）ことにより、金属膜同士の結合力が低下し、
転写用フィルムの剥離が容易になり、歪やバリ状の剥が
れのない金属膜の転写が可能になることを見出し、本発
明を完成するに到った。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that when a metal film is formed by a transfer method, a part of the metal film on the transfer film is used. By forming a divided portion in advance (dividing the metal film), the bonding force between the metal films decreases,
The present inventors have found that the transfer film can be easily peeled, and the transfer of a metal film without distortion or burr-like peeling becomes possible, and the present invention has been completed.
【０００７】かくして、本発明によれば、ベースフィル
ム上に転写用層として少なくとも金属膜を有する転写用
フィルムにおいて、金属膜が、連続的または断続的な複
数領域に分断されている転写用フィルムが提供される。Thus, according to the present invention, there is provided a transfer film having at least a metal film as a transfer layer on a base film, wherein the metal film is divided into a plurality of continuous or intermittent regions. Provided.
【０００８】また、本発明によれば、転写法で有機エレ
クトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、上記の
転写用フィルムを用いることを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a method for producing an organic electroluminescent element, wherein the method for producing an organic electroluminescent element by the transfer method uses the above-mentioned transfer film.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図を用い
て説明するが、以下の説明により本発明が限定されるも
のではない。本発明の転写用フィルムは、転写法で電極
などに用いる金属膜を形成する際に有用であり、使用場
面は限定されないが、特に有機ＥＬ素子の製造に好適に
用いられる。まず、本発明により作成される有機ＥＬ素
子の基本的な構成を、図４を用いて、説明する。この有
機ＥＬ素子は、支持基板１上に第一電極２、有機層４、
第二電極５が積層され、これらの積層の一部が隔壁３で
仕切られて電気的に分離され、さらにそれらの全面が封
止材６で覆われた構成になっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited by the following description. The transfer film of the present invention is useful for forming a metal film used for an electrode or the like by a transfer method, and is not particularly limited in use, but is particularly suitably used for manufacturing an organic EL device. First, the basic configuration of an organic EL device manufactured according to the present invention will be described with reference to FIG. This organic EL device has a first electrode 2, an organic layer 4,
The second electrode 5 is stacked, a part of the stack is partitioned by the partition walls 3 and electrically separated, and the entire surface is covered with a sealing material 6.
【００１０】支持基板１は、少なくとも片方の電極側に
配される。その材料は、従来の有機ＥＬ素子に使用され
ているものであれば特に限定されるものではなく、例え
ば、石英、ソーダガラス、セラミック材料などの無機材
料、ポリイミド、ポリエステルなどの有機材料が挙げら
れる。The support substrate 1 is provided on at least one electrode side. The material is not particularly limited as long as it is used in a conventional organic EL element. Examples thereof include inorganic materials such as quartz, soda glass, and ceramic materials, and organic materials such as polyimide and polyester. .
【００１１】第一電極２および第二電極５としては、特
に限定されるものではないが、片方が透明性材料である
ことが好ましい。透明性材料としては、従来の有機ＥＬ
素子に使用されているものであれば特に限定されるもの
ではない。例えば、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、
ＳｎＯ2、Ａｕ薄膜などの無機材料、ポリアニリン、ポ
リチオフェン薄膜などの有機材料が挙げられる。The first electrode 2 and the second electrode 5 are not particularly limited, but one of them is preferably a transparent material. As the transparent material, conventional organic EL
There is no particular limitation as long as the element is used. For example, indium-tin oxide (ITO),
Examples include inorganic materials such as SnO 2 and Au thin films, and organic materials such as polyaniline and polythiophene thin films.
【００１２】また、もう片方の電極の材料としては、従
来の有機ＥＬ素子に使用されているものであれば特に限
定されるものではなく、金属の単体または合金もしくは
それらの積層体などが挙げられる。例えば、マグネシウ
ム、リチウム、カルシウム、銀、アルミニウム、インジ
ウム、セシウム、銅、ニッケル、ＬｉＦなどが挙げられ
る。The material of the other electrode is not particularly limited as long as it is used in a conventional organic EL device, and examples thereof include a simple metal, an alloy, or a laminate thereof. . Examples include magnesium, lithium, calcium, silver, aluminum, indium, cesium, copper, nickel, LiF, and the like.
【００１３】隔壁３は、素子の上下リークやクロストー
クの防止、画素間における有機材料の混合防止のブロッ
ク膜として機能する。隔壁３は必ずしも必要ではない
が、前記の点で、画素部の周囲または一部に存在させる
のが望ましい。また、隔壁３のその大きさや形状は特に
限定されるものではない。このような隔壁の材料として
は、特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉＯ2、
ＳｉＮXなどの無機材料、ポリイミド、フォトレジスト
などの有機材料などが挙げられ、これらを組み合わせて
用いることもできる。The partition wall 3 functions as a block film for preventing vertical leakage and crosstalk of the element and for preventing organic materials from being mixed between pixels. Although the partition wall 3 is not always necessary, it is preferable that the partition wall 3 be provided around or in part of the pixel portion in view of the above points. Further, the size and shape of the partition 3 are not particularly limited. The material of such a partition is not particularly limited, and for example, SiO 2 ,
Inorganic material such as SiN X, polyimides, and organic materials such as photoresist and the like, may be used in combination.
【００１４】有機層４は、単層構造、積層構造のどちら
でもよく、下記の構成が挙げられるが、本発明ではこれ
らに限定されるものではない。 発光層 ホール注入輸送層／発光層 発光層／電子注入輸送層 ホール注入輸送層／発光層／電子注入輸送層 なお、発光層は、電荷（電子、ホール）輸送材料、電荷
（電子、ホール）注入材料、電荷（電子、ホール）制限
材料を含んでいてもよい。例えば、電子輸送材料を含む
電子輸送性発光層が挙げられる。また、ホール注入輸送
層および電子注入輸送層は、それぞれホール注入層とホ
ール輸送層および電子注入層と電子輸送層に分割されて
いてもよい。The organic layer 4 may have either a single-layer structure or a laminated structure, and includes the following structures, but the present invention is not limited thereto. Light-emitting layer Hole injection / transport layer / light-emitting layer Light-emitting layer / electron injection / transport layer Hole injection / transport layer / light-emitting layer / electron injection / transport layer The light-emitting layer is a charge (electron, hole) transport material and charge (electron, hole) injection. It may include a material and a charge (electron, hole) limiting material. For example, an electron-transporting light-emitting layer containing an electron-transport material can be used. Further, the hole injection transport layer and the electron injection transport layer may be divided into a hole injection layer and a hole transport layer, and an electron injection layer and an electron transport layer, respectively.
【００１５】発光層は、任意に発光アシスト剤、電荷輸
送材料、添加剤（ドナー、アクセプターなど）、発光性
のドーパントなどを含む発光材料を、蒸着法などの公知
のドライプロセスにより形成（成膜）することができ
る。The light emitting layer is formed by forming a light emitting material optionally containing a light emitting assisting agent, a charge transport material, additives (donor, acceptor, etc.), a light emitting dopant and the like by a known dry process such as a vapor deposition method (film formation). )can do.
【００１６】また、発光層は、発光層形成用塗液を用い
て、スピンコート法、スパッタ法、ＥＢ法、凸版印刷
法、グラビア印刷法、インクジェット法、ディップコー
ト法などの公知のウエットプロセスにより形成（成膜）
することもできる。発光層形成用塗液は、１種もしくは
２種以上の発光材料を溶剤に溶解または分散させた溶液
であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤、発光アシス
ト剤、電荷注入輸送材料、添加剤（ドナー，アクセプタ
ーなど）、発光性のドーパントなどを含む。The light emitting layer is formed by a known wet process such as a spin coating method, a sputtering method, an EB method, a letterpress printing method, a gravure printing method, an ink jet method, or a dip coating method using a coating liquid for forming a light emitting layer. Formation (film formation)
You can also. The light-emitting layer forming coating solution is a solution in which one or more light-emitting materials are dissolved or dispersed in a solvent, and optionally a binder resin, a leveling agent, a light-emitting assisting agent, a charge injection transport material, an additive ( Donor, acceptor, etc.), and a luminescent dopant.
【００１７】発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料を用いることができる。このような発光材料
は、低分子発光材料、高分子発光材料および高分子発光
材料の前駆体などに分類され、これらの具体的な化合物
を以下に例示するが、本発明はこれらにより限定される
ものではない。これらの発光材料は、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。As the light emitting material, a known light emitting material for an organic LED can be used. Such light-emitting materials are classified into low molecular light-emitting materials, polymer light-emitting materials, precursors of polymer light-emitting materials, and the like, and specific compounds thereof are exemplified below, but the present invention is limited by these. Not something. These light emitting materials may be used in combination of two or more kinds.
【００１８】低分子発光材料としては、例えば、８−ヒ
ドロキシキノリノール誘導体（例えば、８−ヒドロキシ
キノリン（Ａｌｑ3））やチアゾール誘導体、ベンズオ
キサゾール誘導体、キナクリドン誘導体、フルオレン誘
導体、スチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、オ
キサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾ
ール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、蛍光性金属錯
体が挙げられる。Examples of low molecular light emitting materials include 8-hydroxyquinolinol derivatives (eg, 8-hydroxyquinoline (Alq 3 )), thiazole derivatives, benzoxazole derivatives, quinacridone derivatives, fluorene derivatives, styrylarylene derivatives, perylene derivatives, Oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, triphenylamine derivatives, fluorescent metal complexes.
【００１９】高分子発光材料としては、例えば、ポリパ
ラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリビニルカ
ルバゾール（ＰＶＫ）、ポリフルオレン誘導体、ポリチ
オフェン誘導体などが挙げられる。また、高分子発光材
料の前駆体としては、例えば、ＰＰＶ前駆体などが挙げ
られる。Examples of the polymer light emitting material include polyparaphenylene vinylene (PPV) derivatives, polyvinyl carbazole (PVK), polyfluorene derivatives, and polythiophene derivatives. Examples of the precursor of the polymer light emitting material include a PPV precursor.
【００２０】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリエステルなどが挙げられるが、本発明はこ
れらにより限定されるものではない。溶剤としては、前
記の発光材料を溶解または分散できる溶剤であれば、特
に限定されるものではない。具体的には、純水、メタノ
ール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、トルエン、
キシレン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。添加
剤としては、例えば、クマリン誘導体、キナクリドン誘
導体、公知のレーザー用色素などが挙げられる。Examples of the binder resin include polycarbonate and polyester, but the present invention is not limited to these. The solvent is not particularly limited as long as the solvent can dissolve or disperse the light emitting material. Specifically, pure water, methanol, ethanol, THF, chloroform, toluene,
Xylene, trimethylbenzene and the like can be mentioned. Examples of the additive include a coumarin derivative, a quinacridone derivative, and a known dye for laser.
【００２１】ホール注入輸送層および電子注入輸送層
は、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。以下の説
明においては、ホールと電子を合わせて「電荷」ともい
う。電荷注入輸送層は、任意に添加剤（ドナー、アクセ
プターなど）などを含む電荷注入輸送材料をドライプロ
セスにより形成（成膜）することができる。また、電荷
注入輸送層は、電荷注入輸送層形成用塗液を用いて公知
のウエットプロセスにより形成（成膜）することもでき
る。電荷注入輸送層形成用塗液は、１種もしくは２種以
上の電荷注入輸送材料を溶剤に溶解または分散させた溶
液であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤、添加剤
（ドナー、アクセプターなど）などを含む。Each of the hole injection transport layer and the electron injection transport layer may have a single layer structure or a multilayer structure. In the following description, holes and electrons are collectively referred to as “charges”. The charge injecting and transporting layer can be formed (film-formed) of a charge injecting and transporting material optionally containing an additive (donor, acceptor, etc.) by a dry process. The charge injection / transport layer can also be formed (formed) by a known wet process using a coating solution for forming a charge injection / transport layer. The coating liquid for forming a charge injection transport layer is a solution in which one or more charge injection transport materials are dissolved or dispersed in a solvent, and optionally a binder resin, a leveling agent, and additives (donor, acceptor, etc.). Including.
【００２２】電荷注入輸送材料としては、有機ＬＥＤ
用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いる
ことができる。このような電荷注入輸送材料は、ホール
輸送材料、ホール注入材料、電子輸送材料および電子注
入材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例
示するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。これらの材料は、２種以上を組み合わせて用いても
よい。Organic charge-transporting materials include organic LEDs
A known charge injecting and transporting material for organic photoconductors can be used. Such charge injecting and transporting materials are classified into hole transporting materials, hole injecting materials, electron transporting materials, and electron injecting materials, and specific compounds thereof are exemplified below, but the present invention is not limited thereto. is not. These materials may be used in combination of two or more.
【００２３】ホール輸送材料としては、例えば、トリフ
ェニルアミン誘導体、ＰＰＶ誘導体、ＰＶＫ、ポリアニ
リン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリ
スチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、N,N'
-di(naphthalen-1-yl)N,N'-diphenyl-benzidine（ＮＰ
Ｄ）などの有機材料、ｐ型半導体材料などの無機材料が
挙げられる。ホール注入材料としては、銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰｃ）などが挙げられる。Examples of hole transporting materials include triphenylamine derivatives, PPV derivatives, PVK, polyaniline, 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), and N, N '.
-di (naphthalen-1-yl) N, N'-diphenyl-benzidine (NP
Organic materials such as D) and inorganic materials such as a p-type semiconductor material. Examples of the hole injection material include copper phthalocyanine (CuPc).
【００２４】電子輸送材料および電子注入材料として
は、例えば、オキサジアゾール誘導体、有機金属錯体、
ＰＰＶ誘導体が挙げられるがこれに限定するものではな
い。Examples of the electron transporting material and the electron injecting material include oxadiazole derivatives, organometallic complexes,
Examples include, but are not limited to, PPV derivatives.
【００２５】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリエステルなどが挙げられるが、本発明はこ
れらにより限定されるものではない。溶剤としては、前
記の電荷注入輸送材料を溶解または分散できる溶剤であ
れば特に限定されるものではない。具体的には、純水、
メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシ
レン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。Examples of the binder resin include polycarbonate and polyester, but the present invention is not limited to these. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the charge injection / transport material. Specifically, pure water,
Examples include methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, and trimethylbenzene.
【００２６】封止材６は、有機層４に水分や酸素ができ
るだけ触れないように設けるものである。封止材による
封止方法としては、特に限定されるものではなく、防水
性、防湿性に優れた有機材料や無機材料による成膜、ガ
ラスキャップやメタルキャップの貼付などが挙げられ
る。The sealing material 6 is provided so that moisture and oxygen do not touch the organic layer 4 as much as possible. The method of sealing with a sealing material is not particularly limited, and examples thereof include film formation using an organic or inorganic material having excellent waterproof and moisture-proof properties, and attaching a glass cap or a metal cap.
【００２７】次に、本発明の転写用フィルムを、図５を
用いて説明する。転写用フィルムは、ベースフィルム７
上に、転写法で転写される層、すなわち転写用層１０が
形成されたものであり、ベースフィルム７と転写用層１
０の間には、光−熱変換層８、熱伝播剥離層９（「剥離
層」ともいう）を設けるのが好ましい。Next, the transfer film of the present invention will be described with reference to FIG. The transfer film is a base film 7
A layer to be transferred by a transfer method, that is, a transfer layer 10 is formed thereon, and the base film 7 and the transfer layer 1
Between 0, it is preferable to provide the light-heat conversion layer 8 and the heat propagation release layer 9 (also referred to as a “release layer”).
【００２８】ベースフィルム１としては、透明でフレキ
シブルな材料が好ましく、転写に用いるレーザー光の透
過率の高い材料が特に好ましい。また、可撓性（フレキ
シブル性）の高い材料であれば、凹凸のある支持基板に
転写用フィルムを隙間なく貼り付けることができるので
特に好ましい。このような材料としては、例えば、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）などの高分子材料が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。As the base film 1, a transparent and flexible material is preferable, and a material having a high transmittance for laser light used for transfer is particularly preferable. In addition, a material having high flexibility (flexibility) is particularly preferable because a transfer film can be stuck to a support substrate having irregularities without gaps. Examples of such a material include, but are not limited to, polymer materials such as polyethylene terephthalate (PET) and polymethyl methacrylate (PMMA).
【００２９】光−熱変換層８（「光吸収層」ともいう）
は、転写に用いるレーザー光を吸収し、効率よく熱を発
生する材料で構成される。例えばカーボンブラックを分
散させた樹脂（例えば、エポキシ樹脂）、黒色のレジス
ト材料などが挙げられる。樹脂を用いる場合には、光−
熱変換層は公知のコーティング法により形成することが
でき、その膜厚は、０．１〜１０μｍ程度である。Light-to-heat conversion layer 8 (also referred to as "light absorption layer")
Is made of a material that efficiently absorbs laser light and efficiently generates heat. For example, a resin in which carbon black is dispersed (for example, epoxy resin), a black resist material, and the like can be given. When resin is used, light-
The heat conversion layer can be formed by a known coating method, and has a thickness of about 0.1 to 10 μm.
【００３０】熱伝播剥離層９は、転写を効率よく行うた
めに熱を伝播させる層である。その材料としては、公知
の材料を用いることができ、例えば、ポリαメチルスチ
レン、熱発泡性樹脂などが挙げられる。熱伝播層は、公
知のコーティング法により形成することができ、その膜
厚は、０．１〜５０μｍ程度である。上記の公知のコー
ティング法としては、スピンコート法、印刷法、キャス
ト法、インクジェット法、ディップ法などが挙げられ
る。The heat-propagating release layer 9 is a layer for transmitting heat for efficient transfer. As the material, a known material can be used, and examples thereof include poly-α-methylstyrene and a thermally foamable resin. The heat propagation layer can be formed by a known coating method, and has a thickness of about 0.1 to 50 μm. Examples of the known coating method include a spin coating method, a printing method, a casting method, an ink jet method, and a dip method.
【００３１】転写用層１０は、実際に転写工程により転
写される層であり、本発明においては少なくとも金属膜
を含む。金属膜に有機層や絶縁層を組み合わせた構造で
もよく、これらの各層は単層、多層のいずれであっても
よく、またパターニングされていてもよい。ここで、有
機ＥＬ素子を製造する場合の金属膜は、第一電極、第二
電極を意味する。具体的には、下記の構成が挙げられる
が、本発明はこれらにより限定されるものではない。 金属膜 金属膜／有機層 有機層／金属膜／有機層 金属膜／絶縁層／有機層 なお、ベースフィルムに対する転写用層の積層順は限定
されない。絶縁層としては、例えば、ＳｉＯ2などが挙
げられ、スパッタ法などの方法で形成することができ
る。The transfer layer 10 is a layer that is actually transferred in a transfer step, and includes at least a metal film in the present invention. A structure in which an organic layer or an insulating layer is combined with a metal film may be used. Each of these layers may be a single layer or a multilayer, or may be patterned. Here, a metal film in the case of manufacturing an organic EL element means a first electrode and a second electrode. Specifically, the following configurations are mentioned, but the present invention is not limited thereto. Metal film Metal film / Organic layer Organic layer / Metal film / Organic layer Metal film / Insulating layer / Organic layer The order of lamination of the transfer layer with respect to the base film is not limited. The insulating layer includes, for example, SiO 2 and can be formed by a method such as a sputtering method.
【００３２】本発明の転写用フィルムは、転写用層中の
金属膜が、転写された金属膜の表面および端面に歪（凹
凸）やバリ状の剥がれが発生するのを防止するために、
金属膜が連続的または断続的な複数領域に分断されてい
ることを特徴とする。In the transfer film of the present invention, in order to prevent the metal film in the transfer layer from causing distortion (unevenness) or burr-like peeling on the surface and the end surface of the transferred metal film.
The metal film is divided into a plurality of continuous or intermittent regions.
【００３３】例えば、図６（ａ）に示されるように、連
続的にストライプ状に設けられた形態、すなわち金属膜
の対向する二辺を直線的に貫通するように金属膜が分断
された形態（完全分断型）、および図６（ｂ）に示され
るように、断続的にストライプ状に設けられた形態、す
なわち矩形の開口が直線的に配列された形態（部分分断
型）などが挙げられるが、特にこれらに限定されない。
図６における１０は転写用層、１１は分断溝、１２は転
写用フィルムである。また、転写する画素（領域）ごと
に分断してもよく、ディスプレイの画素配列に合わせ
て、図６（ｃ）のようにストイラプ配列に分離してもよ
いし、図６（ｄ）のようにデルタ配列に分離してもよ
い。For example, as shown in FIG. 6A, a form in which the metal film is continuously provided in a stripe shape, that is, a form in which the metal film is divided so as to linearly penetrate two opposing sides of the metal film. As shown in FIG. 6 (b), there is a form in which stripes are intermittently provided, that is, a form in which rectangular openings are linearly arranged (partial cut type), and the like. However, the present invention is not particularly limited to these.
In FIG. 6, 10 is a transfer layer, 11 is a dividing groove, and 12 is a transfer film. Further, it may be divided for each pixel (region) to be transferred, or may be separated into a stirrup arrangement as shown in FIG. 6C according to the pixel arrangement of the display, or as shown in FIG. It may be separated into a delta arrangement.
【００３４】ストライプ状で金属膜の分断された部分の
短軸方向の幅（以下、「分断幅」という）およびその長
軸方向の長さ、深さとその配置、金属膜の形成領域の表
面積に対する分断された部分の合計表面積の割合など
は、金属膜を形成する材料、金属膜の表面積とその膜
厚、分断された部分の加工方法とその加工性、金属膜の
電気抵抗値などにより適宜決定すればよい。The width in the minor axis direction (hereinafter referred to as “divided width”) of the divided portion of the metal film in the form of a stripe, its length in the major axis direction, its depth and its arrangement, and the surface area of the metal film formation region The ratio of the total surface area of the divided portion is appropriately determined according to the material for forming the metal film, the surface area and the thickness of the metal film, the processing method and the workability of the divided portion, the electric resistance value of the metal film, and the like. do it.
【００３５】一般に、金属膜の膜厚が厚くなるほど、転
写後の金属膜の表面および端面に歪（凹凸）やバリ状の
剥がれが生じ易くなるので、分断幅、長さ、金属膜の表
面積に対する分断された部分の合計表面積の割合、特に
長さを大きくとるのが好ましい。特に、分断幅が、その
長軸方向に沿って位置する金属膜の、分断幅方向と平行
な方向の幅よりも狭いことが好ましい。In general, as the thickness of the metal film increases, distortion (irregularities) and burr-like peeling are more likely to occur on the surface and the end surface of the metal film after transfer. It is preferable to increase the ratio of the total surface area of the divided portions, particularly, the length. In particular, it is preferable that the division width is smaller than the width of the metal film located along the major axis direction in the direction parallel to the division width direction.
【００３６】特に、第一電極／有機層／第二電極を基本
構成とする有機ＥＬ素子においては、画素が配列構成さ
れた有機ＥＬディスプレイの隣接する画素間のピッチ幅
よりも狭いことが好ましい。分断幅が画素のピッチ幅よ
りも広い場合には、所定の画素ピッチで転写を行う際
に、転写用フィルムを剥離して位置あわせが必要になる
ので好ましくない。In particular, in an organic EL device having a basic structure of the first electrode / organic layer / second electrode, it is preferable that the pitch is narrower than the pitch between adjacent pixels of the organic EL display in which pixels are arranged. If the division width is wider than the pixel pitch width, it is not preferable because the transfer film needs to be peeled off and aligned when transferring at a predetermined pixel pitch.
【００３７】有機ＥＬ素子における第一電極、第二電極
などの金属膜の膜厚は、通常、０．１〜１００μｍであ
り、このような金属膜を本発明の転写用フィルムを用い
て転写法で形成する場合、金属膜の分断された部分は、
分断幅が０．１〜１００μｍ程度、深さが０．１〜１０
０μｍ程度、金属膜の表面積に対する分断された部分の
合計表面積の割合が０．１〜５０％程度で、その配置が
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）になるように
形成するのが好ましい。また、金属膜に対向する電極が
ストライプ形状の場合、電極の長手方向は、対向する電
極の長手方向と直交するようにして、金属膜を転写する
のが好ましい。The thickness of the metal film such as the first electrode and the second electrode in the organic EL device is usually 0.1 to 100 μm, and such a metal film is transferred by using the transfer film of the present invention. In the case of forming by, the divided portion of the metal film
Divided width is about 0.1-100 μm, depth is 0.1-10
About 0 μm, the ratio of the total surface area of the divided portions to the surface area of the metal film is about 0.1 to 50%, and the arrangement is as shown in FIGS. 6 (a), (b), (c) and (d). It is preferable to form it. When the electrode facing the metal film has a stripe shape, the metal film is preferably transferred such that the longitudinal direction of the electrode is orthogonal to the longitudinal direction of the facing electrode.
【００３８】金属膜は、少なくとも金属膜の一部に分断
された部分を有していればよく、その深さは、金属膜を
貫通していればよい。また、金属膜に分断された部分を
形成した後に、さらにその上に有機層を形成して転写用
フィルムとしてもよく、金属膜上に有機層を形成した後
に、有機層を含めて金属膜に分断された部分を形成して
もよい。The metal film only needs to have a part divided at least in a part of the metal film, and the depth only needs to penetrate the metal film. Also, after forming the divided portion in the metal film, an organic layer may be further formed thereon to form a transfer film, and after forming the organic layer on the metal film, the organic film including the organic layer may be formed. A divided part may be formed.
【００３９】金属膜の分断された部分の断面形状は、例
えば、図７（ａ）〜（ｃ）に示すような形状が挙げられ
るが、特に限定されるものではない。ここで、図７の１
２は転写用フィルムである。このとき、転写される金属
膜は凸部に形成されているのが好ましい。金属膜が凹部
に形成されていると、転写を行なう基板との密着が不完
全になる可能性があるので好ましくない。すなわち、転
写用フィルムが、所定間隔をおいてストライプ状の凹部
を有し、その凸部に金属膜が形成されてなるのが好まし
い。The cross-sectional shape of the divided portion of the metal film includes, for example, the shapes shown in FIGS. 7A to 7C, but is not particularly limited. Here, 1 in FIG.
2 is a transfer film. At this time, it is preferable that the metal film to be transferred is formed on the convex portion. It is not preferable that the metal film is formed in the concave portion because the adhesion to the substrate to be transferred may be incomplete. That is, it is preferable that the transfer film has stripe-shaped concave portions at predetermined intervals, and a metal film is formed on the convex portions.
【００４０】本発明の転写用フィルムの金属膜の分断さ
れた部分は、金属膜を形成した後に形成してもよく、金
属膜の形成と同時に形成してもよい。後述するように、
後者では、転写用フィルムに予め凹凸を形成する必要が
あるが、前者では、転写用フィルムに凹凸を形成する必
要がない。金属膜を形成した後に形成する方法として
は、例えば、鋭利な刃物で切り込みを入れる方法、レー
ザー加工する方法、フォトリソグラフィー法などが挙げ
られる。The divided portion of the metal film of the transfer film of the present invention may be formed after the formation of the metal film, or may be formed simultaneously with the formation of the metal film. As described below,
In the latter case, it is necessary to form irregularities on the transfer film in advance, but in the former case, it is not necessary to form irregularities on the transfer film. Examples of a method for forming the metal film after forming it include a method of making a cut with a sharp blade, a method of laser processing, and a photolithography method.
【００４１】本発明の転写用フィルムを用いた有機ＥＬ
素子の製造方法について、図を用いて説明するが、以下
の説明により本発明が限定されるものではない。図８
は、本発明の転写用フィルムを用いた有機ＥＬ素子の製
造工程を示す概略断面図である。この製造工程では、転
写用フィルムの製造工程において、金属膜を形成した後
に金属膜の分断された部分を形成し、転写工程におい
て、レーザー光を用いている。Organic EL using transfer film of the present invention
The method of manufacturing the device will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited by the following description. FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of an organic EL device using the transfer film of the present invention. In this manufacturing process, a divided portion of the metal film is formed after forming the metal film in the manufacturing process of the transfer film, and laser light is used in the transfer process.
【００４２】（ａ）まず、ベースフィルム上に、公知の
方法で光−熱変換層（図示せず）および任意に熱伝播剥
離層（図示せず）を形成し、転写用フィルム１２を得、
さらにその転写用フィルム１２上に、公知の方法、例え
ば、真空蒸着法、スパッタ法、ＥＢ法、印刷法などによ
り第二電極５となる金属膜を形成する（図８（ａ））。(A) First, a light-to-heat conversion layer (not shown) and optionally a heat propagation release layer (not shown) are formed on a base film by a known method, and a transfer film 12 is obtained.
Further, a metal film to be the second electrode 5 is formed on the transfer film 12 by a known method, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an EB method, a printing method, or the like (FIG. 8A).
【００４３】（ｂ）第二電極５を形成した後に、鋭利な
刃物で切り込みを入れる方法、レーザー加工する方法、
フォトリソグラフィー法などにより転写用フィルムの一
部に金属膜の分断された部分を形成する（図８
（ｂ））。(B) After forming the second electrode 5, a method of making a cut with a sharp blade, a method of laser processing,
A part where the metal film is divided is formed in a part of the transfer film by a photolithography method or the like (FIG. 8).
(B)).
【００４４】（ｃ）次いで、金属膜の分断された部分を
形成した第二電極５上に、公知の方法で有機層４を形成
し、金属膜および有機層が積層された転写用フィルムを
得る。予め、支持基板１上に第一電極２を形成してお
き、この基板と転写用フィルムとを、支持基板１とベー
スフィルムとが外側になるように、すなわち第一電極２
と有機層４とが内側になるように貼り付ける（図８
（ｃ））。ここで、図８（ｃ）の１３は、支持基板１に
設けられたＴＦＴ素子である。(C) Next, an organic layer 4 is formed by a known method on the second electrode 5 on which the divided portion of the metal film is formed, and a transfer film in which the metal film and the organic layer are laminated is obtained. . The first electrode 2 is formed on the support substrate 1 in advance, and the substrate and the transfer film are placed such that the support substrate 1 and the base film are on the outside, ie, the first electrode 2
And the organic layer 4 is attached inside (FIG. 8
(C)). Here, reference numeral 13 in FIG. 8C denotes a TFT element provided on the support substrate 1.
【００４５】貼り付けのとき、転写法で形成したい金属
膜の位置と転写用のフィルムに形成された金属膜の位置
合わせをしておく必要がある。これらの位置がずれてい
ると所望の位置に転写が行われず、表示品位の低下を招
く。そのため、基板と転写用フィルムの位置合わせを行
う機構、例えば、位置合わせ用のマーカーを備えている
ことが好ましい。At the time of sticking, it is necessary to align the position of the metal film to be formed by the transfer method with the position of the metal film formed on the transfer film. If these positions are deviated, transfer is not performed at a desired position, resulting in a decrease in display quality. Therefore, it is preferable to provide a mechanism for aligning the substrate and the transfer film, for example, a marker for alignment.
【００４６】また、基板と転写用フィルムを貼り合わせ
る際には、基板と転写用フィルムとの間に気泡が残らな
いようにすることが好ましい。気泡が残ると転写が旨く
いかずに所望とするパターンおよび膜厚に転写が行われ
ないことがあるので、基板と転写用フィルムとの間の脱
気を行うのが好ましい。その方法としては、例えば、基
板と転写用フィルムとの間を真空ポンプで脱気する方
法、基板と貼り合わせた転写用フィルムにローラーを転
がす（圧縮する）方法、およびこれらを組み合わせる方
法が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではな
い。When bonding the substrate and the transfer film, it is preferable that no air bubbles remain between the substrate and the transfer film. If bubbles remain, the transfer may not be performed properly and the desired pattern and film thickness may not be transferred. Therefore, it is preferable to perform degassing between the substrate and the transfer film. Examples of the method include a method of degassing the space between the substrate and the transfer film with a vacuum pump, a method of rolling (compressing) a roller on the transfer film bonded to the substrate, and a method of combining these. However, the present invention is not particularly limited to these.
【００４７】（ｄ）続いて、転写用フィルム１２のベー
スフィルム側からレーザー光１５を照射して、転写用層
を転写する。転写方法は特に限定されるものではない
が、高精細な転写が可能であることから、転写はレーザ
ー光照射によって行われるのが好ましい（図８
（ｄ））。(D) Subsequently, a laser beam 15 is irradiated from the base film side of the transfer film 12 to transfer the transfer layer. Although the transfer method is not particularly limited, it is preferable that the transfer be performed by laser light irradiation since high-definition transfer is possible (FIG. 8).
(D)).
【００４８】転写用フィルムの転写用層は、レーザー光
１５が照射された部分だけが転写されるので、転写を行
う部分、すなわち、特に金属膜を形成すべき部分にのみ
にレーザー光１５を走査させるのが好ましい。レーザー
光は、出力の安定したものが好ましく、その種類として
は、例えば、ＹＡＧレーザー、半導体レーザーなどが挙
げられるが、特に限定されるものではない。また、レー
ザー光の波長も特に限定されるものではない。In the transfer layer of the transfer film, only the portion irradiated with the laser beam 15 is transferred, so that the laser beam 15 is scanned only on the portion to be transferred, in particular, only on the portion where the metal film is to be formed. It is preferred that The laser beam preferably has a stable output, and examples thereof include a YAG laser and a semiconductor laser, but are not particularly limited. Further, the wavelength of the laser beam is not particularly limited.
【００４９】レーザー光の出力は、特に限定されない
が、出力が高すぎる場合には、転写を行う必要のない部
分まで転写されたり、有機材料にダメージを与えてしま
うことがあるので好ましくない。また、出力が低すぎる
場合には、転写が不十分になり、斑に転写される可能性
があるので好ましくない。有機ＥＬ素子を形成する場合
には、通常、１〜５０Ｗ程度である。The output of the laser beam is not particularly limited. However, if the output is too high, it is not preferable because it may be transferred to a portion that does not need to be transferred or may damage the organic material. On the other hand, if the output is too low, the transfer becomes insufficient, and there is a possibility of being transferred to the spots, which is not preferable. When an organic EL element is formed, the power is usually about 1 to 50 W.
【００５０】（ｅ）次いで、転写用層を残して転写用フ
ィルムを剥離する。（図８（ｅ））。以上の転写工程
は、乾燥不活性ガス中で行うのが好ましい。(E) Next, the transfer film is peeled off leaving the transfer layer. (FIG. 8 (e)). The above transfer step is preferably performed in a dry inert gas.
【００５１】（ｆ）さらに支持基板１上の積層体部分の
全面に封止材６で封止し、有機ＥＬ素子を完成させる
（図８（ｆ））。(F) Further, the entire surface of the laminated body on the support substrate 1 is sealed with a sealing material 6 to complete the organic EL element (FIG. 8 (f)).
【００５２】図３は、本発明の転写用フィルムを用いて
転写法で形成した金属膜の概略平面図（ａ）および概略
断面図（ｂ）である。金属膜の表面や端面には、歪やバ
リ状の剥がれが生じていない。FIG. 3 is a schematic plan view (a) and a schematic cross-sectional view (b) of a metal film formed by a transfer method using the transfer film of the present invention. No distortion or burr-like peeling has occurred on the surface or end surface of the metal film.
【００５３】金属膜の形成と同時に金属膜の分断された
部分を形成する方法としては、例えば、予め転写用フィ
ルムの表面に所定間隔をおいて凹凸を形成しておき、形
成した凹凸の影により形成する方法が挙げられる。より
具体的には、フォトリソグラフィー法またはレーザー加
工などによりベースフィルム上に凹凸を形成しておく方
法などが挙げられるが、特に限定されるものではない。As a method of forming the divided portion of the metal film at the same time as the formation of the metal film, for example, irregularities are formed at predetermined intervals on the surface of the transfer film, and a shadow of the formed irregularities is formed. Forming method. More specifically, a method of forming irregularities on the base film by a photolithography method or a laser processing is exemplified, but the method is not particularly limited.
【００５４】次に、金属膜の分断された部分を金属膜の
形成と同時に形成する方法について説明する。具体的に
は、金属膜を含む転写用層を形成する前の転写用フィル
ム、すなわちベースフィルム自体、さらに光−熱変換
層、任意に剥離層を積層形成した転写用フィルムに、所
定間隔をおいて凹凸を予め形成する。Next, a method for forming the divided portion of the metal film simultaneously with the formation of the metal film will be described. Specifically, the transfer film before forming the transfer layer including the metal film, that is, the base film itself, the light-to-heat conversion layer, and the transfer film on which the release layer is optionally laminated is formed at predetermined intervals. And unevenness is formed in advance.
【００５５】凹凸の形成方法としては、例えば、フォト
リソグラフィー法、レーザー光を用いてベースフィルム
に凹凸を直接形成する方法などが挙げられるが、特に限
定されるものではない。凹凸の段差（高さ）、分断幅お
よびその形状は、例えば、蒸着法で金属膜を形成すると
きに陰になり、金属膜が成膜されないような高さ、幅お
よび形状であればよく、特に限定されるものではない。Examples of the method of forming the irregularities include a photolithography method and a method of directly forming the irregularities on the base film using a laser beam, but are not particularly limited. The step (height) of the unevenness, the division width, and the shape thereof may be, for example, a height, a width, and a shape that become negative when a metal film is formed by an evaporation method and a metal film is not formed. There is no particular limitation.
【００５６】また、凸部の幅は、画素の幅と同じまたは
少し広い方が好ましく、凹部の幅は、画素のピッチ幅よ
りも狭い方が好ましい。これは、凸部に形成した金属膜
を転写する方が基板と転写用フィルムとの密着性が高く
なるからである。また、絶縁膜を設ける場合には、転写
を行いたい金属膜面が絶縁膜よりも凹面にあることが多
いため、転写用フィルムの凸面に形成した金属膜を転写
した方が、密着性が高くなり、転写不良によるリークが
起こりにくいからである。The width of the projection is preferably equal to or slightly larger than the width of the pixel, and the width of the depression is preferably smaller than the pitch width of the pixels. This is because the transfer of the metal film formed on the projections increases the adhesion between the substrate and the transfer film. When an insulating film is provided, the metal film surface to be transferred is often more concave than the insulating film. Therefore, transferring the metal film formed on the convex surface of the transfer film has higher adhesion. This is because leakage due to transfer failure is unlikely to occur.
【００５７】続いて、凹凸を形成した転写用フィルムに
金属膜を形成する。金属膜の形成方法としては、前記の
方法が挙げられるが、特に限定されるものではない。こ
のようにして得られた転写用フィルムを用いて、転写法
で所望の積層体を形成する。この方法は図８（ｃ）〜
（ｆ）に準ずる。Subsequently, a metal film is formed on the transfer film having the irregularities. Examples of the method for forming the metal film include the methods described above, but are not particularly limited. Using the transfer film thus obtained, a desired laminate is formed by a transfer method. This method is shown in FIGS.
According to (f).
【００５８】[0058]
【実施例】本発明を実施例および比較例に基づいてさら
に具体的に説明するが、これらの実施例により本発明が
限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited by these examples.
【００５９】実施例１ 転写用フィルムを公知の方法にて作成した。まず、ベー
スフィルムとしての膜厚０．１ｍｍのポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、光−熱変換層とし
てカーボンブラックを分散させたエポキシ樹脂を５μｍ
成膜した。続いて、その上に剥離層としてポリαメチル
スチレン膜を１μｍ成膜して、転写用フィルムを得た。
このとき、転写用フィルムの表面は、平坦で凹凸はなか
った。Example 1 A transfer film was prepared by a known method. First, an epoxy resin in which carbon black is dispersed as a light-to-heat conversion layer is 5 μm thick on a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 0.1 mm as a base film.
A film was formed. Subsequently, a 1 μm-thick poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a release layer to obtain a transfer film.
At this time, the surface of the transfer film was flat and had no irregularities.
【００６０】続いて、得られた転写用フィルムを真空蒸
着装置に設置し、剥離層上に蒸着法で電極としてＡｌを
５００ｎｍ成膜した。転写用フィルムを真空蒸着装置か
ら取り出し、Ａｌ膜の幅が２ｍｍ、分断幅が０．５ｍ
ｍ、深さが１０μｍ程度になるようにＡｌ膜にストライ
プ状の金属膜の分断された部分を鋭利な刃物により形成
した。Ａｌ膜の抵抗を測定することにより金属膜の分断
された部分が所定の分断幅で形成されていることを確認
した。Subsequently, the transfer film thus obtained was set in a vacuum evaporation apparatus, and 500 nm of Al was formed as an electrode on the release layer by an evaporation method. The transfer film is taken out of the vacuum deposition apparatus, and the width of the Al film is 2 mm and the division width is 0.5 m.
The stripped metal film was formed on the Al film with a sharp blade so as to have a depth of about 10 μm. By measuring the resistance of the Al film, it was confirmed that the divided portion of the metal film was formed with a predetermined division width.
【００６１】得られた転写用フィルムのＡｌ膜上に、ス
ピンコート法で発光層としてポリフルオレン誘導体を５
０ｎｍ成膜した。続いて、スピンコート法でホール注入
層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を１００ｎｍ成膜した。On the Al film of the transfer film thus obtained, a polyfluorene derivative was used as a light-emitting layer by spin coating.
0 nm was formed. Subsequently, a PEDOT / PSS layer having a thickness of 100 nm was formed as a hole injection layer by spin coating.
【００６２】一方、ガラス基板上に幅２．１ｍｍのＩＴ
Ｏ透明電極をストライプ状にパターニングした透明基板
に、スパッタ法で絶縁膜としてＳｉＯ2を３００ｎｍ成
膜した。続いて、フォトリソグラフィー法でＩＴＯ透明
電極の外周部分（幅０．１ｍｍ）だけがＳｉＯ2で被覆
されるようにエッチングを行った。On the other hand, a 2.1 mm wide IT
On a transparent substrate on which an O transparent electrode was patterned in a stripe shape, 300 nm of SiO 2 was formed as an insulating film by a sputtering method. Subsequently, etching was performed by photolithography so that only the outer peripheral portion (width 0.1 mm) of the ITO transparent electrode was covered with SiO 2 .
【００６３】次いで、ＩＴＯ透明電極の長手方向とＡｌ
膜の金属膜の分断された部分の長手方向が直交するよう
に、かつガラス基板とＰＥＴフィルムとが外側になるよ
うに、透明基板と転写用フィルムとを貼り合わせた。続
いて、転写用フィルム上をローラーで圧縮して、透明基
板と転写用フィルムとの間の脱気を行った。その後、転
写のためのレーザー光（ＹＡＧレーザー、以下同様）を
Ａｌ膜の金属膜の分断された部分の長手方向と平行に転
写用フィルム上から照射した。レーザー光のパワーは１
６Ｗであった。Next, the longitudinal direction of the ITO transparent electrode and Al
The transparent substrate and the transfer film were bonded so that the longitudinal directions of the divided portions of the metal film of the film were orthogonal to each other, and the glass substrate and the PET film were outside. Subsequently, the transfer film was compressed with a roller to perform degassing between the transparent substrate and the transfer film. Thereafter, a laser beam for transfer (YAG laser, the same applies hereinafter) was applied from above the transfer film in parallel with the longitudinal direction of the divided portion of the Al film metal film. The power of the laser light is 1
6W.
【００６４】レーザー光を照射した後、ホール注入層と
発光層からなる有機層および金属膜を残して転写用フィ
ルムを剥離した。このとき、形成した金属膜の分断され
た部分に沿ってＡｌが剥離し、Ａｌ膜の縁には凹凸は観
察されなかった。また、表面段差計でＡｌの表面を観察
したところ、図１に示されるような端面の歪（凹凸）は
観察されなかった。After the irradiation with the laser beam, the transfer film was peeled off, leaving the organic layer consisting of the hole injection layer and the light emitting layer and the metal film. At this time, Al was peeled off along the divided portions of the formed metal film, and no irregularities were observed on the edge of the Al film. Further, when the surface of Al was observed with a surface step meter, distortion (irregularities) of the end face as shown in FIG. 1 was not observed.
【００６５】最後にＡｌ膜を含む全面を封止材用ガラス
で封止して、有機ＥＬ素子を完成させた。完成した有機
ＥＬ素子に、ＩＴＯ透明電極がプラス、Ａｌ膜がマイナ
スとなるように電圧を印加したところ、透明基板側から
発光が得られた。このとき、リークによる発光は全くな
かった。Finally, the entire surface including the Al film was sealed with glass for a sealing material to complete an organic EL device. When a voltage was applied to the completed organic EL device so that the ITO transparent electrode was positive and the Al film was negative, light was emitted from the transparent substrate side. At this time, there was no light emission due to the leak.
【００６６】比較例１ 転写用フィルム上のＡｌ膜に金属膜の分断された部分を
形成しないこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ
素子を完成させた。この素子では、レーザー光を照射し
た後に転写用フィルムを剥離したところ、転写が行えて
いない部分があった。また、転写が行えている部分で
は、Ａｌ膜の縁に凹凸が観察され、Ａｌ膜自体に凹凸が
生じていた。実施例１と同様にして、この有機ＥＬ素子
を駆動させたところリークによる発光が多数観察され
た。COMPARATIVE EXAMPLE 1 An organic EL was prepared in the same manner as in Example 1 except that the Al film on the transfer film was not formed with a divided portion of the metal film.
The device was completed. In this device, when the transfer film was peeled off after irradiation with the laser beam, there were portions where transfer was not performed. In addition, in the portion where the transfer was performed, irregularities were observed at the edge of the Al film, and irregularities occurred in the Al film itself. When this organic EL device was driven in the same manner as in Example 1, a large number of light emissions due to leakage were observed.
【００６７】実施例２ 剥離層の成膜までは実施例１と同様にして転写用フィル
ムを作成した。得られた転写用フィルムの剥離層上に蒸
着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ成膜した。さらに電
極としてＣａを１００ｎｍ成膜した。続いて、Ｃａ膜上
に蒸着法で電子輸送性発光層として８−ヒドロキシキノ
リン（Ａｌｑ3）を４０ｎｍ、ホール輸送層としてＮＰ
Ｄを６０ｎｍ成膜した。Example 2 A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 until the release layer was formed. Al was deposited to a thickness of 500 nm as an electrode on the release layer of the transfer film obtained by an evaporation method. Further, a film of Ca was formed to a thickness of 100 nm as an electrode. Subsequently, 8-hydroxyquinoline (Alq 3 ) was used as an electron transporting light emitting layer at a thickness of 40 nm on the Ca film by an evaporation method, and NP was used as a hole transporting layer.
D was deposited to a thickness of 60 nm.
【００６８】金属膜および電子輸送性発光層とホール輸
送層からなる有機層を蒸着した転写用フィルムを窒素雰
囲気中で、有機層の上から幅が２ｍｍ、分断幅が０．５
ｍｍ、深さが１０μｍ程度になるようにストライプ状の
金属膜の分断された部分を鋭利な刃物により形成した。
金属膜の抵抗を測定することにより金属膜の分断された
部分が所定の幅で形成されていることを確認した。A transfer film on which a metal film and an organic layer composed of an electron transporting light emitting layer and a hole transporting layer are deposited is placed in a nitrogen atmosphere at a width of 2 mm and a cutting width of 0.5 mm from above the organic layer.
A divided portion of the striped metal film was formed with a sharp blade so that the depth of the metal film was about 10 mm.
By measuring the resistance of the metal film, it was confirmed that the divided portion of the metal film was formed with a predetermined width.
【００６９】実施例１と同様にして透明基板を得た。次
いで、ＩＴＯ透明電極の長手方向とＡｌ膜の金属膜の分
断された部分の長手方向が直交するように、かつガラス
基板とＰＥＴフィルムとが外側になるように、透明基板
と転写用フィルムとを貼り合わせた。続いて、転写用フ
ィルム上をローラーで圧縮して、透明基板と転写用フィ
ルムとの間の脱気を行った。その後、転写のためのレー
ザー光をＡｌ膜の金属膜の分断された部分の長手方向と
平行に転写用フィルム上から照射した。レーザー光のパ
ワーは１６Ｗであった。A transparent substrate was obtained in the same manner as in Example 1. Next, the transparent substrate and the transfer film are placed such that the longitudinal direction of the ITO transparent electrode and the longitudinal direction of the divided portion of the metal film of the Al film are orthogonal to each other, and the glass substrate and the PET film are outside. Stuck together. Subsequently, the transfer film was compressed with a roller to perform degassing between the transparent substrate and the transfer film. Thereafter, a laser beam for transfer was applied from above the transfer film in parallel with the longitudinal direction of the divided portion of the Al film metal film. The power of the laser light was 16W.
【００７０】レーザー光を照射した後、電子輸送性発光
層とホール輸送層からなる有機層および金属膜を残して
転写用フィルムを剥離した。最後に金属膜を含む全面を
封止材用ガラスで封止して、有機ＥＬ素子を完成させ
た。完成した有機ＥＬ素子に、ＩＴＯ透明電極がプラ
ス、Ａｌ膜がマイナスとなるように電圧を印加したとこ
ろ、透明基板側から発光が得られた。After the irradiation with the laser beam, the transfer film was peeled off, leaving the organic layer composed of the electron transporting light emitting layer and the hole transporting layer, and the metal film. Finally, the entire surface including the metal film was sealed with a sealing material glass to complete the organic EL device. When a voltage was applied to the completed organic EL device so that the ITO transparent electrode was positive and the Al film was negative, light was emitted from the transparent substrate side.
【００７１】実施例３（ｄｕｔｙ駆動によるフルカラー
ディスプレイの製造） 剥離層の成膜までは実施例１と同様にして転写用フィル
ムを作成し、緑色、赤色および青色の発光層形成用転写
用フィルムをそれぞれ作成した。転写用フィルムの剥離
層上に、蒸着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ成膜し
た。さらに電極としてＣａを１００ｎｍ成膜した。続い
て、Ｃａ膜上に蒸着法で、電子輸送層としてＡｌｑ3を
２０ｎｍ、緑色発光層としてＡｌｑ3にキナクリドン誘
導体を０．５％ドープした層を４０ｎｍ、さらにホール
輸送層としてＮＰＤを６０ｎｍ成膜した。金属膜および
有機層を蒸着した緑色発光層形成用転写用フィルムを窒
素雰囲気中で、有機層の上から幅が２ｍｍ、分断幅が
０．５ｍｍ、深さが１０μｍ程度になるようにストライ
プ状の金属膜の分断された部分をレーザー分断により形
成した。Example 3 (Manufacture of a full-color display by duty driving) A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 until the release layer was formed, and green, red and blue light-emitting layer transfer films were formed. Created each. On the release layer of the transfer film, 500 nm of Al was formed as an electrode by an evaporation method. Further, a film of Ca was formed to a thickness of 100 nm as an electrode. Subsequently, 20 nm of Alq 3 as an electron transport layer, 40 nm of a layer in which Alq 3 was doped with 0.5% of a quinacridone derivative as a green light emitting layer, and 60 nm of NPD as a hole transport layer were formed on the Ca film by an evaporation method. did. The transfer film for forming a green light emitting layer on which a metal film and an organic layer are deposited is striped in a nitrogen atmosphere in such a manner that the width of the organic layer is 2 mm, the width of the cut is 0.5 mm, and the depth is about 10 μm. The divided part of the metal film was formed by laser division.
【００７２】また、別の転写用フィルムの剥離層上に、
蒸着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ成膜した。転写用
フィルムを真空蒸着装置から取り出し、得られた転写用
フィルムのＡｌ膜上に、窒素雰囲気中、スピンコート法
で赤色発光材料としてフルオレン誘導体を６０ｎｍ成膜
した。金属膜および有機層を蒸着した赤色発光層形成用
転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有機層の上から幅が
３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さが１０μｍ程度に
なるようにストライプ状の金属膜の分断された部分をレ
ーザー分断により形成した。Further, on the release layer of another transfer film,
Al was deposited to a thickness of 500 nm as an electrode by a vapor deposition method. The transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and a fluorene derivative as a red light-emitting material was formed to a thickness of 60 nm on the Al film of the obtained transfer film by a spin coat method in a nitrogen atmosphere. In a nitrogen atmosphere, a transfer film for forming a red light-emitting layer on which a metal film and an organic layer are deposited is striped so that the width from the top of the organic layer is 30 μm, the division width is 0.5 mm, and the depth is about 10 μm. The divided part of the metal film was formed by laser division.
【００７３】さらに、別の転写用フィルムの剥離層上
に、蒸着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ成膜した。転
写用フィルムを真空蒸着装置から取り出し、得られた転
写用フィルムのＡｌ膜上に、窒素雰囲気中、スピンコー
ト法で青色発光材料としてフルオレン誘導体を６０ｎｍ
成膜した。金属膜および有機層を蒸着した青色発光層形
成用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有機層の上から
幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さが１０μｍ程
度になるようにストライプ状の金属膜の分断された部分
をレーザー分断により形成した。Further, Al was formed as an electrode to a thickness of 500 nm on the release layer of another transfer film by an evaporation method. The transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and a fluorene derivative was applied as a blue light emitting material to a thickness of 60 nm on the Al film of the obtained transfer film by spin coating in a nitrogen atmosphere.
A film was formed. In a nitrogen atmosphere, a transfer film for forming a blue light emitting layer on which a metal film and an organic layer are deposited is striped so as to have a width of 30 μm, a cut width of 0.5 mm, and a depth of about 10 μm from above the organic layer. The divided part of the metal film was formed by laser division.
【００７４】一方、実施例１と同様にしてＩＴＯ透明電
極および絶縁膜を形成した透明基板上に、スピンコート
法でホール注入層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを１００ｎ
ｍ成膜した。続いて、まず緑色発光層を形成するために
緑色発光層形成用転写用フィルムをＩＴＯ透明電極の長
手方向と形成した金属膜の分断された部分の長手方向と
が直交するように、かつガラス基板とＰＥＴフィルムと
が外側になるように、透明基板と転写用フィルムとを貼
り合わせ、実施例１と同様にして、緑色発光層を含む有
機層と金属膜を転写した。このときの有機層の転写幅は
３０μｍ、ピッチは１００μｍであった。On the other hand, on a transparent substrate on which an ITO transparent electrode and an insulating film were formed in the same manner as in Example 1, 100 nm of PEDOT / PSS was used as a hole injection layer by spin coating.
m was formed. Subsequently, a transfer film for forming a green light emitting layer was formed on the glass substrate such that the longitudinal direction of the ITO transparent electrode was perpendicular to the longitudinal direction of the divided portion of the formed metal film to form the green light emitting layer. The transparent substrate and the transfer film were bonded so that the PET film and the PET film were on the outside, and the organic layer including the green light emitting layer and the metal film were transferred in the same manner as in Example 1. At this time, the transfer width of the organic layer was 30 μm, and the pitch was 100 μm.
【００７５】緑色発光層と同様にして、赤色発光層形成
用転写用フィルムおよび緑色発光層形成用転写用フィル
ムをそれぞれ用いて、各色の発光層が重ならないように
転写した。それぞれの有機層の転写幅は３０μｍ、ピッ
チは１００μｍであった。これにより、ＩＴＯ透明電極
と垂直方向にストライプ状のＲＧＢの画素（有機ＥＬ素
子）が得られた。In the same manner as in the green light-emitting layer, a transfer film for forming a red light-emitting layer and a transfer film for forming a green light-emitting layer were respectively transferred so that the light-emitting layers of each color did not overlap. The transfer width of each organic layer was 30 μm, and the pitch was 100 μm. As a result, RGB pixels (organic EL elements) having a stripe shape in a direction perpendicular to the ITO transparent electrode were obtained.
【００７６】さらに乾燥窒素雰囲気中で封止材を行い、
有機ＥＬディスプレイを得た。作製した有機ＥＬディス
プレイにおいて、駆動用電源と信号を入力したところ動
画表示が可能なフルカラーディスプレイであることが確
認できた。Further, a sealing material is performed in a dry nitrogen atmosphere,
An organic EL display was obtained. When a driving power supply and a signal were input to the manufactured organic EL display, it was confirmed that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００７７】実施例４ 剥離層の成膜までは実施例１と同様にして転写用フィル
ムを作成した。得られた転写用フィルムの剥離層上に蒸
着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ成膜した。転写用フ
ィルムを真空蒸着装置から取り出し、Ａｌ膜の幅が２０
０μｍ、分断幅が１００μｍ、深さが１０μｍ程度にな
るようにＡｌ膜にストライプ状の金属膜の分断された部
分をレーザー分断により形成した。Example 4 A transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 until the release layer was formed. Al was deposited to a thickness of 500 nm as an electrode on the release layer of the transfer film obtained by an evaporation method. The transfer film is taken out of the vacuum evaporation apparatus and the width of the Al film is 20
The divided portions of the striped metal film were formed on the Al film by laser cutting so that the cut length was about 0 µm, the cut width was about 100 µm, and the depth was about 10 µm.
【００７８】実施例１と同様にして透明基板を得た。次
いで、ＩＴＯ透明電極の長手方向とＡｌ膜の金属膜の分
断された部分の長手方向が平行になるように、かつガラ
ス基板とＰＥＴフィルムとが外側になるように、透明基
板と転写用フィルムとを貼り合わせた。このとき、Ａｌ
膜がＩＴＯ透明電極の外周部分にくるようにした。続い
て、透明基板と転写用フィルムとの間を脱気しながら、
転写用フィルム上をローラーで圧縮して、透明基板と転
写用フィルムとの間の脱気を行った。その後、転写のた
めのレーザー光を転写用フィルム上から照射した。この
とき、ＩＴＯ透明電極の外周部分に沿ったＡｌ膜の部分
のみにレーザー光を照射して、その照射部分（ＩＴＯ透
明電極の外周部分）のみにＡｌ膜が転写されるようにし
た。これによりＩＴＯ透明電極の長手方向に沿った補助
電極が形成できた。A transparent substrate was obtained in the same manner as in Example 1. Next, the transparent substrate and the transfer film are so formed that the longitudinal direction of the ITO transparent electrode and the longitudinal direction of the divided portion of the metal film of the Al film are parallel and the glass substrate and the PET film are outside. Were pasted together. At this time, Al
The film was placed on the outer periphery of the ITO transparent electrode. Then, while degassing between the transparent substrate and the transfer film,
The transfer film was compressed with a roller to perform degassing between the transparent substrate and the transfer film. Thereafter, a laser beam for transfer was irradiated from above the transfer film. At this time, the laser beam was irradiated only to the portion of the Al film along the outer peripheral portion of the ITO transparent electrode, and the Al film was transferred only to the irradiated portion (the outer peripheral portion of the ITO transparent electrode). Thereby, an auxiliary electrode was formed along the longitudinal direction of the ITO transparent electrode.
【００７９】補助電極を形成したＩＴＯ透明電極付き基
板を真空蒸着装置に設置し、ホール注入層としてＣｕＰ
ｃを２０ｎｍ、ホール輸送層としてＮＰＤを４０ｎｍ、
発光層としてＡｌｑ3を６０ｎｍ、さらに電極としてＬ
ｉＦを基板全体にを０．９ｎｍ蒸着した後に、ＩＴＯ透
明電極の長手方向と直交するようにＡｌを、メタルマス
クを用いて蒸着した。Ａｌ蒸着後に真空蒸着装置から基
板を取り出し、窒素雰囲気中で封止材を行い、有機ＥＬ
ディスプレイが得られた。作製した有機ＥＬディスプレ
イにおいて、駆動用電源と信号を入力したところ動画表
示が可能であることが確認できた。A substrate with an ITO transparent electrode on which an auxiliary electrode was formed was set in a vacuum evaporation apparatus, and CuP was used as a hole injection layer.
c is 20 nm, NPD is 40 nm as a hole transport layer,
60 nm of Alq 3 as a light emitting layer and L as an electrode
After evaporating 0.9 nm of iF over the entire substrate, Al was evaporated using a metal mask so as to be orthogonal to the longitudinal direction of the ITO transparent electrode. After the Al deposition, the substrate is taken out of the vacuum deposition apparatus, and a sealing material is applied in a nitrogen atmosphere.
The display was obtained. In the manufactured organic EL display, when a driving power supply and a signal were input, it was confirmed that moving image display was possible.
【００８０】実施例５ 剥離層の成膜までは実施例１と同様にして転写用フィル
ムを作成し、緑色、赤色および青色の発光層形成用転写
用フィルムをそれぞれ作成した。まず、転写用フィルム
を真空蒸着装置に設置し、その剥離層上にＩＴＯ透明電
極を５００ｎｍ成膜した。続いて、ＩＴＯ透明電極上
に、ホール輸送層としてＮＰＤを６０ｎｍ、緑色発光層
としてＡｌｑ3にキナクリドン誘導体を０．５％ドープ
した層を４０ｎｍ、電子輸送層としてＡｌｑ3を２０ｎ
ｍ蒸着した。ＩＴＯ透明電極および有機層を蒸着した緑
色発光層形成用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有機
層の上から幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さが
１０μｍ程度になるようにストライプ状の金属膜の分断
された部分をレーザー分断により形成した。Example 5 Transfer films were formed in the same manner as in Example 1 until the release layer was formed, and green, red and blue light-emitting layer transfer films were formed. First, the transfer film was set in a vacuum evaporation apparatus, and a 500 nm ITO transparent electrode was formed on the release layer. Subsequently, on the ITO transparent electrode, 60 nm of NPD as a hole transport layer, 40 nm of a layer in which Alq 3 was doped with 0.5% of a quinacridone derivative as a green light emitting layer, and 20 n of Alq 3 as an electron transport layer were used.
m was deposited. A transfer film for forming a green light-emitting layer, on which an ITO transparent electrode and an organic layer are deposited, is striped in a nitrogen atmosphere in such a manner that the width is 30 μm, the division width is 0.5 mm, and the depth is about 10 μm from above the organic layer. Of the metal film was formed by laser cutting.
【００８１】また、別の転写用フィルムを真空蒸着装置
に設置し、その剥離層上にＩＴＯ透明電極を５００ｎｍ
成膜した。続いて、転写用フィルムを真空蒸着装置から
取り出し、ＩＴＯ透明電極上に、窒素雰囲気中、スピン
コート法でホール注入層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを６
０ｎｍ、赤色発光材料としてフルオレン誘導体を６０ｎ
ｍ成膜した。ＩＴＯ透明電極および有機層を蒸着した赤
色発光層形成用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有機
層の上から幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さが
１０μｍ程度になるようにストライプ状の金属膜の分断
された部分をレーザー分断により形成した。Further, another transfer film was set in a vacuum evaporation apparatus, and an ITO transparent electrode was
A film was formed. Subsequently, the transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and PEDOT / PSS was formed as a hole injection layer on the ITO transparent electrode by spin coating in a nitrogen atmosphere.
0 nm, 60 n of a fluorene derivative as a red light emitting material
m was formed. A transfer film for forming a red light-emitting layer, on which an ITO transparent electrode and an organic layer are deposited, is striped in a nitrogen atmosphere so that the width is 30 μm, the division width is 0.5 mm, and the depth is about 10 μm from the organic layer. Of the metal film was formed by laser cutting.
【００８２】さらに、別の転写用フィルムを真空蒸着装
置に設置し、その剥離層上にＩＴＯ透明電極を５００ｎ
ｍ成膜した。続いて、転写用フィルムを真空蒸着装置か
ら取り出し、ＩＴＯ透明電極上に、窒素雰囲気中、スピ
ンコート法でホール注入層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを
６０ｎｍ、青色発光材料としてフルオレン誘導体を６０
ｎｍ成膜した。ＩＴＯ透明電極および有機層を蒸着した
青色発光層形成用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有
機層の上から幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さ
が１０μｍ程度になるようにストライプ状の金属膜の分
断された部分をレーザー分断により形成した。Further, another transfer film was set in a vacuum evaporation apparatus, and an ITO transparent electrode was
m was formed. Subsequently, the transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and PEDOT / PSS was used as a hole injection layer at a thickness of 60 nm and a fluorene derivative was used as a blue light emitting material on a transparent ITO electrode in a nitrogen atmosphere by spin coating.
nm. A transfer film for forming a blue light emitting layer on which an ITO transparent electrode and an organic layer are deposited is striped in a nitrogen atmosphere in such a manner that a width of 30 μm, a division width of 0.5 mm, and a depth of about 10 μm from above the organic layer. Of the metal film was formed by laser cutting.
【００８３】一方、セラミック基板上に、マスク蒸着法
でストライプ状にＡｌを１００ｎｍ、ＬｉＦを０．９ｎ
ｍ形成した。続いて、まず緑色発光層を形成するために
緑色発光層形成用転写用フィルムをＡｌ膜の長手方向と
ＩＴＯ透明電極の金属膜の分断された部分の長手方向が
直交するように、かつセラミック基板とＰＥＴフィルム
とが外側になるように、セラミック基板と転写用フィル
ムとを貼り合わせ、実施例１と同様にして、緑色発光層
を含む有機層とＩＴＯ透明電極を転写した。このときの
有機層の転写幅は３０μｍ、ピッチは１００μｍであっ
た。On the other hand, 100 nm of Al and 0.9 n of LiF were striped on a ceramic substrate by mask evaporation.
m was formed. Next, first, in order to form a green light emitting layer, the transfer film for forming a green light emitting layer was formed such that the longitudinal direction of the Al film was perpendicular to the longitudinal direction of the divided portion of the metal film of the ITO transparent electrode, and the ceramic substrate was The ceramic substrate and the transfer film were bonded together such that the PET film and the PET film were outside, and the organic layer including the green light emitting layer and the ITO transparent electrode were transferred in the same manner as in Example 1. At this time, the transfer width of the organic layer was 30 μm, and the pitch was 100 μm.
【００８４】緑色発光層と同様にして、赤色発光層形成
用転写用フィルムおよび緑色発光層形成用転写用フィル
ムをそれぞれ用いて、各色の発光層が重ならないように
転写した。それぞれの有機層の転写幅は３０μｍ、ピッ
チは１００μｍであった。これにより、Ａｌ膜と垂直方
向にストライプ状のＲＧＢの画素（有機ＥＬ素子）が得
られた。In the same manner as in the green light-emitting layer, a transfer film for forming a red light-emitting layer and a transfer film for forming a green light-emitting layer were respectively transferred so that the light-emitting layers of each color did not overlap. The transfer width of each organic layer was 30 μm, and the pitch was 100 μm. As a result, RGB pixels (organic EL elements) having a stripe shape in a direction perpendicular to the Al film were obtained.
【００８５】さらに乾燥窒素雰囲気中で封止材を行い、
有機ＥＬディスプレイが得られた。作製した有機ＥＬデ
ィスプレイにおいて、駆動用電源と信号を入力したとこ
ろ動画表示が可能なフルカラーディスプレイであること
が確認できた。Further, the sealing material is performed in a dry nitrogen atmosphere,
An organic EL display was obtained. When a driving power supply and a signal were input to the manufactured organic EL display, it was confirmed that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００８６】実施例６ 実施例３と同様にして、赤色発光層形成用転写用フィル
ム、緑色発光層形成用転写用フィルム、青色発光層形成
用転写用フィルムを作製した。一方、ＴＦＴ付きのＩＴ
Ｏ透明基板にＩＴＯ透明電極の外周部分（幅０．１ｍ
ｍ）を覆うようにフォトリソグラフィー法で絶縁膜（Ｓ
ｉＯ2）を形成した。このときの絶縁膜は、３００ｎｍ
であった。この基板に実施例２と同様にして、緑色発光
層（Ｒ）、緑色発光層（Ｇ）、青色発光層（Ｂ）を形成
した。続いて、転写を行った基板を真空蒸着装置に設置
して、さらに全面にＡｌを５００ｎｍ蒸着した。最後に
窒素雰囲気中で封止材を行い、有機ＥＬディスプレイを
得た。作製した有機ＥＬディスプレイにおいて、駆動用
電源と信号を入力したところ動画表示が可能なフルカラ
ーディスプレイであることが確認できた。Example 6 In the same manner as in Example 3, a transfer film for forming a red light emitting layer, a transfer film for forming a green light emitting layer, and a transfer film for forming a blue light emitting layer were produced. On the other hand, IT with TFT
O transparent substrate on the outer periphery of ITO transparent electrode (width 0.1m
m) to cover the insulating film (S) by photolithography.
iO 2 ) was formed. At this time, the insulating film has a thickness of 300 nm.
Met. A green light emitting layer (R), a green light emitting layer (G), and a blue light emitting layer (B) were formed on this substrate in the same manner as in Example 2. Subsequently, the transferred substrate was placed in a vacuum evaporation apparatus, and Al was further evaporated to a thickness of 500 nm on the entire surface. Finally, a sealing material was applied in a nitrogen atmosphere to obtain an organic EL display. When a driving power supply and a signal were input to the manufactured organic EL display, it was confirmed that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００８７】実施例７ 実施例５と同様にして、赤色発光層形成用転写用フィル
ム、緑色発光層形成用転写用フィルム、青色発光層形成
用転写用フィルムを作製した。一方、ＴＦＴ付きのセラ
ミック基板上に所定の形状（ストライプ配列）にＡｌを
成膜した。この基板に、実施例５と同様ににして、緑色
発光層（Ｒ）、緑色発光層（Ｇ）、青色発光層（Ｂ）を
形成した。転写終了後に窒素雰囲気中で封止材を行い、
有機ＥＬディスプレイを得た。作製した有機ＥＬディス
プレイにおいて、駆動用電源と信号を入力したところ、
転写したＩＴＯ透明電極側から発光が観察され、動画表
示が可能なフルカラーディスプレイであることが確認で
きた。Example 7 In the same manner as in Example 5, a transfer film for forming a red light emitting layer, a transfer film for forming a green light emitting layer, and a transfer film for forming a blue light emitting layer were produced. On the other hand, Al was formed in a predetermined shape (stripe arrangement) on a ceramic substrate with a TFT. On this substrate, a green light emitting layer (R), a green light emitting layer (G), and a blue light emitting layer (B) were formed in the same manner as in Example 5. After the transfer is completed, perform a sealing material in a nitrogen atmosphere,
An organic EL display was obtained. When a driving power supply and a signal were input to the manufactured organic EL display,
Light emission was observed from the side of the transferred ITO transparent electrode, confirming that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００８８】実施例８ 剥離層の成膜までは実施例１と同様にして転写用フィル
ムを作成し、緑色、赤色および青色の発光層形成用転写
用フィルムをそれぞれ作成した。まず、転写用フィルム
の剥離層上にスピンコート法でホール注入層としてＰＥ
ＤＯＴ／ＰＳＳを１μｍ成膜した。続いて、転写用フィ
ルムを真空蒸着装置に設置して、蒸着法で電極としてＡ
ｌを５００ｎｍ成膜した。さらに電極としてＣａを１０
０ｎｍ成膜した。続いて、Ｃａ膜上に蒸着法で、電子輸
送性発光層としてＡｌｑ3を２０ｎｍ、緑色発光層とし
てＡｌｑ3にキナクリドン誘導体を０．５％ドープした
層を４０ｎｍ、ホール輸送層としてＮＰＤを６０ｎｍ成
膜した。金属膜および有機層を蒸着した緑色発光層形成
用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、有機層の上から幅
が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深さが１０μｍ程度
になるようにストライプ状の金属膜の分断された部分を
レーザー分断により形成した。Example 8 Transfer films were formed in the same manner as in Example 1 up to the formation of the release layer, and green, red and blue light-emitting layer transfer films were formed. First, PE was used as a hole injection layer on the release layer of the transfer film by spin coating.
DOT / PSS was formed to a thickness of 1 μm. Subsequently, the transfer film was set in a vacuum evaporation apparatus, and A was used as an electrode by an evaporation method.
1 was formed to a thickness of 500 nm. Further, as an electrode, 10
0 nm was formed. Subsequently, 20 nm of Alq 3 as an electron transporting light emitting layer, 40 nm of a layer obtained by doping Alq 3 with 0.5% quinacridone derivative as a green light emitting layer, and 60 nm of NPD as a hole transporting layer were formed on the Ca film by an evaporation method. Filmed. The transfer film for forming a green light emitting layer, on which a metal film and an organic layer are deposited, is striped in a nitrogen atmosphere in such a manner that the width is 30 μm from above the organic layer, the division width is 0.5 mm, and the depth is about 10 μm. The divided part of the metal film was formed by laser division.
【００８９】また、別の転写用フィルムの剥離層上にス
ピンコート法でホール注入層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ
を１μｍ成膜した。続いて、転写用フィルムを真空蒸着
装置に設置して、蒸着法で電極としてＡｌを５００ｎｍ
成膜した。転写用フィルムを真空蒸着装置から取り出
し、得られた転写用フィルムのＡｌ膜上に、窒素雰囲気
中、スピンコート法で赤色発光材料としてフルオレン誘
導体を６０ｎｍ成膜した。金属膜および有機層を蒸着し
た赤色発光層形成用転写用フィルムを窒素雰囲気中で、
有機層の上から幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍｍ、深
さが１０μｍ程度になるようにストライプ状の金属膜の
分断された部分をレーザー分断により形成した。Further, PEDOT / PSS was formed as a hole injection layer on the release layer of another transfer film by spin coating.
Was formed into a film having a thickness of 1 μm. Subsequently, the transfer film was set in a vacuum evaporation apparatus, and Al was deposited to 500 nm as an electrode by an evaporation method.
A film was formed. The transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and a fluorene derivative as a red light-emitting material was formed to a thickness of 60 nm on the Al film of the obtained transfer film by a spin coat method in a nitrogen atmosphere. In a nitrogen atmosphere, a transfer film for forming a red light emitting layer on which a metal film and an organic layer are deposited,
The divided portion of the striped metal film was formed by laser division so that the width was 30 μm, the division width was about 0.5 mm, and the depth was about 10 μm from above the organic layer.
【００９０】さらに、別の転写用フィルムの剥離層上
に、スピンコート法でホール注入層としてＰＥＤＯＴ／
ＰＳＳを１μｍ成膜した。続いて、転写用フィルムを真
空蒸着装置に設置して、蒸着法で電極としてＡｌを５０
０ｎｍ成膜した。転写用フィルムを真空蒸着装置から取
り出し、得られた転写用フィルムのＡｌ膜上に、窒素雰
囲気中、スピンコート法で青色発光材料としてフルオレ
ン誘導体を６０ｎｍ成膜した。金属膜および有機層を蒸
着した赤色発光層形成用転写用フィルムを窒素雰囲気中
で、有機層の上から幅が３０μｍ、分断幅が０．５ｍ
ｍ、深さが１０μｍ程度になるようにストライプ状の金
属膜の分断された部分をレーザー分断により形成した。Further, on a release layer of another transfer film, PEDOT /
PSS was formed to a thickness of 1 μm. Subsequently, the transfer film was set on a vacuum evaporation apparatus, and Al was used as an electrode by an evaporation method.
0 nm was formed. The transfer film was taken out of the vacuum evaporation apparatus, and a fluorene derivative as a blue light emitting material was formed to a thickness of 60 nm on the Al film of the obtained transfer film by a spin coating method in a nitrogen atmosphere. The transfer film for forming a red light-emitting layer on which a metal film and an organic layer are deposited is placed in a nitrogen atmosphere and has a width of 30 μm and a cut width of 0.5 m from above the organic layer.
The divided portions of the striped metal film were formed by laser cutting so that the depth of the metal film was about 10 μm.
【００９１】一方、ＴＦＴ付きのＩＴＯ透明基板にＩＴ
Ｏ透明電極の外周部分（幅０．１ｍｍ）を覆うようにフ
ォトリソグラフィー法で絶縁膜（ＳｉＯ2）を形成し
た。このときの絶縁膜は、３００ｎｍであった。この基
板に実施例６と同様にして、緑色発光層（Ｒ）、緑色発
光層（Ｇ）、青色発光層（Ｂ）を形成した。続いて、転
写を行った基板を真空蒸着装置に設置して、さらに蒸着
法でＡｌを５００ｎｍ蒸着し、さらにメッキ法でＮｉを
３００μｍ形成した。最後に窒素雰囲気中で封止材を行
い、有機ＥＬディスプレイを得た。作製した有機ＥＬデ
ィスプレイにおいて、駆動用電源と信号を入力したとこ
ろ動画表示が可能なフルカラーディスプレイであること
が確認できた。On the other hand, an ITO transparent substrate with a TFT
An insulating film (SiO 2 ) was formed by photolithography so as to cover the outer peripheral portion (width 0.1 mm) of the O transparent electrode. At this time, the thickness of the insulating film was 300 nm. A green light emitting layer (R), a green light emitting layer (G), and a blue light emitting layer (B) were formed on this substrate in the same manner as in Example 6. Subsequently, the transferred substrate was set in a vacuum evaporation apparatus, Al was evaporated to a thickness of 500 nm by an evaporation method, and Ni was formed to a thickness of 300 μm by a plating method. Finally, a sealing material was applied in a nitrogen atmosphere to obtain an organic EL display. When a driving power supply and a signal were input to the manufactured organic EL display, it was confirmed that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００９２】実施例９ まず、ベースフィルムとしての膜厚０．５ｍｍのポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに、フォトリ
ソグラフィー法で深さ２５０μｍ、幅１ｍｍの凹型を形
成した。このとき、凸部の幅は２．３ｍｍであった。こ
のベースフィルムに、光−熱変換層としてカーボンを分
散させたエポキシ樹脂を５μｍ成膜した。続いて、その
上に剥離層としてポリαメチルスチレン膜を１μｍ成膜
した。Example 9 First, a concave shape having a depth of 250 μm and a width of 1 mm was formed by photolithography on a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 0.5 mm as a base film. At this time, the width of the projection was 2.3 mm. On this base film, a 5 μm-thick epoxy resin in which carbon was dispersed was formed as a light-heat conversion layer. Subsequently, a 1 μm-thick poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a release layer.
【００９３】続いて、得られたフィルムを真空蒸着装置
に設置し、剥離層上に蒸着法で電極としてＡｌを５００
ｎｍ成膜した。Ａｌ膜を形成した後、Ａｌ膜の抵抗を測
定することにより、所定の幅にＡｌ膜が分断されている
ことを確認した。得られた転写用フィルムのＡｌ膜上
に、スピンコート法で発光層としてポリフルオレン誘導
体を５０ｎｍ成膜した。続いて、スピンコート法でホー
ル注入層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を１００ｎｍ成膜
した。Subsequently, the obtained film was set in a vacuum evaporation apparatus, and 500 μm of Al was formed as an electrode on the release layer by an evaporation method.
nm. After the formation of the Al film, the resistance of the Al film was measured to confirm that the Al film was divided into a predetermined width. A polyfluorene derivative having a thickness of 50 nm was formed as a light emitting layer on the Al film of the obtained transfer film by a spin coating method. Subsequently, a PEDOT / PSS layer having a thickness of 100 nm was formed as a hole injection layer by spin coating.
【００９４】一方、ＩＴＯ透明電極をストライプ状にパ
ターニングした透明基板に、スパッタ法で絶縁膜として
ＳｉＯ2を成膜した。続いて、フォトリソグラフィー法
でＩＴＯ透明電極の外周部分だけがＳｉＯ2で被覆され
るようにエッチングを行った。On the other hand, SiO 2 was formed as an insulating film by a sputtering method on a transparent substrate in which ITO transparent electrodes were patterned in stripes. Subsequently, etching was performed by photolithography so that only the outer peripheral portion of the ITO transparent electrode was covered with SiO 2 .
【００９５】次いで、この基板に、ＩＴＯ透明電極の長
手方向とＡｌ膜の分断の切れ目長手方向が直交するよう
に、転写用フィルムをセットした。転写用フィルムをセ
ットした後に、転写用フィルム上をローラーで圧縮し
て、透明基板と転写用フィルムとの間の脱気を行った。
その後、転写のためのレーザー光をＡｌ膜の分断方向と
と平行方向に転写用フィルム上から照射した。レーザー
光のパワーは１６Ｗであった。Next, a transfer film was set on this substrate such that the longitudinal direction of the ITO transparent electrode was perpendicular to the longitudinal direction of the cut of the Al film. After setting the transfer film, the transfer film was compressed with a roller to perform degassing between the transparent substrate and the transfer film.
Thereafter, a laser beam for transfer was irradiated from above the transfer film in a direction parallel to the direction of dividing the Al film. The power of the laser light was 16W.
【００９６】転写用レーザーによる有機層および金属層
の転写が終了した後、転写用フィルムを剥離したとこ
ろ、Ａｌ膜の切れ目に沿ってＡｌが剥離し、Ａｌ膜の縁
には凹凸は観察されなかった。また、表面段差計でＡｌ
の表面を観察したところ、図１に示されるような端面の
歪（凹凸）は観察されなかった。After the transfer of the organic layer and the metal layer by the transfer laser was completed, the transfer film was peeled off. As a result, Al was peeled along the cuts of the Al film, and no irregularities were observed on the edge of the Al film. Was. In addition, Al
When the surface was observed, no distortion (unevenness) of the end face as shown in FIG. 1 was observed.
【００９７】最後に金属電極膜面を封止材用ガラスで封
止して、有機ＥＬ素子を完成させた。完成した有機ＥＬ
素子に、ＩＴＯ透明電極がプラス、Ａｌ膜がマイナスと
なるように電圧を印加したところ、透明基板側から発光
が得られた。このとき、リークによる発光は全くなかっ
た。Finally, the surface of the metal electrode film was sealed with glass for a sealing material to complete the organic EL device. Finished organic EL
When a voltage was applied to the device so that the ITO transparent electrode was positive and the Al film was negative, light was emitted from the transparent substrate side. At this time, there was no light emission due to the leak.
【００９８】[0098]
【発明の効果】本発明によれば、転写用フィルムを用い
て金属膜、特に金属厚膜を転写法で形成したときに、そ
の表面や端面に歪やバリ状の剥がれが生じない転写用フ
ィルムおよびそれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法を提
供することができる。したがって、信頼性の高い有機Ｅ
Ｌディスプレイを容易に製造することができる。According to the present invention, when a metal film, in particular, a thick metal film is formed by a transfer method using a transfer film, the transfer film does not cause distortion or burr-like peeling on its surface or end surface. And a method for manufacturing an organic EL device using the same. Therefore, reliable organic E
An L display can be easily manufactured.
【図１】従来の転写用フィルムを用いて転写法で形成し
た金属膜の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a metal film formed by a transfer method using a conventional transfer film.
【図２】従来の転写用フィルムを用いて転写法で形成し
た金属膜の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a metal film formed by a transfer method using a conventional transfer film.
【図３】本発明の転写用フィルムを用いて転写法で形成
した金属膜の概略平面図（ａ）および概略断面図（ｂ）
である。FIG. 3 is a schematic plan view (a) and a schematic cross-sectional view (b) of a metal film formed by a transfer method using the transfer film of the present invention.
It is.
【図４】本発明により作成される有機ＥＬ素子の基本的
な構成を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a basic configuration of an organic EL device produced according to the present invention.
【図５】本発明の転写用フィルムの概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a transfer film of the present invention.
【図６】本発明の転写用フィルムの金属膜に形成される
分断された部分の一例を示す、（ａ）完全分断型、
（ｂ）部分分断型、（ｃ）ストライプ配列および（ｄ）
デルタ配列の概略平面図である。FIG. 6 shows an example of a divided portion formed on the metal film of the transfer film of the present invention.
(B) Partially split type, (c) stripe arrangement and (d)
It is a schematic plan view of a delta arrangement.
【図７】本発明の転写用フィルムの金属膜に形成される
分断された部分の断面形状を示す概略図である。FIG. 7 is a schematic view showing a cross-sectional shape of a divided portion formed on a metal film of the transfer film of the present invention.
【図８】本発明の転写用フィルムを用いた有機ＥＬ素子
の製造工程を示す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a process of manufacturing an organic EL device using the transfer film of the present invention.
１ 支持基板 ２ 第一電極 ３ 隔壁 ４ 有機層 ５ 第二電極 ６ 封止材 ７ ベースフィルム ８ 光−熱変換層 ９ 熱伝播剥離層（剥離層） １０ 転写用層（金属膜） １１ 分断溝 １２ 転写用フィルム １３ ＴＦＴ素子 Reference Signs List 1 support substrate 2 first electrode 3 partition 4 organic layer 5 second electrode 6 sealing material 7 base film 8 light-to-heat conversion layer 9 heat propagation release layer (release layer) 10 transfer layer (metal film) 11 dividing groove 12 Transfer film 13 TFT device
Claims (8)
くとも金属膜を有する転写用フィルムにおいて、金属膜
が、連続的または断続的な複数領域に分断されている転
写用フィルム。1. A transfer film having at least a metal film as a transfer layer on a base film, wherein the metal film is divided into a plurality of continuous or intermittent regions.
層、有機層／金属膜／有機層または金属膜／絶縁層
／有機層の構成で、かつ順不同で積層されてなる請求項
１に記載の転写用フィルム。2. A transfer layer comprising a metal film, a metal film / organic layer, an organic layer / metal film / organic layer or a metal film / insulating layer / organic layer, and laminated in any order. 3. The transfer film according to item 1.
ム上に金属膜を形成することにより、分離されてなる請
求項１または２に記載の転写用フィルム。3. The transfer film according to claim 1, wherein the metal film is separated by forming a metal film on a base film that has been separated in advance.
凸を形成し、その凸部に金属膜が形成されてなる請求項
１〜３のいずれか１つに記載の転写用フィルム。4. The transfer film according to claim 1, wherein the transfer film has irregularities formed at predetermined intervals, and a metal film is formed on the projections.
レーザー加工により形成される請求項４に記載の転写用
フィルム。5. The transfer film according to claim 4, wherein the recess is formed by photolithography or laser processing.
項１または２に記載の転写用フィルム。6. The transfer film according to claim 1, wherein the metal film is divided after being formed.
素子を製造するにあたり、請求項１〜６のいずれか１つ
に記載の転写用フィルムを用いることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。7. A method for producing an organic electroluminescence device, comprising using the transfer film according to claim 1 in producing an organic electroluminescence device by a transfer method.
われる請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法。8. The method according to claim 7, wherein the transfer method is performed by irradiating a laser beam.
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| JP2001063497A JP2002270368A (en) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Transfer film and manufacturing method of organic electroluminescence element using it |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002270368A true JP2002270368A (en) | 2002-09-20 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158750A (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | Donor substrate for full color organic electroluminescent element, manufacturing method for the donor substrate and the full color organic electroluminescent element using the donor substrate |
| JP2006216563A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | Method of manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2008052268A (en) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing display device |
| JP2009253062A (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2010160943A (en) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Zeta Photon Kk | Transcription device for manufacturing organic el panel, method for manufacturing organic el panel, and support for organic el panel |
| JP2011526416A (en) * | 2008-06-26 | 2011-10-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Organic light-emitting diode luminaire |
| JP2012109638A (en) * | 2008-06-16 | 2012-06-07 | Toray Ind Inc | Device |
| US8772767B2 (en) | 2009-08-24 | 2014-07-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001063497A patent/JP2002270368A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158750A (en) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | Donor substrate for full color organic electroluminescent element, manufacturing method for the donor substrate and the full color organic electroluminescent element using the donor substrate |
| US7625615B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-12-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Donor substrate for full-color organic electroluminescent display device, method of manufacturing the same, and full-color organic electroluminescent display device using donor substrate |
| JP2006216563A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | Method of manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2008052268A (en) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method for manufacturing display device |
| JP2009253062A (en) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2012109638A (en) * | 2008-06-16 | 2012-06-07 | Toray Ind Inc | Device |
| JP2013012503A (en) * | 2008-06-16 | 2013-01-17 | Toray Ind Inc | Device |
| KR101529111B1 (en) * | 2008-06-16 | 2015-06-16 | 도레이 카부시키가이샤 | Patterning method, device manufacturing method using the patterning method, and device |
| JP2011526416A (en) * | 2008-06-26 | 2011-10-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Organic light-emitting diode luminaire |
| JP2010160943A (en) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Zeta Photon Kk | Transcription device for manufacturing organic el panel, method for manufacturing organic el panel, and support for organic el panel |
| US8772767B2 (en) | 2009-08-24 | 2014-07-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diode luminaires |
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