JP2002266068A - High-reflection and low-resistance thin film and sputtering target for deposition of the same - Google Patents
High-reflection and low-resistance thin film and sputtering target for deposition of the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、高反射低
抵抗薄膜とその成膜用スパッタリングターゲットに関す
るものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、高
反射率、低電気抵抗を有することに加えて、膜密着性、
耐久性に優れた高反射低抵抗薄膜と、その薄膜を成膜す
るために用いることができるスパッタリングターゲット
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-reflection low-resistance thin film and a sputtering target for forming the thin film. More specifically, the invention of this application has high reflectivity, low electric resistance, film adhesion,
The present invention relates to a highly reflective low-resistance thin film having excellent durability and a sputtering target that can be used for forming the thin film.
【0002】[0002]
【従来の技術とその課題】フラットパネルディスプレイ
(FPD)に配設される各種の反射膜、反射電極、電極
および配線等として、従来より、様々な金属が薄膜とし
て形成されて利用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various metals have been used as various thin films formed as thin films as reflective films, reflective electrodes, electrodes, wirings, and the like provided on a flat panel display (FPD).
【0003】反射膜や反射電極には、このような薄膜と
して、Au薄膜あるいはAl及びAl合金薄膜が多く用
いられている。また、電極および配線には、Al及びA
l合金薄膜や、CuおよびCu合金薄膜が主に使用され
ている。しかしこれらの薄膜は、反射率、電気抵抗率、
膜密着性、各種耐久性、価格、およびパターンニング性
等の面で一長一短であり、全ての特性に優れた薄膜は実
現されていなかった。As such a thin film, an Au thin film or an Al or Al alloy thin film is often used for a reflective film or a reflective electrode. In addition, Al and A are used for electrodes and wiring.
1 alloy thin films and Cu and Cu alloy thin films are mainly used. However, these thin films have high reflectivity, electrical resistivity,
It has advantages and disadvantages in terms of film adhesion, various durability, price, patterning property, and the like, and a thin film excellent in all properties has not been realized.
【0004】このような問題に対して、たとえば、Au
と同程度の高い反射率を有し、比較的電気抵抗が低いA
gに、Pt等の貴金属やCu等の改質促進剤を添加し
て、Agに関する膜密着性、耐久性、耐摩耗性等に関す
る欠点を改善するようにしたAg合金薄膜を利用する提
案がなされている。To solve such a problem, for example, Au
A having the same high reflectance as that of A and relatively low electric resistance
It has been proposed to add a noble metal such as Pt or a modification accelerator such as Cu to g to use an Ag alloy thin film in which defects such as film adhesion, durability, and abrasion resistance relating to Ag are improved. ing.
【0005】一方で、光記録媒体を製造する場合には、
その光反射層を、たとえば、Ag−Ru合金、またはR
h,Pd,Ir,Pt,Auのいずれか1種以上を添加
したAg−Ru合金からなる薄膜で形成することによ
り、Agのみからなる光反射層と比較して化学的安定性
を改善し、光反射層の信頼性および耐久性を向上させる
ようにする提案(特開平11−25515号)がなされ
ている。しかしながら、この光反射層は、可視光より長
波長側の780nmにおける反射率が66〜78%程度
しかなく、可視光の短波長側での反射率は50%程度に
まで低下する可能性があり、FPD等に用いる反射膜と
しては十分満足できるものとは言えなかった。また、F
PDの製造に必須の工程であるエッチングに対する考慮
はされていなかった。On the other hand, when manufacturing an optical recording medium,
The light reflecting layer is made of, for example, an Ag-Ru alloy or R
By forming a thin film made of an Ag—Ru alloy to which at least one of h, Pd, Ir, Pt, and Au is added, the chemical stability is improved as compared with a light reflection layer made of Ag alone. A proposal has been made to improve the reliability and durability of the light reflecting layer (Japanese Patent Laid-Open No. 11-25515). However, this light reflection layer has a reflectance of only about 66 to 78% at a wavelength of 780 nm longer than that of visible light, and the reflectance of a shorter wavelength of visible light may be reduced to about 50%. However, it could not be said that the reflective film used for the FPD or the like was sufficiently satisfactory. Also, F
No consideration was given to etching, which is an essential step in the manufacture of PDs.
【0006】そこで、この出願の発明は、以上の通りの
事情に鑑みてなされたものであり、従来技術の問題点を
解消し、FPDの反射膜、反射電極、電極および配線等
として有用で、反射率が高く安定し、電気抵抗が低いこ
とに加えて、膜密着性、耐久性にも優れた高反射低抵抗
薄膜と、その薄膜を成膜するために用いることができる
スパッタリングターゲットを提供することを課題として
いる。Therefore, the invention of this application has been made in view of the above circumstances, and solves the problems of the prior art, and is useful as a reflection film, a reflection electrode, an electrode, a wiring, etc. of an FPD. Provided is a high-reflection low-resistance thin film having high reflectance, high stability, low electrical resistance, excellent film adhesion and durability, and a sputtering target that can be used to form the thin film. That is the task.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】そこで、この出願の発明
は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発
明を提供する。Accordingly, the invention of this application provides the following invention to solve the above problems.
【0008】すなわち、まず第1には、この出願の発明
は、フラットパネルディスプレイの電極、配線、反射膜
あるいは反射電極を形成するための薄膜であって、実質
的にAg−Ru−Auの3元合金から形成されるととも
に、膜厚が280nmのときの可視光域における平均反
射率が88%以上、反射率の高低差が10%以内、かつ
電気抵抗率が14μΩcm以下であることを特徴とする
高反射低抵抗薄膜を提供する。That is, first of all, the invention of this application relates to a thin film for forming an electrode, a wiring, a reflective film or a reflective electrode of a flat panel display, which is substantially composed of Ag-Ru-Au. It is formed from an original alloy, and has an average reflectance of 88% or more in a visible light region when the film thickness is 280 nm, a difference in reflectance within 10%, and an electrical resistivity of 14 μΩcm or less. To provide a highly reflective low resistance thin film.
【0009】そして、この出願の発明は、第2には、上
記第1の発明の高反射低抵抗薄膜を成膜する際に用いる
スパッタリングターゲットであって、実質的にAg−R
u−Auの3元合金からなり、その組成が、重量%で、
75≦Ag≦99.8、0.1≦Ru<25、0.1≦
Au<25であることを特徴とするスパッタリングター
ゲットを提供する。Secondly, the invention of this application is a sputtering target used for forming the high-reflection low-resistance thin film of the first invention, which is substantially composed of Ag-R.
It consists of a ternary alloy of u-Au, and its composition is
75 ≦ Ag ≦ 99.8, 0.1 ≦ Ru <25, 0.1 ≦
Provided is a sputtering target, wherein Au <25.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】この出願の発明は、上記の通りの
特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention of this application has the features as described above, and embodiments thereof will be described below.
【0011】まず、この出願の第1の発明が提供する高
反射低抵抗薄膜は、フラットパネルディスプレイの電
極、配線、反射膜あるいは反射電極を形成するための薄
膜であって、実質的にAg−Ru−Auの3元合金から
形成されるとともに、膜厚が280nmのときの可視光
域における平均反射率が88%以上、反射率の高低差が
10%以内、かつ電気抵抗率が14μΩcm以下である
ことを特徴としている。First, the high-reflection low-resistance thin film provided by the first invention of this application is a thin film for forming an electrode, a wiring, a reflection film or a reflection electrode of a flat panel display, and is substantially a Ag-film. When formed from a Ru-Au ternary alloy, the average reflectance in the visible light region when the film thickness is 280 nm is 88% or more, the height difference of the reflectance is 10% or less, and the electric resistivity is 14 μΩcm or less. It is characterized by having.
【0012】Agのみからなる薄膜は、高反射率および
低電気抵抗という優れた特長を有する反面、ガラス等の
基板との密着性が低いため膜が剥離したり、酸素との接
触や加熱処理によりAgの拡散・凝集が生じて薄膜表面
が白濁する等の欠点があった。この出願の発明者らは、
このようなAg薄膜の特長を損なうことなく欠点を解消
するものとして、AgにRuおよびAuの2つの元素を
組み合わせて同時に改質促進剤として添加することが、
極めて有効であることを見出した。A thin film made of Ag alone has excellent characteristics such as high reflectivity and low electric resistance, but has low adhesion to a substrate such as glass, so that the film is peeled off, or comes into contact with oxygen or heat treatment. There were drawbacks such as the diffusion and aggregation of Ag and the thin film surface becoming cloudy. The inventors of this application:
In order to eliminate the disadvantages without impairing the characteristics of the Ag thin film, it is necessary to combine two elements of Ru and Au into Ag and simultaneously add them as a reforming accelerator.
It was found to be extremely effective.
【0013】AgへのRuおよびAuの添加は、Ruあ
るいはAuのいずれか一方のみを添加するよりも、密着
性および耐久性を向上させる効果が顕著であることか
ら、この出願の発明の高反射低抵抗薄膜においては、実
質的にAgを主成分とし、RuおよびAuの2元素を添
加し、Ag−Ru−Auの3元合金とするようにしてい
る。The addition of Ru and Au to Ag is more effective in improving the adhesion and durability than adding only one of Ru and Au. In the low-resistance thin film, Ag is mainly contained, and two elements of Ru and Au are added to form a ternary alloy of Ag-Ru-Au.
【0014】このAg−Ru−Auの3元合金からなる
高反射低抵抗薄膜において、RuおよびAuの含有量
は、それぞれ0.1重量%以上とすることが好ましい。
0.1重量%未満にすると、膜密着力が低下して基板か
ら膜剥離が生じたり、耐久性が著しく劣化し、Ruおよ
びAuの改質効果が十分に得られなくなってしまう。ま
た、RuとAuの合計量は25重量%未満とすることが
好ましい。RuとAuの合計量が25重量%以上となる
と、得られる高反射低抵抗薄膜の表面が白濁してしまう
のに加えて、Agのもつ高反射特性および低電気抵抗特
性を損なってしまう。このことから、この出願の発明の
高反射低抵抗薄膜は、その組成が、重量%で、75≦A
g≦99.8重量%、0.1≦Ru<25重量%、0.
1≦Au<25重量%として表されるものとなる。In the high-reflection low-resistance thin film made of the ternary alloy of Ag-Ru-Au, the contents of Ru and Au are preferably each 0.1% by weight or more.
If the amount is less than 0.1% by weight, the film adhesion decreases, the film peels off from the substrate, the durability is remarkably deteriorated, and the effect of modifying Ru and Au cannot be sufficiently obtained. Further, the total amount of Ru and Au is preferably less than 25% by weight. If the total amount of Ru and Au is 25% by weight or more, the surface of the obtained high-reflection low-resistance thin film becomes cloudy, and the high reflection characteristics and low electric resistance characteristics of Ag are impaired. Therefore, the composition of the high-reflection low-resistance thin film of the invention of the present application is expressed by 75%
g ≦ 99.8% by weight; 0.1 ≦ Ru <25% by weight;
1 ≦ Au <25% by weight.
【0015】加えて、この出願の発明の高反射低抵抗薄
膜は、高反射特性と低電気抵抗性をも兼ね備えている。
その反射率については、たとえば膜厚を280nmとし
たとき、可視光波長の全域において平均反射率が80%
以上、より好ましくは平均反射率が85%以上とするこ
とができる。そして、この発明の高反射低抵抗薄膜につ
いては、全可視光域での反射率の高低差が10%以内
と、安定して高反射特性を示すことが優れた特徴として
考慮される。また、「低電気抵抗性」との規定について
は、実際的に好適な電気抵抗率としてAl系薄膜の抵抗
率に相当する18μΩcm以下が考慮される。In addition, the high-reflection low-resistance thin film of the present invention has both high reflection characteristics and low electric resistance.
Regarding the reflectance, for example, when the film thickness is 280 nm, the average reflectance is 80% over the entire visible light wavelength range.
As described above, more preferably, the average reflectance can be 85% or more. The high-reflection low-resistance thin film of the present invention is considered to have a high reflectivity in the entire visible light range of 10% or less, and to exhibit stable high-reflection characteristics as an excellent feature. Regarding the definition of “low electric resistivity”, 18 μΩcm or less corresponding to the resistivity of the Al-based thin film is considered as a practically suitable electric resistivity.
【0016】また、この出願の発明の高反射低抵抗薄膜
は、各種の耐食性に優れており、たとえばエッチング液
による膜の剥離や白濁等の腐食が見られない。そのた
め、FPD等の製造において、電極、配線、反射膜、反
射電極等の全てに対応可能な薄膜が実現されることにな
る。Further, the high-reflection low-resistance thin film of the invention of this application is excellent in various corrosion resistances, and does not show, for example, peeling of the film or corrosion such as white turbidity due to an etching solution. Therefore, in the manufacture of an FPD or the like, a thin film that can correspond to all of the electrodes, wirings, reflective films, reflective electrodes and the like is realized.
【0017】このような特徴を有するこの出願の発明の
高反射低抵抗膜は、スパッタリング、イオンプレーティ
ング、CVD法等の気相成膜法により製造することがで
きる。なかでも、成膜効率や成膜特性に優れることか
ら、スパッタリングが好ましい方法として例示される。
スパッタリング手段は、バッチ式、インライン式等を適
宜採用することができる。さらに、スパッタリングター
ゲットとしては、この出願の第2の発明が提供するスパ
ッタリングターゲットを用いることが好適な例として示
される。もちろん、それ以外のスパッタリングターゲッ
トや、Ag、Ru、Auそれぞれ個別のターゲットを用
いる多元ターゲットを使用することで成膜してもよい。The high-reflection low-resistance film of the invention of the present application having such characteristics can be manufactured by a vapor phase film forming method such as sputtering, ion plating, and CVD. Among them, sputtering is exemplified as a preferable method because of its excellent film forming efficiency and film forming characteristics.
As the sputtering means, a batch type, an in-line type, or the like can be appropriately adopted. Furthermore, it is shown as a preferable example that the sputtering target provided by the second invention of this application is used as the sputtering target. Of course, the film may be formed by using a sputtering target other than the above or a multi-target using individual targets of Ag, Ru, and Au.
【0018】この出願の発明のスパッタリングターゲッ
トは、上記の発明の高反射低抵抗薄膜を成膜する際に用
いるスパッタリングターゲットであって、実質的にAg
−Ru−Auの3元合金からなり、その組成が、重量%
で、75≦Ag≦99.8、0.1≦Ru<25、0.
1≦Au<25であることを特徴としている。The sputtering target of the invention of this application is a sputtering target used for forming the high-reflection low-resistance thin film of the invention described above, and is substantially composed of Ag.
-Consisting of a Ru-Au ternary alloy whose composition is
And 75 ≦ Ag ≦ 99.8, 0.1 ≦ Ru <25, 0.
It is characterized in that 1 ≦ Au <25.
【0019】このスパッタリングターゲットは、Agを
主成分とし、所望とする高反射低抵抗薄膜の組成に対応
してRuおよびAuの含有量を定めることができる。た
とえば、RuおよびAuの各含有量が0.1〜25重量
%の範囲となるように、スパッタリングターゲット中の
Ru、Auの各含有量も0.1〜25重量%の範囲に設
定すること等が例示される。ただし、いずれのときもR
uとAuの合計量は25重量%未満とする。このRu、
Auは、スパッタリングターゲットの主成分であるAg
中に、スパッタリングターゲット全体にわたって略均一
に添加されていることが好ましいが、例えば、Ag中に
ストライプ状、あるいは格子状に混合される等してもよ
い。このスパッタリングターゲットを製造するには、例
えば、焼結法等の従来法を利用することができる。This sputtering target contains Ag as a main component, and the contents of Ru and Au can be determined according to the desired composition of the high-reflection low-resistance thin film. For example, the respective contents of Ru and Au in the sputtering target are also set in the range of 0.1 to 25% by weight so that the respective contents of Ru and Au are in the range of 0.1 to 25% by weight. Is exemplified. However, in any case, R
The total amount of u and Au is less than 25% by weight. This Ru,
Au is Ag, which is a main component of the sputtering target.
It is preferably added substantially uniformly throughout the entire sputtering target, but may be mixed in Ag in a stripe shape or a lattice shape, for example. In order to manufacture this sputtering target, for example, a conventional method such as a sintering method can be used.
【0020】なお、この出願の発明で言うところの「実
質的」との規定は、スパッタリングターゲット材の原料
あるいは製造工程に由来する不可避的不純物を除いて
は、金属元素として、前記のAg、Ru、Auの3元素
のみ含有していることを意味している。In the invention of the present application, the definition of “substantially” means that the above-mentioned Ag, Ru is used as a metal element except for inevitable impurities derived from the raw material of the sputtering target material or the manufacturing process. , Au.
【0021】以下、添付した図面に沿って実施例を示
し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
【0022】[0022]
【実施例】(実施例1) <A> Agに対してRuを1重量%およびAuを1重
量%添加し、焼結法によってこの出願の発明のAg−R
u−Au3元合金からなるスパッタリングターゲットを
作製した。このターゲットを、透明で清浄な板厚0.7
mmの無アルカリガラス基板に対向させて成膜装置内に
配設した。EXAMPLES (Example 1) <A> 1% by weight of Ru and 1% by weight of Au were added to Ag, and the Ag-R of the invention of this application was obtained by a sintering method.
A sputtering target made of a u-Au ternary alloy was produced. This target was set to a transparent and clean plate thickness of 0.7
The glass substrate was disposed in a film forming apparatus so as to face a non-alkali glass substrate having a thickness of 1 mm.
【0023】次いで、成膜装置内を約80℃で一定に保
ち、装置内の圧力が3×10-3Paとなるまで十分に排
気した後、0.27PaになるまでArガスを導入し、
ターゲットを電力密度3.5W/cm2で300秒間ス
パッタリングすることで、ガラス基板上に薄膜を形成し
た。Then, the inside of the film forming apparatus is kept constant at about 80 ° C., and the inside of the apparatus is sufficiently evacuated to a pressure of 3 × 10 −3 Pa, and then Ar gas is introduced until the pressure becomes 0.27 Pa.
A thin film was formed on a glass substrate by sputtering the target at a power density of 3.5 W / cm 2 for 300 seconds.
【0024】得られた薄膜は、膜厚が280nmでほぼ
均一であった。この薄膜の組成をエネルギー分散型X線
解析装置(EDX)(日本電子(株)製)で分析したと
ころ、重量%で、Ag:Ru:Au=98.6:0.
3:1.1であり、その組成は均一であることが確認さ
れた。The obtained thin film was almost uniform with a thickness of 280 nm. When the composition of this thin film was analyzed by an energy dispersive X-ray analyzer (EDX) (manufactured by JEOL Ltd.), the ratio of Ag: Ru: Au = 98.6: 0.
3: 1.1, and the composition was confirmed to be uniform.
【0025】<B> 上記<A>で得られた薄膜につい
て、反射率、電気抵抗率、膜密着性の評価を行なった。<B> The reflectance, electric resistivity and film adhesion of the thin film obtained in <A> above were evaluated.
【0026】反射率の測定には、日立製作所製の分光光
度計U−4100を用い、入射角5°の正反射を測定し
た。その結果を図1に、ラインAとして示した。比較の
ために、従来のAl薄膜について同様に反射率を測定し
た結果をラインBとして示した。The reflectance was measured using a spectrophotometer U-4100 manufactured by Hitachi, Ltd., and the specular reflection at an incident angle of 5 ° was measured. The result is shown as line A in FIG. For comparison, the result of similarly measuring the reflectance of the conventional Al thin film is shown as line B.
【0027】図1から、この薄膜は、可視光全域におい
て従来のAl薄膜よりも反射率が高く、平均反射率は8
9.5%であった。また、この薄膜の反射率の高低差は
8.6%と小さく、特に短波長側における反射率の低下
が緩やかで安定していることが分かった。FIG. 1 shows that this thin film has a higher reflectivity over the entire visible light range than the conventional Al thin film, and has an average reflectivity of 8%.
It was 9.5%. In addition, the difference in the reflectance of this thin film was as small as 8.6%, and it was found that the decrease in the reflectance on the short wavelength side was gradual and stable.
【0028】電気抵抗率の測定は、四端針抵抗測定器を
用いて行なった。その結果、この薄膜の電気抵抗率は、
12.5μΩcmであり、従来のAl薄膜における抵抗
率の約18.0μΩcmと比較して十分低いものであっ
た。The measurement of the electrical resistivity was performed using a four-pointed needle resistance meter. As a result, the electrical resistivity of this thin film is
The resistivity was 12.5 μΩcm, which was sufficiently lower than the resistivity of the conventional Al thin film of about 18.0 μΩcm.
【0029】密着性の評価は、セルローステープ(3M
社製No.6101 1/2インチ幅)を貼着・剥離することによ
るセロハンテープ試験法によって行なった。その結果、
この薄膜は、ガラス基板から剥離することはなく、密着
性に優れていることが確認された。たとえば、純Ag薄
膜等は密着性が悪いことが知られているが、この薄膜
は、AgにRuとAuの2元素が適量添加されたことに
よって、密着性が大きく向上されたものと推察される。The adhesion was evaluated using a cellulose tape (3M
(No. 6101 1/2 inch width, manufactured by the company) and a cellophane tape test method. as a result,
This thin film did not peel off from the glass substrate, and was confirmed to be excellent in adhesion. For example, it is known that a pure Ag thin film or the like has poor adhesion. However, it is presumed that the adhesion of this thin film is greatly improved by adding an appropriate amount of Ru and Au to Ag. You.
【0030】<C> 上記<A>によってガラス基板上
に成膜した薄膜について、表1に示した6種類の耐久性
試験を実施した。表1の6種類の試験項目は、FDPの
製造工程において、一般に、従来のAg薄膜およびAg
合金薄膜が耐久性に関して持つとされている欠点であ
る。<C> Six types of durability tests shown in Table 1 were conducted on the thin film formed on the glass substrate according to <A>. The six types of test items in Table 1 generally indicate the conventional Ag thin film and Ag in the manufacturing process of FDP.
This is a disadvantage that alloy thin films are said to have in terms of durability.
【0031】[0031]
【表1】 [Table 1]
【0032】各試験後の薄膜について、膜剥離,ピンホ
ールの有無を観察し、試験前後で、膜の膜色、電気抵抗
率および光学濃度の変化を調べた。その結果、各試験後
の薄膜に剥離およびピンホールの発生は見られず、膜
色,電気抵抗率および光学濃度の変化も認められなかっ
た。以上の結果から、この薄膜は、硫黄化合物、湿気、
酸・アルカリ等に対する耐性を有していることが確認さ
れた。したがって、この出願の発明の薄膜は、例えば、
FPD用の電極や配線、反射板、反射電極等の製造に十
分対応できることが示された。With respect to the thin film after each test, the presence or absence of film peeling and pinholes was observed, and before and after the test, changes in the film color, electric resistivity, and optical density were examined. As a result, no peeling or pinhole generation was observed in the thin film after each test, and no change was observed in the film color, electric resistivity, and optical density. From the above results, this thin film is composed of sulfur compounds, moisture,
It was confirmed that it had resistance to acids and alkalis. Therefore, the thin film of the invention of this application is, for example,
It has been shown that the method can sufficiently cope with production of electrodes, wirings, reflection plates, reflection electrodes and the like for FPD.
【0033】<D> 上記<A>によってガラス基板上
に成膜したこの出願の発明の薄膜に対してエッチングを
行い、配線パターンを形成した。エッチング液には、C
e(NH4)2(NO3)6を165g、70%HClO4
を42ml、H2Oを1000mlの割合で配合した、
液温30℃のエッチング液を用いた。<D> The thin film of the invention of this application formed on the glass substrate by <A> was etched to form a wiring pattern. The etching solution contains C
165 g of e (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , 70% HClO 4
Was mixed at a ratio of 42 ml and H 2 O at a ratio of 1000 ml,
An etching solution having a liquid temperature of 30 ° C. was used.
【0034】このAg系薄膜による配線パターンのエッ
チング断面形状は、膜のえぐれがほとんどなく、パター
ン幅も均一であり、膜の剥離や白濁等の腐食が見られな
かった。この結果から、この出願の発明の薄膜は、エッ
チング性にも優れていることが確認された。The etched cross-sectional shape of the wiring pattern formed by the Ag-based thin film had almost no scuffing of the film, the pattern width was uniform, and no corrosion such as peeling of the film or clouding was observed. From this result, it was confirmed that the thin film of the invention of this application was excellent in etching properties.
【0035】また、上記のエッチング液はCr薄膜をパ
ターニングして配線を形成するときに多用されているク
ロムエッチング液と成分がほとんど同じである。従っ
て、この出願の発明の薄膜をエッチングする場合には、
既存のパターニング製造設備や方法をそのまま転用する
ことができる。The components of the above-mentioned etching solution are almost the same as those of the chromium etching solution frequently used when patterning a Cr thin film to form a wiring. Therefore, when etching the thin film of the invention of this application,
Existing patterning manufacturing equipment and methods can be diverted as they are.
【0036】もちろん、この発明は以上の例に限定され
るものではなく、細部については様々な態様が可能であ
ることは言うまでもない。Of course, the present invention is not limited to the above examples, and it goes without saying that various embodiments are possible in detail.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、FPDの反射膜、反射電極、電極および配線等と
して有用で、反射率が高く安定し、電気抵抗が低いこと
に加えて、膜密着性、耐久性にも優れた高反射低抵抗薄
膜と、その薄膜を成膜するために用いることができるス
パッタリングターゲットが提供される。As described in detail above, the present invention is useful as a reflection film, a reflection electrode, an electrode and a wiring of an FPD, has a high reflectance, is stable, has a low electric resistance, and has a high film adhesion. In addition, a high-reflection low-resistance thin film having excellent durability and a sputtering target that can be used for forming the thin film are provided.
【図1】実施例において成膜した薄膜(A)と従来のA
l薄膜(B)について反射率を測定した結果を例示した
図である。FIG. 1 shows a thin film (A) formed in an embodiment and a conventional thin film (A).
It is the figure which illustrated the result of having measured the reflectance about 1 thin film (B).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 29/28 H01J 29/28 (72)発明者 佐竹 博光 宮城県栗原郡若柳町武鎗字花水前1−1 株式会社倉元製作所内 (72)発明者 渡部 直志 宮城県栗原郡若柳町武鎗字花水前1−1 株式会社倉元製作所内 (72)発明者 古山 晃一 埼玉県東松山市下野本1414番地 株式会社 豊島製作所内 Fターム(参考) 2H092 HA05 KB04 MA05 NA25 NA27 NA28 PA12 4K029 AA09 BA22 BC07 BD09 CA05 DC04 DC09 5C036 BB04 5C094 AA04 AA22 AA24 AA32 AA37 AA42 AA43 AA55 DA13 EA00 EA06 FB02 FB12 GB10 JA01 JA05 JA08 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 29/28 H01J 29/28 (72) Inventor Hiromitsu Satake 1 Hanamizue, Takeyari Wakayanagi-cho, Kurihara-gun, Miyagi Prefecture -1 Inside Kuramoto Manufacturing Co., Ltd. F-term (reference) at Toshima Works 2H092 HA05 KB04 MA05 NA25 NA27 NA28 PA12 4K029 AA09 BA22 BC07 BD09 CA05 DC04 DC09 5C036 BB04 5C094 AA04 AA22 AA24 AA32 AA37 AA42 AA43 AA55 DA13 EA00 EA12 JA05 JA02 JA05
Claims (2)
配線、反射膜あるいは反射電極を形成するための薄膜で
あって、実質的にAg−Ru−Auの3元合金から形成
されるとともに、膜厚が280nmのときの可視光域に
おける平均反射率が88%以上、反射率の高低差が10
%以内、かつ電気抵抗率が14μΩcm以下であること
を特徴とする高反射低抵抗薄膜。An electrode for a flat panel display,
A thin film for forming a wiring, a reflection film or a reflection electrode, which is substantially formed of a ternary alloy of Ag-Ru-Au and has an average reflectance in a visible light region when the film thickness is 280 nm. 88% or more, the difference in reflectance is 10
% And an electrical resistivity of 14 μΩcm or less.
する際に用いるスパッタリングターゲットであって、実
質的にAg−Ru−Auの3元合金からなり、その組成
が、重量%で、75≦Ag≦99.8、0.1≦Ru<
25、0.1≦Au<25であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲット。2. A sputtering target used for forming the high-reflection low-resistance thin film according to claim 1, wherein the sputtering target is substantially composed of a ternary alloy of Ag—Ru—Au, and has a composition by weight%. , 75 ≦ Ag ≦ 99.8, 0.1 ≦ Ru <
25. A sputtering target, wherein 0.1 ≦ Au <25.
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---|---|---|---|---|
JP2009052122A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Kobelco Kaken:Kk | Ag-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226765A (en) * | 1999-12-07 | 2001-08-21 | Furuya Kinzoku:Kk | High heat resistant reflective coating, and laminated body using the reflective coating |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001065613A patent/JP2002266068A/en active Pending
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009052122A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Kobelco Kaken:Kk | Ag-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET |
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