JP2002264332A - Electrostatic actuator, its manufacturing method, ink jet recording head and ink jet recorder - Google Patents

Electrostatic actuator, its manufacturing method, ink jet recording head and ink jet recorder

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JP2002264332A
JP2002264332A JP2001065631A JP2001065631A JP2002264332A JP 2002264332 A JP2002264332 A JP 2002264332A JP 2001065631 A JP2001065631 A JP 2001065631A JP 2001065631 A JP2001065631 A JP 2001065631A JP 2002264332 A JP2002264332 A JP 2002264332A
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JP
Japan
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liquid
diaphragm
ink
liquid chamber
thin film
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JP2001065631A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsugi Irinoda
貢 入野田
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect the member in an ink jet recording head touching ink liquid against corrosion. SOLUTION: The ink jet recording head has a corrosion resistant thin film 125a exhibiting excellent corrosion resistance against liquid drop formed on the surface of a liquid chamber substrate 111, the surface (upper surface) of a silicon diaphragm 112, the inner wall of a driving liquid chamber 118, the inner wall of a common liquid chamber 116, and the inner wall of a liquid channel 117. Furthermore, a corrosion resistant thin film 125b is formed on the inner wall of a liquid supply opening 115 and a through opening 105 for supplying liquid from the rear side. Since the inner wall of the driving liquid chamber 118, the inner wall of the common liquid chamber 116, the inner wall of the liquid channel 117 touching the liquid drop, and the diaphragm 112 are protected completely against corrosion with the liquid drop (ink), quality of the liquid drop can be prevented from deteriorating due to a substance, e.g. ions, eluted from a member into the liquid drop (ink), and the part touching the liquid is protected against corrosion.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は振動板を静電引力に
より変形させ、変形した振動板の反発力を利用して支持
体の裏面から液体を導入してノズル孔から液滴を吐出す
るよう構成された静電アクチュエータ及びその製造方法
及びインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method in which a diaphragm is deformed by electrostatic attraction, a liquid is introduced from the back surface of a support using a repulsive force of the deformed diaphragm, and a droplet is discharged from a nozzle hole. The present invention relates to a structured electrostatic actuator, a method of manufacturing the same, an inkjet recording head, and an inkjet recording apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、オンデマンド方式のインクジェ
ットプリンタに用いられるインクジェットヘッドとして
は、国際公開番号WO98/42513に開示されてい
るものがある。この公開公報に記載されたインクジェッ
トヘッドは、インクに圧力を与えて吐出するための圧力
室を構成している振動板の表面に、インクに対する耐腐
食性を持つ耐インク性薄膜が形成されている。この中で
は、耐腐食性を持つ耐インク性薄膜として、Ti、Ti
化合物やAl2O3を使用した例が記載されている。
2. Description of the Related Art For example, an ink jet head used in an on-demand type ink jet printer is disclosed in International Publication No. WO98 / 42513. In the ink jet head described in this publication, an ink-resistant thin film having corrosion resistance to ink is formed on the surface of a diaphragm constituting a pressure chamber for applying pressure to and discharging ink. . Among these, Ti, Ti are used as ink-resistant thin films having corrosion resistance.
Examples using compounds and Al2O3 are described.

【0003】さらに、特開平10−291322号の公
報には、圧力室を構成している振動板の表面に酸化シリ
コン膜を形成した後、積層して耐インク性を有する酸化
物、窒化物、金属等の薄膜を形成した例が開示されてい
る。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-291322 discloses that a silicon oxide film is formed on the surface of a diaphragm constituting a pressure chamber and then laminated to form oxides, nitrides and the like having ink resistance. An example in which a thin film of metal or the like is formed is disclosed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記国際公
開番号WO98/42513の公報に開示されているよ
うなTi、Ti化合物、Al2O3や特開平10−29
1322号公報に開示されているような酸化シリコン膜
の耐腐食性を持つ耐インク性薄膜をインクジェットヘッ
ドの振動板上にのみ形成した場合、振動板腐食防止には
有効であるが、インクが接する振動板以外の部材に対し
ての腐食は全く考慮されていないため、この部材からイ
ンクへ溶出したイオン等の物質がインクの品質を劣化さ
せ、インク記録ヘッドとして用いた場合には画質の劣化
と言ったような問題が生じるおそれがあった。
Incidentally, Ti, Ti compounds, Al2O3, and JP-A-10-29 as disclosed in the above-mentioned International Publication No. WO 98/42513.
When an ink-resistant thin film having the corrosion resistance of a silicon oxide film as disclosed in Japanese Patent No. 1322 is formed only on the diaphragm of an ink jet head, it is effective for preventing corrosion of the diaphragm, but the ink is in contact with the diaphragm. Since corrosion to members other than the diaphragm is not considered at all, substances such as ions eluted from this member into the ink deteriorate the quality of the ink, and when used as an ink recording head, the image quality deteriorates. There was a possibility that the above-mentioned problem might occur.

【0005】又、上記従来例のように耐腐食性薄膜を単
層で形成した場合、その形成過程で混入する微小パーテ
ィクルのために耐腐食性薄膜に発生するピンホールから
液滴が浸みだし振動板を腐食し信頼性に問題があった。
Further, when the corrosion-resistant thin film is formed as a single layer as in the above-mentioned conventional example, droplets seep out from pinholes generated in the corrosion-resistant thin film due to minute particles mixed in the formation process and vibrate. The plate was corroded and there was a problem in reliability.

【0006】更に、その耐腐食性薄膜の内部応力によっ
て振動板が挫屈し、撓みを生じ、この振動板の撓みによ
って、液滴吐出時の噴射特性のビット間のバラツキや、
液滴吐出不良の原因を引き起こすおそれがあった。
Further, the diaphragm buckles and bends due to the internal stress of the corrosion-resistant thin film, and the flexure of the diaphragm causes variations in the jetting characteristics between droplets during droplet ejection,
There is a possibility that the cause of the droplet discharge failure may be caused.

【0007】また、インクに対して耐腐食性を持つTiや
Ti化合物薄膜をインクジェットヘッドの振動板上に形成
したインクジェットヘッドを用いた場合、その組成によ
って耐インク腐食性に大きな差を生じており、更に、特
開平10−291322号公報に開示されているように
酸化シリコン膜と耐インク性薄膜を順次積層した従来例
においては、酸化シリコン膜があらゆる種類のインクに
対して耐腐食性を持つわけではなく、信頼性に欠けると
いった問題がある。
In addition, Ti, which has corrosion resistance to ink,
When an ink-jet head having a Ti compound thin film formed on a diaphragm of an ink-jet head is used, a great difference occurs in ink corrosion resistance depending on the composition, and furthermore, as disclosed in JP-A-10-291322. In the conventional example in which a silicon oxide film and an ink-resistant thin film are sequentially laminated, there is a problem that the silicon oxide film does not have corrosion resistance to all kinds of inks and lacks reliability.

【0008】そこで、本発明は上記課題を解決した静電
アクチュエータ及びその製造方法及びインクジェット記
録ヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを
目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrostatic actuator, a method of manufacturing the same, an ink jet recording head and an ink jet recording apparatus which have solved the above-mentioned problems.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、以下のような特徴を有する。
The present invention has the following features to solve the above-mentioned problems.

【0010】上記請求項1記載の発明は、液滴が接する
液流路及び、振動板に前記液滴に対して耐腐食性を有す
る薄膜を形成したため、この耐腐食性薄膜によって静電
アクチュエータを構成している部材と液滴が完全に遮断
されており、液滴が接する液流路及び、振動板を構成す
る部材が液滴によって腐食する事が全くなくなり、前記
部材から液滴へ溶出したイオン等の物質が液滴の品質を
劣化させることを防止できる。そのため、インク記録ヘ
ッドとして用いた場合には、画質の劣化が防止できる。
According to the first aspect of the present invention, a thin film having corrosion resistance to the droplet is formed on the liquid flow path in contact with the droplet and the diaphragm. The constituent members and the liquid droplets are completely shut off, and the liquid passages in contact with the liquid droplets and the members constituting the diaphragm are not corroded by the liquid droplets at all, and eluted from the member into the liquid droplets. It is possible to prevent substances such as ions from deteriorating the quality of the droplet. Therefore, when used as an ink recording head, deterioration of image quality can be prevented.

【0011】また、請求項2記載の発明は、耐腐食性薄
膜が支持体の裏面の全面に形成されているため、フレー
ム等の外部支持体との接着強度が向上し組み立て工程の
歩留まりが向上する。
According to the second aspect of the present invention, since the corrosion-resistant thin film is formed on the entire back surface of the support, the adhesive strength to an external support such as a frame is improved, and the yield of the assembly process is improved. I do.

【0012】また、請求項3記載の発明は、振動板とノ
ズル孔との間に形成された液室の内壁に耐腐食性を有す
る薄膜を形成したため、液室の側壁を構成している部材
からの物質溶出による液滴の劣化が防止されると共に、
液滴を噴射するノズル孔を有するノズルプレートとの接
着強度が向上し組立の歩留まりが向上する。
According to the third aspect of the present invention, since a thin film having corrosion resistance is formed on the inner wall of the liquid chamber formed between the diaphragm and the nozzle hole, the member constituting the side wall of the liquid chamber is formed. The degradation of droplets due to the elution of substances from
The bonding strength with a nozzle plate having a nozzle hole for ejecting a droplet is improved, and the yield of assembly is improved.

【0013】また、請求項4記載の発明は、静電アクチ
ュエータの液流路及び、振動板に耐腐食性を有する第1
の薄膜と、記支持体の裏面に耐腐食性を有する第2の薄
膜とを別々の工程で形成するため、プロセスに応じて種
々膜質、膜厚を変化させることが出来るのでプロセス設
計のマージンが広がる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid passage of an electrostatic actuator and a first diaphragm having corrosion resistance.
And the second thin film having corrosion resistance on the back surface of the support are formed in separate steps, so that various film qualities and thicknesses can be changed according to the process. spread.

【0014】また、請求項5記載の発明は、静電アクチ
ュエータの振動板及び、インク液室の内壁及び、支持体
の裏面に耐腐食性を有する薄膜を形成したため、何れの
種類のインクにも対応可能なインクジェット記録ヘッド
が実現できる。又、静電型であるので低消費電力に優れ
たインクジェット記録ヘッドが実現できる。
According to the fifth aspect of the invention, since a thin film having corrosion resistance is formed on the diaphragm of the electrostatic actuator, the inner wall of the ink liquid chamber, and the back surface of the support, any type of ink can be used. A compatible inkjet recording head can be realized. Further, since it is an electrostatic type, an ink jet recording head excellent in low power consumption can be realized.

【0015】また、請求項6記載の発明は、振動板及
び、インク液室の内壁及び、支持体の裏面に耐腐食性を
有する薄膜を形成されたインクジェット記録ヘッドを用
いたインクジェット記録装置であるので、低消費電力
で、かつ、高画質の画像が記録出来る。
The invention according to claim 6 is an ink jet recording apparatus using an ink jet recording head in which a thin film having corrosion resistance is formed on the diaphragm, the inner wall of the ink liquid chamber, and the back surface of the support. Therefore, high-quality images can be recorded with low power consumption.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の一実施
例について説明する。図1は本発明になる静電アクチュ
エータの実施例1を示す平面図であり、図2〜図5は各
々、図1中のA−A′断面,B−B′断面,C−C′断
面,D−D′断面を示す縦断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of an electrostatic actuator according to the present invention, and FIGS. 2 to 5 are AA 'section, BB' section, and CC 'section in FIG. 1, respectively. , DD ′ is a longitudinal sectional view showing a section.

【0017】図1乃至図5に示されるように、実施例1
の静電アクチュエータは、シリコン振動板112、液滴
が加圧される駆動液室118、共通液室116、液流路1
17が異方性エッチングにより形成された面方位(11
0)の単結晶シリコン基板111と、液滴ノズル孔11
9が形成されたガラス板、金属板、シリコン板等のカバ
ー板114と、裏側から液を供給するための液供給口1
15が形成された面方位(100)または(110)の
単結晶シリコン基板からなる電極基板(101,10
2,104,121の総称)とで構成されている。
As shown in FIG. 1 to FIG.
The electrostatic actuator includes a silicon diaphragm 112, a driving liquid chamber 118 in which droplets are pressurized, a common liquid chamber 116, and a liquid flow path 1.
17 is a plane orientation (11) formed by anisotropic etching.
0) single crystal silicon substrate 111 and droplet nozzle hole 11
A cover plate 114 such as a glass plate, a metal plate, or a silicon plate on which a liquid 9 is formed, and a liquid supply port 1 for supplying a liquid from the back side.
An electrode substrate (101, 10) made of a single crystal silicon substrate having a plane orientation (100) or (110) on which
2, 104, 121).

【0018】液室基板である単結晶シリコン基板111
には、駆動液室118と個々の液滴ノズル孔119に対
応して、静電引力によって駆動するシリコン振動板11
2が形成されている。更に、単結晶シリコン基板(支持
体)101の裏面には、裏面側から液を供給するための
液供給口115が形成されている。この液供給口115
は、裏面から表面に貫通した貫通口105を通して内部
の共通液室116に連通されている。さらに、駆動液室
118と共通液室116は、液流路117を介して連通
されている。
Single crystal silicon substrate 111 as a liquid chamber substrate
The silicon diaphragm 11 driven by electrostatic attraction corresponds to the driving liquid chamber 118 and the individual droplet nozzle holes 119.
2 are formed. Further, a liquid supply port 115 for supplying a liquid from the back surface side is formed on the back surface of the single crystal silicon substrate (support) 101. This liquid supply port 115
Is connected to the internal common liquid chamber 116 through the through-hole 105 penetrating from the back surface to the front surface. Further, the driving liquid chamber 118 and the common liquid chamber 116 communicate with each other via a liquid channel 117.

【0019】液室基板111の表面と、シリコン振動板
112の表面(上面)と、駆動液室118の内壁と、共
通液室116の内壁と、液流路117の内壁には、液滴
に対する耐腐食性に優れた耐腐食性薄膜125aが形成
されている。又、裏側から液を供給するための液供給口
115と貫通口105の内壁にも耐腐食性を有する耐腐
食性薄膜125bが形成されている。そのため、駆動液
室118の内壁と、共通液室116の内壁と、液滴が接
する液流路117の内壁及び、振動板112が液滴(イ
ンク)によって腐食する事が全くなくなり、部材から液
滴(インク)へ溶出したイオン等の物質が液滴の品質を
劣化させることを防止できると共に、接液部分の腐食を
防止できる。
The surface of the liquid chamber substrate 111, the surface (upper surface) of the silicon diaphragm 112, the inner wall of the driving liquid chamber 118, the inner wall of the common liquid chamber 116, and the inner wall of the liquid flow path 117 A corrosion-resistant thin film 125a having excellent corrosion resistance is formed. Further, a corrosion-resistant thin film 125b having corrosion resistance is also formed on the inner wall of the liquid supply port 115 for supplying the liquid from the back side and the through-hole 105. Therefore, the inner wall of the driving liquid chamber 118, the inner wall of the common liquid chamber 116, the inner wall of the liquid flow path 117 where the liquid droplets are in contact, and the diaphragm 112 are not corroded by the liquid droplets (ink) at all. Substances such as ions eluted into the droplet (ink) can be prevented from deteriorating the quality of the droplet, and corrosion of the liquid contact portion can be prevented.

【0020】これらの耐腐食性薄膜125a,125b
は、スパッタ法、CVD法、酸化法等により形成した内
部応力が引っ張り応力の厚さ10Åから2000Å、好
ましくは100Å〜1000Åの厚さの薄膜である。
尚、耐腐食性膜125aを振動板112の表面に形成し
ても振動板112には撓みが生じない。また、この耐腐
食性薄膜125a,125bは、単層、或いは、微小穴
ピンホールを防止するため順次積層された積層膜の少な
くとも酸素原子を1%以上含む窒化チタンである。
These corrosion resistant thin films 125a and 125b
Is a thin film having an internal stress formed by a sputtering method, a CVD method, an oxidation method or the like and having a tensile stress of 10 to 2,000, preferably 100 to 1,000, in thickness.
Even if the corrosion resistant film 125a is formed on the surface of the diaphragm 112, the diaphragm 112 does not bend. Further, the corrosion-resistant thin films 125a and 125b are a single layer or a titanium nitride containing at least 1% or more of oxygen atoms in a laminated film sequentially laminated in order to prevent pinholes having minute holes.

【0021】また、個々の液滴ノズル孔119に対応し
て駆動液室118を構成しているシリコン振動板112
は、酸化シリコン102をギャップスペーサとして静電
アクチュエータを駆動するための電圧を印加する駆動電
極121に対向して各々配置されている。液滴の吐出方
向は、液滴ノズル孔119の配置方向よって決まる矢印
120が示す方向となる。
Further, the silicon diaphragm 112 forming the driving liquid chamber 118 corresponding to each droplet nozzle hole 119 is provided.
Are arranged opposite to the drive electrodes 121 for applying a voltage for driving the electrostatic actuator using the silicon oxide 102 as a gap spacer. The discharge direction of the droplet is a direction indicated by an arrow 120 determined by the arrangement direction of the droplet nozzle holes 119.

【0022】実施例1において、シリコン基板101
は、面方位(100)、低効率10〜30Ω−cmのp
単結晶シリコン基板からなる。駆動電極121は、単結
晶シリコン基板101上の厚さ2μmの酸化シリコン1
02に形成した深さ0.4μmの凹部内に配置された、
反応性スパッタ法によって順次酸化膜上に形成された窒
化チタンであって互いに絶縁分離されている。
In the first embodiment, the silicon substrate 101
Is a plane orientation (100), and a low efficiency p of 10 to 30 Ω-cm.
It consists of a single crystal silicon substrate. The drive electrode 121 is formed of a silicon oxide 1 having a thickness of 2 μm on the single crystal silicon substrate 101.
02 arranged in a concave portion having a depth of 0.4 μm,
Titanium nitride sequentially formed on an oxide film by a reactive sputtering method, which is insulated from each other.

【0023】酸化シリコン102は熱酸化法によって形
成される。更に、この駆動電極の窒化チタン上には、プ
ラズマCVD法により形成した厚さ150nmの酸化シ
リコン膜からなる絶縁膜104を形成する。この酸化シ
リコン膜からなる絶縁膜104は、振動板112と駆動
電極121の絶縁を確保するための物である。
The silicon oxide 102 is formed by a thermal oxidation method. Further, an insulating film 104 made of a silicon oxide film having a thickness of 150 nm formed by a plasma CVD method is formed on the titanium nitride of the drive electrode. The insulating film 104 made of the silicon oxide film is for securing insulation between the diaphragm 112 and the drive electrode 121.

【0024】108は、絶縁膜104がエッチング除去
されている静電アクチュエータの駆動電極121に駆動
電圧を印加する為のパッド領域である。面方位(11
0)の単結晶シリコン基板111をKOHで異方性エッ
チングして形成したボロン不純物原子を1E19/cm3以
上含む膜厚2μmの振動板112がギャップスペーサで
ある酸化シリコン膜102を介して駆動電極121に対
向して配置されている。
Reference numeral 108 denotes a pad region for applying a drive voltage to the drive electrode 121 of the electrostatic actuator from which the insulating film 104 has been removed by etching. Plane orientation (11
2) A 2 μm-thick diaphragm 112 containing boron impurity atoms of 1E19 / cm 3 or more formed by anisotropically etching the single crystal silicon substrate 111 of KOH with a driving electrode 121 through a silicon oxide film 102 serving as a gap spacer. Are arranged to face each other.

【0025】面方位(110)単結晶シリコン基板11
1には、KOHの異方性エッチングで形成した駆動液室
118と、そこへ液を供給する共通液室416が形成さ
れ、両者が流路117によって連通されている。一方、
駆動電極が形成された面方位(100)の単結晶シリコ
ン基板101には、裏面から表面に貫通した貫通口10
5を通して前記共通液室116に裏面側から液を供給す
るための液供給口115が形成されており、前述のよう
に駆動液室118と共通液室116は液流路117によ
って連通されている。
Surface orientation (110) single crystal silicon substrate 11
In 1, a driving liquid chamber 118 formed by anisotropic etching of KOH and a common liquid chamber 416 for supplying a liquid to the driving liquid chamber 118 are formed. on the other hand,
The through-hole 10 penetrating from the back surface to the front surface is provided on the single crystal silicon substrate 101 having the plane orientation (100) on which the drive electrode is formed.
A liquid supply port 115 for supplying a liquid from the back side to the common liquid chamber 116 through 5 is formed, and the driving liquid chamber 118 and the common liquid chamber 116 are communicated by the liquid flow channel 117 as described above. .

【0026】実施例1では、上記のように液室基板11
1の表面、シリコン振動板112の表面、駆動液室11
8の内壁、共通液室116の内壁、液流路117の内
壁、液供給口115の内壁、貫通流路105の内壁に、
各々内部応力が引っ張り応力の窒化チタンからなる耐腐
食性薄膜125a,125bがスパッタ法により膜厚1
000Åの厚さで形成されている。この耐腐食性薄膜1
25a,125bには、酸素原子が約10%含有してい
る。
In the first embodiment, as described above, the liquid chamber substrate 11
1, the surface of the silicon diaphragm 112, the driving liquid chamber 11
8, the inner wall of the common liquid chamber 116, the inner wall of the liquid flow path 117, the inner wall of the liquid supply port 115, and the inner wall of the through flow path 105,
Corrosion-resistant thin films 125a and 125b, each made of titanium nitride having an internal stress of tensile stress, have a thickness of 1 by sputtering.
It is formed with a thickness of 000 mm. This corrosion-resistant thin film 1
25a and 125b contain about 10% of oxygen atoms.

【0027】この時、振動板112には挫屈による撓み
は全く発生していない。更に,液滴ノズル孔119が形
成された金属板114が液室の上に張り付けられてい
る。このような静電アクチュエータにおいて、振動板1
12を電気的に接地し、更に、電極パッド108を介し
て駆動電極121に駆動電圧を印加し一定周波数で駆動
した。電圧を引加したとき振動板112と駆動電極間1
21には静電引力が働き、振動板112は窒化チタンか
らなる耐腐食性薄膜125aの挫屈による撓みが生じて
いないため、静電引力により駆動電極側に十分引かれ
る。
At this time, the diaphragm 112 is not bent at all by buckling. Further, a metal plate 114 having a droplet nozzle hole 119 formed thereon is adhered on the liquid chamber. In such an electrostatic actuator, the diaphragm 1
12 was electrically grounded, and a drive voltage was applied to the drive electrode 121 via the electrode pad 108 to drive the drive electrode 121 at a constant frequency. When a voltage is applied, 1 between the diaphragm 112 and the drive electrode
Electrostatic attraction acts on 21 and the diaphragm 112 does not bend due to buckling of the corrosion-resistant thin film 125a made of titanium nitride, and is therefore sufficiently attracted to the drive electrode side by electrostatic attraction.

【0028】その結果、駆動液室118は、十分に負圧
となり液供給口115に接続された液体は貫通流路10
5と共通液室116と流路117とを経て駆動液室11
8へ液体が供給される。そのため、駆動電圧の周波数に
対応して振動板112は、シリコンの剛性により元の位
置へと戻り、このとき駆動液室118は加圧される。よ
って、駆動液室118の液は、液滴ノズル孔119から
120方向へ安定に吐出される。
As a result, the driving liquid chamber 118 has a sufficiently negative pressure, and the liquid connected to the liquid supply port 115 flows through the through flow path 10.
5, the common liquid chamber 116 and the driving liquid chamber 11 through the flow path 117.
Liquid is supplied to 8. Therefore, the diaphragm 112 returns to the original position due to the rigidity of the silicon in accordance with the frequency of the driving voltage, and at this time, the driving liquid chamber 118 is pressurized. Therefore, the liquid in the driving liquid chamber 118 is stably discharged from the droplet nozzle holes 119 in the direction of 120.

【0029】更に、この状態で噴射特性のビット間のバ
ラツキを測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得
ることが出来た。また液滴による信頼性試験を行った結
果、本発明の静電アクチュエータの構成部材であるシリ
コンが液滴中に溶出しておらず、耐腐食性が十分あるこ
とが分かる。
Further, as a result of measuring the variation of the injection characteristics between bits in this state, it was possible to obtain the injection characteristics with very good uniformity. In addition, as a result of a reliability test using droplets, it was found that silicon, which is a constituent member of the electrostatic actuator of the present invention, was not eluted in the droplets, and that it had sufficient corrosion resistance.

【0030】次に、実施例2の構成について図6乃至図
10を参照して説明する。図6は実施例2の静電アクチ
ュエータの平面図であり、図7乃至図10は各々、図6
中のA−A′断面、B−B′断面、C−C′断面、D−
D′断面を示す縦断面図である。
Next, the configuration of the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a plan view of the electrostatic actuator according to the second embodiment, and FIGS.
AA 'section, BB' section, CC 'section, D-
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the D 'cross section.

【0031】図6乃至図10に示されるように、実施例
2の静電アクチュエータは、シリコン振動板212、液
滴が加圧される駆動液室218、共通液室216、液流
路217が異方性エッチングにより形成された面方位
(110)の単結晶シリコン基板211と、液滴ノズル
孔219が形成されたガラス板、金属板、シリコン板等
のカバー板214と裏側から液を供給するための液供給
口215が形成された面方位(100)又は(110)
の単結晶シリコン基板からなる電極基板201,20
2,204,221の3つの部分で構成されている。
As shown in FIGS. 6 to 10, in the electrostatic actuator of the second embodiment, a silicon vibration plate 212, a driving liquid chamber 218 to which liquid droplets are pressurized, a common liquid chamber 216, and a liquid flow path 217 are formed. A liquid is supplied from the back side of a single-crystal silicon substrate 211 having a plane orientation (110) formed by anisotropic etching, a cover plate 214 such as a glass plate, a metal plate, or a silicon plate provided with droplet nozzle holes 219. Orientation (100) or (110) in which the liquid supply port 215 is formed.
Electrode substrates 201 and 20 made of a single crystal silicon substrate
2, 204, and 221.

【0032】液室基板である単結晶シリコン基板基板2
11には駆動液室218と個々の液滴ノズル孔219に
対応して、静電引力によって駆動するシリコン振動板2
12が形成されている。更に、電極基板を裏面から表面
に貫通した貫通口205を通して共通液室216に裏面
側から液を供給するための液供給口215が形成されて
おり、駆動液室218と共通液室216は液流路217
によって連通されている。
Single crystal silicon substrate 2 as a liquid chamber substrate
11, a silicon diaphragm 2 driven by electrostatic attraction corresponding to the driving liquid chamber 218 and the individual droplet nozzle holes 219;
12 are formed. Further, a liquid supply port 215 for supplying a liquid from the back surface side to the common liquid chamber 216 through a through-hole 205 penetrating the electrode substrate from the back surface to the front surface is formed, and the driving liquid chamber 218 and the common liquid chamber 216 are formed of a liquid. Channel 217
Is communicated by

【0033】液室基板211表面と、シリコン振動板2
12表面と駆動液室内部218と共通液室内部216と
液流路217表面には液滴に対する耐腐食性薄膜225
aが形成されている。又、裏側から液を供給するための
液供給口215と貫通口205のみならず、更には、支
持体である単結晶シリコン基板201の裏面の全面に耐
腐食性薄膜225bが形成されている。
The surface of the liquid chamber substrate 211 and the silicon diaphragm 2
12, the surface of the driving liquid chamber 218, the surface of the common liquid chamber 216, and the surface of the liquid flow path 217 have a corrosion-resistant thin film 225 against droplets.
a is formed. Further, a corrosion-resistant thin film 225b is formed not only on the liquid supply port 215 and the through-hole 205 for supplying a liquid from the back side, but also on the entire back surface of the single crystal silicon substrate 201 as a support.

【0034】この耐腐食性薄膜225bは、液滴による
アクチュエータの腐食を防止するばかりでなく、静電ア
クチュエータをフレーム(図示せず)に組立アッセンブ
リーするときの接着強度を向上させることができるた
め、信頼性が向上する。これらの耐腐食性薄膜225
a,225bは、スパッタ法、CVD法,酸化法等によ
り形成した内部応力が引っ張り応力の厚さ10Åから2
000Å、好ましくは100Å〜1000Åの薄膜であ
る。尚、耐腐食性膜225aを振動板212に形成して
も振動板212には、撓みが生じない。
The corrosion-resistant thin film 225b not only prevents the actuator from being corroded by droplets but also improves the adhesive strength when the electrostatic actuator is assembled and assembled on a frame (not shown). Reliability is improved. These corrosion resistant thin films 225
a and 225b indicate that the internal stress formed by a sputtering method, a CVD method, an oxidation method, or the like has a tensile stress of 10 ° to 2 mm.
It is a thin film of 000 °, preferably 100 ° to 1000 °. Even if the corrosion resistant film 225a is formed on the diaphragm 212, the diaphragm 212 does not bend.

【0035】また、この耐腐食性薄膜225a,225
bは、単層、或いは、微小穴(ピンホール)を防止する
ために順次積層された積層膜の少なくとも酸素原子を好
ましく1%以上含む窒化チタンである。また、個々の液
滴ノズル孔219に対応して駆動液室218を構成して
いるシリコン振動板212は、酸化シリコン202をギ
ャップスペーサとして静電アクチュエータを駆動するた
めの電圧を印加する駆動電極221に対向して各々配置
されている。液滴の吐出方向は、液滴ノズル孔119の
配置方向よって決まる矢印220が示す方向となる。
The corrosion-resistant thin films 225a, 225
b is a single layer or titanium nitride containing preferably at least 1% or more of oxygen atoms in a laminated film sequentially laminated to prevent micro holes (pinholes). Further, the silicon diaphragm 212 forming the driving liquid chamber 218 corresponding to each of the droplet nozzle holes 219 includes a driving electrode 221 for applying a voltage for driving an electrostatic actuator using the silicon oxide 202 as a gap spacer. Are arranged opposite to each other. The droplet discharge direction is a direction indicated by an arrow 220 determined by the arrangement direction of the droplet nozzle holes 119.

【0036】以上、本発明の静電アクチュエータの全体
構成について概要を記載したが、次に、電極基板10
1,201ついて説明する。
The outline of the overall structure of the electrostatic actuator of the present invention has been described above.
1, 201 will be described.

【0037】図1乃至図10中において、101,20
1はn型又は、p型の単結晶シリコン基板である。通常
は、面配向100の単結晶シリコン基板を用いるが,プ
ロセスに応じて面方位(110)の単結晶シリコン基板
を用いても何ら問題は無い。または、シリコン基板の代
わりにガラス基板を用いてもよい。
In FIG. 1 to FIG.
Reference numeral 1 denotes an n-type or p-type single crystal silicon substrate. Normally, a single-crystal silicon substrate with a plane orientation of 100 is used, but there is no problem even if a single-crystal silicon substrate with a plane orientation of (110) is used depending on the process. Alternatively, a glass substrate may be used instead of the silicon substrate.

【0038】121,221は、単結晶シリコン基板1
01,201上の酸化シリコン102,202の凹部内
に形成されたシリコン振動板112、212を駆動する
ための電圧を印加する駆動電極であって導体であれは何
れでも良い。
Reference numerals 121 and 221 denote single crystal silicon substrates 1
A drive electrode for applying a voltage for driving the silicon diaphragms 112 and 212 formed in the recesses of the silicon oxides 102 and 202 on the first and second electrodes 201 and 201, whichever may be a conductor.

【0039】これらの駆動電極121,221は、互い
に絶縁分離されており、反応性スパッタ法、CVD法等
によって形成した望ましくはチタン、タングステン、タ
ンタル等の高融点金属とその窒化物、或いはそれらの化
合物、或いはそれらの積層構造、望ましくは窒化チタン
又は、酸化シリコン膜102,202上に順次形成され
るチタンと窒化チタンの積層構造からなり、単結晶シリ
コン基板101、201を熱酸化することにより形成し
たシリコン酸化膜102、202のギャップスペーサ1
03,203内に配置されている。
The drive electrodes 121 and 221 are insulated and separated from each other, and are preferably formed by a reactive sputtering method, a CVD method or the like, preferably a refractory metal such as titanium, tungsten, tantalum or the like, and a nitride thereof, or a nitride thereof. A compound or a stacked structure thereof, preferably titanium nitride or a stacked structure of titanium and titanium nitride sequentially formed on the silicon oxide films 102 and 202, formed by thermally oxidizing the single crystal silicon substrates 101 and 201 Gap spacer 1 of the formed silicon oxide films 102 and 202
03,203.

【0040】このギャップスペーサ103,203は、
シリコン振動板112、212と駆動電極121にギャ
ップ空隙を形成するためのものであって、このギャップ
スペーサ103,203を介してシリコン振動板11
2,212と対向した駆動電極121,221に電圧を
印加することで静電引力を発生させる。
The gap spacers 103, 203
This is for forming a gap between the silicon diaphragms 112 and 212 and the drive electrode 121, and the silicon diaphragm 11 is formed through the gap spacers 103 and 203.
The electrostatic attraction is generated by applying a voltage to the drive electrodes 121 and 221 facing the first and second electrodes 212 and 221.

【0041】108,208は駆動電極121,221
に対して導通するような駆動電圧印加パッド部であっ
て、電極基板に外部から電圧を印加し、更に、FPCや
ワイヤーボンディング等の実装を行うためのパッド部で
ある。
Reference numerals 108 and 208 denote drive electrodes 121 and 221.
This is a driving voltage application pad portion that conducts to the electrode substrate, and is a pad portion for applying a voltage from the outside to the electrode substrate and further performing mounting such as FPC and wire bonding.

【0042】実施例2の構成は、耐腐食性薄膜が単層の
窒化チタンの場合を示し、振動板上や駆動液室内部と上
部や共通液室と液流路、更には、フレームと静電アクチ
ュエータを組立アッセンブリーするときの接着強度を向
上させるために支持体である単結晶シリコン基板201
の液供給口215を含む裏面全面に耐腐食性薄膜を形成
した例を示す。
The structure of the second embodiment shows a case where the corrosion-resistant thin film is a single-layer titanium nitride, and is formed on the diaphragm, inside and inside the driving liquid chamber, between the common liquid chamber and the liquid flow path, and further, between the frame and the static liquid. Single-crystal silicon substrate 201 as a support for improving the adhesive strength when assembling the electric actuator
An example in which a corrosion-resistant thin film is formed on the entire back surface including the liquid supply port 215 of FIG.

【0043】実施例2の静電アクチュエータは、後述の
図11乃至図19に示した手順(プロセスフロー)に従
って作製される。シリコン基板201は、面方位(10
0)、抵抗率10〜30Ω-cmのp単結晶シリコン基板
である。駆動電極221は、単結晶シリコン基板201
上の厚さ2μmの酸化シリコン202に形成した深さ
0.6μmの凹部内に配置された、反応性スパッタ法に
よって順次酸化膜上に形成された窒化チタンであって互
いに絶縁分離されている。
The electrostatic actuator of the second embodiment is manufactured according to the procedure (process flow) shown in FIGS. The silicon substrate 201 has a plane orientation (10
0), a p-single-crystal silicon substrate having a resistivity of 10 to 30 Ω-cm. The drive electrode 221 is a single crystal silicon substrate 201
Titanium nitride formed on a silicon oxide 202 having a thickness of 2 μm and having a depth of 0.6 μm and formed on an oxide film by a reactive sputtering method and is insulated from each other.

【0044】酸化シリコン202は、熱酸化法によって
形成する。更に、この駆動電極の窒化チタン上には、プ
ラズマCVD法により形成した厚さ200nmの酸化シ
リコン膜204を形成する。この酸化シリコン膜204
は、振動板212と駆動電極221の絶縁を確保するた
めの物である。
The silicon oxide 202 is formed by a thermal oxidation method. Further, a 200 nm-thick silicon oxide film 204 formed by a plasma CVD method is formed on the titanium nitride of the drive electrode. This silicon oxide film 204
Is for ensuring insulation between the diaphragm 212 and the drive electrode 221.

【0045】208は酸化シリコン膜204がエッチン
グ除去されている静電アクチュエータの駆動電極221
に駆動電圧を印加する為のパッド領域である。面方位
(110)の単結晶シリコン基板211をKOHで異方
性エッチングして形成したボロン不純物原子を1E19
/cm3以上含む膜厚2μmの振動板212がギャップスペ
ーサである酸化シリコン膜202を介して駆動電極22
1に対向して配置されている。
Reference numeral 208 denotes a drive electrode 221 of the electrostatic actuator from which the silicon oxide film 204 has been removed by etching.
This is a pad area for applying a drive voltage to the pad. Boron impurity atoms formed by anisotropically etching a single crystal silicon substrate 211 having a plane orientation of (110) with KOH are
The diaphragm 212 having a thickness of 2 μm and a driving electrode 22 through the silicon oxide film 202 serving as a gap spacer is formed.
1 are arranged.

【0046】面方位(110)単結晶シリコン基板21
1には、KOHの異方性エッチングで形成した駆動液室
218と、そこへ液を供給する共通液室216が形成さ
れ、両者が流路217によって連通されている。一方、
駆動電極が形成された面方位(100)の単結晶シリコ
ン基板201には、裏面から表面に貫通した貫通口20
2を通して前記共通液室216に裏面側から液を供給す
るための液供給口215が形成されており、前述のよう
に駆動液室218と共通液室216は液流路217によ
って連通されている。
Plane orientation (110) single crystal silicon substrate 21
In 1, a driving liquid chamber 218 formed by KOH anisotropic etching and a common liquid chamber 216 for supplying a liquid to the driving liquid chamber 218 are formed. on the other hand,
The through-hole 20 penetrating from the back surface to the front surface is provided on the single crystal silicon substrate 201 having the plane orientation (100) on which the drive electrode is formed.
A liquid supply port 215 for supplying a liquid from the back side to the common liquid chamber 216 through the second liquid chamber 216 is formed, and the driving liquid chamber 218 and the common liquid chamber 216 are communicated by the liquid flow path 217 as described above. .

【0047】一方、液室基板211表面、シリコン振動
板212表面、駆動液室内部218、共通液室内部21
6、液流路217表面、貫通流路表面205、更には裏
側から液を供給するための液供給口215を含む単結晶
シリコン基板201の裏面全面に各々内部応力が引っ張
り応力の窒化チタンからなる耐腐食性薄膜225a、2
25bがスパッタ法により膜厚1000Åの厚さで形成
されている。
On the other hand, the surface of the liquid chamber substrate 211, the surface of the silicon diaphragm 212, the driving liquid chamber interior 218, and the common liquid chamber interior 21
6. The entire surface of the single crystal silicon substrate 201 including the liquid flow path 217, the through flow path surface 205, and the liquid supply port 215 for supplying the liquid from the back side is made of titanium nitride having an internal stress of tensile stress. Corrosion resistant thin film 225a, 2
25b is formed to a thickness of 1000 ° by a sputtering method.

【0048】この耐腐食性薄膜225a,225bの窒
化チタンには、酸素原子が約5%含有している。この
時、振動板212には挫屈による撓みは全く発生してい
ない。更に、液滴ノズル孔219が形成された金属板2
14が液室の上に張り付けられている。
The titanium nitride of the corrosion-resistant thin films 225a and 225b contains about 5% of oxygen atoms. At this time, the diaphragm 212 is not bent at all by buckling. Further, the metal plate 2 on which the droplet nozzle holes 219 are formed.
14 is attached on the liquid chamber.

【0049】このように構成された実施例2の静電アク
チュエータにおいて、振動板212を電気的に接地し、
更に、電極パッド208を介して駆動電極221に駆動
電圧を印加し一定周波数で駆動する。電圧を引加したと
き、振動板212と駆動電極221間には、静電引力が
働く。そのため、振動板212は、窒化チタンからなる
耐腐食性薄膜225aの挫屈による撓みが生じていない
ため、静電引力により駆動電極221側に十分引かれ
る。
In the thus configured electrostatic actuator of the second embodiment, the diaphragm 212 is electrically grounded,
Further, a drive voltage is applied to the drive electrode 221 via the electrode pad 208 to drive at a constant frequency. When a voltage is applied, an electrostatic attraction acts between the diaphragm 212 and the drive electrode 221. Therefore, the diaphragm 212 is sufficiently pulled toward the drive electrode 221 by electrostatic attraction, since the diaphragm 212 does not bend due to buckling of the corrosion-resistant thin film 225a made of titanium nitride.

【0050】その結果、駆動液室218の内部は、十分
に負圧となる。そのため、液供給口215に接続された
液体は、貫通流路205と共通液室216と流路217
とを経て駆動液室218へ供給される。
As a result, the inside of the driving liquid chamber 218 has a sufficient negative pressure. Therefore, the liquid connected to the liquid supply port 215 passes through the through channel 205, the common liquid chamber 216, and the channel 217.
And is supplied to the driving liquid chamber 218.

【0051】さらに、駆動電圧の周波数に対応して振動
板212は、シリコンの剛性により元の位置へと戻り、
このとき駆動液室218は加圧される。よって、駆動液
室218内の液は、液滴ノズル孔219を経て矢印22
0の方向へ安定に吐出される。
Further, the diaphragm 212 returns to the original position due to the rigidity of the silicon in accordance with the frequency of the driving voltage,
At this time, the driving liquid chamber 218 is pressurized. Therefore, the liquid in the driving liquid chamber 218 flows through the droplet nozzle hole 219 and the arrow 22.
Discharge is stably performed in the direction of 0.

【0052】更に、この状態で噴射特性のビット間のバ
ラツキを測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得
ることが出来た。また、液滴による信頼性試験を行った
結果、実施例2の各構成部材であるシリコンが液滴中に
溶出しておらず、耐腐食性が十分あることが確認され
た。
Further, as a result of measuring the variation between the bits of the injection characteristics in this state, it was possible to obtain the injection characteristics with very good uniformity. In addition, as a result of a reliability test using droplets, it was confirmed that silicon, which is a constituent member of Example 2, was not eluted in the droplets, and that corrosion resistance was sufficient.

【0053】又、単結晶シリコン基板201の裏面の全
面にわたり窒化チタンからなる耐腐食性薄膜225bが
形成されているため、フレーム(図示せず)との組立ア
ッセンブリーしたときの接着強度が強くなり信頼性が実
施例1の場合より更に向上している。
Further, since the corrosion-resistant thin film 225b made of titanium nitride is formed over the entire back surface of the single crystal silicon substrate 201, the adhesive strength when assembled with a frame (not shown) is increased, and the reliability is improved. The performance is further improved than in the case of Example 1.

【0054】次に、実施例2の静電アクチュエータの作
製手順について説明する。なお、前述した実施例1の場
合も実施例2と同じ工程(作成手順)で作成される。図
11乃至図19は、実施例2の静電アクチュエータの作
製手順1〜9を示す工程図であり、図11(a)乃至図
19(a)は図6のA−A′断面図、図11(b)乃至
図19(b)は図11(a)乃至図19(a)中のA−
A′である駆動電極部断面図である。
Next, a procedure for manufacturing the electrostatic actuator of the second embodiment will be described. Note that, in the case of the first embodiment described above, it is created by the same process (creation procedure) as in the second embodiment. 11 to 19 are process diagrams showing steps 1 to 9 for manufacturing the electrostatic actuator according to the second embodiment. FIGS. 11A to 19A are cross-sectional views taken along the line AA ′ of FIG. 11 (b) to FIG. 19 (b) correspond to A- in FIG. 11 (a) to FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a drive electrode portion indicated by A ′.

【0055】作製手順1では、図11abに示されるよ
うに、最初に、面配向(100)または(111)、
(110)のp型又はn型の単結晶シリコン基板301
上に熱酸化法により酸化シリコン膜302を形成する。
In the manufacturing procedure 1, as shown in FIG. 11ab, first, the plane orientation (100) or (111),
(110) p-type or n-type single-crystal silicon substrate 301
A silicon oxide film 302 is formed thereon by a thermal oxidation method.

【0056】次の作製手順2では、図12(a)(b)
に示されるように、この酸化シリコンに駆動電極領域と
基板電極領域を規定するパターニングを通常のフォトリ
ソグラフィとエッチングで行う。エッチングはドライエ
ッチング法、又はウェットエッチング法で行う。
In the next manufacturing procedure 2, FIGS. 12A and 12B
As shown in (2), patterning for defining the drive electrode region and the substrate electrode region is performed on the silicon oxide by ordinary photolithography and etching. The etching is performed by a dry etching method or a wet etching method.

【0057】次の作製手順3では、図13(a)(b)
に示されるように、パターニングされた酸化シリコン膜
上に反応性スパッタ法、CVD法等によって形成したチ
タン、タングステン、タンタル等の高融点金属とその窒
化物、或いはそれらの化合物、或いはそれらの積層構
造、望ましくは窒化チタンを酸化シリコン膜302上に
順次、全面に成膜する。
In the next manufacturing procedure 3, FIGS. 13 (a) and 13 (b)
As shown in above, a high melting point metal such as titanium, tungsten, tantalum and the like, a nitride thereof, a compound thereof, or a laminated structure thereof formed on a patterned silicon oxide film by a reactive sputtering method, a CVD method, or the like. Preferably, titanium nitride is sequentially formed on the entire surface of the silicon oxide film 302.

【0058】次の作製手順4では、図14(a)(b)
に示されるように、高融点金属321上にCVD法、ス
パッタ法、蒸着法等によって形成した絶縁物、望ましく
は酸化シリコンを形成し駆動電極321を規定するパタ
ーニングをこの絶縁物304に対して行い、この絶縁物
304をエッチングマスクとして高融点金属321をエ
ッチングしパターニングする。この時点で、高融点金属
上に絶縁物304を有する駆動電極321が酸化シリコ
ン膜302に形成した凹部302a内に配置された電極
基板が完成する。
In the next manufacturing procedure 4, FIGS. 14A and 14B
As shown in FIG. 5, an insulator formed on the refractory metal 321 by a CVD method, a sputtering method, an evaporation method, or the like, desirably, silicon oxide is formed, and patterning for defining the drive electrode 321 is performed on the insulator 304. Then, the refractory metal 321 is etched and patterned using the insulator 304 as an etching mask. At this point, the electrode substrate in which the drive electrode 321 having the insulator 304 on the high melting point metal is arranged in the concave portion 302a formed in the silicon oxide film 302 is completed.

【0059】次の作製手順5では、図15(a)(b)
に示されるように、伝導型がP型又はN型,面方位(1
10)の単結晶シリコン基板311の片面に振動板膜厚
に等しくなる深さまでP型或いはN型の伝導型を示す不
純物を1E19/cm3以上拡散させた拡散領域312が形
成された基板301と上記電極基板321をアライメン
ト接合し、更に前記単結晶シリコン基板311上には駆
動液室318と共通液室316を規定するエッチングマ
スクパターン313aを形成し、電極を形成した基板3
01の表面には液供給口315を規定するためのエッチ
ングマスクパターン313bを形成する。この時のエッ
チングマスク313bは、酸化シリコン或いは窒化シリ
コン、五酸化タンタル等のシリコンに対して選択性を持
つ材料を選択する。
In the next manufacturing procedure 5, FIGS. 15A and 15B
As shown in the figure, the conduction type is P-type or N-type, and the plane orientation (1
10) A single crystal silicon substrate 311 having a diffusion region 312 formed by diffusing impurities exhibiting P-type or N-type conductivity of 1E19 / cm3 or more to a depth equal to the thickness of the diaphragm on one side of the single-crystal silicon substrate 311; The electrode substrate 321 is aligned and joined, and an etching mask pattern 313a defining a driving liquid chamber 318 and a common liquid chamber 316 is formed on the single crystal silicon substrate 311.
On the surface of No. 01, an etching mask pattern 313b for defining the liquid supply port 315 is formed. At this time, a material having selectivity to silicon, such as silicon oxide, silicon nitride, or tantalum pentoxide, is selected for the etching mask 313b.

【0060】次に、面方位(110)の単結晶シリコン
基板の上にシリコン酸化膜を介し、振動板膜厚に等しい
単結晶薄膜シリコンが形成されている:SOI(シリコ
ンlicon on Insulator)基板と電極基板を接合しても良
い。また、電極基板と液室基板の接合は500℃前後の
温度で接合した後、800℃以上の熱処理を行う直接接
合法で行う。ガラス基板を用いた場合は陽極接合で行
う。
Next, a single-crystal thin-film silicon film having a thickness equal to the diaphragm thickness is formed on a single-crystal silicon substrate having a plane orientation of (110) via a silicon oxide film: an SOI (silicon on insulator) substrate; The electrode substrates may be joined. In addition, the electrode substrate and the liquid chamber substrate are bonded by a direct bonding method in which the bonding is performed at a temperature of about 500 ° C. and then a heat treatment at 800 ° C. or more. When a glass substrate is used, anodic bonding is performed.

【0061】次の作製手順6では、図16(a)(b)
に示されるように、次に、電極基板と液室基板が接合さ
れた基板を単結晶シリコンエッチングマスクパターン3
13a、313bが形成された電極側からと液室基板側
から同時にKOH,TMAH等によって異方性エッチングし駆動
液室と共通液室と表面と裏面が貫通した貫通孔が形成さ
れる。又、高濃度に不純物を含む拡散領域312でエッ
チングは自発的にストップし振動板312が形成され
る。尚、SOI基板を用いて異方性エッチングした場
合、エッチングは酸化シリコン膜上でストップする。こ
の場合、酸化シリコン膜を除去しても何ら問題はない。
In the next manufacturing procedure 6, FIGS. 16 (a) and 16 (b)
Next, as shown in FIG. 3, the substrate in which the electrode substrate and the liquid chamber substrate are joined together is
Anisotropic etching is performed simultaneously with KOH, TMAH, etc. from the electrode side where the electrodes 13a and 313b are formed and from the liquid chamber substrate side to form a through-hole penetrating the driving liquid chamber, the common liquid chamber, and the front and back surfaces. Further, the etching is spontaneously stopped in the diffusion region 312 containing the impurity at a high concentration, and the vibration plate 312 is formed. Note that when anisotropic etching is performed using an SOI substrate, the etching stops on the silicon oxide film. In this case, there is no problem even if the silicon oxide film is removed.

【0062】次の作製手順7では、図17(a)(b)
に示されるように、次に液室基板311表面とシリコン
振動板312の表面に液滴に対する耐腐食性薄膜325
aを形成する。この耐腐食性薄膜325aは、スパッタ
法、CVD法等により形成された単層、或いは、積層膜
であって少なくとも酸素原子を含む、望ましくは1.0
%以上酸素原子を含む窒化チタンである。ここで、耐腐
食性薄膜325aは、窒化チタンに限定されるものでは
なく、液滴に対して耐腐食性を持つ薄膜であれば何れで
も良い。
In the next manufacturing procedure 7, FIGS. 17 (a) and 17 (b)
As shown in FIG. 7, the surface of the liquid chamber substrate 311 and the surface of the silicon diaphragm 312 are next provided with a corrosion-resistant thin film
a is formed. The corrosion-resistant thin film 325a is a single layer formed by a sputtering method, a CVD method, or the like, or a laminated film containing at least oxygen atoms,
This is titanium nitride containing oxygen atoms in an amount of at least%. Here, the corrosion-resistant thin film 325a is not limited to titanium nitride, but may be any thin film having corrosion resistance to droplets.

【0063】次の作製手順8では、図18(a)(b)
に示されるように、電極が形成された基板301表面に
も液滴に対する耐腐食性薄膜325bを全面に形成す
る。この時、前記貫通孔内部にも耐腐食性膜325bが
形成される。この耐腐食性薄膜325bは、スパッタ
法、CVD法等により形成された単層、或いは、積層膜
であって少なくとも酸素原子を含む、望ましくは1.0
%以上酸素原子を含む窒化チタンである。
In the next manufacturing procedure 8, FIGS. 18A and 18B
As shown in (2), a corrosion-resistant thin film 325b for droplets is also formed on the entire surface of the substrate 301 on which the electrodes are formed. At this time, a corrosion resistant film 325b is also formed inside the through hole. The corrosion-resistant thin film 325b is a single layer formed by a sputtering method, a CVD method, or the like, or a laminated film containing at least oxygen atoms, desirably 1.0.
This is titanium nitride containing oxygen atoms in an amount of at least%.

【0064】ここで、耐腐食性薄膜325bは、窒化チ
タンに限定されるものではなく、液滴に対して耐腐食性
を持つ薄膜であれば何れでも良い。本説明では、耐腐食
性薄膜325bは、前記貫通孔305の内壁のみなら
ず、電極が形成された基板301の裏面の全面にわたり
形成された例を示したが、実施例1のように貫通孔30
5の内壁のみに耐腐食性薄膜325bを形成しても良
い。
Here, the corrosion-resistant thin film 325b is not limited to titanium nitride, but may be any thin film having corrosion resistance to droplets. In the present description, the example in which the corrosion-resistant thin film 325b is formed not only on the inner wall of the through hole 305 but also on the entire back surface of the substrate 301 on which the electrode is formed is shown. 30
The corrosion-resistant thin film 325b may be formed only on the inner wall 5.

【0065】次の作製手順9では、図19(a)(b)
に示されるように、次に、パッド領域の駆動電極部の
み、耐腐食性薄膜325とシリコン振動板312と絶縁
膜304をエッチング除去し,パッド部321を形成
し、これら基板上部にサンドブラスト加工やレーザー加
工で液滴ノズル孔319が形成が形成されているガラス
板や金属板又は、エッチング加工されたシリコン基板か
らなる液室カバー314を張り付け実施例2のインクジ
ェット記録ヘッド326が完成する。
In the next manufacturing procedure 9, FIGS. 19A and 19B
Next, only the drive electrode portion in the pad region is etched and removed from the corrosion-resistant thin film 325, the silicon diaphragm 312, and the insulating film 304 to form a pad portion 321. A liquid chamber cover 314 made of a glass plate or a metal plate on which the droplet nozzle holes 319 are formed by laser processing, or an etched silicon substrate is attached to complete the ink jet recording head 326 of the second embodiment.

【0066】液室基板は、上記作製手順1〜9を経て、
個々の液滴ノズル孔319に対応して異方性エッチング
により形成される駆動液室318とそこへ液体を供給す
るための共通液室316が形成され、両者は異方性エッ
チングで形成した流路317で連通される。更に、この
共通液室316は、液滴供給口315が形成された裏面
から表面に貫通した液流路305を経て連通される。
The liquid chamber substrate is manufactured through the above-described manufacturing procedures 1 to 9,
A driving liquid chamber 318 formed by anisotropic etching corresponding to each droplet nozzle hole 319 and a common liquid chamber 316 for supplying a liquid thereto are formed. It is communicated by a road 317. Further, the common liquid chamber 316 is communicated through a liquid flow path 305 penetrating from the back surface where the droplet supply port 315 is formed to the front surface.

【0067】インク液が接液する各部材の表面には、耐
腐食性薄膜325a,325bが形成された耐腐食性構
造が完成する。そして、このように構成された静電アク
チュエータでは、駆動電極パッド321に駆動電圧が印
加された時、単結晶シリコン振動板312と駆動電極3
21の間に静電力が働く。そのため、振動板312は、
駆動電極321方向に撓み、液室318内は負圧とな
る。これにより、駆動液室318には、液供給のための
流路317を経て共通液室316から液体が供給され
る。
A corrosion-resistant structure in which the corrosion-resistant thin films 325a and 325b are formed on the surface of each member that comes into contact with the ink liquid is completed. In the electrostatic actuator configured as described above, when a drive voltage is applied to the drive electrode pad 321, the single crystal silicon diaphragm 312 and the drive electrode 3
Electrostatic force works during 21. Therefore, diaphragm 312 is
The liquid chamber 318 is bent in the direction of the drive electrode 321 and a negative pressure is generated in the liquid chamber 318. Thus, the liquid is supplied to the driving liquid chamber 318 from the common liquid chamber 316 via the flow path 317 for supplying the liquid.

【0068】次に、単結晶シリコン振動板312は、駆
動電圧を切るとシリコンの剛性によって元の位置へ戻
る。このとき、駆動液室318内部のインク液は、加圧
されて液滴ノズル孔319から320方向へ吐出され
る。この様な静電アクチュエータにおいて、液滴に対す
る耐腐食性薄膜325a、325bとして窒化チタンを
用いた時の1E19/cm3以上ボロン不純物が導入された
厚さ2μmの振動板の撓み量と噴射特性液(滴噴射スピ
ードや液適量)のビット間のバラツキを評価した結果を
図20に示す。
Next, when the driving voltage is cut off, the single crystal silicon diaphragm 312 returns to the original position due to the rigidity of silicon. At this time, the ink liquid inside the driving liquid chamber 318 is pressurized and discharged from the droplet nozzle holes 319 in the 320 direction. In such an electrostatic actuator, when titanium nitride is used as the corrosion-resistant thin films 325a and 325b against droplets, the deflection amount of the 2 μm-thick diaphragm into which boron impurities of 1E19 / cm 3 or more are introduced and the injection characteristic liquid ( FIG. 20 shows the results of evaluating the variation between bits of the droplet ejection speed and the appropriate amount of liquid.

【0069】この評価結果から耐腐食性薄膜325aを
振動板312上に形成した時に振動板312の撓みがみ
られた場合、噴射特性のビット間にバラツキを生じ実用
上大きな問題となることが分かる。この為、耐腐食性薄
膜325a、325bを振動板312上に順次形成した
場合、少しでも振動板312に撓み生じることは好まし
くない。この傾向は、液滴に対して耐腐食性を持つ薄膜
の何れを用いた場合でも同様の結果を示した。
From this evaluation result, it can be seen that if the diaphragm 312 is bent when the corrosion-resistant thin film 325a is formed on the diaphragm 312, there is a variation in the injection characteristics between bits, which is a serious problem in practical use. . For this reason, when the corrosion-resistant thin films 325a and 325b are sequentially formed on the diaphragm 312, it is not preferable that the diaphragm 312 bend even a little. This tendency showed the same result when any of the thin films having corrosion resistance to droplets was used.

【0070】次に、耐腐食性薄膜325a、325bと
して窒化チタンを用いた時に、窒化チタン中に含まれる
酸素原子濃度と液滴に対する耐腐食性を評価した結果を
図21に示す。
Next, FIG. 21 shows the results of evaluating the concentration of oxygen atoms contained in titanium nitride and the corrosion resistance to droplets when titanium nitride was used as the corrosion-resistant thin films 325a and 325b.

【0071】図21から窒化チタンに酸素原子が含有し
ていない場合には、実用上大きな問題とはならなかった
が、液滴に対して多少の腐食がみられたのに対し、酸素
原子が少なくとも含まれた窒化チタンの場合には耐腐食
性が向上することが分かる。更に1%以上含有している
窒化チタンの場合には、耐腐食性がより向上する事が分
かった。
As shown in FIG. 21, when oxygen atoms were not contained in titanium nitride, no serious problem was caused in practical use. It can be seen that at least in the case of the included titanium nitride, the corrosion resistance is improved. In the case of titanium nitride containing 1% or more, it was found that the corrosion resistance was further improved.

【0072】このことから、耐腐食性薄膜325a,3
25bに窒化チタンを用いた場合には、少なくとも酸素
原子が含まれることが望ましく、酸素原子が1%以上含
有された窒化チタンの場合には、更に、望ましいことが
分かる。
From this, the corrosion-resistant thin films 325a and 325a
When titanium nitride is used for 25b, it is desirable that at least oxygen atoms are contained, and when titanium nitride containing 1% or more oxygen atoms is contained, it is further desirable.

【0073】次に、実施例3の構成について図22乃至
図25を参照して説明する。図22乃至図25に示され
るように、実施例3の構成は、耐腐食性薄膜625が積
層されるため、ゴミによって耐腐食性薄膜625に発生
するピンホールを防止し更に信頼性を高めた構成の場合
を示す。又、振動板上や駆動液室内部と上部や共通液室
と液流路、更には、フレームと静電アクチュエータを組
立アッセンブリーするときの接着強度を向上させるため
に支持体である単結晶シリコン基板601の液供給口6
15を含む裏面全面に耐腐食性薄膜を形成した例を示
す。
Next, the configuration of the third embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 22 to 25, in the configuration of the third embodiment, since the corrosion-resistant thin film 625 is laminated, pinholes generated in the corrosion-resistant thin film 625 due to dust are prevented, and the reliability is further improved. The case of a configuration is shown. Also, a single crystal silicon substrate which is a support for improving the adhesive strength when assembling the frame and the electrostatic actuator on the vibration plate, the inner and upper portions of the driving liquid chamber, the common liquid chamber and the liquid flow path, and the frame. 601 liquid supply port 6
15 shows an example in which a corrosion-resistant thin film is formed on the entire back surface including No. 15.

【0074】図22は図1の駆動電極部の断面であるA
−A′断面を示す縦断面図である。図23は図1のPA
D領域の断面であるB−B′断面を示す縦断面図であ
る。図24は図1のC−C′断面を示す縦断面図であ
る。図25は図1の液供給口領域の断面であるD−D′
断面を示す縦断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view of the drive electrode section shown in FIG.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the -A 'cross section. FIG. 23 shows the PA of FIG.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the BB 'cross section which is a cross section of D area. FIG. 24 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line CC 'of FIG. FIG. 25 is a cross section of the liquid supply port area of FIG.
It is a longitudinal section showing a section.

【0075】実施例3の静電アクチュエータは、前述の
図11乃至図19に示したプロセスフロー(手順)に従
って作製したものである。
The electrostatic actuator according to the third embodiment is manufactured according to the process flow (procedure) shown in FIGS.

【0076】図22乃至図25に示されるように、60
1は面方位(100)、抵抗率10〜30Ω-cmのp単結
晶シリコン基板である。駆動電極621は、単結晶シリ
コン基板601上の厚さ2μmの酸化シリコン602に
形成した深さ0.4μmの凹部内に配置された、反応性
スパッタ法によって順次酸化膜上に形成された窒化チタ
ンであって互いに絶縁分離されている。
As shown in FIG. 22 to FIG.
Reference numeral 1 denotes a p-single-crystal silicon substrate having a plane orientation (100) and a resistivity of 10 to 30 Ω-cm. The drive electrode 621 is a titanium nitride film formed on a silicon oxide film 602 having a thickness of 2 μm on a single crystal silicon substrate 601 and having a depth of 0.4 μm and formed on an oxide film by a reactive sputtering method. And are insulated from each other.

【0077】酸化シリコン602は、熱酸化法によって
形成する。更に、この駆動電極の窒化チタン上には、プ
ラズマCVD法により形成した厚さ200nmの酸化シ
リコン膜604を形成する。この酸化シリコン膜604
は、振動板612と駆動電極621の絶縁を確保するた
めの物である。
The silicon oxide 602 is formed by a thermal oxidation method. Further, a 200 nm-thick silicon oxide film 604 is formed on the titanium nitride of the drive electrode by a plasma CVD method. This silicon oxide film 604
Is for securing insulation between the diaphragm 612 and the drive electrode 621.

【0078】608は前記酸化シリコン膜604がエッ
チング除去されている静電アクチュエータの駆動電極6
21に駆動電圧を印加する為のパッド領域である。面方
位(110)の単結晶シリコン基板511をKOHで異
方性エッチングして形成したボロン不純物原子を1E1
9/cm3以上含む膜厚2μmの振動板612がギャップス
ペーサである酸化シリコン膜602を介して駆動電極6
21に対向して配置されている。面方位(110)単結
晶シリコン基板611には、KOHの異方性エッチング
で形成した駆動液室618と、そこへ液を供給する共通
液室616が形成され、両者が流路617によって連通
されている。
Reference numeral 608 denotes a drive electrode 6 of the electrostatic actuator from which the silicon oxide film 604 has been removed by etching.
21 is a pad area for applying a driving voltage to the pad 21. A boron impurity atom formed by anisotropically etching a single crystal silicon substrate 511 having a plane orientation of (110) with KOH is 1E1
A 2 μm-thick diaphragm 612 containing 9 / cm 3 or more has a driving electrode 6 through a silicon oxide film 602 serving as a gap spacer.
21. A driving liquid chamber 618 formed by anisotropic etching of KOH and a common liquid chamber 616 for supplying a liquid thereto are formed in the plane orientation (110) single crystal silicon substrate 611, and both are communicated by a channel 617. ing.

【0079】一方、駆動電極621が形成された面方位
(100)単結晶シリコン基板601には、裏面から表
面に貫通した貫通口605を通して前記共通液室616
に裏面側から液を供給するための液供給口615が形成
されており、前述のように駆動液室618と共通液室6
16は液流路617によって連通されている。
On the other hand, the (100) single-crystal silicon substrate 601 on which the drive electrode 621 is formed is connected to the common liquid chamber 616 through a through hole 605 penetrating from the back surface to the front surface.
A liquid supply port 615 for supplying a liquid from the back side is formed in the driving liquid chamber 618 and the common liquid chamber 6 as described above.
16 is communicated by a liquid channel 617.

【0080】一方、液室基板611の表面、シリコン振
動板612の表面、駆動液室618の内部、共通液室6
16の内部、液流路617の表面、貫通流路605の表
面、更には裏側から液を供給するための液供給口615
を含む単結晶シリコン基板601の裏面全面にスパッタ
法によって各々内部応力が引っ張り応力であって酸素原
子を5%含有する厚さ500Åの窒化チタンからなる耐
腐食性薄膜625b,625dを形成し更にスパッタの
条件を変更して形成した酸素原子を15%含有する厚さ
500Åの窒化チタンからなる耐腐食性薄膜625a,
625cが順次形成されている。
On the other hand, the surface of the liquid chamber substrate 611, the surface of the silicon diaphragm 612, the inside of the driving liquid chamber 618, the common liquid chamber 6
16, the surface of the liquid flow channel 617, the surface of the through flow channel 605, and the liquid supply port 615 for supplying the liquid from the back side.
Are formed on the entire back surface of the single-crystal silicon substrate 601 containing a silicon nitride film 625b, 625d made of titanium nitride having a thickness of 500.degree. The corrosion-resistant thin film 625a made of titanium nitride having a thickness of 500% and containing 15% of oxygen atoms formed by changing the conditions of
625c are sequentially formed.

【0081】この時、振動板612には、挫屈による撓
みは全く発生していなかった。更に,液滴ノズル孔61
9が形成された金属板614が液室の上に張り付けられ
ている。このような静電アクチュエータにおいて、振動
板612を電気的に接地し、更に,電極パット゛608
を介して駆動電極621に駆動電圧を印加し一定周波数
で駆動する。電圧を引加したとき振動板612と駆動電
極間621には、静電引力が働く。そのため、振動板6
12は、窒化チタンからなる耐腐食性薄膜625a,6
25bの挫屈によるたわみが生じていないため、静電引
力により駆動電極側に十分引かれる。
At this time, the diaphragm 612 was not bent at all by buckling. Further, the droplet nozzle hole 61
A metal plate 614 on which 9 is formed is stuck on the liquid chamber. In such an electrostatic actuator, the diaphragm 612 is electrically grounded.
A drive voltage is applied to the drive electrode 621 via the drive electrode 621 to drive at a constant frequency. When a voltage is applied, an electrostatic attractive force acts between the diaphragm 612 and the drive electrode 621. Therefore, the diaphragm 6
12 is a corrosion-resistant thin film 625a, 6 made of titanium nitride.
Since no bending is caused by the buckling of 25b, it is sufficiently pulled toward the drive electrode by electrostatic attraction.

【0082】その結果、駆動液室618の内部は、十分
に負圧となる。そのため、液供給口615に接続された
液体は、貫通流路605と共通液室616と流路617
とを経て駆動液室618へ液体が供給される。
As a result, the inside of the driving liquid chamber 618 has a sufficient negative pressure. Therefore, the liquid connected to the liquid supply port 615 passes through the through channel 605, the common liquid chamber 616, and the channel 617.
The liquid is supplied to the driving liquid chamber 618 via

【0083】さらに、駆動電圧の周波数に対応して振動
板612は、シリコンの剛性により元の位置へと戻る。
これにより、駆動液室618の内部は、加圧される。よ
って、駆動液室618の内部の液は、液滴ノズル孔61
9から矢印620方向へ安定に吐出される。
Further, the diaphragm 612 returns to the original position due to the rigidity of the silicon in accordance with the frequency of the driving voltage.
Thus, the inside of the driving liquid chamber 618 is pressurized. Therefore, the liquid inside the driving liquid chamber 618 is
9 is stably discharged in the direction of arrow 620.

【0084】更に、この状態で噴射特性のビット間のバ
ラツキを測定した結果非常に均一性の良い噴射特性を得
ることが出来た。また窒化チタンを積層した耐腐食性薄
膜625a〜625dを用いて液滴による信頼性試験を
行った結果、本発明の静電アクチュエータの構成部材で
あるシリコンが液滴中に全く溶出しておらず、ピンホー
ルによる信頼性不良が皆無であることが確認された。更
に、シリコン基板601の裏面の全面にわたり窒化チタ
ンからなる耐腐食性薄膜625c,625dが形成され
ていたことからフレーム(図示せず)との組立アッセン
ブリーしたときの接着強度が強くなり信頼性が実施例1
の場合より更に向上している。
Further, as a result of measuring the variation of the injection characteristics between the bits in this state, it was possible to obtain the injection characteristics with very good uniformity. In addition, as a result of performing a reliability test using droplets using the corrosion-resistant thin films 625a to 625d on which titanium nitride is laminated, no silicon, which is a constituent member of the electrostatic actuator of the present invention, was eluted in the droplets at all. It was confirmed that there was no reliability failure due to pinholes. Furthermore, since the corrosion-resistant thin films 625c and 625d made of titanium nitride are formed over the entire back surface of the silicon substrate 601, the bonding strength when assembling with a frame (not shown) is increased and reliability is improved. Example 1
It is even better than in the case of.

【0085】次に、本発明の静電アクチュエータ(実施
例1〜3)をインクジェット記録装置に用いた実施例4
について図26、図27を参照して説明する。
Next, an embodiment 4 in which the electrostatic actuator of the present invention (embodiments 1 to 3) is used in an ink jet recording apparatus.
This will be described with reference to FIGS. 26 and 27.

【0086】図26は本発明に係るインクジェット記録
装置の要部構成を示す斜視図である。図27はインクジ
ェット記録装置の側面図である。
FIG. 26 is a perspective view showing the structure of a main part of an ink jet recording apparatus according to the present invention. FIG. 27 is a side view of the ink jet recording apparatus.

【0087】図26、図27に示されるように、このイ
ンクジェット記録装置は、記録装置本体701の内部に
主走査方向に移動可能なキャリッジ713、キャリッジ
713に搭載したインクジェット記録ヘッド714、記
録ヘッド714へインクを供給するインクカートリッジ
715等で構成される印字機構部702等を収納してい
る。
As shown in FIGS. 26 and 27, this ink jet recording apparatus includes a carriage 713 movable in the main scanning direction inside a recording apparatus main body 701, an ink jet recording head 714 mounted on the carriage 713, and a recording head 714. And a printing mechanism 702 including an ink cartridge 715 for supplying ink to the printer.

【0088】装置本体701の下方部には、前方側から
多数枚の用紙703を積載可能な給紙カセット704
(或いは給紙トレイ705)を抜き差し自在に装着する
ことができる。また、用紙703を手差しで給紙するた
めの手差しトレイ705を開倒することができ、給紙カ
セット704或いは手差しトレイ705から給送される
用紙703を取り込み、印字機構部702によって所要
の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ7
06に排紙する。
A paper feed cassette 704 capable of stacking a large number of sheets 703 from the front side is provided below the apparatus main body 701.
(Or the paper feed tray 705) can be freely inserted and removed. Further, the manual tray 705 for manually feeding the paper 703 can be opened, the paper 703 fed from the paper feed cassette 704 or the manual tray 705 is taken in, and a required image is printed by the printing mechanism 702. After recording, the output tray 7 mounted on the rear side
06 is discharged.

【0089】印字機構部702は、図示しない左右の側
板に横架したガイド部材である主ガイドロッド711と
従ガイドロッド712とでキャリッジ713を主走査方
向図27で紙面垂直方向に摺動自在に保持する。このキ
ャリッジ713には、イエロー(Y)、シアン(C)、
マゼンタ(M)、ブラック(Bk)の各色のインク滴を
吐出するインクジェットヘッドからなるヘッド714を
複数のインク吐出口を主走査方向と交叉する方向に配列
し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着されている。
The printing mechanism 702 slides the carriage 713 in a main scanning direction as shown in FIG. 27 in a direction perpendicular to the sheet of FIG. 27 by a main guide rod 711 and a sub guide rod 712 which are guide members laid horizontally on left and right side plates (not shown). Hold. The carriage 713 includes yellow (Y), cyan (C),
A plurality of ink discharge ports are arranged in a direction intersecting the main scanning direction with a plurality of ink discharge ports arranged in a direction intersecting the main scanning direction, and a head 714 composed of ink jet heads discharging ink droplets of each color of magenta (M) and black (Bk) is directed downward. It is installed.

【0090】ヘッド714は、本発明の静電型アクチュ
エータ(上記実施例1乃至3)をインクジェットヘッド
として用いた。ここで、キャリッジ713は、後方側
(用紙搬送方向下流側)を主ガイドロッド711に摺動
自在に嵌装し、前方側(用紙搬送方向下流側)を従ガイ
ドロッド712に摺動自在に載置している。
As the head 714, the electrostatic actuator of the present invention (Examples 1 to 3) was used as an ink jet head. Here, the carriage 713 is slidably fitted on the main guide rod 711 on the rear side (downstream side in the paper conveyance direction), and slidably mounted on the slave guide rod 712 on the front side (downstream side in the paper conveyance direction). It is location.

【0091】そして、このキャリッジ713を主走査方
向に移動走査するため、主走査モータ717で回転駆動
される駆動プーリ718と従動プーリ719との間にタ
イミングベルト720を張装し、このタイミングベルト
720をキャリッジ713に固定しており、主走査モー
タ717の正逆回転によりキャリッジ713が往復駆動
される。
In order to move and scan the carriage 713 in the main scanning direction, a timing belt 720 is stretched between a driving pulley 718 rotated and driven by a main scanning motor 717 and a driven pulley 719. Is fixed to the carriage 713, and the carriage 713 is reciprocated by the forward and reverse rotation of the main scanning motor 717.

【0092】一方、給紙カセット704にセットした用
紙703をヘッド714の下方側に搬送するために、給
紙カセット704から用紙703を分離給装する給紙ロ
ーラ721及びフリクションパッド722と、用紙70
3を案内するガイド部材723と、給紙された用紙70
3を反転させて搬送する搬送ローラ724と、この搬送
ローラ724の周面に押し付けられる搬送コロ725及
び搬送ローラ724からの用紙703の送り出し角度を
規定する先端コロ726とを設けている。
On the other hand, in order to transport the sheet 703 set in the sheet cassette 704 to the lower side of the head 714, a sheet feed roller 721 and a friction pad 722 for separating and feeding the sheet 703 from the sheet cassette 704,
3, a guide member 723 for guiding
A transport roller 724 that reverses and transports the sheet 3 and a transport roller 725 that is pressed against the peripheral surface of the transport roller 724 and a tip roller 726 that defines the angle at which the sheet 703 is sent out from the transport roller 724 are provided.

【0093】搬送ローラ724は、副走査モータ727
によってギヤ列を介して回転駆動される。そして、キャ
リッジ713の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ロ
ーラ724から送り出された用紙703を記録ヘッド7
14の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け
部材729を設けている。この印写受け部材729の用
紙搬送方向下流側には、用紙703を排紙方向へ送り出
すために回転駆動される搬送コロ731、拍車732を
設け、さらに用紙703を排紙トレイ706に送り出す
排紙ローラ733及び拍車734と、排紙経路を形成す
るガイド部材735,736とを配設している。
The transport roller 724 has a sub-scanning motor 727
Is driven to rotate via a gear train. Then, the sheet 703 sent from the transport roller 724 corresponding to the moving range of the carriage 713 in the main scanning direction is transferred to the recording head 7.
An image receiving member 729 is provided as a paper guide member for guiding the lower side of the sheet 14. On the downstream side of the printing receiving member 729 in the paper transport direction, a transport roller 731 and a spur 732 that are driven to rotate to transport the paper 703 in the paper discharge direction are provided. A roller 733 and a spur 734, and guide members 735 and 736 forming a paper discharge path are provided.

【0094】記録時には、キャリッジ713を移動させ
ながら画像信号に応じて記録ヘッド714を駆動するこ
とにより、停止している用紙703にインクを吐出して
1行分を記録し、用紙703を所定量搬送後次の行の記
録を行う。記録終了信号または、用紙703の後端が記
録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を
終了させ用紙703を排紙する。
At the time of recording, by driving the recording head 714 according to the image signal while moving the carriage 713, ink is discharged onto the stopped paper 703 to record one line, and the paper 703 is moved by a predetermined amount. After transport, the next line is recorded. Upon receiving a recording end signal or a signal indicating that the rear end of the sheet 703 has reached the recording area, the recording operation is terminated and the sheet 703 is discharged.

【0095】この様に上記実施例1〜3の静電アクチュ
エータをインクジェット記録装置に用いることにより、
このインクジェット記録装置を用いて印字を行った結
果、低消費電力で高精細な印字が出来る。
As described above, by using the electrostatic actuators of Examples 1 to 3 in an ink jet recording apparatus,
As a result of printing using this ink jet recording apparatus, high-definition printing can be performed with low power consumption.

【0096】[0096]

【発明の効果】上述の如く、請求項1記載の発明によれ
ば、液滴が接する裏面から表面に貫通する液流路と振動
板上に前記液滴に対して耐腐食性をもつ薄膜が形成され
ているので、この耐腐食性薄膜によって静電アクチュエ
ータを構成している部材と液滴が完全に遮断されてお
り、前記部材が液滴によって腐食する事が全くなくな
り、前記部材から液滴へ溶出したイオン等の物質が液滴
の品質を劣化させる事が無くなる。インク記録ヘッドと
して用いた場合には画質の劣化が防止できる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the thin film having corrosion resistance against the droplet is formed on the diaphragm and the liquid flow path penetrating from the back surface to the surface. Since the droplets are formed, the members constituting the electrostatic actuator and the droplets are completely shut off by the corrosion-resistant thin film. Substances such as ions eluted into the liquid do not deteriorate the quality of the droplet. When used as an ink recording head, deterioration of image quality can be prevented.

【0097】請求項2記載の発明によれば、耐腐食性薄
膜が裏面全面に形成されている事からフレーム等の外部
支持体との接着強度が向上し組み立て工程の歩留まりが
向上する。
According to the second aspect of the present invention, since the corrosion-resistant thin film is formed on the entire back surface, the adhesive strength to an external support such as a frame is improved, and the yield of the assembling process is improved.

【0098】請求項3記載の発明によれば、耐腐食性薄
膜が液室側壁と液室上部に形成されているので液室側壁
を構成している部材からの物質溶出による液滴劣化が無
くなり更には、液滴噴射ノズルプレートとの接着強度が
向上し組立の歩留まりが向上する。
According to the third aspect of the present invention, since the corrosion-resistant thin film is formed on the side wall of the liquid chamber and on the upper part of the liquid chamber, the deterioration of the droplet due to the elution of the substance from the member constituting the side wall of the liquid chamber is eliminated. Further, the bonding strength with the droplet jet nozzle plate is improved, and the yield of assembly is improved.

【0099】請求項4記載の発明によれば、耐腐食性薄
膜は表面と裏面を別々の工程で形成するので表面と裏面
で別々に制御した薄膜を形成することができ、プロセス
に応じて種々膜質、膜厚を変化させることが出来るので
プロセス設計のマージンが広がる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the front and back surfaces of the corrosion-resistant thin film are formed in separate steps, it is possible to form a thin film whose front and back surfaces are separately controlled. Since the film quality and thickness can be changed, the margin of process design is widened.

【0100】請求項5記載の発明によれば、インク液滴
を静電力による圧力波で吐出するインクジェット記録ヘ
ッドにおいて、インク液滴を吐出するノズル孔と、上記
ノズル孔が連通するインク流路のインク液室と、請求項
1〜7記載の静電アクチュエータの裏面から表面に貫通
するインク流路と振動板とインク液室側壁とインク液室
上部と支持体裏面に形成された耐腐食性薄膜とからなる
ので、何れの種類のインクにも対応できるインクジェッ
トヘッドが実現できる。又、静電型であるので低消費電
力に優れたインクジェットヘッドが実現できる。
According to the fifth aspect of the present invention, in an ink jet recording head for discharging ink droplets by a pressure wave by electrostatic force, a nozzle hole for discharging ink droplets and an ink flow path communicating with the nozzle holes are provided. 8. An anti-corrosion thin film formed on an ink liquid chamber, an ink flow path penetrating from the back surface to the front surface of the electrostatic actuator according to claim 1, a vibration plate, an ink liquid chamber side wall, an ink liquid chamber upper portion, and a back surface of the support. Therefore, an ink jet head that can handle any type of ink can be realized. In addition, since it is of an electrostatic type, an ink jet head having excellent low power consumption can be realized.

【0101】請求項6記載の発明によれば、請求項10
記載の静電アクチュエータからなるインクジェットヘッ
ドを用いたインクジェット記録装置であるので、低消費
電力で、かつ、高画質の画像が記録出来る。
According to the invention set forth in claim 6, according to claim 10,
Since this is an ink jet recording apparatus using the ink jet head including the electrostatic actuator described above, it is possible to record a high quality image with low power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明になる静電アクチュエータの実施例1を
示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of an electrostatic actuator according to the present invention.

【図2】図1中のA−A′断面を示す縦断面図である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an AA ′ section in FIG. 1;

【図3】図1中のB−B′断面を示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a BB ′ section in FIG. 1;

【図4】図1中のC−C′断面を示す縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a section taken along the line CC ′ in FIG. 1;

【図5】図1中のD−D′断面を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line DD ′ in FIG. 1;

【図6】実施例2の静電アクチュエータの平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view of the electrostatic actuator according to the second embodiment.

【図7】図6中のA−A′断面を示す縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing an AA ′ section in FIG. 6;

【図8】図6中のB−B′断面を示す縦断面図である。FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a BB ′ section in FIG. 6;

【図9】図6中のC−C′断面断面を示す縦断面図であ
る。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a section taken along the line CC ′ in FIG. 6;

【図10】図6中のD−D′断面を示す縦断面図であ
る。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line DD ′ in FIG. 6;

【図11】実施例2の静電アクチュエータの作製手順1
を示す工程図である。
FIG. 11 is a manufacturing procedure 1 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図12】実施例2の静電アクチュエータの作製手順2
を示す工程図である。
FIG. 12 is a manufacturing procedure 2 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図13】実施例2の静電アクチュエータの作製手順3
を示す工程図である。
FIG. 13 is a manufacturing procedure 3 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図14】実施例2の静電アクチュエータの作製手順4
を示す工程図である。
FIG. 14 is a manufacturing procedure 4 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図15】実施例2の静電アクチュエータの作製手順5
を示す工程図である。
FIG. 15 is a manufacturing procedure 5 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図16】実施例2の静電アクチュエータの作製手順6
を示す工程図である。
FIG. 16 is a manufacturing procedure 6 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図17】実施例2の静電アクチュエータの作製手順7
を示す工程図である。
FIG. 17 is a manufacturing procedure 7 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図18】実施例2の静電アクチュエータの作製手順8
を示す工程図である。
FIG. 18 is a manufacturing procedure 8 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図19】実施例2の静電アクチュエータの作製手順9
を示す工程図である。
FIG. 19 is a manufacturing procedure 9 of the electrostatic actuator according to the second embodiment.
FIG.

【図20】振動板の撓み量と噴射特性(液滴噴射スピー
ドや液適量)のビット間のバラツキを評価した結果を示
す図である。
FIG. 20 is a diagram illustrating a result of evaluating a variation between bits of a flexure amount of a diaphragm and ejection characteristics (a droplet ejection speed and a proper liquid amount).

【図21】耐腐食性薄膜として窒化チタンを用いた時
に、窒化チタン中に含まれる酸素原子濃度と液滴に対す
る耐腐食性を評価した結果を示す図である。
FIG. 21 is a graph showing the results of evaluating the concentration of oxygen atoms contained in titanium nitride and the corrosion resistance to droplets when titanium nitride was used as the corrosion-resistant thin film.

【図22】図1の駆動電極部の断面であるA−A′断面
を示す縦断面図である。
FIG. 22 is a longitudinal sectional view showing an AA ′ section, which is a section of the drive electrode unit in FIG. 1;

【図23】図1のPAD領域の断面であるB−B′断面
を示す縦断面図である。
23 is a longitudinal sectional view showing a BB ′ section, which is a section of the PAD region in FIG. 1;

【図24】図1のC−C′断面を示す縦断面図である。FIG. 24 is a longitudinal sectional view showing a section taken along the line CC ′ of FIG. 1;

【図25】図1の液供給口領域の断面であるD−D′断
面を示す縦断面図である。
FIG. 25 is a vertical sectional view showing a section taken along line DD ′ of the liquid supply port region in FIG. 1;

【図26】本発明に係るインクジェット記録装置の要部
構成を示す斜視図である。
FIG. 26 is a perspective view illustrating a main configuration of an inkjet recording apparatus according to the present invention.

【図27】インクジェット記録装置の側面図である。FIG. 27 is a side view of the ink jet recording apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,201,301,601 単結晶シリコン基板 102,202,302,602 酸化シリコン 104,204,304,604 絶縁膜 111,211,311,611 単結晶シリコン基板 112,212,312,612 シリコン振動板 114,214,314,614 カバー板 115,215,315,615 液供給口 116,216,316,616 共通液室 117,217,317,617 液流路 118,218,317,617 駆動液室 119,219,319,619 液滴ノズル孔 121,221,321,621 駆動電極 125a,125b,225a,225b,325a,
325b,625a〜625d 耐腐食性薄膜 701 記録装置本体 702 印字機構部 713 キャリッジ 714 インクジェット記録ヘッド 715 インクカートリッジ 703 用紙 704 給紙カセット
101, 201, 301, 601 Single crystal silicon substrate 102, 202, 302, 602 Silicon oxide 104, 204, 304, 604 Insulating film 111, 211, 311, 611 Single crystal silicon substrate 112, 212, 312, 612 Silicon diaphragm 114, 214, 314, 614 Cover plate 115, 215, 315, 615 Liquid supply port 116, 216, 316, 616 Common liquid chamber 117, 217, 317, 617 Liquid flow path 118, 218, 317, 617 Driving liquid chamber 119 , 219, 319, 619 Droplet nozzle holes 121, 221, 321 and 621 Drive electrodes 125a, 125b, 225a, 225b, 325a,
325b, 625a to 625d Corrosion-resistant thin film 701 Recording device main body 702 Printing mechanism 713 Carriage 714 Ink jet recording head 715 Ink cartridge 703 Paper 704 Paper feed cassette

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液滴を吐出するノズル孔が設けられた表
面から液供給側に連通する支持体の裏面に貫通された液
流路と、該液流路を流れる液に接するように設けられた
振動板と、該振動板に対向して設けられ電圧の印加によ
り静電引力を発生させて前記振動板を変形させる電極
と、を有し、前記振動板の変形動作に伴う反発力を利用
して液体を導入すると共に前記ノズル孔から液滴を吐出
する静電アクチュエータにおいて、 液滴が接する液流路及び、振動板に前記液滴に対して耐
腐食性を有する薄膜を形成したことを特徴とする静電ア
クチュエータ。
A liquid flow path penetrated from a surface provided with a nozzle hole for discharging liquid droplets to a back surface of a support communicating with a liquid supply side, and provided so as to be in contact with a liquid flowing through the liquid flow path. And an electrode provided opposite to the diaphragm, the electrode being configured to generate electrostatic attraction by applying a voltage to deform the diaphragm, and to use a repulsive force accompanying a deformation operation of the diaphragm. An electrostatic actuator that introduces a liquid and discharges a droplet from the nozzle hole, wherein a thin film having corrosion resistance to the droplet is formed on the liquid flow path in contact with the droplet and the diaphragm. Characteristic electrostatic actuator.
【請求項2】 前記液供給側に対向する前記支持体の裏
面の全面に耐腐食性を有する薄膜を形成したことを特徴
とする請求項1記載の静電アクチュエータ。
2. The electrostatic actuator according to claim 1, wherein a corrosion-resistant thin film is formed on the entire back surface of the support facing the liquid supply side.
【請求項3】 前記振動板と前記ノズル孔との間に形成
された液室の内壁に耐腐食性を有する薄膜を形成したこ
とを特徴とする請求項1記載の静電アクチュエータ。
3. The electrostatic actuator according to claim 1, wherein a thin film having corrosion resistance is formed on an inner wall of the liquid chamber formed between the diaphragm and the nozzle hole.
【請求項4】 前記静電アクチュエータの液流路及び、
振動板に耐腐食性を有する第1の薄膜と、前記支持体の
裏面に耐腐食性を有する第2の薄膜とを別々の工程で形
成することを特徴とする静電アクチュエータの製造方
法。
4. A liquid flow path of the electrostatic actuator, and
A method for manufacturing an electrostatic actuator, comprising forming a first thin film having corrosion resistance on a diaphragm and a second thin film having corrosion resistance on a back surface of the support in separate steps.
【請求項5】 静電アクチュエータの静電力により駆動
される振動板の圧力波でインク液室のインク液滴をノズ
ル孔から吐出させるインクジェット記録ヘッドにおい
て、 前記静電アクチュエータの振動板及び、前記インク液室
の内壁及び、支持体の裏面に耐腐食性を有する薄膜を形
成したことを特徴としたインクジェット記録ヘッド。
5. An ink jet recording head for ejecting ink droplets of an ink liquid chamber from a nozzle hole by a pressure wave of a vibration plate driven by electrostatic force of an electrostatic actuator, wherein the vibration plate of the electrostatic actuator and the ink An ink jet recording head, wherein a thin film having corrosion resistance is formed on an inner wall of a liquid chamber and a back surface of a support.
【請求項6】 インク画像を記録する被記録体を搬送す
る被記録体搬送手段と、静電アクチュエータの静電力に
より駆動される振動板の圧力波でインク液室のインク液
滴をノズル孔から前記被記録体搬送手段によって搬送さ
れる被記録体に吐出させるインクジェット記録ヘッドと
を備えてなるインク画像を記録するインクジェット記録
装置において、 前記インクジェット記録ヘッドは、前記振動板及び、前
記インク液室の内壁及び、支持体裏面に耐腐食性を有す
る薄膜を形成されたことを特徴とするインクジェット記
録装置。
6. A recording medium conveying means for conveying a recording medium on which an ink image is to be recorded, and an ink droplet in an ink liquid chamber is ejected from a nozzle hole by a pressure wave of a diaphragm driven by electrostatic force of an electrostatic actuator. An ink jet recording apparatus for recording an ink image, comprising: an ink jet recording head that discharges onto a recording medium conveyed by the recording medium conveying means; wherein the ink jet recording head includes a vibration plate and an ink liquid chamber. An ink jet recording apparatus wherein a thin film having corrosion resistance is formed on an inner wall and a back surface of a support.
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