JP2002261196A - 素子パッケージ - Google Patents

素子パッケージ

Info

Publication number
JP2002261196A
JP2002261196A JP2001058101A JP2001058101A JP2002261196A JP 2002261196 A JP2002261196 A JP 2002261196A JP 2001058101 A JP2001058101 A JP 2001058101A JP 2001058101 A JP2001058101 A JP 2001058101A JP 2002261196 A JP2002261196 A JP 2002261196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
mold material
lead frame
frame
bonding wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001058101A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Ishikawa
石川　　誠司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2001058101A priority Critical patent/JP2002261196A/ja
Publication of JP2002261196A publication Critical patent/JP2002261196A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】第一の素子および第二の素子をリードフレーム
上に支持し、これらをモールド材中に固定するような形
態の素子パッケージにおいて、環境温度変化に伴う出力
変動を抑制する。 【解決手段】素子パッケージ１は、リードフレーム１
２、第一の素子４と第二の素子９とを電気的に接続する
第一のボンディングワイヤ１０、第二の素子９をリード
フレーム１２へと接続するダイボンド剤８Ｂ、第二の素
子９とリードフレーム１２とを電気的に接続する第二の
ボンディングワイヤ１１、少なくとも第一の素子４を被
覆するように形成された素子被覆モールド材３、および
素子被覆モールド材３、第二の素子９、ボンディングワ
イヤ１０、１１およびリードフレーム１２を被覆し、パ
ッケージの外観を構成するパッケージ構成用モールド材
２を備えている。モールド材３の線熱膨張係数が、第一
の素子４のモールド材３に対する接触面４ｂにおける線
熱膨張係数と、モールド材２の線熱膨張係数との間にあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第一の素子、例え
ばセンサー素子と、第二の素子、例えば電子回路素子と
をモールド材内に固定ないし固結して得られる素子パッ
ケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージ分野においては、
リードフレーム上にＩＣ素子を載置し、ＩＣ素子からリ
ードフレームへとボンディングワイヤを接続し、リード
フレームおよびＩＣ素子を樹脂モールド材中に固結する
ことによって、パッケージを製造することが行われてい
る。例えば、特開昭６０−１３０１４９号公報の記載に
よれば、樹脂内にモールドされたＩＣチップに歪みが加
わるために、ＩＣチップ内で圧電効果が生じ、ホール電
圧出力端子間にオフセット電圧が生じ、特性が変化する
とされている。そして、こうしたＩＣチップの歪みを防
止するために、ＩＣチップをリードフレームに対して接
着しているダイボンド剤と同一の材料によってＩＣチッ
プの上面を被覆した後で、ＩＣチップをモールド材中に
固定している。また、特開昭６２−２５４４５７号公報
の記載によれば、リードフレームに島状部分を設け、島
状部分の周縁を吊り部を介して枠に接続している。この
場合には、ＩＣチップを樹脂中にモールドする際におけ
る加熱工程の段階で、温度降下時に島状部分に熱応力が
加わり、島状部分が上下に反り変形してしまう。これを
防止するために、吊り部に上下方向への屈曲部分を形成
することによって、島状部分に上下方向に加わる熱応力
を吊り部によって吸収することを試みている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、リードフ
レーム上に、センサー素子と、センサー素子からの電気
信号を処理する電子回路素子とを載置し、樹脂モールド
材によって固結し、パッケージを製造することを検討し
ていた。この過程において、樹脂パッケージ内にセンサ
ー素子および電子回路素子を固結してパッケージを得、
このパッケージをソケット内で締めつけて固定した後、
例えば−４０℃−＋８５℃の温度範囲内で環境温度を変
動させると、大きな出力変動が観測されることがあっ
た。
【０００４】本発明者は、こうした環境温度変動に伴う
出力変動を抑制するために、特開昭６０−１３０１４９
号公報や特開昭６２−２５４４５７号公報に記載の技術
も検討したが、出力変動を抑制するには至らなかった。
【０００５】本発明の課題は、第一の素子、例えばセン
サー素子および第二の素子、例えば電子回路素子をリー
ドフレーム上に支持し、これらをモールド材中に固定す
るような形態の素子パッケージにおいて、環境温度変化
に伴う出力変動を抑制できるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも第
一の素子および第二の素子を収容する素子パッケージで
あって、リードフレーム、第一の素子と第二の素子とを
電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、第二の素
子をリードフレームへと接続するダイボンド剤、第二の
素子とリードフレームとを電気的に接続する第二のボン
ディングワイヤ、少なくとも第一の素子を被覆するよう
に形成された素子被覆モールド材、および素子被覆モー
ルド材、第二の素子、第一のボンディングワイヤ、第二
のボンディングワイヤおよびリードフレームを被覆し、
パッケージの外観を構成するパッケージ構成用モールド
材を備えており、素子被覆モールド材の線熱膨張係数
が、第一の素子の素子被覆モールド材に対する接触面に
おける線熱膨張係数と、パッケージ構成用モールド材の
線熱膨張係数との間にあることを特徴とする。
【０００７】本発明者は、第一の素子の周囲を素子被覆
モールド材によって被覆し、素子被覆モールド材の線熱
膨張係数が、パッケージ構成用モールド材の線熱膨張係
数と第一の素子の素子被覆モールド材との接触面におけ
る線熱膨張係数との間に位置するようにした。この結
果、前述した温度変化に伴う出力変化が減少することが
分かった。この理由は明確ではないが、パッケージ構成
用モールド材から第一の素子の表面へと応力が加わった
状態で環境温度が変化すると、モールド材中において第
一の素子が傾斜し、これが出力変化に影響しているもの
と考えられる。そして、前述した素子被覆モールド材を
介在させることによって、こうした第一の素子の姿勢変
化が抑制されるものと思われる。
【０００８】また、パッケージ構成用モールド材および
第一の素子の表面の硬度に比べて、素子被覆用モールド
材の硬度を一層低くすることによっても、前述した温度
変化に伴う出力変化が減少することが分かった。
【０００９】また、本発明は、少なくとも第一の素子お
よび第二の素子を収容する素子パッケージであって、枠
部分、第一の素子を支持する第一の島状部分、第二の素
子を支持する第二の島状部分、枠部分と第一の島状部分
とを接続する第一の接続部分、および枠部分と第二の島
状部分とを接続する第二の接続部分を備えているリード
フレーム、第一の素子と第二の素子とを電気的に接続す
る第一のボンディングワイヤ、第二の素子をリードフレ
ームへと接続するダイボンド剤、第二の素子とリードフ
レームとを電気的に接続する第二のボンディングワイ
ヤ、および第一の素子、第二の素子、第一のボンディン
グワイヤ、第二のボンディングワイヤおよびリードフレ
ームを被覆し、パッケージの外観を構成するパッケージ
構成用モールド材を備えており、第一の接続部分と第二
の素子との少なくとも一方が、リードフレームの表面に
平行な面内で屈曲する屈曲部分を備えていることを特徴
とする。
【００１０】また、本発明は、少なくともセンサー素子
および電子回路素子を収容する素子パッケージであっ
て、枠部分、センサー素子を支持する第一の島状部分、
電子回路素子を支持する第二の島状部分、枠部分と第一
の島状部分とを接続する第一の接続部分、および枠部分
と第二の島状部分とを接続する第二の接続部分を備えて
いるリードフレーム、センサー素子と電子回路素子とを
電気的に接続する第一のボンディングワイヤ、電子回路
素子をリードフレームへと接続するダイボンド剤、電子
回路素子とリードフレームとを電気的に接続する第二の
ボンディングワイヤ、およびセンサー素子、電子回路素
子、第一のボンディングワイヤ、第二のボンディングワ
イヤおよびリードフレームを被覆し、パッケージの外観
を構成するパッケージ構成用モールド材を備えており、
第一の接続部分と第二の接続部分との少なくとも一方が
バネ機構を含むことを特徴とする。
【００１１】本発明者は、リードフレームの島状部分と
枠部分とを接続する接続部分においてバネ機構を設ける
ことによって、前述した温度変化に伴う出力変化が減少
することを発見した。この理由は明確ではないが、環境
温度が変動したときに出力変動をもたらすような第一の
素子の姿勢変化がバネ機構によって吸収されるものと思
われる。この作用は、リードフレームの表面に平行な面
内で屈曲する屈曲部分を形成した場合に特に顕著であっ
た。この理由も明確ではないが、モールド材中における
素子の傾斜が一層抑制されるためと考えられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に
係る素子パッケージ１を概略的に示す断面図であり、図
２は、素子パッケージ１用のリードフレーム１２を示す
平面図である。
【００１３】リードフレーム１２は、例えば長方形をな
す枠部分１７を備えている。枠部分１７の外側には外枠
２２が接続されており、外枠２２の外周から外部端子へ
の接続部２０が所定個数延びている。枠部分１７の内側
空間には、例えば２個の島状部分１３と１４とが形成さ
れている。第一の島状部分１３は第一の素子４を支持す
るためのものであり、第二の島状部分１４は第二の素子
９を支持するためのものである。本例では、第一の素子
４は角速度センサー素子であり、第二の素子９は電子回
路素子である。第一の島状部分１３と枠部分１７とは、
例えば３箇所の第一の接続部分１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ
によって接続されている。第一の島状部分１３と第二の
島状部分１４とは、例えば２列の接続部分１５Ｄによっ
て接続されている。第二の島状部分１４と枠部分１７と
は、例えば３列の第二の接続部分１５Ｅ、１５Ｆ、１５
Ｇによって接続されている。本例ではリードフレームは
ＸＹ平面に沿って延びており、Ｚ軸がリードフレーム平
面１２ａに対して略垂直に延びている。
【００１４】本例では、第一の接続部分と第二の接続部
分との双方がバネ機構を含んでいる。具体的には、第一
の接続部分と第二の接続部分とが、それぞれ、リードフ
レーム１２の表面１２ａに平行な面（ＸＹ平面）内で屈
曲する屈曲部分１６を含んでいる。従って、特に各島状
部分１３、１４のＸＹ平面内における変異を効果的に吸
収できる。
【００１５】また、本例では、枠部分１７が、枠部分１
７の横断面から見たときに（即ち、図１の断面で見たと
きに）、リードフレーム１２の表面１２ａに平行な面
（ＸＹ平面）に対して垂直な方向（Ｚ方向）に向かって
凹むように湾曲する湾曲部分１８を備えている。湾曲部
分１８は、図１の断面（横断面）から見たときに略Ｖ字
状を呈しており、湾曲部分１８の上側に細長い凹部１９
が形成されている。凹部１９は、枠部分１７に沿ってリ
ードフレームの全周を一周している。
【００１６】第一の島状部分１３上にはダイボンド剤８
Ａを介して第一の素子４が支持および固定されている。
本例では、素子４の容器４ａ中に、セラミック基板７、
支持部６および振動子５が収容されており、振動子５を
用いて、少なくともＺ軸を中心とする回転角速度を検出
する。容器４ａは素子被覆モールド材３によって被覆さ
れている。容器４ａの底面はダイボンド剤８Ａに接触し
ている。容器４ａの底面以外の表面は素子被覆モールド
材３に接触している。第二の素子９は島状部分１４上に
ダイボンド剤８Ｂを介して設置、固定されている。第一
の素子４と第二の素子９とは第一のボンディングワイヤ
１０によって電気的に接続されており、素子９とリード
フレーム１２とは第二のボンディングワイヤ１１によっ
て電気的に接続されている。そして、リードフレーム１
２、モールド材３、ボンディングワイヤ１０、１１、第
二の素子９、ダイボンド剤８Ａ、８Ｂは、一体のパッケ
ージ構成用モールド材２中に固結されており、モールド
材２がパッケージ１の本体および外観を構成している。
第二の素子９はパッケージ構成用モールド材２に接触し
ており、素子被覆モールド材３には接触していない。
【００１７】素子被覆モールド材の線熱膨張係数は、第
一の素子の素子被覆モールド材への接触面４ｂの線熱膨
張係数と、パッケージ構成用モールド材２の線熱膨張係
数との間にある。あるいは、素子被覆モールド材の硬度
は、第一の素子の接触面４ｂの硬度よりも低く、パッケ
ージ構成用モールド材２の硬度よりも低い。
【００１８】また、本発明の効果を奏する上で、素子被
覆モールド材の線熱膨張係数は、５ｐｐｍ／℃以上とす
ることが好ましく、２０ｐｐｍ／℃以下とすることが更
に好ましい。素子被覆モールド材の線熱膨張係数と第一
の素子の素子被覆モールド材への接触部分の線熱膨張係
数との差は、本発明の効果を奏する上で、３ｐｐｍ／℃
以上とすることが好ましく、６ｐｐｍ／℃以下とするこ
とが更に好ましい。素子被覆モールド材の線熱膨張係数
とパッケージ構成用モールド材の線熱膨張係数との差
は、本発明の効果を奏する上で、３ｐｐｍ／℃以上とす
ることが好ましく、１１ｐｐｍ／℃以下とすることが更
に好ましい。
【００１９】パッケージ構成用モールド材としては、本
分野において慣用されている材質、例えばビフェニル系
エポキシ樹脂のうちで線熱膨張係数を制御したものを利
用できるが、これには限定されない。
【００２０】素子被覆モールド材の材質としては、例え
ばビフェニル系エポキシ樹脂のうちで線熱膨張係数を制
御したものを利用できるが、これには限定されない。
【００２１】また、硬度の低い素子被覆用モールド材を
使用する場合には、その硬度は９０以下であることが好
ましく、１０以上であることが好ましい。こうしたモー
ルド材の好適例はシリコン樹脂である。ただし、この硬
度は、ＪＩＳ−Ａに規定されている硬さである。
【００２２】このように硬度の低い素子被覆用モールド
材を使用する場合には、このモールド材の厚さは、本発
明の効果を奏する上で１００μｍ以上とすることが好ま
しい。また、この場合には、素子被覆用モールド材が厚
くなると振動するおそれがあるので、厚さは５００μｍ
以下であることが好ましい。
【００２３】素子被覆モールド材の材質は、−４０℃−
＋８５℃の温度範囲における動的粘弾性の変化率が３倍
以内であることが好ましい。こうした粘弾性体として
は、シリコーン樹脂の他、エチレンプロピレンゴム、ブ
チルゴム、ウレタンゴムなどの合成ゴム、テフロン（登
録商標）、四フッ化エチレンなどがある。また、粘弾性
体の動的弾性率は１０２ 〜１０１ ０ Ｐａが好まし
く、動的損失は１０１ 〜１０８ Ｐａが好ましい。
【００２４】各モールド材の形成方法は限定されない。
例えば、未硬化の液状原を塗布、ポッティング、スプレ
ー塗布することで、塗布膜を形成できる。例えば、脱ア
ルコール型、脱アセトン型、脱オキシム型、脱酢酸型、
付加反応型などの種々のシリコーン接着剤を、ディスペ
ンサーによってリードフレームおよび素子上にポッティ
ングし、付着させることができる。
【００２５】第一の接続部分と第二の接続部分との少な
くとも一方、好ましくは双方にバネ機構を設ける際に
は、このバネ機構は限定されない。しかし、リードフレ
ームの平面１２ａに交差する方向、特には垂直な方向に
屈曲する屈曲部分であってよく、また、リードフレーム
の平面１２ａに平行な方向に屈曲する屈曲部分であって
よい。好ましくは、前述した例のように、リードフレー
ムの平面１２ａに平行な方向に屈曲する屈曲部分を設け
る。
【００２６】また、好ましくは、前述した例のように、
枠部分が、枠部分の横断面から見たときに、リードフレ
ームの表面に平行な面に対して垂直な方向に向かって凹
むように湾曲している。これによって枠部分の曲げ変形
に対する強度が向上し、枠部の内側にある島状部分上に
設けられた素子への影響が一層抑制される。
【００２７】ダイボンド剤の材質は特に限定されず、例
えばエポキシ銀ペーストを利用できる。本発明において
は、ダイボンド剤の材質の硬度は特に影響が認められ
ず、ダイボンド剤の材質と素子被覆モールド材の材質と
は異なっていてよい。
【００２８】リードフレームの材質は、本分野において
通常使用されている材質、例えば銅系素材：Ｃｕ−Ｆｅ
−Ｐや鉄系素材：Ｆｅ−４２％Ｎｉを例示できるが、こ
れらには限定されない。
【００２９】本発明において、第一の素子、第二の素子
の種類は特に限定されず、センサー素子、電子回路素子
の他、光回路素子であってよい。また、センサー素子の
種類は限定されないが、慣性センサー素子であることが
好ましい。慣性センサーとは、慣性の変化を検出するセ
ンサーであり、加速度や角速度を検出するセンサーを意
味している。特に好ましくは慣性センサー素子が角速度
を検出するものである。更に、慣性センサー素子が、リ
ードフレーム１２の表面１２ａに略垂直な回転軸Ｚを中
心とする回転角速度を検出するものである場合に、本発
明はとりわけ有用である。ここで、角速度測定用振動ジ
ャイロの設計上通常許容される程度の角度偏差は、略垂
直の範囲内に含まれる。
【００３０】また、特に好適な実施形態においては、第
一の島状部分と第二の島状部分との間の接続部分にバネ
機構が設けられている。好ましくは、このバネ機構は、
リードフレーム平面と略平行な方向に屈曲する屈曲部分
である。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、第一の素子および第二の素子をリードフレー
ム上に支持し、これらをモールド材中に固定するような
形態の素子パッケージにおいて、環境温度変化に伴う出
力変動を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る素子パッケージ１を
概略的に示す断面図である。
【図２】図１の素子パッケージ１用のリードフレーム１
２を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 素子パッケージ ２ パッケージ構成用モ
ールド材 ３ 素子被覆モールド材 ４ 第一の素子
４ａ素子被覆モールド材に接触する容器
４ｂ 第一の素子４のモールド材３に対する接触面
５ 振動子 ６ 支持部 ７
セラミック基板 ８Ａ、８Ｂ ダイボンド剤
９ 第二の素子 １０ 第一のボンディングワイヤ １１ 第二
のボンディングワイヤ １２ リードフレーム
１２ａ リードフレーム１２の表面
１３ 第一の島状部分 １４ 第二の島状部
分 １５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ 第一の接続部分 １
５Ｄ 第一の島状部分と第二の島状部分との接続部分
１５Ｅ、１５Ｆ、１５Ｇ 第二の接続部分
１６ 屈曲部分 １７ 枠部分
１８ リードフレームの表面に平行な面に対して垂直
な方向に向かって凹む湾曲部分 １９ 凹部 Ｘ、Ｙ リードフレーム１２の表
面１２ａに略平行な軸 Ｚ リードフレーム１
２の表面１２ａに略垂直な軸

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも第一の素子および第二の素子を
    収容する素子パッケージであって、 リードフレーム、 前記第一の素子と前記第二の素子とを電気的に接続する
    第一のボンディングワイヤ、 前記第二の素子を前記リードフレームへと接続するダイ
    ボンド剤、 前記第二の素子と前記リードフレームとを電気的に接続
    する第二のボンディングワイヤ、 少なくとも前記第一の素子を被覆するように形成された
    素子被覆モールド材、および前記素子被覆モールド材、
    前記第二の素子、前記第一のボンディングワイヤ、前記
    第二のボンディングワイヤおよび前記リードフレームを
    被覆し、前記パッケージの外観を構成するパッケージ構
    成用モールド材を備えており、 前記素子被覆モールド材の線熱膨張係数が、前記第一の
    素子の前記素子被覆モールド材に対する接触面における
    線熱膨張係数と、前記パッケージ構成用モールド材の線
    熱膨張係数との間にあることを特徴とする、素子パッケ
    ージ。
  2. 【請求項２】少なくとも第一の素子および第二の素子を
    収容する素子パッケージであって、 リードフレーム、 前記第一の素子と前記第二の素子とを電気的に接続する
    第一のボンディングワイヤ、 前記第二の素子を前記リードフレームへと接続するダイ
    ボンド剤、 前記第二の素子と前記リードフレームとを電気的に接続
    する第二のボンディングワイヤ、 少なくとも前記第一の素子を被覆するように形成された
    素子被覆モールド材、および前記素子被覆モールド材、
    前記第二の素子、前記第一のボンディングワイヤ、前記
    第二のボンディングワイヤおよび前記リードフレームを
    被覆し、前記パッケージの外観を構成するパッケージ構
    成用モールド材を備えており、 前記素子被覆モールド材の硬度が、前記第一の素子の前
    記素子被覆モールド材に対する接触面における硬度およ
    び前記パッケージ構成用モールド材の硬度よりも低いこ
    とを特徴とする、素子パッケージ。
  3. 【請求項３】前記リードフレームが、枠部分、前記第一
    の素子を支持する第一の島状部分、前記第二の素子を支
    持する第二の島状部分、前記枠部分と前記第一の島状部
    分とを接続する第一の接続部分、および前記枠部分と前
    記第二の島状部分とを接続する第二の接続部分を備えて
    いる、請求項１または２記載の素子パッケージ。
  4. 【請求項４】前記第一の接続部分と前記第二の接続部分
    との少なくとも一方がバネ機構を含むことを特徴とす
    る、請求項３記載の素子パッケージ。
  5. 【請求項５】前記バネ機構が、前記リードフレームの表
    面に略平行な面内で屈曲する屈曲部分であることを特徴
    とする、請求項４記載の素子パッケージ。
  6. 【請求項６】前記枠部分が、前記枠部分の横断面から見
    たときに、前記リードフレームの表面に平行な面に対し
    て垂直な方向に向かって凹むように湾曲していることを
    特徴とする、請求項３〜５のいずれか一つの請求項に記
    載の素子パッケージ。
  7. 【請求項７】少なくとも第一の素子および第二の素子を
    収容する素子パッケージであって、 枠部分、前記第一の素子を支持する第一の島状部分、前
    記第二の素子を支持する第二の島状部分、前記枠部分と
    前記第一の島状部分とを接続する第一の接続部分、およ
    び前記枠部分と前記第二の島状部分とを接続する第二の
    接続部分を備えているリードフレーム、 前記第一の素子と前記第二の素子とを電気的に接続する
    第一のボンディングワイヤ、 前記第二の素子を前記リードフレームへと接続するダイ
    ボンド剤、 前記第二の素子と前記リードフレームとを電気的に接続
    する第二のボンディングワイヤ、および前記第一の素
    子、前記第二の素子、前記第一のボンディングワイヤ、
    前記第二のボンディングワイヤおよび前記リードフレー
    ムを被覆し、前記パッケージの外観を構成するパッケー
    ジ構成用モールド材を備えており、 第一の接続部分と前記第二の接続部分との少なくとも一
    方が、前記リードフレームの表面に略平行な面内で屈曲
    する屈曲部分を備えていることを特徴とする、素子パッ
    ケージ。
  8. 【請求項８】前記枠部分が、前記枠部分の横断面から見
    たときに、前記リードフレームの表面に平行な面に対し
    て略垂直な方向に向かって凹むように湾曲していること
    を特徴とする、請求項７記載の素子パッケージ。
  9. 【請求項９】少なくとも前記第一の素子を被覆するよう
    に形成された素子被覆モールド材を備えており、この素
    子被覆モールド材の線熱膨張係数が、前記第一の素子の
    前記素子被覆モールド材に対する接触面における線熱膨
    張係数と、前記パッケージ構成用モールド材の線熱膨張
    係数との間にあることを特徴とする、請求項７または８
    記載の素子パッケージ。
  10. 【請求項１０】少なくとも前記第一の素子を被覆するよ
    うに形成された素子被覆モールド材を備えており、この
    素子被覆モールド材の硬度が、前記第一の素子の前記素
    子被覆モールド材に対する接触面における硬度および前
    記パッケージ構成用モールド材の硬度よりも低いことを
    特徴とする、請求項７または８記載の素子パッケージ。
  11. 【請求項１１】前記第一の素子がセンサー素子であり、
    前記第二の素子が電子回路素子であることを特徴とす
    る、請求項１〜１０のいずれか一つの請求項に記載の素
    子パッケージ。
  12. 【請求項１２】少なくともセンサー素子および電子回路
    素子を収容する素子パッケージであって、 枠部分、前記センサー素子を支持する第一の島状部分、
    前記電子回路素子を支持する第二の島状部分、前記枠部
    分と前記第一の島状部分とを接続する第一の接続部分、
    および前記枠部分と前記第二の島状部分とを接続する第
    二の接続部分を備えているリードフレーム、 前記センサー素子と前記電子回路素子とを電気的に接続
    する第一のボンディングワイヤ、 前記電子回路素子を前記リードフレームへと接続するダ
    イボンド剤、 前記電子回路素子と前記リードフレームとを電気的に接
    続する第二のボンディングワイヤ、および前記センサー
    素子、前記電子回路素子、前記第一のボンディングワイ
    ヤ、前記第二のボンディングワイヤおよび前記リードフ
    レームを被覆し、前記パッケージの外観を構成するパッ
    ケージ構成用モールド材を備えており、 前記第一の接続部分と前記第二の接続部分との少なくと
    も一方がバネ機構を含むことを特徴とする、素子パッケ
    ージ。
  13. 【請求項１３】前記バネ機構が、前記リードフレームの
    表面に略平行な面内で屈曲する屈曲部分であることを特
    徴とする、請求項１２記載の素子パッケージ。
  14. 【請求項１４】前記枠部分が、前記枠部分の横断面から
    見たときに、前記リードフレームの表面に平行な面に対
    して略垂直な方向に向かって凹むように湾曲しているこ
    とを特徴とする、請求項１２または１３記載の素子パッ
    ケージ。
  15. 【請求項１５】少なくとも前記センサー素子を被覆する
    ように形成された素子被覆モールド材を備えており、こ
    の素子被覆モールド材の線熱膨張係数が、前記センサー
    素子の前記素子被覆モールド材に対する接触面における
    線熱膨張係数と、前記パッケージ構成用モールド材の線
    熱膨張係数との間にあることを特徴とする、請求項１２
    〜１４のいずれか一つの請求項に記載の素子パッケー
    ジ。
  16. 【請求項１６】少なくとも前記第一の素子を被覆するよ
    うに形成された素子被覆モールド材を備えており、この
    素子被覆モールド材の硬度が、前記第一の素子の前記素
    子被覆モールド材に対する接触面における硬度および前
    記パッケージ構成用モールド材の硬度よりも低いことを
    特徴とする、請求項１２〜１４のいずれか一つの請求項
    に記載の素子パッケージ。
  17. 【請求項１７】前記センサー素子が慣性センサー素子で
    あることを特徴とする、請求項１１〜１６のいずれか一
    つの請求項に記載の素子パッケージ。
  18. 【請求項１８】前記慣性センサー素子が角速度センサー
    を含むことを特徴とする、請求項１７記載の素子パッケ
    ージ。
  19. 【請求項１９】前記角速度センサーが、前記リードフレ
    ームの平面に対して略垂直な回転軸の周りの回転角速度
    を測定するための角速度センサーであることを特徴とす
    る、請求項１８記載の素子パッケージ。
JP2001058101A 2001-03-02 2001-03-02 素子パッケージ Withdrawn JP2002261196A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001058101A JP2002261196A (ja) 2001-03-02 2001-03-02 素子パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001058101A JP2002261196A (ja) 2001-03-02 2001-03-02 素子パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002261196A true JP2002261196A (ja) 2002-09-13

Family

ID=18917881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001058101A Withdrawn JP2002261196A (ja) 2001-03-02 2001-03-02 素子パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002261196A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1443331A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-04 Denso Corporation Sensor device and ceramic package for mounting electronic components
JP2009070894A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Rohm Co Ltd 半導体装置
WO2017023238A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printed circuit board to molded compound interface

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1443331A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-04 Denso Corporation Sensor device and ceramic package for mounting electronic components
JP2009070894A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Rohm Co Ltd 半導体装置
WO2017023238A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printed circuit board to molded compound interface
CN107548573A (zh) * 2015-07-31 2018-01-05 惠普发展公司，有限责任合伙企业 印刷电路板至模制化合物的接合部
CN111586972A (zh) * 2015-07-31 2020-08-25 惠普发展公司，有限责任合伙企业 印刷电路板至模制化合物的接合部

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7497117B2 (en) Angular velocity mount arrangement
EP0886144B1 (en) A hermetically sealed sensor with a movable microstructure
JP4705784B2 (ja) イメージセンサデバイスの製造方法
US5866818A (en) Acceleration sensor device
US9986354B2 (en) Pre-mold for a microphone assembly and method of producing the same
US9475694B2 (en) Two-axis vertical mount package assembly
JPH10148642A (ja) 半導体加速度センサ
US7100448B2 (en) Accelerometer
JPWO2007020701A1 (ja) 加速度センサ装置
CN100492880C (zh) 压电振荡器及电子设备以及压电振荡器的制造方法
KR101744351B1 (ko) 센서 모듈 및 센서 모듈 장치
JP4326609B2 (ja) 半導体素子を製造する方法
JP2002261196A (ja) 素子パッケージ
JP2007027924A (ja) 圧電デバイスおよびリードフレーム
US11659664B2 (en) Electronic device
US11688727B2 (en) Electronic device
CN112444642B (zh) 振动器件
JP4428210B2 (ja) 物理量センサの実装構造
JP2013210375A (ja) 慣性センサ装置
FI128296B (en) Semiconductor Packaging and Method of Manufacturing a Semiconductor Packaging
US11776860B2 (en) Method of manufacturing electronic devices with a cap and molding
US20220181223A1 (en) Covers for semiconductor package components
JPS61152112A (ja) 弾性表面波装置
JP2012194032A (ja) センサ装置
JPS63228654A (ja) 電子装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080513