JP2002246342A - Polishing device - Google Patents

Polishing device

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JP2002246342A
JP2002246342A JP2001044179A JP2001044179A JP2002246342A JP 2002246342 A JP2002246342 A JP 2002246342A JP 2001044179 A JP2001044179 A JP 2001044179A JP 2001044179 A JP2001044179 A JP 2001044179A JP 2002246342 A JP2002246342 A JP 2002246342A
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Japan
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polishing
wafer
pad
slurry
polishing pad
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JP2001044179A
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Osamu Ito
修 伊藤
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NEC Yamaguchi Ltd
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NEC Yamaguchi Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably supply slurry onto the surface to be polished of a wafer 10, and to uniformly polish the surface of the wafer, in a polishing device for polishing the wafer 10. SOLUTION: An ultrasonic vibrator 9 is brought into contact with the liquid surface of the slurry 8 for applying ultrasonic vibration, so that rubbish 12 of a polishing pad 2, that is generated by the setting of the polishing pad 2 and is contained in the slurry 8, cannot be blocked, and chips 12 are disconnected from the hole 11 for transport for discharging to the outside of the polishing pad 2, thus stabilizing the supply of slurry.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの一
主面に形成される絶縁膜、配線膜および半導体膜におけ
る凹凸を研磨し平坦化する研磨装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing and flattening irregularities in an insulating film, a wiring film and a semiconductor film formed on one main surface of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の集積化に伴い半
導体ウェハ(以下単にウェハと呼ぶ)の面に多層に絶縁
層や配線層を繰り返して積層するに至った。しかし、こ
れら絶縁層や配線層を積層する毎にその表面に凹凸が生
じ、露光装置のもつ焦点深度では、この凹凸をカバ−し
きれないという問題があった。この問題を解消する方法
として化学機械研磨方法による平坦化が一般的に用いら
れていた。
2. Description of the Related Art In recent years, with the integration of semiconductor integrated circuits, insulating layers and wiring layers have been repeatedly laminated on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer). However, every time these insulating layers and wiring layers are laminated, irregularities are generated on the surface, and there is a problem that the irregularities cannot be completely covered by the depth of focus of the exposure apparatus. As a method for solving this problem, flattening by a chemical mechanical polishing method has been generally used.

【0003】図4は従来の研磨装置の一例を示す図、図
5は図4の研磨テ−ブルの一部を破断し拡大して示す図
である。従来、この種の研磨装置は、例えば、図4に示
すように、研磨パッド2を貼付けた研磨テ−ブル1と、
保持し飛び出し防止用の保持リング4でウェハ10の外
形を規制しウェハを保持するとともに研磨パッド2にウ
ェハ10を押し付けるウェハキャリア3と、研磨パッド
2にスラリ−を滴下するノズル5と、ディスク7を研磨
パッド2の面に当て研磨パッド2を目立てを行うパッド
コンディショナ−6を備えている。
FIG. 4 is a view showing an example of a conventional polishing apparatus, and FIG. 5 is an enlarged view of a part of the polishing table shown in FIG. Conventionally, this type of polishing apparatus includes, for example, a polishing table 1 on which a polishing pad 2 is attached, as shown in FIG.
A wafer carrier 3 for holding the wafer and pressing the wafer 10 against the polishing pad 2, a nozzle 5 for dropping slurry onto the polishing pad 2, and a disk 7 Is provided on the surface of the polishing pad 2 to sharpen the polishing pad 2.

【0004】この研磨装置でウェハ10を研磨するに
は、研磨テ−ブル1を回転させながら研磨パッド2にノ
ズル5からスラリ−8を滴下し、ウェハ10を保持した
ウェハキャリア3に荷重を加えウェハ10の面を研磨し
ている。このときウェハ10の研磨速度を安定させ、ウ
ェハ面内を均一に研磨することが重要な要素の一つにな
っている。。
In order to polish a wafer 10 with this polishing apparatus, a slurry 8 is dropped from a nozzle 5 onto a polishing pad 2 while rotating a polishing table 1, and a load is applied to a wafer carrier 3 holding the wafer 10. The surface of the wafer 10 is polished. At this time, it is one of the important factors to stabilize the polishing rate of the wafer 10 and uniformly polish the wafer surface. .

【0005】また、パッドコンディショナ−6のディス
ク7による研磨パッド2の目立ては、ウェハ10の研磨
前あるいは研磨中に行っていた。この目立てには、パッ
ドコンディショナ−6を研磨テ−ブル1の半径方向に揺
動させ研磨パッド2の全面の目立て行っていた。
Further, dressing of the polishing pad 2 by the disk 7 of the pad conditioner 6 has been performed before or during polishing of the wafer 10. For this dressing, the pad conditioner 6 was swung in the radial direction of the polishing table 1 to sharpen the entire surface of the polishing pad 2.

【0006】一方、ウェハキャリア3の保持リング4と
研磨パッド2との隙間が殆ど無く、ウェハ内に入るスラ
リ−は制限される。そこで、ウェハ内にスラリ−8が効
率良く供給されるように、研磨パッド2の表面には、多
数の運搬用の穴11が形成されていた。この穴11がス
ラリ−8の運搬機能を果たし、ウェハ面内に安定したス
ラリ−8の供給を行っていた。
On the other hand, there is almost no gap between the holding ring 4 of the wafer carrier 3 and the polishing pad 2, and the slurry entering the wafer is limited. Therefore, a large number of transport holes 11 are formed on the surface of the polishing pad 2 so that the slurry 8 is efficiently supplied into the wafer. The hole 11 has a function of transporting the slurry 8 and stably supplies the slurry 8 within the wafer surface.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ディス
ク7で削り取られる研磨パッド2の切り屑12が、図5
に示すように、運搬用の穴11に入り込み、穴の詰まり
によりウェハキャリア3に保持されたウェハ10面内へ
のスラリ−8の供給が少なくなり、ウェハ10の研磨が
不安定となるという問題が発生していた。
However, the chips 12 of the polishing pad 2 which are shaved off by the disk 7 are not shown in FIG.
As shown in (1), there is a problem that the supply of the slurry 8 into the surface of the wafer 10 held by the wafer carrier 3 is reduced due to the clogging of the hole into the hole 11 for transportation and the polishing of the wafer 10 becomes unstable. Had occurred.

【0008】また、発泡ポリウレタン樹脂製の研磨パッ
ドの屑がウェハ面に付着し、平坦にされたウェハ面を汚
染させるという品質の問題も発生していた。さらに、研
磨パッドを目立てする場合に研磨パッドの切り屑がディ
スクに埋設されるダイヤモンド砥粒の間に付着し切れ味
が悪くなるという問題もあった。
[0008] In addition, there has been a quality problem that debris from the polishing pad made of foamed polyurethane resin adheres to the wafer surface and contaminates the flattened wafer surface. Further, when sharpening the polishing pad, there is a problem that chips of the polishing pad adhere between diamond abrasive grains embedded in the disk, resulting in poor sharpness.

【0009】従って、本発明の目的は、ウェハ研磨すべ
き面内に安定したスラリ−の供給を図りウェハ面を均一
に研磨できる研磨装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a polishing apparatus capable of uniformly supplying a slurry to a surface to be polished of a wafer and uniformly polishing the wafer surface.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ウェハ保持するとともに回転するウェハキャリアと、前
記半導体ウェハの表面に接触し前記半導体ウェハを研磨
する研磨パッドと、前記研磨パッドを張付け回転する研
磨テ−ブルと、該研磨テ−ブルの半径方向に揺動し前記
研磨パッドを目立てを行うディスクを具備するパッドコ
ンディショナ−と、前記研磨パッドにスラリ−を滴下す
るノズルと、前記研磨パッドに滴下され該研磨パッドに
液盛りされる前記スラリ−の液面に接触し前記研磨パッ
ド面内を移動する超音波振動子とを備える研磨装置であ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The features of the present invention include a wafer carrier that holds and rotates a semiconductor wafer, a polishing pad that contacts the surface of the semiconductor wafer and polishes the semiconductor wafer, and a polishing pad that attaches and rotates the polishing pad. A polishing table having a polishing table, a disk conditioner having a disk which oscillates in the radial direction of the polishing table to sharpen the polishing pad, a nozzle for dropping slurry onto the polishing pad, and a polishing table. An ultrasonic vibrator, which is in contact with the surface of the slurry dropped on the pad and liquid leveled on the polishing pad, moves in the surface of the polishing pad.

【0011】また、前記超音波振動子は、回転する前記
ウェハキャリアに支持されることが望ましい。そして、
具体的には、前記超音波振動子の複数個が、前記ウエハ
キャリアの前記半導体ウェハの飛び出し防止用の保持リ
ングの外側に均等に配置されていることが望ましい。必
要ならば、前記超音波振動子の振動面に被着されるステ
ンレス鋼板を備えることである。
Preferably, the ultrasonic transducer is supported by the rotating wafer carrier. And
Specifically, it is preferable that a plurality of the ultrasonic transducers are evenly arranged outside a retaining ring for preventing the semiconductor wafer from jumping out of the wafer carrier. If necessary, a stainless steel plate attached to the vibration surface of the ultrasonic transducer is provided.

【0012】一方、前記超音波振動子が前記パッドコン
ディショナ−の周囲にも配置されていることが望まし
い。また、好ましくは、前記パッドコンディショナ−の
ディスク取付面に他の超音波振動子が取付けられている
ことである。
On the other hand, it is desirable that the ultrasonic vibrator is also arranged around the pad conditioner. Preferably, another ultrasonic vibrator is mounted on the disk mounting surface of the pad conditioner.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0014】図1(a)および(b)は本発明の一実施
の形態における研磨装置を示す図および研磨テ−ブルの
一部を破断し拡大して示す図である。この研磨装置は、
図1(a)に示すように、ウェハキャリア3の周囲のウ
ェハ面内に入るスラリ−8の液面と接触しウェハキャリ
ア3の回転に伴って移動する超音波振動子9が備えられ
ている。すなわち、ウェハキャリア3の保持リング4の
外側に複数個の超音波振動子9を均等に配置している。
FIGS. 1A and 1B are views showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention and a view in which a part of a polishing table is cut away and enlarged. This polishing device,
As shown in FIG. 1A, there is provided an ultrasonic vibrator 9 which comes into contact with the liquid level of a slurry 8 entering the wafer surface around the wafer carrier 3 and moves with the rotation of the wafer carrier 3. . That is, a plurality of ultrasonic transducers 9 are arranged uniformly outside the holding ring 4 of the wafer carrier 3.

【0015】その他の研磨テ−ブル1、ダイヤモンド砥
粒の多数の刃先をもつディスク7を具備するパッドコン
ディショナ−6、ノズル5、ウェハキャリア3および研
磨パッド2は、前述の従来例と同じである。
Other polishing tables 1, a pad conditioner 6 having a disk 7 having a number of cutting edges of diamond abrasive grains, a nozzle 5, a wafer carrier 3, and a polishing pad 2 are the same as those of the above-mentioned conventional example. is there.

【0016】超音波振動子9は直接スラリ−8の液面に
接触するのではなく、超音波振動子9の振動伝達面に貼
り付けた鋼板14である。この鋼板14は、錆びにく
い、例えばステンレス鋼などが望ましい。なお、このス
テンレス鋼の厚さは、例えば、振動数が300KHzの
とき波長の4分の一、すなわち、3mm程度にすること
である。そして、それぞれの超音波振動子9を包むケ−
スの複数個を支持部材13を介してウェハキャリア3の
周囲に等間隔に取り付けることが望ましい。
The ultrasonic vibrator 9 is a steel plate 14 attached to the vibration transmitting surface of the ultrasonic vibrator 9 instead of directly contacting the liquid surface of the slurry 8. The steel plate 14 is desirably hardly rusted, for example, stainless steel. The thickness of the stainless steel is, for example, about mm of the wavelength when the frequency is 300 KHz, that is, about 3 mm. Then, a casing for wrapping each ultrasonic transducer 9
It is desirable to mount a plurality of wafers around the wafer carrier 3 via the support member 13 at equal intervals.

【0017】次に、研磨パッド2の屑を除去する動作に
ついて説明する。まず、パッドコンディショナ−6でド
レッシングされ発生する屑12は、滴下され研磨パッド
2上に液盛りされたスラリ−8内に含み供給される。そ
して、図1(b)に示すように、研磨テ−ブル1の回転
によりウェハキャリア3の近くの研磨パッド2の穴11
に入り込み穴11を塞いでしまう。しかし、ウェハキャ
リア3の近くの超音波振動子9の振動により屑12は穴
11より浮き上がり、研磨テ−ブル1の回転の作用とウ
ェハキャリア3の自転によるスラリ−8を外方に押し流
す作用に伴って、屑12はウェハキャリア3外に排出さ
れる。
Next, the operation of removing dust from the polishing pad 2 will be described. First, the debris 12 generated by being dressed by the pad conditioner 6 is supplied in a state of being contained in a slurry 8 which is dropped and is liquid-filled on the polishing pad 2. Then, as shown in FIG. 1 (b), the rotation of the polishing table 1 causes
And the hole 11 is closed. However, the vibration of the ultrasonic vibrator 9 near the wafer carrier 3 causes the debris 12 to rise up from the hole 11, and has a function of rotating the polishing table 1 and a function of pushing out the slurry 8 by the rotation of the wafer carrier 3. Accordingly, the waste 12 is discharged out of the wafer carrier 3.

【0018】このように、研磨パッド2の穴11に停留
する屑12に超音波振動エネルギ−により穴11から吐
き出させる作用とウェハキャリア3の自転によって、ウ
ェハキャリア3の周辺部の穴11の屑12は排除され、
安定したスラリ−8の供給が可能となる。その結果、ウ
ェハ研磨速度の低下を解消するともにウェハ面内の研磨
の均一性が得られる。
As described above, the dust 12 remaining in the hole 11 of the polishing pad 2 is discharged from the hole 11 by the ultrasonic vibration energy and the rotation of the wafer carrier 3, and the dust in the hole 11 around the wafer carrier 3 is formed. 12 is eliminated,
Stable supply of the slurry 8 becomes possible. As a result, a reduction in the wafer polishing rate is eliminated, and the uniformity of polishing within the wafer surface is obtained.

【0019】図2は図1の研磨装置の変形例を示すパッ
ドコンディショナ−の部分破断図である。この研磨装置
は、図3に示すように、パッドコンディショナ−6の周
囲に複数個の超音波振動子9を配置し、ディスク7によ
る目立て時に発生する屑12を運搬用の穴11から排出
させている。
FIG. 2 is a partial cutaway view of a pad conditioner showing a modification of the polishing apparatus of FIG. In this polishing apparatus, as shown in FIG. 3, a plurality of ultrasonic vibrators 9 are arranged around a pad conditioner 6, and dust 12 generated at the time of dressing by a disk 7 is discharged from a hole 11 for transportation. ing.

【0020】なお、超音波振動子9は、前述の実施の形
態と同じように、パッドコンディショナ−6のフランジ
から派生する保持部材13aに取付けられ、スラリ−8
に汚染されないように周囲がケ−スで包まれている。ま
た、スラリ−8と接触する部分は、錆びないようにステ
ンレス鋼である鋼板14aが取り付けられている。
The ultrasonic vibrator 9 is attached to the holding member 13a derived from the flange of the pad conditioner 6, as in the above-described embodiment.
The surroundings are wrapped in a case to prevent contamination. Further, a steel plate 14a made of stainless steel is attached to a portion that comes into contact with the slurry 8 so as not to rust.

【0021】このパッドコンディショナ−6は矢印で示
す方向に揺動し、矢印の方向に回転する研磨テ−ブル上
の研磨パッド2の全面をドレッシングする。このときパ
ッドコンディショナ−6より排出された屑12は研磨テ
−ブル1の回転に伴って研磨テ−ブル1外に排出され
る。このように前述の実施の形態におけるウェハキャリ
ア3に取付けた超音波振動子に加えてパッドコンディシ
ョナ−6にも超音波振動子9を備えれば研磨パッド2の
屑12を除去する効果が大きくなる。
The pad conditioner 6 swings in the direction indicated by the arrow, and dresses the entire surface of the polishing pad 2 on the polishing table rotating in the direction indicated by the arrow. At this time, the debris 12 discharged from the pad conditioner 6 is discharged out of the polishing table 1 as the polishing table 1 rotates. As described above, if the pad conditioner 6 is provided with the ultrasonic vibrator 9 in addition to the ultrasonic vibrator attached to the wafer carrier 3 in the above-described embodiment, the effect of removing the dust 12 from the polishing pad 2 is great. Become.

【0022】図3は図2のパッドコンディショナ−の変
形例を示す図である。この研磨装置におけるパッドコン
ディショナ−6は、図4に示すように、パッドコンディ
ショナ−6のディスク7への取付け面に複数の超音波振
動子9aを埋設するように取り付けている。また、この
超音波振動子9aは、研磨テ−ブル1の半径方向の研磨
パッド2の運搬用の穴11のピッチと同じピッチに配置
することが望ましい。
FIG. 3 is a diagram showing a modification of the pad conditioner of FIG. As shown in FIG. 4, the pad conditioner 6 in this polishing apparatus is mounted such that a plurality of ultrasonic transducers 9a are embedded in a mounting surface of the pad conditioner 6 to the disk 7. Further, it is desirable that the ultrasonic transducers 9a are arranged at the same pitch as the pitch of the transport holes 11 of the polishing pad 2 in the radial direction of the polishing table 1.

【0023】このように、ディスク7に超音波振動を与
えれば、ダイアモンド砥粒で削られた研磨パッド2の切
り屑がダイヤモンド砥粒の間に詰まること無く、運搬用
の穴11に屑12として落とし込まれ、パッドコンディ
ショナ−6の移動に伴って超音波振動子9によって穴1
1から屑12は排出される。
When ultrasonic vibration is applied to the disk 7 as described above, the chips of the polishing pad 2 shaved with diamond abrasive grains are not clogged between the diamond abrasive grains, and are formed in the transport holes 11 as chips 12. When the pad conditioner 6 is moved, the ultrasonic transducer 9 moves the hole 1 into the hole 1.
The waste 12 is discharged from 1.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、研磨パッ
ドの目立てで発生しスラリ−に含む研磨パッドの切り屑
が運搬用の穴を塞がないように、スラリ−の液面に超音
波振動子を接触させ超音波振動を与え、運搬用の穴から
切り屑を離脱させ研磨パッド外に排出することができ、
スラリ−の供給が安定し、ウェハの研磨の品質の向上が
得られるという効果がある。
As described above, according to the present invention, an ultrasonic wave is applied to the surface of the slurry so that chips generated from the polishing pad and contained in the slurry do not block the holes for transportation. By contacting the vibrator and applying ultrasonic vibration, chips can be detached from the transport hole and discharged out of the polishing pad,
There is an effect that the supply of the slurry is stabilized and the quality of polishing the wafer is improved.

【0025】また、ディスクに超音波振動を与えること
により、ディスクの刃部間に目詰まり起こすことなく切
れ味が長く維持できる。
By applying ultrasonic vibration to the disk, the sharpness can be maintained for a long time without clogging between the blade portions of the disk.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における研磨装置を示す
図および研磨テ−ブルの一部を破断し拡大して示す図で
ある。
FIG. 1 is a diagram showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a part of a polishing table in a partially cut away view.

【図2】図1の研磨装置の変形例を示すパッドコンディ
ショナ−の部分破断図である。
FIG. 2 is a partial cutaway view of a pad conditioner showing a modification of the polishing apparatus of FIG.

【図3】図2のパッドコンディショナ−の変形例を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing a modified example of the pad conditioner of FIG. 2;

【図4】従来の研磨装置の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional polishing apparatus.

【図5】図4の研磨テ−ブルの一部を破断し拡大して示
す図である。
FIG. 5 is an enlarged view of a part of the polishing table of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 研磨テ−ブル 2 研磨パッド 3 ウェハキャリア 4 保持リング 5 ノズル 6 パッドコンディショナ− 7 ディスク 8 スラリ− 9,9a 超音波振動子 10 ウェハ 11 穴 12 屑 13,13a 保持部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing table 2 Polishing pad 3 Wafer carrier 4 Retaining ring 5 Nozzle 6 Pad conditioner 7 Disk 8 Slurry 9, 9a Ultrasonic transducer 10 Wafer 11 Hole 12 Debris 13, 13a Holding member

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハ保持するとともに回転する
ウェハキャリアと、前記半導体ウェハの表面に接触し前
記半導体ウェハを研磨する研磨パッドと、前記研磨パッ
ドを張付け回転する研磨テ−ブルと、該研磨テ−ブルの
半径方向に揺動し前記研磨パッドを目立てを行うディス
クを具備するパッドコンディショナ−と、前記研磨パッ
ドにスラリ−を滴下するノズルと、前記研磨パッドに滴
下され該研磨パッドに液盛りされる前記スラリ−の液面
に接触し前記研磨パッド面内を移動する超音波振動子と
を備えることを特徴とする研磨装置。
1. A wafer carrier for holding and rotating a semiconductor wafer, a polishing pad for contacting the surface of the semiconductor wafer and polishing the semiconductor wafer, a polishing table for attaching and rotating the polishing pad, and the polishing table. A pad conditioner comprising a disk which oscillates in the radial direction of the table to sharpen the polishing pad; a nozzle for dropping slurry on the polishing pad; An ultrasonic vibrator that contacts the liquid surface of the slurry and moves within the polishing pad surface.
【請求項2】 前記超音波振動子は、回転する前記ウェ
ハキャリアに支持されることを特徴とする請求項1記載
の研磨装置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the ultrasonic vibrator is supported by the rotating wafer carrier.
【請求項3】 前記超音波振動子の複数個が、前記ウエ
ハキャリアの前記半導体ウェハの飛び出し防止用の保持
リングの外側に均等に配置されていることを特徴とする
請求項2記載の研磨装置。
3. The polishing apparatus according to claim 2, wherein a plurality of said ultrasonic vibrators are arranged evenly outside a holding ring for preventing the semiconductor wafer from jumping out of said wafer carrier. .
【請求項4】 前記超音波振動子の振動面に被着される
ステンレス鋼板を備えることを特徴とする請求項1、請
求項2または請求項3記載の研磨装置。
4. The polishing apparatus according to claim 1, further comprising a stainless steel plate adhered to a vibrating surface of said ultrasonic vibrator.
【請求項5】 複数の前記超音波振動子が前記パッドコ
ンディショナ−の周囲に配置されていることを特徴とす
る請求項1、請求項2、請求項3または請求項4記載の
研磨装置。
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said ultrasonic transducers are arranged around said pad conditioner.
【請求項6】 前記パッドコンディショナ−のディスク
取付面に他の超音波振動子が取付けられていることを特
徴とする請求項5記載の研磨装置。
6. The polishing apparatus according to claim 5, wherein another ultrasonic vibrator is mounted on a disk mounting surface of said pad conditioner.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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