JPH11244795A - Substrate washing apparatus - Google Patents

Substrate washing apparatus

Info

Publication number
JPH11244795A
JPH11244795A JP10049770A JP4977098A JPH11244795A JP H11244795 A JPH11244795 A JP H11244795A JP 10049770 A JP10049770 A JP 10049770A JP 4977098 A JP4977098 A JP 4977098A JP H11244795 A JPH11244795 A JP H11244795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning
brush
cleaning liquid
ultrasonic vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10049770A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadao Hirae
貞雄 平得
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10049770A priority Critical patent/JPH11244795A/en
Publication of JPH11244795A publication Critical patent/JPH11244795A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate washing apparatus capable of uniformly washing the surface of a substrate and having high washing effect. SOLUTION: A brush holding part 9 is attached to the under surface of the leading end part of the brush arm 8 provided in a rotatable manner by an arm driving part 7 and a horn 10 is attached to the underside of the brush holding part 9 and a washing brush 11 is provided to the underside of the leading end part of the horn 10. An ultrasonic vibrator 12 is attached to the side surface of the brush holding part 9 and a pure water ejecting nozzle 15 is attached to the underside of the leading end part of the nozzle arm 14 provided to an arm driving part 13 in a revolvable manner and an ultrasonic vibrator 16 is attached to the pure water ejecting nozzle 15. The ultrasonic vibrators 12, 16 are driven by a high frequency oscillator 17.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄ブラシおよび
洗浄液により基板の表面を洗浄する基板洗浄装置に関す
る。
The present invention relates to a substrate cleaning apparatus for cleaning a surface of a substrate with a cleaning brush and a cleaning liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用基板等の基板の表面を洗浄するため
に基板洗浄装置が用いられている。基板洗浄装置では、
基板の処理過程で基板の表面に付着する微粒子を純水等
の洗浄液や洗浄ブラシで除去す。
2. Description of the Related Art A substrate cleaning apparatus is used for cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for a photomask. In substrate cleaning equipment,
Fine particles adhering to the surface of the substrate during the processing of the substrate are removed with a cleaning liquid such as pure water or a cleaning brush.

【0003】近年、LSI(大規模集積回路)の高集積
化に伴い、基板の表面に許容される微粒子の径が小さく
なっている。基板の表面に付着する微粒子の径が小さく
なると、ファンデルウァールス力による付着力が強くな
り、基板の表面から微粒子を除去するために強い剥離力
が必要となる。
In recent years, as the degree of integration of LSIs (large-scale integrated circuits) has increased, the diameter of fine particles allowed on the surface of a substrate has decreased. As the diameter of the fine particles adhering to the surface of the substrate becomes smaller, the adhesive force due to van der Waals force becomes stronger, and a strong peeling force is required to remove the fine particles from the surface of the substrate.

【0004】通常、ブラシ洗浄方式の基板洗浄装置で
は、基板を回転させつつ純水等の洗浄液を基板の表面に
供給し、洗浄ブラシを自転させるかあるいは洗浄ブラシ
の回転を行わずに洗浄ブラシを基板に押しつけて洗浄ブ
ラシを基板の中心部から外周部まで走査させる。これに
より、基板の表面の全体が洗浄ブラシおよび洗浄液で洗
浄される。
Usually, in a brush cleaning type substrate cleaning apparatus, a cleaning liquid such as pure water is supplied to the surface of the substrate while rotating the substrate, and the cleaning brush is rotated or the cleaning brush is rotated without rotating the cleaning brush. The cleaning brush is scanned from the center to the outer periphery of the substrate by pressing the substrate against the substrate. Thus, the entire surface of the substrate is cleaned with the cleaning brush and the cleaning liquid.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図6は洗浄中の洗浄ブ
ラシと基板との位置関係を示す模式図である。図6を参
照しながら洗浄液および洗浄ブラシを用いたブラシ洗浄
のメカニズムを説明する。ここでは、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板等の洗浄に多く使用されている
平面状ブラシを例にとって説明する。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a positional relationship between a cleaning brush and a substrate during cleaning. The brush cleaning mechanism using the cleaning liquid and the cleaning brush will be described with reference to FIG. Here, a description will be given of a planar brush which is often used for cleaning a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and the like.

【0006】通常、洗浄ブラシ40の材質としては親水
性の素材が用いられる。また、ブラシ洗浄はできるだけ
親水性の表面を有する基板100を対象に実施されてい
る。そのため、回転している基板100と洗浄ブラシ4
0との間には表面張力やハイドロプレーン現象のために
非常に薄い水膜200が存在している。この水膜200
の厚みよりも小さい径の微粒子300には洗浄ブラシ4
0で直接衝撃を与えることができない。したがって、こ
の水膜200の厚みが小さいほど高い洗浄効果が得られ
ることになる。
Usually, a hydrophilic material is used as the material of the cleaning brush 40. The brush cleaning is performed on the substrate 100 having a surface as hydrophilic as possible. Therefore, the rotating substrate 100 and the cleaning brush 4
Between 0 and 0, there is a very thin water film 200 due to surface tension and hydroplane phenomenon. This water film 200
Cleaning brush 4 for fine particles 300 having a diameter smaller than
0 means no direct impact. Therefore, the smaller the thickness of the water film 200, the higher the cleaning effect.

【0007】そこで、洗浄ブラシ40と基板100との
間に一定の水膜200が形成される条件において一定の
押し荷重を洗浄ブラシ40に与えることにより水膜20
0の厚みを小さくして安定した洗浄能力を持たせてい
る。その場合、洗浄ブラシ40の押し荷重が大きいほど
高い洗浄効果が得られる。
Therefore, a constant pressing load is applied to the cleaning brush 40 under the condition that a constant water film 200 is formed between the cleaning brush 40 and the substrate 100, so that the water film 20 is formed.
The thickness of 0 is reduced to provide a stable cleaning ability. In this case, the higher the pressing load of the cleaning brush 40 is, the higher the cleaning effect can be obtained.

【0008】したがって、許容範囲内で洗浄ブラシ40
の押し荷重を大きくすれば洗浄効果を高めることができ
るが、基板の大口径化に伴って押し荷重の増加は基板の
反り量を増加させることになる。それにより、洗浄ブラ
シ40と基板100のなす角度が変化して洗浄にむらが
生じたり、基板100の割れ等の破損が発生するおそれ
がある。そのため、洗浄ブラシ40に十分に大きい押し
荷重を加えることはできない。
Accordingly, the cleaning brush 40 must be within the allowable range.
The cleaning effect can be enhanced by increasing the pressing load of the substrate, but the increase in the pressing load increases the amount of warpage of the substrate as the diameter of the substrate increases. As a result, the angle formed between the cleaning brush 40 and the substrate 100 may be changed, resulting in uneven cleaning, or damage to the substrate 100 such as cracks. Therefore, a sufficiently large pressing load cannot be applied to the cleaning brush 40.

【0009】なお、疎水性の洗浄ブラシで疎水性の表面
を有する基板を洗浄する場合には、水膜が存在しなくな
り、直接洗浄ブラシと基板の表面とが接触するので、ブ
ラシ洗浄の機能が発揮されなくなるだけでなく、逆に微
粒子を基板の表面に塗布することになる。
When a substrate having a hydrophobic surface is cleaned with a hydrophobic cleaning brush, a water film is not present and the cleaning brush directly contacts the surface of the substrate. Not only will it not be exhibited, but also fine particles will be applied to the surface of the substrate.

【0010】また、上記のように、ブラシ洗浄方式の基
板洗浄装置では、基板を回転させつつ洗浄ブラシを基板
の中心部から外周部まで往復移動させているので、基板
の中心部に近いほど洗浄ブラシと基板との相対速度が小
さくなる。洗浄ブラシの中心が基板の中心と一致する地
点では洗浄ブラシと基板との相対速度がほぼ0となるの
で、基板から微粒子を剥離させる衝撃力が最も低くな
り、洗浄能力が低下する。一方、基板の外周部では洗浄
ブラシと基板との相対速度が大きくなるため、基板から
微粒子を剥離させる衝撃力が最大となり、洗浄能力は高
くなる。このように、従来のブラシ洗浄方式の基板洗浄
装置では、基板の中心部と外周部とで洗浄能力に差が生
じる。
As described above, in the brush cleaning type substrate cleaning apparatus, the cleaning brush is reciprocated from the central portion of the substrate to the outer peripheral portion while rotating the substrate. The relative speed between the brush and the substrate decreases. At the point where the center of the cleaning brush coincides with the center of the substrate, the relative speed between the cleaning brush and the substrate is substantially zero, so that the impact force for separating the fine particles from the substrate is the lowest, and the cleaning ability is reduced. On the other hand, since the relative speed between the cleaning brush and the substrate increases at the outer peripheral portion of the substrate, the impact force for separating the fine particles from the substrate is maximized, and the cleaning ability is increased. As described above, in the conventional brush cleaning type substrate cleaning apparatus, there is a difference in cleaning performance between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate.

【0011】一方、超音波振動を洗浄液に付与させて基
板の洗浄効果を高める超音波洗浄方式の基板洗浄装置が
提案されている。この超音波洗浄方式の基板洗浄装置で
は、微粒子を基板から剥離させる能力は高くなるが、剥
離された微粒子を基板に再付着させずに基板外に排出す
る能力に劣る。総合的な洗浄能力としては、ブラシ洗浄
方式の方が超音波洗浄方式に比べて高いとされている。
On the other hand, there has been proposed an ultrasonic cleaning type substrate cleaning apparatus in which ultrasonic vibration is applied to a cleaning liquid to enhance the cleaning effect of the substrate. In this ultrasonic cleaning type substrate cleaning apparatus, the ability to peel fine particles from the substrate is high, but the ability to discharge the peeled fine particles out of the substrate without reattaching to the substrate is inferior. It is said that the brush cleaning method has higher overall cleaning ability than the ultrasonic cleaning method.

【0012】そこで、ブラシ洗浄方式および超音波洗浄
方式の両者の利点を生かすために、図7に示すように、
洗浄ブラシおよび超音波ノズルを有する基板洗浄装置が
提案されている。この基板洗浄装置では、洗浄ブラシ6
1を保持するブラシアーム60および超音波ノズル71
を保持するノズルアーム70を設け、洗浄ブラシ61お
よび超音波ノズル71を基板100上で往復移動させ
る。超音波ノズル71からは超音波振動が付与された純
水が吐出される。
In order to take advantage of both the brush cleaning method and the ultrasonic cleaning method, as shown in FIG.
A substrate cleaning apparatus having a cleaning brush and an ultrasonic nozzle has been proposed. In this substrate cleaning apparatus, the cleaning brush 6
Arm 60 and ultrasonic nozzle 71 for holding the nozzle 1
Is provided, and the cleaning brush 61 and the ultrasonic nozzle 71 are reciprocated on the substrate 100. From the ultrasonic nozzle 71, pure water to which ultrasonic vibration is applied is discharged.

【0013】しかしながら、この基板洗浄装置では、超
音波ノズル71により基板100の表面から微粒子を剥
離させる衝撃力を加える時点と剥離された微粒子を洗浄
ブラシ61により基板100外に排出する時点とが僅か
に異なるために、特に基板100の中心部においては剥
離された微粒子が再び基板100に付着することがあ
る。そのため、ブラシ洗浄方式と超音波洗浄方式との利
点を十分に生かすことができない。
However, in this substrate cleaning apparatus, the time when the ultrasonic nozzle 71 applies an impact force to separate the fine particles from the surface of the substrate 100 and the time when the separated fine particles are discharged out of the substrate 100 by the cleaning brush 61 are slightly different. In particular, at the center of the substrate 100, the separated fine particles may adhere to the substrate 100 again. Therefore, the advantages of the brush cleaning method and the ultrasonic cleaning method cannot be fully utilized.

【0014】本発明の目的は、基板の表面を均一に洗浄
することができかつ高い洗浄効果を有する基板洗浄装置
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus which can uniformly clean the surface of a substrate and has a high cleaning effect.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板洗浄装置は、基板を洗浄する基板洗浄装
置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板保持
手段を回転駆動する駆動手段と、基板保持手段に保持さ
れた基板の表面に接触可能に設けられた洗浄ブラシと、
洗浄ブラシに超音波振動を付与する第1の超音波振動付
与手段とを備えたものである。
A substrate cleaning apparatus according to a first aspect of the present invention is a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate, wherein the substrate holding means holds a substrate, and the substrate holding means is rotationally driven. Driving means, and a cleaning brush provided so as to be able to contact the surface of the substrate held by the substrate holding means,
A first ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the cleaning brush.

【0016】本発明に係る基板洗浄装置においては、基
板を保持する基板保持手段が駆動手段により回転駆動さ
れる。第1の超音波振動付与手段により超音波振動が付
与された洗浄ブラシが回転する基板の表面に接触し、基
板の表面に付着した微粒子が基板から剥離されるととも
に基板外に排出される。
In the substrate cleaning apparatus according to the present invention, the substrate holding means for holding the substrate is rotationally driven by the driving means. The cleaning brush to which the ultrasonic vibration is applied by the first ultrasonic vibration applying means comes into contact with the surface of the rotating substrate, and the fine particles attached to the surface of the substrate are separated from the substrate and discharged out of the substrate.

【0017】この場合、洗浄ブラシの静止荷重に超音波
振動による音圧荷重が重畳されるので、洗浄ブラシに瞬
間的に高い荷重が加わる。それにより、洗浄ブラシに大
きな押し荷重を加えることなく基板の表面に付着した微
粒子を剥離させる衝撃力が高くなる。
In this case, since the sound pressure load by the ultrasonic vibration is superimposed on the static load of the cleaning brush, a high load is momentarily applied to the cleaning brush. Thereby, the impact force for peeling off the fine particles attached to the surface of the substrate without applying a large pressing load to the cleaning brush increases.

【0018】基板の表面の外周部では基板の表面の中心
部に比べて洗浄ブラシと基板との相対速度が大きくなる
ので、基板の外周部に近いほど洗浄ブラシの接触により
基板から微粒子を剥離させる効果が高くなる。一方、基
板の表面の中心部では基板の表面の外周部に比べて基板
の単位長さ当たりで洗浄ブラシが振動する回数が多くな
るため、洗浄ブラシの超音波振動により基板から微粒子
を剥離させる効果が高くなる。これらの結果、基板の中
心部から外周部にわたって微粒子を剥離させる効果が均
一になる。
Since the relative speed between the cleaning brush and the substrate is higher at the outer peripheral portion of the substrate surface than at the central portion of the substrate surface, the closer the outer peripheral portion of the substrate is, the more the fine particles are separated from the substrate by the contact of the cleaning brush. The effect is higher. On the other hand, the number of times the cleaning brush vibrates per unit length of the substrate is greater at the central portion of the substrate surface than at the outer peripheral portion of the substrate surface, so that the ultrasonic vibration of the cleaning brush separates the fine particles from the substrate. Will be higher. As a result, the effect of separating the fine particles from the central portion to the outer peripheral portion of the substrate becomes uniform.

【0019】したがって、基板の表面を均一に洗浄する
ことができかつ高い洗浄効果が得られる。
Therefore, the surface of the substrate can be uniformly cleaned and a high cleaning effect can be obtained.

【0020】第2の発明に係る基板洗浄装置は、第1の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、基板保持手段
に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、洗浄液供給手段により基板上に供給される洗浄液に
超音波振動を付与する第2の超音波振動付与手段とをさ
らに備えたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus according to the first aspect of the present invention, comprising: a cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid onto the substrate held by the substrate holding unit; And a second ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied onto the substrate.

【0021】この場合、第2の超音波振動付与手段によ
り洗浄液に超音波振動が付与され、超音波振動が付与さ
れた洗浄液が洗浄液供給手段により基板上に供給され
る。それにより、微粒子を基板から剥離させる効果がさ
らに高まる。
In this case, the ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid by the second ultrasonic vibration applying means, and the cleaning liquid to which the ultrasonic vibration is applied is supplied onto the substrate by the cleaning liquid supply means. This further enhances the effect of separating the fine particles from the substrate.

【0022】第3の発明に係る基板洗浄装置は、第2の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、洗浄液供給手
段は、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを備え、第2
の超音波振動付与手段は、洗浄液吐出ノズルに設けられ
た超音波振動子を備えたものである。
The substrate cleaning apparatus according to a third aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the second aspect, wherein the cleaning liquid supply means includes a cleaning liquid discharge nozzle for discharging a cleaning liquid.
The ultrasonic vibration applying means includes an ultrasonic vibrator provided in the cleaning liquid discharge nozzle.

【0023】この場合、洗浄液吐出ノズルに設けられた
超音波振動子が超音波振動することにより洗浄液吐出ノ
ズルから吐出される洗浄液に超音波振動が付与される。
In this case, the ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge nozzle by the ultrasonic vibration of the ultrasonic vibrator provided in the cleaning liquid discharge nozzle.

【0024】第4の発明に係る基板洗浄装置は、第1、
第2または第3の発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、第1の超音波振動付与手段は、超音波振動子と、超
音波振動子により発生される超音波振動を増幅して洗浄
ブラシに伝達するホーンとを備えたものである。
A substrate cleaning apparatus according to a fourth aspect of the present invention comprises:
In the configuration of the substrate cleaning apparatus according to the second or third aspect, the first ultrasonic vibration applying means amplifies the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibrator and the ultrasonic vibration to the cleaning brush. And a horn for transmission.

【0025】この場合、超音波振動子により発生される
超音波振動がホーンにより増幅されて洗浄ブラシに伝達
されるので、洗浄ブラシに十分な大きさの音圧荷重が加
えられる。それにより、十分に高い洗浄効果が得られ
る。
In this case, since the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibrator is amplified by the horn and transmitted to the cleaning brush, a sufficiently large sound pressure load is applied to the cleaning brush. Thereby, a sufficiently high cleaning effect can be obtained.

【0026】第5の発明に係る基板洗浄装置は、第1、
第2または第3の発明に係る基板洗浄装置の構成におい
て、第1の超音波振動付与手段は、超音波振動子と、超
音波振動子を冷却する冷却手段とを備えたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus comprising:
In the configuration of the substrate cleaning apparatus according to the second or third aspect, the first ultrasonic vibration applying means includes an ultrasonic vibrator and a cooling means for cooling the ultrasonic vibrator.

【0027】この場合、超音波振動子により発生される
超音波振動が洗浄ブラシに付与される。特に、超音波振
動子が冷却手段により冷却されるので、電気エネルギー
が熱エネルギーとして消費されずに効率的に超音波振動
のエネルギーに変換されるとともに、超音波振動子の寿
命が長くなる。
In this case, the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibrator is applied to the cleaning brush. In particular, since the ultrasonic vibrator is cooled by the cooling means, electric energy is efficiently converted to ultrasonic vibration energy without being consumed as heat energy, and the life of the ultrasonic vibrator is prolonged.

【0028】第6の発明に係る基板洗浄装置は、第2の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、洗浄液供給手
段は、開口部を有しかつ洗浄液を貯留する洗浄液貯留部
を備え、洗浄ブラシは、洗浄液貯留部内の洗浄液が漏出
可能に開口部に嵌挿され、第1および第2の超音波振動
付与手段は、洗浄液貯留部内の洗浄液を介して洗浄ブラ
シに超音波振動を付与する共通の超音波振動子を備えた
ものである。
A substrate cleaning apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the second aspect, wherein the cleaning liquid supply means includes a cleaning liquid storing section having an opening and storing the cleaning liquid, and a cleaning brush. Is inserted into the opening so that the cleaning liquid in the cleaning liquid reservoir can leak, and the first and second ultrasonic vibration applying means apply ultrasonic vibration to the cleaning brush via the cleaning liquid in the cleaning liquid storage. It has an ultrasonic vibrator.

【0029】洗浄液貯留部に貯留された洗浄液が洗浄ブ
ラシと開口部の縁部との間の隙間を通して基板上に供給
されるとともに、洗浄液貯留部の開口部に嵌挿された洗
浄ブラシが基板の表面に接触する。
The cleaning liquid stored in the cleaning liquid storage section is supplied onto the substrate through a gap between the cleaning brush and the edge of the opening, and the cleaning brush inserted into the opening of the cleaning liquid storage section is used for cleaning the substrate. Contact the surface.

【0030】この場合、共通の超音波振動子により洗浄
液貯留部内の洗浄液および洗浄ブラシに超音波振動が付
与される。したがって、コンパクトな構成で超音波振動
が付与された洗浄ブラシで基板の表面を押圧するととも
に、洗浄ブラシとほぼ同一位置の基板の表面に超音波振
動が付与された洗浄液を供給することができる。
In this case, the ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid and the cleaning brush in the cleaning liquid storage section by the common ultrasonic vibrator. Therefore, it is possible to press the surface of the substrate with the cleaning brush to which the ultrasonic vibration is applied in a compact configuration, and to supply the cleaning liquid to which the ultrasonic vibration is applied to the surface of the substrate at substantially the same position as the cleaning brush.

【0031】これにより、基板の表面に付着した微粒子
を基板から確実に剥離させかつ基板外に排出することが
できる。その結果、十分に高い洗浄効果が得られる。
Thus, the fine particles adhering to the surface of the substrate can be reliably separated from the substrate and discharged out of the substrate. As a result, a sufficiently high cleaning effect can be obtained.

【0032】第7の発明に係る基板洗浄装置は、第6の
発明に係る基板洗浄装置の構成において、洗浄液貯留部
に洗浄液を供給するとともに洗浄液貯留部の洗浄液を帰
還させる洗浄液循環系をさらに備えたものである。
A substrate cleaning apparatus according to a seventh aspect of the present invention is the substrate cleaning apparatus according to the sixth aspect, further comprising a cleaning liquid circulation system for supplying the cleaning liquid to the cleaning liquid storage section and returning the cleaning liquid from the cleaning liquid storage section. It is a thing.

【0033】この場合、洗浄液循環系により洗浄液貯留
部を通して洗浄液を循環させることができるので、洗浄
液が冷却手段としても機能する。
In this case, since the cleaning liquid can be circulated through the cleaning liquid reservoir by the cleaning liquid circulation system, the cleaning liquid also functions as cooling means.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施例にお
ける基板洗浄装置の模式的断面図であり、図2は図1の
基板洗浄装置の模式的平面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate cleaning apparatus of FIG.

【0035】図1に示すように、ハウジング1内に基板
100を水平姿勢で吸引保持する基板保持部2が配設さ
れている。基板保持部2は、モータ3の回転軸4の先端
に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成され
ている。基板保持部2の周囲には、基板100を取り囲
むように洗浄液飛散防止用のカップ5が上下動自在に設
けられている。カップ5の下面には洗浄液としての純水
を排出するための排出口6が設けられている。
As shown in FIG. 1, a substrate holding portion 2 for holding a substrate 100 in a horizontal posture by suction is provided in a housing 1. The substrate holding unit 2 is fixed to a tip of a rotation shaft 4 of the motor 3 and is configured to be rotatable around a vertical axis. Around the substrate holding unit 2, a cleaning liquid scattering prevention cup 5 is provided so as to be vertically movable so as to surround the substrate 100. A discharge port 6 for discharging pure water as a cleaning liquid is provided on the lower surface of the cup 5.

【0036】カップ5の一方の側部側には、ブラシアー
ム8がアーム駆動部7により鉛直方向の軸の周りで回動
可能に設けられている。ブラシアーム8の先端部の下面
側にはブラシ保持部9が取り付けられている。このブラ
シ保持部9は、ブラシアーム8に内蔵されるモータによ
り鉛直方向の軸の周りで自転可能に構成されている。ブ
ラシ保持部9の下面には漸次径小となるホーン10が取
り付けられ、ホーン10の先端部の下面には洗浄ブラシ
11が設けられている。また、ブラシ保持部9の側面に
は超音波振動子12が取り付けられている。
On one side of the cup 5, a brush arm 8 is provided rotatably about a vertical axis by an arm driving unit 7. A brush holder 9 is attached to the lower surface of the tip of the brush arm 8. The brush holder 9 is configured to be able to rotate around a vertical axis by a motor built in the brush arm 8. A horn 10 having a gradually decreasing diameter is attached to the lower surface of the brush holding unit 9, and a cleaning brush 11 is provided on the lower surface of the tip of the horn 10. An ultrasonic vibrator 12 is attached to a side surface of the brush holding unit 9.

【0037】カップ5の他方の側部側には、ノズルーア
ーム14がアーム駆動部13により鉛直方向の軸の周り
で回動可能に設けられている。ノズルアーム14の先端
部の下面側には洗浄液として純水を吐出する純水吐出ノ
ズル15が取り付けられている。この純水吐出ノズル1
5には超音波振動子16が取り付けられている。純水吐
出ノズル15には純水供給源(図示せず)から純水が供
給される。
On the other side of the cup 5, a nozzle arm 14 is provided so as to be rotatable around a vertical axis by an arm driving unit 13. A pure water discharge nozzle 15 for discharging pure water as a cleaning liquid is attached to the lower surface side of the tip of the nozzle arm 14. This pure water discharge nozzle 1
An ultrasonic vibrator 16 is attached to 5. Pure water is supplied to the pure water discharge nozzle 15 from a pure water supply source (not shown).

【0038】ブラシ保持部9に取り付けられた超音波振
動子12および純水吐出ノズル15に取り付けられた超
音波振動子16は、高周波発振器17により駆動され、
例えば100kHzで振動する。制御部18は、モータ
3の回転、アーム駆動部7によるブラシアーム8の回動
および上下動、アーム駆動部13によるノズルアーム1
4の回動および上下動、ブラシ保持部9の回転、高周波
発振器17による超音波振動子12,16の駆動、およ
び純水吐出ノズル15からの純水の吐出を制御する。
The ultrasonic vibrator 12 attached to the brush holder 9 and the ultrasonic vibrator 16 attached to the pure water discharge nozzle 15 are driven by a high-frequency oscillator 17,
For example, it vibrates at 100 kHz. The control unit 18 controls the rotation of the motor 3, the rotation and vertical movement of the brush arm 8 by the arm driving unit 7, the nozzle arm 1 by the arm driving unit 13
4 controls the rotation and vertical movement of the brush 4, the rotation of the brush holder 9, the driving of the ultrasonic oscillators 12 and 16 by the high-frequency oscillator 17, and the discharge of pure water from the pure water discharge nozzle 15.

【0039】図2に示すように、基板100は回転軸P
1の周りで回転し、ブラシアーム8はアーム駆動部7に
より回動軸P2の周りで矢印R1の方向に回動し、ノズ
ルアーム14はアーム駆動部13により回動軸P3の周
りで矢印R2の方向に回動する。
As shown in FIG. 2, the substrate 100 is
1, the brush arm 8 is rotated by the arm driving unit 7 around the rotation axis P2 in the direction of arrow R1, and the nozzle arm 14 is rotated by the arm driving unit 13 around the rotation axis P3 by the arrow R2. In the direction of.

【0040】洗浄時には、ブラシ保持部9が自転しつつ
ブラシアーム8が回動軸P2の周りで回動し、洗浄ブラ
シ11が基板100の表面に接触した状態で基板100
の中心部から一方側の外周部からまで往復移動する。ま
た、ノズルアーム14が回動軸P3の周りで回動し、純
水吐出ノズル15が基板100上まで移動し、純水を吐
出する。この場合、洗浄ブラシ11には一定の静止荷重
が加えられる。また、図1の超音波振動子12,16が
高周波発振器17により駆動される。超音波振動子12
による超音波振動はホーン10により増幅されて洗浄ブ
ラシ11に伝達される。また、超音波振動子16による
超音波振動は純水吐出ノズル15から吐出される純水に
付与される。
At the time of cleaning, the brush arm 8 rotates around the rotation axis P2 while the brush holding unit 9 rotates, and the cleaning brush 11 contacts the surface of the substrate 100 while the cleaning brush 11 is in contact with the surface of the substrate 100.
Reciprocate from the center of the to the outer periphery on one side. In addition, the nozzle arm 14 rotates around the rotation axis P3, and the pure water discharge nozzle 15 moves to above the substrate 100 to discharge pure water. In this case, a constant static load is applied to the cleaning brush 11. In addition, the ultrasonic transducers 12 and 16 of FIG. Ultrasonic transducer 12
Is amplified by the horn 10 and transmitted to the cleaning brush 11. The ultrasonic vibration by the ultrasonic vibrator 16 is applied to the pure water discharged from the pure water discharge nozzle 15.

【0041】本実施例では、基板保持部2が基板保持手
段に相当し、モータ3が駆動手段に相当し、超音波振動
子12が第1の超音波振動付与手段に相当する。また、
純水吐出ノズル15が洗浄液供給手段および洗浄液吐出
ノズルに相当し、超音波振動子16が第2の超音波振動
付与手段に相当する。
In this embodiment, the substrate holding unit 2 corresponds to the substrate holding unit, the motor 3 corresponds to the driving unit, and the ultrasonic vibrator 12 corresponds to the first ultrasonic vibration applying unit. Also,
The pure water discharge nozzle 15 corresponds to a cleaning liquid supply unit and a cleaning liquid discharge nozzle, and the ultrasonic vibrator 16 corresponds to a second ultrasonic vibration applying unit.

【0042】図3は図1の基板洗浄装置における洗浄ブ
ラシ11のトータルブラシ圧の時間特性を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a time characteristic of the total brush pressure of the cleaning brush 11 in the substrate cleaning apparatus of FIG.

【0043】図3において、W1は洗浄ブラシ11に加
わる静止荷重であり。W2は超音波振動子12からの超
音波振動による音圧荷重である。超音波振動の周波数を
fとすると、音圧荷重の周期は1/fとなる。
In FIG. 3, W1 is a static load applied to the cleaning brush 11. W2 is a sound pressure load due to ultrasonic vibration from the ultrasonic transducer 12. Assuming that the frequency of the ultrasonic vibration is f, the period of the sound pressure load is 1 / f.

【0044】図3に示すように、一定の静止荷重W1に
超音波振動による音圧荷重W2が重畳されている。それ
により、洗浄ブラシ11に一定の静止荷重のみを加える
場合に比べてはるかに高い荷重を瞬時に加えることが可
能となる。また、同時に超音波振動子16により超音波
振動が付与された純水が基板100上に供給される。し
たがって、洗浄ブラシ11に大きな押し荷重を加えるこ
となく、基板100の表面に付着した微粒子を剥離させ
る衝撃力を高めることができる。
As shown in FIG. 3, a sound pressure load W2 due to ultrasonic vibration is superimposed on a fixed stationary load W1. This makes it possible to instantaneously apply a much higher load than when only a constant static load is applied to the cleaning brush 11. At the same time, pure water to which ultrasonic vibration has been applied by the ultrasonic vibrator 16 is supplied onto the substrate 100. Therefore, it is possible to increase the impact force for removing the fine particles attached to the surface of the substrate 100 without applying a large pressing load to the cleaning brush 11.

【0045】基板100の表面の外周部では基板100
の表面の中心部に比べて洗浄ブラシ11と基板100と
の相対速度が大きくなるので、基板100の表面の外周
部に近いほど洗浄ブラシ11の接触により基板100か
ら微粒子を剥離させる効果が高くなる。
The outer periphery of the surface of the substrate 100
Since the relative speed between the cleaning brush 11 and the substrate 100 is higher than the central portion of the surface of the substrate 100, the effect of separating the fine particles from the substrate 100 by contact of the cleaning brush 11 becomes higher as the cleaning brush 11 comes closer to the outer peripheral portion of the surface of the substrate 100. .

【0046】一方、基板100の表面の中心部では、基
板100の表面の外周部に比べて基板100の単位長さ
当たりで洗浄ブラシ11が振動する回数が多くなる。た
とえば、直径300mmの基板100が2000rpm
で回転している場合に、基板100の外周部が1cm回
転移動する間に洗浄ブラシ11は32.2回振動するこ
とになり、基板100の表面の中心部に近づくにしたが
って洗浄ブラシ11が基板100の単位長さ当たりで振
動する回数が増加する。それにより、洗浄ブラシ11の
超音波振動により基板100から微粒子を剥離させる効
果が高くなる。
On the other hand, the number of times the cleaning brush 11 vibrates at a central portion of the surface of the substrate 100 per unit length of the substrate 100 is larger than that at an outer peripheral portion of the surface of the substrate 100. For example, a substrate 100 having a diameter of 300 mm is 2,000 rpm.
When the outer periphery of the substrate 100 rotates by 1 cm, the cleaning brush 11 vibrates 32.2 times, and as the cleaning brush 11 approaches the center of the surface of the substrate 100, the cleaning brush 11 The number of vibrations per 100 unit lengths increases. Thereby, the effect of separating the fine particles from the substrate 100 by the ultrasonic vibration of the cleaning brush 11 is enhanced.

【0047】したがって、基板100の中心部から外周
部に向かって微粒子を剥離させる効果がほぼ均一とな
る。これらの結果、基板100の表面を均一に洗浄する
ことができかつ高い洗浄効果が得られる。
Therefore, the effect of separating the fine particles from the center of the substrate 100 toward the outer periphery becomes substantially uniform. As a result, the surface of the substrate 100 can be uniformly cleaned and a high cleaning effect can be obtained.

【0048】なお、本実施例では、ブラシ保持部9が自
転可能に構成されているが、ブラシ保持部9が自転しな
いように構成してもよい。
In this embodiment, the brush holder 9 is configured to be able to rotate, but the brush holder 9 may be configured not to rotate.

【0049】図4は本発明の第2の実施例における基板
洗浄装置の主要部の構成を示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing the structure of a main part of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【0050】図4の基板洗浄装置においては、冷却水入
口21および冷却水出口22を有する冷却水貯留部20
が設けられている。この冷却水貯留部20の冷却水入口
21には冷却水供給配管23が取り付けられ、冷却水出
口22には冷却水排出配管24が取り付けられている。
冷却水供給配管23を通して冷却水貯留部20内に冷却
水が供給され、冷却水貯留部20内の冷却水が冷却水排
出配管24を通して排出される。
In the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 4, a cooling water reservoir 20 having a cooling water inlet 21 and a cooling water outlet 22 is provided.
Is provided. A cooling water supply pipe 23 is attached to a cooling water inlet 21 of the cooling water storage unit 20, and a cooling water discharge pipe 24 is attached to a cooling water outlet 22.
Cooling water is supplied into the cooling water storage section 20 through the cooling water supply pipe 23, and the cooling water in the cooling water storage section 20 is discharged through the cooling water discharge pipe 24.

【0051】冷却水貯留部20の下面には開口部25が
設けられ、この開口部25内に洗浄ブラシ26が取り付
けられている。洗浄ブラシ26はブラシ部26aおよび
ブラシ保持部26bからなり、ブラシ部26aが冷却水
貯留部20の開口部25から下方に突出するようにブラ
シ保持部26bが冷却水貯留部20の底面縁部に支持さ
れている。この冷却水貯留部20は、図1のブラシアー
ム8の先端部の下面側に取り付けられる。
An opening 25 is provided on the lower surface of the cooling water storage section 20, and a cleaning brush 26 is mounted in the opening 25. The cleaning brush 26 includes a brush portion 26a and a brush holding portion 26b. The brush holding portion 26b is provided on the bottom edge of the cooling water storage portion 20 so that the brush portion 26a protrudes downward from the opening 25 of the cooling water storage portion 20. Supported. This cooling water storage section 20 is attached to the lower surface side of the tip end of the brush arm 8 in FIG.

【0052】洗浄ブラシ26のブラシ保持部26b上に
は超音波振動子27が取り付けられている。この超音波
振動子27は、高周波発振器17により駆動される。本
実施例の基板洗浄装置においては、超音波振動子27に
よる超音波振動がブラシ保持部26bを介してブラシ部
26aに直接付与される。特に、超音波振動子27が冷
却水により冷却されるので、電気エネルギーが熱エネル
ギーとして消費されずに効率的に超音波振動のエネルギ
ーに変換されるとともに、超音波振動子27の寿命が長
くなる。
An ultrasonic vibrator 27 is mounted on the brush holding portion 26b of the cleaning brush 26. The ultrasonic vibrator 27 is driven by the high frequency oscillator 17. In the substrate cleaning apparatus of the present embodiment, the ultrasonic vibration by the ultrasonic vibrator 27 is directly applied to the brush part 26a via the brush holding part 26b. In particular, since the ultrasonic vibrator 27 is cooled by the cooling water, electric energy is efficiently converted into ultrasonic vibration energy without being consumed as heat energy, and the life of the ultrasonic vibrator 27 is extended. .

【0053】図1の基板洗浄装置と同様に、ノズルアー
ム11の先端部の下面側には純水吐出ノズル15が取り
付けられ、純水取付けノズル15に超音波振動子16が
取り付けられている。超音波振動子16も高周波発振器
17により駆動される。本実施例の基板洗浄装置の他の
部分の構成は、図1の基板洗浄装置の構成と同様であ
る。
As in the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1, a pure water discharge nozzle 15 is attached to the lower surface of the tip of the nozzle arm 11, and an ultrasonic vibrator 16 is attached to the pure water attachment nozzle 15. The ultrasonic vibrator 16 is also driven by the high frequency oscillator 17. The configuration of the other parts of the substrate cleaning apparatus of the present embodiment is the same as the configuration of the substrate cleaning apparatus of FIG.

【0054】本実施例では、超音波振動子27が第1の
超音波振動付与手段に相当し、冷却水貯留部20、冷却
水供給配管23および冷却水排出配管24が冷却手段に
相当する。
In this embodiment, the ultrasonic vibrator 27 corresponds to the first ultrasonic vibration applying means, and the cooling water storage section 20, the cooling water supply pipe 23 and the cooling water discharge pipe 24 correspond to the cooling means.

【0055】本実施例の基板洗浄装置においては、洗浄
ブラシ26の静止荷重に超音波振動子27の超音波振動
による音圧荷重が重畳されるので、洗浄ブラシ26に瞬
間的に高い荷重が加わる。また、超音波振動子16によ
り超音波振動が付与された純水が純水吐出ノズル15に
より基板100上に供給される。それにより、洗浄ブラ
シ26に大きな押し荷重を加えることなく、基板100
の表面に付着した微粒子を剥離させる衝撃力を高めるこ
とができる。したがって、基板100の表面を均一に洗
浄することができかつ高い洗浄効果が得られる。
In the substrate cleaning apparatus of this embodiment, since the sound pressure load due to the ultrasonic vibration of the ultrasonic vibrator 27 is superimposed on the static load of the cleaning brush 26, a high load is momentarily applied to the cleaning brush 26. . Further, pure water to which ultrasonic vibration has been applied by the ultrasonic vibrator 16 is supplied onto the substrate 100 by the pure water discharge nozzle 15. As a result, a large pressing load is not applied to the cleaning brush 26 and the substrate 100
The impact force for peeling off the fine particles adhered to the surface can be increased. Therefore, the surface of the substrate 100 can be uniformly cleaned and a high cleaning effect can be obtained.

【0056】図5は本発明の第3の実施例における基板
洗浄装置の主要部の構成を示す模式的断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing the structure of a main part of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【0057】図5の基板洗浄装置においては、純水入口
31および純水出口32を有する純水貯留部30が設け
られている。純水貯留部30の純水入口31には純水供
給源から純水を導くための純水供給配管33が取り付け
られ、純水出口32には純水貯留部30の純水を純水供
給源に帰還させるための純水帰還配管34が取り付けら
れている。この純水貯留部30は、図1のブラシアーム
8の先端部の下面側に取り付けられる。
In the apparatus for cleaning a substrate shown in FIG. 5, a pure water storage section 30 having a pure water inlet 31 and a pure water outlet 32 is provided. A pure water supply pipe 33 for guiding pure water from a pure water supply source is attached to a pure water inlet 31 of the pure water storage unit 30, and a pure water outlet 32 supplies pure water of the pure water storage unit 30 with pure water. A pure water return pipe 34 for returning to the source is attached. The pure water reservoir 30 is attached to the lower surface of the tip of the brush arm 8 in FIG.

【0058】純水貯留部30の下面には開口部35が設
けられ、この開口部35内に洗浄ブラシ36が取り付け
られている。洗浄ブラシ36はブラシ部36aおよびブ
ラシ保持部36bからなり、ブラシ部36aが純水貯留
部30の開口部35から下方に突出するようにブラシ保
持部36bが純水貯留部30の底面縁部に支持されてい
る。ブラシ部36aの径は開口部35の径よりも小さく
形成されている。これにより、ブラシ部36aと開口部
35の縁部との間の隙間から純水が漏出可能となってい
る。
An opening 35 is provided on the lower surface of the pure water storage section 30, and a cleaning brush 36 is mounted in the opening 35. The cleaning brush 36 includes a brush portion 36a and a brush holding portion 36b. The brush holding portion 36b is formed on the bottom edge of the pure water storage portion 30 so that the brush portion 36a protrudes downward from the opening 35 of the pure water storage portion 30. Supported. The diameter of the brush portion 36 a is formed smaller than the diameter of the opening 35. Thereby, pure water can leak from the gap between the brush portion 36a and the edge of the opening 35.

【0059】洗浄ブラシ36のブラシ保持部36bの上
方には、超音波振動子37が取り付けられている。この
超音波振動子37は、高周波発振器17により駆動され
る。超音波振動子37により発生される超音波振動は純
水貯留部30内の純水を通して洗浄ブラシ36に付与さ
れる。本実施例の基板洗浄装置の他の部分の構成は、図
1の基板洗浄装置の構成と同様である。
An ultrasonic vibrator 37 is mounted above the brush holding portion 36b of the cleaning brush 36. The ultrasonic vibrator 37 is driven by the high frequency oscillator 17. The ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibrator 37 is applied to the cleaning brush 36 through pure water in the pure water storage unit 30. The configuration of the other parts of the substrate cleaning apparatus of the present embodiment is the same as the configuration of the substrate cleaning apparatus of FIG.

【0060】本実施例では、超音波振動子37が共通の
超音波振動子に相当し、純水貯留部30が洗浄液供給手
段および洗浄液貯留部に相当する。また、純水供給配管
33および純水帰還配管34が洗浄液循環系に相当す
る。
In this embodiment, the ultrasonic vibrator 37 corresponds to a common ultrasonic vibrator, and the pure water storage unit 30 corresponds to a cleaning liquid supply unit and a cleaning liquid storage unit. The pure water supply pipe 33 and the pure water return pipe 34 correspond to a cleaning liquid circulation system.

【0061】本実施例の基板洗浄装置においては、洗浄
ブラシ36が回転する基板100の表面に一定の静止荷
重で押しつけられるとともに、超音波振動子37により
超音波振動が純水を介して洗浄ブラシ36に付与され
る。また、超音波振動子37により超音波振動が付与さ
れた純水が洗浄ブラシ16のブラシ部36aと開口部3
5の縁部との間の隙間から基板100上に供給される。
In the substrate cleaning apparatus of this embodiment, the cleaning brush 36 is pressed against the surface of the rotating substrate 100 with a constant static load, and the ultrasonic vibration is applied by the ultrasonic vibrator 37 to the cleaning brush via pure water. 36. Further, the pure water to which the ultrasonic vibration is applied by the ultrasonic vibrator 37 is applied to the brush portion 36 a of the cleaning brush 16 and the opening 3.
5 is supplied onto the substrate 100 from the gap between the edge of the substrate 5.

【0062】このように、超音波振動が付与された洗浄
ブラシ36で基板100の表面を押圧するとともに、洗
浄ブラシ36とほぼ同一位置の基板100の表面に超音
波振動が付与された純水を供給することができる。これ
により、基板100の表面に付着した微粒子を基板10
0から確実に剥離させかつ基板100外に排出すること
ができる。
As described above, the surface of the substrate 100 is pressed by the cleaning brush 36 to which the ultrasonic vibration has been applied, and pure water to which the ultrasonic vibration has been applied is applied to the surface of the substrate 100 substantially at the same position as the cleaning brush 36. Can be supplied. As a result, the fine particles adhering to the surface of the substrate 100 are
It can be reliably separated from the substrate and discharged out of the substrate 100.

【0063】また、純水を純水供給配管33、純水貯留
部30および純水帰還配管34を介して循環させること
ができるので、純水が冷却手段として機能する。それに
より、電気エネルギーが熱エネルギーとして消費されず
に効率的に超音波振動のエネルギーに変換されるととも
に、超音波振動子37の寿命が長くなる。
Since pure water can be circulated through the pure water supply pipe 33, the pure water reservoir 30, and the pure water return pipe 34, the pure water functions as a cooling means. Thereby, the electric energy is efficiently converted into the energy of the ultrasonic vibration without being consumed as the heat energy, and the life of the ultrasonic vibrator 37 is extended.

【0064】これらの結果、コンパクトな構成で基板1
00の表面を均一に洗浄することができかつ高い洗浄効
果が得られる。
As a result, the substrate 1 has a compact configuration.
00 can be uniformly cleaned and a high cleaning effect can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における基板洗浄装置の
模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の基板洗浄装置の模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate cleaning apparatus of FIG.

【図3】図1の基板洗浄装置における洗浄ブラシのトー
タルブラシ圧の時間特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a time characteristic of a total brush pressure of a cleaning brush in the substrate cleaning apparatus of FIG. 1;

【図4】本発明の第2の実施例における基板洗浄装置の
主要部の構成を示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例における基板洗浄装置の
主要部の構成を示す模式的断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a configuration of a main part of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図6】洗浄中の洗浄ブラシと基板との位置関係を示す
模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a positional relationship between a cleaning brush and a substrate during cleaning.

【図7】洗浄ブラシおよび超音波ノズルを有する基板洗
浄装置の模式的平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view of a substrate cleaning apparatus having a cleaning brush and an ultrasonic nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 基板保持部 3 モータ 7,13 アーム駆動部 8 ブラシアーム 9 ブラシ保持部 10 ホーン 11,26,36 洗浄ブラシ 12,16,27,37 超音波振動子 14 ノズルアーム 15 純水吐出ノズル 17 高周波発振器 18 制御部 20 冷却水貯留部 26a,36a ブラシ部 26b,36b ブラシ保持部 30 純水貯留部 33 純水供給配管 34 純水帰還配管 25,35 開口部 2 Substrate holding unit 3 Motor 7, 13 Arm driving unit 8 Brush arm 9 Brush holding unit 10 Horn 11, 26, 36 Cleaning brush 12, 16, 27, 37 Ultrasonic vibrator 14 Nozzle arm 15 Pure water discharge nozzle 17 High frequency oscillator 18 Control part 20 Cooling water storage part 26a, 36a Brush part 26b, 36b Brush holding part 30 Pure water storage part 33 Pure water supply pipe 34 Pure water return pipe 25, 35 Opening

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/304 644 H01L 21/304 644B ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/304 644 H01L 21/304 644B

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を洗浄する基板洗浄装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段を回転駆動する駆動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に接触可能に
設けられた洗浄ブラシと、 前記洗浄ブラシに超音波振動を付与する第1の超音波振
動付与手段とを備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
1. A substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate, comprising: substrate holding means for holding a substrate; driving means for driving the substrate holding means to rotate; and contacting a surface of the substrate held by the substrate holding means. A substrate cleaning apparatus comprising: a cleaning brush provided so as to be capable of being provided; and first ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the cleaning brush.
【請求項2】 前記基板保持手段に保持された基板上に
洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 前記洗浄液供給手段により基板上に供給される洗浄液に
超音波振動を付与する第2の超音波振動付与手段とをさ
らに備えたことを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装
置。
2. A cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid onto a substrate held by the substrate holding means, and a second ultrasonic vibration for applying ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied onto the substrate by the cleaning liquid supply means. 2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising: an applying unit.
【請求項3】 前記洗浄液供給手段は、洗浄液を吐出す
る洗浄液吐出ノズルを備え、 前記第2の超音波振動付与手段は、前記洗浄液吐出ノズ
ルに設けられた超音波振動子を備えたことを特徴とする
請求項2記載の基板洗浄装置。
3. The cleaning liquid supply unit includes a cleaning liquid discharge nozzle that discharges a cleaning liquid, and the second ultrasonic vibration applying unit includes an ultrasonic vibrator provided on the cleaning liquid discharge nozzle. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein
【請求項4】 前記第1の超音波振動付与手段は、超音
波振動子と、前記超音波振動子により発生される超音波
振動を増幅して前記洗浄ブラシに伝達するホーンとを備
えたことを特徴とする請求項1、2または3記載の基板
洗浄装置。
4. The ultrasonic vibration applying means includes an ultrasonic vibrator and a horn for amplifying ultrasonic vibration generated by the ultrasonic vibrator and transmitting the amplified ultrasonic vibration to the cleaning brush. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein
【請求項5】 前記第1の超音波振動付与手段は、超音
波振動子と、前記超音波振動子を冷却する冷却手段とを
備えたことを特徴とする請求項1、2または3記載の基
板洗浄装置。
5. The apparatus according to claim 1, wherein the first ultrasonic vibration applying means includes an ultrasonic vibrator and cooling means for cooling the ultrasonic vibrator. Substrate cleaning equipment.
【請求項6】 前記洗浄液供給手段は、開口部を有しか
つ洗浄液を貯留する洗浄液貯留部を備え、 前記洗浄ブラシは、前記洗浄液貯留部内の洗浄液が漏出
可能に前記開口部に嵌挿され、 前記第1および第2の超音波振動付与手段は、前記洗浄
液貯留部内の洗浄液を介して前記洗浄ブラシに超音波振
動を付与する共通の超音波振動子を備えたことを特徴と
する請求項2記載の基板洗浄装置。
6. The cleaning liquid supply means includes a cleaning liquid storing section having an opening and storing the cleaning liquid, wherein the cleaning brush is inserted into the opening so that the cleaning liquid in the cleaning liquid storing section can leak. 3. The apparatus according to claim 2, wherein the first and second ultrasonic vibration applying means include a common ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the cleaning brush via the cleaning liquid in the cleaning liquid storage section. A substrate cleaning apparatus as described in the above.
【請求項7】 前記洗浄液貯留部に洗浄液を供給すると
ともに前記洗浄液貯留部の洗浄液を帰還させる洗浄液循
環系をさらに備えたことを特徴とする請求項6記載の基
板洗浄装置。
7. The substrate cleaning apparatus according to claim 6, further comprising a cleaning liquid circulation system for supplying a cleaning liquid to the cleaning liquid storage section and returning the cleaning liquid from the cleaning liquid storage section.
JP10049770A 1998-03-02 1998-03-02 Substrate washing apparatus Pending JPH11244795A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10049770A JPH11244795A (en) 1998-03-02 1998-03-02 Substrate washing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10049770A JPH11244795A (en) 1998-03-02 1998-03-02 Substrate washing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11244795A true JPH11244795A (en) 1999-09-14

Family

ID=12840416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10049770A Pending JPH11244795A (en) 1998-03-02 1998-03-02 Substrate washing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11244795A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001038105A1 (en) * 1999-11-22 2001-05-31 Laser- Und Medizin Technologie Ggmbh Berlin Ultrasound glass fiber brush
KR20030053375A (en) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 Pad conditioner having a ultrasonic producing system
KR100405449B1 (en) * 2000-10-30 2003-11-15 삼성전자주식회사 Cleaning apparatus for semiconducter wafer
JP2006181417A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Fujitsu Ltd Washing device
JP2012043830A (en) * 2010-08-12 2012-03-01 Fujitsu Ltd Cleaning device and cleaning method
KR101511018B1 (en) * 2013-08-01 2015-04-10 한국기계연구원 An ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning system using the same
CN108687003A (en) * 2018-08-12 2018-10-23 河南汇达印通科技股份有限公司 Photosensitive raw material plate cleaning device
KR20220115356A (en) * 2021-02-10 2022-08-17 (유) 천진기업 Hole filling of the pellet cokes molding die, the remover injection nozzle fixing equipment for the apparatus for removing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001038105A1 (en) * 1999-11-22 2001-05-31 Laser- Und Medizin Technologie Ggmbh Berlin Ultrasound glass fiber brush
KR100405449B1 (en) * 2000-10-30 2003-11-15 삼성전자주식회사 Cleaning apparatus for semiconducter wafer
KR20030053375A (en) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 Pad conditioner having a ultrasonic producing system
JP2006181417A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Fujitsu Ltd Washing device
JP2012043830A (en) * 2010-08-12 2012-03-01 Fujitsu Ltd Cleaning device and cleaning method
KR101511018B1 (en) * 2013-08-01 2015-04-10 한국기계연구원 An ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning system using the same
CN108687003A (en) * 2018-08-12 2018-10-23 河南汇达印通科技股份有限公司 Photosensitive raw material plate cleaning device
KR20220115356A (en) * 2021-02-10 2022-08-17 (유) 천진기업 Hole filling of the pellet cokes molding die, the remover injection nozzle fixing equipment for the apparatus for removing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4481394B2 (en) Semiconductor substrate cleaning apparatus and cleaning method thereof
US20140034096A1 (en) Acoustic Assisted Single Wafer Wet Clean For Semiconductor Wafer Process
US8828145B2 (en) Method of particle contaminant removal
JPH068134A (en) Device for grinding articce in plane form
JP5101813B2 (en) Bevel processing equipment
JPH10329007A (en) Chemical machine polishing device
JPH11244795A (en) Substrate washing apparatus
JP5651744B1 (en) Ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning method
JP2007027241A (en) Ultrasonic washing apparatus
JPH09171980A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2000216126A (en) Substrate cleaning method and apparatus therefor
JP2004039843A (en) Apparatus and method for cleaning substrate
JPH0964000A (en) Dry cleaning device
JP2003340330A (en) Ultrasonic cleaning nozzle, apparatus thereof and semiconductor device
JP3978296B2 (en) Substrate end face ultrasonic excitation apparatus and substrate end face ultrasonic cleaning apparatus having the same
JP3011156B2 (en) CMP polishing equipment
US6290808B1 (en) Chemical mechanical polishing machine with ultrasonic vibration and method
JP2001291689A (en) Polishing apparatus for wafer
JP3927936B2 (en) Single wafer cleaning method and cleaning apparatus
JP2002144228A (en) Wafer grinding device and washing method therefor
JP2010238744A (en) Ultrasonic cleaning unit, and ultrasonic cleaning device
JP2003163195A (en) Substrate treatment unit
JPH09234665A (en) Device and method for grinding base plate
JP4642183B2 (en) Wafer polishing equipment
JPH1044000A (en) Wafer polishing device and wafer polishing method