JP2002237508A - Method for vacuum processing substrate - Google Patents

Method for vacuum processing substrate

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JP2002237508A
JP2002237508A JP2002040579A JP2002040579A JP2002237508A JP 2002237508 A JP2002237508 A JP 2002237508A JP 2002040579 A JP2002040579 A JP 2002040579A JP 2002040579 A JP2002040579 A JP 2002040579A JP 2002237508 A JP2002237508 A JP 2002237508A
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substrate
vacuum processing
lock chamber
chamber
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廣治 西畑
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恒彦 坪根
Atsushi Ito
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for vacuum processing for realizing a high production efficiency. SOLUTION: In the method for vacuum processing a substrate, an atmospheric conveying unit has a robot disposed at a front side common for a load locking chamber and an unload locking chamber, to convey an unprocessed substrate and a processed substrate. The conveying unit mounts a cassette for housing the unprocessed substrate on a cassette base for housing the cassette, disposed fixedly on a substantially horizontal surface disposed at the predetermined position of a front side of the conveying unit; sequentially conveys the unprocessed substrates at each one from any place in the cassette of the arbitrary base to the load locking chamber, based on production information imparted to the cassette or the information sent from a host controller by the conveying unit; conveys the unprocessed substrate at each one from the load locking chamber to any vacuum processing chamber; processes the substrate; delivers the processed substrate in an arbitrary vacuum processing chamber at each one to the unload locking chamber; and recovers the processed substrate from the unload locking chamber to an original position of the original cassette at each one, by the conveying unit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の真空処理方
法に係り、特に複数の真空処理室を有する真空処理及び
それを用いた基板の真空処理方法に関するものである。
The present invention relates to a vacuum processing method for a substrate, and more particularly to a vacuum processing method having a plurality of vacuum processing chambers and a vacuum processing method for a substrate using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ドライエッチング装置、CVD装置ある
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位(一般
にロットとよばれる)として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及び運転方
法である。
2. Description of the Related Art In a vacuum processing apparatus such as a dry etching apparatus, a CVD apparatus or a sputtering apparatus, a plurality of predetermined substrates to be processed are housed in a substrate cassette as one unit (generally called a lot). It is a general vacuum processing apparatus transport system and operating method that the efficiency of production is improved by putting the processed substrates into the substrate cassette for each unit and collecting the processed substrates.

【0003】しかしながら、上記のような真空処理装
置、特にドライエッチング装置、CVD装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。
However, in the above vacuum processing apparatus, particularly in an apparatus utilizing a reaction by an active gas such as a dry etching apparatus and a CVD apparatus, a reaction product adheres and accumulates in a processing vessel as the processing is performed. Often, problems such as deterioration of vacuum performance, increase of dust, and decrease in the level of an optical monitor signal occur, and in order to avoid such problems, an operation of periodically cleaning the inside of the processing container is performed. Cleaning work includes so-called wet cleaning, which wipes off deposits with an organic solvent, etc., and dry cleaning, which uses active gas or plasma to decompose the deposits. From the viewpoint of workability and efficiency, dry cleaning is superior. These features are becoming essential as production lines become more automated.

【0004】このような機能を備えた真空処理装置用搬
送システムの一例として、実開昭63−127125号
公報に開示された装置などがあげられる。
An example of a transfer system for a vacuum processing apparatus having such a function is the apparatus disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-127125.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】例えば、実開昭63−
127125号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。
Problems to be Solved by the Invention
In the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 127125, a dummy wafer previously housed in a vacuum preparatory chamber is loaded into the processing chamber when performing plasma cleaning of the processing chamber. It has been made to return. For this reason, there is a problem that the vacuum spare chamber for accommodating the dummy wafer requires a large volume and requires a transfer mechanism dedicated to the dummy wafer, which complicates the apparatus.

【0006】また、一旦、プラズマクリーニングに使用
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。
Further, in order to continue the normal processing after the dummy wafer once used for the plasma cleaning is returned to the vacuum preparatory chamber, the used dummy wafer and the normal processing are received in the vacuum preparatory chamber. The unprocessed wafers to be mixed are mixed, which is not preferable from the viewpoint of product contamination.

【0007】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する基板の真空
処理方法を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above problems,
Eliminate product contamination due to garbage and residual gas,
An object of the present invention is to provide a vacuum processing method for a substrate which realizes high production efficiency and high product yield.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、複数の基板を収納する複数のカセットを
大気雰囲気に載置するカセット台と、大気雰囲気で動作
する大気搬送装置と、基板を一枚毎処理する複数の真空
処理室と、未処理基板を前記いずれかの真空処理室へ搬
入するためのロードロック室と、処理済基板を前記いず
れかの真空処理室から搬出するためのアンロードロック
室とを備えた基板の真空処理方法であって、前記大気搬
送装置は、前記ロードロック室及びアンロードロック室
に共通する前側に位置し、未処理基板及び処理済基板を
搬送するロボットを有する搬送装置であり、該大気搬送
装置の前側の所定位置にある実質的に水平な面上に固定
配置されカセットが収納される前記カセット台に、前記
未処理基板を収納した前記カセットを載置し、前記大気
搬送装置により、前記カセットに付与された生産情報、
または上位の制御装置から送られる情報に基づき、前記
未処理基板を前記いずれかのカセット台のカセット内の
いずれの場所からも前記ロードロック室へ一枚毎搬送
し、前記ロードロック室からいずれかの真空処理室へ前
記未処理基板を一枚毎搬入して処理し、前記いずれかの
真空処理室で処理済の基板を一枚毎、前記アンロードロ
ック室ヘ搬出し、前記大気搬送装置により、前記アンロ
ードロック室から前記処理済基板を元のカセットの元の
位置に一枚毎回収する、ことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a cassette table on which a plurality of cassettes accommodating a plurality of substrates are placed in an atmosphere, and an atmosphere transfer device operating in the atmosphere. A plurality of vacuum processing chambers for processing substrates one by one, a load lock chamber for loading an unprocessed substrate into any one of the vacuum processing chambers, and unloading a processed substrate from any one of the vacuum processing chambers. A vacuum processing method for a substrate, comprising: an unload lock chamber for removing the unprocessed substrate and the processed substrate, wherein the atmospheric transfer device is located on a front side common to the load lock chamber and the unload lock chamber. A transfer device having a transfer robot, wherein the unprocessed substrate is stored in the cassette table in which a cassette is stored fixedly disposed on a substantially horizontal surface at a predetermined position in front of the atmospheric transfer device. The cassette was placed on, by the atmospheric transfer device, granted production information to the cassette,
Alternatively, based on information sent from a higher-level control device, the unprocessed substrates are transferred one by one from any place in the cassettes of any one of the cassette tables to the load lock chamber, and any unprocessed substrates are transferred from the load lock chamber. The unprocessed substrates are loaded and processed one by one into the vacuum processing chamber, and the substrates that have been processed in any one of the vacuum processing chambers are transported one by one to the unload lock chamber. And collecting the processed substrates one by one from the unload lock chamber to the original position of the original cassette.

【0009】本発明によれば、未処理の基板を収納した
カセットがカセット台に載置される。この時カセット台
は水平であるため、カセットの供給動作を単純化するこ
とが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易で
ある。
According to the present invention, a cassette containing unprocessed substrates is placed on a cassette table. At this time, since the cassette table is horizontal, the supply operation of the cassette can be simplified, and it is easy to respond to automation of the production line.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1に
より説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0011】図1は、本発明による真空処理装置の、半
導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置
への応用を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an application of a vacuum processing apparatus according to the present invention to an apparatus for performing a dry etching process on a semiconductor wafer.

【0012】装置は、未処理のウェーハを収納した状態
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数(通常
25枚)のウェーハを収納できる複数のカセット1a、
1bおよび1c、該カセット1a、1b、1cを載置
し、装置への導入/払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台2a、2
b、2c、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室(基板受入室)5、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室(基板取出室)6、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング11
(11a,11b,11c)、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁12、及びロードロック室(基板受入
室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカセッ
ト1a、1b、1cとの間に配置され、X、Y、Z及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室(基板
受入室)5/アンロードロック室(基板取出室)6とカ
セット1a、1b、1cとの間でウェーハを授受するた
めの第1搬送装置13から構成されている。
The apparatus is provided with a plurality (usually 25) for supplying an object to be processed to the apparatus in a state where the unprocessed wafers are stored, and storing and processing the processed wafers at the original position again. A plurality of cassettes 1a capable of storing wafers,
1b and 1c, on which the cassettes 1a, 1b, 1c are placed and fixed on a horizontal or near-horizontal plane without changing the position and posture for determining the position of introduction / discharge to the apparatus. Cassette table 2a, 2 fixed in position
b, 2c, a load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 for introducing a wafer into a vacuum atmosphere, which is equipped with a vacuum exhaust device and a gas introducing device (not shown), and an unload lock chamber for taking the wafer into the atmosphere ( Substrate unloading chamber) 6,
Etching 11 for performing etching process on wafer
(11a, 11b, 11c), an isolation valve 12 capable of separating them airtightly, and a load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 / unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and cassettes 1a, 1b, 1c. Between the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 / unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and the cassettes 1a, 1b, 1c provided with a robot having X, Y, Z and θ axes. And a first transfer device 13 for sending and receiving wafers.

【0013】装置の動作としては、まず、未処理のウェ
ーハを収納したカセット1a、1bがストッカ(図示省
略)から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台2a、2bに載置される。この時カセッ
ト台2a、2bは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台2
cには、ダミーウェーハを収納したカセット1cが載置
される。
As an operation of the apparatus, first, cassettes 1a and 1b storing unprocessed wafers are supplied from a stocker (not shown) to the apparatus by a robot or an operator, and are mounted on the cassette tables 2a and 2b. At this time, since the cassette tables 2a and 2b are on the same horizontal plane, it is possible to simplify the operation of supplying the cassette, and it is easy to respond to automation of the production line. On the other hand, the cassette table 2
On c, a cassette 1c containing a dummy wafer is placed.

【0014】装置は、カセットに付与された生産情報を
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。
[0014] The device recognizes the production information given to the cassette by itself, is based on information sent from a higher-level control device, or is based on a command input by an operator.
The wafer can be processed by any of the methods.

【0015】カセット1aに収納された未処理のウェー
ハ(基板)20を第1搬送装置13により抜き取り、第
1搬送装置13に対してカセット1aとは反対側に配置
されたロードロック室(基板受入室)5へ隔離弁12a
を通して搬入する。このときウェーハ(基板)20は、
カセット1a内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ(基板)20は、隔離弁12aからロード
ロック室(基板受入室)5に入った後、隔離弁12bか
らアンロードロック室(基板取出室)6を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁12a、12bを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台2a、2bとそこに載置されたカセット1a、1b
及び第1搬送装置13のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室(基板受
入室)5は、隔離弁12aを閉じた後、排気装置(図示
省略)によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁12bが開放されてウェーハ(基板)20は、搬送
室16に設けられた真空搬送装置(図示略)により各エ
ッチング室11(11a,11b,11c)へ搬送さ
れ、各試料台8(8a,8b,8c)上に載置される。
An unprocessed wafer (substrate) 20 stored in the cassette 1a is extracted by the first transfer device 13, and a load lock chamber (substrate receiving device) disposed on the opposite side of the first transfer device 13 from the cassette 1a. To chamber 5) Isolation valve 12a
Carry in through. At this time, the wafer (substrate) 20
It may be stored in any place in the cassette 1a. After the wafer (substrate) 20 enters the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 from the isolation valve 12a and exits the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 from the isolation valve 12b, the atmosphere outside the apparatus is completely complete. Because it is in a state of being cut off,
A partition is provided between the isolation valves 12a and 12b, and the cassette tables 2a and 2b and the cassettes 1a and 1b mounted thereon are provided.
In addition, only the first transfer device 13 can be placed in the clean room where the cleanliness is high, and the rest can be placed in the maintenance room where the cleanliness is low. After closing the isolation valve 12a, the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 is evacuated to a predetermined pressure by an exhaust device (not shown), and then the isolation valve 12b is opened to transfer the wafer (substrate) 20. The wafer is transferred to each of the etching chambers 11 (11a, 11b, 11c) by a vacuum transfer device (not shown) provided in the chamber 16, and is placed on each of the sample tables 8 (8a, 8b, 8c).

【0016】尚、各エッチング室11a,11b,11
cには、搬送室16との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁12a’12b’12c’(図示省略)が
設置されている。
Each of the etching chambers 11a, 11b, 11
In c, an isolation valve 12a ', 12b', 12c '(not shown) is provided between the transfer chamber 16 and the transfer chamber 16 so as to airtightly separate them.

【0017】各エッチング室11(11a,11b,1
1cに搬入されたウェーハ(基板)20は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室(基板受入室)5は隔離弁12a、12bを閉じ
た状態で、ガス導入装置4により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁12aから1枚目のウェーハと同様に2
枚目のウェーハが第1搬送装置13によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
1枚目のウェーハ(基板)20のエッチング処理が終了
すると、隔離弁12cが開かれて処理済みのウェーハ
(基板)20がアンロードロック室(基板取出室)6に
搬出され、続いて隔離弁12cが閉じられ、隔離弁12
bが開かれて2枚目のウェーハがロードロック室(基板
受入室)5から搬入され、隔離弁12bを閉じた後エッ
チング処理が開始される。
Each of the etching chambers 11 (11a, 11b, 1)
The wafer (substrate) 20 carried into 1c is subjected to an etching process under predetermined conditions. During this time, the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 is returned to the atmospheric pressure by the gas introducing device 4 with the isolation valves 12a and 12b closed, and the same as the first wafer from the opened isolation valve 12a. 2
The first wafer is loaded by the first transfer device 13,
It is evacuated again to a predetermined pressure by the exhaust device.
When the etching processing of the first wafer (substrate) 20 is completed, the isolation valve 12c is opened, and the processed wafer (substrate) 20 is carried out to the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6, and then the isolation valve is opened. 12c is closed and the isolation valve 12 is closed.
b is opened, the second wafer is carried in from the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5, and after the isolation valve 12b is closed, the etching process is started.

【0018】アンロードロック室(基板取出室)6に搬
出された処理済みウェーハ(基板)20は、アンロード
ロック室(基板取出室)6を大気圧に復帰した後、隔離
弁12dを通して第1搬送装置13によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット1a内の元の位
置へ戻される。
The processed wafer (substrate) 20 carried out to the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 returns to the atmospheric pressure in the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6, and then passes through the first isolation valve 12d. It is taken out into the atmosphere by the transport device 13 and returned to the original position in the cassette 1a that was initially stored.

【0019】以上の動作を繰り返して、カセット1aに
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット1aは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット1b内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット1bの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット1a、カセット1bは水平な同一平
面上にあるため、カセット1aの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置13によるカセット1bへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。
By repeating the above operation, the processing of the unprocessed wafers stored in the cassette 1a is completed, and when the wafers are stored again in the original position, the cassette 1a can be collected.
The apparatus is replaced with a cassette containing another unprocessed wafer, but the apparatus continues to process the unprocessed wafers in the cassette 1b, and another unprocessed wafer is processed before all the wafers in the cassette 1b are completely processed. When a cassette containing wafers is supplied, the apparatus can always be operated continuously. At this time, since the cassette 1a and the cassette 1b are on the same horizontal plane, the operation of collecting the cassette 1a and the operation of supplying a cassette containing another unprocessed wafer are not affected by the access to the cassette 1b by the transfer device 13. Can be done without giving.

【0020】エッチング室11は、処理を重ねるにつれ
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット1cに収納されたダミーウェー
ハ30を第1搬送装置13によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ(基板)20の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ30をカセット1c内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ30は常に
カセット1c内にストックされていることになる。
In the etching chamber 11, the reaction product adheres to and accumulates on the inner wall surface as the processing is repeated. Therefore, it is necessary to remove the adhered substance by plasma cleaning and restore the original state. In the embodiment, the dummy wafer 30 stored in the cassette 1c is extracted by the first transfer device 13, and thereafter the processing is performed in exactly the same manner as in the case of the processing target wafer (substrate) 20. Can be returned to the original position in the cassette 1c, and the dummy wafers 30 are always stocked in the cassette 1c.

【0021】尚、カセット1cのダミーウェーハ30が
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ30
はカセット1cごと全て交換される。
If all of the dummy wafers 30 in the cassette 1c have been used for plasma cleaning or if the dummy wafers 30 have failed due to several uses, the dummy wafers 30 will not be used.
Are exchanged every cassette 1c.

【0022】従って、プラズマクリーニングを特別な処
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ(本例の場合2c)にダミーウェーハ30
を収納したカセット(本例の場合1c)を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ30を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ20を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。
Therefore, it is not necessary to treat the plasma cleaning as a special processing sequence, the plasma cleaning can be performed as a series of operations by incorporating the cleaning into a normal etching process, and the cleaning cycle can be arbitrarily set. is there. There is no need for a special mechanism for plasma cleaning from the hardware of the apparatus, and the dummy wafer 30 is mounted on one of the plurality of cassette tables (2c in this example).
It is only necessary to install a cassette (1c in this example) in which the wafer to be processed 20 is stored instead of the cassette in which the dummy wafer 30 is stored. It is needless to say that the installation enables more efficient production.

【0023】また、一旦プラズマクリーニングに使用さ
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。
Further, the dummy wafer once used for the plasma cleaning is returned to the original cassette in the atmosphere again. Therefore, in the vacuum chamber, the used dummy wafer and the normal dummy wafer are to be processed. Unprocessed wafers are not mixed, and there is no concern about product contamination.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、ゴミの発生や残留ガス
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理及びそれを用いた基板の
真空処理方法を提供することができる。
According to the present invention, there is provided a vacuum processing which eliminates the generation of dust and contamination of products due to residual gas, realizes a high production efficiency and a high product yield, and a vacuum processing method for a substrate using the same. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のドライエッチング装置の平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板カセット、2…カセット台、5…ロードロック
室(基板受入室)、6…アンロードロック室(基板取出
室)、8…試料台、11…エッチング室、12…隔離
弁、13…第1搬送装置、16…搬送室、20…ウェー
ハ(基板)、30…ダミーウェーハ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate cassette, 2 ... Cassette stand, 5 ... Load lock chamber (substrate receiving chamber), 6 ... Unload lock chamber (substrate unloading chamber), 8 ... Sample table, 11 ... Etching chamber, 12 ... Isolation valve, 13 ... First transfer device, 16: transfer chamber, 20: wafer (substrate), 30: dummy wafer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 伊藤 温司 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tsunehiko Tsune 794 Kazato, Higashitoyoi, Kudamatsu-shi, Yamaguchi Prefecture Inside the Kasado Plant, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Wenji Ito 794 Kazato, Higashitoyoi, Kudamatsu-shi, Yamaguchi Inside the Kasado Plant of Hitachi, Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の基板を収納する複数のカセットを大
気雰囲気に載置するカセット台と、大気雰囲気で動作す
る大気搬送装置と、基板を一枚毎処理する複数の真空処
理室と、未処理基板を前記いずれかの真空処理室へ搬入
するためのロードロック室と、処理済基板を前記いずれ
かの真空処理室から搬出するためのアンロードロック室
とを備えた基板の真空処理方法であって、 前記大気搬送装置は、前記ロードロック室及びアンロー
ドロック室に共通する前側に位置し、未処理基板及び処
理済基板を搬送するロボットを有する搬送装置であり、 該大気搬送装置の前側の所定位置にある実質的に水平な
面上に固定配置されカセットが収納される前記カセット
台に、前記未処理基板を収納した前記カセットを載置
し、 前記大気搬送装置により、前記カセットに付与された生
産情報、または上位の制御装置から送られる情報に基づ
き、前記未処理基板を前記いずれかのカセット台のカセ
ット内のいずれの場所からも前記ロードロック室へ一枚
毎搬送し、 前記ロードロック室からいずれかの真空処理室へ前記未
処理基板を一枚毎搬入して処理し、前記いずれかの真空
処理室で処理済の基板を一枚毎、前記アンロードロック
室ヘ搬出し、 前記大気搬送装置により、前記アンロードロック室から
前記処理済基板を元のカセットの元の位置に一枚毎回収
することを特徴とする基板の真空処理方法。
1. A cassette table on which a plurality of cassettes accommodating a plurality of substrates are placed in an atmosphere, an atmosphere transfer device operating in the atmosphere, a plurality of vacuum processing chambers for processing substrates one by one, and A vacuum processing method for a substrate comprising: a load lock chamber for carrying a processing substrate into any one of the vacuum processing chambers; and an unload lock chamber for carrying out a processed substrate from any one of the vacuum processing chambers. The atmosphere transfer device is a transfer device that is located on a front side common to the load lock chamber and the unload lock chamber and has a robot that transfers an unprocessed substrate and a processed substrate, and the front side of the atmosphere transfer device. The cassette storing the unprocessed substrate is placed on the cassette table in which the cassette is stored by being fixedly disposed on a substantially horizontal surface at a predetermined position, The unprocessed substrates are transferred one by one to the load lock chamber from any place in the cassette of any one of the cassette tables based on the production information given to the cassette or information sent from a higher-level control device. Then, the unprocessed substrates are loaded one by one from the load lock chamber to one of the vacuum processing chambers and processed, and the substrates that have been processed in any one of the vacuum processing chambers are processed one by one in the unload lock chamber. A method of vacuum processing a substrate, comprising: unloading the processed substrate from the unload lock chamber to the original position of the original cassette one by one by the atmospheric transfer device.
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