JP3183043B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents

Vacuum processing equipment

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JP3183043B2
JP3183043B2 JP13012494A JP13012494A JP3183043B2 JP 3183043 B2 JP3183043 B2 JP 3183043B2 JP 13012494 A JP13012494 A JP 13012494A JP 13012494 A JP13012494 A JP 13012494A JP 3183043 B2 JP3183043 B2 JP 3183043B2
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cassette
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健二 中田
直行 田村
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
に大気設置された複数の基板カセットを有する真空処理
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus having a plurality of substrate cassettes installed in the atmosphere.

【0002】[0002]

【従来の技術】ドライエッチング装置、CVD装置ある
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位(一般
にロットとよばれる)として基板カセットに収納して装
置に投入するのが一般的な運転方法である。
2. Description of the Related Art In a vacuum processing apparatus such as a dry etching apparatus, a CVD apparatus or a sputtering apparatus, a plurality of predetermined substrates to be processed are housed in a substrate cassette as one unit (generally called a lot). Is a general operation method.

【0003】上記のような真空処理装置、特にドライエ
ッチング装置、CVD装置など活性ガスによる反応を利
用する装置においては、処理を行うに従って反応生成物
が処理容器内に付着、堆積するために、真空性能の劣
化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレベル低下などの問
題が生じることがしばしばあり、これを避けるために定
期的に処理容器内をクリ−ニングする作業が行われてい
る。クリ−ニング作業には、有機溶剤等によって付着物
を拭き取る、所謂ウエットクリ−ニングと、付着物を分
解する活性ガスやプラズマを利用するドライクリ−ニン
グとがあるが、作業性や効率面からはドライクリ−ニン
グが優れており、こうした機能は生産ラインの自動化が
進むにつれて不可欠なものとなりつつある。
In a vacuum processing apparatus such as described above, particularly in an apparatus utilizing a reaction by an active gas such as a dry etching apparatus and a CVD apparatus, a reaction product adheres to and accumulates in a processing vessel as the processing is performed. Problems such as deterioration of performance, increase in dust, and decrease in the level of an optical monitor signal often occur. In order to avoid such problems, an operation of periodically cleaning the inside of the processing container is performed. The cleaning operation includes a so-called wet cleaning in which an adhering substance is wiped with an organic solvent or the like, and a dry cleaning using an active gas or plasma that decomposes the adhering substance, but from the viewpoint of workability and efficiency. With excellent dry cleaning, such features are becoming essential as production lines become more automated.

【0004】また、上記のような理由から、真空処理装
置においては、真空処理室の付着物の付着状態を調べる
機能の実現も不可欠なものとなりつつある。
[0004] Further, for the above-mentioned reasons, in the vacuum processing apparatus, it is becoming indispensable to realize a function of checking the state of adhesion of the deposits in the vacuum processing chamber.

【0005】このような機能を備えた真空処理装置の一
例として、実開昭63−127125号公報に開示され
た装置などがあげられる。
An example of a vacuum processing apparatus having such a function is the apparatus disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 63-127125.

【0006】また、装置へのウエハの投入/回収に関し
てみた場合、従来は、ウエハの投入専用カセットと回収
専用カセットか、ウエハの投入/回収共用カセットのど
ちらか一方のみを有するものであった。
In addition, regarding the loading / collection of wafers into the apparatus, conventionally, only a cassette dedicated to loading and recovering wafers or a cassette dedicated to loading / collecting wafers has been provided.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】例えば、実開昭63−
127125号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリ−ニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミ−ウエハを処理室内に搬入
し、プラズマクリ−ニングが終了したら搬送手段によっ
てダミ−ウエハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミ−ウエハを収容する真空予備室は、
大きな容積を必要とするとともにダミ−ウエハ専用の搬
送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題があっ
た。
Problems to be Solved by the Invention
In the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 127125, a dummy wafer housed in a pre-vacuum chamber is loaded into the processing chamber before plasma cleaning the processing chamber, and when the plasma cleaning is completed, the dummy is transferred by the transfer means. The wafer is returned to the pre-vacuum chamber. For this reason, the vacuum pre-chamber containing the dummy wafer is
There is a problem that a large volume is required and a transfer mechanism dedicated to the dummy wafer is required, which complicates the apparatus.

【0008】また、一旦、プラズマクリ−ニングに使用
されたダミ−ウエハが、再び真空予備室に戻された後に
正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済み
のダミ−ウエハとこれから正規の処理を受けようとする
未処理のウエハとが混在することとなり、製品汚染の観
点から好ましくない。
In addition, since the normal processing is continued after the dummy wafer used for the plasma cleaning is returned to the vacuum preparatory chamber again, the used dummy wafer and the normal Unprocessed wafers to be subjected to the above processing are mixed, which is not preferable from the viewpoint of product contamination.

【0009】また、製品ウエハの処理においても、同じ
カセットに処理後のウエハを収納すると、処理後のウエ
ハからのゴミを処理前のウエハに付着させる恐れが有り
製品によっては、好ましくない場合がある。
Also, when processing the product wafers, if the processed wafers are stored in the same cassette, dust from the processed wafers may adhere to the wafers before processing. .

【0010】また、装置へのウエハの投入/回収方式と
して、ウエハの投入専用カセットと回収専用カセット
か、ウエハの投入/回収共用カセットのどちらか一方の
みしか対応できないと、製造ラインの形態あるいはウエ
ハ処理内容によってはカセットの投入タイミングの制約
による装置の使用効率の低下、処理後ウエハによる未処
理ウエハへの異物落下等の問題に対して選択的に対応で
きないという問題があった。
In addition, as a method of loading / collecting wafers into the apparatus, if only one of a cassette dedicated to loading and recovering wafers and a cassette dedicated to loading / collecting wafers can be used, the form of the manufacturing line or the wafers Depending on the contents of the processing, there is a problem that it is not possible to selectively cope with a problem such as a reduction in the use efficiency of the apparatus due to a restriction on the timing of loading the cassette and a foreign matter dropping on an unprocessed wafer due to the processed wafer.

【0011】また、カセットからウエハを取り出す際
に、従来はウエハのハンドリング用の機構をカセットの
固定的な位置に挿入していたが、ウエハと前記ハンドリ
ング機構との空間を保てず、ウエハ下面と前記ハンドリ
ング機構が接触し、それにより異物を発生させる可能性
があるという問題があった。
In addition, when a wafer is taken out of the cassette, a mechanism for handling the wafer is conventionally inserted into a fixed position of the cassette. However, the space between the wafer and the handling mechanism cannot be maintained, and the lower surface of the wafer cannot be maintained. And the handling mechanism comes into contact with each other, which may cause foreign matter.

【0012】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
ドライクリ−ニングおよび真空処理室の付着物のチェッ
クがそれ専用の設備を設けること無く効率的に行え、か
つゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染、他のウ
エハからのゴミによる製品の汚染をなくし、高い生産性
と高い製品歩留まりを実現し、さらに、製造ラインの形
態に依存したカセットの投入タイミングの制約による装
置の使用効率の低下を防止し、また、ウエハ処理内容に
依存する処理後ウエハによる未処理ウエハへの異物落下
の未処理ウエハに対する影響を低減することができるウ
エハ搬送方式を選択できる真空処理装置を提供すること
にある。
An object of the present invention is to solve the above problems,
Dry cleaning and checking of deposits in the vacuum processing chamber can be performed efficiently without the installation of dedicated equipment, and the generation of dust, contamination of products due to residual gas, and contamination of products due to dust from other wafers are prevented. To achieve high productivity and high product yield, to prevent a decrease in the use efficiency of the apparatus due to the restriction of the cassette input timing depending on the form of the production line, and to prevent the post-processing wafer depending on the wafer processing content. An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of selecting a wafer transfer method capable of reducing the influence of foreign matter falling on an unprocessed wafer due to the above-mentioned method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、真空下で被処理基板が処理されると共に
内部がドライクリ−ニング処理される真空処理室を有す
る真空処理装置を、大気設置され被処理基板を収納する
複数の手段を備え、さらにその手段の一つを真空処理室
のドライクリ−ニング処理で使用されるダミ−基板また
は真空処理室の付着物を調べるダミ−基板を収納する手
段としても使用することができるようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum processing apparatus having a vacuum processing chamber in which a substrate to be processed is processed under vacuum and the inside of which is dry-cleaned. It is provided with a plurality of means installed in the atmosphere and for accommodating the substrate to be processed, and one of the means is a dummy substrate used in dry cleaning processing in a vacuum processing chamber or a dummy substrate to be inspected for deposits in the vacuum processing chamber. It can be used as a storage means.

【0014】また、被処理基板を収納する手段に対し
て、真空処理室への搬入専用、真空処理室からの搬出専
用にも設定できる機能を備えたものである。
Further, the means for accommodating the substrate to be processed is provided with a function that can be set only for carrying in to the vacuum processing chamber or only for carrying out of the vacuum processing chamber.

【0015】また、カセットからウエハを取り出す際
に、ウエハのハンドリング用の機構をカセットの固定的
な位置に挿入するのではなく、ウエハと前記ハンドリン
グ機構との空間を一定に保ち、ウエハ下面と前記ハンド
リング機構が接触しないようにしたものである。
Further, when taking out a wafer from the cassette, a mechanism for handling the wafer is not inserted into a fixed position of the cassette. handling mechanism in which is to avoid contact.

【0016】[0016]

【作用】真空処理室内では、被処理基板が真空下で処理
される。該処理を行うに従って反応生成物が真空処理室
内に付着、堆積し、これにより、真空性能の劣化、ゴミ
の増加、光学モニタ信号レベル低下などの問題が生じ
る。そこで、真空容器の内部はドライクリ−ニング処理
され、その後、付着物の状態を調べられる。つまり、大
気設置され被処理基板を収納する手段の一つにダミ−基
板を収納し、該手段からダミ−基板がダミ−基板を搬送
する手段により搬出され、該搬出されたダミ−基板は、
上記手段により真空処理室に搬送される。真空処理室の
ドライクリ−ニング処理後、ダミ−基板は、上記と逆操
作によって真空処理室からダミ−基板の収納手段へ戻さ
れる。その後、大気設置され被処理基板を収納する手段
の一つに真空処理室の付着物を調べるためのダミ−基板
を収納し、該手段からダミ−基板がダミ−基板を搬送す
る手段により搬出され、該搬出されたダミ−基板は、上
記手段により真空処理室に搬送される。真空処理室の付
着物調査処理後、ダミ−基板は、上記と逆操作によって
真空処理室からダミ−基板の収納手段へ戻される。ま
た、上記の処理の他に、大気設置され被処理基板を収納
する手段は、製品基板を収納し、製品基板の処理用に用
いる。製品基板を処理する際には、前記被処理基板を収
納する手段の一つを、製品基板を真空処理室に搬入する
ために用い、前記被処理基板を収納する手段の別の一つ
を、製品基板を真空処理室から搬出するために用いる。
In the vacuum processing chamber, the substrate to be processed is processed under vacuum. As the process is performed, the reaction product adheres and accumulates in the vacuum processing chamber, which causes problems such as deterioration of vacuum performance, increase of dust, and reduction of the optical monitor signal level. Then, the inside of the vacuum vessel is subjected to dry cleaning treatment, and thereafter, the state of the deposit is examined. In other words, the dummy substrate is stored in one of the means for storing the substrate to be processed which is installed in the atmosphere, and the dummy substrate is carried out of the means by the means for transporting the dummy substrate.
It is conveyed to the vacuum processing chamber by the above means. After the dry cleaning in the vacuum processing chamber, the dummy substrate is returned from the vacuum processing chamber to the storage means for the dummy substrate by the reverse operation. Thereafter, a dummy substrate for inspecting the adhered substance in the vacuum processing chamber is stored in one of the means for installing the substrate to be processed in the atmosphere, and the dummy substrate is unloaded from the means by the means for transporting the dummy substrate. The unloaded dummy substrate is conveyed to the vacuum processing chamber by the above means. After the adhering matter investigation processing in the vacuum processing chamber, the dummy substrate is returned from the vacuum processing chamber to the storage means of the dummy substrate by the reverse operation. Further, in addition to the above-described processing, the means installed in the atmosphere for storing the substrate to be processed stores the product substrate and is used for processing the product substrate. When processing a product substrate, one of the means for storing the substrate to be processed is used to carry the product substrate into the vacuum processing chamber, and another one of the means for storing the substrate to be processed is used. Used to carry product substrates out of the vacuum processing chamber.

【0017】また、ウエハと前記ハンドリング機構との
空間を一定に保つことにより、ウエハ下面と前記ハンド
リング機構が接触せずにウエハハンドリング時の異物を
低減できる。
Further, by keeping the space between the wafer and the handling mechanism constant, foreign matter during wafer handling can be reduced without contact between the lower surface of the wafer and the handling mechanism.

【0018】即ち、従来のようなダミ−基板を収納する
ための真空予備室及び専用の搬送機構が不用となる。ま
た、被処理基板を収納する手段を複数の用途に用いるこ
とができ、製造ラインに応じたカセット及びウエハの搬
送形態を選択できる。また、ドライクリ−ニング処理に
使用されたダミ−基板と被処理基板とが混在することも
なくなる。また、製品基板処理においても、未処理基板
へ与える、ウエハハンドリング時及び処理済み基板から
のゴミの影響を低減できる。
That is, a vacuum spare chamber and a dedicated transfer mechanism for accommodating a dummy substrate as in the prior art are not required. Further, the means for accommodating the substrate to be processed can be used for a plurality of purposes, and a cassette and a wafer transfer mode can be selected according to the production line. Further, the dummy substrate used for the dry cleaning process and the substrate to be processed are not mixed. In addition, in the processing of product substrates, the influence of dust from unprocessed substrates during wafer handling and processed substrates can be reduced.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。図1は、本発明による真空処理装置の、半導体ウエ
ハに対するドライエッチング処理を行う装置への応用を
示す図である。装置は、未処理のウエハを収納した状態
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウエハを
再度元の位置に収納して回収するための、複数(25
枚)のウエハを収納できる複数のカセット1a,1b,
1cと、該カセット1a,1b,1cを載置し、装置へ
の導入/払出の位置を決定するための、位置及び姿勢を
変えることがなく、水平または水平に近い平面の上に常
に一定位置に固定されたカセット台2a,2b,2c
と、該カセット台2a,2b,2cに設置され、カセッ
ト1a,1b,1c内のウエハの位置を検出するマッピ
ング装置3a,3b,3cと、図示しない真空排気装置
およびガス導入装置を装備し、ウエハを真空雰囲気に導
入するためのロードロック室5と、同じくウエハを大気
中に取り出すためのアンロードロック室6と、ウエハに
エッチング処理を施すためのエッチング室11と、それ
らをそれぞれ気密に分離可能な隔離弁12と、ロードロ
ック室5/アンロードロック室6とカセット1a,1
b,1cとの間に配置され、X,Y,Z及びΘ軸を有す
るロボットを備え、ロードロック室5/アンロードロッ
ク室6とカセット1a,1b,1cとの間でウエハを授
受するための搬送装置13とから構成されている。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing an application of a vacuum processing apparatus according to the present invention to an apparatus for performing a dry etching process on a semiconductor wafer. The apparatus supplies a processing target to the apparatus in a state in which unprocessed wafers are stored, and a plurality (25) of storing and processing the processed wafers in the original position again.
Cassettes 1a, 1b,
1c and the cassettes 1a, 1b, 1c are placed thereon, and are always fixed on a horizontal or near-horizontal plane without changing the position and attitude for determining the position of introduction / dispense to the apparatus. Cassette tables 2a, 2b, 2c fixed to
And mapping devices 3a, 3b, 3c installed on the cassette tables 2a, 2b, 2c for detecting the positions of wafers in the cassettes 1a, 1b, 1c, and a vacuum exhaust device and a gas introducing device (not shown). a load lock chamber 5 for introducing the wafer into a vacuum atmosphere, as in the unload lock chamber 6 for taking out the wafer into the atmosphere, an etching chamber 11 for performing an etching process on a wafer, separating them hermetically, respectively Possible isolation valve 12 , load lock chamber 5 / unload lock chamber 6, and cassettes 1a, 1
b, is arranged between the 1c, X, Y, comprises a robot having a Z and Θ-axis, the load lock chamber 5 / unload-lock chamber 6 and the cassettes 1a, 1b, for exchanging wafers between 1c and a transport device 13. of.

【0020】装置動作の一例を以下に示す。まず、未処
理のウエハを収納したカセット1a,1bがストッカ
(図示省略)から装置へとロボット又はオペレ−タによ
り供給され、カセット台2a,2bに載置される。この
時カセット台2a,2bは水平な同一平面上にあるた
め、カセットの供給動作を単純化することが可能であ
り、生産ラインの自動化への対応が容易である。一方、
カセット台2cには、ダミ−ウエハを収納したカセット
1cが載置される。装置は、カセットに付与された生産
情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情
報に基づくか、あるいはオペレ−タの入力する命令によ
るか、いずれかの方法によりウエハに処理を行うことが
できる。
An example of the operation of the apparatus will be described below. First, cassettes 1a and 1b containing unprocessed wafers are supplied from a stocker (not shown) to the apparatus by a robot or an operator, and are mounted on the cassette tables 2a and 2b. At this time, since the cassette tables 2a and 2b are on the same horizontal plane, the cassette supply operation can be simplified, and it is easy to respond to automation of the production line. on the other hand,
A cassette 1c containing dummy wafers is placed on the cassette table 2c. The apparatus performs processing on wafers by any method of recognizing the production information given to the cassette, based on information sent from a higher-level control device, or by an instruction input by an operator. Can be.

【0021】また、カセット1a,1bのいずれか一方
は空カセットを載置してもよい。カセット1a,1b共
に未処理のウエハを収納したカセットの場合には、カセ
ット1a,1bから取り出されたウエハは元のカセット
に収納されるが、カセット1a,1bのいずれか一方を
空カセットとした場合には、処理後のウエハを元のカセ
ットに格納することもできるし、空カセットに格納する
こともできる。この動作に対する指示は、装置に対して
固定的に設定あるいは各処理単位に設定を行うことがで
きる。
An empty cassette may be placed on one of the cassettes 1a and 1b. When both cassettes 1a and 1b are cassettes containing unprocessed wafers, wafers taken out of cassettes 1a and 1b are stored in the original cassette, but one of cassettes 1a and 1b is used as an empty cassette. In this case, the processed wafers can be stored in the original cassette or in an empty cassette. The instruction for this operation can be fixedly set for the apparatus or set for each processing unit.

【0022】処理開始時、まず、カセット内のウエハの
収納状態を調べる。これは、マッピング装置3aに設け
たウエハ検出用センサをカセットに沿って上下し、セン
サからの信号を基にカセットの各段にウエハが有るか無
いかを判別する。ウエハの有無デ−タは、上位の制御装
置から送られるカセット内ウエハ情報と照合することも
できる。また、前記マッピング装置3aに設けたウエハ
検出用センサをカセットに沿って上昇させてカセット内
のウエハの収納状態を調べた時、カセット内に一枚もウ
エハが存在しない場合には、マッピング装置3aに設け
たカセットのウエハささえ検出センサからの信号を基に
カセット各段におけるウエハささえの高さを求め、ウエ
ハをカセットに回収する際の基準高さとして使用するこ
ともできる。
At the start of processing, first, the state of storage of wafers in the cassette is checked. That is, the wafer detection sensor provided in the mapping device 3a is moved up and down along the cassette, and it is determined whether or not there is a wafer in each stage of the cassette based on a signal from the sensor. Wafer presence / absence data can be compared with wafer information in a cassette sent from a higher-level control device. When the wafer detection sensor provided in the mapping device 3a is raised along the cassette to check the storage state of the wafer in the cassette, if no wafer is present in the cassette, the mapping device 3a The height of the wafer support at each stage of the cassette can be determined based on a signal from the sensor for detecting the wafer support of the cassette provided in the cassette, and used as a reference height when the wafers are collected in the cassette.

【0023】前記ウエハ検出動作の後、カセット1aに
収納された未処理のウエハ20を搬送装置13により抜
き取り、搬送装置13に対してカセット1aとは反対側
に配置されたロ−ドロック室5へ隔離弁12aを通して
搬入する。ここで、搬送装置20にてカセット1aから
ウエハ20を抜き取るときに搬送装置13の図示してい
ないウエハ取り出し用ハンドをカセット1aに挿入する
位置は、前記ウエハ検出時に求めたウエハ下面位置情報
を基に決定する。また、前記ウエハ検出時にウエハが存
在すると判断したカセットの段に対してのみ、ウエハ2
0の取り出し動作を行う。
After the wafer detecting operation, the unprocessed wafers 20 stored in the cassette 1a are extracted by the transfer device 13, and the unprocessed wafers 20 are loaded into the load lock chamber 5 arranged on the opposite side of the transfer device 13 from the cassette 1a. It is carried in through the isolation valve 12a. Here, when the transfer device 20 removes the wafer 20 from the cassette 1a, the position at which the wafer removal hand (not shown) of the transfer device 13 is inserted into the cassette 1a is based on the wafer lower surface position information obtained at the time of wafer detection. To decide. Further, only the wafer 2 is set in the cassette stage where it is determined that the wafer is present when the wafer is detected.
The operation of taking out 0 is performed.

【0024】ロ−ドロック室5へ搬入されるウエハ20
は、カセット1a内のいずれの場所に収納されたもので
も良い。ウエハ20は、隔離弁12aからロ−ドロック
室5に入った後、隔離弁12bからアンロ−ドロック室
6をでるまで、装置外部の雰囲気とは完全に遮断された
状態にあるので、隔離弁12a,12bを境にして仕切
りを設け、カセット台2a,2bとそこに載置されたカ
セット1a,1b及び搬送装置13のみを清浄度の高い
クリ−ンル−ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメ
ンテナンスル−ム側に置くことができる。ロ−ドロック
室5は、隔離弁12aを閉じた後、排気装置によって所
定の圧力まで真空排気され、次いで隔離弁12bが開放
されてウエハ20はエッチング室11へ搬送され、試料
台8上に載置される。
The wafer 20 carried into the load lock chamber 5
May be stored in any place in the cassette 1a. After the wafer 20 enters the load lock chamber 5 from the isolation valve 12a, it is completely shut off from the atmosphere outside the apparatus until it leaves the unload lock chamber 6 from the isolation valve 12b. , 12b, a partition is provided, and only the cassette tables 2a, 2b and the cassettes 1a, 1b and the transfer device 13 placed thereon are placed on the clean room side with high cleanliness, and the remaining parts are cleaned. It can be placed on the lower maintenance room side. After closing the isolation valve 12a, the load lock chamber 5 is evacuated to a predetermined pressure by an exhaust device. Then, the isolation valve 12b is opened, and the wafer 20 is transferred to the etching chamber 11 and placed on the sample stage 8. Is placed.

【0025】エッチング室11に搬入されたウエハ20
は、所定の条件によりエッチング処理を施される。この
間に、ロ−ドロック室5は隔離弁12a,12bを閉じ
た状態で、ガス導入装置4により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁12aから1枚目のウエハと同様に2枚
目のウエハが搬送装置13によって搬入され、再び排気
装置によって所定の圧力まで真空排気される。1枚目の
ウエハ20のエッチング処理が終了すると、隔離弁12
cが開かれて処理済みのウエハ20がアンロ−ドロック
室6に搬出され、続いて隔離弁12cが閉じられ、隔離
弁12bが開かれて2枚目のウエハがロ−ドロック室5
から搬入され、隔離弁12bを閉じた後エッチング処理
が開始される。
The wafer 20 carried into the etching chamber 11
Is subjected to an etching process under predetermined conditions. During this time, the load lock chamber 5 is returned to the atmospheric pressure by the gas introduction device 4 with the isolation valves 12a and 12b closed, and the second wafer is opened from the opened isolation valve 12a similarly to the first wafer. The wafer is loaded by the transfer device 13 and evacuated again to a predetermined pressure by the exhaust device. When the etching of the first wafer 20 is completed, the isolation valve 12
c is opened, the processed wafer 20 is carried out to the unload lock chamber 6, and then the isolation valve 12c is closed, the isolation valve 12b is opened, and the second wafer is loaded in the load lock chamber 5.
Then, after the isolation valve 12b is closed, the etching process is started.

【0026】アンロ−ドロック室6に搬出された処理済
みウエハ20は、アンロ−ドロック室6を大気圧に復帰
した後、隔離弁12dを通して搬送装置13によって大
気中に取り出され、当初収納されていたカセット1a内
の元の位置へ戻される。ここで、カセット1bに空カセ
ットを使用し、かつカセット1bに処理後ウエハを格納
するように設定した場合には、前記大気中にとりだされ
たウエハ20は、カセット1bに格納される。この場合
のウエハ格納位置d2は、カセットの段数をD、ウエハ
を取り出した段をd1とすると d2=D−d1 とす
る。これにより、カセット1aの下段側から順にウエハ
を取り出せば、カセット1bの上段側から格納すること
ができ、ウエハハンドリングにおける未処理ウエハ及び
処理済みウエハへの異物の影響を低減できる。また、カ
セット1bにウエハを格納する際に、ウエハのハンドリ
ング機構をカセット1bに挿入する高さは、前述したよ
うにカセット1bのウエハささえの高さを基に決定し、
ウエハとカセット1bのウエハささえが干渉しないよう
にすることもできる。
The processed wafer 20 carried out to the unload lock chamber 6 is returned to the atmospheric pressure in the unload lock chamber 6, then taken out to the atmosphere by the transfer device 13 through the isolation valve 12d, and initially stored. It is returned to the original position in the cassette 1a. Here, when an empty cassette is used as the cassette 1b and the setting is made so that the processed wafers are stored in the cassette 1b, the wafers 20 taken out into the atmosphere are stored in the cassette 1b. In this case, the wafer storage position d2 is d2 = D-d1 where D is the number of cassette stages and d1 is the stage from which the wafer is taken out. Thus, if the wafers are sequentially taken out from the lower side of the cassette 1a, the wafers can be stored from the upper side of the cassette 1b, and the influence of foreign matter on the unprocessed wafer and the processed wafer in wafer handling can be reduced. In addition, when storing wafers in the cassette 1b, the height at which the wafer handling mechanism is inserted into the cassette 1b is determined based on the height of the wafers in the cassette 1b as described above,
It is also possible to prevent the wafer and the wafer in the cassette 1b from interfering with each other.

【0027】以上の動作を繰り返して、カセット1aに
収納されていた未処理ウエハの処理が完了し、元の位置
に再収納し終わるとカセット1aは回収可能となり、別
の未処理のウエハを収納したカセットと交換されるが、
装置はその間カセット1b内の未処理ウエハの処理ある
いは、カセット1c内のダミ−ウエハの処理を続けてお
り、カセット1bの処理が完了する前に別の未処理のウ
エハを収納したカセットが供給されれば、装置は常に連
続的に稼働可能である。この時カセット1a,カセット
1bは水平な同一平面上にあるため、カセット1aの回
収作業及び別の未処理のウエハを収納したカセットの供
給作業を、搬送装置13によるカセット1bへのアクセ
スに影響を与えることなく行うことができる。
By repeating the above operation, the processing of the unprocessed wafers stored in the cassette 1a is completed, and when the wafers are stored again in the original position, the cassette 1a can be collected and another unprocessed wafer is stored. Is replaced with a new cassette,
During this time, the apparatus continues to process the unprocessed wafers in the cassette 1b or the dummy wafers in the cassette 1c. Before the processing of the cassette 1b is completed, a cassette containing another unprocessed wafer is supplied. If this is the case, the device can always be operated continuously. At this time, since the cassette 1a and the cassette 1b are on the same horizontal plane, the operation of collecting the cassette 1a and the operation of supplying a cassette containing another unprocessed wafer are not affected by the access to the cassette 1b by the transfer device 13. Can be done without giving.

【0028】上記は、カセット1aから取り出したウエ
ハをカセット1aの元の位置に戻す場合について示した
が、カセット1aから取り出し、カセット1bへ格納す
る場合でも、カセット台を5つにし、カセット2つづつ
をペアで用いることにより上記と同様に装置は常に連続
的に稼働可能である。
The above description has been given of the case where the wafer taken out of the cassette 1a is returned to the original position of the cassette 1a. However, even when the wafer is taken out of the cassette 1a and stored in the cassette 1b, the number of cassette tables is five and the number of cassettes is two. By using each of them in pairs, the device can always be operated continuously as described above.

【0029】エッチング室11は、処理を重ねるにつれ
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリ−ニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリ−ニングの実
施に当っては、カセット1cに収納されたダミ−ウエハ
30を搬送装置13によって抜取り、以降は前記被処理
ウエハ20の場合と全く同様にして処理を行った後、ダ
ミ−ウエハ30をカセット1c内の元の位置に戻すこと
ができ、ダミ−ウエハ30は常にカセット1c内にスト
ックされていることになる。尚、カセット1cのダミ−
ウエハ30が全てプラズマクリ−ニングで使用された場
合や、数回の使用により使用不能となった場合、ダミ−
ウエハ30はカセット1cごと全て交換される。
In the etching chamber 11, the reaction product adheres to and accumulates on the inner wall surface as the processing is repeated. Therefore, it is necessary to remove the adhered substance by plasma cleaning and restore the original state. In performing the cleaning, the dummy wafer 30 stored in the cassette 1c is extracted by the transfer device 13, and thereafter, the processing is performed in the same manner as in the case of the wafer 20 to be processed. The dummy wafer 30 can be returned to the original position in the cassette 1c, and the dummy wafer 30 is always stocked in the cassette 1c. In addition, the dummy of the cassette 1c
If the entire wafer 30 is used for plasma cleaning or if it becomes unusable after several uses, the
The entire wafer 30 is exchanged for each cassette 1c.

【0030】また、プラズマクリ−ニングやウエットク
リ−ニング後のエッチング室11内の異物の状態を調べ
る場合には、カセット1cに異物チェック用ウエハ40
を収納し、カセット1cに収納された異物チェック用ウ
エハ40を搬送装置13によって抜取り、以降は前記被
処理ウエハ20の場合と全く同様にして処理を行った
後、異物チェック用ウエハ40をカセット1c内の元の
位置に戻すことができ、処理後の異物チェックウエハ4
0を検査装置にて検査することにより、エッチング室1
1の異物の状態を調べることができる。
In order to check the state of foreign matter in the etching chamber 11 after the plasma cleaning or the wet cleaning, the foreign matter checking wafer 40 is placed in the cassette 1c.
The foreign substance checking wafer 40 stored in the cassette 1c is withdrawn by the transfer device 13, and thereafter the processing is performed in the same manner as in the case of the wafer 20 to be processed. Can be returned to the original position in
Inspection of the etching chamber 1 by inspecting
The state of the foreign object can be checked.

【0031】上記に示したごとく、プラズマクリーニン
グ、異物チェックを特別な処理シーケンスとして扱う必
要がなく、通常のエッチング処理の中に組み込んで一連
の作業として行うことができ、クリーニングを実施する
周期も任意に設定することが可能である。装置のハード
ウエア上からもプラズマクリーニング、異物チェックの
為の専用の機構は必要なく、複数のカセット台のひとつ
(本例の場合2c)にダミーウエハ30または異物チェ
ック用ウエハ40を収納したカセット(本例の場合1
c)を設置するだけで良い。プラズマクリーニング、異
物チェックの必要のない用途の場合には、ダミーウエハ
30または異物チェック用ウエハ40を収納したカセッ
トの代わりに、被処理ウエハ20を収納したカセットを
設置することにより、より効率良く生産を行うことがで
きる。
As described above, there is no need to treat the plasma cleaning and the foreign substance check as a special processing sequence. The cleaning can be performed as a series of operations by incorporating the cleaning into a normal etching process. Can be set to A special mechanism for plasma cleaning and foreign substance check is not required from the hardware of the apparatus, and a cassette (book) containing the dummy wafer 30 or the foreign substance check wafer 40 in one of a plurality of cassette tables (2c in this example). Example 1
It is only necessary to install c). Plasma cleaning, in the case of not requiring the use of foreign matter check, instead of the cassette housing the dummy wafer 30 or a foreign matter check wafer 40, by placing a cassette accommodating the article to be treated wafer 20, a more efficient production It can be carried out.

【0032】また、一旦プラズマクリ−ニングに使用さ
れたダミ−ウエハは、再び大気中の元のカセットに戻る
ようになされているので、真空処理室内では使用済みの
ダミ−ウエハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウエハとが混在することがなく、製品の汚染の心
配もない。更に、使用済みのダミ−ウエハは、カセット
の元の位置に戻されるので、使用済みのダミ−ウエハと
未処理のダミ−ウエハまたは使用頻度の少ないダミ−ウ
エハと高いダミ−ウエハとの混同を防止でき、プラズマ
クリ−ニングにダミ−ウエハを有効に、かつ、不都合な
く使用し得る。
Also, since the dummy wafer once used for plasma cleaning is returned to the original cassette in the atmosphere again, the used dummy wafer and the normal processing from now on are used in the vacuum processing chamber. Unprocessed wafers to be received do not mix, and there is no risk of product contamination. Further, since the used dummy wafer is returned to the original position in the cassette, it is not possible to confuse the used dummy wafer with an unprocessed dummy wafer or a less frequently used dummy wafer and a high used dummy wafer. In this case, the dummy wafer can be used effectively and inconveniently for plasma cleaning.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば従
来のようなダミ−基板を収納するための真空予備室及び
専用の搬送機構が不用となる。また、被処理基板を収納
する手段を複数の用途に用いることができ、製造ライン
に応じたカセット及びウエハの搬送形態を選択できる。
また、ドライクリ−ニング処理に使用されたダミ−基板
と被処理基板とが混在することもなくなる。また、製品
基板処理においても、未処理基板へ与える、ウエハハン
ドリング時及び処理済み基板からのゴミの影響を低減で
きる。
As described above, according to the present invention, a vacuum pre-chamber for accommodating a dummy substrate and a dedicated transfer mechanism as in the prior art are not required. Further, the means for accommodating the substrate to be processed can be used for a plurality of purposes, and a cassette and a wafer transfer mode can be selected according to the production line.
Further, the dummy substrate used for the dry cleaning process and the substrate to be processed are not mixed. In addition, in the processing of product substrates, the influence of dust from unprocessed substrates during wafer handling and processed substrates can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の真空処理装置の一実施例であるドライ
エッチング装置を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a dry etching apparatus as one embodiment of a vacuum processing apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板カセット、2…カセット台、3…マッピング装
置、5…ロ−ドロック室、6…アンロ−ドロック室、8
…試料台、11…エッチング室、12…隔離弁、13…
搬送装置、16…搬送室、20…ウエハ、30…ダミ−
ウエハ、40…異物チェック用ウエハ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate cassette, 2 ... Cassette stand, 3 ... Mapping device, 5 ... Load lock room, 6 ... Unload lock room, 8
... sample stage, 11 ... etching chamber, 12 ... isolation valve, 13 ...
Transfer device, 16: transfer chamber, 20: wafer, 30: dummy
Wafer, 40: wafer for foreign substance check.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−304197(JP,A) 特開 昭61−105853(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 Continuation of the front page (56) References JP-A-5-304197 (JP, A) JP-A-61-105853 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21 / 68

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 真空下で基板を処理するための真空処理室
と、 大気側に設けられ、前記基板を保持するための複数の基
板ささえを有した複数の基板カセットが配置されるカセ
ット台と、 前記基板カセットに沿って移動し前記基板カセット内の
基板の位置検出と前記基板カセットの前記基板ささえを
検出するマッピング装置と、 前記真空処理室と前記基板カセットとの間で前記基板を
搬送する搬送手段と、 前記真空処理室での処理済基板の該基板が搬出された基
板カセットへの収納、または別の基板カセットへの収納
を選択する手段とを具備し、 前記基板カセット内に基板が存在しない場合に、前記マ
ッピング装置による検出信号に基づく基板ささえ高さを
前記基板の前記基板カセットへの回収時の基準高さとし
たことを特徴とする真空処理装置。
1. A vacuum processing chamber for processing a substrate under vacuum, and a cassette table provided on the atmosphere side and on which a plurality of substrate cassettes having a plurality of substrates for holding said substrate are arranged. A mapping device that moves along the substrate cassette to detect the position of a substrate in the substrate cassette and the substrate support of the substrate cassette; and transports the substrate between the vacuum processing chamber and the substrate cassette. Transport means, and means for selecting storage of the processed substrate in the vacuum processing chamber in the substrate cassette from which the substrate has been carried out, or storage in another substrate cassette, wherein the substrate is contained in the substrate cassette. Vacuum processing, wherein when not present, the substrate support height based on the detection signal from the mapping device is set as a reference height when the substrate is collected into the substrate cassette. Location.
【請求項2】請求項1記載において、前記複数個の基板
カセットの内1個をドライクリーニング処理で使用され
るダミー基板を収納する基板カセットとした真空処理装
置。
2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein one of said plurality of substrate cassettes is a substrate cassette for storing a dummy substrate used in a dry cleaning process.
【請求項3】請求項1記載において、前記複数個の基板
カセットの内1個を前記真空処理室の異物をチェックす
るためのダミー基板を収納する基板カセットとした真空
処理装置。
3. A vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein one of said plurality of substrate cassettes is a substrate cassette for storing a dummy substrate for checking foreign substances in said vacuum processing chamber.
【請求項4】請求項1記載において、前記複数個の基板
カセットの内1個をドライクリーニング処理で使用され
るダミー基板を収納する基板カセット、または、前記真
空処理室の異物をチェックするためのダミー基板を収納
する基板カセットとした真空処理装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein one of said plurality of substrate cassettes is a substrate cassette for storing a dummy substrate used in a dry cleaning process or a foreign substance in said vacuum processing chamber. Vacuum processing device used as a substrate cassette for storing dummy substrates.
【請求項5】請求項1記載において、前記別の基板カセ
ットへの収納における収納する基板カセットの段は、取
だした段と同じにした真空処理装置。
5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the stage of the substrate cassette to be stored in said another substrate cassette is the same as the stage taken out.
【請求項6】請求項1記載において、前記別の基板カセ
ットへの収納における収納する基板カセットの段は、取
だした段と上下対称にした真空処理装置。
6. A vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the stage of the substrate cassette to be stored in said another substrate cassette is vertically symmetrical with the stage taken out.
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