JP2002231618A - Liquid crystal matrix projection aligner - Google Patents

Liquid crystal matrix projection aligner

Info

Publication number
JP2002231618A
JP2002231618A JP2001065738A JP2001065738A JP2002231618A JP 2002231618 A JP2002231618 A JP 2002231618A JP 2001065738 A JP2001065738 A JP 2001065738A JP 2001065738 A JP2001065738 A JP 2001065738A JP 2002231618 A JP2002231618 A JP 2002231618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal panel
pattern
optical fiber
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001065738A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4761261B2 (en
Inventor
Toshiyuki Horiuchi
敏行 堀内
Hiroshi Kobayashi
宏史 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2001065738A priority Critical patent/JP4761261B2/en
Publication of JP2002231618A publication Critical patent/JP2002231618A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4761261B2 publication Critical patent/JP4761261B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate directional dependence of the forming mode of a pattern, caused by polarized light by eliminating the projecting and constricted parts of a transferred pattern, caused by the connections of liquid crystal cells or opaque sections in the cells, in a liquid crystal matrix projection aligner. SOLUTION: The projection alignment is performed, after the brightness and darkness distribution designated on a liquid crystal panel is converted into an optical image, in which the connecting boundaries of the liquid crystal cells or the opaque sections of TFTs, etc., in the cells become inconspicuous via a fiber-optic tapered conduit, optical fiber plate, or microlens array. At the converting of the brightness and darkness distribution into an optical image, the emitted exposure light ray is prevented from having directional properties, by randomly rotating the plane of polarization, while the exposure light ray passes through optical fibers which constitute the fiber-optic tapered conduit or optical fiber plate or the elemental lenses constituting the microlens array.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する産業分野】本発明は半導体集積回路、光
エレクトロニクス素子、マイクロマシン部品等の微細パ
タンを形成するに当り、液晶パネル上に指定した任意の
パタンを被露光基板上に転写する装置に関するものてあ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for transferring an arbitrary pattern specified on a liquid crystal panel onto a substrate to be exposed when forming a fine pattern such as a semiconductor integrated circuit, an optoelectronic element, a micromachine part, or the like. It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路、光エレクトロニ
クス素子、マイクロマシン部品等の微細パタンを、半導
体ウエハ、金属基板、ガラス基板等の各種基板上に形成
するのに、投影露光装置および投影露光方法が多用され
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a projection exposure apparatus and a projection exposure method have been used to form fine patterns such as semiconductor integrated circuits, optoelectronic devices, and micromachine parts on various substrates such as semiconductor wafers, metal substrates, and glass substrates. It is heavily used.

【0003】この従来の投影露光装置および投影露光方
法においては、合成石英、ガラス等の光透過基板上にク
ロム等の遮光体で原図となるパタンを形成したレチクル
や薄い金属板やシリコンウエハ等に原図となるパタン形
状の穴を開けたステンシルマスクを原図基板として用い
る。
In this conventional projection exposure apparatus and projection exposure method, a reticle, a thin metal plate, a silicon wafer, or the like in which an original pattern is formed on a light transmitting substrate such as synthetic quartz or glass with a light-shielding body such as chrome is used. A stencil mask having a pattern-shaped hole serving as an original drawing is used as an original drawing substrate.

【0004】そして、前記原図基板に照明光を当て、投
影レンズ、投影ミラー光学系、レンズとミラーとを適宜
組み合わせた光学系等の投影光学系を用いて、該原図基
板上のパタンを該パタンを転写形成したい被露光基板上
に投影する。
Then, the pattern on the original drawing substrate is irradiated with illumination light on the original drawing substrate, and the pattern on the original drawing substrate is changed by using a projection optical system such as a projection lens, a projection mirror optical system, or an optical system appropriately combining a lens and a mirror. Is projected on a substrate to be transferred and formed.

【0005】該被露光基板、たとえば半導体ウエハ、金
属基板、ガラス基板等の上には、予めレジスト等の感光
性材料を塗布や吹き付け等により付加しておく。する
と、前記原図基板に当てた照明光線により感光性材料を
付した被露光基板が投影露光され、被露光基板上の感光
性材料が該原図基板上の透過部の形状に対応したパタン
形状に感光する。
A photosensitive material such as a resist is previously applied onto the substrate to be exposed, for example, a semiconductor wafer, a metal substrate, a glass substrate, or the like by coating or spraying. Then, the exposure target substrate provided with the photosensitive material is projected and exposed by the illuminating light beam applied to the original substrate, and the photosensitive material on the exposure substrate is exposed to a pattern corresponding to the shape of the transmission portion on the original substrate. I do.

【0006】したがって、露光後、現像を行うと、前記
感光性材料がポジ形かネガ形かに応じて感光部または未
感光部の感光性材料が除去され、前記原図基板上のパタ
ンが該被露光基板上の感光性材料に転写される。
Therefore, if the photosensitive material is developed after the exposure, the photosensitive material in the photosensitive portion or the unexposed portion is removed depending on whether the photosensitive material is positive or negative, and the pattern on the original substrate is covered with the photosensitive material. It is transferred to a photosensitive material on an exposure substrate.

【0007】このように、従来の投影露光装置および投
影露光方法は、原図基板上のパタンを被露光基板上の感
光性材料に転写する装置および方法であるので、まずは
所望のパタンに対応したパタンを有する原図基板が必要
不可欠であった。
As described above, since the conventional projection exposure apparatus and projection exposure method are an apparatus and a method for transferring a pattern on an original drawing substrate to a photosensitive material on a substrate to be exposed, first, a pattern corresponding to a desired pattern is obtained. The original substrate having the above was indispensable.

【0008】原図基板は、形成してある微細パタンに少
しでも間違いや欠陥があると、転写したパタンを使用し
た製品の全てが不良品となってしまうことから、検査、
確認が重要であり、非常に高価である。パタンは形状だ
けでなく線幅や穴の大きさ、さらにはそれらの位置等の
各種精度も問題となるため、パタンが微細になるととく
に高価となる。
[0008] In the original substrate, if there is any mistake or defect in the formed fine pattern, all the products using the transferred pattern become defective, so that the inspection,
Confirmation is important and very expensive. The pattern is not only a shape but also a line width, a size of a hole, and various kinds of precisions such as a position thereof. Therefore, a fine pattern is particularly expensive.

【0009】一方、社会の消費傾向の多様化に伴い、製
品は多品種少量生産化する傾向にある。たとえば、半導
体集積回路製品では、特定用途向けICが伸びる一方、
極めて大量に同じ製品を生産する例はメモリ等ごく一部
に限られている。
On the other hand, with the diversification of social consumption trends, products tend to be produced in various types and in small quantities. For example, in semiconductor integrated circuit products, while ICs for specific applications are growing,
Examples of producing the same product in a very large amount are limited to only a small part such as a memory.

【0010】とくに、まだ汎用品が多数出回るに至って
いないマイクロマシンの部品等は、当初から半導体集積
回路製品と比べると桁違いに少量しか生産しないのが通
例である。
[0010] In particular, micromachine parts and the like, for which a large number of general-purpose products have not yet been available, are usually produced in orders of magnitude smaller than semiconductor integrated circuit products from the beginning.

【0011】ところが、生産量の多少に拘らず、投影露
光を行う限りは元になるパタンを有する原図基板を必要
とするので、少量生産品では原図基板の価格が製品価格
に大きく影響するようになる。
However, as long as the projection exposure is performed, the original substrate having the original pattern is required irrespective of the amount of production, so that the price of the original substrate greatly affects the product price for small-volume products. Become.

【0012】また、原図基板上のパタンの変更、修正は
特別な場合を除いてほとんど不可能に近く、製品毎、パ
タンの変更毎に原図基板を作り直す必要があった。
Also, changing or correcting the pattern on the original substrate is almost impossible except for a special case, and it is necessary to recreate the original substrate for each product and every time the pattern is changed.

【0013】このため、最近になって、製品毎、パタン
の変更毎に従来の原図基板を作り直すのではなく、液晶
パネルの各セルを透過光量を制御するマトリックススイ
ッチとして利用して原図基板の代替となし、透過部、不
透過部を所定の配置で指定して投影露光を行う装置の有
用性が第45回応用物理学会学術講演会講演予稿集の7
42ページ、Japanese Journal of
Applied Physics Vol. 38,
pp. 324−329、第46回応用物理学会学術講
演会講演予稿集の691ページ等に開示されている。
For this reason, recently, instead of recreating a conventional original substrate for each product or pattern change, each cell of the liquid crystal panel is used as a matrix switch for controlling the amount of transmitted light, and is replaced with the original substrate. The usefulness of an apparatus that performs projection exposure by designating a transmissive part and a non-transmissive part in a predetermined arrangement is 7th in the 45th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics.
42 pages, Japanese Journal of
Applied Physics Vol. 38,
pp. 324-329, and the 69th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics, pp. 691 of the proceedings.

【0014】上記の液晶マトリックス投影露光装置およ
び液晶マトリックス投影露光方法によれば、液晶パネル
の各セルの透過、不透過を外部からキーボード操作等に
より容易に指定できる。したがって、従来のレチクルや
ステンシルマスク等固定不変のパタンを有する原図基板
は不要であり、パタンの変更や修正が極めて容易にでき
る。
According to the above-described liquid crystal matrix projection exposure apparatus and liquid crystal matrix projection exposure method, transmission and non-transmission of each cell of the liquid crystal panel can be easily designated from the outside by a keyboard operation or the like. Therefore, an original substrate having a fixed and invariable pattern such as a conventional reticle or stencil mask is not required, and the pattern can be easily changed or corrected.

【0015】また、設計データを液晶パネルの各セルへ
の制御指令に、コンピュータによって自動的に変換する
ことが容易にできるため、液晶パネルの各セルの透過、
不透過の制御を自動的に行うことも可能である。
Further, since it is easy to automatically convert the design data into a control command for each cell of the liquid crystal panel by a computer, the transmission of each cell of the liquid crystal panel,
It is also possible to automatically control the opacity.

【0016】なおかつ、設計データと液晶パネルの各セ
ルの明暗制御データとをコンピュータによって自動的に
比較することが容易に可能なので、設計データを用いて
パタンの検査ができ、パタンの間違いや欠陥を大幅に削
減することができる。
Further, since it is easy to automatically compare the design data with the light / dark control data of each cell of the liquid crystal panel by a computer, it is possible to inspect the pattern using the design data, and to check the pattern for errors or defects. It can be significantly reduced.

【0017】さらに、透過、不透過が液晶パネルの各セ
ルの透過、不透過により2値的に決定されるため、原図
基板を製造する際にごみが付着したり、感光性材料のピ
ンホールがあったりすることによって生じる製造時欠陥
が入りにくいという利点もある。
Further, since the transmission and non-transmission are determined in a binary manner by the transmission and non-transmission of each cell of the liquid crystal panel, dust may adhere when manufacturing the original drawing substrate, and a pinhole of the photosensitive material may be formed. There is also an advantage that a defect at the time of production caused by the presence of the hard disk is difficult to occur.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開示さ
れている上記の液晶マトリックス投影露光装置には、以
下に示すような問題があった。
However, the disclosed liquid crystal matrix projection exposure apparatus has the following problems.

【0019】第1の問題は、液晶パネルの各セルの間に
境界があり、該境界線部はセル部の透過、不透過と関係
なく、常に不透過となってしまうという問題である。
The first problem is that there is a boundary between the cells of the liquid crystal panel, and the boundary line is always opaque irrespective of whether the cell is transparent or opaque.

【0020】このため、連続した透過セルを並べて線状
の感光部を形成しようとしても、境界線に対応する部分
の露光量が少ないので、パタンにくびれや突起ができて
しまった。たとえば、感光性材料としてポジ形レジスト
を用いて投影露光を行い、レジストをパタン形状に残
す、残しパタンの形成を行った時のパタンの光学顕微鏡
写真を図8に示す。本来直線上の残しパタンが必要なの
に、セル間の境界線部に対応して突起14ができてしま
う。感光性材料としてネガ形レジストを用いて投影露光
を行い、レジストをパタン形状に残す、残しパタンの形
成を行うと、逆にセル間の境界線部に対応した箇所でパ
タンにくびれが生じる。
For this reason, even if an attempt is made to form a linear photosensitive portion by arranging continuous transmission cells, the pattern is constricted or protruded because the amount of exposure corresponding to the boundary line is small. For example, FIG. 8 shows an optical microscope photograph of the pattern when projection exposure is performed using a positive resist as a photosensitive material to leave the resist in a pattern shape, and when the remaining pattern is formed. Although a pattern left on a straight line is required, a projection 14 is formed corresponding to the boundary between cells. When projection exposure is performed using a negative resist as a photosensitive material to leave the resist in a pattern shape and to form a residual pattern, conversely, the pattern is constricted at a portion corresponding to a boundary between cells.

【0021】第2の問題は、単純マトリックス方式の液
晶パネルの場合には、各セルのセル中には障害物が存在
しないが、アクティブマトリックス方式の液晶パネルの
場合には、各セルの中に駆動用の薄膜トランジスタ(T
FT)が形成されており、該TFTの部分が前記境界線
部に加えて常に不透過となってしまうという問題であ
る。
The second problem is that, in the case of the simple matrix type liquid crystal panel, there is no obstacle in each cell, but in the case of the active matrix type liquid crystal panel, there is no obstacle in each cell. Driving thin film transistor (T
FT) is formed, and the TFT portion is always opaque in addition to the boundary.

【0022】応答速度が高く、透過、不透過のコントラ
ストも良いことから、最近の液晶パネルの大半はTFT
を用いている。TFTは一般にセル中の角部に配置され
ているので、それがあると、セルの透過部の形状が長方
形または正方形ではなくなり、連続した透過部を作ろう
とすると、前記境界線部とつながったさらに大きい不透
過部が形成され、パタンの突起やくびれがより一層劣悪
になるという課題があった。
Most of recent liquid crystal panels are TFTs because of their high response speed and good transmission / non-transmission contrast.
Is used. Since the TFTs are generally arranged at the corners in the cell, the shape of the transparent portion of the cell is not rectangular or square, so that when the continuous transparent portion is to be formed, the TFT is connected to the boundary portion. There is a problem in that a large opaque portion is formed, and projections and constrictions of the pattern are further deteriorated.

【0023】このため、前記のセル間の境界線をなるべ
く細くしたり、前記TFTの寸法をできる限り小さくす
ることにより、形成されるパタンの突起やくびれを極力
抑える対処を行っていた。
For this reason, measures have been taken to minimize the protrusions and constrictions of the formed pattern by making the boundaries between the cells as thin as possible and making the dimensions of the TFTs as small as possible.

【0024】しかしながら、境界線もアクティブマトリ
ックス方式の液晶パネルにおけるTFTも必要不可欠で
あり、完全になくすことはできず、また、極力小さくす
るにしても限度があるため、形成されるパタンの突起や
くびれを十分小さくすることが困難であった。
However, a boundary line and a TFT in an active matrix type liquid crystal panel are indispensable, and cannot be completely eliminated. Further, since there is a limit even if the size is reduced as much as possible, it is difficult to form a projection or a projection of a formed pattern. It was difficult to make the constriction sufficiently small.

【0025】液晶マトリックス投影露光装置および液晶
マトリックス投影露光方法においては、転写できるパタ
ンの最小寸法は大略一つのセルの大きさに投影倍率を乗
じた寸法となる。したがって、微細なパタンを転写する
にはセルの大きさが小さい程好ましい。しかしながら、
セルの大きさを小さくしてもそれに比例して前記境界線
やTFTの大きさを小さくすることは困難なので、セル
の大きさが小さい程、転写パタンで発生するパタンの突
起やくびれの問題が解決困難となっていた。液晶パネル
の作り方によっては、セルを千鳥配置する場合もあり、
この他にも常時光が不透過となる部分ができる場合があ
った。
In the liquid crystal matrix projection exposure apparatus and the liquid crystal matrix projection exposure method, the minimum size of a pattern that can be transferred is approximately the size of one cell multiplied by the projection magnification. Therefore, in order to transfer a fine pattern, the smaller the cell size, the better. However,
Even if the size of the cell is reduced, it is difficult to reduce the size of the boundary line and the size of the TFT in proportion to the size of the cell. Therefore, as the size of the cell is reduced, the problem of pattern protrusion and constriction generated in the transfer pattern is reduced. It was difficult to solve. Depending on how the LCD panel is made, cells may be staggered,
In addition, there were cases where a portion where light was always impermeable was formed.

【0026】またさらに、第3の問題として、液晶パネ
ルを透過して出て来る光は偏光であるため、前記の突起
やくびれの出方が縦方向と横方向とで異なり、また、解
像性もわずかではあるが、異なるという問題があった。
Further, as a third problem, since the light that passes through the liquid crystal panel and exits is polarized light, the projections and constrictions differ in the vertical and horizontal directions, and the resolution increases. There was a problem that the sexes were different, though slightly.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】以上のような問題点を解
決するため、本発明は、液晶パネルと、前記液晶パネル
を照明する照明光学系と、前記液晶パネルに指定したパ
タン形状に対応して射出される前記照明光の液晶パネル
透過光が入射するように配置した光ファイバーテーパコ
ンジットまたは光ファイバープレートまたは微小レンズ
アレイと、該光ファイバーテーパコンジットや光ファイ
バープレートの射出面または微小レンズアレイの結像面
を被露光基板面に投影する投影光学系とを有し、前記液
晶パネルに指定したパタン形状に対応した形状に前記被
露光基板を投影露光することを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides a liquid crystal panel, an illumination optical system for illuminating the liquid crystal panel, and a pattern shape specified for the liquid crystal panel. An optical fiber taper conduit or an optical fiber plate or a microlens array arranged so that the transmitted light of the illumination light transmitted through the liquid crystal panel is incident on the optical fiber taper conduit or the optical fiber plate. A projection optical system for projecting onto the surface of the substrate to be exposed, wherein the substrate is projected and exposed in a shape corresponding to the pattern shape specified on the liquid crystal panel.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明はこのように、液晶パネル
を照明光学系によって照明し、該液晶パネル上に指定さ
れたパタン形状を被露光基板上に投影露光するに際し、
前記液晶パネルの射出側の光強度分布を直接原図基板透
過光の明暗分布として利用するのではなく、光ファイバ
ーテーパコンジットや光ファイバープレートや微小レン
ズアレイを一旦通し、その射出光を利用して投影露光を
行う。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, the present invention illuminates a liquid crystal panel with an illumination optical system and projects and exposes a pattern shape specified on the liquid crystal panel onto a substrate to be exposed.
Rather than directly using the light intensity distribution on the emission side of the liquid crystal panel as the light-dark distribution of light transmitted through the original drawing substrate, the light is once passed through an optical fiber taper conduit, an optical fiber plate, or a microlens array, and projection light is emitted using the emitted light. Do.

【0029】[0029]

【実施例】図1は本発明の液晶マトリックス投影露光装
置の構成図である。前記の開示された従来装置との最大
の相違点は、液晶パネル1の射出面または入射面に密着
または近接させて、光ファイバーテーパコンジット2を
設けた点である。光ファイバーテーパコンジット2は、
図2に示すように、多数の光ファイバー素線11を密着
して束ね、熱してテーパ状に一端を全体的に細くしたも
のである。通常は、両端面を光ファイバー素線11の軸
に垂直に切断、研磨してある。なお、図2では、光ファ
イバー素線11の太さを誇張して大きく描いてある。
1 is a block diagram of a liquid crystal matrix projection exposure apparatus according to the present invention. The greatest difference from the above-described conventional device is that the optical fiber tapered conduit 2 is provided in close contact with or close to the exit surface or the entrance surface of the liquid crystal panel 1. Optical fiber taper conduit 2
As shown in FIG. 2, a large number of optical fibers 11 are bundled in close contact and heated, and one end is tapered to make the entire end thinner. Normally, both end faces are cut and polished perpendicular to the axis of the optical fiber 11. In FIG. 2, the thickness of the optical fiber 11 is exaggerated and drawn large.

【0030】光ファイバーテーパコンジット2の外形形
状および光ファイバー素線11の断面の形状は任意で良
いが、各光ファイバー素線11間の隙間がなるべく無い
ように、また、クラッドに相当する部分ができるだけ薄
くなるように構成する。さらに、光ファイバー素線11
の太さすなわち断面の径または対辺間距離を、液晶パネ
ル1のセル境界線の太さやTFTの大きさにより大きく
しておく。
The external shape of the optical fiber tapered conduit 2 and the cross-sectional shape of the optical fiber 11 can be arbitrarily determined. The configuration is as follows. Furthermore, the optical fiber 11
, That is, the diameter of the cross section or the distance between the opposite sides is increased depending on the thickness of the cell boundary line of the liquid crystal panel 1 or the size of the TFT.

【0031】液晶パネル1を照明光学系3によって照明
し、該照明光4によって液晶パネル1上の明暗パタン形
状を前記光ファイバーテーパコンジット2の入射口に作
り、射出口には該入射口のパタン形状が該光ファイバー
テーパコンジット2のテーパに応じて縮小された明暗パ
タン形状が射出されるようにする。照明光学系3は各種
ランプやレーザ等、露光波長帯の発光源を有するもので
あれば任意で良い。
The liquid crystal panel 1 is illuminated by the illumination optical system 3, and the illumination light 4 forms a bright / dark pattern on the liquid crystal panel 1 at the entrance of the optical fiber tapered conduit 2. The exit has the pattern of the entrance. Is designed to emit a light-dark pattern shape reduced according to the taper of the optical fiber taper conduit 2. The illumination optical system 3 may be any as long as it has a light source in the exposure wavelength band, such as various lamps and lasers.

【0032】光ファイバーテーパコンジット2の入射口
の一部を液晶パネル1のセル間の遮光部やTFTが覆っ
ても、入射光が光ファイバーテーパコンジット2を構成
する光ファイバー素線11の側壁で全反射しながら方向
を変えて進むので、各光ファイバー素線11の射出口で
は該光ファイバー素線11内でほぼ一様な光強度となっ
て射出される。
Even if a part of the entrance of the optical fiber tapered conduit 2 is covered by a light-shielding portion between the cells of the liquid crystal panel 1 or the TFT, incident light is totally reflected by the side wall of the optical fiber strand 11 constituting the optical fiber tapered conduit 2. Since the light beam advances while changing the direction, the light is emitted from the exit of each optical fiber 11 with substantially uniform light intensity in the optical fiber 11.

【0033】この状態で、該光ファイバーテーパコンジ
ット2の射出口の光像を投影レンズ等の投影光学系5を
介して被露光基板6上に投影する。このようにして投影
露光を行うと、該被露光基板6上に付した感光性材料
を、液晶パネル1に指定したパタンを接続境界やTFT
の存在が目立たないように平滑化したパタン形状に感光
させることができる。したがって、転写パタンに従来で
きていた突起やくびれは出なくなる。
In this state, an optical image at the exit of the optical fiber taper conduit 2 is projected onto a substrate 6 through a projection optical system 5 such as a projection lens. When the projection exposure is performed in this manner, the photosensitive material provided on the substrate 6 to be exposed is replaced with a pattern designated on the liquid crystal panel 1 by a connection boundary or a TFT.
Can be exposed to a smoothed pattern shape so that the presence of is not conspicuous. Therefore, projections and constrictions conventionally formed on the transfer pattern do not appear.

【0034】また、前記光ファイバーテーパコンジット
2の光ファイバー素線11の側壁での全反射によって光
の振動面は方向が変わり、方向が不特定となるため、液
晶パネル1を通過直後の光は偏光であるが、該光ファイ
バーテーパコンジット2の射出口には、光の振動面に方
位性の無い光が射出される。露光光線の振動面に方位性
が無いため、縦と横で同じ品質のパタンが形成される。
Further, since the direction of vibration of the light changes due to total reflection on the side wall of the optical fiber 11 of the optical fiber tapered conduit 2 and the direction is unspecified, the light immediately after passing through the liquid crystal panel 1 is polarized. However, at the exit of the optical fiber tapered conduit 2, light having no azimuth on the light oscillation plane is emitted. Since the vibration plane of the exposure light beam has no azimuth, patterns of the same quality are formed in the vertical and horizontal directions.

【0035】7は液晶パネルステージ、8は被露光基板
ステージであり、これらのステージは固定でもパタン転
写は可能であるが、図示のx、y、z方向への移動およ
び/またはx,y,z軸まわりの回転角α、β、θを調
整可能であればなお良く、調整可能であれば、順次被露
光基板6上の複数の位置に投影露光を行ったり、液晶パ
ネル1で設定したパタンを接続したり合成したりするこ
とができる。
Numeral 7 denotes a liquid crystal panel stage, and numeral 8 denotes a substrate stage to be exposed. Pattern transfer is possible even when these stages are fixed, but they can be moved in x, y, z directions and / or x, y, z shown in the figure. It is more preferable that the rotation angles α, β, and θ around the z-axis can be adjusted. If the rotation angles α, β, and θ can be adjusted, projection exposure is sequentially performed on a plurality of positions on the substrate 6 to be exposed, or a pattern set on the liquid crystal panel 1 is set. Can be connected or synthesized.

【0036】前記被露光基板5上に投影露光されるパタ
ンの寸法は、液晶パネル1上のパタン寸法に、前記光フ
ァイバーテーパコンジット2のテーパ状の断面縮小倍率
と投影光学系4の投影倍率を乗じた寸法となる。
The size of the pattern projected and exposed on the substrate to be exposed 5 is obtained by multiplying the pattern size on the liquid crystal panel 1 by the magnification of the tapered cross section of the optical fiber tapered conduit 2 and the projection magnification of the projection optical system 4. Dimensions.

【0037】容易に入手できる液晶パネル1のセルの最
小寸法は辺長が250〜50μm程度であり、微細パタ
ンを得るには、前記投影倍率を小さくしなければならな
い。しかしながら、投影光学系5の投影倍率を小さくす
ると、すなわち高い縮小比で縮小可能な投影光学系5に
すると、一般に高開口数とすることが必要であり、焦点
深度が浅くなってしまう。
The minimum size of the cell of the liquid crystal panel 1 which can be easily obtained has a side length of about 250 to 50 μm. In order to obtain a fine pattern, the projection magnification must be reduced. However, when the projection magnification of the projection optical system 5 is reduced, that is, when the projection optical system 5 can be reduced at a high reduction ratio, a high numerical aperture is generally required, and the depth of focus becomes shallow.

【0038】しかしながら、前記光ファイバーテーパコ
ンジット2を用いての縮小は開口数を変えずに行うこと
ができる。したがって、光ファイバーテーパコンジット
2による縮小分だけ低縮小比で低開口数の投影光学系5
を使うことができ、投影光学系5のみで縮小投影する時
よりも同じ縮小比のパタンを深い焦点深度で形成でき
る。
However, reduction using the optical fiber tapered conduit 2 can be performed without changing the numerical aperture. Therefore, the projection optical system 5 having a low reduction ratio and a low numerical aperture by an amount reduced by the optical fiber taper conduit 2.
Can be used, and a pattern having the same reduction ratio can be formed at a deeper depth of focus than when the reduction projection is performed only by the projection optical system 5.

【0039】図3は、図1に示した本発明の液晶マトリ
ックス投影露光装置を用いて得られたパタンの光学顕微
鏡写真である。264μmピッチのセル配置でセル境界
幅24μmの正方形セルを持つ液晶パネル1に描いた明
暗パタンを、照明光学系3として用いたメタルハライド
ランプを用いた照明光学系により照明し、縮小倍率1/
6.9の光ファイバーテーパコンジット2を用いて、投
影光学系5である縮小倍率1/24、開口数0.2の投
影露光レンズを介して投影露光した。被露光基板6とし
てはシリコンウエハを用い、感光性材料は膜厚約1μm
のポジ形レジストTHMRiP3300(東京応化工業
製)とした。また、現像は前記レジストの専用現像液N
MD−Wを用いて行った。
FIG. 3 is an optical microscope photograph of a pattern obtained by using the liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention shown in FIG. A bright / dark pattern drawn on a liquid crystal panel 1 having a square cell with a cell boundary width of 24 μm in a cell arrangement of 264 μm pitch is illuminated by an illumination optical system using a metal halide lamp used as an illumination optical system 3, and a reduction ratio of 1 /
Using an optical fiber taper conduit 2 of 6.9, projection exposure was performed through a projection exposure lens having a reduction ratio of 1/24 and a numerical aperture of 0.2 as the projection optical system 5. A silicon wafer is used as the substrate 6 to be exposed, and the photosensitive material is about 1 μm thick.
Of positive type THMRiP3300 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Further, the development is performed using a dedicated developer N
This was performed using MD-W.

【0040】図3より明らかなように、図9に示したよ
うな従来生じたパタンの突起は全く認められず、縦横方
向のパタンのでき方の差も全く認められない。また、斜
め方向のパタンも縦横方向とさほど変わらない滑らかさ
で形成される。
As is clear from FIG. 3, no projections of the conventional pattern as shown in FIG. 9 are recognized at all, and no difference in the pattern formation in the vertical and horizontal directions is recognized at all. Also, the pattern in the oblique direction is formed with the same smoothness as in the vertical and horizontal directions.

【0041】総合縮小投影倍率は(1/6.9)×(1
/24)=1/166であり、かなり高い縮小比とした
にもかかわらず、焦点深度がほぼ投影露光レンズの開口
数だけで決まるため、前記の厚さのレジストでも問題な
くパタン形成することができた。
The total reduction projection magnification is (1 / 6.9) × (1
/ 24) = 1/166, and the depth of focus is substantially determined only by the numerical aperture of the projection exposure lens, even though the reduction ratio is considerably high. did it.

【0042】図4は本発明の液晶マトリックス投影露光
装置の別の構成図である。本装置の特徴は液晶パネル1
の射出面または入射面に密着または近接させて、光ファ
イバープレート9を設けた点である。ここで言う光ファ
イバープレート9とは、図5に示すように、多数の光フ
ァイバー素線12を密着配置し、ファイバー素線軸に垂
直な断面が板面となるように切断後、研磨したプレート
部品である。
FIG. 4 is another configuration diagram of the liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention. The feature of this device is the liquid crystal panel 1.
The optical fiber plate 9 is provided in close contact with or close to the exit surface or the entrance surface. As shown in FIG. 5, the optical fiber plate 9 is a plate component in which a large number of optical fiber wires 12 are arranged in close contact, cut so that a cross section perpendicular to the fiber wire axis becomes a plate surface, and then polished. .

【0043】この場合も光ファイバープレート9の外形
形状および光ファイバー素線12の断面の形状は任意で
良いが、各光ファイバー素線12間の隙間がなるべく無
いように、また、クラッドに相当する部分ができるだけ
薄くなるように構成する。また、光ファイバー素線12
の太さすなわち断面の径または対辺間距離を、液晶パネ
ル1のセル境界線の太さやTFTの大きさより大きくし
ておく。
In this case as well, the outer shape of the optical fiber plate 9 and the cross-sectional shape of the optical fiber 12 can be arbitrarily set, but the gap between the optical fiber 12 should be as small as possible. It is configured to be thin. In addition, the optical fiber 12
, Ie, the diameter of the cross section or the distance between opposite sides, is set to be larger than the thickness of the cell boundary line of the liquid crystal panel 1 or the size of the TFT.

【0044】液晶パネル1を照明光学系3によって照明
し、該照明光によって液晶パネル1上の明暗パタン形状
を前記光ファイバープレート9の入射口に作り、該光フ
ァイバープレート9の射出口には光ファイバー素線12
の入射口の光強度が平均された光が該光ファイバー素線
12内でほぼ一様な光強度となって射出されるようにす
る。照明光学系3は、各種ランプやレーザ等、露光波長
帯の発光源を有するものであれば任意で良い。
The liquid crystal panel 1 is illuminated by the illumination optical system 3, and a light / dark pattern on the liquid crystal panel 1 is formed at the entrance of the optical fiber plate 9 by the illumination light. 12
The light having the average light intensity at the entrance of the optical fiber is emitted with substantially uniform light intensity within the optical fiber 12. The illumination optical system 3 may be any as long as it has a light source in the exposure wavelength band, such as various lamps and lasers.

【0045】該光ファイバープレート9の光ファイバー
素線12の入射口の一部を液晶パネル1のセル間の遮光
部やTFTが覆っても、入射光が光ファイバープレート
9を構成する光ファイバー素線12の側壁で全反射しな
がら方向を変えて進むので、各光ファイバー素線12の
射出口ではほぼ一様な光強度となって射出される。
Even if a part of the entrance of the optical fiber 12 of the optical fiber plate 9 is covered by a light-shielding portion between the cells of the liquid crystal panel 1 or the TFT, the incident light can be applied to the side wall of the optical fiber 12 constituting the optical fiber plate 9. The optical fiber 12 emits light with almost uniform light intensity at the exit of the optical fiber 12 since the light travels while changing the direction while totally reflecting the light.

【0046】この状態で、該光ファイバープレート9の
射出口の明暗分布を投影レンズ等の投影光学系4を介し
て被露光基板6上に投影する。このようにして投影露光
を行うと、該被露光基板6上に付した感光性材料を、液
晶パネル1に指定したパタンを接続境界やTFTの存在
が目立たないように平滑化したパタン形状に感光させる
ことができる。したがって、転写パタンに従来できてい
た突起やくびれは出なくなる。
In this state, the light / dark distribution of the exit of the optical fiber plate 9 is projected onto the substrate 6 through the projection optical system 4 such as a projection lens. When the projection exposure is performed in this manner, the photosensitive material applied on the substrate 6 to be exposed is exposed to a pattern shape obtained by smoothing the pattern specified for the liquid crystal panel 1 so that connection boundaries and TFTs are not conspicuous. Can be done. Therefore, projections and constrictions conventionally formed on the transfer pattern do not appear.

【0047】また、液晶パネル1を通過直後の光は偏光
であるが、要素ファイバーの側壁で全反射しながら方向
を変えて進むので、光の振動面の方向が不特定となり、
光の振動面に方位性の無い光が射出される。露光光線の
振動面に方位性が無いため、縦と横で同じ品質のパタン
が形成される。
Although the light immediately after passing through the liquid crystal panel 1 is polarized light, it travels while changing its direction while being totally reflected by the side walls of the element fibers, so that the direction of the light oscillating surface becomes unspecified.
Light having no azimuth is emitted to the vibration plane of the light. Since the vibration plane of the exposure light beam has no azimuth, patterns of the same quality are formed in the vertical and horizontal directions.

【0048】さらに、斜め線パタンについても従来より
滑らかに形成できるようになる。
Further, the oblique line pattern can be formed more smoothly than before.

【0049】図1の場合と同様に、7は液晶パネルステ
ージ、8は被露光基板ステージであり、これらのステー
ジは固定でもパタン転写は可能であるが、図示のx、
y、z方向への移動および/またはx,y,z軸まわり
の回転角α、β、θを調整可能としておけばなお良く、
調整可能であれば、順次被露光基板5上の複数の位置に
投影露光を行ったり、液晶パネル1で設定したパタンを
接続したり合成したりすることができる。
As in the case of FIG. 1, reference numeral 7 denotes a liquid crystal panel stage, and reference numeral 8 denotes a substrate stage to be exposed. Pattern transfer is possible even when these stages are fixed.
It is better if the movement in the y and z directions and / or the rotation angles α, β and θ about the x, y and z axes can be adjusted.
If the adjustment is possible, projection exposure can be performed sequentially at a plurality of positions on the substrate 5 to be exposed, or patterns set on the liquid crystal panel 1 can be connected or combined.

【0050】前記被露光基板6上に投影露光されるパタ
ンの寸法は、液晶パネル1上のパタン寸法に、投影光学
系5の投影倍率を乗じた寸法となる。前記光ファイバー
プレート9では、通過前後でパタンの倍率は不変であ
る。
The size of the pattern projected and exposed on the substrate 6 is a size obtained by multiplying the pattern size on the liquid crystal panel 1 by the projection magnification of the projection optical system 5. In the optical fiber plate 9, the magnification of the pattern does not change before and after the passage.

【0051】図6は本発明の液晶マトリックス投影露光
装置のさらに別の構成図である。本装置の特徴は、液晶
パネル1の射出面から所定の距離離した場所に、微小レ
ンズアレイ10を置いた点である。微小レンズアレイ1
0とは、図7に示すように、多数の微小径の要素レンズ
13を密着配置したものであり、レンズ光軸を液晶パネ
ル1に垂直に配置する。
FIG. 6 is a diagram showing still another configuration of the liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention. The feature of this device is that the microlens array 10 is placed at a position separated from the emission surface of the liquid crystal panel 1 by a predetermined distance. Micro lens array 1
“0” means that a number of minute-diameter element lenses 13 are arranged in close contact as shown in FIG. 7, and the optical axis of the lens is arranged perpendicular to the liquid crystal panel 1.

【0052】この場合も微小レンズアレイ10の外形形
状およびレンズアレイ要素レンズ13の形状は任意で良
いが、各要素レンズ13間の隙間がなるべく無いように
構成する。また、要素レンズ13の太さすなわち断面の
径または対辺間距離を、液晶パネル1のセル境界線の太
さやTFTの大きさにより大きくしておく。また、結像
性能を、前記液晶パネル1のセルの大きさを解像し、前
記液晶パネル1のセル境界線の太さやTFTの大きさを
十分に解像しない性能としておく。
In this case as well, the external shape of the microlens array 10 and the shape of the lens array element lenses 13 may be arbitrarily set, but the configuration is such that there is as little gap between the element lenses 13 as possible. In addition, the thickness of the element lens 13, that is, the diameter of the cross section or the distance between opposite sides is made larger depending on the thickness of the cell boundary line of the liquid crystal panel 1 and the size of the TFT. The imaging performance is set so that the size of the cell of the liquid crystal panel 1 is resolved, and the thickness of the cell boundary line and the size of the TFT of the liquid crystal panel 1 are not sufficiently resolved.

【0053】液晶パネル1を照明光学系3によって照明
し、該照明光によって液晶パネル1の光射出側に明暗の
パタン形状を作り、該液晶パネル1の光射出面を物体面
として該パタン形状の光像を微小レンズアレイ10によ
って形成する。照明光学系3は、各種ランプやレーザ
等、露光波長帯の発光源を有するものであれば任意で良
い。
The liquid crystal panel 1 is illuminated by the illumination optical system 3 to form a bright and dark pattern on the light exit side of the liquid crystal panel 1 with the illuminating light, and the light exit surface of the liquid crystal panel 1 is used as an object plane. An optical image is formed by the micro lens array 10. The illumination optical system 3 may be any as long as it has a light source in the exposure wavelength band, such as various lamps and lasers.

【0054】微小レンズアレイ10の結像面には、前記
液晶パネル1のパタン形状の明暗像が形成されるが、該
微小レンズアレイ10の結像性能が、前記液晶パネル1
のセルの大きさを解像し、前記液晶パネル1のセル境界
線の太さやTFTの大きさを十分に解像しない性能なの
で、該微小レンズアレイ10の物体面に液晶パネル1の
セル間の遮光部やTFTが有っても、微小レンズアレイ
10の結像面におけるパタン像は、液晶パネル1に指定
したパタンの接続境界やTFTの存在が目立たないよう
に平滑化された形状を有するものとなる。
On the image plane of the microlens array 10, a pattern-shaped bright and dark image of the liquid crystal panel 1 is formed.
Of the liquid crystal panel 1 and the size of the cell boundary line and the size of the TFT of the liquid crystal panel 1 are not sufficiently resolved. Even if there is a light-shielding portion and a TFT, the pattern image on the image plane of the microlens array 10 has a shape smoothed so that the connection boundary of the pattern designated on the liquid crystal panel 1 and the existence of the TFT are not conspicuous. Becomes

【0055】したがって、該光像を投影レンズ等の投影
光学系5を介して被露光基板5上に投影すると、該被露
光基板6上に付した感光性材料を、液晶パネル1に指定
したパタンを接続境界やTFTの存在が目立たないよう
に平滑化したパタン形状に感光させることができる。し
たがって、転写パタンに従来できていた突起やくびれは
出なくなる。
Therefore, when the light image is projected onto the substrate to be exposed 5 via the projection optical system 5 such as a projection lens, the photosensitive material applied on the substrate to be exposed 6 Can be exposed to a smoothed pattern shape so that the connection boundary and the existence of the TFT are not conspicuous. Therefore, projections and constrictions conventionally formed on the transfer pattern do not appear.

【0056】また、液晶パネル1を通過直後の光は偏光
であるが、光は微小レンズアレイ10の各要素レンズの
中をスキューしながら振動方向を変えて進むので、光の
振動面の方向が不特定となり、光の振動面に方位性の無
い光が射出される。縦と横で同じ品質のパタンが形成さ
れる。
Although the light immediately after passing through the liquid crystal panel 1 is polarized light, the light travels while changing the vibration direction while skewing through each element lens of the microlens array 10, so that the direction of the vibration surface of the light is The light is unspecified, and light having no azimuth on the vibration plane of light is emitted. Vertical and horizontal patterns of the same quality are formed.

【0057】さらに、斜め線パタンについても従来より
滑らかに形成できるようになる。
Further, the oblique line pattern can be formed more smoothly than before.

【0058】前記被露光基板6上に投影露光されるパタ
ンの寸法は、液晶パネル1上のパタン寸法に、投影光学
系5の投影倍率を乗じた寸法となる。前記微小レンズア
レイ10では、通過前後でパタンの倍率は不変である。
The size of the pattern projected and exposed on the substrate 6 is a size obtained by multiplying the pattern size on the liquid crystal panel 1 by the projection magnification of the projection optical system 5. In the microlens array 10, the magnification of the pattern does not change before and after the passage.

【0059】微小レンズアレイ10の設置位置を調整し
て結像される像の鮮明度を調整すれば、結像位置におけ
る各要素レンズ13の像の大きさを調整でき、隣合った
要素レンズ13の像のオーバーラップ量を最適化するこ
とによって一層平滑に接続された転写パタンが得られ
る。
If the sharpness of the image to be formed is adjusted by adjusting the installation position of the microlens array 10, the size of the image of each element lens 13 at the image formation position can be adjusted. By optimizing the amount of overlap of the images, a transfer pattern connected more smoothly can be obtained.

【0060】この場合も、図1の場合と同様に、7は液
晶パネルステージ、8は被露光基板ステージであり、こ
れらのステージは固定でもパタン転写は可能であるが、
図示のx、y、z方向への移動および/またはx,y,
z軸まわりの回転角α、β、θを調整可能としておけば
なお良く、調整可能であれば、順次被露光基板5上の複
数の位置に投影露光を行ったり、液晶パネル1で設定し
たパタンを接続したり合成したりすることができる。
Also in this case, similarly to the case of FIG. 1, 7 is a liquid crystal panel stage, 8 is a substrate stage to be exposed, and although these stages are fixed, pattern transfer is possible.
Movement in x, y, z directions and / or x, y,
It is better if the rotation angles α, β, and θ around the z-axis can be adjusted. If the rotation angles can be adjusted, projection exposure is sequentially performed on a plurality of positions on the substrate 5 to be exposed, or a pattern set on the liquid crystal panel 1 is used. Can be connected or synthesized.

【0061】また、図5のように微小レンズアレイ10
を用いた場合には、光ファイバーテーパコンジット2や
光ファイバープレート9を用いる場合と異なり、液晶パ
ネル1と近接または接触する部品が存在しないという利
点がある。光透過部に近接または接触させる部品を使わ
ないので、接触やゴミの介在により、液晶パネル1に永
久的な傷や欠陥を生じる可能性が減る。
Also, as shown in FIG.
In the case where is used, unlike the case where the optical fiber tapered conduit 2 or the optical fiber plate 9 is used, there is an advantage that there is no component that comes close to or in contact with the liquid crystal panel 1. Since a component that is close to or in contact with the light transmitting portion is not used, the possibility of permanent scratches or defects in the liquid crystal panel 1 due to contact or dust is reduced.

【0062】[0062]

【発明の効果】このように、本発明によれば、液晶パネ
ルにおけるセル境界線や駆動用TFT等の常時遮光部が
そのままの形で投影露光されることがなくなり、パタン
の光強度分布が平滑化される。したがつて、転写パタン
に従来できていた突起やくびれが出なくなる。
As described above, according to the present invention, the light-shielding portion such as the cell boundary line or the driving TFT in the liquid crystal panel is not projected and exposed as it is, and the light intensity distribution of the pattern is smoothed. Be transformed into Therefore, projections and constrictions conventionally formed on the transfer pattern do not appear.

【0063】また、光の振動面の方向が不特定となった
光が射出されるためパタン形成の方向性も無くなり、縦
横方向で同じ品質のパタンを形成することができる。
Further, since the light whose direction of the vibrating surface of the light is unspecified is emitted, the directionality of the pattern formation is lost, and the same quality pattern can be formed in the vertical and horizontal directions.

【0064】さらに、液晶パネル1のセル配列に対して
斜めのパタンも従来より滑らかに連結させて形成するこ
とができる。
Furthermore, patterns oblique to the cell arrangement of the liquid crystal panel 1 can be formed by connecting them more smoothly than in the past.

【0065】したがって、液晶マトリックス投影露光の
自由度が増し、パタン精度も向上して従来より微細で精
度の高いマイクロマシン等の部品がレチクルレスで容易
にできるようになる。
Therefore, the degree of freedom of the liquid crystal matrix projection exposure is increased, and the pattern accuracy is also improved, so that components such as micromachines, which are finer and have higher precision than before, can be easily formed without a reticle.

【0066】レチクルが不要なので、少量多品種の微細
パタン形成に用いれば、製品価格を大幅に低減でき、製
作期間も大幅に短縮できる。また、任意にかつ即座にパ
タンの変更や修正が可能なので、バラエティに富んだパ
タン形成が可能となる。
Since a reticle is not required, if it is used for forming a fine pattern of many kinds in a small quantity, the product price can be greatly reduced and the production period can be greatly shortened. In addition, since the pattern can be changed or corrected arbitrarily and immediately, a variety of patterns can be formed.

【0067】液晶パネル1上のパタンデータは設計デー
タと同じバイナリィデータなので、コンピュータによっ
て、設計データを直ちに液晶パネルの各セルへの制御指
令に自動的に変換することもできる。
Since the pattern data on the liquid crystal panel 1 is the same binary data as the design data, the design data can also be automatically converted immediately by a computer into a control command for each cell of the liquid crystal panel.

【0068】また、設計データと直接比較してパタンを
検査できるので、間違いや欠陥を大幅に削減することが
でき、パタンの変更や修正も極めて容易にできる。
Further, since the pattern can be inspected by directly comparing it with the design data, errors and defects can be greatly reduced, and the pattern can be changed or corrected extremely easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶マトリックス投影露光装置の構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention.

【図2】光ファイバーテーパコンジットの構成図であ
る。
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical fiber tapered conduit.

【図3】本発明により転写したパタンの光学顕微鏡写真
である。
FIG. 3 is an optical micrograph of a pattern transferred according to the present invention.

【図4】本発明の液晶マトリックス投影露光装置の別の
構成図である。
FIG. 4 is another configuration diagram of the liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention.

【図5】光ファイバープレートの構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an optical fiber plate.

【図6】本発明の液晶マトリックス投影露光装置のさら
に別の構成図である。
FIG. 6 is a diagram showing still another configuration of the liquid crystal matrix projection exposure apparatus of the present invention.

【図7】微小レンズアレイの構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a micro lens array.

【図8】従来の装置により転写したパタンの光学顕微鏡
写真である。
FIG. 8 is an optical micrograph of a pattern transferred by a conventional apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶パネル 2 光ファイバーテーパコンジット 3 照明光学系 5 投影光学系 6 被露光基板 7 液晶パネルステージ 8 被露光基板ステージ 9 光ファイバープレート 10 微小レンズアレイ Reference Signs List 1 liquid crystal panel 2 optical fiber taper conduit 3 illumination optical system 5 projection optical system 6 substrate to be exposed 7 liquid crystal panel stage 8 substrate stage to be exposed 9 optical fiber plate 10 micro lens array

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 515F ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 515F

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】液晶パネルと、前記液晶パネルを照明する
照明光学系と、前記液晶パネルに指定したパタン形状に
対応して射出される前記照明光の液晶パネル透過光が入
射するように前記液晶パネルに密着または近接させて配
置した光ファイバーテーパコンジットと、前記光ファイ
バーテーパコンジットの射出面を被露光基板面に投影す
る投影光学系とを有し、前記液晶パネルに指定したパタ
ン形状に対応した形状に前記被露光基板を投影露光する
ことを特徴とする液晶マトリックス投影露光装置
A liquid crystal panel, an illumination optical system for illuminating the liquid crystal panel, and the liquid crystal so that the illumination light transmitted through the liquid crystal panel corresponding to a pattern shape specified to the liquid crystal panel is incident. An optical fiber taper conduit disposed in close contact with or close to the panel, and a projection optical system for projecting an emission surface of the optical fiber taper conduit onto a substrate surface to be exposed, to a shape corresponding to a pattern shape specified for the liquid crystal panel. A liquid crystal matrix projection exposure apparatus, which projects and exposes the substrate to be exposed.
【請求項2】液晶パネルと、前記液晶パネルを照明する
照明光学系と、前記液晶パネルに指定したパタン形状に
対応して射出される前記照明光の液晶パネル透過光が入
射するように前記液晶パネルに密着または近接させて配
置した光ファイバープレートと、前記光ファイバープレ
ートの射出面を被露光基板面に投影する投影光学系とを
有し、前記液晶パネルに指定したパタン形状に対応した
形状に前記被露光基板を投影露光することを特徴とする
液晶マトリックス投影露光装置
2. A liquid crystal panel, an illumination optical system for illuminating the liquid crystal panel, and the liquid crystal such that the illumination light transmitted through the liquid crystal panel corresponding to a pattern shape specified to the liquid crystal panel is incident. An optical fiber plate disposed in close contact with or in close proximity to the panel; and a projection optical system for projecting an emission surface of the optical fiber plate onto a substrate surface to be exposed, wherein the optical fiber plate has a shape corresponding to a pattern shape specified for the liquid crystal panel. Liquid crystal matrix projection exposure apparatus characterized by projecting and exposing an exposure substrate
【請求項3】液晶パネルと、前記液晶パネルを照明する
照明光学系と、前記液晶パネルの照明光射出面を投影す
る微小レンズアレイと、前記微小レンズアレイによって
投影された液晶パネル射出面の光像を被露光基板面に投
影する投影光学系とを有し、前記液晶パネルに指定した
パタン形状に対応した形状に前記被露光基板を投影露光
することを特徴とする液晶マトリックス投影露光装置
3. A liquid crystal panel, an illumination optical system for illuminating the liquid crystal panel, a microlens array for projecting an illumination light exit surface of the liquid crystal panel, and light of the liquid crystal panel exit surface projected by the microlens array. A projection optical system for projecting an image on the surface of the substrate to be exposed, and a liquid crystal matrix projection exposure apparatus for projecting and exposing the substrate to be exposed in a shape corresponding to a pattern shape specified on the liquid crystal panel.
JP2001065738A 2001-02-02 2001-02-02 LCD matrix projection exposure system Expired - Fee Related JP4761261B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001065738A JP4761261B2 (en) 2001-02-02 2001-02-02 LCD matrix projection exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001065738A JP4761261B2 (en) 2001-02-02 2001-02-02 LCD matrix projection exposure system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002231618A true JP2002231618A (en) 2002-08-16
JP4761261B2 JP4761261B2 (en) 2011-08-31

Family

ID=18924340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001065738A Expired - Fee Related JP4761261B2 (en) 2001-02-02 2001-02-02 LCD matrix projection exposure system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4761261B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004085955A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Japan Science & Technology Corp Liquid crystal photomask, pattern exposure method using same, pattern exposure apparatus and method for manufacturing dna chip
KR100656253B1 (en) 2004-11-09 2006-12-11 (주)라이코 Graded Index Fiber Optic Taper Lens and its fabrication method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03250618A (en) * 1990-02-28 1991-11-08 Sony Corp Laser drawing apparatus
JPH05259026A (en) * 1992-01-21 1993-10-08 Hughes Aircraft Co Device and method for micro-patternized surface
JPH07273003A (en) * 1994-03-29 1995-10-20 Hitachi Ltd Pattern transfer device
JPH0917719A (en) * 1995-07-03 1997-01-17 Canon Inc Aligner and device manufacturing method using it
JPH09266150A (en) * 1996-03-28 1997-10-07 Rohm Co Ltd Aligner
JP2000019453A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Beam profile uniformalizing device, optical fiber joining device, and exposure device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03250618A (en) * 1990-02-28 1991-11-08 Sony Corp Laser drawing apparatus
JPH05259026A (en) * 1992-01-21 1993-10-08 Hughes Aircraft Co Device and method for micro-patternized surface
JPH07273003A (en) * 1994-03-29 1995-10-20 Hitachi Ltd Pattern transfer device
JPH0917719A (en) * 1995-07-03 1997-01-17 Canon Inc Aligner and device manufacturing method using it
JPH09266150A (en) * 1996-03-28 1997-10-07 Rohm Co Ltd Aligner
JP2000019453A (en) * 1998-07-07 2000-01-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Beam profile uniformalizing device, optical fiber joining device, and exposure device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004085955A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Japan Science & Technology Corp Liquid crystal photomask, pattern exposure method using same, pattern exposure apparatus and method for manufacturing dna chip
KR100656253B1 (en) 2004-11-09 2006-12-11 (주)라이코 Graded Index Fiber Optic Taper Lens and its fabrication method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4761261B2 (en) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3093528B2 (en) Scanning exposure equipment
US6251550B1 (en) Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data
US5933219A (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method capable of controlling polarization direction
KR100536781B1 (en) Method and apparatus for manufacturing photomask and method of fabricating device
JP2001076993A (en) Exposure method and scanning exposure system using the same
US5946138A (en) Illumination optical system, exposure device and device manufacturing method
US6967708B1 (en) Pattern transfer device using PC projector
JP3710321B2 (en) Exposure amount control method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH0917718A (en) Aligner and device, and manufacturing method using it
JP2002231618A (en) Liquid crystal matrix projection aligner
JPH03179723A (en) Projection aligner
JPS62122126A (en) Exposure method
KR100425479B1 (en) Mask for estimating aberration in projection lens system of exposure apparatus
JPH1152541A (en) Exposure mask device
Dändlikerº et al. Non-conventional techniques for optical lithography
JP2002083761A (en) Aligner and exposure method
JPH0917719A (en) Aligner and device manufacturing method using it
JPH06325994A (en) Pattern forming method, pattern forming device and mask
JPH0689844A (en) Aligner
JP2002072491A (en) Printed circuit board manufacturing apparatus
JP3109946B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH10209019A (en) Exposure pattern projection device and aligner
JP2006120899A (en) Projection optical system, adjustment method thereof, projection aligner, projection exposure method, and adjustment method of projection aligner
JP2001290279A (en) Scanning exposure device
JP2008078478A (en) Diffusion board, method for manufacturing the same, immersion exposure apparatus, and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070207

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100622

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100803

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100831

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110204

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110517

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110530

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees