JP2002230719A - Thin film magnetic head, manufacturing method therefor and magnetic reproducing device - Google Patents

Thin film magnetic head, manufacturing method therefor and magnetic reproducing device

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JP2002230719A
JP2002230719A JP2001021149A JP2001021149A JP2002230719A JP 2002230719 A JP2002230719 A JP 2002230719A JP 2001021149 A JP2001021149 A JP 2001021149A JP 2001021149 A JP2001021149 A JP 2001021149A JP 2002230719 A JP2002230719 A JP 2002230719A
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thin
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magnetic
film
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JP2001021149A
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Masaya Sakaguchi
昌也 坂口
Toshio Fukazawa
利雄 深澤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film magnetic head by which information recorded on a magnetic recording medium in high density is reproduced with satisfactory characteristics. SOLUTION: The reproduction efficiency can be enhanced by providing a magneto-resistive effect layer 11 on the surface opposed to the magnetic recording medium 12. By providing a pair of conductive members 32 opposed to each other via an insulting layer 31 on the surface opposite to the magnetic recording medium 12 of the magneto-resistive effect layer 11, the resolution can be easily controlled by the thickness of the insulating layer 31 and higher recording density can be realized than that in a conventional shield type thin film magnetic head. In this constitution, the reproduction efficiency hardly changed, even if the thickness of the insulating layer 31 is reduced to increase the resolution.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
(例えばHDD装置)等に用いられる薄膜磁気ヘッドに
関し、特に、磁気抵抗効果層を用いて高密度の再生を行
う磁気抵抗効果型の浮上型薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法並びにその薄膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head used in a magnetic recording / reproducing device (for example, an HDD device), and more particularly, to a magneto-resistance effect type floating device which performs high-density reproduction using a magneto-resistance effect layer. The present invention relates to a thin-film magnetic head, a method of manufacturing the same, and a magnetic reproducing apparatus using the thin-film magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置等の磁気記録媒
体に対する記録・再生において、処理速度の向上と記録
容量の大容量化の必要性が増してきており、高記録密度
化への取り組みが強化されつつある。
2. Description of the Related Art In recent years, in recording / reproducing to / from a magnetic recording medium such as a magnetic recording / reproducing apparatus, the necessity of improving the processing speed and increasing the recording capacity has been increasing. It is being strengthened.

【0003】以下、従来の薄膜磁気ヘッドについて図面
を用いて説明する。
Hereinafter, a conventional thin film magnetic head will be described with reference to the drawings.

【0004】図38及び図39は、従来の薄膜磁気ヘッ
ドの構造を示し、図38は斜視概略図であり、図39は
磁気記録媒体側からみた正面概略図である。
FIGS. 38 and 39 show the structure of a conventional thin-film magnetic head. FIG. 38 is a schematic perspective view, and FIG. 39 is a schematic front view seen from a magnetic recording medium side.

【0005】図38において、パーマロイ、Co系アモ
ルファス磁性膜或いはFe系合金磁性膜等の軟質磁性材
料で形成された下部シールド層361の上にAl23
AlN或いはSiO2等の非磁性絶縁材料を用いて下部
ギャップ絶縁層362が形成され、更にその上面に磁気
抵抗効果層363が形成され、磁気抵抗効果層363の
両側端部にCoPt合金等の材料で磁気抵抗効果層36
3にバイアス磁界を印加するバイアス層364が形成さ
れる。
[0005] In FIG. 38, permalloy, Co-based Al 2 O 3 on the amorphous magnetic film or Fe-based alloy magnetic film of soft magnetic material a lower shield layer 361 which is formed by,
A lower gap insulating layer 362 is formed using a non-magnetic insulating material such as AlN or SiO 2, and a magnetoresistive layer 363 is further formed on the lower gap insulating layer 362. A material such as a CoPt alloy is formed on both sides of the magnetoresistive layer 363. And the magnetoresistive layer 36
3, a bias layer 364 for applying a bias magnetic field is formed.

【0006】また図38に示したように、バイアス層3
64の上面にCu、Cr或いはTa等の材料を用いて導
電層365が形成される。
Further, as shown in FIG. 38, the bias layer 3
A conductive layer 365 is formed on the upper surface of the substrate 64 using a material such as Cu, Cr, or Ta.

【0007】次に、導電層365と磁気抵抗効果層36
3の露出した部分の上に、Al23、AlN或いはSi
2等の非磁性絶縁材料を用いて上部ギャップ絶縁層3
66を形成する。更に、上部ギャップ絶縁層366の上
に、パーマロイ、Co系アモルファス磁性膜或いはFe
系合金磁性膜等の軟質磁性材料を用いて上部シールド層
367を形成し、再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
部368を構成する。このような上下シールドに挟まれ
た領域に磁気抵抗効果層が存在する構造の薄膜磁気ヘッ
ドをシールド型薄膜磁気ヘッドと呼ぶ。
Next, the conductive layer 365 and the magnetoresistive layer 36
3 on the exposed part, Al 2 O 3 , AlN or Si
Upper gap insulating layer 3 using a non-magnetic insulating material such as O 2
66 is formed. Further, on the upper gap insulating layer 366, a permalloy, Co-based amorphous magnetic film or Fe
The upper shield layer 367 is formed by using a soft magnetic material such as a system alloy magnetic film to form the magnetoresistive thin film magnetic head 368 for reproduction. Such a thin-film magnetic head having a structure in which the magnetoresistive layer exists in a region sandwiched between the upper and lower shields is called a shield-type thin-film magnetic head.

【0008】次に、上部シールド層367の上面にAl
23、AlN或いはSiO2等の非磁性絶縁材料を用い
て記録ギャップ層371を形成し、更に記録ギャップ層
371を介して上部シールド層367に対向し、かつ、
他の部分で上部シールド層367に接している(図示せ
ず)上部磁極372を軟質磁性材料を用いて形成し、記
録ギャップ層371を介して上部シールド層367と上
部磁極372が対向している部分と上部磁極372が上
部シールド層367に接している部分(図示せず)との
間で、上部シールド層367と上部磁極372から絶縁
材(図示せず)を介して絶縁された巻線コイル373が
設けられて、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部370を構
成する。ここで、上部シールド層367は再生用磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド部368のシールド機能と記録
用誘導型薄膜磁気ヘッド部370の下部磁極機能とを兼
ね備えた機能を有している。
Next, the upper surface of the upper shield layer 367 is
A recording gap layer 371 is formed using a nonmagnetic insulating material such as 2 O 3 , AlN or SiO 2 , and further faces the upper shield layer 367 via the recording gap layer 371, and
The upper magnetic pole 372 which is in contact with the upper shield layer 367 at other portions (not shown) is formed using a soft magnetic material, and the upper shield layer 367 and the upper magnetic pole 372 are opposed to each other via the recording gap layer 371. A winding coil insulated from the upper shield layer 367 and the upper magnetic pole 372 via an insulating material (not shown) between the portion and the portion (not shown) where the upper magnetic pole 372 is in contact with the upper shield layer 367 373 are provided to constitute a recording induction type thin-film magnetic head unit 370. Here, the upper shield layer 367 has a function having both a shield function of the reproducing magnetoresistive thin film magnetic head 368 and a lower magnetic pole function of the recording inductive thin film magnetic head 370.

【0009】図39に薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部に
おける磁気抵抗効果層近傍の正面概略図を示す。この図
では磁気抵抗効果層として巨大磁気抵抗効果(所謂GM
R効果)層(以下GMR層と記す)を用いた場合を示
す。下部シールド層361の上面に形成された下部ギャ
ップ絶縁層362の上に、FeMn系合金膜、PtMn
系合金膜、IrMn系合金膜、NiO系合金膜、Fe2
3系合金膜等の材料からなる反強磁性層374、Ni
Fe系合金膜、Co、CoFe合金膜等を材料とする固
定磁性層375、Cu等を材料とする非磁性導電層37
6、NiFe系合金膜、Co、CoFe合金膜等を材料
とするフリー磁性層377等によって構成されたGMR
層378が形成され、GMR層378の両側端面に接し
て、一対のバイアス層364が形成され、その上に一対
の導電層365が形成されている。更に、それらの上
に、上部ギャップ絶縁層366が形成され、更にその上
に、上部シールド層367が形成されている。
FIG. 39 is a schematic front view showing the vicinity of a magnetoresistive layer in a reproducing head portion of a thin film magnetic head. In this figure, the giant magnetoresistance effect (so-called GM
An example is shown in which a (R effect) layer (hereinafter referred to as a GMR layer) is used. On the lower gap insulating layer 362 formed on the upper surface of the lower shield layer 361, a FeMn-based alloy film, PtMn
Alloy film, IrMn alloy film, NiO alloy film, Fe 2
Antiferromagnetic layer 374 made of a material such as an O 3 -based alloy film, Ni
Fixed magnetic layer 375 made of Fe-based alloy film, Co, CoFe alloy film or the like, nonmagnetic conductive layer 37 made of Cu or the like
6. GMR composed of a free magnetic layer 377 made of NiFe-based alloy film, Co, CoFe alloy film or the like
A layer 378 is formed, a pair of bias layers 364 is formed in contact with both side end surfaces of the GMR layer 378, and a pair of conductive layers 365 are formed thereon. Further, an upper gap insulating layer 366 is formed thereon, and an upper shield layer 367 is further formed thereon.

【0010】近年、高記録密度化に対応した短波長の記
録信号を再生するために、上下シールド間隔379が益
々小さくなってきている。
In recent years, the upper and lower shield intervals 379 have been increasingly reduced in order to reproduce short-wavelength recorded signals corresponding to higher recording densities.

【0011】ここで、再度図38を用いて動作を説明す
る。巻線コイル373に記録電流が供給されることによ
り、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部370の上部磁極3
72と上部シールド層367に記録磁界が発生し、記録
ギャップ層371を介して対向する上部磁極372と上
部シールド層367との間に漏洩磁束が発生し、磁気記
録媒体に記録信号を記録する。また、信号が記録された
磁気記録媒体からの信号磁界を再生用磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド部368で再生し、磁気抵抗効果層363
(GMR層378)による抵抗変化に応じた再生信号を
導電層365の端子から検出する。
The operation will be described again with reference to FIG. When the recording current is supplied to the winding coil 373, the upper magnetic pole 3 of the inductive thin-film magnetic recording head 370 for recording is supplied.
A recording magnetic field is generated between the upper magnetic layer 72 and the upper shield layer 367, and a leakage magnetic flux is generated between the upper magnetic pole 372 and the upper shield layer 367 which face each other via the recording gap layer 371, and a recording signal is recorded on the magnetic recording medium. The signal magnetic field from the magnetic recording medium on which the signal is recorded is reproduced by the reproducing magnetoresistive thin film magnetic head 368, and the magnetoresistive layer 363 is reproduced.
A reproduction signal corresponding to the resistance change due to the (GMR layer 378) is detected from the terminal of the conductive layer 365.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部においては、
磁気記録媒体に短波長で記録された信号を再生するため
に分解能を上げるには、上下シールド間隔を狭くする必
要がある。上下シールド間隔は、下部シールド層の上面
から上部シールド層の下面までの距離即ち下部ギャップ
絶縁層、磁気抵抗効果層及び上部ギャップ絶縁層の各々
の膜厚の和で決まることから、それを狭めるには限界が
あった。
However, in the reproducing head of the thin film magnetic head having such a structure,
In order to increase the resolution in order to reproduce a signal recorded at a short wavelength on a magnetic recording medium, it is necessary to reduce the distance between the upper and lower shields. Since the distance between the upper and lower shields is determined by the distance from the upper surface of the lower shield layer to the lower surface of the upper shield layer, that is, the sum of the film thicknesses of the lower gap insulating layer, the magnetoresistive layer, and the upper gap insulating layer, Had limitations.

【0013】つまり、絶縁を確保するための絶縁層の限
界膜厚、再生出力を確保するための感度を有した磁気抵
抗効果層の最小膜厚によって、シールド型薄膜磁気ヘッ
ドで実現可能な限界波長が決定されてしまい、短波長化
に限界がある、という課題があった。
In other words, the critical wavelength achievable with a shielded thin-film magnetic head depends on the critical film thickness of the insulating layer for securing insulation and the minimum film thickness of the magnetoresistive layer having sensitivity for securing reproduction output. Has been determined, and there is a problem that there is a limit to shortening the wavelength.

【0014】また、上下シールド間隔が小さくなると、
フリー磁性層とシールドとの間の磁気抵抗が低くなり、
それに伴って磁気記録媒体から発生した磁束がシールド
に抜け易くなってしまう。そのため、フリー磁性層に流
れる磁束量が減少し、再生効率が低下するという課題が
あった。
When the distance between the upper and lower shields is reduced,
The magnetic resistance between the free magnetic layer and the shield decreases,
Accordingly, the magnetic flux generated from the magnetic recording medium tends to escape to the shield. Therefore, there is a problem that the amount of magnetic flux flowing through the free magnetic layer is reduced, and the reproduction efficiency is reduced.

【0015】本発明は、これらの課題を解決し、限界波
長を従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりも短くするこ
とが可能であると共に、短波長での再生効率の低下を抑
え、良好な再生性能を得ることができる磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド、及びその製造方法、さらにはこの薄膜
磁気ヘッドを使用した磁気再生装置を提供することを目
的とする。
The present invention solves these problems, makes it possible to make the limit wavelength shorter than that of a conventional shielded thin-film magnetic head, suppresses a decrease in reproduction efficiency at short wavelengths, and provides good reproduction performance. It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive thin-film magnetic head capable of obtaining the above, a method of manufacturing the same, and a magnetic reproducing apparatus using the thin-film magnetic head.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、一対の導電性部材と、そ
の間に配置される絶縁層とから支持基体を形成し、その
支持基体の絶縁層が表出した一面上に磁気抵抗効果層を
形成し、一対の導電性部材を磁気抵抗効果層の電極端子
として用いることを特徴としている。
In order to achieve this object, a thin-film magnetic head according to the present invention comprises a support base formed from a pair of conductive members and an insulating layer disposed therebetween. A magnetoresistive layer is formed on one surface where the insulating layer is exposed, and a pair of conductive members are used as electrode terminals of the magnetoresistive layer.

【0017】このような構成とすることにより、磁気抵
抗効果層が磁気記録媒体と直接対向するので、磁気抵抗
効果層に誘導される磁束量を大きくすることができる。
With such a configuration, the magnetoresistive layer is directly opposed to the magnetic recording medium, so that the amount of magnetic flux induced in the magnetoresistive layer can be increased.

【0018】また、このような構成により、薄膜磁気ヘ
ッドのセンス領域の大きさを絶縁層の厚みで容易に制御
することができるので、従来のシールド型薄膜磁気ヘッ
ドよりもセンス領域を小さくすることができ、限界波長
を短くすることができる。
Further, with such a structure, the size of the sense region of the thin-film magnetic head can be easily controlled by the thickness of the insulating layer, so that the sense region can be made smaller than that of the conventional shielded thin-film magnetic head. And the limit wavelength can be shortened.

【0019】さらに、このような構成により、薄膜磁気
ヘッドのセンス領域を小さくしても、磁気記録媒体から
発生した磁束のフリー磁性層に流れ込む量が低下しない
ので、短波長化に伴う再生効率低下を生じない薄膜磁気
ヘッドを実現することができる。
Further, with such a configuration, even if the sense area of the thin-film magnetic head is reduced, the amount of magnetic flux generated from the magnetic recording medium flowing into the free magnetic layer does not decrease. A thin-film magnetic head which does not cause the problem can be realized.

【0020】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に第1の導電層、絶縁層、及び第2の導電層
を順次積層し、次に所要の部分を残して他の部分を除去
し、パッシベーション層を形成し、基板を切断し、切断
された面を平面研磨して第1の導電層、絶縁層及び第2
の導電層を有する研磨面を形成し、研磨面上に磁気抵抗
効果層を形成することを特徴とする。
Further, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, a first conductive layer, an insulating layer, and a second conductive layer are sequentially laminated on a substrate, and then other portions are left except for required portions. Is removed, a passivation layer is formed, the substrate is cut, and the cut surface is polished to obtain a first conductive layer, an insulating layer, and a second conductive layer.
Characterized in that a polished surface having the conductive layer is formed, and a magnetoresistive layer is formed on the polished surface.

【0021】このような工程により、本発明の薄膜磁気
ヘッドを簡易に製造することができる。また、絶縁層を
薄く形成することができるので、限界波長の短い、高分
解能の薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
Through such steps, the thin-film magnetic head of the present invention can be easily manufactured. Further, since the insulating layer can be formed thin, a high-resolution thin-film magnetic head having a short limit wavelength and a high resolution can be manufactured.

【0022】さらに、本発明の磁気再生装置は、本発明
の薄膜磁気ヘッドと、回転可能な磁気記録媒体と、薄膜
磁気ヘッドを磁気記録媒体と対向するように支持する支
持部材と、磁気記録媒体を回転する手段と、支持部材に
結合され、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の膜面に沿っ
て移動させる手段と、薄膜磁気ヘッド、回転手段及び移
動手段と電気的に結合され、薄膜磁気ヘッドと信号を交
換し、磁気記録媒体の回転を制御し、薄膜磁気ヘッドの
移動を制御する処理手段とを有する。
Further, the magnetic reproducing apparatus of the present invention provides a thin-film magnetic head of the present invention, a rotatable magnetic recording medium, a support member for supporting the thin-film magnetic head so as to face the magnetic recording medium, and a magnetic recording medium. Means for rotating the thin-film magnetic head, the means for moving the thin-film magnetic head along the film surface of the magnetic recording medium, the thin-film magnetic head, the rotating means and the moving means being electrically coupled to the thin-film magnetic head. Processing means for exchanging signals, controlling the rotation of the magnetic recording medium, and controlling the movement of the thin-film magnetic head.

【0023】こうした構成によって、従来のシールド型
薄膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置よりも限界波長の
短い、分解能の高い磁気再生装置を実現することができ
る。
With this configuration, it is possible to realize a magnetic reproducing apparatus having a shorter limit wavelength and a higher resolution than a magnetic reproducing apparatus using a conventional shield type thin film magnetic head.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドは、対を
なす導電性部材、及び導電性部材間に配置され、かつ導
電性部材間を絶縁する絶縁層からなる支持基体と、支持
基体の絶縁層が表出する一面上に形成された磁気抵抗効
果層とを備え、導電性部材を磁気抵抗効果層の電極端子
としたことを特徴としたものであり、磁気抵抗効果層が
磁気記録媒体と直接対向するので、磁気抵抗効果層に誘
導される磁束量を大きくすることができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A thin-film magnetic head according to the present invention comprises a support base comprising a pair of conductive members, an insulating layer disposed between the conductive members, and insulating between the conductive members. A magnetoresistive layer formed on one surface on which the insulating layer is exposed, wherein the conductive member is an electrode terminal of the magnetoresistive layer, wherein the magnetoresistive layer is a magnetic recording medium. Therefore, the amount of magnetic flux induced in the magnetoresistive layer can be increased.

【0025】また、薄膜磁気ヘッドのセンス領域の大き
さを絶縁層の厚みで容易に制御することができるので、
従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりもセンス領域を小
さくすることができ、限界波長を短くすることができ
る。
Further, the size of the sense region of the thin-film magnetic head can be easily controlled by the thickness of the insulating layer.
The sensing area can be made smaller than that of the conventional shield type thin film magnetic head, and the limit wavelength can be shortened.

【0026】さらに、薄膜磁気ヘッドのセンス領域を小
さくしても、磁気記録媒体から発生した磁束のフリー磁
性層に流れ込む量が低下しないので、短波長化に伴う再
生効率低下を生じない薄膜磁気ヘッドを実現することが
できる。
Furthermore, even if the sense area of the thin-film magnetic head is reduced, the amount of magnetic flux generated from the magnetic recording medium flowing into the free magnetic layer does not decrease. Can be realized.

【0027】また、導電性部材を非磁性材料によって形
成すれば、より再生効率の高い薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
If the conductive member is formed of a non-magnetic material, a thin-film magnetic head with higher reproduction efficiency can be obtained.

【0028】また、導電性部材を軟質磁性材料によって
形成すれば、隣接トラックのノイズ低減効果の高い薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。
Further, if the conductive member is formed of a soft magnetic material, a thin film magnetic head having a high effect of reducing noise in adjacent tracks can be obtained.

【0029】また、導電性部材を、非磁性絶縁層と、そ
の表面に形成された導電層によって形成すれば、支持基
体の形状自由度の高い薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
If the conductive member is formed of a non-magnetic insulating layer and a conductive layer formed on the surface thereof, a thin-film magnetic head having a high degree of freedom in the shape of the supporting base can be obtained.

【0030】また、その導電層を非磁性材料によって形
成すれば、より再生効率の高い薄膜磁気ヘッドを得るこ
とができる。
If the conductive layer is formed of a non-magnetic material, a thin-film magnetic head having higher reproduction efficiency can be obtained.

【0031】また、その導電層を軟質磁性材料によって
形成すれば、隣接トラックのノイズ低減効果の高い薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。
If the conductive layer is formed of a soft magnetic material, a thin-film magnetic head having a high effect of reducing noise in adjacent tracks can be obtained.

【0032】また、絶縁層と導電性部材との界面方向
と、磁気抵抗効果層の膜面方向とが略直交するように構
成すれば、薄膜磁気ヘッドの製造を簡易にすることがで
きる。
Further, if the interface direction between the insulating layer and the conductive member is substantially perpendicular to the direction of the film surface of the magnetoresistive layer, the manufacture of the thin film magnetic head can be simplified.

【0033】また、絶縁層と導電性部材との界面方向
と、磁気記録媒体の移動方向とが略直交するように構成
すれば、絶縁層の厚みによって、再生時の波長方向の分
解能を容易に制御することができる。
If the interface direction between the insulating layer and the conductive member and the moving direction of the magnetic recording medium are substantially perpendicular to each other, the resolution in the wavelength direction at the time of reproduction can be easily adjusted by the thickness of the insulating layer. Can be controlled.

【0034】さらに、絶縁層と導電性部材との界面方向
と、磁気記録媒体の移動方向とが略平行になるように構
成すれば、絶縁層の厚みによって、再生トラック幅を容
易に制御することができる。
Further, if the interface direction between the insulating layer and the conductive member is configured to be substantially parallel to the moving direction of the magnetic recording medium, the reproduction track width can be easily controlled by the thickness of the insulating layer. Can be.

【0035】また、絶縁層と導電性部材との界面と、磁
気抵抗効果層の膜面との交線方向において、磁気抵抗効
果層よりも導電性部材を幅広く形成すれば、絶縁層の厚
みと、磁気抵抗効果層の幅によって容易にセンス領域の
大きさを制御することができる。
Further, if the conductive member is formed wider than the magnetoresistive layer in the direction intersecting the interface between the insulating layer and the conductive member and the film surface of the magnetoresistive layer, the thickness of the insulating layer can be reduced. The size of the sense region can be easily controlled by the width of the magnetoresistive layer.

【0036】さらに、絶縁層と導電性部材との界面と、
磁気抵抗効果層の膜面との交線方向において、導電性部
材よりも磁気抵抗効果層を幅広く形成すれば、絶縁層の
厚みと、導電層の幅によって、容易にセンス領域の大き
さを制御することができる。
Further, an interface between the insulating layer and the conductive member,
If the magnetoresistive layer is formed wider than the conductive member in the direction of intersection with the film surface of the magnetoresistive layer, the size of the sense region can be easily controlled by the thickness of the insulating layer and the width of the conductive layer. can do.

【0037】また、磁気抵抗効果層を、少なくとも反強
磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、及びフリー磁性層
で構成することにより、より高い再生効率の、高出力な
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
By forming the magnetoresistive layer with at least an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, and a free magnetic layer, a high-output thin-film magnetic head with higher reproducing efficiency is obtained. be able to.

【0038】また、固定磁性層の磁化方向を、再生時の
磁気記録媒体の移動方向と略平行になるように構成する
ことにより、磁気記録媒体が面内長手記録媒体及び垂直
記録媒体の場合に最適な薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができる。
Further, by configuring the magnetization direction of the fixed magnetic layer so as to be substantially parallel to the moving direction of the magnetic recording medium during reproduction, when the magnetic recording medium is an in-plane longitudinal recording medium and a perpendicular recording medium, An optimal thin-film magnetic head can be provided.

【0039】また、固定磁性層の磁化方向を、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、再生時の磁気記録媒体の
移動方向と略直交するように構成することにより、磁気
記録媒体が面内横手記録媒体の場合に最適な薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
Further, by configuring the magnetization direction of the fixed magnetic layer to be parallel to the film surface of the magnetoresistive effect layer and substantially perpendicular to the moving direction of the magnetic recording medium during reproduction, It is possible to provide an optimum thin film magnetic head in the case of an in-plane lateral recording medium.

【0040】さらに、磁気抵抗効果層にバイアス磁界を
印加するために、一対のバイアス層を設けることによ
り、フリー磁性層の磁化方向を固定磁性層の磁化方向と
直交させるためのバイアス磁界を確実に印加することが
できる。
Further, by providing a pair of bias layers for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive layer, the bias magnetic field for making the magnetization direction of the free magnetic layer orthogonal to the magnetization direction of the fixed magnetic layer is ensured. Can be applied.

【0041】さらにまた、磁気抵抗効果層にバイアス磁
界を印加するために、一対の高抵抗バイアス層を設ける
ことにより、センス電流Isのバイアス層へのリークに
よる再生出力の低下を抑制することができる。
Further, by providing a pair of high resistance bias layers for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive layer, it is possible to suppress a decrease in reproduction output due to leakage of the sense current Is to the bias layer. .

【0042】また、支持基体の磁気抵抗効果層が形成さ
れた面上に、磁気抵抗効果層を覆う保護層を設けること
により、衝撃等により誤って薄膜磁気ヘッドと磁気記録
媒体が接触したような場合の破損や、酸化等の影響から
薄膜磁気ヘッドを保護することができる。
Further, by providing a protective layer for covering the magnetoresistive layer on the surface of the support base on which the magnetoresistive layer is formed, it is possible to prevent the thin-film magnetic head and the magnetic recording medium from being inadvertently contacted by impact or the like. In this case, the thin-film magnetic head can be protected from damage, oxidation and the like.

【0043】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に第1の導電層を形成する第1の工程と、第
1の工程の後に、第1の導電層上に絶縁層を形成する第
2の工程と、第2の工程の後に、絶縁層上に第2の導電
層を形成する第3の工程と、第3の工程の後に、第1の
導電層、絶縁層及び第2の導電層の不要部分を削る第4
の工程と、第4の工程の後に、パッシベーション層を形
成する第5の工程と、第5の工程の後に、基板を切断す
る第6の工程と、第6の工程の後に、切断された面を平
面研磨して第1の導電層、絶縁層及び第2の導電層を有
する研磨面を形成する第7の工程と、第7の工程の後
に、研磨面上に磁気抵抗効果層を形成する第8の工程と
を有することにより、本発明の薄膜磁気ヘッドを簡易に
製造することができる。
Next, in the method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, a first step of forming a first conductive layer on a substrate, and after the first step, an insulating layer is formed on the first conductive layer. Forming a second conductive layer on the insulating layer after the second step, and forming the first conductive layer, the insulating layer, and the like after the third step. 4th shaving unnecessary portion of the second conductive layer
And a fourth step of forming a passivation layer after the fourth step, a sixth step of cutting the substrate after the fifth step, and a cut surface after the sixth step. A step of forming a polished surface having a first conductive layer, an insulating layer, and a second conductive layer by polishing the surface of the substrate, and forming a magnetoresistive layer on the polished surface after the seventh step By including the eighth step, the thin-film magnetic head of the present invention can be easily manufactured.

【0044】また、絶縁層を薄く形成することができる
ので、限界波長の短い、高分解能の薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。
Further, since the insulating layer can be formed thin, a high-resolution thin-film magnetic head having a short limit wavelength and a high resolution can be manufactured.

【0045】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に第1の導電層を形成する第1の工程と、第
1の工程の後に、第1の導電層の所要の部分を残して他
の部分を除去して第1の導電層の端面を露出させる第2
の工程と、第2の工程の後に、第1の導電層と、第1の
導電層の端面を覆うように絶縁層を形成する第3の工程
と、第3の工程の後に、絶縁層上に第2の導電層を形成
する第4の工程と、第4の工程の後に、第1の導電層、
絶縁層及び第2の導電層の不要部分を削る第5の工程
と、第5の工程の後に、パッシベーション層を形成する
第6の工程と、第6の工程の後に、平面研磨を行って第
1の導電層、絶縁層及び第2の導電層を有する研磨面を
形成する第7の工程と、第7の工程の後に、研磨面上に
磁気抵抗効果層を形成する第8の工程とを有することに
より、本発明の薄膜磁気ヘッドをより簡易に製造するこ
とができる。
In the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, a first step of forming a first conductive layer on a substrate and a required portion of the first conductive layer after the first step are performed. Removing the remaining portion to expose the end surface of the first conductive layer;
Forming a first conductive layer and an insulating layer so as to cover the end surface of the first conductive layer after the second step, and forming the insulating layer on the insulating layer after the third step. Forming a second conductive layer on the first conductive layer, and after the fourth step, the first conductive layer;
A fifth step of shaving unnecessary portions of the insulating layer and the second conductive layer, a sixth step of forming a passivation layer after the fifth step, and a planar polishing by performing planar polishing after the sixth step. A seventh step of forming a polished surface having the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer; and an eighth step of forming a magnetoresistive layer on the polished surface after the seventh step. With this, the thin-film magnetic head of the present invention can be manufactured more easily.

【0046】さらにまた本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基板上に第1の導電層を形成する第1の工程
と、第1の工程の後に、第1の導電層の所要の部分を残
して他の部分を除去して第1の導電層の端面を露出させ
る第2の工程と、第2の工程の後に、第1の導電層と、
第1の導電層の端面を覆うように絶縁層を形成する第3
の工程と、第3の工程の後に、絶縁層上に第2の導電層
を形成する第4の工程と、第4の工程の後に、第1の導
電層、絶縁層及び第2の導電層の不要部分を削る第5の
工程と、第5の工程の後に、第1のパッシベーション層
を形成する第6の工程と、第6の工程の後に、平面研磨
を行って第1の導電層、絶縁層及び第2の導電層を有す
る第1の研磨面を形成する第7の工程と、第7の工程の
後に、第2のパッシベーション層を形成する第8の工程
と、第8の工程の後に、基板を切断する第9の工程と、
第9の工程の後に、切断された面を平面研磨して第1の
導電層、絶縁層及び第2の導電層を有し、第1の研磨面
とは略直交する第2の研磨面を形成する第10の工程
と、第10の工程の後に、第2の研磨面上に磁気抵抗効
果層を形成する第11の工程とを有することにより、本
発明の薄膜磁気ヘッドを簡易に製造することができる。
Further, in the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, a first step of forming a first conductive layer on a substrate and a required portion of the first conductive layer after the first step are performed. A second step of exposing the end face of the first conductive layer by removing the remaining portion and leaving the first conductive layer after the second step;
Forming an insulating layer so as to cover an end face of the first conductive layer;
And a fourth step of forming a second conductive layer on the insulating layer after the third step, and a first conductive layer, an insulating layer, and a second conductive layer after the fourth step. A fifth step of shaving unnecessary portions of the first step, a sixth step of forming a first passivation layer after the fifth step, and a plane polishing after the sixth step to perform the first conductive layer, A seventh step of forming a first polished surface having an insulating layer and a second conductive layer, an eighth step of forming a second passivation layer after the seventh step, and an eighth step. A ninth step of cutting the substrate,
After the ninth step, the cut surface is planarly polished to have a first conductive layer, an insulating layer, and a second conductive layer, and a second polished surface substantially orthogonal to the first polished surface is formed. A thin film magnetic head of the present invention is easily manufactured by including a tenth step of forming and an eleventh step of forming a magnetoresistive layer on the second polished surface after the tenth step. be able to.

【0047】また、磁気抵抗効果層を削って膜面形状を
形成する工程を有することにより、磁気抵抗効果層より
も導電性部材を幅広く形成した本発明の薄膜磁気ヘッド
を製造することができる。
Further, by including the step of shaping the magnetoresistive layer to form a film surface shape, it is possible to manufacture the thin film magnetic head of the present invention in which the conductive member is formed wider than the magnetoresistive layer.

【0048】また、磁気抵抗効果層を形成する際に、選
択的に形成しても、磁気抵抗効果層よりも導電性部材を
幅広く形成した本発明の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
Further, even when the magnetoresistive layer is formed selectively, the thin film magnetic head of the present invention in which the conductive member is formed wider than the magnetoresistive layer can be manufactured.

【0049】また、一対の硬質磁性層あるいは反強磁性
層を形成する工程を有することにより、バイアス層を有
する本発明の薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
Further, by including the step of forming a pair of hard magnetic layers or antiferromagnetic layers, the thin film magnetic head of the present invention having a bias layer can be manufactured.

【0050】また、一対の高抵抗硬質磁性層を形成する
工程を有することにより、バイアス層として、高抵抗硬
質磁性層を有する本発明の薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
Further, by including the step of forming a pair of high-resistance hard magnetic layers, the thin-film magnetic head of the present invention having a high-resistance hard magnetic layer as a bias layer can be manufactured.

【0051】次に、本発明の磁気再生装置は、本発明の
薄膜磁気ヘッドと、回転可能に支持された磁気記録媒体
と、薄膜磁気ヘッドが磁気記録媒体と対向するように支
持する支持部材と、磁気記録媒体を回転する手段と、支
持部材に結合され、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の膜
面に沿って移動させる手段と、薄膜磁気ヘッド、回転手
段及び移動手段と電気的に結合され、薄膜磁気ヘッドと
信号を交換し、磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜
磁気ヘッドの移動を制御する処理手段とを有することに
より、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドを用いた磁気再
生装置よりも限界波長の短い、分解能の高い磁気再生装
置を実現することができる。
Next, the magnetic reproducing apparatus of the present invention comprises a thin-film magnetic head of the present invention, a rotatably supported magnetic recording medium, and a support member for supporting the thin-film magnetic head so as to face the magnetic recording medium. Means for rotating the magnetic recording medium, coupled to the support member, means for moving the thin film magnetic head along the film surface of the magnetic recording medium, electrically coupled with the thin film magnetic head, rotating means and moving means, By exchanging signals with the thin-film magnetic head, controlling the rotation of the magnetic recording medium, and having processing means for controlling the movement of the thin-film magnetic head, compared to a magnetic reproducing apparatus using a conventional shielded thin-film magnetic head, A magnetic reproducing device having a short limit wavelength and high resolution can be realized.

【0052】また、固定磁性層の磁化方向を、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、磁気記録媒体の移動方向
と略平行になるように構成した本発明の薄膜磁気ヘッド
を用いれば、磁気記録媒体の記録された磁化の方向が、
前記磁気記録媒体の回転方向と略平行である構成であ
る、面内長手記録媒体に適した磁気再生装置を提供でき
る。
In addition, when the thin film magnetic head of the present invention is used, the magnetization direction of the fixed magnetic layer is parallel to the film surface of the magnetoresistive layer and substantially parallel to the moving direction of the magnetic recording medium. The direction of the recorded magnetization of the magnetic recording medium is
It is possible to provide a magnetic reproducing apparatus suitable for an in-plane longitudinal recording medium, having a configuration substantially parallel to the rotation direction of the magnetic recording medium.

【0053】また、固定磁性層の磁化方向を、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、磁気記録媒体の移動方向
と略平行になるように構成した本発明の薄膜磁気ヘッド
を用いれば、磁気記録媒体の記録された磁化の方向が、
前記磁気記録媒体面に対して略直交する構成であること
を特徴とする、いわゆる垂直記録媒体に適した磁気再生
装置を提供できる。
Further, when the thin film magnetic head according to the present invention is used, the magnetization direction of the fixed magnetic layer is parallel to the film surface of the magnetoresistive layer and substantially parallel to the moving direction of the magnetic recording medium. The direction of the recorded magnetization of the magnetic recording medium is
It is possible to provide a magnetic reproducing apparatus suitable for a so-called perpendicular recording medium, wherein the magnetic reproducing apparatus has a configuration substantially perpendicular to the surface of the magnetic recording medium.

【0054】また、固定磁性層の磁化方向を、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、磁気記録媒体の移動方向
と略直交するように構成した本発明の薄膜磁気ヘッドを
用いれば、磁気記録媒体の記録された磁化の方向が、前
記磁気記録媒体の半径方向と略平行である構成である、
面内横手記録媒体に適した磁気再生装置を提供できる。
Further, by using the thin-film magnetic head of the present invention in which the magnetization direction of the fixed magnetic layer is parallel to the film surface of the magnetoresistive layer and substantially perpendicular to the moving direction of the magnetic recording medium, The direction of the recorded magnetization of the magnetic recording medium is substantially parallel to the radial direction of the magnetic recording medium,
A magnetic reproducing apparatus suitable for an in-plane lateral recording medium can be provided.

【0055】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0056】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態における薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体
12側から見た正面図であり、図2は、本発明の第1の
実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構造を示すため
の、図1中A−A面に沿った断面図である。
(First Embodiment) FIG. 1 is a front view of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention as viewed from the magnetic recording medium 12, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the plane AA in FIG. 1 for illustrating the structure of the thin-film magnetic head according to the first embodiment.

【0057】本実施の形態においては、絶縁層31が一
対の導電性部材32に挟持されて支持基体14が形成さ
れ、一対の導電性部材32間は絶縁されており、支持基
体14の、絶縁層31が表出した、磁気記録媒体12に
対向すべき面には、磁気抵抗効果層11が全面を覆うよ
うに構成されている。
In the present embodiment, the support base 14 is formed by sandwiching the insulating layer 31 between the pair of conductive members 32, and the pair of conductive members 32 is insulated. The magnetoresistive layer 11 is configured to cover the entire surface on which the layer 31 is exposed and which is to face the magnetic recording medium 12.

【0058】なお、絶縁層31は絶縁材料、例えばAl
23、SiO2、AlNまたはTiNから選択された材
料を少なくとも一つ以上用いて形成され、導電性部材3
2は、導電性材料、例えばCu、Cr、TaまたはAu
から選択された材料を少なくとも一つ以上用いて形成さ
れている。
The insulating layer 31 is made of an insulating material such as Al
The conductive member 3 is formed using at least one material selected from 2 O 3 , SiO 2 , AlN or TiN.
2 is a conductive material such as Cu, Cr, Ta or Au
And at least one material selected from the group consisting of:

【0059】導電性部材32と、絶縁層31の界面は、
磁気抵抗効果層11の膜面と略直交した構成になってい
る。
The interface between the conductive member 32 and the insulating layer 31 is
The configuration is substantially perpendicular to the film surface of the magnetoresistive layer 11.

【0060】また、導電性部材32と絶縁層31の図中
z軸方向の両側には、絶縁体によりパッシベーション層
34が形成され、一対の導電性部材32間がショートし
ないように構成されている。
On both sides of the conductive member 32 and the insulating layer 31 in the z-axis direction in the drawing, a passivation layer 34 is formed of an insulator so that a short circuit does not occur between the pair of conductive members 32. .

【0061】図3は、本発明の第1の実施の形態におけ
る薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果層11の構造を示す断
面図である。図3に示した磁気抵抗効果層11は、いわ
ゆる巨大磁気抵抗効果層(以下GMR層と記す)であっ
て、図3において上側(支持基体14側)からIrMn
系合金膜、FeMn系合金膜、またはPtMn系合金膜
から選択された材料からなる反強磁性層61が形成さ
れ、その次にNiFe系合金膜、Co膜、CoFe系合
金膜から選択された材料からなる固定磁性層62、その
次にCuからなる非磁性導電層63、そしてその次にN
iFe系合金膜、Co膜、CoFe系合金膜から選択さ
れた材料からなるフリー磁性層64が順次積層されて、
磁気抵抗効果層11を構成している。
FIG. 3 is a sectional view showing the structure of the magnetoresistive layer 11 of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention. The magnetoresistive layer 11 shown in FIG. 3 is a so-called giant magnetoresistive layer (hereinafter, referred to as a GMR layer).
An antiferromagnetic layer 61 made of a material selected from a Ni-based alloy film, a FeMn-based alloy film, or a PtMn-based alloy film is formed, and then a material selected from a NiFe-based alloy film, a Co film, and a CoFe-based alloy film Fixed magnetic layer 62 made of Cu, nonmagnetic conductive layer 63 made of Cu, and then N
A free magnetic layer 64 made of a material selected from an iFe-based alloy film, a Co film, and a CoFe-based alloy film is sequentially stacked,
The magnetoresistive layer 11 is formed.

【0062】このような構成にすることにより、図1及
び図2に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、一対の導電性
部材32を電極端子として、その間にセンス電流Isを
流すと、導電性部材32−絶縁層31近傍の磁気抵抗効
果層11−導電性部材32の順に電流が流れる。つま
り、磁気抵抗効果層11の中では絶縁層31上に位置す
る領域にセンス電流Isが流れる。この領域がセンス領
域33となる。
With this configuration, in the thin-film magnetic head shown in FIGS. 1 and 2, when a pair of conductive members 32 is used as an electrode terminal and a sense current Is flows between them, the conductive member 32- A current flows in the order of the magnetoresistance effect layer 11 and the conductive member 32 near the insulating layer 31. That is, the sense current Is flows in a region located on the insulating layer 31 in the magnetoresistive layer 11. This region becomes the sense region 33.

【0063】このような構成にすることにより、薄膜磁
気ヘッドのセンス領域33の大きさを容易に制御するこ
とができる。
With this configuration, the size of the sense region 33 of the thin-film magnetic head can be easily controlled.

【0064】まず、図2において、絶縁層31を形成す
る際に、そのx軸方向の厚さを調節することにより、容
易にセンス領域33の図1におけるx軸方向の長さを制
御することができる。
First, in FIG. 2, when the insulating layer 31 is formed, the length in the x-axis direction in FIG. 1 of the sense region 33 can be easily controlled by adjusting the thickness in the x-axis direction. Can be.

【0065】さらに、図1において、z軸方向のセンス
領域33の長さを制御するには、導電性部材32、絶縁
層31を形成する際に、そのz軸方向の長さを調節すれ
ば良い。
Further, in FIG. 1, the length of the sense region 33 in the z-axis direction can be controlled by adjusting the length in the z-axis direction when the conductive member 32 and the insulating layer 31 are formed. good.

【0066】これによって、磁気記録媒体12の波長方
向の分解能と、再生トラック幅を容易に制御できる薄膜
磁気ヘッドを提供することができる。
As a result, it is possible to provide a thin film magnetic head capable of easily controlling the resolution in the wavelength direction of the magnetic recording medium 12 and the reproduction track width.

【0067】例えば、図1において、紙面に対して横方
向(図中x軸方向)を磁気記録媒体12の記録波長方向
として薄膜磁気ヘッドを構成した場合には、絶縁層31
のx軸方向の長さを変化させることによって、再生時の
波長方向の分解能を容易に制御することが可能となると
共に、導電性部材32と絶縁層31のz軸方向の長さを
変化させることによって、再生トラック幅を制御するこ
とが可能となる。
For example, in FIG. 1, when the thin-film magnetic head is configured so that the recording wavelength direction of the magnetic recording medium 12 is set to be transverse to the paper surface (x-axis direction in the drawing), the insulating layer 31
, The resolution in the wavelength direction at the time of reproduction can be easily controlled, and the length of the conductive member 32 and the insulating layer 31 in the z-axis direction can be changed. This makes it possible to control the reproduction track width.

【0068】同様に、図1において、紙面に対して横方
向(図中x軸方向)を磁気記録媒体12の再生トラック
幅方向として薄膜磁気ヘッドを構成した場合には、絶縁
層31のx軸方向の長さで再生トラック幅を制御するこ
とができ、導電性部材32と絶縁層31のz軸方向の長
さを変化させることによって、再生時の波長方向の分解
能を制御することができる。
Similarly, in FIG. 1, when the thin-film magnetic head is configured such that the horizontal direction (x-axis direction in the drawing) is the reproduction track width direction of the magnetic recording medium 12 in FIG. The reproduction track width can be controlled by the length in the direction, and the resolution in the wavelength direction at the time of reproduction can be controlled by changing the length of the conductive member 32 and the insulating layer 31 in the z-axis direction.

【0069】したがって、絶縁層と磁気抵抗効果層など
の複数層の膜厚の和によって、再生時の分解能が制約さ
れていた従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりも、絶縁
層31の膜厚によって分解能や再生トラック幅を精度よ
く制御することができる本発明の薄膜磁気ヘッドの方
が、読み取りの際の限界波長を短くし、再生トラック幅
を狭くすることが可能である。
Therefore, compared to the conventional shield type thin film magnetic head in which the resolution at the time of reproduction is restricted by the sum of the film thicknesses of the insulating layer and a plurality of layers such as the magnetoresistive layer, the film thickness of the insulating layer 31 depends on the film thickness. The thin-film magnetic head of the present invention, which can control the reproduction track width with high precision, can shorten the limit wavelength at the time of reading and narrow the reproduction track width.

【0070】なお、本実施の形態では、導電性部材32
を、導電性材料一層で形成したが、図4または図5に示
すように、導電性部材32を、非磁性絶縁層35とその
表面に形成した導電層15とによって構成しても本発明
の効果は同じである。また、この場合、センス電流Is
を入出力しやすくするために、図4または図5に示すよ
うに、電極端子となる導電層15を支持基体14の表面
に形成してもよい。
In this embodiment, the conductive member 32
Is formed of a single conductive material. However, as shown in FIG. 4 or FIG. 5, the conductive member 32 may be constituted by the nonmagnetic insulating layer 35 and the conductive layer 15 formed on the surface thereof. The effect is the same. In this case, the sense current Is
4 or 5, a conductive layer 15 serving as an electrode terminal may be formed on the surface of the support base 14, as shown in FIG. 4 or FIG.

【0071】なお、本実施の形態では、導電性部材32
を、金属導電性材料を用いて形成しているが、導電性の
ある材料であれば、金属以外に例えば有機材料を用いて
も本発明の効果に影響がないことは言うまでもない。
In this embodiment, the conductive member 32
Is formed using a metal conductive material, but needless to say, the use of an organic material other than metal, for example, does not affect the effects of the present invention as long as the material has conductivity.

【0072】なお、本実施の形態では、絶縁層31を、
金属酸化膜や金属窒化膜等の無機材料を用いて形成して
いるが、高抵抗な材料であれば、例えば樹脂等の有機材
料を用いても本発明の効果に影響がないことは言うまで
もない。
In this embodiment, the insulating layer 31 is
Although formed using an inorganic material such as a metal oxide film or a metal nitride film, it goes without saying that the effects of the present invention are not affected even if an organic material such as a resin is used as long as the material has high resistance. .

【0073】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
11中のフリー磁性層64を磁気記録媒体側に形成した
が、フリー磁性層64が支持基体14側に、反強磁性層
61が磁気記録媒体側に形成されても、若干再生効率は
低下するが本発明の効果を有する。また、反強磁性層、
固定磁性層、非磁性導電層、フリー磁性層、非磁性導電
層、固定磁性層及び反強磁性層で構成されたGMR層を
用いても、同様の効果を有する。
In this embodiment, the free magnetic layer 64 in the magnetoresistive layer 11 is formed on the magnetic recording medium side, but the free magnetic layer 64 is on the support base 14 side and the antiferromagnetic layer 61 is on the magnetic recording medium side. Even if it is formed on the recording medium side, the effect of the present invention is obtained although the reproduction efficiency is slightly lowered. Also, an antiferromagnetic layer,
The same effect is obtained by using a GMR layer including a fixed magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, a free magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, a fixed magnetic layer, and an antiferromagnetic layer.

【0074】(第2の実施の形態)図6(a)は、本発
明の第2の実施の形態における薄膜磁気ヘッドを磁気記
録媒体12側から見た正面図であり、図6(b)は本発
明の第2の実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構造を
示す図6(a)のB−B面に沿った断面図である。
(Second Embodiment) FIG. 6A is a front view of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention, as viewed from the magnetic recording medium 12, and FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a structure of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention, taken along the plane BB of FIG. 6A.

【0075】図6(a)及び図6(b)においては、本
発明の第1の実施の形態と同じ構成要素には同符号を付
した。
In FIG. 6A and FIG. 6B, the same components as those in the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals.

【0076】本実施の形態においては、薄膜磁気ヘッド
の磁気記録媒体12に対向すべき面には磁気抵抗効果層
11が、図中z方向にある一定の幅で形成されている。
In this embodiment, a magnetoresistive layer 11 is formed on the surface of the thin film magnetic head which is to face the magnetic recording medium 12 with a certain width in the z direction in the figure.

【0077】図6(a)及び図6(b)に示した薄膜磁
気ヘッドにおいて、一対の導電性部材32の間にセンス
電流Isを流すと、導電性部材32−絶縁層31近傍の
磁気抵抗効果層11−導電性部材32の順に電流が流れ
る。この際、図6(a)のz軸方向について比較した場
合、磁気抵抗効果層11は導電性部材32よりも短く形
成されているので、磁気抵抗効果層11のz軸方向には
全域に亘って、x軸方向には絶縁層31と接触する領域
のみにセンス電流Isが流れ、この領域がセンス領域3
3となる。
In the thin-film magnetic head shown in FIGS. 6A and 6B, when a sense current Is flows between the pair of conductive members 32, the magnetoresistance between the conductive member 32 and the insulating layer 31 is reduced. A current flows in the order of the effect layer 11 and the conductive member 32. At this time, when compared in the z-axis direction in FIG. 6A, since the magnetoresistive layer 11 is formed shorter than the conductive member 32, the magnetoresistive layer 11 covers the entire region in the z-axis direction. Therefore, the sense current Is flows only in a region in contact with the insulating layer 31 in the x-axis direction.
It becomes 3.

【0078】本実施の形態においては、絶縁層31のx
軸方向の長さと、磁気抵抗効果層11のz軸方向の長さ
を変化させることによって容易にセンス領域33の大き
さを制御できる。
In the present embodiment, x of the insulating layer 31
The size of the sense region 33 can be easily controlled by changing the length in the axial direction and the length of the magnetoresistive layer 11 in the z-axis direction.

【0079】この薄膜磁気ヘッドを使用する際の磁気記
録媒体に対する配置方向によって、再生時の波長方向の
分解能と、トラック幅を容易に制御できることは、本発
明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同様である。
The resolution in the wavelength direction at the time of reproduction and the track width can be easily controlled by the arrangement direction of the thin-film magnetic head with respect to the magnetic recording medium when using the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention. Same as the head.

【0080】次に、本発明の第1の実施の形態及び第2
の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドの効果について説
明する。
Next, the first embodiment and the second embodiment of the present invention will be described.
The effect of the thin-film magnetic head described in the embodiment will be described.

【0081】本発明の第1の実施の形態及び第2の実施
の形態における薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果層11
が磁気記録媒体12に直接対向する構成になっているた
めに、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドと比較して、飛
躍的に多くの磁束を取り込むことができる。
The thin-film magnetic head according to the first and second embodiments of the present invention has
Is directly opposed to the magnetic recording medium 12, so that much more magnetic flux can be taken in as compared with a conventional shielded thin film magnetic head.

【0082】図8(a)及び図8(b)は、磁気記録媒
体12上に記録された磁化領域21から発生する磁束の
流れを示す図である。従来のシールド型薄膜磁気ヘッド
として図7(b)に示す構造の薄膜磁気ヘッドの磁束の
流れを図8(b)に、また本発明の薄膜磁気ヘッドのモ
デルとして図7(a)に示す構造を仮定した場合の磁束
の流れを図8(a)に示す。
FIGS. 8A and 8B are diagrams showing the flow of the magnetic flux generated from the magnetized area 21 recorded on the magnetic recording medium 12. FIG. FIG. 8B shows the flow of magnetic flux of the thin-film magnetic head having the structure shown in FIG. 7B as a conventional shielded thin-film magnetic head, and FIG. 7A shows a model of the thin-film magnetic head of the present invention. FIG. 8 (a) shows the flow of the magnetic flux in the case of assuming.

【0083】図7(a)に示した本発明の薄膜磁気ヘッ
ドでは、磁気抵抗効果層11と磁気記録媒体12とが対
向し、磁気抵抗効果層11全体を磁気記録媒体12に非
常に接近させることができる。それに対して、図7
(b)に示す構成の従来のシールド型薄膜磁気ヘッドで
は、磁気抵抗効果層11が一対のシールド層13間に存
在するために、磁気抵抗効果層11の一端が磁気記録媒
体12に非常に近づくが、他端は大きく離れてしまう。
In the thin-film magnetic head of the present invention shown in FIG. 7A, the magnetoresistive layer 11 and the magnetic recording medium 12 face each other, and the entire magnetoresistive layer 11 is brought very close to the magnetic recording medium 12. be able to. In contrast, FIG.
In the conventional shielded thin-film magnetic head having the configuration shown in FIG. 2B, one end of the magnetoresistive layer 11 is very close to the magnetic recording medium 12 because the magnetoresistive layer 11 exists between the pair of shield layers 13. However, the other end is largely separated.

【0084】このため、図8(a)及び図8(b)に示
すように、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、記録され
た磁化領域21からセンス領域33に流れる磁束量は、
従来のシールド型薄膜磁気ヘッドのセンス領域33に流
れる磁束量に比べて増加する。本発明の薄膜磁気ヘッド
の場合は、記録された磁化領域21から発生した磁束の
うちのほとんどの磁束が磁気抵抗効果層11に流れ込ん
でいるが、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドの場合は一
部の磁束しか磁気抵抗効果層11に流れ込んでいない。
図8(a)及び図8(b)中の磁束線の本数で比較する
と、本発明の薄膜磁気ヘッドでは6本、従来のシールド
型薄膜磁気ヘッドでは約2本(場所によって異なるが、
センス領域33全体の平均値)の磁束線がセンス領域3
3に流れている。
For this reason, as shown in FIGS. 8A and 8B, in the thin-film magnetic head of the present invention, the amount of magnetic flux flowing from the recorded magnetization region 21 to the sense region 33 is:
It increases compared with the amount of magnetic flux flowing in the sense region 33 of the conventional shield type thin film magnetic head. In the case of the thin-film magnetic head of the present invention, most of the magnetic flux generated from the recorded magnetized region 21 flows into the magneto-resistance effect layer 11, but in the case of the conventional shield type thin-film magnetic head, a part thereof Only the magnetic flux flows into the magnetoresistive layer 11.
Comparing the number of magnetic flux lines in FIGS. 8A and 8B, the thin film magnetic head of the present invention has six magnetic lines and the shielded thin film magnetic head of the related art has approximately two magnetic lines.
The magnetic flux lines of the sense region 33 (average value of the entire sense region 33)
3 is flowing.

【0085】さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁
気ギャップをいくら小さくしても、磁気抵抗効果層11
に流入する磁束量が減少しない。図9に、従来のシール
ド型薄膜磁気ヘッドで磁気ギャップとなる上下シールド
間距離を変化させた時の磁気抵抗効果層11に流れ込む
磁束量の変化と、本発明の薄膜磁気ヘッドで磁気ギャッ
プを変化させた時のセンス領域33に流れる磁束量の変
化を示す。
Further, in the thin film magnetic head of the present invention, no matter how small the magnetic gap is, the magnetoresistive layer 11
The amount of magnetic flux flowing into the device does not decrease. FIG. 9 shows a change in the amount of magnetic flux flowing into the magnetoresistive layer 11 when the distance between the upper and lower shields, which is a magnetic gap in the conventional shield type thin film magnetic head, is changed, and a change in the magnetic gap in the thin film magnetic head of the present invention. 7 shows a change in the amount of magnetic flux flowing through the sense region 33 when this is performed.

【0086】図9より、従来のシールド型薄膜磁気ヘッ
ドの場合は、上下シールド間距離を小さくすることによ
り大幅に磁束量が減少しているが、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの場合は、磁気ギャップを小さくしてもほとんど磁
束量の変化が生じない。
As shown in FIG. 9, in the case of the conventional shield type thin film magnetic head, the amount of magnetic flux is greatly reduced by reducing the distance between the upper and lower shields. Even if is reduced, the amount of magnetic flux hardly changes.

【0087】これは、従来のシールド型薄膜磁気ヘッド
では、上下シールド間距離を小さくすると磁気抵抗効果
層11とシールド13との間の磁気抵抗が低下するため
に、磁気記録媒体12から発生した磁束がシールド層1
3に漏れ易くなってしまうからである。そのため、短波
長化のためにシールド層13間距離を短くすると磁気抵
抗効果層11に流れる磁束量が減少し、結果的に再生効
率が低下する。
In the conventional shield type thin film magnetic head, when the distance between the upper and lower shields is reduced, the magnetic resistance between the magnetoresistive layer 11 and the shield 13 is reduced. Is the shield layer 1
This is because it is easy to leak to No. 3. Therefore, when the distance between the shield layers 13 is shortened to shorten the wavelength, the amount of magnetic flux flowing through the magnetoresistive layer 11 decreases, and as a result, the reproduction efficiency decreases.

【0088】それに対して、本発明の薄膜磁気ヘッドで
は、磁気ギャップを小さくしても、磁気ヘッドとしての
基本的な構造は変化しないで、センス電流Isが流れる
センス領域33の大きさのみが変化する。そのため、短
波長化のために磁気ギャップを小さくしても磁気抵抗効
果層11に流れる磁束量は変化せず、再生効率も殆ど変
化しない。
On the other hand, in the thin-film magnetic head of the present invention, even if the magnetic gap is reduced, the basic structure of the magnetic head does not change, and only the size of the sense region 33 through which the sense current Is flows changes. I do. Therefore, even if the magnetic gap is reduced to shorten the wavelength, the amount of magnetic flux flowing through the magnetoresistance effect layer 11 does not change, and the reproduction efficiency hardly changes.

【0089】なお、図10(a)に示すように、絶縁層
31と導電性部材32との界面と、磁気抵抗効果層11
の膜面とが直交しない場合、または図10(b)に示す
ように絶縁層31のx軸方向の長さが均一でない場合で
も本発明の第1の実施の形態及び第2の実施の形態に示
した薄膜磁気ヘッドと同様の効果を有することは言うま
でもない。また、絶縁層として金属酸化膜や金属窒化膜
等の材料だけでなく樹脂材料などを用いることにより、
図10(b)に示すような絶縁層31の形状を容易に形
成することができる。
As shown in FIG. 10A, the interface between the insulating layer 31 and the conductive member 32 and the magnetoresistive layer 11
1 and 2 of the present invention even when the film surface is not orthogonal to the film surface or when the length of the insulating layer 31 in the x-axis direction is not uniform as shown in FIG. Needless to say, the same effects as those of the thin film magnetic head shown in FIG. In addition, by using a resin material as well as a material such as a metal oxide film and a metal nitride film as an insulating layer,
The shape of the insulating layer 31 as shown in FIG. 10B can be easily formed.

【0090】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、セン
ス電流Isが導電性部材32−絶縁層31近傍の磁気抵
抗効果層11−導電性部材32の順に流れるために、磁
気抵抗効果層11の膜面内方向にセンス電流Isが流れ
る必要がある。
In the thin-film magnetic head of the present invention, the sense current Is flows through the conductive member 32, the magnetoresistive layer 11 near the insulating layer 31, and the conductive member 32 in this order. The sense current Is needs to flow in the in-plane direction.

【0091】そのため、磁気抵抗効果層11としては、
膜面内方向にセンス電流Isを流して抵抗変化を検出す
ることができるものが好適であり、GMR層の他に、例
えば異方性磁気抵抗効果層(以下AMR層と記す)を用
いることができる。GMR層を用いた場合には、AMR
層を用いた場合よりもその磁気抵抗効果の効率が高いた
めに、薄膜磁気ヘッドを形成した場合、その再生性能を
向上することができる。
Therefore, as the magnetoresistive layer 11,
It is preferable that a change in resistance can be detected by flowing a sense current Is in the in-plane direction of the film. It is preferable to use, for example, an anisotropic magnetoresistance effect layer (hereinafter, referred to as an AMR layer) in addition to the GMR layer. it can. When a GMR layer is used, the AMR
Since the efficiency of the magnetoresistive effect is higher than in the case of using a layer, when a thin-film magnetic head is formed, its reproducing performance can be improved.

【0092】また、磁気抵抗効果層11としてGMR層
を用いた場合、Ruなどの非磁性材料を介して対向する
一対の強磁性材料で構成された固定磁性層を用いたり、
2種類以上の強磁性材料が積層されたフリー磁性層を用
いた場合でも本発明の第1の実施の形態及び第2の実施
の形態の薄膜磁気ヘッドと同様の効果を有することは言
うまでもない。
When a GMR layer is used as the magnetoresistive layer 11, a fixed magnetic layer composed of a pair of ferromagnetic materials facing each other via a nonmagnetic material such as Ru may be used.
Needless to say, even when a free magnetic layer in which two or more types of ferromagnetic materials are stacked is used, the same effects as those of the thin-film magnetic heads of the first and second embodiments of the present invention are obtained.

【0093】更に、磁気抵抗効果層11を形成する際
に、上記していない、例えば下地膜またはパッシベーシ
ョン膜などを形成しても本発明の第1の実施の形態及び
第2の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同様の効果を有す
ることは言うまでもない。
Further, when the magnetoresistive layer 11 is formed, even if a base film or a passivation film, which is not described above, is formed, the first embodiment and the second embodiment of the present invention may be formed. Needless to say, it has the same effect as the thin film magnetic head.

【0094】以上のように本発明の第1の実施の形態及
び第2の実施の形態の薄膜磁気ヘッドによれば、従来の
シールド型薄膜磁気ヘッドに比べて良好な再生効率を実
現することができる。
As described above, according to the thin-film magnetic heads of the first and second embodiments of the present invention, it is possible to realize better reproduction efficiency than the conventional shield type thin-film magnetic head. it can.

【0095】なお、本発明の第1の実施の形態及び第2
の実施の形態の薄膜磁気ヘッドにおいて、センス領域3
3を制御できる磁気抵抗効果層11、あるいは導電性部
材32の幅とは、一対の導電性部材32に挟まれた絶縁
層31近傍部分の幅である。そのため、図11(a)に
示すように、磁気抵抗効果層11の形状が絶縁層31近
傍以外の部分で広がっているように構成しても、また図
11(b)に示すように、導電性部材32の形状が絶縁
層31近傍以外の部分で広がっているように構成して
も、本発明の第1の実施の形態及び第2の実施の形態の
薄膜磁気ヘッドと同様の効果を有することは明らかであ
る。
The first embodiment and the second embodiment of the present invention
In the thin-film magnetic head of the embodiment, the sense region 3
The width of the magnetoresistive layer 11 or the conductive member 32 that can control 3 is the width of a portion near the insulating layer 31 sandwiched between the pair of conductive members 32. For this reason, as shown in FIG. 11A, even if the configuration of the magnetoresistive effect layer 11 is widened in a portion other than the vicinity of the insulating layer 31, as shown in FIG. The same effect as the thin film magnetic heads according to the first and second embodiments of the present invention can be obtained even if the configuration of the conductive member 32 is expanded so as to extend in a portion other than the vicinity of the insulating layer 31. It is clear.

【0096】(第3の実施の形態)図12は本発明の第
3の実施の形態における薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体
12側から見た正面図であり、図13は、本発明の第3
の実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構造を示す断面
図である。
(Third Embodiment) FIG. 12 is a front view of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention as viewed from the magnetic recording medium 12, and FIG. 13 is a third embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of a thin-film magnetic head according to the embodiment.

【0097】本発明の第3の実施の形態における薄膜磁
気ヘッドが、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と
最も異なるところは、絶縁層31を介して対向している
一対の導電性部材151が軟質磁性材料で構成されてい
る点である。この軟質磁性材料としては、例えばパーマ
ロイ、Co系アモルファス磁性膜、またはFe系微粒子
磁性膜から選択された材料を用いることができる。
The most different point of the thin film magnetic head according to the third embodiment of the present invention from the first embodiment and the second embodiment is that a pair of conductive films opposed to each other with an insulating layer 31 interposed therebetween. In that the elastic member 151 is made of a soft magnetic material. As the soft magnetic material, for example, a material selected from permalloy, a Co-based amorphous magnetic film, or an Fe-based fine particle magnetic film can be used.

【0098】また、図12において、x軸方向を再生ト
ラック幅方向とし、z軸方向を記録波長方向にして薄膜
磁気ヘッドを形成する。
In FIG. 12, a thin-film magnetic head is formed with the x-axis direction being the reproduction track width direction and the z-axis direction being the recording wavelength direction.

【0099】このような構成にすることにより、軟質磁
性材料である導電性部材151が磁気シールドとして機
能するので、隣接トラックに記録された磁化からの磁束
をセンス領域33に流れ難くする、つまりノイズ低減と
いう効果を奏することができる。
With such a configuration, the conductive member 151, which is a soft magnetic material, functions as a magnetic shield, so that it is difficult for the magnetic flux from the magnetization recorded on the adjacent track to flow to the sense region 33, that is, noise. The effect of reduction can be achieved.

【0100】これは、磁気記録媒体12上の隣接トラッ
クと対向する部分に軟質磁性材料である導電性部材15
1が存在するので、隣接トラック上の記録磁化から発生
した磁束が軟質磁性材料で形成された導電性部材151
に流れ込むためである。そのため、隣接トラックからの
ノイズを低減することが可能となる。導電性部材として
非磁性導電材料を用いた場合でも、隣接トラックと対向
する部分の磁気抵抗効果層11の大きさを大きくすれば
同様のノイズ低減効果を有するが、軟質磁性材料からな
る導電性部材151を用いた方が、その磁気抵抗が小さ
いためにノイズ低減効果も大きい。
This is because a conductive member 15 made of a soft magnetic material is provided on a portion of the magnetic recording medium 12 facing an adjacent track.
1 exists, the magnetic flux generated from the recording magnetization on the adjacent track has a conductive member 151 made of a soft magnetic material.
It is because it flows into. Therefore, noise from the adjacent track can be reduced. Even when a nonmagnetic conductive material is used as the conductive member, the same noise reduction effect can be obtained by increasing the size of the magnetoresistive layer 11 in a portion facing the adjacent track, but the conductive member made of a soft magnetic material The use of 151 is more effective in reducing noise because of its lower magnetic resistance.

【0101】図14に、磁気記録媒体12上に記録され
た磁化領域21から発生する磁束の流れを示す。これに
よれば、絶縁層31を介して軟質磁性材料からなる一対
の導電性部材151が対向しているため、センス領域3
3を通らずに絶縁層31を通る磁束が多数生じている。
そのため、本発明の第1の実施の形態、及び第2の実施
の形態における薄膜磁気ヘッドのように、導電性部材を
非磁性導電材料で構成した場合に比べて再生効率が低下
してしまう。
FIG. 14 shows a flow of a magnetic flux generated from the magnetized area 21 recorded on the magnetic recording medium 12. According to this, the pair of conductive members 151 made of a soft magnetic material face each other with the insulating layer 31 interposed therebetween.
Many magnetic fluxes that pass through the insulating layer 31 without passing through 3 are generated.
Therefore, the reproduction efficiency is reduced as compared with the case where the conductive member is made of a non-magnetic conductive material as in the thin film magnetic head according to the first and second embodiments of the present invention.

【0102】しかしながら、従来のシールド型薄膜磁気
ヘッドと比較すると、再生効率は改善されることが明ら
かである。図8(a)、図8(b)及び図14に示され
た磁束の流れを比較すると、導電性部材が非磁性導電材
料で形成された場合(図8(a))のセンス領域33に
流れる磁束量が6であるのに対して、導電性部材が軟質
磁性材料で形成された場合(図14)は4、従来のシー
ルド型薄膜磁気ヘッドの場合(図8(b))は2の比率
になる。
However, it is apparent that the reproduction efficiency is improved as compared with the conventional shield type thin film magnetic head. A comparison of the magnetic flux flows shown in FIGS. 8A, 8B and 14 shows that the sense region 33 in the case where the conductive member is formed of a non-magnetic conductive material (FIG. 8A) While the amount of magnetic flux flowing is 6, the case where the conductive member is formed of a soft magnetic material (FIG. 14) is 4 and the case of the conventional shielded thin-film magnetic head (FIG. 8B) is 2. Ratio.

【0103】また、導電性部材として軟質磁性材料を用
いた、本発明の第3の実施の形態においては、例えば図
10(b)に示した構成のように、磁気抵抗効果層11
と近接する部分以外の絶縁層31のx軸方向の長さを長
く形成することによって、再生効率を改善し、導電性部
材が非磁性導電材料で形成された場合の薄膜磁気ヘッド
の再生効率に近づけることが可能である。
In the third embodiment of the present invention in which a soft magnetic material is used as the conductive member, for example, as shown in FIG.
By increasing the length of the insulating layer 31 in the x-axis direction other than the portion close to the above, the reproduction efficiency is improved, and the reproduction efficiency of the thin-film magnetic head when the conductive member is formed of a non-magnetic conductive material is improved. It is possible to get closer.

【0104】また、図1中のパッシベーション層34を
高抵抗軟質磁性膜で形成しても、隣接トラックからのノ
イズを低減することが可能である。
Further, even if the passivation layer 34 in FIG. 1 is formed of a high-resistance soft magnetic film, noise from adjacent tracks can be reduced.

【0105】なお、本発明の第1の実施の形態、第2の
実施の形態、または第3の実施の形態に記した薄膜磁気
ヘッドにおいて、その磁気抵抗効果層11の磁気記録媒
体12に対向した面上に、保護層を形成しておけば、磁
気抵抗効果層11を破損や酸化等から保護することがで
きる。保護層の材料としては、例えばDLC(ダイアモ
ンド状カーボン)、TiN、CrN、BN、CNまたは
ta−C(Tetrahedral Amorphou
s Carbon)から選択された材料を用いることが
できる。この場合も本発明の薄膜磁気ヘッドの効果は損
なわれるものではない。
In the thin-film magnetic head described in the first, second, or third embodiment of the present invention, the magneto-resistance effect layer 11 of the thin-film magnetic head faces the magnetic recording medium 12. If a protective layer is formed on the surface, the magnetoresistive layer 11 can be protected from damage, oxidation, and the like. As a material of the protective layer, for example, DLC (diamond-like carbon), TiN, CrN, BN, CN or ta-C (Tetrahedral Amorphous) is used.
s Carbon) can be used. Also in this case, the effect of the thin-film magnetic head of the present invention is not impaired.

【0106】(第4の実施の形態)図15から図18ま
での図面は、本発明の第4の実施の形態における、薄膜
磁気ヘッドの製造方法を説明するための工程概要説明図
である。
(Fourth Embodiment) FIGS. 15 to 18 are schematic diagrams illustrating the steps for explaining a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【0107】まず図15(a)に示すように、AlTi
Cを材料とし、その上に絶縁膜、例えばAl23からな
る基板181上に、非磁性導電材料、例えばCu、C
r、TaまたはAuのうちから選択される材料、もしく
は軟質磁性材料(磁性導電材料)、例えばパーマロイ、
Co系アモルファス磁性膜またはFe系微粒子磁性膜か
ら選択される材料を用いて第1の導電層182を形成す
る。
First, as shown in FIG.
C on a substrate 181 made of an insulating film, for example, Al 2 O 3.
a material selected from the group consisting of r, Ta, and Au, or a soft magnetic material (magnetic conductive material) such as Permalloy;
The first conductive layer 182 is formed using a material selected from a Co-based amorphous magnetic film or a Fe-based fine particle magnetic film.

【0108】次に図15(b)に示すように、その上に
非磁性絶縁材料、例えばAl23、AlN、SiO2
たは樹脂から選択される材料を少なくとも1種類以上用
いて絶縁層183を形成する。
Next, as shown in FIG. 15B, an insulating layer 183 is formed thereon by using at least one kind of nonmagnetic insulating material, for example, a material selected from Al 2 O 3 , AlN, SiO 2 or resin. To form

【0109】次に、図15(c)に示すように、非磁性
導電材料、例えばCu、Cr、TaもしくはAuのうち
から選択される材料、または軟質磁性材料(磁性導電材
料)、例えばパーマロイ、Co系アモルファス磁性膜も
しくはFe系微粒子磁性膜から選択される材料を用いて
第2の導電層184を形成する。
Next, as shown in FIG. 15C, a non-magnetic conductive material, for example, a material selected from Cu, Cr, Ta or Au, or a soft magnetic material (magnetic conductive material), for example, Permalloy, The second conductive layer 184 is formed using a material selected from a Co-based amorphous magnetic film or a Fe-based fine particle magnetic film.

【0110】次に、図15(d)に示すように、第1の
導電層182、絶縁層183及び第2の導電層184の
不要な部分を削る。
Next, as shown in FIG. 15D, unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 are removed.

【0111】更にその上に、図15(e)に示すよう
に、非磁性絶縁材料、例えばAl23、または樹脂から
なる材料を用いてパッシベーション層185を形成す
る。
Further, as shown in FIG. 15E, a passivation layer 185 is formed using a nonmagnetic insulating material, for example, a material made of Al 2 O 3 or resin.

【0112】次に、図16中のz軸方向に沿って基板を
切断して複数の素子が1列に並んだ短冊状体191を作
製し、図17に示すように、切断面(xz平面)を上に
して治具201に複数の短冊状体191を貼り付ける。
Next, the substrate is cut along the z-axis direction in FIG. 16 to form a strip 191 in which a plurality of elements are arranged in one line, and as shown in FIG. A plurality of strips 191 are attached to the jig 201 with the parentheses) facing upward.

【0113】次に、短冊状体191の切断面を平面研磨
し、第1の導電層182、絶縁層183及び第2の導電
層184を有する研磨面を形成する。
Next, the cut surface of the strip 191 is planarly polished to form a polished surface having the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184.

【0114】次に、図18に示すように、研磨面の上に
磁気抵抗効果層211を形成して、所定の大きさに切断
し、薄膜磁気ヘッドを形成する。
Next, as shown in FIG. 18, a magnetoresistive layer 211 is formed on the polished surface and cut into a predetermined size to form a thin-film magnetic head.

【0115】短冊状体191の切断面を平面研磨するこ
とにより、高性能で安定した特性の磁気抵抗効果層21
1を形成することが可能になると共に、第1の導電層1
82、絶縁層183、第2の導電層184の研磨面形状
を精度良く加工することも可能である。
The cut surface of the strip 191 is planarly polished so that the magnetoresistive layer 21 having high performance and stable characteristics can be obtained.
1 and the first conductive layer 1
It is also possible to process the polished surface shapes of the insulating layer 183, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 with high accuracy.

【0116】このようにして図1及び図2に示すような
本発明の第1の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドを作
製することができる。
Thus, the thin film magnetic head shown in FIGS. 1 and 2 according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

【0117】つまり、図15(b)に示した工程におい
て絶縁層183を形成する厚みや、図15(d)に示し
た工程において、第1の導電層182、絶縁層183、
及び第2の導電層184を切断する際のz軸方向の長さ
を制御することにより、読み取れる記録波長の分解能
や、再生トラック幅を簡易に制御することができる。ま
た、平面研磨後に研磨面を加工して第1の導電層18
2、絶縁層183および第2の導電層184の不要な部
分を削ることによって、絶縁層183近傍の第1の導電
層182および第2の導電層184のz軸方向の長さを
制御することも可能である。
In other words, in the step shown in FIG. 15B, the thickness of the insulating layer 183 is formed, and in the step shown in FIG. 15D, the first conductive layer 182, the insulating layer 183,
In addition, by controlling the length in the z-axis direction when cutting the second conductive layer 184, the resolution of the readable recording wavelength and the reproduction track width can be easily controlled. Further, after the planar polishing, the polished surface is processed to form the first conductive layer 18.
2. Controlling the length of the first conductive layer 182 and the second conductive layer 184 near the insulating layer 183 in the z-axis direction by cutting unnecessary portions of the insulating layer 183 and the second conductive layer 184 Is also possible.

【0118】なお、図18に示した工程の後に、保護層
を形成する工程を有しても良い。
Note that a step of forming a protective layer may be provided after the step shown in FIG.

【0119】(第5の実施の形態)図19を用いて、本
発明の第5の実施の形態である、薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する。
(Fifth Embodiment) A method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0120】本発明の第5の実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、磁気抵抗効果層211を選択的
に形成することにより、図6(a)及び図6(b)に示
した本発明の第2の実施の形態の薄膜磁気ヘッドを製造
することができる。図19に示すように、磁気抵抗効果
層211を選択的に形成する方法としては、磁気抵抗効
果層211の形成を行った後に、フォトリソグラフィー
を用いてレジストマスクを形成し、イオンビームエッチ
ング等で所要の部分を残して他の部分を削る方法、また
はFIB(Focused Ion Beam)法で所要
の部分を残して他の部分を削る方法がある。また、フォ
トリソグラフィーを用いてレジストマスクを形成後に磁
気抵抗効果層211を形成し、リフトオフで行うことも
可能である。また、磁気抵抗効果層211の膜厚は数十
nm以下と薄いため、微細パターンを精度良く形成する
ことが可能である。
In the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the fifth embodiment of the present invention, the magneto-resistance effect layer 211 is selectively formed, thereby forming the book shown in FIGS. 6A and 6B. The thin-film magnetic head according to the second embodiment of the present invention can be manufactured. As shown in FIG. 19, as a method for selectively forming the magnetoresistive layer 211, after forming the magnetoresistive layer 211, a resist mask is formed using photolithography, and ion beam etching or the like is performed. There is a method of shaving other portions while leaving a necessary portion, or a method of shaving other portions while leaving a necessary portion by a FIB (Focused Ion Beam) method. Alternatively, it is also possible to form the magnetoresistive layer 211 after forming a resist mask using photolithography and perform lift-off. Further, since the thickness of the magnetoresistive layer 211 is as thin as several tens nm or less, a fine pattern can be formed with high accuracy.

【0121】つまり、図15(b)に示した工程におい
て絶縁層183を形成する厚みや、図19に示した工程
において、磁気抵抗効果層211を形成する際のz軸方
向の長さを制御することにより、読み取れる記録波長の
分解能や、再生トラック幅を簡易に制御することができ
る。
That is, the thickness for forming the insulating layer 183 in the step shown in FIG. 15B and the length in the z-axis direction when forming the magnetoresistive layer 211 in the step shown in FIG. 19 are controlled. By doing so, it is possible to easily control the resolution of the readable recording wavelength and the reproduction track width.

【0122】なお、図19に示した磁気抵抗効果層21
1を形成した工程の後に、保護層を形成する工程を有し
ても良い。
The magnetoresistive layer 21 shown in FIG.
After the step of forming 1, a step of forming a protective layer may be provided.

【0123】(第6の実施の形態)図20及び図21
は、本発明の第6の実施の形態である薄膜磁気ヘッドの
製造工程を説明するための工程概要説明図である。以
下、図面を用いて薄膜磁気ヘッドの製造方法を各工程順
に説明する。
(Sixth Embodiment) FIGS. 20 and 21
FIG. 14 is a schematic process explanatory view for explaining a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the sixth embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing the thin-film magnetic head will be described in order of each step with reference to the drawings.

【0124】図20(a)に示すように、AlTiC等
を材料とし、その上に絶縁膜、例えばAl23を有する
基板181上に、非磁性導電材料、例えばCu、Cr、
TaもしくはAuから選択された材料、または軟質磁性
材料(磁性導電材料)、例えばパーマロイ、Co系アモ
ルファス磁性膜もしくはFe系微粒子磁性膜から選択さ
れた材料を用いて第1の導電層182を形成する。
As shown in FIG. 20A, a non-magnetic conductive material such as Cu, Cr, or the like is formed on a substrate 181 having AlTiC or the like as a material and having an insulating film thereon such as Al 2 O 3 thereon.
The first conductive layer 182 is formed using a material selected from Ta or Au, or a soft magnetic material (magnetic conductive material), for example, a material selected from permalloy, Co-based amorphous magnetic film, or Fe-based fine particle magnetic film. .

【0125】次に、図20(b)に示すように、第1の
導電層182の一部を削って、その導電層の端面を露出
させる。
Next, as shown in FIG. 20B, a part of the first conductive layer 182 is shaved to expose an end face of the conductive layer.

【0126】次に、図20(c)に示すように、その上
に非磁性絶縁材料、例えばAl23、AlN、SiO2
或いは樹脂から選択された材料を少なくとも1種類以上
用いて絶縁層183を形成する。
Next, as shown in FIG. 20C, a non-magnetic insulating material, for example, Al 2 O 3 , AlN, SiO 2
Alternatively, the insulating layer 183 is formed using at least one material selected from resins.

【0127】次に、図20(d)に示すように、非磁性
導電材料、例えばCu、Cr、TaもしくはAuのうち
から選択される材料、または軟質磁性材料(磁性導電材
料)、例えばパーマロイ、Co系アモルファス磁性膜も
しくはFe系微粒子磁性膜から選択される材料を用いて
第2の導電層184を形成する。
Next, as shown in FIG. 20D, a non-magnetic conductive material, for example, a material selected from Cu, Cr, Ta, or Au, or a soft magnetic material (magnetic conductive material), for example, Permalloy, The second conductive layer 184 is formed using a material selected from a Co-based amorphous magnetic film or a Fe-based fine particle magnetic film.

【0128】次に、図21(a)に示すように、第1の
導電層182、絶縁層183及び第2の導電層184の
不要な部分を削る。
Next, as shown in FIG. 21A, unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 are removed.

【0129】次に、その上に、図21(b)に示すよう
に、非磁性絶縁材料、例えばAl23や樹脂から選択さ
れた材料を用いてパッシベーション層185を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 21B, a passivation layer 185 is formed thereon using a non-magnetic insulating material, for example, a material selected from Al 2 O 3 or resin.

【0130】次に、図21(c)及び図21(d)に示
すように、平面研磨し、第1の導電層182、絶縁層1
83及び第2の導電層184を有する研磨面を形成す
る。
Next, as shown in FIGS. 21 (c) and 21 (d), the first conductive layer 182 and the insulating layer 1 are polished.
A polished surface including the second conductive layer 83 and the second conductive layer 184 is formed.

【0131】次に、図21(e)に示すように、研磨面
の上に磁気抵抗効果層211を形成して、薄膜磁気ヘッ
ドを形成する。
Next, as shown in FIG. 21E, a magnetoresistive layer 211 is formed on the polished surface to form a thin-film magnetic head.

【0132】なお、図20(b)で示した第1の導電層
182の一部を削るときに、第1の導電層182だけで
はなく第1の導電層182の下にある基板181の一部
を削ったり、第1の導電層182の厚さ方向の一部を残
してもよい。
When a part of the first conductive layer 182 shown in FIG. 20B is shaved, not only the first conductive layer 182 but also the substrate 181 under the first conductive layer 182 is removed. The portion may be cut off or a part of the first conductive layer 182 in the thickness direction may be left.

【0133】また、図21(a)で示した第1の導電層
182、絶縁層183及び第2の導電層184の不要な
部分を削るときに、第1の導電層182の下にある基板
181の一部も削っても良いことは言うまでもない。
When unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 shown in FIG. It goes without saying that a part of the 181 may be removed.

【0134】また、図20(d)で示した第2の導電層
184を形成した後で、図21(a)で示した第1の導
電層182、絶縁層183及び第2の導電層184の不
要な部分を削る前に、xz平面の平面研磨工程を有して
もよい。平面研磨した後に第1の導電層182、絶縁層
183及び第2の導電層184の不要な部分を削ること
により、平面上でのフォトリソグラフィー及び、削る必
要がある膜厚の低減が可能となる。そのため、残したい
部分の寸法精度を向上させることができる。
After forming the second conductive layer 184 shown in FIG. 20D, the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 shown in FIG. Before the unnecessary portions are removed, a plane polishing step of the xz plane may be performed. By shaving unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 after planar polishing, it is possible to perform photolithography on a flat surface and to reduce a film thickness which needs to be shaved. . Therefore, the dimensional accuracy of the part to be left can be improved.

【0135】なお、本実施の形態では、本発明に直接係
わる工程以外の工程は示していないが、他の工程を有し
ても良いことは言うまでもない。
Although the present embodiment does not show steps other than those directly related to the present invention, it goes without saying that other steps may be provided.

【0136】このようにして図1及び図2に示すような
本発明の第1の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドを作
製することができる。
Thus, the thin-film magnetic head shown in FIGS. 1 and 2 according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

【0137】つまり、図20(c)に示した工程におい
て絶縁層183を形成する厚みを制御することにより、
読み取れる記録波長の分解能や、再生トラック幅を簡易
に制御することができる。
That is, by controlling the thickness of the insulating layer 183 in the step shown in FIG.
The resolution of the readable recording wavelength and the reproduction track width can be easily controlled.

【0138】また、本発明の第5の実施の形態と同様
に、図19に示したように、磁気抵抗効果層211を選
択的に形成することにより、図6(a)及び図6(b)
に示す構造の薄膜磁気ヘッドを製造することもできる。
Further, similarly to the fifth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 19, by selectively forming the magnetoresistive effect layer 211, the structure shown in FIGS. )
Can be manufactured.

【0139】また、本発明の第6の実施の形態における
薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、本発明の第4の実
施の形態及び第5の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッド
の製造方法のような、短冊状体の方向を90°倒して並
べ直す、といった、煩雑な工程を経ることなく、所望の
薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
Further, according to the method of manufacturing the thin-film magnetic head of the sixth embodiment of the present invention, the method of manufacturing the thin-film magnetic head shown in the fourth and fifth embodiments of the present invention. Thus, a desired thin-film magnetic head can be obtained without going through a complicated process such as tilting the direction of the strips 90 ° and rearranging them.

【0140】なお、図21(e)に示した工程の後に、
保護層を形成する工程を有しても良い。
After the step shown in FIG.
The method may include a step of forming a protective layer.

【0141】(第7の実施の形態)図22から図26ま
での図面は、本発明の第7の実施の形態における薄膜磁
気ヘッドの製造方法の工程概略図である。
(Seventh Embodiment) FIGS. 22 to 26 are schematic views showing the steps of a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a seventh embodiment of the present invention.

【0142】まず図22(a)に示すように、AlTi
Cを材料とし、その上にAl23の絶縁膜を有する基板
181上に、非磁性導電材料、例えばCu、Cr、Ta
もしくはAuから選択された材料、または軟質磁性材料
(磁性導電材料)、例えばパーマロイ、Co系アモルフ
ァス磁性膜もしくはFe系微粒子磁性膜から選択された
材料を用いて第1の導電層182を形成する。
First, as shown in FIG.
On a substrate 181 made of C and having an insulating film of Al 2 O 3 thereon, a non-magnetic conductive material such as Cu, Cr, Ta
Alternatively, the first conductive layer 182 is formed using a material selected from Au or a soft magnetic material (magnetic conductive material), for example, a material selected from permalloy, a Co-based amorphous magnetic film, or an Fe-based fine particle magnetic film.

【0143】次に、図22(b)に示すように、第1の
導電層182の所要の部分を残して他の部分を削って、
その端面を露出させる。
Next, as shown in FIG. 22 (b), the remaining portion of the first conductive layer 182 is cut away,
The end face is exposed.

【0144】次に、図22(c)に示すように、その上
に非磁性絶縁材料、例えばAl23、AlN、SiO2
または樹脂から選択された材料を少なくとも1種類以上
用いて第1の導電層182を覆うように絶縁層183を
形成する。
Next, as shown in FIG. 22C, a non-magnetic insulating material such as Al 2 O 3 , AlN, SiO 2
Alternatively, the insulating layer 183 is formed to cover the first conductive layer 182 using at least one material selected from resins.

【0145】次に、図22(d)に示すように、非磁性
導電材料、例えばCu、Cr、TaもしくはAuのうち
から選択される材料、または軟質磁性材料(磁性導電材
料)、例えばパーマロイ、Co系アモルファス磁性膜も
しくはFe系微粒子磁性膜から選択される材料を用いて
第2の導電層184を形成する。
Next, as shown in FIG. 22D, a nonmagnetic conductive material, for example, a material selected from Cu, Cr, Ta or Au, or a soft magnetic material (magnetic conductive material), for example, Permalloy, The second conductive layer 184 is formed using a material selected from a Co-based amorphous magnetic film or a Fe-based fine particle magnetic film.

【0146】次に、図23(a)に示すように、第1の
導電層182、絶縁層183及び第2の導電層184の
所要の部分を残して他の部分を削る。
Next, as shown in FIG. 23A, the remaining portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 are cut away except for required portions.

【0147】更にその上に、図23(b)に示すよう
に、非磁性絶縁材料、例えばAl23や樹脂から選択さ
れた材料を用いてパッシベーション層185を形成す
る。
Further, as shown in FIG. 23B, a passivation layer 185 is formed using a non-magnetic insulating material, for example, a material selected from Al 2 O 3 and resin.

【0148】次に、図23(c)及び図23(d)に示
すように、平面研磨し、第1の導電層182、絶縁層1
83及び第2の導電層184を有する研磨面を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 23 (c) and FIG. 23 (d), the first conductive layer 182 and the insulating layer 1 are polished.
A polished surface including the second conductive layer 83 and the second conductive layer 184 is formed.

【0149】次に、図23(e)に示すように、研磨面
上にパッシベーション層186を形成する。
Next, as shown in FIG. 23E, a passivation layer 186 is formed on the polished surface.

【0150】次に、図24中のx軸方向に沿って基板を
切断して複数の素子が1列に並んだ短冊状体291を作
製し、図25に示すように、切断面(xz平面)が上に
なるように治具201に複数の短冊状体291を貼り付
ける。
Next, the substrate is cut along the x-axis direction in FIG. 24 to form a strip-shaped body 291 in which a plurality of elements are arranged in one line, and as shown in FIG. A plurality of strips 291 are attached to the jig 201 so that the parentheses) are on top.

【0151】次に、短冊状体291の切断面を平面研磨
し、第1の導電層182、絶縁層183及び第2の導電
層184を有する研磨面を形成する。
Next, the cut surface of the strip 291 is planarly polished to form a polished surface having the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184.

【0152】次に、図26に示すように、研磨面の上に
磁気抵抗効果層211を形成して、薄膜磁気ヘッドを形
成する。これにより、図1及び図2に示した本発明の第
1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドを作製することができ
る。
Next, as shown in FIG. 26, a magnetoresistive layer 211 is formed on the polished surface to form a thin-film magnetic head. Thus, the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 can be manufactured.

【0153】また、本発明の第5の実施の形態と同様
に、磁気抵抗効果層211の形成を行った後に、図19
に示したように、磁気抵抗効果層211の不要な部分を
削るか、または磁気抵抗効果層211を形成する際に選
択的に形成することにより、図6(a)及び図6(b)
に示す構造の薄膜磁気ヘッドを製造することもできる。
After the formation of the magnetoresistive effect layer 211, as in the fifth embodiment of the present invention, FIG.
6A and 6B, unnecessary portions of the magnetoresistive layer 211 are removed or selectively formed when the magnetoresistive layer 211 is formed.
Can be manufactured.

【0154】また、図22(d)で示した第2の導電層
184を形成した後で、図23(a)で示した第1の導
電層182、絶縁層183及び第2の導電層184の不
要な部分を削る前に、xy平面の平面研磨工程を有して
もよい。平面研磨した後に第1の導電層182、絶縁層
183及び第2の導電層184の不要な部分を削ること
により、平面上でのフォトリソグラフィー及び、削る必
要がある膜厚の低減が可能となる。そのため、残したい
部分の寸法精度を向上させることができる。
After forming the second conductive layer 184 shown in FIG. 22D, the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 shown in FIG. Before the unnecessary portions are removed, a plane polishing step of the xy plane may be included. By shaving unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 after planar polishing, it is possible to perform photolithography on a flat surface and to reduce a film thickness which needs to be shaved. . Therefore, the dimensional accuracy of the part to be left can be improved.

【0155】なお、図26に示した工程の後に、保護層
を形成する工程を有しても良い。
A step of forming a protective layer may be provided after the step shown in FIG.

【0156】(第8の実施の形態)本発明の薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、様々な磁気記録媒体12に対応したヘ
ッド構成を提供することができる。これを本発明の第8
の実施の形態として説明する。
(Eighth Embodiment) In the thin-film magnetic head of the present invention, it is possible to provide a head configuration corresponding to various magnetic recording media 12. This is referred to as the eighth aspect of the present invention.
An embodiment will be described.

【0157】図27は、本発明の第8の実施の形態にお
ける薄膜磁気ヘッドの要部概要図であり、本発明の薄膜
磁気ヘッドのセンス領域33を磁気記録媒体12側から
見た正面図であり、紙面に対して縦方向が磁気記録媒体
の記録波長方向、横方向が磁気記録媒体の再生トラック
幅方向とする。
FIG. 27 is a schematic view of a main part of a thin-film magnetic head according to the eighth embodiment of the present invention. FIG. 27 is a front view of the sense region 33 of the thin-film magnetic head of the present invention viewed from the magnetic recording medium 12 side. In this case, the vertical direction with respect to the paper is the recording wavelength direction of the magnetic recording medium, and the horizontal direction is the reproduction track width direction of the magnetic recording medium.

【0158】図27中の磁気抵抗効果層は図3に示した
GMR層にて構成され、図27(a)及び図27(b)
は固定磁性層62の磁化方向が波長方向と一致している
場合、図27(c)及び図27(d)は固定磁性層62
の磁化方向が再生トラック幅方向と一致している場合を
示している。
The magnetoresistive layer in FIG. 27 is constituted by the GMR layer shown in FIG. 3, and is shown in FIGS. 27 (a) and 27 (b).
FIG. 27C and FIG. 27D show the case where the magnetization direction of the fixed magnetic layer 62 matches the wavelength direction.
Shows the case where the magnetization direction of the readout track coincides with the reproduction track width direction.

【0159】また、図27(a)及び図27(c)はセ
ンス電流Isを波長方向に流す場合、図27(b)及び
図27(d)はセンス電流Isを再生トラック幅方向に
流す場合である。
FIGS. 27 (a) and 27 (c) show the case where the sense current Is flows in the wavelength direction, and FIGS. 27 (b) and 27 (d) show the case where the sense current Is flows in the reproduction track width direction. It is.

【0160】磁気記録媒体12に記録された信号を良好
に再生するためには、GMR層中の固定磁性層62の磁
化の方向と磁気記録媒体12から発生した磁束がGMR
層に流れるときの方向とは、ほぼ平行である必要がある
(固定磁性層62の磁化方向と磁束の方向が平行で同方
向の場合に抵抗が小さくなり、平行で逆方向の場合に抵
抗が大きくなる)ので、図27(a)及び図27(b)
の構成では磁束が波長方向に流れ、図27(c)及び図
27(d)の構成では再生トラック幅方向に流れなけれ
ばならない。
In order to reproduce the signal recorded on the magnetic recording medium 12 well, the magnetization direction of the fixed magnetic layer 62 in the GMR layer and the magnetic flux generated from the magnetic recording medium
The direction when flowing into the layer must be substantially parallel (the resistance decreases when the magnetization direction of the fixed magnetic layer 62 and the direction of the magnetic flux are parallel and in the same direction, and when the direction is parallel and opposite, the resistance decreases). 27 (a) and 27 (b).
27, the magnetic flux flows in the wavelength direction, and in the configurations of FIGS. 27 (c) and 27 (d), it must flow in the reproduction track width direction.

【0161】つまり、図27(a)及び図27(b)の
構成の薄膜磁気ヘッドでは面内長手記録媒体(記録され
た磁化の方向が波長方向)、または垂直記録媒体(記録
された磁化の方向が媒体膜面に対して垂直方向)から発
生した磁束を信号として再生することが可能であり、図
27(c)及び図27(d)の構成の薄膜磁気ヘッドで
は面内横手記録媒体(記録された磁化の方向がトラック
幅方向)からの磁束を信号として再生することが可能と
なる。
That is, in the thin film magnetic head having the structure shown in FIGS. 27A and 27B, the longitudinal recording medium (the direction of the recorded magnetization is the wavelength direction) or the perpendicular recording medium (the recorded magnetization is The magnetic flux generated from the direction perpendicular to the medium film surface can be reproduced as a signal. In the thin-film magnetic head having the configuration shown in FIGS. 27C and 27D, the in-plane lateral recording medium ( The magnetic flux from the direction of the recorded magnetization (the direction of the track width) can be reproduced as a signal.

【0162】また、磁気記録媒体12に記録された信号
を良好に再生するためには、GMR層中の固定磁性層6
2の磁化方向とフリー磁性層64の磁化方向とは、磁気
記録媒体12からの磁束がない時にほぼ直交している必
要がある(再生出力の対称性等のため)。つまり、図2
7(a)及び図27(b)の構成ではフリー磁性層64
の磁化方向を再生トラック幅方向に向けておく必要があ
り、図27(c)及び図27(d)の構成ではフリー磁
性層64の磁化方向を波長方向に向けておく必要があ
る。
In order to reproduce the signal recorded on the magnetic recording medium 12 well, the fixed magnetic layer 6 in the GMR layer is required.
The magnetization direction 2 and the magnetization direction of the free magnetic layer 64 need to be substantially orthogonal to each other when there is no magnetic flux from the magnetic recording medium 12 (due to the symmetry of reproduction output, etc.). That is, FIG.
7A and FIG. 27B, the free magnetic layer 64 is used.
27 (c) and 27 (d), the magnetization direction of the free magnetic layer 64 needs to be oriented in the wavelength direction.

【0163】図27(a)から図27(d)までに示し
た構成の薄膜磁気ヘッドにおいて、GMR層中のフリー
磁性層64にかかる主な磁界としては、磁気記録媒体1
2からの信号磁界、固定磁性層62との結合磁界(固定
磁性層62の磁化方向と平行な方向)、固定磁性層62
からの静磁界(固定磁性層62の磁化方向と平行な方
向)及びセンス電流Isからの電流磁界(センス電流I
sと直交する方向)がある。
In the thin-film magnetic head having the structure shown in FIGS. 27A to 27D, the main magnetic field applied to the free magnetic layer 64 in the GMR layer is the magnetic recording medium 1
2, the coupling magnetic field with the fixed magnetic layer 62 (the direction parallel to the magnetization direction of the fixed magnetic layer 62), the fixed magnetic layer 62,
From the sense magnetic field (the direction parallel to the magnetization direction of the fixed magnetic layer 62) and the current magnetic field (the sense current I
(a direction orthogonal to s).

【0164】このうち、固定磁性層62との結合磁界
は、フリー磁性層64と固定磁性層62との間の非磁性
導電層63の厚さを変化させることにより、大きさと符
号を変えることが可能である。
Of these, the magnitude and sign of the coupling magnetic field with the fixed magnetic layer 62 can be changed by changing the thickness of the nonmagnetic conductive layer 63 between the free magnetic layer 64 and the fixed magnetic layer 62. It is possible.

【0165】次に固定磁性層62からの静磁界は、固定
磁性層62の膜構成(非磁性導電層を介した一対の強磁
性層を利用する等)を変化させることにより、大きさと
符号を変えることができる。
Next, the magnitude and sign of the static magnetic field from the fixed magnetic layer 62 are changed by changing the film configuration of the fixed magnetic layer 62 (eg, using a pair of ferromagnetic layers via a nonmagnetic conductive layer). Can be changed.

【0166】また、GMR層の膜構成を変化(フリー磁
性層64の隣に導電層を追加したり、各層の膜厚を変更
したり等)させたり、センス電流Isの大きさや符号を
変えたりすることによって、センス電流Isからの電流
磁界の大きさや符号も変化させることができる。
Further, the film configuration of the GMR layer is changed (for example, a conductive layer is added next to the free magnetic layer 64, or the thickness of each layer is changed), or the magnitude or sign of the sense current Is is changed. By doing so, the magnitude and sign of the current magnetic field from the sense current Is can also be changed.

【0167】これらの方法を用いて磁界の大きさや符号
を制御することにより、図27(a)の構成の場合は、
波長方向にかかる磁界(固定磁性層62との結合磁界と
固定磁性層62からの静磁界)を調整しておおよそ零に
することが可能である。また、フリー磁性層64の磁化
方向を再生トラック幅方向に向けるための磁界として
は、センス電流Isによる電流磁界があるため、容易に
フリー磁性層64の磁化方向を固定磁性層62と直交す
る方向に向けることが可能である。
By controlling the magnitude and sign of the magnetic field using these methods, the configuration shown in FIG.
The magnetic field applied in the wavelength direction (the coupling magnetic field with the fixed magnetic layer 62 and the static magnetic field from the fixed magnetic layer 62) can be adjusted to be approximately zero. Since the magnetic field for directing the magnetization direction of the free magnetic layer 64 in the reproduction track width direction includes a current magnetic field due to the sense current Is, the magnetization direction of the free magnetic layer 64 can be easily changed to a direction perpendicular to the fixed magnetic layer 62. It is possible to turn to.

【0168】次に図27(d)の構成の場合は、再生ト
ラック幅方向にかかる磁界(固定磁性層62との結合磁
界と固定磁性層62からの静磁界)を調整しておおよそ
零にすることが可能である。また、フリー磁性層64の
磁化方向を波長方向に向けるための磁界としては、セン
ス電流Isによる電流磁界があるため、容易にフリー磁
性層64の磁化方向を固定磁性層62と直交する方向に
向けることが可能である。
Next, in the case of the configuration shown in FIG. 27D, the magnetic field (the coupling magnetic field with the fixed magnetic layer 62 and the static magnetic field from the fixed magnetic layer 62) applied in the reproduction track width direction is adjusted to be approximately zero. It is possible. Since the magnetic field for directing the magnetization direction of the free magnetic layer 64 to the wavelength direction includes a current magnetic field due to the sense current Is, the magnetization direction of the free magnetic layer 64 is easily directed to a direction orthogonal to the fixed magnetic layer 62. It is possible.

【0169】ただし、図27(b)及び図27(c)の
構成の場合は、固定磁性層62との結合磁界、固定磁性
層62からの静磁界及びセンス電流Isによる電流磁界
が全て平行であり、かつ固定磁性層62の磁化方向とも
平行である。そのため、これらの磁界を調整しておおよ
そ零にすることはできるが、フリー磁性層64の磁化方
向を固定磁性層62と直交する方向に向けるための磁界
が存在しない。そのため、従来のシールド型薄膜磁気ヘ
ッドで用いているようなバイアス層が必要になる。図2
7(b)及び図27(c)どちらの構成の場合でも、セ
ンス電流Isが流れる方向と平行にバイアス磁界をかけ
る必要がある。
27B and 27C, however, the coupling magnetic field with the fixed magnetic layer 62, the static magnetic field from the fixed magnetic layer 62, and the current magnetic field due to the sense current Is are all parallel. And the magnetization direction of the pinned magnetic layer 62 is also parallel. Therefore, these magnetic fields can be adjusted to approximately zero by adjusting them, but there is no magnetic field for directing the magnetization direction of the free magnetic layer 64 in a direction orthogonal to the fixed magnetic layer 62. Therefore, a bias layer as used in the conventional shield type thin film magnetic head is required. FIG.
In both the configuration shown in FIG. 7B and the configuration shown in FIG. 27C, it is necessary to apply a bias magnetic field in parallel with the direction in which the sense current Is flows.

【0170】しかし、このようなバイアス磁界をかけて
やることにより、図27(a)及び図27(b)の構成
の薄膜磁気ヘッドでは面内長手記録媒体(記録された磁
化の方向が波長方向)、または垂直記録媒体(記録され
た磁化の方向が媒体膜面に対して垂直方向)から発生し
た磁束を信号として再生することが可能となり、図27
(c)及び図27(d)の構成の薄膜磁気ヘッドでは面
内横手記録媒体(記録された磁化の方向がトラック幅方
向)からの磁束を信号として再生することが可能とな
る。
However, by applying such a bias magnetic field, in the thin-film magnetic head having the configuration shown in FIGS. 27A and 27B, the in-plane longitudinal recording medium (the direction of the recorded magnetization is 27) or a magnetic flux generated from a perpendicular recording medium (the direction of the recorded magnetization is perpendicular to the medium film surface) can be reproduced as a signal.
In the thin-film magnetic head having the configuration shown in FIG. 27C and FIG. 27D, it is possible to reproduce a signal from a magnetic flux from an in-plane lateral recording medium (the recorded magnetization direction is the track width direction).

【0171】このように、本発明の薄膜磁気ヘッドによ
れば、磁気記録媒体12の記録方式に応じて、最適な薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。
As described above, according to the thin-film magnetic head of the present invention, an optimum thin-film magnetic head can be provided according to the recording system of the magnetic recording medium 12.

【0172】(第9の実施の形態)次に、本発明の第9
の実施の形態における薄膜磁気ヘッドについて説明す
る。本発明の第8の実施の形態で示したように、図27
(b)及び図27(c)どちらの構成の場合でも、セン
ス電流Isが流れる方向と平行にバイアス磁界をかける
必要がある。この場合の薄膜磁気ヘッドとしての構造を
図28に示す。
(Ninth Embodiment) Next, a ninth embodiment of the present invention will be described.
The thin film magnetic head according to the embodiment will be described. As shown in the eighth embodiment of the present invention, FIG.
In either case of FIG. 27B and FIG. 27C, it is necessary to apply a bias magnetic field in parallel with the direction in which the sense current Is flows. FIG. 28 shows a structure as a thin film magnetic head in this case.

【0173】図28はバイアス層131を含んだ構成の
薄膜磁気ヘッドの断面図である。図28(a)は磁気抵
抗効果層11と磁気記録媒体12(図示せず)との間に
バイアス層131を形成しており、図28(b)及び図
28(c)は磁気抵抗効果層11とほぼ同じ高さにバイ
アス層131を形成している。また、図28(d)は磁
気抵抗効果層11と導電性部材32との間にバイアス層
131を形成している。図28(a)の構成の場合は、
バイアス層131があるため磁気記録媒体12と磁気抵
抗効果層11(特にセンス領域33)との間の距離が大
きくなってしまい、再生効率が低下してしまう。
FIG. 28 is a sectional view of a thin-film magnetic head having a structure including the bias layer 131. FIG. 28A shows a bias layer 131 formed between the magnetoresistive layer 11 and the magnetic recording medium 12 (not shown). FIGS. 28B and 28C show the magnetoresistive layer. The bias layer 131 is formed at almost the same height as the bias layer 131. In FIG. 28D, a bias layer 131 is formed between the magnetoresistance effect layer 11 and the conductive member 32. In the case of the configuration of FIG.
Due to the presence of the bias layer 131, the distance between the magnetic recording medium 12 and the magnetoresistive layer 11 (especially, the sense region 33) increases, and the reproduction efficiency decreases.

【0174】そこで、その点を改良したのが図28
(b)の構成である。このような構成を取ることによ
り、図28(b)、図28(c)及び図28(d)に示
す薄膜磁気ヘッドの再生効率をほぼ同等とすることがで
きる。
Therefore, FIG.
This is the configuration of FIG. By adopting such a configuration, the reproduction efficiencies of the thin film magnetic heads shown in FIGS. 28 (b), 28 (c) and 28 (d) can be made substantially equal.

【0175】なお、バイアス層131の材料としては、
硬質磁性材料、例えばCoPt合金を用いたり、反強磁
性層材料、例えばIrMn、αFe23、FeMn系合
金膜、またはPtMn系合金膜から選択された材料を用
いることができる。
The material of the bias layer 131 is as follows.
A hard magnetic material, for example, a CoPt alloy, or an antiferromagnetic layer material, for example, a material selected from IrMn, αFe 2 O 3 , a FeMn-based alloy film, or a PtMn-based alloy film can be used.

【0176】また、図27(a)及び図27(d)に示
した構造の薄膜磁気ヘッドにおいても、バイアス磁界を
更に強くかけるために、バイアス層131を用いること
も可能である。図27(a)及び図27(d)の構成の
どちらの場合も、センス電流Isの方向と直交する方向
にバイアス磁界をかければよい。
Also, in the thin film magnetic head having the structure shown in FIGS. 27A and 27D, the bias layer 131 can be used in order to further apply a bias magnetic field. 27A and 27D, it is sufficient to apply a bias magnetic field in a direction orthogonal to the direction of the sense current Is.

【0177】図29にこの場合のバイアス層を用いた構
成の薄膜磁気ヘッドの断面図を示す。図29(a)は導
電性部材32の幅が磁気抵抗効果層11の幅より長い本
発明の第2の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドの構成
の場合であり、バイアス層として高抵抗バイアス層14
1を用いることにより、センス電流Isが高抵抗バイア
ス層141に分流し、再生出力が低下するのを抑えるこ
とができる。
FIG. 29 is a sectional view of a thin-film magnetic head having a configuration using the bias layer in this case. FIG. 29A shows the case of the configuration of the thin-film magnetic head according to the second embodiment of the present invention in which the width of the conductive member 32 is longer than the width of the magnetoresistive layer 11, and a high resistance bias is used as the bias layer. Layer 14
By using 1, it is possible to prevent the sense current Is from being shunted to the high-resistance bias layer 141 and reducing the reproduction output.

【0178】なお、図29(a)の構造の場合の高抵抗
バイアス層141は高抵抗硬質磁性膜である。
The high resistance bias layer 141 in the case of the structure shown in FIG. 29A is a high resistance hard magnetic film.

【0179】次に、図29(b)、図29(c)及び図
29(d)は磁気抵抗効果層11の幅が導電性部材32
の幅より長い本発明の第1の実施の形態に示した薄膜磁
気ヘッドの構成の場合であり、バイアス層131の構造
は図28に示した場合と類似した構造となる。また、バ
イアス層131としては、硬質磁性膜または反強磁性膜
のどちらでも用いることができる。
Next, FIGS. 29 (b), 29 (c) and 29 (d) show that the width of the magnetoresistive layer 11 is
This is a case of the configuration of the thin film magnetic head shown in the first embodiment of the present invention, which is longer than the width of the bias layer 131, and the structure of the bias layer 131 is similar to that shown in FIG. Further, as the bias layer 131, either a hard magnetic film or an antiferromagnetic film can be used.

【0180】次にこのようなバイアス層を有する薄膜磁
気ヘッドの製造方法について説明する。本発明の第4の
実施の形態、第5の実施の形態、第6の実施の形態、ま
たは第7の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、磁気抵抗効果層211を形成する前に、ま
ず図30(a)に示すように、導電層182及び184
の表面の一部を削る。
Next, a method of manufacturing a thin film magnetic head having such a bias layer will be described. In the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the fourth, fifth, sixth, or seventh embodiment of the present invention, the magnetoresistance effect layer 211 is formed. First, as shown in FIG. 30A, the conductive layers 182 and 184
Scraping a part of the surface of.

【0181】次に、図30(b)に示すように、硬質磁
性層231を形成する。
Next, as shown in FIG. 30B, a hard magnetic layer 231 is formed.

【0182】次に、図30(c)に示すように、平面研
磨を行い、一対の硬質磁性層231を形成する。
Next, as shown in FIG. 30C, planar polishing is performed to form a pair of hard magnetic layers 231.

【0183】次に、図30(d)に示すように磁気抵抗
効果層211を形成して、硬質磁性層231を有する薄
膜磁気ヘッドを形成する。
Next, as shown in FIG. 30D, the magnetoresistive effect layer 211 is formed, and a thin-film magnetic head having the hard magnetic layer 231 is formed.

【0184】また、別の方法として、図31(a)に示
すように、磁気抵抗効果層211を形成後、断面T字状
レジストマスク241を形成する。
As another method, as shown in FIG. 31A, after forming the magnetoresistive effect layer 211, a T-shaped resist mask 241 is formed.

【0185】次に、図31(b)に示すように、イオン
ビームエッチング等を用いて磁気抵抗効果層211の不
要部分(断面T字状レジストマスク241のない部分)
を削る。
Next, as shown in FIG. 31B, unnecessary portions of the magnetoresistive layer 211 (portions without the T-shaped resist mask 241) are formed by ion beam etching or the like.
Shaving.

【0186】次に、図31(c)に示すように、高抵抗
硬質磁性層242を形成する。次に断面T字状レジスト
マスク241を除去し、図31(d)に示すように、高
抵抗硬質磁性層242を有する薄膜磁気ヘッドを形成す
る。
Next, as shown in FIG. 31C, a high-resistance hard magnetic layer 242 is formed. Next, the T-shaped resist mask 241 is removed, and a thin-film magnetic head having a high-resistance hard magnetic layer 242 is formed as shown in FIG.

【0187】なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、磁気抵抗効果層211、またはバイアス層と
して反強磁性膜を用いた場合や軟質磁性膜の異方性を制
御するために、磁場を印加し、所定の温度及び時間で熱
処理(アニール)を行う工程を有してもよい。
In the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, a magnetic field is applied when an antiferromagnetic film is used as the magnetoresistive layer 211 or the bias layer or in order to control the anisotropy of the soft magnetic film. The method may include a step of applying heat and performing heat treatment (annealing) at a predetermined temperature and time.

【0188】また、バイアス層として硬質磁性膜を用い
た場合に、着磁を行う工程を有してもよい。
In the case where a hard magnetic film is used as the bias layer, a step of magnetizing may be provided.

【0189】これらの方法を応用することにより、図2
8または図29に示した構成の、硬質磁性層、または高
抵抗硬質磁性層を有する薄膜磁気ヘッドを形成すること
が可能となる。
By applying these methods, FIG.
It is possible to form a thin-film magnetic head having a hard magnetic layer or a high-resistance hard magnetic layer having the configuration shown in FIG.

【0190】以上のように本発明の第9の実施の形態の
薄膜磁気ヘッドによれば、バイアス層が必要な場合の本
発明の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
As described above, according to the thin-film magnetic head of the ninth embodiment of the present invention, it is possible to provide the thin-film magnetic head of the present invention when a bias layer is required.

【0191】また、本発明の第9の実施の形態の薄膜磁
気ヘッドでは、バイアス層が必要な場合でも、バイアス
層として硬質磁性材料、高抵抗硬質磁性材料または反強
磁性材料を用いることにより、容易にバイアス磁界をか
けることができる。
In the thin-film magnetic head according to the ninth embodiment of the present invention, even when a bias layer is required, a hard magnetic material, a high-resistance hard magnetic material, or an antiferromagnetic material is used for the bias layer. A bias magnetic field can be easily applied.

【0192】なお、本発明の第4の実施の形態、第5の
実施の形態、第6の実施の形態、第7の実施の形態、ま
たは第9の実施の形態に示した薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、例えば、図15(d)で示した第1の導電
層182、絶縁層183及び第2の導電層184の不要
な部分を削るときに、第1の導電層182の下にある基
板181の表面の一部を削ってもよい。
It should be noted that the thin-film magnetic head according to the fourth, fifth, sixth, seventh, or ninth embodiment of the present invention can be modified as follows. In the manufacturing method, for example, when unnecessary portions of the first conductive layer 182, the insulating layer 183, and the second conductive layer 184 shown in FIG. A part of the surface of the substrate 181 may be cut.

【0193】また、例えば図19で示したような磁気抵
抗効果層211の不要部分を削るときに、磁気抵抗効果
層211だけでなく磁気抵抗効果層211の下にある導
電層182の一部を削っても良いことは言うまでもな
い。
Also, when unnecessary portions of the magneto-resistance effect layer 211 as shown in FIG. 19 are cut, not only the magneto-resistance effect layer 211 but also a part of the conductive layer 182 under the magneto-resistance effect layer 211 is removed. Needless to say, it can be cut.

【0194】なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
においては、本発明に直接係わる工程以外の工程は示し
ていないが、他の工程を有してもよいことは言うまでも
ない。
In the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention, steps other than those directly related to the present invention are not shown, but it goes without saying that other steps may be included.

【0195】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
で用いた図面では、導電性部材等を削った後の形状を直
線的な形状で表現したが、曲線的な形状になっても、本
発明の効果に影響を及ぼすものではない。
In the drawings used in the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention, the shape after the conductive members and the like have been cut is represented by a linear shape. It does not affect the effect of the invention.

【0196】なお、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、再生部の製造工程のみについて示したが、記録部
の製造工程を有しても、本発明の効果に影響を及ぼすも
のではない。
In the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention, only the steps of manufacturing the reproducing section are shown. However, the method of manufacturing the recording section does not affect the effects of the present invention.

【0197】また、導電性部材の形状によって再生トラ
ック幅等を制御する場合は、例えば図22(b)で示し
たように、第1の導電層182の一部を削るときに、第
1の導電層182だけではなく第1の導電層182の下
にある基板181の表面を絶縁層183の膜厚相当分だ
け削ることが好ましい。このようにすることにより、精
度よくセンス領域33の大きさを制御することができ
る。
When the reproduction track width or the like is controlled by the shape of the conductive member, for example, as shown in FIG. 22B, when a part of the first conductive layer 182 is cut, It is preferable that not only the conductive layer 182 but also the surface of the substrate 181 below the first conductive layer 182 be cut by an amount corresponding to the thickness of the insulating layer 183. By doing so, the size of the sense region 33 can be controlled with high accuracy.

【0198】(第10の実施の形態)次に、第10の実
施の形態における、本発明の薄膜磁気ヘッドの効果を示
す。
(Tenth Embodiment) Next, the effects of the thin-film magnetic head of the present invention in the tenth embodiment will be described.

【0199】図32に、図2に示した構造の薄膜磁気ヘ
ッドのx軸方向を磁気記録媒体12上の記録波長方向
に、z軸方向を再生トラック幅方向にした場合の本発明
の薄膜磁気ヘッドと、従来のシールド型薄膜磁気ヘッド
とのセンス領域での抵抗変化量の比較を示す。図33に
は、図2に示した薄膜磁気ヘッドの、z軸方向を磁気記
録媒体12上の記録波長方向に、x軸方向を再生トラッ
ク幅方向にした場合の本発明の薄膜磁気ヘッドと、従来
のシールド型薄膜磁気ヘッドとのセンス領域での抵抗変
化量の比較を示す。
FIG. 32 shows a thin film magnetic head according to the present invention in which the x-axis direction is the recording wavelength direction on the magnetic recording medium 12 and the z-axis direction is the reproducing track width direction of the thin-film magnetic head having the structure shown in FIG. The comparison of the resistance change amount in the sense region between the head and the conventional shield type thin film magnetic head is shown. FIG. 33 shows the thin-film magnetic head of the present invention when the z-axis direction is the recording wavelength direction on the magnetic recording medium 12 and the x-axis direction is the reproduction track width direction of the thin-film magnetic head shown in FIG. A comparison of a resistance change amount in a sense region with a conventional shield type thin film magnetic head is shown.

【0200】図32及び図33の各グラフの縦軸は、本
発明の薄膜磁気ヘッドと従来のシールド型薄膜磁気ヘッ
ドとの抵抗変化量の比率である。また横軸は、BPI
(1インチ(25.4mm)あたりの最短ビット数)と
TPI(1インチあたりのトラック数)の比率である。
記録トラック幅/トラックピッチは0.64、32/3
4変換を用いる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドを用い
ることにより、再生効率が従来シールド型に対して、1
倍、2倍及び3倍の時の結果を示している。また、図3
2及び図33において、(a)は記録密度が100Gビ
ット/1平方インチ、(b)は200Gビット/1平方
インチ、(c)は400Gビット/1平方インチの場合
を示す。
The vertical axis of each graph of FIGS. 32 and 33 represents the ratio of the resistance change between the thin film magnetic head of the present invention and the conventional shield type thin film magnetic head. The horizontal axis is BPI
This is the ratio between (the shortest bit number per inch (25.4 mm)) and TPI (the number of tracks per inch).
Recording track width / track pitch is 0.64, 32/3
Four-conversion is used. Also, by using the thin-film magnetic head of the present invention, the reproduction efficiency can be reduced by one compared with the conventional shield type.
The results at double, double and triple times are shown. FIG.
2 and FIG. 33, (a) shows the case where the recording density is 100 Gbit / 1 square inch, (b) shows the case where the recording density is 200 Gbit / 1 square inch, and (c) shows the case where the recording density is 400 Gbit / 1 square inch.

【0201】図32より、記録密度が大きくなる、また
はBPI/TPIの比率が小さくなるにつれて、記録波
長方向とセンス電流の流れる方向が平行である場合の本
発明の薄膜磁気ヘッドの効果が顕著になることがわか
る。
As can be seen from FIG. 32, as the recording density increases or the BPI / TPI ratio decreases, the effect of the thin-film magnetic head of the present invention when the direction of the recording wavelength and the direction of the sense current flow are parallel. It turns out that it becomes.

【0202】図33より、記録密度が大きくなる、或い
はBPI/TPIの比率が大きくなるにつれて、再生ト
ラック幅方向とセンス電流の流れる方向が平行である本
発明の薄膜磁気ヘッドの効果が顕著になることがわか
る。ただし、BPI/TPIの比率が大きく変化して
も、本発明の薄膜磁気ヘッドが従来のシールド型薄膜磁
気ヘッドに比べて大幅に抵抗変化量が大きく、非常に有
効であることに違いはない。
From FIG. 33, as the recording density increases or the BPI / TPI ratio increases, the effect of the thin-film magnetic head of the present invention in which the direction of the reproduction track width and the direction in which the sense current flows is parallel becomes more remarkable. You can see that. However, even if the ratio of BPI / TPI greatly changes, the thin-film magnetic head of the present invention has a much larger resistance change amount than the conventional shield-type thin-film magnetic head, so that it is very effective.

【0203】以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドによ
れば、記録密度が大きくなるほど従来の薄膜磁気ヘッド
と比較してその効果が顕著になる。そのため、高記録密
度に適した薄膜磁気ヘッドであると言える。
As described above, according to the thin-film magnetic head of the present invention, its effect becomes more remarkable as the recording density increases, as compared with the conventional thin-film magnetic head. Therefore, it can be said that the thin film magnetic head is suitable for high recording density.

【0204】(第11の実施の形態)図34から図37
までの図面は、本発明の第11の実施の形態における磁
気再生装置を説明するための概要説明図である。
(Eleventh Embodiment) FIGS. 34 to 37
The drawings described above are schematic explanatory diagrams for explaining the magnetic reproducing apparatus according to the eleventh embodiment of the present invention.

【0205】図34に示すように、少なくとも一枚の磁
気記録媒体321がスピンドル322上に支持され、ス
ピンドルモータ323によって回転する。また、少なく
とも一つの本発明における薄膜磁気ヘッド324がサス
ペンション325を介してアクチュエータアーム326
に取り付けられ、さらに、アクチュエータアーム326
はアクチュエータ327に取り付けられる。
As shown in FIG. 34, at least one magnetic recording medium 321 is supported on a spindle 322 and rotated by a spindle motor 323. Further, at least one thin film magnetic head 324 of the present invention is connected to the actuator arm 326 via the suspension 325.
And the actuator arm 326
Is attached to the actuator 327.

【0206】このため、薄膜磁気ヘッド324はアクチ
ュエータ327が動作することによって移動できる。薄
膜磁気ヘッド324は磁気記録媒体321面に対向して
配置され、磁気記録媒体321の回転、及び薄膜磁気ヘ
ッド324の磁気記録媒体321の半径方向の移動によ
って、磁気記録媒体321のほぼ全面に対して信号の読
み書きが可能となる。
Thus, the thin-film magnetic head 324 can be moved by the operation of the actuator 327. The thin-film magnetic head 324 is disposed so as to face the surface of the magnetic recording medium 321, and the entire surface of the magnetic recording medium 321 is rotated by rotation of the magnetic recording medium 321 and radial movement of the thin-film magnetic head 324. Signal can be read and written.

【0207】磁気記録媒体321の回転の制御、薄膜磁
気ヘッド324の位置制御及び記録再生信号の制御等は
制御回路328で行われる。
A control circuit 328 controls the rotation of the magnetic recording medium 321, the position of the thin-film magnetic head 324, the control of recording / reproducing signals, and the like.

【0208】薄膜磁気ヘッド324としては、本発明の
図27(a)及び図27(b)の構成の薄膜磁気ヘッド
を用い、磁気記録媒体321としては、図35に示すよ
うに、記録された磁化の方向が磁気記録媒体の回転方向
とほぼ平行である磁気記録媒体331(面内長手記録媒
体)を用いることにより、面内長手記録媒体を用いた高
記録密度の磁気再生装置を実現することができる。
As the thin-film magnetic head 324, a thin-film magnetic head having the structure shown in FIGS. 27A and 27B of the present invention was used, and the magnetic recording medium 321 was recorded as shown in FIG. By using the magnetic recording medium 331 (in-plane longitudinal recording medium) whose magnetization direction is substantially parallel to the rotation direction of the magnetic recording medium, it is possible to realize a high-density magnetic reproducing apparatus using the in-plane longitudinal recording medium. Can be.

【0209】また、図36に示すように、薄膜磁気ヘッ
ド324として、本発明の図27(c)及び図27
(d)の構成の薄膜磁気ヘッドを用い、記録された磁化
の方向が磁気記録媒体の半径方向とほぼ平行である磁気
記録媒体341(面内横手記録媒体)を用いることによ
り、面内横手記録媒体を用いた高記録密度の磁気再生装
置を実現することができる。
As shown in FIG. 36, a thin film magnetic head 324 according to the present invention shown in FIGS.
By using the thin-film magnetic head having the configuration shown in (d) and using the magnetic recording medium 341 (in-plane lateral recording medium) in which the direction of the recorded magnetization is substantially parallel to the radial direction of the magnetic recording medium, in-plane lateral recording is performed. A magnetic recording device with a high recording density using a medium can be realized.

【0210】さらに、図37に示すように、薄膜磁気ヘ
ッド324として、本発明の図27(a)及び図27
(b)の構成の薄膜磁気ヘッドを用い、記録された磁化
の方向が磁気記録媒体面に対してほぼ垂直方向である磁
気記録媒体351(垂直記録媒体)を用いることによ
り、垂直記録媒体を用いた高記録密度の磁気再生装置を
実現することができる。
Further, as shown in FIG. 37, a thin film magnetic head 324 according to the present invention shown in FIGS.
By using the thin-film magnetic head having the configuration (b) and using the magnetic recording medium 351 (perpendicular recording medium) in which the direction of the recorded magnetization is almost perpendicular to the surface of the magnetic recording medium, the perpendicular recording medium can be used. Thus, a magnetic recording device having a high recording density can be realized.

【0211】以上のように本発明の第11の実施の形態
によれば、面内長手記録媒体、面内横手記録媒体または
垂直記録媒体のうちのどのような磁気記録媒体に対して
も、高記録密度の磁気再生装置を実現することができ
る。
As described above, according to the eleventh embodiment of the present invention, a high magnetic recording medium of any of an in-plane longitudinal recording medium, an in-plane lateral recording medium and a perpendicular recording medium can be used. It is possible to realize a magnetic reproducing device having a high recording density.

【0212】[0212]

【発明の効果】以上のように本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果層が磁気記録媒体と直接対向するの
で、磁気抵抗効果層に誘導される磁束量を大きくするこ
とができる。
As described above, in the thin-film magnetic head of the present invention, since the magnetoresistive layer is directly opposed to the magnetic recording medium, the amount of magnetic flux induced in the magnetoresistive layer can be increased.

【0213】また、薄膜磁気ヘッドのセンス領域の大き
さを絶縁層の厚みで容易に制御することができるので、
従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりもセンス領域を小
さくすることができ、限界波長を短くすることができ
る。
Also, since the size of the sense region of the thin-film magnetic head can be easily controlled by the thickness of the insulating layer,
The sensing area can be made smaller than that of the conventional shield type thin film magnetic head, and the limit wavelength can be shortened.

【0214】さらに、薄膜磁気ヘッドのセンス領域を小
さくしても、磁気記録媒体から発生した磁束のフリー磁
性層に流れ込む量が低下しないので、短波長化に伴う再
生効率低下を生じない薄膜磁気ヘッドを実現することが
できる。
Furthermore, even if the sense area of the thin-film magnetic head is reduced, the amount of magnetic flux generated from the magnetic recording medium that flows into the free magnetic layer does not decrease, so that the thin-film magnetic head does not cause a reduction in reproduction efficiency due to the shorter wavelength. Can be realized.

【0215】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、本発明の薄膜磁気ヘッドを簡易に製造することがで
きる。また、絶縁層の厚みを薄く、また精度よく形成す
ることができるので、限界波長の短い、高分解能の薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。
Further, the method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention can easily manufacture the thin-film magnetic head of the present invention. In addition, since the thickness of the insulating layer can be reduced and formed with high accuracy, a high-resolution thin-film magnetic head with a short limit wavelength can be manufactured.

【0216】さらに、本発明の磁気再生装置は、従来の
シールド型薄膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置よりも
限界波長の短い、分解能の高い磁気再生装置を実現する
ことができる。
Further, the magnetic reproducing apparatus of the present invention can realize a magnetic reproducing apparatus having a shorter limit wavelength and a higher resolution than a magnetic reproducing apparatus using a conventional shield type thin film magnetic head.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す正面概略図
FIG. 1 is a schematic front view showing the structure of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す断面概略図
FIG. 2 is a schematic sectional view showing the structure of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention;

【図3】本発明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
磁気抵抗効果層の構造を示す断面概略図
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a structure of a magnetoresistive layer of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention;

【図4】本発明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す断面概略図
FIG. 4 is a schematic sectional view showing the structure of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention;

【図5】本発明の第1の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す断面概略図
FIG. 5 is a schematic sectional view showing the structure of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention;

【図6】本発明の第2の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す正面概略図及び断面概略図
FIG. 6 is a schematic front view and a schematic sectional view showing the structure of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
効果を説明するための磁気ヘッドの構造モデルを示す断
面概略図
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a structural model of a magnetic head for describing an effect of the thin-film magnetic head according to the second embodiment of the present invention;

【図8】本発明の第2の実施の形態おける本発明の薄膜
磁気ヘッドの効果を説明するための、磁気記録媒体から
発生した磁束の流れを示す図(磁束線図)
FIG. 8 is a diagram (flux diagram) showing the flow of magnetic flux generated from a magnetic recording medium for describing the effect of the thin-film magnetic head of the present invention in the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施の形態を説明するための、
絶縁層の厚さ(シールド間距離)と磁気抵抗効果層に流
れ込む磁束量との関係のグラフ
FIG. 9 is a view for explaining a second embodiment of the present invention;
Graph of the relationship between the thickness of the insulating layer (distance between shields) and the amount of magnetic flux flowing into the magnetoresistive layer

【図10】本発明の第1の実施の形態及び第2の実施の
形態の他の例を示す薄膜磁気ヘッドの断面概略図
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a thin-film magnetic head showing another example of the first embodiment and the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第1の実施の形態及び第2の実施の
形態の他の例を示す薄膜磁気ヘッドの正面概略図
FIG. 11 is a schematic front view of a thin-film magnetic head showing another example of the first embodiment and the second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第3の実施の形態の薄膜磁気ヘッド
を示す正面概略図
FIG. 12 is a schematic front view showing a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention;

【図13】本発明の第3の実施の形態の薄膜磁気ヘッド
を示す断面概略図
FIG. 13 is a schematic sectional view showing a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the present invention;

【図14】本発明の第3の実施の形態を説明するため
の、磁気記録媒体から発生した磁束の流れを示す磁束線
FIG. 14 is a magnetic flux diagram showing a flow of a magnetic flux generated from a magnetic recording medium, for explaining a third embodiment of the present invention;

【図15】本発明の第4の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 15 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第4の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 16 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第4の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 17 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第4の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 18 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fourth embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第5の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 19 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a fifth embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第6の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 20 is a process schematic view showing the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the sixth embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第6の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 21 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a sixth embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第7の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 22 is a schematic process diagram showing the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the seventh embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第7の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 23 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a seventh embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第7の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 24 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to a seventh embodiment of the present invention.

【図25】本発明の第7の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 25 is a schematic process diagram showing the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the seventh embodiment of the invention.

【図26】本発明の第7の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 26 is a process schematic diagram showing a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the seventh embodiment of the present invention.

【図27】本発明の第8の実施の形態を説明するための
薄膜磁気ヘッドのセンス領域の正面概略図
FIG. 27 is a schematic front view of a sense region of a thin-film magnetic head for explaining an eighth embodiment of the present invention;

【図28】本発明の第9の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面概略図
FIG. 28 is a schematic sectional view showing the structure of a thin-film magnetic head according to a ninth embodiment of the present invention;

【図29】本発明の第9の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面概略図
FIG. 29 is a schematic sectional view showing the structure of a thin-film magnetic head according to a ninth embodiment of the present invention;

【図30】本発明の第9の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 30 is a process schematic view showing the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the ninth embodiment of the present invention.

【図31】本発明の第9の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す工程概略図
FIG. 31 is a process schematic view showing the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the ninth embodiment of the present invention.

【図32】本発明の第10の実施の形態における本発明
の薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気ヘッドとの抵抗変化
量の比率を示す図
FIG. 32 is a diagram showing a resistance change ratio between the thin-film magnetic head of the present invention and a conventional thin-film magnetic head according to the tenth embodiment of the present invention.

【図33】本発明の第10の実施の形態における本発明
の薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁気ヘッドとの抵抗変化
量の比率を示す図
FIG. 33 is a diagram showing a resistance change ratio between the thin-film magnetic head of the present invention and the conventional thin-film magnetic head in the tenth embodiment of the present invention.

【図34】本発明の第11の実施の形態における磁気再
生装置の構成を示す正面概略図
FIG. 34 is a schematic front view showing the configuration of a magnetic reproducing apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図35】本発明の第11の実施の形態における磁気記
録媒体を示す図
FIG. 35 is a diagram showing a magnetic recording medium according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図36】本発明の第11の実施の形態における他の磁
気記録媒体を示す図
FIG. 36 is a view showing another magnetic recording medium according to the eleventh embodiment of the present invention;

【図37】本発明の第11の実施の形態における他の磁
気記録媒体を示す図
FIG. 37 is a view showing another magnetic recording medium according to the eleventh embodiment of the present invention;

【図38】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視概略
FIG. 38 is a schematic perspective view showing the structure of a conventional thin-film magnetic head.

【図39】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す正面概略
FIG. 39 is a schematic front view showing the structure of a conventional thin-film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 磁気抵抗効果層 12 磁気記録媒体 13 シールド層 14 支持基体 15 導電層 21 記録された磁化領域 31 絶縁層 32 導電性部材 33 センス領域 34 パッシベーション層 35 非磁性絶縁層 61 反強磁性層 62 固定磁性層 63 非磁性導電層 64 フリー磁性層 131 バイアス層 141 高抵抗バイアス層 151 軟磁性材料からなる導電性部材 181 基板 182 第1の導電層 183 絶縁層 184 第2の導電層 185 パッシベーション層 186 パッシベーション層 191 複数の素子が一列に並んだ短冊状体 201 治具 211 磁気抵抗効果層 231 硬質磁性層 241 レジストマスク 242 高抵抗硬質磁性層 291 複数の素子が一列に並んだ短冊状体 321 磁気記録媒体 322 スピンドル 323 スピンドルモータ 324 薄膜磁気ヘッド 325 サスペンション 326 アクチュエータアーム 327 アクチュエータ 328 制御回路 331 磁気記録媒体(面内長手記録媒体) 341 磁気記録媒体(面内横手記録媒体) 351 磁気記録媒体(垂直記録媒体) 361 下部シールド層 362 下部ギャップ絶縁層 363 磁気抵抗効果層 364 バイアス層 365 導電層 366 上部ギャップ絶縁層 367 上部シールド層 368 再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部 370 記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部 371 記録ギャップ層 372 上部磁極 373 巻線コイル 374 反強磁性層 375 固定磁性層 376 非磁性導電層 377 フリー磁性層 378 GMR層 379 上下シールド間隔 Is センス電流 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Magnetoresistive layer 12 Magnetic recording medium 13 Shield layer 14 Support base 15 Conductive layer 21 Recorded magnetized region 31 Insulating layer 32 Conductive member 33 Sense region 34 Passivation layer 35 Nonmagnetic insulating layer 61 Antiferromagnetic layer 62 Fixed magnetism Layer 63 Nonmagnetic conductive layer 64 Free magnetic layer 131 Bias layer 141 High resistance bias layer 151 Conductive member made of soft magnetic material 181 Substrate 182 First conductive layer 183 Insulating layer 184 Second conductive layer 185 Passivation layer 186 Passivation layer 191 A strip-shaped body in which a plurality of elements are arranged in a line 201 Jig 211 A magnetoresistive layer 231 A hard magnetic layer 241 A resist mask 242 A high-resistance hard magnetic layer 291 A strip-shaped body in which a plurality of elements are arranged in a line 321 Magnetic recording medium 322 Spindle 323 spindle motor Data 324 Thin-film magnetic head 325 Suspension 326 Actuator arm 327 Actuator 328 Control circuit 331 Magnetic recording medium (In-plane longitudinal recording medium) 341 Magnetic recording medium (In-plane horizontal recording medium) 351 Magnetic recording medium (Perpendicular recording medium) 361 Lower shield Layer 362 Lower gap insulating layer 363 Magnetoresistive layer 364 Bias layer 365 Conductive layer 366 Upper gap insulating layer 367 Upper shield layer 368 Reproducing magnetoresistive thin film magnetic head 370 Recording inductive thin film magnetic head 371 Recording gap layer 372 Upper magnetic pole 373 Winding coil 374 Antiferromagnetic layer 375 Fixed magnetic layer 376 Non-magnetic conductive layer 377 Free magnetic layer 378 GMR layer 379 Upper and lower shield interval Is Sense current

Claims (45)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対をなす導電性部材、及び前記導電性部
材間に配置され、かつ前記導電性部材間を絶縁する絶縁
層からなる支持基体と、 前記支持基体の前記絶縁層が表出する一面上に形成され
た磁気抵抗効果層とを備え、 前記導電性部材を前記磁気抵抗効果層の電極端子とした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A support base comprising a pair of conductive members, an insulating layer disposed between the conductive members, and insulating between the conductive members, and the insulating layer of the support base is exposed. And a magnetoresistive layer formed on one surface, wherein the conductive member is an electrode terminal of the magnetoresistive layer.
【請求項2】 前記導電性部材は非磁性材料からなるこ
とを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the conductive member is made of a non-magnetic material.
【請求項3】 前記導電性部材は軟質磁性材料からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the conductive member is made of a soft magnetic material.
【請求項4】 前記導電性部材は、非磁性絶縁層と、そ
の表面に形成された導電層からなることを特徴とする請
求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said conductive member comprises a non-magnetic insulating layer and a conductive layer formed on a surface thereof.
【請求項5】 前記導電層は非磁性材料からなることを
特徴とする請求項4に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. The thin-film magnetic head according to claim 4, wherein said conductive layer is made of a non-magnetic material.
【請求項6】 前記導電層は軟質磁性材料からなること
を特徴とする請求項4に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. The thin-film magnetic head according to claim 4, wherein said conductive layer is made of a soft magnetic material.
【請求項7】 前記絶縁層と前記導電性部材との界面方
向と、前記磁気抵抗効果層の膜面方向とが略直交するよ
うに構成したことを特徴とする請求項1から請求項6ま
でのいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. The apparatus according to claim 1, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member is substantially orthogonal to a film surface direction of the magnetoresistive layer. The thin-film magnetic head according to any one of the above.
【請求項8】 前記絶縁層と前記導電性部材との界面方
向と、磁気記録媒体の移動方向とが略直交するように構
成したことを特徴とする請求項7に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
8. The thin-film magnetic head according to claim 7, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member is substantially perpendicular to a moving direction of the magnetic recording medium.
【請求項9】 前記絶縁層と前記導電性部材との界面方
向と、磁気記録媒体の移動方向とが略平行になるように
構成したことを特徴とする請求項7に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
9. The thin-film magnetic head according to claim 7, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member is substantially parallel to a moving direction of the magnetic recording medium.
【請求項10】 前記絶縁層と前記導電性部材との界面
と、前記磁気抵抗効果層の膜面との交線方向において、
前記磁気抵抗効果層よりも前記導電性部材を幅広く形成
したことを特徴とする請求項1から請求項9までのいず
れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
10. In an intersecting direction between an interface between the insulating layer and the conductive member and a film surface of the magnetoresistive layer,
The thin-film magnetic head according to any one of claims 1 to 9, wherein the conductive member is formed wider than the magnetoresistive layer.
【請求項11】 前記絶縁層と前記導電性部材との界面
と、前記磁気抵抗効果層の膜面との交線方向において、
前記導電性部材よりも前記磁気抵抗効果層を幅広く形成
したことを特徴とする請求項1から請求項9までのいず
れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
11. In an intersecting direction between an interface between the insulating layer and the conductive member and a film surface of the magnetoresistive layer,
The thin-film magnetic head according to any one of claims 1 to 9, wherein the magnetoresistive layer is formed wider than the conductive member.
【請求項12】 前記磁気抵抗効果層を、少なくとも反
強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、及びフリー磁性
層で構成したことを特徴とする請求項1から請求項11
までのいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
12. The apparatus according to claim 1, wherein said magnetoresistive layer comprises at least an antiferromagnetic layer, a fixed magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, and a free magnetic layer.
The thin-film magnetic head according to any one of the above.
【請求項13】 前記固定磁性層の磁化方向を、磁気記
録媒体の移動方向と略平行になるように構成したことを
特徴とする請求項12に記載の薄膜磁気ヘッド。
13. The thin-film magnetic head according to claim 12, wherein a magnetization direction of the fixed magnetic layer is configured to be substantially parallel to a moving direction of the magnetic recording medium.
【請求項14】 前記固定磁性層の磁化方向を、前記磁
気抵抗効果層の膜面に平行で、かつ、前記磁気記録媒体
の移動方向と略直交するように構成したことを特徴とす
る請求項12に記載の薄膜磁気ヘッド。
14. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein a magnetization direction of said pinned magnetic layer is parallel to a film surface of said magnetoresistive layer and substantially perpendicular to a moving direction of said magnetic recording medium. 13. The thin film magnetic head according to item 12.
【請求項15】 前記磁気抵抗効果層にバイアス磁界を
印加するために、一対のバイアス層を設けたことを特徴
とする請求項12から請求項14までのいずれか一項に
記載の薄膜磁気ヘッド。
15. The thin-film magnetic head according to claim 12, wherein a pair of bias layers is provided for applying a bias magnetic field to said magnetoresistive layer. .
【請求項16】 前記磁気抵抗効果層にバイアス磁界を
印加するために、一対の高抵抗バイアス層を設けたこと
を特徴とする請求項12から請求項14までのいずれか
一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
16. The thin film according to claim 12, wherein a pair of high resistance bias layers is provided for applying a bias magnetic field to said magnetoresistive layer. Magnetic head.
【請求項17】 前記支持基体の前記磁気抵抗効果層が
形成された面上に、前記磁気抵抗効果層を覆う保護層を
設けることを特徴とする請求項1から請求項16までの
いずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
17. The method according to claim 1, wherein a protective layer for covering the magnetoresistive layer is provided on a surface of the support base on which the magnetoresistive layer is formed. Item 7. The thin-film magnetic head according to item 1.
【請求項18】 基板上に第1の導電層を形成する第1
の工程と、 前記第1の工程の後に、前記第1の導電層上に絶縁層を
形成する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記絶縁層上に第2の導電層を
形成する第3の工程と、 前記第3の工程の後に、前記第1の導電層、前記絶縁層
及び前記第2の導電層の不要部分を削る第4の工程と、 前記第4の工程の後に、パッシベーション層を形成する
第5の工程と、 前記第5の工程の後に、前記基板を切断する第6の工程
と、 前記第6の工程の後に、切断された面を平面研磨して前
記第1の導電層、前記絶縁層及び前記第2の導電層を有
する研磨面を形成する第7の工程と、 前記第7の工程の後に、前記研磨面上に磁気抵抗効果層
を形成する第8の工程とを有することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
18. A method for forming a first conductive layer on a substrate, comprising the steps of:
And a second step of forming an insulating layer on the first conductive layer after the first step; and a second conductive layer on the insulating layer after the second step. A third step of forming; a fourth step of shaving unnecessary portions of the first conductive layer, the insulating layer and the second conductive layer after the third step; A fifth step of forming a passivation layer; a sixth step of cutting the substrate after the fifth step; and a planar polishing of the cut surface after the sixth step. A seventh step of forming a polished surface having a first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer; and a step of forming a magnetoresistive layer on the polished surface after the seventh step. 8. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
【請求項19】 基板上に第1の導電層を形成する第1
の工程と、 前記第1の工程の後に、前記第1の導電層の所要の部分
を残して他の部分を除去して前記第1の導電層の端面を
露出させる第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記第1の導電層と、前記第1
の導電層の端面を覆うように絶縁層を形成する第3の工
程と、 前記第3の工程の後に、前記絶縁層上に第2の導電層を
形成する第4の工程と、 前記第4の工程の後に、前記第1の導電層、前記絶縁層
及び前記第2の導電層の不要部分を削る第5の工程と、 前記第5の工程の後に、パッシベーション層を形成する
第6の工程と、 前記第6の工程の後に、平面研磨を行って前記第1の導
電層、前記絶縁層及び前記第2の導電層を有する研磨面
を形成する第7の工程と、 前記第7の工程の後に、前記研磨面上に磁気抵抗効果層
を形成する第8の工程とを有することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
19. A first method for forming a first conductive layer on a substrate.
A second step of exposing an end face of the first conductive layer by removing a remaining part of the first conductive layer after leaving the required part thereof, after the first step, After the second step, the first conductive layer and the first conductive layer
A third step of forming an insulating layer so as to cover an end surface of the conductive layer, a fourth step of forming a second conductive layer on the insulating layer after the third step, A step of shaving unnecessary portions of the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer after the step; and a sixth step of forming a passivation layer after the fifth step. A seventh step of performing planar polishing after the sixth step to form a polished surface having the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer, and a seventh step An eighth step of forming a magnetoresistive layer on the polished surface after the step (b).
【請求項20】 基板上に第1の導電層を形成する第1
の工程と、 前記第1の工程の後に、前記第1の導電層の所要の部分
を残して他の部分を除去して前記第1の導電層の端面を
露出させる第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記第1の導電層と、前記第1
の導電層の端面を覆うように絶縁層を形成する第3の工
程と、 前記第3の工程の後に、前記絶縁層上に第2の導電層を
形成する第4の工程と、 前記第4の工程の後に、前記第1の導電層、前記絶縁層
及び前記第2の導電層の不要部分を削る第5の工程と、 前記第5の工程の後に、第1のパッシベーション層を形
成する第6の工程と、 前記第6の工程の後に、平面研磨を行って前記第1の導
電層、前記絶縁層及び前記第2の導電層を有する第1の
研磨面を形成する第7の工程と、 前記第7の工程の後に、第2のパッシベーション層を形
成する第8の工程と、 前記第8の工程の後に、前記基板を切断する第9の工程
と、 前記第9の工程の後に、切断された面を平面研磨して前
記第1の導電層、前記絶縁層及び前記第2の導電層を有
し、前記第1の研磨面とは略直交する第2の研磨面を形
成する第10の工程と、 前記第10の工程の後に、前記第2の研磨面上に磁気抵
抗効果層を形成する第11の工程とを有することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
20. A method for forming a first conductive layer on a substrate, comprising the steps of:
A second step of exposing an end face of the first conductive layer by removing a remaining part of the first conductive layer after leaving the required part thereof, after the first step, After the second step, the first conductive layer and the first conductive layer
A third step of forming an insulating layer so as to cover an end surface of the conductive layer, a fourth step of forming a second conductive layer on the insulating layer after the third step, A fifth step of cutting unnecessary portions of the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer after the step; and a step of forming a first passivation layer after the fifth step. And a seventh step of performing planar polishing after the sixth step to form a first polished surface having the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer. An eighth step of forming a second passivation layer after the seventh step, a ninth step of cutting the substrate after the eighth step, and after the ninth step, The cut surface is planarly polished to have the first conductive layer, the insulating layer, and the second conductive layer. A tenth step of forming a second polished surface substantially orthogonal to the first polished surface, and an eleventh step of forming a magnetoresistive layer on the second polished surface after the tenth step And a method of manufacturing a thin film magnetic head.
【請求項21】 前記磁気抵抗効果層を削って膜面形状
を形成する工程を有することを特徴とする請求項18か
ら請求項20までのいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
21. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 18, further comprising a step of shaping the magnetoresistive effect layer to form a film surface shape.
【請求項22】 前記第8の工程において、磁気抵抗効
果層を選択的に形成することを特徴とする請求項18ま
たは請求項19のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
22. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 18, wherein in the eighth step, a magnetoresistive layer is selectively formed.
【請求項23】 前記第11の工程において、磁気抵抗
効果層を選択的に形成することを特徴とする請求項20
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
23. The method according to claim 20, wherein, in the eleventh step, a magnetoresistive layer is selectively formed.
3. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to item 1.
【請求項24】 一対の硬質磁性層を形成する工程を有
することを特徴とする請求項18から請求項23までの
いずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
24. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 18, further comprising a step of forming a pair of hard magnetic layers.
【請求項25】 一対の高抵抗硬質磁性層を形成する工
程を有することを特徴とする請求項18から請求項23
までのいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
25. The method according to claim 18, further comprising the step of forming a pair of high-resistance hard magnetic layers.
13. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1.
【請求項26】 対をなす導電性部材、及び前記導電性
部材間に配置され、かつ前記導電性部材間を絶縁する絶
縁層からなる支持基体と、 前記支持基体の前記絶縁層が表出する一面上に形成され
た磁気抵抗効果層とを備え、 前記導電性部材を前記磁気抵抗効果層の電極端子とした
薄膜磁気ヘッドと、 回転可能に支持された磁気記録媒体と、 前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するよう
に支持する支持部材と、 前記磁気記録媒体を回転する手段と、 前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁
気記録媒体の膜面に沿って移動させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と
電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換
し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘ
ッドの移動を制御する処理手段とを有することを特徴と
する磁気再生装置。
26. A support base comprising a pair of conductive members, an insulating layer disposed between the conductive members, and insulating between the conductive members, and the insulating layer of the support base is exposed. A thin-film magnetic head comprising: a magnetoresistive layer formed on one surface, wherein the conductive member is an electrode terminal of the magnetoresistive layer; a rotatably supported magnetic recording medium; and the thin-film magnetic head. A support member that supports the magnetic recording medium so as to face the magnetic recording medium; a unit that rotates the magnetic recording medium; And electrically connected to the thin-film magnetic head, the rotating means and the moving means, exchange signals with the thin-film magnetic head, control rotation of the magnetic recording medium, and move the thin-film magnetic head. Magnetic reproducing apparatus characterized by having a Gosuru processing means.
【請求項27】 前記薄膜磁気ヘッドの前記導電性部材
は非磁性材料からなることを特徴とする請求項26に記
載の磁気再生装置。
27. The magnetic reproducing apparatus according to claim 26, wherein the conductive member of the thin-film magnetic head is made of a non-magnetic material.
【請求項28】 前記薄膜磁気ヘッドの前記導電性部材
は軟質磁性材料からなることを特徴とする請求項26に
記載の磁気再生装置。
28. The magnetic reproducing apparatus according to claim 26, wherein the conductive member of the thin-film magnetic head is made of a soft magnetic material.
【請求項29】 前記薄膜磁気ヘッドの前記導電性部材
は、非磁性絶縁層と、その表面に形成された導電層から
なることを特徴とする請求項26に記載の磁気再生装
置。
29. The magnetic reproducing apparatus according to claim 26, wherein the conductive member of the thin-film magnetic head comprises a non-magnetic insulating layer and a conductive layer formed on a surface thereof.
【請求項30】 前記薄膜磁気ヘッドの前記導電層は非
磁性材料からなることを特徴とする請求項29に記載の
磁気再生装置。
30. The magnetic reproducing apparatus according to claim 29, wherein the conductive layer of the thin-film magnetic head is made of a non-magnetic material.
【請求項31】 前記薄膜磁気ヘッドの前記導電層は軟
質磁性材料からなることを特徴とする請求項29に記載
の磁気再生装置。
31. The magnetic reproducing apparatus according to claim 29, wherein the conductive layer of the thin-film magnetic head is made of a soft magnetic material.
【請求項32】 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層と前
記導電性部材との界面方向と、前記磁気抵抗効果層の膜
面方向とが略直交するように構成したことを特徴とする
請求項26から請求項31までのいずれか一項に記載の
磁気再生装置。
32. The thin-film magnetic head according to claim 26, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member of the thin-film magnetic head is substantially orthogonal to a film surface direction of the magnetoresistive layer. The magnetic reproducing device according to any one of claims 31 to 31.
【請求項33】 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層と前
記導電性部材との界面方向と、磁気記録媒体の移動方向
とが略直交するように構成したことを特徴とする請求項
32に記載の磁気再生装置。
33. The thin-film magnetic head according to claim 32, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member of the thin-film magnetic head is substantially orthogonal to a moving direction of the magnetic recording medium. Magnetic playback device.
【請求項34】 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層と前
記導電性部材との界面方向と、磁気記録媒体の移動方向
とが略平行になるように構成したことを特徴とする請求
項32に記載の磁気再生装置。
34. The thin-film magnetic head according to claim 32, wherein an interface direction between the insulating layer and the conductive member of the thin-film magnetic head is substantially parallel to a moving direction of the magnetic recording medium. Magnetic playback device.
【請求項35】 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層と前
記導電性部材との界面と、前記磁気抵抗効果層の膜面と
の交線方向において、前記磁気抵抗効果層よりも前記導
電性部材を幅広く形成したことを特徴とする請求項26
から請求項34までのいずれか一項に記載の磁気再生装
置。
35. The conductive member, as compared with the magnetoresistive layer, in an intersecting direction between an interface between the insulating layer and the conductive member of the thin-film magnetic head and a film surface of the magnetoresistive layer. 27. The device according to claim 26, which is formed wide.
35. The magnetic reproducing apparatus according to claim 34.
【請求項36】 前記薄膜磁気ヘッドの前記絶縁層と前
記導電性部材との界面と、前記磁気抵抗効果層の膜面と
の交線方向において、前記導電性部材よりも前記磁気抵
抗効果層を幅広く形成したことを特徴とする請求項26
から請求項34までのいずれか一項に記載の磁気再生装
置。
36. The magneto-resistance effect layer is more laid than the conductive member in a direction intersecting an interface between the insulating layer and the conductive member of the thin-film magnetic head and a film surface of the magneto-resistance effect layer. 27. The device according to claim 26, which is formed wide.
35. The magnetic reproducing apparatus according to claim 34.
【請求項37】 前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層を、少なくとも反強磁性層、固定磁性層、非磁性導
電層、及びフリー磁性層で構成したことを特徴とする請
求項26から請求項36までのいずれか一項に記載の磁
気再生装置。
37. The thin-film magnetic head according to claim 26, wherein the magnetoresistive layer comprises at least an antiferromagnetic layer, a pinned magnetic layer, a nonmagnetic conductive layer, and a free magnetic layer. 37. The magnetic reproducing apparatus according to any one of 36 to 36.
【請求項38】 前記薄膜磁気ヘッドの前記固定磁性層
の磁化方向を、磁気記録媒体の移動方向と略平行になる
ように構成したことを特徴とする請求項37に記載の磁
気再生装置。
38. The magnetic reproducing apparatus according to claim 37, wherein a magnetization direction of the fixed magnetic layer of the thin-film magnetic head is configured to be substantially parallel to a moving direction of a magnetic recording medium.
【請求項39】 前記薄膜磁気ヘッドの前記固定磁性層
の磁化方向を、前記磁気抵抗効果層の膜面に平行で、か
つ、前記磁気記録媒体の移動方向と略直交するように構
成したことを特徴とする請求項37に記載の磁気再生装
置。
39. The thin-film magnetic head, wherein the magnetization direction of the fixed magnetic layer is parallel to a film surface of the magnetoresistive layer and substantially perpendicular to a moving direction of the magnetic recording medium. 38. The magnetic reproducing device according to claim 37, wherein:
【請求項40】 前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層にバイアス磁界を印加するために、一対のバイアス
層を設けたことを特徴とする請求項37から請求項39
までのいずれか一項に記載の磁気再生装置。
40. A thin film magnetic head according to claim 37, wherein a pair of bias layers are provided for applying a bias magnetic field to said magnetoresistive layer.
The magnetic reproducing device according to any one of the above.
【請求項41】 前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層にバイアス磁界を印加するために、一対の高抵抗バ
イアス層を設けたことを特徴とする請求項37から請求
項39までのいずれか一項に記載の磁気再生装置。
41. A thin-film magnetic head according to claim 37, wherein a pair of high-resistance bias layers are provided for applying a bias magnetic field to said magneto-resistance effect layer. Item 6. A magnetic reproducing device according to Item 1.
【請求項42】 前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気記録媒
体に対向した面上に、前記磁気抵抗効果層を覆う保護層
を設けたことを特徴とする請求項26から請求項41ま
でのいずれか一項に記載の磁気再生装置。
42. A protective layer for covering said magnetoresistive layer is provided on a surface of said thin-film magnetic head facing said magnetic recording medium. Item 6. A magnetic reproducing device according to Item 1.
【請求項43】 前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体の回転方向と略平行である構
成であることを特徴とする請求項38に記載の磁気再生
装置。
43. The magnetic reproducing apparatus according to claim 38, wherein the direction of the recorded magnetization of the magnetic recording medium is substantially parallel to the rotation direction of the magnetic recording medium.
【請求項44】 前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体面に対して略直交する構成で
あることを特徴とする請求項38に記載の磁気再生装
置。
44. The magnetic reproducing apparatus according to claim 38, wherein a direction of a recorded magnetization of the magnetic recording medium is substantially orthogonal to a surface of the magnetic recording medium.
【請求項45】 前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体の半径方向と略平行になる構
成であることを特徴とする請求項39に記載の磁気再生
装置。
45. The magnetic reproducing apparatus according to claim 39, wherein a direction of magnetization recorded on the magnetic recording medium is substantially parallel to a radial direction of the magnetic recording medium.
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