JP2002228447A - Bearing sensor - Google Patents

Bearing sensor

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JP2002228447A
JP2002228447A JP2001056524A JP2001056524A JP2002228447A JP 2002228447 A JP2002228447 A JP 2002228447A JP 2001056524 A JP2001056524 A JP 2001056524A JP 2001056524 A JP2001056524 A JP 2001056524A JP 2002228447 A JP2002228447 A JP 2002228447A
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JP
Japan
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conductor
insulating layer
magnetic field
generating
bias magnetic
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001056524A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuji Seguchi
修次 瀬口
Kazuyoshi Matsuo
和芳 松尾
Masao Niigoe
正雄 新越
Kazuhiro Onaka
和弘 尾中
Masanori Samejima
正憲 鮫島
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bearing sensor smaller in shape and inexpensive. SOLUTION: The first conductor 14 for generating a bias magnetic field, the second conductor 16 for generating a bias magnetic field, a magnetic resistance element 18 comprising a magnetic resistance pattern, the third conductor 20 for generating a bias magnetic field connected to the first conductor 14, and the fourth conductor 22 for generating a bias magnetic field connected to the second conductor 16, are laminated sequentially on one side of an insulation substrate 11 through second, third, fourth and fifth insulation layers 15, 17, 19 and 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子に適
当なバイアス磁界を付与し、地磁気を検出して方位を知
る方位センサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an azimuth sensor for applying an appropriate bias magnetic field to a magnetoresistive element and detecting the terrestrial magnetism to determine the azimuth.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の方位センサは、図14
(a)(b)および図15(a)(b)に示すような構
造となっていた。
2. Description of the Related Art A conventional direction sensor of this type is shown in FIG.
(A), (b) and FIGS. 15 (a), (b).

【0003】すなわち、図14(a)(b)および図1
5(a)(b)に示すように、4つの直交する辺を有す
る絶縁基板上にパターンの長手方向に通電すると電気抵
抗がパターンに直交する磁界の強さに応じて変化する4
個の磁気抵抗エレメント1をパターンの長手方向が互い
に直交しかつ前記絶縁基板の各辺に対して45°の方向
を向くように配置して互いに直列に接続するとともに所
定の入力端子と出力端子を設けて構成した磁気抵抗素子
2と、前記磁気抵抗エレメント1を形成した面がその中
心部にくるように前記磁気抵抗素子2を配置する設置台
部3aを有する素子ホルダー3と、この素子ホルダー3
にそれぞれ所定の巻数で巻回した銅線等の絶縁被覆線か
らなる2つのバイアス磁界発生用のコイル4a,4bと
を備え、前記素子ホルダー3に、前記磁気抵抗エレメン
ト1に対して45°方向にバイアス磁界を付与するため
の第1のバイアス磁界発生用のコイル4aを前記磁気抵
抗エレメントから所定の距離で巻くための第1のコイル
用溝3bと、前記第1のバイアス磁界発生用のコイル4
aに対して直交する第2のバイアス磁界発生用のコイル
4bを前記第1のバイアス磁界発生用のコイル4aに触
れないような所定の位置に形成するための第2のコイル
用溝3cとを設けた構造となっていた。
That is, FIGS. 14A and 14B and FIG.
As shown in FIGS. 5 (a) and (b), when an electric current is applied to the insulating substrate having four orthogonal sides in the longitudinal direction of the pattern, the electric resistance changes according to the strength of the magnetic field orthogonal to the pattern.
The plurality of magnetoresistive elements 1 are arranged so that the longitudinal directions of the patterns are orthogonal to each other and oriented at 45 ° to each side of the insulating substrate, are connected in series with each other, and have predetermined input terminals and output terminals. An element holder 3 having a magnetoresistive element 2 provided and provided; an installation base 3a for disposing the magnetoresistive element 2 such that the surface on which the magnetoresistive element 1 is formed is located at the center;
And two bias magnetic field generating coils 4a and 4b each formed of an insulated wire such as a copper wire wound in a predetermined number of turns. A first coil groove 3b for winding a first bias magnetic field generating coil 4a for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element at a predetermined distance, and a first bias magnetic field generating coil 4
and a second coil groove 3c for forming a second bias magnetic field generating coil 4b orthogonal to a at a predetermined position so as not to touch the first bias magnetic field generating coil 4a. It was a structure provided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方位センサにおいては、銅線等の絶縁被覆線か
らなる2つのバイアス磁界発生用のコイル4a,4b
を、磁気抵抗素子2を設置した素子ホルダー3にそれぞ
れ所定の巻数で巻回する構造としているため、方位セン
サ自体の形状が大きくなるという問題点を有するととも
に、4個の磁気抵抗エレメント1をパターン化した磁気
抵抗素子2と、2つのバイアス磁界発生用のコイル4
a,4bとの位置関係は、素子ホルダー3内に形成され
る磁気抵抗素子設置台部3aや、第1、第2のコイル用
溝3b,3cにより決まるため、磁気抵抗素子2と2つ
のバイアス磁界発生用のコイル4a,4bの位置関係の
形成が複雑な構造になるという問題点を有していた。
However, in the above-described conventional direction sensor, two bias magnetic field generating coils 4a and 4b formed of an insulated wire such as a copper wire are used.
Is wound around the element holder 3 on which the magnetoresistive element 2 is installed with a predetermined number of turns, so that the shape of the azimuth sensor itself becomes large, and the four magnetoresistive elements 1 are Magnetoresistive element 2 and two coils 4 for generating a bias magnetic field
The positional relationship between the magneto-resistive element 2 and the two biases is determined by the position of the magneto-resistive element mounting base 3a formed in the element holder 3 and the first and second coil grooves 3b and 3c. There is a problem that the formation of the positional relationship between the magnetic field generating coils 4a and 4b becomes complicated.

【0005】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、形状的にも小型で、かつ安価な方位センサを提供す
ることを目的とするものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an azimuth sensor which is small in size and inexpensive.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の方位センサは、絶縁基板の片面側に設けたバ
イアス磁界発生用の第1の導体と、この第1の導体の一
部を覆うように設けた第2の絶縁層と、この第2の絶縁
層の上に位置して前記第1の導体と直交する方向に設け
たバイアス磁界発生用の第2の導体と、この第2の導体
の一部を覆うように設けた第3の絶縁層と、この第3の
絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗
素子と、この磁気抵抗素子を覆うように設けた第4の絶
縁層と、この第4の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第
1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導体
と、この第3の導体を覆うように設けた第5の絶縁層
と、この第5の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第2の
導体に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体とを
備えたもので、この構成によれば、形状的にも小型で、
かつ安価な方位センサが得られるものである。
In order to achieve the above object, an azimuth sensor according to the present invention comprises a first conductor for generating a bias magnetic field, provided on one side of an insulating substrate, and a part of the first conductor. A second insulating layer provided over the second insulating layer, a second conductor for generating a bias magnetic field provided on the second insulating layer in a direction orthogonal to the first conductor, A third insulating layer provided so as to cover a part of the second conductor, a magnetoresistive element including a magnetoresistive pattern provided on the third insulating layer, and provided so as to cover the magnetoresistive element; A fourth insulating layer, a third conductor provided on the fourth insulating layer and connected to the first conductor for generating a bias magnetic field, and provided to cover the third conductor; A fifth insulating layer provided on the fifth insulating layer and connected to the second conductor. Which was a fourth conductor for astigmatism magnetic field generation, according to this configuration, in geometrically small also,
In addition, an inexpensive direction sensor can be obtained.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、絶縁基板と、この絶縁基板の片面側に設けたバイア
ス磁界発生用の第1の導体と、この第1の導体の一部を
覆うように設けた第2の絶縁層と、この第2の絶縁層の
上に位置して前記第1の導体と直交する方向に設けたバ
イアス磁界発生用の第2の導体と、この第2の導体の一
部を覆うように設けた第3の絶縁層と、この第3の絶縁
層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗素子
と、この磁気抵抗素子を覆うように設けた第4の絶縁層
と、この第4の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第1の
導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導体と、
この第3の導体を覆うように設けた第5の絶縁層と、こ
の第5の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第2の導体に
接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体とを備えた
もので、この構成によれば、絶縁基板の片面側に、バイ
アス磁界発生用の第1の導体と、バイアス磁界発生用の
第2の導体と、磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗素子
と、前記第1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の
第3の導体と、前記第2の導体に接続されるバイアス磁
界発生用の第4の導体を第2、第3、第4、第5の絶縁
層を介して順次積層する形で設けているため、部品点数
も少なくてすみ、かつ従来のようにバイアス磁界発生用
のコイルを所定の巻数で巻回するという作業も不要であ
るため、形状的にも小型で、かつ安価な方位センサを提
供できるという作用を有するものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to an insulating substrate, a first conductor for generating a bias magnetic field provided on one side of the insulating substrate, and one of the first conductors. A second insulating layer provided so as to cover the portion, a second conductor for generating a bias magnetic field provided on the second insulating layer and provided in a direction orthogonal to the first conductor, A third insulating layer provided so as to cover a part of the second conductor, a magnetoresistive element formed of a magnetoresistive pattern provided on the third insulating layer, and provided to cover the magnetoresistive element; A fourth insulating layer provided on the fourth insulating layer, and a third conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor;
A fifth insulating layer provided to cover the third conductor, and a fourth conductor for generating a bias magnetic field provided on the fifth insulating layer and connected to the second conductor. According to this configuration, a first conductor for generating a bias magnetic field, a second conductor for generating a bias magnetic field, and a magnetoresistive element including a magnetoresistive pattern are provided on one side of the insulating substrate. A third conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor and a fourth conductor for generating a bias magnetic field connected to the second conductor are defined as second, third, fourth, and fourth conductors. 5, the number of components is small, and it is not necessary to wind a coil for generating a bias magnetic field with a predetermined number of turns as in the related art. To provide an inexpensive azimuth sensor that is compact in shape. And it has a.

【0008】請求項2に記載の発明は、絶縁基板と、こ
の絶縁基板の片面側に設けたバイアス磁界発生用の第1
の導体と、この第1の導体の一部を覆うように設けた第
2の絶縁層と、この第2の絶縁層の上に位置して前記第
1の導体と直交する方向に設けたバイアス磁界発生用の
第2の導体と、この第2の導体の一部を覆うように設け
た第3の絶縁層と、この第3の絶縁層の上に設けた磁気
抵抗パターンからなる磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素
子を覆うように設けた第4の絶縁層と、この第4の絶縁
層の上に設けられ、かつ前記第2の導体に接続されるバ
イアス磁界発生用の第4の導体と、この第4の導体を覆
うように設けた第5の絶縁層と、この第5の絶縁層の上
に設けられ、かつ前記第1の導体に接続されるバイアス
磁界発生用の第3の導体とを備えたもので、この構成に
よれば、絶縁基板の片面側に、バイアス磁界発生用の第
1の導体と、バイアス磁界発生用の第2の導体と、磁気
抵抗パターンからなる磁気抵抗素子と、前記第2の導体
に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体と、前記
第1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導
体を第2、第3、第4、第5の絶縁層を介して順次積層
する形で設けているため、部品点数も少なくてすみ、か
つ従来のようにバイアス磁界発生用のコイルを所定の巻
数で巻回するという作業も不要であるため、形状的にも
小型で、かつ安価な方位センサを提供できるという作用
を有するものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate, and a first magnetic field generating means provided on one side of the insulating substrate for generating a bias magnetic field.
And a second insulating layer provided so as to cover a part of the first conductor, and a bias provided on the second insulating layer and provided in a direction orthogonal to the first conductor. A second conductor for generating a magnetic field, a third insulating layer provided so as to cover a part of the second conductor, and a magnetoresistive element including a magnetoresistive pattern provided on the third insulating layer A fourth insulating layer provided to cover the magnetoresistive element, and a fourth conductor for generating a bias magnetic field provided on the fourth insulating layer and connected to the second conductor. A fifth insulating layer provided so as to cover the fourth conductor; and a third insulating layer provided on the fifth insulating layer and connected to the first conductor for generating a bias magnetic field. According to this configuration, the first conductor for generating the bias magnetic field and the bias conductor are provided on one side of the insulating substrate. A second conductor for generating a magnetic field, a magnetoresistive element formed of a magnetoresistive pattern, a fourth conductor for generating a bias magnetic field connected to the second conductor, and connected to the first conductor. Since the third conductor for generating the bias magnetic field is provided in such a manner that the third conductor is sequentially laminated via the second, third, fourth and fifth insulating layers, the number of parts can be reduced and the bias as in the prior art can be reduced. Since the operation of winding the coil for generating the magnetic field with a predetermined number of turns is not necessary, the present invention has an effect of providing an inexpensive azimuth sensor that is small in shape.

【0009】請求項3に記載の発明は、バイアス磁界発
生用の第1の導体と、この第1の導体の一部を覆うよう
に設けた第2の絶縁層と、この第2の絶縁層の上に設け
た磁気抵抗パターンからなる第1の磁気抵抗素子と、こ
の第1の磁気抵抗素子を覆うように設けた第3の絶縁層
と、この第3の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第1の
導体に接続されるバイアス磁界発生用の第2の導体とか
らなるセンサ部Aと、前記センサ部Aにおける第1の導
体と直交する方向に設けたバイアス磁界発生用の第3の
導体と、この第3の導体の一部を覆うように設けた第5
の絶縁層と、この第5の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パ
ターンからなる第2の磁気抵抗素子と、この第2の磁気
抵抗素子を覆うように設けた第6の絶縁層と、この第6
の絶縁層の上に位置して前記第2の導体と直交する方向
に設けられ、かつ前記第3の導体に接続されるバイアス
磁界発生用の第4の導体とからなるセンサ部Bとを有
し、前記センサ部Aとセンサ部Bを同一の絶縁基板の片
面側に独立して設けたもので、この構成によれば、バイ
アス磁界発生用の第1の導体と、磁気抵抗パターンから
なる第1の磁気抵抗素子と、前記第1の導体に接続され
るバイアス磁界発生用の第2の導体とからなるセンサ部
Aと、前記センサ部Aにおける第1の導体と直交する方
向に設けたバイアス磁界発生用の第3の導体と、磁気抵
抗パターンからなる第2の磁気抵抗素子と、前記第2の
導体と直交する方向に設けられ、かつ前記第3の導体に
接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体とからなる
センサ部Bとを有し、前記センサ部Aとセンサ部Bを同
一の絶縁基板の片面側に独立して設けているため、従来
のようにバイアス磁界発生用のコイルを所定の巻数で巻
回するという作業も不要となり、かつ形状的にはセンサ
部Aとセンサ部Bとに分けたことにより、高さの低い、
すなわち薄形の方位センサを提供できるという作用を有
するものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a first conductor for generating a bias magnetic field, a second insulating layer provided so as to cover a part of the first conductor, and a second insulating layer. A first magnetoresistive element composed of a magnetoresistive pattern provided on the first magnetoresistive element, a third insulating layer provided to cover the first magnetoresistive element, and provided on the third insulating layer; A sensor section A including a second conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor; and a third section for generating a bias magnetic field provided in a direction orthogonal to the first conductor in the sensor section A. And a fifth conductor provided so as to cover a part of the third conductor.
An insulating layer, a second magnetoresistive element comprising a magnetoresistive pattern provided on the fifth insulating layer, a sixth insulating layer provided to cover the second magnetoresistive element, Sixth
And a fourth conductor for generating a bias magnetic field, which is provided on the insulating layer of the second conductor in a direction orthogonal to the second conductor and is connected to the third conductor. The sensor section A and the sensor section B are independently provided on one side of the same insulating substrate. According to this configuration, the first conductor for generating the bias magnetic field and the second A sensor section A including a first magneto-resistive element and a second conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor; and a bias provided in a direction orthogonal to the first conductor in the sensor section A. A third conductor for generating a magnetic field, a second magnetoresistive element formed of a magnetoresistive pattern, and a bias magnetic field provided in a direction orthogonal to the second conductor and connected to the third conductor. And a sensor portion B made of a fourth conductor Since the sensor unit A and the sensor unit B are independently provided on one surface side of the same insulating substrate, it is not necessary to wind a coil for generating a bias magnetic field with a predetermined number of turns as in the related art, and The shape is divided into the sensor part A and the sensor part B, so that the height is low,
That is, it has an effect that a thin azimuth sensor can be provided.

【0010】請求項4に記載の発明は、特に、バイアス
磁界発生用の第1の導体、第2の導体、第3の導体、第
4の導体を導体パターンで形成したもので、この構成に
よれば、バイアス磁界発生用の第1の導体、第2の導
体、第3の導体、第4の導体が導体パターンで形成され
ているため、方位センサ自体の全体の厚みも薄くなり、
これにより、方位センサ自体の形状の小型化が図れると
いう作用を有するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, the first, second, third, and fourth conductors for generating a bias magnetic field are formed of a conductor pattern. According to this, since the first conductor, the second conductor, the third conductor, and the fourth conductor for generating the bias magnetic field are formed by the conductor pattern, the overall thickness of the azimuth sensor itself is also reduced,
This has the effect that the shape of the azimuth sensor itself can be reduced in size.

【0011】請求項5に記載の発明は、特に、絶縁基板
の少なくとも裏面に、磁気抵抗素子に接続される外部電
極と、バイアス磁界発生用の第1の導体および第3の導
体に接続される外部電極と、バイアス磁界発生用の第2
の導体および第4の導体に接続される外部電極を設けた
もので、この構成によれば、絶縁基板の少なくとも裏面
に、磁気抵抗素子に接続される外部電極と、バイアス磁
界発生用の第1の導体および第3の導体に接続される外
部電極と、バイアス磁界発生用の第2の導体および第4
の導体に接続される外部電極が設けられているため、こ
れらの外部電極を電子機器のプリント基板にはんだ付け
することにより、方位センサの面実装が簡単に行えると
いう作用を有するものである。
[0011] The invention according to claim 5 is connected to the external electrode connected to the magnetoresistive element and the first and third conductors for generating the bias magnetic field, at least on the back surface of the insulating substrate. An external electrode and a second electrode for generating a bias magnetic field.
According to this configuration, the external electrode connected to the magnetoresistive element and the first electrode for generating the bias magnetic field are provided on at least the back surface of the insulating substrate. An external electrode connected to the third conductor and the third conductor, and a second conductor and a fourth
Since the external electrodes connected to the conductors are provided, by soldering these external electrodes to a printed circuit board of an electronic device, the azimuth sensor can be easily surface-mounted.

【0012】請求項6に記載の発明は、特に、絶縁基板
の少なくとも裏面に、第1の磁気抵抗素子に接続される
外部電極と、第2の磁気抵抗素子に接続される外部電極
と、バイアス磁界発生用の第1の導体および第2の導体
に接続される外部電極と、バイアス磁界発生用の第3の
導体および第4の導体に接続される外部電極を設けたも
ので、この構成によれば、絶縁基板の少なくとも裏面
に、第1の磁気抵抗素子に接続される外部電極と、第2
の磁気抵抗素子に接続される外部電極と、バイアス磁界
発生用の第1の導体および第2の導体に接続される外部
電極と、バイアス磁界発生用の第3の導体および第4の
導体に接続される外部電極が設けられているため、これ
らの外部電極を電子機器のプリント基板にはんだ付けす
ることにより、方位センサの面実装が簡単に行えるとい
う作用を有するものである。
According to a sixth aspect of the present invention, an external electrode connected to the first magnetoresistive element, an external electrode connected to the second magnetoresistive element, and a bias are provided on at least the back surface of the insulating substrate. An external electrode connected to the first and second conductors for generating a magnetic field and an external electrode connected to the third and fourth conductors for generating a bias magnetic field are provided. According to this, an external electrode connected to the first magnetoresistive element and a second
Connected to the first and second conductors for generating the bias magnetic field, and connected to the third and fourth conductors for generating the bias magnetic field. Since these external electrodes are provided, by soldering these external electrodes to a printed circuit board of an electronic device, the surface mounting of the azimuth sensor can be easily performed.

【0013】請求項7に記載の発明は、特に、複数の外
部電極をスルーホール電極で構成したもので、この構成
によれば、複数の外部電極をスルーホール電極で構成し
ているため、この外部電極を形成する場合、シート状の
絶縁基板に設けた多数のスルーホールに外部電極を同時
に形成することができ、そしてこのスルーホールの中央
部分を縦横に分割して個片化することにより、少なくと
も1つ以上がスルーホール電極からなる外部電極を有す
る方位センサを容易に得ることができるという作用を有
するものである。
According to the present invention, the plurality of external electrodes are formed of through-hole electrodes. According to this configuration, the plurality of external electrodes are formed of through-hole electrodes. When forming external electrodes, external electrodes can be simultaneously formed in a large number of through holes provided in a sheet-shaped insulating substrate, and by dividing the central portion of this through hole vertically and horizontally into individual pieces, This has an effect that an orientation sensor having at least one external electrode formed of a through-hole electrode can be easily obtained.

【0014】請求項8に記載の発明は、特に、第1の磁
気抵抗素子に接続される外部電極のうちの一部の外部電
極と、第2の磁気抵抗素子に接続される外部電極のうち
の一部の外部電極を共用化したもので、この構成によれ
ば、第1の磁気抵抗素子に接続される外部電極のうちの
一部の外部電極と、第2の磁気抵抗素子に接続される外
部電極のうちの一部の外部電極を共用化しているため、
この外部電極が接続されるプリント基板の配設パターン
の簡素化が図れるという作用を有するものである。
[0014] The invention according to claim 8 is particularly advantageous in that a part of the external electrodes connected to the first magnetoresistive element and a part of the external electrodes connected to the second magnetoresistive element. According to this configuration, some of the external electrodes connected to the first magnetoresistive element and some of the external electrodes are connected to the second magnetoresistive element. Because some of the external electrodes are shared,
This has the function of simplifying the arrangement pattern of the printed circuit board to which the external electrodes are connected.

【0015】請求項9に記載の発明は、特に、バイアス
磁界発生用の第1の導体および第2の導体に接続される
外部電極のうちの一部の外部電極と、バイアス磁界発生
用の第3の導体および第4の導体に接続される外部電極
のうちの一部の外部電極を共用化したもので、この構成
によれば、バイアス磁界発生用の第1の導体および第2
の導体に接続される外部電極のうちの一部の外部電極
と、バイアス磁界発生用の第3の導体および第4の導体
に接続される外部電極のうちの一部の外部電極を共用化
しているため、この外部電極が接続されるプリント基板
の配設パターンの簡素化が図れるという作用を有するも
のである。
According to a ninth aspect of the present invention, in particular, some of the external electrodes connected to the first conductor and the second conductor for generating the bias magnetic field and the second electrode for generating the bias magnetic field are provided. Some of the external electrodes connected to the third conductor and the fourth conductor share some of the external electrodes. According to this configuration, the first and second conductors for generating the bias magnetic field and the second
Some of the external electrodes connected to the third conductor and some of the external electrodes connected to the third and fourth conductors for generating the bias magnetic field are shared. Therefore, the arrangement of the printed circuit board to which the external electrodes are connected can be simplified.

【0016】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形
態1における方位センサについて、図面を参照しながら
説明する。
(Embodiment 1) Hereinafter, an orientation sensor according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0017】図1(a)は本発明の実施の形態1におけ
る方位センサの上面図、図1(b)は図1(a)のA−
A’線断面図である。
FIG. 1A is a top view of the azimuth sensor according to the first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line A ′.

【0018】図1(a)(b)において、11はアルミ
ナ基板からなる正方形状の絶縁基板で、この絶縁基板1
1は図1(a)に示すように、4隅と、4辺の略中央部
に円弧形状または半円形状のスルーホール電極からなる
外部電極12a,12b,12c,12d,12e,1
2f,12g,12hを形成している。13は前記絶縁
基板11の上面に形成したガラスグレーズからなる第1
の絶縁層で、この第1の絶縁層13はアルミナ基板から
なる絶縁基板11の表面平滑性を保つために形成される
ものである。14は前記第1の絶縁層13の上に設けた
バイアス磁界発生用の第1の導体、15は前記第1の導
体14の一部を覆うように設けたSiO 2薄膜等からな
る第2の絶縁層、16は前記第2の絶縁層15の上に位
置して、前記第1の導体14とは直交する方向に設けた
バイアス磁界発生用の第2の導体、17は前記第2の導
体16の一部を覆うように設けたSiO2薄膜等からな
る第3の絶縁層、18は前記第3の絶縁層17の上に設
けた磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗素子、19は前
記磁気抵抗素子18を覆うように設けたSiO2薄膜等
からなる第4の絶縁層、20は前記第4の絶縁層19の
上に設けられ、かつ前記第1の導体14に接続されるバ
イアス磁界発生用の第3の導体、21は前記第3の導体
20の一部を覆うように設けたSiO2薄膜等からなる
第5の絶縁層、22は前記第5の絶縁層21の上に設け
られ、かつ前記第2の導体16に接続されるバイアス磁
界発生用の第4の導体、23は前記絶縁基板11に形成
したスルーホール電極からなる外部電極12a,12
b,12c,12d,12e,12f,12g,12h
の一部を露出させた状態で外装面を覆う保護膜で、この
保護膜23は防湿を目的としてフェノール系樹脂または
エポキシ系樹脂で構成されている。なお、前記スルーホ
ール電極からなる外部電極12a,12b,12c,1
2d,12e,12f,12g,12hは図1(b)に
示すように、絶縁基板11の上面から側面を経由して裏
面まで至るように形成されているものである。
In FIGS. 1A and 1B, reference numeral 11 denotes aluminum.
A square insulating substrate made of a
Reference numeral 1 denotes four corners and a substantially central part of four sides as shown in FIG.
Consists of an arc-shaped or semi-circular through-hole electrode
External electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 1
2f, 12g and 12h are formed. 13 is the insulation
A first glass glaze formed on the upper surface of the substrate 11;
The first insulating layer 13 is made of an alumina substrate.
Formed to keep the surface smoothness of the insulating substrate 11
Things. 14 is provided on the first insulating layer 13
A first conductor for generating a bias magnetic field, 15 is the first conductor.
SiO provided so as to cover a part of the body 14 TwoThin film
The second insulating layer 16 is located on the second insulating layer 15.
And placed in a direction orthogonal to the first conductor 14.
A second conductor for generating a bias magnetic field, 17 is the second conductor.
SiO provided so as to cover a part of the body 16TwoThin film
A third insulating layer 18 is provided on the third insulating layer 17.
A magnetoresistive element consisting of a giant magnetoresistive pattern,
SiO provided so as to cover the magnetoresistive element 18TwoThin film, etc.
And a fourth insulating layer 20 of the fourth insulating layer 19.
A bus provided on the top and connected to the first conductor 14
A third conductor for generating an ias magnetic field; 21 is the third conductor;
SiO provided so as to cover part of 20TwoConsists of a thin film, etc.
A fifth insulating layer 22 is provided on the fifth insulating layer 21
And a bias magnet connected to the second conductor 16
A fourth conductor 23 for generating a field is formed on the insulating substrate 11.
External electrodes 12a and 12 made of through-hole electrodes
b, 12c, 12d, 12e, 12f, 12g, 12h
This is a protective film that covers the exterior surface with part of the
The protective film 23 is made of phenolic resin or
It is made of epoxy resin. The through-hole
External electrodes 12a, 12b, 12c, 1
2d, 12e, 12f, 12g, and 12h are shown in FIG.
As shown, the upper surface of the insulating substrate 11 is
It is formed so as to reach the surface.

【0019】図2(a)(b)、図3(a)(b)、図
4(a)(b)、図5(a)(b)、図6(a)(b)
および図7(a)(b)は本発明の実施の形態1におけ
る方位センサの製造工程図を示したもので、この製造工
程図に基づいて、本発明の実施の形態1における方位セ
ンサの製造方法を説明する。
2 (a) (b), 3 (a) (b), 4 (a) (b), 5 (a) (b), 6 (a) (b)
7 (a) and 7 (b) show a manufacturing process diagram of the azimuth sensor according to the first embodiment of the present invention. Based on this manufacturing process diagram, manufacture of the azimuth sensor according to the first embodiment of the present invention. The method will be described.

【0020】この方位センサは、多数の円形状のスルー
ホールを有するアルミナ基板からなるシート状の絶縁基
板を用いて、多数の方位センサを製造し、そして最後に
円形状のスルーホールの中央部分をダイシングで縦横に
分割することにより、個片化された方位センサを得てい
るものである。
In this azimuth sensor, a large number of azimuth sensors are manufactured using a sheet-like insulating substrate made of an alumina substrate having a large number of circular through holes, and finally, a central portion of the circular through hole is formed. Dividing vertically and horizontally by dicing provides an individualized direction sensor.

【0021】上記図2(a)(b)、図3(a)
(b)、図4(a)(b)、図5(a)(b)、図6
(a)(b)および図7(a)(b)は個片化された状
態の方位センサを示しているもので、まず、図2(a)
に示すように、アルミナ基板からなる絶縁基板11の4
隅と、4辺の略中央部に円弧形状または半円形状のスル
ーホール電極からなる外部電極12a,12b,12
c,12d,12e,12f,12g,12hを形成す
る。なお、このスルーホール電極からなる外部電極12
a,12b,12c,12d,12e,12f,12
g,12hは銀−パラジウムで構成され、かつ絶縁基板
11の上面からスルーホールの内側面を経由して絶縁基
板11の裏面まで至るように形成されるものである。
FIGS. 2A and 2B and FIG. 3A
(B), FIG. 4 (a) (b), FIG. 5 (a) (b), FIG.
FIGS. 7A and 7B and FIGS. 7A and 7B show the azimuth sensor in a state of being separated into individual pieces. First, FIG.
As shown in FIG.
External electrodes 12a, 12b, 12 each formed of an arc-shaped or semi-circular through-hole electrode substantially at the corners and substantially at the center of the four sides.
c, 12d, 12e, 12f, 12g, and 12h are formed. The external electrode 12 composed of this through-hole electrode
a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 12
g and 12h are made of silver-palladium and formed so as to extend from the upper surface of the insulating substrate 11 to the back surface of the insulating substrate 11 via the inner side surface of the through hole.

【0022】次に、図2(b)に示すように、外部電極
12a,12b,12c,12d,12e,12f,1
2g,12hの内側に位置して絶縁基板11の上面にガ
ラスグレーズからなる第1の絶縁層13を形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, the external electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 1
A first insulating layer 13 made of glass glaze is formed on the upper surface of the insulating substrate 11 so as to be located inside 2 g and 12 h.

【0023】次に、図3(a)に示すように、前記第1
の絶縁層13の上に複数の導体パターンからなるバイア
ス磁界発生用の第1の導体14を形成する。この第1の
導体14は一端を外部電極12aに接続し、かつ他端を
外部電極12bに接続する。そしてこの第1の導体14
は図3(a)中のX軸方向にバイアス磁界を発生させる
ものである。
Next, as shown in FIG.
A first conductor 14 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed on the insulating layer 13. The first conductor 14 has one end connected to the external electrode 12a and the other end connected to the external electrode 12b. And this first conductor 14
Is for generating a bias magnetic field in the X-axis direction in FIG.

【0024】次に、図3(b)に示すように、複数の導
体パターンからなるバイアス磁界発生用の第1の導体1
4の一部を覆うように、すなわち、第1の導体14にお
ける複数の接続部14aを露出させた状態で第1の導体
14を覆うようにSiO2薄膜等からなる第2の絶縁層
15を形成する。
Next, as shown in FIG. 3 (b), a first conductor 1 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is provided.
4 is covered, that is, the second insulating layer 15 made of a SiO 2 thin film or the like is covered so as to cover the first conductor 14 with the plurality of connection portions 14a of the first conductor 14 exposed. Form.

【0025】次に、図4(a)に示すように、前記第2
の絶縁層15の上に位置して、複数の導体パターンから
なるバイアス磁界発生用の第2の導体16を前記第1の
導体14とは直交する方向に形成する。この第2の導体
16は一端を外部電極12cに接続し、かつ他端を外部
電極12dに接続する。そしてこの第2の導体16は図
4(a)中のY軸方向にバイアス磁界を発生させるもの
である。
Next, as shown in FIG.
A second conductor 16 for generating a bias magnetic field, comprising a plurality of conductor patterns, is formed on the insulating layer 15 in a direction orthogonal to the first conductor 14. The second conductor 16 has one end connected to the external electrode 12c and the other end connected to the external electrode 12d. The second conductor 16 generates a bias magnetic field in the Y-axis direction in FIG.

【0026】次に、図4(b)に示すように、複数の導
体パターンからなるバイアス磁界発生用の第2の導体1
6の一部を覆うように、すなわち、第2の導体16にお
ける複数の接続部16aを露出させた状態で第2の導体
16を覆うようにSiO2薄膜等からなる第3の絶縁層
17を形成する。
Next, as shown in FIG. 4 (b), a second conductor 1 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed.
6 is covered with the third insulating layer 17 made of a SiO 2 thin film or the like so as to cover the second conductor 16 with the plurality of connection portions 16a of the second conductor 16 exposed. Form.

【0027】次に、図5(a)に示すように、前記第3
の絶縁層17の上に4個の磁気抵抗パターンからなる磁
気抵抗素子18を形成する。そしてこの磁気抵抗素子1
8は4個の磁気抵抗パターンによりブリッジ回路を構成
し、かつ4個の磁気抵抗パターンを外部電極12e,1
2f,12g,12hに接続する。
Next, as shown in FIG.
A magnetoresistive element 18 composed of four magnetoresistive patterns is formed on the insulating layer 17. And this magnetoresistive element 1
Reference numeral 8 denotes a bridge circuit formed by four magnetoresistive patterns, and the four magnetoresistive patterns are connected to the external electrodes 12e and 1e.
Connect to 2f, 12g, 12h.

【0028】次に、図5(b)に示すように、前記磁気
抵抗素子18を覆うようにSiO2薄膜等からなる第4
の絶縁層19を形成する。
Next, as shown in FIG. 5B, a fourth SiO 2 thin film or the like
Is formed.

【0029】次に、図6(a)に示すように、前記第4
の絶縁層19の上に複数の導体パターンからなるバイア
ス磁界発生用の第3の導体20を形成し、そしてこの第
3の導体20における複数の接続部20aを前記第1の
導体14における複数の接続部14aと接続する。
Next, as shown in FIG.
A third conductor 20 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed on the insulating layer 19, and a plurality of connection portions 20a of the third conductor 20 are connected to a plurality of connection portions 20a of the first conductor 14. Connect to the connection part 14a.

【0030】次に、図6(b)に示すように、複数の導
体パターンからなるバイアス磁界発生用の第3の導体2
0の一部を覆うように、すなわち、第3の導体20にお
ける複数の接続部20aを露出させた状態で第3の導体
20を覆うようにSiO2薄膜等からなる第5の絶縁層
21を形成する。
Next, as shown in FIG. 6 (b), a third conductor 2 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed.
0, that is, the fifth insulating layer 21 made of a SiO 2 thin film or the like is covered so as to cover the third conductor 20 with the plurality of connection portions 20a of the third conductor 20 exposed. Form.

【0031】次に、図7(a)に示すように、前記第5
の絶縁層21の上に複数の導体パターンからなるバイア
ス磁界発生用の第4の導体22を形成し、そしてこの第
4の導体22における複数の接続部22aを前記第2の
導体16における複数の接続部16aと接続する。
Next, as shown in FIG.
A fourth conductor 22 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed on the insulating layer 21 of the second conductor 16, and a plurality of connecting portions 22 a of the fourth conductor 22 are Connect to the connection part 16a.

【0032】次に、図7(b)に示すように、絶縁基板
11に形成したスルーホール電極からなる外部電極12
a,12b,12c,12d,12e,12f,12
g,12hの一部を露出させた状態で外装面を覆うよう
に、フェノール系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる保
護膜23を形成する。
Next, as shown in FIG. 7B, an external electrode 12 comprising a through-hole electrode formed on the insulating substrate 11 is formed.
a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 12
A protective film 23 made of a phenolic resin or an epoxy resin is formed so as to cover the exterior surface with part of g and 12h exposed.

【0033】上記のようにして、本発明の実施の形態1
における方位センサは製造されるものである。
As described above, Embodiment 1 of the present invention
Is manufactured.

【0034】上記した本発明の実施の形態における方位
センサにおいては、絶縁基板11の片面側に、バイアス
磁界発生用の第1の導体14と、バイアス磁界発生用の
第2の導体16と、磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗
素子18と、前記第1の導体14に接続されるバイアス
磁界発生用の第3の導体20と、前記第2の導体16に
接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体22を第
1、第2、第3、第4、第5の絶縁層13,15,1
7,19,21を介して順次積層する形で形成している
ため、部品点数も少なくてすみ、かつ従来のようにバイ
アス磁界発生用のコイルを所定の巻数で巻回するという
作業も不要であるため、形状的にも小型で、かつ安価な
方位センサが得られるものである。
In the direction sensor according to the above-described embodiment of the present invention, the first conductor 14 for generating a bias magnetic field, the second conductor 16 for generating a bias magnetic field, A magneto-resistive element 18 composed of a resistance pattern, a third conductor 20 for generating a bias magnetic field connected to the first conductor 14, and a fourth conductor for generating a bias magnetic field connected to the second conductor 16; The conductor 22 is divided into first, second, third, fourth, and fifth insulating layers 13, 15, 1
Since it is formed in such a manner that the components are sequentially laminated via the layers 7, 19 and 21, the number of components is reduced, and the work of winding the coil for generating the bias magnetic field with a predetermined number of turns as in the prior art is unnecessary. Therefore, an orientation sensor that is small in size and inexpensive can be obtained.

【0035】また本発明の実施の形態1においては、バ
イアス磁界発生用の第1の導体14、第2の導体16、
第3の導体20、第4の導体22を導体パターンで形成
しているため、方位センサ自体の厚みも薄くなり、これ
により、方位センサ自体の形状の小型化が図れるもので
ある。
In the first embodiment of the present invention, the first conductor 14, the second conductor 16,
Since the third conductor 20 and the fourth conductor 22 are formed by the conductor pattern, the thickness of the azimuth sensor itself is also reduced, so that the shape of the azimuth sensor itself can be reduced in size.

【0036】そしてまた本発明の実施の形態1において
は、絶縁基板11の上面からスルーホールの内側面を経
由して絶縁基板11の裏面まで至るように、磁気抵抗素
子18に接続される外部電極12e,12f,12g,
12hと、バイアス磁界発生用の第1の導体14および
第3の導体20に接続される外部電極12a,12b
と、バイアス磁界発生用の第2の導体16および第4の
導体22に接続される外部電極12c,12dを形成し
ているため、これらの外部電極12a,12b,12
c,12d,12e,12f,12g,12hを電子機
器のプリント基板にはんだ付けすることにより、方位セ
ンサの面実装が簡単に行えるものである。
In the first embodiment of the present invention, the external electrodes connected to the magnetoresistive element 18 extend from the upper surface of the insulating substrate 11 to the rear surface of the insulating substrate 11 via the inner surface of the through hole. 12e, 12f, 12g,
12h and external electrodes 12a and 12b connected to the first conductor 14 and the third conductor 20 for generating a bias magnetic field.
And the external electrodes 12c, 12d connected to the second conductor 16 and the fourth conductor 22 for generating the bias magnetic field, so that these external electrodes 12a, 12b, 12
By soldering c, 12d, 12e, 12f, 12g, and 12h to a printed circuit board of an electronic device, surface mounting of the direction sensor can be easily performed.

【0037】さらに本発明の実施の形態1においては、
上記外部電極12a,12b,12c,12d,12
e,12f,12g,12hをスルーホール電極で構成
しているため、この外部電極12a,12b,12c,
12d,12e,12f,12g,12hを形成する場
合、シート状の絶縁基板に設けた多数の円形状のスルー
ホールに外部電極12a,12b,12c,12d,1
2e,12f,12g,12hを同時に形成することが
でき、そしてこのスルーホールの中央部分を縦横に分割
して個片化することにより、円弧形状または半円形状の
スルーホール電極からなる外部電極12a,12b,1
2c,12d,12e,12f,12g,12hを有す
る方位センサを容易に得ることができるものである。
Further, in Embodiment 1 of the present invention,
The external electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, 12
Since e, 12f, 12g, and 12h are constituted by through-hole electrodes, the external electrodes 12a, 12b, 12c,
When forming 12d, 12e, 12f, 12g, and 12h, external electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, and 1 are formed in a large number of circular through holes provided in a sheet-like insulating substrate.
2e, 12f, 12g, and 12h can be formed at the same time, and the central portion of the through-hole is divided vertically and horizontally into individual pieces to form an external electrode 12a composed of an arc-shaped or semi-circular through-hole electrode. , 12b, 1
An orientation sensor having 2c, 12d, 12e, 12f, 12g, and 12h can be easily obtained.

【0038】(実施の形態2)図8は本発明の実施の形
態2における方位センサの断面図を示したもので、上記
した本発明の実施の形態1における方位センサと異なる
点は、図1(b)に示す本発明の実施の形態1における
方位センサの断面図との比較からも明らかなように、磁
気抵抗素子18を覆うように設けたSiO2薄膜等から
なる第4の絶縁層19の上に、第2の導体16に接続さ
れるバイアス磁界発生用の第4の導体22を設け、そし
てこの第4の導体22の一部を覆うようにSiO2薄膜
等からなる第5の絶縁層21を設け、その後、この第5
の絶縁層21の上に、第1の導体14に接続されるバイ
アス磁界発生用の第3の導体20を設けた点である。こ
のような構成にした場合においても、上記した本発明の
実施の形態1と同様の作用効果を奏するものである。
(Embodiment 2) FIG. 8 is a cross-sectional view of an azimuth sensor according to Embodiment 2 of the present invention. The difference from the azimuth sensor according to Embodiment 1 of the present invention is that FIG. As is clear from the comparison with the cross-sectional view of the azimuth sensor according to the first embodiment of the present invention shown in (b), the fourth insulating layer 19 made of a SiO 2 thin film or the like provided so as to cover the magnetoresistive element 18. on the, the fourth conductor 22 for bias magnetic field generating connected to the second conductor 16 is provided, and insulating the fifth made of SiO 2 thin film or the like so as to cover a part of the fourth conductor 22 A layer 21 is provided and then the fifth
A third conductor 20 for generating a bias magnetic field connected to the first conductor 14 is provided on the insulating layer 21 of FIG. Even in such a configuration, the same operation and effect as those of the first embodiment of the present invention described above can be obtained.

【0039】なお、上記本発明の実施の形態1における
複数の導体パターンからなるバイアス磁界発生用の第1
の導体14、第2の導体16、第3の導体20、第4の
導体22は、銀または銅、あるいはそれらの合金を印刷
方法または蒸着薄膜等により形成するものである。
The first embodiment for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns according to the first embodiment of the present invention.
The conductor 14, the second conductor 16, the third conductor 20, and the fourth conductor 22 are formed by printing silver, copper, or an alloy thereof by a printing method or a vapor deposition thin film.

【0040】また上記本発明の実施の形態1において
は、外部電極12a,12b,12c,12d,12
e,12f,12g,12hを、絶縁基板11の上面か
らスルーホールの内側面を経由して絶縁基板11の裏面
まで至るように形成したものについて説明したが、この
外部電極12a,12b,12c,12d,12e,1
2f,12g,12hは絶縁基板11の少なくとも裏面
に形成され、そしてこの裏面に形成された外部電極12
a,12b,12c,12d,12e,12f,12
g,12hがスルーホールの内側面や絶縁基板11の上
面を経由することなく、バイアス磁界発生用の第1の導
体14、第2の導体16、第3の導体20、第4の導体
22や磁気抵抗素子18に接続されていれば、電子機器
のプリント基板への方位センサの面実装が可能となるも
のである。
In the first embodiment of the present invention, the external electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, 12
e, 12f, 12g, and 12h have been described as being formed from the upper surface of the insulating substrate 11 to the rear surface of the insulating substrate 11 via the inner side surface of the through hole, but the external electrodes 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 1
2f, 12g, and 12h are formed on at least the back surface of the insulating substrate 11, and the external electrodes 12 formed on the back surface are formed.
a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12f, 12
g, 12h do not pass through the inner side surface of the through hole or the upper surface of the insulating substrate 11, and the first conductor 14, the second conductor 16, the third conductor 20, the fourth conductor 22, If it is connected to the magnetoresistive element 18, the orientation sensor can be surface-mounted on a printed circuit board of an electronic device.

【0041】(実施の形態3)図9(a)は本発明の実
施の形態3における方位センサの上面図、図9(b)は
図9(a)のB−B’線断面図である。
(Embodiment 3) FIG. 9A is a top view of an azimuth sensor according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 9B is a sectional view taken along line BB 'of FIG. 9A. .

【0042】図9(a)(b)において、31はアルミ
ナ基板からなる長方形状の絶縁基板で、この絶縁基板3
1は図9(a)に示すように、4隅に円弧形状のスルー
ホール電極からなる外部電極32a,32b,32c,
32dを、短辺部の略中央部に半円形状のスルーホール
電極からなる外部電極32e,32fを、長辺部に半円
形状のスルーホール電極からなる外部電極32g,32
h,32i,32j,32k,32lを、中心部に円形
状のスルーホール電極からなる外部電極32mをそれぞ
れ形成している。33は前記絶縁基板31の上面に形成
したガラスグレーズからなる第1の絶縁層で、この第1
の絶縁層33はアルミナ基板からなる絶縁基板31の表
面平滑性を保つために形成されるものである。34は前
記第1の絶縁層33の上に設けたバイアス磁界発生用の
第1の導体、35は前記第1の導体34の一部を覆うよ
うに設けたSiO2薄膜等からなる第2の絶縁層、36
は前記第2の絶縁層35の上に設けた磁気抵抗パターン
からなる第1の磁気抵抗素子、37は前記第1の磁気抵
抗素子36を覆うように設けたSiO2薄膜等からなる
第3の絶縁層、38は前記第3の絶縁層37の上に設け
られ、かつ前記第1の導体34に接続されるバイアス磁
界発生用の第2の導体で、この第2の導体38と、前記
第1の絶縁層33、第1の導体34、第2の絶縁層3
5、第1の磁気抵抗素子36、第3の絶縁層37とによ
りセンサ部A39を構成している。
In FIGS. 9A and 9B, reference numeral 31 denotes a rectangular insulating substrate made of an alumina substrate.
Reference numeral 1 denotes external electrodes 32a, 32b, 32c, and arc-shaped through-hole electrodes at four corners, as shown in FIG.
32d, external electrodes 32e and 32f formed of semicircular through-hole electrodes at substantially the center of the short sides, and external electrodes 32g and 32 formed of semicircular through-hole electrodes at the long sides.
h, 32i, 32j, 32k, and 32l, and an external electrode 32m formed of a circular through-hole electrode at the center. Reference numeral 33 denotes a first insulating layer made of glass glaze formed on the upper surface of the insulating substrate 31.
The insulating layer 33 is formed to maintain the surface smoothness of the insulating substrate 31 made of an alumina substrate. 34 is a first conductor for generating a bias magnetic field provided on the first insulating layer 33, and 35 is a second conductor made of a SiO 2 thin film or the like provided so as to cover a part of the first conductor. Insulating layer, 36
Is a first magnetoresistive element made of a magnetoresistive pattern provided on the second insulating layer 35, and 37 is a third magnetoresistive element made of a SiO 2 thin film provided so as to cover the first magnetoresistive element 36. An insulating layer 38 is provided on the third insulating layer 37 and is a second conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor 34. 1st insulating layer 33, 1st conductor 34, 2nd insulating layer 3
5, the first magnetic resistance element 36 and the third insulating layer 37 constitute a sensor section A39.

【0043】40は前記絶縁基板31の上面に形成した
ガラスグレーズからなる第4の絶縁層で、この第4の絶
縁層40はアルミナ基板からなる絶縁基板31の表面平
滑性を保つために形成されるものである。41は前記第
4の絶縁層40の上に設けたバイアス磁界発生用の第3
の導体で、この第3の導体41は前記センサ部A39に
おける第1の導体34と直交する方向に設けられてい
る。42は前記第3の導体41の一部を覆うように設け
たSiO2薄膜等からなる第5の絶縁層、43は前記第
5の絶縁層42の上に設けた磁気抵抗パターンからなる
第2の磁気抵抗素子、44は前記第2の磁気抵抗素子4
3を覆うように設けたSiO2薄膜等からなる第6の絶
縁層、45は前記第6の絶縁層44の上に位置して前記
センサ部A39における第2の導体38と直交する方向
に設けられ、かつ前記第3の導体41に接続されるバイ
アス磁界発生用の第4の導体で、この第4の導体45
と、前記第4の絶縁層40、第3の導体41、第5の絶
縁層42、第2の磁気抵抗素子43、第6の絶縁層44
とによりセンサ部B46を構成している。
Reference numeral 40 denotes a fourth insulating layer made of glass glaze formed on the upper surface of the insulating substrate 31. The fourth insulating layer 40 is formed to maintain the surface smoothness of the insulating substrate 31 made of an alumina substrate. Things. Reference numeral 41 denotes a third magnetic field generated on the fourth insulating layer 40 for generating a bias magnetic field.
The third conductor 41 is provided in a direction orthogonal to the first conductor 34 in the sensor portion A39. Reference numeral 42 denotes a fifth insulating layer made of a SiO 2 thin film or the like provided so as to cover a part of the third conductor 41, and 43 denotes a second insulating layer made of a magnetoresistive pattern provided on the fifth insulating layer 42. The reference numeral 44 denotes the second magnetoresistive element 4.
A sixth insulating layer 45 made of a SiO 2 thin film or the like provided so as to cover 3 is provided on the sixth insulating layer 44 in a direction orthogonal to the second conductor 38 in the sensor portion A39. And a fourth conductor 45 for generating a bias magnetic field connected to the third conductor 41.
And the fourth insulating layer 40, the third conductor 41, the fifth insulating layer 42, the second magnetoresistive element 43, and the sixth insulating layer 44.
These form the sensor section B46.

【0044】47は前記絶縁基板31に形成したスルー
ホール電極からなる外部電極32a,32b,32c,
32d,32e,32f,32g,32h,32i,3
2j,32k,32l,32mの一部を露出させた状態
で外装面を覆う保護膜で、この保護膜47は防湿を目的
としてフェノール系樹脂またはエポキシ系樹脂で構成さ
れている。なお、前記スルーホール電極からなる外部電
極32a,32b,32c,32d,32e,32f,
32g,32h,32i,32j,32k,32l,3
2mは図9(b)に示すように、絶縁基板31の上面か
ら側面を経由して裏面まで至るように形成されているも
のである。
Numeral 47 designates external electrodes 32a, 32b, 32c formed of through-hole electrodes formed on the insulating substrate 31.
32d, 32e, 32f, 32g, 32h, 32i, 3
2j, 32k, 32l, 32m is a protective film that covers the exterior surface with a part thereof exposed. The protective film 47 is made of a phenolic resin or an epoxy resin for the purpose of preventing moisture. The external electrodes 32a, 32b, 32c, 32d, 32e, 32f,
32g, 32h, 32i, 32j, 32k, 32l, 3
As shown in FIG. 9B, 2m is formed so as to extend from the upper surface of the insulating substrate 31 to the rear surface via the side surface.

【0045】図10(a)(b)、図11(a)
(b)、図12(a)(b)および図13(a)(b)
は本発明の実施の形態3における方位センサの製造工程
図を示したもので、この製造工程図に基づいて、本発明
の実施の形態3における方位センサの製造方法を説明す
る。
FIGS. 10 (a) and (b), FIG. 11 (a)
(B), FIGS. 12 (a) (b) and 13 (a) (b)
FIG. 9 shows a manufacturing process diagram of the azimuth sensor according to the third embodiment of the present invention. Based on this manufacturing process diagram, a method of manufacturing the azimuth sensor according to the third embodiment of the present invention will be described.

【0046】この方位センサは、多数の円形状のスルー
ホールを有するアルミナ基板からなるシート状の絶縁基
板を用いて、多数の方位センサを製造し、そして最後に
円形状のスルーホールの中央部分をダイシングで縦横に
分割することにより、個片化された方位センサを得てい
るものである。
In this azimuth sensor, a large number of azimuth sensors are manufactured using a sheet-like insulating substrate made of an alumina substrate having a large number of circular through holes, and finally, a central portion of the circular through hole is formed. Dividing vertically and horizontally by dicing provides an individualized direction sensor.

【0047】上記図10(a)(b)、図11(a)
(b)、図12(a)(b)および図13(a)(b)
は個片化された状態の方位センサを示しているもので、
まず、図10(a)に示すように、アルミナ基板からな
る絶縁基板31の4隅と、短辺部の略中央部、長辺部お
よび中心部に円弧形状、半円形状、円形状のスルーホー
ル電極からなる外部電極32a,32b,32c,32
d,32e,32f,32g,32h,32i,32
j,32k,32l,32mを形成する。なお、このス
ルーホール電極からなる外部電極32a,32b,32
c,32d,32e,32f,32g,32h,32
i,32j,32k,32l,32mは銀−パラジウム
で構成され、かつ絶縁基板31の上面からスルーホール
の内側面を経由して絶縁基板31の裏面まで至るように
形成されるものである。
FIGS. 10A and 10B and FIG. 11A
(B), FIGS. 12 (a) (b) and 13 (a) (b)
Indicates the azimuth sensor in an individualized state,
First, as shown in FIG. 10A, arc-shaped, semi-circular, and circular through-holes are formed at four corners of the insulating substrate 31 made of an alumina substrate and at substantially the center, the long side, and the center of the short side. External electrodes 32a, 32b, 32c, 32 composed of hole electrodes
d, 32e, 32f, 32g, 32h, 32i, 32
j, 32k, 32l, 32m are formed. In addition, the external electrodes 32a, 32b, 32
c, 32d, 32e, 32f, 32g, 32h, 32
i, 32j, 32k, 32l, and 32m are made of silver-palladium and formed so as to extend from the upper surface of the insulating substrate 31 to the back surface of the insulating substrate 31 via the inner surface of the through hole.

【0048】次に、図10(b)に示すように、外部電
極32a,32b,32c,32d,32e,32f,
32g,32h,32i,32j,32k,32l,3
2mの内側に位置して絶縁基板31の上面にガラスグレ
ーズからなる第1の絶縁層33と第4の絶縁層40を形
成する。
Next, as shown in FIG. 10B, the external electrodes 32a, 32b, 32c, 32d, 32e, 32f,
32g, 32h, 32i, 32j, 32k, 32l, 3
A first insulating layer 33 and a fourth insulating layer 40 made of glass glaze are formed on the upper surface of the insulating substrate 31 at a position 2 m inside.

【0049】次に、図11(a)に示すように、前記第
1の絶縁層33の上に複数の導体パターンからなるバイ
アス磁界発生用の第1の導体34を形成するとともに、
前記第4の絶縁層40の上に複数の導体パターンからな
るバイアス磁界発生用の第3の導体41を形成する。こ
の場合、第3の導体41は第1の導体34と直交する方
向に形成する。そして前記第1の導体34は一端を外部
電極32aに接続し、かつ他端を外部電極32kに接続
する。また前記第3の導体41は一端を外部電極32d
に接続し、かつ他端を外部電極32kに接続する。そし
てまた前記第1の導体34は図11(a)中のX軸方向
にバイアス磁界を発生させ、一方、第3の導体41は図
11(a)中のY軸方向にバイアス磁界を発生させるも
のである。
Next, as shown in FIG. 11A, a first conductor 34 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed on the first insulating layer 33,
A third conductor 41 for generating a bias magnetic field, comprising a plurality of conductor patterns, is formed on the fourth insulating layer 40. In this case, the third conductor 41 is formed in a direction orthogonal to the first conductor 34. The first conductor 34 has one end connected to the external electrode 32a and the other end connected to the external electrode 32k. One end of the third conductor 41 is connected to the external electrode 32d.
And the other end is connected to the external electrode 32k. Further, the first conductor 34 generates a bias magnetic field in the X-axis direction in FIG. 11A, while the third conductor 41 generates a bias magnetic field in the Y-axis direction in FIG. 11A. Things.

【0050】次に、図11(b)に示すように、複数の
導体パターンからなるバイアス磁界発生用の第1の導体
34の一部を覆うように、すなわち、第1の導体34に
おける複数の接続部34aを露出させた状態で第1の導
体34を覆うようにSiO2薄膜等からなる第2の絶縁
層35を形成するとともに、複数の導体パターンからな
るバイアス磁界発生用の第3の導体41の一部を覆うよ
うに、すなわち、第3の導体41における複数の接続部
41aを露出させた状態で第3の導体41を覆うように
SiO2薄膜等からなる第5の絶縁層42を形成する。
Next, as shown in FIG. 11B, a plurality of first conductors 34 for generating a bias magnetic field, which are composed of a plurality of conductor patterns, are covered, A second insulating layer 35 made of a SiO 2 thin film or the like is formed so as to cover the first conductor 34 in a state where the connection portion 34a is exposed, and a third conductor for generating a bias magnetic field formed of a plurality of conductor patterns is formed. The fifth insulating layer 42 made of a SiO 2 thin film or the like is formed so as to cover a part of the third conductor 41, that is, to cover the third conductor 41 with the plurality of connection portions 41 a of the third conductor 41 exposed. Form.

【0051】次に、図12(a)に示すように、前記第
2の絶縁層35の上に4個の磁気抵抗パターンからなる
第1の磁気抵抗素子36を形成するとともに、前記第5
の絶縁層42の上に4個の磁気抵抗パターンからなる第
2の磁気抵抗素子43を形成する。そして前記第1の磁
気抵抗素子36は4個の磁気抵抗パターンによりブリッ
ジ回路を構成し、かつ4個の磁気抵抗パターンを外部電
極32e,32g,32j,32mに接続する。また前
記第2の磁気抵抗素子43も4個の磁気抵抗パターンに
よりブリッジ回路を構成し、かつ4個の磁気抵抗パター
ンを外部電極32f,32i,32l,32mに接続す
る。
Next, as shown in FIG. 12A, a first magnetoresistive element 36 composed of four magnetoresistive patterns is formed on the second insulating layer 35 and the fifth
A second magnetoresistive element 43 composed of four magnetoresistive patterns is formed on the insulating layer. The first magnetoresistive element 36 forms a bridge circuit with four magnetoresistive patterns, and connects the four magnetoresistive patterns to the external electrodes 32e, 32g, 32j, and 32m. The second magnetoresistive element 43 also forms a bridge circuit with four magnetoresistive patterns, and connects the four magnetoresistive patterns to the external electrodes 32f, 32i, 32l, and 32m.

【0052】次に、図12(b)に示すように、前記第
1の磁気抵抗素子36と第2の磁気抵抗素子43を覆う
ようにSiO2薄膜等からなる第3の絶縁層37と第6
の絶縁層44を形成する。
Next, as shown in FIG. 12 (b), a third insulating layer 37 made of a SiO 2 thin film or the like is formed so as to cover the first and second magnetoresistive elements 36 and 43. 6
Is formed.

【0053】次に、図13(a)に示すように、前記第
3の絶縁層37の上に複数の導体パターンからなるバイ
アス磁界発生用の第2の導体38を形成するとともに、
前記第6の絶縁層44の上に複数の導体パターンからな
るバイアス磁界発生用の第4の導体45を形成する。こ
の場合、前記第2の導体38における複数の接続部38
aは前記第1の導体34における複数の接続部34aと
接続する。また前記第4の導体45における複数の接続
部45aは前記第3の導体41における複数の接続部4
1aと接続する。
Next, as shown in FIG. 13A, a second conductor 38 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed on the third insulating layer 37.
On the sixth insulating layer 44, a fourth conductor 45 for generating a bias magnetic field composed of a plurality of conductor patterns is formed. In this case, the plurality of connection portions 38 in the second conductor 38
“a” is connected to a plurality of connecting portions 34 a of the first conductor 34. The plurality of connection portions 45a of the fourth conductor 45 are connected to the plurality of connection portions 4a of the third conductor 41.
1a.

【0054】次に、図13(b)に示すように、絶縁基
板31に形成したスルーホール電極からなる外部電極3
2a,32b,32c,32d,32e,32f,32
g,32h,32i,32j,32k,32l,32m
の一部を露出させた状態で外装面を覆うように、フェノ
ール系樹脂またはエポキシ系樹脂からなる保護膜47を
形成する。
Next, as shown in FIG. 13B, an external electrode 3 formed of a through-hole electrode formed on the insulating substrate 31 is formed.
2a, 32b, 32c, 32d, 32e, 32f, 32
g, 32h, 32i, 32j, 32k, 32l, 32m
A protective film 47 made of a phenol-based resin or an epoxy-based resin is formed so as to cover the exterior surface in a state where a part of is exposed.

【0055】上記のようにして、本発明の実施の形態3
における方位センサは製造されるものである。
As described above, the third embodiment of the present invention
Is manufactured.

【0056】なお、上記本発明の実施の形態3における
方位センサの製造工程において、第1の絶縁層33と第
4の絶縁層40、第2の絶縁層35と第5の絶縁層4
2、第1の磁気抵抗素子36と第2の磁気抵抗素子4
3、第3の絶縁層37と第6の絶縁層44は別々あるい
は一体で形成してもよく、例えばマスクを用いて一体で
形成した場合には、製造工程時間の短縮化が図れるもの
である。
In the manufacturing process of the direction sensor according to the third embodiment of the present invention, the first insulating layer 33 and the fourth insulating layer 40, and the second insulating layer 35 and the fifth insulating layer 4
2, the first magnetoresistive element 36 and the second magnetoresistive element 4
Third, the third insulating layer 37 and the sixth insulating layer 44 may be formed separately or integrally. For example, when the third insulating layer 37 and the sixth insulating layer 44 are integrally formed using a mask, the manufacturing process time can be reduced. .

【0057】上記本発明の実施の形態3においては、バ
イアス磁界発生用の第1の導体34と、磁気抵抗パター
ンからなる第1の磁気抵抗素子36と、前記第1の導体
34に接続されるバイアス磁界発生用の第2の導体38
とからなるセンサ部A39と、前記センサ部A39にお
ける第1の導体34と直交する方向に設けたバイアス磁
界発生用の第3の導体41と、磁気抵抗パターンからな
る第2の磁気抵抗素子43と、前記第2の導体38と直
交する方向に設けられ、かつ前記第3の導体41に接続
されるバイアス磁界発生用の第4の導体45とからなる
センサ部B46とを有し、前記センサ部A39とセンサ
部B46を同一の絶縁基板31の片面側に独立して設け
ているため、従来のようにバイアス磁界発生用のコイル
を所定の巻数で巻回するという作業は不要となり、かつ
形状的にはセンサ部A39とセンサ部B46とに分けた
ことにより、高さの低い、すなわち薄形の方位センサを
得ることができるものである。
In the third embodiment of the present invention, the first conductor 34 for generating a bias magnetic field, the first magnetoresistive element 36 composed of a magnetoresistive pattern, and the first conductor 34 are connected. Second conductor 38 for generating a bias magnetic field
, A third conductor 41 for generating a bias magnetic field provided in a direction orthogonal to the first conductor 34 in the sensor section A39, and a second magnetoresistive element 43 composed of a magnetoresistive pattern. And a fourth conductor 45 for generating a bias magnetic field, which is provided in a direction orthogonal to the second conductor 38 and is connected to the third conductor 41. Since the A39 and the sensor unit B46 are independently provided on one side of the same insulating substrate 31, it is not necessary to wind a coil for generating a bias magnetic field with a predetermined number of turns as in the related art. Is divided into a sensor unit A39 and a sensor unit B46, so that a low-direction, that is, a thin direction sensor can be obtained.

【0058】また本発明の実施の形態3においては、バ
イアス磁界発生用の第1の導体34、第2の導体38、
第3の導体41、第4の導体45を導体パターンで形成
しているため、方位センサ自体の厚みも薄くなり、これ
により、方位センサ自体の形状の小型化が図れるもので
ある。
In the third embodiment of the present invention, the first conductor 34 for generating a bias magnetic field, the second conductor 38,
Since the third conductor 41 and the fourth conductor 45 are formed by the conductor pattern, the thickness of the azimuth sensor itself is also reduced, so that the shape of the azimuth sensor itself can be reduced in size.

【0059】そしてまた本発明の実施の形態3において
は、絶縁基板31の上面からスルーホールの内側面を経
由して絶縁基板31の裏面まで至るように、第1の磁気
抵抗素子36に接続される外部電極32e,32g,3
2j,32mと、第2の磁気抵抗素子43に接続される
外部電極32f,32i,32l,32mと、バイアス
磁界発生用の第1の導体34および第2の導体38に接
続される外部電極32a,32kと、バイアス磁界発生
用の第3の導体41および第4の導体45に接続される
外部電極32d,32kを形成しているため、これらの
外部電極32a,32d,32e,32f,32g,3
2i,32j,32k,32l,32mを電子機器のプ
リント基板にはんだ付けすることにより、方位センサの
面実装が簡単に行えるものである。
Further, in the third embodiment of the present invention, the first magnetoresistive element 36 is connected from the upper surface of the insulating substrate 31 to the rear surface of the insulating substrate 31 via the inner surface of the through hole. External electrodes 32e, 32g, 3
2j, 32m, external electrodes 32f, 32i, 32l, 32m connected to the second magnetoresistive element 43, and external electrodes 32a connected to the first conductor 34 and the second conductor 38 for generating a bias magnetic field. , 32k and the external electrodes 32d, 32k connected to the third conductor 41 and the fourth conductor 45 for generating the bias magnetic field, so that these external electrodes 32a, 32d, 32e, 32f, 32g, 3
By soldering 2i, 32j, 32k, 32l, and 32m to a printed circuit board of an electronic device, surface mounting of the direction sensor can be easily performed.

【0060】さらに本発明の実施の形態3においては、
上記外部電極32a,32b,32c,32d,32
e,32f,32g,32h,32i,32j,32
k,32l,32mをスルーホール電極で構成している
ため、これらの外部電極32a,32b,32c,32
d,32e,32f,32g,32h,32i,32
j,32k,32l,32mを形成する場合、シート状
の絶縁基板に設けた多数の円形状のスルーホールに外部
電極32a,32b,32c,32d,32e,32
f,32g,32h,32i,32j,32k,32
l,32mを同時に形成することができ、そしてこのス
ルーホールの中央部分を縦横に分割して個片化すること
により、円弧形状または半円形状のスルーホール電極か
らなる外部電極32a,32b,32c,32d,32
e,32f,32g,32h,32i,32j,32
k,32lを有する方位センサを容易に得ることができ
るものである。
Further, in Embodiment 3 of the present invention,
The external electrodes 32a, 32b, 32c, 32d, 32
e, 32f, 32g, 32h, 32i, 32j, 32
Since k, 32l, and 32m are constituted by through-hole electrodes, these external electrodes 32a, 32b, 32c, 32
d, 32e, 32f, 32g, 32h, 32i, 32
When forming j, 32k, 32l, and 32m, external electrodes 32a, 32b, 32c, 32d, 32e, and 32 are formed in a large number of circular through holes provided in a sheet-shaped insulating substrate.
f, 32g, 32h, 32i, 32j, 32k, 32
1 and 32m can be formed at the same time, and the central portion of the through-hole is divided vertically and horizontally into individual pieces, thereby forming external electrodes 32a, 32b and 32c formed of arc-shaped or semi-circular through-hole electrodes. , 32d, 32
e, 32f, 32g, 32h, 32i, 32j, 32
An orientation sensor having k and 32l can be easily obtained.

【0061】さらにまた本発明の実施の形態3において
は、第1の磁気抵抗素子36に接続される外部電極32
e,32g,32j,32mのうちの一部の外部電極3
2mと、第2の磁気抵抗素子43に接続される外部電極
32f,32i,32l,32mのうちの一部の外部電
極32mを共用化しているため、この外部電極が接続さ
れるプリント基板の配設パターンの簡素化が図れるもの
である。
Furthermore, in the third embodiment of the present invention, the external electrode 32 connected to the first magnetoresistive element 36
e, 32g, 32j, and some external electrodes 3 of 32m
2m and some of the external electrodes 32f, 32i, 32l, and 32m connected to the second magnetoresistive element 43 are shared, so that the arrangement of the printed circuit board to which the external electrodes are connected is shared. Thus, the installation pattern can be simplified.

【0062】また本発明の実施の形態3においては、バ
イアス磁界発生用の第1の導体34および第2の導体3
8に接続される外部電極32a,32kのうちの一部の
外部電極32kと、バイアス磁界発生用の第3の導体4
1および第4の導体45に接続される外部電極32d,
32kのうちの一部の外部電極32kを共用化している
ため、この外部電極が接続されるプリント基板の配設パ
ターンの簡素化が図れるものである。
In the third embodiment of the present invention, the first conductor 34 and the second conductor 3 for generating a bias magnetic field are used.
Of the external electrodes 32a and 32k connected to the third conductor 8 and the third conductor 4 for generating a bias magnetic field.
External electrodes 32d connected to the first and fourth conductors 45,
Since some of the external electrodes 32k of the 32k are shared, the arrangement pattern of the printed circuit board to which the external electrodes are connected can be simplified.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、絶縁基板
の片面側に、バイアス磁界発生用の第1の導体と、バイ
アス磁界発生用の第2の導体と、磁気抵抗パターンから
なる磁気抵抗素子と、前記第1の導体に接続されるバイ
アス磁界発生用の第3の導体と、前記第2の導体に接続
されるバイアス磁界発生用の第4の導体を第2、第3、
第4、第5の絶縁層を介して順次積層する形で設けてい
るため、部品点数も少なくてすみ、かつ従来のようにバ
イアス磁界発生用のコイルを所定の巻数で巻回するとい
う作業も不要となるため、形状的にも小型で、かつ安価
な方位センサを提供することができるという効果を有す
るものである。
As described above, according to the present invention, on one side of the insulating substrate, a magnetic field comprising a first conductor for generating a bias magnetic field, a second conductor for generating a bias magnetic field, and a magnetoresistive pattern is provided. A resistance element, a third conductor for generating a bias magnetic field connected to the first conductor, and a fourth conductor for generating a bias magnetic field connected to the second conductor are defined as second, third, and third conductors.
Since it is provided in the form of being sequentially laminated with the fourth and fifth insulating layers interposed therebetween, the number of components can be reduced, and the work of winding the coil for generating the bias magnetic field with a predetermined number of turns as in the related art can also be performed. Since it becomes unnecessary, there is an effect that an azimuth sensor which is small in shape and inexpensive can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明の実施の形態1における方位セン
サの上面図 (b)図1(a)のA−A’線断面図
1A is a top view of an orientation sensor according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図2】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 2A and 2B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図3】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 3A and 3B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図4】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 4A and 4B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図5】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 5A and 5B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図6】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 6A and 6B are manufacturing process diagrams of the same-direction sensor.

【図7】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 7A and 7B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図8】本発明の実施の形態2における方位センサの断
面図
FIG. 8 is a cross-sectional view of a direction sensor according to Embodiment 2 of the present invention.

【図9】(a)本発明の実施の形態3における方位セン
サの上面図 (b)図9(a)のB−B’線断面図
9A is a top view of an orientation sensor according to Embodiment 3 of the present invention. FIG.

【図10】(a)(b)同方位センサの製造工程図FIGS. 10A and 10B are manufacturing process diagrams of the same direction sensor.

【図11】(a)(b)同方位センサの製造工程図11A and 11B are manufacturing process diagrams of the same azimuth sensor.

【図12】(a)(b)同方位センサの製造工程図12A and 12B are manufacturing process diagrams of the same azimuth sensor.

【図13】(a)(b)同方位センサの製造工程図13A and 13B are manufacturing process diagrams of the same azimuth sensor.

【図14】(a)従来の方位センサの斜視図 (b)同方位センサの上面図14A is a perspective view of a conventional direction sensor. FIG. 14B is a top view of the direction sensor.

【図15】(a)同方位センサの上面を切り欠いた断面
図 (b)同方位センサの側面の断面図
FIG. 15A is a cross-sectional view of the same direction sensor in which the upper surface is cut away. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 絶縁基板 12a〜12h 外部電極 13 第1の絶縁層 14 第1の導体 15 第2の絶縁層 16 第2の導体 17 第3の絶縁層 18 磁気抵抗素子 19 第4の絶縁層 20 第3の導体 21 第5の絶縁層 22 第4の導体 31 絶縁基板 32a〜32m 外部電極 34 第1の導体 35 第2の絶縁層 36 第1の磁気抵抗素子 37 第3の絶縁層 38 第2の導体 39 センサ部A 41 第3の導体 42 第5の絶縁層 43 第2の磁気抵抗素子 44 第6の絶縁層 45 第4の導体 46 センサ部B DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Insulating substrate 12a-12h External electrode 13 1st insulating layer 14 1st conductor 15 2nd insulating layer 16 2nd conductor 17 3rd insulating layer 18 Magnetoresistance element 19 4th insulating layer 20 3rd Conductor 21 Fifth insulating layer 22 Fourth conductor 31 Insulating substrate 32a to 32m External electrode 34 First conductor 35 Second insulating layer 36 First magnetoresistive element 37 Third insulating layer 38 Second conductor 39 Sensor part A 41 Third conductor 42 Fifth insulating layer 43 Second magnetoresistive element 44 Sixth insulating layer 45 Fourth conductor 46 Sensor part B

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新越 正雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 尾中 和弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鮫島 正憲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2G017 AA16 AC09 AD55 AD65 BA09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masao Shinkoshi 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Samejima 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 2G017 AA16 AC09 AD55 AD65 BA09

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板と、この絶縁基板の片面側に設
けたバイアス磁界発生用の第1の導体と、この第1の導
体の一部を覆うように設けた第2の絶縁層と、この第2
の絶縁層の上に位置して前記第1の導体と直交する方向
に設けたバイアス磁界発生用の第2の導体と、この第2
の導体の一部を覆うように設けた第3の絶縁層と、この
第3の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる磁
気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を覆うように設けた第
4の絶縁層と、この第4の絶縁層の上に設けられ、かつ
前記第1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3
の導体と、この第3の導体を覆うように設けた第5の絶
縁層と、この第5の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第
2の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体
とを備えた方位センサ。
An insulating substrate; a first conductor for generating a bias magnetic field provided on one side of the insulating substrate; a second insulating layer provided so as to cover a part of the first conductor; This second
A second conductor for generating a bias magnetic field, which is provided on the insulating layer and is provided in a direction orthogonal to the first conductor;
A third insulating layer provided so as to cover a part of the conductor, a magnetoresistive element including a magnetoresistive pattern provided on the third insulating layer, and a third insulating layer provided so as to cover the magnetoresistive element. And a third insulating layer provided on the fourth insulating layer and connected to the first conductor, for generating a bias magnetic field.
And a fifth insulating layer provided to cover the third conductor, and a fifth insulating layer provided on the fifth insulating layer and connected to the second conductor for generating a bias magnetic field. An orientation sensor comprising: a conductor;
【請求項2】 絶縁基板と、この絶縁基板の片面側に設
けたバイアス磁界発生用の第1の導体と、この第1の導
体の一部を覆うように設けた第2の絶縁層と、この第2
の絶縁層の上に位置して前記第1の導体と直交する方向
に設けたバイアス磁界発生用の第2の導体と、この第2
の導体の一部を覆うように設けた第3の絶縁層と、この
第3の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる磁
気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を覆うように設けた第
4の絶縁層と、この第4の絶縁層の上に設けられ、かつ
前記第2の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第4
の導体と、この第4の導体を覆うように設けた第5の絶
縁層と、この第5の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第
1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導体
とを備えた方位センサ。
2. An insulating substrate, a first conductor for generating a bias magnetic field provided on one side of the insulating substrate, and a second insulating layer provided so as to cover a part of the first conductor. This second
A second conductor for generating a bias magnetic field, which is provided on the insulating layer and is provided in a direction orthogonal to the first conductor;
A third insulating layer provided so as to cover a part of the conductor, a magnetoresistive element including a magnetoresistive pattern provided on the third insulating layer, and a third insulating layer provided so as to cover the magnetoresistive element. And a fourth insulating layer provided on the fourth insulating layer and connected to the second conductor for generating a bias magnetic field.
And a fifth insulating layer provided so as to cover the fourth conductor, and a fifth insulating layer provided on the fifth insulating layer and connected to the first conductor for generating a bias magnetic field. An orientation sensor comprising three conductors.
【請求項3】 バイアス磁界発生用の第1の導体と、こ
の第1の導体の一部を覆うように設けた第2の絶縁層
と、この第2の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンか
らなる第1の磁気抵抗素子と、この第1の磁気抵抗素子
を覆うように設けた第3の絶縁層と、この第3の絶縁層
の上に設けられ、かつ前記第1の導体に接続されるバイ
アス磁界発生用の第2の導体とからなるセンサ部Aと、
前記センサ部Aにおける第1の導体と直交する方向に設
けたバイアス磁界発生用の第3の導体と、この第3の導
体の一部を覆うように設けた第5の絶縁層と、この第5
の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる第2の
磁気抵抗素子と、この第2の磁気抵抗素子を覆うように
設けた第6の絶縁層と、この第6の絶縁層の上に位置し
て前記第2の導体と直交する方向に設けられ、かつ前記
第3の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導
体とからなるセンサ部Bとを有し、前記センサ部Aとセ
ンサ部Bを同一の絶縁基板の片面側に独立して設けた方
位センサ。
3. A first conductor for generating a bias magnetic field, a second insulating layer provided so as to cover a part of the first conductor, and a magnetoresistance provided on the second insulating layer. A first magnetoresistive element composed of a pattern, a third insulating layer provided so as to cover the first magnetoresistive element, and a first conductor provided on the third insulating layer and provided on the first conductor. A sensor unit A including a connected second conductor for generating a bias magnetic field;
A third conductor for generating a bias magnetic field provided in a direction orthogonal to the first conductor in the sensor section A, a fifth insulating layer provided to cover a part of the third conductor, 5
A second magnetoresistive element composed of a magnetoresistive pattern provided on the insulating layer, a sixth insulating layer provided to cover the second magnetoresistive element, and a second magnetoresistive element provided on the sixth insulating layer. And a fourth conductor for generating a bias magnetic field connected to the third conductor and provided in a direction orthogonal to the second conductor. And a sensor unit B independently provided on one side of the same insulating substrate.
【請求項4】 バイアス磁界発生用の第1の導体、第2
の導体、第3の導体、第4の導体を導体パターンで形成
した請求項1〜3のいずれかに記載の方位センサ。
4. A first conductor for generating a bias magnetic field,
The direction sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the third conductor, the third conductor, and the fourth conductor are formed by a conductor pattern.
【請求項5】 絶縁基板の少なくとも裏面に、磁気抵抗
素子に接続される外部電極と、バイアス磁界発生用の第
1の導体および第3の導体に接続される外部電極と、バ
イアス磁界発生用の第2の導体および第4の導体に接続
される外部電極を設けた請求項1または2記載の方位セ
ンサ。
5. An external electrode connected to the magnetoresistive element, an external electrode connected to the first and third conductors for generating a bias magnetic field, and an external electrode connected to the first and third conductors for generating a bias magnetic field, at least on a back surface of the insulating substrate. 3. The azimuth sensor according to claim 1, further comprising an external electrode connected to the second conductor and the fourth conductor.
【請求項6】 絶縁基板の少なくとも裏面に、第1の磁
気抵抗素子に接続される外部電極と、第2の磁気抵抗素
子に接続される外部電極と、バイアス磁界発生用の第1
の導体および第2の導体に接続される外部電極と、バイ
アス磁界発生用の第3の導体および第4の導体に接続さ
れる外部電極を設けた請求項3記載の方位センサ。
6. An external electrode connected to a first magnetoresistive element, an external electrode connected to a second magnetoresistive element, and a first magnetic field for generating a bias magnetic field, at least on a back surface of the insulating substrate.
4. The azimuth sensor according to claim 3, further comprising an external electrode connected to the third conductor and the second conductor, and an external electrode connected to the third and fourth conductors for generating a bias magnetic field.
【請求項7】 複数の外部電極をスルーホール電極で構
成した請求項5または6記載の方位センサ。
7. The azimuth sensor according to claim 5, wherein the plurality of external electrodes are constituted by through-hole electrodes.
【請求項8】 第1の磁気抵抗素子に接続される外部電
極のうちの一部の外部電極と、第2の磁気抵抗素子に接
続される外部電極のうちの一部の外部電極を共用化した
請求項6記載の方位センサ。
8. A part of the external electrodes connected to the first magnetoresistive element and some of the external electrodes connected to the second magnetoresistive element are shared. The azimuth sensor according to claim 6.
【請求項9】 バイアス磁界発生用の第1の導体および
第2の導体に接続される外部電極のうちの一部の外部電
極と、バイアス磁界発生用の第3の導体および第4の導
体に接続される外部電極のうちの一部の外部電極を共用
化した請求項6記載の方位センサ。
9. A part of the external electrodes connected to the first and second conductors for generating a bias magnetic field and the third and fourth conductors for generating a bias magnetic field. 7. The direction sensor according to claim 6, wherein some of the external electrodes to be connected are shared.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208020A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Nec Tokin Corp Biaxial magnetic sensor, and manufacturing method therefor

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