JP2002223006A - Reflection type light emitting diode - Google Patents

Reflection type light emitting diode

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JP2002223006A
JP2002223006A JP2001019140A JP2001019140A JP2002223006A JP 2002223006 A JP2002223006 A JP 2002223006A JP 2001019140 A JP2001019140 A JP 2001019140A JP 2001019140 A JP2001019140 A JP 2001019140A JP 2002223006 A JP2002223006 A JP 2002223006A
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light emitting
reflecting mirror
emitting element
lead
light
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JP2001019140A
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Japanese (ja)
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Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
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Toyoda Gosei Co Ltd
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Toyoda Gosei Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflection type light emitting diode which is resistant to temperature change, can be miniaturized easily and is excellent in heat dissipating properties. SOLUTION: In the reflection type light emitting diode 1, a light emitting element 2 is mounted on the lower surface of one lead 3a out of a pair of leads 3a, 3b for supplying power to the light emitting element 2, the other lead 3b is connected electrically with the light emitting element 2 by bonding using wire 4, a recessed type reflecting mirror 5 formed by press-working an aluminum plate is fixed, and sealing is performed by using transparent epoxy resin 6. A plane form of a radiating part 7 is molded on the rear of the light emitting element 2. The lead 3a on which the light emitting element 2 is mounted is arranged adjacently to a plane edge part 5a of the reflecting mirror 5, interposing a ring type thin plate insulating member 8 of 0.1 mm in thickness, so that heat of the light emitting element 2 travels the plane edge part 5a from the lead 3a and escapes from the whole of the reflecting mirror 5. As a result, a reflection type LED which is very excellent in heat dissipating properties is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子から発光
された光を凹面状の反射鏡で反射することによって高い
外部放射効率を得ることができる反射型発光ダイオード
(以下、「反射型LED」とも略する。)に関するもの
である。なお、本明細書中ではLEDチップそのものは
「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載したパッケー
ジ樹脂またはレンズ系等の光学装置を含む発光装置全体
を「発光ダイオード」または「LED」と呼ぶこととす
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type light emitting diode (hereinafter referred to as "reflection type LED") capable of obtaining high external radiation efficiency by reflecting light emitted from a light emitting element with a concave reflecting mirror. Also abbreviated.) In this specification, the LED chip itself is referred to as a “light emitting element”, and the entire light emitting device including an optical device such as a package resin or a lens system on which the LED chip is mounted is referred to as a “light emitting diode” or “LED”. I do.

【0002】[0002]

【従来の技術】リードに発光素子がマウントされ、これ
らが樹脂封止されるとともに、発光素子の発光面側に反
射面形状、発光素子の背面側に放射面形状がモールドさ
れ、反射面形状の樹脂面に銀等の金属蒸着を施すことに
よって反射鏡が形成されてなる反射型発光ダイオード
(反射型LED)が知られている。
2. Description of the Related Art A light emitting element is mounted on a lead, and these are sealed with a resin. A light emitting surface side of the light emitting element is molded with a reflecting surface, and a light emitting surface is molded on a back side of the light emitting element. 2. Description of the Related Art A reflection type light emitting diode (reflection type LED) in which a reflection mirror is formed by depositing a metal such as silver on a resin surface is known.

【0003】かかる反射型LEDの一例として、特開平
10−144966号公報に記載された発光ダイオード
を図8に示す。図8は従来の反射型発光ダイオードの全
体構成を示す縦断面図である。
[0003] As an example of such a reflection type LED, FIG. 8 shows a light emitting diode described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-144966. FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the entire structure of a conventional reflection type light emitting diode.

【0004】図8に示されるように、この反射型LED
61においては、1対のリード63a,63bのうち一
方のリード63aの下面に発光素子62をマウントし、
他方のリード63bと発光素子62とをワイヤ64でボ
ンディングして電気的接続を行ったリード部が、透明エ
ポキシ樹脂66で封止されるとともに、発光素子62の
背面側に放射面形状66a、発光素子62の発光面側に
反射面形状66bがモールドされている。この反射面形
状66bの上に銀を蒸着することによって、反射鏡65
が形成されている。
[0004] As shown in FIG.
At 61, the light emitting element 62 is mounted on the lower surface of one of the pair of leads 63a and 63b,
The other lead 63b and the light emitting element 62 are electrically connected by bonding with a wire 64. The lead part is sealed with a transparent epoxy resin 66, and a radiation surface shape 66a is formed on the back side of the light emitting element 62. A reflective surface shape 66b is molded on the light emitting surface side of the element 62. By depositing silver on the reflecting surface shape 66b, the reflecting mirror 65 is formed.
Are formed.

【0005】かかる構造の反射型LED61は、集光度
を上げてもレンズ型LEDのように外部放射効率が低下
することがなく、発光素子62に対し約2πstrad の立
体角の反射鏡65によって、配光特性に依存しない高い
外部放射特性を得ることができるので、特に集光外部放
射に適する。また、トランスファーモールドによって上
下の光学面を同時に容易に製造できるため、量産にも適
している。
The reflection type LED 61 having such a structure does not lower the external radiation efficiency unlike the lens type LED even if the light collecting degree is increased, and is arranged by the reflecting mirror 65 having a solid angle of about 2.pi. Since high external radiation characteristics independent of optical characteristics can be obtained, it is particularly suitable for focused external radiation. Also, since the upper and lower optical surfaces can be easily manufactured simultaneously by transfer molding, it is suitable for mass production.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
反射型LED61は、封止樹脂と蒸着金属との熱膨張率
が大きく異なるため温度変化に弱く、反射鏡65の金属
材料が封止樹脂66から剥離することによって反射面に
皺が発生し、反射鏡としての機能を失ってしまう。この
ため、温度変化の大きい基板実装用のリフロー炉等に対
応できないという問題点があった。
However, such a reflective LED 61 is vulnerable to temperature changes because the thermal expansion coefficients of the sealing resin and the vapor-deposited metal are significantly different, and the metal material of the reflecting mirror 65 is separated from the sealing resin 66. As a result, wrinkles are generated on the reflecting surface, and the function as a reflecting mirror is lost. For this reason, there has been a problem that it cannot cope with a reflow furnace or the like for mounting a substrate having a large temperature change.

【0007】また、図8に示されるように、金属蒸着時
にリード63a,63bがショートするのを防ぐための
マスキングのスペースをとるためと、リード63a,6
3bを垂直に曲げる際の端部の補強のために、1〜1.
5mmのリード引き出し部67a,67bを設けなけれ
ばならず、このため反射型LED61のパッケージ寸法
は2〜3mm余分に必要となり、小型化に限界があると
いう難点もあった。
[0008] As shown in FIG. 8, in order to secure a space for masking to prevent short-circuiting of the leads 63 a, 63 b during metal deposition, the leads 63 a, 6
3b to bend vertically to reinforce the ends.
The lead-out portions 67a and 67b of 5 mm have to be provided, and therefore, the package size of the reflection type LED 61 is required to be extra by 2 to 3 mm, and there is also a problem that miniaturization is limited.

【0008】さらに加えて、LEDにはより高い放熱性
が求められる。一般に、発光素子の温度が上昇すると発
光素子の光出力が低下し、寿命特性も低下するためであ
る。また、例えば、発光素子に大電流を通電するような
場合には、特に積極的に放熱性が要求される。このため
には、LED61のような構成の反射型LEDでは放熱
性が不十分であった。
In addition, LEDs are required to have higher heat dissipation. Generally, when the temperature of the light emitting element increases, the light output of the light emitting element decreases, and the life characteristics also decrease. Further, for example, when a large current is applied to a light emitting element, heat dissipation is particularly required. For this reason, the reflection type LED having the configuration like the LED 61 has insufficient heat radiation.

【0009】そこで、本発明は、温度変化に耐性を有
し、小型化も容易であるとともに、放熱性に優れた反射
型LEDを提供することを課題とするものである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a reflective LED which is resistant to temperature changes, can be easily miniaturized, and has excellent heat dissipation.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかる
反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に
電力を供給する1対のリードと、前記発光素子の発光面
側に対向した凹面状の反射鏡と、前記発光素子の背面側
の放射部とを具備し、前記1対のリードのうち前記発光
素子がマウントされた一方のリードと前記反射鏡とは接
触または近接配置され、前記一方のリード及び/または
前記1対のリードのうち他方のリードと、前記反射鏡と
は絶縁され、前記1対のリード及び前記反射鏡は熱伝導
度の高い材料からなり、前記発光素子が発した熱を拡散
するのに十分な熱容量をもっているものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a reflection type light emitting diode in which a light emitting element, a pair of leads for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element are opposed to each other. A concave reflecting mirror, and a radiating portion on the back side of the light emitting element, wherein one of the pair of leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are arranged in contact or close proximity, The one lead and / or the other lead of the pair of leads and the reflecting mirror are insulated from each other, and the pair of leads and the reflecting mirror are made of a material having high thermal conductivity. It has enough heat capacity to spread the generated heat.

【0011】かかる構成を有する反射型発光ダイオード
においては、発光素子がマウントされた一方のリードと
反射鏡とは接触または近接配置されているため、発光素
子の熱は、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている一方のリ
ードから、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている反射鏡へ
と伝わり、反射鏡の全体から放熱されるため、極めて放
熱性が良い。そして、一方のリードと他方のリードのい
ずれかまたは両方が反射鏡と絶縁されているため、反射
鏡を介して一方のリードと他方のリードがショートして
しまう心配もない。
In the reflection type light emitting diode having such a configuration, one of the leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, so that the heat of the light emitting element is transferred from a material having high thermal conductivity. From one lead, which has a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element, to a reflector made of a material having high thermal conductivity and having a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element Since the heat is transmitted and radiated from the entire reflecting mirror, the heat radiation is extremely good. Since one or both of the one lead and the other lead are insulated from the reflecting mirror, there is no fear that one of the leads and the other lead are short-circuited via the reflecting mirror.

【0012】また、発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡においては、高い反射率が得られて外部放射
効率が高く、配光特性等の光放射特性の設計自由度の高
いものとできるため、高い光度を実現できる。
In addition, a concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element has a high reflectivity, a high external radiation efficiency, and a high degree of freedom in designing light emitting characteristics such as light distribution characteristics. Therefore, a high luminous intensity can be realized.

【0013】さらに、熱伝導度の高い材料で形成した反
射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性を有し、樹脂
面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度変化によ
る皺の発生等によって反射鏡としての機能を失うという
ことがない。このため表面実装用のリフロー炉対応が可
能となり、表面実装部品として何ら制限なく用いること
ができるので、多量に実装される反射型LEDとして適
したものとなる。また、かかる構成の反射型LEDにお
いては、リード引き出し部として余分なスペースをとる
必要がないため、小型化にも適している。
Further, the use of a reflecting mirror formed of a material having high thermal conductivity makes it resistant to temperature changes. The function as a reflector is not lost. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0014】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性に優れた反射型L
EDとなる。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size and has excellent heat dissipation.
ED.

【0015】請求項2の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、発光素子と、前記発光素子に電力を供給する1
対のリードと、前記発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡と、前記発光素子の背面側の放射部と、封止
のための光透過性材料とを具備し、前記1対のリードの
うち前記発光素子がマウントされた一方のリードと前記
反射鏡とは接触または近接配置され、前記一方のリード
及び/または前記1対のリードのうち他方のリードと、
前記反射鏡とは絶縁され、前記1対のリード及び前記反
射鏡は熱伝導度の高い材料からなり、前記発光素子が発
した熱を拡散するのに十分な熱容量をもっており、前記
放射部は、前記発光素子と、前記1対のリードの一部
と、前記反射鏡とが前記光透過性材料によって封止され
るとともにモールドされているものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a reflection type light emitting diode, comprising: a light emitting element;
A pair of leads, a concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element, a radiating section on the back side of the light emitting element, and a light transmitting material for sealing; One of the leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, and the other lead of the one lead and / or the pair of leads;
The reflecting mirror is insulated, the pair of leads and the reflecting mirror are made of a material having high thermal conductivity, have a heat capacity sufficient to diffuse the heat generated by the light emitting element, The light emitting element, a part of the pair of leads, and the reflecting mirror are sealed and molded with the light transmitting material.

【0016】かかる構成を有する反射型発光ダイオード
においては、発光素子がマウントされた一方のリードと
反射鏡とは接触または近接配置されているため、発光素
子の熱は、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている一方のリ
ードから、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている反射鏡へ
と伝わり、反射鏡の全体から放熱されるため、極めて放
熱性が良い。そして、一方のリードと他方のリードのい
ずれかまたは両方が反射鏡と絶縁されているため、反射
鏡を介して一方のリードと他方のリードがショートして
しまう心配もない。
In the reflective light-emitting diode having such a configuration, one of the leads on which the light-emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, so that heat of the light-emitting element is transferred from a material having high thermal conductivity. From one lead, which has a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element, to a reflector made of a material having high thermal conductivity and having a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element Since the heat is transmitted and radiated from the entire reflecting mirror, the heat radiation is extremely good. Since one or both of the one lead and the other lead are insulated from the reflecting mirror, there is no fear that one of the leads and the other lead are short-circuited via the reflecting mirror.

【0017】また、発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡においては、高い反射率が得られて外部放射
効率が高く、配光特性等の光放射特性の設計自由度の高
いものとできるため、高い光度を実現できる。さらに、
発光素子が光透過性材料によって封止されているため、
発光素子からの光出力が空気中に直接出す場合に比べて
約2倍になり、より一層外部放射光量を高くすることが
できる。また、発光素子が封止されているため湿気によ
る劣化が防止され、信頼性の高い反射型LEDとなる。
さらに、放射部は、発光素子とリードの一部と反射鏡と
が光透過性材料によって封止されるとともにモールドさ
れているため、封止金型の内壁面を鏡面加工しておくこ
とによって放射部の表面粗度も光学的レベルとなり、光
学面として形成される。これによって、放射部界面にお
ける散乱も起こることなく、反射鏡で反射された光がそ
のまま放射部から高い外部放射効率で放射される。
Further, a concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element has a high reflectivity, a high external radiation efficiency, and a high degree of freedom in designing light emitting characteristics such as light distribution characteristics. Therefore, a high luminous intensity can be realized. further,
Because the light emitting element is sealed with a light transmitting material,
The light output from the light emitting element is about twice that in the case where the light is directly emitted into the air, and the amount of external radiation can be further increased. Further, since the light emitting element is sealed, deterioration due to moisture is prevented, and a highly reliable reflective LED is obtained.
Furthermore, since the light emitting element, a part of the lead, and the reflecting mirror are sealed and molded with the light transmitting material, the radiating portion emits light by mirror-finishing the inner wall surface of the sealing mold. The surface roughness of the portion is also at the optical level and is formed as an optical surface. As a result, the light reflected by the reflector is radiated from the radiating portion as it is with high external radiation efficiency without scattering at the radiating portion interface.

【0018】また、最終工程は部材を金型にセットして
樹脂封止するだけの工程であり、既存の生産装置を用い
ることによって容易に生産でき、反射型LEDの量産化
を図ることができる。さらに、熱伝導度の高い材料で形
成した反射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性があ
り、樹脂面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度
変化による皺の発生等によって反射鏡としての機能を失
うということがない。このため表面実装用のリフロー炉
対応が可能となり、表面実装部品として何ら制限なく用
いることができるので、多量に実装される反射型LED
として適したものとなる。また、かかる構成の反射型L
EDにおいては、リード引き出し部として余分なスペー
スをとる必要がないため、小型化にも適している。
Further, the final step is a step of merely setting the members in a mold and sealing the resin, and can be easily produced by using existing production equipment, and mass production of the reflective LED can be achieved. . Furthermore, by using a reflector formed of a material having high thermal conductivity, the mirror is resistant to temperature changes. There is no loss of functionality. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any restrictions.
It becomes suitable as. Further, the reflection type L having such a configuration is used.
The ED does not require an extra space as a lead lead-out portion, and thus is suitable for miniaturization.

【0019】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、外部放射効率も高く、量
産性にも優れ、放熱性に優れた反射型LEDとなる。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size, the external radiation efficiency is high, the mass productivity is excellent, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【0020】請求項3の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡の周縁部に前記1対のリードのうち前記発光素子
がマウントされた一方のリードからの熱を伝える伝熱部
が形成されているものである。
According to a third aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, one of the pair of leads is provided with the light emitting element mounted on a peripheral portion of the reflecting mirror. A heat transfer portion for transmitting heat from the lead is formed.

【0021】このように、反射鏡の周縁部に伝熱部を形
成することによって、発光素子がマウントされた一方の
リードとの接触面積または近接面積が大きくなり、発光
素子の熱を一方のリードを介してより良く反射鏡に伝え
ることができるため、さらに放熱性に優れた反射型LE
Dとなる。
As described above, by forming the heat transfer portion on the peripheral edge of the reflecting mirror, the contact area or proximity area with one lead on which the light emitting element is mounted is increased, and the heat of the light emitting element is transferred to one lead. The reflection type LE is more excellent in heat dissipation because it can be transmitted to the reflecting mirror through the
D.

【0022】さらに、熱伝導度の高い材料で形成した反
射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性があり、樹脂
面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度変化によ
る皺の発生等によって反射鏡としての機能を失うという
ことがない。このため表面実装用のリフロー炉対応が可
能となり、表面実装部品として何ら制限なく用いること
ができるので、多量に実装されるLEDとして適したも
のとなる。また、かかる構成の反射型LEDにおいて
は、リード引き出し部として余分なスペースをとる必要
がないため、小型化にも適している。
Further, the use of a reflecting mirror made of a material having high thermal conductivity is resistant to temperature changes, and is reflected by the occurrence of wrinkles and the like due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like on which metal is deposited on a resin surface. It does not lose its function as a mirror. For this reason, it is possible to support a reflow furnace for surface mounting, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as an LED to be mounted in a large amount. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0023】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性により優れた反射
型LEDとなる。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【0024】請求項4の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成に
おいて、前記1対のリード及び前記反射鏡は、金属板に
よって形成されているものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to third aspects, the pair of leads and the reflecting mirror are formed of a metal plate. It is.

【0025】金属板は、熱伝導度が高く、また加工性に
優れているため、容易に凹面状の反射鏡を形成すること
ができる。そして、発光素子の熱を金属板からなる一方
のリードから反射鏡へ伝えることによって、反射鏡全体
から放熱することができ、極めて放熱性に優れた反射型
LEDとなる。
The metal plate has high thermal conductivity and excellent workability, so that a concave reflecting mirror can be easily formed. Then, by transmitting the heat of the light emitting element from the one lead made of the metal plate to the reflecting mirror, heat can be radiated from the entire reflecting mirror, and a reflection type LED having extremely excellent heat dissipation can be obtained.

【0026】さらに、金属板で形成した反射鏡を用いた
ことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸着
した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生等
によって反射鏡としての機能を失うということがない。
このため表面実装用のリフロー炉対応が可能となり、表
面実装部品として何ら制限なく用いることができるの
で、多量に実装される反射型LEDとして適したものと
なる。また、かかる構成の反射型LEDにおいては、リ
ード引き出し部として余分なスペースをとる必要がない
ため、小型化にも適している。
Furthermore, the use of a reflector formed of a metal plate allows the film to withstand temperature changes, and functions as a reflector due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in the case of a metal-deposited reflector or the like on a resin surface. Never lose.
For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0027】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性に優れた反射型L
EDとなる。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size and has excellent heat dissipation.
ED.

【0028】請求項5の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、アルミ板によって形成されてい
るものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the reflecting mirror is formed of an aluminum plate.

【0029】アルミ板はプレス加工が容易な材料である
ため、プレス加工によって容易に反射鏡に成形すること
ができる。また、直線反射率の極めて高いアルミ板を容
易に入手することができるため、反射率の高い反射鏡を
容易に作成することができる。そして、熱伝導度が高い
ため、発光素子の熱を一方のリードからアルミ製の反射
鏡へ伝えることによって、反射鏡全体から放熱すること
ができ、極めて放熱性に優れた反射型LEDとなる。ま
た、アルミは可視光から紫外光にかけての波長領域で反
射率が高く、反射鏡としたときにメッキ処理の必要がな
い。特に、発光素子として紫外線発光素子を用いる場合
には、銀は紫外線の領域においては反射率が極めて低く
なるので、アルミ製の反射鏡は広く行われている銀メッ
キ処理では得られない高い紫外線反射率を得ることがで
きる。
Since the aluminum plate is a material that can be easily pressed, it can be easily formed into a reflecting mirror by pressing. Further, since an aluminum plate having an extremely high linear reflectance can be easily obtained, a reflecting mirror having a high reflectance can be easily produced. Since the heat conductivity is high, the heat of the light emitting element is transmitted from one of the leads to the aluminum-made reflecting mirror, so that heat can be radiated from the entire reflecting mirror. Aluminum has a high reflectance in the wavelength region from visible light to ultraviolet light, and does not require plating when used as a reflecting mirror. In particular, when an ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element, since the reflectance of silver is extremely low in the ultraviolet region, aluminum reflecting mirrors have high ultraviolet reflection which cannot be obtained by the widely used silver plating process. Rate can be obtained.

【0030】そして、アルミ板で形成した反射鏡を用い
たことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸
着した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生
等によって反射鏡としての機能を失うということがな
い。このため表面実装用のリフロー炉対応が可能とな
り、表面実装部品として何ら制限なく用いることができ
るので、多量に実装される反射型LEDとして適したも
のとなる。また、かかる構成の反射型LEDにおいて
は、リード引き出し部として余分なスペースをとる必要
がないため、小型化にも適している。
The use of a reflecting mirror formed of an aluminum plate is resistant to temperature changes, and functions as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on a resin surface. Never lose. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0031】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、反射率も高く、紫外線発
光素子にも適用でき、放熱性に優れた反射型LEDとな
る。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size, has a high reflectance, can be applied to an ultraviolet light emitting element, and is a reflective LED excellent in heat dissipation.

【0032】請求項6の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項4または請求項5の構成において、前記
反射鏡は、表面に透光性絶縁処理が施されているもので
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the fourth or fifth aspect, the reflecting mirror has a surface subjected to a light-transmitting insulating treatment.

【0033】即ち、本発明の反射型LEDにおいて、反
射鏡は金属板の表面に透光性絶縁処理(酸化処理)が施
されてなるものである。このように表面に透光性の絶縁
性金属酸化物を形成することによって、反射鏡の反射率
を落とすことなく反射鏡の表面を絶縁性とすることがで
き、一方のリードと他方のリードの両方を反射鏡と接触
させても一方のリードと他方のリードがショートするこ
とはない。これによって、金属製の反射鏡を用いた反射
型LEDの製造が容易になる。また、一方のリードを反
射鏡に接触させることができるため、熱伝達性が向上し
て、より放熱性に優れたものとなる。
That is, in the reflection type LED of the present invention, the reflection mirror is obtained by subjecting a surface of a metal plate to a light-transmitting insulation treatment (oxidation treatment). By forming the translucent insulating metal oxide on the surface in this manner, the surface of the reflecting mirror can be made insulative without lowering the reflectance of the reflecting mirror. Even if both are brought into contact with the reflecting mirror, there is no short circuit between one lead and the other lead. This facilitates the manufacture of a reflective LED using a metal reflector. Further, since one of the leads can be brought into contact with the reflecting mirror, the heat transfer property is improved, and the heat dissipation property is further improved.

【0034】そして、金属板で形成した反射鏡を用いた
ことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸着
した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生等
によって反射鏡としての機能を失うということがない。
このため表面実装用のリフロー炉対応が可能となり、表
面実装部品として何ら制限なく用いることができるの
で、多量に実装される反射型LEDとして適したものと
なる。また、かかる構成の反射型LEDにおいては、リ
ード引き出し部として余分なスペースをとる必要がない
ため、小型化にも適している。
The use of a reflecting mirror formed of a metal plate makes it resistant to temperature changes, and functions as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on a resin surface. Never lose.
For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0035】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性により優れた反射
型LEDとなる。
In this way, it is resistant to temperature changes,
It is easy to reduce the size, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0037】実施の形態1 まず、本発明の実施の形態1について、図1を参照して
説明する。図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はA−A線における断面を示す縦断面図である。
First Embodiment First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a plan view showing the entire configuration of the reflective light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line AA.

【0038】図1に示されるように、本実施の形態1の
反射型発光ダイオード1は、発光素子2に電力を供給す
る1対のリード3a,3bのうち、一方のリード3aの
下面に発光素子2をマウントし、他方のリード3bと発
光素子2とをワイヤ4でボンディングして電気的接続を
行い、アルミ板をプレス加工して形成した凹面状の反射
鏡5を取付け、透明エポキシ樹脂6で反射鏡5全体を封
止したものである。同時に、発光素子2の背面側には放
射部7の平面形状がモールドされている。発光素子2
は、緑色の光を発するものである。リード3a,3bは
0.3mm厚の銅合金板に銀メッキを施してなるもので
あり、透明エポキシ樹脂6による封止はポッティングモ
ールドによって行われている。
As shown in FIG. 1, the reflective light emitting diode 1 of the first embodiment emits light on the lower surface of one of the leads 3a, 3b for supplying power to the light emitting element 2. The element 2 is mounted, the other lead 3b and the light emitting element 2 are electrically connected by bonding with a wire 4 and a concave reflecting mirror 5 formed by pressing an aluminum plate is attached. Are used to seal the entire reflecting mirror 5. At the same time, the planar shape of the radiation section 7 is molded on the back side of the light emitting element 2. Light emitting element 2
Emits green light. The leads 3a and 3b are formed by plating a 0.3 mm thick copper alloy plate with silver, and the sealing with the transparent epoxy resin 6 is performed by potting molding.

【0039】反射鏡5は、圧延時に圧延ロール痕が付き
にくい工法により製造した直線反射率が85%、板厚
0.2mmのアルミ板を用い、これをこの表面粗度が保
たれるよう配慮し、発光素子2に対し約2πstrad の立
体角をもつ、発光素子2を焦点とする略回転放物面形状
の凹面形状に加工してある。したがって、発光素子2が
発する光は反射鏡5で全て回転放物面の軸に平行な反射
光となって、発光素子2の背面の放射部7から放射され
る。
The reflecting mirror 5 is made of an aluminum plate having a linear reflectance of 85% and a thickness of 0.2 mm manufactured by a method in which rolling roll marks are less likely to be formed during rolling, and consideration is given to maintaining this surface roughness. The light-emitting element 2 is processed into a concave shape having a solid angle of about 2πstrad and a substantially paraboloid of revolution centered on the light-emitting element 2. Therefore, all the light emitted from the light emitting element 2 becomes reflected light parallel to the axis of the paraboloid of revolution by the reflecting mirror 5 and is emitted from the radiating portion 7 on the back surface of the light emitting element 2.

【0040】そして、反射鏡5が形成されたアルミカッ
プの周囲には伝熱部としての平面縁部5aが形成され、
この平面縁部5aには反射鏡5の縁を取り囲んでリング
状の0.1mm厚の薄板絶縁材料8が配置されている。
この薄板絶縁材料8の上に一方のリード3aの2箇所の
突出部3cが位置するように一方のリード3aが配置さ
れており、0.1mm厚の薄板絶縁材料8を挟んで一方
のリード3aと反射鏡5の平面縁部5aとが近接してい
る。このように2箇所の突出部3cを設けることによっ
て、一方のリード3aと反射鏡5の平面縁部5aとの近
接部分の面積が大きくなり、放熱性がより大きくなる。
A flat edge portion 5a as a heat transfer portion is formed around the aluminum cup on which the reflecting mirror 5 is formed.
A ring-shaped thin insulating material 8 having a thickness of 0.1 mm is arranged on the flat edge portion 5a so as to surround the edge of the reflecting mirror 5.
One lead 3a is arranged on the thin insulating material 8 such that two protruding portions 3c of the one lead 3a are located, and the one lead 3a is sandwiched by the thin insulating material 8 having a thickness of 0.1 mm. And the plane edge 5a of the reflecting mirror 5 are close to each other. By providing the two protruding portions 3c in this manner, the area of the vicinity of one of the leads 3a and the planar edge 5a of the reflecting mirror 5 is increased, and the heat dissipation is further increased.

【0041】なお、薄板絶縁材料8が反射鏡5の縁を取
り囲むリング状であることから、他方のリード3bもま
た反射鏡5の平面縁部5aと絶縁されている。また、薄
板絶縁材料8をリング状としたことによって、反射型L
ED1の製造が容易になるという利点がある。なお、薄
板絶縁材料8は、必ずしも反射鏡5の縁を取り囲むリン
グ状でなくても良く、一方のリード3aの2箇所の突出
部3cまたは他方のリード3bと反射鏡5の平面縁部5
aとを絶縁するものであれば良い。
Since the thin insulating material 8 has a ring shape surrounding the edge of the reflecting mirror 5, the other lead 3b is also insulated from the flat edge 5a of the reflecting mirror 5. In addition, since the thin plate insulating material 8 has a ring shape, the reflection type L
There is an advantage that the manufacture of the ED1 becomes easy. Note that the thin insulating material 8 does not necessarily have to be a ring shape surrounding the edge of the reflecting mirror 5, and the two protruding portions 3 c of one lead 3 a or the other lead 3 b and the planar edge 5 of the reflecting mirror 5 may be used.
What is necessary is just to insulate from a.

【0042】かかる構造の反射型LED1においては、
発光素子2が発する略全光束を制御し、外部放射できる
ので、外部放射効率が高く配光特性などの光放射特性の
設計自由度の高いものとできる。このため、高い光度を
実現することができる。また、発光素子2が封止樹脂6
の表面部に位置し、発光素子2の放熱経路である一方の
リード3aも封止樹脂6の表面部に位置し、さらに発光
素子2がマウントされたリード3aが反射鏡5の平面縁
部5aと近接配置されているので、発光素子2が発した
熱はリード3aから平面縁部5aを伝わって反射鏡5へ
も拡散される。そして、反射鏡5は熱伝導度が高くかつ
十分な熱容量を有する厚みがあるので、反射鏡5の全体
から発光素子2の熱が逃がされる。このため、極めて放
熱性に優れた反射型LEDとなる。
In the reflection type LED 1 having such a structure,
Since almost the entire luminous flux emitted from the light emitting element 2 can be controlled and externally radiated, the external radiation efficiency is high and the degree of freedom in designing the light radiation characteristics such as the light distribution characteristics can be increased. Therefore, a high luminous intensity can be realized. Further, the light emitting element 2 is made of a sealing resin 6.
Is located on the surface of the sealing resin 6, and the lead 3a on which the light emitting element 2 is mounted is connected to the planar edge 5a of the reflecting mirror 5. The heat generated by the light emitting element 2 is transmitted from the lead 3a to the reflecting mirror 5 through the plane edge 5a. Since the reflecting mirror 5 has a high thermal conductivity and a thickness having a sufficient heat capacity, the heat of the light emitting element 2 is released from the entire reflecting mirror 5. For this reason, the reflection type LED has extremely excellent heat dissipation.

【0043】また、樹脂モールド形成が必要な光学面は
放射部7のみであり、トランスファーモールドでもポッ
ティングモールドでも、部材を金型にセットし樹脂封止
するだけの工程で容易に生産でき、LEDの量産化を図
ることができる。さらに、製法の自由度向上により、封
止材料6の自由度も高まり、応力の小さい材料、耐熱性
の高い材料、耐候性に優れた材料など、用途に応じた封
止材料6の選択が可能となる。
Further, the optical surface requiring resin molding is only the radiating portion 7, and the transfer molding and the potting molding can be easily performed by a process of merely setting a member in a mold and sealing with resin. Mass production can be achieved. Further, the degree of freedom of the manufacturing method is increased, so that the degree of freedom of the sealing material 6 is increased, and it is possible to select the sealing material 6 according to the use such as a material having a small stress, a material having high heat resistance, and a material having excellent weather resistance. Becomes

【0044】さらに、本実施の形態1においては、アル
ミ板をプレス加工にて形成した凹面状の反射鏡5を用い
たことにより、温度変化に耐性を有し、樹脂面に金属蒸
着した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生
等によって反射鏡としての機能を失うということがな
い。このため表面実装用のリフロー炉対応が可能とな
り、表面実装部品として何ら制限なく用いることができ
るので、多量に実装される反射型LEDとして適したも
のとすることができる。
Further, in the first embodiment, since the concave reflecting mirror 5 formed by pressing an aluminum plate is used, the reflecting mirror 5 is resistant to temperature change and has a metal surface deposited on a resin surface. As a result, the function as a reflecting mirror is not lost due to the occurrence of wrinkles due to a temperature change. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it can be suitable as a reflective LED to be mounted in a large amount.

【0045】また、部品点数は増すが、蒸着工程を省く
ことができ、後工程への配慮をしなくて済むので、樹脂
封止工程を簡略化して歩留まりを上げることができる。
また、蒸着時のリード短絡防止処理への配慮やリード曲
げの際の補強部の確保の必要もなくなり、リードの引き
出し間隔を狭めることができるという効果もある。
Although the number of components is increased, the vapor deposition step can be omitted, and it is not necessary to pay attention to the subsequent steps, so that the resin sealing step can be simplified and the yield can be increased.
In addition, there is no need to consider lead short-circuit prevention processing at the time of vapor deposition and to secure a reinforcing portion at the time of bending of the lead, so that there is an effect that the lead-out interval can be reduced.

【0046】さらに、反射鏡5は直線反射率の高いアル
ミ板材料をプレスにより成形加工しただけのものなの
で、メッキ処理加工が不要になるばかりでなく、メッキ
腐食に対する配慮が不要になるので、材料管理も簡素化
できる。また、アルミ材料は広く一般に用いられている
材料であり、入手が容易である。
Further, since the reflecting mirror 5 is formed by simply pressing an aluminum plate material having a high linear reflectance by pressing, not only the plating process is not required, but also consideration for plating corrosion is not required. Management can be simplified. Aluminum materials are widely used materials and are easily available.

【0047】このように、本実施の形態1の反射型LE
D1は、外部放射効率が高く、温度変化に耐性を有し、
製造が容易で小型化も容易であるとともに、極めて放熱
性に優れたものとなる。
As described above, the reflection type LE of the first embodiment is
D1 has high external radiation efficiency, has resistance to temperature change,
It is easy to manufacture and easy to miniaturize, and extremely excellent in heat dissipation.

【0048】実施の形態2 次に、本発明の実施の形態2について、図2乃至図5を
参照して説明する。図2(a)は本発明の実施の形態2
にかかる反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面
図、(b)はB−B線における断面を示す縦断面図であ
る。図3は本発明の実施の形態2にかかる反射型発光ダ
イオードの図2(a)のC−C線における断面を示す縦
断面図である。図4は本発明の実施の形態2にかかる反
射型発光ダイオードの変形例を示す縦断面図である。図
5は本発明の実施の形態2にかかる反射型発光ダイオー
ドの他の変形例を示す縦断面図である。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2A shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a plan view showing the entire configuration of the reflection type light emitting diode according to the first embodiment, and FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention, taken along line CC of FIG. 2A. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a modification of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing another modification of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.

【0049】図2に示されるように、本実施の形態2の
反射型発光ダイオード11は、発光素子12に電力を供
給する1対のリード13a,13bのうち、一方のリー
ド13aの下面に発光素子12をマウントし、他方のリ
ード13bと発光素子12とをワイヤ14でボンディン
グして電気的接続を行い、アルミ板をプレス加工して形
成した凹面状の反射鏡15を取付け、透明エポキシ樹脂
16で反射鏡15全体を封止したものである。同時に、
発光素子12の背面側には放射部17の平面形状がモー
ルドされている。発光素子12は、緑色の光を発するも
のである。リード13a,13bは0.3mm厚の銅合
金板に銀メッキを施してなるものであり、透明エポキシ
樹脂16による封止はポッティングモールドによって行
われている。
As shown in FIG. 2, the reflective light emitting diode 11 of the second embodiment emits light on the lower surface of one of the leads 13a and 13b for supplying power to the light emitting element 12. The element 12 is mounted, the other lead 13b and the light emitting element 12 are electrically connected by bonding with a wire 14, and a concave reflecting mirror 15 formed by pressing an aluminum plate is attached. Are used to seal the entire reflecting mirror 15. at the same time,
The planar shape of the radiation section 17 is molded on the back side of the light emitting element 12. The light emitting element 12 emits green light. The leads 13a, 13b are formed by plating a 0.3 mm thick copper alloy plate with silver, and the sealing with the transparent epoxy resin 16 is performed by potting molding.

【0050】反射鏡15は、圧延時に圧延ロール痕が付
きにくい工法により製造した直線反射率が85%のアル
ミ板を用い、これをこの表面粗度が保たれるよう配慮
し、発光素子12に対し約2πstrad の立体角をもつ、
発光素子12を焦点とする略回転放物面形状の凹面形状
に加工してある。したがって、発光素子12が発する光
は反射鏡15で全て回転放物面の軸に平行な反射光とな
って、発光素子12の背面の放射部17から放射され
る。
The reflecting mirror 15 is made of an aluminum plate having a linear reflectance of 85% manufactured by a method in which rolling roll marks are less likely to be formed during rolling. Considering that the surface roughness is maintained, the reflecting mirror 15 is used for the light emitting element 12. Has a solid angle of about 2πstrad,
It is processed into a concave shape having a substantially paraboloid of revolution with the light emitting element 12 as a focal point. Therefore, all the light emitted from the light emitting element 12 becomes reflected light parallel to the axis of the paraboloid of revolution by the reflecting mirror 15 and is emitted from the radiating portion 17 on the back surface of the light emitting element 12.

【0051】そして、反射鏡15が形成されたアルミカ
ップの周囲には伝熱部としての平面縁部15aが形成さ
れ、この平面縁部15aと2箇所の突出部13cが設け
られた一方のリード13aとが直接接触しているので、
熱伝達性が向上する。さらに、このように2箇所の突出
部13cを設けることによって、一方のリード13aと
反射鏡15の平面縁部15aとの接触面積が大きくな
り、放熱性がより大きくなる。
A flat edge 15a as a heat transfer portion is formed around the aluminum cup on which the reflecting mirror 15 is formed, and one lead provided with the flat edge 15a and two projecting portions 13c. 13a is in direct contact with
Heat transfer is improved. Further, by providing the two protrusions 13c in this manner, the contact area between one lead 13a and the plane edge 15a of the reflecting mirror 15 is increased, and the heat dissipation is further increased.

【0052】このように一方のリード13aと反射鏡1
5の平面縁部15aとを接触させたことによって、他方
のリード13bと反射鏡15及び平面縁部15aとを絶
縁する必要がある。本実施の形態2の反射型LED11
においては、図2(a)及び図3に示されるように、反
射鏡15及び平面縁部15aの一部に切り欠き15bを
設けて、この切り欠き15bの中に他方のリード13b
を通すことによって、他方のリード13bと反射鏡15
及び平面縁部15aとを絶縁している。このように切り
欠き15bを設けることによって、他方のリード13b
には何ら加工を施すことなく絶縁を確保できるという利
点がある。
As described above, one lead 13a and the reflecting mirror 1
5, the other lead 13b needs to be insulated from the reflecting mirror 15 and the plane edge 15a. Reflective LED 11 of Embodiment 2
In this case, as shown in FIGS. 2A and 3, a notch 15b is provided in a part of the reflecting mirror 15 and the planar edge 15a, and the other lead 13b is provided in the notch 15b.
The other lead 13b and the reflecting mirror 15
And the plane edge 15a. By providing the notch 15b in this manner, the other lead 13b
Has the advantage that insulation can be ensured without any processing.

【0053】次に、本実施の形態2の反射型LEDの変
形例について、図4を参照して説明する。図4に示され
る本実施の形態2の変形例にかかる反射型LED21に
おいても、図2に示される反射型LED11と同様に、
発光素子22をマウントした一方のリード23aは、ア
ルミ製の反射鏡25の平面縁部25aと直接接触してい
る。これに対して、発光素子22とワイヤ24でボンデ
ィングされた他方のリード23bは、反射鏡25の平面
縁部25aにあたる部分の下面が抉られて凹部23cが
形成されている。これによって、他方のリード23bは
反射鏡25の平面縁部25aに接触することなく、絶縁
が確保されている。
Next, a modification of the reflection type LED of the second embodiment will be described with reference to FIG. The reflective LED 21 according to the modification of the second embodiment shown in FIG. 4 also has the same configuration as the reflective LED 11 shown in FIG.
One lead 23a on which the light emitting element 22 is mounted is in direct contact with the planar edge 25a of the aluminum reflecting mirror 25. On the other hand, the other lead 23b bonded to the light emitting element 22 by the wire 24 has a concave portion 23c formed by hollowing the lower surface of a portion corresponding to the planar edge portion 25a of the reflecting mirror 25. Thereby, the other lead 23b is insulated without contacting the planar edge 25a of the reflecting mirror 25.

【0054】次に、本実施の形態2の反射型LEDの他
の変形例について、図5を参照して説明する。図5に示
される本実施の形態2の他の変形例にかかる反射型LE
D31においても、図2に示される反射型LED11と
同様に、発光素子32をマウントした一方のリード33
aは、アルミ製の反射鏡35の平面縁部35aと直接接
触している。これに対して、発光素子32とワイヤ34
でボンディングされた他方のリード33bは、反射鏡3
5の平面縁部35aにあたる部分において上方に屈曲し
て架橋部33cが形成されている。これによって、他方
のリード33bは、反射鏡35の平面縁部35aに接触
することなく、絶縁が確保されている。
Next, another modified example of the reflection type LED of the second embodiment will be described with reference to FIG. Reflective LE according to another modification of the second embodiment shown in FIG.
D31 also has one lead 33 on which the light emitting element 32 is mounted, similarly to the reflection type LED 11 shown in FIG.
“a” is in direct contact with the plane edge 35 a of the aluminum reflecting mirror 35. On the other hand, the light emitting element 32 and the wire 34
The other lead 33b bonded by the reflecting mirror 3
5, a bridge portion 33c is formed by bending upward at a portion corresponding to the flat edge portion 35a. Thus, the other lead 33b is insulated without contacting the planar edge 35a of the reflecting mirror 35.

【0055】このように、図4に示される変形例の反射
型LED21及び図5に示される他の変形例の反射型L
ED31においては、他方のリード23b,33bを加
工しなければならないが、その代わり反射鏡25,35
を通常の形態にプレスすれば良いので、反射鏡25,3
5の反射面の成形精度を安定させることができる。
As described above, the reflection type LED 21 of the modification shown in FIG. 4 and the reflection type L of another modification shown in FIG.
In the ED 31, the other leads 23b and 33b must be processed, but instead, the reflecting mirrors 25 and 35 are used.
Can be pressed into a normal form, so that the reflecting mirrors 25 and 3 can be used.
5 can stabilize the molding accuracy of the reflecting surface.

【0056】かかる構造の反射型LED11,21,3
1においては、発光素子12,22,32が発する略全
光束を制御し、外部放射できるので、外部放射効率が高
く配光特性などの光放射特性の設計自由度の高いものと
できる。このため、高い光度を実現することができる。
また、発光素子12,22,32が封止樹脂16,2
6,36の表面部に位置し、発光素子12,22,32
の放熱経路である一方のリード13a,23a,33a
も封止樹脂16,26,36の表面部に位置し、さらに
一方のリード13a,23a,33aが反射鏡15,2
5,35の平面縁部15a,25a,35aと直接接触
しているので、リード13a,23a,33aから平面
縁部15a,25a,35aを伝わって反射鏡15,2
5,35の全体から発光素子12,22,32の熱が逃
がされるため、極めて放熱性に優れた反射型LEDとな
る。
The reflection type LED 11, 21, 21, 3 having such a structure.
In 1, the external light can be emitted by controlling substantially the entire luminous flux emitted by the light emitting elements 12, 22, and 32, so that the external radiation efficiency is high and the degree of freedom in designing light emission characteristics such as light distribution characteristics can be increased. Therefore, a high luminous intensity can be realized.
Further, the light emitting elements 12, 22, 32 are formed of the sealing resin 16, 2,
6, 36, the light emitting elements 12, 22, 32
Lead 13a, 23a, 33a which is a heat radiation path of
Are also located on the surface of the sealing resin 16, 26, 36, and one of the leads 13a, 23a, 33a is
5 and 35, which are in direct contact with the plane edges 15a, 25a, and 35a, and are transmitted from the leads 13a, 23a, and 33a to the plane edges 15a, 25a, and 35a, and are reflected by the reflection mirrors 15, 2.
Since the heat of the light emitting elements 12, 22, and 32 is released from the whole of the elements 5, 35, the reflection type LED has extremely excellent heat dissipation.

【0057】また、樹脂モールド形成が必要な光学面は
放射部17,27,37のみであり、トランスファーモ
ールドでもポッティングモールドでも、部材を金型にセ
ットし樹脂封止するだけの工程で容易に生産でき、LE
Dの量産化を図ることができる。さらに、製法の自由度
向上により、封止材料16,26,36の自由度も高ま
り、応力の小さい材料、耐熱性の高い材料、耐候性に優
れた材料など、用途に応じた封止材料の選択が可能とな
る。
The optical surfaces that require resin molding are only the radiating portions 17, 27, and 37. Both transfer molding and potting molding can be easily performed by simply setting the members in a mold and sealing the resin. Yes, LE
D can be mass-produced. Further, due to the improvement in the degree of freedom of the manufacturing method, the degree of freedom of the sealing materials 16, 26, and 36 is increased, and the sealing materials according to the application, such as a material having a small stress, a material having high heat resistance, and a material having excellent weather resistance, are used. Selection becomes possible.

【0058】さらに、本実施の形態2においては、アル
ミ板をプレス加工にて形成した凹面状の反射鏡15,2
5,35を用いたことにより、温度変化に耐性を有し、
樹脂面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度変化
による皺の発生等によって反射鏡としての機能を失うと
いうことがない。このため表面実装用のリフロー炉対応
が可能となり、表面実装部品として何ら制限なく用いる
ことができるので、多量に実装される反射型LEDとし
て適したものとすることができる。
Further, in the second embodiment, the concave reflecting mirrors 15, 2 formed by pressing an aluminum plate are used.
By using 5,35, it has resistance to temperature change,
The function as a reflecting mirror is not lost due to the occurrence of wrinkles or the like due to a temperature change as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on the resin surface. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it can be suitable as a reflective LED to be mounted in a large amount.

【0059】このように、本実施の形態2の反射型LE
D11,21,31は、外部放射効率が高く、温度変化
に耐性を有し、小型化も容易であるとともに、極めて放
熱性に優れたものとなる。
As described above, the reflection type LE according to the second embodiment is used.
D11, 21, 31 have high external radiation efficiency, are resistant to temperature changes, can be easily miniaturized, and have extremely excellent heat dissipation.

【0060】実施の形態3 次に、本発明の実施の形態3について、図6を参照して
説明する。図6(a)は本発明の実施の形態3にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はD−D線における断面を示す縦断面図である。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6A is a plan view showing the entire configuration of the reflective light emitting diode according to the third embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line DD.

【0061】図6に示されるように、本実施の形態3の
反射型発光ダイオード41は、紫外線を発する発光素子
42に電力を供給する1対のリード43a,43bのう
ち、一方のリード43aの下面に発光素子42をマウン
トし、他方のリード43bと発光素子42とをワイヤ4
4でボンディングして電気的接続を行ったリード部と、
アルミ板をプレス加工して形成した凹面状の反射鏡45
と、放射部としてのガラス板46とを組み付けたもので
ある。
As shown in FIG. 6, the reflection type light emitting diode 41 according to the third embodiment has one of the leads 43a and 43b for supplying power to the light emitting element 42 that emits ultraviolet light. The light emitting element 42 is mounted on the lower surface, and the other lead 43 b and the light emitting element 42 are connected to the wire 4.
A lead portion electrically connected by bonding at 4,
A concave reflecting mirror 45 formed by pressing an aluminum plate
And a glass plate 46 as a radiation part.

【0062】反射鏡45は、実施の形態1,2と同様
に、圧延時に圧延ロール痕が付きにくい工法により製造
した直線反射率が85%のアルミ板を用い、これをこの
表面粗度が保たれるよう配慮し、発光素子42に対し約
2πstrad の立体角をもつ、発光素子42を焦点とする
略回転放物面形状の凹面状に加工してある。したがっ
て、発光素子42が発する紫外光は反射鏡45で全て回
転放物面の軸に平行な反射光となって、発光素子42の
背面のガラス板の放射部46から放射される。
As in the first and second embodiments, an aluminum plate having a linear reflectance of 85% manufactured by a method in which a roll roll scarcely occurs during rolling is used as in the first and second embodiments, and this is used to maintain this surface roughness. Considering that the light-emitting element 42 has a solid angle of about 2πstrad, the light-emitting element 42 is processed into a substantially paraboloidal concave shape having a focal point at the light-emitting element 42. Therefore, all the ultraviolet light emitted from the light emitting element 42 becomes reflected light parallel to the axis of the paraboloid of revolution by the reflecting mirror 45, and is emitted from the radiation part 46 of the glass plate on the back surface of the light emitting element 42.

【0063】さらに、本実施の形態3においては、この
アルミ製反射鏡45の表面に酸化処理を施して、表面に
アルマイトの絶縁層を形成している。アルマイトは不動
態であるため、一旦酸化層ができてしまえばそれ以上酸
化が進行することはない。また、この酸化処理によって
も直線反射率は殆ど低下しない。このように、反射鏡4
5の表面に絶縁層があるために、1対のリード43a,
43bと反射鏡45とが直接接触しても1対のリード4
3a,43bがショートすることはない。そして、反射
鏡45の周囲の4箇所には鍵爪45aを設けて、この4
個の鍵爪45aを放射部としてのガラス板46の上面に
係止して、間に1対のリード43a,43bを挟み込ん
で組み付けている。
Further, in the third embodiment, the surface of the aluminum reflecting mirror 45 is subjected to oxidation treatment to form an alumite insulating layer on the surface. Since alumite is passive, once the oxide layer is formed, no further oxidation proceeds. In addition, the linear reflectance is hardly reduced by this oxidation treatment. Thus, the reflecting mirror 4
5, a pair of leads 43a,
Even if the 43b and the reflecting mirror 45 are in direct contact, a pair of leads 4
There is no short circuit between 3a and 43b. At four places around the reflecting mirror 45, key claws 45a are provided.
The key nails 45a are locked on the upper surface of the glass plate 46 as a radiation part, and are assembled by sandwiching a pair of leads 43a and 43b therebetween.

【0064】ここで、反射鏡45はアルミ板でできてい
るので可視光から紫外光にかけての波長領域で反射率が
高く、メッキ処理の必要がない。特に、本実施の形態3
の発光素子42が発する紫外線の領域においては銀は反
射率が極めて低くなるので、アルミ製の反射鏡45は広
く行われている銀メッキ処理では得られない高い紫外線
反射率を得ることができる。なお、アルミ反射面形成の
ためには何らかの部材に蒸着処理を行う等の工程が必要
であるが、本発明ではこの工程を省いた簡略な手段でア
ルミ反射面を具現化できる。
Here, since the reflecting mirror 45 is made of an aluminum plate, it has a high reflectance in a wavelength region from visible light to ultraviolet light, and does not require plating. In particular, the third embodiment
Since the reflectance of silver is extremely low in the region of ultraviolet rays emitted from the light emitting element 42, the aluminum reflecting mirror 45 can obtain a high ultraviolet reflectance that cannot be obtained by silver plating which is widely performed. In order to form the aluminum reflecting surface, a process such as performing a vapor deposition process on some member is required. However, in the present invention, the aluminum reflecting surface can be embodied by a simple means omitting this process.

【0065】しかも、反射鏡45は略回転放物面形状に
形成されており、その焦点に発光素子42が位置してい
ることから、発光素子42から発せられた紫外線は全て
反射鏡45で回転放物面の軸に平行な方向に反射され
る。その方向には、ガラス板からなる放射部46がある
が、その放射部46の表面粗度は容易に光学的レベルの
表面粗度にできるので、この放射部46でも紫外線の散
乱は起きることなく反射鏡45で反射された紫外線はそ
のままの方向で放射部46から放射される。
Further, since the reflecting mirror 45 is formed in a substantially paraboloid of revolution and the light emitting element 42 is located at the focal point, all the ultraviolet rays emitted from the light emitting element 42 are rotated by the reflecting mirror 45. It is reflected in a direction parallel to the axis of the paraboloid. In the direction, there is a radiating portion 46 made of a glass plate, but since the surface roughness of the radiating portion 46 can be easily made to the surface roughness of an optical level, the radiating portion 46 does not scatter ultraviolet rays. The ultraviolet light reflected by the reflecting mirror 45 is radiated from the radiating section 46 in the same direction.

【0066】これによって、発光素子42の発した紫外
線の略全光束を制御し、外部放射することができるの
で、外部放射効率が高く、配光特性等の光放射特性の設
計自由度の高いものとできる。さらに、本実施の形態3
の反射型発光ダイオード41は樹脂封止されていないの
で、紫外線や可視光の短波長の光による樹脂劣化の問題
もない。そして、一方のリード43aと反射鏡45とが
直接接触しているので、発光素子42の熱が一方のリー
ド43aから反射鏡45へと伝わり、反射鏡45全体か
ら放熱されるので極めて放熱性の優れた反射型LEDと
なる。この結果、高い光度を実現でき、反射型紫外線L
EDの実用化を図ることができる。
As a result, almost the entire luminous flux of the ultraviolet light emitted from the light emitting element 42 can be controlled and radiated externally, so that the external radiation efficiency is high and the degree of freedom in designing the light radiation characteristics such as light distribution characteristics is high. And can be. Further, the third embodiment
Since the reflective light emitting diode 41 is not resin-sealed, there is no problem of resin deterioration due to ultraviolet light or short-wavelength light such as visible light. Since the one lead 43a and the reflecting mirror 45 are in direct contact with each other, the heat of the light emitting element 42 is transmitted from the one lead 43a to the reflecting mirror 45 and is radiated from the entire reflecting mirror 45. It becomes an excellent reflection type LED. As a result, a high luminous intensity can be realized, and the reflection type ultraviolet light L
ED can be put to practical use.

【0067】実施の形態4 次に、本発明の実施の形態4について、図7を参照して
説明する。図7(a)は本発明の実施の形態4にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はE−E線における断面を示す縦断面図である。
Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a plan view showing the entire configuration of a reflective light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line EE.

【0068】図7に示されるように、本実施の形態4の
反射型発光ダイオード51は、反射鏡として、金属では
なく、熱伝導度の高いセラミックスであるアルミナ(A
23 )55に略回転放物面である反射面55aを形
成して、この反射面55aにアルミ蒸着及び酸化珪素
(SiO2 )蒸着を行っている。そして、紫外線を発す
る発光素子52に電力を供給する1対のリード53a,
53bのうち、一方のリード53aの下面に発光素子5
2をマウントし、他方のリード53bと発光素子52と
をワイヤ54でボンディングして電気的接続を行った
後、アルミナ製反射鏡本体55の3箇所に窪みを作って
1対のリード53a,53bを嵌め込んでいる。そし
て、その上から放射部としてのガラス板56を接着して
反射型紫外線LED51が完成する。
As shown in FIG. 7, the reflection type light emitting diode 51 of the fourth embodiment is not a metal, but an alumina (A) which is a ceramic having high thermal conductivity as a reflection mirror.
1 2 O 3 ) 55, a reflection surface 55 a that is a paraboloid of revolution is formed, and aluminum and silicon oxide (SiO 2 ) are deposited on the reflection surface 55 a. Then, a pair of leads 53a for supplying power to the light emitting element 52 emitting ultraviolet light,
The light emitting element 5 is provided on the lower surface of one of the leads 53a.
2 is mounted, and the other lead 53b and the light emitting element 52 are bonded to each other with a wire 54 for electrical connection. Then, three recesses are formed in the alumina reflecting mirror body 55 to form a pair of leads 53a and 53b. Is fitted. Then, a glass plate 56 as a radiation portion is adhered from above, and the reflection type ultraviolet LED 51 is completed.

【0069】かかる構成を有する反射型紫外線LED5
1においては、一方のリード53aが2箇所で熱伝導度
の高いアルミナ製反射鏡本体55と密着しているため、
発光素子52の熱が一方のリード53aからアルミナ製
反射鏡本体55に伝わり、アルミナ製反射鏡本体55の
全体から放熱されるため、極めて放熱性に優れた反射型
LEDとなる。また、反射型紫外線LED51では樹脂
封止の必要がないため、アルミナ製反射鏡本体55にア
ルミ蒸着及び酸化珪素蒸着を行って反射面55aを形成
しても、量産性に支障は生じない。
The reflection type ultraviolet LED 5 having such a configuration
In No. 1, one lead 53a is in close contact with the alumina reflecting mirror main body 55 having high thermal conductivity at two places.
Since the heat of the light emitting element 52 is transmitted from the one lead 53a to the reflector body 55 made of alumina and is radiated from the entire body 55 of the reflector made of alumina, the reflection type LED has extremely excellent heat dissipation. Further, since the reflection type ultraviolet LED 51 does not need to be resin-sealed, even if the reflection surface 55a is formed by performing aluminum evaporation and silicon oxide evaporation on the reflecting mirror body 55 made of alumina, mass productivity is not hindered.

【0070】ここで、反射鏡55の反射面55aはアル
ミ蒸着及び酸化珪素蒸着により形成されているので、可
視光から紫外光にかけての波長領域で反射率が高く、特
に本実施の形態4の発光素子52が発する紫外線の領域
においては銀は反射率が極めて低くなるので、広く行わ
れている銀メッキ処理では得られない高い紫外線反射率
を得ることができる。
Here, since the reflecting surface 55a of the reflecting mirror 55 is formed by aluminum evaporation and silicon oxide evaporation, it has a high reflectance in a wavelength region from visible light to ultraviolet light, and particularly the light emission of the fourth embodiment. Since the reflectance of silver is extremely low in the region of the ultraviolet rays emitted from the element 52, a high ultraviolet reflectance that cannot be obtained by the widely used silver plating process can be obtained.

【0071】しかも、反射鏡55の反射面55aは略回
転放物面形状に形成されており、その焦点に発光素子5
2が位置していることから、発光素子52から発せられ
た紫外線は全て反射鏡55で回転放物面の軸に平行な方
向に反射される。その方向には、ガラス板からなる放射
部56があるが、その放射部56の表面粗度は容易に光
学的レベルの表面粗度にできるので、この放射部56で
も紫外線の散乱は起きることなく反射鏡55で反射され
た紫外線はそのままの方向で放射部56から放射され
る。
Further, the reflecting surface 55a of the reflecting mirror 55 is formed in a substantially paraboloid of revolution, and the light emitting element 5
2 is located, all the ultraviolet rays emitted from the light emitting element 52 are reflected by the reflecting mirror 55 in a direction parallel to the axis of the paraboloid of revolution. In that direction, there is a radiating portion 56 made of a glass plate. The surface roughness of the radiating portion 56 can be easily adjusted to an optical level, so that the radiating portion 56 does not scatter ultraviolet rays. The ultraviolet light reflected by the reflecting mirror 55 is radiated from the radiating section 56 in the same direction.

【0072】これによって、発光素子52の発した紫外
線の略全光束を制御し、外部放射することができるの
で、外部放射効率が高く、配光特性等の光放射特性の設
計自由度の高いものとできる。さらに、本実施の形態4
の反射型発光ダイオード51は樹脂封止されていないの
で、紫外線や可視光の短波長の光による樹脂劣化の問題
もない。この結果、高い光度を実現でき、反射型紫外線
LEDの実用化を図ることができる。なお、発光素子5
2が樹脂封止されていないことによる湿度による発光素
子52の劣化を防止するためには、反射型LED51の
内部を乾燥窒素でシーリングすれば良い。
As a result, almost the entire luminous flux of the ultraviolet light emitted from the light emitting element 52 can be controlled and externally radiated, so that the external radiation efficiency is high and the degree of freedom in designing the light radiation characteristics such as light distribution characteristics is high. And can be. Further, Embodiment 4
Since the reflective light emitting diode 51 is not resin-sealed, there is no problem of resin deterioration due to short-wavelength light such as ultraviolet light or visible light. As a result, high luminous intensity can be realized, and practical use of the reflection type ultraviolet LED can be achieved. The light emitting element 5
In order to prevent the light emitting element 52 from deteriorating due to humidity due to the fact that No. 2 is not sealed with resin, the inside of the reflective LED 51 may be sealed with dry nitrogen.

【0073】上記各実施の形態においては、反射鏡の反
射面を略回転放物面形状に形成しているが、反射鏡の反
射面の形状はこれに限られず、配光特性等の光放射特性
の要求に従って、半球形状、回転半楕円体形状等、様々
な形状とすることができる。
In each of the above embodiments, the reflecting surface of the reflecting mirror is formed in a substantially paraboloid of revolution. However, the shape of the reflecting surface of the reflecting mirror is not limited to this, and light emission characteristics such as light distribution characteristics are obtained. Various shapes such as a hemispherical shape and a spheroidal shape can be made according to the requirements of the characteristics.

【0074】また、上記各実施の形態においては、封止
のための光透過性材料として透明エポキシ樹脂を用いた
例について説明したが、その他の種類の光透過性材料を
用いることもできる。また、リードとして銅合金板に銀
メッキを施したものを用いた例について説明したが、そ
の他にも鉄板に銀メッキを施したものや、銅板にアルミ
蒸着を施したもの等、種々の材料を用いることができ
る。
In each of the above embodiments, an example in which a transparent epoxy resin is used as a light transmitting material for sealing has been described. However, other types of light transmitting materials can be used. In addition, although an example in which a copper alloy plate is subjected to silver plating as a lead was described, various materials such as an iron plate subjected to silver plating and a copper plate subjected to aluminum deposition were also used. Can be used.

【0075】反射型発光ダイオードのその他の部分の構
成、形状、数量、材質、大きさ、接続関係等について
も、上記各実施の形態に限定されるものではない。
The configuration, shape, quantity, material, size, connection relation, and the like of the other parts of the reflection type light emitting diode are not limited to the above embodiments.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
かかる反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光
素子に電力を供給する1対のリードと、前記発光素子の
発光面側に対向した凹面状の反射鏡と、前記発光素子の
背面側の放射部とを具備し、前記1対のリードのうち前
記発光素子がマウントされた一方のリードと前記反射鏡
とは接触または近接配置され、前記一方のリード及び/
または前記1対のリードのうち他方のリードと、前記反
射鏡とは絶縁され、前記1対のリード及び前記反射鏡は
熱伝導度の高い材料からなり、前記発光素子が発した熱
を拡散するのに十分な熱容量をもっているものである。
As described above, the reflection type light emitting diode according to the first aspect of the present invention comprises a light emitting element, a pair of leads for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element. An opposing concave reflecting mirror, and a radiating portion on the back side of the light emitting element, wherein one of the pair of leads, on which the light emitting element is mounted, and the reflecting mirror are in contact or close proximity to each other. And the one lead and / or
Alternatively, the other lead of the pair of leads and the reflecting mirror are insulated, and the pair of leads and the reflecting mirror are made of a material having high thermal conductivity, and diffuse heat generated by the light emitting element. It has a sufficient heat capacity.

【0077】かかる構成を有する反射型発光ダイオード
においては、発光素子がマウントされた一方のリードと
反射鏡とは接触または近接配置されているため、発光素
子の熱は、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている一方のリ
ードから、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている反射鏡へ
と伝わり、反射鏡の全体から放熱されるため、極めて放
熱性が良い。そして、一方のリードと他方のリードのい
ずれかまたは両方が反射鏡と絶縁されているため、反射
鏡を介して一方のリードと他方のリードがショートして
しまう心配もない。
In the reflection type light emitting diode having such a configuration, one of the leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, so that the heat of the light emitting element is transferred from a material having high thermal conductivity. From one lead, which has a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element, to a reflector made of a material having high thermal conductivity and having a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element Since the heat is transmitted and radiated from the entire reflecting mirror, the heat radiation is extremely good. Since one or both of the one lead and the other lead are insulated from the reflecting mirror, there is no fear that one of the leads and the other lead are short-circuited via the reflecting mirror.

【0078】また、発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡においては、高い反射率が得られて外部放射
効率が高く、配光特性等の光放射特性の設計自由度の高
いものとできるため、高い光度を実現できる。
Further, a concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element has a high reflectivity, a high external radiation efficiency, and a high degree of freedom in designing light emitting characteristics such as light distribution characteristics. Therefore, a high luminous intensity can be realized.

【0079】さらに、熱伝導度の高い材料で形成した反
射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性を有し、樹脂
面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度変化によ
る皺の発生等によって反射鏡としての機能を失うという
ことがない。このため表面実装用のリフロー炉対応が可
能となり、表面実装部品として何ら制限なく用いること
ができるので、多量に実装される反射型LEDとして適
したものとなる。また、かかる構成の反射型LEDにお
いては、リード引き出し部として余分なスペースをとる
必要がないため、小型化にも適している。
Further, the use of a reflecting mirror formed of a material having high thermal conductivity makes it resistant to a temperature change. The function as a reflector is not lost. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0080】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性に優れた反射型L
EDとなる。
In this way, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size and has excellent heat dissipation.
ED.

【0081】請求項2の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、発光素子と、前記発光素子に電力を供給する1
対のリードと、前記発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡と、前記発光素子の背面側の放射部と、封止
のための光透過性材料とを具備し、前記1対のリードの
うち前記発光素子がマウントされた一方のリードと前記
反射鏡とは接触または近接配置され、前記一方のリード
及び/または前記1対のリードのうち他方のリードと、
前記反射鏡とは絶縁され、前記1対のリード及び前記反
射鏡は熱伝導度の高い材料からなり、前記発光素子が発
した熱を拡散するのに十分な熱容量をもっており、前記
放射部は、前記発光素子と、前記1対のリードの一部
と、前記反射鏡とが前記光透過性材料によって封止され
るとともにモールドされているものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a reflection type light emitting diode, comprising: a light emitting element;
A pair of leads, a concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element, a radiating section on the back side of the light emitting element, and a light transmitting material for sealing; One of the leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, and the other lead of the one lead and / or the pair of leads;
The reflecting mirror is insulated, the pair of leads and the reflecting mirror are made of a material having high thermal conductivity, have a heat capacity sufficient to diffuse the heat generated by the light emitting element, The light emitting element, a part of the pair of leads, and the reflecting mirror are sealed and molded with the light transmitting material.

【0082】かかる構成を有する反射型発光ダイオード
においては、発光素子がマウントされた一方のリードと
反射鏡とは接触または近接配置されているため、発光素
子の熱は、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている一方のリ
ードから、熱伝導度の高い材料からなり発光素子が発し
た熱を拡散するのに十分な熱容量をもっている反射鏡へ
と伝わり、反射鏡の全体から放熱されるため、極めて放
熱性が良い。そして、一方のリードと他方のリードのい
ずれかまたは両方が反射鏡と絶縁されているため、反射
鏡を介して一方のリードと他方のリードがショートして
しまう心配もない。
In the reflection type light emitting diode having such a configuration, one of the leads on which the light emitting element is mounted and the reflecting mirror are in contact with or disposed close to each other. From one lead, which has a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element, to a reflector made of a material having high thermal conductivity and having a sufficient heat capacity to diffuse the heat generated by the light emitting element Since the heat is transmitted and radiated from the entire reflecting mirror, the heat radiation is extremely good. Since one or both of the one lead and the other lead are insulated from the reflecting mirror, there is no fear that one of the leads and the other lead are short-circuited via the reflecting mirror.

【0083】また、発光素子の発光面側に対向した凹面
状の反射鏡においては、高い反射率が得られて外部放射
効率が高く、配光特性等の光放射特性の設計自由度の高
いものとできるため、高い光度を実現できる。さらに、
発光素子が光透過性材料によって封止されているため、
発光素子からの光出力が空気中に直接出す場合に比べて
約2倍になり、より一層外部放射光量を高くすることが
できる。また、発光素子が封止されているため湿気によ
る劣化が防止され、信頼性の高い反射型LEDとなる。
さらに、放射部は、発光素子とリードの一部と反射鏡と
が光透過性材料によって封止されるとともにモールドさ
れているため、封止金型の内壁面を鏡面加工しておくこ
とによって放射部の表面粗度も光学的レベルとなり、光
学面として形成される。これによって、放射部界面にお
ける散乱も起こることなく、反射鏡で反射された光がそ
のまま放射部から高い外部放射効率で放射される。
A concave reflecting mirror facing the light emitting surface side of the light emitting element has a high reflectivity, a high external radiation efficiency, and a high degree of freedom in designing light emitting characteristics such as light distribution characteristics. Therefore, a high luminous intensity can be realized. further,
Because the light emitting element is sealed with a light transmitting material,
The light output from the light emitting element is about twice that in the case where the light is directly emitted into the air, and the amount of external radiation can be further increased. Further, since the light emitting element is sealed, deterioration due to moisture is prevented, and a highly reliable reflective LED is obtained.
Furthermore, since the light emitting element, a part of the lead, and the reflecting mirror are sealed and molded with the light transmitting material, the radiating portion emits light by mirror-finishing the inner wall surface of the sealing mold. The surface roughness of the portion is also at the optical level and is formed as an optical surface. As a result, the light reflected by the reflector is radiated from the radiating portion as it is with high external radiation efficiency without scattering at the radiating portion interface.

【0084】また、最終工程は部材を金型にセットして
樹脂封止するだけの工程であり、既存の生産装置を用い
ることによって容易に生産でき、反射型LEDの量産化
を図ることができる。さらに、熱伝導度の高い材料で形
成した反射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性があ
り、樹脂面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度
変化による皺の発生等によって反射鏡としての機能を失
うということがない。このため表面実装用のリフロー炉
対応が可能となり、表面実装部品として何ら制限なく用
いることができるので、多量に実装される反射型LED
として適したものとなる。また、かかる構成の反射型L
EDにおいては、リード引き出し部として余分なスペー
スをとる必要がないため、小型化にも適している。
Further, the final step is a step of merely setting the members in a mold and sealing the resin, and can be easily produced by using an existing production apparatus, and mass production of the reflective LED can be achieved. . Furthermore, by using a reflector formed of a material having high thermal conductivity, the mirror is resistant to temperature changes. There is no loss of functionality. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any restrictions.
It becomes suitable as. Further, the reflection type L having such a configuration is used.
The ED does not require an extra space as a lead lead-out portion, and thus is suitable for miniaturization.

【0085】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、外部放射効率も高く、量
産性にも優れ、放熱性に優れた反射型LEDとなる。
In this way, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size, the external radiation efficiency is high, the mass productivity is excellent, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【0086】請求項3の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡の周縁部に前記1対のリードのうち前記発光素子
がマウントされた一方のリードからの熱を伝える伝熱部
が形成されているものである。
According to a third aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, one of the pair of leads is provided with the light emitting element mounted on a peripheral portion of the reflecting mirror. A heat transfer portion for transmitting heat from the lead is formed.

【0087】このように、反射鏡の周縁部に伝熱部を形
成することによって、請求項1または請求項2に記載の
効果に加えて、発光素子がマウントされた一方のリード
との接触面積または近接面積が大きくなり、発光素子の
熱を一方のリードを介してより良く反射鏡に伝えること
ができるため、さらに放熱性に優れた反射型LEDとな
る。
As described above, by forming the heat transfer portion on the peripheral portion of the reflecting mirror, in addition to the effect described in claim 1 or 2, the contact area with one lead on which the light emitting element is mounted is provided. Alternatively, the proximity area is increased, and the heat of the light emitting element can be better transmitted to the reflector via one of the leads, so that the reflection type LED has more excellent heat dissipation.

【0088】さらに、熱伝導度の高い材料で形成した反
射鏡を用いたことにより、温度変化に耐性があり、樹脂
面に金属蒸着した反射鏡等におけるような温度変化によ
る皺の発生等によって反射鏡としての機能を失うという
ことがない。このため表面実装用のリフロー炉対応が可
能となり、表面実装部品として何ら制限なく用いること
ができるので、多量に実装されるLEDとして適したも
のとなる。また、かかる構成の反射型LEDにおいて
は、リード引き出し部として余分なスペースをとる必要
がないため、小型化にも適している。
Further, the use of a reflecting mirror made of a material having high thermal conductivity is resistant to temperature changes, and the reflection due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like on which metal is deposited on a resin surface. It does not lose its function as a mirror. For this reason, it is possible to support a reflow furnace for surface mounting, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as an LED to be mounted in a large amount. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0089】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性により優れた反射
型LEDとなる。
In this way, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【0090】請求項4の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項3のいずれか1つの構成に
おいて、前記1対のリード及び前記反射鏡は、金属板に
よって形成されているものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to third aspects, the pair of leads and the reflecting mirror are formed of a metal plate. It is.

【0091】したがって、請求項1乃至請求項3のいず
れか1つに記載の効果に加えて、金属板は、熱伝導度が
高く、また加工性に優れているため、容易に凹面状の反
射鏡を形成することができる。そして、発光素子の熱を
金属板からなる一方のリードから反射鏡へ伝えることに
よって、反射鏡全体から放熱することができ、極めて放
熱性に優れた反射型LEDとなる。
Therefore, in addition to the effects described in any one of the first to third aspects, the metal plate has a high thermal conductivity and is excellent in workability, so that the metal plate easily has a concave reflection. A mirror can be formed. Then, by transmitting the heat of the light emitting element from the one lead made of the metal plate to the reflecting mirror, heat can be radiated from the entire reflecting mirror, and a reflection type LED having extremely excellent heat dissipation can be obtained.

【0092】さらに、金属板で形成した反射鏡を用いた
ことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸着
した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生等
によって反射鏡としての機能を失うということがない。
このため表面実装用のリフロー炉対応が可能となり、表
面実装部品として何ら制限なく用いることができるの
で、多量に実装される反射型LEDとして適したものと
なる。また、かかる構成の反射型LEDにおいては、リ
ード引き出し部として余分なスペースをとる必要がない
ため、小型化にも適している。
Further, the use of the reflecting mirror formed of a metal plate makes it resistant to temperature changes, and functions as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on the resin surface. Never lose.
For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0093】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性に優れた反射型L
EDとなる。
Thus, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size and has excellent heat dissipation.
ED.

【0094】請求項5の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、アルミ板によって形成されてい
るものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the reflecting mirror is formed of an aluminum plate.

【0095】したがって、請求項1乃至請求項4のいず
れか1つに記載の効果に加えて、アルミ板はプレス加工
が容易な材料であるため、プレス加工によって容易に反
射鏡に成形することができる。また、直線反射率の極め
て高いアルミ板を容易に入手することができるため、反
射率の高い反射鏡を容易に作成することができる。そし
て、熱伝導度が高いため、発光素子の熱を一方のリード
からアルミ製の反射鏡へ伝えることによって、反射鏡全
体から放熱することができ、極めて放熱性に優れた反射
型LEDとなる。また、アルミは可視光から紫外光にか
けての波長領域で反射率が高く、反射鏡としたときにメ
ッキ処理の必要がない。特に、発光素子として紫外線発
光素子を用いる場合には、銀は紫外線の領域においては
反射率が極めて低くなるので、アルミ製の反射鏡は広く
行われている銀メッキ処理では得られない高い紫外線反
射率を得ることができる。
Therefore, in addition to the effects described in any one of the first to fourth aspects, since the aluminum plate is a material which can be easily pressed, it can be easily formed into a reflecting mirror by the pressing. it can. Further, since an aluminum plate having an extremely high linear reflectance can be easily obtained, a reflecting mirror having a high reflectance can be easily produced. Since the heat conductivity is high, the heat of the light emitting element is transmitted from one of the leads to the aluminum-made reflecting mirror, so that heat can be radiated from the entire reflecting mirror. Aluminum has a high reflectance in the wavelength region from visible light to ultraviolet light, and does not require plating when used as a reflecting mirror. In particular, when an ultraviolet light emitting element is used as the light emitting element, since the reflectance of silver is extremely low in the ultraviolet region, aluminum reflecting mirrors have high ultraviolet reflection which cannot be obtained by the widely used silver plating process. Rate can be obtained.

【0096】そして、アルミ板で形成した反射鏡を用い
たことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸
着した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生
等によって反射鏡としての機能を失うということがな
い。このため表面実装用のリフロー炉対応が可能とな
り、表面実装部品として何ら制限なく用いることができ
るので、多量に実装される反射型LEDとして適したも
のとなる。また、かかる構成の反射型LEDにおいて
は、リード引き出し部として余分なスペースをとる必要
がないため、小型化にも適している。
The use of a reflecting mirror formed of an aluminum plate makes it resistant to a temperature change, and functions as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to the temperature change as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on a resin surface. Never lose. For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0097】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、反射率も高く、紫外線発
光素子にも適用でき、放熱性に優れた反射型LEDとな
る。
Thus, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size, has a high reflectance, can be applied to an ultraviolet light emitting element, and is a reflective LED excellent in heat dissipation.

【0098】請求項6の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項4または請求項5の構成において、前記
反射鏡は、表面に透光性絶縁処理が施されているもので
ある。
According to a sixth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the fourth or fifth aspect, the reflecting mirror has a surface subjected to a light-transmitting insulating treatment.

【0099】即ち、本発明の反射型LEDにおいて、反
射鏡は金属板の表面に透光性絶縁処理(酸化処理)が施
されてなるものである。このように表面に透光性の絶縁
性金属酸化物を形成することによって、請求項4または
請求項5に記載の効果に加えて、反射鏡の反射率を落と
すことなく反射鏡の表面を絶縁性とすることができ、一
方のリードと他方のリードの両方を反射鏡と接触させて
も一方のリードと他方のリードがショートすることはな
い。これによって、金属製の反射鏡を用いた反射型LE
Dの製造が容易になる。また、一方のリードを反射鏡に
接触させることができるため、熱伝達性が向上して、よ
り放熱性に優れたものとなる。
That is, in the reflection type LED of the present invention, the reflection mirror is obtained by performing a light-transmissive insulating treatment (oxidation treatment) on the surface of a metal plate. By forming the translucent insulating metal oxide on the surface in this way, in addition to the effect of claim 4 or claim 5, the surface of the reflecting mirror is insulated without lowering the reflectance of the reflecting mirror. When both the one lead and the other lead are brought into contact with the reflecting mirror, the one lead and the other lead do not short-circuit. Thereby, the reflection type LE using the metal reflection mirror is provided.
Manufacturing of D becomes easy. Further, since one of the leads can be brought into contact with the reflecting mirror, the heat transfer property is improved, and the heat dissipation property is further improved.

【0100】そして、金属板で形成した反射鏡を用いた
ことにより、温度変化に耐性があり、樹脂面に金属蒸着
した反射鏡等におけるような温度変化による皺の発生等
によって反射鏡としての機能を失うということがない。
このため表面実装用のリフロー炉対応が可能となり、表
面実装部品として何ら制限なく用いることができるの
で、多量に実装される反射型LEDとして適したものと
なる。また、かかる構成の反射型LEDにおいては、リ
ード引き出し部として余分なスペースをとる必要がない
ため、小型化にも適している。
The use of a reflecting mirror formed of a metal plate makes it resistant to temperature changes, and functions as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes as in a reflecting mirror or the like in which metal is deposited on a resin surface. Never lose.
For this reason, a reflow furnace for surface mounting can be used, and it can be used as a surface mounting component without any limitation, so that it is suitable as a reflective LED mounted in a large number. In addition, in the reflection type LED having such a configuration, it is not necessary to take an extra space as a lead lead-out portion, so that it is suitable for miniaturization.

【0101】このようにして、温度変化に耐性を有し、
小型化も容易であるとともに、放熱性により優れた反射
型LEDとなる。
Thus, it has resistance to temperature changes,
It is easy to reduce the size, and the reflection type LED is excellent in heat dissipation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はA−A線における断面を示す縦断面図である。
FIG. 1A is a plan view showing an entire configuration of a reflective light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line AA.

【図2】 図2(a)は本発明の実施の形態2にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はB−B線における断面を示す縦断面図である。
FIG. 2A is a plan view showing the entire configuration of a reflective light emitting diode according to a second embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line BB.

【図3】 図3は本発明の実施の形態2にかかる反射型
発光ダイオードの図2(a)のC−C線における断面を
示す縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a cross section taken along line CC of FIG. 2A of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.

【図4】 図4は本発明の実施の形態2にかかる反射型
発光ダイオードの変形例を示す縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a modification of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.

【図5】 図5は本発明の実施の形態2にかかる反射型
発光ダイオードの他の変形例を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing another modification of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.

【図6】 図6(a)は本発明の実施の形態3にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はD−D線における断面を示す縦断面図である。
FIG. 6A is a plan view showing the entire configuration of a reflective light emitting diode according to a third embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line DD.

【図7】 図7(a)は本発明の実施の形態4にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図、(b)
はE−E線における断面を示す縦断面図である。
FIG. 7A is a plan view showing the entire configuration of a reflective light-emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a section taken along line EE.

【図8】 図8は従来の反射型発光ダイオードの全体構
成を示す縦断面図である。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of a conventional reflective light emitting diode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,21,31,41,51 反射型発光ダイオ
ード 2,12,22,32,42,52 発光素子 3a,13a,23a,33a,43a,53a 一方
のリード 3b,13b,23b,33b,43b,53b 他方
のリード 5,15,25,35,45,55 反射鏡 5a,15a,25a,35a 伝熱部 6,16,26,36 光透過性材料 7,17,27,37,46,56 放射部
1, 11, 21, 31, 41, 51 Reflective light emitting diode 2, 12, 22, 32, 42, 52 Light emitting element 3a, 13a, 23a, 33a, 43a, 53a One lead 3b, 13b, 23b, 33b, 43b, 53b The other lead 5, 15, 25, 35, 45, 55 Reflecting mirror 5a, 15a, 25a, 35a Heat transfer portion 6, 16, 26, 36 Light transmitting material 7, 17, 27, 37, 46, 56 radiating section

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
する1対のリードと、前記発光素子の発光面側に対向し
た凹面状の反射鏡と、前記発光素子の背面側の放射部と
を具備し、 前記1対のリードのうち前記発光素子がマウントされた
一方のリードと前記反射鏡とは接触または近接配置さ
れ、 前記一方のリード及び/または前記1対のリードのうち
他方のリードと、前記反射鏡とは絶縁され、前記1対の
リード及び前記反射鏡は熱伝導度の高い材料からなり、
前記発光素子が発した熱を拡散するのに十分な熱容量を
もっていることを特徴とする反射型発光ダイオード。
1. A light emitting device, a pair of leads for supplying power to the light emitting device, a concave reflecting mirror facing a light emitting surface side of the light emitting device, and a radiating portion on a back side of the light emitting device. One of the pair of leads, on which the light emitting element is mounted, and the reflecting mirror are in contact with or close to each other, and the other lead of the one lead and / or the pair of leads is provided. And the reflector is insulated, the pair of leads and the reflector are made of a material having high thermal conductivity,
A reflection type light emitting diode having a heat capacity sufficient to diffuse heat generated by the light emitting element.
【請求項2】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
する1対のリードと、前記発光素子の発光面側に対向し
た凹面状の反射鏡と、前記発光素子の背面側の放射部
と、封止のための光透過性材料とを具備し、 前記1対のリードのうち前記発光素子がマウントされた
一方のリードと前記反射鏡とは接触または近接配置さ
れ、 前記一方のリード及び/または前記1対のリードのうち
他方のリードと、前記反射鏡とは絶縁され、前記1対の
リード及び前記反射鏡は熱伝導度の高い材料からなり、
前記発光素子が発した熱を拡散するのに十分な熱容量を
もっており、 前記放射部は、前記発光素子と、前記1対のリードの一
部と、前記反射鏡とが前記光透過性材料によって封止さ
れるとともにモールドされていることを特徴とする反射
型発光ダイオード。
2. A light-emitting device, a pair of leads for supplying power to the light-emitting device, a concave reflecting mirror facing a light-emitting surface of the light-emitting device, and a radiating portion on a back side of the light-emitting device. A light-transmitting material for sealing; one of the pair of leads, on which the light emitting element is mounted, and the reflecting mirror are in contact with or disposed in close proximity to each other; Alternatively, the other lead of the pair of leads and the reflector are insulated, and the pair of leads and the reflector are made of a material having high thermal conductivity,
The light emitting element has a heat capacity sufficient to diffuse the heat generated by the light emitting element, and the radiating portion includes a light transmitting element that seals the light emitting element, a part of the pair of leads, and the reflecting mirror with the light transmitting material. A reflective light emitting diode, which is stopped and molded.
【請求項3】 前記反射鏡の周縁部に前記1対のリード
のうち前記発光素子がマウントされた一方のリードから
の熱を伝える伝熱部が形成されていることを特徴とする
請求項1または請求項2に記載の反射型発光ダイオー
ド。
3. A heat transfer portion for transmitting heat from one of the pair of leads on which the light emitting element is mounted is formed at a peripheral portion of the reflecting mirror. Or a reflective light-emitting diode according to claim 2.
【請求項4】 前記1対のリード及び前記反射鏡は、金
属板によって形成されていることを特徴とする請求項1
乃至請求項3のいずれか1つに記載の反射型発光ダイオ
ード。
4. The device according to claim 1, wherein the pair of leads and the reflecting mirror are formed of a metal plate.
The reflective light emitting diode according to claim 1.
【請求項5】 前記反射鏡は、アルミ板によって形成さ
れていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいず
れか1つに記載の反射型発光ダイオード。
5. The reflection type light emitting diode according to claim 1, wherein the reflection mirror is formed of an aluminum plate.
【請求項6】 前記反射鏡は、表面に透光性絶縁処理が
施されていることを特徴とする請求項4または請求項5
に記載の反射型発光ダイオード。
6. The reflection mirror according to claim 4, wherein a surface of the reflection mirror is subjected to a translucent insulation treatment.
3. The reflective light emitting diode according to item 1.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109172A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode
JP2006100444A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element mounted substrate and light emitting device using the same
JP2009124055A (en) * 2007-11-16 2009-06-04 Opto Device Kenkyusho:Kk High power ultraviolet light emitting diode
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
WO2010013518A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 株式会社 パールライティング Reflective light emitting diode
JP2013511811A (en) * 2009-11-18 2013-04-04 ランバス・インターナショナル・リミテッド Internal condensing reflector optics for LEDs
US9291340B2 (en) 2013-10-23 2016-03-22 Rambus Delaware Llc Lighting assembly having n-fold rotational symmetry

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109172A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2006100444A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp Light emitting element mounted substrate and light emitting device using the same
JP4619080B2 (en) * 2004-09-28 2011-01-26 京セラ株式会社 Light emitting device
JP2009124055A (en) * 2007-11-16 2009-06-04 Opto Device Kenkyusho:Kk High power ultraviolet light emitting diode
WO2010013518A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 株式会社 パールライティング Reflective light emitting diode
JP5336489B2 (en) * 2008-08-01 2013-11-06 株式会社 パールライティング Reflective light emitting diode
JP2013511811A (en) * 2009-11-18 2013-04-04 ランバス・インターナショナル・リミテッド Internal condensing reflector optics for LEDs
US8733982B2 (en) 2009-11-18 2014-05-27 Rambus Delaware Llc Internal collecting reflector optics for LEDs
US9291340B2 (en) 2013-10-23 2016-03-22 Rambus Delaware Llc Lighting assembly having n-fold rotational symmetry

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