JP2002217688A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2002217688A
JP2002217688A JP2001009583A JP2001009583A JP2002217688A JP 2002217688 A JP2002217688 A JP 2002217688A JP 2001009583 A JP2001009583 A JP 2001009583A JP 2001009583 A JP2001009583 A JP 2001009583A JP 2002217688 A JP2002217688 A JP 2002217688A
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semiconductor integrated
integrated circuit
pll
buffers
different
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JP2001009583A
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Japanese (ja)
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Kenji Oishi
賢治 大石
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor integrated circuit with a PLL function which can realize a required output frequency regardless of a phase comparing frequency. SOLUTION: A plurality of stages of buffers 11-15 which can selectively generate different delay values respectively are provided as buffer means provided in a voltage control oscillation circuit comprising a PLL, and a required output frequency is obtained by a combination of the delay values (td1-td5) of the buffers of the respective stages.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回
路、特に、回路内部にPLL(Phase Locke
d Loop)回路をシンセサイザとして内蔵するAS
IC等の半導体集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a PLL (Phase Locke) in a circuit.
d Loop) AS with a built-in circuit as a synthesizer
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit such as an IC.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パソコン等の情報通信機器分野の
高速化が進み、ASIC内部を高速処理する必要がある
ため、ASIC内部にPLL(Phase Locke
d Loop)回路をシンセサイザとして内蔵し使用す
ることが必須となってきた。しかし、PLL回路を用い
た周波数シンセサイザでは、位相比較周波数が低く(位
相合わせ回数が少なく)使用すると出力周波数が安定す
ることが出来ないため、ジッタ量が多くなると同時に、
この出力に接続される周辺回路への影響も問題となって
いる。このため、低い位相比較周波数に起因することな
く、細かい周波数変調ができ、安定した出力周波数を得
ることができる回路が必要である。
2. Description of the Related Art In recent years, the speed of information communication devices such as personal computers has been increasing, and it is necessary to perform high-speed processing inside an ASIC. Therefore, a PLL (Phase Locke)
It has become essential to incorporate and use a (d Loop) circuit as a synthesizer. However, in a frequency synthesizer using a PLL circuit, if the phase comparison frequency is low (the number of times of phase matching is small), the output frequency cannot be stabilized.
The effect on peripheral circuits connected to this output is also a problem. For this reason, there is a need for a circuit that can perform fine frequency modulation and obtain a stable output frequency without being caused by a low phase comparison frequency.

【0003】図17は、従来技術による半導体集積回路
の全体構成を示すブロック図である。図において、1は
基準周波数(fin)入力端子、PCは位相比較器(P
hase Detector)、CPはチャージポンプ
(Charge Pump)、LPFはローパスフィル
タ(Low Pass Filter)からなるループ
フィルタである。2はVCO(Voltage Con
torolled Osilator)であり、2a,
2bは発振用PMOSトランジスタ、2c,2dは発振
用NMOSトランジスタである。3,4,5,6,7は
VCO:2のバッファである。8は出力周波数(fou
t)出力端子、9は分周回路:DIV1(1/N)、1
0は分周回路:DIV2(1/M)である。発振用PM
OSトランジスタ2a,2bおよび発振用NMOSトラ
ンジスタ2c,2dは、VCO:2のバッファ3,4,
5,6,7に電圧を供給するアンプ回路からなる電圧源
を構成する。
FIG. 17 is a block diagram showing the overall configuration of a semiconductor integrated circuit according to the prior art. In the figure, 1 is a reference frequency (fin) input terminal, PC is a phase comparator (P
phase detector, CP is a charge pump (Charge Pump), and LPF is a loop filter composed of a low-pass filter (Low Pass Filter). 2 is VCO (Voltage Con)
tolled Oscillator), 2a,
2b is an oscillation PMOS transistor, and 2c and 2d are oscillation NMOS transistors. Reference numerals 3, 4, 5, 6, and 7 are VCO: 2 buffers. 8 is the output frequency (fou
t) Output terminal, 9 is a frequency divider: DIV1 (1 / N), 1
0 is a frequency dividing circuit: DIV2 (1 / M). Oscillation PM
The OS transistors 2a and 2b and the oscillation NMOS transistors 2c and 2d are connected to the buffers 3, 4,
A voltage source composed of an amplifier circuit that supplies a voltage to 5, 6, and 7 is configured.

【0004】図17に示す回路では、基準周波数入力端
子1からの基準周波数入力、すなわち基準クロック(f
in)入力と、VCO:2から分周回路10を介してフ
ィードバックされる比較入力とを、位相比較器PCによ
って比較して位相比較周波数を検出し、この位相比較周
波数をチャージポンプCP,ローパスフィルタLPFお
よびVCO:2により処理して出力周波数を得るもので
ある。
In the circuit shown in FIG. 17, a reference frequency input from a reference frequency input terminal 1, ie, a reference clock (f
in) The input and a comparison input fed back from the VCO: 2 via the frequency dividing circuit 10 are compared by a phase comparator PC to detect a phase comparison frequency, and this phase comparison frequency is used as a charge pump CP and a low-pass filter. The output frequency is obtained by processing with the LPF and VCO: 2.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の回路
では、位相比較器PCにより比較検出される位相比較周
波数に応じて出力周波数が一義的に決定されるものであ
って、細かな周波数調整が難しく、出力周波数を安定し
て得られないという欠点があった。
In such a conventional circuit, the output frequency is uniquely determined according to the phase comparison frequency detected and compared by the phase comparator PC. And it is difficult to obtain an output frequency stably.

【0006】この発明は、位相比較周波数に拘わりなく
所望の出力周波数を実現できるPLL機能を備えた半導
体集積回路を得ようとするものである。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a PLL function capable of realizing a desired output frequency regardless of a phase comparison frequency.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係るPLL
機能を備えた半導体集積回路では、PLLを構成する電
圧制御発振回路に設けられるバッファ手段として、各々
違った遅延値を選択的に発生できる複数段のバッファを
設け、各段バッファの遅延値の組み合わせにより所望の
出力周波数を得るようにしたものである。
A PLL according to the first invention
In a semiconductor integrated circuit having a function, a plurality of buffers capable of selectively generating different delay values are provided as buffer means provided in a voltage-controlled oscillator constituting a PLL, and a combination of delay values of buffers in each stage is provided. Thus, a desired output frequency is obtained.

【0008】第2の発明に係る半導体集積回路では、前
記各段バッファに各々違った遅延値を選択的に発生させ
るための複数の電圧源を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the present invention, a plurality of voltage sources for selectively generating different delay values are provided in the respective buffers.

【0009】第3の発明に係る半導体集積回路では、各
々異なる電圧値を発生する複数の電圧源と、前記複数の
電圧源のいずれかを選択し前記各段バッファのいずれか
に接続する選択手段とを設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a third aspect of the present invention, a plurality of voltage sources each generating a different voltage value, and a selection means for selecting one of the plurality of voltage sources and connecting to one of the buffers at each stage. Are provided.

【0010】第4の発明に係る半導体集積回路では、前
記複数の電圧源を、それぞれ定電流源回路により構成し
たものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fourth aspect of the present invention, the plurality of voltage sources are each constituted by a constant current source circuit.

【0011】第5の発明に係る半導体集積回路では、前
記各段バッファに各々違った遅延値を選択的に発生させ
るための複数のアンプ回路を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fifth aspect of the present invention, a plurality of amplifier circuits for selectively generating different delay values are provided in the respective buffers.

【0012】第6の発明に係る半導体集積回路では、各
々異なる電圧値を発生する複数のアンプ回路と、前記複
数のアンプ回路のいずれかを選択し前記各段バッファの
いずれかに接続する選択手段とを設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a sixth aspect of the present invention, a plurality of amplifier circuits each generating a different voltage value, and a selection means for selecting one of the plurality of amplifier circuits and connecting to one of the buffers at each stage. Are provided.

【0013】第7の発明に係る半導体集積回路では、前
記各段バッファに各々違った遅延値を選択的に発生させ
るための複数のPLL回路を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a seventh aspect of the present invention, a plurality of PLL circuits for selectively generating different delay values are provided in each of the buffers.

【0014】第8の発明に係る半導体集積回路では、各
々異なる電圧値を発生する複数のPLL回路と、前記複
数のPLL回路のいずれかを選択し前記各段バッファの
いずれかに接続する選択手段とを設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to an eighth aspect of the present invention, a plurality of PLL circuits each generating a different voltage value, and selecting means for selecting one of the plurality of PLL circuits and connecting to any of the buffers in each of the stages. Are provided.

【0015】第9の発明に係る半導体集積回路では、前
記複数のPLL回路として、同じ基準クロックにて動作
し出力周波数の異なる複数のPLL回路を用いたもので
ある。
In a semiconductor integrated circuit according to a ninth aspect of the present invention, a plurality of PLL circuits operating at the same reference clock and having different output frequencies are used as the plurality of PLL circuits.

【0016】第10の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のPLL回路として、基準クロックおよび出力
周波数の異なる複数のPLL回路を用いたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the tenth aspect,
A plurality of PLL circuits having different reference clocks and output frequencies are used as the plurality of PLL circuits.

【0017】第11の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のPLL回路として、同じ基準クロックにて動
作し、電圧制御発振回路のバッファ段数が異なる複数の
PLL回路を用いたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the eleventh aspect,
As the plurality of PLL circuits, a plurality of PLL circuits operating with the same reference clock and having different numbers of buffer stages of the voltage controlled oscillation circuit are used.

【0018】第12の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のPLL回路として、基準クロックおよび電圧
制御発振回路のバッファ段数が異なる複数のPLL回路
を用いたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect,
As the plurality of PLL circuits, a plurality of PLL circuits having different numbers of buffer stages of a reference clock and a voltage controlled oscillation circuit are used.

【0019】第13の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のPLL回路として、同じ基準クロックにて動
作し、電圧制御発振回路のトランジスタサイズが異なる
複数のPLL回路を用いたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the thirteenth aspect,
As the plurality of PLL circuits, a plurality of PLL circuits operating with the same reference clock and having different transistor sizes of the voltage controlled oscillation circuit are used.

【0020】第14の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のPLL回路として、基準クロックおよび電圧
制御発振回路のトランジスタサイズが異なる複数のPL
L回路を用いたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fourteenth aspect,
As the plurality of PLL circuits, a plurality of PLs having different transistor sizes of a reference clock and a voltage controlled oscillation circuit.
This uses an L circuit.

【0021】第15の発明に係る半導体集積回路では、
前記各段バッファに各々違った遅延値を発生させるため
の複数のD/Aコンバータを設けたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the fifteenth aspect,
Each stage buffer is provided with a plurality of D / A converters for generating different delay values.

【0022】第16の発明に係る半導体集積回路では、
各々異なる電圧値を発生する複数のD/Aコンバータ
と、前記複数のD/Aコンバータのいずれかを選択し前
記各段バッファのいずれかに接続する選択手段とを設け
たものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a sixteenth aspect,
A plurality of D / A converters each generating a different voltage value, and a selection means for selecting one of the plurality of D / A converters and connecting to one of the buffers in each of the stages are provided.

【0023】第17の発明に係る半導体集積回路では、
前記複数のD/Aコンバータとして、階調度の異なる複
数のD/Aコンバータを用いたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a seventeenth aspect,
A plurality of D / A converters having different gradations are used as the plurality of D / A converters.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を図1ないし図4について説明する。図1
は、この発明による実施の形態1における電圧源として
のアンプ回路からVCOの各段のバッファへ電圧を供給
する構成図である。図において、8は出力周波数(fo
ut)出力端子、11はVCOの初段バッファ、12は
2段目バッファ、13は3段目バッファ、14は4段目
バッファ、15は5段目バッファであり、VCOを構成
する。18,19,20,21,22は、バッファ1
1,12,13,14,15の遅延時間を制御するPM
OSトランジスタ、23,24,25,26,27は、
バッファ11,12,13,14,15の遅延時間を制
御するNMOSトランジスタを示す。本説明では、VC
Oを5段、アンプ回路も5個にて行う。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. Figure 1
FIG. 3 is a configuration diagram for supplying a voltage from an amplifier circuit as a voltage source to a buffer of each stage of the VCO according to the first embodiment of the present invention. In the figure, 8 is an output frequency (fo)
out) Output terminal, 11 is a first stage buffer of the VCO, 12 is a second stage buffer, 13 is a third stage buffer, 14 is a fourth stage buffer, and 15 is a fifth stage buffer, and constitutes a VCO. 18, 19, 20, 21, and 22 are buffers 1
PM that controls the delay time of 1, 12, 13, 14, 15
OS transistors, 23, 24, 25, 26, 27
5 shows an NMOS transistor that controls the delay times of the buffers 11, 12, 13, 14, and 15. In this description, VC
O is performed in five stages, and five amplifier circuits are also performed.

【0025】図1のように、各段のバッファを構成する
PMOSトランジスタ18,19,20,21,22
と、NMOSトランジスタ23,24,25,26,2
7の入力28,29,30,31,32および33,3
4,35,36,37を独立に電圧源となる図2に示す
アンプ回路(後述)により制御を行う。独立に制御する
ことにより、VCOの各段のバッファ11,12,1
3,14,15に供給する電圧を自由に可変させ、各段
の遅延時間を任意に調整することを特徴とする。
As shown in FIG. 1, PMOS transistors 18, 19, 20, 21, and 22 constituting buffers at each stage are provided.
And NMOS transistors 23, 24, 25, 26, 2
7 inputs 28, 29, 30, 31, 32 and 33, 3
4, 35, 36 and 37 are independently controlled by an amplifier circuit (described later) shown in FIG. By independently controlling, the buffers 11, 12, 1 of each stage of the VCO are controlled.
It is characterized in that the voltages supplied to 3, 14, and 15 can be freely varied, and the delay time of each stage can be adjusted arbitrarily.

【0026】図2はこの発明による実施の形態1におけ
るVCOの各段のバッファへ供給する電圧源回路の構成
図である。38,39,40,41,42は電圧源とし
てのアンプ回路であり、VCOの初段バッファ11、2
段目バッファ12、3段目バッファ13、4段目バッフ
ァ14、5段目バッファ15へ、電位を供給するための
電圧源である。43は、各電圧源38,39,40,4
1,42のいずれかを任意に選択するためのセレクタ
(または、スイッチ)を示す。
FIG. 2 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to buffers at each stage of the VCO according to the first embodiment of the present invention. Reference numerals 38, 39, 40, 41, and 42 denote amplifier circuits as voltage sources.
It is a voltage source for supplying a potential to the stage buffer 12, the third stage buffer 13, the fourth stage buffer 14, and the fifth stage buffer 15. 43 denotes each of the voltage sources 38, 39, 40, 4
1 shows a selector (or switch) for arbitrarily selecting any one of 1 and 42.

【0027】アンプ回路からなる電圧源38は、発振用
PMOSトランジスタ38a,38bおよび発振用PM
OSトランジスタ38c,38dにより構成され、アン
プ回路からなる電圧源39は、発振用PMOSトランジ
スタ39a,39bおよび発振用PMOSトランジスタ
39c,39dにより構成され、アンプ回路からなる電
圧源40は、発振用PMOSトランジスタ40a,40
bおよび発振用PMOSトランジスタ40c,40dに
より構成され、アンプ回路からなる電圧源41は、発振
用PMOSトランジスタ41a,41bおよび発振用P
MOSトランジスタ41c,41dにより構成され、ア
ンプ回路からなる電圧源42は、発振用PMOSトラン
ジスタ42a,42bおよび発振用PMOSトランジス
タ42c,42dにより構成される。そして、これらの
アンプ回路からなる電圧源38,39,40,41,4
2は、VCOの各段バッファへ遅延値を発生させるため
の電圧を供給するとともに、その際、一定の電流を供給
する定電流源回路として作用するよう構成されているも
のである。
The voltage source 38 composed of an amplifier circuit includes oscillation PMOS transistors 38a and 38b and an oscillation PM
A voltage source 39 composed of OS transistors 38c and 38d and composed of an amplifier circuit is composed of oscillation PMOS transistors 39a and 39b and oscillation PMOS transistors 39c and 39d. A voltage source 40 composed of an amplifier circuit is composed of an oscillation PMOS transistor. 40a, 40
b and oscillation PMOS transistors 40c and 40d, and a voltage source 41 composed of an amplifier circuit includes oscillation PMOS transistors 41a and 41b and oscillation PMOS transistors 41a and 41b.
The voltage source 42 composed of MOS transistors 41c and 41d and composed of an amplifier circuit is composed of oscillation PMOS transistors 42a and 42b and oscillation PMOS transistors 42c and 42d. Then, voltage sources 38, 39, 40, 41, 4 composed of these amplifier circuits
Numeral 2 is configured to supply a voltage for generating a delay value to each stage buffer of the VCO and, at that time, to function as a constant current source circuit for supplying a constant current.

【0028】ここで、この実施の形態1では、実施の形
態1において説明する特有の構成以外の構成について
は、図17に示す従来の半導体集積回路と同様の全体構
成を有するものである。すなわち、この実施の形態1に
おいても、図17に示すものと同様の、基準周波数(f
in)入力端子1,位相比較器PC(Phase De
tector),チャージポンプCP(Charge
Pump),ローパスフィルタLPF(Low Pas
s Filter)からなるループフィルタ,10は分
周回路:DIV2(1/M)を備えるともに、図17の
VCO:2に代えて特有の構成を持つVCOが設けられ
ているものである。そして、VCOをはじめとするこれ
らの構成要素は、単一の半導体集積回路として一体に集
積化されている。
Here, in the first embodiment, components other than the specific configuration described in the first embodiment have the same overall configuration as the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. That is, also in the first embodiment, reference frequency (f) similar to that shown in FIG.
in) input terminal 1, phase comparator PC (Phase De)
ector), charge pump CP (Charge)
Pump, low-pass filter LPF (Low Pas)
The s-filter 10 is provided with a frequency divider circuit: DIV2 (1 / M) and a VCO having a specific configuration in place of the VCO: 2 in FIG. These components including the VCO are integrated as a single semiconductor integrated circuit.

【0029】図1および図2に示すVCOのバッファ1
1,12,13,14,15および電圧源としてのアン
プ回路38,39,40,41,42ならびにセレクタ
43は、全体として特有のVCOを構成し、前述の通
り、図17のVCO:2に代えて設けられるものであ
る。電圧源としてのアンプ回路38,39,40,4
1,42を構成する発振用NMOSトランジスタ38
c,39c,40c,41c,42cのゲートは、図1
7に示すローパスフィルタLPFの出力を受けるように
接続されている。電圧源としてのアンプ回路38,3
9,40,41,42は、それぞれ入力電圧の違い、ま
たは、回路特性の違いにより、互いに異なる電圧値を出
力するものであって、電圧源としてのアンプ回路38,
39,40,41,42を構成する発振用PMOSトラ
ンジスタ38b,39b,40b,41b,42bのバ
ックゲート、および、発振用NMOSトランジスタ38
d,39d,40d,41d,42dのゲートは、図2
に示すように、セレクタ43にそれぞれ接続され、セレ
クタ43における選択作用によって、VCOのバッファ
11,12,13,14,15に各々違った遅延値を発
生させるための互いに異なる電圧値が供給される。
VCO buffer 1 shown in FIGS. 1 and 2
1, 12, 13, 14, 15 and the amplifier circuits 38, 39, 40, 41, 42 as the voltage source and the selector 43 constitute a unique VCO as a whole. As described above, the VCO: 2 in FIG. It is provided instead. Amplifier circuits 38, 39, 40, 4 as voltage sources
Oscillating NMOS transistors 38 constituting the first and second transistors 42
The gates of c, 39c, 40c, 41c and 42c are shown in FIG.
7 is connected to receive the output of the low-pass filter LPF. Amplifier circuits 38 and 3 as voltage sources
Reference numerals 9, 40, 41, and 42 output different voltage values due to a difference in input voltage or a difference in circuit characteristics, respectively.
The back gates of the oscillating PMOS transistors 38b, 39b, 40b, 41b, 42b constituting the transistors 39, 40, 41, 42, and the oscillating NMOS transistor 38
The gates of d, 39d, 40d, 41d and 42d are shown in FIG.
As shown in (1), different voltage values for generating different delay values are supplied to the VCO buffers 11, 12, 13, 14, and 15 by the selection operation of the selector 43, respectively. .

【0030】図3にセレクタ(スイッチ)の動作を示
す。図3(a)はセレクタの端子配置を示す説明図、図
3(b)は動作状態を示す説明図である。図4は、セレ
クタの内部回路を示す接続図である。本説明のVCOは
5段、電圧源も5個、各セレクタ(スイッチ)の制御は
3Bitの信号にて行う。43は、チップ内部(マイコ
ン等)からの3Bitの制御信号により、各々S0,S
1,S2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。各
々選択された各電圧は、VCOのバッファ11,12,
13,14,15に供給され、独立した遅延時間を発生
させることができる。独立に制御することにより、VC
Oの各段のバッファ11,12,13,14,15に供
給する電流を自由に可変させ、各段の遅延時間を任意に
調整することを特徴とする。
FIG. 3 shows the operation of the selector (switch). FIG. 3A is an explanatory diagram showing a terminal arrangement of the selector, and FIG. 3B is an explanatory diagram showing an operation state. FIG. 4 is a connection diagram showing an internal circuit of the selector. In this description, the VCO has five stages, five voltage sources, and each selector (switch) is controlled by a 3-bit signal. Reference numerals 43 denote S0 and S, respectively, based on a 3-bit control signal from the inside of the chip (microcomputer or the like).
1, five voltage sources are arbitrarily selected. Each of the selected voltages is connected to the VCO buffers 11, 12,.
13, 14, and 15 to generate independent delay times. By controlling independently, VC
It is characterized in that the current supplied to the buffers 11, 12, 13, 14, 15 of each stage of O can be freely varied, and the delay time of each stage can be adjusted arbitrarily.

【0031】この方式により、VCOの各段バッファ1
1,12,13,14,15の調整時間をtd1,td
2,td3,td4,td5として表すと、VCO全体
の遅延時間Tdは、Td=td1+td2+td3+t
d4+td5にて表せる(従来は、Td=td×5)。
このため、入力からの比較周波数に起因することなく、
VCOの格段のバッファが異なった遅延時間を発生する
ことにより遅延時間Tdを得るため、出力周波数の可変
幅を自由に変化することが可能になる効果を得られる。
また、各段のバッファ部に供給する電位は、任意の一定
電位であるため、VCO出力の変動がなく、安定した出
力周波数とジッタの低減できる効果が得られる。
According to this method, each stage buffer 1 of the VCO
The adjustment times of 1, 12, 13, 14, 15 are td1, td
2, td3, td4, td5, the delay time Td of the entire VCO is Td = td1 + td2 + td3 + t
It can be expressed by d4 + td5 (conventionally, Td = td × 5).
Therefore, regardless of the comparison frequency from the input,
Since the remarkable buffer of the VCO generates a different delay time to obtain the delay time Td, an effect that the variable width of the output frequency can be freely changed can be obtained.
In addition, since the potential supplied to the buffer unit at each stage is an arbitrary constant potential, the output of the VCO does not fluctuate, and an effect of stably reducing the output frequency and jitter can be obtained.

【0032】この発明による実施の形態1によれば、P
LLを構成する電圧制御発振回路に設けられるバッファ
手段として、各々違った遅延値を選択的に発生できる複
数段のバッファ11,12,13,14,15と、前記
複数段のバッファ11,12,13,14,15に各々
違った遅延値を選択的に発生させるためのアンプ回路3
8,39,40,41,42からなる複数の電圧源と、
前記複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15のいずれかに接続するセ
レクタ43からなる選択手段とを設け、各段バッファ1
1,12,13,14,15の遅延値td1,td2,
td3,td4,td5の組み合わせにより所望の出力
周波数を得るようにしたので、前記アンプ回路38,3
9,40,41,42からなる複数の電圧源のいずれか
を選択し前記各段バッファ11,12,13,14,1
5に接続することにより、位相比較周波数に拘りなく所
望の出力周波数を実現できるPLL機能を備えた半導体
集積回路を得ることができる。
According to the first embodiment of the present invention, P
The buffer means provided in the voltage controlled oscillation circuit constituting the LL include a plurality of stages of buffers 11, 12, 13, 14, and 15 capable of selectively generating different delay values, and the plurality of stages of buffers 11, 12,. Amplifier circuit 3 for selectively generating different delay values for each of 13, 14, and 15
A plurality of voltage sources consisting of 8, 39, 40, 41, 42;
A selection unit including a selector 43 for selecting any one of the plurality of voltage sources and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14, and 15;
Delay values td1, td2 of 1, 12, 13, 14, 15
Since a desired output frequency is obtained by a combination of td3, td4, and td5, the amplifier circuits 38, 3
9, 40, 41, 42, any one of a plurality of voltage sources, and selects each of the buffers 11, 12, 13, 14, 1,
5, a semiconductor integrated circuit having a PLL function capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0033】また、この発明による実施の形態1によれ
ば、前記アンプ回路38,39,40,41,42から
なる複数の電圧源を、それぞれ定電流源回路により構成
したので、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数
を実現できるとともに、ジッタ量を低減できる、PLL
機能を備えた半導体集積回路を得ることができる。
According to the first embodiment of the present invention, the plurality of voltage sources including the amplifier circuits 38, 39, 40, 41, and 42 are each constituted by a constant current source circuit. A PLL that can achieve a desired output frequency regardless of the jitter amount and reduce the amount of jitter.
A semiconductor integrated circuit having a function can be obtained.

【0034】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を図5および図6について説明する。図5は、この発
明による実施の形態2におけるVCOの各段のバッファ
へ供給する電圧源回路の構成図である。図6は、この発
明による実施の形態2における電圧源用PLLのVCO
に設けられたバッファを示す構成図である。44,4
5,46,47,48はPLL(Phase Lock
ed Loop)であり、VCOの各段のバッファ1
1,12,13,14,15に供給する電圧源である。
43は、実施の形態1と同じセレクタであり、49,5
0,51,52,53,54は、分周回路を示す。電圧
源用PLL44,45,46,47,48のVCOに設
けられたバッファは、それぞれ図6に示すように構成さ
れている。
Embodiment 2 Second Embodiment A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a configuration diagram of a voltage source circuit that supplies a buffer of each stage of the VCO according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a VCO of a PLL for a voltage source according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram showing a buffer provided in the system. 44,4
5, 46, 47 and 48 are PLL (Phase Lock).
ed Loop), and the buffer 1 of each stage of the VCO
1, 12, 13, 14, and 15.
Reference numeral 43 denotes the same selector as in the first embodiment.
Reference numerals 0, 51, 52, 53, and 54 denote frequency divider circuits. The buffers provided in the VCOs of the voltage source PLLs 44, 45, 46, 47, and 48 are each configured as shown in FIG.

【0035】ここで、この実施の形態2では、実施の形
態2において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態1と同様の全体構成を有するも
のである。すなわち、図2に示す実施の形態1における
アンプ回路からなる電圧源38,39,40,41,4
2の代わりに、電圧源用PLL:44,45,46,4
7,48および分周回路49が設けられる。分周回路4
9には、基準周波数入力端子1から基準クロックすなわ
ち基準周波数入力(fin)が入力される。
Here, the second embodiment has the same overall configuration as that of the first embodiment except for the specific configuration described in the second embodiment. That is, the voltage sources 38, 39, 40, 41, and 4 composed of the amplifier circuits according to the first embodiment shown in FIG.
PLL for voltage source: 44, 45, 46, 4 instead of 2
7, 48 and a frequency dividing circuit 49 are provided. Dividing circuit 4
To 9, a reference clock, that is, a reference frequency input (fin) is input from the reference frequency input terminal 1.

【0036】各分周回路49,50,51,52,5
3,54は、セレクタ43と同じく各々独立した外部か
らの信号によりコントロールされ、分周値を可変できる
ものとする。本説明のVCOは5段、PLLも5個、セ
レクタ(スイッチ)の制御は3bitの信号にて行い、
分周回路49,50,51,52,53,54の分周値
を、1/N,1/M1,1/M2,1/M3,1/M
4,1/M5として行う。PLL:44,45,46,
47,48は、外部からの同じ基準クロックにて動作す
る。分周回路49,50,51,52,53,54は、
外部からの信号により分周値が設定され、PLL:4
4,45,46,47,48の発振周波数、すなわち、
出力周波数(PLL:44の場合、fout1=fin
/N×M1)が決定される。同じくセレクタ43も、チ
ップ外部(マイコン等)からの3bitの制御信号によ
り、各々S0,S1,S2にて受け、任意に5つの電圧
源を選択する。各々選択された電圧は、VCOのバッフ
ァ11,12,13,14,15に供給され、独立した
遅延時間を発生させることができる。独立に制御するこ
とにより、VCOの各段のバッファ11,12,13,
14,15に供給する電流を自由に可変させ、各段の遅
延時間を任意に調整することを特徴とする。
Each frequency dividing circuit 49, 50, 51, 52, 5
Like the selector 43, the selectors 3 and 54 are controlled by independent external signals, and can change the frequency division value. In this description, the VCO has five stages, the PLL is also five, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit signal.
The dividing values of the dividing circuits 49, 50, 51, 52, 53, 54 are set to 1 / N, 1 / M1, 1 / M2, 1 / M3, 1 / M
4, 1 / M5. PLL: 44, 45, 46,
47 and 48 operate with the same external reference clock. The frequency dividing circuits 49, 50, 51, 52, 53, 54
The frequency division value is set by an external signal, and the PLL: 4
4, 45, 46, 47, 48 oscillation frequencies,
Output frequency (for PLL: 44, fout1 = fin
/ N × M1) is determined. Similarly, the selector 43 receives three-bit control signals from the outside of the chip (microcomputer or the like) at S0, S1, and S2, respectively, and arbitrarily selects five voltage sources. Each selected voltage is supplied to buffers 11, 12, 13, 14, and 15 of the VCO, so that an independent delay time can be generated. By independently controlling, the buffers 11, 12, 13, and
The present invention is characterized in that the currents supplied to 14 and 15 are freely varied, and the delay time of each stage is arbitrarily adjusted.

【0037】この方式により、VCOの各段バッファ1
1,12,13,14,15の遅延時間をtd1,td
2,td3,td4,td5として表すと、VCO全体
の遅延時間Tdは、実施の形態1と同じく、Td=td
1+td2+td3+td4+td5にて表せる。ま
た、基本的な効果も同様である。
According to this method, each stage buffer 1 of the VCO
The delay times of 1, 12, 13, 14, 15 are td1, td
2, td3, td4, td5, the delay time Td of the entire VCO is Td = td, as in the first embodiment.
1 + td2 + td3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0038】この発明による実施の形態2によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数の電圧源用PLL回路44,45,4
6,47,48と、前記複数のPLL回路44,45,
46,47,48のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15のいずれかに接続するセ
レクタ43からなる選択手段とを設けるとともに、前記
複数の電圧源用PLL回路44,45,46,47,4
8として、同じ基準クロックにて動作し出力周波数の異
なる複数のPLL回路44,45,46,47,48を
用いたので、同じ基準クロックにて動作し出力周波数の
異なる複数のPLL回路44,45,46,47,48
からなる複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バッ
ファ11,12,13,14,15に接続することによ
り、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現
できるPLL機能を備えた半導体集積回路を得ることが
できる。
According to the second embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, respectively, a plurality of voltages generating different voltage values are used. Source PLL circuits 44, 45, 4
6, 47, 48 and the plurality of PLL circuits 44, 45,
Selecting means comprising a selector 43 for selecting any one of 46, 47 and 48 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14 and 15, and a plurality of voltage source PLL circuits 44 , 45,46,47,4
8, a plurality of PLL circuits 44, 45, 46, 47, and 48 operating at the same reference clock and having different output frequencies are used. Therefore, a plurality of PLL circuits 44 and 45 operating at the same reference clock and having different output frequencies are used. , 46,47,48
A semiconductor having a PLL function capable of realizing a desired output frequency irrespective of the phase comparison frequency by selecting any one of a plurality of voltage sources consisting of the following and connecting to each of the buffers 11, 12, 13, 14, and 15: An integrated circuit can be obtained.

【0039】実施の形態3.この発明による実施の形態
3を図7について説明する。図7は、この発明による実
施の形態3におけるVCOの各段のバッファへ供給する
電圧源回路の構成図である。44,45,46,47,
48はPLL(Phase Locked Loop)
であり、VCOの各段のバッファ11,12,13,1
4,15に供給する電圧源である。また、各々のPLL
を構成するPD(Phase Detector),C
P(Charge Pump),LPF(Low Pa
ss Filter),VCOは同じものとする。43
は、実施の形態1と同じセレクタであり、50,51,
52,53,54,60,61,62,63,64は、
分周回路を示す。各分周回路50,51,52,53,
54,60,61,62,63,64は、セレクタ43
と同じく各々独立した外部からの信号によりコントロー
ルされ、分周値を可変できるものとする。
Embodiment 3 Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to buffers at respective stages of a VCO according to a third embodiment of the present invention. 44, 45, 46, 47,
48 is a PLL (Phase Locked Loop)
And buffers 11, 12, 13, and 1 at each stage of the VCO.
4 and 15 are voltage sources to be supplied. In addition, each PLL
(Phase Detector), C
P (Charge Pump), LPF (Low Pa)
ss Filter) and VCO are the same. 43
Are the same selectors as in the first embodiment.
52, 53, 54, 60, 61, 62, 63, 64
3 shows a frequency dividing circuit. Each of the frequency dividing circuits 50, 51, 52, 53,
54, 60, 61, 62, 63, 64
In the same manner as described above, the frequency division value can be varied by being controlled by independent external signals.

【0040】ここで、この実施の形態3では、実施の形
態3において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態1と同様の全体構成を有するも
のである。すなわち、図2に示す実施の形態1における
アンプ回路からなる電圧源38,39,40,41,4
2の代わりに、電圧源用PLL:44,45,46,4
7,48および分周回路60,61,62,63,64
が設けられる。
Here, the third embodiment has the same general configuration as that of the first embodiment except for the specific configuration described in the third embodiment. That is, the voltage sources 38, 39, 40, 41, and 4 composed of the amplifier circuits according to the first embodiment shown in FIG.
PLL for voltage source: 44, 45, 46, 4 instead of 2
7, 48 and frequency dividing circuits 60, 61, 62, 63, 64
Is provided.

【0041】本説明のVCOは5段、PLLも5個、セ
レクタ(スイッチ)の制御は3bitの信号にて行い、
分周回路49,50,51,52,53,54,60,
61,62,63,64の分周値を、1/N1,1/N
2,1/N3,1/N4,1/N5,1/M1,1/M
2,1/M3,1/M4,1/M5として行う。PL
L:44,45,46,47,48は、外部からの独立
した基準クロックを供給して動作する。分周回路50,
51,52,53,54,60,61,62,63,6
4は、外部からの信号により分周値が設定され、PL
L:44,45,46,47,48の発振周波数、すな
わち、出力周波数(PLL:44の場合、fout1=
fin/N1×M1)が決定される。同じくセレクタ4
3も、チップ外部(マイコン等)からの3bitの制御
信号により、各々S0,S1,S2にて受け、任意に5
つの電圧源を選択する。各々選択された電圧は、VCO
のバッファ11,12,13,14,15に供給され、
独立した遅延時間を発生させることができる。独立に制
御することにより、VCOの各段のバッファ11,1
2,13,14,15に供給する電流を自由に可変さ
せ、各段の遅延時間を任意に調整することを特徴とす
る。
In the present description, the VCO has five stages, the PLL is also five, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit signal.
Frequency dividing circuits 49, 50, 51, 52, 53, 54, 60,
The division values of 61, 62, 63 and 64 are 1 / N1, 1 / N
2,1 / N3,1 / N4,1 / N5,1 / M1,1 / M
2, 1 / M3, 1 / M4, 1 / M5. PL
L: 44, 45, 46, 47, 48 operate by supplying an independent reference clock from outside. Frequency dividing circuit 50,
51, 52, 53, 54, 60, 61, 62, 63, 6
Reference numeral 4 denotes a frequency division value set by an external signal.
L: oscillation frequencies of 44, 45, 46, 47, and 48, that is, output frequencies (for PLL: 44, fout1 =
fin / N1 × M1). Selector 4
3 is also received by S0, S1, and S2, respectively, according to a 3-bit control signal from the outside of the chip (microcomputer or the like).
Select one voltage source. Each selected voltage is VCO
Are supplied to the buffers 11, 12, 13, 14, and 15,
An independent delay time can be generated. By independently controlling, the buffers 11, 1 of each stage of the VCO are controlled.
It is characterized in that the current supplied to 2, 13, 14, 15 can be freely varied, and the delay time of each stage can be adjusted arbitrarily.

【0042】この方式により、VCOの各段バッファ1
1,12,13,14,15の遅延時間をtd1,td
2,td3,td4,td5として表すと、VCO全体
の遅延時間Tdは、実施の形態1と同じく、Td=td
1+td2+td3+td4+td5にて表せる。ま
た、基本的な効果も同様である。
According to this method, each buffer 1 of the VCO
The delay times of 1, 12, 13, 14, 15 are td1, td
2, td3, td4, td5, the delay time Td of the entire VCO is Td = td, as in the first embodiment.
1 + td2 + td3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0043】この発明による実施の形態3によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数の電圧源用PLL回路44,45,4
6,47,48と、前記複数のPLL回路44,45,
46,47,48のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15のいずれかに接続するセ
レクタ43からなる選択手段とを設けるとともに、前記
複数の電圧源用PLL回路44,45,46,47,4
8として、基準クロックおよび出力周波数の異なる複数
のPLL回路44,45,46,47,48を用いたの
で、基準クロックおよび出力周波数の異なる複数のPL
L回路44,45,46,47,48からなる複数の電
圧源のいずれかを選択し前記各段バッファ11,12,
13,14,15に接続することにより、位相比較周波
数に拘りなく所望の出力周波数を実現できるPLL機能
を備えた半導体集積回路を得ることができる。
According to the third embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14 and 15, a plurality of voltages generating different voltage values are used. Source PLL circuits 44, 45, 4
6, 47, 48 and the plurality of PLL circuits 44, 45,
Selecting means comprising a selector 43 for selecting any one of 46, 47 and 48 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14 and 15, and a plurality of voltage source PLL circuits 44 , 45,46,47,4
8, a plurality of PLL circuits 44, 45, 46, 47, and 48 having different reference clocks and output frequencies are used.
One of a plurality of voltage sources consisting of L circuits 44, 45, 46, 47, and 48 is selected and the buffers 11, 12,
By connecting them to 13, 14, and 15, a semiconductor integrated circuit having a PLL function that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0044】実施の形態4.この発明による実施の形態
4を図8ないし図13について説明する。図8は、この
発明による実施の形態4におけるVCOの各段のバッフ
ァへ供給する電圧源回路の構成図である。70,71,
72,73,74はPLL(Phase Locked
Loop)であり、VCOの各段のバッファ11,1
2,13,14,15に供給する電圧源である。また、
各々のPLLを構成するPD(Phase Detec
tor),CP(Charge Pump),LPF
(Low Pass Filter)は同じものとす
る。VCO65,66,67.68,69については、
その構成は同一であるが、段数が違うものとする。
Embodiment 4 FIG. Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to buffers at each stage of a VCO according to a fourth embodiment of the present invention. 70, 71,
72, 73 and 74 are PLL (Phase Locked)
Loop), and the buffers 11, 1 of each stage of the VCO
2, 13, 14 and 15. Also,
PD (Phase Detect) that constitutes each PLL
tor), CP (Charge Pump), LPF
(Low Pass Filter) is the same. For VCOs 65, 66, 67.68, 69,
The configuration is the same, but the number of stages is different.

【0045】図9は電圧源用PLL:70のVCO:6
5(VCO1)についての構成図、図10は電圧源用P
LL:71のVCO:66(VCO2)についての構成
図、図11は電圧源用PLL:72のVCO:67(V
CO3)についての構成図、図12は電圧源用PLL:
73のVCO:68(VCO4)についての構成図、図
13は電圧源用PLL:74のVCO:69(VCO
5)についての構成図を示す。43は、実施の形態2と
同じセレクタであり、49,50,51,52,53,
54は、分周回路を示す。各分周回路49,50,5
1,52,53,54は、セレクタ43と同じく各々独
立した外部からの信号によりコントロールされ、分周値
を可変できるものとする。
FIG. 9 shows a voltage source PLL: 70 and a VCO: 6
5 (VCO1), FIG. 10 shows a voltage source P
FIG. 11 is a block diagram of VCO: 66 (VCO2) of LL: 71, and FIG. 11 is a diagram of VCO: 67 (VCO) of PLL for voltage source: 72.
FIG. 12 is a block diagram of the PLL for the voltage source:
FIG. 13 is a block diagram of the VCO 73 (VCO4) 73, and FIG.
FIG. Reference numeral 43 denotes the same selector as that of the second embodiment, and includes 49, 50, 51, 52, 53,
Reference numeral 54 denotes a frequency dividing circuit. Each frequency dividing circuit 49, 50, 5
1, 52, 53 and 54 are controlled by independent external signals similarly to the selector 43, so that the frequency division value can be varied.

【0046】ここで、この実施の形態4では、実施の形
態4において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態1と同様の全体構成を有するも
のである。すなわち、図2に示す実施の形態1における
アンプ回路からなる電圧源38,39,40,41,4
2の代わりに、電圧源用PLL:70,71,72,7
3,74および分周回路49が設けられる。
Here, the fourth embodiment has the same general configuration as that of the first embodiment except for the specific configuration described in the fourth embodiment. That is, the voltage sources 38, 39, 40, 41, and 4 composed of the amplifier circuits according to the first embodiment shown in FIG.
PLL for voltage source: 70, 71, 72, 7 instead of 2
3, 74 and a frequency dividing circuit 49 are provided.

【0047】本説明のVCOは5段、PLLも5個、各
PLLのVCOの段数は、VCO:44は5段、VC
O:45は7段、VCO:46は9段、VCO47は1
1段、VCO:48は13段として、セレクタ(スイッ
チ)の制御は3bitの信号にて行い、分周回路49,
50,51,52,53,54の分周値を、1/N,1
/M1,1/M2,1/M3,1/M4,1/M5とし
て行う。PLL:70,71,72,73,74は、外
部からの同じ基準クロックにて動作する。分周回路4
9,50,51,52,53,54は、外部からの信号
により分周値が設定され、PLL:70,71,72,
73,74の発振周波数、すなわち、出力周波数(PL
L:44の場合、fout1=fin/N×M1)が決
定される。同じくセレクタ43も、チップ外部(マイコ
ン等)からの3bitの制御信号により、各々S0,S
1,S2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。各
々選択された電圧は、VCOのバッファ11,12,1
3,14,15に供給され、独立した遅延時間を発生さ
せることができる。
In this description, there are five stages of VCOs and five PLLs. The number of stages of VCOs of each PLL is VCO: 44, five stages, VC
O: 45 for 7 stages, VCO: 46 for 9 stages, VCO 47 for 1 stage
One stage, VCO: 48 has 13 stages, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit signal.
The division values of 50, 51, 52, 53, and 54 are 1 / N, 1
/ M1, 1 / M2, 1 / M3, 1 / M4, 1 / M5. The PLLs 70, 71, 72, 73 and 74 operate on the same external reference clock. Dividing circuit 4
9, 50, 51, 52, 53, and 54 have frequency division values set by external signals, and PLL: 70, 71, 72,
73, 74, that is, the output frequency (PL
In the case of L: 44, fout1 = fin / N × M1) is determined. Similarly, the selector 43 also receives signals S0, S0 by a 3-bit control signal from the outside of the chip (microcomputer or the like).
1, five voltage sources are arbitrarily selected. Each selected voltage is applied to the VCO buffers 11, 12, 1
3, 14, and 15 to generate an independent delay time.

【0048】この方式を用いることにより、PLLの分
周比設定と、PLL内のVCOの段数の両方により、異
なる電圧源を発生させることができる。独立に制御する
ことにより、VCOの各段のバッファ11,12,1
3,14,15に供給する電流を自由に可変させ、各段
の遅延時間を任意に調整することを特徴とする。この方
式により、VCOの各段バッファ11,12,13,1
4,15の遅延時間をtd1,td2,td3,td
4,td5として表すと、VCO全体の遅延時間Td
は、実施の形態1と同じく、Td=td1+td2+t
d3+td4+td5にて表せる。また、基本的な効果
も同様である。
By using this method, different voltage sources can be generated depending on both the setting of the frequency division ratio of the PLL and the number of VCO stages in the PLL. By independently controlling, the buffers 11, 12, 1 of each stage of the VCO are controlled.
The present invention is characterized in that the current supplied to 3, 14, 15 can be freely varied, and the delay time of each stage can be arbitrarily adjusted. According to this method, each stage buffer 11, 12, 13, 1 of the VCO
The delay times of 4, 15 are td1, td2, td3, td
4, td5, the delay time Td of the entire VCO
Is Td = td1 + td2 + t, as in the first embodiment.
It can be expressed as d3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0049】この発明による実施の形態4によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数の電圧源用PLL回路70,71,7
2,73,74と、前記複数のPLL回路70,71,
72,73,74のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15のいずれかに接続するセ
レクタ43からなる選択手段とを設けるとともに、前記
複数の電圧源用PLL回路70,71,72,73,7
4として、同じ基準クロックにて動作し電圧制御発振回
路VCO1:65,VCO2:66,VCO3:67,
VCO4:68,VCO5:69のバッファ段数が異な
る複数のPLL回路70,71,72,73,74を用
いたので、同じ基準クロックにて動作し電圧制御発振回
路VCO1:65,VCO2:66,VCO3:67,
VCO4:68,VCO5:69のバッファ段数が異な
る複数のPLL回路70,71,72,73,74から
なる複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15に接続することにより、
位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現でき
るPLL機能を備えた半導体集積回路を得ることができ
る。
According to the fourth embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, a plurality of voltages generating different voltage values are used. Source PLL circuits 70, 71, 7
2, 73, 74 and the plurality of PLL circuits 70, 71,
Selecting means comprising a selector 43 for selecting any one of 72, 73 and 74 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14 and 15; and providing a plurality of voltage source PLL circuits 70. , 71,72,73,7
4, the voltage-controlled oscillation circuits VCO1: 65, VCO2: 66, VCO3: 67,
Since a plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73, and 74 having different numbers of buffer stages of VCO4: 68 and VCO5: 69 are used, they operate with the same reference clock and operate with the voltage controlled oscillation circuits VCO1: 65, VCO2: 66, and VCO3. : 67,
VCO4: 68, VCO5: 69 Select one of a plurality of voltage sources consisting of a plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73, 74 having different numbers of buffer stages, and select buffers 11, 12, 13, 14, 15 for each stage. By connecting to
A semiconductor integrated circuit having a PLL function that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0050】実施の形態5.この発明による実施の形態
5を図14について説明する。図14は、この発明によ
る実施の形態5におけるVCOの各段のバッファへ供給
する電圧源回路の構成図である。70,71,72,7
3,74はPLL(Phase Locked Loo
p)であり、VCOの各段のバッファ11,12,1
3,14,15に供給する電圧源である。また、各々の
PLLを構成するPD(Phase Detecto
r),CP(Charge Pump),LPF(Lo
w Pass Filter)は同じものとする。VC
Oについては、その構成は同一であるが、段数が違うも
のとする。43は、実施の形態1と同じセレクタであ
り、49,50,51,52,53,54,60,6
1,62,63,64は、分周回路を示す。各分周回路
50,51,52,53,54,60,61,62,6
3,64は、セレクタ43と同じく各々独立した外部か
らの信号によりコントロールされ、分周値を可変できる
ものとする。
Embodiment 5 Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to buffers at each stage of a VCO according to a fifth embodiment of the present invention. 70, 71, 72, 7
3, 74 are PLL (Phase Locked Loop)
p), and the buffers 11, 12, 1 of each stage of the VCO
3, 14 and 15. Also, a PD (Phase Detecto) constituting each PLL
r), CP (Charge Pump), LPF (Lo
w Pass Filter) is the same. VC
O has the same configuration, but has a different number of stages. Reference numeral 43 denotes the same selector as that of the first embodiment, and is 49, 50, 51, 52, 53, 54, 60, 6
1, 62, 63 and 64 indicate frequency dividing circuits. Each frequency dividing circuit 50, 51, 52, 53, 54, 60, 61, 62, 6
Like the selector 43, the selectors 3 and 64 are controlled by independent external signals, and can change the frequency division value.

【0051】ここで、この実施の形態5では、実施の形
態5において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態4と同様の全体構成を有するも
のである。すなわち、分周回路60,61,62,6
3,64が設けられ、PLL:70,71,72,7
3,74が異なる基準クロックにより動作されるように
構成されている。
Here, the fifth embodiment has the same general configuration as that of the fourth embodiment except for the specific configuration described in the fifth embodiment. That is, the frequency dividing circuits 60, 61, 62, 6
3, 64, and PLL: 70, 71, 72, 7
3, 74 are configured to be operated by different reference clocks.

【0052】本説明のVCOは5段、PLLも5個、各
PLLのVCOの段数は、VCO:44は5段、VC
O:45は7段、VCO:46は9段、VCO47は1
1段、VCO:48は13段として、セレクタ(スイッ
チ)の制御は3bitの信号にて行い、分周回路50,
51,52,53,54,60,61,62,63,6
4の分周値を、1/N1,1/N2,1/N3,1/N
4,1/N5,1/M1,1/M2,1/M3,1/M
4,1/M5として行う。PLL:70,71,72,
73,74は、外部からの独立した基準クロックを供給
して、動作する。分周回路50,51,52,53,5
4,60,61,62,63,64は、外部からの信号
により分周値が設定され、PLL:70,71,72,
73,74の発振周波数、すなわち、出力周波数(PL
L:44の場合、fout1=fin/N1×M1)が
決定される。同じくセレクタ43も、チップ外部(マイ
コン等)からの3bitの制御信号により、各々S0,
S1,S2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。
各々選択された電圧は、VCOのバッファ11,12,
13,14,15に供給され、独立した遅延時間を発生
させることができる。
In this description, there are five stages of VCOs and five PLLs, and the number of stages of the VCOs of each PLL is VCO: 44, five stages, VC
O: 45 for 7 stages, VCO: 46 for 9 stages, VCO 47 for 1 stage
One stage, VCO: 48 has 13 stages, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit signal.
51, 52, 53, 54, 60, 61, 62, 63, 6
4 is 1 / N1, 1 / N2, 1 / N3, 1 / N
4,1 / N5,1 / M1,1 / M2,1 / M3,1 / M
4, 1 / M5. PLL: 70, 71, 72,
The reference numerals 73 and 74 operate by supplying an independent reference clock from the outside. Frequency dividing circuits 50, 51, 52, 53, 5
In 4,60,61,62,63,64, the frequency division value is set by an external signal, and PLL: 70, 71, 72,
73, 74, that is, the output frequency (PL
In the case of L: 44, fout1 = fin / N1 × M1) is determined. Similarly, the selector 43 also receives signals S0 and S0 by a 3-bit control signal from the outside of the chip (such as a microcomputer).
Received in S1 and S2, arbitrarily select five voltage sources.
Each selected voltage is applied to the VCO buffers 11, 12,
13, 14, and 15 to generate independent delay times.

【0053】この方式を用いることにより、PLLの分
周比設定と、PLL内のVCOの段数の両方により、異
なる電圧源を発生させることができる。独立に制御する
ことにより、VCOの各段のバッファ11,12,1
3,14,15に供給する電流を自由に可変させ、各段
の遅延時間を任意に調整することを特徴とする。この方
式により、VCOの各段11,12,13,14,15
の遅延時間をtd1,td2,td3,td4,td5
として表すと、VCO全体の遅延時間Tdは、実施の形
態1と同じく、Td=td1+td2+td3+td4
+td5にて表せる。また、基本的な効果も同様であ
る。
By using this method, different voltage sources can be generated depending on both the setting of the frequency division ratio of the PLL and the number of VCO stages in the PLL. By independently controlling, the buffers 11, 12, 1 of each stage of the VCO are controlled.
The present invention is characterized in that the current supplied to 3, 14, 15 can be freely varied, and the delay time of each stage can be arbitrarily adjusted. According to this method, each stage 11, 12, 13, 14, 15 of the VCO
Td1, td2, td3, td4, td5
The delay time Td of the entire VCO is Td = td1 + td2 + td3 + td4, as in the first embodiment.
+ Td5. The same applies to the basic effects.

【0054】この発明による実施の形態5によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数の電圧源用PLL回路70,71,7
2,73,74と、前記複数のPLL回路70,71,
72,73,74のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15のいずれかに接続するセ
レクタ43からなる選択手段とを設けるとともに、前記
複数の電圧源用PLL回路70,71,72,73,7
4として、基準クロックおよび電圧制御発振回路VCO
1:65,VCO2:66,VCO3:67,VCO
4:68,VCO5:69のバッファ段数が異なる複数
のPLL回路70,71,72,73,74を用いたの
で、基準クロックが異なり、かつ、電圧制御発振回路V
CO1:65,VCO2:66,VCO3:67,VC
O4:68,VCO5:69のバッファ段数が異なる複
数のPLL回路70,71,72,73,74からなる
複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バッファ1
1,12,13,14,15に接続することにより、位
相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる
PLL機能を備えた半導体集積回路を得ることができ
る。
According to the fifth embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, a plurality of voltages generating different voltage values are selected. Source PLL circuits 70, 71, 7
2, 73, 74 and the plurality of PLL circuits 70, 71,
Selecting means comprising a selector 43 for selecting any one of 72, 73 and 74 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14 and 15; and providing a plurality of voltage source PLL circuits 70. , 71,72,73,7
4, a reference clock and a voltage controlled oscillator circuit VCO
1:65, VCO2: 66, VCO3: 67, VCO
4:68, VCO 5:69 Since a plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73, 74 having different numbers of buffer stages are used, the reference clocks are different, and the voltage controlled oscillation circuit V
CO1: 65, VCO2: 66, VCO3: 67, VC
O4: 68, VCO 5: 69 A plurality of voltage sources including a plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73, and 74 having different numbers of buffer stages are selected, and each stage buffer 1 is selected.
1, 12, 13, 14, and 15, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a PLL function capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency.

【0055】実施の形態6.この発明による実施の形態
6の各段のバッファへ供給する電圧源回路は図8に示す
実施の形態4と同じ構成である。各々のPLLを構成す
るPD(Phase Detector),CP(Ch
arge Pump),LPF(Low Pass F
ilter)は同じものとする。VCO65,66,6
7.68,69については、その構成は同一であるが、
トランジスタサイズが違うものとする。
Embodiment 6 FIG. The voltage source circuit to be supplied to the buffer of each stage according to the sixth embodiment of the present invention has the same configuration as that of the fourth embodiment shown in FIG. PD (Phase Detector), CP (Ch) constituting each PLL
arg Pump), LPF (Low Pass F)
ilter) are the same. VCO 65, 66, 6
7.68 and 69 have the same configuration,
It is assumed that the transistor sizes are different.

【0056】PLL:70,71,72,73,74
は、外部からの同じ基準クロックにて動作する。分周回
路49,50,51,52,53,54は、外部からの
信号により分周値が設定され、PLL:70,71,7
2,73,74の発振周波数、すなわち、出力周波数
(PLL:44の場合、fout1=fin/N×M
1)が決定される。 PLL:70,71,72,73,74は、トランジス
タサイズが違うため、同じ分周値の設定に対して、異な
る発振周波数を得ることができる。各々選択された電圧
は、VCOのバッファ11,12,13,14,15に
供給され、独立した遅延時間を発生させることができ
る。この手法により、VCOの各段のバッファ11,1
2,13,14,15に供給する電流を自由に可変さ
せ、各段の遅延時間を任意に調整することを特徴とす
る。
PLL: 70, 71, 72, 73, 74
Operate on the same external reference clock. In the frequency dividing circuits 49, 50, 51, 52, 53, and 54, the frequency dividing value is set by an external signal, and PLL: 70, 71, 7
2, 73, 74 oscillation frequency, that is, the output frequency (for PLL: 44, fout1 = fin / N × M
1) is determined. Since the PLLs 70, 71, 72, 73, and 74 have different transistor sizes, different oscillation frequencies can be obtained for the same division value setting. Each selected voltage is supplied to buffers 11, 12, 13, 14, and 15 of the VCO, so that an independent delay time can be generated. By this method, the buffers 11, 1 of each stage of the VCO
It is characterized in that the current supplied to 2, 13, 14, 15 can be freely varied, and the delay time of each stage can be adjusted arbitrarily.

【0057】この方式により、VCOの各段バッファ1
1,12,13,14,15の遅延時間をtd1,td
2,td3,td4,td5として表すと、VCO全体
の遅延時間Tdは、実施の形態1と同じく、Td=td
1+td2+td3+td4+td5にて表せる。ま
た、基本的な効果も同様である。
According to this method, each stage buffer 1 of the VCO
The delay times of 1, 12, 13, 14, 15 are td1, td
2, td3, td4, td5, the delay time Td of the entire VCO is Td = td, as in the first embodiment.
1 + td2 + td3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0058】この発明による実施の形態6によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数の電圧源用PLL回路70,71,7
2,73,74と、前記複数のPLL回路70,71,
72,73,74のいずれかを選択し前記各段バッファ
のいずれかに接続する選択手段とを設けるとともに、前
記複数の電圧源用PLL回路70,71,72,73,
74として、同じ基準クロックにて動作し、電圧制御発
振回路VCO1:65,VCO2:66,VCO3:6
7,VCO4:68,VCO5:69のトランジスタサ
イズが異なる複数のPLL回路70,71,72,7
3,74を用いたので、同じ基準クロックにて動作し、
電圧制御発振回路VCO1:65,VCO2:66,V
CO3:67,VCO4:68,VCO5:69のトラ
ンジスタサイズが異なる複数のPLL回路70,71,
72,73,74からなる複数の電圧源のいずれかを選
択し前記各段バッファ11,12,13,14,15に
接続することにより、位相比較周波数に拘りなく所望の
出力周波数を実現できるPLL機能を備えた半導体集積
回路を得ることができる。
According to the sixth embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14 and 15, a plurality of voltages generating different voltage values are used. Source PLL circuits 70, 71, 7
2, 73, 74 and the plurality of PLL circuits 70, 71,
Selection means for selecting any one of 72, 73, 74 and connecting to any of the buffers at each stage, and providing a plurality of voltage source PLL circuits 70, 71, 72, 73,
At 74, the voltage-controlled oscillation circuits VCO1: 65, VCO2: 66, VCO3: 6 operate with the same reference clock.
7, a plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 7 having different transistor sizes of VCO 4: 68 and VCO 5: 69
Since it uses 3,74, it operates with the same reference clock,
Voltage controlled oscillator circuits VCO1: 65, VCO2: 66, V
A plurality of PLL circuits 70, 71 with different transistor sizes of CO3: 67, VCO4: 68, VCO5: 69,
By selecting one of a plurality of voltage sources 72, 73 and 74 and connecting them to the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, the desired output frequency can be realized regardless of the phase comparison frequency. A semiconductor integrated circuit having a function can be obtained.

【0059】実施の形態7.この発明による実施の形態
7について説明する。この発明による実施の形態7にお
ける各段のバッファへ供給する電圧源回路は、図14に
示す実施の形態5のものと同じ構成である。70,7
1,72,73,74はPLL(Phase Lock
ed Loop)であり、VCOの各段のバッファに供
給する電圧源である。また、各々のPLLを構成するP
D(Phase Detector),CP(Char
gePump),LPF(Low Pass Filt
er)は同じものとする。VCOについては、その構成
は同一であるが、トランジスタサイズが違うものとす
る。
Embodiment 7 FIG. A seventh embodiment according to the present invention will be described. A voltage source circuit to be supplied to each buffer in the seventh embodiment according to the present invention has the same configuration as that of the fifth embodiment shown in FIG. 70,7
1, 72, 73, and 74 are PLL (Phase Lock).
ed Loop), which is a voltage source to be supplied to the buffer of each stage of the VCO. Also, the Ps constituting each PLL
D (Phase Detector), CP (Char
gePump), LPF (Low Pass Filt)
er) are the same. The VCOs have the same configuration, but have different transistor sizes.

【0060】PLL:70,71,72,73,74
は、外部からの独立した基準クロックを供給して、動作
する。分周回路50,51,52,53,54,60,
61,62,63,64は、外部からの信号により分周
値が設定され、PLL:70,71,72,73,74
の発振周波数、すなわち、出力周波数(PLL:44の
場合、fout1=fin/N1×M1)が決定され
る。同じくセレクタ43も、チップ外部(マイコン等)
からの3bitの制御信号により、各々S0,S1,S
2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。また、P
LL:70,71,72,73,74は、トランジスタ
サイズが違うため、同じ分周チップの設定に対して異な
る発振周波数を得ることができる。各々選択された電圧
は、VCOのバッファ11,12,13,14,15に
供給され、独立した遅延時間を発生させることができ
る。
PLL: 70, 71, 72, 73, 74
Operates by supplying an independent reference clock from outside. Frequency dividing circuits 50, 51, 52, 53, 54, 60,
61, 62, 63, and 64 have frequency division values set by external signals, and PLLs: 70, 71, 72, 73, and 74.
, Ie, the output frequency (for PLL: 44, fout1 = fin / N1 × M1). Similarly, the selector 43 is also provided outside the chip (such as a microcomputer).
, S1, S1, S1
2 and select five voltage sources arbitrarily. Also, P
Since LL: 70, 71, 72, 73, and 74 have different transistor sizes, different oscillation frequencies can be obtained for the same setting of the frequency dividing chip. Each selected voltage is supplied to buffers 11, 12, 13, 14, and 15 of the VCO, so that an independent delay time can be generated.

【0061】この手法により、VCOの各段のバッファ
11,12,13,14,15に供給する電流を自由に
可変させ、各段の遅延時間を任意に調整することを特徴
とする。この方式により、VCOの各段11,12,1
3,14,15の遅延時間をtd1,td2,td3,
td4,td5として表すと、VCO全体の遅延時間T
dは、実施の形態1と同じく、Td=td1+td2+
td3+td4+td5にて表せる。また、基本的な効
果も同様である。
According to this method, the current supplied to the buffers 11, 12, 13, 14, 15 of each stage of the VCO is freely varied, and the delay time of each stage is arbitrarily adjusted. By this method, each stage 11, 12, 1 of the VCO
The delay times of 3, 14, and 15 are td1, td2, td3,
When expressed as td4 and td5, the delay time T of the entire VCO
d is Td = td1 + td2 + as in the first embodiment.
It can be expressed as td3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0062】この発明による実施の形態7によれば、前
記各段バッファに各々違った遅延値を選択的に発生させ
るため各々異なる電圧値を発生する複数の電圧源用PL
L回路70,71,72,73,74と、前記複数のP
LL回路70,71,72,73,74のいずれかを選
択し前記各段バッファ11,12,13,14,15の
いずれかに接続する選択手段とを設けるとともに、前記
複数の電圧源用PLL回路70,71,72,73,7
4として、基準クロックおよび電圧制御発振回路VCO
1:65,VCO2:66,VCO3:67,VCO
4:68,VCO5:69のトランジスタサイズが異な
る複数のPLL回路70,71,72,73,74を用
いたので、基準クロックおよび電圧制御発振回路VCO
1:65,VCO2:66,VCO3:67,VCO
4:68,VCO5:69のトランジスタサイズが異な
る複数のPLL回路70,71,72,73,74から
なる複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バッファ
11,12,13,14,15に接続することにより、
位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現でき
るPLL機能を備えた半導体集積回路を得ることができ
る。
According to the seventh embodiment of the present invention, a plurality of voltage source PLs each generating a different voltage value for selectively generating a different delay value in each buffer.
L circuits 70, 71, 72, 73, 74 and the plurality of Ps
Selection means for selecting any one of the LL circuits 70, 71, 72, 73, 74 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14, 15, 15; Circuits 70, 71, 72, 73, 7
4, a reference clock and a voltage controlled oscillator circuit VCO
1:65, VCO2: 66, VCO3: 67, VCO
Since the plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73 and 74 having different transistor sizes of 4:68 and VCO 5:69 are used, the reference clock and the voltage controlled oscillator VCO are used.
1:65, VCO2: 66, VCO3: 67, VCO
4:68, VCO 5:69 A plurality of PLL circuits 70, 71, 72, 73, 74 having different transistor sizes are selected from among a plurality of voltage sources, and the buffers 11, 12, 13, 14, 15 of the respective stages are selected. By connecting to
A semiconductor integrated circuit having a PLL function that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0063】実施の形態8.この発明による実施の形態
8を図15について説明する。 図15は、この発明に
よる実施の形態8のVCOにおける各段のバッファへ供
給する電圧源回路の構成図である。44,45,46,
47,48はDAコンバータ(Degital Ana
log converter)であり、VCOの各段の
バッファに供給する電圧源である。同じ階調度を持つD
Aコンバータであり、各々独立した外部からの信号によ
りコントロールされ、発生電圧が決まる。
Embodiment 8 FIG. An eighth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to buffers at each stage in the VCO according to the eighth embodiment of the present invention. 44, 45, 46,
47 and 48 are DA converters (Digital Ana)
log converter), which is a voltage source to be supplied to the buffer of each stage of the VCO. D with the same gradient
These are A converters, each of which is controlled by an independent external signal and determines the generated voltage.

【0064】ここで、この実施の形態8では、実施の形
態8において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態1と同様の全体構成を有するも
のである。
Here, in the eighth embodiment, the configuration other than the specific configuration described in the eighth embodiment has the same overall configuration as that of the first embodiment.

【0065】本説明のVCOは5段、DAコンバータも
5個、セレクタ(スイッチ)の制御は3bitの制御信
号にて行う。同じくセレクタ43も、チップ外部(マイ
コン等)からの3bitの制御信号により、各々S0,
S1,S2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。
各々選択された電圧は、VCOのバッファ11,12,
13,14,15に供給され、独立した遅延時間を発生
させることができる。この方式により、VCOの各段バ
ッファ11,12,13,14,15の遅延時間をtd
1,td2,td3,td4,td5として表すと、V
CO全体の遅延時間Tdは、実施の形態1と同じく、T
d=td1+td2+td3+td4+td5にて表わ
せ、同様の基本的な効果を得る。
The VCO of this description has five stages, the number of DA converters is five, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit control signal. Similarly, the selector 43 also receives signals S0 and S0 by a 3-bit control signal from the outside of the chip (such as a microcomputer).
Received in S1 and S2, arbitrarily select five voltage sources.
Each selected voltage is applied to the VCO buffers 11, 12,
13, 14, and 15 to generate independent delay times. With this method, the delay time of each buffer 11, 12, 13, 14, 15 of the VCO is set to td.
1, td2, td3, td4, td5, V
The delay time Td of the entire CO is equal to T as in the first embodiment.
d = td1 + td2 + td3 + td4 + td5, and a similar basic effect can be obtained.

【0066】この発明による実施の形態8によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数のD/Aコンバータ44,45,46,
47,48と、前記複数のD/Aコンバータ44,4
5,46,47,48のいずれかを選択し前記各段バッ
ファ11,12,13,14,15のいずれかに接続す
るセレクタ43からなる選択手段とを設けたので、前記
各段バッファ11,12,13,14,15に各々違っ
た遅延値を発生させるための複数のD/Aコンバータ4
4,45,46,47,48からなる複数の電圧源のい
ずれかを選択し前記各段バッファ11,12,13,1
4,15に接続することにより、位相比較周波数に拘り
なく所望の出力周波数を実現できるPLL機能を備えた
半導体集積回路を得ることができる。
According to the eighth embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, a plurality of Ds generating different voltage values are selected. / A converters 44, 45, 46,
47, 48 and the plurality of D / A converters 44, 4
5, 46, 47, and 48, and a selection unit including a selector 43 connected to one of the buffers 11, 12, 13, 14, and 15. A plurality of D / A converters 4 for generating different delay values for 12, 13, 14, and 15, respectively
4, 45, 46, 47, and 48, and selects one of the plurality of voltage sources,
By connecting the semiconductor integrated circuits 4 and 15, a semiconductor integrated circuit having a PLL function capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0067】実施の形態9.この発明による実施の形態
9を図16について説明する。図16は、この発明によ
る実施の形態9の各段のバッファへ供給する電圧源回路
の構成図である。44,45,46,47,48はDA
コンバータ(Degital Analog conv
erter)であり、VCOの各段のバッファに供給す
る電圧源である。階調度の異なるDAコンバータであ
り、各々独立した外部からの信号によりコントロールさ
れ、階調度が決まる。階調度により選択され電圧が発生
する。
Embodiment 9 Embodiment 9 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 16 is a configuration diagram of a voltage source circuit to be supplied to the buffer of each stage according to the ninth embodiment of the present invention. 44, 45, 46, 47 and 48 are DA
Converter (Digital Analog conv)
er), which is a voltage source to be supplied to the buffer of each stage of the VCO. The D / A converters have different gradations, and are controlled by independent external signals to determine the gradations. A voltage is generated depending on the gradation.

【0068】ここで、この実施の形態9では、実施の形
態9において説明する特有の構成以外の構成について
は、前述した実施の形態1と同様の全体構成を有するも
のである。
Here, the ninth embodiment has the same overall configuration as that of the first embodiment described above except for the specific configuration described in the ninth embodiment.

【0069】本説明のVCOは5段、DAコンバータも
5個、セレクタ(スイッチ)の制御は3bitの制御信
号にて行う。同じくセレクタ43も、チップ外部(マイ
コン等)からの3bitの制御信号により、各々S0,
S1,S2にて受け、任意に5つの電圧源を選択する。
各々選択された電圧は、VCOのバッファ11,12,
13,14,15に供給され、独立した遅延時間を発生
させることができる。
The VCO of this description has five stages, the number of DA converters is five, and the selector (switch) is controlled by a 3-bit control signal. Similarly, the selector 43 also receives signals S0 and S0 by a 3-bit control signal from the outside of the chip (such as a microcomputer).
Received in S1 and S2, arbitrarily select five voltage sources.
Each selected voltage is applied to the VCO buffers 11, 12,
13, 14, and 15 to generate independent delay times.

【0070】この手法により、VCOの各段のバッファ
11,12,13,14,15に供給する電流を自由に
可変させ、各段の遅延時間を任意に調整することを特徴
とする。この方式により、VCOの各段の遅延時間をt
d1,td2,td3,td4,td5として表すと、
VCO全体の遅延時間Tdは、実施の形態1と同じく、
Td=td1+td2+td3+td4+td5にて表
せる。また、基本的な効果も同様である。
This method is characterized in that the current supplied to the buffers 11, 12, 13, 14, 15 of each stage of the VCO can be freely varied and the delay time of each stage can be adjusted arbitrarily. By this method, the delay time of each stage of the VCO is set to t
Expressed as d1, td2, td3, td4, td5,
The delay time Td of the entire VCO is the same as in the first embodiment.
Td = td1 + td2 + td3 + td4 + td5. The same applies to the basic effects.

【0071】この発明による実施の形態9によれば、前
記各段バッファ11,12,13,14,15に各々違
った遅延値を選択的に発生させるため各々異なる電圧値
を発生する複数のD/Aコンバータ44,45,46,
47,48と、前記複数のD/Aコンバータ44,4
5,46,47,48のいずれかを選択し前記各段バッ
ファ11,12,13,14,15のいずれかに接続す
るセレクタ43からなる選択手段とを設けるとともに、
前記複数のD/Aコンバータ44,45,46,47,
48として、階調度の異なる複数のD/Aコンバータ4
4,45,46,47,48を用いたので、前記階調度
の異なる複数のD/Aコンバータ44,45,46,4
7,48からなる複数の電圧源のいずれかを選択し前記
各段バッファ11,12,13,14,15に接続する
ことにより、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波
数を実現できるPLL機能を備えた半導体集積回路を得
ることができる。
According to the ninth embodiment of the present invention, in order to selectively generate different delay values in the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, a plurality of Ds that generate different voltage values are selected. / A converters 44, 45, 46,
47, 48 and the plurality of D / A converters 44, 4
A selector 43 comprising a selector 43 for selecting any one of 5, 46, 47, 48 and connecting to any of the buffers 11, 12, 13, 14, 15;
The plurality of D / A converters 44, 45, 46, 47,
48, a plurality of D / A converters 4 having different gradations
4, 45, 46, 47, and 48, the plurality of D / A converters 44, 45, 46, and 4 having different gradations are used.
By selecting any one of the plurality of voltage sources 7 and 48 and connecting them to the buffers 11, 12, 13, 14, and 15, a PLL function that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency is provided. And a semiconductor integrated circuit having the same.

【0072】実施の形態1から実施の形態9までに、P
LL,DAコンバータ,アンプ回路を用いたが、複数の
電圧源を備えたコントロール回路を備え、図1のVCO
回路へ接続した場合でも、この発明を適用することがで
きる。
In the first to ninth embodiments, P
Although an LL, DA converter, and amplifier circuit were used, a control circuit having a plurality of voltage sources was provided.
The present invention can be applied even when connected to a circuit.

【0073】この発明による実施の形態では、次のよう
な具体的構成を備えているものである。 〔1〕 PLL(Phase Locked Loo
p:位相同期回路)の発振周波数は、分周回路の比率を
変化させることにより、基準周波数より、様々な出力周
波数を発生させている。PLL回路内のVCO(Vol
tage Contorolled Osilato
r:電圧制御発振回路)の各段のバッファに供給するこ
とができる複数の電圧源回路を用いて、各段のバッファ
に各々違った遅延値を発生させ、その各段のバッファを
持つ遅延時間の組み合わせにより、位相比較周波数に関
係なく、出力周波数の可変幅を自由に得ることができる
半導体集積回路である。また、VCOの各段のバッファ
へ供給する電流源回路も一定の電流であるため、ジッタ
量の低減を図ることができる半導体集積回路である。 〔2〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、複数
のアンプ回路を用いて、VCOの各段のバッファの駆動
電流を供給する。複数のアンプから任意のアンプを選択
し、その電位にて各バッファの遅延時間は決まり、全バ
ッファの遅延時間の組み合わせにより、出力周波数の可
変幅を自由に得ることができる半導体集積回路である。 〔3〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、同じ
基準クロックにて動作し出力周波数の異なる複数のPL
Lを用いて、VCOの各段のバッファの駆動電流を供給
する。複数のPLLから任意のアンプを選択し、その電
位にて各バッファの遅延時間は決まり、全バッファの遅
延時間の組み合わせにより、出力周波数の可変幅を自由
に得ることができる半導体集積回路である。 〔4〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、基準
クロックおよび出力周波数の異なる複数のPLLを用い
て、VCOの各段のバッファの駆動電流を供給する。複
数のPLLから任意のアンプを選択し、その電位にて各
バッファの遅延時間は決まり、全バッファの遅延時間の
組み合わせにより、出力周波数の可変幅を自由に得るこ
とができる半導体集積回路である。 〔5〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、同じ
基準クロックにて動作し、VCOの各段の異なる複数の
PLLを用いて、VCOの各段のバッファの駆動電流を
供給する。複数のPLLから任意のアンプを選択し、そ
の電位にて各バッファの遅延時間は決まり、全バッファ
の遅延時間の組み合わせにより、出力周波数の可変幅を
自由に得ることができる半導体集積回路である。 〔6〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、基準
クロックおよびVCOの各段の異なる複数のPLLを用
いて、VCOの各段のバッファの駆動電流を供給する。
複数のPLLから任意のアンプを選択し、その電位にて
各バッファの遅延時間は決まり、全バッファの遅延時間
の組み合わせにより、出力周波数の可変幅を自由に得る
ことができる半導体集積回路である。 〔7〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、同じ
基準クロックにて動作し、VCOのトランジスタサイズ
の異なる複数のPLLを用いて、VCOの各段のバッフ
ァの駆動電流を供給する。複数のPLLから任意のアン
プを選択し、その電位にて各バッファの遅延時間は決ま
り、全バッファの遅延時間の組み合わせにより、出力周
波数の可変幅を自由に得ることができる半導体集積回路
である。 〔8〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、基準
クロックおよびVCOのトランジスタサイズの異なる複
数のPLLを用いて、VCOの各段のバッファの駆動電
流を供給する。複数のPLLから任意のアンプを選択
し、その電位にて各バッファの遅延時間は決まり、全バ
ッファの遅延時間の組み合わせにより、出力周波数の可
変幅を自由に得ることができる半導体集積回路である。
The embodiment according to the present invention has the following specific configuration. [1] PLL (Phase Locked Loop)
The oscillation frequency of the phase-locked loop (p: phase-locked loop) generates various output frequencies from the reference frequency by changing the ratio of the frequency dividing circuit. VCO (Vol) in the PLL circuit
stage Controlled Osilato
r: a plurality of voltage source circuits that can be supplied to the buffers at each stage of the voltage controlled oscillator circuit, to generate different delay values for the buffers at each stage, and to provide a delay time having a buffer at each stage. Is a semiconductor integrated circuit that can freely obtain a variable width of the output frequency irrespective of the phase comparison frequency. In addition, since the current source circuits that supply the buffers at each stage of the VCO also have a constant current, the semiconductor integrated circuit can reduce the amount of jitter. [2] As a voltage source circuit used in the above item [1], a plurality of amplifier circuits are used to supply a drive current for buffers in each stage of the VCO. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of amplifiers, the delay time of each buffer is determined by the potential, and a variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [3] As the voltage source circuit used in the above item [1], a plurality of PLs operating at the same reference clock and having different output frequencies are used.
L is used to supply the drive current of the buffer in each stage of the VCO. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [4] As the voltage source circuit used in the above item [1], a drive current for the buffer of each stage of the VCO is supplied by using a plurality of PLLs having different reference clocks and output frequencies. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [5] As the voltage source circuit used in the above item [1], it operates with the same reference clock, and supplies a drive current for the buffer of each stage of the VCO using a plurality of different PLLs of each stage of the VCO. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [6] As the voltage source circuit used in the above item [1], a reference clock and a plurality of PLLs in each stage of the VCO are used to supply a drive current of a buffer in each stage of the VCO.
An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [7] As the voltage source circuit used in the above item [1], a plurality of PLLs that operate with the same reference clock and have different transistor sizes of the VCO are used to supply the drive current of the buffers of each stage of the VCO. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. [8] As the voltage source circuit used in the above item [1], a reference clock and a plurality of PLLs having different transistor sizes of the VCO are used to supply the drive current of the buffers at each stage of the VCO. An arbitrary amplifier is selected from a plurality of PLLs, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers.

〔9〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、複数
のD/Aコンバータを用いて、VCOの各段のバッファ
の駆動電流を供給する。複数のD/Aコンバータは、マ
イコンなどの外部からの命令により任意の電位を発生さ
せる。複数のD/Aコンバータの出力を任意に選択し、
その電位にて各バッファの遅延時間は決まり、全バッフ
ァの遅延時間の組み合わせにより、出力周波数の可変幅
を自由に得ることができる半導体集積回路である。 〔10〕 前記〔1〕項に用いる電圧源回路として、複
数階調の異なるD/Aコンバータを用いて、VCOの各
段のバッファの駆動電流を供給する。複数の階調の異な
るD/Aコンバータは、マイコンなどの外部からの命令
により任意の電位を発生させる。複数のD/Aコンバー
タの出力を任意に選択し、その電位にて各バッファの遅
延時間は決まり、全バッファの遅延時間の組み合わせに
より出力周波数の可変幅を自由に得ることができる半導
体集積回路である。
[9] As the voltage source circuit used in the above item [1], a plurality of D / A converters are used to supply the drive current of the buffers of each stage of the VCO. The plurality of D / A converters generate an arbitrary potential according to an external command such as a microcomputer. Arbitrarily select the output of multiple D / A converters,
The delay time of each buffer is determined by the potential, and a variable width of the output frequency can be freely obtained by a combination of the delay times of all the buffers. [10] As the voltage source circuit used in the above item [1], D / A converters having different gradations are used to supply the drive current of the buffers at each stage of the VCO. A plurality of D / A converters having different gradations generate an arbitrary potential according to an external command such as a microcomputer. A semiconductor integrated circuit in which the outputs of a plurality of D / A converters are arbitrarily selected, the delay time of each buffer is determined by the potential, and the variable width of the output frequency can be freely obtained by combining the delay times of all buffers. is there.

【0074】[0074]

【発明の効果】第1の発明によれば、PLLを構成する
電圧制御発振回路に設けられるバッファ手段として、各
々違った遅延値を選択的に発生できる複数段のバッファ
を設け、各段バッファの遅延値の組み合わせにより所望
の出力周波数を得るようにしたので、位相比較周波数に
拘りなく所望の出力周波数を実現できるPLL機能を備
えた半導体集積回路を得ることができる。
According to the first aspect of the present invention, a plurality of buffers capable of selectively generating different delay values are provided as buffer means provided in the voltage-controlled oscillation circuit constituting the PLL. Since a desired output frequency is obtained by combining the delay values, a semiconductor integrated circuit having a PLL function capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0075】第2の発明によれば、前記各段バッファに
各々違った遅延値を選択的に発生させるための複数の電
圧源を設けたので、前記複数の電圧源により、位相比較
周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる半導体
集積回路を得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, since a plurality of voltage sources for selectively generating different delay values are provided in the respective buffer stages, the plurality of voltage sources can be used regardless of the phase comparison frequency. And a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency can be obtained.

【0076】第3の発明によれば、各々異なる電圧値を
発生する複数の電圧源と、前記複数の電圧源のいずれか
を選択し前記各段バッファのいずれかに接続する選択手
段とを設けたので、前記複数の電圧源を選択して前記各
段バッファに接続することにより、位相比較周波数に拘
りなく所望の出力周波数を実現できる半導体集積回路を
得ることができる。
According to the third aspect of the present invention, there are provided a plurality of voltage sources each generating a different voltage value, and a selection means for selecting any one of the plurality of voltage sources and connecting to any one of the buffers in each of the stages. Therefore, by selecting the plurality of voltage sources and connecting them to the buffers at each stage, a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0077】第4の発明によれば、前記複数の電圧源
を、それぞれ定電流源回路により構成したので、位相比
較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できるとと
もに、ジッタ量を低減できる、半導体集積回路を得るこ
とができる。
According to the fourth aspect, since the plurality of voltage sources are each constituted by a constant current source circuit, a desired output frequency can be realized irrespective of the phase comparison frequency, and the amount of jitter can be reduced. An integrated circuit can be obtained.

【0078】第5の発明によれば、前記各段バッファに
各々違った遅延値を選択的に発生させるための複数のア
ンプ回路を設けたので、前記複数のアンプ回路により、
位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現でき
る半導体集積回路を得ることができる。
According to the fifth aspect, a plurality of amplifier circuits for selectively generating different delay values are provided in the respective stage buffers.
A semiconductor integrated circuit capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0079】第6の発明によれば、各々異なる電圧値を
発生する複数のアンプ回路と、前記複数のアンプ回路の
いずれかを選択し前記各段バッファのいずれかに接続す
る選択手段とを設けたので、前記複数のアンプ回路を選
択して前記各段バッファに接続することにより、位相比
較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる半導
体集積回路を得ることができる。
According to the sixth aspect, there are provided a plurality of amplifier circuits each generating a different voltage value, and a selection means for selecting any one of the plurality of amplifier circuits and connecting the selected one of the plurality of amplifier circuits to one of the buffers in each of the stages. Therefore, by selecting the plurality of amplifier circuits and connecting them to the buffers at each stage, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency.

【0080】第7の発明によれば、前記各段バッファに
各々違った遅延値を選択的に発生させるための複数のP
LL回路を設けたので、前記複数のPLL回路により、
位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現でき
る半導体集積回路を得ることができる。
According to the seventh aspect of the present invention, a plurality of Ps for selectively generating different delay values in the respective buffers are provided.
Since the LL circuit is provided, by the plurality of PLL circuits,
A semiconductor integrated circuit capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0081】第8の発明によれば、各々異なる電圧値を
発生する複数のPLL回路と、前記複数のPLL回路の
いずれかを選択し前記各段バッファのいずれかに接続す
る選択手段とを設けたので、前記複数のPLL回路を選
択して前記各段バッファに接続することにより、位相比
較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる半導
体集積回路を得ることができる。
According to the eighth aspect, there are provided a plurality of PLL circuits each generating a different voltage value, and a selection means for selecting one of the plurality of PLL circuits and connecting to any of the buffers in each of the stages. Therefore, by selecting the plurality of PLL circuits and connecting them to the buffers at each stage, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency.

【0082】第9の発明によれば、前記複数のPLL回
路として、同じ基準クロックにて動作し出力周波数の異
なる複数のPLL回路を用いたので、同じ基準クロック
にて動作し出力周波数の異なる複数のPLL回路によ
り、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現
できる半導体集積回路を得ることができる。
According to the ninth aspect, since the plurality of PLL circuits which operate with the same reference clock and have different output frequencies are used as the plurality of PLL circuits, the plurality of PLL circuits which operate with the same reference clock and have different output frequencies are used. By using the PLL circuit described above, a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0083】第10の発明によれば、前記複数のPLL
回路として、基準クロックおよび出力周波数の異なる複
数のPLL回路を用いたので、基準クロックおよび出力
周波数の異なる複数のPLL回路により、位相比較周波
数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる半導体集積
回路を得ることができる。
According to the tenth aspect, the plurality of PLLs
Since a plurality of PLL circuits having different reference clocks and output frequencies are used as the circuit, a semiconductor integrated circuit capable of realizing a desired output frequency irrespective of the phase comparison frequency is obtained by using a plurality of PLL circuits having different reference clocks and output frequencies. be able to.

【0084】第11の発明によれば、前記複数のPLL
回路として、同じ基準クロックにて動作し、電圧制御発
振回路のバッファ段数が異なる複数のPLL回路を用い
たので、 同じ基準クロックにて動作し、電圧制御発振
回路のバッファ段数が異なる複数のPLL回路により、
位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現でき
る半導体集積回路を得ることができる。
According to the eleventh aspect, the plurality of PLLs
Since a plurality of PLL circuits operating with the same reference clock and having different numbers of buffer stages of the voltage controlled oscillator circuit are used, a plurality of PLL circuits operating with the same reference clock and having different numbers of buffer stages of the voltage controlled oscillator circuit are used. By
A semiconductor integrated circuit capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained.

【0085】第12の発明によれば、前記複数のPLL
回路として、基準クロックおよび電圧制御発振回路のバ
ッファ段数が異なる複数のPLL回路を用いたので、
According to the twelfth aspect, the plurality of PLLs
As a circuit, a plurality of PLL circuits having different numbers of buffer stages of the reference clock and the voltage controlled oscillation circuit are used.

【0086】第13の発明によれば、前記複数のPLL
回路として、同じ基準クロックにて動作し、電圧制御発
振回路のトランジスタサイズが異なる複数のPLL回路
を用いたので、同じ基準クロックにて動作し、電圧制御
発振回路のトランジスタサイズが異なる複数のPLL回
路により、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数
を実現できる半導体集積回路を得ることができる。
According to the thirteenth aspect, the plurality of PLLs
As a circuit, a plurality of PLL circuits which operate with the same reference clock and have different transistor sizes of the voltage controlled oscillation circuit are used. Therefore, a plurality of PLL circuits which operate with the same reference clock and have different transistor sizes of the voltage controlled oscillation circuit are used. Accordingly, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency.

【0087】第14の発明によれば、前記複数のPLL
回路として、基準クロックおよび電圧制御発振回路のト
ランジスタサイズが異なる複数のPLL回路を用いたの
で、基準クロックおよび電圧制御発振回路のトランジス
タサイズが異なる複数のPLL回路により、位相比較周
波数に拘りなく所望の出力周波数を実現できる半導体集
積回路を得ることができる。
According to the fourteenth aspect, the plurality of PLLs
Since a plurality of PLL circuits having different transistor sizes of the reference clock and the voltage controlled oscillation circuit are used as the circuit, a desired number of PLL circuits having different transistor sizes of the reference clock and the voltage controlled oscillation circuit can be used regardless of the phase comparison frequency. A semiconductor integrated circuit that can realize an output frequency can be obtained.

【0088】第15の発明によれば、前記各段バッファ
に各々違った遅延値を発生させるための複数のD/Aコ
ンバータを設けたので、複数のD/Aコンバータによ
り、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波数を実現
できる半導体集積回路を得ることができる。
According to the fifteenth aspect, since a plurality of D / A converters for generating different delay values are provided in the respective stage buffers, the plurality of D / A converters can be used regardless of the phase comparison frequency. And a semiconductor integrated circuit that can realize a desired output frequency can be obtained.

【0089】第16の発明によれば、各々異なる電圧値
を発生する複数のD/Aコンバータと、前記複数のD/
Aコンバータのいずれかを選択し前記各段バッファのい
ずれかに接続する選択手段とを設けたので、前記複数の
D/Aコンバータのいずれかを選択し前記各段バッファ
に接続することにより、位相比較周波数に拘りなく所望
の出力周波数を実現できる半導体集積回路を得ることが
できる。
According to the sixteenth aspect, the plurality of D / A converters each generating a different voltage value, and the plurality of D / A
A selection means for selecting any one of the A / A converters and connecting to any of the respective stage buffers is provided. By selecting any one of the plurality of D / A converters and connecting to the respective stage buffers, A semiconductor integrated circuit that can achieve a desired output frequency regardless of the comparison frequency can be obtained.

【0090】第17の発明によれば、前記複数のD/A
コンバータとして、階調度の異なる複数のD/Aコンバ
ータを用いたので、階調度の異なる複数のD/Aコンバ
ータにより、位相比較周波数に拘りなく所望の出力周波
数を実現できる半導体集積回路を得ることができる。
According to the seventeenth aspect, the plurality of D / A
Since a plurality of D / A converters having different gradations are used as converters, a semiconductor integrated circuit capable of realizing a desired output frequency regardless of the phase comparison frequency can be obtained by using a plurality of D / A converters having different gradations. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による実施の形態1における半導体
集積回路の概念構成図である。
FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明による実施の形態2における半導体
集積回路の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明による実施の形態2におけるセレク
タ(スイッチ)の真理値表を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a truth table of a selector (switch) according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 この発明による実施の形態2におけるセレク
タ(スイッチ)の回路構成を示す接続図である。
FIG. 4 is a connection diagram showing a circuit configuration of a selector (switch) according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 この発明による実施の形態3における半導体
集積回路の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 この発明による実施の形態3におけるVCO
の回路構成を示す接続図である。
FIG. 6 shows a VCO according to a third embodiment of the present invention.
3 is a connection diagram showing a circuit configuration of FIG.

【図7】 この発明による実施の形態4における半導体
集積回路の構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】 この発明による実施の形態5における半導体
集積回路の構成図である。
FIG. 8 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】 この発明による実施の形態5におけるVCO
1の回路構成を示す接続図である。
FIG. 9 shows a VCO according to a fifth embodiment of the present invention.
1 is a connection diagram illustrating a circuit configuration of FIG.

【図10】 この発明による実施の形態5におけるVC
O2の回路構成を示す接続図である。
FIG. 10 shows a VC according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a connection diagram illustrating a circuit configuration of O2.

【図11】 この発明による実施の形態5におけるVC
O3の回路構成を示す接続図である。
FIG. 11 shows a VC according to a fifth embodiment of the present invention.
It is a connection diagram which shows the circuit structure of O3.

【図12】 この発明による実施の形態5におけるVC
O4の回路構成を示す接続図である。
FIG. 12 is a diagram showing a VC according to a fifth embodiment of the present invention;
It is a connection diagram which shows the circuit structure of O4.

【図13】 この発明による実施の形態5におけるVC
O5の回路構成を示す接続図である。
FIG. 13 shows a VC according to a fifth embodiment of the present invention.
It is a connection diagram which shows the circuit structure of O5.

【図14】 この発明による実施の形態6における半導
体集積回路の構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】 この発明による実施の形態9における半導
体集積回路の構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図16】 この発明による実施の形態10における半
導体集積回路の構成図である。
FIG. 16 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a tenth embodiment of the present invention.

【図17】 従来技術における半導体集積回路の構成図
である。
FIG. 17 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基準周波数(fin)入力端子、PC 位相比較
器、CP チャージポンプ、LPF ローパスフィル
タ、2 VCO、3,4,5,6,7 バッファ、8
出力周波数(fout)出力端子、9,10 分周回
路、11〜15 バッファ、38〜42 アンプ回路、
43 セレクタ、44〜48 電圧源用PLL回路、4
9 分周回路、70〜74 電圧源用PLL回路、75
〜91 D/Aコンバータ。
1. Reference frequency (fin) input terminal, PC phase comparator, CP charge pump, LPF low-pass filter, 2 VCO, 3, 4, 5, 6, 7 buffer, 8
Output frequency (fout) output terminal, 9, 10 divider circuit, 11 to 15 buffer, 38 to 42 amplifier circuit,
43 selector, 44 to 48 PLL circuit for voltage source, 4
9 divider circuit, 70-74 PLL circuit for voltage source, 75
~ 91 D / A converter.

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 PLLを構成する電圧制御発振回路に設
けられるバッファ手段として、各々違った遅延値を選択
的に発生できる複数段のバッファを設け、各段バッファ
の遅延値の組み合わせにより所望の出力周波数を得るよ
うにしたことを特徴とするPLL機能を備えた半導体集
積回路。
1. A plurality of stages of buffers, each of which can selectively generate a different delay value, are provided as buffer means provided in a voltage-controlled oscillation circuit constituting a PLL, and a desired output is provided by a combination of the delay values of the respective stage buffers. A semiconductor integrated circuit having a PLL function, wherein a frequency is obtained.
【請求項2】 前記各段バッファに各々違った遅延値を
選択的に発生させるための複数の電圧源を設けたことを
特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a plurality of voltage sources for selectively generating different delay values are provided in the respective stage buffers.
【請求項3】 各々異なる電圧値を発生する複数の電圧
源と、前記複数の電圧源のいずれかを選択し前記各段バ
ッファのいずれかに接続する選択手段とを設けたことを
特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
3. A power supply system comprising: a plurality of voltage sources each generating a different voltage value; and selecting means for selecting any one of the plurality of voltage sources and connecting the selected voltage source to one of the buffers in each of the stages. The semiconductor integrated circuit according to claim 2.
【請求項4】 前記複数の電圧源を、それぞれ定電流源
回路により構成したことを特徴とする請求項2または請
求項3に記載の半導体集積回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein each of said plurality of voltage sources is constituted by a constant current source circuit.
【請求項5】 前記各段バッファに各々違った遅延値を
選択的に発生させるための複数のアンプ回路を設けたこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a plurality of amplifier circuits for selectively generating different delay values are provided in each of said buffer stages.
【請求項6】 各々異なる電圧値を発生する複数のアン
プ回路と、前記複数のアンプ回路のいずれかを選択し前
記各段バッファのいずれかに接続する選択手段とを設け
たことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。
6. A plurality of amplifier circuits each generating a different voltage value, and a selection means for selecting one of the plurality of amplifier circuits and connecting the selected one of the plurality of amplifier circuits to one of the buffers in each of the stages. A semiconductor integrated circuit according to claim 5.
【請求項7】 前記各段バッファに各々違った遅延値を
選択的に発生させるための複数のPLL回路を設けたこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a plurality of PLL circuits for selectively generating different delay values are provided in each of said buffer stages.
【請求項8】 各々異なる電圧値を発生する複数のPL
L回路と、前記複数のPLL回路のいずれかを選択し前
記各段バッファのいずれかに接続する選択手段とを設け
たことを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。
8. A plurality of PLs each generating a different voltage value
8. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, further comprising: an L circuit, and a selection unit that selects any one of the plurality of PLL circuits and connects to one of the buffers in each of the stages.
【請求項9】 前記複数のPLL回路として、同じ基準
クロックにて動作し出力周波数の異なる複数のPLL回
路を用いたことを特徴とする請求項7または請求項8に
記載の半導体集積回路。
9. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits operating at the same reference clock and having different output frequencies are used as the plurality of PLL circuits.
【請求項10】 前記複数のPLL回路として、基準ク
ロックおよび出力周波数の異なる複数のPLL回路を用
いたことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の
半導体集積回路。
10. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits having different reference clocks and output frequencies are used as the plurality of PLL circuits.
【請求項11】 前記複数のPLL回路として、同じ基
準クロックにて動作し、電圧制御発振回路のバッファ段
数が異なる複数のPLL回路を用いたことを特徴とする
請求項7または請求項8に記載の半導体集積回路。
11. The PLL circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits that operate on the same reference clock and have different numbers of buffer stages of the voltage controlled oscillation circuit are used as the plurality of PLL circuits. Semiconductor integrated circuit.
【請求項12】 前記複数のPLL回路として、基準ク
ロックおよび電圧制御発振回路のバッファ段数が異なる
複数のPLL回路を用いたことを特徴とする請求項7ま
たは請求項8に記載の半導体集積回路。
12. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits having different numbers of buffer stages of a reference clock and a voltage controlled oscillator are used as the plurality of PLL circuits.
【請求項13】 前記複数のPLL回路として、同じ基
準クロックにて動作し、電圧制御発振回路のトランジス
タサイズが異なる複数のPLL回路を用いたことを特徴
とする請求項7または請求項8に記載の半導体集積回
路。
13. The PLL circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits which operate on the same reference clock and have different transistor sizes of the voltage controlled oscillator circuit are used as the plurality of PLL circuits. Semiconductor integrated circuit.
【請求項14】 前記複数のPLL回路として、基準ク
ロックおよび電圧制御発振回路のトランジスタサイズが
異なる複数のPLL回路を用いたことを特徴とする請求
項7または請求項8に記載の半導体集積回路。
14. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein a plurality of PLL circuits having different transistor sizes of a reference clock and a voltage-controlled oscillation circuit are used as the plurality of PLL circuits.
【請求項15】 前記各段バッファに各々違った遅延値
を発生させるための複数のD/Aコンバータを設けたこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
15. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a plurality of D / A converters for generating different delay values are provided in each of said stage buffers.
【請求項16】 各々異なる電圧値を発生する複数のD
/Aコンバータと、前記複数のD/Aコンバータのいず
れかを選択し前記各段バッファのいずれかに接続する選
択手段とを設けたことを特徴とする請求項15に記載の
半導体集積回路。
16. A plurality of Ds each generating a different voltage value.
16. The semiconductor integrated circuit according to claim 15, further comprising: a / A converter; and selecting means for selecting one of the plurality of D / A converters and connecting to one of the buffers at each stage.
【請求項17】 前記複数のD/Aコンバータとして、
階調度の異なる複数のD/Aコンバータを用いたことを
特徴とする請求項15または請求項16に記載の半導体
集積回路。
17. The method according to claim 17, wherein the plurality of D / A converters are:
17. The semiconductor integrated circuit according to claim 15, wherein a plurality of D / A converters having different gradations are used.
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