JP2002217654A - Differential amplifier circuit - Google Patents

Differential amplifier circuit

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JP2002217654A
JP2002217654A JP2001008647A JP2001008647A JP2002217654A JP 2002217654 A JP2002217654 A JP 2002217654A JP 2001008647 A JP2001008647 A JP 2001008647A JP 2001008647 A JP2001008647 A JP 2001008647A JP 2002217654 A JP2002217654 A JP 2002217654A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform a normal operation even when an input voltage range fills a power supply voltage, to improve the accuracy of input offset voltage characteristics and to enable a high-speed operation as well. SOLUTION: This differential amplifier circuit is provided with first input differential pair transistors P101 and P102 whose threshold voltage is VTP1, second input differential pair transistors P103 and P104 whose threshold voltage is VTP2 (|VTP2|<|VTP1|), a current source transistor P100 in common to both input differential pairs, first active load transistors N105 and N106 connected to the drain of the first input differential pair transistor and second active load transistors N107 and N108 connected to the source of the first active load transistor and the drain of the second input differential pair transistor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の並列接続入
力差動対と複数の段積み能動負荷を使用した差動増幅回
路に関するものである。
The present invention relates to a differential amplifier circuit using a plurality of parallel-connected input differential pairs and a plurality of stacked active loads.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば入力差動対トランジスタとして閾
値電圧が図21に示す一般的な値VTP(ほぼ−0.55
V)のエンハンスメント型でp型のMOSトランジスタ
を使用した差動増幅回路では、入力電圧がVDD(高電
位電源電圧)に近いとその差動対のトランジスタがカッ
トオフして動作しなくなったり、入力オフセット電圧
(差動増幅回路を出力端子と反転入力端子を短絡して電
圧フォロア構成として測定したときの出力電圧から入力
電圧を差し引いた値)の精度が悪くなる問題がある。一
方、閾値電圧が図21に示す一般的な値VTN(ほぼ0.
55V)のエンハンスメント型でn型MOSトランジスタ
を使用した差動増幅回路では、入力電圧がVSS(低電
位電源電圧)に近いと同様な問題がある。
2. Description of the Related Art For example, a threshold voltage of an input differential pair transistor has a general value VTP (approximately -0.55) shown in FIG.
V) In a differential amplifier circuit using an enhancement type p-type MOS transistor, when the input voltage is close to VDD (high potential power supply voltage), the transistor of the differential pair is cut off and does not operate, or There is a problem in that the accuracy of the offset voltage (the value obtained by subtracting the input voltage from the output voltage when the differential amplifier circuit is measured in a voltage follower configuration by shorting the output terminal and the inverting input terminal) is deteriorated. On the other hand, when the threshold voltage is a general value VTN shown in FIG.
In a differential amplifier circuit using an n-type MOS transistor of the enhancement type of 55 V), there is a similar problem when the input voltage is close to VSS (low potential power supply voltage).

【0003】[第1の従来技術]そこで、入力差動対の
トランジスタに小さい閾値電圧のものを使用した差動増
幅回路が提案されている。図9は小閾値電圧のp型MO
SトランジスタP151、P152を入力差動対として
使用した差動増幅回路100Cを示す図である。この閾
値電圧は図21のVTP1(|VTP1|<|VTP|
で、VTP1はほぼ−0.2V)である。なお、このトラ
ンジスタP151,P152はデプレッション型のシン
ボルで表しているが、通常の閾値電圧のものより小さい
閾値電圧のエンハンスメント型トランジスタを示すため
であり、以後で説明する回路図においても小閾値電圧の
エンハンスメント型トランジスタには全て同様の記号で
表す。また、以後の説明ではこのようなトランジスタを
通常のエンハンスメント型トランジスタと区別してデプ
レッション型トランジスタと呼ぶこともある。P150
は電流源としてのp型MOSトランジスタ、N153,
N154はカレントミラー接続の能動負荷を構成するn
型のMOSトランジスタであり、それらの閾値電圧は通
常の値(図21のVTP、VTN)である。
[First Prior Art] Therefore, a differential amplifier circuit using a transistor having a small threshold voltage for an input differential pair has been proposed. FIG. 9 shows a p-type MO having a small threshold voltage.
FIG. 14 is a diagram showing a differential amplifier circuit 100C using S transistors P151 and P152 as an input differential pair. This threshold voltage is VTP1 (| VTP1 | <| VTP |
VTP1 is approximately -0.2 V). Note that the transistors P151 and P152 are represented by depletion-type symbols, but this is to indicate an enhancement-type transistor having a threshold voltage smaller than that of a normal threshold voltage. All enhancement type transistors are represented by the same symbols. In the following description, such a transistor may be referred to as a depletion type transistor to distinguish it from a normal enhancement type transistor. P150
Is a p-type MOS transistor as a current source, N153,
N154 is an active load of a current mirror connection.
Type MOS transistors, and their threshold voltages are normal values (VTP, VTN in FIG. 21).

【0004】200はp型MOSトランジスタP200
〜P202、n型MOSトランジスタN203〜N20
6からなる出力回路、300は抵抗R300、p型MO
SトランジスタP300,P301、n型MOSトラン
ジスタN302,N303からなるバイアス回路であ
る。このバイアス回路300で生成したバイアス電圧
は、差動増幅回路100CのトランジスタP150、出
力回路200のトランジスタP200のゲートに印加さ
れている。
[0004] 200 is a p-type MOS transistor P200
To P202, n-type MOS transistors N203 to N20
6, an output circuit 300 is a resistor R300, a p-type MO
This is a bias circuit including S transistors P300 and P301 and n-type MOS transistors N302 and N303. The bias voltage generated by the bias circuit 300 is applied to the gates of the transistor P150 of the differential amplifier circuit 100C and the transistor P200 of the output circuit 200.

【0005】図9の差動増幅回路100Cは、入力差動
対のトランジスタP151,P152の閾値電圧を通常
より小さな値VTP1としているので、VDD側の入力
電圧範囲が拡大し、ノードTOPの電圧を下げる動作が
行われ、そのノードTOPの電圧がVDDに近づくのが
抑制される。このため、ノードTOPの電圧は図19の
Aに示す特性となり、電流源トランジスタP150の動
作が維持される。この結果、入出力電圧を電源電圧範囲
つまりVDD−VSSの範囲までフルスイングさせるこ
とが可能となり、入力オフセット電圧特性は、図10の
Aに示す特性となる。
In the differential amplifier circuit 100C shown in FIG. 9, since the threshold voltages of the transistors P151 and P152 of the input differential pair are set to a value VTP1 smaller than usual, the input voltage range on the VDD side is expanded, and the voltage of the node TOP is reduced. The lowering operation is performed, and the voltage of the node TOP is suppressed from approaching VDD. Therefore, the voltage of the node TOP has the characteristic shown in FIG. 19A, and the operation of the current source transistor P150 is maintained. As a result, the input / output voltage can be fully swung to the power supply voltage range, that is, the range of VDD-VSS, and the input offset voltage characteristic becomes the characteristic shown in FIG.

【0006】図11は図9に示した回路のトランジスタ
の極性を反転させた差動増幅回路100C’を示す図で
ある。この差動増幅回路100C’は電流源としてのn
型MOSトランジスタN150、差動対を構成するn型
MOSトランジスタN151,N152、カレントミラ
ー接続された能動負荷としてのp型MOSトランジスタ
P153,P154から構成されている。200’はn
型MOSトランジスタN200〜N202、p型MOS
トランジスタP203〜P206からなる出力回路、3
00’は抵抗R300、n型MOSトランジスタN30
0,N301、p型MOSトランジスタP302,P3
03からなるバイアス回路である。
FIG. 11 is a diagram showing a differential amplifier circuit 100C 'in which the polarity of the transistor in the circuit shown in FIG. 9 is inverted. This differential amplifier circuit 100C 'has n
It comprises an N-type MOS transistor N150, n-type MOS transistors N151 and N152 forming a differential pair, and p-type MOS transistors P153 and P154 as active loads connected in a current mirror manner. 200 'is n
MOS transistors N200 to N202, p-type MOS
An output circuit including transistors P203 to P206;
00 ′ is a resistor R300, an n-type MOS transistor N30
0, N301, p-type MOS transistors P302, P3
03 is a bias circuit.

【0007】この図11の差動増幅回路100C’は、
トランジスタN151,N152の閾値電圧は図21に
示すVTN1(VTN1<VTN、VTN1はほぼ0.2
V)であり、ノードTOPの電圧は図20のAに示す特
性となり、電流源トランジスタN150の動作が維持さ
れる。この結果、入出力電圧をVDD−VSSの範囲ま
でフルスイングさせることが可能となり、入力オフセッ
ト電圧特性は、図12のAに示す特性となる。
The differential amplifier circuit 100C 'shown in FIG.
The threshold voltages of the transistors N151 and N152 are VTN1 (VTN1 <VTN, VTN1 is approximately 0.2
V), the voltage at the node TOP has the characteristic shown in FIG. 20A, and the operation of the current source transistor N150 is maintained. As a result, the input / output voltage can be fully swung to the range of VDD-VSS, and the input offset voltage characteristic becomes the characteristic shown in FIG.

【0008】ところが、一般的に差動増幅回路では、そ
の動作速度を向上させるには、電流源トランジスタの電
流を増大させる必要がある。図9に示す差動増幅回路1
00CではトランジスタP150の電流Idを増大させ
ることになるが、この電流増大によってノードTOPの
電圧がVDD近くまで上昇して、図19のBに示す特性
となり、Aに示す特性よりもVDD側に移動してしま
う。そして、ノードTOPの電圧がVDDに近くなる
と、電流源トランジスタP150はそのソース・ドレイ
ン間の電圧差が小さくなり、動作しなくなる。この結
果、入力オフセット電圧特性は図10のBに示すように
なり、VDD側で精度が低下する。また、AC動作で
は、図23の(c)に示すように、正常な場合の(b)に比べ
て、VDD側で歪みが生じる。また、図11に示す差動
増幅回路100C’ではVSS側で同様の動作となり、
ノードTOPの電圧は図20のBに示す特性、入力オフ
セット電圧特性は図12のBに示す特性となる。また、
AC動作では図23の(d)に示すように、VSS側で歪
みが生じる。
However, in general, in a differential amplifier circuit, it is necessary to increase the current of a current source transistor in order to improve the operation speed. Differential amplifier circuit 1 shown in FIG.
In the case of 00C, the current Id of the transistor P150 increases. However, the increase in the current causes the voltage of the node TOP to rise to near VDD, resulting in the characteristic shown in FIG. Resulting in. Then, when the voltage of the node TOP becomes close to VDD, the voltage difference between the source and the drain of the current source transistor P150 becomes small, and the current source transistor P150 does not operate. As a result, the input offset voltage characteristic becomes as shown in FIG. 10B, and the accuracy decreases on the VDD side. Further, in the AC operation, as shown in FIG. 23C, distortion occurs on the VDD side as compared with the normal case (b). In the differential amplifier circuit 100C ′ shown in FIG. 11, the same operation is performed on the VSS side.
The voltage of the node TOP has the characteristic shown in FIG. 20B, and the input offset voltage characteristic has the characteristic shown in FIG. Also,
In the AC operation, as shown in FIG. 23D, distortion occurs on the VSS side.

【0009】[第2の従来技術]以上のような問題を解
決するために、入力差動対のトランジスタの閾値電圧を
更に小さくする手法がある。すなわち、図9の差動増幅
回路100Cでは、入力差動対トランジスタP151,
P152の閾値電圧を、図21のVTP2(|VTP2
|<|VTP1|)とするものである。これにより、入
力差動対はVDD側の入力電圧範囲が広がり、ノードT
OPの電圧を下げる動作となり、VDD側の動作がより
改善される。
[Second Prior Art] In order to solve the above problems, there is a method of further reducing the threshold voltage of the transistor of the input differential pair. That is, in the differential amplifier circuit 100C of FIG.
The threshold voltage of P152 is changed to VTP2 (| VTP2
| <| VTP1 |). As a result, the input differential pair has a wider input voltage range on the VDD side, and the node T
The operation of lowering the OP voltage is performed, and the operation on the VDD side is further improved.

【0010】しかし、動作電流Idが増大すると、ノー
ドTOPの電圧特性は図19のCに示すように更に下が
ってしまい。今度はVSS側の動作でノードTOPの電
圧が低くなり過ぎてしまう。これにより、ノードTOP
とノードVO−との間、ノードTOPとノードVO+と
の間の電位差が小さくなり、差動対のトランジスタP1
51,P152が動作し難くなる。これは、図19の特
性Cを見ても明らかなように、VSS側では本来的には
直線特性となるべきところが、トランジスタP151,
P152が動作しずらくなってVSSの付近で電流源ト
ランジスタP150によってノードTOPの電位が引き
上げられてしまうためである。以上より、入力オフセッ
ト電圧特性は図10のCに示す特性となり、今度はVS
S側の精度が低下してしまう。また、AC動作では図2
3の(d)に示すように、VSS側で歪みが生じる。
However, when the operating current Id increases, the voltage characteristic of the node TOP further decreases as shown in FIG. This time, the voltage of the node TOP becomes too low due to the operation on the VSS side. Thereby, the node TOP
The potential difference between the node TOP and the node VO + between the node P1 and the node VO− decreases, and the differential pair of transistors P1
51 and P152 become difficult to operate. This is because, as is apparent from the characteristic C in FIG. 19, the transistor P151 and the transistor P151 should have a linear characteristic on the VSS side.
This is because P152 becomes difficult to operate and the potential of the node TOP is raised by the current source transistor P150 near VSS. From the above, the input offset voltage characteristic becomes the characteristic shown in C of FIG.
The accuracy on the S side is reduced. In the AC operation, FIG.
As shown in FIG. 3D, distortion occurs on the VSS side.

【0011】一方、図11の差動増幅回路100C’で
は、入力差動対のトランジスタN151,N152の閾
値電圧を、図21のVTN2(VTN2<VTN1)と
することにより、VSS側での動作は改善されるが、V
DD側での動作が上記同様に問題となる。図20のCに
ノードTOPの電圧特性を、図12のCにオフセット電
圧特性を示した。
On the other hand, in the differential amplifier circuit 100C 'shown in FIG. 11, the threshold voltage of the transistors N151 and N152 of the input differential pair is set to VTN2 (VTN2 <VTN1) shown in FIG. Improved, but V
The operation on the DD side poses a problem similarly to the above. FIG. 20C shows the voltage characteristics of the node TOP, and FIG. 12C shows the offset voltage characteristics.

【0012】[第3の従来技術]図13は閾値電圧が図
21のVTP2又はVTP1のデプレッション型トラン
ジスタP151,P152と、閾値電圧がVTPのエン
ハンスメント型トランジスタP156,P157の2組
で入力差動対を構成し、デプレッション型トランジスタ
P151,P152の電流源としてトランジスタP15
0を、エンハンスメント型トランジスタP156,P1
57の電流源としてトランジスタP155を接続した差
動増幅回路100Dを示すものである。この回路は特開
平5−256026号公報で提案されているものであ
り、VSS側をエンハンスメント型トランジスタP15
6,P157で、VDD側をデプレッション型トランジ
スタP151,P152で、各々補わせようとするもの
である。
[Third Prior Art] FIG. 13 shows an input differential pair of two pairs of depletion type transistors P151 and P152 whose threshold voltage is VTP2 or VTP1 in FIG. 21 and enhancement type transistors P156 and P157 whose threshold voltage is VTP. And a transistor P15 as a current source of the depression type transistors P151 and P152.
0 to the enhancement type transistors P156, P1
57 shows a differential amplifier circuit 100D to which a transistor P155 is connected as a current source 57. This circuit is proposed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei. 5-256,026. The VSS side is connected to an enhancement transistor P15.
6, P157, the VDD side is to be complemented by depletion type transistors P151, P152, respectively.

【0013】しかし、トランジスタP151とP156
のドレインがノードVO−に、トランジスタP152と
P157のドレインがノードVO+に共通接続されてお
り、このため、ノードVO−、VO+はデプレッション
型トランジスタP151,P152とエンハンスメント
型トランジスタP156,P157の中間的な動作でト
ランジスタN153,N154の能動負荷を動作させる
こととなる。よって、エンハンスメント型トランジスタ
ではVSS側は良好に動作するもののVDD側では特性
が悪く、仮にVSS側とVDD側の特性が良いデプレッ
ション型トランジスタで構成したとしても、中間的な動
作しかしないため、入力オフセット電圧特性は図14に
示すように、VDD側で精度が低下する。
However, transistors P151 and P156
Is connected to the node VO−, and the drains of the transistors P152 and P157 are commonly connected to the node VO +. Therefore, the nodes VO− and VO + are intermediate between the depletion type transistors P151 and P152 and the enhancement type transistors P156 and P157. The operation causes the active loads of the transistors N153 and N154 to operate. Therefore, the enhancement transistor operates well on the VSS side, but has poor characteristics on the VDD side. Even if a depletion transistor having good characteristics on the VSS side and the VDD side is used, there is only an intermediate operation. As shown in FIG. 14, the accuracy of the voltage characteristics decreases on the VDD side.

【0014】図15は図13に示した差動増幅回路10
0Dのトランジスタの極性を反転させた差動増幅回路1
00D’を示す図である。ここでは、入力差動対を閾値
電圧が図21のVTN2又はVTN1のデプレッション
型トランジスタN151,N152と、VTNのエンハ
ンスメント型トランジスタN156,N157の2組で
構成し、デプレッション型トランジスタN151,N1
52の電流源にN150を、エンハンスメント型トラン
ジスタN156,N157の電流源にN155を接続し
た構成としている。しかし、この差動増幅回路100
D’ではVSS側で同様な動作となり、入力オフセット
電圧特性は図16に示すように、VSS側で精度が低下
する。
FIG. 15 shows the differential amplifier circuit 10 shown in FIG.
Differential amplifier circuit 1 with inverted polarity of 0D transistor
It is a figure which shows 00D '. Here, the input differential pair is composed of two pairs of depletion type transistors N151 and N152 whose threshold voltage is VTN2 or VTN1 in FIG. 21 and enhancement type transistors N156 and N157 of VTN, and the depletion type transistors N151 and N1
The current source of N52 is connected to N150, and the current sources of enhancement transistors N156 and N157 are connected to N155. However, this differential amplifier circuit 100
In D ', the same operation is performed on the VSS side, and the accuracy of the input offset voltage characteristic is reduced on the VSS side as shown in FIG.

【0015】[第4の従来技術]図17の差動増幅回路
100Eは、トランジスタP150,P156,P15
7,N153,N154で構成したp型差動増幅回路
と、トランジスタN150,N156,N157,P1
53,P154で構成したn型差動増幅回路とを入力端
子IN−,IN+に各々共通接続し、差動形式でノード
VON,VOPから取り出した出力を出力回路200A
のトランジスタP210,N211に入力させたもので
ある。この差動増幅回路100Eは、p型n型入力コン
プリメンタリ差動増幅回路と呼ばれているもので、p型
差動増幅回路でVSS側の入力範囲を担当させ、n型差
動増幅回路でVDD側の入力範囲を担当させるようにし
たものである。
[Fourth Prior Art] The differential amplifier circuit 100E shown in FIG. 17 includes transistors P150, P156 and P15.
7, N153, N154, and transistors N150, N156, N157, P1
53, P154 and an n-type differential amplifier circuit are commonly connected to input terminals IN− and IN +, respectively, and outputs taken out of nodes VON and VOP in a differential form are output to an output circuit 200A
Are input to the transistors P210 and N211. This differential amplifier circuit 100E is called a p-type n-type input complementary differential amplifier circuit. The p-type differential amplifier circuit is responsible for the input range on the VSS side, and the n-type differential amplifier circuit is VDD. The input range on the side is assigned.

【0016】しかし、p型差動増幅回路とn型差動増幅
回路では動作に切り替わり点が存在するため、その切り
替わり点で動作が不連続となる。入力オフセット電圧特
性は図18に示すようになり、切り替わり点での入力オ
フセット電圧の変動が起こり、精度が低下する。
However, since the p-type differential amplifier circuit and the n-type differential amplifier circuit have a switching point in the operation, the operation is discontinuous at the switching point. The input offset voltage characteristic is as shown in FIG. 18, and the input offset voltage changes at the switching point, and the accuracy is reduced.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】以上から明らかなよう
に、第1、第2の従来技術のように入力差動対に小閾値
電圧のトランジスタを使用する差動増幅回路100C,
100C’では、動作電流を増大させると入力オフセッ
ト電圧特性が低下するという問題があるため、高速化で
きない。また、第3の従来技術のようにエンハンスメン
ト型の入力差動対とデプレッション型の入力差動対の入
力を並列接続した差動増幅回路100D,100D’
や、第4の従来技術のようにp型差動増幅回路とn型差
動増幅回路の入力を並列接続した差動増幅回路100E
では、動作電流を増大させて高速化することは可能であ
るが、入力オフセット電圧特性が悪いという問題があ
る。以上より、従来では、入出力フルスイング可能で且
つ高速動作が可能な差動増幅回路の実現は困難であっ
た。
As is apparent from the above, as in the first and second prior arts, the differential amplifier circuit 100C, which uses a transistor having a small threshold voltage for the input differential pair,
In the case of 100C ′, there is a problem that the input offset voltage characteristic is deteriorated when the operating current is increased, so that the speed cannot be increased. Further, differential amplifier circuits 100D and 100D 'in which the inputs of an enhancement type input differential pair and a depletion type input differential pair are connected in parallel as in the third related art.
Or a differential amplifier circuit 100E in which inputs of a p-type differential amplifier circuit and an n-type differential amplifier circuit are connected in parallel as in the fourth prior art.
In this case, it is possible to increase the operating speed by increasing the operating current, but there is a problem that the input offset voltage characteristic is poor. As described above, conventionally, it has been difficult to realize a differential amplifier circuit capable of full swing of input / output and high-speed operation.

【0018】本発明の目的は、電源電圧範囲いっぱいで
の入出力フルスイング及び高速動作を実現させ、なお且
つ入力オフセット電圧特性を高精度化することで、同相
信号除去比の特性も向上させた差動増幅回路を提供する
ことである。
It is an object of the present invention to realize an input / output full swing and a high-speed operation over the entire power supply voltage range, and to improve the input offset voltage characteristic to improve the common mode signal rejection ratio. Another object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第1の発明は、ゲートが差動入力端子に接続された第
1の閾値電圧のトランジスタ対でなる第1の入力差動対
と、ゲートが前記差動入力端子に接続された前記第1の
閾値電圧と異なる第2の閾値電圧のトランジスタ対でな
る第2の入力差動対と、両入力差動対に共通の電流源ト
ランジスタと、前記第1の入力差動対の各トランジスタ
のドレインにドレインが接続されたトランジスタ対でな
る第1の能動負荷と、前記第2の入力差動対の各トラン
ジスタのドレインにドレインが接続され且つ前記第1の
能動負荷の各トランジスタのソースにドレインが接続さ
れたトランジスタ対でなる第2の能動負荷とを具備し、
前記第1,第2の能動負荷の各トランジスタのゲート
を、前記第1の入力差動対の一方のトランジスタのドレ
インに接続し、前記第1の入力差動対の他方のトランジ
スタのドレインから出力を取り出すよう構成した。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a first input differential pair comprising a first threshold voltage transistor pair having a gate connected to a differential input terminal. A second input differential pair comprising a transistor pair having a gate connected to the differential input terminal and having a second threshold voltage different from the first threshold voltage, and a current source transistor common to both input differential pairs A first active load including a transistor pair having a drain connected to a drain of each transistor of the first input differential pair, and a drain connected to a drain of each transistor of the second input differential pair And a second active load comprising a transistor pair having a drain connected to a source of each transistor of the first active load;
A gate of each transistor of the first and second active loads is connected to a drain of one transistor of the first input differential pair, and an output from a drain of the other transistor of the first input differential pair. Was configured to be taken out.

【0020】第2の発明は、第1の発明において、前記
第1、第2の閾値電圧の絶対値を、前記電流源トランジ
スタ、前記第1,第2の能動負荷のトランジスタの閾値
電圧の絶対値より小さい値に設定した。
According to a second aspect based on the first aspect, the absolute values of the first and second threshold voltages are determined by comparing the absolute values of the threshold voltages of the current source transistor and the first and second active load transistors. Set to a value smaller than the value.

【0021】第3の発明は、第1又は第2の発明におい
て、前記第2の閾値電圧の絶対値を、前記第1の閾値電
圧の絶対値より小さい値に設定した。
In a third aspect based on the first or second aspect, the absolute value of the second threshold voltage is set to a value smaller than the absolute value of the first threshold voltage.

【0022】第4の発明は、第1,第2又は第3の発明
において、前記共通の電流源トランジスタに代えて、前
記第1,第2の入力差動対毎に個々に電流源トランジス
タを設けた。
In a fourth aspect based on the first, second or third aspect, a current source transistor is individually provided for each of the first and second input differential pairs in place of the common current source transistor. Provided.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】[第1の実施の形態]図1は本発
明の第1の実施の形態の差動増幅回路100Aを示す図
である。P100は電流源としてのp型MOSトランジ
スタ、P101,P102は第1の入力差動対を構成す
る閾値電圧が図21のVTP1のp型MOSトランジス
タ、P103,P104は第2の入力差動対を構成する
閾値電圧が図21のVTP2のp型MOSトランジス
タ、N105,N106はカレントミラー接続されトラ
ンジスタP101,P102の能動負荷として働くn型
MOSトランジスタ、N107,N108はカレントミ
ラー接続されトランジスタP101,P102とP10
3,P104の能動負荷として働くn型MOSトランジ
スタである。トランジスタP100,N105〜N10
8の閾値電圧は図21のVTP,VTNである。
[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a differential amplifier circuit 100A according to a first embodiment of the present invention. P100 is a p-type MOS transistor as a current source, P101 and P102 are p-type MOS transistors having a threshold voltage VTP1 of FIG. 21 constituting a first input differential pair, and P103 and P104 are second input differential pairs. The p-type MOS transistor having the threshold voltage VTP2 shown in FIG. 21 is connected, N105 and N106 are current-mirror connected, and n-type MOS transistors functioning as active loads of the transistors P101 and P102. P10
3, an n-type MOS transistor acting as an active load of P104. Transistors P100, N105 to N10
The threshold voltages 8 are VTP and VTN in FIG.

【0024】すなわち、トランジスタP101,P10
3のゲートは入力端子IN−に共通接続され、トランジ
スタP102,P104のゲートは入力端子IN+に共
通接続されている。また、トランジスタN105,N1
06のドレインはトランジスタP101,P102のド
レインに各々接続され、トランジスタN107のドレイ
ンはトランジスタP103のドレインとトランジスタN
105のソースに共通接続され、トランジスタN108
のドレインはトランジスタP104のドレインとトラン
ジスタN106のソースに共通接続されている。なお、
200は出力回路、300はバイアス回路であり、前記
した図9に示したものと同じである。
That is, the transistors P101 and P10
3 are commonly connected to the input terminal IN−, and the gates of the transistors P102 and P104 are commonly connected to the input terminal IN +. Further, the transistors N105 and N1
The drain of transistor 06 is connected to the drains of transistors P101 and P102, and the drain of transistor N107 is connected to the drain of transistor P103 and transistor N
105 and a transistor N108
Are commonly connected to the drain of the transistor P104 and the source of the transistor N106. In addition,
Reference numeral 200 denotes an output circuit, and 300 denotes a bias circuit, which are the same as those shown in FIG.

【0025】さて、閾値電圧がVTP1のトランジスタ
P101,P102の入力差動対では、高速化のために
電流源トランジスタP100の電流を増大させたとき、
入力電圧がVDD近くになるとその特性が悪化し、入力
オフセット電圧特性は入力電圧がVSS側にあるときと
比べて悪くなる。逆に、閾値電圧がVTP2のトランジ
スタP103,P104の入力差動対では、入力電圧が
VSS近くになるとその特性が悪化し、入力オフセット
電圧特性は入力電圧がVDD側にあるときと比べて悪く
なる。本発明ではこのような特性をもった小閾値電圧V
TP1,VTP2の第1,第2の入力差動対を組み合わ
せている。
Now, in the input differential pair of the transistors P101 and P102 whose threshold voltage is VTP1, when the current of the current source transistor P100 is increased for speeding up,
When the input voltage becomes close to VDD, its characteristics deteriorate, and the input offset voltage characteristics become worse than when the input voltage is on the VSS side. Conversely, in the input differential pair of the transistors P103 and P104 whose threshold voltage is VTP2, when the input voltage becomes close to VSS, the characteristics deteriorate, and the input offset voltage characteristics become worse than when the input voltage is on the VDD side. . In the present invention, the small threshold voltage V
The first and second input differential pairs of TP1 and VTP2 are combined.

【0026】まず、入力電圧がVSS近くにある場合、
閾値電圧がVTP1のトランジスタP101,P102
の入力差動対とトランジスタN105,N106からな
る差動回路では、入力差動対の閾値電圧がVTP1の一
般的な差動増幅回路と同様に正常に動作する。一方、閾
値電圧がVTP2のトランジスタP103,P104の
入力差動対とトランジスタN107,N108からなる
差動回路では、通常ならノードTOPとノードA−,A
+との電位差が小さくなり、動作し難くなるが、トラン
ジスタN107,N108のドレインをトランジスタN
105,N106のソースに接続しているので、ノード
A−,A+の電圧はノードVO−,VO+の電圧に対し
てトランジスタN105,N106の閾値電圧分だけ低
くなり、ノードTOPとノードA−,A+との電位差が
小さくなることが抑制される。また、トランジスタN1
07,N108のゲートがノードVO−に接続されてい
るので、ノードA−のドレイン電圧に対してそのゲート
電圧はトランジスタN105の閾値電圧分だけ高いた
め、トランジスタN107,N108の動作範囲が拡大
する。更に、ノードVO−,VO+は閾値電圧が低いV
TP1の差動対をもつ差動回路の出力部であることか
ら、トランジスタN107,N108のゲート電圧が補
われ、これらにより閾値電圧がVTP2の差動対トラン
ジスタをもつ差動回路も正常動作することになる。
First, when the input voltage is near VSS,
Transistors P101 and P102 whose threshold voltage is VTP1
In the differential circuit including the input differential pair and the transistors N105 and N106, the threshold voltage of the input differential pair operates normally similarly to the general differential amplifier circuit of VTP1. On the other hand, in a differential circuit including the input differential pair of the transistors P103 and P104 having the threshold voltage VTP2 and the transistors N107 and N108, the node TOP and the nodes A- and A-
+ Becomes small and operation becomes difficult, but the drains of the transistors N107 and N108 are connected to the transistor N107.
Since they are connected to the sources of the transistors 105 and N106, the voltages of the nodes A- and A + are lower than the voltages of the nodes VO- and VO + by the threshold voltage of the transistors N105 and N106. Is suppressed from being reduced. Also, the transistor N1
Since the gates of transistors N107 and N108 are connected to node VO-, the gate voltage thereof is higher than the drain voltage of node A- by the threshold voltage of transistor N105, so that the operating range of transistors N107 and N108 is expanded. Further, the nodes VO− and VO + are connected to the low threshold voltage V
Since this is the output section of the differential circuit having the differential pair of TP1, the gate voltages of the transistors N107 and N108 are supplemented, whereby the differential circuit having the differential pair of transistors having the threshold voltage of VTP2 also operates normally. become.

【0027】次に、入力電圧がVDD近くにある場合、
閾値電圧がVTP2のトランジスタP103,P104
の入力差動対とトランジスタN107,N108からな
る差動回路では、入力差動対の閾値電圧がVTP2の一
般的な差動増幅回路と同様に正常に動作する。一方、閾
値電圧がVTP1のトランジスタP101,P102の
入力差動対とトランジスタN105,N106からなる
差動回路では、通常ならノードTOPの電圧がVDDに
近づき、動作し難くなるが、閾値電圧がVTP2の差動
対のトランジスタP103,P104をもつ差動回路に
よってノードTOPの電圧がVDDに近づくのが抑制さ
れる。また、この差動回路の出力ノードA−,A+の電
圧によって、トランジスタN105,N106のソース
電圧が補われ、動作範囲が拡大する。これらにより閾値
電圧がVTP1の差動対トランジスタをもつ差動回路も
正常動作することになる。
Next, when the input voltage is near VDD,
Transistors P103 and P104 whose threshold voltage is VTP2
In the differential circuit including the input differential pair and the transistors N107 and N108, the threshold voltage of the input differential pair operates normally similarly to the general differential amplifier circuit of VTP2. On the other hand, in the differential circuit including the input differential pair of the transistors P101 and P102 having the threshold voltage VTP1 and the transistors N105 and N106, the voltage of the node TOP normally approaches VDD, which makes it difficult to operate. The differential circuit having the differential pair of transistors P103 and P104 prevents the voltage of the node TOP from approaching VDD. Further, the voltages at the output nodes A− and A + of the differential circuit supplement the source voltages of the transistors N105 and N106, and the operating range is expanded. As a result, a differential circuit having a differential pair transistor whose threshold voltage is VTP1 also operates normally.

【0028】以上のように、入力電圧範囲が電源電圧内
いっぱいであっても、閾値電圧がVTP1の差動回路と
閾値電圧がVTP2の差動回路の相補的な動作によっ
て、本差動増幅回路100Aの出力ノードVO−,VO
+の正常動作が維持される。また、ノードTOPの電圧
は、図19のDの特性となり、閾値電圧がVTP1の差
動増幅回路の特性Bと比べてVDD側のレベルが下がっ
ており、また閾値電圧がVTP2の差動増幅回路の特性
Cと比べてVSS側の変化が直線的となっている。この
ことからも、本差動増幅回路100Aが相補的な動作を
していることが分かり、入力オフセット電圧特性は図2
に示すように電源電圧内いっぱいでの特性が向上し、こ
れにより同相信号除去比も改善される。また、AC動作
も図23の(b)に示すように、歪みのない動作となる。
また、電流源の電流を増大させることができるため、ゲ
インの周波数特性も図22のAに示すように、図9に示
した差動増幅回路100Cの特性Bに比べて高くなり、
高速動作が可能となる。
As described above, even when the input voltage range is full within the power supply voltage, the differential amplifier circuit having the threshold voltage of VTP1 and the differential circuit having the threshold voltage of VTP2 perform complementary operations. 100A output nodes VO-, VO
The normal operation of + is maintained. Further, the voltage of the node TOP has the characteristic of D in FIG. 19, the level on the VDD side is lower than the characteristic B of the differential amplifier circuit with the threshold voltage VTP1, and the differential amplifier circuit with the threshold voltage VTP2. The change on the VSS side is linear compared to the characteristic C of the above. This also indicates that the differential amplifier circuit 100A is performing a complementary operation, and the input offset voltage characteristic is shown in FIG.
As shown in (1), the characteristics within the full range of the power supply voltage are improved, thereby improving the common-mode signal rejection ratio. In addition, the AC operation is also an operation without distortion, as shown in FIG.
In addition, since the current of the current source can be increased, the frequency characteristic of the gain also becomes higher than the characteristic B of the differential amplifier circuit 100C shown in FIG.
High-speed operation becomes possible.

【0029】図3は図1に示した差動増幅回路100A
のトランジスタの極性を反転した差動増幅回路100
A’を示す図である。N100は電流源としてのn型M
OSトランジスタ、N101,N102は第1の入力差
動対を構成する閾値電圧が図21のVTN1のn型MO
Sトランジスタ、N103,N104は第2の入力差動
対を構成する閾値電圧が図21のVTN2のn型MOS
トランジスタ、P105,P106はカレントミラー接
続されトランジスタN101,N102の能動負荷とし
て働くp型MOSトランジスタ、P107,P108は
カレントミラー接続され、トランジスタN101,N1
02とN103,N104の能動負荷として働くp型M
OSトランジスタである。トランジスタN100,P1
05〜P108の閾値電圧は図21のVTN,VTPで
ある。
FIG. 3 shows the differential amplifier circuit 100A shown in FIG.
Amplifier 100 with inverted polarity of transistor
It is a figure which shows A '. N100 is an n-type M as a current source
The OS transistors N101 and N102 are the first input differential pair and have a threshold voltage of VTN1 shown in FIG.
The S transistors and N103 and N104 are n-type MOS transistors each having a threshold voltage VTN2 shown in FIG.
Transistors, P105 and P106 are p-type MOS transistors which are current mirror-connected and act as active loads of transistors N101 and N102, and P107 and P108 are current-mirror connected and transistors N101 and N1
02 and p-type M acting as active loads of N103 and N104
OS transistor. Transistors N100, P1
The threshold voltages of 05 to P108 are VTN and VTP in FIG.

【0030】すなわち、トランジスタN101,N10
3のゲートは入力端子IN−に共通接続され、トランジ
スタN102,N104のゲートは入力端子IN+に共
通接続されている。また、トランジスタP105,P1
06のドレインはトランジスタN101,N102のド
レインに各々接続され、トランジスタP107のドレイ
ンはトランジスタN103のドレインとトランジスタP
105のソースに共通接続され、トランジスタP108
のドレインはトランジスタN104のドレインとトラン
ジスタP106のソースに共通接続されている。なお、
200’は出力回路、300’はバイアス回路であり、
前記した図11に示したものと同じである。
That is, the transistors N101 and N10
3 are commonly connected to the input terminal IN−, and the gates of the transistors N102 and N104 are commonly connected to the input terminal IN +. Further, the transistors P105 and P1
06 is connected to the drains of the transistors N101 and N102, and the drain of the transistor P107 is connected to the drain of the transistor N103 and the transistor P102.
105, and is commonly connected to the source of
Are commonly connected to the drain of the transistor N104 and the source of the transistor P106. In addition,
200 ′ is an output circuit, 300 ′ is a bias circuit,
This is the same as that shown in FIG.

【0031】この差動増幅回路100A’では、前記し
た差動増幅回路100Aと比べて、入力電圧がVDD近
くの場合の動作とVSS近くの場合の動作とが逆とな
る。また、入力オフセット電圧特性は図4に示す特性と
なる。ノードTOPの電圧は図20のDの特性となり、
閾値電圧がVTN1の差動増幅回路の特性Bと比べてV
SS側のレベルが上がっており、また閾値電圧がVTN
2の差動増幅回路の特性Cと比べてVDD側の変化が直
線的となっている。
In the differential amplifier circuit 100A ', the operation when the input voltage is near VDD and the operation when the input voltage is near VSS are opposite to those of the differential amplifier circuit 100A. Further, the input offset voltage characteristics are as shown in FIG. The voltage of the node TOP has the characteristic of D in FIG.
Compared with the characteristic B of the differential amplifier circuit whose threshold voltage is VTN1, V
The level on the SS side is rising, and the threshold voltage is VTN
The change on the VDD side is more linear than the characteristic C of the differential amplifier circuit No. 2.

【0032】[第2の実施形態]図5は本発明の第2の
実施の形態の差動増幅回路100Bを示す図である。図
1の差動増幅回路100Aと異なるところは、電流源と
してのトランジスタP100は第1の入力差動対のトラ
ンジスタP101,P102用とし、第2の入力対のト
ランジスタP103,P104用の電流源として新たに
p型MOSトランジスタP109を接続した点である。
このトランジスタP109の閾値電圧は図21のVTP
である。
[Second Embodiment] FIG. 5 is a diagram showing a differential amplifier circuit 100B according to a second embodiment of the present invention. The difference from the differential amplifier circuit 100A of FIG. 1 is that the transistor P100 as a current source is used for the transistors P101 and P102 of the first input differential pair, and as the current source for the transistors P103 and P104 of the second input pair. The point is that a p-type MOS transistor P109 is newly connected.
The threshold voltage of this transistor P109 is VTP in FIG.
It is.

【0033】この差動増幅回路100Bでは、第1,第
2の差動対の電流源が別々になっているので、ノードT
OPの電圧変化が相補的とならない分だけ入力オフセッ
ト電圧特性が図6に示すように若干劣るが、ノードO
−,VO+の電圧変化、A−,A+の電圧変化は前記し
た差動増幅回路100Aと同じである。
In the differential amplifier circuit 100B, since the current sources of the first and second differential pairs are separate, the node T
Although the input offset voltage characteristic is slightly inferior as shown in FIG.
The voltage change of −, VO + and the voltage change of A−, A + are the same as those of the above-described differential amplifier circuit 100A.

【0034】図7は図5に示した差動増幅回路100B
のトランジスタの極性を反転した差動増幅回路100
B’を示す図であり、図3の差動増幅回路100A’と
比べて、電流源としてのトランジスタN100を第1の
入力差動対のトランジスタN101,N102用とし、
第2の入力対のトランジスタN103,N104用の電
流源として新たにn型MOSトランジスタN109を接
続した点が異なる。動作は図5の差動増幅回路100B
と反対となる。
FIG. 7 shows the differential amplifier circuit 100B shown in FIG.
Amplifier 100 with inverted polarity of transistor
FIG. 4B is a diagram showing B ′, in which a transistor N100 as a current source is used for the transistors N101 and N102 of the first input differential pair as compared with the differential amplifier circuit 100A ′ of FIG.
The difference is that an n-type MOS transistor N109 is newly connected as a current source for the transistors N103 and N104 of the second input pair. The operation is performed by the differential amplifier circuit 100B shown in FIG.
And the opposite.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上から本発明によれば、入力電圧範囲
が電源電圧内いっぱいであっても、正常動作が維持さ
れ、入力オフセット電圧特性を高精度化することが可能
となり、同相信号除去比も改善される。また、電流源の
電流を増大させることができるため、高速動作も可能と
なる。
As described above, according to the present invention, even if the input voltage range is full within the power supply voltage, the normal operation is maintained, the input offset voltage characteristic can be improved, and the common-mode signal can be removed. The ratio is also improved. Further, since the current of the current source can be increased, high-speed operation is also possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態の差動増幅回路の回
路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の差動増幅回路の入力オフセット電圧の
特性図である。
FIG. 2 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG. 1;

【図3】 図1のトランジスタの極性を反転させた差動
増幅回路の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit in which the polarity of the transistor in FIG. 1 is inverted.

【図4】 図3の差動増幅回路の入力オフセット電圧の
特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG. 3;

【図5】 本発明の第2の実施形態の差動増幅回路の回
路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 図5の差動増幅回路の入力オフセット電圧の
特性図である。
FIG. 6 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG. 5;

【図7】 図5のトランジスタの極性を反転させた差動
増幅回路の回路図である。
7 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit in which the polarity of the transistor in FIG. 5 is inverted.

【図8】 図7の差動増幅回路の入力オフセット電圧の
特性図である。
8 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG.

【図9】 第1、第2の従来技術の差動増幅回路の回路
図である。
FIG. 9 is a circuit diagram of first and second prior art differential amplifier circuits.

【図10】 図9の差動増幅回路の入力オフセット電圧
の特性図である。
FIG. 10 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG. 9;

【図11】 図9のトランジスタの極性を反転させた差
動増幅回路の回路図である。
11 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit in which the polarity of the transistor in FIG. 9 is inverted.

【図12】 図11の差動増幅回路の入力オフセット電
圧の特性図である。
12 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG.

【図13】 第3の従来技術の差動増幅回路の回路図で
ある。
FIG. 13 is a circuit diagram of a third conventional differential amplifier circuit.

【図14】 図13の差動増幅回路の入力オフセット電
圧の特性図である。
14 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG.

【図15】 図13のトランジスタの極性を反転させた
差動増幅回路の回路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram of a differential amplifier circuit in which the polarity of the transistor in FIG. 13 is inverted.

【図16】 図15の差動増幅回路の入力オフセット電
圧の特性図である。
FIG. 16 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG.

【図17】 第4の従来技術の差動増幅回路の回路図で
ある。
FIG. 17 is a circuit diagram of a fourth conventional differential amplifier circuit.

【図18】 図17の差動増幅回路の入力オフセット電
圧の特性図である。
18 is a characteristic diagram of an input offset voltage of the differential amplifier circuit of FIG.

【図19】 p型MOSトランジスタの差動対をもつ各
差動増幅回路のノードTOPの電圧特性図である。
FIG. 19 is a voltage characteristic diagram of a node TOP of each differential amplifier circuit having a differential pair of p-type MOS transistors.

【図20】 n型MOSトランジスタの差動対をもつ各
差動増幅回路のノードTOPの電圧特性図である。
FIG. 20 is a voltage characteristic diagram of a node TOP of each differential amplifier circuit having a differential pair of n-type MOS transistors.

【図21】 MOSトランジスタのVgs−Ids特性図で
ある。
FIG. 21 is a Vgs-Ids characteristic diagram of a MOS transistor.

【図22】 差動増幅回路のゲインの周波数特性図であ
る。
FIG. 22 is a frequency characteristic diagram of the gain of the differential amplifier circuit.

【図23】 差動増幅回路の入出力の波形図である。FIG. 23 is an input / output waveform diagram of the differential amplifier circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100A,100A’,100B,100B’,100
C,100C’,100D,100D’,100E:差
動増幅回路 200,200’,200A:出力回路 300,300’:バイアス回路
100A, 100A ', 100B, 100B', 100
C, 100C ', 100D, 100D', 100E: Differential amplifier circuit 200, 200 ', 200A: Output circuit 300, 300': Bias circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J066 AA00 AA12 CA13 CA34 CA53 CA65 FA20 HA10 HA14 HA15 HA16 HA17 HA25 KA06 KA09 KA12 MA19 MA22 ND04 ND14 ND22 ND23 PD01 TA02 TA03 TA06 5J091 AA01 AA12 CA13 CA34 CA53 CA65 FA20 HA10 HA14 HA15 HA16 HA17 HA25 KA06 KA09 KA12 MA19 MA22 TA02 TA03 TA06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J066 AA00 AA12 CA13 CA34 CA53 CA65 FA20 HA10 HA14 HA15 HA16 HA17 HA25 KA06 KA09 KA12 MA19 MA22 ND04 ND14 ND22 ND23 PD01 TA02 TA03 TA06 5J091 AA01 AA12 CA13 CA34 CA53 HA65 FA15 HA16 HA17 HA25 KA06 KA09 KA12 MA19 MA22 TA02 TA03 TA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ゲートが差動入力端子に接続された第1の
閾値電圧のトランジスタ対でなる第1の入力差動対と、
ゲートが前記差動入力端子に接続された前記第1の閾値
電圧と異なる第2の閾値電圧のトランジスタ対でなる第
2の入力差動対と、両入力差動対に共通の電流源トラン
ジスタと、前記第1の入力差動対の各トランジスタのド
レインにドレインが接続されたトランジスタ対でなる第
1の能動負荷と、前記第2の入力差動対の各トランジス
タのドレインにドレインが接続され且つ前記第1の能動
負荷の各トランジスタのソースにドレインが接続された
トランジスタ対でなる第2の能動負荷とを具備し、 前記第1,第2の能動負荷の各トランジスタのゲート
を、前記第1の入力差動対の一方のトランジスタのドレ
インに接続し、前記第1の入力差動対の他方のトランジ
スタのドレインから出力を取り出したことを特徴とする
差動増幅回路。
1. A first input differential pair comprising a first threshold voltage transistor pair having a gate connected to a differential input terminal;
A second input differential pair having a gate connected to the differential input terminal and having a second threshold voltage different from the first threshold voltage, a current source transistor common to both input differential pairs, A first active load including a transistor pair having a drain connected to a drain of each transistor of the first input differential pair; a drain connected to a drain of each transistor of the second input differential pair; A second active load comprising a transistor pair having a drain connected to a source of each transistor of the first active load, and a gate of each transistor of the first and second active loads being connected to the first active load. A differential amplifier circuit connected to the drain of one of the transistors of the input differential pair, and taking out the output from the drain of the other transistor of the first input differential pair.
【請求項2】請求項1に記載の差動増幅回路において、 前記第1、第2の閾値電圧の絶対値を、前記電流源トラ
ンジスタ、前記第1,第2の能動負荷のトランジスタの
閾値電圧の絶対値より小さい値に設定したことを特徴と
する差動増幅回路。
2. The differential amplifying circuit according to claim 1, wherein the absolute values of said first and second threshold voltages are determined by a threshold voltage of said current source transistor and said first and second active load transistors. A differential amplifier circuit characterized in that it is set to a value smaller than the absolute value of
【請求項3】請求項1又は2に記載の差動増幅回路にお
いて、 前記第2の閾値電圧の絶対値を、前記第1の閾値電圧の
絶対値より小さい値に設定したことを特徴とする差動増
幅回路。
3. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein an absolute value of said second threshold voltage is set to a value smaller than an absolute value of said first threshold voltage. Differential amplifier circuit.
【請求項4】請求項1、2又は3に記載の差動増幅回路
において、 前記共通の電流源トランジスタに代えて、前記第1,第
2の入力差動対毎に個々に電流源トランジスタを設けた
ことを特徴とする差動増幅回路。
4. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein a current source transistor is individually provided for each of said first and second input differential pairs in place of said common current source transistor. A differential amplifier circuit characterized by being provided.
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