JP2002217147A - Method and apparatus for recovering wafer for wafer polishing apparatus - Google Patents

Method and apparatus for recovering wafer for wafer polishing apparatus

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JP2002217147A
JP2002217147A JP2001007576A JP2001007576A JP2002217147A JP 2002217147 A JP2002217147 A JP 2002217147A JP 2001007576 A JP2001007576 A JP 2001007576A JP 2001007576 A JP2001007576 A JP 2001007576A JP 2002217147 A JP2002217147 A JP 2002217147A
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JP
Japan
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wafer
polishing pad
carrier
polishing
retainer ring
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JP2001007576A
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Japanese (ja)
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Minoru Numamoto
実 沼本
Shigeyuki Honma
茂之 本間
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an easy wafer recovery method for a wafer polishing apparatus after a wafer polishing is completed, and the apparatus. SOLUTION: After a wafer polishing is completed, the wafer is protruded a predetermined length from the peripheral edge of a polishing pad 20 by sliding the wafer W along the polishing pad 20. Then a fluid is emitted into the clearance between the protruded wafer W and the polishing pad 20 from a wafer separation nozzle 18. The emitted liquid gets into the clearance between the wafer W and the polishing pad 20, which uplifts the wafer from the polishing pad 20 to separate the wafer. Consequently, the wafer can be efficiently withdrawn from the polishing pad 20 without adding stiff force to the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械研磨
(CMP:Chemical Mechanical Polishing )によって
ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置のウェーハ回収方
法及び装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method and an apparatus for recovering a wafer by a wafer polishing apparatus for polishing a wafer by chemical mechanical polishing (CMP).

【0002】[0002]

【従来の技術】CMPによるウェーハの研磨は、回転す
る研磨パッドにウェーハを押し付け、そのウェーハと研
磨パッドとの間にメカノケミカル研磨剤(スラリ)を供
給することにより行われる。
2. Description of the Related Art Wafer polishing by CMP is performed by pressing a wafer against a rotating polishing pad and supplying a mechanochemical abrasive (slurry) between the wafer and the polishing pad.

【0003】ところで、ウェーハは、研磨時にその上面
がキャリアに押圧されることによって研磨パッドに押し
当てられるが、このようにキャリアで上面を押圧しなが
らウェーハを研磨すると、スラリや洗浄液等の表面張力
によりウェーハが研磨パッドに張り付いてしまい、研磨
終了後に研磨パッドからウェーハを回収できなくなると
いう欠点があった。
By the way, the wafer is pressed against the polishing pad by pressing the upper surface against the carrier during polishing. When the wafer is polished while pressing the upper surface with the carrier as described above, the surface tension of the slurry, the cleaning liquid and the like is increased. As a result, the wafer sticks to the polishing pad, and there is a disadvantage that the wafer cannot be collected from the polishing pad after the polishing is completed.

【0004】そこで、従来は、特開平10−26160
1号公報に開示されているように、研磨パッドに炭酸ガ
ス入りの水溶液を噴射し、その発泡作用でウェーハを研
磨パッドから剥離させて回収する方法や、ウェーハをス
ライドさせて研磨パッドの周縁から押し出すことによ
り、接触面積を減少させて回収する方法などが採られて
いた。
Therefore, conventionally, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-26160
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 1 (1993), a method of injecting an aqueous solution containing carbon dioxide gas onto a polishing pad and separating and recovering the wafer from the polishing pad by the foaming action, or sliding the wafer from the periphery of the polishing pad A method has been employed in which the contact area is reduced by extruding to recover.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、炭酸ガ
スの発泡作用でウェーハを研磨パッドから剥離する方法
では、炭酸ガス入りの水溶液をリテーナーリングの外側
から噴射する構成となるため、効率が悪いという欠点が
ある。また、炭酸ガス入りの水溶液の供給設備が別途必
要になり、装置が大掛かりになるという欠点がある。
However, the method of separating the wafer from the polishing pad by the action of bubbling of carbon dioxide gas has a disadvantage that the aqueous solution containing carbon dioxide gas is jetted from the outside of the retainer ring, resulting in poor efficiency. There is. In addition, there is a drawback in that a separate facility for supplying an aqueous solution containing carbon dioxide is required, and the apparatus becomes large-scale.

【0006】一方、ウェーハをスライドさせて回収する
方法の場合、ウェーハの貼付力が強いと、ウェーハを押
し出す量を多くしなければならないが、ウェーハを押し
出す量を多くすると、キャリアが傾いてしまい(一般に
キャリアは傾斜可能に支持されている。)、実質的にウ
ェーハが回収できなくなるという欠点がある。
On the other hand, in the method of recovering a wafer by sliding it, when the sticking force of the wafer is strong, the amount of pushing the wafer must be increased. However, when the amount of pushing the wafer is increased, the carrier is inclined ( Generally, the carrier is supported so as to be tilted.) There is a drawback that the wafer cannot be collected substantially.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、研磨終了後のウェーハを簡単に回収できるウ
ェーハ研磨装置のウェーハ回収方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer collecting method and apparatus of a wafer polishing apparatus which can easily collect a wafer after polishing is completed.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ウェーハの上面をキャリアで押圧するこ
とによりウェーハを研磨パッドに押し当てて研磨すると
ともに、研磨後のウェーハの上面をキャリアで吸着する
ことによりウェーハを研磨パッドから回収するウェーハ
研磨装置のウェーハ回収方法において、研磨後のウェー
ハを前記キャリアで吸着し、該キャリアを介して前記ウ
ェーハを前記研磨パッドに沿ってスライドさせることに
より、前記ウェーハを前記研磨パッドの周縁から所定量
突出させ、その突出させたウェーハと前記研磨パッドと
の間に流体を噴射することにより、前記ウェーハを前記
研磨パッドから剥離させて前記キャリアで回収すること
を特徴とするウェーハ研磨装置のウェーハ回収方法を提
供する。
According to the present invention, in order to achieve the above object, the wafer is pressed against a polishing pad by pressing the upper surface of the wafer with a carrier, and the upper surface of the polished wafer is polished. In a wafer recovery method of a wafer polishing apparatus for recovering a wafer from a polishing pad by suctioning with a carrier, a wafer after polishing is suctioned with the carrier, and the wafer is slid along the polishing pad via the carrier. By projecting the wafer from the periphery of the polishing pad by a predetermined amount, and ejecting a fluid between the projected wafer and the polishing pad, the wafer is separated from the polishing pad and collected by the carrier. The present invention provides a method for collecting a wafer in a wafer polishing apparatus, comprising:

【0009】本発明によるウェーハの回収は、まず、研
磨が終了したウェーハを研磨パッドに沿ってスライドさ
せることにより、ウェーハを研磨パッドの周縁から所定
量突出させる。次いで、その突出させたウェーハと研磨
パッドとの間に流体を噴射する。このように噴射された
流体は、研磨パッドの周縁部から研磨パッドとウェーハ
との間に入り込み、ウェーハを研磨パッドから浮き上が
らせて、ウェーハを研磨パッドから剥離させる。剥離さ
れたウェーハは、キャリアに吸着保持されているので、
キャリアで上昇させて研磨パッド上からウェーハを回収
する。この方法によれば、直接、ウェーハと研磨パッド
との境界部分に流体を噴射できるので、効率よくウェー
ハを研磨パッドから剥離させることができる。また、研
磨パッドの周縁から突出させるウェーハの量は、キャリ
アに傾きが生じない範囲で十分なので、実質的にウェー
ハが回収できなくなるということもない。
In the recovery of the wafer according to the present invention, first, the polished wafer is slid along the polishing pad, so that the wafer is projected from the periphery of the polishing pad by a predetermined amount. Next, a fluid is injected between the protruded wafer and the polishing pad. The fluid thus ejected enters between the polishing pad and the wafer from the peripheral portion of the polishing pad, lifts the wafer from the polishing pad, and separates the wafer from the polishing pad. Since the peeled wafer is held by suction on the carrier,
The wafer is lifted by a carrier and collected from the polishing pad. According to this method, the fluid can be directly jetted to the boundary portion between the wafer and the polishing pad, so that the wafer can be efficiently separated from the polishing pad. Further, the amount of the wafer protruding from the peripheral edge of the polishing pad is sufficient within a range in which the carrier does not tilt, and therefore, it is not practically impossible to collect the wafer.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係るウェーハ研磨装置のウェーハ回収方法及び装置の好
ましい実施の形態について詳説する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a method and an apparatus for recovering a wafer in a wafer polishing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0011】図1は、ウェーハ研磨装置10の全体構成
を示す側面図である。同図に示すようにウェーハ研磨装
置10は、主として研磨定盤12、ウェーハ保持ヘッド
14、ヘッド移動機構16及びウェーハ剥離用スプレー
ノズル18で構成される。
FIG. 1 is a side view showing the overall configuration of a wafer polishing apparatus 10. As shown in FIG. 1, the wafer polishing apparatus 10 mainly includes a polishing platen 12, a wafer holding head 14, a head moving mechanism 16, and a wafer peeling spray nozzle 18.

【0012】研磨定盤12は円盤状に形成され、その下
面中央には回転軸12Aが連結される。回転軸12Aに
は図示しないモータが連結され、このモータを駆動する
ことにより、研磨定盤12が回転する。また、この研磨
定盤12の上面には研磨パッド20が貼付され、この研
磨パッド20上にスラリ供給ノズル21からスラリが供
給される。
The polishing platen 12 is formed in a disk shape, and a rotating shaft 12A is connected to the center of the lower surface thereof. A motor (not shown) is connected to the rotating shaft 12A, and by driving this motor, the polishing platen 12 rotates. A polishing pad 20 is attached to an upper surface of the polishing platen 12, and a slurry is supplied from the slurry supply nozzle 21 onto the polishing pad 20.

【0013】ウェーハ保持ヘッド14は、図2に示すよ
うに、主としてヘッド本体22、キャリア24、キャリ
ア駆動機構26、キャリア押圧機構28、リテーナーリ
ング30及びリテーナーリング押圧機構32で構成され
る。
As shown in FIG. 2, the wafer holding head 14 mainly comprises a head body 22, a carrier 24, a carrier driving mechanism 26, a carrier pressing mechanism 28, a retainer ring 30, and a retainer ring pressing mechanism 32.

【0014】ヘッド本体22は円盤状に形成され、その
上面中央に回転軸22Aが連結される。回転軸22A
は、図1に示すように、軸受ユニット35に軸支され、
その軸受ユニット35に設けられたモータ36に駆動さ
れて回転する。
The head body 22 is formed in a disk shape, and a rotation shaft 22A is connected to the center of the upper surface. Rotary shaft 22A
Is supported by the bearing unit 35 as shown in FIG.
It is driven and rotated by a motor 36 provided in the bearing unit 35.

【0015】キャリア24は円盤状に形成され、ヘッド
本体22の下部中央に配置される。このキャリア24の
下面には複数の溝38、38、…が形成され、各溝38
内には、それぞれ吸引・吹出口40が形成される。ま
た、吸引・吹出口40には、キャリア24の内部に形成
されたエア流路42が連通され、エア流路42には図示
しないエア配管を介して吸気ポンプと給気ポンプとが接
続される。そして、この吸気ポンプと給気ポンプの接続
を切り替えることにより、各吸引・吹出口40からエア
の吸引又は吹き出しが行われる。
The carrier 24 is formed in a disk shape and is arranged at the lower center of the head body 22. A plurality of grooves 38, 38,...
Inside, a suction / blowing port 40 is formed. In addition, an air flow path 42 formed inside the carrier 24 is communicated with the suction / blow-out port 40, and the air flow path 42 is connected to an intake pump and an air supply pump via an air pipe (not shown). . Then, by switching the connection between the suction pump and the air supply pump, air is sucked or blown out from each suction / blowing port 40.

【0016】キャリア駆動機構26は、ドライブシャフ
ト44、ドライブプレート46、ドライブピン48で構
成される。ドライブシャフト44は円柱状に形成され、
その上端部がヘッド本体22の下面中央に連結される。
ドライブプレート46は、このドライブシャフト44の
下端部に連結される。ドライブプレート46は円盤状に
形成され、キャリア24の上面中央部に形成された円形
状の凹部50に嵌合される。この凹部50内にはドライ
ブピン48が配設され、ドライブプレート46に形成さ
れた図示しないピン孔に嵌合される。
The carrier driving mechanism 26 includes a drive shaft 44, a drive plate 46, and a drive pin 48. The drive shaft 44 is formed in a cylindrical shape,
The upper end is connected to the center of the lower surface of the head body 22.
The drive plate 46 is connected to a lower end of the drive shaft 44. The drive plate 46 is formed in a disk shape, and is fitted in a circular concave portion 50 formed in the center of the upper surface of the carrier 24. A drive pin 48 is provided in the recess 50 and is fitted into a pin hole (not shown) formed in the drive plate 46.

【0017】以上のように構成されたキャリア駆動機構
26によれば、ヘッド本体22を回転させると、その回
転がドライブシャフト44を介してドライブプレート4
6へと伝達される。そして、そのドライブプレート46
の回転がドライブピン48を介してキャリア24に伝達
され、キャリア24が回転する。
According to the carrier driving mechanism 26 configured as described above, when the head main body 22 is rotated, the rotation is transmitted to the drive plate 4 via the drive shaft 44.
6 is transmitted. And the drive plate 46
Is transmitted to the carrier 24 via the drive pin 48, and the carrier 24 rotates.

【0018】キャリア押圧機構28は、 キャリア用エア
バッグ52とキャリア用押圧部材54とで構成される。
キャリア用エアバッグ52はドーナツ状に形成され、ヘ
ッド本体22の下面外周部に配置される。このキャリア
用エアバッグ52は、 ゴムシートで形成され、図示しな
いエア供給手段から供給されるエアの吸排気で膨張、収
縮する。キャリア用押圧部材54は筒状に形成され、そ
の下端部がキャリア24の上面外周部に固定される。
The carrier pressing mechanism 28 includes a carrier airbag 52 and a carrier pressing member 54.
The carrier airbag 52 is formed in a donut shape and is arranged on the outer periphery of the lower surface of the head body 22. The airbag carrier 52 is formed of a rubber sheet, expanded in the air intake and exhaust to be supplied from the air supply means (not shown) contracts. The carrier pressing member 54 is formed in a cylindrical shape, and the lower end thereof is fixed to the outer peripheral portion of the upper surface of the carrier 24.

【0019】以上のように構成されたキャリア押圧機構
28によれば、キャリア用エアバッグ52を膨張させる
と、キャリア用押圧部材54がキャリア用エアバッグ5
2によって下方に押圧される。これにより、キャリア用
押圧部材54が固定されたキャリア24が下方に押圧さ
れる。
According to the carrier pressing mechanism 28 configured as described above, when the carrier airbag 52 is inflated, the carrier pressing member 54 is moved by the carrier airbag 5.
2 is pressed downward. As a result, the carrier 24 to which the carrier pressing member 54 is fixed is pressed downward.

【0020】リテーナーリング30は、リング状に形成
され、キャリア24の外周に配置される。このリテーナ
ーリング30は、キャリア24の外周に配置されたリテ
ーナーリングホルダ56に取り付けられる。
The retainer ring 30 is formed in a ring shape and is arranged on the outer periphery of the carrier 24. The retainer ring 30 is attached to a retainer ring holder 56 arranged on the outer periphery of the carrier 24.

【0021】リテーナーリングホルダ56はリング状に
形成され、その下面に環状の凹部56Aが形成される。
リテーナーリング30は、この凹部56Aに嵌合させる
ことによりリテーナーリングホルダ56に取り付けられ
る。リテーナーリングホルダ56に取り付けられたリテ
ーナーリング30は複数箇所をボルト58、58、…で
ねじ止めされて固定される。
The retainer ring holder 56 is formed in a ring shape, and has an annular concave portion 56A formed on the lower surface thereof.
The retainer ring 30 is attached to the retainer ring holder 56 by fitting into the recess 56A. The retainer ring 30 attached to the retainer ring holder 56 is fixed by being screwed at a plurality of locations with bolts 58, 58,.

【0022】リテーナーリング30が取り付けられたリ
テーナーリングホルダ56は、スナップリング62を介
して取付リング60に着脱自在に取り付けられる。スナ
ップリング62の内周部には溝62Aが形成され、この
溝62Aにリテーナーリングホルダ56の上端部外周に
形成されたフランジ部56Bと、取付リング60の下端
部外周に形成されたフランジ部60Aとを嵌合させるこ
とにより、リテーナーリングホルダ56が取付リング6
0に取り付けられる。
The retainer ring holder 56 to which the retainer ring 30 is attached is detachably attached to the attachment ring 60 via a snap ring 62. A groove 62A is formed in the inner peripheral portion of the snap ring 62. A flange portion 56B formed on the outer periphery of the upper end portion of the retainer ring holder 56 and a flange portion 60A formed on the outer periphery of the lower end portion of the mounting ring 60 are formed in the groove 62A. And the retainer ring holder 56 is attached to the mounting ring 6.
0 is attached.

【0023】また、リテーナーリングホルダ56は、そ
の内周部にフランジ部56Cが形成され、このフランジ
部56Cにキャリア24の外周部に形成されたフランジ
部24Aが載置される。
The retainer ring holder 56 has a flange portion 56C formed on the inner peripheral portion thereof, and the flange portion 24A formed on the outer peripheral portion of the carrier 24 is mounted on the flange portion 56C.

【0024】リテーナーリング押圧機構32は、リテー
ナーリング用エアバッグ64とリテーナーリング用押圧
部材66とで構成される。リテーナーリング用エアバッ
グ64はドーナツ状に形成され、ヘッド本体22の下面
中央部に配置される。このリテーナーリング用エアバッ
グ64はゴムシートで形成され、図示しないエア供給手
段から供給されるエアの吸排気で膨張、収縮する。リテ
ーナーリング用押圧部材66は、ほぼ円筒状に形成さ
れ、その下端部が取付リング60の上面に固定される。
The retainer ring pressing mechanism 32 includes a retainer ring airbag 64 and a retainer ring pressing member 66. The retainer ring airbag 64 is formed in a donut shape, and is disposed at the center of the lower surface of the head body 22. The retainer ring airbag 64 is formed of a rubber sheet, and expands and contracts by intake and exhaust of air supplied from air supply means (not shown). The retainer ring pressing member 66 is formed in a substantially cylindrical shape, and its lower end is fixed to the upper surface of the mounting ring 60.

【0025】以上のように構成されたリテーナーリング
押圧機構32によれば、リテーナーリング用エアバック
64を膨張させると、リテーナーリング用押圧部材66
がリテーナーリング用エアバッグ64によって下方に押
圧される。これにより、リテーナーリング用押圧部材6
6が固定された取付リング60及びリテーナーリングホ
ルダ56を介してリテーナーリング30が下方に押圧さ
れる。
According to the retainer ring pressing mechanism 32 configured as described above, when the retainer ring airbag 64 is inflated, the retainer ring pressing member 66 is pressed.
Is pressed downward by the retainer ring airbag 64. As a result, the retaining member pressing member 6
The retainer ring 30 is pressed downward via the mounting ring 60 to which the fixing member 6 is fixed and the retainer ring holder 56.

【0026】保護シート34は円形状に形成されるとと
もに複数の通気孔68、68、…が形成され、キャリア
24の下部に配設される。この保護シート34は、その
周縁部がリテーナーリング30とリテーナーリングホル
ダ56との間に挟持されることでリテーナーリング30
の内側に張設される。
The protective sheet 34 is formed in a circular shape and has a plurality of ventilation holes 68, 68,... The protective sheet 34 is held between its retainer ring 30 and the retainer ring holder 56 at its peripheral edge, so that the retainer ring 30
It is stretched inside.

【0027】このようにキャリア24の下部に張設され
た保護シート34は、キャリア24に形成された吸引・
吹出口40からエアを吹き出すと、キャリア24の下面
との間にエア層を形成する。そして、保護シート34
は、このエア層に押圧されることにより、ウェーハWを
研磨パッド20に押し付ける。また、保護シート34
は、吸引・吹出口40からエアを吸引すると、通気孔6
8、68、…を介してウェーハWを吸着保持する。
The protective sheet 34 stretched under the carrier 24 as described above is formed by the suction and suction formed on the carrier 24.
When air is blown out from the outlet 40, an air layer is formed between the air outlet 40 and the lower surface of the carrier 24. And the protection sheet 34
Presses the wafer W against the polishing pad 20 by being pressed by the air layer. In addition, the protection sheet 34
When air is sucked from the suction / blowing port 40, the air holes 6
The wafer W is sucked and held through 8, 68,.

【0028】ヘッド移動機構16は、ウェーハ保持ヘッ
ド14を垂直及び水平方向に移動させる。図1に示すよ
うに、ヘッド本体22の回転軸22Aを軸支する軸受ユ
ニット35は、移動プレート70に敷設されたガイドレ
ール72上をスライド自在に設けられている。移動プレ
ート70には、図示しない昇降装置(たとえば、シリン
ダや送りねじ等)が設けられ、この昇降装置を駆動する
ことにより、軸受ユニット35が研磨定盤12に対して
垂直に昇降する。また、移動プレート70はキャリッジ
74に固定され、キャリッジ74は天井フレーム76に
敷設されたガイドレール78にスライド自在に設けられ
ている。キャリッジ74は、図示しない水平駆動装置
(たとえば、シリンダや送りねじ等)に駆動されること
によりガイドレール78上を走行し、これにより、移動
プレート70が研磨定盤12の研磨面(上面)に沿って
水平に移動する。
The head moving mechanism 16 moves the wafer holding head 14 vertically and horizontally. As shown in FIG. 1, the bearing unit 35 that supports the rotating shaft 22 </ b> A of the head body 22 is slidably provided on a guide rail 72 laid on a moving plate 70. The moving plate 70 is provided with an elevating device (not shown) (for example, a cylinder or a feed screw). The moving plate 70 is fixed to a carriage 74, and the carriage 74 is slidably provided on a guide rail 78 laid on a ceiling frame 76. The carriage 74 travels on the guide rail 78 by being driven by a horizontal driving device (for example, a cylinder, a feed screw, or the like) (not shown). Move horizontally along.

【0029】以上のように構成されたヘッド移動機構1
6によれば、図示しない昇降装置を駆動することによ
り、軸受ユニット35が上下動し、これにより、ウェー
ハ保持ヘッド14が研磨定盤12に対して垂直に移動す
る。また、図示しない水平駆動装置を駆動することによ
り、移動プレート70が水平に移動し、これにより、ウ
ェーハ保持ヘッド14が研磨定盤12の研磨面に沿って
水平に移動する。
The head moving mechanism 1 configured as described above
According to 6, the lifting unit (not shown) is driven to move the bearing unit 35 up and down, whereby the wafer holding head 14 moves vertically with respect to the polishing platen 12. By driving a horizontal driving device (not shown), the moving plate 70 moves horizontally, whereby the wafer holding head 14 moves horizontally along the polishing surface of the polishing platen 12.

【0030】ウェーハ剥離用スプレーノズル18は、研
磨パッド20の周縁部から所定量突出させたウェーハW
と研磨パッド20との境界部分に液体(たとえば、水)
を噴射することにより、研磨パッド20に付着したウェ
ーハWを研磨パッド20から剥離させる。このウェーハ
剥離用スプレーノズル18は、図1に示すように、研磨
定盤12の外周部近傍に配置され、装置本体フレームに
固定されたアングル80に所定の角度をもって取り付け
られる。そして、図示しない液体供給装置から液体が供
給されて、その先端ノズル部から液体を噴射する。
The wafer peeling spray nozzle 18 is provided with a wafer W projecting a predetermined amount from the peripheral portion of the polishing pad 20.
Liquid (for example, water) at the boundary between
Is ejected, the wafer W attached to the polishing pad 20 is separated from the polishing pad 20. As shown in FIG. 1, the wafer peeling spray nozzle 18 is disposed near the outer peripheral portion of the polishing platen 12 and is attached at a predetermined angle to an angle 80 fixed to the apparatus main body frame. Then, the liquid is supplied from a liquid supply device (not shown), and the liquid is ejected from the tip nozzle portion.

【0031】キャリア24に保持されたウェーハWは、
ウェーハ保持ヘッド14を水平移動させることにより、
研磨パッド20上をスライドし、これにより、研磨パッ
ド20の周縁部から所定量突出する。そして、この研磨
パッド20から突出したウェーハWの下面と研磨パッド
20との境界部分に向けてウェーハ剥離用スプレーノズ
ル18から水が噴射される。
The wafer W held by the carrier 24 is
By horizontally moving the wafer holding head 14,
It slides on the polishing pad 20, thereby protruding a predetermined amount from the periphery of the polishing pad 20. Then, water is sprayed from the wafer peeling spray nozzle 18 toward the boundary between the lower surface of the wafer W protruding from the polishing pad 20 and the polishing pad 20.

【0032】なお、ウェーハWを研磨パッド20の周縁
部から突出させる量は、ウェーハWを保持するキャリア
24に傾きが生じない範囲内で設定する。
The amount by which the wafer W is projected from the periphery of the polishing pad 20 is set within a range in which the carrier 24 holding the wafer W does not tilt.

【0033】前記のごとく構成された本実施の形態のウ
ェーハ研磨装置10の作用は次のとおりである。
The operation of the wafer polishing apparatus 10 according to the present embodiment configured as described above is as follows.

【0034】まず、図示しない供給ステージに載置され
たウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で保持して研磨
パッド20上に搬送する。この際、ウェーハWの保持は
次のように行われる。まず、ウェーハWの上方にウェー
ハ保持ヘッド14を移動させる。そして、ウェーハWの
上面を保護シート34に当接させる。この状態で図示し
ない吸気ポンプを駆動し、キャリア24に形成された吸
引・吹出口40からエアを吸引する。これにより、保護
シート34を介してウェーハWがキャリア24の下部に
吸着保持される。また、ウェーハWの搬送は、ウェーハ
Wを保持したウェーハ保持ヘッド14をヘッド移動機構
16で水平、垂直方向に移動させることにより行われ
る。なお、ウェーハWは、図1に示すように、研磨パッ
ド20の中心から偏心した位置に搬送される。
First, the wafer W placed on a supply stage (not shown) is held by the wafer holding head 14 and transferred onto the polishing pad 20. At this time, the holding of the wafer W is performed as follows. First, the wafer holding head 14 is moved above the wafer W. Then, to abut the upper surface of the wafer W to the protective sheet 34. In this state, a suction pump (not shown) is driven to suck air from a suction / outlet 40 formed in the carrier 24. Thus, the wafer W is suction-held at the lower portion of the carrier 24 via the protection sheet 34. The transfer of the wafer W is performed by moving the wafer holding head 14 holding the wafer W in the horizontal and vertical directions by the head moving mechanism 16. The wafer W is transported to a position eccentric from the center of the polishing pad 20, as shown in FIG.

【0035】ウェーハWが研磨パッド20上に搬送され
ると、キャリア24による吸着保持が解除される。すな
わち、吸気ポンプの駆動が停止され、真空破壊されてウ
ェーハWが研磨パッド20上に開放される。
When the wafer W is transferred onto the polishing pad 20, the suction holding by the carrier 24 is released. That is, the driving of the suction pump is stopped, the vacuum is broken, and the wafer W is opened on the polishing pad 20.

【0036】次に、図示しないポンプを駆動して、キャ
リア用エアバッグ52とリテーナーリング用エアバッグ
64にエアを供給する。これにより、キャリア用エアバ
ッグ52とリテーナーリング用エアバッグ64とが膨張
する。また、これと同時に図示しない給気ポンプを駆動
して、キャリア24に形成された吸引・吹出口40から
エアを供給する。これにより、保護シート34とキャリ
ア24の下面との間にエア層が形成され、このエア層に
保護シート34が押圧されることにより、ウェーハWが
研磨パッド20に所定の圧力で押し付けられる。また、
リテーナーリング30が所定の圧力で研磨パッド20に
押し付けられる。この状態で研磨定盤12を回転させる
とともに、ウェーハ保持ヘッド14を回転させる。そし
て、その回転する研磨パッド20上にスラリ供給ノズル
21からスラリを供給する。これにより、ウェーハWが
研磨パッド20に研磨される。
Next, a pump (not shown) is driven to supply air to the carrier airbag 52 and the retainer ring airbag 64. As a result, the carrier airbag 52 and the retainer ring airbag 64 expand. At the same time, an air supply pump (not shown) is driven to supply air from a suction / blowing port 40 formed in the carrier 24. As a result, an air layer is formed between the protection sheet 34 and the lower surface of the carrier 24, and the protection sheet 34 is pressed against the air layer, whereby the wafer W is pressed against the polishing pad 20 with a predetermined pressure. Also,
The retainer ring 30 is pressed against the polishing pad 20 at a predetermined pressure. In this state, the polishing table 12 is rotated and the wafer holding head 14 is rotated. Then, a slurry is supplied from the slurry supply nozzle 21 onto the rotating polishing pad 20. Thereby, the wafer W is polished on the polishing pad 20.

【0037】ウェーハWが所定量研磨されると、加工は
終了する。この後、ウェーハWは、研磨パッド20上に
洗浄水が供給されることにより洗浄されて回収される
が、このウェーハWの回収は、次のように行われる。
When the wafer W is polished by a predetermined amount, the processing is completed. Thereafter, the wafer W is cleaned and recovered by supplying cleaning water onto the polishing pad 20, and the recovery of the wafer W is performed as follows.

【0038】まず、図3(a)に示すように、ウェーハ
保持ヘッド14の回転が停止される。次に、キャリア用
エアバッグ52によるキャリア24の押圧が解除され
る。次に、図示しない吸気ポンプが駆動されて、キャリ
ア24に形成された吸引・吹出口40からエアが吸引さ
れ、ウェーハWが保護シート34を介してキャリア24
に吸着保持される。
First, as shown in FIG. 3A, the rotation of the wafer holding head 14 is stopped. Next, the pressing of the carrier 24 by the carrier airbag 52 is released. Next, an intake pump (not shown) is driven to suck air from a suction / blowing port 40 formed in the carrier 24, and the wafer W is transferred to the carrier 24 via the protection sheet 34.
Is held by suction.

【0039】次に、図3(b)に示すように、水平移動
機構が駆動されて、ウェーハ保持ヘッド14が研磨パッ
ド20に沿って所定量移動する。この結果、ウェーハW
が研磨パッド20の周縁部から所定量突出する。
Next, as shown in FIG. 3B, the horizontal moving mechanism is driven to move the wafer holding head 14 by a predetermined amount along the polishing pad 20. As a result, the wafer W
Project from the periphery of the polishing pad 20 by a predetermined amount.

【0040】次に、図3(c)に示すように、研磨パッ
ド20の周縁部から突出したウェーハWの下面と研磨パ
ッド20との境界部分に向けてウェーハ剥離用スプレー
ノズル18から液体が噴射される。噴射された液体は、
境界部分からウェーハWと研磨パッド20との間に入り
込み、ウェーハWを研磨パッド20から強制的に浮上さ
せる。これにより、ウェーハWが研磨パッド20から剥
離される。
Next, as shown in FIG. 3C, the liquid is sprayed from the wafer peeling spray nozzle 18 toward the boundary between the polishing pad 20 and the lower surface of the wafer W protruding from the peripheral edge of the polishing pad 20. Is done. The injected liquid is
The wafer W enters between the wafer W and the polishing pad 20 from the boundary portion, and the wafer W is forcibly levitated from the polishing pad 20. Thereby, the wafer W is separated from the polishing pad 20.

【0041】液体の噴射は所定時間継続して行われ、噴
射終了後、図3(d)に示すように、ウェーハ保持ヘッ
ド14が上昇して、研磨パッド20からウェーハWが回
収される。回収されたウェーハWは、ウェーハ保持ヘッ
ド14の移動によって図示しない回収ステージへと搬送
される。
The ejection of the liquid is continuously performed for a predetermined time. After the ejection is completed, the wafer holding head 14 is raised and the wafer W is collected from the polishing pad 20 as shown in FIG. The collected wafer W is transferred to a collection stage (not shown) by the movement of the wafer holding head 14.

【0042】このように、本実施の形態のウェーハ研磨
装置10によれば、研磨終了後のウェーハWを研磨パッ
ド20の周縁部から突出させ、その突出させたウェーハ
Wと研磨パッド20との境界部分に向けて液体を噴射す
ることにより、ウェーハWを研磨パッド20から浮上さ
せて剥離するので、無理な力をかけずに簡単にウェーハ
Wを研磨パッド20から回収することができる。
As described above, according to the wafer polishing apparatus 10 of the present embodiment, the wafer W after polishing is projected from the peripheral portion of the polishing pad 20, and the boundary between the projected wafer W and the polishing pad 20. By injecting the liquid toward the portion, the wafer W is lifted off the polishing pad 20 and separated, so that the wafer W can be easily collected from the polishing pad 20 without applying excessive force.

【0043】また、直接ウェーハWと研磨パッド20と
の境界部分に液体を噴射することができるので、効率よ
く短時間でウェーハWを研磨パッド20から剥離するこ
とができる。
Further, since the liquid can be directly jetted to the boundary portion between the wafer W and the polishing pad 20, the wafer W can be efficiently separated from the polishing pad 20 in a short time.

【0044】さらに、既存のウェーハ搬送手段を用いれ
ば、あとは研磨定盤12の近傍にウェーハ剥離用ノズル
18を設置するだけなので、簡単に装置を構成すること
ができる。
Further, if the existing wafer transfer means is used, the wafer separation nozzle 18 is simply installed near the polishing platen 12, so that the apparatus can be easily constructed.

【0045】なお、本実施の形態では、液体を噴射して
ウェーハWを研磨パッド20から剥離するように構成し
ているが、空気などの気体を噴射するようにしてもよ
い。
In this embodiment, the liquid is ejected to separate the wafer W from the polishing pad 20, but a gas such as air may be ejected.

【0046】また、ウェーハ剥離用ノズル18は、1個
に限らず複数個設置し、複数箇所から液体又は気体を噴
射するようにしてもよい。
The number of the wafer peeling nozzles 18 is not limited to one but may be plural, and liquid or gas may be jetted from plural places.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨終了後のウェーハWを研磨パッドの周縁部から突出
させ、その突出させたウェーハと研磨パッドとの境界部
分に向けて液体を噴射することにより、無理な力をかけ
ずに簡単にウェーハを研磨パッドから回収することがで
きる。
As described above, according to the present invention,
The wafer W after polishing is protruded from the periphery of the polishing pad, and the liquid is jetted toward the boundary between the protruded wafer and the polishing pad, thereby easily polishing the wafer without applying excessive force. Can be recovered from the pad.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ウェーハ研磨装置の全体構造を示す斜視図FIG. 1 is a perspective view showing the overall structure of a wafer polishing apparatus.

【図2】ウェーハ保持ヘッドの構成を示す縦断面図FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a wafer holding head.

【図3】ウェーハの回収方法の説明図FIG. 3 is an explanatory view of a method for collecting a wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウェーハ研磨装置、12…研磨定盤、14…ウェ
ーハ保持ヘッド、16…ヘッド移動機構、18…ウェー
ハ剥離用ノズル、20…研磨パッド、22…ヘッド本
体、24…キャリア、26…キャリア駆動機構、28…
キャリア押圧機構、30…リテーナーリング、30A…
凸部、32…リテーナーリング押圧機構、34…保護シ
ート、35…軸受ユニット、36…モータ、38…エア
溝、38A…外周溝、38B…内周溝、38C…中間
溝、40…吸引・吹出口、42…エア流路、44…ドラ
イブシャフト、46…ドライブプレート、48…ドライ
ブピン、50…凹部、52…キャリア用エアバッグ、5
4…キャリア用押圧部材、56…リテーナーリングホル
ダ、56A…凹部、56B…外周フランジ部、56C…
内周フランジ部、58…ボルト、60…取付リング、6
0A…外周フランジ部、62…スナップリング、62A
…溝、64…リテーナーリング用エアバッグ、66…リ
テーナーリング用押圧部材、68…通気孔、70…移動
プレート、72…ガイドレール、74…キャリッジ、7
6…天井フレーム、78…ガイドレール、80…アング
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer grinding | polishing apparatus, 12 ... Polishing table, 14 ... Wafer holding head, 16 ... Head moving mechanism, 18 ... Wafer peeling nozzle, 20 ... Polishing pad, 22 ... Head main body, 24 ... Carrier, 26 ... Carrier drive mechanism , 28 ...
Carrier pressing mechanism, 30 ... retainer ring, 30A ...
Convex part, 32: retainer ring pressing mechanism, 34: protective sheet, 35: bearing unit, 36: motor, 38: air groove, 38A: outer peripheral groove, 38B: inner peripheral groove, 38C: intermediate groove, 40: suction / blowing Outlet, 42 ... air flow path, 44 ... drive shaft, 46 ... drive plate, 48 ... drive pin, 50 ... recess, 52 ... carrier airbag, 5
4: carrier pressing member, 56: retainer ring holder, 56A: concave portion, 56B: outer peripheral flange portion, 56C:
Inner peripheral flange, 58 ... bolt, 60 ... mounting ring, 6
0A: outer peripheral flange, 62: snap ring, 62A
... Groove, 64 ... Retainer ring airbag, 66 ... Retainer ring pressing member, 68 ... Vent hole, 70 ... Movement plate, 72 ... Guide rail, 74 ... Carriage, 7
6 ... ceiling frame, 78 ... guide rail, 80 ... angle

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハの上面をキャリアで押圧するこ
とによりウェーハを研磨パッドに押し当てて研磨すると
ともに、研磨後のウェーハの上面をキャリアで吸着する
ことによりウェーハを研磨パッドから回収するウェーハ
研磨装置のウェーハ回収方法において、 研磨後のウェーハを前記キャリアで吸着し、該キャリア
を介して前記ウェーハを前記研磨パッドに沿ってスライ
ドさせることにより、前記ウェーハを前記研磨パッドの
周縁から所定量突出させ、その突出させたウェーハと前
記研磨パッドとの間に流体を噴射することにより、前記
ウェーハを前記研磨パッドから剥離させて前記キャリア
で回収することを特徴とするウェーハ研磨装置のウェー
ハ回収方法。
1. A wafer polishing apparatus for pressing a wafer against a polishing pad by pressing the upper surface of the wafer with a carrier and polishing the wafer, and collecting the wafer from the polishing pad by suctioning the upper surface of the polished wafer with the carrier. In the wafer recovery method, the polished wafer is sucked by the carrier, and the wafer is slid along the polishing pad via the carrier, so that the wafer is projected from the periphery of the polishing pad by a predetermined amount, A wafer recovery method for a wafer polishing apparatus, comprising: ejecting a fluid between the protruded wafer and the polishing pad to separate the wafer from the polishing pad and recovering the wafer with the carrier.
【請求項2】 ウェーハの上面をキャリアで押圧するこ
とによりウェーハを研磨パッドに押し当てて研磨すると
ともに、研磨後のウェーハの上面をキャリアで吸着する
ことによりウェーハを研磨パッドから回収するウェーハ
研磨装置のウェーハ回収装置において、 前記キャリアを前記研磨パッドに沿って移動させること
により、 前記ウェーハを前記研磨パッドに沿って移動さ
せる移動手段と、 前記研磨パッドの周縁から所定量突出させたウェーハと
前記研磨パッドとの間に流体を噴射する流体噴射手段
と、 からなり、前記キャリアを前記移動手段で移動させるこ
とにより、研磨後のウェーハを前記研磨パッドの周縁か
ら所定量突出させ、その突出させたウェーハと前記研磨
パッドとの間に前記流体噴射手段から流体を噴射するこ
とにより、前記ウェーハを前記研磨パッドから剥離させ
て前記キャリアで回収することを特徴とするウェーハ研
磨装置のウェーハ回収装置。
2. A wafer polishing apparatus for pressing a wafer against a polishing pad by pressing an upper surface of the wafer with a carrier and polishing the wafer, and recovering the wafer from the polishing pad by suctioning the upper surface of the polished wafer with the carrier. Moving means for moving the wafer along the polishing pad by moving the carrier along the polishing pad; and a wafer protruding a predetermined amount from the periphery of the polishing pad and the polishing A fluid ejecting means for ejecting a fluid between the polishing pad and the pad, wherein the carrier is moved by the moving means so that the polished wafer projects from the periphery of the polishing pad by a predetermined amount, and the projected wafer By ejecting a fluid from the fluid ejecting means between and the polishing pad, Wafer collecting device wafer polishing apparatus, wherein a serial wafer is peeled from the polishing pad recovered in the carrier.
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