JPH03177051A - Method and device for cutting semiconductor wafer - Google Patents
Method and device for cutting semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体ウェハの切断方法およびその装置に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a method and apparatus for cutting a semiconductor wafer.
〈従来の技術〉
従来より行われている半導体ウェハを複数のペレットに
分割する方法には、先ず半導体ウェハの裏面に軟質接着
シートを張付け、その後半導体ウェハを個々のペレット
に切断し、更に裏面の軟質接着シートを拡張してペレッ
ト同士を所定の間隔に引離すという方法がある。<Prior art> The conventional method of dividing a semiconductor wafer into multiple pellets involves first pasting a soft adhesive sheet on the back side of the semiconductor wafer, then cutting the semiconductor wafer into individual pellets, and then cutting the back side into pellets. There is a method of expanding a soft adhesive sheet to separate pellets at predetermined intervals.
第2図(a)〜(d)は、従来のダイシングによる切断
および軟質接着シートの拡張工程の一例を説明するため
に、その工程順に従って示した断面図である。 また、
第3図(a)〜(C)は、この工程におけるペレットお
よび軟質接着シートの状態を示した断面図である。FIGS. 2(a) to 2(d) are cross-sectional views shown in order to explain an example of a conventional process of cutting by dicing and expanding a soft adhesive sheet. Also,
FIGS. 3(a) to 3(C) are cross-sectional views showing the state of the pellets and soft adhesive sheet in this step.
この製造方法では、先ず、第2図(a)に示すように、
軟質接着シート3をステンレス製等の固定用フレーム4
に張付け、固定し、続いて、この軟質接着シート3に、
半導体ウェハ1の裏面を張付ける。 次に、これを、第
2図(b)に示すように、ダイシング装置のステージ6
上にセットし、第2図(C)に示すように、ブレード7
によって半導体ウェハ1をダイシングし、複数のペレッ
ト2に分割する。 この工程により、第3図(a)に示
すように、半導体ウェハ1は完全に切断され、軟質接着
シート3上で、切断溝11を介する複数のペレット2と
なる。In this manufacturing method, first, as shown in FIG. 2(a),
Fixing the soft adhesive sheet 3 to a frame 4 made of stainless steel, etc.
Then, on this soft adhesive sheet 3,
The back side of the semiconductor wafer 1 is attached. Next, as shown in FIG. 2(b), the dicing device is
the blade 7 as shown in Figure 2 (C).
The semiconductor wafer 1 is diced and divided into a plurality of pellets 2. Through this step, as shown in FIG. 3(a), the semiconductor wafer 1 is completely cut into a plurality of pellets 2 on the soft adhesive sheet 3 through the cutting grooves 11.
続いて、このペレット2を軟質接着シート3と共にダイ
シング装置から外し、洗浄、乾燥を行った後に、第2図
(d)に示すように、軟質接着シート拡大装置にセット
し、加熱しながら拡大用リング押え10を下げ、軟質接
着シート3を拡張する。Next, the pellets 2 and the soft adhesive sheet 3 are removed from the dicing device, washed and dried, and then set in a soft adhesive sheet expansion device as shown in FIG. 2(d), and heated while being expanded. Lower the ring presser 10 and expand the soft adhesive sheet 3.
ところが、この方法では、軟質接着シート3を引伸し、
拡大してペレット2同士を所定の間隔に離す為に、軟質
接着シート3に張付けた半導体ウェハ1を、完全切断す
る必要があった。 すなわち、第2図(C)に示すよう
に、半導体ウェハ1をブレード7でダイシングする際、
半導体ウェハ1のみでなく、軟質接着シート3の粘着剤
層3aを通ってシート層3bの上部までもダイシングし
、第3図(a)に示すような、シート層3bにまで到達
する切断溝11を形成していた。However, in this method, the soft adhesive sheet 3 is stretched,
In order to enlarge and separate the pellets 2 at predetermined intervals, it was necessary to completely cut the semiconductor wafer 1 attached to the soft adhesive sheet 3. That is, as shown in FIG. 2(C), when dicing the semiconductor wafer 1 with the blade 7,
Not only the semiconductor wafer 1 but also the upper part of the sheet layer 3b is diced through the adhesive layer 3a of the soft adhesive sheet 3, and cutting grooves 11 are formed that reach the sheet layer 3b as shown in FIG. 3(a). was forming.
このために、ダイシング時に軟質接着シート3がブレー
ド7に大きな摩擦抵抗を与え、ブレード7の寿命が短く
なり、コスト高を招いていた。 また、ブレード7の表
面に粘着剤層3aの粘着剤が付着し、ブレード7の切れ
味が低下すると共に、この粘着剤のために、半導体ウェ
ハ1に対するダイシング時の摩擦力が大きくなって、ダ
イシング中に切断されたペレット2がほしき飛ばされる
ことがあった。 更に、半導体ウェハ1の支持体として
軟質接着シート3を使用している為、ブレード7の切り
込みによって半導体ウェハ1に部分的に力が加わると、
半導体ウェハ1は部分的変形と復元を繰り返して微小振
動し、この振動の繰り返しにより、粘着力に抗してダイ
シング時にペレット2が!IJ l1il!することが
あった。For this reason, the soft adhesive sheet 3 applies large frictional resistance to the blade 7 during dicing, shortening the life of the blade 7 and increasing costs. In addition, the adhesive of the adhesive layer 3a adheres to the surface of the blade 7, reducing the sharpness of the blade 7, and due to this adhesive, the frictional force against the semiconductor wafer 1 during dicing increases. Pellets 2, which had been cut into pieces, were sometimes blown away. Furthermore, since the soft adhesive sheet 3 is used as a support for the semiconductor wafer 1, when a force is applied partially to the semiconductor wafer 1 due to the cut made by the blade 7,
Semiconductor wafer 1 repeats partial deformation and restoration, resulting in minute vibrations, and due to this repetition of vibrations, pellets 2 are formed during dicing against the adhesive force! IJ l1il! I had something to do.
また、ダイシング装置から外して軟質接着シート拡大装
置にセットする間のハンドリングの際に、第3図(b)
に示すように、隣り同士のペレット2が衝突し合って角
が欠けたり傷が1′スいたりしてしまうということがあ
った。Also, during handling while removing from the dicing device and setting it on the soft adhesive sheet expanding device, as shown in Fig. 3(b)
As shown in Figure 2, adjacent pellets 2 collided with each other, resulting in chipped corners and 1' scratches.
従って、軟質接着シート3を拡張した後のペレット2の
中には、第3図(C)に示すように、角の欠けたペレッ
ト2aが含まれており、ペレットの歩留りが低いという
問題があった。Therefore, as shown in FIG. 3(C), the pellets 2 after expanding the soft adhesive sheet 3 include pellets 2a with chipped corners, resulting in a problem of low pellet yield. Ta.
このような問題点に鑑み、特開昭63−29948号で
は、半導体装置の製造工程におけるダイシングからペレ
ット分割の工程の改良を提案している。In view of these problems, Japanese Patent Laid-Open No. 63-29948 proposes an improvement in the steps from dicing to pellet division in the manufacturing process of semiconductor devices.
第4図(a)および(b)は、特開昭63−29948
号に開示された半導体ウェハを複数のペレットに分割す
る方法を示す断面図である。Figures 4(a) and (b) are from Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-29948.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of dividing a semiconductor wafer into a plurality of pellets disclosed in the above publication.
この方法においても、軟質接着シート3をステンレス製
等の固定用フレーム4に張付け、固定し、続いて、この
軟質接着シート3に半導体ウェハ1の裏面を張付ける工
程は、前記従来の方法と同様である。 しかし、この方
法では、次に、第4図(a)に示すように、拡大用リン
グ5がステージ6の周囲にセットしである軟質接着シー
ト3の拡大機構を備えたダイシング装置のステージ6上
に、半導体ウェハ1を張付けである軟質接着シート3を
真空吸着によって固定し、その後、ダイシングにより、
第2図(C)に示すように、半導体ウェハ1を複数のペ
レット2に分割する。In this method as well, the steps of attaching and fixing the soft adhesive sheet 3 to the fixing frame 4 made of stainless steel or the like, and then attaching the back side of the semiconductor wafer 1 to the soft adhesive sheet 3 are the same as in the conventional method. It is. However, in this method, as shown in FIG. Then, the semiconductor wafer 1 is attached to the soft adhesive sheet 3 by vacuum suction, and then, by dicing,
As shown in FIG. 2(C), the semiconductor wafer 1 is divided into a plurality of pellets 2.
続いて、第4図(b)に示すように、真空吸着を切り、
拡大用リング押え10を下げることによって軟質接着シ
ート3を引伸し、拡大してペレット2同士を所定の間隔
に離し、その後に洗浄と乾燥を行うものである。Next, as shown in Figure 4(b), turn off the vacuum suction and
By lowering the expansion ring presser 10, the soft adhesive sheet 3 is stretched and expanded to separate the pellets 2 at a predetermined interval, and then washed and dried.
特開昭63−29948号に開示された方法により、前
記従来より行なわれている方法の欠点のうち、ペレット
2を張付けた軟質接着シート3を、ダイシング装置から
外して拡大装置にセットする間のハンドリングに起因す
るペレット2の欠けや傷付きの問題は解決された。 し
かし、半導体ウェハ1をダイシングする際、半導体ウェ
ハ1のみでなく、軟質接着シート3のシート層3bの上
部までもダイシングすることに起因する、ブレード7の
寿命や軟質接着シート3からのペレット2のilJ !
Iff等の問題は、依然解決されないままである。The method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-29948 solves the disadvantages of the conventional method, such as the time when the soft adhesive sheet 3 on which the pellets 2 are pasted is removed from the dicing device and set in the enlarging device. The problem of the pellet 2 being chipped or scratched due to handling has been solved. However, when dicing the semiconductor wafer 1, not only the semiconductor wafer 1 but also the upper part of the sheet layer 3b of the soft adhesive sheet 3 is diced. ilJ!
The problem of Iff etc. remains unsolved.
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、上記の従来技術に鑑みてなされたものであり
、軟質接着シートに接着した半導体ウェハを、該半導体
ウェハの少なくとも該シートに接着した面を連続面とし
て残して垂直に切断した後、すなわち切断手段が軟質接
着シートの粘着剤層に接触しないように半導体ウェハを
切断した後、半導体ウェハを接着、固定しである軟質接
着シートをその拡大装置に移設せずに、半導体ウェハを
複数のペレットに分割し、かつペレット同士が所定の間
隔となるように離隔する工程を含む半導体ウェハの切断
方法と、該方法の実施に好適な半導体ウェハの切断装置
の提供を目的とする。<Problems to be Solved by the Invention> The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and includes a semiconductor wafer bonded to a soft adhesive sheet, at least the surface of the semiconductor wafer bonded to the sheet being a continuous surface. After cutting the semiconductor wafer vertically, that is, cutting the semiconductor wafer so that the cutting means does not contact the adhesive layer of the soft adhesive sheet, the semiconductor wafer is glued and fixed, and the soft adhesive sheet is transferred to the expansion device. A semiconductor wafer cutting method including a step of dividing a semiconductor wafer into a plurality of pellets and separating the pellets at a predetermined interval without cutting the semiconductor wafer, and a semiconductor wafer cutting apparatus suitable for carrying out the method. For the purpose of providing.
〈課題を解決するための手段〉
本発明の第一の態様は、軟質接着シートに接着した半導
体ウェハを、該半導体ウェハの少なくとも該シートに接
着した面を連続面として残して垂直に切断した後、前記
軟質接着シートと該シートを設置するステージとの間に
流体を供給して前記連続面を切り、前記半導体ウェハを
複数のペレットに分割し、続いて前記軟質接着シートを
引伸すことを特徴とする半導体ウェハの切断方法である
。<Means for Solving the Problems> A first aspect of the present invention is to cut a semiconductor wafer bonded to a soft adhesive sheet vertically leaving at least the surface bonded to the sheet as a continuous surface. , supplying a fluid between the soft adhesive sheet and a stage on which the sheet is placed to cut the continuous surface, dividing the semiconductor wafer into a plurality of pellets, and then stretching the soft adhesive sheet. This is a method for cutting semiconductor wafers.
また、本発明の第二の態様は、半導体ウェハがその表面
に接着される軟質接着シートと、該シートを張設するた
めの固定手段と、該シートが敷設されるステージと、該
シートを該ステージに吸着させるための減圧手段と、半
導体ウェハを切断する切断手段と、該シートと該ステー
ジとの間に流体を供給するための流体供給手段と、該シ
ートを引伸すための引伸し手段とを有し、前記ステージ
は、その表面に前記減圧手段と連通ずる減圧口および前
記流体供給手段と連通ずる流体供給口を備えてなること
を特徴とする半導体ウェハの切断装置である。A second aspect of the present invention also provides a soft adhesive sheet to which a semiconductor wafer is adhered, a fixing means for stretching the sheet, a stage on which the sheet is laid, and a stage for stretching the sheet. A depressurizing means for adsorbing the sheet to the stage, a cutting means for cutting the semiconductor wafer, a fluid supply means for supplying fluid between the sheet and the stage, and an enlarging means for enlarging the sheet. The semiconductor wafer cutting apparatus is characterized in that the stage is provided with a pressure reduction port communicating with the pressure reduction means and a fluid supply port communicating with the fluid supply means on its surface.
く作用〉
本発明に係る半導体ウェハの切断装置の作用は、下記の
通りである。Functions> The functions of the semiconductor wafer cutting apparatus according to the present invention are as follows.
すなわち、はじめに、固定手段によって張設され、半導
体ウェハが接着された軟質接着シートを、減圧手段によ
り、本発明の切断装置のステージ表面に吸着させて固定
する。That is, first, the soft adhesive sheet, which is stretched by the fixing means and to which the semiconductor wafer is adhered, is adsorbed and fixed to the stage surface of the cutting device of the present invention by the decompression means.
次に、切断手段に粘着剤が付着しないように、前記半導
体ウェハを、該ウェハの少なくとも軟質接着シートに接
着した面を連続面として残して垂直に切断する。Next, the semiconductor wafer is cut vertically, leaving at least the surface of the wafer adhered to the soft adhesive sheet as a continuous surface so that the adhesive does not adhere to the cutting means.
切断が終了したら、減圧を切り、流体供給手段により、
流体供給口を介して軟質接着シートとステージ表面との
間に流体を供給し、流体圧により、前記半導体ウェハの
連続面を切って複数のペレットとする。Once cutting is complete, turn off the vacuum and use the fluid supply means to
A fluid is supplied between the soft adhesive sheet and the stage surface through the fluid supply port, and the continuous surface of the semiconductor wafer is cut into a plurality of pellets by the fluid pressure.
流体を除去した後、軟質接着シートを引伸し、前記複数
のペレットを離隔させる。After removing the fluid, the flexible adhesive sheet is stretched to separate the plurality of pellets.
これにより、工程途中で半導体ウェハが接着された軟質
接着シートを移動させることなく、半導体ウェハを、所
定の大きさの複数のペレットに切断、分割できる。Thereby, the semiconductor wafer can be cut and divided into a plurality of pellets of a predetermined size without moving the soft adhesive sheet to which the semiconductor wafer is adhered during the process.
〈実施例〉 以下に、好適実施例を示し、本発明の詳細な説明する。<Example> Hereinafter, preferred embodiments will be shown and the present invention will be explained in detail.
はじめに、図面に基づき、本発明第一の態様の半導体ウ
ェハの切断方法について説明する。First, a method for cutting a semiconductor wafer according to the first aspect of the present invention will be explained based on the drawings.
7isI図(a)〜(f)は、本発明第一の態様の好適
実施例を説明するための断面図である。7isI Figures (a) to (f) are sectional views for explaining a preferred embodiment of the first aspect of the present invention.
本発明法においては、はじめに、第1図(a)に示すよ
うに、固定用フレーム4に接着、固定した軟質接着シー
ト3を、半導体ウェハ1の裏面に張付ける。 つぎに、
第1図(b)に示すように、拡大用リング5がステージ
6の周囲にセットされた、軟質接着シート拡大機構を備
えたダイシング装置のステージ6上に、半導体ウェハ1
が張付けられた軟質接着シート3を、真空ポンプ8によ
り真空吸着して固定し、続いて、ブレード7を用いて垂
直にダイシングする。In the method of the present invention, first, as shown in FIG. 1(a), a soft adhesive sheet 3 bonded and fixed to a fixing frame 4 is attached to the back surface of a semiconductor wafer 1. next,
As shown in FIG. 1(b), a semiconductor wafer 1 is placed on a stage 6 of a dicing machine equipped with a soft adhesive sheet enlarging mechanism, in which an enlarging ring 5 is set around the stage 6.
The soft adhesive sheet 3 to which is pasted is fixed by vacuum suction using a vacuum pump 8, and then vertically diced using a blade 7.
尚、この際、固定用フレーム4は、図示されていない支
持部材によって支持されており、後工程で用いる拡大用
リング押え10は、図示されているように、外されてい
る。 また、この際の真空度は、400〜500 m
mHg程度が好ましい。 そして、半導体ウェハ1のダ
イシングは、第1図(c)に示すように、完全切断を行
なわず、半導体ウェハ1の軟質接着シート3に接着した
面が連続面として残るように少し切り残す。 この切り
残し量は、一般的な半導体ウェハの厚さが0.5〜0.
6mmであるので、通常10〜50μm残すのがよく、
次工程における半導体ウェハ1の分割を考慮すると、2
0μm程度が最適である。At this time, the fixing frame 4 is supported by a support member (not shown), and the enlarging ring presser 10 used in the subsequent process is removed as shown. In addition, the degree of vacuum at this time is 400 to 500 m
About mHg is preferable. When dicing the semiconductor wafer 1, as shown in FIG. 1(c), the semiconductor wafer 1 is not completely cut, but a small amount is left so that the surface of the semiconductor wafer 1 bonded to the soft adhesive sheet 3 remains as a continuous surface. This uncut amount is 0.5 to 0.5 mm thick for a typical semiconductor wafer.
Since it is 6 mm, it is usually best to leave 10 to 50 μm.
Considering the division of semiconductor wafer 1 in the next process, 2
Approximately 0 μm is optimal.
次に、三方弁14を動かし、真空ポンプ8による吸引を
切り、第1図(d)に示すように、拡大用リング押え1
0を下げ、固定用フレーム4を押えた後に、ポンプ9等
の手段により、軟質接着シート3とステージ6との間に
例えば水等の流体を供給すると、軟質接着シート3が持
ち上げられ、軟質接着シート3に接着している半導体ウ
ェハ1の切り残し部分が割れ、第1図(f)に示すよう
に、半導体ウェハ1が複数のペレット2に分割される。Next, move the three-way valve 14 to cut off the suction by the vacuum pump 8, and as shown in FIG.
0 is lowered and the fixing frame 4 is pressed down, when a fluid such as water is supplied between the soft adhesive sheet 3 and the stage 6 using means such as the pump 9, the soft adhesive sheet 3 is lifted and the soft adhesive is removed. The uncut portion of the semiconductor wafer 1 adhered to the sheet 3 is broken, and the semiconductor wafer 1 is divided into a plurality of pellets 2 as shown in FIG. 1(f).
その後、供給した流体を排出し、第1図(e)に示すよ
うに、拡大用リング押え10をさらに下げることによっ
て軟質接着シート3を引伸し、拡大して、ペレット2同
士を所定の間隔に引離した後、洗浄、乾燥を行なう。Thereafter, the supplied fluid is discharged, and as shown in FIG. 1(e), the expanding ring presser 10 is further lowered to stretch and expand the soft adhesive sheet 3, and the pellets 2 are pulled apart at a predetermined distance. After separating, wash and dry.
以上が本発明の半導体ウェハの切断方法の好適実施例で
あるが、本発明方法は、これに限定されない。Although the preferred embodiments of the semiconductor wafer cutting method of the present invention have been described above, the method of the present invention is not limited thereto.
即ち、軟質接着シートのステージ表面への固定は、固定
用フレームと真空ポンプによる真空吸着によらなくても
、軟質接着シートがステージ上に張設されればよい。
また、半導体ウェハの切断は、ダイシング法に限らず、
スクライビング法やレーザー光線によってもよい。 さ
らに、軟質接着シートの引伸しは、1回に限定されず、
例えば左右を引伸した後、その引伸し方向と直角に、す
なわち前後を引伸してもよい。 また、固定用フレーム
を押下げて軟質接着シートを引伸すのでなく、水平方向
に引伸してもよい。That is, the soft adhesive sheet does not need to be fixed to the stage surface by vacuum suction using a fixing frame and a vacuum pump, as long as the soft adhesive sheet is stretched over the stage.
In addition, cutting semiconductor wafers is not limited to the dicing method.
A scribing method or a laser beam may also be used. Furthermore, the stretching of the soft adhesive sheet is not limited to one time,
For example, after enlarging the left and right sides, the image may be enlarged perpendicularly to the enlargement direction, that is, front and back. Furthermore, instead of stretching the soft adhesive sheet by pushing down the fixing frame, it may be stretched in the horizontal direction.
次に、図面に基づき、本発明第二の態様の半導体ウェハ
の切断装置について説明する。Next, a semiconductor wafer cutting apparatus according to a second aspect of the present invention will be described based on the drawings.
本発明の切断装置は、半導体ウェハの切断機構と、軟質
接着シートの拡大機構が一体化された装置であって、半
導体ウェハがその表面に接着される軟質接着シートと、
該シートを張設するための固定手段と、該シートが敷設
されるステージと、該シートを該ステージに吸着させる
ための減圧手段と、半導体ウェハを切断する切断手段と
、該シートと該ステージとの間に流体を供給するための
流体供給手段と、該シートを引伸すための引伸し手段と
を有し、前記ステージは、その表面に前記減圧手段と連
通ずる減圧口および前記流体供給手段と連通ずる流体供
給口を有する。The cutting device of the present invention is a device in which a semiconductor wafer cutting mechanism and a soft adhesive sheet expanding mechanism are integrated, and the semiconductor wafer is bonded to the soft adhesive sheet on the surface thereof;
A fixing means for stretching the sheet, a stage on which the sheet is laid, a depressurizing means for adsorbing the sheet to the stage, a cutting means for cutting the semiconductor wafer, and the sheet and the stage. The stage has a fluid supply means for supplying fluid between the stages, and an enlarging means for enlarging the sheet, and the stage has a decompression port communicating with the decompression means on its surface and a decompression port communicating with the fluid supply means. It has a fluid supply port that communicates with it.
好適実施例である第1図(b)に基づいて説明すると、
本発明の切断装置は、切断機構に係わる部材として、固
定用フレーム4、ステージ6、ブレード7、真空ポンプ
8、ポンプ9および三方弁14があり、拡大機構に係わ
る部材として、拡大用リング5および拡大用リング押え
10があり、他に、両機構に係わる軟質接着シート3が
ある。Explaining based on FIG. 1(b) which is a preferred embodiment,
The cutting device of the present invention includes a fixing frame 4, a stage 6, a blade 7, a vacuum pump 8, a pump 9, and a three-way valve 14 as members related to the cutting mechanism, and an enlargement ring 5 and a three-way valve 14 as members related to the enlargement mechanism. There is a ring presser 10 for expansion, and there is also a soft adhesive sheet 3 related to both mechanisms.
各部材について説明する。Each member will be explained.
軟質接着シート3は、その表面に半導体ウェハ1を接着
でき、また引伸し可能なシートである。The soft adhesive sheet 3 is a sheet that can adhere the semiconductor wafer 1 to its surface and can be stretched.
そのシート自体の材質は、ポリ塩化ビニル、ポリエステ
ル、ポリオレフィン等の合成樹脂であり、その−面に、
半導体ウェハ1を接着゛できる粘着剤が積層されてなる
。 シートの総厚みは、100μm程度、粘着剤層の
厚みは5〜20μm程度が好ましい。The material of the sheet itself is synthetic resin such as polyvinyl chloride, polyester, polyolefin, etc., and on its side,
It is made up of layers of adhesive that can bond the semiconductor wafer 1 together. The total thickness of the sheet is preferably about 100 μm, and the thickness of the adhesive layer is preferably about 5 to 20 μm.
軟質接着シート3の大きさおよび形状は、後述するステ
ージ6の大きさ、形状、および拡大機構によって限定さ
れるが、一般的には、ステージ6外周に位置する後述す
る固定用フレーム4の大きさ、形状と同じである。The size and shape of the soft adhesive sheet 3 are limited by the size, shape, and expansion mechanism of the stage 6, which will be described later, but generally the size and shape of the fixing frame 4, which will be described later, are located on the outer periphery of the stage 6. , the same as the shape.
固定用フレーム4は、半導体ウェハ1の接着に先んじて
軟質接着シート3を張設するため、および後述する流体
供給手段により、軟質接着シート3とステージ6との間
に供給される流体の流出を防ぐために、軟質接着シート
3を固定する固定手段である。 従って、軟質接着シー
ト3固定時は、後述するステージ6の外周部分、あるい
はステージ6の表面上に位置せられる。The fixing frame 4 is used to stretch the soft adhesive sheet 3 prior to adhering the semiconductor wafer 1, and to prevent the fluid supplied between the soft adhesive sheet 3 and the stage 6 from flowing out by the fluid supply means described later. This is a fixing means for fixing the soft adhesive sheet 3 in order to prevent this. Therefore, when the soft adhesive sheet 3 is fixed, it is positioned on the outer peripheral portion of the stage 6, which will be described later, or on the surface of the stage 6.
固定用フレーム4は、中空部を有するフレームであり、
その中空部の形状が、後述するステージ6の表面形状と
同様であることが好ましいが、後述する引伸し手段の引
伸し方法が水平方向の場合は、ステージ6の表面形状と
同様でなくてもよい。 また、その大きさは、中空部が
後述するステージ6の表面の大きさとほぼ同じかやや大
であるのがよいが、後述する引伸し手段の引伸し方法が
水平方向の場合は、ステージ6の表面の大きさよりも小
であってもよい。 ただし、中空部は、半導体ウェハ1
より犬である。 フレームの幅は、軟質接着シート3を
固定できればよく、通常15〜20mm程度である。The fixing frame 4 is a frame having a hollow part,
It is preferable that the shape of the hollow portion is similar to the surface shape of the stage 6 described later, but it does not have to be the same as the surface shape of the stage 6 if the enlarging method of the enlarging means described later is horizontal. The size of the hollow part should be approximately the same as or slightly larger than the surface of the stage 6, which will be described later. However, if the enlarging method of the enlarging means is horizontal, It may be smaller than the size. However, the hollow part is located on the semiconductor wafer 1.
It's more like a dog. The width of the frame is sufficient as long as it can fix the soft adhesive sheet 3, and is usually about 15 to 20 mm.
固定用フレーム4は、軟質接着シート3を固定し、また
、軟質接着シート3が引伸される際には、後述する引伸
し手段のうちの拡大用リング押え10のアーム20部分
に当接される。 従って、後述するステージが円柱ある
いは角柱部分を有し、固定用フレーム4がその円柱ある
いは角柱部分の側面にそって押し下げられることによっ
て軟質接着シート3の引伸しがなされる場合は、1回で
の引伸しが可能であるので、固定用フレーム4は一部材
で作られていてよいが、ステージ6が円柱あるいは角柱
部分のかわりに円すい台あるいは角すい台部分を有し、
固定用フレーム4をその法面にそって斜め下方に押し下
げて引伸す場合や、軟質接着シート3を水平方向に引伸
す場合は、固定用フレーム4は、例えば四つに分割され
得るものである。The fixing frame 4 fixes the soft adhesive sheet 3, and when the soft adhesive sheet 3 is stretched, it comes into contact with an arm 20 portion of an enlarging ring presser 10 of the stretching means described later. Therefore, if the stage to be described later has a cylindrical or prismatic portion and the soft adhesive sheet 3 is stretched by pushing down the fixing frame 4 along the side surface of the cylindrical or prismatic portion, the stretching will be done in one go. Therefore, the fixing frame 4 may be made of one piece, but the stage 6 may have a conical or square pedestal portion instead of a cylindrical or prismatic portion,
When the fixing frame 4 is pushed diagonally downward along the slope and stretched, or when the soft adhesive sheet 3 is stretched horizontally, the fixing frame 4 can be divided into four parts, for example. .
好適実施例である第1図(b)では、固定用フレーム4
は、円状の中空部を有する環状フレームであり、その中
空部の大きさは、ステージ6の表面の大きさよりもやや
犬である。In FIG. 1(b) which is a preferred embodiment, the fixing frame 4
is an annular frame having a circular hollow part, and the size of the hollow part is slightly larger than the size of the surface of the stage 6.
尚、固定用フレーム4は、それが後述するステージ6の
外周部分に位置せられる場合、軟質接着シート3をステ
ージ6表面に固定した時から引伸しが行なわれる直前ま
での間、図示していない他の部材で支持される。In addition, when the fixing frame 4 is located on the outer periphery of the stage 6, which will be described later, the fixing frame 4 is used for other purposes (not shown) during the period from when the soft adhesive sheet 3 is fixed to the surface of the stage 6 until just before the stretching is performed. It is supported by the following members.
ステージ6は、軟質接着シート3を支持する台であり、
また、固定用フレーム4をも支持することがあり、その
表面に軟質接着シート3が敷設されるが、さらに、その
表面に、後述する減圧手段と連通ずる減圧口、および同
じく後述する流体供給手段と連通ずる流体供給口を有す
る。The stage 6 is a stand that supports the soft adhesive sheet 3,
In addition, the fixing frame 4 may also be supported, and a soft adhesive sheet 3 is laid on the surface thereof, and furthermore, a pressure reduction port communicating with a pressure reduction means described later and a fluid supply means also described later are provided on the surface. It has a fluid supply port that communicates with the fluid supply port.
ステージ6自体の形状は、軟質接着シート13が敷設さ
れる表面を構成する部分は、円柱、角柱、円すい台、角
すい台等、表面が水平で、かつ軟質接着シート3の引伸
しの際に、均一に引伸すことのできる形状が好ましいが
、特に円柱が好ましい。 また、ステージ6は、軟質
接着シート3が敷設される表面を構成する部分のみで構
成されていてもよい。The shape of the stage 6 itself is such that the surface on which the soft adhesive sheet 13 is laid is a cylinder, a prism, a cone, a rectangle, etc., and the surface is horizontal, and when the soft adhesive sheet 3 is stretched, A shape that can be stretched uniformly is preferred, and a cylinder is particularly preferred. Moreover, the stage 6 may be comprised only of the part which comprises the surface on which the soft adhesive sheet 3 is laid|laid.
好適実施例である第1図(b)では、ステージ6は、そ
の断面形状が階段状であり、小径部(軟質接着シート3
が敷設される表面を構成する部分)と大径部で構成され
ている。In FIG. 1(b), which is a preferred embodiment, the stage 6 has a stepped cross-sectional shape, and the small diameter portion (the soft adhesive sheet 3
It consists of a large diameter part (the part that constitutes the surface on which the pipe is laid) and a large diameter part.
ステージ6の大きさは、その表面の面積が、切断する半
導体ウェハ1の横断面の面積より大てあればよい。The size of the stage 6 may be such that its surface area is larger than the cross-sectional area of the semiconductor wafer 1 to be cut.
ところで、本発明の半導体ウェハの切断装置は、ステー
ジ6表面に減圧口および流体供給口を有する点に特徴が
ある。By the way, the semiconductor wafer cutting apparatus of the present invention is characterized in that it has a pressure reduction port and a fluid supply port on the surface of the stage 6.
減圧口は、後述する減圧手段と、また、流体供給口は、
後述する流体供給手段と各々連通しているが、減圧口お
よび流体供給口は、例えばステージ6に設けられたスリ
ットまたは管の開口部であり、あるいはステージの一部
をセラミックス等の多孔質材製とすることによって得ら
れる孔である。The pressure reduction port is connected to the pressure reduction means described later, and the fluid supply port is connected to the pressure reduction means described below.
The decompression port and the fluid supply port are, for example, slits or pipe openings provided in the stage 6, or a part of the stage is made of a porous material such as ceramics. This is the hole obtained by
減圧口および流体供給口は、併用でもよいし、減圧口、
流体供給口の各々を設けてもよい、 そして、減圧口は
、少なくともステージ6表面の半導体ウェハ1が載置さ
れる部分に設ければよいのであるが、軟質接着シート3
をステージ6表面に吸着、固定するのであるから、複数
個の減圧口を、均質な吸引力が働く位置に設けるのがよ
い、 また、流体供給口は、ステージ6表面中央に1個
だけでもよいし、複数個であってもよい、 複数個の場
合は、軟質接着シート3および半導体ウェハ1に均質な
流体圧がかかるような位置に設けるのがよい。The pressure reduction port and fluid supply port may be used together, or the pressure reduction port and fluid supply port may be used together.
Each of the fluid supply ports may be provided, and the pressure reduction port may be provided at least in the portion of the surface of the stage 6 where the semiconductor wafer 1 is placed.
is adsorbed and fixed to the surface of the stage 6, so it is better to provide multiple decompression ports at positions where a homogeneous suction force is applied.Furthermore, only one fluid supply port may be provided at the center of the surface of the stage 6. However, there may be a plurality of them. In the case of a plurality of them, it is preferable to provide them at a position where a uniform fluid pressure is applied to the soft adhesive sheet 3 and the semiconductor wafer 1.
減圧手段とは、例えば真空ポンプであ
る。 この減圧手段は、ステージ6表面の減圧口に連通
ずる。 ただし、本発明における減圧手段とは、真空ポ
ンプのような減圧を行なえる部材に限定されず、減圧を
行なえる部材を設置する部位のみを有し、減圧を行なえ
る部材を有さない装置における減圧を行なえる部材を設
置する部位をも指す。The pressure reducing means is, for example, a vacuum pump. This pressure reducing means communicates with a pressure reducing port on the surface of the stage 6. However, the pressure reducing means in the present invention is not limited to a member capable of reducing pressure such as a vacuum pump, and is used in equipment that has only a part where a member capable of reducing pressure is installed and does not have a member capable of reducing pressure. It also refers to the area where a member that can reduce pressure is installed.
尚、第1図(b)に示すように、ステージ6aが多孔質
材製である時、多孔質材の孔と真空ポンプ8とが、ステ
ージ6b内に設けられた通路15(減圧管に担当する)
を介して連通ずるという構成が好適である。As shown in FIG. 1(b), when the stage 6a is made of a porous material, the holes in the porous material and the vacuum pump 8 are connected to the passage 15 (in charge of the pressure reducing pipe) provided in the stage 6b. do)
It is preferable to communicate through the
流体供給手段とは、例えばポンプであり、水等の流体を
、軟質接着シート3とステージ6表面との間に、流体供
給口を介して供給できる手段である。 流体供給手段は
、ステージ6表面の流体供給口と連通ずる。The fluid supply means is, for example, a pump, and is a means that can supply fluid such as water between the soft adhesive sheet 3 and the surface of the stage 6 through a fluid supply port. The fluid supply means communicates with a fluid supply port on the surface of the stage 6.
本発明における流体供給手段とは、先に説明した減圧手
段の場合と同様に、流体を供給できる部材を設置する部
位のみを有し、流体を供給できる部材を有さない装置に
おける流体を供給できる部材を設置する部位をも指す。The fluid supply means in the present invention, as in the case of the pressure reduction means described above, has only a part where a member capable of supplying fluid is installed, and is capable of supplying fluid in an apparatus that does not have a member capable of supplying fluid. It also refers to the part where the parts are installed.
好適実施例である第1図(b)の例では、流体供給口は
減圧口と、また、流体供給口と流体供給手段(ポンプ9
)とを連通させる流体供給管である通路15は、減圧口
と減圧手段(真空ポンプ8)とを連通させる減圧管であ
る通路15と共用であり、その切り換えは、三方弁14
によっているが、減圧管と流体供給管とを別々に設けて
もよく、また、弁も、減圧手段、流体供給手段の各々に
対応させて2個設けてもよいことは勿論である。In the example of FIG. 1(b) which is a preferred embodiment, the fluid supply port is a pressure reducing port, and the fluid supply port and the fluid supply means (pump 9
) is shared with the passage 15, which is a pressure reducing pipe that communicates the pressure reducing port and the pressure reducing means (vacuum pump 8), and the switching is performed by the three-way valve 14.
However, the pressure reducing pipe and the fluid supply pipe may be provided separately, and it goes without saying that two valves may be provided, one for each of the pressure reducing means and the fluid supply means.
切断手段は、半導体ウェハ1を切断するための手段であ
るが、精密に位置決めができ、かつ所望の深さまで半導
体ウェハ1を切断できる手段であれば、半導体ウェハ1
の切断に用いられている手段のいずれであってもよい。The cutting means is a means for cutting the semiconductor wafer 1, and any means that can precisely position the semiconductor wafer 1 and cut the semiconductor wafer 1 to a desired depth can cut the semiconductor wafer 1.
Any means used for cutting may be used.
その切断方式を例示すると、ブレード・ダイシング法
、ダイヤモンド・スクライビング法、レーザー法等が挙
げられる。Examples of cutting methods include a blade dicing method, a diamond scribing method, and a laser method.
第1図(b)に示す例は、ブレード・ダイシング法の場
合であり、切断手段は、ブレード7と、図示しないブレ
ード移動機構およびブレード回転機構から構成される。The example shown in FIG. 1(b) is a blade dicing method, and the cutting means is composed of a blade 7, a blade moving mechanism, and a blade rotating mechanism (not shown).
ブレード7は、半導体ウェハ1を切断する部材であり
、ブレード移動機構は、ブレード7を方向転換させたり
、ブレード7を前後、左右に移動させる機構である。
すなわち、半導体ウェハ1上空でブレード7を方向転換
させたり、移動させて、半導体ウェハ1の切断位置にブ
レード7を位置させるための機構であるが、その具体的
駆動手段は限定されず、通常公知のものでよい。 ブレ
ード回転機構は、半導体ウェハ1切断のためにブレード
7を回転させる機構であるが、その具体的駆動手段とし
ては、モーター等があげられる。The blade 7 is a member that cuts the semiconductor wafer 1, and the blade moving mechanism is a mechanism that changes the direction of the blade 7 and moves the blade 7 back and forth and left and right.
That is, it is a mechanism for changing the direction of the blade 7 in the air above the semiconductor wafer 1 and moving the blade 7 to position the blade 7 at the cutting position of the semiconductor wafer 1, but the specific driving means thereof is not limited and is generally known. It's fine to use one. The blade rotation mechanism is a mechanism that rotates the blade 7 to cut the semiconductor wafer 1, and a motor or the like can be cited as a specific driving means thereof.
引伸し手段は、軟質接着シート4を均質に弓伸すことの
できる手段であればよく、特に限定されない。The stretching means is not particularly limited as long as it can uniformly stretch the soft adhesive sheet 4.
好適実施例である第1図(b)について説明すると、引
伸し手段は、拡大用リング5、拡大用リング押え10お
よび図示されていない拡大用リング押え10の移動のた
めの駆動機構から構成されている。 そして、同図では
、ステージ6の軟質接着シート3が敷設される表面を構
成する部分は小径の円柱状であり、その下に、大径の円
柱状部があり、ステージ6の小径の円柱状部分の外周か
ら大径の円柱状部表面にかけて、拡大用リング5が設置
されている。 この拡大用リング5にそって、円形の軟
質接着シート3が、固定用フレーム4にそのアーム20
部分で当接している拡大用リング押え10によって下方
に垂直に押し伸ばされて伸びる仕組となっている。Referring to FIG. 1(b), which is a preferred embodiment, the enlarging means is composed of an enlarging ring 5, an enlarging ring presser 10, and a drive mechanism for moving the enlarging ring presser 10 (not shown). There is. In the figure, the part of the stage 6 that constitutes the surface on which the soft adhesive sheet 3 is laid is a small-diameter cylindrical part, below which there is a large-diameter cylindrical part, and the small-diameter cylindrical part of the stage 6 is a small-diameter cylindrical part. An enlarging ring 5 is installed from the outer periphery of the portion to the surface of the large-diameter cylindrical portion. Along this expanding ring 5, a circular soft adhesive sheet 3 is attached to the fixing frame 4 on its arm 20.
It is designed to be stretched vertically downward by the enlarging ring presser 10 that is in contact with the enlarging ring.
尚、拡大用リング5や拡大用リング押え10の形状、大
きさは、ステージ6の形状、大きさに従って決められる
。 また、拡大用リング押え10の移動のための駆動機
構は限定されず、例えばモーター等でよい。The shape and size of the enlarging ring 5 and the enlarging ring presser 10 are determined according to the shape and size of the stage 6. Further, the drive mechanism for moving the enlarging ring presser 10 is not limited, and may be, for example, a motor.
他の引伸し手段として、以下のような例も可能であ、る
。As other enlargement means, the following examples are also possible.
その−例は、ステージ6の軟質接着シート3が敷設され
る表面を構成する部分を円すい台あるいは角すい台とし
、固定用フレーム4を、円すい台あるいは角すい台の法
面にそって、斜め下方に押し下げることのできる拡大用
リング押え10を用いる方法である。 この例では、拡
大用リング押え10は、それを押し下げると、そのアー
ム20部分が斜め下方に下がる構造となっている。In this example, the part constituting the surface on which the soft adhesive sheet 3 of the stage 6 is laid is a conical or square base, and the fixing frame 4 is mounted diagonally along the slope of the conical or square base. This method uses an enlargement ring presser 10 that can be pushed down. In this example, when the enlarging ring presser 10 is pushed down, the arm 20 portion of the enlargement ring presser 10 is configured to drop diagonally downward.
さらに他の例としては、軟質接着シート3を水平方向に
引伸す手段も可能である。 この例では、拡大用リング
押え10にかわる拡大用部材のアーム部分が固定用フレ
ーム4を挟み、水平方向に伸ばす構造となっていればよ
い。 この場合、ステージ6の形状は、水平表面を有す
るものであれば全く限定されないが、固定用フレーム4
は、分割し得るもの、好ましくは四分割し得るものを用
いる。Furthermore, as another example, means for stretching the soft adhesive sheet 3 in the horizontal direction is also possible. In this example, it is only necessary that the arm portions of the enlargement member, which replaces the enlargement ring presser 10, sandwich the fixing frame 4 and extend in the horizontal direction. In this case, the shape of the stage 6 is not limited at all as long as it has a horizontal surface, but the shape of the fixing frame 4
For this, use one that can be divided, preferably one that can be divided into four parts.
本発明の切断装置の各部材は、以上の通りであるが、い
ずれの部材もこれに限定されるものではなく、同様の機
能を有する他の部材と置換可能であることは勿論である
。Each member of the cutting device of the present invention is as described above, but any member is not limited to this, and it goes without saying that it can be replaced with other members having similar functions.
次に、本発明の切断装置の好適実施例の作用について、
第1図に基づいて説明する。Next, regarding the operation of the preferred embodiment of the cutting device of the present invention,
This will be explained based on FIG.
本発明においては、固定用フレーム4に張設、接着され
た軟質接着シート3に半導体ウェハ1が載置され(第1
図(a))、それと相前後して、軟質接着シート3がス
テージ6上に載置され、固定用フレーム4が図示しない
支持部材によって支持されたら、真空ポンプ8を作動さ
せる。 これにより、半導体ウェハ1が固定される(第
1図(b))。In the present invention, the semiconductor wafer 1 is placed on the soft adhesive sheet 3 stretched and adhered to the fixing frame 4 (the first
(a)), at the same time, the soft adhesive sheet 3 is placed on the stage 6, and the fixing frame 4 is supported by a support member (not shown), and then the vacuum pump 8 is activated. As a result, the semiconductor wafer 1 is fixed (FIG. 1(b)).
次に、ブレード7により、半導体ウェハ1を、所定の間
隔で切断する。 尚、この際、半導体ウェハ1の軟質接
着シート3に接着した面は連続したままとなるように、
一部を残して垂直に切断する(第1図(C)〉。Next, the semiconductor wafer 1 is cut by the blade 7 at predetermined intervals. In addition, at this time, so that the surface of the semiconductor wafer 1 bonded to the soft adhesive sheet 3 remains continuous,
Cut vertically leaving a portion (Fig. 1 (C)).
切断が終了したら、ブレード7をはじめとする切断手段
を取り外す。 次に、拡大用リング押え10を下げて固
定用フレーム4を押えると共に、三方弁14を動かし、
ステージ6a(多孔質材製)と真空ポンプ8との連絡を
遮断し、ステージ6aとポンプ9とを連通させる。 そ
して、ポンプ9から、軟質接着シート3とステージ6と
の間に流体を供給し、軟質接着シート3を持ち上げると
、流体圧により、半導体ウェハ1がペレット2に分割さ
れる(第1図(d))。After cutting is completed, the blade 7 and other cutting means are removed. Next, lower the enlarging ring presser 10 to press the fixing frame 4, and move the three-way valve 14.
The communication between the stage 6a (made of porous material) and the vacuum pump 8 is cut off, and the stage 6a and the pump 9 are made to communicate with each other. Then, when fluid is supplied from the pump 9 between the soft adhesive sheet 3 and the stage 6 and the soft adhesive sheet 3 is lifted, the semiconductor wafer 1 is divided into pellets 2 by the fluid pressure (Fig. 1(d) )).
ポンプ9により、供給した流体を吸引、回収する。 そ
の後、拡大用リング押え10を下降させると、軟質接着
シート3が引張られて伸び、よって、ペレット2同士の
間隔が広がる(第1図(e))。 尚、第1図(f)は
、第1図(d)におけるペレット2および軟質接着シー
ト3部分の拡大図である。The pump 9 sucks and collects the supplied fluid. Thereafter, when the enlarging ring presser 10 is lowered, the soft adhesive sheet 3 is stretched and stretched, thereby increasing the distance between the pellets 2 (FIG. 1(e)). Note that FIG. 1(f) is an enlarged view of the pellet 2 and soft adhesive sheet 3 portions in FIG. 1(d).
〈発明の効果〉
本発明によれば、裏面に軟質接着シートを張付けた半導
体ウェハを、軟質接着シートの引伸し手段を有する切断
装置のステージ上で、半導体ウェハの軟質接着シートに
接着した面は連続したままとなるように一部を残して切
断した後、軟質接着シートとステージとの間に流体を供
給して半導体ウェハを分割し、続いて軟質接着シートを
引き伸ばしてペレット同士を所定の間隔に離すので、半
導体ウェハを張付けた軟質接着シートを、切断装置から
拡大装置に移設する必要がなく、従って、ペレットへの
分割が終了するまで、ペレット同士の接触が無いので、
ペレットの角が欠けたり、ペレットに傷が付いたりする
ことがなく、ペレットの歩留りが向上する。<Effects of the Invention> According to the present invention, a semiconductor wafer with a soft adhesive sheet attached to the back side is cut on the stage of a cutting device having means for stretching the soft adhesive sheet, so that the surface of the semiconductor wafer bonded to the soft adhesive sheet is continuous. After cutting the wafer, leaving a portion intact, fluid is supplied between the soft adhesive sheet and the stage to divide the semiconductor wafer, and the soft adhesive sheet is then stretched to space the pellets at predetermined intervals. Since the semiconductor wafers are separated, there is no need to transfer the soft adhesive sheet to which the semiconductor wafer is pasted from the cutting device to the expanding device.Therefore, the pellets do not come into contact with each other until the separation into pellets is completed.
The pellet yield is improved without chipping of the corners of the pellets or damage to the pellets.
また、本発明によれば、半導体ウェハの切断に際し、半
導体ウェハは、その下端までの完全切断を行なわないの
で、ブレード等の切断部材が軟質接着シートの粘着剤層
に接触せず、よって切断部材の寿命が長くなり、コスト
の低減を図れると共に、切断中にペレットが軟質接着シ
ートから剥離しにくく、そのために、切断部材によって
ペレットがはじき飛ばされることがなく、従って、ペレ
ットの歩留りが向上する。Further, according to the present invention, when cutting the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is not completely cut to the lower end thereof, so the cutting member such as the blade does not come into contact with the adhesive layer of the soft adhesive sheet, and therefore the cutting member The lifespan of the sheet is extended, costs can be reduced, and the pellets are difficult to peel off from the soft adhesive sheet during cutting, so the pellets are not thrown off by the cutting member, and the yield of the pellets is improved.
第1図(a) (b) (c) (d)、(e)
および(f)は、本発明の一実施例を説明するための断
面図である。
第2図(a)、(b)、(C)および(d)および第4
図(a)および(b)は、従来のダイシングおよび拡大
方法を説明するための断面図である。
また、第3図(a) (b)および(C)は、従来
のダイシングおよび拡大方法実施時のペレットの状態を
説明するための断面図である。
符号の説明
1・・・半導体ウェハ、
2・・・ペレット、
3・・・軟質接着シート、
3a・・・粘着剤層。
3b・・・シート、
4・・・固定用フレーム、
5・・・拡大用リング、
6.6a、6b・・・ステージ、
7・・・ブレード、
8・・・真空ポンプ、
9・・・ポンプ、
10・・・拡大用リング押え、
11・・・切断溝、
14・・・三方弁、
15・・・通路、
20・・・アーム
F I G、 1
FIG、2
F f G、3Figure 1 (a) (b) (c) (d), (e)
and (f) are cross-sectional views for explaining one embodiment of the present invention. Figure 2 (a), (b), (C) and (d) and Figure 4
Figures (a) and (b) are cross-sectional views for explaining a conventional dicing and enlarging method. Moreover, FIGS. 3(a), 3(b), and 3(C) are cross-sectional views for explaining the state of pellets when performing the conventional dicing and expanding method. Explanation of symbols 1...Semiconductor wafer, 2...Pellet, 3...Soft adhesive sheet, 3a...Adhesive layer. 3b...Seat, 4...Fixing frame, 5...Enlargement ring, 6.6a, 6b...Stage, 7...Blade, 8...Vacuum pump, 9...Pump , 10... Enlargement ring holder, 11... Cutting groove, 14... Three-way valve, 15... Passage, 20... Arm F I G, 1 FIG, 2 F f G, 3
Claims (2)
導体ウェハの少なくとも該シートに接着した面を連続面
として残して垂直に切断した後、前記軟質接着シートと
該シートを設置するステージとの間に流体を供給して前
記連続面を切り、前記半導体ウェハを複数のペレットに
分割し、続いて前記軟質接着シートを引伸すことを特徴
とする半導体ウェハの切断方法。(1) After cutting a semiconductor wafer adhered to a soft adhesive sheet vertically leaving at least the side of the semiconductor wafer adhered to the sheet as a continuous surface, a gap between the soft adhesive sheet and the stage on which the sheet is installed. A method for cutting a semiconductor wafer, comprising supplying a fluid to cut the continuous surface, dividing the semiconductor wafer into a plurality of pellets, and then stretching the soft adhesive sheet.
ートと、該シートを張設するための固定手段と、該シー
トが敷設されるステージと、該シートを該ステージに吸
着させるための減圧手段と、半導体ウェハを切断する切
断手段と、該シートと該ステージとの間に流体を供給す
るための流体供給手段と、該シートを引伸すための引伸
し手段とを有し、前記ステージは、その表面に前記減圧
手段と連通する減圧口および前記流体供給手段と連通す
る流体供給口を備えてなることを特徴とする半導体ウェ
ハの切断 装置。(2) A soft adhesive sheet to which the semiconductor wafer is adhered, a fixing means for stretching the sheet, a stage on which the sheet is laid, and a decompression means for adsorbing the sheet to the stage. a cutting means for cutting the semiconductor wafer; a fluid supply means for supplying fluid between the sheet and the stage; and an enlarging means for enlarging the sheet. A semiconductor wafer cutting apparatus characterized in that a surface thereof is provided with a pressure reduction port communicating with the pressure reduction means and a fluid supply port communicating with the fluid supply means.
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JP1316097A JPH03177051A (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Method and device for cutting semiconductor wafer |
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JP1316097A JPH03177051A (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Method and device for cutting semiconductor wafer |
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JPH03177051A true JPH03177051A (en) | 1991-08-01 |
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Family Applications (1)
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