JP2002210649A - 半導体ウエハのｈａｚｅ低減化方法 - Google Patents
半導体ウエハのｈａｚｅ低減化方法Info
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- JP2002210649A JP2002210649A JP2001007463A JP2001007463A JP2002210649A JP 2002210649 A JP2002210649 A JP 2002210649A JP 2001007463 A JP2001007463 A JP 2001007463A JP 2001007463 A JP2001007463 A JP 2001007463A JP 2002210649 A JP2002210649 A JP 2002210649A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハのＨＡＺＥの低減効果を向上させる。
【解決手段】 半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法にお
いて、鏡面研磨処理に使用した研磨クロスの半導体ウエ
ハへの当接面を、弱酸性界面活性剤を添加しながらブラ
シ手段によって５〜１０回にわたりブラッシングするド
レッシング工程と、ドレッシング工程終了後の研磨クロ
スにより、半導体ウエハを鏡面研磨する研磨工程とを有
する。
いて、鏡面研磨処理に使用した研磨クロスの半導体ウエ
ハへの当接面を、弱酸性界面活性剤を添加しながらブラ
シ手段によって５〜１０回にわたりブラッシングするド
レッシング工程と、ドレッシング工程終了後の研磨クロ
スにより、半導体ウエハを鏡面研磨する研磨工程とを有
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを仕
上げ研磨する半導体ウエハ研磨方法に関するものであ
り、特に半導体ウエハのＨＡZＥを低減するための研磨
方法に関する。
上げ研磨する半導体ウエハ研磨方法に関するものであ
り、特に半導体ウエハのＨＡZＥを低減するための研磨
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶インゴットから切り出さ
れたシリコンウエハは、エッチング、ラッピング等の処
理の後、表面粗さを低減し平坦化するために鏡面研磨処
理が施される。ここで、ウエハ表面の粗さは、μｍオー
ダの波長を有する粗さ成分であるマイクロラフネスと、
ｎｍオーダの波長を有する粗さ成分であるＨＡＺＥに大
別される。このうちウエハのＨＡＺＥを低減するための
従来からの試みとしては、鏡面研磨の中の仕上げ研磨の
加工条件を最適化したり、新たな研磨クロスや研磨スラ
リー等の副資材の開発等が行われてきた。
れたシリコンウエハは、エッチング、ラッピング等の処
理の後、表面粗さを低減し平坦化するために鏡面研磨処
理が施される。ここで、ウエハ表面の粗さは、μｍオー
ダの波長を有する粗さ成分であるマイクロラフネスと、
ｎｍオーダの波長を有する粗さ成分であるＨＡＺＥに大
別される。このうちウエハのＨＡＺＥを低減するための
従来からの試みとしては、鏡面研磨の中の仕上げ研磨の
加工条件を最適化したり、新たな研磨クロスや研磨スラ
リー等の副資材の開発等が行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな研磨加工条件や研磨副資材の開発によってもウエハ
のＨＡＺＥを十分に低減することはできないという問題
がある。
うな研磨加工条件や研磨副資材の開発によってもウエハ
のＨＡＺＥを十分に低減することはできないという問題
がある。
【０００４】また、シリコンウエハ表面に付着するパー
ティクル、金属不純物等の異物を除去してウエハの高清
浄化を図るためには、パーティクルの付着度を測定する
必要があるが、数十ｎｍの粒径のパーティクルを測定に
はＨＡＺＥが大きく影響を与えている。即ち、従来の研
磨加工条件や研磨副資材の開発によるＨＡＺＥの低減の
程度では、サイズ８０ｎｍ程度のパーティクルを分離す
ることが限界であり、８０ｎｍ以下のパーティクルの検
出及び測定ができないという問題がある。
ティクル、金属不純物等の異物を除去してウエハの高清
浄化を図るためには、パーティクルの付着度を測定する
必要があるが、数十ｎｍの粒径のパーティクルを測定に
はＨＡＺＥが大きく影響を与えている。即ち、従来の研
磨加工条件や研磨副資材の開発によるＨＡＺＥの低減の
程度では、サイズ８０ｎｍ程度のパーティクルを分離す
ることが限界であり、８０ｎｍ以下のパーティクルの検
出及び測定ができないという問題がある。
【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、ウエハのＨＡＺＥ低減を向上させること
ができる半導体ウエハ研磨方法を提供することを主な目
的とする。本発明の別の目的は、ＨＡＺＥ低減を向上さ
せることにより粒径の小さなパーティクルの測定を可能
とした半導体ウエハ研磨方法を提供することである。
たものであり、ウエハのＨＡＺＥ低減を向上させること
ができる半導体ウエハ研磨方法を提供することを主な目
的とする。本発明の別の目的は、ＨＡＺＥ低減を向上さ
せることにより粒径の小さなパーティクルの測定を可能
とした半導体ウエハ研磨方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、鏡面研磨処理に使用した研
磨クロスの半導体ウエハへの当接面を、ブラシ手段によ
って所定回数ブラッシングするドレッシング工程と、前
記ドレッシング工程終了後の研磨クロスにより、半導体
ウエハを鏡面研磨する研磨工程と、を含むことを特徴と
する半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法に係るものであ
る。
め、請求項１に係る発明は、鏡面研磨処理に使用した研
磨クロスの半導体ウエハへの当接面を、ブラシ手段によ
って所定回数ブラッシングするドレッシング工程と、前
記ドレッシング工程終了後の研磨クロスにより、半導体
ウエハを鏡面研磨する研磨工程と、を含むことを特徴と
する半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法に係るものであ
る。
【０００７】この請求項１に係る発明は、本願発明者
が、半導体ウエハの鏡面研磨に使用した研磨クロスを所
定回数ブラッシングした後に、次の研磨対象の半導体ウ
エハの鏡面研磨を行うことにより（研磨対象とする半導
体ウエハの鏡面研磨の前に、研磨クロスを複数回ブラッ
シングする）、ウエハのＨＡＺＥを低減することができ
ることを発見したことに基づいたものである。
が、半導体ウエハの鏡面研磨に使用した研磨クロスを所
定回数ブラッシングした後に、次の研磨対象の半導体ウ
エハの鏡面研磨を行うことにより（研磨対象とする半導
体ウエハの鏡面研磨の前に、研磨クロスを複数回ブラッ
シングする）、ウエハのＨＡＺＥを低減することができ
ることを発見したことに基づいたものである。
【０００８】研磨クロスを、１次研磨又は２次研磨の後
に若しくは仕上げ研磨の後にブラシ手段によってだけブ
ラッシングしたり、複数回の鏡面研磨を終了した後に研
磨クロスをブラッシングすることは従来から行われてい
たが、かかるブラッシングはＨＡＺＥ低減の目的ではな
く、鏡面研磨処理に使用した研磨剤（スラリー）により
研磨クロスの目詰まりを防止するために行われていたも
のであり、必ずしもウエハのＨＡＺＥを低減させること
はできない。本発明は、鏡面研磨ごとに毎回、鏡面研磨
処理で使用した研磨クロスをブラッシングすることによ
り、研磨加工法の最適化や研磨副資材の改良等によりウ
エハのＨＡＺＥ低減を図っていた従来の方法に比べてＨ
ＡＺＥの低減を図ることが可能となる。
に若しくは仕上げ研磨の後にブラシ手段によってだけブ
ラッシングしたり、複数回の鏡面研磨を終了した後に研
磨クロスをブラッシングすることは従来から行われてい
たが、かかるブラッシングはＨＡＺＥ低減の目的ではな
く、鏡面研磨処理に使用した研磨剤（スラリー）により
研磨クロスの目詰まりを防止するために行われていたも
のであり、必ずしもウエハのＨＡＺＥを低減させること
はできない。本発明は、鏡面研磨ごとに毎回、鏡面研磨
処理で使用した研磨クロスをブラッシングすることによ
り、研磨加工法の最適化や研磨副資材の改良等によりウ
エハのＨＡＺＥ低減を図っていた従来の方法に比べてＨ
ＡＺＥの低減を図ることが可能となる。
【０００９】また、ウエハのＨＡＺＥを低減することに
より、ウエハ表面のｎｍレベルの粗さを少なくしてウエ
ハ表面を平坦化できるので、ウエハ表面に残存するパー
ティクルのうち、より小さな粒径のパーティクルの測定
（検出）が可能となり、パーティクル数測定の正確性を
得ることが可能となる。
より、ウエハ表面のｎｍレベルの粗さを少なくしてウエ
ハ表面を平坦化できるので、ウエハ表面に残存するパー
ティクルのうち、より小さな粒径のパーティクルの測定
（検出）が可能となり、パーティクル数測定の正確性を
得ることが可能となる。
【００１０】本発明におけるドレッシング工程は、鏡面
研磨終了後に研磨クロスを所定回数ブラッシングするも
のであれば良く、ブラッシングの所定回数は特に限定さ
れるものではない。
研磨終了後に研磨クロスを所定回数ブラッシングするも
のであれば良く、ブラッシングの所定回数は特に限定さ
れるものではない。
【００１１】本発明における研磨工程は、半導体ウエハ
を鏡面研磨するものであれば良いが、研磨処理の最終段
階である仕上げ研磨であることが、ＨＡＺＥの低減効果
を向上させるために好ましい。
を鏡面研磨するものであれば良いが、研磨処理の最終段
階である仕上げ研磨であることが、ＨＡＺＥの低減効果
を向上させるために好ましい。
【００１２】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法において、前記ドレ
ッシング工程は、弱酸性界面活性剤を添加しながら前記
研磨クロスをブラッシングするものであることを特徴と
する。
半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法において、前記ドレ
ッシング工程は、弱酸性界面活性剤を添加しながら前記
研磨クロスをブラッシングするものであることを特徴と
する。
【００１３】この請求項２に係る発明は、弱酸性の界面
活性剤を添加しながら研磨クロスをブラッシングするこ
とにより、半導体ウエハのＨＡＺＥ低減効果をより向上
したことを本願発明者が発見したことに基づいたもので
ある。
活性剤を添加しながら研磨クロスをブラッシングするこ
とにより、半導体ウエハのＨＡＺＥ低減効果をより向上
したことを本願発明者が発見したことに基づいたもので
ある。
【００１４】本発明で使用する界面活性剤には、弱酸性
の界面活性剤であれば任意のものを用いることができ
る。また、本発明に使用する界面活性剤を弱酸性とする
のは、鏡面研磨処理に用いる研磨剤（スラリー）がアル
カリ性であるため、弱酸性の界面活性剤により研磨クロ
ス表面を中和させるためである。
の界面活性剤であれば任意のものを用いることができ
る。また、本発明に使用する界面活性剤を弱酸性とする
のは、鏡面研磨処理に用いる研磨剤（スラリー）がアル
カリ性であるため、弱酸性の界面活性剤により研磨クロ
ス表面を中和させるためである。
【００１５】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
記載の半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法において、前
記ドレッシング工程は、前記研磨クロスのブラッシング
を２回以上繰り返し行うことを特徴とする。
記載の半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法において、前
記ドレッシング工程は、前記研磨クロスのブラッシング
を２回以上繰り返し行うことを特徴とする。
【００１６】この請求項３に係る発明は、研磨クロスの
ブラッシングを２回以上繰り返し行ったときに半導体ウ
エハのＨＡＺＥの低減効果をもっとも向上させることが
できることを本願発明者が発見したことに基づいたもの
である。ここで、ブラッシング回数（所定回数）はブラ
シ手段のサイズに応じて任意に定めることができ、例え
ば５〜１０回程度とすることができる。研磨クロスを、
１次研磨又は２次研磨の後に１回だけ、若しくは仕上げ
研磨の後にブラシ手段によって１回だけブラッシングし
たり、複数回の鏡面研磨を終了した後に研磨クロスを１
回ブラッシングすることは従来から行われていたが、か
かるブラッシングは上述のとおり研磨クロスの目詰まり
を防止するために行われていたものであるため、１回の
みのブラッシングではウエハのＨＡＺＥを低減させるこ
とはできない。本発明は、鏡面研磨ごとに毎回、鏡面研
磨処理で使用した研磨クロスを２回以上繰り返しブラッ
シングすることにより、研磨加工法の最適化や研磨副資
材の改良等によりウエハのＨＡＺＥ低減を図っていた従
来の方法に比べてＨＡＺＥの低減を図ることが可能とな
る。
ブラッシングを２回以上繰り返し行ったときに半導体ウ
エハのＨＡＺＥの低減効果をもっとも向上させることが
できることを本願発明者が発見したことに基づいたもの
である。ここで、ブラッシング回数（所定回数）はブラ
シ手段のサイズに応じて任意に定めることができ、例え
ば５〜１０回程度とすることができる。研磨クロスを、
１次研磨又は２次研磨の後に１回だけ、若しくは仕上げ
研磨の後にブラシ手段によって１回だけブラッシングし
たり、複数回の鏡面研磨を終了した後に研磨クロスを１
回ブラッシングすることは従来から行われていたが、か
かるブラッシングは上述のとおり研磨クロスの目詰まり
を防止するために行われていたものであるため、１回の
みのブラッシングではウエハのＨＡＺＥを低減させるこ
とはできない。本発明は、鏡面研磨ごとに毎回、鏡面研
磨処理で使用した研磨クロスを２回以上繰り返しブラッ
シングすることにより、研磨加工法の最適化や研磨副資
材の改良等によりウエハのＨＡＺＥ低減を図っていた従
来の方法に比べてＨＡＺＥの低減を図ることが可能とな
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、以下に図示例とともに説明する。本実施形態は、複
数のシリコンウエハを一枚ごとに順次、鏡面研磨、特に
仕上げ研磨を行うウエハ研磨装置であり、図１は、本実
施形態のウエハ研磨装置の概略構成図である。
て、以下に図示例とともに説明する。本実施形態は、複
数のシリコンウエハを一枚ごとに順次、鏡面研磨、特に
仕上げ研磨を行うウエハ研磨装置であり、図１は、本実
施形態のウエハ研磨装置の概略構成図である。
【００１８】本実施形態のウエハ研磨装置は、定盤１
と、定盤１の上面に貼付された研磨クロス３と、研磨ヘ
ッド２と、ブラシ４とを主に備えた公知の研磨装置の構
成である。定盤１はその中心周りに回転駆動機構（図示
せず）により回転可能となっている。
と、定盤１の上面に貼付された研磨クロス３と、研磨ヘ
ッド２と、ブラシ４とを主に備えた公知の研磨装置の構
成である。定盤１はその中心周りに回転駆動機構（図示
せず）により回転可能となっている。
【００１９】定盤１の上面には研磨クロス３が敷設され
おり、エッチング処理等の工程を経たシリコンウエハの
表面が当接されるようになっている。
おり、エッチング処理等の工程を経たシリコンウエハの
表面が当接されるようになっている。
【００２０】研磨ヘッド２は、シリコンウエハを保持す
るものであり、仕上げ研磨処理を実行するときに定盤側
へ下降してウエハ表面を研磨クロス３に当接させ、所定
圧力で押圧するようになっている。本実施形態のウエハ
研磨装置では、研磨対象のシリコンウエハを研磨ヘッド
２にワックスレスで吸引して保持するか、あるいはワッ
クスでウエハ裏面を貼付して保持しており、その保持方
法は特に限定されるものではない。また研磨ヘッド２
は、回転駆動機構（図示せず）によりその中心周りに回
転可能となっている。
るものであり、仕上げ研磨処理を実行するときに定盤側
へ下降してウエハ表面を研磨クロス３に当接させ、所定
圧力で押圧するようになっている。本実施形態のウエハ
研磨装置では、研磨対象のシリコンウエハを研磨ヘッド
２にワックスレスで吸引して保持するか、あるいはワッ
クスでウエハ裏面を貼付して保持しており、その保持方
法は特に限定されるものではない。また研磨ヘッド２
は、回転駆動機構（図示せず）によりその中心周りに回
転可能となっている。
【００２１】ブラシ４は、仕上げ研磨処理終了後に下降
して研磨クロス３をブラッシングするために使用され
る。尚、本実施形態のウエハ研磨装置で使用する研磨用
スラリーの成分と研磨クロス３の材質は、従来から使用
されているものであり、特に成分、材質を限定するもの
ではない。
して研磨クロス３をブラッシングするために使用され
る。尚、本実施形態のウエハ研磨装置で使用する研磨用
スラリーの成分と研磨クロス３の材質は、従来から使用
されているものであり、特に成分、材質を限定するもの
ではない。
【００２２】次にこのように構成されたウエハ研磨装置
によるウエハＨＡＺＥ低減化を目的としたウエハの仕上
げ研磨処理について説明する。
によるウエハＨＡＺＥ低減化を目的としたウエハの仕上
げ研磨処理について説明する。
【００２３】まず、仕上げ研磨終了後の研磨クロス３に
ブラシ４を当接させて、研磨クロス３上を全面に亘り移
動することによりブラッシングを行う。このとき、弱酸
性の界面活性剤希釈液を研磨クロス３上に添加しながら
ブラッシング処理を行う。この研磨クロス３のブラッシ
ングは、研磨クロス全面に亘るブラッシングを１回とし
て、全部で５〜１０回程度繰り返して実行する。
ブラシ４を当接させて、研磨クロス３上を全面に亘り移
動することによりブラッシングを行う。このとき、弱酸
性の界面活性剤希釈液を研磨クロス３上に添加しながら
ブラッシング処理を行う。この研磨クロス３のブラッシ
ングは、研磨クロス全面に亘るブラッシングを１回とし
て、全部で５〜１０回程度繰り返して実行する。
【００２４】研磨クロス３のブラッシング処理を終了し
たら、エッチング処理を終了した次のシリコンウエハを
研磨ヘッド２で保持させる。そして、研磨ヘッド２を下
降して、ウエハ表面を研磨クロス３に所定の圧力で押圧
する。そして定盤１と研磨ヘッド２を回転させることに
よりウエハの仕上げ研磨（本研磨）を行う。
たら、エッチング処理を終了した次のシリコンウエハを
研磨ヘッド２で保持させる。そして、研磨ヘッド２を下
降して、ウエハ表面を研磨クロス３に所定の圧力で押圧
する。そして定盤１と研磨ヘッド２を回転させることに
よりウエハの仕上げ研磨（本研磨）を行う。
【００２５】仕上げ研磨には、研磨用スラリーを用いて
ウエハを研磨する本研磨加工と、ウエハ研磨面に対し低
加圧若しくは無加圧でスラリーを水に切り換えて供給す
る水リンス処理（水研磨処理）があるが、本実施形態で
は、かかる本研磨終了後に、水リンス処理（水研磨処
理）を行ってから洗浄装置へ搬送するか、水リンス処理
（水研磨処理）を行わずに直ちに洗浄装置へ搬送するか
はいずれでも良い。但し、以下の研磨クロス３のブラッ
シング処理を行った研磨クロス３によって仕上げ研磨の
本研磨処理を施したウエハに、水リンス処理を行わなか
った場合の方が、最終的にＨＡＺＥの更なる低減効果を
得ることができた。
ウエハを研磨する本研磨加工と、ウエハ研磨面に対し低
加圧若しくは無加圧でスラリーを水に切り換えて供給す
る水リンス処理（水研磨処理）があるが、本実施形態で
は、かかる本研磨終了後に、水リンス処理（水研磨処
理）を行ってから洗浄装置へ搬送するか、水リンス処理
（水研磨処理）を行わずに直ちに洗浄装置へ搬送するか
はいずれでも良い。但し、以下の研磨クロス３のブラッ
シング処理を行った研磨クロス３によって仕上げ研磨の
本研磨処理を施したウエハに、水リンス処理を行わなか
った場合の方が、最終的にＨＡＺＥの更なる低減効果を
得ることができた。
【００２６】このようなウエハの仕上げ研磨処理を実行
することによって、ウエハ表面のＨＡＺＥを従来に比べ
て更に低減することができた。
することによって、ウエハ表面のＨＡＺＥを従来に比べ
て更に低減することができた。
【００２７】
【実施例】以下の表１及び表２に、ブラッシング処理を
５回又は１０回行った研磨クロスによって直径４００ｍ
ｍのシリコンウエハに対し仕上げ研磨処理を行った場合
におけるウエハ表面のＨＡＺＥの低減効果を示す。ここ
で、表１の実施例では、シリコンウエハに対して仕上げ
研磨の本研磨後に水リンス（水研磨）処理を行い、表２
の例では水リンス（水研磨）処理を行っていない。ま
た、両方の実施例において弱酸性の界面活性剤を添加し
ながら研磨クロスのブラッシングを行っている。尚、弱
酸性の界面活性剤としては、和光純薬工業（株）製ＮＣ
Ｗ６０１Ａを用いた。また、以下の表においてＨＡＺＥ
レベル、検出強度及びパーティクル数は、ＡＤＥ社製Ａ
ＷＩＳ−４００の装置で測定した。また、以下の表でＨ
ＡＺＥレベル、検出強度の単位はいずれもＡＤＥ社製Ａ
ＷＩＳ−４００固有のものであり、任意単位（Ａ．
Ｕ．）である。尚、下表では、ＨＡＺＥレベルは値が小
さくなるに従って、ウエハの面が滑らかであることを示
している。
５回又は１０回行った研磨クロスによって直径４００ｍ
ｍのシリコンウエハに対し仕上げ研磨処理を行った場合
におけるウエハ表面のＨＡＺＥの低減効果を示す。ここ
で、表１の実施例では、シリコンウエハに対して仕上げ
研磨の本研磨後に水リンス（水研磨）処理を行い、表２
の例では水リンス（水研磨）処理を行っていない。ま
た、両方の実施例において弱酸性の界面活性剤を添加し
ながら研磨クロスのブラッシングを行っている。尚、弱
酸性の界面活性剤としては、和光純薬工業（株）製ＮＣ
Ｗ６０１Ａを用いた。また、以下の表においてＨＡＺＥ
レベル、検出強度及びパーティクル数は、ＡＤＥ社製Ａ
ＷＩＳ−４００の装置で測定した。また、以下の表でＨ
ＡＺＥレベル、検出強度の単位はいずれもＡＤＥ社製Ａ
ＷＩＳ−４００固有のものであり、任意単位（Ａ．
Ｕ．）である。尚、下表では、ＨＡＺＥレベルは値が小
さくなるに従って、ウエハの面が滑らかであることを示
している。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】また、対比例として、研磨クロスのブラッ
シング処理を１回若しくはブラッシング処理を行わなか
った場合のシリコンウエハ表面のＨＡＺＥの低減効果を
表３〜６に示す。
シング処理を１回若しくはブラッシング処理を行わなか
った場合のシリコンウエハ表面のＨＡＺＥの低減効果を
表３〜６に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】
【表５】
【００３４】
【表６】
【００３５】上記の結果から分かるように、研磨クロス
のブラッシング処理を行わなかった場合及び１回のみブ
ラッシング処理を行った場合に比べて、弱酸性界面活性
剤を添加しながら５回以上のブラッシング処理を行った
場合の方がＨＡＺＥの低減効果に優れており、ブラッシ
ング回数を１０回でかつ水リンス（水研磨）処理を行わ
ない場合に、ＨＡＺＥの低減効果を最も向上させること
ができた。
のブラッシング処理を行わなかった場合及び１回のみブ
ラッシング処理を行った場合に比べて、弱酸性界面活性
剤を添加しながら５回以上のブラッシング処理を行った
場合の方がＨＡＺＥの低減効果に優れており、ブラッシ
ング回数を１０回でかつ水リンス（水研磨）処理を行わ
ない場合に、ＨＡＺＥの低減効果を最も向上させること
ができた。
【００３６】更に、表７及び表８は、パーティクル測定
数とＨＡＺＥの低減効果との関係を示すものである。表
７はＨＡＺＥの平均が０．０１９８で ＨＡＺＥの低減
効果を向上させた場合、表８はＨＡＺＥの平均が０．０
３３８でＨＡＺＥの低減効果があまり向上していない場
合である。
数とＨＡＺＥの低減効果との関係を示すものである。表
７はＨＡＺＥの平均が０．０１９８で ＨＡＺＥの低減
効果を向上させた場合、表８はＨＡＺＥの平均が０．０
３３８でＨＡＺＥの低減効果があまり向上していない場
合である。
【００３７】
【表７】
【００３８】
【表８】
【００３９】表８に示すように、ＨＡＺＥの低減効果が
得られない場合には、サイズ８０ｎｍ未満の微小パーテ
ィクルがノイズに隠れてしまい、サイズ６０〜８０ｎｍ
の範囲のパーティクル数の測定は不可能であった。しか
し、表７に示すようにウエハのＨＡＺＥ低減効果を向上
させた場合には、サイズ８０ｎｍ未満の微小パーティク
ルが現れ、サイズ６０〜８０ｎｍの範囲のパーティクル
数の測定が可能となった。
得られない場合には、サイズ８０ｎｍ未満の微小パーテ
ィクルがノイズに隠れてしまい、サイズ６０〜８０ｎｍ
の範囲のパーティクル数の測定は不可能であった。しか
し、表７に示すようにウエハのＨＡＺＥ低減効果を向上
させた場合には、サイズ８０ｎｍ未満の微小パーティク
ルが現れ、サイズ６０〜８０ｎｍの範囲のパーティクル
数の測定が可能となった。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
研磨加工法の最適化や研磨副資材の改良等によりウエハ
のＨＡＺＥ低減を図っていた従来の方法に比べて、ウエ
ハのＨＡＺＥ低減効果を向上させることができるという
効果を有する。また、本発明によれば、ウエハのＨＡＺ
Ｅの低減効果を向上させることにより、微小パーティク
ルの検出が可能となり、パーティクル数測定の正確性を
得られるという効果を有する。
研磨加工法の最適化や研磨副資材の改良等によりウエハ
のＨＡＺＥ低減を図っていた従来の方法に比べて、ウエ
ハのＨＡＺＥ低減効果を向上させることができるという
効果を有する。また、本発明によれば、ウエハのＨＡＺ
Ｅの低減効果を向上させることにより、微小パーティク
ルの検出が可能となり、パーティクル数測定の正確性を
得られるという効果を有する。
【図１】本実施形態のウエハ研磨装置の概略構成図であ
る。
る。
１：研磨定盤 ２：研磨ヘッド ３：研磨クロス ４：ブラシ Ｗ：シリコンウエハ
フロントページの続き (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA19 AC04 CA01 DA17
Claims (3)
- 【請求項１】 鏡面研磨処理に使用した研磨クロスの半
導体ウエハへの当接面を、ブラシ手段によって所定回数
ブラッシングするドレッシング工程と、 前記ドレッシング工程終了後の研磨クロスにより、半導
体ウエハを鏡面研磨する研磨工程と、を含むことを特徴
とする半導体ウエハのＨＡＺＥ低減化方法。 - 【請求項２】 前記ドレッシング工程は、弱酸性界面活
性剤を添加しながら前記研磨クロスをブラッシングする
ものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウ
エハのＨＡＺＥ低減化方法。 - 【請求項３】 前記ドレッシング工程は、前記研磨クロ
スのブラッシングを２回以上繰り返し行うことを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体ウエハのＨＡＺＥ低
減化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001007463A JP2002210649A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | 半導体ウエハのｈａｚｅ低減化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001007463A JP2002210649A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | 半導体ウエハのｈａｚｅ低減化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002210649A true JP2002210649A (ja) | 2002-07-30 |
Family
ID=18875210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001007463A Pending JP2002210649A (ja) | 2001-01-16 | 2001-01-16 | 半導体ウエハのｈａｚｅ低減化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002210649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500087A (ja) * | 2003-05-29 | 2007-01-11 | ティービーダブリュ インダストリーズ，インコーポレーテッド | 開口部を備えたコンディショニングディスクを利用する真空補助パッドコンディショニングシステム及び方法 |
-
2001
- 2001-01-16 JP JP2001007463A patent/JP2002210649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500087A (ja) * | 2003-05-29 | 2007-01-11 | ティービーダブリュ インダストリーズ，インコーポレーテッド | 開口部を備えたコンディショニングディスクを利用する真空補助パッドコンディショニングシステム及び方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
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