JP2002208865A - 高周波回路 - Google Patents

高周波回路

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JP2002208865A
JP2002208865A JP2001003308A JP2001003308A JP2002208865A JP 2002208865 A JP2002208865 A JP 2002208865A JP 2001003308 A JP2001003308 A JP 2001003308A JP 2001003308 A JP2001003308 A JP 2001003308A JP 2002208865 A JP2002208865 A JP 2002208865A
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phase correction
pin diode
noise amplifier
correction circuit
bypass
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JP2001003308A
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Yasuteru Asakawa
恭輝 浅川
Michio Tsuneoka
道朗 恒岡
Toshiharu Norikane
俊治 則包
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 移動体通信やパソコン通信などに用いられる
高周波機器において、高周波機器の受信特性の劣化を防
止することを目的とする。 【解決手段】 バイパス切替え機能付きのローノイズア
ンプ、PINダイオード、コンデンサ、コイル、抵抗に
よる位相補正回路で構成され、バイパス切替え機能付き
のローノイズアンプの出力側に位相補正用の回路を構成
し、バイパス時とアンプ時で、位相補正回路への経路を
PINダイオードで切替えることにより、バイパス時と
アンプ時の通過位相変化量を補正することができ、瞬間
的に位相が大きく変化することで発生するビットエラー
等の受信特性の劣化を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信やパソ
コン通信などに用いられる高周波回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、ローノイズアンプで利得制御をす
る場合、ローノイズアンプの前段に可変アッテネータを
組み合わせる方法と、バイパス切替え機能付きのローノ
イズアンプを使用する2つの方法が用いられていた。
【0003】これらのローノイズアンプを使用した場合
のブロック図を図8と図9に示す。
【0004】図8は従来の受信系のフロントエンド部の
一部である。図8においてバイパス機能付きローノイズ
アンプ1の出力はバンドパスフィルタ2に入力される。
このとき、ローノイズアンプ1は弱電界時にはアンプと
して動作し、強電界時にはバイパスに切替え、アンプの
電源をOFFとすることで低消費電流化を実現してい
る。
【0005】図9はローノイズアンプ3の前段に可変ア
ッテネータ4を構成したものであり、電界の強度に応じ
て可変アッテネータ4の減衰量を連続的に変化させるも
のである。可変アッテネータ4を使用することにより、
無線部の特性を細かく制御でき、電界強度に関わらず、
安定した特性が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では、バイパス機能付きローノイズアンプ1の切替え
時に、アンプを通した場合とバイパスを通した場合では
通過位相が異なり、この位相差により、瞬間的にシステ
ムとしてのビットエラーが大きくなり、無線特性に影響
を与えるという問題を有していた。
【0007】また、可変アッテネータ4とローノイズア
ンプの組み合わせによる構成では、瞬間的に大きな位相
変化は発生しないために、システムのビットエラーが瞬
間的に劣化することは無いが、強電界時にもローノイズ
アンプに電流が流れているために、待受け時間、通話時
間が短くなるという問題を有していた。
【0008】特に第3世代と呼ばれる移動体関連機器に
おいては、システム上、位相変化量の変化が深刻な影響
を与える場合がある。
【0009】本発明は、このような問題点を解決するも
ので、バイパス機能付きローノイズアンプの位相補正回
路を提供し、受信特性の劣化を防止することを目的とし
たものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の高周波回路は、バイパス切替え機能付きのロ
ーノイズアンプ、PINダイオード、コンデンサ、コイ
ル、抵抗による位相補正回路で構成され、バイパス切替
え機能付きのローノイズアンプの出力側に位相補正用の
回路を構成し、バイパス時とアンプ時で、位相補正回路
への経路をPINダイオードで切替えることにより、バ
イパス時とアンプ時の通過位相変化量を補正したもので
ある。
【0011】これにより高周波無線器の受信特性の劣化
を防止することが実現できる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、バイパス切替え機能付きのローノイズアンプ、PI
Nダイオード、コンデンサ、コイル、抵抗による位相補
正回路で構成され、バイパス切替え機能付きのローノイ
ズアンプの出力側に位相補正用の回路を構成し、バイパ
ス時とアンプ時で、位相補正回路への経路をPINダイ
オードで切替えることにより、バイパス時とアンプ時の
通過位相変化量を補正したものであり、アンプ時とバイ
パス時の切替え時に発生する瞬間的な位相変化によるビ
ットエラーレートの増加を防ぐことが可能となる。
【0013】請求項2に記載の発明は、ローノイズアン
プの出力側にDCカット用のコンデンサを介してPIN
ダイオードのアノード側を接続し、カソード側は電流経
路用の抵抗とDCカット用のコンデンサを含んだ位相補
正回路でそれぞれ接地したことを特徴とする請求項1記
載の高周波回路であり、信号経路に対して、コンデンサ
を接地することで位相変化量を補正する場合に有効であ
る。
【0014】請求項3に記載の発明は、ローノイズアン
プの出力側にDCカット用のコンデンサを介してPIN
ダイオードのアノード側を接続し、カソード側は電流経
路用の抵抗で接地する経路と、DCカット用のコンデン
サを含む位相補正回路を構成する経路に分岐し、この位
相補正回路をローノイズアンプの出力の信号経路に並列
に接続したことを特徴とする請求項1記載の高周波回路
であり、信号経路に直列に入る容量またはインダクタン
スにより位相変化量を補正する場合に有効である。
【0015】請求項4に記載の発明は、PINダイオー
ドの電流経路用の抵抗をアノード側にバイアス抵抗とし
て構成し、カソード側を電流経路用のチョークコイルで
接地したことを特徴とする請求項2記載の高周波回路で
あり、信号経路に対して、コンデンサを接地することで
位相変化量を補正する場合の切替え時間を短縮すること
ができる。
【0016】請求項5に記載の発明は、PINダイオー
ドの電流経路用の抵抗をアノード側にバイアス抵抗とし
て構成し、カソード側を電流経路用のチョークコイルで
接地したことを特徴とする請求項3記載の高周波回路で
あり、信号経路に直列に入る容量またはインダクタンス
により位相変化量を補正する場合の切替え時間を短縮で
きる。
【0017】請求項6に記載の発明は、PINダイオー
ドの電源経路にPチャンネルのFETまたは、PNPト
ランジスタを構成し、PINダイオードの切替えのロジ
ックを反転したことを特徴とする請求項1記載の高周波
回路であり、位相補正回路をアンプ時に動作させるか、
バイパス時に動作させるかを任意に設定できるようにな
る。このため、位相補正が容易となる。
【0018】請求項7に記載の発明は、バイパス切替え
機能付きのローノイズアンプ、SPDTスイッチ、コン
デンサ、コイル、抵抗による位相補正回路で構成され、
バイパス切替え機能付きのローノイズアンプの出力側に
位相補正用の回路を構成し、バイパス時とアンプ時で、
位相補正回路への経路をSPDTスイッチで切替えるこ
とにより、バイパス時とアンプ時の通過位相変化量を補
正したことを特徴とする高周波回路であり、回路の簡略
化が可能となる。
【0019】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図7を用いて説明する。
【0020】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1を示す高周波回路のブロック図である。図1に示す
ごとく、バイパス機能付きローノイズアンプ1の出力に
はDCカット用のコンデンサ6を介してPINダイオー
ド5のアノード側を接続している。PINダイオード5
のカソード側は電流経路用の抵抗8と位相補正回路9で
接地されている。PINダイオードのコントロール電源
経路にはチョークコイル7が入っており、信号経路には
影響を与えない構造となっている。位相補正回路を通っ
た信号は次のブロックであるバンドパスフィルタ2に入
る。
【0021】図1において、コントロール電圧がHiの
とき、PINダイオード5がONとなり、信号経路に対
して、位相補正回路9が接地される。逆に、コントロー
ル電圧をLowとするとPINダイオードはOFFとな
り、信号経路に対して開放となる。このコントロール電
圧の制御を、バイパス機能付きローノイズアンプの切替
え用コントロール電圧と連動することにより、バイパス
時とアンプ時の切替え時の位相変化量を補正することが
できる。
【0022】(実施の形態2)図2は本発明の実施の形
態2を示す高周波回路のブロック図であり、図10は本
発明の実施の形態2を説明するためのスミスチャートで
ある。図2に示すごとく、バイパス機能付きローノイズ
アンプ1の出力にはDCカット用のコンデンサ6を介し
てPINダイオード5のアノード側を接続している。P
INダイオード5のカソード側は電流経路用の抵抗8と
位相補正用のコンデンサ10で接地されている。PIN
ダイオードのコントロール電源経路にはチョークコイル
7が入っており、信号経路には影響を与えない構造とな
っている。位相補正用のコンデンサ10を通った信号は
次のブロックであるバンドパスフィルタ2に入る。
【0023】図2において、コントロール電圧がHiの
とき、PINダイオード5がONとなり、信号経路に対
して、コンデンサ10が接地される。逆に、コントロー
ル電圧をLowとするとPINダイオードはOFFとな
り、信号経路に対して、コンデンサ10は開放となる。
このコントロール電圧の制御を、バイパス機能付きロー
ノイズアンプの切替え用コントロール電圧と連動するこ
とにより、バイパス時とアンプ時の切替え時の位相変化
量を補正することができる。
【0024】図10は本発明の実施の形態における、出
力インピーダンス特性を示すスミスチャートである。
【0025】例えば、アンプ時とバイパス時で入力イン
ピーダンスが変化しないとすると、通過位相変化量は、
出力インピーダンスの位相により決定される。
【0026】すなわち、スミスチャートにおいてアンプ
時とバイパス時の位相が放射直線上にあれば、位相変化
は無いことになる。
【0027】図10においてアンプ時の出力インピーダ
ンスが点13にあったとする。
【0028】このとき、バイパス時の出力インピーダン
スが点14にあったとすると、本実施の形態2の位相補
正回路を用いることで、出力がコンデンサ10で接地さ
れるため、出力インピーダンスを点15の方向に移動さ
せることができる。移動させる量はコンデンサの容量で
決まり、容量が大きいほど移動する量は大きくなるの
で、最適な容量で接地することが必要である。
【0029】ここで注意が必要なのは、補正した点が円
の中心から離れると電力の損失が大きくなるので、円の
中心に近づく方向となるよう補正することが必要であ
る。
【0030】以上の点から、この例では、本実施の形態
はバイパス時の出力インピーダンスがスミスチャートの
開放側(右半円)にある場合は、特に有効である。
【0031】ただし、アンプ時のインピーダンスの位置
により、補正するインピーダンスの方向が変わってくる
ため、あくまでも一例であり、全ての場合にこの回路構
成が有効とは限らない。
【0032】(実施の形態3)図3は本発明の実施の形
態3を示す高周波回路のブロック図であり、図11は本
実施の形態における、出力インピーダンス特性を示すス
ミスチャートである。図3に示すごとく、ローノイズア
ンプ1の出力側にDCカット用のコンデンサ6を介して
PINダイオード5のアノード側を接続し、カソード側
は電流経路用の抵抗8で接地する経路と、DCカット用
のコンデンサを含む位相補正回路9を構成する経路に分
岐し、この位相補正回路がローノイズアンプの出力の信
号経路に並列に接続されている。本実施の形態3による
と、PINダイオード5がONのときは信号経路のコイ
ルと位相補正回路9に含まれるコイルが合成され、信号
経路のインダクタンスは小さくなる。逆にPINダイオ
ード5がOFFのときは、PINダイオード5は開放と
なり、信号経路の直列インダクタンスは信号経路のコイ
ルにより決定される。このインダクタンス変化による位
相変化を、バイパス機能付きローノイズアンプの切替え
用コントロール電圧と連動することにより、バイパス時
とアンプ時の切替え時の位相変化量を補正することがで
きる。
【0033】図11においてアンプ時の出力インピーダ
ンスが点13にあったとする。
【0034】このとき、バイパス時の出力インピーダン
スが点14にあったとすると、本実施の形態2の位相補
正回路を用いることで、直列のインダクタ成分が小さく
なるため、出力インピーダンスを点15の方向に移動さ
せることができる。
【0035】ここで注意が必要なのは、補正した点が円
の中心から離れると電力の損失が大きくなるので、円の
中心に近づく方向となるよう補正することが必要であ
る。
【0036】例えば、実施の形態2の回路で補正した場
合、出力インピーダンスが点16の位置となり、円の中
心から離れてしまう。このため、通過損失が大きくな
る。
【0037】以上の点から、本実施の形態はバイパス時
の出力インピーダンスがスミスチャートの短絡側(左半
円)にある場合は、特に有効である。
【0038】ただし、アンプ時のインピーダンスの位置
により、補正するインピーダンスの方向が変わってくる
ため、あくまでも一例であり、全ての場合にこの回路構
成が有効とは限らない。
【0039】(実施の形態4)図4は本発明の実施の形
態4を示す高周波回路のブロック図であり、図4に示す
ごとく、バイパス機能付きローノイズアンプ1の出力に
はDCカット用のコンデンサ6を介してPINダイオー
ド5のアノード側を接続している。PINダイオード5
のカソード側はチョークコイル7と位相補正用のコンデ
ンサ10で接地されている。PINダイオードのコント
ロール電源経路にはバイアス用の抵抗8が入っており、
信号経路には影響を与えない構造となっている。位相補
正用のコンデンサ10を通った信号は次のブロックであ
るバンドパスフィルタ2に入る。
【0040】図4において、コントロール電圧がHiの
とき、PINダイオード5がONとなり、信号経路に対
して、コンデンサ10が接地される。逆に、コントロー
ル電圧をLowとするとPINダイオードはOFFとな
り、信号経路に対して、コンデンサ10は開放となる。
このコントロール電圧の制御を、バイパス機能付きロー
ノイズアンプの切替え用コントロール電圧と連動するこ
とにより、バイパス時とアンプ時の切替え時の位相変化
量を補正することができる。
【0041】実施の形態2との違いはPINダイオード
の電流経路用の抵抗をカソード側からアノード側へ移し
た点であり、カソード側はチョークコイルで接地してい
る。ダイオードの切替え時間は、逆回復時間に依存して
おり、時定数の大きな抵抗は、カソード側に構成するよ
りも、アノード側に構成したほうが短時間で切替えが可
能となる。よつて短時間で位相補正回路の切替えが可能
となる。
【0042】切替え時間を短縮するには、実施の形態4
において、バイアス抵抗に並列スピードアップコンデン
サを構成する方法も有効である。
【0043】図5も同様に、実施の形態3における位相
補正回路のPINダイオードの電流経路用抵抗を、カソ
ード側からアノード側へ移した構成であり、カソード側
はチョークコイルで接地している。図5の構成でも図4
と同様の理由により、同様の効果が得られる。
【0044】(実施の形態5)図6は本発明の実施の形
態5を示す高周波回路のブロック図であり、図6に示す
ごとく、バイパス機能付きローノイズアンプ1の出力に
はDCカット用のコンデンサ6を介してPINダイオー
ド5のアノード側を接続している。PINダイオード5
のカソード側はバイアス用抵抗8と位相補正回路9で接
地されている。PINダイオードのコントロール電源経
路にはPチャンネルのFETまたは、PNPトランジス
タ11を構成し、PINダイオードの切替えのロジック
を反転した後に、チョークコイル7が入っており、電源
経路は信号経路には影響を与えない構成となっている。
位相補正回路9用のコンデンサを通った信号は次のブロ
ックであるバンドパスフィルタ2に入る。
【0045】実施の形態1と異なる点はPINダイオー
ド5のコントロール電源にロジック反転用のPチャンネ
ルのFETまたは、PNPトランジスタ11を構成した
点である。こうすることで、位相補正回路をアンプ時に
動作させるか、バイパス時に動作させるかをFETまた
はトランジスタの有無で任意に設定できるため、位相補
正が容易となる。
【0046】(実施の形態6)図7は本発明の実施の形
態6を示す高周波回路のブロック図である。図7に示す
ごとく、バイパス機能付きローノイズアンプ1の出力は
DCカット用のコンデンサ6を介してSPDTスイッチ
12の入力側と接続している。SPDTスイッチ12の
出力側は電流経路用の抵抗8と位相補正回路で接地され
ている。SPDTスイッチのコントロール電圧端子にチ
ョークコイル等は不要であり、素子の削減が図れる。
【0047】図7において、コントロール電圧がHiの
とき、SPDTスイッチがONとなり、信号経路に対し
て、位相補正回路9が接地される。逆に、コントロール
電圧をLowとするとSPDTスイッチ12は別の開放
端子に接続するために、位相補正回路と信号経路は接続
しない。このコントロール電圧の制御を、バイパス機能
付きローノイズアンプの切替え用コントロール電圧と連
動することにより、バイパス時とアンプ時の切替え時の
位相変化量を補正することができる。
【0048】また、一般にSPDTスイッチ12はコン
トロール端子が2つあり、接続を変えることで、ロジッ
クを反転することができる。このため、実施の形態5で
使用したPチャンネルのEFT、またはPNPトランジ
スタを使用する必要が無く、部品点数の削減が可能とな
る。
【0049】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、バイパス
切替え機能付きのローノイズアンプ、PINダイオー
ド、コンデンサ、コイル、抵抗による位相補正回路で構
成され、バイパス切替え機能付きのローノイズアンプの
出力側に位相補正用の回路を構成し、バイパス時とアン
プ時で、位相補正回路への経路をPINダイオードで切
替えることにより、バイパス時とアンプ時の通過位相変
化量を補正が可能となり、バイパス機能付きアンプの切
替え時における、受信特性の劣化を防止することが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1による高周波回路を示す
ブロック図
【図2】本発明の実施の形態2による高周波回路を示す
ブロック図
【図3】本発明の実施の形態3による高周波回路を示す
ブロック図
【図4】本発明の実施の形態4による高周波回路の第1
の例を示すブロック図
【図5】本発明の実施の形態4による高周波回路の第2
の例を示すブロック図
【図6】本発明の実施の形態5による高周波回路を示す
ブロック図
【図7】本発明の実施の形態6による高周波回路を示す
ブロック図
【図8】従来の高周波回路の第1の例を示すブロック図
【図9】従来の高周波回路の第2の例を示すブロック図
【図10】実施の形態2によるスミスチャート
【図11】実施の形態3によるスミスチャート
【符号の説明】
1 バイパス機能付きローノイズアンプ 2 バンドパスフィルタ 3 ローノイズアンプ 4 可変アッテネータ 5 PINダイオード 6 DCカット用コンデンサ 7 チョークコイル 8 抵抗 9 位相補正回路 10 コンデンサ 11 PNPトランジスタ 12 SPDTスイッチ 13 アンプ時のインピーダンス 14 バイパス時のインピーダンス(補正回路無し) 15 バイパス時のインピーダンス(補正回路有り) 16 バイパス時のインピーダンス(異なる補正回路有
り)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 則包 俊治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5J092 AA01 AA41 AA51 CA26 FA18 HA02 HA09 HA19 HA39 KA16 KA44 SA13 TA01 TA05 VL02 5J100 AA00 BA01 BC08 CA03 CA05 CA07 CA09 CA12 CA31 FA02 5K052 AA14 BB02 BB16 DD25 GG03 GG04 GG13 GG31 GG32 5K062 AA01 AB06 AC01 AD04 AE06 BA01 BA03 BA06 BB02 BB03 BB09

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バイパス切替え機能付きのローノイズア
    ンプ、PINダイオード、及びコンデンサ、コイル、抵
    抗による位相補正回路で構成され、バイパス切替え機能
    付きのローノイズアンプの出力側に位相補正回路を構成
    し、バイパス時とアンプ時で、位相補正回路への経路を
    PINダイオードで切替えることにより、バイパス時と
    アンプ時の通過位相変化量を補正したことを特徴とする
    高周波回路。
  2. 【請求項2】 ローノイズアンプの出力側にDCカット
    用のコンデンサを介してPINダイオードのアノード側
    を接続し、カソード側は電流経路用の抵抗とDCカット
    用のコンデンサを含んだ位相補正回路でそれぞれ接地し
    たことを特徴とする請求項1記載の高周波回路。
  3. 【請求項3】 ローノイズアンプの出力側にDCカット
    用のコンデンサを介してPINダイオードのアノード側
    を接続し、カソード側は電流経路用の抵抗で接地する経
    路と、DCカット用のコンデンサを含む位相補正回路を
    構成する経路に分岐し、この位相補正回路をローノイズ
    アンプの出力の信号経路に並列に接続したことを特徴と
    する請求項1記載の高周波回路。
  4. 【請求項4】 PINダイオードの電流経路用の抵抗を
    アノード側にバイアス抵抗として構成し、カソード側を
    電流経路用のチョークコイルで接地したことを特徴とす
    る請求項2記載の高周波回路。
  5. 【請求項5】 PINダイオードの電流経路用の抵抗を
    アノード側にバイアス抵抗として構成し、カソード側を
    電流経路用のチョークコイルで接地したことを特徴とす
    る請求項3記載の高周波回路。
  6. 【請求項6】 PINダイオードの電源経路にPチャン
    ネルのFETまたは、PNPトランジスタを構成し、P
    INダイオードの切替えのロジックを反転したことを特
    徴とする請求項1記載の高周波回路。
  7. 【請求項7】 バイパス切替え機能付きのローノイズア
    ンプ、SPDTスイッチ、コンデンサ、コイル、抵抗に
    よる位相補正回路で構成され、バイパス切替え機能付き
    のローノイズアンプの出力側に位相補正用の回路を構成
    し、バイパス時とアンプ時で、位相補正回路への経路を
    SPDTスイッチで切替えることにより、バイパス時と
    アンプ時の通過位相変化量を補正したことを特徴とする
    高周波回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6680647B2 (en) * 2001-12-13 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Low noise amplifier circuit with phase matched switch topology
JP2011229083A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Renesas Electronics Corp 無線通信装置、無線受信方法及びプログラム

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