JP2002196502A

JP2002196502A - 露光方法

Info

Publication number: JP2002196502A
Application number: JP2001316177A
Authority: JP
Inventors: Takao Terabayashi; 隆夫寺林; Hidemi Sato; 秀己佐藤; Hideaki Tanaka; 秀明田中; Yoshitada Oshida; 良忠押田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-03-22
Filing date: 2001-10-15
Publication date: 2002-07-12

Abstract

(57)【要約】【目的】断面積が小さく高エネルギ密度をもつレーザ光
により、大面積領域を能率よくマスク投影加工する。【構成】マスク上のパターンを試料面に投影加工するレ
ーザ加工用光学装置で、投影レンズ３に対しマスク１と
試料２を対向設置する機構と、レーザ光４をマスク面上
に走査する手段とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、細く集光し高エネルギ
密度化したレーザ光を用い、上記レーザ光の断面寸法よ
りも広い加工面積領域をもつ材料を、高能率に加工する
レーザ加工用光学装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光のエネルギを利用して材料を除
去加工する最も一般的な方法としては、従来、レーザ光
を細く絞りエネルギ密度を高めた状態で試料面に照射
し、照射部を熱的あるいは化学的作用によって局部的に
除去する方法がある。また、エス、ピー、アイ、イー、
９８８巻（１９８８）第１７頁から第２３頁（SPIE、Vo
l.988（1988）pp17-23）に開示されているように、加工
パターンを設けたマスクの像を試料面上に投影すること
で、レーザ光の断面積に相当するか、あるいはそれを光
学的に拡大または縮小した面積領域を、一度で加工する
方法がある。さらにエキシマレーザ露光のように、光反
応性が高い材料に対してレーザ光の断面積を大きく拡大
し、レチクル上の加工パターン像を広い範囲にわたって
一括投影加工する寸法などもある。しかしながら、一般
にレーザエネルギにより光反応性を持たない任意の材料
を加工する場合、材料が除去されるためのエネルギ密度
の値にしきい値がある。したがって、上記マスクを用い
て除去加工する方法において、一度に加工する面積を大
きく取るためレーザ光の横断面積を広げると、エネルギ
密度が低下して材料が加工されなくなることからビーム
拡大面積には自ずから制約を生じる。このため、マスク
上のパターンを試料面に投影して除去加工する方法を加
工パターンの面積が大きいものに対して適用する場合
は、小面積のレーザ光により局所領域を加工した後、マ
スクと試料を移動して別の領域を加工するいわゆるステ
ップアンドリピート方式がとられることが常であり、レ
ーザ光を動かしたり、レーザ光に対して相対的にマスク
と試料を動かす方法は用いられていなかった。

【０００３】一方、大面積の加工パターンをレーザ光を
用いて加工する方法としては、ケミトロニクス、４（１
９８９年９月）第１４９頁から第１５２頁（CHEMITRONI
CS,Vol 4（1989.9）pp149-152）に記載されているよう
に、光化学的露光法により試料面上に金属薄膜マスクを
形成し、その上に絞ったレーザ光を照射した状態で試料
を移動しながら材料を加工し、その後上記マスクを化学
的にエッチングして除去する方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来方法は、加工
能率がよいがマスクを形成するための光化学的露光工程
とその除去工程とが必要なため、プロセス全体としてみ
ると時間がかかり、また材料を除去するのと同じエネル
ギ密度のレーザ光が上記マスクにも照射されるため、マ
スクの損傷を生じやすいという問題がある。

【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の欠点をな
くし、高いエネルギ密度をもつレーザ光を用いて、マス
ク上に形成された加工パターンが広い面積を試料面上に
投影し、試料面を能率よく加工するためのレーザ加工用
光学装置を得ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は、マスク面上
に形成した加工パターンを投影レンズを用いて試料面上
に投影することにより、上記試料面を加工パターンに做
って加工するレーザ加工用光学装置において、投影レン
ズを挾みマスクと試料とが互いに光学的結像関係を保つ
ように対向して設置可能な機構と、入射レーザ光をマス
ク面上で二次元に走査するための光学的手段を備えるこ
とにより達成できる。

【０００７】

【作用】本発明の基本概念を図１に示す。図１（ａ）は
マスクと試料を固定してレーザ光を走査することで大面
積領域を加工するための光学系の基本レイアウトを示
し、（ｂ）はレーザ光を固定してマスクと試料を一体で
移動走査することで、大面積領域を加工するための光学
系レイアウトをそれぞれ示している。図において、１は
加工パターンが形成されたマスク、２は試料、３はマス
ク上の加工パターン像を試料面に投影するための投影レ
ンズ、４はレーザ光、５は試料台、６は入射レーザ光の
方向を変えるためのプリズムもしくはミラー、７は投影
レンズ３′を出たレーザ光の方向を変えるとともに、試
料面上に投影されるマスク像の向きをマスクと同じ方向
にするための変換光学系、３′はマスク上の加工パター
ン像を試料面へ１：１投影するための投影レンズをそれ
ぞれ表わしている。

【０００８】図１（ａ）においては、マスク１と試料２
を位置合わせしたのち、上記マスク１に垂直でかつ投影
レンズ３の光軸に平行に入射するレーザ光４を、別に設
けた駆動系により例えば矢印のようにマスク面上を走査
するように動かすことで、マスク面上の加工パターンが
試料面に投影される。

【０００９】つぎに図１（ｂ）においては、マスク１と
試料２とは同じ試料台５に搭載される。マスク１を通過
したレーザ光４がプリズム６や投影レンズ３′を通過す
るときに像の反転や倒置を生じるが、それを変換光学系
７により元のマスク１と同じ向きで試料面２に投影する
ようにし、かつ投影レンズ３′を１：１投影レンズにし
ておけば、ビーム４を固定して試料台５のみを別に設け
た駆動系で移動走査することにより、マスク１面上の加
工パターンを試料２の面上に投影できる。

【００１０】

【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図２は本発明によるレーザ加工用光学装置の第１実
施例を示す図、図３は上記実施例のビーム分割用９面体
プリズムの説明図、図４は上記９面体プリズムにより分
割されたレーザ光の再重畳と重畳点でのエネルギ密度分
布を示す図、図５は上記分割されたレーザ光の各要素光
路の概要を示す図、図６は投影レンズ表面におけるレー
ザ光の状態を示す図、図７はマスクの構造を示す図、図
８は本発明によるレーザ加工用光学装置の第２実施例を
示す図、図９は本発明の第３実施例を示す図、図１０は
本発明の第４実施例を示す図、図１１は本発明の第５実
施例を示す図、図１２は本発明の第６実施例を示す図、
図１３は本発明の第７実施例を示す図、図１４は本発明
の第８実施例を示す図、図１５は本発明の第９実施例を
示す図、図１６は本発明の第１０実施例を示す図、図１
７は本発明の第１１実施例を示す図である。

【００１１】第１実施例図２に示す本発明の第１実施例は、大口径両テレセント
リック光学系とプリズムとの組合せにより、エキシマレ
ーザ光を用いてマスク上の加工パターン像を広い範囲に
わたり試料面に投影して加工するものである。図におい
て、９はレーザ発振器、１０はビーム拡大系、１１はビ
ーム分割用多面体プリズム、１２は開口絞り、１３は集
光レンズ、１４はテレセントリックレンズ、１５は組合
せプリズム、１６は入射角補正レンズをそれぞれ意味す
る。

【００１２】レーザ発振器９を出た長方形断面のエキシ
マレーザ光４をビーム拡大系１０により正方形に拡大整
形したのち、多面体プリズム１１、開口絞り１２、集光
レンズ１３、テレセントリックレンズ１４を通り、組合
せプリズム１５に至る。さらに、上記組合せプリズム１
５を出たレーザ光４は、入射角補正レンズ１６を経て表
面に加工パターンが形成されたマスク１に到達する。こ
の際、上記マスク１の上には開口絞り１２の像が集光レ
ンズ１３によって結像され、このマスク１上に結像され
た開口絞り１２の像の大きさに相当する面積の部分が、
両テレセントリック投影レンズ３によって試料２の上に
投影される構造になっている。本実施例においては投影
倍率を１：１とした。なお、テレセントリックレンズ１
４は集光レンズ１３を出たレーザ光を平行光にするため
に設けてある。また、本両テレセントリックレンズ３は
原理的には入射光と出射光が光軸に平行であるが、レン
ズ口径が大きいためレーザ光がレンズ中心から離れると
収差のために像歪が大きくなったり、解像度が低下する
など投影精度が悪くなる。そこで、精度を確保する必要
があり、レンズの半径方向外周に向うにしたがってレー
ザ光を光軸に対して僅かずつ漸次傾斜させることで投影
精度の低下を補正するために、入射角補正レンズ１６が
使われている。上記の光学系において、互いにその対角
面が直交するように対向設置された組合せプリズム１５
のそれぞれを、互いに直交する方向に動かすことによっ
てレーザ光４をマスク１の上で走査し、その結果として
試料２が上記マスク１と同じパターンで加工される。こ
こで、レーザ光走査に上記のように直角プリズムを用い
る利点としては、上記プリズムの移動距離が、走査した
い距離の１／２だけですむということが挙げられる。

【００１３】ところで、多面体プリズム１１を本発明で
用いた目的は、投影レンズ３の中におけるレーザ光４の
集光により、上記投影レンズ３が損傷するのを防ぐこと
にある。つぎに、その原理について、９面体プリズムを
例にとって説明する。

【００１４】図３に本実施例で用いたビーム分割用の９
面体プリズムの形状とレーザ光の分割状況を示してい
る。上記９面体プリズムは、９個の面をもつ多面体プリ
ズムであって、一端に９面体プリズムのそれぞれの面を
有し、かつ、互いの長さが僅かずつ異なる四角柱ブロッ
クをプリズムの面の数だけ設け、その後端面に多面体プ
リズムが形成されるように、上記各ブロックを合体合成
させるように形成したものである。図４は上記９面体プ
リズムによって分割されたレーザ光が、再重畳されたと
きの断面内におけるエネルギ密度の分布を示し、図５に
は分割されたレーザ光の各要素に対する光路概要を示
す。また、図６はレーザ光の各分割要素のレンズ表面に
おける配置を示している。

【００１５】上記に示した各図において、１７は分割さ
れたレーザ光の一要素を示し、１８は分割後のレーザ光
の再重畳点を示している。また、１９は上記レーザ光が
再重畳された点におけるレーザ光の横断面内のエネルギ
密度分布を示し、２０は分割されたレーザ光の主光線を
示し、２１、２２は両テレセントリック投影レンズ３を
構成するレンズ要素を示し、２３は投影レンズ３の内部
におけるレーザ光の集光点をそれぞれ示している。な
お、図５においては、作図の都合上、上記分割後におけ
るレーザ光の各要素を、１本の線で表わしている。

【００１６】図５において、９面体プリズム１１によっ
て９個の要素に分割されたレーザ光４の各要素１７は所
定の角度で進行し、点１８において再重畳されたのち再
び分離進行する。上記再重畳の状態を示したのが図３で
ある。この際、レーザ光４は各辺方向それぞれ３個の部
分に分れ、主光線２０以外の各要素が主光線２０に反転
合成されるため、図４の１９に示すように再重畳点では
分割前よりもエネルギ密度が高く、かつ分布の一様性が
良くなるという利点がある。この再重畳点１８の所に開
口絞り１２を設けておき、この像を集光レンズ１３によ
ってマスク１の上に結像し、さらに上記マスク１上の開
口絞り像を投影レンズ３によって試料面に投影するの
が、図１および図５に示した光学系の基本的な考え方で
ある。

【００１７】ところで両テレセントリック対物レンズ
は、通常その構成上レンズ光軸方向の中央付近を境にし
て２つの部分に分かれる構造になっており、レンズ系を
この２つの部分に分ける点においてレーザ光が最も絞ら
れる。例えば投影倍率１：１の本実施例の投影レンズ３
では、レンズの光軸方向の中心２３を境にして上下対称
のレンズ要素２１、２２にわかれる。したがって、レン
ズ面上でのエネルギ密度としては、レンズ要素２１、２
２の集光点２３側が最も高くなる。そして、試料２の表
面でのエネルギ密度を高く取ろうとすればするほど、レ
ンズ面上でのエネルギ密度も高くなり、ついにはレンズ
が損傷することになる。そこで、試料２の表面でのエネ
ルギ密度が高くなった場合でもレンズ損傷が発生しにく
くなるよう、レンズ部分においては、例えば図６に示す
ように入射レーザ光を９個の要素に分割しておくこと
で、レンズに加わるエネルギ密度を１／９に低減するの
が９面体プリズム１１の役割である。その方法は、図５
においてマスク１に入射するレーザ光の主光線以外の分
割要素が主光線に対して適度の角度θを持ち、かつマス
ク１の表面で１つに重なるようにすることである。上記
θの値としては、各分割要素１７が対物レンズ３におけ
るレンズ要素２１、２２の集光点２３側の表面で完全に
分離し、かつ分離したのち試料面で再重畳した時に投影
精度に影響しない範囲で選定する。上記θの値は図３の
αと集光レンズ１３の倍率から決まる。なお、図３にお
いてエキシマレーザ光のエネルギ密度分布がガウス分布
をとる方向では、レーザ光の空間的コヒーレンシーによ
り光の干渉が起き投影精度が劣化することがあるため、
光路長を変えるという意味で９面体プリズムの中心部分
の長さをＬだけ長くしてある。

【００１８】上記９面体プリズム１１の効果を定量的に
説明する。図５において、発振器を出たのちあらかじめ
２１ｍｍ角に整形された波長２４８ｎｍのエキシマレー
ザ光４を、合成石英ガラスにより作製された９面体プリ
ズム１１によって、一辺が７ｍｍ角の正方形の要素に分
割する。この要素は点１８において再重畳され７ｍｍ角
の寸法になる。上記再重畳点の像を集光レンズ１３によ
ってマスク１の表面に４ｍｍ角で結像し、さらにそのマ
スク像を両テレセントリック投影レンズ３を用いて試料
２の表面に４ｍｍ角で投影する。例えば今、試料２の表
面でエネルギ密度が０．５Ｊ／ｃｍ²必要であるとする
と、本実施例での光学系では投影倍率１：１であるの
で、マスク１の表面でもエネルギ密度は０．５Ｊ／ｃｍ
²となる。この際、ビーム分割がないと、上記レンズ要
素２１、２２の集光点２３側の表面でのエネルギ密度は
１０Ｊ／ｃｍ²近くになりレンズ損傷が発生する。そこ
で、マスク１へのレーザ光入射角度θを１度（９面体プ
リズムの面角度α＝１．１４３度）にすることで、この
点のエネルギ密度を約０．９Ｊ／ｃｍ²まで低減するこ
とができた。

【００１９】なお、マスク１の表面に形成される加工パ
ターンは通常Ｃｒなどの金属を蒸着法などで付着させて
形成するが、エキシマレーザ除去加工などのようにマス
クそのものに加わるエネルギ密度が高い場合には損傷す
ることが多い。そこで本実施例では、合成石英板上に誘
電体で反射膜を形成することによりレーザパワーに対し
て耐性が高いマスクを製作することができた。さらに、
僅かなレーザエネルギの吸収によるパターン寸法精度の
劣化を避けるため、マスクを図７に示すような方法で冷
却した。なお、図７において、２４は合成石英ガラス基
板、２５は誘電体反射膜で形成された加工パターン、２
６はカバーガラス、２７は冷却ガスをそれぞれ示してい
る。

【００２０】つぎに、本発明によるレーザ加工用光学装
置の第２実施例を図８に示す。本実施例はガルバノミラ
ーによりレーザ光を走査して加工する装置であって、図
８において、２８はレーザ光を２軸に走査するためのガ
ルバノミラー、２９は上記ガルバノミラーを用いてレー
ザ光４を二次元に走査した時の光路長変化により生じる
結像性能の劣化とレーザ光の回転を、補正するための光
学系である。本実施例は上記のレーザ光を走査するため
の構成が異なっている以外は、図２に示した第１実施例
と同じである。

【００２１】図９に本発明の第３実施例を示す。本実施
例はレーザ光を同一試料台上のマスクと試料に走査して
加工するための光学系である。図９において、３０、３
１は直角プリズム、３２は試料台、３３は上記試料台３
２に設けた開口部を示しており、第１実施例および第２
実施例で記載した要領によりレーザ光を走査して、マス
ク１上のパターンを試料２に投影することができる。本
実施例の特徴はマスクと試料とを同一試料台上に搭載で
きるため、装置の機械的構造が簡単になるということで
ある。

【００２２】以上記載した実施例は、いずれもマスクお
よび試料を静止してレーザ光を移動走査する方法であっ
たが、つぎに本発明の別の実施例として、レーザ光を固
定してマスクと試料とを一体で移動走査し、上記マスク
面上の加工パターンを試料面上に投影する例について説
明する。以後の実施例は投影倍率が１：１の場合に適用
可能なものである。

【００２３】図１０から図１２に本発明の第４実施例か
ら第６実施例を示す。上記各図において、３′は図１で
記載した３と同じ投影レンズ、３４はその面内で二次元
に移動可能な試料台、３５は通称アミチ（Amici）プリ
ズム、３６はドーブ（Dove）プリズム、３７はペチャン
（Pechan）プリズムとそれぞれ呼ばれる単体もしくは複
合プリズムである。

【００２４】図１０に示す第４実施例では、試料台３４
の開口部３３の上に搭載されたマスク１の像を、投影レ
ンズ３′により同一試料台３４上搭載した試料２の上に
投影する。この方式では入射レーザ光４がマスク１を通
り試料２に到達するためには、少なくとも２度折り曲げ
られなければならない。そして、レーザ光４がプリズム
３０と投影レンズ３′を通過することで、マスク像の倒
置と１８０度の回転とを生じるが、それをアミチ（Amic
i）プリズム３５によって上記マスク１と同じ方向に戻
し、かつ、レーザ光４が試料面に直角に入るように補正
する。この状態でマスク１と試料２を試料台３４と共に
一体で動かすと、マスク１の像が試料２の上に１：１で
投影される。この方法によれば投影レンズ３′の口径を
小さくすることができるとともに、テレセントリックに
する必要がないため、レーザ光４のレンズ内部における
集光を避けることができる。このため光学設計が容易に
なると同時に光学系全体の構造も簡単にできる。精度を
確保するためには、試料台を移動する際のマスクと試料
との相対位置変化が小さく、試料台３４の移動速度の一
様性が高ければよい。

【００２５】図１１に示す第５実施例は上記第４実施例
の変形例で、上記アミチプリズム３５の代りに、直角プ
リズム３１と試料面上での像の方向を補正するためのド
ーブ（Dove）プリズムを用いたものであり、図１０に示
す第４実施例と同様の結果が得られる。

【００２６】同様に図１２に示す第６実施例は、上記第
５実施例の変形例で、上記ドーブプリズム３６の代りに
ペチャン（Pechan）プリズム３７を用いたものであり、
上記第４実施例および第５実施例と同様の結果が得られ
る。

【００２７】つぎに、図１３から図１７にかけて、レー
ザ光を固定しマスクと試料とを一体に移動走査し、マス
ク面上の加工パターンを試料面上に投影するための別の
変形例を示す。上記各図において、３８はマスクと試料
とを平行に対向設置し、かつ、それらを一体で移動走査
する機能をもつ試料台であり、図１３に示す第７実施例
は通称ポロ（Porro）プリズム２型３９を用いた例、図
１４に示す第８実施例はポロプリズム１型４０を用いた
例、図１５に示す第９実施例はヘンソルト（Hensolt）
プリズム４１を用いた例、図１６に示す第１０実施例は
レマン−スペンガー（Leman-Spenger）プリズム４２を
用いた例、図１７に示す第１１実施例はアッベ（Abbe）
プリズムＡ型４３を用いた例をそれぞれ示している。

【００２８】これらの実施例は、マスク１と試料２とを
試料台３８のそれぞれ別の載置片に搭載した状態で平行
に対向設置し、その間に投影光学系を設ける構造であ
る。この際、マスク１を通過したレーザ光４が投影レン
ズ３′を通過する際に生じる像の１８０度の回転を補正
するための、複合プリズムもしくは単体プリズムを上記
投影レンズ３′の後に設けるのが特徴である。そして、
上記各実施例も投影倍率が１：１の場合において適用可
能なものである。

【００２９】図１３に示す第７実施例において、試料台
３８の開口部３３上に搭載されたマスク１を通過したレ
ーザ光４は、投影レンズ３′を通ったのち試料２に到達
し、上記マスク１の像を試料２に投影する。この際、上
記試料台３８の移動走査によりマスク像を１：１で試料
面に投影するためには、投影倍率が１：１であることは
もちろん、試料面上に結像されるマスク像の向きが現実
のマスクと同じでなければならない。しかしながら、レ
ーザ光４が投影レンズ３′を通過する際に像の１８０度
回転が生じるため、これを補正する手段として複合プリ
ズムもしくは単体プリズムを投影レンズ３′の後に設け
ることによって、上記補正が達成される。図１４から図
１７に示す上記各実施例は、像の回転を補正するための
プリズムに上記した各種プリズムをそれぞれ用いた例で
あって、得られる結果はいずれも同じである。

【００３０】上記各実施例のうち、図１０〜図１７に示
す第４実施例から第１１実施例は、像の回転や倒置を補
正するためのプリズムを、投影レンズの後に置いた例を
示したが、投影レンズの前に置いても同じ機能を得るこ
とができる。

【００３１】さらに、上記直角プリズム３０の代りに、
例えばペンタプリズムを用い、上記各種プリズムを適宜
組合わせることにより同様の光学系が構成できるのは明
らかであるが、通常の直角プリズムなどのできるだけ簡
単な光学部品によって光学系を構成することが、光学装
置を製作する上で有利である。

【００３２】

【発明の効果】上記のように本発明によるレーザ加工用
光学装置は、マスク面上に形成した加工パターンを投影
レンズを用いて試料面上に投影することにより、上記試
料面を加工パターンに做って加工するレーザ加工用光学
装置において、投影レンズを挾みマスクと試料とが互い
に光学的結像関係を保つように対向して設置可能な機構
と、入射レーザ光をマスク面上で二次元に走査するため
の光学的手段を備えたことにより、小さい断面積に絞ら
れたレーザ光を用いて、大面積のマスク上に形成された
加工パターンを試料面に能率よく投影し、加工すること
ができ、かつ、エネルギ密度が高いレーザ光に対して
も、レンズやマスクの損傷を防止することができるとい
う効果がある。このため、従来からのレーザ加工の適用
範囲を大幅に拡大することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マスクおよび試料面をレーザ光で走査するレー
ザ加工用光学装置の基本概念を示す図である。

【図２】本発明によるレーザ加工用光学装置の第１実施
例を示す図である。

【図３】上記実施例のビーム分割用９面体プリズムの説
明図である。

【図４】上記９面体プリズムにより分割されたレーザ光
の再重畳と重畳点でのエネルギ密度分布を示す図であ
る。

【図５】上記分割されたレーザ光の各要素光路の概要を
示し、レンズ内のレーザ光エネルギ密度上昇があって
も、投影レンズの損傷防止ができる原理を説明する図で
ある。

【図６】投影レンズ表面におけるレーザ光の状態を示す
図である。

【図７】マスクの構造を示す図である。

【図８】本発明によるレーザ加工用光学装置の第２実施
例を示す図である。

【図９】本発明の第３実施例を示す図である。

【図１０】本発明の第４実施例を示す図である。

【図１１】本発明の第５実施例を示す図である。

【図１２】本発明の第６実施例を示す図である。

【図１３】本発明の第７実施例を示す図である。

【図１４】本発明の第８実施例を示す図である。

【図１５】本発明の第９実施例を示す図である。

【図１６】本発明の第１０実施例を示す図である。

【図１７】本発明の第１１実施例を示す図である。

【符号の説明】

１マスク２試料３、３′ 投影レンズ４レーザ光５、３２試料台１１多面体プリズム１２開口絞り１３集光レンズ１５組合せ直角プリズム１６入射角補正レン
ズ３３開口３４移動可能試料台３５アミチプリズム３６ドーブプリズム３７ペチャンプリズム３８対向設置試料台３９ポロ２型プリズム４０ポロ１型プリズ
ム４１ヘンソルトプリズム４２レマン−スペン
ガープリズム４３アッベプリズム

【手続補正書】

【提出日】平成１３年１０月１８日（２００１．１０．
１８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】露光方法

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中秀明神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者押田良忠神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内Ｆターム(参考） 2H042 CA12 CA17 2H097 AA03 CA05 CA06 CA17 GB00 4E068 CD09 CD10 CD14 CE03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク面上に形成した加工パターンを投影
レンズを用いて試料面上に投影することにより、上記試
料面を加工パターンに做って加工するレーザ加工用光学
装置において、投影レンズを挾みマスクと試料とが互い
に光学的結像関係を保つように対向して設置可能な機構
と、入射レーザ光をマスク面上で二次元に走査するため
の光学的手段とを備えたことを特徴とするレーザ加工用
光学装置。