JP2002192652A - Metallized polyimide film - Google Patents

Metallized polyimide film

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JP2002192652A
JP2002192652A JP2000395454A JP2000395454A JP2002192652A JP 2002192652 A JP2002192652 A JP 2002192652A JP 2000395454 A JP2000395454 A JP 2000395454A JP 2000395454 A JP2000395454 A JP 2000395454A JP 2002192652 A JP2002192652 A JP 2002192652A
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JP
Japan
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film
polyimide film
conductive metal
metallized
film layer
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JP2000395454A
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Japanese (ja)
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Naoki Nishiura
直樹 西浦
Kazuhiro Noda
和裕 野田
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Gunze Ltd
Original Assignee
Gunze Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide web-like or endless pipe-like film, with a conductive metallized surface, which is highly adhesive even at high temperature. SOLUTION: A polyimide film (1) has a powder A of a fine fiber-like inorganic compound, with a coefficient of linear expansion equal to or below that of a polyimide resin, which is unevenly distributed and dispersed mostly in the surface part. In addition, the metallized polyimide film is constituted of a conductive thin metal film layer (2B) formed of a conductive metal B by a physical thin film forming means and a conductive thick metal film layer (3) formed by an electroplating process, coherently laminated, in that order, on the surface of the polyimide film. When the film is in the web shape, it can be used, for example, as an FPC substrate and when the film is in the shape of an endless pipe, it can be used, for example, as a heating belt for the electromagnetic induction process of a copying machine.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、改良された金属化
ポリイミド系フイルムに関する。該フイルムは例えばF
PC(フレキシブルプリント)用基板、複写機用部材等
に有効に使用される。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an improved metallized polyimide film. The film is, for example, F
It is effectively used for PC (flexible print) substrates, copier members and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドが他のポリマーに比較して種
々優れた特性を有していることから、その用途は多方面
に渡っている。中でも銅箔とポリイミドフイルムとを接
着複合してFPC(フレキシブルプリント)基板として
の使用が多い。又最近では中間転写方式を採り入れたカ
ラー複写機のベルト状感光体とか、ベルト状中間転写体
の部材としての利用も検討され、一部実用もされてきて
いる。
2. Description of the Related Art Polyimides have various excellent properties as compared with other polymers, so that their applications are diversified. Among them, a copper foil and a polyimide film are often bonded and combined to be used as an FPC (flexible print) substrate. Recently, the use as a belt-shaped photosensitive member of a color copying machine employing an intermediate transfer system or as a member of a belt-shaped intermediate transfer member has been studied, and some of them have been put to practical use.

【0003】FPC基板で重要なのは、ポリイミドフイ
ルムに、より薄い銅箔を如何にして強力に接着するかと
言うことである。この接着の点では問題はないが、この
銅箔の場合の厚さについては生産技術上限度があるのが
欠点である。そこでこの厚さの点を解決するために、例
えば蒸着法で銅を蒸着するとか、メッキ法(無電メッキ
−電解メッキ)によって銅を鍍着するとか、或るいはこ
の両法を組み合わせるとかの手段が検討され、特許出願
も多数なされている。該手段は銅箔より薄く、しかも厚
さを自由にコントロールできる点で有効ではあるが、問
題は該フイルムとの密着力の点である。この密着力改善
のための手段についても鋭意検討がなされており、これ
についても多数の特許出願がなされ提案されている。し
かしながら現状では、例えば反復折曲げに対しても、高
温での使用に対しても、実用できるのに十分な密着力を
もってなる、(極薄銅張り)FPC基板は得られていな
いのが実状である。
An important factor in an FPC board is how to strongly adhere a thinner copper foil to a polyimide film. Although there is no problem in terms of adhesion, there is a drawback in that the thickness of this copper foil has a production technology upper limit. Therefore, in order to solve this thickness point, for example, copper is vapor-deposited by a vapor deposition method, copper is plated by a plating method (electroless plating-electrolytic plating), or a combination of the two methods is used. And many patent applications have been filed. This means is effective in that it is thinner than a copper foil and that the thickness can be freely controlled, but the problem is the adhesion strength with the film. The means for improving the adhesion are also being studied diligently, and many patent applications have been made and proposed. However, at present, an (ultra-thin copper-clad) FPC board that has sufficient adhesion to be practically used, for example, even for repeated bending and use at high temperatures, has not been obtained. is there.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者等は、
ポリイミドフイルムに銅等の導電性金属が自由に所望す
る極薄厚さで密着形成され、そしてこれが高温で使用さ
れても、更に反復折曲動作を行うベルト状で使用されて
も剥離することなく、実用レベルにまで改善される金属
化ポリイミドフイルムを開発することを課題として鋭意
検討をしてきた。その結果遂にその解決手段を見出すこ
とができ、本発明に到達した。かくして見出された発明
は次の解決手段に記載するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present inventors have
Conductive metal such as copper is freely adhered to the polyimide film with the desired ultrathin thickness, and even if it is used at high temperatures, it does not peel off even if it is used in a belt shape that performs repeated bending operations. We have been working hard to develop a metallized polyimide film that can be improved to a practical level. As a result, the solution was finally found, and the present invention was reached. The invention thus found is described in the following means.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、請求項1
に記載する金属化ポリイミド系フイルム(以下M・PI
フイルムと呼ぶ)であり、それはポリイミド系樹脂(以
下PI樹脂と呼ぶ)の有する線膨張係数以下の線膨張係
数を有する微細繊維状無機化合物粉体A(以下単に微細
繊維粉体Aと呼ぶ)が表面部分に多く偏在分散されてな
るポリイミド系フイルム(1)であり、そして該フイル
ム表面が導電性金属Bの物理的薄膜形成手段により形成
される導電性金属薄膜層(2B)と電解メッキ法により
形成される導電性金属厚膜層(3)とで順次密着積層さ
れ構成されていことを特徴とするものである。
That is, the present invention provides a first aspect of the present invention.
Metallized polyimide film (hereinafter referred to as MPI)
A fine fibrous inorganic compound powder A (hereinafter simply referred to as fine fiber powder A) having a linear expansion coefficient equal to or less than a linear expansion coefficient of a polyimide resin (hereinafter referred to as PI resin). A polyimide film (1) which is unevenly dispersed and dispersed on a surface portion, and the film surface is formed by electroplating with a conductive metal thin film layer (2B) formed by a conductive metal B physical thin film forming means. The conductive metal thick film layer (3) to be formed is successively adhered and laminated.

【0006】そして前記請求項1に関連して請求項2〜
10に記載する発明も提供しているが、就中請求項6、
7は請求項1の金属化ポリイミド系フイルムの形態が無
端管状フイルムに対しての発明であり、該フイルム基体
の全体を特に導電性カーボンブラックにより半導電性も
付与したものも合わせて提供している。このように半導
電性も有することで、請求項1の一つである金属化無端
管状ポリイミド系フイルムに半導電性も付与することが
できる。この半導電性も有することで、例えば裏面から
の帯電ができるようにもなる。これは例えばカラー複写
機の中間転写ベルト部材としての使用も可能になり、多
用性がより一層拡大されることにもなる。本発明は前記
の通りであるが、詳細には次の実施形態で説明する。
Further, in connection with the first aspect, the second aspect is provided.
The invention described in claim 10 is also provided.
The invention of claim 7 is directed to an invention for an endless tubular film in which the form of the metallized polyimide film of claim 1 is an endless tubular film. I have. By having such semi-conductivity, semi-conductivity can be imparted to the metallized endless tubular polyimide film according to the first aspect. Having this semi-conductivity also allows, for example, charging from the back surface. For example, it can be used as an intermediate transfer belt member of a color copying machine, and the versatility is further expanded. The present invention is as described above, and will be described in detail in the following embodiments.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】まず本発明であるM・PIフイル
ムの基体を構成するPI樹脂は、一般に知られている熱
硬化性又は熱可塑性を有する芳香族PI樹脂及び芳香族
ポリアミドイミド(PAI樹脂)を言い、この中から適
宜選択し使用される。従ってPI樹脂の出発原料である
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン、P
AI樹脂の場合の芳香族トリカルボン酸一無水物と芳香
族ジアミンの種類とか、各々の該原料の組み合わせとそ
の数には特に制限はない。勿論これら樹脂が適宜ブレン
ドされたブレンドPI樹脂であっても良い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, the PI resin constituting the base of the M.PI film of the present invention is a generally known thermosetting or thermoplastic aromatic PI resin and aromatic polyamideimide (PAI resin). ), Which are appropriately selected and used. Therefore, aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine, which are the starting materials for PI resin,
The type of the aromatic tricarboxylic acid monoanhydride and the aromatic diamine in the case of the AI resin, the combination of the respective raw materials, and the number thereof are not particularly limited. Of course, a blend PI resin in which these resins are appropriately blended may be used.

【0008】前記PI樹脂が、熱硬化性か熱可塑性かは
出発原料の種類によって決まる。つまりポリマ主鎖中に
例えば2個以上の−O−、−SO−、−CO−等が
結合されるような該原料を使うと熱可塑性になりやす
く、これらが1個又は有しない該原料を組み合わせると
熱硬化性になる。一方PAI樹脂に関しては、既にアミ
ド基を有していることで一般には熱可塑性である。尚特
殊な樹脂として、フッ素結合PI樹脂(例えばポリマ主
鎖にフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基を
有するもの)が挙げられる。このものは離型性の点で他
の樹脂よりも優れている。以上の各樹脂の中で何を選択
するかは、その用途における要求特性によるが、総合的
には熱硬化性PI樹脂がよい。
Whether the PI resin is thermosetting or thermoplastic depends on the type of starting material. In other words, if such a raw material in which, for example, two or more —O—, —SO 2 —, —CO 2 —, and the like are bonded in the polymer main chain is used, the raw material tends to be thermoplastic, and one or more of these are not used. It becomes thermosetting when the raw materials are combined. On the other hand, the PAI resin is generally thermoplastic because it already has an amide group. In addition, as a special resin, a fluorine-bonded PI resin (for example, a resin having a perfluoroalkyl group substituted with a fluorine atom in a polymer main chain) can be mentioned. This is superior to other resins in terms of mold release properties. The choice of each of the above resins depends on the required characteristics of the application, but a thermosetting PI resin is generally preferred.

【0009】そして前記PI系樹脂の形態は、(長尺)
フイルムか、請求項5で提供する無端(継ぎ目なし)管
状フイルムのいずれかである。そしていずれの場合に
も、特に該樹脂の有する線膨張係数(熱膨張係数)以下
の低線膨張係数を有する微細繊維粉体Aが分散含有さ
れ、しかもその分散含有状態が該フイルムの表面となる
部分に多く偏在してなると言うものである。
The form of the PI resin is (long)
Either a film or an endless (seamless) tubular film provided in claim 5. In any case, in particular, the fine fiber powder A having a low linear expansion coefficient equal to or less than the linear expansion coefficient (thermal expansion coefficient) of the resin is dispersed and contained, and the dispersed and contained state becomes the surface of the film. It is said that many parts are unevenly distributed.

【0010】前記微細繊維粉体Aが表面に偏在分散され
るPIフイルム(以下A・PIフイルムと呼ぶ)の厚
さ、幅、(無端管状フイルムにあっては)直径は、該樹
脂自身の有する機械的物性(強度、柔軟性等)、使用形
態等によって適宜であるが、一般には厚さ50〜150
μm、幅1000mm以下、直径600mm以下であ
る。尚、長尺フイルムについては一般にウェッブ状で取
り扱われる。
The thickness, width, and (in the case of an endless tubular film) diameter of a PI film (hereinafter, referred to as an A / PI film) in which the fine fiber powder A is unevenly dispersed on the surface have properties of the resin itself. It is appropriate depending on the mechanical properties (strength, flexibility, etc.), usage form, and the like, but is generally 50 to 150 in thickness.
μm, width 1000 mm or less, diameter 600 mm or less. In addition, a long film is generally handled in a web shape.

【0011】前記特にA・PIフイルムで特定されるの
は次のような理由による。まず特に微細繊維粉体Aが選
ばれる理由から説明する。作用機構は定かでないが、後
述する物理的薄膜形成手段による導電性金属薄膜層(2
B)との密着性が、他の手段によるものよりも顕著に現
れることと、PI系樹脂との混合相和性が比較的良好で
ある等による。しかしながらこのような理由の中でも、
更に線膨張係数によって制限される。これは特に高温領
域(例えば150〜200℃)での使用に際して、基体
としてのPI系フイルム面に密着形成されている導電性
金属薄膜層(2B)と導電性金属厚膜層(3)とからな
る導電金属層間との密着力が低下して部分的剥離を起こ
すようなことがなくなることによる。この効果は該フイ
ルムの線膨張がより小さくなったためではないかと考え
られる。従って微細繊維粉体Aに該当していても、使用
するPI系樹脂の持つ線膨張係数を超えた該粉体Aで
は、密着力が低下傾向になるので本発明から除かれる。
本来金属と樹脂とは異質のもので線膨張係数も1〜2桁
と異なる。ましてや高温では益々両者の該膨張率の差が
大きくなり、ついには層間密着力の低下作用になって現
れる。本発明においてもこのような一般見解と同じに考
えられるが、しかしながら本発明では特にPI系樹脂以
下の線膨張係数を持つ微細繊維粉体Aに限ってこのよう
な現象は起こらない。これがどのような作用機構かも定
かではない。
The above-mentioned A / PI film is particularly specified for the following reasons. First, the reason why the fine fiber powder A is selected will be described. The mechanism of action is unclear, but the conductive metal thin film layer (2
This is due to the fact that the adhesion to B) appears more remarkably than that obtained by other means, and the mixed compatibility with the PI resin is relatively good. However, for these reasons,
It is further limited by the coefficient of linear expansion. This is because the conductive metal thin film layer (2B) and the conductive metal thick film layer (3), which are formed in close contact with the surface of the PI film as a substrate, particularly when used in a high temperature region (for example, 150 to 200 ° C.). This is because the adhesive force between the conductive metal layers to be formed does not decrease and partial peeling does not occur. This effect is considered to be due to the smaller linear expansion of the film. Therefore, even if the powder A corresponds to the fine fiber powder A, the powder A exceeding the linear expansion coefficient of the PI resin to be used is excluded from the present invention because the adhesive force tends to decrease.
Originally, metals and resins are different from each other and have a linear expansion coefficient different from one to two digits. Furthermore, at high temperatures, the difference between the two expansion coefficients becomes larger, and finally appears as an action of lowering the interlayer adhesion. In the present invention, it is considered to be the same as such a general opinion. However, in the present invention, such a phenomenon does not particularly occur only in the fine fiber powder A having a linear expansion coefficient equal to or less than that of the PI resin. It is not clear what mechanism this is.

【0012】そして前記特定される微細繊維粉体Aであ
っても、更にPIフイルム中での分散状態にも規制さ
れ、特に表面となる部分に多く偏在して分散している必
要がある。決して厚み方向全体に渡って均一に分散する
とか、逆に裏面部分に多く偏在して分散するといったも
のであってはならないと言うことである。この理由は次
の通りである。まず表面部分に多く偏在することで、該
フイルム面に形成される物理的薄膜形成手段による導電
性金属薄膜層(2B)の密着力がより強固になる。これ
は該フイルムの表面が(多くの微細繊維粉体Aの存在に
よって)既に密着に有効に作用する微細凹凸面が形成さ
れていて、そこに更に導電性金属Bの物理的薄膜形成手
段がとられることで、それにより高速で飛び出してくる
活性導電性金属B粒と微細繊維粉体Aとの間に、より大
きい密着作用が働くためではないかと考えられる。又微
細繊維粉体Aが表面部分に存在することで、PI系フイ
ルム自身の有する柔軟性に実質的変化がなく、ベルトと
して必要な円滑な回転と耐久性への悪影響を防ぐことが
できる。更には該フイルムの表面から裏面に向って断熱
的になっているので、表面での加熱効率も良くなる。
尚、ここで表面となる部分に多く偏在して分散するとの
意味は、表面にのみ層状に分散した状態が最も好ましい
ことではあるが、前記の理由に述べる作用効果に対し
て、大きく悪影響を及ぼすようなことがない限り、若干
の内部分散はあっても良いと言うことである。
[0012] Even the fine fiber powder A specified above is further restricted by the dispersion state in the PI film, and it is necessary that the fine fiber powder A is dispersed and distributed unevenly particularly in the surface portion. This means that the dispersion must not be evenly distributed over the entire thickness direction, or conversely, must be distributed and distributed unevenly on the back surface. The reason is as follows. First, by being unevenly distributed on the surface portion, the adhesion of the conductive metal thin film layer (2B) by the physical thin film forming means formed on the film surface becomes stronger. This is because the surface of the film has already been formed with a fine uneven surface (due to the presence of many fine fiber powders A) which effectively acts on the adhesion, and a means for forming a physical thin film of the conductive metal B is further provided there. By doing so, it is supposed that a larger adhesion action acts between the active conductive metal B particles and the fine fiber powder A that fly out at a high speed. In addition, since the fine fiber powder A is present on the surface portion, the flexibility of the PI film itself is not substantially changed, and the smooth rotation required for the belt and the adverse effect on durability can be prevented. Further, since the film is insulated from the front surface to the rear surface, the heating efficiency on the front surface is improved.
Here, the meaning of dispersing and dispersing a lot in the portion to be the surface means that the state of being dispersed in a layer only on the surface is most preferable, but has a large adverse effect on the operation and effect described above. Unless this is the case, some internal dispersion may be present.

【0013】微細繊維粉体Aは具体的には次の通りであ
る。まず該粉体Aは前記するように、特に線膨張係数に
おいて少なくともPI系樹脂の有する線膨張係数と同じ
か、それよりも小さいことが必要である。数値上では基
準となるPI系樹脂の有する線膨張係数が、(分子構造
によって変わるが)一般に(1×10-5)〜(9×1
-5)cm/cm/℃の範囲にあるので、これ以下と
言うことになるが、より小さくて両者の差が大きくなる
程前記に言う効果は大きくなるので好ましい。該粉体の
形状は特に微細繊維状であり、決して粒状であってはな
らないことも条件である。これは単なる粒子であると、
これが表面に多く偏在分散する状態では表面から離脱し
易い状態にあることと、表面に現れる微細凹凸が不規則
的に形成され易いこと及び前記物理的薄膜形成手段との
組み合わせ効果より大きく発現しないことによる。この
理由は明白ではないが、表面での分散配列の状態、PI
樹脂との絡み、該粉体A自身の形態(特に後述するウィ
スカである場合)とが相まって相乗的に作用することが
考えられる
The fine fiber powder A is specifically as follows. First, as described above, the powder A needs to have a linear expansion coefficient at least equal to or smaller than the linear expansion coefficient of the PI resin. In terms of numerical values, the coefficient of linear expansion of the PI resin, which is a reference, is generally (depending on the molecular structure) from (1 × 10 −5 ) to (9 × 1).
Since it is in the range of 0 −5 ) cm / cm / ° C., it is less than this. However, the smaller the difference between the two is, the more the above-mentioned effect is increased. The shape of the powder is, in particular, a fine fibrous shape, provided that it must never be granular. If this is just a particle,
It is in a state where it is easily detached from the surface in a state where it is unevenly distributed on the surface, that fine irregularities appearing on the surface are easily formed irregularly, and that it does not exert a greater effect than the combination effect with the physical thin film forming means by. The reason for this is not clear, but the state of the dispersed arrangement on the surface, PI
It is conceivable that the entanglement with the resin and the form of the powder A itself (especially in the case of a whisker described later) work synergistically.

【0014】そして微細繊維粉体Aの繊維の意味は、一
般にチョップド繊維と言われている直径数μm程度、長
さ1〜3mm程度の単なる単繊維であるもの、更にはウ
ィスカと呼ばれている、1軸方向に結晶成長させて得ら
れる直径3nm〜数μm、長さ数μm〜500μm程度
の単結晶(ヒゲ結晶)繊維のことを言う。後者のウィス
カ状繊維はより好ましいものである。具体的化合物とし
ては、例えば線膨張係数が10-6〜10-7cm/cm
/℃オーダの範囲にあるチョップドガラス繊維、チタン
酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケ
イ素、アルミナ、黒鉛等の各ウィスカが示される。これ
は比重が2.5〜4の間にあり、且つ若干嵩高いことも
好ましい理由である。このことは(後述する)成形原料
との混合分散性が比較的良好であり、且つ成形で発現す
る表面部分への偏在分散がより容易に行われるからであ
る。更にはチタン酸カリウム又はホウ酸アルミニウムの
各ウィスカがより効果が助長されるので好ましい。
The meaning of the fibers of the fine fiber powder A is a simple single fiber having a diameter of about several μm and a length of about 1 to 3 mm, which is generally called a chopped fiber, and further called a whisker. A single crystal (whisker crystal) fiber having a diameter of about 3 nm to several μm and a length of about several μm to 500 μm obtained by growing a crystal in a uniaxial direction. The latter whisker-like fibers are more preferred. As a specific compound, for example, the coefficient of linear expansion is 10 −6 to 10 −7 cm / cm.
Each whisker of chopped glass fiber, potassium titanate, aluminum borate, silicon carbide, silicon nitride, alumina, graphite and the like in the range of the order of / ° C is shown. This is also because the specific gravity is between 2.5 and 4 and it is slightly bulky. This is because the mixing and dispersibility with the molding raw material (described later) is relatively good, and uneven distribution on the surface portion which is developed by molding is more easily performed. Further, whiskers of potassium titanate or aluminum borate are preferred because the effect is further promoted.

【0015】微細繊維粉体Aの混合量は、PIフイルム
基体の表面部分に偏在分散することで前記の作用効果を
好ましく発現するのに必要な量ということになるが、こ
れを具体的に例示するならば、PI系樹脂に対して1〜
15重量%、好ましくは2〜10重量%である。これは
1重量%未満では、前記作用による密着効果が実質的に
発現しなくなる。一方15重量%を超えると該密着効果
も低下傾向になるばかりか、耐屈曲性が低下し、特に折
曲げ使用形態ではクラックが入り易くなると言うことに
よる。該粉体Aは、可能な限り少量添加が良いが、この
点では前記ウィスカ状のものがより効果的である。これ
は該フイルム表面が、より大きな密着力発現に有利な微
細凹凸面になり易いことと、特に無端管状のフイルムの
場合は、円周方向に面状に並び易いことにもよる。
The mixing amount of the fine fiber powder A is an amount necessary for preferably exhibiting the above-mentioned effects by being unevenly distributed on the surface of the PI film substrate. If you do, 1 to PI resin
It is 15% by weight, preferably 2 to 10% by weight. When the content is less than 1% by weight, the adhesion effect by the above-mentioned action is not substantially exhibited. On the other hand, if it exceeds 15% by weight, not only the adhesion effect tends to decrease, but also the bending resistance is reduced, and cracks are liable to be formed particularly in the bent use form. The powder A is preferably added in a small amount as much as possible, but in this respect, the whisker-like powder is more effective. This is due to the fact that the surface of the film is likely to be a fine uneven surface which is advantageous for exhibiting a larger adhesive force, and particularly, in the case of an endless tubular film, it is easy to arrange in a circumferential direction in a plane.

【0016】前記A・PIフイルムが無端管状フイルム
状でも使用されるが、この場合に例えば更に導電性カー
ボンブラック粉体(以下CB粉体)を全体に均一分散し
て、該フイルムの非表面部分に半導電性も付与すること
ができる(請求項6、7)。これは該フイルムが、例え
ばカラー複写機のベルト状感光体とか、ベルト状転写兼
加熱定部材として使用される場合に有効であるからであ
る。つまり半導電性を有することで低い印加電圧でもっ
て必要とする量で容易に帯電できて、且つタイムリーに
徐電すると言う条件制御がし易くなるからである。従っ
てCB粉体も表面部分に多くなるような分散状態を採る
と、かかる作用はし難くなるばかりか、導電性金属薄膜
層(2B)の密着性も悪くなる方向に作用するようにな
る。
The A / PI film is also used in the form of an endless tubular film. In this case, for example, a conductive carbon black powder (hereinafter referred to as CB powder) is further uniformly dispersed throughout the non-surface portion of the film. Can also be provided with semiconductivity (claims 6 and 7). This is because the film is effective when used, for example, as a belt-shaped photoreceptor of a color copying machine or a belt-shaped transfer and heating constant member. In other words, semi-conductivity makes it possible to easily charge with a required amount with a low applied voltage and to easily control the condition of timely charge reduction. Therefore, if the CB powder is dispersed in such a manner that the amount of CB powder is increased on the surface portion, not only this function becomes difficult, but also the adhesion of the conductive metal thin film layer (2B) becomes worse.

【0017】又前記CB粉体が選択されるのは、まず仮
に成形原料に微細繊維粉体Aと共に混合し、後述する遠
心成形法によって無端管状フイルム状に成形し製造する
場合、該微細繊維粉体Aは表面部分に、CB粉体は全体
に均一に分散すると言う作用がより有効に働くからであ
る。これは他の導電性剤よりも、特に嵩密度が極めて小
さいことによるものである。又成形原料との混合分散も
し易く、且つ比較的少量の混合量で所望する電気抵抗値
を得ることができるからである。ここで所望する電気抵
抗値は、体積抵抗値で示すならば10〜1012Ω・
cm、望ましくは10〜1010Ω・cmである。
The reason why the CB powder is selected is that, if the CB powder is first mixed with the forming material together with the fine fiber powder A and then formed into an endless tubular film by a centrifugal molding method described later, the fine fiber powder is used. This is because the action of dispersing the body A uniformly on the surface portion and dispersing the CB powder evenly works more effectively. This is due to the fact that the bulk density is extremely smaller than other conductive agents. Also, it is easy to mix and disperse with the molding raw material, and a desired electric resistance value can be obtained with a relatively small mixing amount. Here, the desired electric resistance value is 10 2 to 10 12 Ω ·
cm, desirably 10 7 to 10 10 Ω · cm.

【0018】前記CB粉体は、製造原料(天然ガス、ア
セチレンガス、コールタール等)と製造条件(燃焼条
件)とによって種々の物性(電気抵抗、揮発分、比表面
積、粒径、pH値、DBP吸油量等)を有したものがあ
る。可能なかぎり少量の混合分散でもって、より低い電
気抵抗値が容易に得られるようなCB粉体、例えばスト
ラクチャーの発達した導電指標の高いものとか(これは
アセチレンガスを原料として製造して得たCB粉体に多
い)、或いは導電指標はあまり高くないが、pH値を低
くするような、揮発成分を多く含有するようなCB粉体
を選ぶのが良い。しかしながら、少量添加で、より低い
電気抵抗値が得られるようなCB粉体は、付与される電
気抵抗値にバラツキが発生し易い場合もあるので、その
点事前に十分チェックして支障をきたさないように適正
なCB粉体を選ぶのがよい。かかる意味から具体的な混
合量を例示するならば、PI系樹脂に対して3〜20重
量%、好ましくは5〜15重量%である。
The CB powder has various physical properties (electrical resistance, volatile matter, specific surface area, particle size, pH value, etc.) depending on the production raw materials (natural gas, acetylene gas, coal tar, etc.) and production conditions (combustion conditions). DBP oil absorption etc.). A CB powder which can easily obtain a lower electric resistance value with as small a mixing and dispersion as possible, for example, a CB powder having a structure and a high conductivity index (this is obtained by producing acetylene gas as a raw material) It is preferable to select a CB powder that contains a large amount of volatile components, such as a low pH value, although the conductivity index is not so high. However, CB powder that can provide a lower electric resistance value with a small amount of addition may easily cause variation in the applied electric resistance value. Therefore, it is better to select an appropriate CB powder. If a specific mixing amount is exemplified from this meaning, it is 3 to 20% by weight, preferably 5 to 15% by weight based on the PI resin.

【0019】前記A・PIフイルムについては前記の通
りであるが、ここで該フイルムの製造手段について説明
しておく。
The A / PI film is as described above, but the means for producing the film will now be described.

【0020】まず製造原料(成形原料)であるPI系樹
脂溶液を調製する。ここでPI系樹脂が熱可塑性PI樹
脂とPAI樹脂、熱硬化性PI樹脂の場合では異なる。
一般に前二種は、イミド化されていても有機溶媒に溶解
する性質を有しているので、少なくとも二成分(芳香族
テトラカルボン酸二無水物又は芳香族トリカルボン酸一
無水物と芳香族ジアミン)の当モル量を有機溶媒中で重
合反応し、イミド化まで進め、一挙に熱可塑性PI樹脂
溶液又はPAI樹脂溶液として得る。しかしながら、後
者の場合には反応をイミド化まで進めると有機溶媒に不
溶になるので、一挙に熱硬化性PI樹脂溶液として得ら
れない。この場合にはその前駆体、つまりポリアミド酸
(以下PA酸)の段階で反応を止めてPA酸溶液として
得る必要がある。
First, a PI resin solution as a raw material for production (forming material) is prepared. Here, the case where the PI resin is a thermoplastic PI resin, a PAI resin, or a thermosetting PI resin is different.
Generally, the former two have the property of dissolving in an organic solvent even if they are imidized, so at least two components (aromatic tetracarboxylic dianhydride or aromatic tricarboxylic monoanhydride and aromatic diamine) Are polymerized in an organic solvent to proceed to imidization to obtain a thermoplastic PI resin solution or a PAI resin solution at once. However, in the latter case, if the reaction proceeds to imidization, the reaction becomes insoluble in an organic solvent, and thus cannot be obtained as a thermosetting PI resin solution at once. In this case, it is necessary to stop the reaction at the stage of the precursor, that is, polyamic acid (hereinafter referred to as PA acid) to obtain a PA acid solution.

【0021】熱可塑性PI樹脂、PAI樹脂又はPA酸
にしてもフイルムとしての優れた物性が得られるに十分
な重合度に至るまで反応を進める必要があるが、得られ
る各溶液濃度(つまり固形分濃度)は成形に都合の良い
濃度で得ると言うことになる。仮に反応で得られた濃度
が高い場合には、反応で使用した有機溶媒と同じ溶媒で
希釈して調整すればよい。一般に溶液粘度は0.5〜5
Pa・sの範囲で調整するのが良い。尚前記有機溶媒
は、一般にPI系樹脂の溶媒として知られる、N−メチ
ルピロリドン(以下NMP)、ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホオキシド等の非プロトン系の有機極性溶
媒である。
It is necessary to proceed the reaction to a degree of polymerization sufficient to obtain excellent physical properties as a film even with thermoplastic PI resin, PAI resin or PA acid. Concentration) is obtained at a concentration convenient for molding. If the concentration obtained by the reaction is high, it may be adjusted by diluting with the same solvent as the organic solvent used in the reaction. Generally, the solution viscosity is 0.5 to 5
It is better to adjust within the range of Pa · s. The organic solvent is generally known as a solvent for a PI resin, such as N-methylpyrrolidone (hereinafter, NMP), dimethylacetamide,
It is an aprotic organic polar solvent such as dimethyl sulfoxide.

【0022】次に前記得られたPI系樹脂溶液(以下バ
ージン原液)に所定量の微細繊維粉体A又は該粉体Aと
CB粉体とが添加され混合分散されるが、この時に分散
性を良化するために、例えばフッ素系の界面活性剤等を
添加しても良いが、添加するにしても該樹脂に対して1
重量%程度以下、できるだけ少量に留めるのがよい。混
合手順は次のようにするのがよい。まず添加したならば
攪拌羽根付きのミキサーで予備的に十分混合する。そし
てこの予備混合液をボール(セラミックス製)ミル攪拌
混合機に移し換えて更に混合分散する。この二段混合で
十分に分散混合される。脱泡を必要とする場合は、ゆっ
くりと攪拌しながら速やかに行うのがよい。
Next, a predetermined amount of the fine fiber powder A or the powder A and the CB powder are added to the obtained PI resin solution (hereinafter referred to as a virgin stock solution) and mixed and dispersed. May be added, for example, a fluorine-based surfactant may be added.
It is better to keep the amount as small as possible, not more than about weight%. The mixing procedure may be as follows. If it is added first, it is mixed well in advance with a mixer equipped with stirring blades. Then, this premixed liquid is transferred to a ball (ceramics) mill stirring mixer, and further mixed and dispersed. The two-stage mixing sufficiently disperses and mixes. When defoaming is required, it is preferred to perform the defoaming quickly while stirring slowly.

【0023】そして前記調製された製造原液は、長尺フ
イルム又は無端管状フイルムに成形されるが、ここで主
たる成形条件は微細繊維粉体が表面部分に多く偏在分散
し、CB粉体は全体に均一分散されるようにすることで
ある。それには次のような方法が好ましく例示できる。
The above-prepared stock solution is formed into a long film or an endless tubular film. Here, the main forming conditions are as follows. That is, it is to be uniformly dispersed. For this purpose, the following method can be preferably exemplified.

【0024】まず長尺フイルムから説明する。まず前記
製造原液とバージン原液とが攪拌羽根付きの二つのタン
クに入れられるが、製造装置としては概略次のようなも
のが例示できる。各タンクは、フレキシブルチューブを
介して二つのスリット状ノズルに繋がれ、金属ベルト上
に配置される。該二つのノズルは該ベルトに対して所定
距離をおいて並列で横設されているが、製造原液用の該
ノズルは該ベルトの進行方向に対して後方に配置され
る。該金属ベルトには主として有機溶媒蒸発のため加熱
手段が付設されているが、加熱温度は段階的に徐々に高
くなるように制御される。該金属ベルトの長さは、主と
して成形速度との関係によって適宜である。尚、特に製
造原液用タンクでは、常に攪拌を行うようにしておくの
がよい。これは常に微細繊維粉体Aを均一分散状態に保
つためである。
First, the long film will be described. First, the production stock solution and the virgin stock solution are put into two tanks with stirring blades, and the following can be exemplified as a manufacturing apparatus. Each tank is connected to two slit-shaped nozzles via a flexible tube, and is arranged on a metal belt. The two nozzles are arranged side by side at a predetermined distance from the belt, and the nozzles for the undiluted liquid are arranged rearward in the traveling direction of the belt. The metal belt is provided with a heating means mainly for evaporating the organic solvent, and the heating temperature is controlled so as to gradually increase. The length of the metal belt is appropriately determined mainly depending on the relationship with the molding speed. In particular, it is preferable that stirring is always performed particularly in the production stock solution tank. This is because the fine fiber powder A is always kept in a uniformly dispersed state.

【0025】そして一定速度で回転進行する前記金属ベ
ルト面に、製造原液がスリットノズルから所定の吐出量
で吐出し塗膜される。この場合の吐出は液状でも良い
が、噴霧状でも良い。より薄い厚さの制御には後者がよ
い。次に前記塗膜面に、バージン原液をバージン原液用
該ノズルから所定の吐出量で吐出し積層する。後者の吐
出のタイミングはずらされるが、そのずらす時間は塗膜
された製造原液の表面が若干乾いた状態になる時間であ
るのがよい。ここで製造原液の吐出量はバージン原液の
それに比較して少なくするが、それは例えば最終得られ
るA・PIフイルムの全厚の15%以内になるように設
定する。これは前記する表面部分に多く偏在すると言う
理由からである。積層された該ベルト上の塗膜は、徐々
に高温に加熱され含有する有機溶媒が徐々に蒸発徐去さ
れ進んで行くが、その徐去量は70〜90%程度とし
て、10〜30%は残存するようにしておくのがよい。
これは該ベルト上で一挙に全ての該溶媒を除去するのは
フイルム面の荒れ等に繋がるので好ましくないからであ
る。従って、ここでの温度は100〜200℃程度の範
囲内で階段的変化をさせるのが良い。又PA酸使用の場
合には、該溶媒の蒸発徐去の他にイミド化を行う必要が
あるが、このイミド化はより高温(例えば250〜40
0℃)で行われるので、該ベルト上では行わずに、別設
のトンネル状熱風乾燥炉等を通して行うのが良い。
On the surface of the metal belt rotating at a constant speed, the undiluted production liquid is discharged from the slit nozzle at a predetermined discharge amount to form a coating film. In this case, the liquid may be discharged, but may be sprayed. The latter is better for controlling a smaller thickness. Next, a virgin stock solution is discharged from the virgin stock solution nozzle at a predetermined discharge rate and laminated on the coating film surface. The timing of the latter ejection is shifted, but the shifting time is preferably a time during which the surface of the coated undiluted solution is in a slightly dry state. Here, the discharge amount of the undiluted production liquid is set to be smaller than that of the undiluted virgin liquid, for example, so as to be within 15% of the total thickness of the finally obtained A / PI film. This is because it is unevenly distributed on the above-mentioned surface portion. The coating film on the laminated belt is gradually heated to a high temperature, and the contained organic solvent is gradually evaporated and gradually removed. The removal amount is about 70 to 90%, and 10 to 30% is reduced. It is better to leave it.
This is because it is not preferable to remove all of the solvent on the belt at once, since this may lead to roughening of the film surface. Therefore, the temperature here is preferably changed stepwise within a range of about 100 to 200 ° C. In the case of using a PA acid, it is necessary to carry out imidation in addition to evaporation and removal of the solvent.
(0 ° C.), it is preferable not to carry out on the belt but to carry out through a separate tunnel-shaped hot-air drying oven.

【0026】そして前記乾燥された金属ベルト上の自己
支持性フイルムは、剥離しつつここで一旦巻き取るか又
は連続して別途設けられたトンネル状熱風乾燥炉中を連
続的に通過して全ての残存溶媒を蒸発除去し所望のA・
PI長尺フイルムを製造する。ここでPA酸使用のもの
についてはイミド化まで行う必要があるので、この場合
の温度範囲は100〜450℃の範囲として、該乾燥機
の温度が出口に行くにつれて高くなるように温度勾配を
もって温度制御が行われるようにする。
The self-supporting film on the dried metal belt is once wound up while peeling off, or continuously passed through a separately provided tunnel-like hot air drying furnace to continuously remove all the film. The remaining solvent is removed by evaporation.
Manufacture PI long film. Here, since it is necessary to carry out the process up to imidation in the case of using PA acid, the temperature range in this case is set to a range of 100 to 450 ° C. Control is performed.

【0027】次に無端管状のA・PIフイルムの成形方
法について説明する。まず無端管状に成形するために
は、一般に知られている遠心成形法が好ましく使用され
る。つまり少なくとも遠心力が作用する回転速度で回転
する金属ドラムの内周面を使って成形加熱すが、その装
置としては概略次が例示できる。両端開口の金属ドラム
(内面はRz=0.5μm程度に仕上げられたクロムメ
ッキによる鏡面仕上げ)が2本の回転ローラ上に(着脱
自在に)載置される。該ドラムは、該ローラの回転によ
って間接回転する機構を採る。そして該ドラム内を加熱
するための加熱源(例えば遠赤外線)が外側上部に設け
られている。ここで該ローラ内にも加熱源が設けられ、
該ドラムの補助的加熱を行う。そして、該ドラム内に
は、該面から所定間隔離して水平に左右動し、且つ挿脱
自在機構を有してなる成形原液吐出用スリット状ノズル
が設けられている。該ノズルの出口幅(スリット幅)
は、約0.2〜3mm、長さは約10〜100mmと言
ったところである。これにより供給幅と供給量(塗布厚
さ)が決まる。そして、少なくとも該ドラムの全体は排
気フアンを持った筐体で囲まれるようになっていて、回
転成形中に加熱蒸発される有機溶媒を速やかに系外に除
去される。勿論、所望するフイルム厚さが自由に得られ
るように、成形原液の供給量と該ドラムの回転速度と該
ノズルの左動又は右動の速度とが自動的に制御されるよ
うにコンピューターが組み込まれてもいる。
Next, a method of forming an endless tubular A / PI film will be described. First, in order to form an endless tube, a generally known centrifugal molding method is preferably used. That is, molding and heating are performed using the inner peripheral surface of the metal drum that rotates at least at the rotational speed at which the centrifugal force acts. A metal drum with both ends opened (the inner surface is mirror-finished by chrome plating finished to about Rz = 0.5 μm) is mounted (removably) on two rotating rollers. The drum employs a mechanism that rotates indirectly by the rotation of the roller. A heating source (for example, far-infrared ray) for heating the inside of the drum is provided on the upper outside. Here, a heating source is also provided inside the roller,
An auxiliary heating of the drum is provided. Further, a slit-shaped nozzle for discharging a stock solution is provided in the drum, which horizontally moves left and right while being separated from the surface by a predetermined distance, and has a mechanism capable of being inserted and removed. Exit width of this nozzle (slit width)
Is about 0.2 to 3 mm and the length is about 10 to 100 mm. This determines the supply width and supply amount (coating thickness). At least the entire drum is surrounded by a housing having an exhaust fan, so that the organic solvent heated and evaporated during rotational molding can be quickly removed from the system. Of course, a computer is incorporated so that the supply amount of the forming stock solution, the rotation speed of the drum, and the left or right movement speed of the nozzle are automatically controlled so that a desired film thickness can be freely obtained. Have been.

【0028】そして前記成形装置による成形手順は、概
略次の通り行われる。まず前記ノズルが、金属ドラムの
内右端の上位置に30〜50mm程度離して配置され
る。そして該ドラムは、コンピューター制御された所定
の回転速度で回転を始める。ここで重要なことは、微細
繊維粉体Aは、速やかに表面部分に多く偏在するように
移動し、CB粉体は当初のままで全体に均一に分散され
ているように回転速度を制御することである。これには
余りにも回転速度を高くすると一挙に大きな遠心力が掛
かるので、CB粉体も表面部分に移動するようになる。
このことを知って適宜予備実験を通じて、両者バランス
の取れる回転速度で行うのが良い。予備実験では、ほぼ
5〜30rad/sの範囲であれば達成できることを確
認している。金属ドラムの回転がスタートすると、スリ
ットノズルからの成形原液の供給がスタートすると同時
に該ノズルの右端から左端への移動がコンピューター制
御下でスタートする。右端から左端への供給が終わった
ら直ちに噴射供給を停止し、該ノズルは一旦原位置に自
動復帰させ、更に後退させて系外に出される。次に回転
し続けている金属ドラムを筐体で囲み、前記加熱源によ
る加熱をスタートし、該ドラム内を所定温度に保つ。こ
の加熱の開始と共に、前記筐体の排気フアンの稼働もス
タートする。この時の回転速度は、当初の速度と同じで
ある場合と、更に若干速く又は遅く(一般には前記最初
の速度の0.5〜2倍程度)する場合がある。ここでの
加熱条件は基本的には、有機溶媒の蒸発温度よりも高い
が、イミド化温度(250〜450℃程度)よりも低い
温度(約100〜200℃)とする。これは、ここも前
記するように全ての有機溶媒を除去せずに、1部を残存
させておく為とPA酸を使うものではイミド化を実質的
に進めない為であるが、その他にCB粉体も含有分散す
るものでは、電気抵抗値の安定性維持の意味もある。
The molding procedure by the molding apparatus is generally performed as follows. First, the nozzle is disposed at a position above the right end of the metal drum at a distance of about 30 to 50 mm. Then, the drum starts rotating at a predetermined rotation speed controlled by the computer. What is important here is that the fine fiber powder A quickly moves so as to be unevenly distributed on the surface portion, and the rotation speed is controlled so that the CB powder is uniformly dispersed throughout as it is. That is. If the rotation speed is too high, a large centrifugal force is applied at a stroke, so that the CB powder also moves to the surface.
Knowing this, it is preferable to perform the rotation at a rotational speed that balances the two through preliminary experiments as appropriate. Preliminary experiments have confirmed that this can be achieved in the range of approximately 5 to 30 rad / s. When the rotation of the metal drum starts, the supply of the forming solution from the slit nozzle starts, and at the same time, the movement of the nozzle from the right end to the left end starts under computer control. Immediately after the supply from the right end to the left end, the injection supply is stopped, and the nozzle is automatically returned to the original position once, further retracted, and taken out of the system. Next, the rotating metal drum is surrounded by a housing, heating by the heating source is started, and the inside of the drum is kept at a predetermined temperature. With the start of the heating, the operation of the exhaust fan of the housing also starts. The rotation speed at this time may be the same as the initial speed, or may be slightly faster or slower (generally, about 0.5 to 2 times the initial speed). The heating condition here is basically a temperature (about 100 to 200 ° C.) higher than the evaporation temperature of the organic solvent but lower than the imidization temperature (about 250 to 450 ° C.). This is because, as described above, one part is not removed without removing all the organic solvent, and imidization is not substantially advanced in the case of using PA acid. In the case of containing and dispersing powder, it also has the meaning of maintaining the stability of the electric resistance value.

【0029】前記金属ドラムでの成形が終わったなら
ば、該ドラムのままを又は該ドラムから無端管状フイル
ムを離脱して別設の熱風乾燥機に入れて、残存する有機
溶媒の除去と、PA酸による場合にはイミド化を行い無
端管状のA・PIフイルムを得る。従って熱風温度は、
100〜450℃程度の温度範囲であるが、昇温に際し
てはいずれの場合も徐々階段的に昇温し、その温度で一
定時間加熱するのがよい。ここで特に熱風を加熱媒体と
するのは、単なる加熱に比べて、発生する残存溶媒とイ
ミド化の際に発生する縮合水が速やかに系外に除去する
ためである。その結果後述する導電性金属薄膜層(2
B)の密着力もより強くなる、表面状態にもなると言う
ものである。
After the molding with the metal drum is completed, the drum as it is or the endless tubular film is detached from the drum and put into a separate hot-air dryer to remove the remaining organic solvent and remove the PA. In the case of using an acid, imidization is performed to obtain an endless tubular A / PI film. Therefore, the hot air temperature is
The temperature is in the range of about 100 to 450 ° C., but in any case, it is preferable to gradually increase the temperature in any case, and to heat at that temperature for a certain time. The reason why the hot air is used as the heating medium is to remove the residual solvent generated and the condensed water generated at the time of imidization more quickly than the simple heating. As a result, a conductive metal thin film layer (2
It is said that the adhesive force of B) also becomes stronger and the surface state is also obtained.

【0030】尚、(前記金属ドラムから無端管状フイル
ムを離脱せずに)該ドラムに装着したままで熱風加熱す
る場合と離脱して熱風加熱する場合との差は、マトリッ
クスであるPI系樹脂による。つまり残存有機溶媒の蒸
発につれて収縮傾向のある該樹脂(例えば主鎖にエーテ
ル結合等を有しないベンゼン核のみで結合するPI樹
脂)は、一旦離脱して加熱するし、そうでない該樹脂
(例えば主鎖にエーテル結合等を有するPI樹脂)は該
ドラムのままで加熱すると言うことである。ここで一旦
離脱して加熱する該フイルムについては、そのまま乾燥
機に入れるのではなくて、これを中空管状金型(フイル
ムの内径よりも若干小さ目の外径)に嵌挿してこの金型
を乾燥機に入れ加熱するのが良い。これは収縮を規制す
るためである。
The difference between the case where hot air heating is performed with the endless tubular film attached to the metal drum (without detaching the endless tubular film from the metal drum) and the case where heating is performed by detaching the endless tubular film depends on the PI resin as a matrix. . In other words, the resin that tends to shrink as the residual organic solvent evaporates (for example, a PI resin that binds only with a benzene nucleus that does not have an ether bond or the like in the main chain) is once removed and heated, and the other resin is not heated (for example, the main resin). (PI resin having an ether bond or the like in the chain) is to be heated as it is in the drum. The film which is once removed and heated is not inserted into the dryer as it is, but is inserted into a hollow tubular mold (an outer diameter slightly smaller than the inner diameter of the film) to dry the mold. It is better to put it in a machine and heat it. This is to control shrinkage.

【0031】そして前記の通り成形して得られたA・P
Iフイルムは、表面金属化のために、まず導電性金属B
でもって導電性金属薄膜層(2B)が形成される。つま
り該薄膜層は、特に導電性金属Bの物理的薄膜形成手段
によって形成されるが、該手段は一般に知られている真
空蒸着法、イオンプレーテング法又はスパッタリング法
のいずれかを言う。就中特にスパッタリング法が効果的
である。つまり該手段を使うことで、他のいかなる手段
(例えば無電解メッキ法、化学的又は物理的方法による
表面活性化法)よりも、該フイルム面との密着力が高
く、そして該層自身の性能品質(純度、緻密、低電気抵
抗等)が良く、更にもう一つの手段である電解メッキに
よる導電性金属厚膜層(3)の形成も円滑に行われ、高
い密着力をもった金属厚膜が容易に形成されると言うも
のである。尚、ここで該フイルム面との密着力が良いこ
とに対する効果は、次のような作用機構によることが想
定される。高速で飛び出した導電性金属Bの(活性)分
子が、該フイルム表面に(突出)存在している微細繊維
粉体Aを攻撃し、(物理)化学的に軽い結合をする結果
ではではなかろうか。
The AP obtained by molding as described above
In order to metallize the surface, first, the conductive film B
Thus, the conductive metal thin film layer (2B) is formed. In other words, the thin film layer is formed by a means for forming a physical thin film of the conductive metal B in particular, and this means any of the generally known vacuum deposition method, ion plating method, and sputtering method. In particular, the sputtering method is particularly effective. In other words, by using this means, the adhesion to the film surface is higher than any other means (eg, electroless plating, surface activation by chemical or physical methods), and the performance of the layer itself is improved. Good quality (purity, denseness, low electrical resistance, etc.), and the formation of the conductive metal thick film layer (3) by electrolytic plating, which is another means, is performed smoothly, and the metal thick film with high adhesion is provided. Is easily formed. Here, it is assumed that the effect on the good adhesion to the film surface is due to the following action mechanism. The (active) molecules of the conductive metal B that jumped out at a high speed attack the fine fiber powder A (projecting) existing on the film surface, and are not likely to result in (physical) chemical light bonding. .

【0032】前記導電性金属Bとしてはは、微量の電流
でも迅速に流れる、単体金属又はその合金であるが、そ
の電気抵抗値としては約10ー4Ω/□以下のものであ
る。具体的には銅、ニッケル、銀、白金、錫、カドニウ
ム、アルミニウム又はこれらを主成分とする各合金等が
例示できる。就中密着力の点でより好ましいものは銅、
ニッケル又はアルミニウムである。ここで導電性が必要
であるのは、次に行う電解メッキの際の有効な電極とし
て使うためでもある。
The conductive metal B is a simple metal or an alloy thereof, which quickly flows even with a small amount of current, and has an electric resistance of about 10-4 Ω / □ or less. Specific examples include copper, nickel, silver, platinum, tin, cadmium, aluminum, and alloys containing these as main components. Among them, copper is more preferable in terms of adhesion.
Nickel or aluminum. Here, the reason why conductivity is required is also to use the electrode as an effective electrode in the next electrolytic plating.

【0033】前記導電性金属Bによるの薄膜層の厚さ
は、前記電極として有効に作用するのに必要な最低限の
厚さと、余りにも薄層であると密着力にも悪影響するこ
とと、該薄膜層面が平滑面になっている方が良いと言っ
たことを考慮して決められる。かかる点から例示すれば
100〜1000nm、好ましくは300〜700nm
である。
The thickness of the thin film layer made of the conductive metal B is a minimum thickness necessary for effectively acting as the electrode, and if the thickness is too thin, the adhesion is adversely affected. It is determined in consideration of the fact that the thin film layer surface should be smooth. From this point, for example, 100 to 1000 nm, preferably 300 to 700 nm
It is.

【0034】前記物理的薄膜形成手段で例示する各方法
の形成条件は、一般的に使われている中で行えるが、こ
こでは好ましい方法として挙げるスパッタリング法につ
いて例示しておく。まずA・PIフイルムが長尺フイル
ムである場合は、ウエッブ巻き状態で巻き取りローラと
共にスパッタ(カソードはプレーナ型マグネトロン)装
置の真空室(スパッタ室)内に配置する。微細繊維粉体
Aを表面に有する該フイルム面は、所定距離を置いてプ
レーナ上の導電性金属Bターゲットに向けて配置されて
いる。真空室内のスパッタ時圧力は、一般にアルゴン置
換で10−3〜10−1Pa、スパッタ時電圧電流は3
〜15W/cm(DC・0.2〜0.5kv)程度、
そして特にスパッタ温度(真空室内の維持温度)は80
〜160℃、好ましくは90〜140℃にするのが良
い。スパッタ速度(巻き取り速度)は、スパッタ時電圧
電流の強さ、望む薄膜層(2B)の膜厚によって決まる
ので、これについては事前チェックにて決めるのが良
い。ここで特にスパッタ温度(真空室内の維持温度)を
80〜160℃にするのは、M・PIフイルムが仮に2
00℃近辺で使用されても、表面金属化層が剥離するよ
うな危険もないからである。つまり耐熱密着性の付与に
有効であると言うことである。尚、特にA・PIフイル
ムが使用されることで、一般的に行う前処理(化学的又
は物理的処理)は行う必要はないが、より確実で安心で
きる密着性を得るためには、行った方が望ましい。この
前処理も、化学的よりもプラズマ放電処理とかサンドブ
ラスト等による物理的方法が好ましい。該フイルム面の
微細繊維粉体Aがプラズマによってダメージを受けこれ
が更なる密着性の向上に繋がるではないかと考えられ
る。
The forming conditions of each method exemplified by the physical thin film forming means can be performed in a generally used manner. Here, a sputtering method which is mentioned as a preferable method is exemplified. First, when the A / PI film is a long film, it is placed in a vacuum chamber (sputter chamber) of a sputter (cathode is a planar magnetron) device together with a take-up roller in a web wound state. The film surface having the fine fiber powder A on its surface is arranged at a predetermined distance toward the conductive metal B target on the planar. The pressure at the time of sputtering in a vacuum chamber is generally 10 −3 to 10 −1 Pa by replacing with argon, and the voltage and current at the time of sputtering are 3
~15W / cm 2 (DC · 0.2~0.5kv ) about,
In particular, the sputtering temperature (maintaining temperature in the vacuum chamber) is 80
The temperature is preferably from 160 to 160C, more preferably from 90 to 140C. The sputtering speed (winding speed) is determined by the strength of the voltage and current during sputtering and the desired thickness of the thin film layer (2B). Here, particularly, the reason why the sputtering temperature (maintaining temperature in the vacuum chamber) is set to 80 to 160 ° C. is that the M / PI film is 2
This is because there is no danger that the surface metallized layer will be peeled off even when used at around 00 ° C. That is, it is effective in imparting heat resistance. In particular, since the A / PI film is used, it is not necessary to perform a general pretreatment (chemical or physical treatment), but in order to obtain more secure and reliable adhesion, the pretreatment is performed. Is more desirable. This pretreatment is also preferably a physical method such as plasma discharge treatment or sandblasting rather than chemical treatment. It is considered that the fine fiber powder A on the film surface is damaged by the plasma, which may lead to a further improvement in adhesion.

【0035】そしてA・PIフイルムが無端管状である
場合のスパッタリングは、次のようにして好ましく行わ
れる。まず前処理、スパッタ時圧力、温度及びスパッタ
時電圧電流の条件については、前記で例示する範囲で行
なわれるが、形状が無端管状フイルムであり、そしてこ
れの複数本を一度にスパッタするために次のような工夫
が採られる。まず真空室は縦型のドラム状とし、このド
ラムの内壁には一本の導電性金属Bターゲット(カソー
ド)が縦設される。一方該ドラムの下には回転するター
ンテーブルが設けられ、そして該テーブルの外縁には、
円筒体が等ピッチで該ターゲットと一定距離を置いて対
峙して立設されている。この円筒体は、該フイルムを嵌
挿保持するためのものであり、該ターンテーブルの回転
と共に自転もする機構を採っている。このような構造に
しておけば、所望する導電性金属B薄膜層の厚さを得る
ために、次の二つのことができる。その一つは該円筒体
の自転速度を一定にし、該ターンテーブルの回転(速度
と回転数)によって該厚さのコントロールを行う。その
二つは該ターンテーブルの回転速度を一定にし、該円筒
体の自転(速度と回転数)によって該厚さのコントロー
ルを行う。いずれの方法で行うかは全体の処理効率との
関係から決まるが、少なくとも一本の該無端管状フイル
ムの場合では、後者の方法が採られる。
The sputtering in the case where the A / PI film is an endless tube is preferably performed as follows. First, the conditions of pretreatment, pressure during sputtering, temperature and voltage and current during sputtering are performed within the ranges exemplified above. However, the shape is an endless tubular film, and a plurality of these films are sputtered at a time. A device like this is adopted. First, the vacuum chamber has a vertical drum shape, and one conductive metal B target (cathode) is vertically provided on the inner wall of the drum. On the other hand, a rotating turntable is provided under the drum, and at the outer edge of the table,
A cylindrical body is erected at a constant pitch and at a constant distance from the target. This cylindrical body is for inserting and holding the film, and employs a mechanism that rotates with the rotation of the turntable. With such a structure, the following two operations can be performed to obtain a desired thickness of the conductive metal B thin film layer. One is to make the rotation speed of the cylindrical body constant, and to control the thickness by the rotation (speed and number of rotations) of the turntable. The two control the rotation speed of the turntable and control the thickness by the rotation (speed and rotation speed) of the cylindrical body. Which method is used depends on the relationship with the overall processing efficiency. In the case of at least one endless tubular film, the latter method is adopted.

【0036】尚、前処理としてグロー放電を行う場合
は、スパッタと異なり、カソードとA・PIフイルムと
の距離は近接(例えば10〜20mm)にするが、該カ
ソードはターゲットと同じものが使用される場合もあれ
ばそうでない場合もある。スパッタがアルミニウムの場
合には、他の金属Bをカソードにもってくる方が好まし
い。原因は良く判らないが、密着力の改善効果はなく、
逆に低下することさえある。その点例えばクロムニウム
をカソードとする、該グロー放電処理は有効である。
When glow discharge is performed as a pretreatment, the distance between the cathode and the A / PI film is made short (for example, 10 to 20 mm), unlike sputtering, but the same cathode is used as the target. In some cases, it may not. If the sputter is aluminum, it is preferable to bring another metal B to the cathode. Although the cause is not well understood, there is no effect of improving the adhesion,
Conversely, it can even drop. In this regard, the glow discharge treatment using, for example, chromium as a cathode is effective.

【0037】次に前記A・PIフイルム面に形成された
導電性金属薄膜層(2B)の上に、電解メッキによって
導電性金属厚膜層(3)が積層され、目的とするM・P
Iフイルムが形成される。まず導電性金属厚膜層(3)
の導電性金属は、前記導電性金属薄膜層(2B)で言う
電気抵抗率と同等又はそれよりも低抵抗の良導体で、効
率良く且つ該金属薄膜層(2B)と一体的に鍍着される
金属であれば特定するものはないが、一つの好ましい条
件としては、該金属薄膜層(2B)と同じ導電性金属又
はそれ以上の良導体であるのがよい。これはより優れた
プリント回路とか、電気誘導発熱ができるからである。
具体的に好ましいものは銅又はニッケルの厚膜層であ
る。これらの金属を該金属薄膜層(2B)に鍍着するた
めには、この金属の無機化合物の水溶液が電解液として
用いられることになる。
Next, a conductive metal thick film layer (3) is laminated by electroplating on the conductive metal thin film layer (2B) formed on the surface of the A / PI film.
An I film is formed. First, the conductive metal thick film layer (3)
Is a good conductor having a resistance equal to or lower than the electric resistivity of the conductive metal thin film layer (2B), and is efficiently and integrally plated with the metal thin film layer (2B). There is no particular limitation as long as it is a metal, but one preferable condition is that it is the same conductive metal as that of the metal thin film layer (2B) or a better conductor thereof. This is because a better printed circuit or electric induction heat can be generated.
Particularly preferred is a thick film layer of copper or nickel. In order to deposit these metals on the metal thin film layer (2B), an aqueous solution of an inorganic compound of the metal is used as an electrolytic solution.

【0038】前記厚膜層(3)の膜厚は、該薄膜層(2
B)のそれよりも厚く形成されることが必要(例えば前
記プリント回路機能とか、誘導発熱機能の有効な発現の
ために)であるが、しかし必要以上であることは、柔軟
性の点とか、屈曲使用の際に剥離と言った危険性がある
ので好ましくない。又該薄膜層の膜厚も導電に有効に作
用するので、その分該厚膜層の厚さを薄く設定すること
もできる。かかる点から妥当な範囲は1〜50μm、好
ましくは2〜30μmである。
The thickness of the thick film layer (3) is
B) needs to be formed thicker than that of B) (for example, for the effective development of the printed circuit function or the induction heating function), but being more than necessary means flexibility or the like. It is not preferable because there is a risk of peeling when used in bending. Further, the thickness of the thin film layer also effectively affects the conductivity, so that the thickness of the thick film layer can be set thinner accordingly. From this point, an appropriate range is 1 to 50 μm, preferably 2 to 30 μm.

【0039】電解メッキは、前記フイルム形状がウェッ
ブ状でも無端管状でも本質的に差はなく、下地層である
導電性金属薄膜層(2B)を陰極として、導電性金属を
含有する電解液で行われるが、そのメッキ条件も一般に
行われている範囲である。例えば金属厚膜層(3)が銅
によりなる場合は、電解液としては硫酸銅及び硫酸を主
成分として、これに光沢剤の少々を添加したメッキ浴に
浸漬し、浴温度約20〜40℃、陰極電流密度約1〜7
A/dm、陽極/陰極面積比1:1、空気攪拌と濾過
(渦状態)は常時行われる。メッキ時間は事前の条件設
定により適宜である。又ニッケルによりなる場合は、例
えば硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分と
するメッキ浴を用いて、他は前記とほぼ同じ条件範囲で
行われる。尚この電解メッキを行う前に、導電性金属薄
膜層(2B)の表面を脱脂洗浄しておくのが良い。
The electroplating is essentially the same regardless of whether the film has a web shape or an endless tubular shape. The electroplating is carried out using an electroconductive solution containing an electroconductive metal with the electroconductive metal thin film layer (2B) as a base layer serving as a cathode. However, the plating conditions are also in the range generally used. For example, when the metal thick film layer (3) is made of copper, the electrolytic solution is immersed in a plating bath containing copper sulfate and sulfuric acid as main components and a small amount of brightener added thereto, and a bath temperature of about 20 to 40 ° C. , Cathode current density about 1-7
A / dm 2 , anode / cathode area ratio 1: 1, air stirring and filtration (vortex state) are always performed. The plating time is appropriately determined by setting conditions in advance. In the case of using nickel, for example, a plating bath containing nickel sulfate, nickel chloride and boric acid as main components is used, and the other conditions are substantially the same as those described above. Before performing the electrolytic plating, the surface of the conductive metal thin film layer (2B) is preferably degreased and cleaned.

【0040】前記によりなるM・PIフイルムは、従来
に増してより一層優れた特性をもってなることで、多方
面でより多用されるようになる。例えばよりフアインパ
ターン化と、より高い耐熱性を要求されるFPC基板分
野をはじめ、カラー複写機の電磁誘導加熱方式を採り入
れた定着器部材(ロール状又はベルト状)として有効に
使用される。尚、該カラー複写機の定着器部材としての
使用の場合には、より高い離型性の付与のために、無端
管状の該フイルムに更にフッ素系樹脂による表面被覆処
理が行われる。
The above-mentioned M / PI film has more excellent characteristics than ever before, so that it is more widely used in various fields. For example, it is effectively used as a fixing device member (roll or belt shape) which adopts an electromagnetic induction heating system of a color copying machine, including the field of FPC boards which require finer pattern formation and higher heat resistance. When the film is used as a fixing device member of the color copying machine, the endless tubular film is further subjected to a surface coating treatment with a fluororesin in order to impart higher releasability.

【0041】[0041]

【実施例】以下比較例と共に、実施例によって更に詳述
する。尚、本例における剥離性と線膨張係数とは、次の
方法により測定されたものである。 ●剥離性 得られた無端管状のM・PIフイルムを張力2N/cm
でもって2本の回転ローラ(30mm直径)に張架し、
150℃に加熱(該回転ローラの1本に加熱源が内蔵さ
れ、その温度が150℃にコントロールされている)、
速度20rpmで5時間回転し続け、停止してセロテー
プ(登録商標)にて同一場所を3回繰り返し剥離(急激
剥離)し、その有無を見たものである。 ●線膨張係数(cm/cm/℃) 各層を形成するPI絶縁層とPI半導電層に相当する各
フイルムを作製し、これをサンプルとして、各々につい
て次の条件で測定したものである。測定器は株式会社島
津製作所製の熱機械分析装置TMA−50の熱分析シス
テムTA−50WS、サンプルは周方向にカットした長
さ10mm、この長さの範囲で、測定温度は100〜2
00℃の範囲で、5℃/分の速度で昇温しつつ連続測定
した。得られた各点での線膨張係数を平均して算出し該
係数とした。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples together with comparative examples. The peelability and the coefficient of linear expansion in this example were measured by the following method. ● Removability The obtained endless tubular M / PI film is tensioned at 2N / cm.
And stretched over two rotating rollers (30mm diameter)
Heating to 150 ° C (one of the rotating rollers has a built-in heating source and its temperature is controlled to 150 ° C);
Rotation was continued at a speed of 20 rpm for 5 hours, stopped, and the same place was repeatedly peeled (rapidly peeled) three times with Cellotape (registered trademark), and the presence or absence was checked. ● Linear expansion coefficient (cm / cm / ° C.) Films corresponding to the PI insulating layer and the PI semiconductive layer forming each layer were prepared, and these were used as samples and measured under the following conditions. The measuring device is a thermal analysis system TA-50WS of a thermomechanical analyzer TMA-50 manufactured by Shimadzu Corporation. The sample is 10 mm in length cut in the circumferential direction, and the measurement temperature is 100 to 2 in this length range.
Continuous measurement was performed in the range of 00 ° C while increasing the temperature at a rate of 5 ° C / min. The coefficient of linear expansion at each of the obtained points was averaged and calculated to be the coefficient.

【0042】(実施例1)まず3,3´,4,4´−ビ
フエニルテトラカルボン酸二無水物とp−フエニレンジ
アミンとの当モル量をNMP溶媒中、20℃で重縮合反
応させて、固形分濃度13.5重量%の芳香族PA酸溶
液1(溶液粘度1.8Pa・s)を3kg合成した。そ
してこの1kgを採取し、これに微細繊維粉体Aとして
ホウ酸アルミニウムウイスカ(線膨張係数4.2×10
−6cm/cm/℃、比重約3.6)3.0gをまず羽
根付きの攪拌機で攪拌しつつ予備的混合し、更にこれを
ボールミルに移し換えて十分に混合分散した。以下これ
を成形原料1と呼ぶ。尚、該PA酸溶液1の一部を採取
し、これをガラス板に流延して、加熱乾燥して溶媒の除
去とイミド化とを行いポリイミドフイルムとし、この線
膨張係数を測定したところ1.8〜2.2×10−5
m/cm/℃であった。
Example 1 First, an equimolar amount of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and p-phenylenediamine was subjected to a polycondensation reaction at 20 ° C. in an NMP solvent. Thus, 3 kg of an aromatic PA acid solution 1 (solution viscosity: 1.8 Pa · s) having a solid concentration of 13.5% by weight was synthesized. Then, 1 kg of this was collected, and aluminum borate whiskers (linear expansion coefficient: 4.2 × 10
First, 3.0 g of −6 cm / cm / ° C., specific gravity of about 3.6) was preliminarily mixed while stirring with a stirrer equipped with blades, and further transferred to a ball mill to be sufficiently mixed and dispersed. Hereinafter, this is referred to as forming raw material 1. A part of the PA acid solution 1 was collected, cast on a glass plate, heated and dried to remove the solvent and imidize to obtain a polyimide film, and the coefficient of linear expansion was measured. 0.8 to 2.2 × 10 −5 c
m / cm / ° C.

【0043】次の前記得られた成形原料1を用いて次の
条件で遠心成形を行い、まず無端管状PA酸フイルムに
成形し、そして前記ウイスカ表面偏在のA・PIフイル
ムを得た。
The following molding raw material 1 was subjected to centrifugal molding under the following conditions, firstly molded into an endless tubular PA acid film, and the A / PI film having the whisker surface unevenly distributed was obtained.

【0044】遠心成形条件は次の通り。成形装置として
は本文中で説明した構造のものであり、条件は次の通り
とした。 ◎金属ドラム・・幅450mm、内径360mm、 ◎成形原料1の供給量・・該ドラムの回転をゆっくりと
スタートし、その速度に合わせてスリットノズルを右か
ら左へ移動しつつ、合計275gの該原液1を供給して
全周面に塗布した。 ◎回転速度と加熱・・120℃に向かって加熱を開始す
ると共に、18rad/sの速度に向かって徐々に回転
速度を上げた。該温度と該速度に到達してから120分
間回転加熱した。自己支持性のある該フイルムが該ドラ
ム内周面で成形された。
The conditions for centrifugal molding are as follows. The molding apparatus had the structure described in the text, and the conditions were as follows. ◎ Metal drum ... 450mm width, 360mm inner diameter ◎ Supply amount of forming raw material 1 ... Slowly start the rotation of the drum, and move the slit nozzle from right to left in accordance with the speed. The stock solution 1 was supplied and applied to the entire peripheral surface.回 転 Rotation speed and heating: Heating was started to 120 ° C., and the rotation speed was gradually increased to a speed of 18 rad / s. After the temperature and the speed were reached, the mixture was rotated and heated for 120 minutes. The self-supporting film was formed on the inner peripheral surface of the drum.

【0045】そして前記得られた無端管状PA酸フイル
ムを金属ドラムから剥離し、これを外径353mm、幅
400mmの中空管状金型に嵌挿してこれを熱風乾燥機
に入れ、90分を要して450℃まで加熱し、更にその
温度で30分間加熱した。冷却して該乾燥機から取り出
し脱挿して無端管状A・PIフイルムを得た。得られた
該フイルムの厚さは50μm、外径は353mmであ
り、そして端部の一部をカットして、この断面をSEM
にて観察したら表面部分(厚さ約3μm程度の領域)に
ホウ酸アルミニウムウイスカが観察され、内部には全く
見られなかった。
Then, the endless tubular PA acid film obtained above was peeled from the metal drum, inserted into a hollow tubular mold having an outer diameter of 353 mm and a width of 400 mm, and placed in a hot-air dryer. To 450 ° C., and further heated at that temperature for 30 minutes. After cooling, the product was taken out of the dryer and removed, and an endless tubular A / PI film was obtained. The thickness of the obtained film is 50 μm, the outer diameter is 353 mm, and a part of the end is cut.
When observed in the above, aluminum borate whiskers were observed on the surface portion (region having a thickness of about 3 μm), but were not seen inside at all.

【0046】そして前記得られた前記A・PIフイルム
(サイズ・幅360mmにカット仕上げ、外径353m
m)の表面に次の条件でスパッタリングして、ニッケル
の薄膜層2Bを形成した。 ◎スパッタ装置・・概略本文中に記載したものである
が、ターンテーブル上には一個の円筒体(外径352m
m、高さ370mm)を固定し、これに該フイルムを嵌
着した。 ◎スパッタ条件・・ターゲットは幅100mm、長さ3
80mmのニッケル板を縦に該フイルムと対峙して壁面
に固定し、真空度はアルゴン置換で10−3Torr、
真空室内温度100℃、該ターゲットと該フイルム面と
の距離は15mm、該ターンテーブルを1m/分の速度
で回転しつつ、出力電圧6.5W/cmにて15分間
スパッタした。
Then, the obtained A / PI film (cut to a size and width of 360 mm, and having an outer diameter of 353 m)
m) was sputtered on the surface under the following conditions to form a nickel thin film layer 2B. ◎ Sputtering apparatus: As described in the main text, one cylindrical body (outer diameter of 352 m
m, height 370 mm), and the film was fitted thereto. ◎ Sputtering conditions: target is 100mm in width and 3 in length
An 80 mm nickel plate is vertically fixed to the wall surface facing the film, and the degree of vacuum is 10 −3 Torr by replacing with argon.
Sputtering was performed at an output voltage of 6.5 W / cm 2 for 15 minutes while rotating the turntable at a speed of 1 m / min while the temperature in a vacuum chamber was 100 ° C., the distance between the target and the film surface was 15 mm.

【0047】前記A・PIフイルム表面には、極めて均
一にニッケル薄膜層2Bが形成され、該層の厚さを測定
したら500nmであった。そしてセロテープで同一場
所を3回繰り返し剥離テストしたが、剥離は一切なかっ
た。
A nickel thin film layer 2B was formed very uniformly on the surface of the A / PI film, and the thickness of the layer was measured to be 500 nm. Then, the same place was repeatedly subjected to a peeling test three times with cellophane tape, but no peeling was found.

【0048】次に前記得られたフイルムのニッケル薄膜
層2B上に、次の条件で電解メッキを行い、ニッケルの
導電厚膜層3を積層した。30℃に温調されたワット浴
ニッケル液を電解液とし、これに円筒状に支持された該
フイルムを浸漬して、陰極電流密度5A/dmで10
分間渦電解を行った。終わったら全体を十分に洗浄し、
乾燥して製品にした。該フイルムの全体は若干固い状態
になったが、屈曲には何ら問題になるような固さではな
かった。積層されたニッケル層はムラなく均一で、厚さ
は20μm±0.5μm(20カ所測定平均)であっ
た。そしてこのM・PIフイルムの両サイドを15mm
カットして、これについて前記条件で剥離性をテストし
た。その結果20カ所に渡ってセロテープ剥離を試みた
が、一切剥離はなかった。尚、表面抵抗率は10−3Ω
/□桁であった。尚、この無端管状M・PIフイルムを
図1で図解しておく。枝番(1b)は該フイルム全体を
斜視図で示し、(1c)はそのD−D断面図で、1はホ
ウ酸アルミニウムウイスカ1a表面偏在のA・PIフイ
ルム、2Bはニッケル薄膜層、3はニッケル厚膜層であ
る。
Next, on the nickel thin film layer 2B of the obtained film, electroplating was carried out under the following conditions to laminate a conductive thick film layer 3 of nickel. A nickel solution of a Watt bath adjusted to a temperature of 30 ° C. is used as an electrolytic solution, and the film supported in a cylindrical shape is immersed in the electrolytic solution to obtain a cathode current density of 5 A / dm 2 .
Vortex electrolysis was performed for minutes. When finished, thoroughly wash the whole,
Dried to product. The whole film became slightly stiff, but not stiff enough to cause any problems in bending. The laminated nickel layer was even and uniform, and had a thickness of 20 μm ± 0.5 μm (measured at 20 locations). And both sides of this M ・ PI film are 15mm
They were cut and tested for peelability under the conditions described above. As a result, cellotape peeling was attempted at 20 locations, but no peeling was found. The surface resistivity was 10 −3 Ω.
/ □ digit. The endless tubular M / PI film is illustrated in FIG. Branch number (1b) is a perspective view of the entire film, (1c) is a cross-sectional view of the film taken along the line DD, 1 is an A / PI film having a surface uneven distribution of aluminum borate whiskers 1a, 2B is a nickel thin film layer, and 3 is a nickel thin film layer. This is a nickel thick film layer.

【0049】(実施例2)ピロメリット酸二無水物と
4,4´−ジアミノジフェニルエーテルとの当モル量を
NMP溶媒中、20℃で重縮合反応させて、固形分濃度
固形分濃度13.7重量%の芳香族PA酸溶液2(溶液
粘度1.9Pa・s)を3kg合成した。そしてこの1
kgを採取し、これに微細繊維粉体Aとしてチタン酸カ
リウムウイスカ(線膨張係数6.8×10−6cm/c
m/℃、比重約3.3)5.0gを、まず羽根付きの攪
拌機で攪拌しつつ予備的混合し、更にこれをボールミル
に移し換えて十分に混合分散した。以下これを成形原料
2と呼ぶ。尚、該PA酸溶液2の一部を採取し、これを
ガラス板に流延して、加熱乾燥して溶媒の除去とイミド
化とを行いポリイミドフイルムとし、この線膨張係数を
測定したところ2.2〜2.4×10−5cm/cm/
℃であった。
Example 2 An equimolar amount of pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether was subjected to a polycondensation reaction in an NMP solvent at 20 ° C. to give a solid concentration of 13.7. 3 kg of a 2% by weight aromatic PA acid solution 2 (solution viscosity: 1.9 Pa · s) was synthesized. And this one
of potassium whisker (linear expansion coefficient: 6.8 × 10 −6 cm / c) as fine fiber powder A.
5.0 g of m / ° C., specific gravity of about 3.3) was first preliminarily mixed while stirring with a stirrer equipped with blades, and further transferred to a ball mill to be sufficiently mixed and dispersed. Hereinafter, this is referred to as molding raw material 2. A part of the PA acid solution 2 was sampled, cast on a glass plate, and dried by heating to remove the solvent and imidization to obtain a polyimide film. 0.2 to 2.4 × 10 −5 cm / cm /
° C.

【0050】次の前記得られた成形原料2を用いて次の
条件で遠心成形を行い、まず無端管状PA酸フイルムに
成形し、そして前記ウイスカ表面偏在のA・PIフイル
ムを得た。
The following molding material 2 was subjected to centrifugal molding under the following conditions, firstly molded into an endless tubular PA acid film, and the A / PI film having the whisker surface unevenly distributed was obtained.

【0051】遠心成形条件は前記実施例1と同一条件で
行った。実施例1と同じ状態で自己支持性のある無端管
状のPA酸フイルムが金属ドラム内周面で成形された。
The conditions for centrifugal molding were the same as in Example 1. A self-supporting endless tubular PA acid film in the same state as in Example 1 was formed on the inner peripheral surface of the metal drum.

【0052】そして前記の金属ドラムを回転ローラから
はずして、このまま熱風乾燥機に入れ、90分を要して
400℃まで加熱し、更にその温度で30分間加熱し
た。冷却して該乾燥機から取り出し、剥離して無端管状
A・PIフイルムを得た。得られた該フイルムの厚さは
51μm、外径は353mmであり、そして端部の一部
をカットして、この断面をSEMにて観察したら表面部
分(厚さ4μm程度の領域)にチタン酸カリウムウイス
カが観察され、内部には全く見られなかった。
Then, the metal drum was detached from the rotating roller, put into a hot air drier as it was, heated to 400 ° C. in 90 minutes, and further heated at that temperature for 30 minutes. After cooling, it was taken out of the dryer and peeled off to obtain an endless tubular A / PI film. The thickness of the obtained film is 51 μm, the outer diameter is 353 mm, and a part of the end is cut. When this cross section is observed by SEM, a titanic acid is added to the surface (area of about 4 μm in thickness). Potassium whiskers were observed and were not seen inside at all.

【0053】次に前記得られた前記A・PIフイルム
(サイズ・幅360mmにカット仕上げ、外径353m
m)の表面に次の条件でスパッタリングして、銅の薄膜
層2Bを形成した。ターゲットとして銅、出力電圧とし
て6.2W/cmとする以外は実施例1同じでスパッ
タした。
Next, the obtained A / PI film (cut to a size and width of 360 mm, and having an outer diameter of 353 m)
m) was sputtered on the surface under the following conditions to form a copper thin film layer 2B. The sputtering was performed in the same manner as in Example 1 except that the target was copper and the output voltage was 6.2 W / cm 2 .

【0054】前記A・PIフイルム表面には、極めて均
一に銅薄膜層2Bが形成され、該層の厚さを測定したら
500nmであった。そしてセロテープで同一場所を3
回繰り返し剥離テストしたが、剥離は一切なかった。
A copper thin film layer 2B was formed very uniformly on the surface of the A / PI film, and the thickness of the layer was measured to be 500 nm. And 3 in the same place with cellophane tape
The peel test was repeated several times, but there was no peeling.

【0055】次に前記得られたフイルムの銅薄膜層2B
上に、次の条件で電解メッキを行い、銅の厚膜層3を積
層した。25℃に温調された銅の電解液に、円筒状に支
持された該フイルムを浸漬して、陰極電流密度1A/d
で7分間渦電解を行った。終わったら全体を十分に
洗浄し、乾燥して製品にした。該フイルムの全体は若干
固い状態になったが、屈曲には何ら問題になるような固
さではなかった。積層された銅層はムラなく均一で、厚
さは8±1.0μm(20カ所測定平均)であった。そ
してこのM・PIフイルムの両サイドを15mmカット
して、これについて剥離性をテストした。20カ所に渡
って剥離を試みたが、一切剥離はなかった。尚、表面抵
抗率は10−4Ω/□桁であった。
Next, the copper thin film layer 2B of the film obtained above
On top, electrolytic plating was performed under the following conditions, and a thick copper layer 3 was laminated. The film supported in a cylindrical shape is immersed in a copper electrolyte adjusted to a temperature of 25 ° C., and the cathode current density is 1 A / d.
Vortex electrolysis was performed at m 2 for 7 minutes. When finished, the whole was thoroughly washed and dried to a product. The whole film became slightly stiff, but not stiff enough to cause any problems in bending. The laminated copper layer was even and uniform, and had a thickness of 8 ± 1.0 μm (measured at 20 locations). Then, both sides of this M / PI film were cut by 15 mm, and the peelability was tested. Attempts were made to peel at 20 locations, but no peeling occurred. The surface resistivity was 10 −4 Ω / □ digit.

【0056】(実施例3)実施例1で得た芳香族PA酸
溶液1から1kgを採取し、これに該例と同じホウ酸ア
ルミニウムウイスカの3.0gとCB粉体(体積抵抗率
10−1Ω・cm)20.0g(固形分に対して12.
7重量%)とを、まず羽根付きの攪拌機で攪拌しつつ添
加して予備的混合し、更にこれをボールミルに移し換え
て十分に混合分散した。以下これを成形原料3と呼ぶ。
(Example 3) 1 kg of the aromatic PA acid solution 1 obtained in Example 1 was sampled, and 3.0 g of aluminum borate whisker and CB powder (volume resistivity of 10 −) were used. 1 Ω · cm) 20.0 g (12.
7% by weight) was first added with stirring by a stirrer with blades and preliminarily mixed, and then transferred to a ball mill to be sufficiently mixed and dispersed. Hereinafter, this is referred to as forming raw material 3.

【0057】そして前記成形原料3を用いてまず遠心成
形した。この場合の遠心成形条件は、実施例1に従った
が、金属ドラムの回転速度は13rad/sとし、回転
・加熱時間は140分間とした。自己支持性のある該フ
イルムが該ドラム内周面で成形された。
Then, the molding raw material 3 was first subjected to centrifugal molding. The centrifugal molding conditions in this case were the same as in Example 1, but the rotation speed of the metal drum was 13 rad / s, and the rotation and heating time was 140 minutes. The self-supporting film was formed on the inner peripheral surface of the drum.

【0058】そして前記得られた無端管状PA酸フイル
ムを金属ドラムから剥離し、実施例1と同様条件で中空
管状金型に嵌挿して熱風乾燥機に入れて加熱した。冷却
して該金型から脱挿して無端管状A・PIフイルムを得
た。得られた該フイルムの厚さは57μm、外径は35
3mmであり、そして端部の一部をカットして、この断
面をSEMにて観察したら実施例1と同様に表面部分に
ホウ酸アルミニウムウイスカが集まり、CB粉体も該ウ
イスカ部分にも混散され、内部全体に均一に分散してい
ることが観察された。そして表面と裏面との表面抵抗率
(印加電圧250V)測定したところ、各々1.3×1
12Ω/□と1.1×1012Ω/□であった。これ
からもCB粉体は全体に均一に分散されていることが判
る。
Then, the obtained endless tubular PA acid film was peeled off from the metal drum, inserted into a hollow tubular mold under the same conditions as in Example 1, and heated in a hot-air dryer. After cooling, it was removed from the mold to obtain an endless tubular A / PI film. The obtained film has a thickness of 57 μm and an outer diameter of 35 μm.
3 mm, a part of the end was cut, and this cross section was observed by SEM. Aluminum borate whiskers gathered on the surface as in Example 1, and the CB powder also diffused into the whisker. And it was observed that it was uniformly dispersed throughout the interior. When the surface resistivity (applied voltage: 250 V) of the front surface and the back surface was measured, each was 1.3 × 1
The values were 0 12 Ω / □ and 1.1 × 10 12 Ω / □. From this, it can be seen that the CB powder is uniformly dispersed throughout.

【0059】そして前記得られたA・PIフイルム(サ
イズ・幅360mm、外径353mm)の表面に次の条
件でスパッタリングして、銅の薄膜層2Bを形成した。
スパッタ条件は、スパッタ時間を20分間とする以外は
実施例2と同じで行った。極めて均一に銅薄膜層2Bが
形成され、該層の厚さを測定したら600nmであっ
た。そしてセロテープで同一場所を3回繰り返し剥離テ
ストしたが、剥離は一切なかった。
Then, the surface of the obtained A / PI film (size / width: 360 mm, outer diameter: 353 mm) was sputtered under the following conditions to form a copper thin film layer 2B.
The sputtering conditions were the same as in Example 2 except that the sputtering time was set to 20 minutes. The copper thin film layer 2B was formed extremely uniformly, and the thickness of the layer was measured to be 600 nm. Then, the same place was repeatedly subjected to a peeling test three times with cellophane tape, but no peeling was found.

【0060】次に前記得られたフイルムの銅の薄膜層2
B上に、次の条件で電解メッキを行い、銅厚膜層3を積
層した。電解メッキ条件は時間を10分間とする以外は
実施例2と同じで行った。極めて均一にムラなく銅厚膜
層3が形成され、該層の厚さを測定したら10±1.3
μm(20カ所測定平均)であった。そしてこのM・P
Iフイルムについても実施例2と同様に剥離性をテスト
したが、20カ所に渡って剥離を試みたが、一切剥離は
なかった。
Next, the thin film layer 2 of copper of the film obtained above
Electrolytic plating was performed on B under the following conditions to laminate a copper thick film layer 3. The electroplating conditions were the same as in Example 2 except that the time was 10 minutes. The copper thick film layer 3 was formed very uniformly without unevenness, and when the thickness of the layer was measured, it was 10 ± 1.3.
μm (average of 20 measurements). And this MP
The peelability of the I-film was also tested in the same manner as in Example 2. Attempts were made to peel the film at 20 locations, but there was no peeling.

【0061】(比較例1)実施例2で得た芳香族PA酸
溶液2の1kgを採取し、同様条件でチタン酸カリウム
ウイスカを十分に混合分散し、これを成形原料として該
例と同一条件で遠心成形し、引き続き熱風乾燥機で同様
に加熱して、完全脱溶媒とイミド化とを行い該ウイスカ
表面偏在のA・PIフイルムを得た。
(Comparative Example 1) 1 kg of the aromatic PA acid solution 2 obtained in Example 2 was collected, and potassium titanate whiskers were sufficiently mixed and dispersed under the same conditions. , And subsequently heated in the same manner with a hot air drier to complete the desolvation and imidization to obtain an A / PI film having the whisker surface unevenly distributed.

【0062】そして次の条件で前記A・PIフイルムの
全表面(前記ウイスカ面)に、ニッケルの無電解メッキ
を行った。まず該フイルムの表面を90℃のカセイソー
ダ水溶液(20g/l)に5分間浸漬した後、十分に水
洗乾燥して、表面前処理を行った。次にこれを塩化パラ
ジウム、塩化スズ及び塩酸を主成分とする水溶液の室温
で10分間浸漬し、引き上げて十分に水洗乾燥し、これ
を更に塩酸水溶液に浸漬した(スズの除去の為)。この
表面にはパラジウムが付着され、次に行う無電解のため
の触媒活性核となっている。
Then, electroless plating of nickel was performed on the entire surface (whisker surface) of the A / PI film under the following conditions. First, the surface of the film was immersed in an aqueous solution of caustic soda (20 g / l) at 90 ° C. for 5 minutes, and then sufficiently washed with water and dried to perform a surface pretreatment. Next, this was immersed in an aqueous solution containing palladium chloride, tin chloride and hydrochloric acid as main components at room temperature for 10 minutes, pulled up, sufficiently washed with water and dried, and further immersed in an aqueous hydrochloric acid solution (to remove tin). Palladium is adhered to this surface and serves as a catalytically active nucleus for the subsequent electroless operation.

【0063】そして硫酸ニッケル、次亜リン酸ソーダ及
びクエン酸アンモンを無電解メッキ浴として、温度35
℃に温調し、前記の処理A・PIフイルムをこれに10
分間浸漬した。十分に水洗乾燥した。
Then, nickel sulfate, sodium hypophosphite and ammonium citrate were used as an electroless plating bath at a temperature of 35%.
° C, and add the treated A / PI film to this
Soak for minutes. It was thoroughly washed and dried.

【0064】次に前記得られたニッケル無電解メッキ層
を陰極として実施例1と同一条件にてワット浴ニッケル
液に浸漬してニッケルの電解メッキを行った。積層され
たニッケル層の厚さは24.7±3.7μmであった。
Next, the obtained nickel electroless plating layer was used as a cathode, and immersed in a nickel solution of a Watt bath under the same conditions as in Example 1 to perform nickel electroplating. The thickness of the laminated nickel layer was 24.7 ± 3.7 μm.

【0065】前記得られた管状フイルムについて実施例
1と同じ剥離性テストを行ったところ、回転開始後30
分でニッケル層の部分的に剥離が始まり、60分でほぼ
全部が剥離状態になったので、本テストは中止した。隔
離の状態を見ると、基板(A・PIフイルム)とニッケ
ル無電解層の間での剥離であった。
When the same peeling test as in Example 1 was performed on the obtained tubular film, 30 hours after the start of rotation.
The test was stopped because the nickel layer was partially peeled off in minutes and almost completely peeled off in 60 minutes. Looking at the state of isolation, peeling was found between the substrate (A / PI film) and the nickel electroless layer.

【0066】(実施例4)(電磁誘導加熱テスト例) まず実施例3で調製した成形原料3を用いて、該例に従
って遠心成形→熱風乾燥→銅のスパッタリング→銅の電
解メッキを行い、該例と同じ銅金属化M・PI無端管状
フイルムを得た。
Example 4 (Example of Electromagnetic Induction Heating Test) First, using the molding raw material 3 prepared in Example 3, centrifugal molding → hot-air drying → copper sputtering → copper electroplating according to the example. The same copper metallized M / PI endless tubular film as in the example was obtained.

【0067】一方、テトラフルオロエチレンとパーフル
オロアルキルビニルエーテルとのコポリマ(融点約30
5℃)を使って、環状ダイス(温度380℃)からイン
ナサイジング(温度80℃)しつつ溶融押出しをして
(延伸は縦方向に1.1倍)厚さ60±7μm、内径3
55mmの無端管状フッ素樹脂フイルムを成形した。
On the other hand, a copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkyl vinyl ether (having a melting point of about 30)
5 ° C), melt-extruding from a circular die (temperature 380 ° C) while innerizing (temperature 80 ° C) (stretching 1.1 times in the machine direction), thickness 60 ± 7μm, inner diameter 3
A 55 mm endless tubular fluororesin film was formed.

【0068】そして前記銅金属化M・PI無端管状フイ
ルムを実施例1で使用した中空管状金型に嵌着して、こ
の上に前記無端管状フッ素樹脂フイルムを被着して真空
熱風乾燥機に入れて、120℃で30分間加熱した。こ
の真空加熱により該フッ素樹脂フイルムは、銅層を酸化
することなく、且つ酸素を排除しつつ強固に収縮密着さ
せることができた。そして更に360℃に昇温して10
分間加熱した。常温に冷却して該乾燥機から取り出し
た。該フッ素樹脂フイルムは該M・PI無端管状フイル
ムの銅層面に強固に溶融密着されていた。以下フッ素樹
脂被覆PIフイルムと呼ぶ。
Then, the copper metallized M / PI endless tubular film was fitted into the hollow tubular mold used in Example 1, and the endless tubular fluororesin film was attached thereon, and the vacuum hot air dryer was used. And heated at 120 ° C. for 30 minutes. By this vacuum heating, the fluororesin film could be firmly contracted and adhered without oxidizing the copper layer and eliminating oxygen. The temperature is further raised to 360 ° C.
Heated for minutes. It was cooled to room temperature and taken out of the dryer. The fluororesin film was firmly melt-adhered to the copper layer surface of the M / PI endless tubular film. Hereinafter, it is referred to as a fluororesin-coated PI film.

【0069】そして前記フッ素樹脂被覆PIフイルムを
ベルト回転状態に装備して、該ベルト内に電磁誘導発熱
コイルを配置し、120Wの電力を印加して、該ベルト
の表面温度を測定した。その結果直ちに発熱し160℃
に達して一定になった。電磁誘導作用により有効に発熱
することも確認できた。尚、ここでフッ素樹脂を被着し
たもので本テストを行ったのは、トナー定着は紙との離
型性も必要であるので、その機能を付与した状態を仮定
して行ったものである。該樹脂の被覆方法には種々ある
が、ここで行った予めチューブにしたものを使う本方法
がより効果的である。
Then, the fluororesin-coated PI film was installed in a belt rotating state, an electromagnetic induction heating coil was arranged in the belt, and a power of 120 W was applied to measure the surface temperature of the belt. As a result, heat is generated immediately and 160 ° C
Reached and became constant. It was also confirmed that heat was generated effectively by the electromagnetic induction. Here, the reason why this test was carried out with the fluororesin applied was that the toner fixing was also required to have releasability from paper, so that it was performed under the condition that the function was imparted. . Although there are various methods for coating the resin, the present method using a preformed tube is more effective.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明は、前記の通り特定の物質が表面
に偏在分散されてなるPI系フイルムに、特にスパッタ
リング等の物理的薄膜形法と電解メッキ法とが組み合わ
さることで、表面導電金属化された該フイルムであるの
で、次のような効果を奏する。
According to the present invention, as described above, a PI-based film in which a specific substance is unevenly dispersed on the surface is combined with a physical thin-film method such as sputtering and an electrolytic plating method to obtain a surface conductive film. The metalized film has the following effects.

【0071】表面導電金属化層と前記PI系フイルム面
との密着性を大幅に向上させることができた。この密着
性は該フイルムがフラット状である場合は勿論である
が、特に無端管状であって、ベルト回転状態で、且つ加
熱下で使用されても実用レベルに改善された密着力を有
してもいる。
The adhesion between the surface conductive metallization layer and the surface of the PI film could be greatly improved. This adhesion is, of course, when the film is flat, but in particular, it is endless tubular, and has an adhesion that has been improved to a practical level even when used under heating while rotating the belt. There are.

【0072】前記金属化PI系フイルムに前記特定物質
が混合分散されてはいるが、しかしその分散状態が表面
部分であることで、PIフイルム自身の本質的特性を低
下させるようなこともなく全体構成をとることがができ
る。
Although the specific substance is mixed and dispersed in the metallized PI film, since the dispersed state is a surface portion, the specific characteristics are not reduced without deteriorating the essential characteristics of the PI film itself. Configuration can be taken.

【0073】スパッタリング等による導電薄膜層が高性
能・高品質でもって形成されているので、その分電解メ
ッキによる導電層もより薄く形成できる。これは例えば
FPC基板として使用する場合に、回路の線幅をより細
くすることができ、より多くの回路集積に繋がる。
Since the conductive thin film layer formed by sputtering or the like is formed with high performance and high quality, the conductive layer formed by electrolytic plating can be formed thinner. For example, when used as an FPC board, the line width of a circuit can be made thinner, which leads to more circuit integration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1における無端管状M・PIフイルムの
斜視図(1b)とそのD−D断面図(1c)である。
FIG. 1 is a perspective view (1b) of an endless tubular M / PI film and a DD sectional view (1c) thereof in Example 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ホウ酸アルミニウムウイスカ1a表面偏在の無端
管状PIフイルム 2B ニッケル薄膜層 3 ニッケル厚膜層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Aluminum borate whisker 1a Endless tubular PI film unevenly distributed on the surface 2B Nickel thin film layer 3 Nickel thick film layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 28/02 C23C 28/02 C25D 5/56 C25D 5/56 B 7/00 7/00 J H05K 1/03 610 H05K 1/03 610N Fターム(参考) 4F071 AA60 AB18 AB20 AB26 AB27 AD01 AF54 AF62 AH13 BA02 BB02 BC01 BC17 4F100 AA01A AA01H AA16A AA16H AA19A AA19H AA31A AA31H AA34A AA34H AA37A AA37H AB01B AB01C AB10B AB16B AB16C AB17B AB17C AD05A AD05H AK49A BA03 BA07 BA10A BA10C DA11 DE01A DE01H DG01A DG01H EH66B EH71C GB41 GB43 JA02A JA02H JA20B JA20C JG01 JG01A JG01B JG01C JM02B YY00A YY00B YY00C YY00H 4J002 CM041 DE146 DE186 DJ006 DK006 FA046 FA066 GQ00 GQ01 GQ02 4K024 AA03 AA09 AB02 AB15 BA14 BB11 BC02 GA01 4K044 AA16 AB02 BA06 BA10 BB03 BC05 CA13 CA18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) C23C 28/02 C23C 28/02 C25D 5/56 C25D 5/56 B 7/00 7/00 J H05K 1 / 03 610 H05K 1/03 610N F-term (Reference) 4F071 AA60 AB18 AB20 AB26 AB27 AD01 AF54 AF62 AH13 BA02 BB02 BC01 BC17 4F100 AA01A AA01H AA16A AA16H AA19A AA19H AA31A AA31H AABAB ABB AB17AB13A BA07 BA10A BA10C DA11 DE01A DE01H DG01A DG01H EH66B EH71C GB41 GB43 JA02A JA02H JA20B JA20C JG01 JG01A JG01B JG01C JM02B YY00A YY00B YY00C YY00B YY00C YY00B 4J002 CM041 ABA14G02 A006 BAK4A BB03 BC05 CA13 CA18

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ポリイミド系樹脂の有する線膨張係数以下
の線膨張係数を有する微細繊維状無機化合物粉体Aが表
面部分に多く偏在分散されてなるポリイミド系フイルム
(1)であり、そして該フイルム表面が導電性金属Bの
物理的薄膜形成手段により形成される導電性金属薄膜層
(2B)と電解メッキ法により形成される導電性金属厚
膜層(3)とで順次密着積層され構成されていことを特
徴とする金属化ポリイミド系フイルム。
1. A polyimide film (1) in which fine fibrous inorganic compound powder A having a linear expansion coefficient equal to or less than that of a polyimide resin is unevenly distributed on a surface portion, and said film is provided. The surface of the conductive metal thin film layer (2B) formed by the physical thin film forming means of the conductive metal B and the conductive metal thick film layer (3) formed by the electrolytic plating method are successively adhered and laminated. A metallized polyimide film characterized by the above-mentioned.
【請求項2】前記微細繊維状無機化合物粉体Aが比重
2.5〜4のウイスカ状の無機化合物粉体である請求項
1に記載の金属化ポリイミド系フイルム。
2. The metallized polyimide film according to claim 1, wherein said fine fibrous inorganic compound powder A is a whisker-like inorganic compound powder having a specific gravity of 2.5 to 4.
【請求項3】前記微細繊維状無機化合物粉体Aがウイス
カ状のチタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、炭化ケ
イ素、窒化ケイ素及びアルミナの群から選ばれた少なく
とも一種である請求項1又は2に記載の金属化ポリイミ
ド系フイルム。
3. The method according to claim 1, wherein the fine fibrous inorganic compound powder A is at least one selected from the group consisting of whisker-like potassium titanate, aluminum borate, silicon carbide, silicon nitride, and alumina. Metallized polyimide film.
【請求項4】前記微細繊維状無機化合物粉体Aがポリイ
ミド系樹脂に対して2〜10重量%含有されてなる請求
項1〜3のいずれか1項に記載の金属化ポリイミド系フ
イルム。
4. The metallized polyimide film according to claim 1, wherein the fine fibrous inorganic compound powder A is contained in an amount of 2 to 10% by weight based on the polyimide resin.
【請求項5】前記ポリイミド系フイルム(1)が無端管
状ポリイミド系フイルムである請求項1〜4のいずれか
1項に記載の金属化ポリイミド系フイルム。
5. The metallized polyimide film according to claim 1, wherein said polyimide film (1) is an endless tubular polyimide film.
【請求項6】前記無端管状ポリイミド系フイルムに実質
的に均一分散状態で導電性カーボンブラック粉体も含有
してなることを特徴とする請求項5に記載の金属化ポリ
イミド系フイルム。
6. The metallized polyimide film according to claim 5, further comprising a conductive carbon black powder in a substantially uniform dispersion state in the endless tubular polyimide film.
【請求項7】前記導電性カーボンブラック粉体がポリイ
ミド系樹脂に対して5〜15重量%含有されてなる請求
項6に記載の金属化ポリイミド系フイルム。
7. The metallized polyimide film according to claim 6, wherein said conductive carbon black powder is contained in an amount of 5 to 15% by weight based on the polyimide resin.
【請求項8】前記導電性金属Bが銅、ニッケル又はアル
ミニウム、導電性金属厚膜層(3)が銅又はニッケルの
いずれか1種よりなる請求項1〜7のいずれか1項に記
載の金属化ポリイミド系フイルム。
8. The method according to claim 1, wherein said conductive metal B is made of copper, nickel or aluminum, and said conductive metal thick film layer (3) is made of one of copper and nickel. Metallized polyimide film.
【請求項9】前記物理的薄膜形成手段が80〜160℃
下での導電性金属Bをターゲットとするスパッタリング
法によりなる請求項1〜8のいずれか1項に記載の金属
化ポリイミド系フイルム。
9. The method according to claim 1, wherein said physical thin film forming means is 80 to 160 ° C.
The metallized polyimide film according to any one of claims 1 to 8, which is formed by a sputtering method using a conductive metal B as a target below.
【請求項10】前記導電性金属薄膜層(2B)の膜厚が
100〜1000nm、導電性金属厚膜層(3)の膜厚
が1〜50μmよりなる請求項1〜9のいずれか1項に
記載の金属化ポリイミド系フイルム。
10. The conductive metal thin film layer (2B) has a thickness of 100 to 1000 nm, and the conductive metal thick film layer (3) has a thickness of 1 to 50 μm. 2. The metallized polyimide film according to item 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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